CN102842685A - 包括金属氧化物的阳极以及具有这种阳极的有机发光器件 - Google Patents
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Abstract
用于有机发光器件的阳极，其引入金属氧化物以提高电荷流动，以及使用该阳极的有机发光器件。用于有机发光器件的阳极具有优秀的电荷注入特性，从而改进有机发光器件的功耗。
Description
技术领域
本发明涉及包含金属氧化物的阳极以及具有这种阳极的有机发光器件，更具体地涉及适于改进空穴注入特性和功耗的阳极以及使用这种阳极的有机发光器件。
背景技术
近年来，显示设备正在被纤薄的便携式平板显示设备取代。平板显示设备的发光器件是发射式显示器件，它由于其广泛的可视角度、优秀的对比度和快速的响应而受人瞩目。特别地，发光层是由有机材料制成的有机发光器件由于其优秀的亮度、驱动电压、响应速度以及不同颜色的实现而受人瞩目。
发明内容
因此，提出本发明以解决存在于现有技术中的上述问题，而且本发明的一个方面提供了用于有机发光器件的阳极，该阳极显示了优秀的反射特性和优秀的空穴注入特性。
本发明的另一个方面提供了采用上述阳极的有机发光器件。
具体地，本发明提供了用于有机发光器件的阳极，该阳极通过提高有机发光器件的逸出功来改进空穴注入特性，本发明还提供了具有该阳极的有机发光器件。
根据本发明的示例性实施方式，提供了用于有机发光器件的、包含金属氧化物的阳极。
用于发光器件的阳极可以包括金属层，以及形成在所述金属层上的透明传导层。这里，所述透明传导层包括透明传导氧化物（TCO）和金属氧化物。在本发明中，透明传导氧化物被简称为“TCO”。
根据本发明的另一实施例，所述金属层包含银（Ag）。银（Ag）具有优秀的传导性和优秀的反射特性，因此它能够用于反射电极。根据本发明的另一实施例，所述金属层的厚度被设置为约
至约
优选为约
至约随着金属层的厚度变得更厚，传导特性、电荷注入特性和反射特性变得更加优秀。然而，为了使器件纤薄，优选地使金属层的厚度较薄。因此，考虑到传导和反射特性以及器件的纤薄性，金属层的厚度被设置为约
至约
优选为约
至约
根据本发明的另一实施方式，所述透明传导层的厚度被设置为约
至约
透明传导层用于对金属层的逸出功进行补偿。考虑到器件的纤薄性和对逸出功的补偿，透明传导层的厚度被设置为约
至约
透明传导氧化物的实施例包括ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO和ZnOx。它们可以是一种物质，或者是两种物质的混合物。除了上述材料以外，透明且传导的任何氧化物都可以用于透明传导氧化物，而不受任何限制。
金属氧化物是包含Ni、Co、V、W和Yb中的至少一种金属的氧化物，尤其包括氧化镍（NiO）、三氧化二钴（Co2O3）和氧化镱（YbO）。它们可以是一种物质，或者是两种物质的混合物。
例如，透明传导氧化物（即，ITO）可以与金属氧化物（例如，NiO和Co2O3）混合。然后通过溅射ITO和NiO-Co2O3可以形成透明传导层。除了上述材料以外，可以使用具有高逸出功的其他材料。
根据本发明的另一实施方式，所述透明传导层的逸出功可以被设置为约4.8eV至6.5eV。
根据本发明的另一实施例，所述透明传导层中包含的所述金属氧化物的含量是所述透明传导层的总重量的约3wt％至约15wt％，而且所述金属氧化物的逸出功为约5.0eV至约6.5eV。这里，可以设置金属氧化物的含量，使得透明传导层的逸出功为约4.8eV至约6.5eV。而且，如果掺杂的金属氧化物的量很小，那么它的效果将难以预期。另一方面，如果掺杂的金属氧化物的量很大，那么光学特性将下降。
根据本发明的另一实施方式，在所述透明传导层中，所述透明传导氧化物可以形成基质，而且所述金属氧化物可以被掺杂到由所述透明传导氧化物形成的所述基质中。
根据本发明的另一实施方式，通过溅射或沉积可以形成所述透明传导层，其中所述透明传导氧化物和所述金属氧化物用作原料。
根据本发明的另一实施方式，所述透明传导层可以包括这种结构，即，由所述金属氧化物形成的薄膜被设置在由所述透明传导氧化物形成的薄膜上。根据本发明的另一实施方式，由所述金属氧化物形成的薄膜的厚度为约至约
由所述透明传导氧化物形成的薄膜的厚度为约
至约
根据本发明的另一实施方式，所述阳极是有机发光器件的反射电极。
本发明还提供了制造用于有机发光器件的阳极的方法。
该方法包括在衬底上形成金属层，以及在所述金属层上形成透明传导层的步骤。这里，形成透明传导层的步骤是通过溅射或沉积执行的，其中透明传导氧化物和金属氧化物用作原料。
根据本发明的另一实施方式，形成透明传导层的步骤包括：使用所述透明传导氧化物在所述金属层上形成由所述透明传导氧化物形成的薄膜；以及在由所述透明传导氧化物形成的薄膜上形成由所述金属氧化物形成的薄膜。
根据本发明的另一实施方式，在形成透明传导层的步骤中，同时溅射或沉积所述透明传导氧化物和所述金属氧化物，使得所述透明传导氧化物形成基质，而且所述金属氧化物被掺杂到由所述透明传导氧化物形成的所述基质中。
本发明提供了包括上述阳极的有机发光器件。
有机发光器件包括：衬底；在所述衬底上形成的第一电极；在所述第一电极上形成的有机层；以及在所述有机层上形成的第二电极。这里，所述有机层包括至少一层，所述至少一层包括发光层。所述第一电极和所述第二电极之一包括金属层和形成在所述金属层上的透明传导层。所述透明传导层包含透明传导氧化物和金属氧化物。
在根据本发明的有机发光器件中，包括所述金属层和形成在所述金属层上的所述透明传导层的所述阳极如上所述一样。
根据本发明的另一实施方式，包括所述金属层和形成在所述金属层上的所述透明传导层的所述阳极是所述第一电极。
根据本发明的另一实施方式，包括所述金属层和形成在所述金属层上的所述透明传导层的所述阳极可以是形成在所述衬底上的所述第一电极，所述第一电极可以用作反射电极。
根据本发明的用于有机发光器件的阳极使得电荷能够被很好地注入，而且通过采用所述阳极能够提高有机发光器件的发光效率。而且，当以反射方式使用所述用于有机发光器件的阳极时，反射特性能够变得更加优秀。此外，通过将上述阳极引入到有机发光器件中，能够提高有机发光器件的逸出功，使得提高空穴注入特性和降低功耗成为可能。
附图说明
结合附图并参照以下具体描述，将能够更加完整地理解本发明，并且其多种优点将显而易见且更易于理解，在附图中相同的参考标记表示相同或相似的部件，在附图中：
图1是示出有机发光器件的总体结构的示意图；
图2是更详细地示出图1的有机发光器件的有机层的结构的示意图；
图3是示出用于有机发光器件的阳极的结构的实施例的示意图；
图4是示出根据本发明的原理的实施方式的、用于有机发光器件的阳极的结构的示意图；
图5是示出根据本发明的原理的另一实施方式的、用于有机发光器件的阳极的结构的示意图；
图6是示出当ITO阳极的表面被处理时获得的ITO阳极的逸出功的图表；
图7是示出ITO阳极、以及通过使用金属氧化物来掺杂ITO阳极所获得的本发明的阳极的逸出功的图表；以及
图8是示出通过对根据本发明的实施方式和比较实施例制造的有机发光器件的电流密度和电压进行测量所获得的测量结果的图表。
具体实施方式
下文中，将参照附图描述本发明的示例性实施方式。然而，应该注意的是，本发明的范围并不受到下面描述的实施方式和附图的限制。
而且，虽然附图中的元件及其形状被简化或夸大以帮助理解本发明，但是相同的参考标号用于指定相同或相似的部件。
此外，当描述一层位于另一层或衬底上时，这意味着该一层可设置为直接与该另一层或衬底接触，或者第三层可插入到它们之间。
发光器件是使用电子与空穴耦合导致辐射衰变时所产生的光的器件。
发光器件主要包括用于注入空穴的电极（阳极）、用于注入电子的另一电极（阴极）、以及叠置在用于注入空穴的电极与用于注入电子的电极之间的发光层。在发光器件的阴极注入电子，并且在发光器件的阳极注入空穴，从而在外部电场的影响下电荷沿着相反方向运动之后，电子和空穴在发光层中耦合，导致辐射衰变并发光。特别地，具有由单分子有机材料或聚合物组成的发光层的发光器件被称为有机发光器件。
通常，阳极（即，用于注入空穴的电极）由逸出功大的电极材料制成，如金（Au）或铟锡氧化物（ITO），阴极（即，用于注入电子的电极）由逸出功小的电极材料制成，如镁（Mg）或锂（Li）。
而且，在发光器件中，可以在阳极与发光层之间引入空穴传输层以加强空穴传输，而且可以在阴极与发光层之间引入电子传输层以加强电子传输。有机材料主要用于有机发光器件中的空穴传输层、发光层、和电子传输层。特别地，具有p型半导体属性的材料用作空穴传输层，具有n型半导体属性的材料用作电子传输层。
图1是示出有机发光器件的示意图。
参照图1，有机发光器件基本具有这种结构，即，第一电极20形成在衬底10上，有机层30设置在第一电极20上，第二电极40设置在有机层30上，有机层30设置在第一电极20与第二电极40之间。有机层30包括发光层，空穴和电子在发光层中彼此耦合以导致辐射衰变。第一电极20和第二电极40中的一个是用于注入空穴的阳极，第一电极20和第二电极40中的另一个是用于注入电子的阴极。
图2示出了包括具有多层叠置结构的有机层30的有机发光器件。当第一电极20是阳极时，有机层30从第一电极20开始顺序包括空穴注入层31、空穴传输层32、发光层33、电子传输层34、电子注入层35。另一方面，当第二电极40是阳极时，有机层30从第二电极40开始顺序包括空穴注入层35、空穴传输层34、发光层33、电子传输层32和电子注入层31。
作为参考，由于电子注入层往往由除有机材料或其复合材料以外的金属元素制成，因此电子注入层不在有机层中，并且可以被划分为单独层或可以包含在阴极中。
一般根据有机发光器件的发光效率来确定这种有机发光器件的效率。因此，已经提出各种努力和尝试以增加有机发光器件的发光效率。
有机发光器件的发光效率受注入电子和空穴的容易性、单重态激子的形成、发光位置、三重态激子的使用的影响。因此，为了提高有机发光器件的发光效率，将电子注入层和空穴注入层插入到电极与发光层之间以容易地注入电荷。电极的逸出功被选择为适合发光层的最高占据分子轨道（HOMO）能级和最低未占据分子轨道（LUMO）能级，以容易地注入电荷。可替换地，包含重元素的有机材料被添加到发光层，以将导致非辐射衰变的三重态激子转换为导致辐射衰变的单重态激子。然而，这些方法在器件的稳定性方面存在限制。
而且，通过增加与有机发光器件的发光表面相对的电极的反射系数，可以提高有机发光器件的发光效率。更具体地，发光器件的发光表面上的电极可以由透明电极构成，并且位于发光表面的相对侧上的另一电极可以由反射电极构成，从而反射电极可以反射并发射在发光层中产生的光，并且辐射到发光表面的对侧，以提高发光效率。
这种反射电极的实施例包括利用金属层实现的反射电极。而且，如果金属层作为电极，实际上，电荷会偶尔不容易注入。特别地，当由金属层构成的反射电极用作阳极时，可能会降低空穴注入效率。
为了改进使用仅由金属层构成的电极作为阳极的缺点，已经研究了透明传导性氧化物（TCO）材料或其他无机材料一起设置在金属层上的层叠结构。诸如ITO的TCO材料具有高透明度和高工艺性能，而且例如通过等离子体处理可以容易地调节它的逸出功，因此它被广泛使用。图3示出了具有这种结构的阳极200的实施例，在该结构中，在由银制成的金属层210上形成由透明传导性氧化物材料（如ITO）制成的薄膜（TCO层）220。
而且，由于当从阳极向有机材料注入电荷时存在能量势垒，因此阳极的逸出功增加将是有利的。近年来，由于广泛用作阳极反射电极的银（Ag）的逸出功仅仅为4.0至4.3eV，因此逸出功为4.8eV的ITO被使用，从而便于注入电荷并保护金属层。如果逸出功增加到超过5.0eV，则将会提高空穴注入特性，使得更低的驱动电压和功耗成为可能。然而，目前广泛使用的ITO的逸出功低于5.0eV。
图4示意性示出了根据本发明的原理、作为实施方式的包含金属氧化物的、用于有机发光器件的阳极200a。在这里，用于有机发光器件的阳极200a包括金属层210和在金属层210上形成的透明传导层230a。透明传导层230a包含透明传导氧化物231和金属氧化物232。
在图4的有机发光器件的阳极200a的透明传导层230a中，金属氧化物232被掺杂到由透明传导氧化物231形成的基质中。
图5示出了根据本发明的原理、作为另一实施方式的用于有机发光器件的阳极200b。有机发光器件的阳极200b包括金属层210和在金属层210上形成的透明传导层230b。在图5的透明传导层230b的结构中，在由透明传导氧化物形成的薄膜220的上表面形成由金属氧化物形成的薄膜240。
参照图4和图5，可通过溅射或沉积形成透明传导层，其中透明传导氧化物231和金属氧化物232用作原料。
更具体地，通过在衬底上形成金属层210并且在金属层210上形成透明传导层230a或230b，可以制造根据本发明的用于有机发光器件的阳极200a或200b。在这里，衬底可以是有机发光器件的衬底，或者可以为制造电极而单独准备。而且，溅射或沉积可用于形成透明传导层。
根据图4的实施例，透明传导氧化物和金属氧化物可同时被溅射或沉积以形成透明传导层。更具体地，同时使用透明传导氧化物和金属氧化物进行共同沉积时，形成透明传导氧化物和金属氧化物混合的沉积层。类似地，同时使用透明传导氧化物和金属氧化物进行溅射时，形成透明传导氧化物和金属氧化物混合的溅射层。在共同沉积和溅射之后，由透明传导氧化物231形成基质，并且形成结构230a，在结构230a中，金属氧化物232掺杂到由透明传导氧化物231形成的基质中。以这种方式形成的阳极200a具有图4的结构。
根据图5的实施例，在形成透明传导层230b的步骤中，可以首先使用透明传导氧化物231在金属层210上形成由透明传导氧化物形成的薄膜220，然后可以在由透明传导氧化物形成的薄膜220的表面上形成由金属氧化物形成的薄膜240。以这种方式形成的阳极200b具有图5的结构。可以使用溅射或沉积来形成由透明传导氧化物形成的薄膜220和由金属氧化物形成的薄膜240。
根据图5的实施例，由金属氧化物形成的薄膜240的厚度可以为约
至约
而且由透明传导氧化物形成的薄膜220的厚度可以为约
至约
用作有机发光器件的反射膜的现有阳极由于金属的低稳定性而不能独立使用，因此现有阳极与TCO材料或其他无机材料所形成的薄膜一起主要用在层叠结构中。其中，由于ITO具有相对较高的透明度和优秀的工艺性能，而且通过等离子体处理可以容易设置逸出功，因此ITO被广泛使用。这是因为随着阳极的逸出功变高，电荷能够顺利注入，从而可以加强驱动特性。
然而，从图6中可以看出，图3中的传统阳极220（采用由包含纯ITO的透明传导氧化物形成的薄膜220）具有低逸出功（4.7eV）。即使在ITO表面执行UV-臭氧处理和等离子体处理，逸出功增加一定程度，但是不能获得超过5.0eV的逸出功。
相反，从图7中可以看出，在根据本发明的有机发光器件的阳极（在该阳极中，根据图4的实施例，NiO被掺杂到由透明传导氧化物形成的薄膜230a中）中，逸出功能够增加到5.5eV（掺杂20％的NiO）。
虽然图中未示出，但是能够看出，在根据本发明的有机发光器件的阳极（在该阳极中，Co2O3被掺杂到由透明传导氧化物形成的薄膜230a中）中，逸出功能够增加到5.9eV（掺杂30％的Co2O3）。
也就是说，在根据本发明的有机发光器件的阳极中，具有高逸出功的金属氧化物可以被引入到由透明传导氧化物形成的薄膜中，以允许电荷顺利注入到发光层中，从而降低驱动电压和功耗。
根据本发明的另一实施例，金属层210包含银（Ag）。银（Ag）具有高传导性和优秀的反射特性。因此，具有包含银（Ag）的金属层的阳极可以被用为反射电极。
根据本发明的实施例，金属层210的厚度可以被设置为约至约
优选地，约
至约
随着金属层的厚度变得更厚，电荷注入特性和反射特性由于金属层良好的传导特性而变得更加优秀。然而，金属层的厚度应该薄以使器件纤薄。因此，金属层的厚度被设置为约至约
优选地，约至约
根据本发明的另一实施例，透明传导层230a或230b的厚度被设置约
至约
透明传导层230a或230b用于对金属层210的逸出功进行补偿。因此，考虑到器件的纤薄性和对逸出功的补偿，透明传导层230a或230b的厚度被设置为约
至约
透明传导层230a或230b中所包含的透明传导氧化物包括，例如，铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）、铟镓氧化物（IGO）、镓铟锌氧化物（GIZO）、铟锌氧化物（IZO）、和锌氧化物（ZnOx）。这里，透明传导氧化物可以选自传统透明电极中所使用的透明传导氧化物，而且可以由本领域技术人员来购买。它们可以独立使用，或者它们中的至少两个可以混合使用。除了上述材料以外，透明且传导的任何氧化物都可以用于透明传导氧化物，而不受任何限制。
透明传导层230a或230b中所包含的金属氧化物包括，例如，镍（Ni）、钴（Co）、钒（V）、钨（W）、和镱（Yb）。具体地，NiO、Co2O3和YbO可以作为金属氧化物。这里，逸出功为5.0eV至6.5eV的任何金属氧化物都可以用作金属氧化物。它们可以独立使用，或者它们中的至少两个可以混合使用。
例如，NiO和Co2O3（即，金属氧化物）可以与ITO（即，透明传导氧化物）混合使用。透明传导层可以通过溅射ITO和NiO-Co2O3形成。很明显，可以使用除了上述材料以外的具有高逸出功的任何材料。
根据本发明的另一实施例，透明传导层230a或230b的逸出功可以被设置为约4.8eV至约6.5eV。
根据本发明的另一实施例，透明传导层中包含的金属氧化物的含量是透明传导层的总重量的约3wt％至约15wt％，而且金属氧化物的逸出功为约5.0eV至约6.5eV。这里，可以设置金属氧化物的含量，使得透明传导层的逸出功为4.8eV至6.5eV。
根据本发明的另一实施例，上述阳极具有优秀的反射特征。因此，阳极可以用作有机发光器件的反射电极。
如上所述的是根据本发明制造有机发光器件的阳极的方法。
本发明提供了包括阳极的有机发光器件。
根据本发明的另一实施例的有机发光器件包括衬底10、在衬底10上形成的第一电极20、在第一电极20上形成的有机层30、在有机层30上形成的第二电极40（参见图1）。
这里，有机层30包括至少一层，该至少一层包括发光层33（参见图2）。根据本发明的另一实施例，有机层30从阳极开始顺序包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。参见图2，当第一电极是阳极时，有机层30从第一电极开始顺序包括空穴注入层31、空穴传输层32、发光层33、电子传输层34、电子注入层35。另一方面，当第二电极是阳极时，有机层30从第二电极开始顺序包括空穴注入层35、空穴传输层34、发光层33、电子传输层32和电子注入层31。
在根据本发明的实施例的有机发光器件中，第一电极和第二电极之一是阳极200a，阳极200a包括金属层210和在金属层210上形成的透明传导层230a（参见图4）。这里，透明传导层230a包含以上所述的透明传导氧化物231和金属氧化物232。
根据本发明的另一实施例，阳极200b（包括金属层210和在金属层210上形成的透明传导层230b）可以是第一电极20（参见图4）。在这种情况下，阳极200b（包括金属层210和在金属层210上形成的透明传导层230b）可以像在衬底上形成的第一电极20一样，具有反射电极的功能。
更具体地，作为本发明的第一实施方式，通过使用银（Ag）在玻璃衬底10上形成金属层210并且在金属层210上形成掺杂有少量NiO且厚度为
的ITO薄膜230a（掺杂重量比为NiO:ITO=10:90），形成透明传导层230a。包括金属层210和透明传导层230a的电极用作阳极200a。
在本发明的第一实施方式中，在阳极200a上顺序形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层之后，镁银（MgAg）层被形成为阴极，用于制造绿色OLED器件。
除了通过形成掺杂有少量NiO且厚度为
的ITO薄膜230a（掺杂重量比为NiO:ITO=15:85）来形成透明传导层230a以外，本发明的第二实施方式与本发明的第一实施方式相同。
除了绿色OLED器件是使用厚度为
的膜220制造的以外，比较实施例与本发明的第一实施方式相同，其中膜220通过在由银（Ag）形成的金属层210上形成不含有金属氧化物的纯ITO而获得，以作为阳极200。
图8示出了通过对根据实施方式和比较实施例制造的绿色OLED器件的电流密度和电压进行测量所获得的测量结果。在图8中，线（a）表示比较实施例，线（b）表示第一实施方式，线（c）表示第二实施方式。
图8示出电流密度已得到增强。这表示，当阳极中逸出功增加时，注入特性得到提高而且电荷流动更有效率。也就是说，可以看出，器件的效率得到提高。
虽然为说明的目的描述了本发明的优选实施方式，但本领域技术人员应理解，在不脱离本发明所附权利要求书公开的范围和精神的情况下，可进行不同的改进、附加和替代。
Claims (34)
1.用于有机发光器件的阳极，包括：
金属层；以及
透明传导层，形成在所述金属层上，
所述透明传导层包括透明传导氧化物和金属氧化物。
2.如权利要求1所述的阳极，其中所述金属层包含银。
3.如权利要求1所述的阳极，其中所述金属层具有
至
的厚度。
4.如权利要求1所述的阳极，其中所述透明传导层具有
至的厚度。
5.如权利要求1所述的阳极，其中所述透明传导氧化物包括选自由ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO和ZnOx所组成的组中的至少一种。
6.如权利要求1所述的阳极，其中所述金属氧化物包括选自由Ni、Co、V、W和Yb所组成的组中的至少一种金属的氧化物。
7.如权利要求1所述的阳极，其中所述透明传导层中包含的所述金属氧化物的含量是所述透明传导层总重量的3wt％至15wt％。
8.如权利要求1所述的阳极，其中所述金属氧化物具有5.0eV至6.5eV的逸出功。
9.如权利要求1所述的阳极，其中所述透明传导层具有4.8eV至6.5eV的逸出功。
10.如权利要求1所述的阳极，其中在所述透明传导层中，所述透明传导氧化物形成基质，而且所述金属氧化物被掺杂到由所述透明传导氧化物形成的所述基质中。
11.如权利要求10所述的阳极，其中所述透明传导层通过溅射或沉积形成，其中所述透明传导氧化物和所述金属氧化物用作原料。
12.如权利要求1所述的阳极，其中所述透明传导层包括设置在由所述透明传导氧化物形成的薄膜上的、由所述金属氧化物形成的薄膜。
13.如权利要求12所述的阳极，其中由所述金属氧化物形成的薄膜具有
至
的厚度。
14.如权利要求12所述的阳极，其中由所述透明传导氧化物形成的薄膜具有
至
的厚度。
15.如权利要求1所述的阳极，其中所述阳极包括反射电极。
16.制造用于有机发光器件的阳极的方法，包括：
在衬底上形成金属层；以及
在所述金属层上形成透明传导层，
形成透明传导层的步骤包括溅射或沉积步骤，其中透明传导氧化物和金属氧化物用作原料。
17.如权利要求16所述的方法，其中形成透明传导层的步骤包括：
使用所述透明传导氧化物，在所述金属层上形成由所述透明传导氧化物形成的薄膜；以及
在由所述透明传导氧化物形成的薄膜上形成由所述金属氧化物形成的薄膜。
18.如权利要求16所述的方法，其中在形成透明传导层的步骤中，同时溅射或沉积所述透明传导氧化物和所述金属氧化物，使得所述透明传导氧化物形成基质，而且所述金属氧化物被掺杂到由所述透明传导氧化物形成的所述基质中。
19.有机发光器件，包括：
衬底；
第一电极，形成在所述衬底上；
有机层，形成在所述第一电极上；以及
第二电极，形成在所述有机层上，
所述有机层包括至少一层，所述至少一层包括发光层，
所述第一电极和所述第二电极之一包括阳极，所述阳极包括金属层和形成在所述金属层上的透明传导层，而且
所述透明传导层包含透明传导氧化物和金属氧化物。
20.如权利要求19所述的发光器件，其中所述金属层包含银。
21.如权利要求19所述的发光器件，其中所述金属层具有
至
的厚度。
22.如权利要求19所述的发光器件，其中所述透明传导层具有
至
的厚度。
23.如权利要求19所述的发光器件，其中所述透明传导氧化物包括选自由ITO、AZO、IGO、GIZO、IZO和ZnOx所组成的组中的至少一种。
24.如权利要求19所述的发光器件，其中所述金属氧化物包括选自由Ni、Co、V、W和Yb所组成的组中的至少一种金属的氧化物。
25.如权利要求19所述的发光器件，其中所述透明传导层中包含的所述金属氧化物的含量是所述透明传导层的总重量的3wt％至15wt％。
26.如权利要求19所述的发光器件，其中所述金属氧化物具有5.0eV至6.5eV的逸出功。
27.如权利要求19所述的发光器件，其中所述透明传导层具有4.8eV至6.5eV的逸出功。
28.如权利要求19所述的发光器件，其中在所述透明传导层中，所述透明传导氧化物形成基质，而且所述金属氧化物被掺杂到由所述透明传导氧化物形成的所述基质中。
29.如权利要求28所述的发光器件，其中所述透明传导层通过溅射或沉积形成，其中所述透明传导氧化物和所述金属氧化物用作原料。
30.如权利要求19所述的发光器件，其中所述透明传导层包括设置在由所述透明传导氧化物形成的薄膜上的、由所述金属氧化物形成的薄膜。
31.如权利要求30所述的发光器件，其中由所述金属氧化物形成的薄膜具有
至
的厚度。
32.如权利要求30所述的发光器件，其中由所述透明传导氧化物形成的薄膜具有
至
的厚度。
33.如权利要求19所述的发光器件，其中包括所述金属层和形成在所述金属层上的所述透明传导层的所述电极是反射电极。
34.如权利要求19所述的发光器件，其中包括所述金属层和形成在所述金属层上的所述透明传导层的所述阳极是所述第一电极。
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