JP5592365B2 - El表示パネル、el表示装置及びel表示パネルの製造方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明の第1の実施形態に係るEL(Electro Luminescence)パネルについて、図1を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示パネルの一部切り欠き斜視図である。
次に、本発明の第1の実施形態の変形例に係るEL表示パネル1’について、図15を用いて説明する。図15は、本発明の第1の実施形態の変形例に係るEL表示パネル1’の断面図である。なお、図15は、図11Bの本発明の第1の実施形態に係るEL表示パネル1の断面図に対応する。
次に、本発明の第2の実施形態に係るEL表示パネル2について、図16〜図18を用いて説明する。図16は、本発明の第2の実施形態に係るEL表示パネルの平面図であって、有機EL層L1及び第2層間絶縁膜を透過した状態を示している。また、図17は、本発明の第2の実施形態に係るEL表示パネルの平面図であって、有機EL層L1、配線層L2及び第1層間絶縁膜を透過した状態を示している。図18は、図16のX2−X2’線に沿って切断した断面図である。なお、図16のX1−X1’線に沿って切断した断面は、図11Aと同じである。また、各図において、有機EL層L3に形成される構成については省略している。
次に、本発明の第2の実施形態の変形例に係るEL表示パネル2’について、図20を用いて説明する。図20は、本発明の第2の実施形態の変形例に係るEL表示パネル2’の断面図である。なお、図20は、図18の本発明の第2の実施形態に係るEL表示パネル2の断面図に対応する。
次に、本発明の各実施形態に係るEL表示パネルの一例である有機EL表示パネルについて、図21A及び図21Bを用いて説明する。図21Aは、本発明に係る有機EL表示パネルの一例を示す断面斜視図である。図21Bは、本発明に係る有機EL表示パネルの他の例を示す断面斜視図である。
次に、本発明に係るEL表示パネルを適用したEL表示装置の一例について、図22を用いて説明する。図22は、本発明に係るEL表示装置の一例を示す外観斜視図である。
9 表示装置用薄膜半導体装置
10 有機EL素子
12 下部電極
13 有機発光層
14 上部電極
15 バンク
20 表示装置用薄膜半導体アレイ装置
21、921 ゲート配線
22、922 ソース配線
23A 第1電源配線
23B 第2電源配線
25 補助配線
30 画素回路
100 画素
100R、100G、100B サブ画素
111 第1コンタクト部
112 第2コンタクト部
113 第3コンタクト部
114 第4コンタクト部
115 第5コンタクト部
120 電極部
131、132 開口部
200 表示部
300、900 基板
300C コンデンサ
301 非結晶性半導体膜
310 第1薄膜トランジスタ
310D 第1ドレイン電極
310G 第1ゲート電極
310S 第1ソース電極
311、321、911 半導体層
311A、321A 第1チャネル層
311B、321B 第2チャネル層
320 第2薄膜トランジスタ
320D 第2ドレイン電極
320G 第2ゲート電極
320S 第2ソース電極
330、930 ゲート絶縁膜
340 第1層間絶縁膜
350 第2層間絶縁膜
400 テレビジョンセット
910 薄膜トランジスタ
910D ドレイン電極
910G ゲート電極
910S ソース電極
940 層間絶縁膜
Claims (20)
- EL部と、前記EL部の発光を制御する薄膜半導体部とを備えるEL表示パネルであって、
前記EL部は、
陽極電極と、陰極電極と、前記陽極電極と前記陰極電極との間に介在する発光層と、を含み、
前記薄膜半導体部は、
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上であって前記ゲート電極の上方に形成された半導体層と、
前記半導体層の上方に形成された第1電極と、
前記第1電極と同層に形成された第2電極と、
前記第2電極と電気的に接続され、当該第2電極と同層に形成された第1電源配線と、
前記第1電極及び前記第2電極を覆って前記ゲート絶縁膜の上方に形成された第1層間絶縁膜と、
前記ゲート電極が形成された層とは異なる層である前記第1層間絶縁膜上に形成され、前記第1電源配線と交差するように配置されたゲート配線と、
前記ゲート配線と同層に形成されるとともに前記ゲート配線と並行して配置された第2電源配線と、
前記第2電源配線と同層に形成されるとともに前記第2電源配線と並行して配置された補助配線と、を含み、
前記ゲート電極と前記ゲート配線とは、前記ゲート絶縁膜及び前記第1層間絶縁膜を貫通するように設けられた第1導電部を介して電気的に接続され、
前記第1電源配線と前記第2電源配線とは、前記第1層間絶縁膜を貫通するように設けられた第2導電部を介して電気的に接続され、
前記補助配線は、前記陰極電極と電気的に接続される、
EL表示パネル。 - 前記第2電源配線及び前記補助配線は、前記ゲート配線と同一又は所定の近似値の高さに形成されており、
前記第2電源配線及び前記補助配線は、隣り合う2つの前記ゲート配線の間に配置され、
前記第2電源配線及び前記補助配線の双方を組合せた幅は、前記隣り合う2つのゲート配線の間の幅に対応する、
請求項1に記載のEL表示パネル。 - 前記第2電源配線又は前記補助配線と、前記隣り合う2つのゲート配線との距離は、それぞれ、4μm以上である、
請求項2に記載のEL表示パネル。 - 前記第2電源配線及び前記補助配線は、前記ゲート配線と同一又は所定の近似値の高さに形成されており、
前記第2電源配線及び前記補助配線は、隣り合う2つの前記ゲート配線の間を埋めるようにして、当該ゲート配線と近接して配置される、
請求項1に記載のEL表示パネル。 - 前記第2電源配線及び前記補助配線は、前記ゲート配線と同一又は所定の近似値の高さに形成されており、
前記第2電源配線及び前記補助配線は、前記第1電源配線の幅より広い幅を有する配線である、
請求項1に記載のEL表示パネル。 - 前記第2電源配線及び前記補助配線は、いずれも、均一な膜厚を有し、かつ、当該電源配線及び当該補助配線の下層の表面形状に従って形成される、
請求項2ないし請求項5のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記半導体層は、nチャネル型であり、
前記第2電源配線の少なくとも一部が、前記半導体層と重ならないように配置される、
請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記半導体層は、pチャネル型であり、
前記第2電源配線の少なくとも一部が、前記半導体層と重なるように配置される、
請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記第1電極はソース電極であり、前記第2電極はドレイン電極である、
請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記第1電極はドレイン電極であり、前記第2電極はソース電極である、
請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記ゲート配線が形成された層と前記第1電源配線が形成された層とで挟まれた前記第1層間絶縁膜により形成される単位面積あたりの容量は、前記ゲート電極が形成された層と前記第1電源配線が形成された層とで挟まれた前記ゲート絶縁膜により形成される単位面積あたりの容量より小さい、
請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記第2層間絶縁膜により形成される容量は、1.5×10-4F/m2未満であり、
前記ゲート絶縁膜に形成される容量は、1.5×10-4F/m2以上である、
請求項11に記載のEL表示パネル。 - 前記半導体層は、多結晶性半導体層を含む、
請求項1ないし請求項12のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記第2電源配線及び前記補助配線を構成する材料は、Al、Cu、Agから選択されるいずれか1つの元素を含む、
請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 前記第2電源配線及び前記補助配線は、多層配線であり、
前記第2電源配線及び前記補助配線を構成する主配線は、Al、Cu、Agから選択されるいずれか1つからなる、
請求項14に記載のEL表示パネル。 - 前記EL部は、前記発光層が有機発光層である有機EL部である、
請求項1ないし請求項15のいずれか1項に記載のEL表示パネル。 - 請求項1ないし請求項16のいずれか1項に記載のEL表示パネルを備える、
EL表示装置。 - 基板を準備する第1工程と、
前記基板上にゲート電極を形成する第2工程と、
前記ゲート電極を覆って前記基板上にゲート絶縁膜を形成する第3工程と、
前記ゲート絶縁膜上であって前記ゲート電極の上方に半導体層を形成する第4工程と、
前記半導体層の上方に第1電極を形成するとともに、前記第1電極と同層に第2電極及び当該第2電極と電気的に接続される第1電源配線を形成する第5工程と、
前記第1電極及び前記第2電極を覆って前記ゲート絶縁膜の上方に第1層間絶縁膜を形成する第6工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記第1層間絶縁膜を貫通する第1コンタクトホール、及び、前記第1層間絶縁膜を貫通する第2コンタクトホールを形成する第7工程と、
前記第1層間絶縁膜上に金属膜を成膜して当該金属膜をパターニングすることにより、前記第1電源配線と交差するように前記第1コンタクトホールを介して前記ゲート電極と電気的に接続されるゲート配線を形成するとともに、前記ゲート配線と並行するように前記第2コンタクトホールを介して前記第1電源配線と電気的に接続される第2電源配線を形成し、さらに、前記第2電源配線と並行するように補助配線を形成する第8工程と、
前記第1層間絶縁膜、前記第2電源配線、及び前記補助配線の上面を覆うように、第2層間絶縁膜を形成する第9工程と、
前記補助電極上における前記第2層間絶縁膜を貫通する第3コンタクトホールを形成する第10工程と、
前記第2層間絶縁膜の上方に、陽極電極と、陰極電極と、前記陽極電極と前記陰極電極との間に介在する発光層とを含むEL部を形成する第11工程と、を含み、
前記第11工程において、前記第3コンタクトホールを介して前記陰極電極と前記補助配線とを電気的に接続する、
EL表示パネルの製造方法。 - 前記第4工程で形成する半導体層は非結晶性半導体膜であり、
前記第4工程と前記第5工程との間に、前記非結晶性半導体膜に対して所定のレーザ光を照射し、前記所定のレーザ光の照射により前記非結晶性半導体膜の温度を所定の温度範囲とし、前記非結晶性半導体膜を結晶化する工程を含む、
請求項18に記載のEL表示パネルの製造方法。 - 前記EL部は、前記発光層を有機発光層で形成した有機EL部である、
請求項18又は請求項19に記載のEL表示パネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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PCT/JP2010/005850 WO2012042567A1 (ja) | 2010-09-29 | 2010-09-29 | El表示パネル、el表示装置及びel表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
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