JP4824776B2 - 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 - Google Patents
有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4824776B2 JP4824776B2 JP2008553169A JP2008553169A JP4824776B2 JP 4824776 B2 JP4824776 B2 JP 4824776B2 JP 2008553169 A JP2008553169 A JP 2008553169A JP 2008553169 A JP2008553169 A JP 2008553169A JP 4824776 B2 JP4824776 B2 JP 4824776B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- light emitting
- organic light
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 141
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 79
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 49
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 49
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 42
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 34
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003570 air Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016287 MxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本出願は、2006年2月3日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10−2006−0010722号および2006年3月15日に米国特許商標庁に提出された米国仮出願第60,782,288号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
当技術分野には、多様な種類の有機発光素子が開示されており、これらはいろいろな用途のために用いられる。有機発光素子には、前面発光型(a top emission type)有機発光素子、背面発光型(a bottom emission type)有機発光素子、および両面発光型(a dual emission type)有機発光素子がある。
MxOy+yR→xM+yRO
ガラス(glass)基板の上にアルミニウム(Al)電極層をフォトレジストおよびエッチング方法によって150nmの厚さで形成し、その上に、約10−7torrの真空度で不活性気体(N2またはAr)大気下において700℃で10秒間、カルシウム(Ca)を真空熱蒸着させて2nmの厚さの層を形成した。続いて、前記層上に電子注入物質であるLiF層を1.5nmの厚さで形成し、その上に有機層として電子輸送層(以下、電子輸送物質)、発光層(Alq3)、正孔輸送層(NPB;4、4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル)、および正孔注入層(以下、正孔注入物質(ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン、HAT))を20nm、30nm、40nm、および50nmの厚さで順に積層した。その次に、前記有機層上に正孔注入電極として透明なIZO電極をスパッタリング法によって150nmの厚さで形成して有機発光素子を製造した。
Caによって層を形成した後に、酸素(O2)プラズマ処理したことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製造した。プラズマ装置の概略および処理条件は次のとおりである。
Caの代わりにマグネシウム(Mg)を用いたことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製造した。
Caの代わりにCa/Mg(5:5)を用いたことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製造した。
Caの代わりにセシウム(Cs)を1.5nmの厚さで蒸着して用いたことを除いては、実施例1と同じ方法によって有機発光素子を製造した。
アルミニウム電極上にCaを用いて層を形成せずに、アルミニウム電極上に電子注入層(LiF)、有機層、および透明なIZOアノードをこの順に積層して有機発光素子を製造した。
アルミニウム電極上にCaを用いて層を形成せずに、アルミニウム電極上にCaOを直接蒸着させて層を形成したことを除いては、実施例1と同じ方式によって有機発光素子を製造した。
アルミニウム電極上にCaを用いて層を形成せずに、アルミニウム電極上にMgOを直接蒸着させて層を形成したことを除いては、実施例1と同じ方式によって有機発光素子を製造した。
金属で形成される電極上に電極よりも酸化率が大きい金属を用いて層を形成した場合と金属酸化物を用いて層を形成した場合に、自然酸化物層の除去効果の差を比較実験するために、実施例1〜4および比較例1〜3に係る有機発光素子の電子注入特性、発光特性、および寿命特性を下記のような条件下で実験した。
電子注入特性だけを確認するために、下部アルミニウム電極/金属(実施例)または金属酸化物(比較例)を用いて形成した層/電子輸送層/電子注入層/上部IZO電極の構造で素子を生成して電子注入特性を確認した。
前記実施例1〜4および比較例1〜3で製造された素子に対してPhoto−Research社で製造されているPR650比色計(colorimeter)/ラジオメーター(radiometer)で輝度を測定し、電流変化(10mA/cm2〜100mA/cm2)に係る輝度をも測定した。
前記実施例1〜4および比較例1〜3で製造された素子に対して一定電流下(50mA/cm2で)で輝度、電圧などを測定することができる寿命測定設備で寿命を測定した。
Claims (16)
- 基板上に金属で形成される第1電極、発光層を含む1層以上の有機層、および第2電極を順に形成するステップを含む有機発光素子の製造方法であって、前記第1電極よりも酸化率が高い金属を前記第1電極上に形成される自然酸化物層と反応させることによって前記第1電極上に層を形成するステップを含むことを特徴とし、さらに前記第1電極よりも酸化率が高い金属が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの混合物質から選択されることを特徴とする、有機発光素子の製造方法。
- 前記第1電極がアノードであり、前記第2電極がカソードであることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記第1電極がカソードであり、前記第2電極がアノードであることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記有機発光素子は、前面発光型または両面発光型であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記第1電極は、アルミニウム、モリブデン、クロム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、銀、スズ、鉛、およびこれらの合金からなる群から選択される材料で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記第1電極よりも酸化率が高い金属を用いた層の形成時に、層の厚さを1〜10nmとすることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記第1電極よりも酸化率が高い金属を用いた層の形成時に、シャドーマスクを用いて前記第1電極の表面のうちの選択的な領域だけに層を形成することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記有機層のうち前記第1電極よりも酸化率が高い金属を用いて形成された層と接する層が、電子注入層または正孔注入層であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記第1電極よりも酸化率が高い金属を用いて層を形成した後に、その層を酸素プラズマで処理するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 金属で形成される第1電極、発光層を含む1層以上の有機層、および第2電極を順に積層した形態で含み、前記第1電極と有機層間に、前記第1電極よりも酸化率が高い金属を前記第1電極上に形成される自然酸化物層と反応させることによって形成される層をさらに含むことを特徴とし、さらに前記第1電極よりも酸化率が高い金属が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの混合物質から選択されることを特徴とする、有機発光素子。
- 前記第1電極がアノードであり、前記第2電極がカソードであることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光素子。
- 前記第1電極がカソードであり、前記第2電極がアノードであることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光素子。
- 前面発光型または両面発光型であることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光素子。
- 前記第1電極が、アルミニウム、モリブデン、クロム、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、銀、スズ、鉛、およびこれらの合金からなる群から選択される材料で形成されることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光素子。
- 前記第1電極よりも酸化率が高い金属を用いて形成された層が、厚さが1〜10nmであることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光素子。
- 前記有機層のうち前記第1電極よりも酸化率が高い金属を用いて形成された層と接する層が、電子注入層または正孔注入層であることを特徴とする、請求項10に記載の有機発光素子。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060010722 | 2006-02-03 | ||
KR10-2006-0010722 | 2006-02-03 | ||
US78228806P | 2006-03-15 | 2006-03-15 | |
US60/782,288 | 2006-03-15 | ||
PCT/KR2007/000570 WO2007089117A1 (en) | 2006-02-03 | 2007-02-02 | Fabrication method for organic light emitting device and organic light emitting device fabricated by the same method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009525579A JP2009525579A (ja) | 2009-07-09 |
JP4824776B2 true JP4824776B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=40422073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008553169A Active JP4824776B2 (ja) | 2006-02-03 | 2007-02-02 | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4824776B2 (ja) |
CN (1) | CN101379885B (ja) |
TW (1) | TWI338393B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113224253B (zh) * | 2020-06-12 | 2022-07-12 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示器件及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124679A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Ibm Japan Ltd | エレクトロ・ルミネッセンス装置 |
JPH08185973A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JPH10208882A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-07 | Futaba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
US20050208330A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting device having improved stability |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998010621A1 (en) * | 1996-09-04 | 1998-03-12 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light-emitting devices with improved cathode |
JP3804858B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-02-02 CN CN200780004252XA patent/CN101379885B/zh active Active
- 2007-02-02 TW TW096103869A patent/TWI338393B/zh active
- 2007-02-02 JP JP2008553169A patent/JP4824776B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124679A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Ibm Japan Ltd | エレクトロ・ルミネッセンス装置 |
JPH08185973A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JPH10208882A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-07 | Futaba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
US20050208330A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting device having improved stability |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI338393B (en) | 2011-03-01 |
JP2009525579A (ja) | 2009-07-09 |
CN101379885B (zh) | 2011-01-26 |
CN101379885A (zh) | 2009-03-04 |
TW200739990A (en) | 2007-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4908583B2 (ja) | 有機電子素子の製造方法およびそれによって製造された有機電子素子 | |
JP4898560B2 (ja) | 有機発光装置 | |
KR100844788B1 (ko) | 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된유기발광소자 | |
JPH1187068A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JPH1131590A (ja) | 有機el素子 | |
JP2004319424A (ja) | 有機電界発光ディスプレイ装置 | |
JPH11307264A (ja) | 有機電界発光素子 | |
CN104167496B (zh) | 倒置式顶发射器件及其制备方法 | |
JP2007281454A (ja) | エレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムおよびその製造方法 | |
JP5744457B2 (ja) | 有機発光表示装置およびその製造方法 | |
JP4837774B2 (ja) | 有機発光素子の製造方法及びこれによって製造された有機発光素子 | |
JPH1140365A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP4824776B2 (ja) | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 | |
JP2007299828A (ja) | 有機発光素子 | |
JPH11339969A (ja) | 有機el素子 | |
JPH11121172A (ja) | 有機el素子 | |
JP3891435B2 (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP2006054098A (ja) | 透明導電膜の製造方法および有機el発光素子 | |
JPH11135264A (ja) | 有機el素子 | |
JPH1145780A (ja) | 有機el素子 | |
JP2005310470A (ja) | 有機el素子 | |
JP2006185659A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2010073548A (ja) | 有機el素子及びその製造方法、並びに有機el表示装置 | |
JP2006313933A (ja) | 有機el発光素子およびその製造方法 | |
KR20040000012A (ko) | 유기 전기 발광 소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110809 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110908 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4824776 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |