WO2019130956A1 - 発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法 - Google Patents

発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法 Download PDF

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兼作 前田
公啓 新屋
山本 篤志
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Definitions

  • the present technology relates to a light emitting module. More specifically, the present invention relates to a light emitting module that includes a light emitting element to perform color display, a display device, and a method of manufacturing them.
  • a self light emitting element such as an organic electroluminescence (EL: Electro-Luminescence) element may be color-changed by a color filter to make a desired color appear.
  • EL Organic electroluminescence
  • a display device in which a protective layer is provided on the light incident surface, the side surface, and the light emission surface of the color filter has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • the present technology is produced in view of such a situation, and an object thereof is to simplify a manufacturing process of a light emitting module.
  • a first side surface thereof includes a light emitting element disposed on a substrate, a protective layer covering the light emitting element, and the protective layer.
  • a light emitting module comprising: a color change member arranged corresponding to at least a part of the light emitting element, and an optical layer covering the color change member and the protective layer to condense or scatter light by a curved shape And a display device. This brings about the effect
  • the color change member may not be disposed at the position of the white pixel, and the optical layer may have a concave shape on the surface at the position of the white pixel. This brings about the effect
  • the color change member may be disposed at the position of a pixel other than white, and the optical layer may have a convex shape on the surface at the position of the pixel other than white. This brings about the effect
  • the optical layer may have a convex shape on the surface collectively for a plurality of pixels at positions of pixels other than white. This brings about the effect
  • the color change member is disposed at the position of the pixel other than white and not at the position of the white pixel, and the optical layer has a concave shape at the position of the white pixel. It has a convex shape at the position of a pixel other than white, and the curvature of the concave shape and the convex shape may be different from each other. This brings about the effect
  • the color change member is disposed at the position of a pixel other than white, and the thickness of a portion of the pixels is thinner than that of the other pixels, and the optical layer is At the position of the part of the pixels, the surface may have a concave shape. This brings about the effect
  • the optical layer may be made of a transparent material or a material containing at least an inorganic material.
  • the first side surface may further include a film that covers the surface of the optical layer and reduces the reflectance for a predetermined wavelength. This brings about the effect
  • the first side may further include a barrier provided between the pixels of the color change member to reflect or absorb light. This brings about the effect
  • the color change member may have a concave shape on the surface. This brings about the effect
  • a second aspect of the present technology provides a procedure of forming an electrode on a substrate, a procedure of forming a light emitting element on the electrode, a procedure of forming a protective layer covering the light emitting element, and the protection Light emission comprising a step of forming a color change member corresponding to at least a part of the light emitting element on the layer, and a step of forming a curved optical layer covering the color change member and the protective layer by spin coating It is a manufacturing method of a module. This brings about the effect of simultaneously forming the barrier layer of the color change member and the lens in one step.
  • the present technology it is possible to achieve the excellent effect that the manufacturing process of the light emitting module can be simplified.
  • the effect described here is not necessarily limited, and may be any effect described in the present disclosure.
  • First embodiment an example in which an optical layer having a curved shape is provided
  • Second embodiment example in which the curvature of the optical layer of the white pixel is changed
  • Third embodiment example with anti-reflection film on the surface
  • Fourth embodiment example of collectively covering RGB pixels with an optical layer
  • Fifth embodiment example in which the surface of the color filter is concaved
  • Sixth embodiment an example in which a height difference is provided to a color filter
  • Seventh embodiment an example in which a gap is provided between color filters to form a curved shape
  • FIG. 1 is a diagram illustrating an example of the entire configuration of a display device 100 according to an embodiment of the present technology.
  • the display device 100 includes, for example, a pixel array unit 102 and a drive unit that drives the pixel array unit 102.
  • the drive unit includes a horizontal selector 103, a light scanner 104, and a power supply scanner 105.
  • the pixel array unit 102 includes a plurality of pixel circuits 101 arranged in a matrix.
  • a power supply line DSL and a scanning line WSL are provided corresponding to each row of the plurality of pixel circuits 101.
  • signal lines DTL are provided corresponding to the respective columns of the plurality of pixel circuits 101.
  • the write scanner 104 sequentially supplies a control signal to each of the scanning lines WSL to perform line-sequential scanning of the pixel circuits 101 row by row.
  • the power supply scanner 105 supplies a power supply voltage to each of the power supply lines DSL in accordance with line sequential scanning.
  • the horizontal selector 103 supplies a signal potential serving as a video signal and a reference potential to the signal line DTL in the form of a column in line-sequential scanning.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of a circuit configuration of the pixel circuit 101 in the embodiment of the present technology.
  • the pixel circuit 101 includes, for example, a light emitting element 14 such as an organic EL element, a sampling transistor 11, a driving transistor 12, and a storage capacitor 13.
  • the gate of the sampling transistor 11 is connected to the corresponding scan line WSL, one of the source and the drain is connected to the corresponding signal line DTL, and the other of the source and the drain is connected to the gate of the drive transistor 12.
  • the source of the driving transistor 12 is connected to the anode of the light emitting element 14, and the drain is connected to the corresponding power supply line DSL.
  • the cathode of the light emitting element 14 is connected to the ground wiring 15.
  • the ground wiring 15 is commonly wired to all the pixel circuits 101.
  • the storage capacitor 13 is connected between the source and the gate of the drive transistor 12.
  • the storage capacitor 13 holds the signal potential of the video signal supplied from the signal line DTL.
  • FIG. 3 is a view showing an example of a schematic cross-sectional structure of a light emitting module according to the first embodiment of the present technology.
  • the pixel in the first embodiment includes an electrode 110, a light emitting element 120, a protective layer 130, a blue color filter 142, and an optical layer 150.
  • the electrode 110 is an anode electrode of the light emitting element 120, and for example, a metal such as AlCu alloy, tin (Ti), a transparent electrode of indium tin oxide (ITO), or the like is assumed.
  • a metal such as AlCu alloy, tin (Ti), a transparent electrode of indium tin oxide (ITO), or the like is assumed.
  • the light emitting element 120 is the above-described light emitting element 14 that converts an electrical signal into an optical signal, and, for example, an organic EL element is assumed.
  • an organic layer is formed between the cathode electrode and the electrode 110.
  • the material of the cathode electrode may be, for example, a transparent electrode of MgAg alloy or indium tin oxide (ITO).
  • the protective layer 130 is a barrier layer that covers the light emitting element 120 and prevents deterioration of the light emitting element 120.
  • the material of the protective layer 130 is, for example, silicon nitride (SiN).
  • the color filter 142 is a color change member that changes the color of the light from the light emitting element 120.
  • the color filter 142 is formed, for example, by mixing an organic pigment such as a photoresist with an organic pigment and performing photolithography.
  • the cross section of the repeated portion of the white pixel and the blue pixel is shown, and the blue color filter 142 is disposed corresponding to the light emitting element 120 of the blue pixel.
  • no color filter is arranged at the position of the white pixel.
  • the color filter 142 is an example of the color change member described in the claims.
  • the optical layer 150 is a layer that covers the color filter 142 and the protective layer 130 and collects or scatters light according to the curved shape. That is, the optical layer 150 is a barrier layer of the color filter 142 and a layer having a function as a lens.
  • a material of the optical layer 150 an acrylic photopolymerizable composition is assumed.
  • tin oxide (TiO 2 ) particles may be mixed as a filler in order to improve the refractive index and the cap property.
  • the optical layer 150 is formed by spin coating these materials.
  • a convex lens is formed at the position of the blue pixel at which the color filter 142 is disposed, and a concave lens is formed at the position of the white pixel at which the color filter 142 is not disposed.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating an example of optical characteristics of the light emitting module according to the first embodiment of the present technology.
  • the light 612 from the light emitting element 120 is color-changed to blue by the color filter 142 and emitted through the convex lens of the optical layer 150.
  • the light 611 from the light emitting element 120 is emitted through the concave lens of the optical layer 150.
  • FIG. 5 is a view showing an example of a manufacturing process of the light emitting module according to the first embodiment of the present technology.
  • an electrode 110 is formed on a substrate 190, as indicated by a in FIG.
  • the electrode 110 is formed by lithography. That is, patterning is performed after a material to be the electrode 110 is formed, patterning is performed using a resist, unnecessary portions are removed by etching, and the resist of the mask is removed to form the electrode 110.
  • the light emitting element 120 is formed on the electrode 110.
  • the light emitting element 120 is formed by vapor deposition. That is, it is formed by depositing a thin film of a material to be the light emitting element 120 in the vapor phase.
  • the protective layer 130 is formed in the substrate surface in which the light emitting element 120 was formed.
  • This protective layer 130 is formed by chemical vapor deposition (CVD: Chemical Vapor Deposition).
  • the color filter 142 is formed.
  • the color filter 142 is formed by lithography.
  • the optical layer 150 is formed.
  • the optical layer 150 is formed by spin coating the material of the optical layer 150. That is, by applying a liquid material while rotating the wafer, the material is applied to the surface using centrifugal force. As a result, a film having a curved shape corresponding to the uneven state of the surface is formed.
  • the manufacturing process of the light emitting module can be simplified.
  • the luminous efficiency can be improved by focusing with the convex lens of the optical layer 150.
  • the concave lens of the optical layer 150 can suppress the reflection from the electrode 110 to suppress the decrease in black contrast and white balance. Since the optical layer 150 is a barrier layer of the color filter 142 and has a function as a lens, both functions can be simultaneously formed by the same member, and an additional process is not required.
  • Second embodiment> the curvature of the concave shape of the optical layer 150 at the position of the white pixel is changed.
  • the whole structure as the display apparatus 100 is the same as that of the above-mentioned 1st Embodiment, detailed description is abbreviate
  • FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a schematic cross-sectional structure of a light emitting module according to a second embodiment of the present technology.
  • the pixel in the second embodiment includes the electrode 110, the light emitting element 120, the protective layer 130, the blue color filter 142, and the optical layer 150, as in the first embodiment described above.
  • the protective layer 130 at the position of the white pixel is dug in and is lower than the height of the protective layer 130 at the position of the blue pixel. Therefore, the curved shape of the optical layer 150 formed thereon is different from that of the first embodiment described above.
  • the curvature of the concave shape of the optical layer 150 at the position of the white pixel is larger than the curvature of the convex shape of the optical layer 150 at the position of the blue pixel.
  • the power (refractive power) of the optical layer 150 as a lens at the position of the white pixel can be improved.
  • FIG. 7 is a view showing an example of a manufacturing process of the light emitting module in the second embodiment of the present technology.
  • the reference characters a to c in the figure are the same as those in the first embodiment described above.
  • the protective layer 130 at the position of the white pixel is removed.
  • This shape is formed, for example, by depositing silicon nitride (SiN), patterning it, masking it with a resist, shaving off the protective layer 130 at the position of a white pixel by dry etching, and removing the resist of the mask .
  • the color filter 142 is formed.
  • the color filter 142 is formed by lithography.
  • the optical layer 150 is formed.
  • the optical layer 150 is formed by spin coating the material of the optical layer 150.
  • the concave curvature of the optical layer 150 is the same as the convex shape of the optical layer 150 at the position of the blue pixel. It becomes larger than the curvature.
  • the power of the optical layer 150 as a lens can be improved by increasing the curvature of the concave shape of the optical layer 150 at the position of the white pixel. .
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a schematic cross-sectional structure of a light emitting module according to a third embodiment of the present technology.
  • the pixel according to the third embodiment includes the electrode 110, the light emitting element 120, the protective layer 130, the blue color filter 142, and the optical layer 150, as in the first embodiment described above. .
  • the pixel in the third embodiment further includes an anti-reflection film 160 on the surface of the optical layer 150.
  • the anti-reflection film 160 is a film that covers the surface of the optical layer 150 and is an anti-reflection film that reduces the reflectance for a predetermined wavelength. Thereby, the reflection of light from the outside can be prevented, and the performance as the display device 100 can be improved.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of the light emitting module according to the third embodiment of the present technology.
  • the symbols a to e in the figure are the same as those in the first embodiment described above.
  • An antireflective film 160 is formed on the surface of the optical layer 150 as shown by f in the same figure.
  • the antireflective film 160 is formed by chemical vapor deposition (CVD).
  • CVD chemical vapor deposition
  • As the material of the anti-reflection film 160 for example, silicon dioxide (SiO 2) it is assumed.
  • the anti-reflection film 160 on the surface of the optical layer 150, reflection of light from the outside can be prevented, and the performance as the display device 100 can be improved. Can be improved.
  • the convex shape of the optical layer 150 is collectively formed on a plurality of pixels.
  • the whole structure as the display apparatus 100 is the same as that of the above-mentioned 1st Embodiment, detailed description is abbreviate
  • FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a schematic cross-sectional structure of a light emitting module according to a fourth embodiment of the present technology.
  • the pixel in the fourth embodiment includes an electrode 110, a light emitting element 120, a protective layer 130, color filters 142 to 144, and an optical layer 150. That is, the blue color filter 142 is disposed corresponding to the light emitting element 120 of the blue pixel, the red color filter 143 is disposed corresponding to the light emitting element 120 of the red pixel, and the light emitting element 120 corresponding to the green pixel A green color filter 144 is disposed.
  • the color filters 142 to 144 are an example of the color change member described in the claims.
  • the color filters 142 to 144 are disposed in close proximity to one another. Therefore, the optical layer 150 formed thereon has a convex shape collectively on the color filters 142 to 144. On the other hand, at the position of the white pixel, the concave shape of the optical layer 150 is formed as in the first embodiment described above.
  • FIG. 11 is a view showing an example of a manufacturing process of the light emitting module according to the fourth embodiment of the present technology.
  • the reference characters a to c in the figure are the same as those in the first embodiment described above.
  • color filters 142 to 144 are formed.
  • the color filters 142 to 144 are sequentially formed by lithography.
  • the optical layer 150 is formed.
  • the optical layer 150 is formed by spin coating the material of the optical layer 150.
  • the convex shape of the optical layer 150 in this case is collectively formed on the color filters 142 to 144.
  • the convex shape of the optical layer 150 is collectively formed on the color filters 142 to 144. Thereby, the performance as a lens of optical layer 150 at the time of expanding a viewing angle can be improved.
  • the surface shape of the color filter is a concave shape.
  • the whole structure as the display apparatus 100 is the same as that of the above-mentioned 1st Embodiment, detailed description is abbreviate
  • FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a schematic cross-sectional structure of a light emitting module according to a fifth embodiment of the present technology.
  • the pixel in the fifth embodiment includes the electrode 110, the light emitting element 120, the protective layer 130, the color filters 142 to 144, and the optical layer 150 as in the fourth embodiment described above.
  • the partition wall 131 is provided between the respective pixels, the surface shape of the color filters 142 to 144 has a concave shape.
  • the concave shape of the surface of the color filters 142 to 144 refracts light from the front, thereby improving the optical performance.
  • the partition wall 131 reflects or absorbs light, and prevents the light refracted by the concave shape of the surface of the color filters 142 to 144 from being incident on other pixels.
  • Drawing 13 is a figure showing an example of a manufacturing process of a light emitting module in a 5th embodiment of this art.
  • the reference characters a to c in the figure are the same as those in the first embodiment described above.
  • the protective layer 130 at the position of each pixel is scraped to form the partition wall 131.
  • This shape is formed, for example, by depositing silicon nitride (SiN), patterning it, masking it with a resist, shaving off the protective layer 130 at the position of a white pixel by dry etching, and removing the resist of the mask .
  • the color filters 142 to 144 are formed at the positions of the respective colors of blue, red and green divided by the partition wall 131.
  • the color filters 142 to 144 are formed by spin-coating the respective materials sequentially.
  • the optical layer 150 is formed.
  • the optical layer 150 is formed by spin coating the material of the optical layer 150.
  • the convex shape of the optical layer 150 in this case is collectively formed on the color filters 142 to 144 as in the fourth embodiment described above.
  • optical performance is improved by the concave shape of the surface of the color filters 142 to 144, and light refracted by the concave shape is transmitted to other pixels. Incident light can be prevented by the partition wall 131.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a schematic cross-sectional structure of a light emitting module according to a sixth embodiment of the present technology.
  • the pixel in the sixth embodiment includes the electrode 110, the light emitting element 120, the protective layer 130, the color filters 142 to 144, and the optical layer 150, as in the above-described fourth embodiment.
  • the thickness of the green color filter 144 is thinner than the color filters 142 and 143 of the other colors. Thereby, the color balance can be adjusted.
  • the optical layer 150 formed thereon has a concave shape at the position of the green pixel.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of the light emitting module according to the sixth embodiment of the present technology.
  • the reference characters a to c in the figure are the same as those in the first embodiment described above.
  • color filters 142 to 144 are formed.
  • the color filters 142 to 144 are sequentially formed by lithography. In this case, the thickness of the green color filter 144 is thinner than the color filters 142 and 143 of other colors.
  • the optical layer 150 is formed.
  • the optical layer 150 is formed by spin coating the material of the optical layer 150.
  • the convex shapes of the optical layer 150 in this case are collectively formed on the blue and red color filters 142 and 143.
  • the concave shape of the optical layer 150 is formed on the green color filter 144. Further, as in the other embodiments, the concave shape of the optical layer 150 is formed at the position of the white pixel.
  • the color balance can be adjusted by changing the thickness of a part of the color filters 142 to 144.
  • the color filters 142 to 144 are disposed with a gap.
  • the whole structure as the display apparatus 100 is the same as that of the above-mentioned 1st Embodiment, detailed description is abbreviate
  • FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a schematic cross-sectional structure of a light emitting module according to a seventh embodiment of the present technology.
  • the pixel in the seventh embodiment includes the electrode 110, the light emitting element 120, the protective layer 130, the color filters 142 to 144, and the optical layer 150, as in the above-described fourth embodiment. .
  • the color filters 142 to 144 are disposed with gaps.
  • the shape of the optical layer 150 formed thereon has a convex shape individually at each pixel position.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of the light emitting module according to the seventh embodiment of the present technology.
  • the reference characters a to c in the figure are the same as those in the first embodiment described above.
  • color filters 142 to 144 are formed.
  • the color filters 142 to 144 are sequentially formed by lithography. At this time, the color filters 142 to 144 are each formed with a gap.
  • the optical layer 150 is formed.
  • the optical layer 150 is formed by spin coating the material of the optical layer 150.
  • the convex shape of the optical layer 150 in this case is individually formed at each of blue, red and green pixel positions.
  • a concave shape is formed at the position of the white pixel.
  • the convex shapes of the optical layer 150 are individually formed at blue, red and green pixel positions. Thereby, the convex-shaped optical layer 150 can be provided at pixel positions other than white regardless of the arrangement of the white pixels.
  • Drawing 18 is a figure showing the appearance of smart phone 401 which is the 1st application example of an embodiment of this art.
  • the smartphone 401 includes an operation unit 403 that receives an operation input from a user, and a display unit 405 that displays various types of information.
  • the display unit 405 can be configured by the display device of the above-described embodiment.
  • FIG. 19 is a view showing an appearance of the digital camera 411 as a second application example of the embodiment of the present technology, as viewed from the front (subject side).
  • FIG. 20 is a diagram showing an appearance of the digital camera 411 as a second application example of the embodiment of the present technology, viewed from the rear.
  • the digital camera 411 includes a main body (camera body) 413, an interchangeable lens unit 415, and a grip 417 gripped by the user at the time of shooting.
  • the digital camera 411 further includes a monitor 419 for displaying various information, and an EVF (Electronic View Finder) 421 for displaying a through image observed by the user at the time of shooting.
  • the monitor 419 and the EVF 421 can be configured by the display device of the above-described embodiment.
  • FIG. 21 is a view showing an appearance of an HMD 431 which is a third application example of the embodiment of the present technology.
  • the HMD (Head Mounted Display) 431 includes an eyeglass-type display unit 433 that displays various types of information, and an ear hook unit 435 that is hooked on the user's ear when worn.
  • the display unit 433 can be configured by the display device of the above-described embodiment.
  • the electronic device to which the display device according to each embodiment can be applied is not limited to those exemplified above, and this display device may be a television device, an electronic book, a PDA, a notebook PC, a video camera, or The present invention can be applied to a display device mounted on an electronic device in any field that performs display based on an externally input image signal or an internally generated image signal such as a game device.
  • the present technology can also be configured as follows. (1) a light emitting element disposed on a substrate; A protective layer covering the light emitting element; A color change member disposed corresponding to at least a part of the light emitting elements via the protective layer; A light emitting module comprising: an optical layer covering the color change member and the protective layer to condense or scatter light by a curved shape. (2) The color change member is not disposed at the position of the white pixel, The light emitting module according to (1), wherein the optical layer has a concave shape on the surface at the position of a white pixel.
  • the color change member is disposed at the position of a pixel other than white,
  • the color change member is disposed at the position of a pixel other than white and not disposed at the position of a white pixel.
  • the optical layer has a concave shape at the position of a white pixel, has a convex shape at the position of a pixel other than white, and the concave shape and the convex shape have different curvatures described in (1).
  • the color change member is disposed at the position of a pixel other than white, and the thickness of a portion of the pixels is thinner than that of the other pixels,
  • the light emitting module according to (1), wherein the optical layer has a concave shape on the surface at the position of the part of the pixels.
  • the color change member has a concave shape on the surface.
  • substrate A light emitting element disposed on the substrate; A protective layer covering the light emitting element; A color change member disposed corresponding to at least a part of the light emitting elements via the protective layer;
  • a display device comprising: an optical layer covering the color change member and the protective layer to condense or scatter light by a curved shape.
  • forming an electrode on the substrate Forming a light emitting element on the electrode; Forming a protective layer covering the light emitting element; Forming a color change member corresponding to at least a part of the light emitting elements on the protective layer; Forming a curved optical layer covering the color change member and the protective layer by spin coating.

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Abstract

画像を表示させるための発光モジュールにおいてその製造工程を簡単化する。 発光モジュールは、発光素子と、保護層と、色変化部材と、光学層とを備える。発光素子は、基板の上に配置される。保護層は、発光素子を覆うように形成される。色変化部材は、保護層を介して少なくとも一部の発光素子に対応して配置される。光学層は、色変化部材および保護層を覆うように形成される。この光学層は、光を湾曲形状により集光または散乱させる。

Description

発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法
 本技術は、発光モジュールに関する。詳しくは、発光素子を備えて色表示を行う発光モジュール、表示装置、および、それらの製造方法に関する。
 画像を表示させるための発光モジュールにおいては、有機エレクトロルミネッセンス(EL:Electro-Luminescence)素子などの自発光素子からの光を、カラーフィルタにより色変化させて、所望の色を発色させることがある。従来においては、カラーフィルタの光入射面、側面および光出射面に保護層を設けた表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2015-187635号公報
 上述の従来技術では、カラーフィルタの周囲に保護層を設けることにより、残留溶剤や脱ガスに起因する信頼性の低下を抑制していた。しかしながら、そのような保護層を形成するためには追加工程が必要であり、製造工程が複雑になるおそれがある。また、特に白色画素においては、電極からの反射によって、黒色のコントラストやホワイトバランスが低下するおそれがある。
 本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、発光モジュールの製造工程を簡単化することを目的とする。
 本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第1の側面は、基板の上に配置された発光素子と、上記発光素子を覆う保護層と、上記保護層を介して少なくとも一部の上記発光素子に対応して配置される色変化部材と、上記色変化部材および上記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層とを具備する発光モジュールおよび表示装置である。これにより、色変化部材のバリア層とレンズとを同一材料により形成するという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記色変化部材は、白色画素の位置には配置されず、上記光学層は、白色画素の位置においては表面に凹形状を有するようにしてもよい。これにより、白色画素の位置において光学層の凹形状を形成するという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置され、上記光学層は、白色以外の画素の位置においては表面に凸形状を有するようにしてもよい。これにより、白色以外の画素の位置において光学層の凹形状を形成するという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記光学層は、白色以外の画素の位置において複数画素について一括して表面に凸形状を有するようにしてもよい。これにより、白色以外の画素の位置において複数画素に一括して凸形状を形成するという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、白色画素の位置には配置されず、上記光学層は、白色画素の位置においては凹形状を有して、白色以外の画素の位置においては凸形状を有し、上記凹形状と上記凸形状の曲率が互いに異なるようにしてもよい。これにより、白色画素の位置において白色以外の画素の位置とは異なる曲率の凹形状を形成するという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、一部の画素の位置においては他の画素のものよりも厚みが薄く、上記光学層は、上記一部の画素の位置においては表面に凹形状を有するようにしてもよい。これにより、一部の画素の位置において光学層の凹形状を形成するという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記光学層は、透明材料または少なくとも無機材料を含む材料からなるものであってもよい。
 また、この第1の側面において、上記光学層の表面を覆う膜であって所定の波長に対する反射率を低減させる膜をさらに具備するようにしてもよい。これにより、光の反射を防止するという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記色変化部材の各画素間に設けられて光を反射または吸収する隔壁をさらに具備するようにしてもよい。これにより、光が他の画素に入射することを防ぐという作用をもたらす。
 また、この第1の側面において、上記色変化部材は、表面に凹形状を有するようにしてもよい。これにより、正面からの光を屈折させるという作用をもたらす。
 また、本技術の第2の側面は、基板の上に電極を形成する手順と、上記電極の上に発光素子を形成する手順と、上記発光素子を覆う保護層を形成する手順と、上記保護層の上において少なくとも一部の上記発光素子に対応して色変化部材を形成する手順と、スピン塗布によって上記色変化部材および上記保護層を覆う湾曲形状の光学層を形成する手順とを備える発光モジュールの製造方法である。これにより、色変化部材のバリア層とレンズとを1つの工程で同時形成するという作用をもたらす。
 本技術によれば、発光モジュールの製造工程を簡単化することができるという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術の実施の形態における表示装置100の全体構成の一例を示す図である。 本技術の実施の形態における画素回路101の回路構成例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態における発光モジュールの光学特性の一例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第2の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第2の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第3の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第3の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第4の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第4の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第5の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第5の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第6の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第6の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の第7の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。 本技術の第7の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。 本技術の実施の形態の第1の適用例であるスマートフォン401の外観を示す図である。 本技術の実施の形態の第2の適用例であるデジタルカメラ411の前方(被写体側)から眺めた外観を示す図である。 本技術の実施の形態の第2の適用例であるデジタルカメラ411の後方から眺めた外観を示す図である。 本技術の実施の形態の第3の適用例であるHMD431の外観を示す図である。
 以下、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態と称する)について説明する。説明は以下の順序により行う。
 1.第1の実施の形態(湾曲形状を有する光学層を設けた例)
 2.第2の実施の形態(白色画素の光学層の曲率を変化させた例)
 3.第3の実施の形態(表面に反射防止膜を付した例)
 4.第4の実施の形態(RGB画素を一括して光学層により覆う例)
 5.第5の実施の形態(カラーフィルタの表面を凹形状にした例)
 6.第6の実施の形態(カラーフィルタに高低差を設けた例)
 7.第7の実施の形態(カラーフィルタの間に隙間を設けて湾曲形状を形成した例)
 8.適用例
 <1.第1の実施の形態>
 [表示装置の構成]
 図1は、本技術の実施の形態における表示装置100の全体構成の一例を示す図である。
 この表示装置100は、例えば、画素アレイ部102と、これを駆動する駆動部とを備える。駆動部は、水平セレクタ103と、ライトスキャナ104と、電源スキャナ105とを備える。
 画素アレイ部102は、行列状に配置された複数の画素回路101を備える。複数の画素回路101の各行に対応して、電源線DSLおよび走査線WSLが設けられる。また、複数の画素回路101の各列に対応して、信号線DTLが設けられる。
 ライトスキャナ104は、走査線WSLの各々に順次、制御信号を供給して、画素回路101を行単位で線順次走査するものである。電源スキャナ105は、線順次走査に合わせて、電源線DSLの各々に電源電圧を供給するものである。水平セレクタ103は、線順次走査に合わせて、列状の信号線DTLに、映像信号となる信号電位および基準電位を供給するものである。
 図2は、本技術の実施の形態における画素回路101の回路構成例を示す図である。
 画素回路101は、例えば、有機EL素子などの発光素子14と、サンプリングトランジスタ11と、駆動トランジスタ12と、保持容量13とを備える。
 サンプリングトランジスタ11は、ゲートが対応する走査線WSLに接続され、ソースおよびドレインの一方が対応する信号線DTLに接続され、ソースおよびドレインの他方が駆動トランジスタ12のゲートに接続される。
 駆動トランジスタ12は、ソースが発光素子14のアノードに接続され、ドレインが対応する電源線DSLに接続される。発光素子14のカソードは接地配線15に接続される。なお、この接地配線15は全ての画素回路101に対して共通に配線される。
 保持容量13は、駆動トランジスタ12のソースとゲートの間に接続される。保持容量13は、信号線DTLから供給される映像信号の信号電位を保持するものである。
 [画素構造]
 図3は、本技術の第1の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
 この第1の実施の形態における画素は、電極110と、発光素子120と、保護層130と、青色のカラーフィルタ142と、光学層150とを備える。
 電極110は、発光素子120のアノード電極であり、例えば、AlCu合金、錫(Ti)などの金属、酸化インジウム錫(ITO:Indium Tin Oxide)の透明電極などが想定される。
 発光素子120は、電気信号を光信号に変換する上述の発光素子14であり、例えば、有機EL素子が想定される。この場合、カソード電極と電極110との間に有機層が形成される。カソード電極の材料は、例えば、MgAg合金や酸化インジウム錫(ITO)の透明電極などが想定される。
 保護層130は、発光素子120を覆い、発光素子120の劣化を防ぐためのバリア層である。この保護層130の材料は、例えば、窒化シリコン(SiN)が想定される。
 カラーフィルタ142は、発光素子120からの光の色を変化させる色変化部材である。このカラーフィルタ142は、例えば、フォトレジストなどの有機材料に有機顔料を混合してフォトリソグラフィを行うことにより形成される。この例では、白色画素と青色画素の繰り返し部分の断面を示しており、青色画素の発光素子120に対応して青色のカラーフィルタ142が配置される。一方、白色画素の位置にはカラーフィルタは配置されない。なお、このカラーフィルタ142は、特許請求の範囲に記載の色変化部材の一例である。
 光学層150は、カラーフィルタ142および保護層130を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる層である。すなわち、この光学層150は、カラーフィルタ142のバリア層であるとともに、レンズとしての機能を有する層である。この光学層150の材料としては、アクリル系の光重合性組成物が想定される。また、屈折率を向上させるとともにキャップ性を高めるために、酸化錫(TiO2)の粒子をフィラとして混ぜてもよい。この光学層150は、これらの材料をスピン塗布することにより形成される。これにより、カラーフィルタ142が配置されている青色画素の位置には凸形状のレンズが形成され、カラーフィルタ142が配置されていない白色画素の位置には凹形状のレンズが形成される。
 図4は、本技術の第1の実施の形態における発光モジュールの光学特性の一例を示す図である。
 青色画素の位置においては、発光素子120からの光612がカラーフィルタ142によって青色に色変化され、光学層150の凸形状のレンズを介して出射される。一方、白色画素の位置においては、発光素子120からの光611が光学層150の凹形状のレンズを介して出射される。
 この場合、正面からの光621が入射しても、白色画素の位置の凹形状のレンズによって入射角が変化し、電極110に反射することがない。したがって、この凹形状のレンズによって、電極110からの反射による黒色のコントラストやホワイトバランスの低下を抑制することができる。
 [製造工程]
 図5は、本技術の第1の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。
 まず、同図におけるaに示されるように、基板190の上に電極110が形成される。この電極110は、リソグラフィにより形成される。すなわち、電極110となる材料を成膜した後にパターニングをし、レジストでマスクしてエッチングにより不要部分を削り、マスクのレジストを除去することにより、電極110が形成される。
 そして、同図におけるbに示されるように、電極110の上に発光素子120が形成される。この発光素子120は、蒸着により形成される。すなわち、気相中で発光素子120となる材料の薄膜を堆積することにより形成される。
 そして、同図におけるcに示されるように、発光素子120が形成された基板表面に、保護層130が形成される。この保護層130は、化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)により形成される。
 そして、同図におけるdに示されるように、カラーフィルタ142が形成される。このカラーフィルタ142は、リソグラフィにより形成される。
 そして、同図におけるeに示されるように、光学層150が形成される。この光学層150は、光学層150の材料をスピン塗布することにより形成される。すなわち、ウェハを回転させながら液状の材料を塗ることにより、遠心力を利用して表面に材料を塗布する。これにより、表面の凹凸状態に応じた湾曲形状の膜が形成される。
 このように、本技術の第1の実施の形態によれば、カラーフィルタ142および保護層130を覆う湾曲形状の光学層150を設けることにより、発光モジュールの製造工程を簡単化することができる。この場合において、青色画素の位置においては、光学層150の凸形状のレンズによる集光により、発光効率を向上させることができる。一方、白色画素の位置においては、光学層150の凹形状のレンズにより、電極110からの反射を抑制して、黒色のコントラストやホワイトバランスの低下を抑制することができる。光学層150は、カラーフィルタ142のバリア層であるとともに、レンズとしての機能を有するため、両者の機能を同一部材により同時形成することができ、追加工程を必要としない。
 <2.第2の実施の形態>
 この第2の実施の形態は、白色画素の位置における光学層150の凹形状の曲率を変化させたものである。なお、表示装置100としての全体構成は上述の第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
 [画素構造]
 図6は、本技術の第2の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
 この第2の実施の形態における画素は、上述の第1の実施の形態と同様に、電極110と、発光素子120と、保護層130と、青色のカラーフィルタ142と、光学層150とを備える。ただし、白色画素の位置における保護層130には掘り込みが入っており、青色画素の位置における保護層130の高さよりも低くなっている。そのため、その上に形成される光学層150の湾曲形状は、上述の第1の実施の形態とは異なっている。
 すなわち、白色画素の位置における光学層150の凹形状の曲率は、青色画素の位置における光学層150の凸形状の曲率よりも大きくなっている。このように曲率を変化させたことにより、白色画素の位置における光学層150のレンズとしてのパワー(屈折力)を向上させることができる。
 [製造工程]
 図7は、本技術の第2の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるa乃至cは、上述の第1の実施の形態と同様である。
 同図におけるdに示されるように、白色画素の位置における保護層130が削られる。この形状は、例えば、窒化シリコン(SiN)を成膜した後にパターニングをし、レジストでマスクしてドライエッチングにより白色画素の位置における保護層130を削り、マスクのレジストを除去することにより形成される。
 そして、同図におけるeに示されるように、カラーフィルタ142が形成される。このカラーフィルタ142は、リソグラフィにより形成される。
 そして、同図におけるfに示されるように、光学層150が形成される。この光学層150は、光学層150の材料をスピン塗布することにより形成される。この第2の実施の形態においては、白色画素の位置における保護層130の高さが低くなっているため、光学層150の凹形状の曲率は、青色画素の位置における光学層150の凸形状の曲率よりも大きくなる。
 このように、本技術の第2の実施の形態によれば、白色画素の位置における光学層150の凹形状の曲率を大きくすることにより、光学層150のレンズとしてのパワーを向上させることができる。
 <3.第3の実施の形態>
 この第3の実施の形態は、光学層150の表面に反射防止膜を形成したものである。なお、表示装置100としての全体構成は上述の第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
 [画素構造]
 図8は、本技術の第3の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
 この第3の実施の形態における画素は、上述の第1の実施の形態と同様に、電極110と、発光素子120と、保護層130と、青色のカラーフィルタ142と、光学層150とを備える。また、この第3の実施の形態における画素は、さらに、光学層150の表面に反射防止膜160を備える。
 反射防止膜160は、光学層150の表面を覆う膜であって、所定の波長に対する反射率を低減させる反射防止膜(Anti Reflection Coating)である。これにより、外部からの光の反射を防止して、表示装置100としての性能を向上させることができる。
 [製造工程]
 図9は、本技術の第3の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるa乃至eは、上述の第1の実施の形態と同様である。
 同図におけるfに示されるように、光学層150の表面に反射防止膜160が形成される。この反射防止膜160は、化学気相成長(CVD)により形成される。この反射防止膜160の材料としては、例えば、二酸化ケイ素(SiO2)が想定される。
 このように、本技術の第3の実施の形態によれば、光学層150の表面に反射防止膜160を形成することにより、外部からの光の反射を防止して、表示装置100としての性能を向上させることができる。
 <4.第4の実施の形態>
 この第4の実施の形態は、複数画素の上に光学層150の凸形状を一括して形成したものである。なお、表示装置100としての全体構成は上述の第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
 [画素構造]
 図10は、本技術の第4の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
 この第4の実施の形態における画素は、電極110と、発光素子120と、保護層130と、カラーフィルタ142乃至144と、光学層150とを備える。すなわち、青色画素の発光素子120に対応して青色のカラーフィルタ142が配置され、赤色画素の発光素子120に対応して赤色のカラーフィルタ143が配置され、緑色画素の発光素子120に対応して緑色のカラーフィルタ144が配置される。なお、カラーフィルタ142乃至144は、特許請求の範囲に記載の色変化部材の一例である。
 この第4の実施の形態において、カラーフィルタ142乃至144は、互いに密接して配置される。そのため、その上に形成される光学層150は、カラーフィルタ142乃至144上に一括して凸形状を有する。一方、白色画素の位置においては、上述の第1の実施の形態と同様に光学層150の凹形状が形成される。
 [製造工程]
 図11は、本技術の第4の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるa乃至cは、上述の第1の実施の形態と同様である。
 同図におけるdに示されるように、カラーフィルタ142乃至144が形成される。これらカラーフィルタ142乃至144は、リソグラフィにより順次形成される。
 そして、同図におけるeに示されるように、光学層150が形成される。この光学層150は、光学層150の材料をスピン塗布することにより形成される。この場合の光学層150の凸形状は、カラーフィルタ142乃至144上に一括して形成される。
 このように、本技術の第4の実施の形態では、光学層150の凸形状が、カラーフィルタ142乃至144上に一括して形成される。これにより、視野角を広げた場合の光学層150のレンズとしての性能を向上させることができる。
 <5.第5の実施の形態>
 この第5の実施の形態は、カラーフィルタの表面形状を凹形状にしたものである。なお、表示装置100としての全体構成は上述の第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
 [画素構造]
 図12は、本技術の第5の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
 この第5の実施の形態における画素は、上述の第4の実施の形態と同様に、電極110と、発光素子120と、保護層130と、カラーフィルタ142乃至144と、光学層150とを備える。ただし、各画素の間には隔壁131が設けられるとともに、カラーフィルタ142乃至144の表面形状は凹形状を有している。
 カラーフィルタ142乃至144の表面の凹形状は、正面からの光を屈折させるものであり、これにより光学上の性能を向上させる。
 隔壁131は、光を反射または吸収するものであり、カラーフィルタ142乃至144の表面の凹形状により屈折された光が他の画素に入射することを防ぐものである。
 [製造工程]
 図13は、本技術の第5の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるa乃至cは、上述の第1の実施の形態と同様である。
 同図におけるdに示されるように、各画素の位置における保護層130が削られて隔壁131が形成される。この形状は、例えば、窒化シリコン(SiN)を成膜した後にパターニングをし、レジストでマスクしてドライエッチングにより白色画素の位置における保護層130を削り、マスクのレジストを除去することにより形成される。
 そして、同図におけるeに示されるように、隔壁131に区切られた青色、赤色、緑色の各色の位置にカラーフィルタ142乃至144が形成される。これらカラーフィルタ142乃至144は、それぞれの材料を順次、スピン塗布することにより形成される。
 そして、同図におけるfに示されるように、光学層150が形成される。この光学層150は、光学層150の材料をスピン塗布することにより形成される。この場合の光学層150の凸形状は、上述の第4の実施の形態と同様に、カラーフィルタ142乃至144上に一括して形成される。
 このように、本技術の第5の実施の形態によれば、カラーフィルタ142乃至144の表面の凹形状により光学上の性能を向上させるとともに、その凹形状により屈折された光が他の画素に入射することを隔壁131により防ぐことができる。
 <6.第6の実施の形態>
 この第6の実施の形態は、一部の色のカラーフィルタの厚みに高低差を設けたものである。なお、表示装置100としての全体構成は上述の第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
 [画素構造]
 図14は、本技術の第6の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
 この第6の実施の形態における画素は、上述の第4の実施の形態と同様に、電極110と、発光素子120と、保護層130と、カラーフィルタ142乃至144と、光学層150とを備える。ただし、緑色のカラーフィルタ144の厚みは、他の色のカラーフィルタ142および143と比べて、薄く形成されている。これにより、色バランスを調整することができる。また、このようにカラーフィルタの厚みに高低差を設けたことにより、その上に形成される光学層150は、緑色画素の位置において凹形状を有する。
 [製造工程]
 図15は、本技術の第6の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるa乃至cは、上述の第1の実施の形態と同様である。
 同図におけるdに示されるように、カラーフィルタ142乃至144が形成される。これらカラーフィルタ142乃至144は、リソグラフィにより順次形成される。この場合において、緑色のカラーフィルタ144の厚みは、他の色のカラーフィルタ142および143と比べて、薄く形成される。
 そして、同図におけるeに示されるように、光学層150が形成される。この光学層150は、光学層150の材料をスピン塗布することにより形成される。この場合の光学層150の凸形状は、青色および赤色のカラーフィルタ142および143上に一括して形成される。一方、緑色のカラーフィルタ144の上には光学層150の凹形状が形成される。また、他の実施の形態と同様に、白色画素の位置には、光学層150の凹形状が形成される。
 このように、本技術の第6の実施の形態によれば、カラーフィルタ142乃至144の一部の色について厚みを変化させることにより、色バランスを調整することができる。
 <7.第7の実施の形態>
 この第7の実施の形態は、カラーフィルタ142乃至144を隙間を空けて配置したものである。なお、表示装置100としての全体構成は上述の第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
 [画素構造]
 図16は、本技術の第7の実施の形態における発光モジュールの概略断面構造の一例を示す図である。
 この第7の実施の形態における画素は、上述の第4の実施の形態と同様に、電極110と、発光素子120と、保護層130と、カラーフィルタ142乃至144と、光学層150とを備える。ただし、カラーフィルタ142乃至144は、それぞれ隙間を設けて配置される。これにより、その上に形成される光学層150の形状は、各画素位置において個別に凸形状を有するものとなっている。
 [製造工程]
 図17は、本技術の第7の実施の形態における発光モジュールの製造工程の一例を示す図である。同図におけるa乃至cは、上述の第1の実施の形態と同様である。
 同図におけるdに示されるように、カラーフィルタ142乃至144が形成される。これらカラーフィルタ142乃至144は、リソグラフィにより順次形成される。このとき、カラーフィルタ142乃至144は、それぞれ隙間を設けて形成される。
 そして、同図におけるeに示されるように、光学層150が形成される。この光学層150は、光学層150の材料をスピン塗布することにより形成される。この場合の光学層150の凸形状は、青色、赤色、緑色の各画素位置において個別に形成される。一方、白色画素の位置においては、凹形状が形成される。
 このように、本技術の第7の実施の形態では、青色、赤色、緑色の各画素位置において光学層150の凸形状が個別に形成される。これにより、白色画素の配置とは無関係に、白色以外の画素位置において凸形状の光学層150を設けることができる。
 <8.適用例>
  以下では、上述の実施の形態の表示装置が適用され得る電子機器の例について説明する。
  図18は、本技術の実施の形態の第1の適用例であるスマートフォン401の外観を示す図である。このスマートフォン401は、ユーザからの操作入力を受け付ける操作部403と、各種の情報を表示する表示部405とを備える。この表示部405が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
   図19は、本技術の実施の形態の第2の適用例であるデジタルカメラ411の前方(被写体側)から眺めた外観を示す図である。図20は、本技術の実施の形態の第2の適用例であるデジタルカメラ411の後方から眺めた外観を示す図である。このデジタルカメラ411は、本体部(カメラボディ)413と、交換式のレンズユニット415と、撮影時にユーザによって把持されるグリップ部417とを備える。また、このデジタルカメラ411は、各種の情報を表示するモニタ419と、撮影時にユーザによって観察されるスルー画を表示するEVF(電子ビューファインダ)421とを備える。このモニタ419およびEVF421が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
  図21は、本技術の実施の形態の第3の適用例であるHMD431の外観を示す図である。このHMD(Head Mounted Display)431は、各種の情報を表示する眼鏡型の表示部433と、装着時にユーザの耳に掛止される耳掛け部435とを備える。この表示部433が、上述の実施の形態の表示装置によって構成され得る。
  以上、各実施の形態に係る表示装置が適用され得る電子機器のいくつかの例について説明した。なお、各実施の形態に係る表示装置が適用され得る電子機器は上に例示したものに限定されず、この表示装置は、テレビジョン装置、電子ブック、PDA、ノート型PC、ビデオカメラ、または、ゲーム機器等、外部から入力された画像信号または内部で生成した画像信号に基づいて表示を行うあらゆる分野の電子機器に搭載される表示装置に適用することが可能である。
 なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
 なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
 なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
(1)基板の上に配置された発光素子と、
 前記発光素子を覆う保護層と、
 前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
 前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
を具備する発光モジュール。
(2)前記色変化部材は、白色画素の位置には配置されず、
 前記光学層は、白色画素の位置においては表面に凹形状を有する
前記(1)に記載の発光モジュール。
(3)前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置され、
 前記光学層は、白色以外の画素の位置においては表面に凸形状を有する
前記(1)または(2)に記載の発光モジュール。
(4)前記光学層は、白色以外の画素の位置において複数画素について一括して表面に凸形状を有する
前記(3)に記載の発光モジュール。
(5)前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、白色画素の位置には配置されず、
 前記光学層は、白色画素の位置においては凹形状を有して、白色以外の画素の位置においては凸形状を有し、前記凹形状と前記凸形状の曲率が互いに異なる
前記(1)に記載の発光モジュール。
(6)前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、一部の画素の位置においては他の画素のものよりも厚みが薄く、
 前記光学層は、前記一部の画素の位置においては表面に凹形状を有する
前記(1)に記載の発光モジュール。
(7)前記光学層は、透明材料からなる
前記(1)から(6)のいずれかに記載の発光モジュール。
(8)前記光学層は、少なくとも無機材料を含む材料からなる
前記(1)から(6)のいずれかに記載の発光モジュール。
(9)前記光学層の表面を覆う膜であって所定の波長に対する反射率を低減させる膜をさらに具備する前記(1)から(8)のいずれかに記載の発光モジュール。
(10)前記色変化部材の各画素間に設けられて光を反射または吸収する隔壁をさらに具備する前記(1)から(9)のいずれかに記載の発光モジュール。
(11)前記色変化部材は、表面に凹形状を有する
前記(10)に記載の発光モジュール。
(12)基板と、
 前記基板の上に配置された発光素子と、
 前記発光素子を覆う保護層と、
 前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
 前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
を具備する表示装置。
(12)基板の上に電極を形成する手順と、
 前記電極の上に発光素子を形成する手順と、
 前記発光素子を覆う保護層を形成する手順と、
 前記保護層の上において少なくとも一部の前記発光素子に対応して色変化部材を形成する手順と、
 スピン塗布によって前記色変化部材および前記保護層を覆う湾曲形状の光学層を形成する手順と
を備える発光モジュールの製造方法。
 11 サンプリングトランジスタ
 12 駆動トランジスタ
 13 保持容量
 14 発光素子
 15 接地配線
 100 表示装置
 101 画素回路
 102 画素アレイ部
 103 水平セレクタ
 104 ライトスキャナ
 105 電源スキャナ
 110 電極
 120 発光素子
 130 保護層
 131 隔壁
 142~144 カラーフィルタ
 150 光学層
 160 反射防止膜
 190 基板

Claims (13)

  1.  基板の上に配置された発光素子と、
     前記発光素子を覆う保護層と、
     前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
     前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備する発光モジュール。
  2.  前記色変化部材は、白色画素の位置には配置されず、
     前記光学層は、白色画素の位置においては表面に凹形状を有する
    請求項1記載の発光モジュール。
  3.  前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置され、
     前記光学層は、白色以外の画素の位置においては表面に凸形状を有する
    請求項1記載の発光モジュール。
  4.  前記光学層は、白色以外の画素の位置において複数画素について一括して表面に凸形状を有する
    請求項3記載の発光モジュール。
  5.  前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、白色画素の位置には配置されず、
     前記光学層は、白色画素の位置においては凹形状を有して、白色以外の画素の位置においては凸形状を有し、前記凹形状と前記凸形状の曲率が互いに異なる
    請求項1記載の発光モジュール。
  6.  前記色変化部材は、白色以外の画素の位置に配置されて、一部の画素の位置においては他の画素のものよりも厚みが薄く、
     前記光学層は、前記一部の画素の位置においては表面に凹形状を有する
    請求項1記載の発光モジュール。
  7.  前記光学層は、透明材料からなる
    請求項1記載の発光モジュール。
  8.  前記光学層は、少なくとも無機材料を含む材料からなる
    請求項1記載の発光モジュール。
  9.  前記光学層の表面を覆う膜であって所定の波長に対する反射率を低減させる膜をさらに具備する請求項1記載の発光モジュール。
  10.  前記色変化部材の各画素間に設けられて光を反射または吸収する隔壁をさらに具備する請求項1記載の発光モジュール。
  11.  前記色変化部材は、表面に凹形状を有する
    請求項10記載の発光モジュール。
  12.  基板と、
     前記基板の上に配置された発光素子と、
     前記発光素子を覆う保護層と、
     前記保護層を介して少なくとも一部の前記発光素子に対応して配置される色変化部材と、
     前記色変化部材および前記保護層を覆って光を湾曲形状により集光または散乱させる光学層と
    を具備する表示装置。
  13.  基板の上に電極を形成する手順と、
     前記電極の上に発光素子を形成する手順と、
     前記発光素子を覆う保護層を形成する手順と、
     前記保護層の上において少なくとも一部の前記発光素子に対応して色変化部材を形成する手順と、
     スピン塗布によって前記色変化部材および前記保護層を覆う湾曲形状の光学層を形成する手順と
    を備える発光モジュールの製造方法。
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