JP5595392B2 - El表示パネル、el表示装置及びel表示パネルの製造方法 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
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- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
Description
まず、本発明の第1の実施形態に係るEL(Electro Luminescence)パネルについて、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示パネルの一部切り欠き斜視図である。
次に、本発明の第1の実施形態の変形例に係るEL表示パネルの表示装置用薄膜半導体装置2’について、図18を用いて説明する。図18は、本変形例に係るEL表示パネルに設けられた表示装置用薄膜半導体装置2’の断面図である。なお、図18は、図12に示した第1の実施形態に係るEL表示パネルに設けられた表示装置用薄膜半導体装置2の断面図に対応する。
次に、本発明の第2の実施形態に係るEL表示パネルについて、図19〜図21を用いて説明する。図19は、本発明の第2の実施形態に係るEL表示パネルに設けられた表示装置用薄膜半導体装置の平面図である。図20は、図19のX2−X2’線に沿って切断した表示装置用薄膜半導体装置の断面図である。図21は、本実施形態に係る表示装置用薄膜半導体装置における薄膜トランジスタのTFT特性を説明するための図である。
次に、本発明の第2の実施形態の変形例に係るEL表示パネルにについて、図22を用いて説明する。図22は、本発明の第2の実施形態の変形例に係るEL表示パネルに設けられた表示装置用薄膜半導体装置3’の断面図である。なお、図22は、図20の本発明の第2の実施形態に係るEL表示パネルに設けられた表示装置用薄膜半導体装置3の断面図に対応する。
2、2’、3、3’、9 表示装置用薄膜半導体装置(薄膜半導体部)
10 有機EL素子(EL部)
12 下部電極(陽極電極)
13 有機EL層(発光層)
14 上部電極(陰極電極)
15 バンク
20 表示装置用薄膜半導体アレイ装置(薄膜半導体部)
21、921 ゲート配線
22、922 ソース配線
23 電源配線
25 補助配線
30 画素回路
100 画素
100R、100G、100B サブ画素
111 第1コンタクト部(第1導電部)
112 第2コンタクト部(第2導電部)
113 第3コンタクト部
114 第4コンタクト部
115 第5コンタクト部(第3導電部)
120 電極部
300、900 基板
300C コンデンサ
301 非結晶性半導体膜
310 第1薄膜トランジスタ
310D 第1ドレイン電極
310G 第1ゲート電極
310S 第1ソース電極
311 第1半導体層
311A、321A 第1チャネル層
311B、321B 第2チャネル層
320 第2薄膜トランジスタ
320D 第2ドレイン電極
320G 第2ゲート電極
320S 第2ソース電極
321 第2半導体層
330、930 ゲート絶縁膜
340 第1層間絶縁膜
350 第2層間絶縁膜
400 フラットテレビシステム(EL表示装置)
910 薄膜トランジスタ
910D ドレイン電極
910G ゲート電極
910S ソース電極
911 半導体層
940 層間絶縁膜
Claims (16)
- EL部と、前記EL部の発光を制御する薄膜半導体部とを備えるEL表示パネルであって、
前記EL部は、
陽極電極と、陰極電極と、前記陽極電極と前記陰極電極との間に介在する発光層と、を含み、
前記薄膜半導体部は、
基板と、
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上であって前記ゲート電極の上方に形成された半導体層と、
前記半導体層の上方に形成された第1電極と、
前記第1電極と同層に形成された第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極を覆って前記ゲート絶縁膜の上方に形成され、前記ゲート電極が形成された層とは異なる層である層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に配置されたゲート配線と、
前記ゲート配線が形成された前記層間絶縁膜上に、前記ゲート配線と同層で、かつ、前記ゲート配線と並行して配置された電源配線と、
前記層間絶縁膜上に前記ゲート配線及び前記電源配線と同層で、かつ、前記ゲート配線及び前記電源配線と並行して配置された補助配線と、を具備し、
前記ゲート電極と前記ゲート配線とは、前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜とを貫通するように設けられた第1導電部を介して電気的に接続され、
前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方と前記電源配線とは、前記層間絶縁膜を貫通するように設けられた第2導電部を介して電気的に接続され、
前記補助配線は、前記陰極電極と電気的に接続される、
EL表示パネル。 - 前記電源配線及び前記補助配線は、前記ゲート配線と同一又は所定の近似値の高さに形成されている、
請求項1に記載のEL表示パネル。 - 前記電源配線及び前記補助配線は、前記ゲート配線と、前記ゲート配線と並行して前記ゲート配線に隣り合う他のゲート配線との間に配置され、
前記電源配線及び前記補助配線の双方を組み合わせた幅は、前記ゲート配線と、前記ゲート配線と並行して配置された前記ゲート配線に隣り合う他のゲート配線との間の幅に対応して、隣り合う2つの前記ゲート配線間を埋めるようにして、隣り合う2つの前記ゲート配線と近接して配置される、
請求項1または請求項2に記載のEL表示パネル。 - 前記ゲート配線と前記電源配線、前記電源配線と前記補助配線、前記補助配線と前記ゲート配線との距離は、それぞれ4μm以上である、
請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記電源配線及び前記補助配線の少なくともいずれかは、前記ゲート配線の幅より広い幅を有する、
請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記半導体層は、pチャネル型であり、
前記電源配線は、前記半導体層と重なるように形成される、
請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記半導体層は、nチャネル型であり、
前記電源配線及び前記補助配線は、前記半導体層と重ならないように形成される、
請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記第1電極はソース電極であり、前記第2電極はドレイン電極である、
請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記第1電極はドレイン電極であり、前記第2電極はソース電極である、
請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記半導体層は、多結晶性半導体層を含む、
請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記電源配線及び前記補助配線を構成する材料は、Al、Cu、Agのいずれか1を含む、
請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記EL部は、前記発光層として有機発光層を備えた有機EL部である、
請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 請求項1ないし請求項12のいずれか1項に記載のEL表示パネルを備えている
EL表示装置。 - 基板を準備する第1工程と、
前記基板上にゲート電極を形成する第2工程と、
前記ゲート電極を覆って前記基板上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、
前記ゲート絶縁膜上であって前記ゲート電極の上方に半導体層を形成する第4工程と、
前記半導体層の上方に第1電極を形成するとともに、第1電極と電気的に接続されるソース配線及び第2電極を形成する第5工程と、
前記第1電極及び前記第2電極を覆って前記ゲート絶縁膜の上方に第1層間絶縁膜を形成する第6工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記第1層間絶縁膜を貫通する第1コンタクトホールを形成する第7工程と、
前記ゲート電極の上方に存在する前記第1層間絶縁膜を貫通し前記第1コンタクトホールとは異なる第2コンタクトホールを形成する第8工程と、
前記第1層間絶縁膜上に金属膜を成膜しパターニングすることにより、前記第1コンタクトホールを介して前記ゲート電極と電気的に接続されるゲート配線と、前記ゲート配線と並行となるように前記第2コンタクトホールを介して前記第1電極又は前記第2電極のいずれか一方と電気的に接続される前記電源配線と、前記ゲート配線及び前記電源配線と並行となるように前記陰極電極と電気的に接続される補助配線とを形成する第9工程と、
前記第1層間絶縁膜、前記電源配線、及び前記補助配線の上面を覆うように第2層間絶縁膜を形成する第10工程と、
前記第2層間絶縁膜を貫通する第3コンタクトホールを形成する第11工程と、
前記第2層間絶縁膜の上方に一組の陽極電極と陰極電極と、前記陽極電極と陰極電極の間に介在する発光層とを含むEL部を形成する第12工程と、を含み、
前記第12工程において、前記第3コンタクトホールを介して前記陰極電極と前記補助配線とを電気的に接続する、
EL表示パネルの製造方法。 - 前記第4工程で形成する半導体層は非結晶性半導体層であり、
前記第4工程と前記第5工程との間に、前記非結晶性半導体層の上方から所定のレーザ光を照射し、前記所定のレーザ照射により前記非結晶性半導体層の温度を所定の温度範囲とし、前記非結晶性半導体層を結晶化する工程を含む、
請求項14に記載のEL表示パネルの製造方法。 - 前記EL部は、前記発光層を有機発光層で形成した有機EL部である、
請求項14または請求項15に記載のEL表示パネルの製造方法。
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