CN105810842B

CN105810842B - 有机发光二极管的阳极结构

Info

Publication number: CN105810842B
Application number: CN201410850956.0A
Authority: CN
Inventors: 彭兆基
Original assignee: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Current assignee: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority date: 2014-12-29
Filing date: 2014-12-29
Publication date: 2019-01-11
Anticipated expiration: 2034-12-29
Also published as: CN105810842A

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管的阳极结构，其包括依次设置的第一氧化物半导体层、多个反射层，第二氧化物半导体层；所述多个反射层均含有金属杂质，所述多个反射层中的金属杂质总含量比不相同。该有机发光二极管的阳极结构，在第一和第二氧化物半导体层之间设置多个金属杂质的总含量比不同的反射层，在保证该阳极结构层具有良好的反射率的同时，能够防止单质金属的迁移、氧化或硫化现象的发生，从而导致有机发光二极管的阳极产生黑点，并且能够减少凸起的产生。

Description

有机发光二极管的阳极结构

技术领域

本发明涉及有机发光二极管领域，特别是涉及一种顶发光式有机发光二极管的阳极结构。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)，因其具备全固态、主动发光、高亮度、低功耗、高发光效率、工作温度宽、柔性等优点而成为最具潜力的新一代发光技术。

根据光线从器件出射方向的不同，现有技术中有机发光二极管主要分为两种不同的结构：一种是底发光式有机发光二极管，光线从阳极射出，经过驱动电路和基板后入射到空气中；另一种是顶发光式有机发光二极管，光线从阴极射出。随着显示技术的发展，有机发光二极管显示器件多采用有源驱动方式，对于底发光式有机发光二极管显示器件，有机发光二极管发出的光只能从驱动电路上设置的开口区域射出；然而，每个有机发光二极管的驱动电路中至少包括两个薄膜晶体管和一个电容器，大大减少了有机发光二极管显示器件的开口率。而顶发光式有机发光二极管显示器件则不存在上述问题，逐渐受到研究者的关注。

目前顶发光式有机发光二极管对阳极的要求主要有：高功率函数(即降低阳极与有机材料的势垒)与高反射率(提高发光效率)。一些常见的金属，如Al、Ag、Au、Ni、Pt等均被用作阳极。Ag和Al在可见光区的反射率可以高达90％以上，但是两者的功函数稍低，通常作为阳极时，需要搭配合适功函数的材料，如Al/ITO、Ag/ITO或Al/Ni等等。目前，最常用的阳极结构为ITO/反射层/ITO的复合层结构，反射层一般采用Ag或Al。但是金属反射层中的单质金属容易发生单质金属的迁移现象，在阳极结构上产生空洞，从而导致有机发光二极管产生黑点；并且在上述阳极结构制作过程中，退火处理时由于膜层之间的应力释放，从而会在金属反射层产生凸起(hillock)。阳极结构上产生黑点和凸起，降低了阳极结构的良率。

发明内容

基于此，有必要提供一种保证高反射率并能解决黑点和凸起产生的有机发光二极管阳极结构。

一种有机发光二极管的阳极结构，包括依次设置的第一氧化物半导体层、多个反射层，第二氧化物半导体层；所述多个反射层均含有金属杂质，所述多个反射层中的金属杂质总含量比不相同。

在其中一个实施例中，所述多个发射层包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层中的金属杂质掺杂总含量比小于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比；并且所述第一反射层的厚度小于所述第二反射层的厚度。

在其中一个实施例中，所述第一反射层和第二反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge；所述第一反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％、0.01％～0.50％，所述第二反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～2.00％；并且所述第一反射层的厚度为10nm～30nm，所述第二反射层的厚度为90nm～120nm。

在其中一个实施例中，所述多个反射层包括依次设置在所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层之间的第一反射层、第二反射层和第三反射层，所述第一反射层、第二反射层和第三反射层均掺杂金属杂质。

在其中一个实施例中，所述第一反射层和第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比均小于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比。

在其中一个实施例中，所述第一反射层、第二反射层和第三反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge；所述第一反射层和第三反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％、0.01％～0.50％，所述第二反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～2.00％；并且所述第一反射层和第三反射层的厚度为10nm～20nm，所述第二反射层的厚度为60nm～130nm。

在其中一个实施例中，所述第一反射层和第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比均大于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比。

在其中一个实施例中，所述第一反射层、第二反射层和第三反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge；所述第一反射层和第三反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～2.00％，所述第二反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％、0.01％～0.50％；并且所述第一反射层和第三反射层的厚度为2nm～10nm，第二反射层的厚度为100nm～150nm。

在其中一个实施例中，还包括第四反射层和第五反射层，所述第四发射层和第五反射层均掺杂金属杂质，所述第四反射层设置在所述第一反射层和所述第二反射层之间，所述第五反射层设置在所述第二反射层和所述第三反射层之间；所述，所述第四反射层中的金属杂质掺杂总含量比高于所述第一反射层中的金属杂质掺杂总含量比并低于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比；所述第五反射层中的金属杂质掺杂总含量比高于所述第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比并低于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比。

在其中一个实施例中，所述第四反射层、第五反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge；所述第四反射层和第五反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～1.00％。

在其中一个实施例中，还包括第六反射层和第七反射层，所述第六反射层和第七反射层均掺杂金属杂质，所述第六反射层设置在所述第一反射层和所述第二反射层之间，所述第七反射层设置在所述第二反射层和所述第三反射层之间；所述第四反射层中的金属杂质掺杂总含量比低于所述第一反射层中的金属杂质掺杂总含量比并高于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比；所述第七反射层中的金属杂质掺杂总含量比低于所述第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比并高于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比。

在其中一个实施例中，所述多个反射层为Ag合金层或Al合金层。

上述有机发光二极管的阳极结构，在第一和第二氧化物半导体层之间设置多个金属杂质的总含量比不同的反射层，在保证该阳极结构层具有良好的反射率的同时，能够防止单质金属的迁移、氧化或硫化现象的发生，从而导致有机发光二极管的阳极产生黑点，并且能够减少凸起的产生。

附图说明

图1为本发明的有机发光二极管的阳极结构第一实施方式的剖面示意图；

图2为本发明的有机发光二极管的阳极结构第二实施方式的剖面示意图；

图3为本发明的有机发光二极管的阳极结构第三实施方式的剖面示意图；

图4为本发明的有机发光二极管的阳极结构第四实施方式的剖面示意图。

具体实施方式

本发明的有机发光二极管的阳极结构，包括依次设置的第一氧化物半导体层、多个反射层，第二氧化物半导体层；多个反射层均含有金属杂质，多个反射层中的金属杂质总含量比不相同。多个金属杂质掺总含量比不同的反射层，在保证该阳极结构层具有良好的反射率的同时，能够防止单质金属的迁移、氧化或硫化现象的发生，从而导致有机发光二极管的阳极产生黑点，并且能够减少凸起的产生。在本实施方式中，该多反射层为单质Ag与金属杂质以一定比例混合的Ag合金层，也可以为单质Al与金属杂质以一定比例混合的Al合金层。当然，这些反射层也可以为其他的单质金属与金属杂质以一定比例混合的合金层。

现在，请参考图1，图1为在此披露的有机发光二极管的阳极结构100的第一实施方式的剖面示意图，该有机发光二极管的阳极结构100包括依次设置的第一氧化物半导体层110、第一反射层120、第二反射层130、第二氧化物半导体层190。第一反射层120和第二反射层130均掺杂金属杂质，即Ag金属单质与金属杂质以一定比例制备成合金。第一反射层120中的金属杂质掺杂总含量与第二反射层130中的金属杂质掺杂总含量不相同。

在本实施方式中，该阳极结构100的第一氧化物半导体层110上设置有机发光二极管的有机功能层，第一氧化物半导体层110和第二氧化物半导体层190可以为同时为氧化铟锡(ITO)层或氧化铟锌(IZO)层，或者两者可以为不同材料的氧化物半导体层。第一反射层120中的金属杂质掺杂总含量小于所述第二反射层130中的金属杂质掺杂总含量；并且第一反射层120的厚度小于第二反射层130的厚度。在第一反射层120中的金属杂质掺杂总含量较低，并且其厚度较薄，其目的在于，最小的降低Ag的反射率和电导率，使得第一反射层120的反射率和电导率几乎与纯Ag层的反射率和电导率相同，并且第一反射层120中掺杂有金属杂质，可以减弱Ag单质金属的氧化或者硫化，不易在该第一反射层120中产生黑点。在第二反射层130中的金属杂质掺杂总量较高，并且其厚度较厚，其目的在于，防止第二反射层130中的Ag金属单质的银迁移现象的产生，从而造成的在第二反射层130上产生黑点，而且在退火处理时，降低膜层之间的应力释放，不易在第二反射层130上产生凸起。当然，也可以在该阳极结构100的第二氧化物半导体层190上设置有机发光二极管的有机功能层，此时，第一反射层120中的金属杂质掺杂总含量大于所述第二反射层130中的金属杂质掺杂总含量；并且第一反射层120的厚度大于第二反射层130的厚度。

在本实施方式中，第一反射层120和第二反射层130中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge，当然金属杂质还可以包括其他的金属，这些金属杂质与Ag单质金属以一定比例形成相应的反射层。第一反射层120中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的在该第一反射层120的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％、0.01％～0.50％，第二反射层130中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～2.00％；并且第一反射层120的厚度为10nm～30nm，第二反射层130的厚度为90nm～120nm。

图2揭示的第二实施方式中的阳极结构200与图1揭示的阳极结构100相比，除了包括上述相同的第一氧化物半导体层210、第一反射层220、第二反射层230、第二氧化物半导体层290外，阳极结构200还包括了第三反射层240，该第三反射层240设置在第二反射层230和第二氧化物半导体层240之间。该第三反射层也掺杂有金属杂质。

在本实施方式中，第一反射层220和第三反射层240中的金属杂质掺杂总含量均小于第二反射层230中的金属杂质掺杂总含量。在第一反射层220和第三反射层240中的金属杂质掺杂总含量较低，并且两者的厚度较薄，其目的在于，最小的降低Ag的反射率和电导率，使得第一反射层220和第三反射层240的反射率和电导率几乎与纯Ag层的反射率和电导率相同，并且第一反射层220和第三反射层240中掺杂有金属杂质，可以减弱Ag单质金属的氧化或者硫化，不易在该第一反射层120和第三反射层240中产生黑点。在第二反射层230中的金属杂质掺杂总量较高，并且其厚度较厚，其目的在于，防止第二反射层230中的Ag金属单质的银迁移现象的产生，从而造成的在第二反射层230上产生黑点，而且在退火处理时，降低膜层之间的应力释放，不易在第二反射层230上产生凸起。

在本实施方式中，第一反射层220、第二反射层230和第三反射层240中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge，当然金属杂质还可以包括其他的金属，这些金属杂质与Ag单质金属以一定比例形成相应的反射层。第一反射层220和第三反射层240中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％、0.01％～0.50％，第二反射层230中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～2.00％；并且第一反射层220和第三合金Ag层240的厚度为10nm～20nm，第二反射层230的厚度为60nm～130nm。

在另外一种实施方式中，第一反射层220和第三反射层240中的金属杂质掺杂总含量均大于第二反射层230中的金属杂质掺杂总含量。在第一反射层220和第三反射层240中的金属杂质掺杂总含量较高，并且两者的厚度较薄，其目的在于，防止Ag金属单质的银迁移现象的产生，从而造成与有机发光二极管连接的薄膜晶体管的漏电流的增加，并且也防止Ag的氧化与硫化，从而在相应的黑点。而第二反射层230中的金属杂质掺杂总含量较低，并且其厚度较厚，其目的在于，最小的降低Ag的反射率，使得第二反射层230的反射率与纯Ag层的反射率相同。

在该实施方式中，所述第一反射层、第二反射层和第三反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge，当然金属杂质还可以包括其他的金属，这些金属杂质与Ag单质金属以一定比例形成相应的反射层。第一反射层220和第三反射层240中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～2.00％，第二反射层220中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％、0.01％～0.50％；并且第一反射层220和第三反射层240的厚度为2nm～10nm，第二反射层230的厚度为100nm～150nm。

图3揭示的第三实施方式的阳极结构300与图2揭示的阳极结构200相比，还包括第四反射层350和第五反射层360，第四反射层350和第五反射层360均掺杂金属杂质。第四反射层350设置在第一反射层320和第二反射层330之间，第五反射层360设置在第二反射层330和第三反射层340之间。金属杂质掺杂总量先从第一反射层320、第四反射层350到第二反射层330递增，然后从第二反射层330、第五反射层360到第三反射层340递减；即该阳极结构300的处于中间的第二反射层330的金属杂质掺杂总量最高，并且位于第二反射层330两侧的相应的反射层的金属杂质掺杂总量逐渐降低。这样做的目的在于，在该阳极结构300的两侧，具有较高的反射率，并且可以减少Ag单质金属的银迁移现象的产生。

在本实施方式中，第一反射层320、第二反射层330、第三反射层340、第四反射层350和第五反射层360中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge，当然金属杂质还可以包括其他的金属，这些金属杂质与Ag单质金属以一定比例形成相应的反射层。第一反射层320和第三反射层340中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％、0.01％～0.50％，第二反射层330中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～2.00％，第四反射层350和第五反射层360中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～1.00％；并且第一反射层220和第三反射层240的厚度为10nm～20nm，第二反射层230的厚度为60nm～130nm，第四反射层350和第五反射层360的厚度为10nm～20nm。

图4揭示的第四实施方式中的阳极结构400与图2揭示的阳极结构200相比，还包括第六反射层470和第七反射层480，第六反射层470和第七反射层480均掺杂金属杂质。第六反射层470设置在第一反射层420和第二反射层430之间，第七反射层480设置在第二反射层430和第三反射层440之间。金属杂质掺杂总量先从第一反射层420、第六反射层470到第二反射层430递减，然后从第二反射层430、第七反射层480到第三反射层440递曾；即该阳极结构400的处于中间的第二反射层430的金属杂质掺杂总量最低，并且位于第二反射层330两侧的相应的反射层的金属杂质掺杂总量逐渐增加。这样做的目的在于，在该阳极结构400可以减少Ag单质金属的银迁移现象的产生和防止反射层氧化或硫化的同时，较小的降低了该阳极结构400的反射率。

在本实施方式中，第一反射层420、第二反射层430和第三反射层440、第六反射层470和第七反射层480中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge，当然金属杂质还可以包括其他的金属，这些金属杂质与Ag单质金属以一定比例形成相应的反射层。第二反射层430中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％、0.01％～0.50％，第六反射层470和第七反射层480中的的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～1.00％，第一反射层420和第三反射层440中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～2.00％。第一反射层420和第三反射层440的厚度为2nm～10nm，第二反射层430的厚度为100nm～150nm，第六反射层470和第七反射层480的厚度为2nm～10nm。

下面给出一些具体实施例，对本发明作进一步的阐述。

实施例1

请参考图1，阳极结构100包括依次设置的第一氧化物半导体层110、第一反射层120、第二反射层130、第二氧化物半导体层190。第一氧化物半导体层110和第二氧化物半导体层190均为ITO层。第一反射层120为Ag合金层，第二反射层130为Ag合金层。第一反射层120的厚度为10nm，其中Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％、0.01％、0.01％、0.01％、0.01％；第二反射层130的厚度为120nm，其中，Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为3.00％、3.00％、3.00％、3.00％、2.00％。

实施例2

请参考图2，阳极结构200包括依次设置的第一氧化物半导体层210、第一反射层220、第二反射层230、第三反射层240和第二氧化物半导体层290。第一氧化物半导体层210和第二氧化物半导体层290均为ITO层。第一反射层220、第二反射层230和第三反射层240均为Ag合金层。第一反射层220和第三反射层240的厚度均为10nm，两者的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量均分别为0.01％、0.01％、0.01％、0.01％、0.01％；第二反射层230的厚度为130nm，第二反射层230中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为3.00％、3.00％、3.00％、3.00％和2.00％。

实施例3

请参考图3，阳极结构300包括依次设置的第一氧化物半导体层310、第一反射层320、第四反射层350、第二反射层330、第五反射层360、第三反射层340和第二氧化物半导体层390。第一氧化物半导体层310和第二氧化物半导体层390均为ITO层。第一反射层320、第二反射层330、第三反射层340、第四反射层350、第五反射层360均为Ag合金层。第一反射层320、第三反射层340、第四反射层350、第五反射层360的厚度均为10nm，第二反射层330的厚度为60nm；第二反射层330中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为3.00％、3.00％、3.00％、3.00％、2.00％，第四反射层350和第五反射层360中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的总含量均分别为0.05％、0.05％、0.05％、0.05％、0.05％，第一反射层320和第三反射层340中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量均分别为0.01％、0.01％、0.01％、0.01％、0.01％。

实施例4

请参考图4，阳极结构400包括依次设置的第一氧化物半导体层410、第一反射层420、第六反射层470、第二反射层430、第七反射层480、第三反射层440和第二氧化物半导体层490。第一氧化物半导体层410和第二氧化物半导体层490均为ITO层。第一反射层420、第二反射层430、第三反射层440、第六反射层470、第七反射层480均为Ag合金层。第一反射层420、第六反射层470、第七反射层480、第三反射层440的厚度均为2nm，第二反射层430的厚度为100nm。第二反射层430中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％、0.01％、0.01％、0.01％、0.01％，第六反射层470和第七反射层480中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量均分别为0.05％、0.05％、0.05％、0.05％、0.05％，第一反射层420和第反射层440中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比均分别为3.00％、3.00％、3.00％、3.00％、2.00％。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，包括依次设置的第一氧化物半导体层、多个反射层，第二氧化物半导体层；所述多个反射层均含有金属杂质，所述多个反射层中的金属杂质总含量比不相同；

所述多个发射层包括第一反射层和第二反射层，所述第一反射层中的金属杂质掺杂总含量比小于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比；并且所述第一反射层的厚度小于所述第二反射层的厚度。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，所述第一反射层和第二反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge；所述第一反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％和0.01％～0.50％，所述第二反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％和0.10％～2.00％；并且所述第一反射层的厚度为10nm～30nm，所述第二反射层的厚度为90nm～120nm。

3.一种有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，包括依次设置的第一氧化物半导体层、多个反射层，第二氧化物半导体层；所述多个反射层均含有金属杂质；所述多个反射层包括依次设置在所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层之间的第一反射层、第二反射层和第三反射层，所述第一反射层和所述第三反射层的厚度均小于所述第二反射层的厚度；所述第一反射层和第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比均小于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比；或者所述第一反射层和第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比均大于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，当所述第一反射层和第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比均小于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比时，所述第一反射层、第二反射层和第三反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge；所述第一反射层和第三反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％和0.01％～0.50％，所述第二反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％和0.10％～2.00％；并且所述第一反射层和第三反射层的厚度为10nm～20nm，所述第二反射层的厚度为60nm～130nm。

5.根据权利要求3所述的有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，当所述第一反射层和第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比均大于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比时，所述第一反射层、第二反射层和第三反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge；所述第一反射层和第三反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.10％～3.00％、0.10％～3.00％、0.10％～3.00％和0.10％～3.00％、0.10％～2.00％，所述第二反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.01％～1.50％、0.01％～1.50％、0.01％～1.00％、0.01％～1.00％和0.01％～0.50％；并且所述第一反射层和第三反射层的厚度为2nm～10nm，第二反射层的厚度为100nm～150nm。

6.根据权利要求3所述的有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，还包括第四反射层和第五反射层，所述第四反射层和第五反射层均掺杂金属杂质，所述第四反射层设置在所述第一反射层和所述第二反射层之间，所述第五反射层设置在所述第二反射层和所述第三反射层之间；所述，所述第四反射层中的金属杂质掺杂总含量比高于所述第一反射层中的金属杂质掺杂总含量比，并低于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比；所述第五反射层中的金属杂质掺杂总含量比高于所述第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比，并低于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，所述第四反射层、第五反射层中的金属杂质包括Pd、Cu、Au、Nd和Ge；所述第四反射层和第五反射层中的Pd、Cu、Au、Nd和Ge的含量比分别为0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～2.00％、0.05％～2.00％和0.05％～1.00％。

8.根据权利要求6所述的有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，还包括第六反射层和第七反射层，所述第六反射层和第七反射层均掺杂金属杂质，所述第六反射层设置在所述第一反射层和所述第二反射层之间，所述第七反射层设置在所述第二反射层和所述第三反射层之间；所述第六反射层中的金属杂质掺杂总含量比低于所述第一反射层中的金属杂质掺杂总含量比，并高于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比；所述第七反射层中的金属杂质掺杂总含量比低于所述第三反射层中的金属杂质掺杂总含量比，并高于所述第二反射层中的金属杂质掺杂总含量比。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机发光二极管的阳极结构，其特征在于，所述多个反射层为Ag合金层或Al合金层。