JP4493951B2 - 有機エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents
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Description
J=9/8・εε0μ・V2/d3 (1)
J=σE=σ・V/d (2)
Claims (16)
- 第1の電極と第2の電極との間に、電圧を印加することで発光を呈する有機化合物を含む電界発光層を設けた有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層中に導電性微粒子が分散されており、
前記導電性微粒子からホールおよび電子の両方が前記電界発光層中へ注入されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 第1の電極と第2の電極との間に、電圧を印加することで発光を呈する有機化合物を含む電界発光層を設けた有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層中に導電性微粒子が分散されており、
前記導電性微粒子は、金、銀または白金を組成とする金属微粒子であり、
前記金属微粒子からホールおよび電子の両方が前記電界発光層中へ注入されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 第1の電極と第2の電極との間に、電圧を印加することで発光を呈する有機化合物を含む電界発光層を設けた有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層中に導電性微粒子が分散されており、
前記第1の電極と前記電界発光層との間、および前記第2の電極と前記電界発光層との間に、それぞれ前記第1の電極および前記第2の電極から前記電界発光層へのキャリア注入を防ぐ絶縁層が設けられており、
前記有機エレクトロルミネッセント素子は交流バイアスにより動作することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記金属微粒子は、有機化合物で被覆されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項2、請求項4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記金属微粒子は、平均径が2nm以上50nm以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項2、請求項4、及び請求項5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記金属微粒子は、導電率が10−10S/m以上の材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1、請求項3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記導電性微粒子は無機半導体微粒子であり、前記無機半導体微粒子は、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、ヨウ化銅、またはインジウム錫酸化物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1、請求項3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記導電性微粒子は、シランカップリング剤で被覆したインジウム錫酸化物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1、請求項3、請求項7、及び請求項8のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記導電性微粒子は、導電率が10−10S/m以上の材料を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1、請求項3、及び請求項7乃至請求項9のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記導電性微粒子は、有機化合物で被覆されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1、請求項3、及び請求項7乃至請求項10のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記導電性微粒子は、平均径が2nm以上50nm以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1又は請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記第1の電極と前記電界発光層との間、および前記第2の電極と前記電界発光層との間に、それぞれ絶縁層が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1、請求項2、及び請求項12のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記第1の電極と前記電界発光層との間、および前記第2の電極と前記電界発光層との間に、それぞれ絶縁層が設けられており、
前記有機エレクトロルミネッセント素子は交流バイアスにより動作することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層は、バイポーラ性であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層は、電子輸送性の有機化合物とホール輸送性の有機化合物とが混合されたバイポーラ性混合層であることを特徴とする有機エレクトルミネッセント素子。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子において、
前記電界発光層は、π共役系ないしはσ共役系を有し、かつバイポーラ性である高分子化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003289400A JP4493951B2 (ja) | 2002-08-09 | 2003-08-07 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002233558 | 2002-08-09 | ||
JP2003289400A JP4493951B2 (ja) | 2002-08-09 | 2003-08-07 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004095549A JP2004095549A (ja) | 2004-03-25 |
JP2004095549A5 JP2004095549A5 (ja) | 2006-10-12 |
JP4493951B2 true JP4493951B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=32072371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003289400A Expired - Fee Related JP4493951B2 (ja) | 2002-08-09 | 2003-08-07 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4493951B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7504049B2 (en) | 2003-08-25 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device |
KR100718101B1 (ko) * | 2003-10-29 | 2007-05-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 나노 금속 입자를 이용한 전계 발광 소자 |
KR100632632B1 (ko) | 2004-05-28 | 2006-10-12 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정의 다층 박막 제조 방법 및 이를 이용한유·무기 하이브리드 전기 발광 소자 |
KR100736521B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2007-07-06 | 삼성전자주식회사 | 나노 결정 전기발광 소자 및 그의 제조방법 |
CN100499199C (zh) * | 2004-07-12 | 2009-06-10 | 西安宝莱特光电科技有限公司 | 改善有机薄膜元器件中有机膜电荷注入的方法 |
JP5078241B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子を用いた発光装置および発光素子の駆動方法並びに照明器具 |
JP4548121B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP4742622B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、発光装置および電子機器 |
US8026531B2 (en) | 2005-03-22 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP5078267B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP4834341B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-12-14 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 有機el素子及び有機el表示装置 |
TWI265192B (en) * | 2006-01-03 | 2006-11-01 | Univ Nat Chiao Tung | Semi-conductor quantum dots enhanced fluorescence polymer light emitting diode |
KR100881455B1 (ko) * | 2006-08-14 | 2009-02-06 | 주식회사 잉크테크 | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 |
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JP5846580B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2016-01-20 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 光パターン表示媒体、光パターン算出方法及び光認証システム |
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JP2002033193A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 有機発光素子 |
JP2002093574A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-03-29 | Toppan Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3631845B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2005-03-23 | セイコープレシジョン株式会社 | 有機el素子 |
-
2003
- 2003-08-07 JP JP2003289400A patent/JP4493951B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004095549A (ja) | 2004-03-25 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 4 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |