KR101671515B1 - 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 - Google Patents
유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101671515B1 KR101671515B1 KR1020090128269A KR20090128269A KR101671515B1 KR 101671515 B1 KR101671515 B1 KR 101671515B1 KR 1020090128269 A KR1020090128269 A KR 1020090128269A KR 20090128269 A KR20090128269 A KR 20090128269A KR 101671515 B1 KR101671515 B1 KR 101671515B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- spacer
- organic light
- region
- color filters
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관련된 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는, 기판, 데이터 라인, 게이트 라인, 구동전류 배선, 절연막, 세 개의 컬러 필터들, 오버 코트층, 스페이서, 애노드 전극, 유기발광층, 캐소드 전극 그리고 밀봉캡을 포함한다. 데이터 라인, 게이트 라인 및 구동전류 배선은 기판 위에서 화소 영역을 정의한다. 절연막은, 데이터 라인, 게이트 라인 및 구동 전류배선을 덮는다. 세 개의 컬러 필터들은, 절연막 위의 화소 영역 내의 발광 영역에서 3색상 중 어느 한 색상을 갖고 교대로 배치된다. 오버 코트층은, 컬러 필터들 위에 도포된다. 스페이서는, 발광 영역 이외의 영역인 비 발광 영역 중에 배치되며, 세 개의 컬러 필터들과 오버 코트층이 적층되어 있다. 애노드 전극은, 오버 코트층 위에서 발광 영역에 배치된다. 유기발광층은, 애노드 전극 위에 형성된다. 캐소드 전극은, 유기발광층 위에 배치된다. 밀봉캡은, 스페이서에 의해 기판과 일정 간격을 유지하도록 부착된다. 본 발명은 스페이서 제조를 위한 별도의 공정 없이 스페이서를 형성할 수 구조가 간단하고, 제조 공정이 단순하며, 비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 유기발광다이오드 표시소자를 외부의 습기 침투로부터 보호하기 위한 흡습제와 표시소자가 접촉하지 않는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 및 전계발광장치(Electroluminescence Device, EL) 등이 있다.
전계발광장치는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광장치와 유기발광다이오드장치로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자를 사용하여 응답속도가 빠르고 발 광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diod: OLED)를 가진다.
OLED는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. OLED는 캐소드전극과 음극에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다.
유기발광다이오드 표시장치의 주요 구성요소인 OLED를 형성하는 유기 전계발광 화합물층(EL)은 수분이나 산소에 쉽게 열화된다. 따라서, 유기발광다이오드 표시장치는 도 2에 도시한 것과 같은 봉지구조를 갖는다. 도 2는 종래 기술에 의한 봉지구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 단면도이다.
기판(SUB) 위에 EL층을 포함하는 유기발광다이오드 층 (OLEDL)이 형성되어 있다. 유기발광다이오드 층(OLEDL)는 주로 기판(SUB)의 중심부에 형성되고, 주변부에는 유기발광다이오드 표시장치를 구동하는 외부의 장치로부터 전기적 신호를 주고 받기 위한 패드부(PAD)가 형성된다. 패드부(PAD)와의 경계부분에 자외선 경화 레진 물질을 포함하는 실재(SEAL)를 이용하여 봉지용 유리기판(ENCAP)을 부착하여 유기발광다이오드 층(OLEDL)을 외부로부터의 수분 및 산소 침투를 보호한다. 그리고, UV 실링재(SEAL) 만으로는 외부로부터의 수분 침투를 효과적으로 방어할 수 없으므로, 침투하는 수분과 산소를 흡수하기 위한 흡습재(GET)를 봉지 유리기판(ENCAP)의 중앙부에 부착하여, 유기발광다이오드 층(OLEDL)의 상부에 배치한다.
이와 같은 봉지구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치는 중앙 상부에 배치된 흡습재(GET)가 하부로 쳐저서 유기발광다이오드 층(OLEDL)과 접촉할 경우, 소자의 열화를 야기하는 문제가 있다. 따라서, 흡습재(GET)가 유기발광다이오드 층(OLEDL)과 접촉하지 않도록 하는 구조가 필요하다.
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써 유기전계발광 화합물층에 악영향을 주는 수분 및 산소침투를 차단하는 흡습재가 유기발광다이오드 층과 접촉하지 않는 구조를 갖는 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는, 기판; 상기 기판 위에서 화소 영역을 정의하는 데이터 라인, 게이트 라인 및 구동전류 배선; 상기 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 구동 전류배선을 덮는 절연막; 상기 절연막 위의 상기 화소 영역 내의 발광 영역에 형성된 3색상의 컬러 필터; 상기 컬러 필터 위에 도포된 오버 코트층; 상기 발광 영역 이외의 영역인 비 발광 영역 중에 형성되며, 상기 3색상의 컬러 필터와 상기 오버 코트층이 적층되어 형성된 스페이서; 상기 오버 코트층 위에서 상기 발광 영역에 형성된 애노드 전극; 상기 애노드 전극 위에 형성된 유기발광층; 상기 유기발과층 위에 형성된 캐소드 전극; 그리고 상기 스페이서에 의해 상기 기판과 일정 간격을 유지하도록 부착된 밀봉캡을 포함한다.
상기 애노드 전극 위에 형성되어 상기 발광 영역과 상기 비 발광 영역을 정의하는 뱅크 패턴을 더 포함하되, 상기 스페이서는 상기 오버 코트층 위에 더 형성된 뱅크 패턴을 더 포함한다.
상기 기판 위의 상기 절연막 하부에서, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인에 접속되며, 상기 화소 영역 내에 형성된 스위칭 박막트랜지스터; 및 상기 박막트랜지스터 및 상기 구동전류배선에 접속되고, 상기 애노드 전극에 연결된 구동 박막트랜지스터를 더 포함한다.
상기 밀봉층은 그 가장자리 부분에 배치된 흡습재를 더 포함하며, 상기 스페이서는 상기 흡습재의 가장자리 부에 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법은, 기판 위에 화소 영역을 정의하는 데이터 라인, 게이트 라인 및 구동전류 배선을 포함하는 박막트랜지스터 소자를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터 소자를 덮는 절연막을 형성하는 단계와; 상기 절연막 위에서 상기 화소 영역 중에 발광 영역을 정의하고, 상기 발광 영역에 3색 컬러 필터 중 어느 하나를 형성하며, 상기 발광 영역을 제외한 비 발광 영역에는 상기 3색 컬러 필터를 적층하여 스페이서를 형성하는 단계와; 상기 컬러 필터 및 상기 스페이서 위에 오버 코트층을 도포하는 단계와; 상기 오버 코트 층 위에서 상기 컬러 필터와 일치하도록 애노드 전극을 형성하는 단계와; 상기 애노드 전극 위에 유기발광층 및 캐소드 전극을 적층하는 단계와; 상기 스페이서의해 상기 기판과 일정 간격을 유지하도록 밀봉캡을 부착하는 단계를 포함한다.
상기 애노드 전극을 형성하는 단계 후에, 상기 애노드 전극 위에 상기 발광 영역과 상기 비 발광 영역을 정의하는 뱅크 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 스페이서 위에 형성된 상기 오버 코트층 위에도 상기 뱅크 패턴을 더 적층하는 것을 특징으로 한다.
상기 밀봉층은 그 가장자리 부분에 배치된 흡습재를 더 포함하며, 상기 스페이서는 상기 흡습재의 가장자리 부에 대응하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법은 컬러 필터를 형성하는 공정에서 밀봉층과의 갭을 유지하기 위한 스페이서를 형성하였다. 또한, 스페이서를 구성하는 안료에서 발생하는 아웃 개싱 문제를 해결하기 위해 오버 코트 층을 스페이서 및 뱅크 패턴을 더 포함하여 소자의 신뢰도를 향상하고, 오버 코트 층 및 뱅크 패턴을 이용하여 스페이서의 높이를 조절할 수 있다. 따라서, 스페이서 제조를 위한 별도의 공정 없이 스페이서를 형성할 수 있다. 그 결과, 구조가 간단하고, 제조 공정이 단순하며, 비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다.
이하, 도 3 내지 도 6f를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다. 도 3은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3의 유기발광다이오드 표시장치의 일부를 확대한 확대도이다. 도 5는 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 단면으로, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3 내지 5를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 기판(SUB) 위에 형성된 화소(P)를 정의하는 데이터 라인(DL)과 스캔 라인(SL), 상기 데이터 라인(DL)과 스캔 라인(SL)과 연결된 스위칭 TFT(SWTFT), 상기 스위칭 TFT(SWTFT)와 연결된 구동 TFT(DRTFT), 구동 TFT(DRTFT)와 연결된 유기발광다이오드(OLED), 및 TFT들(SWTFT, DRTFT)과 유기발광다이오드(OLED)를 덮는 밀봉캡(CAP)을 포함한다. 그리고, 밀봉캡(CAP)의 가장자리에는 흡습재(GET)가 배치되어 있다.
기판(SUB) 위에는 다수 개의 화소(P)가 매트릭스 배열로 배치되어 있다. 기판(SUB) 위에는 일정 간격을 두고 대략 기판(SUB)의 크기에 대응하는 크기를 갖는 밀봉캡(CAP)이 실재(SEAL)에 의해 부착되어 있다. 그리고, 밀봉캡(CAP)의 가장자리, 안쪽에는 흡습재(GET)이 부착되어 있다.
밀봉캡(CAP) 내측면에 부착된 흡습재(GET)를 가장자리 쪽에 배치한 이유는 밀봉캡(CAP)이 아래로 휘어질 경우에도 흡습재(GET)가 표시장치의 화소(P)를 구성하는 유기박막과 직접 접촉하는 것을 방지하기 위함이다. 이와 같이 흡습재(GET) 를 밀봉캡(CAP)의 가장자리에 부착을 하더라도 밀봉캡(CAP)이 아래로 휘어지지 않도록 유지하는 것이 필요하다. 따라서, 화소(P) 근처에 스페이서(SP)를 형성하는 것이 바람직하다.
스페이서(SP)를, 유기발광다이오드 표시장치의 소자들(TFT, OLED)를 모두 제조한 후에 별도의 공정으로 제조할 경우에는, 스페이서 공정으로 인해 소자들이 손상될 가능성도 있고, 추가공정으로 인해 비용이 증가하고 제조 공정이 복잡해진다. 따라서, 다음과 같이 추가공정 없이 표시소자를 제조하면서 동시에 스페이서(SP)를 제조한다. 스페이서(SP)들은 표시기판(SUB) 위에 형성된 유기발광다이오드(OLED)와 밀봉캡(CAP)에 형성된 흡습재(GET)가 서로 접촉하지 않도록 간격을 유지하는 것으로 흡습재(GET) 주변에만 형성하는 것이 바람직하다.
표시기판에는 발광영역인 화소(P)가 형성되어 있고, 화소(P) 외의 영역은 비 발광 영역이다. 유기발광다이오드는 자발광 소자로 소비전력 대비 발광율이 상당히 밝은 편이다. 따라서, 화소 영역에 대비한 화소(P)의 면적율이 30~40%만 되더라도 충분한 밝기의 표시장치를 얻을 수 있다. 즉, 비 발광영역의 비율이 50%이상으로 상당히 많은 면적율을 차지한다. 스페이서(SP)는 이와 같은 비 발광 영역 중 임의의 위치에 형성할 수 있다. 더우기, 앞에서 설명했듯이 흡습재(GET)가 형성된 주변에 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
이하, 도 6a 내지 6f를 더 참조하여, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광다이오드 표시소자를 제조하는 방법을 상세히 살펴본다. 도 6a 내지 6f는 본 발명의 실시 예에 의한 스페이서를 구비한 유기발광다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타낸 단면도들이다. 도 6a 내지 6f는 도 3의 절취선 I-I'로 자른 단면으로 나타낸 구조를 보여준다.
먼저, 기판(SUB) 위에 유기발광다이오드 표시소자를 형성한다. 기판(SUB) 위에 스캔 라인(SL), 스캔 라인(SL), 스캔 라인(SL)에서 분기된 스위칭 TFT(SWTFT)의 게이트 전극(GSW), 그리고 구동 TFT(DRTFT)의 게이트 전극(GDR)을 형성한다. 상기 게이트 물질들(SL, GPAD, GSW, GDR)을 덮는 게이트 절연막(GI)를 도포한다. 상기 스위칭 TFT(SWTFT)의 게이트 전극(GSW) 및 구동 TFT(DRTFT)의 게이트 전극(GDR)과 중첩되는 부분의 게이트 절연막(GI) 위에 각각 스위칭 TFT(SWTFT)의 반도체 층(ASW)와 구동 TFT(DRTFT)의 반도체 층(ADR)을 형성한다. 상기 각 반도체 층(ASW, ADR) 양 측에는 서로 이격된 위에는 스위칭 TFT(SWTFT)의 소스 전극(SSW)와 드레인 전극(DSW) 그리고, 구동 TFT(DRTFT)의 소스 전극(SDR)와 드레인 전극(DDR)을 형성한다. 상기 구동 TFT(DRTFT)의 소스 전극(SDR)은 데이터 라인(DL)과 나란하게 진행하는 구동전류배선(VDD)의 일부가 되도록 형성한다. 이 때, 스위칭 TFT(SWTFT)의 드레인 전극(DSW)는 게이트 절연막(GT)에 형성된 콘택홀을 통해 구동 TFT(DRTFT)의 게이트 전극(GDR)과 접촉시킨다. 상기 각 소스-드레인 전극들(SSW, DSW, SDR, DDR)이 형성된 기판(SUB) 전면에 보호막(PASI)를 도포한다. (도 6a)
상기 보호막(PASI) 위의 화소 영역에 컬러 필터(CF)를 도포한다. 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(CFR), 녹색 컬러 필터(CFG), 청색 컬러 필터(CFB)를 차례로 형성한다. 그리고, 적색-녹색-청색 각 컬러 필터(CF)들이 순서대로 반복되어 배치되는 구조를 갖도록 형성한다. 이 때, 스페이서(SP)를 형성하고자 하는 적당한 위치에 패턴을 형성하여 적색 컬러 필터(CFR), 녹색 컬러 필터(CFG), 청색 컬러 필터(CFB)들을 순착적으로 적층하여 스페이서(SP)를 형성한다. 예를 들어, 먼저 적색 안료를 전면 도포하고, 적색 컬러 필터(CFR)를 형성한다. 이 때, 스페이서(SP)를 형성하고자 하는 위치에 적색 안료로 스페이서(SP) 패턴을 형성한다. (도 6b)
녹색 안료를 전면 도포하고 패턴하여 녹색 컬러 필터(CFG)를 형성한다. 그리고, 스페이서(SP)를 형성하고자 하는 위치에도 적색 안료로 만들어진 스페이서(SP) 패턴위에 녹색 안료로 만든 스페이서(SP) 패턴을 더 형성한다. 동일한 방법으로, 청색 안료를 전면 도포하고 패턴하여, 청색 컬러 필터(CFB)를 형성한다. 그리고, 적색 안료와 녹색 안료로 만들어진 스페이서(SP) 패턴 위에 청색 안료로 스페이서(SP) 패턴을 더 형성한다. (도 6c)
이와 같이 컬러 필터(CF)들과 스페이서(SP)가 동시에 형성된 기판 위에 오버 코트층(OC) 전면에 형성한다. 그리고, 오버 코트층(OC)과 보호막(PASI)에 콘택홀을 형성하여, 구동 TFT(DRTFT)의 드레인 전극(DDR) 일부를 노출시킨다. 오버 코트층(OC) 위에 ITO를 증착하고 패턴하여 애노드 전극(ANO)를 형성한다. (도 6d)
애노드 전극(ANO) 위에 뱅크 패턴(BANK)를 형성하여 화소의 발광 영역을 정의한다. 뱅크 패턴(BANK)은 TFT(SWTFT, DRTFT) 및 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성되어 표면이 매끄럽지 못하고, 울퉁불퉁하게 단차가 형성된 표면 위에 유기막(EL)을 형성할 경우, 단차진 부분에서 유기물이 열화되는 것을 방지하기 위한 것 이다. 즉, 스위칭 TFT(SWTFT) 및 구동 TFT(DRTFT), 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 비 발광영역과, 평탄한 기판 위에 단순히 박막층들만 적층되어 평탄한 발광 영역을 구분하기 위해 비 발광 영역 위에 뱅크 패턴(BANK)이 형성된다. 이 때, 뱅크 패턴(BANK)은 스페이서(SP) 위에도 적층되어 스페이서(SP)의 높이를 정의하는데 사용되기도 한다. (도 6e)
뱅크 패턴(BANK)에 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기층(EL)과 캐소드 전극층(CAT)을 순차적으로 적층한다. 그리고, 스페이서(SP)에 의해 일정 간격을 유지하도록 밀봉캡(CAP)을 부착한다. 본 실시 예의 도면에서는 뱅크 패턴(BANK) 위에도 유기층(EL)과 캐소드 전극층(CAT)가 더 형성되어 스페이서(SP)를 함께 구성하는 것으로 도시하였다. 그러나, 필요에 따라서는 뱅크 패턴(BANK) 위에는 유기층(EL)과 캐소드 전극층(CAT)를 형성하지 않을 수도 있다. 밀봉캡(CAP)의 내측면에는 흡습재(GET)를 부착한다. 특히, 흡습재(GET)는 밀봉캡(CAP)의 가장자리 변에 배열 시킴으로써 하부에 위치한 화소를 구성하는 유기발광다이오드와 접촉하지 않도록 한다. (도 6f)
스페이서(SP)는 밀봉캡(CAP)과 표시기판의 간격을 유지하도록 하는데 필수적인 요소이지만, 스페이서(SP)를 너무 많이 형성되면 바람직하지 않다. 따라서, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치는 표시기판과 밀봉캡(CAP)의 간격을 유지하기 위한 스페이서(SP)가 흡습재(GET)가 배치된 주위에만 형성하도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서 처럼 스페이서(SP)를 컬러 필터(CF)를 구성하는 안료로 만들 경우, 안료에서 발생하는 기체 성분으로 인해 유기물질이 손상되는 문 제가 발생할 수 있다. 따라서, 컬러 필터(CF)의 주 성분인 안료를 적층하여 형성한 스페이서(SP)는 오버 코트층(OC)으로 완전히 덮어서 아웃 개싱(Out Gasing)에 의한 손상을 방지하는 것이 바람직하다. 또한, 오버 코트층(OC) 위에 뱅크 패턴(BANK)을 더 형성하여 스페이서(SP)에서 발생할 수 있는 아웃 개싱 문제를 더 방지하는 효과를 얻을 수도 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
도 1은 유기발광다이오드소자를 나타내는 도면.
도 2는 종래 기술에 의한 봉지구조를 갖는 유기발광다이아도 표시장치를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3의 유기발광다이오드 표시장치의 일부를 확대한 확대도.
도 5는 도 3의 절취선 I-I'으로 자른 단면으로, 본 발명에 의한 유기발광다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 6a 내지 6f는 본 발명의 실시 예에 의한 스페이서를 구비한 유기발광다이오드 표시장치를 제조하는 과정을 나타낸 단면도들.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
HIL : 정공주입층 HTL: 정공수송층
EML : 발광층 ETL : 전자수송층
EIL : 전자주입층
OLED: 유기발광다이오드 층 PAD: 패드부
SUB: 기판 SEAL: 실재
ENCAP: 봉지용 유리기판 GET: 흡습재
DL: 데이터 라인 SL: 스캔 라인
SWTFT: 스위칭 TFT DRTFT: 구동 TFT
OLED: 유기발광다이오드 VDD: 구동전류 공급배선
CAT : 캐소드전극 ANO : 애노드전극
EL: 유기층
GSW, GDR: 게이트 전극 SSW, SDR: 소스 전극
DSW, DDR: 드레인 전극 ASW, ADR: 반도체 층
GI: 게이트 절연막 PASI: 보호막
CAP: 밀봉캡 BANK : 뱅크패턴
P: 화소 SP: 스페이서
CF: 컬러 필터 CFR: 적색 컬러 필터
CFG: 녹색 컬러 필터 CFB: 청색 컬러 필터
Claims (12)
- 기판;상기 기판 위에서 화소 영역을 정의하는 데이터 라인, 게이트 라인 및 구동전류 배선;상기 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 구동 전류배선을 덮는 절연막;상기 절연막 위의 상기 화소 영역 내의 발광 영역에서 3색상 중 어느 한 색상을 갖고 교대로 배치된 세 개의 컬러 필터들;상기 컬러 필터들 위에 도포된 오버 코트층;상기 발광 영역 이외의 영역인 비 발광 영역 중에 배치되며, 상기 세 개의 컬러 필터들과 상기 오버 코트층이 순차적으로 적층된 스페이서;상기 오버 코트층 위에서 상기 발광 영역에 배치된 애노드 전극;상기 애노드 전극 위에 있는 유기발광층;상기 유기발광층 위에 있는 캐소드 전극; 그리고상기 스페이서에 의해 상기 기판과 일정 간격을 유지하도록 부착된 밀봉캡을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 애노드 전극 위에 형성되어 상기 발광 영역과 상기 비 발광 영역을 정의하는 뱅크 패턴을 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 스페이서는 상기 오버 코트층 위에 더 형성된 뱅크 패턴을 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 위의 상기 절연막 하부에서, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인에 접속되며, 상기 화소 영역 내에 배치된 스위칭 박막트랜지스터; 및상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동전류배선에 접속되고, 상기 애노드 전극에 연결된 구동 박막트랜지스터를 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 밀봉캡은 그 가장자리 부분에 배치된 흡습재를 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 스페이서는 상기 흡습재의 가장자리 부에 형성되는 유기발광다이오드 표시장치.
- 기판 위에 화소 영역을 정의하는 데이터 라인, 게이트 라인 및 구동전류 배선을 포함하는 박막트랜지스터 소자를 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터 소자를 덮는 절연막을 도포하는 단계와;상기 절연막 위에서 상기 화소 영역 중에 발광 영역을 정의하고, 상기 발광 영역에 3색 중 어느 하나를 갖는 컬러 필터 세 개를 교대로 배치하며, 상기 발광 영역을 제외한 비 발광 영역에는 상기 컬러 필터들 세 개층을 순차적으로 적층하여 스페이서를 배치하는 단계와;상기 컬러 필터들 및 상기 스페이서 위에 오버 코트층을 도포하는 단계와;상기 오버 코트 층 위에서 상기 컬러 필터들과 일치하도록 애노드 전극을 배치하는 단계와;상기 애노드 전극 위에 유기발광층 및 캐소드 전극을 적층하는 단계와;상기 스페이서에 의해 상기 기판과 일정 간격을 유지하도록 밀봉캡을 부착하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090128269A KR101671515B1 (ko) | 2009-12-21 | 2009-12-21 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090128269A KR101671515B1 (ko) | 2009-12-21 | 2009-12-21 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110071646A KR20110071646A (ko) | 2011-06-29 |
KR101671515B1 true KR101671515B1 (ko) | 2016-11-01 |
Family
ID=44402707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090128269A KR101671515B1 (ko) | 2009-12-21 | 2009-12-21 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101671515B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101463650B1 (ko) | 2011-08-30 | 2014-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR102081317B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2020-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이중 뱅크 구조를 갖는 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 |
KR102076620B1 (ko) * | 2013-09-24 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR102174920B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2020-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 제조 방법 및 그 방법에 의한 유기발광 다이오드 표시장치 |
WO2019130431A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el表示装置およびその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311046A (ja) | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100753088B1 (ko) * | 2006-02-20 | 2007-08-31 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
-
2009
- 2009-12-21 KR KR1020090128269A patent/KR101671515B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311046A (ja) | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110071646A (ko) | 2011-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100656324B1 (ko) | 표시 장치 | |
US8044582B2 (en) | Organic display apparatus comprising moisture propagation preventing means | |
US7538488B2 (en) | Flat panel display | |
KR100669710B1 (ko) | 평판 디스플레이 장치 | |
US20170047384A1 (en) | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing organic electroluminescence display device | |
KR20190048776A (ko) | 투명 디스플레이 장치 | |
KR101746841B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR20180107414A (ko) | 표시 장치 | |
US20110221334A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
KR101679850B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
JP6557601B2 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法 | |
KR20150024575A (ko) | 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
JP2004006338A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
TWI596755B (zh) | 有機發光二極體顯示器及其製造方法 | |
KR20150026058A (ko) | 이중 뱅크 구조를 갖는 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 | |
WO2006064715A1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
KR101671515B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 | |
KR20150071318A (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
KR100637146B1 (ko) | 평판 디스플레이 장치 | |
KR20100067761A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101818470B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR102449478B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR101941455B1 (ko) | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP2005353398A (ja) | 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法 | |
JP4675747B2 (ja) | 有機el表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190917 Year of fee payment: 4 |