CN101295769A - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光装置及其制造方法，该有机发光装置包括具有高透光率和可控制的逸出功的阳极，并使阴极的选择具有高的自由度。该有机发光装置的阳极包括第一层。第一层包括第一金属氧化物和第二金属氧化物，其中，第二金属氧化物与第一金属氧化物不同，且第二金属氧化物被掺杂到第一金属氧化物中。阴极面对阳极，在阳极和阴极之间具有包括发射层的有机层。
Description
本申请要求于2007年4月23日在韩国知识产权局提交的第10-2007-0039465号韩国专利申请的优先权，该申请的整个内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置及其制造方法。
背景技术
有机发光装置是一种自发射装置，包括阳极、面对阳极的阴极以及设置在阳极和阴极之间的中间层，其中，中间层包括发射层。来自阳极的空穴和来自阴极的电子被注入到中间层的发射层中，以产生激子，从而发光，其中，所述光穿过阳极或阴极中的一个透射到有机发光装置的外面。因此，通过其透射光的阳极或阴极可具有高透射率。
另外，与阴极相比，有机发光装置的阳极可以具有更高的绝对逸出功值。其原因是应当容易地将空穴从阳极提供到中间层，应当容易地将电子从阴极提供到中间层。
基于这个原因，通常，传统的有机发光装置包括由氧化铟锡(ITO)形成的阳极，氧化铟锡具有足够的透射率和相对大的绝对逸出功值。通过使ITO经历UV-O3处理和/或N2等离子体处理，绝对逸出功值还可以提高。
然而，通常的ITO阳极具有45％的低的透射率，并且难以控制逸出功。这些问题限制了作为透明电极的阳极的功能。
此外，在顶发射型有机发光装置中，阴极应该由绝对逸出功值小、透射率高的材料形成，其中，在顶发射型有机发光装置中，沿着阴极的方向(或穿过阴极)来显示图像。然而，难以获得绝对逸出功值小、透射率高的材料，因此使用绝对逸出功值小的金属(比如Mg:Ag)来形成半透明层，然后在半透明层上沉积传统的透明电极(诸如ITO)以补偿导电率。然而，由于受到选择阴极形成材料方面的限制，所以即使是这种传统的透光电极，透射率也低。如前所述，在顶发射型有机发光装置中，难以得到一种能够提供期望的阳极逸出功与阴极逸出功之差的阴极形成材料，且难以增大所形成的阴极的透光率。
发明内容
本发明实施例的方面在于提供一种有机发光装置及其制造方法，该有机发光装置包括阳极，其中，该阳极具有高透射率和/或可控的逸出功。
本发明实施例的方面在于提供一种有机发光装置及其制造方法，该有机发光装置具有高透射率和/或可控的逸出功，和/或关于在阴极的选择方面的高的自由度。
本发明的实施例提供一种有机发光装置。该有机发光装置包括：阳极，包括第一层，其中，所述第一层包括第一金属氧化物和第二金属氧化物，所述第二金属氧化物与所述第一金属氧化物不同，并且第二金属氧化物被掺杂在第一金属氧化物中；阴极，面对阳极；有机层，有机层包括发射层，在所述阳极和所述阴极之间。
在一个实施中，阳极还包括第二层，其中，该第二层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。阴极可以包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料。所述阳极还可以包括第三层，该第三层包括从由氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍、氧化铜、富勒烯、含金属的富勒烯基络合物、碳纳米管、碳纤维、碳黑、石墨、碳炔、MgC60、SrC60、CaC60、C60以及它们的组合组成的组中选择的材料。
在一个实施例中，阳极还包括第二层，该第二层包括从由氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍、氧化铜、富勒烯、含金属的富勒烯基络合物、碳纳米管、碳纤维、碳黑、石墨、碳炔、MgC60、SrC60、CaC60、C60以及它们的组合组成的组中选择的材料。所述阴极可以包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料。
在一个实施例中，阴极包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料。
在一个实施例中，阳极还包括反射层，该反射层包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料。所述阳极还可以包括第二层，该第二层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
在一个实施例中，阳极包括第一层、反射层和第二层，其中，反射层包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料，第二层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料，所述反射层在所述第一层与第二层之间。
在一个实施中，阳极包括第一层、第二层、反射层和第三层，其中，第二层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料，反射层包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料，第三层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料，其中所述第二层在第一层和反射层之间，其中所述反射层在第二层和第三层之间。这里，在材料组成方面，第二层可以与第三层基本相同。
在一个实施例中，阴极包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
在一个实施例中，第一金属氧化物包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
在一个实施例中，第二金属氧化物包括从由氧化镱、氧化镧、氧化钇、氧化铍、氧化钛、氧化硅、氧化镓、氧化钯、氧化钐以及它们的组合组成的组中选择的材料。
本发明的另一个实施例提供了一种制造有机发光装置的方法。所述方法包括：形成阳极；在阳极上形成中间层，其中，中间层包括发射层；在中间层上形成阴极，其中，形成阳极的步骤包括形成第一层，第一层包括第一金属氧化物以及与第一金属氧化物不同的第二金属氧化物，形成第一层的步骤包括沉积第一金属氧化物，以及对第一金属氧化物的一部分进行掺杂以形成第二金属氧化物。
在一个实施例中，第一金属氧化物包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
在一个实施例中，第二金属氧化物包括从由氧化镱、氧化镧、氧化钇、氧化铍、氧化钛、氧化硅、氧化镓、氧化钯、氧化钐以及它们的组合组成的组中选择的材料。
在一个实施例中，沉积第一金属氧化物的步骤包括对将沉积为第一金属氧化物的金属进行等离子体离子化。
在一个实施例中，对第一金属氧化物的一部分进行掺杂以形成第二金属氧化物的步骤包括将掺杂剂共沉积到第一金属氧化物中。
附图说明
附图与说明书一起示出了本发明的示例性实施例，并且附图与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明实施例的有机发光装置的示意性剖视图；
图2是根据本发明另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图；
图3是根据本发明另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图；
图4是根据本发明另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图；
图5是根据本发明另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图；
具体实施方式
在以下详细的描述中，通过图示仅示出和描述了本发明的特定示例性实施例。本领域技术人员应该理解，本发明可以通过多种不同形式实施，而不应理解为局限于在此阐述的实施例。另外，在本申请的上下文中，当元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接位于所述另一元件上或者在该元件与另一元件之间设置有一个或多个中间元件的情况下间接地在另一元件上。在整个说明书中，相同的标号指示相同的元件。
图1是根据本发明实施例的有机发光装置的示意性剖视图。
参照图1，有机发光装置具有这样的结构，即：在该结构中，阳极2、有机层3和阴极4顺序地堆叠在基底1上。
在图1的有机发光装置中，当空穴从阳极2被提供到有机层3，并且电子从阴极4被提供到有机层3时，在有机层3中产生光。从有机层3发射的光朝基底1透射，即，沿着图1中的箭头所示的方向透射，从而形成在基底1下面显示的图像。具有如上所述的结构的有机发光装置称为底发射型有机发光装置。
基底1可以由玻璃和/或塑料形成。在基底1上可以形成包括薄膜晶体管和电容器的多个像素电路，每个像素电路可以连接到阳极2。
在基底1上形成的阳极2连接到外部电源，阳极2向有机层3提供空穴，并包括第一层21，第一层21通过在基底1上共沉积第一金属氧化物和第二金属氧化物而形成。下面将更详细地描述第一层21。
有机层3形成在阳极2上。在有机层3中，由阳极2提供的空穴和由阴极4提供的电子结合在一起以产生激子，从而发光。
有机层3至少包括发射层32，也可以包括第一中间层31和第二中间层33，其中，第一中间层31可设置在发射层32与阳极2之间，第二中间层33可设置在发射层32与阴极4之间。
第一中间层31可以包括空穴注入层、空穴传输层等。然而，第一中间层31的结构不限于此。例如，第一中间层31可以是从如上所述的层中选择的单层，或者还可包括电子阻挡层。第二中间层33可以包括电子传输层、电子注入层等。然而，第二中间层33的结构不限于此。例如，第二中间层33可以是从如上所述的层中选择的单层，或者还可包括空穴阻挡层。
发射层32可以由任何合适的发射层形成材料形成。例如，发射层32可以由下面的物质形成：噁二唑二聚物染料(oxadiazole dimer dyes)(Bis-DAPOXP)、螺化合物(Spiro-DPVBi、Spiro-6P)、三芳基胺化合物、二苯乙烯基胺(DPVBi、DSA)、Flrpic、CzTT、蒽、TPB、PPCP、DST、TPA、OXD-4、BBOT、AZM-Zn等(以获得蓝光)；香豆素6、C545T、喹吖啶酮、Ir(ppy)3等(以获得绿光)；DCM1、DCM2、铕(噻吩甲酰三氟丙酮)3(Eu(thenoyltrifluoroacetone)3)(Eu(TTA)3)、丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(butyl-6-(1，1，7，7，-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran)(DCJTB)等(以获得红光)。发射层32还可由从由聚苯撑乙烯撑(PPV)类聚合物及其衍生物、聚苯撑(PPP)类聚合物及其衍生物、聚噻吩(PT)类聚合物及其衍生物、聚芴(PF)类聚合物及其衍生物、聚螺芴(PSF)类聚合物及其衍生物组成的组中选择的至少一种聚合物形成。
空穴注入层可以由铜酞菁(CuPc)；星放射型胺，如TCTA、m-MTDATA、HI406(由Idemitz公司生产)；和/或水溶性导电聚合物，诸如：聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚4-苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)或聚苯胺/聚4-苯乙烯磺酸盐(PANI/PSS)等形成，但并不具体地局限于此。
PEDOT/PSS是一种很稳定的材料，即使放置在空气中100-1000小时，其导电率依然保持恒定。具体地讲，空穴注入层可以使用PEDOT/PSS来形成，即，将PEDOT/PSS溶解在诸如水和/或乙醇的溶剂中，然后将溶解的PEDOT/PSS进行旋转涂覆(例如，旋转涂覆在另一个层上以形成空穴注入层)。
空穴传输层可以包括从由下面的化合物组成的组中选择的材料，即，具有咔唑基和/或芳基胺基的化合物、酞菁类化合物和三亚苯基衍生物，但并不具体地局限于此，其中，这些化合物中的每个可传输空穴。具体地讲，空穴传输层可以由从由以下物质组成的组中选出的至少一种材料形成：1，3，5-三咔唑基苯、4，4’-二咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、m-二咔唑基苯、4，4’-二咔唑基-2，2’-二甲基联苯、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、二(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-(1，1’-联苯基)-4，4’二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(NPB)、IDE320(由Idemitz公司生产)、9，9-二辛基芴与N-(4-丁基苯基)二苯胺的共聚物(TFB)、9，9-二辛基芴与二-(4-丁基苯基)--N，N-苯基-1，4-亚苯二胺的共聚物(PFB)、9，9-二辛基芴与二-N，N-(4-丁基苯基)-二-N，N-苯基联苯胺的共聚物(BFE)以及它们的组合。但是，空穴传输层可以由其他合适的材料形成。
可以通过在发射层32上真空沉积和/或旋转涂覆电子传输材料来形成所述电子传输层。电子传输层的材料不受限制，可以包括适合用作电子传输化合物的化合物，比如Alq3、红荧烯、喹啉类低分子量化合物和高分子量化合物、喹喔啉类低分子量化合物和高分子量化合物等。另外，电子传输层可以是由至少两个不同的层形成的多层结构。
可以通过在电子传输层上实施真空沉积工艺和/或旋转涂覆工艺来形成电子注入层。用于形成电子注入层的材料可以是BaF2、LiF、NaF、MgF2、AlF3、CaF2、NaCl、CSF、Li2O、BaO、Liq等，但不限于此。
阴极4可以由从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料形成，使得阴极4可以反射由发射层32发射的光，并且绝对逸出功值比阳极2的绝对逸出功值小，因而电子可以容易地通过阴极4注入。在一个实施例中，阴极4由Al形成。
根据本发明的实施例，包括在阳极2中的第一层21可以包括如上所述的第一金属氧化物和第二金属氧化物。第一金属氧化物可以包括氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌和/或氧化铝。第二金属氧化物可以包括氧化镱(YbO)、氧化镧(La2O3)、氧化钇(Y2O3)、氧化铍(BeO)、氧化钛(TiO)、氧化硅(SiO2)、氧化镓(Ga2O3)、氧化钯(PdO)和/或氧化钐(Sm2O3)。
根据本发明的实施例，第一金属氧化物可以是氧化铟(InOx)，第二金属氧化物可以是氧化镱(YbO)。
第二金属氧化物的绝对逸出功值为大约6.0eV或大于大约6.0eV(或者6.0eV或大于6.0eV)，以基本用作(或作为)(或变为)绝缘体。另一方面，第一金属氧化物的绝对逸出功值比第二金属氧化物的绝对逸出功值相对小，从而第一金属氧化物的导电率比第二金属氧化物的导电率高。在当前的实施例中，将氧化铟热蒸发以形成透明电极，该透明电极的绝对逸出功值在大约4.8eV至大约5.0eV的范围(或在4.8eV至5.0eV的范围)，且该透明电极的透光率为大约90％或大于大约90％(或为90％或大于90％)。然后，共沉积氧化镱(YbO)。这里，可以掺杂从百分之几到百分之几十的镱(Yb)，使得第一层21的绝对逸出功值可以提高到高达这样的一个值，即，在大约5.1eV至大约5.8eV的范围内(或在5.1eV至5.8eV的范围内)。
具体地讲，在已形成等离子体的室中对氧化铟进行热蒸发，从而可降低沉积温度。当在已形成等离子体的室中实施热蒸发工艺时，在不提高沉积温度的同时，可以获得有效的沉积。如前所述，当在已形成等离子体的室中对氧化铟进行热蒸发工艺时，可只需将基底1的温度提高到低至大约100℃的温度。这里，所形成的氧化铟具有良好的迁移率，因而其电阻很低。
根据传统的热蒸发工艺，将温度提高到源材料的熔点或升华点或高于源材料的熔点或升华点以形成层。但是，与根据溅射工艺和/或电子束工艺形成的层相比，根据传统的热蒸发工艺形成的层具有更低的反应性和迁移率，因此传统的热蒸发工艺只用在普通金属沉积工艺中，而不用在薄膜沉积工艺中。具体地讲，对于用于形成透明电极的材料来说，应该将基底的温度提高到在高至250℃至300℃的范围内的温度，以获得足够的低电阻和透光率的特性。
但是，根据当前实施例，弱等离子体围绕热源，并对将在室中被沉积的金属进行离子化，因此可以得到用作电极所需的迁移率特性和透光率。
在根据当前实施例的氧化铟的情况下，粒形式或者丝形式的铟(In)或氧化铟(In2O3)可以用作热源，所述热源可以在氧气氛中形成为氧化铟(InOx)层。可利用Ar气或O2气中的至少一种形成用于将铟金属离子化的等离子体。基底的温度从室温被提高到100℃。
当所述氧化铟层如前所述地形成时，可以得到具有90％或高于90％的透光率的透明电极，所形成的氧化铟层的绝对逸出功值范围是4.8eV至5.0eV。
在当前实施例中，当形成所述氧化铟层时，通过共沉积氧化镱(YbO)在氧化铟层中掺入百分之几至百分之几十的镱(Yb)。结果，所形成的第一层21具有高至5.1eV至5.8eV范围内的绝对逸出功值。此外，可以控制将被共沉积的氧化镱(YbO)的量，从而可得到用作电极所适合的期望的逸出功和低电阻。如图1所示，阳极2可以只包括第一层21。在这种情况下，用作阳极2的第一层21具有大的绝对逸出功值，从而即使当阴极4相比传统的阴极具有更大的绝对逸出功值时，仍然可以实现(或制造)有机发光装置。在底发射型结构中，阴极的逸出功被看作次要因素。另外，在如图1所示出的底发射型结构中，第一层21的透光率高达90％，而通常的ITO层的透光率为大约45％。结果，可以获得相对高的发光效率。此外，当第一层21用作阳极2时，不需要实施UV-O3处理和/或等离子体处理来提高绝对逸出功值，其中，在传统的底发射型结构中对用作阳极的ITO层实施UV-O3处理和/或等离子体处理。此外，通过控制第一层21的逸出功，第一中间层31中可以不需要形成空穴注入层，从而可以利用相对简单的工艺得到具有相对简单的结构的有机发光装置。
图2是根据本发明另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图。参照图2，在基底1上形成第二层22，在第二层22上形成第一层21。第一层21和第二层22组成阳极2a。图2中所示的有机发光装置具有底发射型结构，在该结构中形成的图像在基底1的底部显示。将不对当前实施例中与图1中所示的有机发光装置中的元件相似(或基本相同)的其他元件再次进行描述。现在将更详细地描述第一层21和第二层22。
与传统的阳极相似，在基底1上形成的第二层22可以由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌和/或氧化铝形成。在当前实施例中，第二层22可以由氧化铟锡(ITO)形成。第二层22的绝对逸出功值可以在大约5.1eV至大约5.4eV的范围内(或在5.1eV至5.4eV的范围内)，表面电阻为大约10Ω/m2或小于大约10Ω/m2，这足以用作阳极。
用作阳极辅助电极的第一层21形成在第二层22上。如在前面的实施例中所述，第一层21包括第一金属氧化物和第二金属氧化物。第一金属氧化物可以包括氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌和/或氧化铝。第二金属氧化物可以包括氧化镱(YbO)、氧化镧(La2O3)、氧化钇(Y2O3)、氧化铍(BeO)、氧化钛(TiO)、氧化硅(SiO2)、氧化镓(Ga2O3)、氧化钯(PdO)和/或氧化钐(Sm2O3)。在当前实施例中，第一金属氧化物是氧化铟(InOx)，第二金属氧化物是氧化镱(YbO)。可以如前面的实施例中所述以相同的(或基本相同的)方式使用第一金属氧化物和第二金属氧化物。
与前述实施例不同，由于第一层21用作阳极辅助电极，所以不需要降低电阻。第一层21可以通过(或只通过)控制其逸出功就可以充分起到阳极辅助电极的作用。另外，通过控制第一层21的逸出功，可以不需要在第一中间层31中形成空穴注入层。
在当前的实施例中，第一层21具有如上所述的相对高的透光率，从而通过控制第二层22的厚度，可相对于传统装置(或情况)提高发光效率。
图3是根据本发明另一实施例的有机发光装置的示意性剖视图。参照图3，第一层21形成在基底1上，第三层23形成在第一层21上。第一层21与第三层23组成阳极2b。图3中所示的有机发光装置具有底发射型结构，在该结构中，形成的图像在基底1的底部显示。将不对当前实施例中与图1中所示的有机发光装置中的元件相似(或基本相同)的其他元件再次进行描述。现在将更详细地描述第一层21和第三层23。
在参照图3描述的当前实施例中，第一层21具有低电阻，以用作如在参照图1所述的前面的实施例中的电极。第三层23用作阳极辅助电极，第三层23可以由下述物质形成：氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍和/或氧化铜；和/或富勒烯、含金属的富勒烯基络合物、碳纳米管、碳纤维、碳黑、石墨、碳炔、MgC60、SrC60、CaC60和/或C60。这里，通过如上所述控制镱的掺杂浓度，第一层21可以具有相对低的电阻，第三层23可以用来控制逸出功以形成有机发光装置的阳极2b。
在前面的实施例中所述的有机发光装置可以根据无源矩阵(PM)驱动方法或有源矩阵(AM)驱动方法来操作，其中，在前面的实施例中所述的有机发光装置是底发射型有机发光装置。
当所述有机发光装置根据PM驱动方法操作时，阳极2、2a、2b可以布置成与阴极4交叉(比如，与阴极4垂直)，从而形成条状图案，在阳极2、2a、2b与阴极4交叉的区域处可实现发射像素。
当所述有机发光装置根据AM驱动方法操作时，像素电路单元包括形成在基底1和阳极2、2a、2b之间的一个或多个薄膜晶体管，每个像素的阳极2、2a、2b电连接到对应的像素电路。
现在，将更详细地描述根据本发明实施例的具有顶发射型结构的有机发光装置。
图4是根据本发明实施例的顶发射型有机发光装置的示意性剖视图。参照图4，第四层24、反射层25和第一层21顺序地形成在基底1上，以形成阳极2c。有机层3和阴极4形成在阳极2c上。
形成在基底1上的第四层24可以由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌和/或氧化铝形成，上述物质中的每种都可以用来形成反射阳极。反射层25可以由从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料形成。
如前所述的第一层21形成在反射层25上。第一层21可以用与前面的实施例中的材料和制造方法相同(或基本相同)的材料和制造方法形成。这里，第一层21可以具有如在根据图1描述的实施例中的低电阻，以用作阳极。
根据参照图4描述的实施例，第四层24由ITO形成，反射层25由银形成，第一层21由与YbO共沉积的InOx形成。结果，阳极2具有ITO/Ag/InOx:YbO的顺序堆叠的结构。另外，根据设计情况，可以不需要形成第四层24。
在如上所述的顶发射型有机发光装置中，第一层21具有相对大的绝对逸出功值，因此具有关于选择用于形成阴极4的材料的可以提高的自由度。
也就是说，在考虑到有机发光装置的结构性质的情况下，与阳极材料相比，阴极材料应该具有小绝对逸出功值。因此，在传统的有机发光装置中，当阳极由ITO形成且阴极由Al形成时，阳极和阴极的逸出功一起平衡。在沿着阴极的方向(或穿过阴极)显示图像的顶发射型结构中，由Al形成的阴极具有低透光率。因此，在传统的顶发射型结构中，阴极包括Mg:Ag薄层和氧化物层，Mg:Ag薄层为半透明层，以平衡阴极和阳极的逸出功，所述氧化物层由例如ITO形成，以补偿由于半透明层的使用而导致的低导电率。然而，Mg:Ag半透明层具有低透光率和低的层均匀性。此外，即使当采用由例如ITO形成的氧化物时，透光率也保持为小于50％的低透光率。结果，难以形成透明的阴极。
根据本发明的实施例，阳极具有相对大的绝对逸出功值，因此，即使当使用的阴极具有与传统阴极相比相对较大的绝对逸出功值时，阴极的逸出功也可以和阳极的逸出功平衡。结果，可以以更小的限制选择阴极形成材料。
在参照图4描述的当前实施例中，阳极2c具有ITO/Ag/InOx:YbO的顺序的堆叠层结构，使得第一层21的绝对逸出功值范围在大约5.1eV至大约5.8eV(或在5.1eV至5.8eV)。
因此，任何绝对逸出功值低于第一层21的绝对逸出功值的材料都可以用于形成所述阴极4。结果，图4中的阴极4可以由绝对逸出功值范围为大约4.8eV至大约5.0eV(或4.8eV至5.0eV)的材料形成，所述材料比如氧化铟(InOx)，其中，可以在参照图1如上所述的等离子体气氛中对所述氧化铟进行热蒸发(例如，关于图1中所述的第一金属氧化物)。在这种情况下，InOx层显示出90％或更高的透光率，因而适合用来形成将为透明的阴极4。
然而，阴极4不是必然地局限于此，阴极4可以包括由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌和/或氧化铝形成的金属氧化物层，和/或还包括由从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料形成的半透明层，其中，半透明层处于金属氧化物层和第二中间层33之间。
图5是根据本发明另一实施例的顶发射型有机发光装置的示意性剖视图。参照图5，根据当前实施例的顶发射型有机发光装置具有这样的结构，即，在该结构中，阳极2d具有堆叠结构，在堆叠结构上设置用作辅助电极的第一层21，其中，堆叠结构包括顺序地沉积在基底1上的第四层24、反射层25和另一第四层24。这里，与参照图2描述的实施例不同，阳极2d的堆叠结构本身并不用作电极。因此，阳极2d的堆叠结构不需要形成为具有需要用作电极的低电阻层。也就是说，可以通过在传统有机发光装置的阳极和有机层之间形成起阳极辅助电极作用(或用作阳极辅助电极)的第一层21来制造根据当前实施例的有机发光装置。
在参照图4和图5描述的实施例中，由于控制第一层21的逸出功，所以第一中间层31可以不需要空穴注入层。根据参照图4和图5描述的实施例的有机发光装置可以使用无源矩阵(PM)驱动方法或者有源矩阵(AM)驱动方法操作。
如前所述，根据本发明实施例，可以通过控制阳极的逸出功来获得具有期望的性质的阳极，不需要用于提高阳极的逸出功的表面处理工艺。因此，制造包括该阳极的有机发光装置的工艺可以被简化。
另外，由于控制阳极的逸出功，所以不需要空穴注入层，从而制造工艺简化，制造工艺的成本降低，因此可以获得相对高的生产率。
另外，可以提高关于选择阴极形成材料的自由度，从而可以容易地使用各种适合的材料来形成阴极。
尽管已经结合特定示例性实施例描述了本发明，但是应该理解的是，本发明不限于所公开的实施例，而是相反地，本发明意图覆盖包含在权利要求及其等同物的精神和范围内的各种修改和等价布置。
Claims (20)
1、一种有机发光装置，包括：
阳极，包括第一层，所述第一层包括第一金属氧化物和第二金属氧化物，所述第二金属氧化物与所述第一金属氧化物不同，并且第二金属氧化物被掺杂到第一金属氧化物中；
阴极，面对阳极；
有机层，在所述阳极与阴极之间，包括发射层。
2、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述阳极还包括第二层，所述第二层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
3、如权利要求2所述的有机发光装置，其中，所述阴极包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料。
4、如权利要求2所述的有机发光装置，其中，所述阳极还包括第三层，所述第三层包括从由氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍、氧化铜、富勒烯、含金属的富勒烯基络合物、碳纳米管、碳纤维、碳黑、石墨、碳炔、MgC60、SrC60、CaC60、C60以及它们的组合组成的组中选择的材料。
5、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述阳极还包括第二层，所述第二层包括从由氧化钼、氧化钒、氧化钨、氧化镍、氧化铜、富勒烯、含金属的富勒烯基络合物、碳纳米管、碳纤维、碳黑、石墨、碳炔、MgC60、SrC60、CaC60、C60以及它们的组合组成的组中选择的材料。
6、如权利要求5所述的有机发光装置，其中，所述阴极包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料。
7、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述阴极包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料。
8、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述阳极还包括反射层，所述反射层包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料。
9、如权利要求8所述的有机发光装置，其中，所述阳极还包括第二层，所述第二层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
10、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述阳极包括所述第一层、反射层和第二层，反射层包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料，第二层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料，其中，所述反射层在所述第一层与第二层之间。
11、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述阳极包括第一层、第二层、反射层和第三层，第二层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料，反射层包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的化合物组成的组中选择的材料，第三层包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料，其中，第二层在第一层和反射层之间，反射层在第二层和第三层之间。
12、如权利要求11所述的有机发光装置，所述第二层在材料组成方面与第三层基本相同。
13、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述阴极包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
14、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一金属氧化物包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
15、如权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二金属氧化物包括从由氧化镱、氧化镧、氧化钇、氧化铍、氧化钛、氧化硅、氧化镓、氧化钯、氧化钐以及它们的组合组成的组中选择的材料。
16、一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括：
形成阳极；
在阳极上形成中间层，所述中间层包括发射层；
在中间层上形成阴极，
其中，形成阳极的步骤包括形成第一层，所述第一层包括第一金属氧化物以及与第一金属氧化物不同的第二金属氧化物，形成第一层的步骤包括沉积第一金属氧化物，以及对第一金属氧化物的一部分进行掺杂来形成第二金属氧化物。
17、如权利要求16所述的方法，其中，所述第一金属氧化物包括从由氧化铟、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟锌、氧化锡、氧化锑锡、氧化锑锌、氧化铝以及它们的组合组成的组中选择的材料。
18、如权利要求16所述的方法，其中，所述第二金属氧化物包括从由氧化镱、氧化镧、氧化钇、氧化铍、氧化钛、氧化硅、氧化镓、氧化钯、氧化钐以及它们的组合组成的组中选择的材料。
19、如权利要求16所述的方法，其中，沉积第一金属氧化物的步骤包括对将沉积为第一金属氧化物的金属进行等离子体离子化。
20、如权利要求19所述的方法，其中，对第一金属氧化物的一部分进行掺杂来形成第二金属氧化物的步骤包括将掺杂剂共沉积到第一金属氧化物中。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101841003A (zh) * | 2010-03-30 | 2010-09-22 | 鲁东大学 | 双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法 |
| CN102422716A (zh) * | 2009-05-14 | 2012-04-18 | 三菱综合材料株式会社 | 形成上部发光型有机EL元件的阳极层的Al合金反射电极膜 |
| CN102842685A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-12-26 | 三星显示有限公司 | 包括金属氧化物的阳极以及具有这种阳极的有机发光器件 |
| CN103219472A (zh) * | 2013-04-19 | 2013-07-24 | 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 | 顶部发光oled器件阳极结构及其制备工艺 |
| CN104009162A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104124361A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104835716A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-08-12 | 浙江大学 | 一种基于Ir层间掺杂的透明导电氧化物薄膜 |
| CN109841743A (zh) * | 2013-03-12 | 2019-06-04 | Vitro可变资本股份有限公司 | 用于有机发光二极管和太阳能器件的透明导电氧化物涂层 |
| CN111850633A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-30 | 北方工业大学 | 海绵合金基Dy2O3氟修饰氧化钒纳米线的制备方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100799577B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2008-01-30 | 한국전자통신연구원 | 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를포함하는 집적회로 및 그 제조 방법 |
| KR100994116B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2010-11-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US7868536B2 (en) * | 2008-10-27 | 2011-01-11 | General Electric Company | Organic light emitting device |
| KR100989409B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2010-10-25 | 한국생산기술연구원 | 다층구조 플렉시블 투명전극 및 그 제조방법 |
| KR20110039062A (ko) * | 2009-10-09 | 2011-04-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120126336A (ko) * | 2011-05-11 | 2012-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
| KR101838270B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2018-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20130015099A (ko) * | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 |
| US8698135B2 (en) * | 2012-03-15 | 2014-04-15 | West Virginia University | Plasma-chlorinated electrode and organic electronic devices using the same |
| KR101918712B1 (ko) * | 2012-08-02 | 2018-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
| US10439081B2 (en) * | 2012-11-06 | 2019-10-08 | Oti Lumionics Inc. | Method for depositing a conductive coating on a surface |
| KR101579645B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2015-12-22 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 폴리이미드 커버기판 |
| US10026795B2 (en) | 2014-05-21 | 2018-07-17 | Joled Inc. | Organic EL element and method for manufacturing organic EL element |
| DE112015004774T5 (de) * | 2014-10-21 | 2017-07-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organische photoelektrische Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| CN105810842B (zh) * | 2014-12-29 | 2019-01-11 | 昆山国显光电有限公司 | 有机发光二极管的阳极结构 |
| JP2017107707A (ja) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、及び、有機電子デバイス |
| CN114975823A (zh) | 2015-12-16 | 2022-08-30 | Oti领英有限公司 | 包含屏障涂层的光电子器件 |
| US11152587B2 (en) | 2016-08-15 | 2021-10-19 | Oti Lumionics Inc. | Light transmissive electrode for light emitting devices |
| KR20200132914A (ko) * | 2018-03-15 | 2020-11-25 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 전하수송성 조성물 |
| CN108878683B (zh) * | 2018-06-29 | 2019-09-06 | 云南大学 | 一种金属氧化物叠层场效应电极 |
| KR20220054498A (ko) * | 2020-10-23 | 2022-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 전자 장치 |
Family Cites Families (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3208794B2 (ja) * | 1991-07-24 | 2001-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜形成用組成物と透明導電膜の形成方法 |
| US5407602A (en) * | 1993-10-27 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Transparent conductors comprising gallium-indium-oxide |
| DE69629613T2 (de) * | 1995-03-22 | 2004-06-17 | Toppan Printing Co. Ltd. | Mehrschichtiger, elektrisch leitender Film, transparentes Elektrodensubstrat und Flüssigkristallanzeige die diesen benutzen |
| JP2824411B2 (ja) * | 1995-08-25 | 1998-11-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 有機薄膜発光素子 |
| US5981092A (en) * | 1996-03-25 | 1999-11-09 | Tdk Corporation | Organic El device |
| DE69710781T2 (de) * | 1996-07-29 | 2002-10-31 | Cambridge Display Tech Ltd | Elektrolumineszierende anordnungen mit elektrodenschutz |
| JPH11144864A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Mitsubishi Chemical Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP4837811B2 (ja) * | 1998-04-09 | 2011-12-14 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2000012445A1 (fr) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Cible pour film electroconducteur transparent, matiere electroconductrice transparente, verre electroconducteur transparent et film electroconducteur transparent |
| JP4198253B2 (ja) * | 1999-02-02 | 2008-12-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| KR100702763B1 (ko) * | 1999-02-15 | 2007-04-03 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전자 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP3885412B2 (ja) * | 1999-05-25 | 2007-02-21 | 松下電器産業株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US6849869B1 (en) * | 1999-07-19 | 2005-02-01 | Dupont Displays, Inc. | Long lifetime polymer light-emitting devices with improved luminous efficiency and improved radiance |
| EP1196955A1 (en) * | 1999-07-19 | 2002-04-17 | Uniax Corporation | Long-lifetime polymer light-emitting devices with improved luminous efficiency and radiance |
| JP2001176673A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6762124B2 (en) * | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
| JP2003068470A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-07 | Sony Corp | 表示素子 |
| KR100477746B1 (ko) * | 2002-06-22 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자 |
| KR20050028044A (ko) * | 2002-07-22 | 2005-03-21 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기 발광 소자 |
| JP2004119272A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ素子及びそれに用いる基板 |
| KR101002492B1 (ko) * | 2002-08-02 | 2010-12-17 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟, 소결체, 이들을 사용하여 제조한 도전막,유기 ｅｌ 소자, 및 이것에 사용하는 기판 |
| FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| US7112113B2 (en) * | 2002-12-25 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device |
| JP2004265623A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-24 | Denso Corp | 有機電界発光素子 |
| JP2004288423A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2004349138A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Toyota Industries Corp | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2005011793A (ja) * | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Sony Corp | 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置 |
| JP2005093329A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sony Corp | 表示素子およびこれを用いた表示装置 |
| US7520790B2 (en) * | 2003-09-19 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
| JP4532892B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 |
| EP1722602A1 (en) * | 2004-03-05 | 2006-11-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display |
| JP2005268191A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| EP1653529B1 (en) * | 2004-10-11 | 2007-11-21 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
| KR100673744B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 다층 구조 애노드 |
| JPWO2006070715A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2008-06-12 | 出光興産株式会社 | 導電膜、導電性基材及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2006244850A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 多層導電膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR100712290B1 (ko) * | 2005-04-12 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| US8999836B2 (en) * | 2005-05-13 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| US7636078B2 (en) * | 2005-05-20 | 2009-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP4760154B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-08-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、およびこれらの製造方法 |
| WO2007039969A1 (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電層付フィルムとフレキシブル機能性素子、フレキシブル分散型エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びにそれを用いた電子デバイス |
| JP2008005010A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 動画編集方法 |
| JP4167276B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2008-10-15 | 株式会社住化分析センター | 導電体の溶断試験方法 |
| JP2008004009A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Toshiba Corp | 情報処理装置 |
| JP4960052B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2012-06-27 | 出光興産株式会社 | 酸化イッテルビウム含有酸化物ターゲット |
| KR100813851B1 (ko) * | 2007-04-05 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 전도성 산화막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법 |
-
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Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102422716A (zh) * | 2009-05-14 | 2012-04-18 | 三菱综合材料株式会社 | 形成上部发光型有机EL元件的阳极层的Al合金反射电极膜 |
| CN101841003A (zh) * | 2010-03-30 | 2010-09-22 | 鲁东大学 | 双层结构深紫外透明导电膜及其制备方法 |
| CN102842685B (zh) * | 2011-06-23 | 2018-01-02 | 三星显示有限公司 | 包括金属氧化物的阳极以及具有这种阳极的有机发光器件 |
| CN102842685A (zh) * | 2011-06-23 | 2012-12-26 | 三星显示有限公司 | 包括金属氧化物的阳极以及具有这种阳极的有机发光器件 |
| CN104009162A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN109841743B (zh) * | 2013-03-12 | 2022-12-27 | 维特罗平板玻璃有限责任公司 | 用于有机发光二极管和太阳能器件的透明导电氧化物涂层 |
| CN109841743A (zh) * | 2013-03-12 | 2019-06-04 | Vitro可变资本股份有限公司 | 用于有机发光二极管和太阳能器件的透明导电氧化物涂层 |
| CN103219472A (zh) * | 2013-04-19 | 2013-07-24 | 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 | 顶部发光oled器件阳极结构及其制备工艺 |
| CN103219472B (zh) * | 2013-04-19 | 2015-12-02 | 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 | 顶部发光oled器件阳极结构及其制备工艺 |
| CN104124361A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| CN104835716A (zh) * | 2015-03-18 | 2015-08-12 | 浙江大学 | 一种基于Ir层间掺杂的透明导电氧化物薄膜 |
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| CN111850633B (zh) * | 2020-07-24 | 2021-02-02 | 北方工业大学 | 海绵合金基Dy2O3氟修饰氧化钒纳米线的制备方法 |
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