CN111492271A - 发光模块、显示装置以及制造发光模块和显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明简化了用于显示图像的发光模块的制造步骤。所述发光模块设置有发光元件、保护层、颜色改变元件和光学层。所述发光元件设置在衬底上。所述保护层形成为覆盖所述发光元件。所述颜色改变元件经由所述保护层设置为对应于至少一些发光元件。所述光学层形成为覆盖所述颜色改变元件和所述保护层。所述光学层通过弯曲形状收集或散射光。
Description
技术领域
本技术涉及一种发光模块。更具体地,本技术涉及一种均包括发光元件并提供彩色显示的发光模块和显示装置以及用于制造发光模块和显示装置的方法。
背景技术
在用于显示图像的发光模块中,存在滤色器改变来自自发光元件(例如,有机电致发光(EL)元件)的光的颜色,以产生期望颜色的情况。迄今为止,已经提出了一种显示装置,其中,保护层设置在滤色器的光入射表面、侧表面和光出射表面上(例如,参见专利文献1)。
引文列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请公开号2015-187635
发明内容
本发明要解决的问题
在上述传统技术中,通过在滤色器周围设置保护层,防止了由于残留溶剂或脱气导致可靠性降低。然而,形成这种保护层需要额外的工艺。因此,存在制造工艺可能复杂的可能性。此外,特别是在白色像素中,黑色对比度和白平衡可能由于来自电极的反射而降低。
鉴于这种情况而产生本技术,其目的是简化制造发光模块的工艺。
问题的解决方案
已经构成本技术,用于解决上述问题,并且本技术的第一方面是发光模块和显示装置,每个发光模块和显示装置包括:发光元件,其设置在衬底上;保护层,其覆盖发光元件;颜色改变元件,其以对应于发光元件中的至少一些的方式设置,所述保护层插在所述颜色改变元件和所述一些发光元件之间;以及光学层,其覆盖所述颜色改变元件和所述保护层,并且以弯曲形状聚集或散射光。这产生了用相同材料形成颜色改变元件的阻挡层和透镜的效果。
此外,在第一方面,还可以采用这样的配置,其中,所述颜色改变元件不设置在白色像素的位置,并且所述光学层的表面在白色像素的位置处形成为凹形。这产生了在白色像素的位置处形成光学层的凹形的效果。
此外,在第一方面,所述颜色改变元件可以设置在除白色像素之外的像素位置,并且所述光学层的表面在除白色像素之外的像素位置处形成为凸形。这产生了在除白色像素之外的像素位置处形成光学层的凹形的效果。
此外,在第一方面中,所述光学层的表面可以在除白色像素之外的像素的位置处形成为凸形,从而共同覆盖除白色像素之外的多个像素。这产生了在除白色像素之外的像素的位置处形成凸形的效果,从而共同覆盖除白色像素之外的多个像素。
另外,在第一方面,也可以采用以下配置。所述颜色改变元件设置在除白色像素之外的像素位置,而不设置在白色像素的位置。此外,所述光学层在白色像素的位置处形成为凹形,并且在除白色像素之外的像素的位置处形成为凸形,使得凹形和凸形具有彼此不同的曲率。这产生了在白色像素的位置处形成凹形的效果,其曲率不同于除白色像素之外的像素的位置处的曲率。
此外,在第一方面,所述颜色改变元件可以设置在除白色像素之外的像素位置,并且可以形成为使得设置在一些像素位置的颜色改变元件比对应于其他像素的颜色改变元件薄。此外,所述光学层的表面可以在一些像素的位置处形成为凹形。这产生了在一些像素的位置处形成光学层的凹形的效果。
此外,在第一方面,光学层可以包括透明材料或至少包含无机材料的材料。
另外,在第一方面,还可以包括覆盖光学层的表面并降低预定波长的反射率的薄膜。这产生了防止光反射的效果。
此外,在第一方面,还可以包括隔板,其设置在颜色改变元件的每对相邻像素之间,以便反射或吸收光。这产生了防止光进入其他像素的效果。
此外,在第一方面,颜色改变元件的表面可以形成为凹形。这产生了从正面折射光线的效果。
此外,本技术的第二方面是一种制造发光模块的方法,该方法包括:在衬底上形成电极;在电极上形成发光元件;形成覆盖发光元件的保护层;以对应于发光元件中的至少一些的方式在保护层上形成颜色改变元件;并且通过旋涂以弯曲形状形成光学层,所述光学层覆盖所述颜色改变元件和所述保护层。这产生了在单个工艺中同时形成颜色改变元件的阻挡层和透镜的效果。
本发明的效果
根据本技术,可以实现能够简化制造发光模块的工艺的有益效果。注意,此处描述的效果不一定是限制性的,并且可以实现本公开中描述的任何效果。
附图说明
图1是示出根据本技术的实施方式的显示装置100的整体配置的示例的示图;
图2是示出根据本技术的实施方式的像素电路101的电路配置的示例的示图;
图3是示出根据本技术的第一实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图;
图4是示出根据本技术的第一实施方式的发光模块的光学特性的示例的示图;
图5是示出制造根据本技术的第一实施方式的发光模块的工艺的示例的示图;
图6是示出根据本技术的第二实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图;
图7是示出制造根据本技术的第二实施方式的发光模块的工艺的示例的示图;
图8是示出根据本技术的第三实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图;
图9是示出制造根据本技术的第三实施方式的发光模块的工艺的示例的示图;
图10是示出根据本技术的第四实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图;
图11是示出制造根据本技术的第四实施方式的发光模块的工艺的示例的示图;
图12是示出根据本技术的第五实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图;
图13是示出制造根据本技术的第五实施方式的发光模块的工艺的示例的示图;
图14是示出根据本技术的第六实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图;
图15是示出制造根据本技术的第六实施方式的发光模块的工艺的示例的示图;
图16是示出根据本技术的第七实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图;
图17是示出制造根据本技术的第七实施方式的发光模块的工艺的示例的示图;
图18是示出作为本技术的实施方式的第一应用示例的智能手机401的外观的示图;
图19是示出作为本技术的实施方式的第二应用示例的从正面(被摄体侧)观看的数码相机411的外观的示图;
图20是示出作为本技术的实施方式的第二应用示例的从背面观看的数码相机411的外观的示图;
图21是示出作为本技术的实施方式的第三应用示例的HMD 431的外观的示图。
具体实施方式
下面将描述实现本技术的模式(以下称为实施方式)。将按以下顺序提供描述。
1.第一实施方式(给光学层提供弯曲形状的示例)
2.第二实施方式(改变白色像素的光学层的曲率的示例)
3.第三实施方式(在表面上提供抗反射膜的示例)
4.第四实施方式(用光学层共同覆盖RGB像素的示例)
5.第五实施方式(表面为凹形的滤色器的示例)
6.第六实施方式(具有高度差的滤色器的示例)
7.第七实施方式(在滤色器之间提供间隙并形成弯曲形状的示例)
8.应用示例
<1.第一实施方式>
[显示装置的配置]
图1是示出根据本技术的实施方式的显示装置100的整体配置的示例的示图。
显示装置100包括例如像素阵列部分102和驱动像素阵列部分102的驱动单元。驱动单元包括水平选择器103、写扫描仪104和电源扫描仪105。
像素阵列部分102包括排列成矩阵的多个像素电路101。电源线DSL和扫描线WSL以对应于多个像素电路101的每一行的方式设置。此外,信号线DTL以对应于多个像素电路101的每一列的方式设置。
写扫描仪104依次向每条扫描线WSL提供控制信号,以逐行地执行像素电路101的行顺序扫描。电源扫描仪105根据线顺序扫描向每条电源线DSL提供电源电压。根据行顺序扫描,水平选择器103向排列成列的信号线DTL提供用作视频信号的信号的信号电势和参考电势。
图2是示出根据本技术的实施方式的像素电路101的电路配置的示例的示图。
像素电路101包括例如发光元件14(例如,有机EL元件)、采样晶体管11、驱动晶体管12和保持电容器13。
采样晶体管11的栅极连接到相应的扫描线WSL。采样晶体管11的源极和漏极中的一个连接到相应的信号线DTL,源极和漏极中的另一个连接到驱动晶体管12的栅极。
驱动晶体管12的源极连接到发光元件14的阳极,其漏极连接到相应的电源线DSL。发光元件14的阴极连接到接地线15。注意,接地线15被铺设成使得接地线15对于所有像素电路101是公共的。
保持电容器13连接到驱动晶体管12的源极和栅极,同时位于其间。保持电容器13保持从信号线DTL提供的视频信号的信号电势。
[像素结构]
图3是示出根据本技术的第一实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图。
根据第一实施方式的像素包括电极110、发光元件120、保护层130、用于蓝色的滤色器142和光学层150。
电极110是发光元件120的阳极电极。电极110可以是例如包括金属的透明电极,例如,AlCu合金或锡(Ti)或铟锡氧化物(ITO)等。
发光元件120对应于将电信号转换成光信号的上述发光元件14。发光元件120可以是例如有机EL元件。在这种情况下,在阴极电极和电极110之间形成有机层。阴极电极的材料可以是例如MgAg合金或铟锡氧化物(ITO)等的透明电极。
保护层130是覆盖发光元件120以防止发光元件120劣化的阻挡层。保护层130的材料可以是例如氮化硅(SiN)。
滤色器142是改变来自发光元件120的光的颜色的颜色改变元件。由于例如将有机材料(例如,光致抗蚀剂)与有机颜料混合并执行光刻,所以形成滤色器142。在该示例中,示出了白色像素和蓝色像素的重复部分的横截面,并且用于蓝色的滤色器142以对应于蓝色像素的发光元件120的方式设置。同时,在白色像素的位置没有设置滤色器。注意,滤色器142是权利要求中描述的颜色改变元件的示例。
光学层150是覆盖滤色器142和保护层130并以其弯曲形状聚集或散射光的层。即,光学层150是滤色器142的阻挡层,并且也是用作透镜的层。光学层150的材料可以是丙烯酸光聚合组合物。此外,二氧化锡(TiO2)颗粒可以作为填料混合,以提高折射率并增强封盖性能。通过旋涂这些材料,形成光学层150。因此,凸透镜形成在设置滤色器142的蓝色像素的位置,而凹透镜形成在不设置滤色器142的白色像素的位置。
图4是示出根据本技术的第一实施方式的发光模块的光学特性的示例的示图。
在蓝色像素的位置,滤色器142将来自发光元件120的光612的颜色变为蓝色,并通过光学层150的凸透镜发射光612。同时,在白色像素的位置,通过光学层150的凹透镜发射来自发光元件120的光611。
在这种情况下,即使光621从前面入射,凹透镜在白色像素位置处也改变入射角,使得电极110反射不会光621。因此,利用该凹透镜,可以防止由于来自电极110的反射而导致黑色对比度和白平衡降低。
[制造工艺]
图5是示出制造根据本技术的第一实施方式的发光模块的工艺的示例的示图。
首先,电极110形成在衬底190上,如图5的“a”所示。通过光刻形成该电极110。即,如下形成电极110。在形成要成为电极110的材料的薄膜之后,提供图案化,并且执行用抗蚀剂掩蔽。然后,通过蚀刻去除不必要的部分,并去除掩模的抗蚀剂。
然后,发光元件120形成在电极110上,如图5的“b”所示。通过气相沉积形成发光元件120。即,通过气相沉积要成为发光元件120的材料的薄膜,来形成发光元件120。
然后,如图5的“c”所示,保护层130形成在其上已经形成发光元件120的衬底的表面上。通过化学气相沉积(CVD)形成该保护层130。
然后,如图5的“d”所示,形成滤色器142。通过光刻形成该滤色器142。
然后,如图5的“e”所示,形成光学层150。通过旋涂光学层150的材料,形成光学层150。即,在旋转晶片的同时,施加液体材料。因此,通过使用离心力将材料施加到其表面。结果,根据表面的不平坦性,形成弯曲形状的薄膜。
如上所述,根据本技术的第一实施方式,通过提供覆盖滤色器142和保护层130的弯曲形状的光学层150,可以简化制造发光模块的工艺。在这种情况下,在蓝色像素的位置,可以通过用光学层150的凸透镜聚集光来提高发光效率。同时,在白色像素的位置,可以通过光学层150的凹透镜防止来自电极110的反射,从而也可以防止黑色对比度和白平衡的降低。光学层150是滤色器142的阻挡层,并且还用作透镜。因此,这两个功能可以由同一元件同时实现,因此不需要额外的工艺。
<2.第二实施方式>
在第二实施方式中,光学层150的凹形的曲率在白色像素的位置已经改变。注意,显示装置100的整体配置类似于上述第一实施方式中的配置,因此将省略详细描述。
[像素结构]
图6是示出根据本技术的第二实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图。
与上述第一实施方式一样,根据第二实施方式的像素包括电极110、发光元件120、保护层130、用于蓝色的滤色器142和光学层150。然而,保护层130在白色像素位置处具有凹陷,并且在高度上低于蓝色像素位置处的保护层130。因此,形成在其上的光学层150的弯曲形状不同于上述第一实施方式中的弯曲形状。
即,光学层150在白色像素位置处的凹形曲率大于光学层150在蓝色像素位置处的凸形曲率。通过以这种方式改变曲率,可以提高作为白色像素位置处的透镜的光学层150的功率(折光率)。
[制造工艺]
图7是示出制造根据本技术的第二实施方式的发光模块的工艺的示例的示图。图7的步骤“a”至“c”类似于上述第一实施方式中的步骤。
如图7的“d”所示,在白色像素的位置部分去除保护层130。如下形成该形状。例如,在形成氮化硅(SiN)膜之后提供图案化,并且执行用抗蚀剂掩蔽。然后,通过干法蚀刻在白色像素的位置部分地去除保护层130,并且去除掩模的抗蚀剂。
然后,如图7的“e”所示,形成滤色器142。通过光刻形成该滤色器142。
然后,如图7的“f”所示,形成光学层150。通过旋涂光学层150的材料,形成光学层150。在第二实施方式中,保护层130的高度在白色像素的位置处减小。因此,在蓝色像素的位置处,光学层150的凹形的曲率大于光学层150的凸形的曲率。
如上所述,根据本技术的第二实施方式,通过增加光学层150在白色像素位置处的凹形的曲率,可以提高作为透镜的光学层150的功率。
<3.第三实施方式>
在第三实施方式中,在光学层150的表面上形成抗反射膜。注意,显示装置100的整体配置类似于上述第一实施方式中的配置,因此将省略详细描述。
[像素结构]
图8是示出根据本技术的第三实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图。
与上述第一实施方式一样,根据第三实施方式的像素包括电极110、发光元件120、保护层130、用于蓝色的滤色器142和光学层150。此外,根据第三实施方式的像素还包括在光学层150的表面上的抗反射膜160。
抗反射膜160是覆盖光学层150的表面的薄膜,并且是在预定波长降低反射率的抗反射涂层。因此,可以防止外部光的反射,从而可以提高显示装置100的性能。
[制造工艺]
图9是示出制造根据本技术的第三实施方式的发光模块的工艺的示例的示图。图9的步骤“a”至“e”类似于上述第一实施方式中的步骤。
如图9的“f”所示,抗反射膜160形成在光学层150的表面上。通过化学气相沉积(CVD)形成抗反射膜160。抗反射膜160的材料可以是例如二氧化硅(SiO2)。
如上所述,根据本技术的第三实施方式,可以通过在光学层150的表面上形成抗反射膜160来防止反射外部光,从而可以提高显示装置100的性能。
<4.第四实施方式>
在第四实施方式中,光学层150的凸形形成为共同覆盖多个像素。注意,显示装置100的整体配置类似于上述第一实施方式中的配置,因此将省略详细描述。
[像素结构]
图10是示出根据本技术的第四实施方式的发光模块的示意性横截面结构的示例的示图。
根据第四实施方式的像素包括电极110、发光元件120、保护层130、滤色器142至144和光学层150。即,蓝色滤色器142以对应于蓝色像素的发光元件120的方式设置,红色滤色器143以对应于红色像素的发光元件120的方式设置,绿色滤色器144以对应于绿色像素的发光元件120的方式设置。注意,滤色器142至144是权利要求中描述的颜色改变元件的示例。
在第四实施方式中,滤色器142至144紧密定位。因此,光学层150以凸形形成在其上,使得光学层150的凸形部分共同覆盖滤色器142至144。同时,与上述第一实施方式一样,光学层150的凹形形成在白色像素的位置。
[制造工艺]
图11是示出制造根据本技术的第四实施方式的发光模块的工艺的示例的示图。图7的步骤“a”至“c”类似于上述第一实施方式中的步骤。
如图11的“d”所示,形成滤色器142至144。通过光刻依次形成这些滤色器142至144。
然后,如图5的“e”所示,形成光学层150。通过旋涂光学层150的材料,形成光学层150。在这种情况下,光学层150的凸形形成为共同覆盖滤色器142至144。
如上所述,在本技术的第四实施方式中,光学层150的凸形形成为共同覆盖滤色器142至144。结果,在视角增加的情况下,可以提高作为透镜的光学层150的性能。
<5.第五实施方式>
在第五实施方式中,滤色器的表面形成为凹形。注意,显示装置100的整体配置类似于上述第一实施方式中的配置,因此将省略详细描述。
[像素结构]
图12是示出根据本技术的第五实施方式的发光模块的示意性截面结构的示例的示图。
与上述第四实施方式一样,根据第五实施方式的像素包括电极110、发光元件120、保护层130、滤色器142至144和光学层150。然而,在每对相邻的像素之间设置有隔板131,并且滤色器142至144的表面形成为凹形。
每个滤色器142至144的表面的凹形折射来自前方的光。因此,提高光学性能。
隔板131反射或吸收光,并防止被每个滤色器142至144的表面的凹形折射的光进入其他像素。
[制造工艺]
图13是示出制造根据本技术的第五实施方式的发光模块的工艺的示例的示图。图7的步骤“a”至“c”类似于上述第一实施方式中的步骤。
如图13的“d”所示,部分去除保护层130在每个像素的位置,以形成隔板131。如下形成该形状。例如,在形成氮化硅(SiN)膜之后提供图案化,并且执行用抗蚀剂掩蔽。然后,通过干法蚀刻在白色像素的位置部分地去除保护层130,并且去除掩模的抗蚀剂。
然后,如图13的“e”所示,滤色器142至144形成在由隔板131划分的蓝色、红色和绿色的相应位置。通过依次旋涂相应的材料,形成这些滤色器142至144。
然后,如图7的“f”所示,形成光学层150。通过旋涂光学层150的材料,形成光学层150。在这种情况下,光学层150的凸形形成为共同覆盖滤色器142至144,与上述第四实施方式一样。
如上所述,根据本技术的第五实施方式,可以通过滤色器142至144中的每一个的表面的凹形来提高光学性能。此外,隔板131可以防止被凹形折射的光进入其他像素。
<6.第六实施方式>
在第六实施方式中,一些颜色的滤色器在厚度上不同于其余的滤色器。注意,显示装置100的整体配置类似于上述第一实施方式中的配置,因此将省略详细描述。
[像素结构]
图14是示出根据本技术的第六实施方式的发光模块的示意性截面结构的示例的示图。
与上述第四实施方式一样,根据第六实施方式的像素包括电极110、发光元件120、保护层130、滤色器142至144和光学层150。然而,用于绿色的滤色器144被形成为使得滤色器144比用于其他颜色的滤色器142和143更薄。因此,可以调整彩色平衡。此外,由于由此提供具有不同厚度的滤色器,所以形成在其上的光学层150在绿色像素的位置处具有凹形。
[制造工艺]
图15是示出制造根据本技术的第六实施方式的发光模块的工艺的示例的示图。图7的步骤“a”至“c”类似于上述第一实施方式中的步骤。
如图11的“d”所示,形成滤色器142至144。通过光刻依次形成这些滤色器142至144。在这种情况下,用于绿色的滤色器144形成为使得滤色器144比用于其他颜色的滤色器142和143更薄。
然后,如图5的“e”所示,形成光学层150。通过旋涂光学层150的材料,形成光学层150。在这种情况下,光学层150的凸形形成为共同覆盖用于蓝色的滤色器142和用于红色的滤色器143。同时,光学层150的凹形形成在用于绿色的滤色器144上。此外,与其他实施方式一样,光学层150的凹形形成在白色像素的位置。
如上所述,根据本技术的第六实施方式,可以通过改变一些滤色器142至144的厚度来调整彩色平衡。
<7.第七实施方式>
在第七实施方式中,滤色器142至144被设置成其间具有间隙。注意,显示装置100的整体配置类似于上述第一实施方式中的配置,因此将省略详细描述。
[像素结构]
图16是示出根据本技术的第七实施方式的发光模块的示意性截面结构的示例的示图。
与上述第四实施方式一样,根据第七实施方式的像素包括电极110、发光元件120、保护层130、滤色器142至144和光学层150。然而,滤色器142至144被设置成其间具有间隙。结果,光学层150形成在其上,使得光学层150在每个像素位置处分别具有凸形。
[制造工艺]
图17是示出制造根据本技术的第七实施方式的发光模块的工艺的示例的示图。图7的步骤“a”至“c”类似于上述第一实施方式中的步骤。
如图11的“d”所示,形成滤色器142至144。通过光刻依次形成这些滤色器142至144。此时,形成滤色器142至144,在其间具有间隙。
然后,如图5的“e”所示,形成光学层150。通过旋涂光学层150的材料,形成光学层150。在这种情况下,光学层150的凸形分别形成在蓝色、红色和绿色像素位置中的每一个处。同时,在白色像素的位置形成凹形。
如上所述,在本技术的第七实施方式中,光学层150的凸形分别形成在蓝色、红色和绿色像素位置中的每一个处。结果,可以在除白色像素之外的像素位置处提供形成为凸形的光学层150,而不管白色像素的设置如何。
<8.应用示例>
下面描述可以应用上述实施方式的显示装置的电子装置的示例。
图18是示出作为本技术的实施方式的第一应用示例的智能手机401的外观的示图。智能手机401包括操作单元403和显示单元405。操作单元403接收来自用户的操作输入。显示单元405显示各种类型的信息。显示单元405可以包括根据上述实施方式的任何显示装置。
图19是示出作为本技术的实施方式的第二应用示例的从正面(被摄体侧)观看的数码相机411的外观的示图。图20是示出作为本技术的实施方式的第二应用示例的从背面观看的数码相机411的外观的示图。数码相机411包括主体(相机主体)413、可互换镜头单元415和在捕捉图像时由用户握持的夹紧部分417。此外,数码相机411还包括监视器419和电子取景器(EVF)421。监视器419显示各种类型的信息。EVF 421显示用户在捕捉图像时要观看的直通图像。监视器419和EVF 421可以包括根据上述实施方式的任何显示装置。
图21是示出作为本技术的实施方式的第三应用示例的HMD 431的外观的示图。头戴式显示器(HMD)431包括眼镜型显示单元433和耳钩部分435。显示单元433显示各种类型的信息。当用户佩戴HMD 431时,耳钩部分435钩在用户的耳朵上。显示单元433可以包括根据上述实施方式的任何显示装置。
上面已经描述了可以应用根据每个实施方式的显示装置的电子装置的一些示例。注意,可以应用根据每个实施方式的显示装置的电子装置不限于上面示出的那些。该显示装置可以应用于安装在任何领域的电子装置上的显示装置,例如,电视装置、电子书、PDA、笔记本PC、摄像机或游戏装置,该显示装置基于从外部输入或内部生成的图像信号提供显示。
注意,上述实施方式是用于体现本技术的示例,并且在实施方式中的内容和权利要求中指定本发明的内容之间存在对应关系。类似地,在权利要求中指定本发明的内容和本技术的实施方式中赋予相同名称的内容之间存在对应关系。然而,本技术不限于实施方式,并且在不脱离本技术的主旨的情况下,可以通过对实施方式进行各种修改来体现本技术。
注意,本说明书中描述的效果仅仅是说明性的而非限制性的,并且也可以实现其他效果。
注意,本技术也可以采用以下配置。
(1)一种发光模块,包括:
发光元件,其设置在衬底上;
保护层,其覆盖发光元件;
颜色改变元件,其以对应于发光元件中的至少一些的方式设置,所述保护层插在所述颜色改变元件和所述一些发光元件之间;以及
光学层,其覆盖所述颜色改变元件和所述保护层,并且以弯曲形状聚集或散射光。
(2)根据上述(1)所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件不设置在白色像素的位置,并且
所述光学层的表面在白色像素的位置处形成为凹形。
(3)根据上述(1)或(2)所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件设置在除白色像素之外的像素位置,并且
所述光学层的表面在除白色像素之外的像素位置处形成为凸形。
(4)根据上述(3)所述的发光模块,其中,
所述光学层的表面在除白色像素之外的像素的位置处形成为凸形,从而共同覆盖除白色像素之外的多个像素。
(5)根据上述(1)所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件设置在除白色像素之外的像素位置,而不设置在白色像素的位置,并且
所述光学层在白色像素的位置处形成为凹形,并且在除白色像素之外的像素的位置处形成为凸形,使得凹形和凸形具有彼此不同的曲率。
(6)根据上述(1)所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件设置在除白色像素之外的像素位置,并且形成为使得设置在一些像素位置的颜色改变元件比对应于其他像素的颜色改变元件薄,并且
所述光学层的表面在一些像素的位置处形成为凹形。
(7)根据上述(1)至(6)中任一项所述的发光模块,其中,
所述光学层包括透明材料。
(8)根据上述(1)至(6)中任一项所述的发光模块,其中,
所述光学层包括至少包含无机材料的材料。
(9)根据上述(1)至(8)中任一项所述的发光模块,还包括:
薄膜,其覆盖光学层的表面并降低预定波长的反射率。
(10)根据上述(1)至(9)中任一项所述的发光模块,还包括:
隔板,其设置在颜色改变元件的每对相邻像素之间,以便反射或吸收光。
(11)根据上述(10)所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件的表面形成为凹形。
(12)一种显示装置,包括:
衬底;
发光元件,其设置在衬底上;
保护层,其覆盖发光元件;
颜色改变元件,其以对应于发光元件中的至少一些的方式设置,所述保护层插在所述颜色改变元件和所述一些发光元件之间;以及
光学层,其覆盖所述颜色改变元件和所述保护层,并且以弯曲形状聚集或散射光。
(12)一种用于制造发光模块的方法,所述方法包括:
在衬底上形成电极;
在电极上形成发光元件;
形成覆盖发光元件的保护层;
以对应于发光元件中的至少一些的方式在保护层上形成颜色改变元件;并且
通过旋涂以弯曲形状形成光学层,所述光学层覆盖所述颜色改变元件和所述保护层。
附图标记列表
11采样晶体管
12驱动晶体管
13保持电容器
14发光元件
15接地线
100显示装置
101像素电路
102像素阵列部分
103水平选择器
104写扫描仪
105电源扫描仪
110电极
120发光元件
130保护层
131隔板
142至144滤色器
150光学层
160抗反射膜
190衬底
Claims (13)
1.一种发光模块,包括:
发光元件,设置在衬底上;
保护层,覆盖所述发光元件;
颜色改变元件,以对应于所述发光元件中的至少一些发光元件的方式设置,所述保护层插在所述颜色改变元件和所述一些发光元件之间;以及
光学层,覆盖所述颜色改变元件和所述保护层,并且以弯曲形状聚集或散射光。
2.根据权利要求1所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件不设置在白色像素的位置,并且
所述光学层的表面在白色像素的位置处形成为凹形。
3.根据权利要求1所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件设置在除白色像素之外的像素位置,并且
所述光学层的表面在除白色像素之外的像素位置处形成为凸形。
4.根据权利要求3所述的发光模块,其中,
所述光学层的表面在除白色像素之外的像素的位置处形成为凸形,从而共同覆盖除白色像素之外的多个像素。
5.根据权利要求1所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件设置在除白色像素之外的像素位置,而不设置在白色像素的位置,并且
所述光学层在白色像素的位置处形成为凹形,并且在除白色像素之外的像素的位置处形成为凸形,使得凹形和凸形具有彼此不同的曲率。
6.根据权利要求1所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件设置在除白色像素之外的像素位置,并且形成为使得设置在一些像素位置的颜色改变元件比对应于其他像素的颜色改变元件薄,并且
所述光学层的表面在一些像素的位置处形成为凹形。
7.根据权利要求1所述的发光模块,其中,
所述光学层包括透明材料。
8.根据权利要求1所述的发光模块,其中,
所述光学层包括至少包含无机材料的材料。
9.根据权利要求1所述的发光模块,还包括:
薄膜,覆盖所述光学层的表面并降低预定波长的反射率。
10.根据权利要求1所述的发光模块,还包括:
隔板,设置在所述颜色改变元件的每对相邻像素之间,以反射或吸收光。
11.根据权利要求10所述的发光模块,其中,
所述颜色改变元件的表面形成为凹形。
12.一种显示装置,包括:
衬底;
发光元件,设置在所述衬底上;
保护层,覆盖所述发光元件;
颜色改变元件,以对应于所述发光元件中的至少一些发光元件的方式设置,所述保护层插在所述颜色改变元件和所述一些发光元件之间;以及
光学层,覆盖所述颜色改变元件和所述保护层,并且以弯曲形状聚集或散射光。
13.一种用于制造发光模块的方法,所述方法包括:
在衬底上形成电极;
在所述电极上形成发光元件;
形成覆盖所述发光元件的保护层;
以对应于所述发光元件中的至少一些的方式在所述保护层上形成颜色改变元件;并且
通过旋涂以弯曲形状形成光学层,所述光学层覆盖所述颜色改变元件和所述保护层。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112331150A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-05 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示装置及发光面板 |
WO2023068227A1 (ja) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101075663A (zh) * | 2006-05-16 | 2007-11-21 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置、发光装置的制造方法及电子设备 |
US20080164551A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Young-Je Yun | Image sensor |
US20090051283A1 (en) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Cok Ronald S | Led device having improved contrast |
CN101800234A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-08-11 | 索尼公司 | 固态成像装置及其制造方法、相机以及电子设备 |
US20130002130A1 (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
JP2013058447A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Canon Inc | 有機el発光装置 |
US20140027724A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
CN103828486A (zh) * | 2011-10-03 | 2014-05-28 | 索尼公司 | 显示单元和电子设备 |
CN104051475A (zh) * | 2013-03-14 | 2014-09-17 | 采钰科技股份有限公司 | 固态成像元件 |
US20150077966A1 (en) * | 2012-04-13 | 2015-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-scattering body, light-scattering body film, light-scattering body substrate, light-scattering body device, light-emitting device, display device, and illumination device |
US20150276175A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Sony Corporation | Color change member, light emitting device, display device and electronic apparatus |
WO2017082429A1 (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI257828B (en) * | 2001-05-31 | 2006-07-01 | Seiko Epson Corp | EL device, EL display, EL illumination apparatus, liquid crystal apparatus using the EL illumination apparatus and electronic apparatus |
JP2003302740A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Seiko Epson Corp | マスク、光反射膜付基板、光反射膜の形成方法、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2007510306A (ja) | 2003-10-28 | 2007-04-19 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 平坦な上面を有するパッドの製造方法 |
US7602118B2 (en) * | 2005-02-24 | 2009-10-13 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved light output |
JP5537886B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-07-02 | 富士フイルム株式会社 | 光学フィルムの製造方法、及びその製造方法で製造された光学フィルム、並びにそれを有する偏光板、及び画像表示装置 |
US8976436B2 (en) * | 2012-01-19 | 2015-03-10 | Kenneth A. Dean | Controlled diffuse scattering for displays |
JP2013149536A (ja) | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Canon Inc | 表示装置 |
JP2013251173A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Canon Inc | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
JP6209318B2 (ja) * | 2012-06-06 | 2017-10-04 | ローム株式会社 | 有機el発光装置およびその製造方法 |
JP2016118710A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ及び電子ペーパー |
-
2018
- 2018-11-28 JP JP2019562875A patent/JP7204677B2/ja active Active
- 2018-11-28 US US16/956,907 patent/US11437603B2/en active Active
- 2018-11-28 CN CN201880082707.8A patent/CN111492271B/zh active Active
- 2018-11-28 WO PCT/JP2018/043681 patent/WO2019130956A1/ja active Application Filing
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101075663A (zh) * | 2006-05-16 | 2007-11-21 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置、发光装置的制造方法及电子设备 |
US20080164551A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-10 | Young-Je Yun | Image sensor |
US20090051283A1 (en) * | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Cok Ronald S | Led device having improved contrast |
CN101800234A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-08-11 | 索尼公司 | 固态成像装置及其制造方法、相机以及电子设备 |
US20130002130A1 (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
JP2013058447A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Canon Inc | 有機el発光装置 |
CN103828486A (zh) * | 2011-10-03 | 2014-05-28 | 索尼公司 | 显示单元和电子设备 |
US20150077966A1 (en) * | 2012-04-13 | 2015-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-scattering body, light-scattering body film, light-scattering body substrate, light-scattering body device, light-emitting device, display device, and illumination device |
US20140027724A1 (en) * | 2012-07-25 | 2014-01-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
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