JP2011114340A - 有機発光表示装置およびその製造方法 - Google Patents
有機発光表示装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011114340A JP2011114340A JP2010225558A JP2010225558A JP2011114340A JP 2011114340 A JP2011114340 A JP 2011114340A JP 2010225558 A JP2010225558 A JP 2010225558A JP 2010225558 A JP2010225558 A JP 2010225558A JP 2011114340 A JP2011114340 A JP 2011114340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- buffer layer
- organic light
- display device
- emitting display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】電極から発光層への電子および正孔の注入を容易にして発光効率を改善できる有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成される第１電極と、第１電極上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第２電極とを含み、バッファ層は、透明導電性酸化物および前記透明導電性酸化物より仕事関数の低い金属または金属酸化物を含む、有機発光表示装置およびその製造方法に関するものである。
【選択図】図１
【解決手段】基板と、基板上に形成される第１電極と、第１電極上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される発光層と、発光層上に形成される第２電極とを含み、バッファ層は、透明導電性酸化物および前記透明導電性酸化物より仕事関数の低い金属または金属酸化物を含む、有機発光表示装置およびその製造方法に関するものである。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機発光表示装置およびその製造方法に関する。
有機発光表示装置では、１つの電極から注入された電子と、他の電極から注入された正孔とが、２つの電極間に位置する発光層で結合して、励起子を生成し、励起子がエネルギーを放出して発光する。
有機発光表示装置は、それ自体が発光するため、別途の光源を要さない。よって、有機発光表示装置の消費電力は低い。
このような消費電力をさらに低くするためには、有機発光表示装置の発光効率を上げる必要がある。当該発光効率は、発光層で生成した励起子の個数に比例するため、電極から発光層への電子と正孔の注入が容易に起こる必要がある。
本発明の一実施形態は、電極から発光層への電子および正孔の注入が容易に起こり、発光効率が改善された有機発光表示装置を提供する。
また、本発明の他の実施形態は、上記有機発光表示装置の製造方法を提供する。
本発明の一側面による有機発光表示装置は、基板と、当該基板上に形成される第１電極と、当該第１電極上に形成されるバッファ層と、当該バッファ層上に形成される発光層と、当該発光層上に形成される第２電極とを含み、前記バッファ層は、透明導電性酸化物および当該透明導電性酸化物より仕事関数の低い金属または金属酸化物を含む。
前記金属または金属酸化物は、約１．２５から４ｅＶの仕事関数を有していてもよい。
前記金属は、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａからなる群より選択される１つ以上であってもよく、前記金属酸化物は、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａからなる群より選択される１つ以上の金属の酸化物であってもよい。
前記金属または金属酸化物は、前記バッファ層に対して約０．５から２０質量％で含まれていてもよい。
前記バッファ層は、約３．６ｅＶから４．７ｅＶの仕事関数を有していてもよい。
前記バッファ層は、約４００ｎｍから７００ｎｍの波長領域で約８０％以上の透過率を有していてもよい。
前記バッファ層は、約０．１Åから１０００Åの厚さを有していてもよい。
本発明の他の側面による有機発光表示装置の製造方法は、基板上に第１電極を形成する段階と、当該第１電極上にバッファ層を形成する段階と、当該バッファ層上に発光層を形成する段階と、当該発光層上に第２電極を形成する段階とを含むことができ、前記バッファ層を形成する段階は、透明導電性酸化物および当該透明導電性酸化物より仕事関数の低い金属または金属酸化物を共に積層する段階を含んでいてもよい。
前記金属は、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａからなる群より選択される１つ以上のものであってもよく、前記金属酸化物は、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａからなる群より選択される１つ以上の金属の酸化物であってもよい。
前記バッファ層を形成する段階は、スパッタリング、熱蒸着法または湿式塗布法によって行ってもよい。
前記バッファ層を形成する段階は、前記透明導電性酸化物のターゲットおよび前記金属または金属酸化物のターゲットを使用するスパッタリングによって行ってもよい。
前記スパッタリング時に酸素を供給してもよい。
前記酸素は、約０．０１ｓｃｃｍから１ｓｃｃｍの流量で供給してもよい。
前記バッファ層は、約３．６ｅＶから４．７ｅＶの仕事関数を有し、約４００ｎｍから７００ｎｍの波長領域で約８０％以上の透過率を有していてもよい。
本発明によれば、電極と発光層との仕事関数の差を減らして、電荷の注入または伝達が容易に起こるようにすることにより、有機発光表示装置の発光効率を上げることができ、同時に透過率も高めて輝度を改善することができる。
以下、本発明の属する技術分野の通常の知識を有する者が、本発明を容易に実施できるように、添付した図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明は、種々の相異な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態の範囲に限られない。
図面において、種々の層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して表わしている。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”に存在する場合、これは他の部分の“すぐ上”に存在する場合だけでなく、ある部分と他の部分の中間にそれ以外の他の部分が存在する場合も含む。一方、ある部分が他の部分の“すぐ上”に存在する場合、中間にそれ以外の他の部分が存在しないことを意味する。
それでは、図１を参照して、本発明の一実施形態による有機発光表示装置について説明する。
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
図１を参照すれば、有機発光表示装置は、基板１０と、当該基板１０の上に形成される第１電極１２と、当該第１電極１２の上に形成されるバッファ層１３と、当該バッファ層１３の上に形成される有機発光部材１４と、当該有機発光部材１４の上に形成される第２電極１８とを含む。
上記基板１０は、ガラス基板、シリコンウエハ、高分子膜などで作ることができる。
上記第１電極１２は、カソードまたはアノードであってもよく、好ましくはカソードである。当該第１電極１２は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金、銀（Ａｇ）または銀合金、銅（Ｃｕ）または銅合金などの金属または導電性酸化物で作ることができ、単一層または複数層を含んでいてもよい。ここで、第１電極１２の層を複数含む場合とは、例えば、金属を含む第１層および導電性酸化物を含む第２層を含むことを意味する。
上記バッファ層１３は、金属または金属酸化物の混合物および透明導電性酸化物（ＴＣＯ）で作ることができる。
上記透明導電性酸化物は、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の酸化物からなる群より選択される１つ以上のものであってもよく、約３．０ｅＶから５．０ｅＶの仕事関数を有しうる。好ましくはIｎＯｘである。
上記金属または金属酸化物は、上記透明導電性酸化物より低い仕事関数を有する物であり、約１．２５から４ｅＶ、好ましくは２ｅＶから４ｅＶの比較的に低い仕事関数を有しうる。このような金属としては、例えば、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）からなる群より選択される１つ以上のものであってもよく、このような金属酸化物としては、例えば、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）からなる群より選択される１つ以上の金属の酸化物であってもよい。好ましくは、ＣａＯ、ＭｇＯ，ＳｍＯであり、特に好ましくはＣａＯである。このような範囲の仕事関数を有することにより、透明導電性酸化物と混合して有機発光部材１３への電荷の注入または伝達が容易にできる。
上記バッファ層１３は、約３．６ｅＶから４．７ｅＶ、好ましくは４．０ｅＶから４．５ｅＶの仕事関数を有していてもよい。このような仕事関数の範囲は、上記第１電極１２と、後述する有機発光部材１４の仕事関数との間の値であり、その範囲だと第１電極１２から有機発光部材１４への電荷の注入または伝達が容易に起こる。
上記金属または金属酸化物は、バッファ層１３の総含有量に対して約０．５から２０質量％、好ましくは約２から１０質量％で含まれる。上記範囲で金属または金属酸化物が含まれる場合、バッファ層の仕事関数は適切に低くなり、抵抗は大きく高くならないのと同時に、バッファ層の膜質は改善されうる。
一方、バッファ層１３は、可視光線領域、つまり、約４００ｎｍから７００ｎｍ、好ましくは４１０ｎｍ〜７００ｎｍ、特に好ましくは４２０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域で約８０％以上、好ましくは８５％以上の透過率を有しうる。上述のように、バッファ層１３は、透明導電性酸化物と金属または金属酸化物とが混合されており、この場合、金属または金属酸化物によってバッファ層１３の透過率が低くなり、輝度が落ちることがある。本実施形態は、バッファ層１３に金属または金属酸化物を含む場合においても、可視光線領域で約８０％以上の透過率を示しうる。これを実現するために、例えば、バッファ層１３の形成時に酸素を供給してもよい。その時、酸素の流量は約０．０１から１ｓｃｃｍであり、好ましくは０．２から１ｓｃｃｍである。前記範囲の流量で供給される場合、バッファ層１３は上記範囲の仕事関数を有し、適切な導電性を維持できる。
バッファ層１３は、約０．１Åから１０００Åの厚さを有してもよく、好ましくは約０．１Åから２００Åの厚さを有してもよい。上記範囲の厚さのバッファ層を有することにより、有機発光装置の全体の厚さを大きく増加せずに導電性及び透過度を確保することができる。
有機発光部材１４は、発光層１６、および発光層の発光効率を改善するための付帯層１５、１７を含む多層構造であり得る。
発光層１６は、赤色、緑色、青色の三原色から選択される基本色のいずれか１つの光を固有に示す有機物質または有機物質と無機物質との混合物で作られ、例えば、アルミニウムトリス（８−ヒドロキシキノリン）［ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、Ａｌｑ３］、アントラセン、ディストリル（ｄｉｓｔｒｙｌ）化合物であってもよい。上記有機発光表示装置は、発光層１６の基本色の光が混ざり合うことによって所望の映像を表示する。
付帯層１５、１７は、電子と正孔とのバランスをとるための電子輸送層および正孔輸送層と、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層および正孔注入層などの群から選択される１つ以上の層を含んでいてもよい。
第２電極１８は、アノードまたはカソードであってもよいが、アノードであるのが好ましい。第２電極１８は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金、銀（Ａｇ）または銀合金、銅（Ｃｕ）または銅合金などの透明または不透明導電体で作ることができ、単一層または複数層であってもよい。
以下、上述した有機発光表示装置を製造する方法について説明する。
まず、基板１０の上に第１電極１２を、例えば、スパッタリングなどの方法で形成する。
次に、第１電極１２の上にバッファ層１３を形成する。当該バッファ層１３は、透明導電性酸化物および当該透明導電性酸化物より仕事関数の低い金属または金属酸化物を共に積層して形成してもよい。
上記透明導電性酸化物は、例えば、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）の酸化物からなる群より選択される１つ以上のものである。好ましくはIｎＯｘである。
上記金属または金属酸化物は、約１．２５ｅＶから４ｅＶ、好ましくは２ｅＶから４ｅＶの比較的低い仕事関数を有してもよい。そのような金属としては、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）からなる群より選択される１つ以上のものであり、上記金属酸化物としては、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、セシウム（Ｃｓ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）の酸化物からなる群より選択される１つ以上のものであってもよい。好ましくは、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｍＯであり、特に好ましくはＣａＯである。このような範囲の仕事関数を有することにより、透明導電性酸化物と混合して有機発光部材１３への電荷の注入または伝達が容易にできる。
バッファ層１３は、例えば、スパッタリング、熱蒸着法または湿式塗布法などの方法で形成できる。
バッファ層１３を、例えば、スパッタリングによって形成する場合、透明導電性酸化物のターゲットと、金属または金属酸化物のターゲットとを使用して、コスパッタリングによって行ってもよい。
一方、上述のように、スパッタリングを行う際、酸素を供給してもよい。酸素を供給する際の酸素の流量は、約０．０１ｓｃｃｍから１ｓｃｃｍであってもよく、好ましくは０．２から１ｓｃｃｍである。上記範囲の流量で酸素を供給した場合、バッファ層１３は約３．６ｅＶから４．７ｅＶ、好ましくは４．０ｅＶから４．５ｅＶの仕事関数を有しながらも、可視光線の領域、つまり、約４００ｎｍから７００ｎｍ、好ましくは４１０ｎｍ〜７００ｎｍ、特に好ましくは４２０ｎｍ〜５００ｎｍの波長領域で約８０％以上、好ましくは８５％以上の透過率を維持でき、適切な導電性を示しうる。
次に、バッファ層１３の上に有機発光部材１４を形成する。当該有機発光部材１４は、発光層１６および付帯層１５、１７を含み、これらを蒸着またはインクジェット印刷のような溶液工程によって形成される。
次に、有機発光部材１４の上に第２電極１８を、例えば、スパッタリングなどの方法で形成する。
以下、実施形態を通じて本発明をより詳細に説明する。ただし、下記の実施形態は説明を目的とするものであり、本発明の範囲を制限するものではない。
［有機発光装置の製作］
ガラス基板上にＡｌをスパッタリングで形成した後にパターニングし、ＩｎＯｘおよびＣａＯスパッタリングターゲットを使用して７質量％のＣａＯを含むバッファ層を形成した。バッファ層の形成時に酸素をそれぞれ０、０．１ｓｃｃｍ、０．２ｓｃｃｍ、０．５ｓｃｃｍ、および１ｓｃｃｍの流量で供給した。次に、バッファ層上に電子伝達層としてＡｌｑ３を蒸着し、その上に発光層として、Ａｌｑ３にクマリン６を１質量％ドーピングしたものを共蒸着し、さらに正孔注入層および正孔伝達層としてのＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ−Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）を蒸着し、最後にＡｌを蒸着して有機発光装置を製作した。
［評価］
バッファ層の形成時、バッファ層の形成時の酸素の供給流量の相違に伴う仕事関数と透過率の変化を測定した。
［有機発光装置の製作］
ガラス基板上にＡｌをスパッタリングで形成した後にパターニングし、ＩｎＯｘおよびＣａＯスパッタリングターゲットを使用して７質量％のＣａＯを含むバッファ層を形成した。バッファ層の形成時に酸素をそれぞれ０、０．１ｓｃｃｍ、０．２ｓｃｃｍ、０．５ｓｃｃｍ、および１ｓｃｃｍの流量で供給した。次に、バッファ層上に電子伝達層としてＡｌｑ３を蒸着し、その上に発光層として、Ａｌｑ３にクマリン６を１質量％ドーピングしたものを共蒸着し、さらに正孔注入層および正孔伝達層としてのＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ−Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）を蒸着し、最後にＡｌを蒸着して有機発光装置を製作した。
［評価］
バッファ層の形成時、バッファ層の形成時の酸素の供給流量の相違に伴う仕事関数と透過率の変化を測定した。
当該結果について図２および図３を参照して説明する。
図２および図３は、それぞれバッファ層の形成時、酸素の供給の相違に伴う仕事関数と透過率の変化を示すグラフである。
図２を参照すれば、７質量％のＣａＯを含むＩｎＯｘ：ＣａＯのバッファ層を形成する際、酸素を供給しない場合、約４．２５ｅＶの仕事関数を示し、酸素流量が高まるほど仕事関数が高まることが分かる。
一方、図３を参照すれば、７質量％ＣａＯを含むＩｎＯｘ：ＣａＯのバッファ層を形成する際、酸素を供給する場合、酸素を供給しない場合よりも透過率が高いことが分かる。特に、酸素の供給量が多いほど透過率が高くなることが分かる。
図２および図３から、バッファ層の形成時に酸素を供給した場合、仕事関数と透過率が相反関係（ｔｒａｄｅ ｏｆｆ）にあることが分かる。従って、バッファ層の形成時に供給される酸素の流量を適切に調節する必要があり、例えば、バッファ層は約３．６ｅＶから４．７ｅＶの仕事関数を有し、かつ可視光線の波長の範囲で約８０％以上の透過率を維持するために、酸素気体の流量を０．０１から１ｓｃｃｍで供給する必要がある。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれらに限定されず、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形および改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
１０ 基板
１２ 第１電極
１３ バッファ層
１４ 有機発光部材
１５、１７ 付帯層
１６ 発光層
１８ 第２電極
１２ 第１電極
１３ バッファ層
１４ 有機発光部材
１５、１７ 付帯層
１６ 発光層
１８ 第２電極
Claims (14)
- 基板と、
当該基板上に形成される第１電極と、
当該第１電極上に形成されるバッファ層と、
当該バッファ層上に形成される発光層と、
当該発光層上に形成される第２電極と、
を含み、
前記バッファ層が、透明導電性酸化物および当該透明導電性酸化物より仕事関数の低い金属または金属酸化物を含む、有機発光表示装置。 - 前記金属または金属酸化物が、１．２５ｅＶから４ｅＶの仕事関数を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記金属が、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａからなる群より選択される１つ以上のものであり、
前記金属酸化物が、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａからなる群より選択される１つ以上の金属の酸化物である、請求項１または２に記載の有機発光表示装置。 - 前記金属または金属酸化物が、前記バッファ層に対して０．５から２０質量％含まれている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
- 前記バッファ層が、３．６ｅＶから４．７ｅＶの仕事関数を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
- 前記バッファ層が、４００ｎｍから７００ｎｍの波長領域で８０％以上の透過率を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
- 前記バッファ層が、０．１Åから１０００Åの厚さを有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光表示装置。
- 基板上に第１電極を形成する段階と、
当該第１電極上にバッファ層を形成する段階と、
当該バッファ層上に発光層を形成する段階と、
当該発光層上に第２電極を形成する段階と、
を含み、
前記バッファ層を形成する段階が、透明導電性酸化物および当該透明導電性酸化物より仕事関数が低い金属または金属酸化物を共に積層する段階を含む、有機発光表示装置の製造方法。 - 前記金属が、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａからなる群より選択される１つ以上のものであり、
前記金属酸化物が、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａからなる群より選択される１つ以上の金属の酸化物である、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記バッファ層を形成する段階が、スパッタリング、熱蒸着法または湿式塗布法によって行う、請求項８または９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記バッファ層を形成する段階が、前記透明導電性酸化物のターゲットおよび前記金属または金属酸化物のターゲットを使用するスパッタリングによって行う、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記スパッタリングの際に酸素を供給する、請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記酸素が、０．０１から１ｓｃｃｍの流量で供給される、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記バッファ層は、３．６ｅＶから４．７ｅＶの仕事関数を有し、４００ｎｍから７００ｎｍの波長領域で８０％以上の透過率を有する、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2009-0114807 | 2009-11-25 | ||
| KR1020090114807A KR101191645B1 (ko) | 2009-11-25 | 2009-11-25 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011114340A true JP2011114340A (ja) | 2011-06-09 |
| JP5744457B2 JP5744457B2 (ja) | 2015-07-08 |
Family
ID=44061454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010225558A Active JP5744457B2 (ja) | 2009-11-25 | 2010-10-05 | 有機発光表示装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8502205B2 (ja) |
| JP (1) | JP5744457B2 (ja) |
| KR (1) | KR101191645B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409860A (zh) * | 2015-07-28 | 2017-02-15 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101973207B1 (ko) * | 2011-06-23 | 2019-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 산화물이 함유된 양극 및 상기 양극을 포함하는 유기발광소자 |
| KR101421024B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법 |
| KR101668030B1 (ko) * | 2014-08-21 | 2016-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| US9490453B2 (en) * | 2014-10-06 | 2016-11-08 | Winbond Electronics Corp. | Quasi-crystal organic light-emitting display panel and method for simulating optical efficiency of the same |
| CN106848082B (zh) * | 2017-03-13 | 2019-04-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示器件及oled显示装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006284A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2005183201A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子 |
| JP2006092867A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2006244850A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多層導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2007317671A (ja) * | 2007-07-19 | 2007-12-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の封止方法 |
| JP2008108731A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 有機発光ダイオードおよび有機発光ダイオードの製造方法 |
| JP2008198387A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006016153A1 (en) * | 2004-08-10 | 2006-02-16 | Cambridge Display Technology Limited | Light emissive device |
| JP2006066553A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| KR101217659B1 (ko) * | 2004-09-03 | 2013-01-02 | 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드 | Ｅｌ소자 |
| US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| EP1921633A1 (en) | 2005-09-02 | 2008-05-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Conductive composition film, electron injection electrode, and organic electroluminescence element |
| KR100741104B1 (ko) | 2005-12-30 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR101270169B1 (ko) | 2006-11-13 | 2013-05-31 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 소자 |
| JP2008258272A (ja) | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機電界発光素子及び表示装置 |
| KR100994116B1 (ko) | 2008-08-20 | 2010-11-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
-
2009
- 2009-11-25 KR KR1020090114807A patent/KR101191645B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-10-05 JP JP2010225558A patent/JP5744457B2/ja active Active
- 2010-10-19 US US12/923,980 patent/US8502205B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006284A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2005183201A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子 |
| JP2006092867A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2006244850A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多層導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008108731A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 有機発光ダイオードおよび有機発光ダイオードの製造方法 |
| JP2008198387A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2007317671A (ja) * | 2007-07-19 | 2007-12-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の封止方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409860A (zh) * | 2015-07-28 | 2017-02-15 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101191645B1 (ko) | 2012-10-17 |
| KR20110058127A (ko) | 2011-06-01 |
| US20110121351A1 (en) | 2011-05-26 |
| JP5744457B2 (ja) | 2015-07-08 |
| US8502205B2 (en) | 2013-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4898560B2 (ja) | 有機発光装置 | |
| WO2017161694A1 (zh) | 发光器件及其制造方法和显示装置 | |
| JP5744457B2 (ja) | 有機発光表示装置およびその製造方法 | |
| JP4908583B2 (ja) | 有機電子素子の製造方法およびそれによって製造された有機電子素子 | |
| JP2005317548A (ja) | マルチカラー電子発光ディスプレイ | |
| JP2006228737A (ja) | 複数層カソードを含む有機発光素子 | |
| WO2016123916A1 (zh) | 一种显示基板及其制备方法和一种显示设备 | |
| KR100844788B1 (ko) | 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된유기발광소자 | |
| US8093587B2 (en) | Organic el device and process of producing the same | |
| CN1784102A (zh) | 有机电致发光显示器装置和制备该装置的方法 | |
| WO2016188247A1 (zh) | Oled器件及其制备方法、显示装置 | |
| WO2009021365A1 (fr) | Oled et son procédé | |
| KR101777123B1 (ko) | 백색 유기 발광 소자 | |
| JPH1140365A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| CN111740020B (zh) | 一种高效长寿命的蓝光器件 | |
| KR20000067671A (ko) | 유기 이엘(ｅｌ) 소자 | |
| JP2008084910A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| CN100544529C (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| JP5075027B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP2007220577A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| TWI569492B (zh) | 有機發光元件 | |
| JP2011082134A (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP4824776B2 (ja) | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 | |
| CN108281561A (zh) | 一种电极及应用其的有机电致发光器件 | |
| JP2007335590A (ja) | 有機ｅｌ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120912 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121107 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130814 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140306 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140701 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141014 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150108 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150331 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150430 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5744457 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |