JP2007281454A - エレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 陰極からエレクトロルミネセンス(EL)層に電子を注入する改善された効率性を有するエレクトロルミネセンス素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】 エレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムであって、基板、前記基板の上に形成された陽極、前記陽極の上に形成されたエレクトロルミネセンス層、前記エレクトロルミネセンス層の上に形成され、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層を含む電子注入層、および前記電子注入層の上に直接形成された陰極を含むシステム。
【選択図】 図2
Description
100nmのITO膜のガラス基板が提供され、続いて、超音波かくはんで清浄剤、アセトンと、イソプロパノールによって洗浄される。窒素フローで乾燥した後、ITO膜は、uv/オゾン処理を受ける。次に、10−5Paでホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層と、アルミニウム電極がITO膜上に順次に形成され、エレクトロルミネセンス素子(1)を得る。明確にするために、形成される材料と層を下記に説明する。
ITO 100nm/NPB 150nm/Alq3:C545T 100:1 40nm/BeBq2 30nm/CeF4 10A/Al150nm
100nmのITO膜のガラス基板が提供され、続いて、超音波かくはんで清浄剤、アセトンと、エタノールによって洗浄される。窒素フローで乾燥した後、ITO膜は、uv/オゾン処理を受ける。次に、10−5Paでホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層と、アルミニウム電極がITO膜上に順次に形成され、エレクトロルミネセンス素子(2)を得る。明確にするために、形成される材料と層を下記に説明する。
ITO 100nm/LG101 5nm/NPB 150nm/Alq3:C545T 100:1 40nm/BeBq2 30nm/CeF4 3A/Al150nm
実施例3と4は、フッ化物セリウム(cerium fluoride)の厚さが0.5nmから1nmに増加されたことを除いて、実施例2と同じようにそれぞれ行われる。
実施例5〜7はまた、実施例2〜4にそれぞれ説明されたエレクトロルミネセンス素子の特性の違いを表している。実施例5〜7では、実施例4に説明された10Å厚さのフッ化物セリウム層のエレクトロルミネセンス素子は、低操作電圧と高効率を有する。
12 基板
14 陽極
16 ホール輸送層
18 発光層
20 電子輸送層
22 陰極が陽極
100 エレクトロルミネセンス素子
110 基板
120 陽極
130 エレクトロルミネセンス層
131 ホール注入層
132 ホール輸送層
133 発光層
134 電子輸送層
140 電子注入層
150 陰極
160 ディスプレイパネル
180 入力端子
200 エレクトロルミネセンス層の表示画像システム
Claims (19)
- エレクトロルミネセンス素子を含む画像表示システムであって、
基板、
前記基板の上に形成された陽極、
前記陽極の上に形成されたエレクトロルミネセンス層、
前記エレクトロルミネセンス層の上に形成され、ランタニド含有層、または、アクチニド含有層を含む電子注入層、および
前記電子注入層の上に直接形成された陰極を含むシステム。 - 前記電子注入層は、0.1〜5nmの厚さを有する請求項1に記載のシステム。
- 前記エレクトロルミネセンス層は、ホール輸送層、発光層と、電子輸送層を含む請求項1に記載のシステム。
- 前記電子注入層は、前記電子輸送層と前記陰極の間に形成される請求項3に記載のシステム。
- 前記アクチニド含有層は、アクチニドフッ化物(actinide fluoride)、アクチニド塩化物(actinide chloride)、アクチニド臭化物(actinide bromide)、アクチニド酸化物(actinide oxide)、アクチニド窒化物(actinide nitride)、アクチニド硫化物(actinide sulfide)、アクチニド炭酸(actinide carbonate)、またはその組合せを含む請求項1に記載のシステム。
- 前記ランタニド含有層は、ランタニドフッ化物(lanthanide fluoride)、ランタニド塩化物(lanthanide chloride)、ランタニド臭化物(lanthanide bromide)、ランタニド酸化物(lanthanide oxide)、ランタニド窒化物(lanthanide nitride)、ランタニド硫化物(lanthanide sulfide)、ランタニド炭酸塩(lanthanide carbonate)、またはその組合せを含む請求項1に記載のシステム。
- 前記電子注入層は、ハロゲン化セリウム(cerium halide)、窒化セリウム(cerium nitride)、酸化セリウム(cerium oxide)、硫化セリウム(cerium sulfide)、酸フッ化セリウム(cerium oxyfluoride)、炭酸セリウム(cerium carbonate)、またはその組合せを含む請求項1に記載のシステム。
- 前記電子注入層は、CeF3、CeF4、またはその組合せを含む請求項1に記載のシステム。
- 前記エレクトロルミネセンス素子は、前記ディスプレイパネルの一部を形成する請求項1に記載のシステム。
- 電子素子を更に含み、前記電子素子は、
前記ディスプレイパネル、および
前記ディスプレイパネルに接続され、前記ディスプレイパネルに入力を選択的に提供することで、前記ディスプレイパネルに画像を表示させる請求項9に記載のシステム。 - 前記電子素子は、携帯電話、デジタルカメラ、PDA、ノート型コンピュータ、デスクトップ型コンピュータ、テレビ、カーディスプレイ、または携帯型DVDプレーヤーである請求項10に記載のシステム。
- 画像表示システムの製造方法であって、前記システムは、エレクトロルミネセンス素子を含み、前記方法は、
基板を提供するステップ、
前記基板上に、陽極、エレクトロルミネセンス層、電子注入層および陰極を順次に形成するステップを含み、前記電子注入層はランタニド含有層またはアクチニド含有層を含むことを特徴とする製造方法。 - 前記電子注入層は、0.1〜5nmの厚さを有する請求項12に記載の方法。
- 前記エレクトロルミネセンス層は、ホール輸送層、発光層と、電子輸送層を含む請求項12に記載の方法。
- 前記電子注入層は、前記電子輸送層と前記陰極の間に形成される請求項14に記載の方法。
- 前記アクチニド含有層は、アクチニドフッ化物(actinide fluoride)、アクチニド塩化物(actinide chloride)、アクチニド臭化物(actinide bromide)、アクチニド酸化物(actinide oxide)、アクチニド窒化物(actinide nitride)、アクチニド硫化物(actinide sulfide)、アクチニド炭酸(actinide carbonate)、またはその組合せを含む請求項12に記載の方法。
- 前記ランタニド含有層は、ランタニドフッ化物(lanthanide fluoride)、ランタニド塩化物(lanthanide chloride)、ランタニド臭化物(lanthanide bromide)、ランタニド酸化物(lanthanide oxide)、ランタニド窒化物(lanthanide nitride)、ランタニド硫化物(lanthanide sulfide)、ランタニド炭酸塩(lanthanide carbonate)、またはその組合せを含む請求項12に記載の方法。
- 前記電子注入層は、ハロゲン化セリウム(cerium halide)、窒化セリウム(cerium nitride)、酸化セリウム(cerium oxide)、硫化セリウム(cerium sulfide)、酸フッ化セリウム(cerium oxyfluoride)、炭酸セリウム(cerium carbonate)、またはその組合せを含む請求項12に記載の方法。
- 前記電子注入層は、CeF3、CeF4、またはその組合せを含む請求項12に記載の方法。
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