KR101191645B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101191645B1 KR101191645B1 KR1020090114807A KR20090114807A KR101191645B1 KR 101191645 B1 KR101191645 B1 KR 101191645B1 KR 1020090114807 A KR1020090114807 A KR 1020090114807A KR 20090114807 A KR20090114807 A KR 20090114807A KR 101191645 B1 KR101191645 B1 KR 101191645B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- buffer layer
- layer
- metal
- oxide
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 12
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- FJNCXZZQNBKEJT-UHFFFAOYSA-N 8beta-hydroxymarrubiin Natural products O1C(=O)C2(C)CCCC3(C)C2C1CC(C)(O)C3(O)CCC=1C=COC=1 FJNCXZZQNBKEJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
Abstract
기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 형성되어 있는 발광층, 그리고 상기 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 버퍼층은 투명 도전성 산화물 및 상기 투명 도전성 산화물보다 일 함수가 낮은 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치, 버퍼층, 일 함수, 투과도
Description
유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 두 전극 사이에 위치하는 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 생성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
유기 발광 표시 장치는 자체 발광형으로 별도의 광원이 필요 없으므로 소비 전력이 낮다.
한편 이러한 소비 전력을 더욱 낮추기 위해서는 유기 발광 표시 장치의 발광 효율을 높여야 한다. 발광 효율은 발광층에서 생성된 여기자의 개수에 비례하므로, 전극으로부터 발광층으로 전자와 정공의 주입이 용이하여야 한다.
본 발명의 일 구현예는 전극으로부터 발광층으로 전자 및 정공의 주입을 용이하게 하여 발광 효율을 개선할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 다른 구현예는 상기 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 버퍼층, 상기 버퍼층 위에 형성되어 있는 발광층, 그리고 상기 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 상기 버퍼층은 투명 도전성 산화물 및 상기 투명 도전성 산화물보다 일 함수가 낮은 금속 또는 금속 산화물을 포함한다.
상기 금속 또는 금속 산화물은 약 2 내지 4eV의 일 함수를 가질 수 있다.
상기 금속은 Ca, Mg, Sm, Cs, Ba, Sr, Y, La 또는 이들의 조합에서 선택되는 하나일 수 있고, 상기 금속 산화물은 Ca, Mg, Sm, Cs, Ba, Sr, Y, La 또는 이들의 조합의 산화물에서 선택되는 하나일 수 있다.
상기 금속 또는 금속 산화물은 상기 버퍼층에 대하여 약 0.5 내지 20중량%으로 포함될 수 있다.
상기 버퍼층은 약 3.6 내지 4.7eV의 일 함수를 가질 수 있다.
상기 버퍼층은 약 400 내지 700nm 파장 영역에서 약 80% 이상의 투과도를 가질 수 있다.
상기 버퍼층은 약 0.1 내지 1000Å의 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 위에 발광층을 형성하는 단계, 그리고 상기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 버퍼층을 형성하는 단계는 투명 도전성 산화물 및 상기 투명 도전성 산화물보다 일 함수가 낮은 금속 또는 금속 산화물을 함께 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 금속은 Ca, Mg, Sm, Cs, Ba, Sr, Y, La 또는 이들의 조합에서 선택되는 하나일 수 있고, 상기 금속 산화물은 Ca, Mg, Sm, Cs, Ba, Sr, Y, La 또는 이들의 조합의 산화물에서 선택되는 하나일 수 있다.
상기 버퍼층을 형성하는 단계는 스퍼터링, 열 증착법 또는 습식 도포법에 의해 수행할 수 있다.
상기 버퍼층을 형성하는 단계는 상기 투명 도전성 산화물의 타겟 및 상기 금속 또는 금속 산화물의 타겟을 사용하는 스퍼터링에 의해 수행할 수 있다.
상기 스퍼터링시 산소 기체를 공급할 수 있다.
상기 산소 기체는 약 0.01 sccm 내지 1 sccm의 유량으로 공급할 수 있다.
상기 버퍼층은 약 3.6 내지 4.7eV의 일 함수를 가지며 약 400 내지 700nm 파장 영역에서 약 80% 이상의 투과도를 가질 수 있다.
전극과 발광층의 일 함수 차이를 줄여 전하의 주입 또는 전달을 용이하게 함으로써 발광 효율을 높일 수 있으며, 투과도 또한 높여 휘도를 개선할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 도 1을 참고하여 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(10), 상기 기판(10) 위에 형성되어 있는 제1 전극(12), 상기 제1 전극(12) 위에 형성되어 있는 버퍼층(13), 상기 버퍼층(13) 위에 형성되어 있는 유기 발광 부재(14), 그리고 상기 유기 발광 부재(14) 위에 형성되어 있는 제2 전극(18)을 포함한다.
기판(10)은 유리 기판, 실리콘 웨이퍼, 고분자 막 등으로 만들어질 수 있다.
제1 전극(12)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나, 캐소드인 것이 바람직하다. 제1 전극(12)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금, 은(Ag) 또는 은 합금, 구리(Cu) 또는 구리 합금 등의 금속 또는 도전성 산화물로 만들어질 수 있으며, 단일 층 또는 복수 층을 포함할 수 있다. 제1 전극(12)이 복수 층을 포함하는 경우, 예컨대 금속을 포함하는 제1 층 및 도전성 산화물을 포함하는 제2 층을 포함할 수 있다.
버퍼층(13)은 투명 도전성 산화물(transparent conductive oxide, TCO) 및 금속 또는 금속 산화물의 혼합물로 만들어질 수 있다.
상기 투명 도전성 산화물은 예컨대 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn) 또는 이들의 조합의 산화물일 수 있으며, 약 3.0 내지 5.0 eV 의 일 함수를 가질 수 있다.
상기 금속 또는 금속 산화물은 상기 투명 도전성 산화물보다 낮은 일 함수를 가질 수 있으며, 약 2 내지 4eV의 비교적 낮은 일 함수를 가질 수 있다. 이러한 금속으로는 예컨대 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 사마리움(Sm), 세슘(Cs), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 란탄늄(La) 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있 으며, 이러한 금속 산화물로는 예컨대 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 사마리움(Sm), 세슘(Cs), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 란탄늄(La) 또는 이들의 조합의 산화물에서 선택될 수 있다.
버퍼층(13)은 약 3.6 내지 4.7eV의 일 함수를 가질 수 있다. 이러한 일 함수 범위는 제1 전극(12)과 후술하는 유기 발광 부재(13)의 일 함수 사이의 값으로, 제1 전극(12)으로부터 유기 발광 부재(13)로 전하의 주입 또는 전달을 용이하게 할 수 있다.
상기 금속 또는 금속 산화물은 버퍼층(13)의 총 함량에 대하여 약 0.5 내지 20 중량%로 포함될 수 있으며, 약 2 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함되는 경우, 일 함수를 적절하게 낮추고 저항을 크게 높이지 않는 동시에 버퍼층의 막질을 개선할 수 있다.
한편, 버퍼층(13)은 가시광선 영역, 즉 약 400 내지 700nm 파장 영역에서 약 80% 이상의 투과도를 가질 수 있다. 상술한 바와 같이 버퍼층(13)은 투명 도전성 산화물과 금속 또는 금속 산화물이 혼합되어 있는데, 이 경우 금속 또는 금속 산화물에 의해 버퍼층(13)의 투과도가 낮아져 휘도가 떨어질 수 있다. 본 구현예에서는 버퍼층(13)에 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 경우에도 가시광선 영역에서 약 80% 이상의 투과도를 나타낼 수 있다. 이를 구현하기 방법으로 예컨대 버퍼층(13) 형성시 산소 기체를 공급해줄 수 있다. 이 때 산소 기체의 유량은 약 0.01 내지 1 sccm 일 수 있으며, 상기 범위의 유량으로 공급되는 경우 상술한 버퍼층(13)의 일 함수 범위를 가지면서 적절한 도전성을 유지할 수 있다.
버퍼층(13)은 약 0.1 내지 1000Å의 두께를 가질 수 있으며, 약 0.1 내지 200Å의 두께를 가질 수 있다.
유기 발광 부재(13)는 발광층(emitting layer)(16) 및 발광층의 발광 효율을 개선하기 위한 부대층(auxiliary layer)(15, 17)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
발광층(16)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴놀린)[aluminium tris(8-hydroxyquinoline)], Alq3], 안트라센(anthracene), 디스트릴(distryl) 화합물일 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 발광층(16)에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
부대층(15, 17)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다.
제2 전극(18)은 애노드 또는 캐소드일 수 있으나 애노드인 것이 바람직하다. 제2 전극(18)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금, 은(Ag) 또는 은 합금, 구리(Cu) 또는 구리 합금 등의 불투명 도전체로 만들어질 수 있으며, 단일 층 또는 복수 층을 포함할 수 있다.
그러면 상술한 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 설명한다.
먼저 기판(10) 위에 제1 전극(12)을 예컨대 스퍼터링 따위의 방법으로 형성한다.
이어서, 제1 전극(12) 위에 버퍼층(13)을 형성한다. 버퍼층(13)은 투명 도전성 산화물 및 상기 투명 도전성 산화물보다 일 함수가 낮은 금속 또는 금속 산화물을 함께 적층할 수 있다.
상기 투명 도전성 산화물은 예컨대 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn) 또는 이들의 조합의 산화물일 수 있다.
상기 금속 또는 금속 산화물은 약 2 내지 4eV의 비교적 낮은 일 함수를 가질 수 있다. 이러한 금속으로는 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 사마리움(Sm), 세슘(Cs), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 란탄늄(La) 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있으며, 이러한 금속 산화물로는 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg), 사마리움(Sm), 세슘(Cs), 바륨(Ba), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 란탄늄(La) 또는 이들의 조합의 산화물에서 선택될 수 있다.
버퍼층(13)은 예컨대 스퍼터링(sputtering), 열 증착법(evaporation) 또는 습식 도포법(wet coating) 등의 방법으로 형성할 수 있다.
버퍼층(13)은 예컨대 스퍼터링에 의해 수행할 수 있으며, 이 경우 투명 도전성 산화물의 타겟과 금속 또는 금속 산화물의 타겟을 사용하여 공스퍼터링(co-sputtering)으로 수행할 수 있다.
한편 상술한 바와 같이, 스퍼터링 수행시 산소 기체를 공급할 수 있다. 산소 기체는 약 0.01 내지 1 sccm 의 유량으로 공급될 수 있다. 상기 범위의 유량으 로 산소 기체를 공급한 경우, 버퍼층(13)은 약 3.6 내지 4.7eV의 일 함수를 가지면서도 가시광선 영역, 즉 약 400 내지 700nm 파장 영역에서 약 80% 이상의 투과도를 유지할 수 있고 적절한 도전성을 나타낼 수 있다.
버퍼층(13) 위에 유기 발광 부재(14)를 형성한다. 유기 발광 부재(14)는 발광층(16) 및 부대층(15, 17)을 포함하며, 이들을 증착 또는 잉크젯 인쇄와 같은 용액 공정으로 형성할 수 있다.
이어서 유기 발광 부재(14) 위에 제2 전극(18)을 형성한다.
이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
유기 발광 장치의 제작
유리 기판 위에 Al을 스퍼터링으로 형성한 후 패터닝하고, InOx 및 CaO 스퍼터링 타겟을 사용하여 7중량%의 CaO를 포함하는 버퍼층을 형성하였다. 버퍼층 형성시 산소 기체를 각각 0, 0.1sccm, 0.2sccm, 0.5sccm 및 1sccm의 유량으로 공급하였다. 이어서 버퍼층 위에 전자전달층으로 Alq3를 증착하고, 그 위에 발광층으로 Alq3 (tris_8-hydroxyquinoline_ aluminum) 에 쿠마린 6(coumarin 6)을 1중량% 도핑하여 공증착하고, 정공 주입층 및 정공 전달층으로 NPB (N,N_-di_naphthalene-1-yl_-N,N_ -diphenyl-benzidine)를 증착하고, Al 을 순차적으로 증착하여 유기 발광 장치를 제작하였다.
평가
버퍼층 형성시 산소 기체의 공급에 따른 일 함수와 투과도 변화를 측정하였다.
이에 대하여 도 2 및 도 3을 참고하여 설명한다.
도 2 및 도 3은 각각 버퍼층 형성시 산소 기체의 공급에 따른 일 함수와 투과도 변화를 보여주는 그래프이다.
도 2를 참고하면, CaO 7중량%를 포함한 InOx: CaO 버퍼층 형성시 산소 기체를 공급하지 않은 경우 약 4.25의 일 함수를 나타내며, 산소 유량이 높아질수록 일 함수가 높아지는 것을 알 수 있다.
한편, 도 3을 참고하면, CaO 7중량%를 포함한 InOx: CaO 버퍼층 형성시 산소 기체를 공급한 경우가 산소 기체를 공급하지 않은 경우보다 투과도가 높은 것을 알 수 있다. 특히 산소 기체의 공급량이 많을수록 투과도가 높아지는 것을 알 수 있다.
도 2 및 도 3으로부터, 버퍼층 형성시 산소 기체를 공급한 경우 일 함수와 투과도가 상반 관계(trade-off)에 있음을 알 수 있다. 따라서 버퍼층 형성시 공급되는 산소 기체의 유량을 적절하게 조절할 필요가 있으며, 예컨대 약 3.6 내지 4.7eV의 일 함수 및 가시광선 파장 범위에서 약 80% 이상의 투과도를 유지하기 위하여 산소 기체의 유량을 0.01 내지 1sccm 으로 공급할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이고,
도 2 및 도 3은 각각 버퍼층 형성시 산소 기체의 공급에 따른 일 함수와 투과도 변화를 보여주는 그래프이다.
Claims (20)
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 버퍼층,상기 버퍼층 위에 형성되어 있는 발광층, 그리고상기 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 버퍼층은 투명 도전성 산화물 및 상기 투명 도전성 산화물보다 일 함수가 낮은 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 금속 또는 금속 산화물은 2 내지 4eV의 일 함수를 가지는 유기 발광 표시 장치.
- 제2항에서,상기 금속은 Ca, Mg, Sm, Cs, Ba, Sr, Y, La 또는 이들의 조합에서 선택되는 하나이고,상기 금속 산화물은 Ca, Mg, Sm, Cs, Ba, Sr, Y, La 또는 이들의 조합의 산화물에서 선택되는 하나인 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 금속 또는 금속 산화물은 상기 버퍼층에 대하여 0.5 내지 20중량% 포함되어 있는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 버퍼층은 3.6 내지 4.7eV의 일 함수를 가지는 유기 발광 표시 장치.
- 제5항에서,상기 버퍼층은 400 내지 700nm 파장 영역에서 80% 이상의 투과도를 가지는 유기 발광 표시 장치.
- 삭제
- 기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 버퍼층을 형성하는 단계,상기 버퍼층 위에 발광층을 형성하는 단계, 그리고상기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 투명 도전성 산화물 및 상기 투명 도전성 산화물보다 일 함수가 낮은 금속 또는 금속 산화물을 함께 적층하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제8항에서,상기 금속은 Ca, Mg, Sm, Cs, Ba, Sr, Y, La 또는 이들의 조합에서 선택되는 하나이고,상기 금속 산화물은 Ca, Mg, Sm, Cs, Ba, Sr, Y, La 또는 이들의 조합의 산화물에서 선택되는 하나인유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제8항에서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 스퍼터링, 열 증착법 또는 습식 도포법에 의해 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항에서,상기 버퍼층을 형성하는 단계는 상기 투명 도전성 산화물의 타겟 및 상기 금속 또는 금속 산화물의 타겟을 사용하는 스퍼터링에 의해 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제11항에서,상기 스퍼터링시 산소 기체를 공급하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제12항에서,상기 산소 기체는 0.01 내지 1 sccm의 유량으로 공급하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제13항에서,상기 버퍼층은 3.6 내지 4.7eV의 일 함수를 가지며 400 내지 700nm 파장 영역에서 80% 이상의 투과도를 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 투명 도전성 산화물은 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn) 또는 이들의 조합의 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 투명 도전성 산화물은 3.0 내지 5.0 eV의 일 함수를 가지는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 버퍼층과 상기 발광층 사이에 위치하며 전자수송층, 전자주입층, 정공수송층 및 정공주입층 중에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제8항에서,상기 투명 도전성 산화물은 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn) 또는 이들의 조합의 산화물을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제8항에서,상기 투명 도전성 산화물은 3.0 내지 5.0 eV의 일 함수를 가지는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제8항에서,상기 버퍼층을 형성하는 단계 및 상기 발광층을 형성하는 단계 사이에 전자수송층, 전자주입층, 정공수송층 및 정공주입층 중에서 선택된 적어도 하나를 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090114807A KR101191645B1 (ko) | 2009-11-25 | 2009-11-25 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2010225558A JP5744457B2 (ja) | 2009-11-25 | 2010-10-05 | 有機発光表示装置およびその製造方法 |
| US12/923,980 US8502205B2 (en) | 2009-11-25 | 2010-10-19 | Organic light emitting diode device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090114807A KR101191645B1 (ko) | 2009-11-25 | 2009-11-25 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110058127A KR20110058127A (ko) | 2011-06-01 |
| KR101191645B1 true KR101191645B1 (ko) | 2012-10-17 |
Family
ID=44061454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090114807A KR101191645B1 (ko) | 2009-11-25 | 2009-11-25 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8502205B2 (ko) |
| JP (1) | JP5744457B2 (ko) |
| KR (1) | KR101191645B1 (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101973207B1 (ko) * | 2011-06-23 | 2019-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자 |
| KR101421024B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법 |
| KR101668030B1 (ko) * | 2014-08-21 | 2016-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| US9490453B2 (en) * | 2014-10-06 | 2016-11-08 | Winbond Electronics Corp. | Quasi-crystal organic light-emitting display panel and method for simulating optical efficiency of the same |
| KR102322083B1 (ko) * | 2015-07-28 | 2021-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN106848082B (zh) * | 2017-03-13 | 2019-04-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示器件及oled显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066553A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW595254B (en) * | 2002-03-29 | 2004-06-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescense display device |
| JP4478445B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| JP5198861B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2013-05-15 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 発光装置 |
| KR101217659B1 (ko) * | 2004-09-03 | 2013-01-02 | 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 | Ｅｌ소자 |
| JP2006092867A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2006244850A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多層導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR20080039960A (ko) | 2005-09-02 | 2008-05-07 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 도전성 조성물막, 전자 주입 전극 및 유기 전계 발광 소자 |
| KR100741104B1 (ko) | 2005-12-30 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| DE102006051101A1 (de) * | 2006-10-25 | 2008-04-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organische Licht emittierende Diode (OLED) mit strukturierter Backelektrode und Verfahren zur Herstellung einer OLED mit strukturierter Backelektrode |
| KR101270169B1 (ko) | 2006-11-13 | 2013-05-31 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 소자 |
| JP2008198387A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2008258272A (ja) | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子及び表示装置 |
| JP4508219B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2010-07-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の封止方法 |
| KR100994116B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2010-11-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
-
2009
- 2009-11-25 KR KR1020090114807A patent/KR101191645B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-10-05 JP JP2010225558A patent/JP5744457B2/ja active Active
- 2010-10-19 US US12/923,980 patent/US8502205B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006066553A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110058127A (ko) | 2011-06-01 |
| JP5744457B2 (ja) | 2015-07-08 |
| US8502205B2 (en) | 2013-08-06 |
| JP2011114340A (ja) | 2011-06-09 |
| US20110121351A1 (en) | 2011-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4354019B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4898560B2 (ja) | 有機発光装置 | |
| JP5393460B2 (ja) | 有機ｅｌ素子及びこれの製造方法 | |
| KR101846410B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101191645B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20060181199A1 (en) | Organic light emitting device comprising multilayer cathode | |
| JPH10162959A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR100844788B1 (ko) | 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된유기발광소자 | |
| US8093587B2 (en) | Organic el device and process of producing the same | |
| JP2011054668A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| WO2012070330A1 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| CN1784102A (zh) | 有机电致发光显示器装置和制备该装置的方法 | |
| KR100317284B1 (ko) | 유기 이엘(ｅｌ) 소자 | |
| US6917158B2 (en) | High-qualty aluminum-doped zinc oxide layer as transparent conductive electrode for organic light-emitting devices | |
| KR20140140966A (ko) | 유기 발광 장치 | |
| KR100793314B1 (ko) | 다층 구조의 애노드 및 상기 애노드를 포함하는 상향 발광유기 발광소자 | |
| JP2008084910A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2010033973A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2006173050A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP5075027B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| US20110084288A1 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
| KR20130135185A (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
| JP4824776B2 (ja) | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 | |
| JPH1092583A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| KR100752887B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 및 유기 전계발광 디스플레이 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170928 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 7 |