JP5393460B2 - 有機el素子及びこれの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 42
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 42
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 11
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000007647 flexography Methods 0.000 claims description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- UKWHYYKOEPRTIC-UHFFFAOYSA-N mercury(II) oxide Inorganic materials [Hg]=O UKWHYYKOEPRTIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 2
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 16
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- -1 3-phenylindolyl group Chemical group 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 2-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 MTUBTKOZCCGPSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M picolinate Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
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- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
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- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
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Description
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS(Bayer社製品;Poly(3,4‐ethylenedioxythiophene)/Poly(styrene sulfonic acid))水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に青色りん光発光物質であるPVK(Poly(9‐vinylcarbazole)、Aldrich社)とFlrpic(Iridium(III)bis[(4,6‐difluorophenyl)pyridinato‐N,C2’]picolinate)の95:5重量%の混合物を40nmの厚さで発光層を形成した後、前記発光層上部にD40(EXXON社製品)溶剤で溶解したジルコニウムオキシド溶液をスピンコーティングして10nmの厚さのジルコニウムオキシド中間層を形成して、またここに青色りん光発光物質であるPVKとFlrpicの95:5重量%の混合物をスピンコーティングで40nmの厚さで発光層を形成した。次に、発光層上部にBAlq(Aluminum(III)bis(2‐methyl‐8‐quinolinato)‐4‐phenylphenolato)を30nmの厚さで蒸着させた後LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS(Bayer社製品の正孔注入物質)水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に緑色りん光発光物質であるPVKと Ir(ppy)3(fac‐tris(2‐phenylpyridinato)Iridium)の95:5重量%の混合物をスピンコーティングで40nmの厚さで発光層を形成した後、前記発光層上部にD40(EXXON社製品)溶剤で溶解したジルコニウムオキシド溶液をスピンコーティングして10nmの厚さのジルコニウムオキシド中間体を形成した後、また緑色りん光発光物質であるPVKとIr(ppy)3の95:5重量%の混合物をスピンコーティングで40nmの厚さで発光層を形成した。次に、発光層上部にBAlqを30nmの厚さで蒸着させた後LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に赤色りん光発光物質であるPVKとBtp2Ir(acac)(Iridium(III)bis(2‐(2’‐benzothienyl)pyridinato‐N,C3’)(acetylacetonate)の95:5重量%の混合物をスピンコーティングで40nmの厚さで発光層を形成した後、前記発光層上部にD40(EXXON社製品)溶剤で溶解したジルコニウムオキシド溶液をスピンコーティングして10nmの厚さのジルコニウムオキシド中間体を形成した後、また赤色りん光発光物質であるPVKとBtp2Ir(acac)の95:5重量%の混合物をスピンコーティングで40nmの厚さで発光層を形成した。次に、発光層上部にBAlqを30nmの厚さで蒸着させた後、LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
中間層にシリコーンダイオキシドを使ったことを除いては実施例3と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
中間層としてアルミニウムオキシドを使ったことを除いては実施例3と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
中間層としてチタニウムオキシドを使ったことを除いては実施例3と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
中間層としてジンクオキシドを使ったことを除いては実施例3と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
中間層としてジルコニウムシリケートを使ったことを除いては実施例3と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS(Bayer社製品の正孔注入物質)水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に青色りん光発光物質であるPVKとFlrpicの95:5重量%の混合物を40nmの厚さで発光層を形成し、前記発光層上部にD40(EXXON社製品)溶剤で溶解したジルコニウムオキシド溶液をスピンコーティングして10nmの厚さのジルコニウムオキシド中間層を形成した後、また赤色りん光発光物質であるPVKとBtp2Ir(acac)の95:5重量%の混合物を40nmの厚さで発光層を形成した。次に、発光層上部にBAlqを30nmの厚さで蒸着させた後LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
ガラス基板上にITO電極を形成した後、この上部に真空蒸着器を利用して正孔注入層である2‐TNATA(4,4’,4”‐tris(N‐(1‐naphthyl)‐N‐phenylamino)triphenylamine)を蒸着して150Åの厚さで形成し、次に、前記正孔注入層上部に正孔伝達層であるNPD(N,N’‐di(1‐naphthyl)‐N,N’‐diphenylbenzidine)を350Åの厚さで蒸着した。その後発光層であるDPVBi(1,4‐bis(2,2‐diphenylvinyl)biphenyl)を175Åの厚さで蒸着した後、E‐beam蒸着器を使ってジルコニウムオキシドを50Åの厚さに蒸着してまた発光層DPVBiを175Å、Alq3 50Å、LiF10Å、Al2000Åの厚さで順次に蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
中間層としてチタニウムオキシドを使ったことを除いては実施例10と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS(Bayer社製品の正孔注入物質)水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に緑色りん光発光物質であるPVKとIr(ppy)3の95:5重量%の混合物を27nmの厚さで発光層を形成し、前記発光層上部にD40(EXXON社製品)溶剤に溶かしてジルコニウムオキシド溶液をスピンコーティングして5nmの厚さのジルコニウムオキシド中間体を形成した後、また緑色りん光発光物質であるPVKとIr(ppy)3の95:5重量%の混合物を27nmの厚さで発光層を形成した。その後、続いて発光層上部にD40(EXXON社製品)溶剤で溶解したジルコニウムオキシド溶液をスピンコーティングして5nmの厚さのジルコニウムオキシド中間体を形成した後、また緑色りん光発光物質であるPVKと Ir(ppy)3の95:5重量%の混合物を27nmの厚さで発光層を形成した。発光層上部にBAlqを30nmの厚さで蒸着させた後、LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
ジルコニウムオキシド溶液をスペクトラSX‐128ヘッドを利用して、インクジェット方法でジルコニウム中間層を形成することを除いては実施例1と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
ジルコニウムオキシド中間層の厚さを40nmとしたことを除いては実施例3と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
中間層としてジルコニウムオキシドとチタニウムオキシドを重量%比で99:1で混合したことを除いては実施例2と同一の方法でOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS(Bayer社製品の正孔注入物質)水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に青色りん光発光物質であるPVKとFlrpicの95:5重量%の混合物を80nmの厚さで発光層を形成した。次に、発光層上部にBAlqを30nmの厚さで蒸着させた後、LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS(Bayer社製品の正孔注入物質)水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に緑色りん光発光物質であるPVKとIr(ppy)3の95:5重量%の混合物を80nmの厚さで発光層を形成した。次に、発光層上部にBAlqを30nmの厚さで蒸着させた後、LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS(Bayer社製品の正孔注入物質)水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に赤色りん光発光物質であるPVKとBtp2Ir(acac)の95:5重量%の混合物を80nmの厚さで発光層を形成した。次に、発光層上部にBAlqを30nmの厚さで蒸着させた後、LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
陽電極としてのコニング社の15Ω/cm2(120nm)ITOガラス基板を適当な大きさに切って、イソプロピルアルコールと純粋な水の中で各10分間超音波洗浄した後、20分間UV又はオゾンを用いた洗浄を行った。前記基板上部にPEDOT/PSS(Bayer社製品の正孔注入物質)水溶液をスピンコーティングして40nmの厚さの正孔注入層を形成した。次に、前記正孔注入層上に青色りん光発光物質であるPVKとFlrpicの95:5重量%の混合物を40nmの厚さで発光層を形成した後、赤色りん光物質であるPVKとBtp2Ir(acac)の95:5重量%の混合物を40nmの厚さで発光層を形成した。次に、発光層上部にBAlqを30nmの厚さで蒸着させた後、LiF1nm、Al100nmの厚さで陰電極を蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
ガラス基板上にITO電極を形成した後、この上部に真空蒸着器を利用して正孔注入層である2‐TNATAを蒸着して15nmの厚さで形成し、次に、前記正孔注入層上部に正孔伝達層であるNPDを35nmの厚さで蒸着した。その後、発光層であるDPVBiを35nmの厚さに蒸着してAlq35nm、LiF1nm、Al200nmの厚さで順次に蒸着してOLEDを製造した。製造されたOLEDの駆動電圧及び効率特性を評価した結果を表1に収録した。
20:正孔注入層
31、32、33、34、35:発光層
41、42、43:無機酸化物層
50:正孔阻止層
60:陰電極
Claims (6)
- 陽極と、
前記陽極の上部に形成される正孔注入層と、
前記陽極に対向して前記陽極の上部に配置される陰極と、
前記陰極の下部に形成される正孔阻止層と、
前記正孔注入層と前記正孔阻止層との間に形成された複数の有機発光層と、
前記複数の有機発光層の間に形成された2層以上の無機酸化物層とを含み、
前記無機酸化物はZr、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Si、As、Se、Eu、Sm、Th、Ac、Ce若しくはPrの酸化物、または前記元素の中の少なくとも2つからなる複合酸化物から選択される1種以上であり、
前記無機酸化物層が前記有機発光層にのみ接触し、前記正孔注入層が前記陽極及び前記有機発光層と接触し、前記正孔阻止層が前記陰極及び前記有機発光層と接触していることを特徴とする有機EL素子。 - 前記無機酸化物層が0.1〜500nmの厚さを有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記無機酸化物は、ZrO2 、SiO2、TiO、Ti2O3、TiO2 、Mn3O4、MnO、Mn2O3、MnO2、FeO、Fe3O4、ZnO、SnO2、In2O3、CrO3、CuO、Cu2O、HfO2、Fe2O3、CoO、Co3O4、NiO、NiO2、CeO2、Y2O3、NbO、NbO2、Nb2O5 、RuO2、Rh2O3、RhO2、PdO、AgO、Ag2O、CdO、Ta2O5、WO3、WO2、ReO3、OsO4、IrO2、PtO2、Au2O3、HgO、Ga2O3、GeO2、SnO、PbO2、PbO、PbO4、Sb2O3、Sb2O4、Sb2O5、Bi2O3、As2O3、As2O5、SeO2、またはEu2O3から選択される1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記複合酸化物は、ZrSiO4 、FeO3Ti、Fe2O4Zn、Fe2O5Ti、Fe5O12Y3、NiFeO4、Nb2O6Pb、NbO6Zn、AgO4Re、Ag2CrO4、Ag2O、Ag2O4W、CdO3Zr、Ga5Gd3O12、TIreO4、PbSeO3、PbTiO3、PbZrO3、Bi2O7Ti2またはCe2O12W3から選択される1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 陽極上に正孔注入層を形成する段階と、
前記正孔注入層上に2層以上の無機酸化物層が挿入された複数の有機発光層を形成する段階と、
前記複数の有機発光層上に正孔阻止層を形成する段階と、
前記正孔阻止層上に陰極を形成する段階とを含み、
前記無機酸化物はZr、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Si、As、Se、Eu、Sm、Th、Ac、Ce若しくはPrの酸化物、または前記元素の中の少なくとも2つからなる複合酸化物から選択される1種以上であり、
前記無機酸化物層が前記有機発光層にのみ接触し、前記正孔注入層が前記陽極及び前記有機発光層と接触し、前記正孔阻止層が前記陰極及び前記有機発光層と接触することを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記無機酸化物層は、スピン(spin)コーティング、ロール(roll)コーティング、スプレーコーティング、ディップ(dip)コーティング、フロー(flow)コーティング、ドクターブレード(doctor blade)とディスペンシング(dispensing)、インクジェットプリンティング、オフセットプリンティング、スクリーンプリンティング、パッド(pad)プリンティング、グラビアプリンティング、フレキソ(flexography)プリンティング、ステンシルプリンティング、インプリンティング(imprinting)、ゼログラフィー(xerography)、リソグラフィー(lithography)、熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンビーム蒸着またはスパッタリング方法から選択される方法により形成されることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060076814 | 2006-08-14 | ||
KR10-2006-0076814 | 2006-08-14 | ||
KR10-2007-0020377 | 2007-02-28 | ||
KR1020070020377A KR100881455B1 (ko) | 2006-08-14 | 2007-02-28 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
PCT/KR2007/003869 WO2008020696A1 (en) | 2006-08-14 | 2007-08-13 | Organic electroluminescent device and preparation method thereof |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012266425A Division JP2013080708A (ja) | 2006-08-14 | 2012-12-05 | 有機el素子及びこれの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010500733A JP2010500733A (ja) | 2010-01-07 |
JP5393460B2 true JP5393460B2 (ja) | 2014-01-22 |
Family
ID=39383923
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009524550A Expired - Fee Related JP5393460B2 (ja) | 2006-08-14 | 2007-08-13 | 有機el素子及びこれの製造方法 |
JP2012266425A Pending JP2013080708A (ja) | 2006-08-14 | 2012-12-05 | 有機el素子及びこれの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012266425A Pending JP2013080708A (ja) | 2006-08-14 | 2012-12-05 | 有機el素子及びこれの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8866128B2 (ja) |
EP (1) | EP2052587A4 (ja) |
JP (2) | JP5393460B2 (ja) |
KR (1) | KR100881455B1 (ja) |
CN (1) | CN101518152B (ja) |
TW (1) | TWI369154B (ja) |
WO (1) | WO2008020696A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5618458B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2014-11-05 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、製造方法及び塗布液 |
WO2009045341A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-09 | The Johns Hopkins University | Megahertz organic/polymer diodes and methods related thereto |
WO2010062643A1 (en) * | 2008-10-28 | 2010-06-03 | The Regents Of The University Of Michigan | Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements |
JP2012049088A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
CN102719791A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 锂铜共掺氧化锌导电膜及其制备方法、有机电致发光器件 |
CN102719790B (zh) * | 2011-03-29 | 2015-04-01 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 磷锑共掺杂锡酸锌薄膜、其制备方法及有机电致发光器件 |
CN102502859B (zh) * | 2011-11-07 | 2013-11-06 | 河北联合大学 | 一种具有片层结构的钼酸铁纳米锥材料的制备方法 |
JP2015502049A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-01-19 | オーシャンズ キング ライティング サイエンス アンド テクノロジー シーオー.,エルティーディー | ポリマーエレクトロルミネッセスデバイス、及び、その製造方法 |
US20130171903A1 (en) * | 2012-01-03 | 2013-07-04 | Andrew Zsinko | Electroluminescent devices and their manufacture |
WO2013157058A1 (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
EP2932538A1 (de) * | 2012-12-17 | 2015-10-21 | Merck Patent GmbH | Anorganische sperrschichten |
CN104009170A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104009184A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN105755466B (zh) * | 2013-05-22 | 2017-12-19 | 陈居 | 有机电致发光器件的基底的制备方法 |
CN104178728A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 导电薄膜、其制备方法及应用 |
DE102013109451B9 (de) * | 2013-08-30 | 2017-07-13 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
EP2918701A1 (en) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method of manufacturing a stacked organic light emitting diode, stacked OLED device, and apparatus for manufacturing thereof |
WO2016012221A2 (de) * | 2014-07-21 | 2016-01-28 | Cynora Gmbh | Organisches bauelement |
US9642212B1 (en) | 2015-06-11 | 2017-05-02 | Darkside Scientific, Llc | Electroluminescent system and process |
KR102504124B1 (ko) | 2015-07-31 | 2023-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
WO2017196076A2 (ko) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
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SG11201900625XA (en) | 2016-07-28 | 2019-02-27 | Darkside Scientific Inc | Electroluminescent system and process |
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Family Cites Families (34)
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---|---|---|---|---|
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JP4496949B2 (ja) | 2004-12-13 | 2010-07-07 | 株式会社豊田自動織機 | 有機el素子 |
JP4712372B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR101030008B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2011-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
KR20060084733A (ko) * | 2005-01-20 | 2006-07-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
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TW200700947A (en) | 2005-03-08 | 2007-01-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image processing method, image processing device, drawing system and program |
-
2007
- 2007-02-28 KR KR1020070020377A patent/KR100881455B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-13 CN CN2007800341023A patent/CN101518152B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-13 EP EP07793476A patent/EP2052587A4/en not_active Withdrawn
- 2007-08-13 WO PCT/KR2007/003869 patent/WO2008020696A1/en active Application Filing
- 2007-08-13 US US12/377,433 patent/US8866128B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-13 JP JP2009524550A patent/JP5393460B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-14 TW TW096129914A patent/TWI369154B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-12-05 JP JP2012266425A patent/JP2013080708A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8866128B2 (en) | 2014-10-21 |
EP2052587A4 (en) | 2009-09-02 |
CN101518152A (zh) | 2009-08-26 |
KR100881455B1 (ko) | 2009-02-06 |
EP2052587A1 (en) | 2009-04-29 |
US20100289010A1 (en) | 2010-11-18 |
KR20080015356A (ko) | 2008-02-19 |
TWI369154B (en) | 2012-07-21 |
CN101518152B (zh) | 2011-04-13 |
WO2008020696A1 (en) | 2008-02-21 |
TW200826732A (en) | 2008-06-16 |
JP2013080708A (ja) | 2013-05-02 |
JP2010500733A (ja) | 2010-01-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120104 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120201 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120305 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120709 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130301 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130617 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130620 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |