CN113257856A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：主显示区域；包括透射区域的部件区域；与主显示区域邻近的外围区域；基板；布置在主显示区域中的、基板的第一表面上的主显示元件，其中主像素电路分别连接到主显示元件；布置在部件区域中的、基板的第一表面上的辅助显示元件，其中辅助像素电路分别连接到辅助显示元件；布置在部件区域中的、基板与辅助像素电路之间的底部金属层；以及布置在基板的与第一表面相对的第二表面上并且在部件区域中与底部金属层重叠的防反射层。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月11日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0016638号的优先权，其公开通过引用全部并入本文。
技术领域
本发明的一个或多个实施例涉及一种显示装置及其制造方法，并且更具体地，涉及一种具有提高的可靠性的显示装置及其制造方法。
背景技术
通常，显示装置用于各种目的。另外，随着显示装置已经变得更薄和更轻，它们的使用范围已经增大。
由于显示装置正以各种方式被使用，因此可以使用各种方法来设计显示装置的形状，而且此外，更多的功能可以被组合或与显示装置相关联。
发明内容
根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：主显示区域；包括透射区域的部件区域；与主显示区域邻近的外围区域；基板；布置在主显示区域中的、基板的第一表面上的主显示元件，其中主像素电路分别连接到主显示元件；布置在部件区域中的、基板的第一表面上的辅助显示元件，其中辅助像素电路分别连接到辅助显示元件；布置在部件区域中的、基板与辅助像素电路之间的底部金属层；以及布置在基板的与第一表面相对的第二表面上并且在部件区域中与底部金属层重叠的防反射层。
在本发明的示例性实施例中，防反射层直接布置在基板的第二表面上。
在本发明的示例性实施例中，防反射层具有约1μm至约3μm的第一厚度。
在本发明的示例性实施例中，防反射层包括正性感光材料。
在本发明的示例性实施例中，防反射层包括遮光材料。
在本发明的示例性实施例中，底部金属层包括与透射区域相对应的第一孔。
在本发明的示例性实施例中，防反射层包括与透射区域相对应的第二孔。
在本发明的示例性实施例中，第一孔和第二孔彼此重叠。
在本发明的示例性实施例中，显示装置进一步包括布置在基板的第一表面上的封装基板。
在本发明的示例性实施例中，显示装置进一步包括布置在部件区域中的、基板的第二表面上的部件，其中部件包括成像器件或传感器。
在本发明的示例性实施例中，显示装置进一步包括布置在主显示区域中的、基板的第二表面上的保护构件。
根据本发明的示例性实施例，一种制造显示装置的方法包括：在基板的第一表面上且在基板的部件区域中形成底部金属层；在基板的第一表面上形成封装基板；在部件区域中在基板的与第一表面相对的第二表面上形成有色材料层；通过将光照射到基板的其上布置有底部金属层的第一表面上来曝光有色材料层的一部分；以及通过对有色材料层的被曝光的一部分进行显影来形成防反射层。
在本发明的示例性实施例中，在形成有色材料层中，有色材料层直接形成在基板的第二表面上。
在本发明的示例性实施例中，在形成有色材料层中，有色材料层包括正性感光材料。
在本发明的示例性实施例中，在曝光有色材料层的一部分中，通过使用底部金属层作为掩模来曝光有色材料层。
在本发明的示例性实施例中，防反射层形成为与底部金属层重叠。
在本发明的示例性实施例中，防反射层具有约1μm至约3μm的第一厚度。
在本发明的示例性实施例中，底部金属层包括与基板的透射区域相对应的第一孔，其中防反射层包括与透射区域相对应的第二孔，并且第一孔和第二孔彼此重叠。
在本发明的示例性实施例中，该方法进一步包括：在形成底部金属层与形成封装基板之间，在基板的主显示区域中形成第一薄膜晶体管和第一显示元件，并且在部件区域中在底部金属层上形成第二薄膜晶体管和第二显示元件。
在本发明的示例性实施例中，该方法进一步包括：在形成防反射层之后，在主显示区域中在基板的第二表面上形成保护构件。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的的示例性实施例，本发明的上述和其他特征将变得更加明显，附图中：
图1是示意性地示出根据本发明示例性实施例的显示装置的透视图；
图2是示意性示出根据本发明示例性实施例的显示装置的截面图；
图3是示意性地示出根据本发明示例性实施例的显示装置的平面图；
图4和图5是根据本发明示例性实施例的显示装置中可以包括的像素的电路图；
图6是示意性示出根据本发明示例性实施例的显示装置的截面图；并且
图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13是示意性示出根据本发明示例性实施例的制造显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
现在将参考附图更充分地描述本发明的示例性实施例。应该理解的是，本发明可以以不同的形式来体现，并且因此不应被解释为限于本文阐述的示例性实施例。应当理解，在整个说明书中，相同的附图标记可以指代相同的元件，并且因此可以省略冗余的描述。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联列出的项目中的一个或多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或其变体。
将理解的是，尽管本文中可使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种部件，但是这些部件不应受到这些术语的限制，并且这些术语仅用于将一个部件与另一部件区分开。因此，下面讨论的第一部件可以被称为第二部件，而不脱离本发明的精神和范围。
将理解的是，当层、区或部件被称为在另一层、区或部件“上”时，其可以“直接”在另一层、区或部件上，或者可以“间接”在另一层、区或部件“上”，其间具有一个或多个中间层、区或部件。
为了清楚起见，可能会夸大附图中的部件的尺寸。换句话说，因为为了清楚起见，可能会夸大附图中部件的尺寸和厚度，所以本发明不限于此。
如本文所使用的，“A和/或B”代表A、B、或A和B的情况。
将理解的是，线“在第一方向或第二方向上延伸”的含义不仅可以包括沿第一方向或第二方向以直线形状延伸，而且可以以之字形或弯曲形状延伸。
将理解的是，当被称为“在平面图中”时，其可意味着从上方观察目标部分，并且当被称为“在截面图中”时，其可意味着从侧面观察垂直切割的目标部分的截面。
在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。
图1是示意性地示出根据本发明示例性实施例的显示装置的透视图。
参考图1，显示装置1可以包括显示区域DA以及在显示区域DA外部的外围区域DPA。显示区域DA可以包括部件区域CA以及至少部分地围绕部件区域CA的主显示区域MDA。例如，显示装置1的基板(例如，图3的100)可以包括外围区域DPA、部件区域CA和主显示区域MDA。例如，部件区域CA和主显示区域MDA可以单独或一起显示图像。外围区域DPA可以是其中未布置显示元件的一种非显示区域。显示区域DA可以至少部分地被外围区域DPA围绕。例如，显示区域DA可以被外围区域DPA完全围绕。
图1示出了一个部件区域CA位于主显示区域MDA中。在本发明的示例性实施例中，显示装置1可以包括两个或更多个部件区域CA，并且各部件区域CA的形状和尺寸可以彼此不同。当在基本垂直于显示装置1的顶表面的方向观看时，部件区域CA可以具有各种形状，例如圆形形状、椭圆形形状、诸如四边形形状的多边形形状、星形形状或菱形形状。另外，图1示出了当在基本垂直于显示装置1的顶表面的方向上观看时，部件区域CA被布置在具有基本矩形形状的主显示区域MDA的上部中央(在+y方向上)；然而，部件区域CA可以布置在具有矩形形状的主显示区域MDA的一侧，例如，在其右上侧或左上侧。例如，部件区域CA离主显示区域MDA的上侧比离主显示区域MDA的下侧更近。
显示装置1可以通过使用布置在主显示区域MDA中的多个主子像素Pm和布置在部件区域CA中的多个辅助子像素Pa来提供图像。
如下面参考图2所描述的，在部件区域CA中，诸如电子元件的部件40可以布置在基板100下方，以与部件区域CA相对应。例如，部件40可以包括成像器件，例如使用红外光或可见光的照相机。另外，部件40可以包括太阳能电池、闪光灯或诸如照度传感器、接近传感器和虹膜传感器的传感器。另外，部件40可以具有接收声音的功能。例如，部件40可以是扬声器和/或麦克风。为了最小化对部件40的功能的限制，部件区域CA可以包括可以透射从部件40输出到外部或者从外部朝向部件40传播的光和/或声音的透射区域TA。在根据本发明示例性实施例的显示装置1的情况下，当光透过部件区域CA时，其透光率可以为约10％以上，例如约40％以上、约25％以上、约50％以上、约85％以上或约90％以上。
可以在部件区域CA中布置多个辅助子像素Pa。多个辅助子像素Pa可以通过发光来提供预定图像。在部件区域CA中显示的图像可以是辅助图像，并且可以具有比在主显示区域MDA中显示的图像低的分辨率。例如，部件区域CA可以包括光和声音可以透过的透射区域TA，并且当在透射区域TA上没有布置子像素时，在部件区域CA中每单位面积可以布置的辅助子像素Pa的数量可以小于在主显示区域MDA中每单位面积布置的主子像素Pm的数量。
图2是示意性示出根据本发明示例性实施例的显示装置的截面图。
参考图2，显示装置1可以包括显示面板10以及与显示面板10重叠的部件40。用于保护显示面板10的覆盖窗可以布置在显示面板10上方。
显示面板10可以包括部件区域CA以及其中显示主图像的主显示区域MDA。此外，部件区域CA可以与部件40重叠。显示面板10可以包括基板100、显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL和保护构件PB。显示层DISL可以设置在基板100上，并且保护构件PB可以布置在基板100下方。
显示层DISL可以包括电路层PCL、显示元件层EDL和封装构件ENCM。电路层PCL可以包括薄膜晶体管TFT和TFT'，并且显示元件层EDL可以包括可以作为显示元件的发光元件ED和ED'。封装构件ENCM可以是封装基板。绝缘层IL和IL'可以分别布置在显示层DISL中以及基板100与显示层DISL之间。
基板100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。基板100可以包括刚性基板或能够弯曲、折叠或卷曲等的柔性基板。
主薄膜晶体管TFT和连接到主薄膜晶体管TFT的主发光元件ED可以布置在显示面板10的主显示区域MDA中，以实现主子像素Pm，并且辅助薄膜晶体管TFT'和连接到辅助薄膜晶体管TFT'的辅助发光元件ED'可以布置在部件区域CA中，以实现辅助子像素Pa。部件区域CA中的其中布置有辅助子像素Pa的区域可以被称为辅助显示区域。
另外，可以在部件区域CA中布置其中未布置有显示元件的透射区域TA。透射区域TA可以是从被布置为与部件区域CA相对应的部件40输出的光/信号或输入到部件40的光/信号从其透过的区域。辅助显示区域和透射区域TA可以交替地布置在部件区域CA中。
底部金属层BML可以布置在部件区域CA中。底部金属层BML可以被布置为与辅助薄膜晶体管TFT'的底部相对应。例如，底部金属层BML可以布置在辅助薄膜晶体管TFT'与基板100之间。底部金属层BML可以阻挡外部光到达辅助薄膜晶体管TFT'。在本发明的示例性实施例中，可以将恒定电压或信号施加到底部金属层BML，以防止由于静电放电而损坏像素电路。
防反射层200可以布置在部件区域CA中。防反射层200可以被布置为与底部金属层BML相对应。例如，底部金属层BML和防反射层200可以被布置为彼此重叠，基板100在底部金属层BML与防反射层200之间。防反射层200可以防止从部件40发出的光被底部金属层BML反射而引起光斑。
显示元件层EDL可以被封装构件ENCM覆盖。例如，封装构件ENCM可以包括封装基板。例如，封装基板可以被布置为面对基板100，其中显示元件层EDL在封装基板与基板100之间。例如，在封装基板与显示元件层EDL之间可以存在间隙。封装基板可以包括玻璃。可以将包括玻璃料等的密封剂布置在基板100与封装基板之间，并且可以将密封剂布置在上述外围区域DPA中。布置在外围区域DPA中的密封剂可以围绕显示区域DA，以防止湿气渗过其侧表面。
触摸屏层TSL可以被配置为根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。例如，触摸屏层TSL可以通过使用自电容方法或互电容方法来感测外部输入。
触摸屏层TSL可以布置在封装构件ENCM上。另外，触摸屏层TSL可以单独地形成在触摸基板上，并且然后通过诸如光学透明胶(OCA)的粘合剂层结合到封装构件ENCM上。在本发明的示例性实施例中，触摸屏层TSL可以直接形成在封装构件ENCM上，并且在这种情况下，可以不在触摸屏层TSL与封装构件ENCM之间设置粘合剂层。
在本发明的示例性实施例中，光学功能层OFL可以包括偏振膜。光学功能层OFL可以包括与部件区域CA相对应的开口OFL_OP。因此，可以显著提高部件区域CA的透射区域TA的透光率。开口OFL_OP可以被填充透明材料，例如光学透明树脂(OCR)。
在本发明的示例性实施例中，可以将光学功能层OFL提供为包括黑矩阵和滤色器的滤光片。
覆盖窗可以布置在显示面板10上方以保护显示面板10。光学功能层OFL可以用光学透明胶附接到覆盖窗，或者可以用光学透明胶附接到触摸屏层TSL。
保护构件PB可以附接在基板100下方以支撑并保护基板100。保护构件PB可以包括与部件区域CA相对应的开口PB_OP。例如，开口PB_OP可以与部件区域CA重叠。因为保护构件PB包括开口PB_OP，所以可以提高部件区域CA的透光率。保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
部件区域CA的面积可以大于部件40的面积。因此，保护构件PB中包括的开口PB_OP的面积可以与部件40的面积不匹配。例如，开口PB_OP的面积可以大于部件40的面积。
另外，可以在部件区域CA中布置多个部件40。多个部件40可以具有不同的功能。例如，多个部件40可以包括照相机(例如，成像器件)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
图3是示意性地示出根据本发明示例性实施例的显示装置的平面图。
参考图3，构成显示装置1的各种部件可以布置在基板100上。基板100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域DPA。显示区域DA可以包括其中显示主图像的主显示区域MDA以及包括透射区域TA并且其中显示辅助图像的部件区域CA。辅助图像可以与主图像一起形成整个图像，或者辅助图像可以是独立于主图像的图像。
可以在主显示区域MDA中布置多个主子像素Pm。主子像素Pm中的每个可以由诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件实现。每个主子像素Pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。主显示区域MDA可以被封装构件覆盖，以被保护而免受外部空气或湿气的影响。
如上所述，部件区域CA可以位于主显示区域MDA的一侧，或者可以布置在显示区域DA内并且被主显示区域MDA围绕。可以在部件区域CA中布置多个辅助子像素Pa。多个辅助子像素Pa中的每一个可以由诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件实现。每个辅助子像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。部件区域CA可以被封装构件覆盖，以被保护而免受外部空气或湿气的影响。
另外，部件区域CA可以包括透射区域TA。透射区域TA可以布置为围绕多个辅助子像素Pa。另外，透射区域TA可以与多个辅助子像素Pa布置为格子形式。
因为部件区域CA包括透射区域TA，所以部件区域CA的分辨率可以低于主显示区域MDA的分辨率。例如，部件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如，主显示区域MDA的分辨率可以是大约400ppi或更高，而部件区域CA的分辨率可以是大约200ppi或大约100ppi。
驱动子像素Pm和Pa的像素电路中的每一个可以电连接到布置在外围区域DPA中的外围电路。可以在外围区域DPA中布置第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13。
第一扫描驱动电路SDRV1可以通过扫描线SL将扫描信号施加到驱动子像素Pm和Pa的像素电路中的每一个。第一扫描驱动电路SDRV1可以通过发射控制线EL将发射控制信号施加到每个像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可以相对于主显示区域MDA位于第一扫描驱动电路SDRV1的相对侧，并且可以基本平行于第一扫描驱动电路SDRV1。主显示区域MDA的主子像素Pm中的一些的像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，而其余主子像素Pm的像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。部件区域CA的辅助子像素Pa中的一些的像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，而其余辅助子像素Pa的像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。然而，本发明不限于此。例如，可以省略第二扫描驱动电路SDRV2，并且子像素Pm和Pa中的全部都可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1。
端子部分PAD可以布置在基板100的一侧。端子部分PAD可以通过不被绝缘层覆盖而暴露，并且可以连接到显示电路板30。显示驱动器32可以布置在显示电路板30上。
显示驱动器32可以生成传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可以生成数据信号，并且生成的数据信号可以通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL被传输到子像素Pm和Pa的像素电路。
显示驱动器32可以将驱动电压ELVDD(参见图4)供应给驱动电压供应线11，并且可以将公共电压ELVSS(参见图4)提供应公共电压供应线13。驱动电压ELVDD可以通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL被施加到子像素Pm和Pa的像素电路，并且公共电压ELVSS可以被供应给公共电压供应线13，以被施加到显示元件的对电极。例如，对电极可以是公共电极。
从平面图看，驱动电压供应线11可以被提供为在主显示区域MDA下方在x方向上延伸。公共电压供应线13可以具有一侧打开的环形，以部分地围绕主显示区域MDA。
图4和图5是根据本发明示例性实施例的显示装置中可以包括的像素的电路图。
参考图4，像素电路PC可以连接到有机发光二极管OLED以实现子像素的发光。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以被配置为根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn，将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压与供应给驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值而控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有预定亮度的光。
尽管图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本发明不限于此。
参考图5，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6、第二初始化薄膜晶体管T7和存储电容器Cst。
尽管图5示出了每个像素电路PC包括信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是本发明不限于此。在本发明的示例性实施例中，信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL中的至少一条和/或初始化电压线VL可以由邻近的像素电路共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到发光元件ED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且响应于开关操作而将驱动电流供应给发光元件ED。
开关薄膜晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线SL，并且其源电极可以连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，同时连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极。
开关薄膜晶体管T2可以根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn被导通，以执行通过数据线DL将数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可以经由发射控制薄膜晶体管T6连接到发光元件ED的像素电极，同时连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可以连接到存储电容器Cst的任意一个电极、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3可以根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn被导通，以将驱动薄膜晶体管T1的栅电极和漏电极彼此连接，从而对驱动薄膜晶体管T1进行二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以连接到存储电容器Cst的任意一个电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，以通过经由初始化电压线VL将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的栅电极，来执行初始化驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到发光元件ED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En同时导通，使得驱动电压ELVDD可以被传输到发光元件ED并且驱动电流可以流过发光元件ED。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到下一扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接到发光元件ED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以通过根据通过下一扫描线SL+1接收的下一扫描信号Sn+1被导通，而初始化发光元件ED的像素电极。
尽管图5示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描信号SL+1的情况，但是本发明不限于此。在本发明的示例性实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7都可以连接到前一扫描线SL-1，以根据前一扫描信号Sn-1被驱动。
存储电容器Cst的另一个电极可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的任意一个电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
可以向发光元件ED的对电极(例如，阴极)提供公共电压ELVSS。发光元件ED可以通过从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流来发光。
像素电路PC不限于参考图5描述的薄膜晶体管和存储电容器的数量以及电路设计，并且其数量和电路设计可以进行各种修改。驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可以以相同的方式提供或者可以彼此不同地提供。
图6是示意性示出根据本发明示例性实施例的显示装置的截面图。例如，图6是示出根据本发明示例性实施例的显示装置1的一部分的示意性截面图，并且是示意性示出主显示区域MDA和部件区域CA的截面图。
参考图6，显示装置1可以包括主显示区域MDA和部件区域CA。主子像素Pm可以布置在主显示区域MDA中，并且辅助子像素Pa可以布置在部件区域CA中。部件区域CA可以包括透射区域TA。
主像素电路PC和主有机发光二极管OLED可以布置在主显示区域MDA中。主像素电路PC可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，并且主有机发光二极管OLED可以是连接到主像素电路PC的显示元件。辅助像素电路PC'和辅助有机发光二极管OLED'可以布置在部件区域CA中。辅助像素电路PC'可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'，并且辅助有机发光二极管OLED'可以是连接到辅助像素电路PC'的显示元件。
在本实施例中，有机发光二极管用作显示元件；然而，在本发明的示例性实施例中，无机发光元件或量子点发光元件等可以用作显示元件。
在下文中，将描述其中显示装置1中包括的部件被堆叠的结构。显示装置1可以包括基板100、缓冲层111、电路层PCL、显示元件层EDL和封装构件ENCM的堆叠。
如上所述，基板100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。基板100可以包括刚性基板或能够弯曲、折叠或卷曲等的柔性基板。例如，缓冲层111、电路层PCL、显示元件层EDL和封装构件ENCM可以堆叠在基板100的一个表面100a上。
缓冲层111可以位于基板100上，以减少或阻挡来自基板100的底部的异物、湿气或外部空气的渗透，并且可以在基板100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合物，并且可以包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。在基板100与缓冲层111之间可以进一步包括用于阻挡外部空气渗透的阻挡层。在本发明的示例性实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。布置在部件区域CA中的缓冲层111可以包括与透射区域TA相对应的开口。
在部件区域CA中，可以在基板100与缓冲层111之间布置底部金属层BML。底部金属层BML可以布置在部件区域CA的基板100的一个表面100a上。例如，底部金属层BML可以直接布置在部件区域CA的基板100的一个表面100a上。在本发明的示例性实施例中，缓冲层可以位于底部金属层BML与基板100的一个表面100a之间。底部金属层BML可以布置在辅助像素电路PC'的下方，以防止从部件等发出的光使辅助薄膜晶体管TFT'的特性劣化。另外，底部金属层BML可以防止从部件等发出的光或引向部件的光通过连接到辅助像素电路PC'的线之间的狭隙而衍射。底部金属层BML可以不在透射区域TA中。
底部金属层BML可以通过接触孔连接到布置在另一层中的偏置线。底部金属层BML可以从偏置线接收恒定电压或信号。例如，底部金属层BML可以接收偏置电压。偏置电压可以具有与驱动电压ELVDD不同的电平。然而，本发明不限于此。例如，偏置电压可以具有与驱动电压ELVDD相同的电平。
通过接收偏置电压，底部金属层BML可以显著降低发生静电放电的可能性。底部金属层BML可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。底部金属层BML可以被提供为上述材料的单层或多层。
部件区域CA的底部金属层BML可以被提供为与部件区域CA相对应。例如，底部金属层BML可以与整个部件区域CA相对应。在这种情况下，底部金属层BML可以包括与透射区域TA相对应的第一孔H1。在本发明的示例性实施例中，透射区域TA的形状和尺寸可以通过由底部金属层BML形成的第一孔H1的形状和尺寸形成。
在本发明的示例性实施例中，底部金属层BML可以不布置在主显示区域MDA中。当将底部金属层BML提供在基板100的前表面或其对应部分处时，在通过使用激光使主薄膜晶体管TFT的第一半导体层A1结晶的工艺中可能发生缺陷。
在本实施例中，底部金属层BML可以被布置为与部件区域CA相对应，使得可以降低工艺缺陷率。例如，底部金属层BML可以仅设置在部件区域CA中，并且可以降低工艺缺陷率。
在部件区域CA中，可以在基板100上布置防反射层200。例如，防反射层200可以布置在基板100下方。例如，在部件区域CA中，防反射层200可以布置在基板100的与基板100的一个表面100a相对的另一表面100b上，以与布置在基板100的一个表面100a上的底部金属层BML重叠。例如，防反射层200可以直接布置在基板100的另一表面100b上。
防反射层200可以与底部金属层BML重叠，其中基板100在防反射层200与底部金属层BML之间。在本发明的示例性实施例中，底部金属层BML的宽度可以小于防反射层200的宽度，并且因此，当在垂直于基板100的方向上投影时，底部金属层BML可以与防反射层200完全重叠。
因为防反射层200被布置为与底部金属层BML重叠，所以可以防止发生光斑。例如，因为防反射层200被布置为与底部金属层BML重叠，所以可以防止由于从部件40(参见图2)发射的光被底部金属层BML反射而发生光斑。
防反射层200可以包括有色材料。例如，防反射层200可以包括有色颜料，例如，诸如白色或黑色的某种颜色的颜料。在本发明的示例性实施例中，防反射层200可以具有黑色。例如，防反射层200可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂以及其中混合了红色、绿色和蓝色的颜料。另外，防反射层200可以包括阳基环类粘合剂树脂以及内酰胺类黑色颜料和蓝色颜料的混合物。另外，防反射层200可以包括炭黑或遮光材料。因为防反射层200由下面描述的有色材料层200M(参见图11)形成，所以其可以包括正性感光材料。
因为防反射层200包括有色颜料、炭黑或遮光材料，所以可以防止外部光的反射。另外，可以提高显示装置1的对比度，并且可以防止发生光斑。
防反射层200可以在z方向上具有第一厚度t1，并且可以布置在基板100的另一表面100b上。例如，第一厚度t1可以为大约0.5μm至大约5μm、或大约0.5μm至大约4μm，并且可以具有各种修改，例如大约1μm至大约4μm。例如，第一厚度t1可以为大约1μm至大约3μm。
部件区域CA的防反射层200可以被提供为与整个部件区域CA相对应。防反射层200可以包括与透射区域TA相对应的第二孔H2。形成在防反射层200中的第二孔H2可以与形成在底部金属层BML中的第一孔H1重叠。例如，形成在防反射层200中的第二孔H2和形成在底部金属层BML中的第一孔H1可以彼此重叠，其中基板100在第二孔H2与第一孔H1之间。在本发明的示例性实施例中，防反射层200的第二孔H2可以等于或窄于底部金属层BML的第一孔H1。
电路层PCL可以布置在缓冲层111上，并且可以包括像素电路PC和PC'、第一绝缘层112、第二绝缘层113、第三绝缘层115和平坦化层117。主像素电路PC可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，并且辅助像素电路PC'可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT可以包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1，并且辅助薄膜晶体管TFT'可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以连接到主有机发光二极管OLED以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到辅助有机发光二极管OLED'以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置在缓冲层111上并且可以包括多晶硅。在本发明的示例性实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。在本发明的示例性实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括沟道区、掺杂有掺杂剂的源区和漏区。
第二半导体层A2可以与底部金属层BML重叠，其中缓冲层111在第二半导体层A2与底部金属层BML之间。在本发明的示例性实施例中，第二半导体层A2的宽度可以小于底部金属层BML的宽度，并且因此，当在垂直于基板100的方向上投影时，第二半导体层A2可以被底部金属层BML完全重叠。
第一绝缘层112可以覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一绝缘层112可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO2)。第一绝缘层112可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可以布置在第一绝缘层112上，以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2重叠。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等，并且可以包括单层或多层。在本发明的示例性实施例中，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以均包括钼(Mo)并且可以均为单层。
第二绝缘层113可以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二绝缘层113可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO2)。第二绝缘层113可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上电极CE2'可以布置在第二绝缘层113上。
在主显示区域MDA中，第一上电极CE2可以与布置在其下方的第一栅电极G1重叠。彼此重叠的第一栅电极G1和第一上电极CE2可以构成主存储电容器Cst，第二绝缘层113位于第一栅电极G1与第一上电极CE2之间。第一栅电极G1可以与主存储电容器Cst的第一下电极CE1一体地提供。在本发明的示例性实施例中，主存储电容器Cst可以不与主薄膜晶体管TFT重叠，并且主存储电容器Cst的第一下电极CE1可以是与主薄膜晶体管TFT的第一栅电极G1分离的独立部件。
在部件区域CA中，第二上电极CE2'可以与布置在其下方的第二栅电极G2重叠。彼此重叠的第二栅电极G2和第二上电极CE2'可以构成辅助存储电容器Cst'，其中第二绝缘层113位于第二栅电极G2与第二上电极CE2'之间。第二栅电极G2可以与辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'一体地提供。在本发明的示例性实施例中，辅助存储电容器Cst'可以不与辅助薄膜晶体管TFT'重叠，并且辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'可以是与辅助薄膜晶体管TFT'的第二栅电极G2分离的独立部件。
第一上电极CE2和第二上电极CE2'可以包括例如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以包括上述材料的单层或多层。
第三绝缘层115可以被形成为覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'。第三绝缘层115可以包括例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO2)。第三绝缘层115可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
当将第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115统称为无机绝缘层IL时，无机绝缘层IL可以具有与透射区域TA相对应的第三孔H3。第三孔H3可以暴露基板100的顶表面的一部分。另外，当缓冲层111布置在透射区域TA中时，第三孔H3可以暴露缓冲层111的顶表面的一部分。第三孔H3可以由第一绝缘层112的开口、第二绝缘层113的开口和第三绝缘层115的开口形成，以与透射区域TA相对应，并且第一绝缘层112的开口、第二绝缘层113的开口和第三绝缘层115的开口可以彼此重叠。这些开口可以通过单独的工艺单独形成，或者可以通过同一工艺同时形成。例如，当在单独的工艺中形成这些开口时，第三孔H3的内表面可能不光滑，并且可能具有阶梯状的台阶或不平坦的表面。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以布置在第三绝缘层115上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括包含例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以被布置为覆盖源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。平坦化层117可以具有平坦的顶表面，使得布置在平坦化层117上的第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成在平坦表面上。
平坦化层117可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。平坦化层117可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b。因此，可以在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间形成诸如线的导电图案，这可以提高集成度。
平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。另外，平坦化层117可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO2)。当形成平坦化层117时，可以在形成层之后，在该层的顶表面上执行化学机械抛光，以提供平坦的顶表面。
第一平坦化层117a可以被布置为覆盖像素电路PC和PC'。第二平坦化层117b可以布置在第一平坦化层117a上，并且可以具有平坦的顶表面，使得像素电极121和121'在形成于第二平坦化层117b上时，可以平坦地形成。
有机发光二极管OLED和OLED'可以布置在第二平坦化层117b上。有机发光二极管OLED和OLED'的像素电极121和121'可以通过布置在第一平坦化层117a上的相应连接电极CM和CM'分别连接到像素电路PC和PC'。
连接电极CM和CM'可以布置在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间。连接电极CM和CM'可以包括包含例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。例如，连接电极CM和CM'可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以包括与透射区域TA相对应的第四孔H4。第四孔H4可以与第三孔H3重叠。图6示出了第四孔H4大于第三孔H3。在本发明的示例性实施例中，平坦化层117可以被提供为覆盖无机绝缘层IL的第三孔H3的边缘，使得第四孔H4的面积可以小于第三孔H3的面积。
平坦化层117可以包括用于暴露主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的任意一个的通孔，并且第一像素电极121可以通过经由通孔与主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1或第一漏电极D1接触，而电连接到主薄膜晶体管TFT。另外，平坦化层117可以包括用于暴露辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的任意一个的通孔，并且第二像素电极121'可以通过经由通孔与辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2或第二漏电极D2接触，而电连接到辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括导电氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括包含例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何化合物的反射层。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'可以具有在反射层上方/下方包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层的结构。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以覆盖平坦化层117上的第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘，并且可以包括用于暴露第一像素电极121和第二像素电极121'的中央部分的第一开口OP1和第二开口OP2。第一开口OP1和第二开口OP2可以提供有机发光二极管OLED和OLED'的发射面积，例如，子像素Pm和Pa的尺寸和形状。
像素限定层119可以增大像素电极121和121'的边缘与设置在像素电极121和121'上的对电极123之间的距离，以防止在像素电极121和121'的边缘处发生电弧等。像素限定层119可以通过旋涂等由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或酚醛树脂的有机绝缘材料形成。
像素限定层119可以包括位于透射区域TA中的第五孔H5。第五孔H5可以与第三孔H3和第四孔H4重叠。通过第三孔H3至第五孔H5可以提高透射区域TA中的透光率。下面描述的对电极123的一部分可以布置在第三孔H3至第五孔H5的内表面上。
被形成为分别与第一像素电极121和第二像素电极121'相对应的第一发射层122b和第二发射层122b'可以分别布置在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2内。例如，第一发射层122b和第二发射层122b'可以包括高分子量材料或低分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层122e可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上方和/或下方。有机功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。然而，本发明不限于此。例如，可以省略第一功能层122a或第二功能层122c，或者可以提供第三功能层。
第一功能层122a可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'下方。第一功能层122a可以包括包含有机材料的单层或多层。第一功能层122a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。另外，第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。第一功能层122a可以一体地形成为与包括在主显示区域MDA和部件区域CA中的有机发光二极管OLED和OLED'相对应。
第二功能层122c可以布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上方。第二功能层122c可以包括包含有机材料的单层或多层。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以一体地形成为与包括在主显示区域MDA和部件区域CA中的有机发光二极管OLED和OLED'相对应。
对电极123可以布置在第二功能层122c上方。对电极123可以包括具有低功函数的导电材料。例如，对电极123可以包括包含例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金的(半)透明层。另外，对电极123可以在包括上述材料的(半)透明层上进一步包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极123可以一体地形成为与包括在主显示区域MDA和部件区域CA中的有机发光二极管OLED和OLED'相对应。
形成在主显示区域MDA中的第一像素电极121、第一发射层122b、有机功能层122e和对电极123可以构成主有机发光二极管OLED。形成在部件区域CA中的第二像素电极121'、第二发射层122b'、有机功能层122e和对电极123可以构成辅助有机发光二极管OLED'。
可以在对电极123上形成包括有机材料的顶层150。顶层150可以被提供为保护对电极123并且提高光提取效率。例如，顶层150可以包括具有比对电极123高的折射率的有机材料。另外，顶层150可以包括具有彼此不同的折射率的层的堆叠。例如，顶层150可以包括高折射率层、低折射率层和高折射率层的堆叠。例如，高折射率层的折射率可以为大约1.7或更大，并且低折射率层的折射率可以为大约1.3或更小。例如，顶层150可以进一步包括LiF。另外，顶层150可以进一步包括诸如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料。在本发明的示例性实施例中，可以省略顶层150。
第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和顶层150可以包括与透射区域TA相对应的透射孔TAH。例如，第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和顶层150可以包括与透射区域TA相对应的开口。第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和顶层150的开口的面积可以彼此基本相等。例如，对电极123的开口的面积可以基本上等于透射孔TAH的面积。
例如，透射孔TAH与透射区域TA重叠。在这种情况下，透射孔TAH的面积可以小于形成在无机绝缘层IL中的第三孔H3的面积。透射区域TA的最小宽度Wt可以小于透射孔TAH的宽度。在本发明的示例性实施例中，透射区域TA的最小宽度Wt可以等于透射孔TAH的宽度。尽管图6示出了形成在缓冲层111中的开口与透射区域TA的最小宽度Wt相对应，但是在第一功能层122a、第二功能层122c、对电极123和顶层150中形成的开口可以与透射区域TA的最小宽度Wt相对应。
由于透射孔TAH，对电极123的一部分可以不在透射区域TA中，并且因此，可以显著提高透射区域TA中的透光率。包括透射孔TAH的对电极123可以以各种方式形成。在本发明的示例性实施例中，可以在基板100的前表面上形成用于形成对电极123的材料，并且可以通过激光剥离去除材料的与透射区域TA相对应的部分，以形成包括透射孔TAH的对电极123。在本发明的示例性实施例中，可以通过金属自图案化(MSP)工艺形成包括透射孔TAH的对电极123。在本发明的示例性实施例中，可以通过使用精细金属掩模(FMM)沉积对电极123来形成包括透射孔TAH的对电极123。
主显示区域MDA的主有机发光二极管OLED和部件区域CA的辅助有机发光二极管OLED'可以被封装构件ENCM覆盖。例如，封装构件ENCM可以包括封装基板。封装基板可以被布置为面对基板100，并且间隙可以位于封装基板与显示元件层EDL之间。封装基板可以包括玻璃。可以将包括玻璃料等的密封剂布置在基板100与封装基板之间，并且可以将密封剂布置在上述外围区域DPA中。布置在外围区域DPA中的密封剂可以围绕显示区域DA，以防止湿气渗过显示区域DA的侧表面。
图7至图13是示意性示出根据本发明示例性实施例的制造显示装置的方法的截面图。
在下文中，将参考图7至图13顺序地描述制造显示装置的方法。
作为制造根据本发明示例性实施例的显示装置的方法，制造包括主显示区域MDA、包括透射区域TA的部件区域CA和围绕主显示区域MDA的外围区域的显示装置的方法可以包括：在基板100的一个表面100a上形成底部金属层BML，以与部件区域CA相对应；在基板100的一个表面100a上形成封装基板；在与基板100的一个表面100a相对的另一表面100b上形成有色材料层200M，以与部件区域CA相对应；通过将光照射到基板100的其上布置有底部金属层BML的一个表面100a上，来曝光有色材料层200M的一部分；以及通过对被曝光的有色材料层200M进行显影来形成防反射层200。
在形成底部金属层BML与形成封装基板之间，该方法可以进一步包括：在基板100的一个表面100a上形成主薄膜晶体管TFT和主显示元件，以与主显示区域MDA相对应。另外，该方法可以进一步包括：在底部金属层BML上形成辅助薄膜晶体管TFT'和辅助显示元件，以与部件区域CA相对应。另外，在形成防反射层200之后，该方法可以进一步包括：在基板100的另一表面100b上形成保护构件PB，以与主显示区域MDA相对应。
参考图7，在基板100的一个表面100a上形成底部金属层BML以与部件区域CA相对应的过程中，可以在包括玻璃的基板100的一个表面100a上形成底部金属层BML。底部金属层BML可以被布置为与下面描述的辅助薄膜晶体管TFT'的底部相对应。例如，底部金属层BML可以与辅助薄膜晶体管TFT'重叠。例如，底部金属层BML可以布置在辅助薄膜晶体管TFT'与基板100之间。
部件区域CA的底部金属层BML可以形成为与部件区域CA相对应。例如，整个底部金属层BML可以设置在部件区域CA中。底部金属层BML可以包括与透射区域TA相对应的第一孔H1。在本发明的示例性实施例中，透射区域TA的形状和尺寸可以通过底部金属层BML中形成的第一孔H1的形状和尺寸形成。
参考图8，在基板100的一个表面100a上形成底部金属层BML以与部件区域CA相对应之后，可以执行形成主薄膜晶体管TFT和主显示元件的操作。另外，在基板100的一个表面100a上形成底部金属层BML以与部件区域CA相对应之后，可以执行形成辅助薄膜晶体管TFT'和辅助显示元件的操作。
可以在主显示区域MDA中在基板100的一个表面100a上布置缓冲层111和无机绝缘层IL，并且可以在无机绝缘层IL中提供包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的主薄膜晶体管TFT。
可以在部件区域CA中在底部金属层BML上布置缓冲层111和无机绝缘层IL，并且可以在无机绝缘层IL中提供包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极的辅助薄膜晶体管TFT'。
作为主显示元件的主发光元件ED可以形成在主薄膜晶体管TFT上，而作为辅助显示元件的辅助发光元件ED'可以形成在辅助薄膜晶体管TFT'上。
主发光元件ED可以电连接到主薄膜晶体管TFT，而辅助发光元件ED'可以电连接到辅助薄膜晶体管TFT'。
主薄膜晶体管TFT和连接至主薄膜晶体管TFT的主发光元件ED可以布置在主显示区域MDA中以实现主子像素Pm，而辅助薄膜晶体管TFT'和连接至辅助薄膜晶体管TFT'的辅助发光元件ED'可以布置在部件区域CA中以实现辅助子像素Pa。部件区域CA的其中布置有辅助子像素Pa的区域可以被称为辅助显示区域。
另外，可以在部件区域CA中布置其中未布置有显示元件的透射区域TA。透射区域TA可以是从被布置为与部件区域CA相对应的部件40(参见图2)输出的光/信号或输入到部件40的光/信号从其透过的区域。辅助显示区域和透射区域TA可以交替地布置在部件区域CA中。
参考图9，在基板100的一个表面100a上形成主薄膜晶体管TFT和主显示元件的操作之后，可以进一步执行在基板100的一个表面100a上形成封装基板的操作。另外，在底部金属层BML上形成辅助薄膜晶体管TFT'和辅助显示元件之后，也可以执行在一个表面100a上形成封装基板的操作。
主显示区域MDA的主显示元件以及部件区域CA的辅助显示元件可以被封装构件ENCM覆盖。例如，封装构件ENCM可以包括封装基板。封装基板可以被布置为面对基板100，并且间隙可以位于封装基板与显示元件之间。封装基板可以包括玻璃。可以将包括玻璃料等的密封剂布置在基板100与封装基板之间，并且可以将密封剂布置在上述外围区域中。布置在外围区域中的密封剂可以围绕显示区域DA，以防止湿气渗过显示区域DA的侧表面。
参考图10，在基板100的一个表面100a上形成封装基板的操作之后，可以执行在基板100的另一表面100b上形成有色材料层200M的操作。例如，有色材料层200M可以直接形成在基板100的另一表面100b上。
有色材料层200M可以包括有色颜料，例如，诸如白色或黑色的某种颜色的颜料。在本发明的示例性实施例中，有色材料层200M可以具有黑色。例如，有色材料层200M可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂以及其中混合了红色、绿色和蓝色的颜料。另外，有色材料层200M可以包括阳基环类粘合剂树脂以及内酰胺类黑色颜料和蓝色颜料的混合物。另外，有色材料层200M可以包括炭黑或遮光材料。有色材料层200M可以包括正性感光材料。
参考图11，在基板100的另一表面100b上形成有色材料层200M的操作之后，可以执行通过将光照射到基板100的一个表面100a上而曝光有色材料层200M的一部分的操作。
在其中底部金属层BML布置在部件区域CA中的结构中，因为从部件发射的光可能被底部金属层BML反射，所以可能发生引起图像质量劣化的光斑。
根据本发明的示例性实施例，通过在与基板100的一个表面100a相对的另一表面100b上形成防反射层200以与布置在基板100的一个表面100a上的底部金属层BML重叠，可以防止发生光斑。
在这种情况下，当形成防反射层200以与底部金属层BML重叠时，通过使用布置在基板100的一个表面100a上的底部金属层BML作为反射层(例如，掩模)来图案化有色材料层200M，可以在不使用额外掩模的情况下形成与底部金属层BML重叠的防反射层200。
在曝光有色材料层200M的一部分的操作中，可以将光照射到基板100的其上布置有底部金属层BML的一个表面100a上。例如，可以在基板100的形成有底部金属层BML、薄膜晶体管TFT和TFT'、显示元件和封装构件ENCM的一个表面100a上照射用于曝光有色材料层200M的一部分的光。
在曝光有色材料层200M的一部分的操作中，可以通过使用布置在基板100的一个表面100a上的底部金属层BML作为掩模来曝光有色材料层200M的一部分，而不是在现有技术的工艺中通过添加掩模来曝光有色材料层200M的一部分。例如，布置在基板100的一个表面100a上的底部金属层BML可以用作掩模以曝光有色材料层200M的一部分。在这种情况下，因为有色材料层200M可以包括正性感光材料，所以在下面描述的对被曝光的有色材料层200M进行显影的操作中，可以去除有色材料层200M的被光照射的部分，以形成与底部金属层BML重叠的防反射层200。
参考图12，在通过将光照射到基板100的布置有底部金属层BML的一个表面100a上而曝光有色材料层200M的一部分的操作之后，可以执行通过对被曝光的有色材料层200M进行显影来形成防反射层200的操作。
例如，有色材料层200M可以包括正性感光材料。因为有色材料层200M包括正性感光材料，所以在曝光有色材料层200M的操作中，可以将光照射到不与底部金属层BML重叠的有色材料层200M上，并且在对被曝光的有色材料层200M进行显影的操作中，可以去除被光照射的有色材料层200M，以图案化防反射层200。
防反射层200可以与底部金属层BML重叠，其中基板100在防反射层200与底部金属层BML之间。在本发明的示例性实施例中，底部金属层BML的宽度可以小于防反射层200的宽度，并且因此，底部金属层BML可以在垂直于基板100的方向上被防反射层200完全重叠。
防反射层200可以包括与透射区域TA相对应的第二孔H2。形成在防反射层200中的第二孔H2可以与形成在底部金属层BML中的第一孔H1重叠。例如，形成在防反射层200中的第二孔H2和形成在底部金属层BML中的第一孔H1可以彼此重叠，其中基板100在第二孔H2与第一孔H1之间。在本发明的示例性实施例中，防反射层200的第二孔H2可以等于或窄于底部金属层BML的第一孔H1。
参考图13，在通过对被曝光的有色材料层200M进行显影而形成防反射层200的操作之后，可以执行在基板100的另一表面100b上形成保护构件PB以与主显示区域MDA相对应的操作。
保护构件PB可以附接到基板100的另一表面100b以支撑和保护基板100。
根据本发明的示例性实施例，为了防止因为提供在基板的一个表面上的底部金属层反射的光而发生可能导致图像质量劣化的光斑，可以在基板的另一表面上图案化防反射层以与底部金属层重叠。在这种情况下，通过使用布置在基板的一个表面上的底部金属层作为反射层(例如，掩模)来图案化防反射层，可以在不使用额外掩模的情况下图案化与底部金属层重叠的防反射层。
根据本发明的示例性实施例，通过使用布置在基板的一个表面上的底部金属层作为反射层，可以在没有额外掩模的情况下，通过在基板的与一个表面相对的另一表面上图案化防反射层，来防止发生光斑。然而，本发明的范围不限于这些效果。
尽管已经参考本发明的示例性实施例描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上对其进行各种修改。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
主显示区域；
包括透射区域的部件区域；
与所述主显示区域邻近的外围区域；
基板；
布置在所述主显示区域中的、所述基板的第一表面上的主显示元件，其中主像素电路分别连接到所述主显示元件；
布置在所述部件区域中的、所述基板的所述第一表面上的辅助显示元件，其中辅助像素电路分别连接到所述辅助显示元件；
布置在所述部件区域中的、所述基板与所述辅助像素电路之间的底部金属层；以及
布置在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上并且在所述部件区域中与所述底部金属层重叠的防反射层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述防反射层直接布置在所述基板的所述第二表面上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述防反射层具有1μm至3μm的第一厚度。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述防反射层包括正性感光材料。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述防反射层包括遮光材料。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述底部金属层包括与所述透射区域相对应的第一孔。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述防反射层包括与所述透射区域相对应的第二孔。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一孔和所述第二孔彼此重叠。
9.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：布置在所述基板的所述第一表面上的封装基板。
10.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：布置在所述部件区域中的、所述基板的所述第二表面上的部件，
其中，所述部件包括成像器件或传感器。
11.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：布置在所述主显示区域中的、所述基板的所述第二表面上的保护构件。
12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基板的第一表面上且在所述基板的部件区域中形成底部金属层；
在所述基板的所述第一表面上形成封装基板；
在所述部件区域中在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上形成有色材料层；
通过将光照射到所述基板的布置有所述底部金属层的所述第一表面上来曝光所述有色材料层的一部分；以及
通过对所述有色材料层的被曝光的一部分进行显影来形成防反射层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述有色材料层中，所述有色材料层直接形成在所述基板的所述第二表面上。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，在形成所述有色材料层中，所述有色材料层包括正性感光材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，在曝光所述有色材料层的所述一部分中，通过使用所述底部金属层作为掩模来曝光所述有色材料层。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述防反射层形成为与所述底部金属层重叠。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，所述防反射层具有1μm至3μm的第一厚度。
18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述底部金属层包括与所述基板的透射区域相对应的第一孔，其中，所述防反射层包括与所述透射区域相对应的第二孔，并且所述第一孔和所述第二孔彼此重叠。
19.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：在形成所述底部金属层与形成所述封装基板之间，在所述基板的主显示区域中形成第一薄膜晶体管和第一显示元件，并且在所述部件区域中在所述底部金属层上形成第二薄膜晶体管和第二显示元件。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：在形成所述防反射层之后，在所述主显示区域中在所述基板的所述第二表面上形成保护构件。
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