JP7204677B2 - 発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法 - Google Patents

発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法 Download PDF

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Description

本技術は、発光モジュールに関する。詳しくは、発光素子を備えて色表示を行う発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法に関する。
画像を表示させるための発光モジュールにおいては、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro-Luminescence）素子などの自発光素子からの光を、カラーフィルタにより色変化させて、所望の色を発色させることがある。従来においては、カラーフィルタの光入射面、側面および光出射面に保護層を設けた表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０１５－１８７６３５号公報
上述の従来技術では、カラーフィルタの周囲に保護層を設けることにより、残留溶剤や脱ガスに起因する信頼性の低下を抑制していた。しかしながら、そのような保護層を形成するためには追加工程が必要であり、製造工程が複雑になるおそれがある。また、特に白色画素においては、電極からの反射によって、黒色のコントラストやホワイトバランスが低下するおそれがある。
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、発光モジュールの製造工程を簡単化することを目的とする。
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、基板の上に配置された発光素子と、上記発光素子を覆う保護層と、上記保護層を介して少なくとも一部の上記発光素子に対応して配置される色変化部材と、上記色変化部材および上記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層とを具備する発光モジュールおよび表示装置である。これにより、色変化部材のバリア層とレンズとを同一材料により形成するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記色変化部材は、白色画素の位置には配置されず、上記光学層は、白色画素の位置においては表面に凹形状を有するようにしてもよい。これにより、白色画素の位置において光学層の凹形状を形成するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置され、上記光学層は、白色以外の画素の位置においては表面に凸形状を有するようにしてもよい。これにより、白色以外の画素の位置において光学層の凹形状を形成するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記光学層は、白色以外の画素の位置において複数画素について一括して表面に凸形状を有するようにしてもよい。これにより、白色以外の画素の位置において複数画素に一括して凸形状を形成するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、白色画素の位置には配置されず、上記光学層は、白色画素の位置においては凹形状を有して、白色以外の画素の位置においては凸形状を有し、上記凹形状と上記凸形状の曲率が互いに異なるようにしてもよい。これにより、白色画素の位置において白色以外の画素の位置とは異なる曲率の凹形状を形成するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、一部の画素の位置においては他の画素のものよりも厚みが薄く、上記光学層は、上記一部の画素の位置においては表面に凹形状を有するようにしてもよい。これにより、一部の画素の位置において光学層の凹形状を形成するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記光学層は、透明材料または少なくとも無機材料を含む材料からなるものであってもよい。
また、この第１の側面において、上記光学層の表面を覆う膜であって所定の波長に対する反射率を低減させる膜をさらに具備するようにしてもよい。これにより、光の反射を防止するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記色変化部材の各画素間に設けられて光を反射または吸収する隔壁をさらに具備するようにしてもよい。これにより、光が他の画素に入射することを防ぐという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記色変化部材は、表面に凹形状を有するようにしてもよい。これにより、正面からの光を屈折させるという作用をもたらす。
また、本技術の第２の側面は、基板の上に電極を形成する手順と、上記電極の上に発光素子を形成する手順と、上記発光素子を覆う保護層を形成する手順と、上記保護層の上において少なくとも一部の上記発光素子に対応して色変化部材を形成する手順と、スピン塗布によって上記色変化部材および上記保護層を覆う湾曲形状の光学層を形成する手順とを備える発光モジュールの製造方法である。これにより、色変化部材のバリア層とレンズとを１つの工程で同時形成するという作用をもたらす。
本技術によれば、発光モジュールの製造工程を簡単化することができるという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術の実施の形態における表示装置１００の全体構成の一例を示す図である。 本技術の実施の形態における画素回路１０１の回路構成例を示す図である。 本技術の第１の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第１の実施の形態における発光モジュールの光学特性の一例を示す図である。 本技術の第１の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第２の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第２の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第３の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第３の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第４の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第４の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第５の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第５の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第６の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第７の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の実施の形態の第１の適用例であるスマートフォン４０１の外観を示す図である。 本技術の実施の形態の第２の適用例であるデジタルカメラ４１１の前方（被写体側）から眺めた外観を示す図である。 本技術の実施の形態の第２の適用例であるデジタルカメラ４１１の後方から眺めた外観を示す図である。 本技術の実施の形態の第３の適用例であるＨＭＤ４３１の外観を示す図である。
以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（湾曲形状を有する光学層を設けた例）
２．第２の実施の形態（白色画素の光学層の曲率を変化させた例）
３．第３の実施の形態（表面に反射防止膜を付した例）
４．第４の実施の形態（ＲＧＢ画素を一括して光学層により覆う例）
５．第５の実施の形態（カラーフィルタの表面を凹形状にした例）
６．第６の実施の形態（カラーフィルタに高低差を設けた例）
７．第７の実施の形態（カラーフィルタの間に隙間を設けて湾曲形状を形成した例）
８．適用例
＜１．第１の実施の形態＞
［表示装置の構成］
図１は、本技術の実施の形態における表示装置１００の全体構成の一例を示す図である。
この表示装置１００は、例えば、画素アレイ部１０２と、これを駆動する駆動部とを備える。駆動部は、水平セレクタ１０３と、ライトスキャナ１０４と、電源スキャナ１０５とを備える。
画素アレイ部１０２は、行列状に配置された複数の画素回路１０１を備える。複数の画素回路１０１の各行に対応して、電源線ＤＳＬおよび走査線ＷＳＬが設けられる。また、複数の画素回路１０１の各列に対応して、信号線ＤＴＬが設けられる。
ライトスキャナ１０４は、走査線ＷＳＬの各々に順次、制御信号を供給して、画素回路１０１を行単位で線順次走査するものである。電源スキャナ１０５は、線順次走査に合わせて、電源線ＤＳＬの各々に電源電圧を供給するものである。水平セレクタ１０３は、線順次走査に合わせて、列状の信号線ＤＴＬに、映像信号となる信号電位および基準電位を供給するものである。
図２は、本技術の実施の形態における画素回路１０１の回路構成例を示す図である。
画素回路１０１は、例えば、有機ＥＬ素子などの発光素子１４と、サンプリングトランジスタ１１と、駆動トランジスタ１２と、保持容量１３とを備える。
サンプリングトランジスタ１１は、ゲートが対応する走査線ＷＳＬに接続され、ソースおよびドレインの一方が対応する信号線ＤＴＬに接続され、ソースおよびドレインの他方が駆動トランジスタ１２のゲートに接続される。
駆動トランジスタ１２は、ソースが発光素子１４のアノードに接続され、ドレインが対応する電源線ＤＳＬに接続される。発光素子１４のカソードは接地配線１５に接続される。なお、この接地配線１５は全ての画素回路１０１に対して共通に配線される。
保持容量１３は、駆動トランジスタ１２のソースとゲートの間に接続される。保持容量１３は、信号線ＤＴＬから供給される映像信号の信号電位を保持するものである。
［画素構造］
図３は、本技術の第１の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
この第１の実施の形態における画素は、電極１１０と、発光素子１２０と、保護層１３０と、青色のカラーフィルタ１４２と、光学層１５０とを備える。
電極１１０は、発光素子１２０のアノード電極であり、例えば、ＡｌＣｕ合金、錫（Ｔｉ）などの金属、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）の透明電極などが想定される。
発光素子１２０は、電気信号を光信号に変換する上述の発光素子１４であり、例えば、有機ＥＬ素子が想定される。この場合、カソード電極と電極１１０との間に有機層が形成される。カソード電極の材料は、例えば、ＭｇＡｇ合金や酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の透明電極などが想定される。
保護層１３０は、発光素子１２０を覆い、発光素子１２０の劣化を防ぐためのバリア層である。この保護層１３０の材料は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）が想定される。
カラーフィルタ１４２は、発光素子１２０からの光の色を変化させる色変化部材である。このカラーフィルタ１４２は、例えば、フォトレジストなどの有機材料に有機顔料を混合してフォトリソグラフィを行うことにより形成される。この例では、白色画素と青色画素の繰り返し部分の断面を示しており、青色画素の発光素子１２０に対応して青色のカラーフィルタ１４２が配置される。一方、白色画素の位置にはカラーフィルタは配置されない。なお、このカラーフィルタ１４２は、特許請求の範囲に記載の色変化部材の一例である。
光学層１５０は、カラーフィルタ１４２および保護層１３０を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる層である。すなわち、この光学層１５０は、カラーフィルタ１４２のバリア層であるとともに、レンズとしての機能を有する層である。この光学層１５０の材料としては、アクリル系の光重合性組成物が想定される。また、屈折率を向上させるとともにキャップ性を高めるために、酸化錫（ＴｉＯ2）の粒子をフィラとして混ぜてもよい。この光学層１５０は、これらの材料をスピン塗布することにより形成される。これにより、カラーフィルタ１４２が配置されている青色画素の位置には凸形状のレンズが形成され、カラーフィルタ１４２が配置されていない白色画素の位置には凹形状のレンズが形成される。
図４は、本技術の第１の実施の形態における発光モジュールの光学特性の一例を示す図である。
青色画素の位置においては、発光素子１２０からの光６１２がカラーフィルタ１４２によって青色に色変化され、光学層１５０の凸形状のレンズを介して出射される。一方、白色画素の位置においては、発光素子１２０からの光６１１が光学層１５０の凹形状のレンズを介して出射される。
この場合、正面からの光６２１が入射しても、白色画素の位置の凹形状のレンズによって入射角が変化し、電極１１０に反射することがない。したがって、この凹形状のレンズによって、電極１１０からの反射による黒色のコントラストやホワイトバランスの低下を抑制することができる。
［製造工程］
図５は、本技術の第１の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。
まず、同図におけるａに示されるように、基板１９０の上に電極１１０が形成される。この電極１１０は、リソグラフィにより形成される。すなわち、電極１１０となる材料を成膜した後にパターニングをし、レジストでマスクしてエッチングにより不要部分を削り、マスクのレジストを除去することにより、電極１１０が形成される。
そして、同図におけるｂに示されるように、電極１１０の上に発光素子１２０が形成される。この発光素子１２０は、蒸着により形成される。すなわち、気相中で発光素子１２０となる材料の薄膜を堆積することにより形成される。
そして、同図におけるｃに示されるように、発光素子１２０が形成された基板表面に、保護層１３０が形成される。この保護層１３０は、化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）により形成される。
そして、同図におけるｄに示されるように、カラーフィルタ１４２が形成される。このカラーフィルタ１４２は、リソグラフィにより形成される。
そして、同図におけるｅに示されるように、光学層１５０が形成される。この光学層１５０は、光学層１５０の材料をスピン塗布することにより形成される。すなわち、ウェハを回転させながら液状の材料を塗ることにより、遠心力を利用して表面に材料を塗布する。これにより、表面の凹凸状態に応じた湾曲形状の膜が形成される。
このように、本技術の第１の実施の形態によれば、カラーフィルタ１４２および保護層１３０を覆う湾曲形状の光学層１５０を設けることにより、発光モジュールの製造工程を簡単化することができる。この場合において、青色画素の位置においては、光学層１５０の凸形状のレンズによる集光により、発光効率を向上させることができる。一方、白色画素の位置においては、光学層１５０の凹形状のレンズにより、電極１１０からの反射を抑制して、黒色のコントラストやホワイトバランスの低下を抑制することができる。光学層１５０は、カラーフィルタ１４２のバリア層であるとともに、レンズとしての機能を有するため、両者の機能を同一部材により同時形成することができ、追加工程を必要としない。
＜２．第２の実施の形態＞
この第２の実施の形態は、白色画素の位置における光学層１５０の凹形状の曲率を変化させたものである。なお、表示装置１００としての全体構成は上述の第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
［画素構造］
図６は、本技術の第２の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
この第２の実施の形態における画素は、上述の第１の実施の形態と同様に、電極１１０と、発光素子１２０と、保護層１３０と、青色のカラーフィルタ１４２と、光学層１５０とを備える。ただし、白色画素の位置における保護層１３０には掘り込みが入っており、青色画素の位置における保護層１３０の高さよりも低くなっている。そのため、その上に形成される光学層１５０の湾曲形状は、上述の第１の実施の形態とは異なっている。
すなわち、白色画素の位置における光学層１５０の凹形状の曲率は、青色画素の位置における光学層１５０の凸形状の曲率よりも大きくなっている。このように曲率を変化させたことにより、白色画素の位置における光学層１５０のレンズとしてのパワー（屈折力）を向上させることができる。
［製造工程］
図７は、本技術の第２の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるａ乃至ｃは、上述の第１の実施の形態と同様である。
同図におけるｄに示されるように、白色画素の位置における保護層１３０が削られる。この形状は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）を成膜した後にパターニングをし、レジストでマスクしてドライエッチングにより白色画素の位置における保護層１３０を削り、マスクのレジストを除去することにより形成される。
そして、同図におけるｅに示されるように、カラーフィルタ１４２が形成される。このカラーフィルタ１４２は、リソグラフィにより形成される。
そして、同図におけるｆに示されるように、光学層１５０が形成される。この光学層１５０は、光学層１５０の材料をスピン塗布することにより形成される。この第２の実施の形態においては、白色画素の位置における保護層１３０の高さが低くなっているため、光学層１５０の凹形状の曲率は、青色画素の位置における光学層１５０の凸形状の曲率よりも大きくなる。
このように、本技術の第２の実施の形態によれば、白色画素の位置における光学層１５０の凹形状の曲率を大きくすることにより、光学層１５０のレンズとしてのパワーを向上させることができる。
＜３．第３の実施の形態＞
この第３の実施の形態は、光学層１５０の表面に反射防止膜を形成したものである。なお、表示装置１００としての全体構成は上述の第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
［画素構造］
図８は、本技術の第３の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
この第３の実施の形態における画素は、上述の第１の実施の形態と同様に、電極１１０と、発光素子１２０と、保護層１３０と、青色のカラーフィルタ１４２と、光学層１５０とを備える。また、この第３の実施の形態における画素は、さらに、光学層１５０の表面に反射防止膜１６０を備える。
反射防止膜１６０は、光学層１５０の表面を覆う膜であって、所定の波長に対する反射率を低減させる反射防止膜（Anti Reflection Coating）である。これにより、外部からの光の反射を防止して、表示装置１００としての性能を向上させることができる。
［製造工程］
図９は、本技術の第３の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるａ乃至ｅは、上述の第１の実施の形態と同様である。
同図におけるｆに示されるように、光学層１５０の表面に反射防止膜１６０が形成される。この反射防止膜１６０は、化学気相成長（ＣＶＤ）により形成される。この反射防止膜１６０の材料としては、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が想定される。
このように、本技術の第３の実施の形態によれば、光学層１５０の表面に反射防止膜１６０を形成することにより、外部からの光の反射を防止して、表示装置１００としての性能を向上させることができる。
＜４．第４の実施の形態＞
この第４の実施の形態は、複数画素の上に光学層１５０の凸形状を一括して形成したものである。なお、表示装置１００としての全体構成は上述の第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
［画素構造］
図１０は、本技術の第４の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
この第４の実施の形態における画素は、電極１１０と、発光素子１２０と、保護層１３０と、カラーフィルタ１４２乃至１４４と、光学層１５０とを備える。すなわち、青色画素の発光素子１２０に対応して青色のカラーフィルタ１４２が配置され、赤色画素の発光素子１２０に対応して赤色のカラーフィルタ１４３が配置され、緑色画素の発光素子１２０に対応して緑色のカラーフィルタ１４４が配置される。なお、カラーフィルタ１４２乃至１４４は、特許請求の範囲に記載の色変化部材の一例である。
この第４の実施の形態において、カラーフィルタ１４２乃至１４４は、互いに密接して配置される。そのため、その上に形成される光学層１５０は、カラーフィルタ１４２乃至１４４上に一括して凸形状を有する。一方、白色画素の位置においては、上述の第１の実施の形態と同様に光学層１５０の凹形状が形成される。
［製造工程］
図１１は、本技術の第４の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるａ乃至ｃは、上述の第１の実施の形態と同様である。
同図におけるｄに示されるように、カラーフィルタ１４２乃至１４４が形成される。これらカラーフィルタ１４２乃至１４４は、リソグラフィにより順次形成される。
そして、同図におけるｅに示されるように、光学層１５０が形成される。この光学層１５０は、光学層１５０の材料をスピン塗布することにより形成される。この場合の光学層１５０の凸形状は、カラーフィルタ１４２乃至１４４上に一括して形成される。
このように、本技術の第４の実施の形態では、光学層１５０の凸形状が、カラーフィルタ１４２乃至１４４上に一括して形成される。これにより、視野角を広げた場合の光学層１５０のレンズとしての性能を向上させることができる。
＜５．第５の実施の形態＞
この第５の実施の形態は、カラーフィルタの表面形状を凹形状にしたものである。なお、表示装置１００としての全体構成は上述の第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
［画素構造］
図１２は、本技術の第５の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
この第５の実施の形態における画素は、上述の第４の実施の形態と同様に、電極１１０と、発光素子１２０と、保護層１３０と、カラーフィルタ１４２乃至１４４と、光学層１５０とを備える。ただし、各画素の間には隔壁１３１が設けられるとともに、カラーフィルタ１４２乃至１４４の表面形状は凹形状を有している。
カラーフィルタ１４２乃至１４４の表面の凹形状は、正面からの光を屈折させるものであり、これにより光学上の性能を向上させる。
隔壁１３１は、光を反射または吸収するものであり、カラーフィルタ１４２乃至１４４の表面の凹形状により屈折された光が他の画素に入射することを防ぐものである。
［製造工程］
図１３は、本技術の第５の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるａ乃至ｃは、上述の第１の実施の形態と同様である。
同図におけるｄに示されるように、各画素の位置における保護層１３０が削られて隔壁１３１が形成される。この形状は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）を成膜した後にパターニングをし、レジストでマスクしてドライエッチングにより白色画素の位置における保護層１３０を削り、マスクのレジストを除去することにより形成される。
そして、同図におけるｅに示されるように、隔壁１３１に区切られた青色、赤色、緑色の各色の位置にカラーフィルタ１４２乃至１４４が形成される。これらカラーフィルタ１４２乃至１４４は、それぞれの材料を順次、スピン塗布することにより形成される。
そして、同図におけるｆに示されるように、光学層１５０が形成される。この光学層１５０は、光学層１５０の材料をスピン塗布することにより形成される。この場合の光学層１５０の凸形状は、上述の第４の実施の形態と同様に、カラーフィルタ１４２乃至１４４上に一括して形成される。
このように、本技術の第５の実施の形態によれば、カラーフィルタ１４２乃至１４４の表面の凹形状により光学上の性能を向上させるとともに、その凹形状により屈折された光が他の画素に入射することを隔壁１３１により防ぐことができる。
＜６．第６の実施の形態＞
この第６の実施の形態は、一部の色のカラーフィルタの厚みに高低差を設けたものである。なお、表示装置１００としての全体構成は上述の第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
［画素構造］
図１４は、本技術の第６の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
この第６の実施の形態における画素は、上述の第４の実施の形態と同様に、電極１１０と、発光素子１２０と、保護層１３０と、カラーフィルタ１４２乃至１４４と、光学層１５０とを備える。ただし、緑色のカラーフィルタ１４４の厚みは、他の色のカラーフィルタ１４２および１４３と比べて、薄く形成されている。これにより、色バランスを調整することができる。また、このようにカラーフィルタの厚みに高低差を設けたことにより、その上に形成される光学層１５０は、緑色画素の位置において凹形状を有する。
［製造工程］
図１５は、本技術の第６の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるａ乃至ｃは、上述の第１の実施の形態と同様である。
同図におけるｄに示されるように、カラーフィルタ１４２乃至１４４が形成される。これらカラーフィルタ１４２乃至１４４は、リソグラフィにより順次形成される。この場合において、緑色のカラーフィルタ１４４の厚みは、他の色のカラーフィルタ１４２および１４３と比べて、薄く形成される。
そして、同図におけるｅに示されるように、光学層１５０が形成される。この光学層１５０は、光学層１５０の材料をスピン塗布することにより形成される。この場合の光学層１５０の凸形状は、青色および赤色のカラーフィルタ１４２および１４３上に一括して形成される。一方、緑色のカラーフィルタ１４４の上には光学層１５０の凹形状が形成される。また、他の実施の形態と同様に、白色画素の位置には、光学層１５０の凹形状が形成される。
このように、本技術の第６の実施の形態によれば、カラーフィルタ１４２乃至１４４の一部の色について厚みを変化させることにより、色バランスを調整することができる。
＜７．第７の実施の形態＞
この第７の実施の形態は、カラーフィルタ１４２乃至１４４を隙間を空けて配置したものである。なお、表示装置１００としての全体構成は上述の第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
［画素構造］
図１６は、本技術の第７の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
この第７の実施の形態における画素は、上述の第４の実施の形態と同様に、電極１１０と、発光素子１２０と、保護層１３０と、カラーフィルタ１４２乃至１４４と、光学層１５０とを備える。ただし、カラーフィルタ１４２乃至１４４は、それぞれ隙間を設けて配置される。これにより、その上に形成される光学層１５０の形状は、各画素位置において個別に凸形状を有するものとなっている。
［製造工程］
図１７は、本技術の第７の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるａ乃至ｃは、上述の第１の実施の形態と同様である。
同図におけるｄに示されるように、カラーフィルタ１４２乃至１４４が形成される。これらカラーフィルタ１４２乃至１４４は、リソグラフィにより順次形成される。このとき、カラーフィルタ１４２乃至１４４は、それぞれ隙間を設けて形成される。
そして、同図におけるｅに示されるように、光学層１５０が形成される。この光学層１５０は、光学層１５０の材料をスピン塗布することにより形成される。この場合の光学層１５０の凸形状は、青色、赤色、緑色の各画素位置において個別に形成される。一方、白色画素の位置においては、凹形状が形成される。
このように、本技術の第７の実施の形態では、青色、赤色、緑色の各画素位置において光学層１５０の凸形状が個別に形成される。これにより、白色画素の配置とは無関係に、白色以外の画素位置において凸形状の光学層１５０を設けることができる。
＜８．適用例＞
以下では、上述の実施の形態の表示装置が適用され得る電子機器の例について説明する。
図１８は、本技術の実施の形態の第１の適用例であるスマートフォン４０１の外観を示す図である。このスマートフォン４０１は、ユーザからの操作入力を受け付ける操作部４０３と、各種の情報を表示する表示部４０５とを備える。この表示部４０５が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
図１９は、本技術の実施の形態の第２の適用例であるデジタルカメラ４１１の前方（被写体側）から眺めた外観を示す図である。図２０は、本技術の実施の形態の第２の適用例であるデジタルカメラ４１１の後方から眺めた外観を示す図である。このデジタルカメラ４１１は、本体部（カメラボディ）４１３と、交換式のレンズユニット４１５と、撮影時にユーザによって把持されるグリップ部４１７とを備える。また、このデジタルカメラ４１１は、各種の情報を表示するモニタ４１９と、撮影時にユーザによって観察されるスルー画を表示するＥＶＦ（電子ビューファインダ）４２１とを備える。このモニタ４１９およびＥＶＦ４２１が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
図２１は、本技術の実施の形態の第３の適用例であるＨＭＤ４３１の外観を示す図である。このＨＭＤ（Head Mounted Display）４３１は、各種の情報を表示する眼鏡型の表示部４３３と、装着時にユーザの耳に掛止される耳掛け部４３５とを備える。この表示部４３３が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
以上、各実施の形態に係る表示装置が適用され得る電子機器のいくつかの例について説明した。なお、各実施の形態に係る表示装置が適用され得る電子機器は上に例示したものに限定されず、この表示装置は、テレビジョン装置、電子ブック、ＰＤＡ、ノート型ＰＣ、ビデオカメラ、または、ゲーム機器等、外部から入力された画像信号または内部で生成した画像信号に基づいて表示を行うあらゆる分野の電子機器に搭載される表示装置に適用することが可能である。
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）基板の上に配置された発光素子と、
前記発光素子を覆う保護層と、
前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
を具備する発光モジュール。
（２）前記色変化部材は、白色画素の位置には配置されず、
前記光学層は、白色画素の位置においては表面に凹形状を有する
前記（１）に記載の発光モジュール。
（３）前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置され、
前記光学層は、白色以外の画素の位置においては表面に凸形状を有する
前記（１）または（２）に記載の発光モジュール。
（４）前記光学層は、白色以外の画素の位置において複数画素について一括して表面に凸形状を有する
前記（３）に記載の発光モジュール。
（５）前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、白色画素の位置には配置されず、
前記光学層は、白色画素の位置においては凹形状を有して、白色以外の画素の位置においては凸形状を有し、前記凹形状と前記凸形状の曲率が互いに異なる
前記（１）に記載の発光モジュール。
（６）前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、一部の画素の位置においては他の画素のものよりも厚みが薄く、
前記光学層は、前記一部の画素の位置においては表面に凹形状を有する
前記（１）に記載の発光モジュール。
（７）前記光学層は、透明材料からなる
前記（１）から（６）のいずれかに記載の発光モジュール。
（８）前記光学層は、少なくとも無機材料を含む材料からなる
前記（１）から（６）のいずれかに記載の発光モジュール。
（９）前記光学層の表面を覆う膜であって所定の波長に対する反射率を低減させる膜をさらに具備する前記（１）から（８）のいずれかに記載の発光モジュール。
（１０）前記色変化部材の各画素間に設けられて光を反射または吸収する隔壁をさらに具備する前記（１）から（９）のいずれかに記載の発光モジュール。
（１１）前記色変化部材は、表面に凹形状を有する
前記（１０）に記載の発光モジュール。
（１２）基板と、
前記基板の上に配置された発光素子と、
前記発光素子を覆う保護層と、
前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
を具備する表示装置。
（１２）基板の上に電極を形成する手順と、
前記電極の上に発光素子を形成する手順と、
前記発光素子を覆う保護層を形成する手順と、
前記保護層の上において少なくとも一部の前記発光素子に対応して色変化部材を形成する手順と、
スピン塗布によって前記色変化部材および前記保護層を覆う湾曲形状の光学層を形成する手順と
を備える発光モジュールの製造方法。
１１ サンプリングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ 保持容量
１４ 発光素子
１５ 接地配線
１００ 表示装置
１０１ 画素回路
１０２ 画素アレイ部
１０３ 水平セレクタ
１０４ ライトスキャナ
１０５ 電源スキャナ
１１０ 電極
１２０ 発光素子
１３０ 保護層
１３１ 隔壁
１４２～１４４ カラーフィルタ
１５０ 光学層
１６０ 反射防止膜
１９０ 基板

Claims (11)

  1. 基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備し、
    前記色変化部材は、白色画素の位置には配置されず、
    前記光学層は、白色画素の位置においては表面に凹形状を有する
    発光モジュール。
  2. 基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備し、
    前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置され、
    前記光学層は、白色以外の画素の位置において複数画素について一括して表面に凸形状を有する
    発光モジュール。
  3. 基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備し、
    前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、白色画素の位置には配置されず、
    前記光学層は、白色画素の位置においては凹形状を有して、白色以外の画素の位置においては凸形状を有し、前記凹形状と前記凸形状の曲率が互いに異なる
    発光モジュール。
  4. 基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備し、
    前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、一部の画素の位置においては他の画素のものよりも厚みが薄く、
    前記光学層は、前記一部の画素の位置においては表面に凹形状を有する
    発光モジュール。
  5. 基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と、
    前記色変化部材の各画素間に設けられて光を反射または吸収する隔壁と
    を具備し、
    前記色変化部材は、表面に凹形状を有する
    発光モジュール。
  6. 基板と、
    前記基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備し、
    前記色変化部材は、白色画素の位置には配置されず、
    前記光学層は、白色画素の位置においては表面に凹形状を有する
    表示装置。
  7. 基板と、
    前記基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備し、
    前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置され、
    前記光学層は、白色以外の画素の位置において複数画素について一括して表面に凸形状を有する
    表示装置。
  8. 基板と、
    前記基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備し、
    前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、白色画素の位置には配置されず、
    前記光学層は、白色画素の位置においては凹形状を有して、白色以外の画素の位置においては凸形状を有し、前記凹形状と前記凸形状の曲率が互いに異なる
    表示装置。
  9. 基板と、
    前記基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備し、
    前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、一部の画素の位置においては他の画素のものよりも厚みが薄く、
    前記光学層は、前記一部の画素の位置においては表面に凹形状を有する
    表示装置。
  10. 基板と、
    前記基板の上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を覆う保護層と、
    前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
    前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と、
    前記色変化部材の各画素間に設けられて光を反射または吸収する隔壁と
    を具備し、
    前記色変化部材は、表面に凹形状を有する
    表示装置。
  11. 基板の上に電極を形成する手順と、
    前記電極の上に発光素子を形成する手順と、
    前記発光素子を覆う保護層を形成する手順と、
    前記保護層の上において少なくとも一部の前記発光素子に対応して色変化部材を形成する手順と、
    スピン塗布によって前記色変化部材および前記保護層を覆う湾曲形状の光学層を形成する手順と
    を備え、
    前記色変化部材は、白色画素の位置には配置されず、
    前記光学層は、白色画素の位置においては表面に凹形状を有する
    発光モジュールの製造方法。
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