CN102741905B - El显示面板、el显示装置及el显示面板的制造方法 - Google Patents

El显示面板、el显示装置及el显示面板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的EL显示面板(1)具备有机EL元件(10)和对有机EL元件(10)的发光进行控制的薄膜半导体部。有机EL元件包括下部电极(12)、有机发光层(13)及上部电极(14)。薄膜半导体部包括基板(300)、第1栅电极(310G)、栅极绝缘膜(330)、第1半导体层(311)、第1源电极(310S)、与第1源电极(310S)形成于相同的层的第2漏电极(320D)、与第2漏电极同层且电连接的第1电源布线(23A)及形成为覆盖第1源电极和第2漏电极的第1层间绝缘膜(340)。进而，具备：配置于第1层间绝缘膜上且与第1栅电极连接的栅极布线(21)、与栅极布线同层且与第1电源布线连接的第2电源布线(23B)及与第2电源布线同层且与上部电极连接的辅助布线(25)。

Description

EL显示面板、EL显示装置及EL显示面板的制造方法
技术领域
本发明涉及EL显示面板、EL显示装置及EL显示面板的制造方法，尤其涉及用于有源矩阵方式的显示装置的EL显示面板、EL显示装置及EL显示面板的制造方法。
背景技术
在液晶显示装置或有机EL显示装置等有源矩阵驱动型的显示装置中，作为对像素进行选择的开关元件或对显示元件进行驱动的驱动元件，使用薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)。
薄膜晶体管用于显示装置的有源矩阵基板，当前，正被积极地进行面向高性能化的开发。尤其是，随着与显示装置的大型化和/或高精细化相伴、要求薄膜晶体管的高驱动能力，作为沟道层(有源层)使用了结晶化的半导体薄膜(多晶硅、微晶硅)的薄膜晶体管受到关注。
作为半导体薄膜的结晶化工艺，代替已经确立的采用了1000℃以上的处理温度的高温工艺，开发出采用了600℃以下的处理温度的低温工艺。在低温工艺中，不需要使用耐热性优异的石英等高价格的基板，能够实现制造成本的降低化。
作为低温工艺的一环节，使用激光束进行加热的激光退火受到关注。这是下述过程：在对成膜于玻璃等低耐热性绝缘基板上的非晶质硅等非单晶性的半导体薄膜照射激光束而局部进行了加热溶融之后，在其冷却过程中使半导体薄膜结晶化。结晶化了的半导体薄膜因为载流子的迁移率升高，所以能够使薄膜晶体管高性能化(例如，参照专利文献1)。
可是，作为薄膜晶体管的结构，主流为栅电极配置于沟道层之下的底栅型的结构。以下，关于以往的底栅型的薄膜晶体管，使用图23、图24A～图24C及图25进行说明。图23是显示装置的一个像素中以往的显示装置用薄膜半导体装置的俯视图。此外，图24A是沿图23的X1-X1’进行剖切而得到的以往的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。图24B是沿图23的X2-X2’进行剖切而得到的以往的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。图24C是沿图23的Y-Y’进行剖切而得到的以往的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。图25对应于图24A，是从图23的X1-X1’的剖面看时的表示以往的显示装置用薄膜半导体装置的主要部分的立体图。
如图23、图24A～图24C及图25所示，以往的显示装置用薄膜半导体装置9具备沿像素的行方向形成的栅极布线921、沿像素的列方向形成的源极布线922和设置于栅极布线921与源极布线922交叉的位置的薄膜晶体管910。
如图24A所示，薄膜晶体管910是底栅型的薄膜晶体管，是包括依次形成于基板900上的栅电极910G、栅极绝缘膜930、半导体层911(沟道层)以及一对源电极910S及漏电极910D的层叠结构体。
如图23及图24A所示，栅电极910G从栅极布线921延伸设置，形成于与栅极布线921相同的层的第1金属层ML1’。栅极绝缘膜930以覆盖栅极布线921及栅电极910G的方式形成于基板900上。半导体层911以与栅电极910G重叠的方式在栅极绝缘膜930上形成为岛状。一对源电极910S及漏电极910D形成为与半导体层911的一部分重叠，此外以相互相对的方式分离配置。源电极910S及漏电极910D形成于与源极布线922相同的层的第2金属层ML2’。另外，以覆盖薄膜晶体管910、栅极布线921及源极布线922的方式层叠有层间绝缘膜940。
在此，在底栅型的薄膜晶体管910中，通过在栅电极910G上形成非晶硅并通过激光退火使其结晶化而形成半导体层911的情况下，在非晶硅的溶融时激光退火的热在栅电极910G中传递而扩散。从而，为了抑制半导体层911的结晶化时的激光退火的热的扩散，优选：栅电极910G由热传导率小的材料构成。
另一方面，关于栅极布线921，若布线电阻高，则信号会延迟、由于电压下降而产生显示不均。尤其是，若面板面积大型化而驱动频率增大，则布线电阻的影响变大。从而，优选：栅极布线921由电阻率(比电阻)低的材料构成。
栅电极910G及栅极布线921因为如上所述形成于同一层，所以大多由同一材料构成。从而，若从上述半导体层911的结晶化的观点出发由热传导率小的材料构成栅电极910G，则栅极布线921也由相同的热传导率小的材料构成。另一方面，若从栅极布线921的布线电阻的观点出发由电阻率低的材料构成栅极布线921，则栅电极910G也由相同的电阻率低的材料构成。
但是，热传导率小的金属材料几乎都是电阻率高的物质，难以同时满足半导体层911的结晶化的观点和栅极布线921的布线电阻的观点这两种观点。
因此，以往，有人提出同时满足两种观点的显示装置用薄膜半导体装置(参照专利文献2)。在专利文献2中，以兼顾栅电极的热传导性和栅极布线的低电阻化为目的，公开了将栅极布线分为2个部分的结构。
即，在专利文献2的显示装置用薄膜半导体装置中，栅极布线由与栅电极形成为一体的一体部和以接触孔与该一体部连接的分体部构成。此外，栅极布线的一体部与源极布线为夹着栅极绝缘膜而立体交叉的结构。而且，关于栅电极与栅极布线的一体部，使用具有比栅极布线的分体部低的热传导率的材料，另一方面，关于栅极布线的分体部，使用具有比栅电极低的电阻率的材料。
专利文献1：特开平07-235490号公报
专利文献2：特开2007-047808号公报
发明内容
但是，在专利文献2所公开的显示装置用薄膜半导体装置中，栅电极与栅极布线的一体部依然由相同的材料构成。从而，若从半导体层的结晶化的观点出发，由热传导率低的材料构成栅电极，则栅极布线的一体部的电阻率变高而栅极布线的一体部会高电阻化。其结果，存在作为包含一体部的栅极布线整体而无法充分地降低布线电阻的问题。
此外，因为栅极布线的一体部与分体部在每像素中以2处的接触孔连接，所以还存在着在一体部与分体部的连接部分产生IR压降(由产生于布线上的电流I与电阻R之积引起的电压下降)的问题。而且，因为1行的栅极布线是一体部与分体部交替连接而成的结构，所以还存在着下述问题：即使在一体部与分体部的连接部分之中的一处存在接触不良，沿栅极布线的1行全部的像素也都成为不良。
进而，栅极布线与连接于薄膜晶体管的电源布线隔着膜厚为200nm左右的栅极绝缘膜立体交叉。因此，还存在着下述问题：若为使薄膜晶体管的高性能化而欲将栅极绝缘膜薄膜化，栅极布线与电源布线的间隔就变为更窄，则布线间的寄生电容增加。
进而，在使用显示装置用薄膜半导体装置的显示装置例如为EL显示装置的情况下，在各像素中，在形成有机EL元件的EL层，形成有电连接于上部电极(阴极)的辅助布线。因此，还存在着由于辅助布线，像素的开口率下降的问题。
本发明是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供可以分别以适合于栅电极及栅极布线的材料构成、并且还可以降低栅极布线与电源布线之间的寄生电容的EL显示面板、EL显示装置及EL显示面板的制造方法。
为了解决上述问题，本发明的EL显示面板的一种方式是EL显示面板，其具备EL部和对所述EL部的发光进行控制的薄膜半导体部，所述EL部包含阳极电极、阴极电极和介于所述阳极电极与所述阴极电极之间的发光层；所述薄膜半导体部包含：基板；栅电极，其形成于所述基板上；栅极绝缘膜，其覆盖所述栅电极而形成于所述基板上；半导体层，其形成在所述栅极绝缘膜上、所述栅电极的上方；第1电极，其形成于所述半导体层的上方；第2电极，其形成于与所述第1电极相同的层；第1电源布线，其与所述第2电极电连接，与所述第2电极形成于相同的层；第1层间绝缘膜，其覆盖所述第1电极及所述第2电极而形成于所述栅极绝缘膜的上方；栅极布线，其形成于与形成有所述栅电极的层不同的层即所述第1层间绝缘膜上，配置为与所述第1电源布线交叉；第2电源布线，其与所述栅极布线形成于相同的层并且与所述栅极布线并行地配置；以及辅助布线，其与所述第2电源布线形成于相同的层并且与所述第2电源布线并行地配置；所述栅电极与所述栅极布线经由第1导电部电连接，所述第1导电部设置为贯通所述栅极绝缘膜及所述第1层间绝缘膜；所述第1电源布线与所述第2电源布线经由第2导电部电连接，所述第2导电部设置为贯通所述第1层间绝缘膜；所述辅助布线与所述阴极电极电连接。
根据本发明的EL显示面板，因为能够用单独的层构成栅极布线和栅电极，所以能够分别选择适合于它们的材料。
进而，因为栅极布线形成于第1层间绝缘膜的上层，第1电源布线形成于比第1层间绝缘膜的下层，所以能够通过增大第1层间绝缘膜的膜厚而确保栅极布线与第1电源布线的膜厚间距离。由此，能够降低栅极布线与第1电源布线之间的寄生电容。
进而，第2电极与第1电源布线电连接并且第1电源布线与第2电源布线电连接，此外，第1电源布线与第2电源布线配置为交叉。由此，因为第2电极能够从第1电源布线和第2电源布线双方向接受电源供给，所以对于伴随着大画面化而在显示区域的中央区域产生的IR压降，能够降低IR压降量。
进而，因为第2电源布线及辅助布线形成于与栅极布线相同的层并且与栅极布线并行地配置，所以能够通过第2电源布线及辅助布线减轻由于第1层间绝缘膜上的栅极布线而产生的凹凸。由此，能够使EL部下层的平坦性提高。
进而，对于第2电极能够通过第1电源布线及第2电源布线两条电源布线供给电力。由此，能够抑制像素不良，所以能够抑制显示装置的显示不均。
进而，辅助布线与栅极布线形成于相同的层，不需要在EL部另行形成辅助布线。由此，能够使像素的开口率提高，所以能够使显示面板的寿命提高。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式的有机EL显示面板的部分剖切立体图。
图2是表示本发明的第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置的母基板的图。
图3是本发明的第1实施方式的EL显示面板的一像素的电路结构图。
图4A是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的一像素的包含薄膜晶体管的剖面的剖面图。
图4B是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的一像素的包含辅助布线的剖面的剖面图。
图5是本发明的第1实施方式的EL显示面板(部分透过)的俯视图。
图6是本发明的第1实施方式的EL显示面板(部分透过)的俯视图。
图7是本发明的第1实施方式的EL显示面板(部分透过)的俯视图。
图8是本发明的第1实施方式的EL显示面板(部分透过)的一像素的俯视图。
图9是本发明的第1实施方式的EL显示面板(部分透过)的一像素的俯视图。
图10是本发明的第1实施方式的EL显示面板(部分透过)的一像素的俯视图。
图11A是本发明的第1实施方式的EL显示面板的剖面图(图9的X1-X1’线剖面图)。
图11B是本发明的第1实施方式的EL显示面板的剖面图(图9的X2-X2’线剖面图)。
图11C是本发明的第1实施方式的EL显示面板的剖面图(图8的X3-X3’线剖面图)。
图12A是从图9的X4-X4’剖面看时的本发明的第1实施方式的EL显示面板的立体图。
图12B是从图10的X3-X3’剖面看时的本发明的第1实施方式的EL显示面板的立体图。
图13A是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的基板准备工序的剖面图。
图13B是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的第1金属层(栅电极)形成工序的剖面图。
图13C是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的栅极绝缘膜形成工序的剖面图。
图13D是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的非结晶性半导体膜形成工序及结晶性半导体膜形成工序(激光照射工序)的剖面图。
图13E是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的半导体层形成工序(岛化工序)的剖面图。
图13F是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的第4接触孔形成工序的剖面图。
图13G是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的第2金属层形成工序的剖面图。
图13H是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的第1层间绝缘膜形成工序的剖面图。
图13I是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的第2接触孔形成工序的剖面图。
图13J是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法中的第3金属层工序的剖面图。
图14是用于说明本发明的第1实施方式的EL显示面板中的薄膜晶体管的TFT特性的图。
图15是本发明的第1实施方式的变形例的EL显示面板的剖面图。
图16是本发明的第2实施方式的EL显示面板(部分透过)的俯视图。
图17是本发明的第2实施方式的EL显示面板(部分透过)的俯视图。
图18是本发明的第2实施方式的EL显示面板的剖面图(图16的X2-X2’线剖面图)。
图19是用于说明本发明的第2实施方式的EL显示面板中的薄膜晶体管的TFT特性的图。
图20是本发明的第2实施方式的变形例的EL显示面板的剖面图。
图21A是表示本发明的有机EL显示面板的一例的剖面立体图。
图21B是表示本发明的有机EL显示面板的另一例的剖面立体图。
图22是表示本发明的EL显示装置的一例的外观立体图。
图23是显示装置的一个像素中的以往的显示装置用薄膜半导体装置的俯视图。
图24A是以往的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图23的X1-X1’线剖面图)。
图24B是以往的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图23的X2-X2’线剖面图)。
图24C是以往的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图23的Y-Y’线剖面图)。
图25是表示从图23的X1-X1’的剖面看时的以往的显示装置用薄膜半导体装置的主要部分的立体图。
符号说明
1、1’、2、2’EL显示面板，9显示装置用薄膜半导体装置，10有机EL元件，12下部电极，13有机发光层，14上部电极，15堤栏，20显示装置用薄膜半导体阵列装置，21、921栅极布线，22、922源极布线，23A第1电源布线，23B第2电源布线，25辅助布线，30像素电路，100像素，100R、100G、100B子像素，111第1接触部，112第2接触部，113第3接触部，114第4接触部，115第5接触部，120电极部，131、132开口部，200显示部，300、900基板，300C电容器，301非结晶性半导体膜，310第1薄膜晶体管，310D第1漏电极，310G第1栅电极，310S第1源电极，311、321、911半导体层，311A、321A第1沟道层，311B、321B第2沟道层，320第2薄膜晶体管，320D第2漏电极，320G第2栅电极，320S第2源电极，330、930栅极绝缘膜，340第1层间绝缘膜，350第2层间绝缘膜，400电视机，910薄膜晶体管，910D漏电极，910G栅电极，910S源电极，940层间绝缘膜。
具体实施方式
本发明的EL显示面板的一种方式是EL显示面板，其具备EL部和对所述EL部的发光进行控制的薄膜半导体部，所述EL部包含阳极电极、阴极电极和介于所述阳极电极与所述阴极电极之间的发光层；所述薄膜半导体部包含：基板；栅电极，其形成于所述基板上；栅极绝缘膜，其覆盖所述栅电极而形成于所述基板上；半导体层，其形成在所述栅极绝缘膜上、所述栅电极的上方；第1电极，其形成于所述半导体层的上方；第2电极，其与所述第1电极形成于相同的层；第1电源布线，其与所述第2电极电连接，形成于与所述第2电极相同的层；第1层间绝缘膜，其覆盖所述第1电极及所述第2电极而形成于所述栅极绝缘膜的上方；栅极布线，其形成于与形成有所述栅电极的层不同的层即所述第1层间绝缘膜上，配置为与所述第1电源布线交叉；第2电源布线，其与所述栅极布线形成于相同的层并且与所述栅极布线并行地配置；以及辅助布线，其与所述第2电源布线形成于相同的层并且与所述第2电源布线并行地配置；所述栅电极与所述栅极布线经由第1导电部电连接，所述第1导电部设置为贯通所述栅极绝缘膜及所述第1层间绝缘膜；所述第1电源布线与所述第2电源布线经由第2导电部电连接，所述第2导电部设置为贯通所述第1层间绝缘膜；所述辅助布线与所述阴极电极电连接。
根据本方式，因为栅极布线配置于与形成有栅电极的层不同的层、即第1层间绝缘膜上，所以栅极布线和栅电极能够分别选择适合于各自的材料。
此外，根据本方式，因为栅极布线形成于第1层间绝缘膜的上层，第1电源布线形成于比第1层间绝缘膜的下层，所以能够通过增大第1层间绝缘膜的膜厚而确保栅极布线与第1电源布线的膜厚间距离。由此，能够降低栅极布线与第1电源布线之间的寄生电容。
进而，根据本方式，第2电极与第1电源布线电连接并且第1电源布线与第2电源布线电连接，此外，第1电源布线与第2电源布线配置为交叉。由此，因为第2电极能够从第1电源布线和第2电源布线双方向接受电源供给，所以对于伴随着大画面化而在显示区域的中央区域产生的IR压降，能够降低IR压降量。
进而，因为第2电源布线及辅助布线形成于与栅极布线相同的层并且与栅极布线并行地配置，所以能够通过第2电源布线减轻由于第1层间绝缘膜上的栅极布线而产生的凹凸。由此，能够使薄膜半导体部的平坦度提高。
进而，对于第2电极能够通过第1电源布线及第2电源布线两条电源布线供给电力。由此，能够抑制像素不良，所以能够抑制显示装置的显示不均。
此外，根据本方式，辅助布线不配置于EL部而配置于薄膜半导体部，并且与栅极布线及第2电源布线并行地配置。即，辅助布线在EL部以外的层，配置于为了配置栅极布线及第2电源布线而已经利用的层。由此，不会对薄膜半导体部增加空间上的负担，能够扩大EL部的设计的自由度。此外，因为辅助布线不需要配置于EL部，所以能够使各像素的开口率增大，作为EL显示面板能够增大发光量。此外，因为能够增大发光量，所以即使单位面积的发光强度减小，作为EL显示面板也能够实现与由以往的技术制造的EL显示面板同等的辉度，所以其结果，能够实现寿命长的EL显示面板。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述第2电源布线及所述辅助布线形成为与所述栅极布线同一或预定的近似值的高度；所述第2电源布线及所述辅助布线配置于相邻的2条所述栅极布线之间；所述第2电源布线及所述辅助布线双方组合而得到的宽度与所述相邻的2条栅极布线之间的宽度对应。
根据本方式，能够使EL显示面板的平坦性进一步提高。即，若栅极布线形成于第1层间绝缘膜上，则直接这样会比没有形成栅极布线的区域突出栅极布线的膜厚量。相对于此，根据本方式，第2电源布线及辅助布线是下述布线：第2电源布线及辅助布线双方组合得到的宽度为与相邻的2条栅极布线之间的宽度对应的宽度。从而，因为能够将第2电源布线及辅助布线也作为平坦化用的结构而进行利用，所以能够用简易的结构确保半导体薄膜部的平坦性。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述第2电源布线或所述辅助布线与所述相邻的2条栅极布线的距离分别为4μm以上。
根据本方式，能够使第2电源布线或辅助布线与栅极布线不相影响地配置，并且能够使薄膜半导体部的平坦性提高。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述第2电源布线及所述辅助布线形成为与所述栅极布线同一或预定的近似值的高度；所述第2电源布线及所述辅助布线以填埋相邻的2条所述栅极布线之间的方式，与该栅极布线接近地配置。
根据本方式，能够使薄膜半导体部的平坦性进一步提高。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述第2电源布线及所述辅助布线形成为与所述栅极布线同一或预定的近似值的高度；所述第2电源布线及所述辅助布线是具有比所述第1电源布线的宽度宽阔的宽度的布线。
根据本方式，能够使薄膜半导体部的平坦性进一步提高。此外，能够使第2电源布线比第1电源布线低电阻化，能够大幅地降低IR压降。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述第2电源布线及所述辅助布线都具有均匀的膜厚，并且按照该电源布线及该辅助布线的下层的表面形状而形成。
根据本方式，能够使第2电源布线的俯视形状成为基本平板形状。由此，能够使第2电源布线成为具有比第1电源布线的宽度宽阔的宽度的平板形状的布线，能够使第2电源布线成为低电阻布线。从而，因为从布线电阻低的第2电源布线经由第1电源布线对于第2电极进行电源供给，所以对于伴随着大画面化而在显示区域的中央区域产生的IR压降，能够大幅地降低该压降量。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述半导体层为n沟道型；所述第2电源布线的至少一部分配置为与所述半导体层不重叠。
根据本方式，因为n沟道型的半导体层构成为与第2电源布线不重叠，所以能够抑制在背沟道诱发载流子的情况。由此，能够抑制截止泄漏电流的产生，所以能够实现具有截止特性优异的薄膜晶体管的EL显示面板。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述半导体层为p沟道型；所述第2电源布线的至少一部分配置为与所述半导体层重叠。
根据本方式，因为p沟道型的半导体层构成为与第2电源布线重叠，所以能够使背沟道的电位稳定。由此，因为能够减小截止泄漏电流，所以能够实现具有截止特性优异的薄膜晶体管的EL显示面板。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，所述第1电极为源电极，所述第2电极为漏电极。此外，在本发明的EL显示面板的一种方式中，所述第1电极也可以为漏电极，所述第2电极也可以为源电极。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：通过由形成有所述栅极布线的层和形成有所述第1电源布线的层所夹的所述第1层间绝缘膜形成的单位面积的电容，比通过由形成有所述栅电极的层和形成有所述第1电源布线的层所夹的所述栅极绝缘膜形成的单位面积的电容小。在该情况下，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：通过所述第2层间绝缘膜形成的电容小于1.5×10-4F/m2；由所述栅极绝缘膜形成的电容为1.5×10-4F/m2以上。
根据本方式，在第1层间绝缘膜和栅极绝缘膜为同一材料的情况下，第1层间绝缘膜的膜厚比栅极绝缘膜的膜厚要厚。由此，因为能够使第1层间绝缘膜上的栅极布线与第1层间绝缘膜下的第1电源布线之间的间隔分离为栅极绝缘膜的膜厚以上，所以能够进一步降低栅极布线与第1电源布线之间的寄生电容。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述半导体层包含多结晶性半导体层。
根据本方式，因为能够通过多结晶性半导体层提高载流子的迁移率，所以能够实现具备导通特性优异的薄膜晶体管的EL显示面板。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：构成所述第2电源布线及所述辅助布线的材料包含从Al、Cu、Ag中选择的任意一种元素。进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述第2电源布线及所述辅助布线为多层布线；构成所述第2电源布线及所述辅助布线的主布线由从Al、Cu、Ag中选择的任意一种构成。
根据本方式，因为在布线用材料之中也能够用电阻率小的金属材料来构成，所以能够进一步减小第2电源布线的电阻。
进而，在本发明的EL显示面板的一种方式中，优选：所述EL部是所述发光层为有机发光层的有机EL部。
根据本方式，能够实现显示性能优异的有机EL显示面板。
此外，本发明的EL显示装置的一种方式是具备上述的EL显示面板的方式。
根据本方式，能够实现显示性能优异的EL显示装置。
此外，本发明的EL显示面板的制造方法的一种方式包括：第1工序，准备基板；第2工序，在所述基板上形成栅电极；第3工序，覆盖所述栅电极而在所述基板上形成栅极绝缘膜；第4工序，在所述栅极绝缘膜上、在所述栅电极的上方形成半导体层；第5工序，在所述半导体层的上方形成第1电极，并且在与所述第1电极相同的层形成第2电极及与该第2电极电连接的第1电源布线；第6工序，覆盖所述第1电极及所述第2电极而在所述栅极绝缘膜的上方形成第1层间绝缘膜；第7工序，形成贯通所述栅极绝缘膜及所述第1层间绝缘膜的第1接触孔及贯通所述第1层间绝缘膜的第2接触孔；第8工序，通过在所述第1层间绝缘膜上进行金属膜的成膜并对该金属膜进行图案形成，而以与所述第1电源布线交叉的方式形成经由所述第1接触孔与所述栅电极电连接的栅极布线，并且以与所述栅极布线并行的方式形成经由所述第2接触孔与所述第1电源布线电连接的第2电源布线，进而以与所述第2电源布线并行的方式形成辅助布线；第9工序，以覆盖所述第1层间绝缘膜、所述第2电源布线及所述辅助布线的上面的方式形成第2层间绝缘膜；第10工序，形成贯通所述辅助电极上的所述第2层间绝缘膜的第3接触孔；以及第11工序，在所述第2层间绝缘膜的上方，形成包含阳极电极、阴极电极和介于所述阳极电极与所述阴极电极之间的发光层的EL部；在所述第11工序中，经由所述第3接触孔将所述阴极电极与所述辅助布线电连接。
根据本方式，能够容易地制造上述的本发明的EL显示面板。
进而，在本发明的EL显示面板的制造方法的一种方式中，优选：由所述第4工序形成的半导体层为非结晶性半导体膜；在所述第4工序与所述第5工序之间，包含对于所述非结晶性半导体膜照射预定的激光，通过所述预定的激光的照射将所述非结晶性半导体膜的温度设为预定的温度范围，使所述非结晶性半导体膜结晶化的工序。
根据本方式，能够形成包含多结晶性半导体膜的半导体层，能够制造包含导通特性优异的薄膜晶体管的EL显示面板。
进而，在本发明的EL显示面板的制造方法的一种方式中，优选：所述EL部是由有机发光层形成了所述发光层的有机EL部。
根据本方式，能够制造显示性能优异的有机EL显示面板。
以下，关于本发明的EL显示面板、EL显示面板的制造方法以及EL显示装置的实施方式及实施例，参照附图进行说明。另外，各附图是用于说明的示意图，膜厚及各部分的大小之比等未必是严格地表示的膜厚及各部分的大小之比。
(第1实施方式)
首先，关于本发明的第1实施方式的EL(Electro Luminescence，电致发光)面板，使用图1进行说明。图1是本发明的第1实施方式的有机EL显示面板的部分剖切立体图。
如图1所示，本发明的第1实施方式的EL显示面板1，是有机EL显示面板(有机EL显示器)，具备自发光型显示元件即有机EL元件10、包括形成有薄膜晶体管及各种布线等的有源矩阵基板的显示装置用薄膜半导体阵列装置20。
有机EL元件10具备依次形成于显示装置用薄膜半导体阵列装置20上的下部电极12、有机发光层13及上部电极14。有机发光层13通过层叠电子迁移层、发光层、空穴迁移层所构成。
显示装置用薄膜半导体阵列装置20具备矩阵状(行列状)地配置有多个像素100的像素部，在各像素100设置有包含薄膜晶体管(未图示)的像素电路30。此外，显示装置用薄膜半导体阵列装置20具备配置为矩阵状的栅极布线21及源极布线22。栅极布线21在行方向排列多条，源极布线22在列方向排列多条。此外，栅极布线21及源极布线22构成为正交，分别将各像素电路30与控制电路(未图示)连接。
在各像素电路30，作为用于选择像素100的开关元件及用于对有机EL元件10进行驱动的驱动元件，至少设置有2个薄膜晶体管。
另外，虽然在图1中未图示，但是显示装置用薄膜半导体阵列装置20具备在列方向排列的多条第1电源布线23A及在行方向排列的多条第2电源布线23B。多条第1电源布线23A与源极布线22平行地配置，并连接于各像素100的驱动元件。
这样，本实施方式的有机EL显示面板1采用有源矩阵方式，该有源矩阵方式按由栅极布线21和源极布线22划分成的每像素100进行显示控制。
接着，关于制作本发明的第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置的一例，使用图2进行说明。图2表示本发明的第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置的母基板。如图2所示，母基板包含2个显示部200，通过将该母基板切割为2块，可以得到2个显示装置用薄膜半导体阵列装置20。各显示部200如上所述，矩阵状(行列状)地配置像素100而构成。另外，在图2中，对像素100，仅图示了显示部200的角部的像素。此外，在图2中，设母基板包含2个显示部200，示出了取得两块的例子，但是显示部200也可以设为2个以上的多个，此外，也可以将显示部200设为仅1个。
接着，关于本发明的第1实施方式的EL显示面板的像素的电路结构，使用图3进行说明。图3是本发明的第1实施方式的EL显示面板的一像素的电路结构图。以下，在图3～图15所示的本发明的第1实施方式中，第1薄膜晶体管及第2薄膜晶体管作为p沟道型的TFT进行说明。
如图3所示，各像素100具备像素电路30和有机EL元件10，所述像素电路30包括第1薄膜晶体管310、第2薄膜晶体管320及电容器300C。第1薄膜晶体管310是用于选择像素100的选择晶体管(开关晶体管)，第2薄膜晶体管320是用于对有机EL元件10进行驱动的驱动晶体管。
第1薄膜晶体管310具有第1源电极310S、第1漏电极310D及第1栅电极310G。第1源电极310S连接于源极布线22，第1栅电极310G连接于栅极布线21。此外，第1漏电极310D连接于电容器300C及第2薄膜晶体管320的第2栅电极320G。当对栅极布线21及源极布线22施加电压时，第1薄膜晶体管310将施加于源极布线22的电压值作为显示数据保存于电容器300C。
第2薄膜晶体管320具有第2源电极320S、第2漏电极320D及第2栅电极320G。第2漏电极320D连接于有机EL元件10的阳极(下部电极)，第2源电极320S连接于第1电源布线23A。此外，第2栅电极320G连接于第1薄膜晶体管310的第1漏电极310D。第2薄膜晶体管320将与电容器300C所保持的电压值对应的电流从第1电源布线23A通过第2漏电极320D供给至有机EL元件10的阳极。
在这样构成的像素100中，当对栅极布线21输入栅信号，将第1薄膜晶体管310设为导通状态时，经由源极布线22供给的信号电压被写入至电容器300C。并且，写入至电容器300C的保持电压经过1帧期间而保持。通过该保持电压，第2薄膜晶体管320的电导模拟性地发生变化，与发光等级对应的驱动电流从有机EL元件10的阳极流向阴极(负极)。由此，有机EL元件10发光，作为图像而显示。
接着，关于本发明的第1实施方式的EL显示面板1的像素的结构，使用图4A及图4B进行说明。图4A是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的一像素的包含薄膜晶体管的剖面的剖面图。图4B是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的一像素的包含辅助布线的剖面的剖面图。
如图4A所示，本发明的第1实施方式的EL显示面板1的各像素，具备用于选择像素的开关晶体管即第1薄膜晶体管310和驱动有机EL元件10的驱动晶体管即第2薄膜晶体管320。如上所述，第1薄膜晶体管310具有第1源电极310S、第1漏电极310D及第1栅电极310G。此外，第2薄膜晶体管320具有第2源电极320S、第2漏电极320D及第2栅电极320G。
如图4A所示，在各像素中，在基板300上，形成第1栅电极310G及第2栅电极320G。此外，以覆盖第1栅电极310G及第2栅电极320G的方式，形成栅极绝缘膜330。
在第1栅电极310G的上方、栅极绝缘膜330之上，形成第1半导体层311。此外，在第2栅电极320G的上方、栅极绝缘膜330之上，形成第2半导体层321。
一对第1源电极310S及第1漏电极310D覆盖第1半导体层311的一部分而以相互相对的方式分离配置。此外，一对第2源电极320S及第2漏电极320D覆盖第2半导体层321的一部分而以相互相对的方式分离配置。
第1薄膜晶体管310的第1源电极310S与源极布线22电连接。此外，第2薄膜晶体管320的第2源电极320S与第1电源布线23A电连接。
进而，以覆盖第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320的方式，形成第1层间绝缘膜340(下部层间绝缘膜)。第1层间绝缘膜340例如作为用于保护第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320的钝化膜而起作用。
在第1层间绝缘膜340上，形成第2电源布线23B。第2电源布线23B经由形成于第1层间绝缘膜340的接触孔与第1电源布线23A电连接。
以覆盖第2电源布线23B的方式在第1层间绝缘膜340上形成第2层间绝缘膜350(上部层间绝缘膜)。第2层间绝缘膜350例如作为用于使显示装置用薄膜半导体装置(薄膜半导体部)的上面变得平坦的平坦化膜而起作用。由此，能够平坦地形成上层的有机EL元件10。
在第2层间绝缘膜350上，形成依次层叠有下部电极12、有机发光层13及上部电极14的有机EL元件10。在第2层间绝缘膜350上，在与相邻像素的边界部分形成堤栏(bank)15。在通过相邻的堤栏15构成的开口，形成下部电极12及有机发光层13。
下部电极12是以像素为单位配置的阳极电极(正极)，其形成于第2层间绝缘膜350上。下部电极12经由贯通第1层间绝缘膜340及第2层间绝缘膜350的接触孔，与第2薄膜晶体管的第2漏电极320D电连接。
有机发光层13(有机EL层)以颜色(子像素列)为单位或以子像素为单位形成，由预定的有机发光材料构成。
上部电极14配置于有机发光层13的上方，是以跨多个像素的方式形成为的阴极电极(负极)，其通过ITO等透明电极构成。在本实施方式中，上部电极14是全部像素所共用的共用电极。另外，在本实施方式中，上部电极14是接地电位。
此外，如图4B所示，在第1层间绝缘膜340上，形成有辅助布线25。辅助布线25与有机EL元件10的上部电极14电连接，防止上部电极14在显示画面的中央区域产生的电压下降。辅助布线25作为对上部电极14供给预定的电源的EL电源线而起作用。
另外，在本实施方式中，在有机EL层L3，不形成与上部电极14电连接的辅助布线。
电极部120构成为，从第2薄膜晶体管320的第2漏电极320D延伸设置。如图4B所示，电极部120经由中继电极与有机EL元件10的下部电极12电连接。由此，第2薄膜晶体管320的第2漏电极320D与下部电极12电连接。
在这样构成的EL显示面板1中，将最下层的形成薄膜晶体管的层设为TFT层(TFT部)L1，将最上层的形成有机EL元件10的层设为有机EL层(有机EL部)L3，将TFT层L1与有机EL层L3之间的层、即形成各种布线的层设为布线层(布线部)L2。在该布线层L2，如图4A及图4B所示，例如形成第2电源布线23B及辅助布线25等。此外，在本实施方式中，通过TFT层L1和布线层L2构成薄膜半导体部。
此外，在TFT层L1中，将形成第1栅电极310G及第2栅电极320G的层设为第1金属层ML1。此外，将形成一对第1源电极310S及第1漏电极310D和一对第2源电极320S及第2漏电极320D的层设为第2金属层ML2。从而，如图4A及图4B所示，在本实施方式中，源极布线22形成于第2金属层ML2。
此外，在布线层L2中，将形成电源布线23的层设为第3金属层ML3。另外，虽然后面描述，但是在第3金属层ML3，除了第2电源布线23B及辅助布线25以外，还形成栅极布线21。
在这些第1金属层ML1～第3金属层ML3中，形成于同一金属层的电极及布线等金属部件，能够通过对同一金属膜进行图案形成而同时形成。
接着，关于本发明的第1实施方式的EL显示面板1，使用图5～图7进行说明。图5是本发明的第1实施方式的EL显示面板的俯视图，表示透过了有机EL元件10的上部电极及发光层的状态。图6是本发明的第1实施方式的EL显示面板的俯视图，表示透过了有机EL层L1及第2层间绝缘膜的状态。此外，图7是本发明的第1实施方式的EL显示面板的俯视图，表示透过了有机EL层L1、布线层L2及第1层间绝缘膜的状态。
如图5所示，本发明的第1实施方式的EL显示面板1，具备排列为矩阵状(行列状)的像素100，在各像素100，配置下部电极12。
此外，如图6所示，沿像素100的行方向，互相平行地配置多条栅极布线21、多条第2电源布线23B及多条辅助布线25。
在相邻的栅极布线21之间，配置第2电源布线23B及辅助布线25，第2电源布线23B及辅助布线25与栅极布线21形成于相同的层并且与栅极布线21并行地配置。
另外，栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25，形成于图4A及图4B所示的布线层L2的第3金属层ML3。此外，栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25形成于第1层间绝缘膜340(未图示)上。
图7是在图6中透过了栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25的状态的图。另外，在图6中，关于形成栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25的区域，由虚线进行表示。
如图7所示，本发明的第1实施方式的EL显示装置1，具备沿像素100的列方向互相平行地配置的多条源极布线22及多条第1电源布线23A。
第1电源布线23A和源极布线22，形成于图4A所示的TFT层L1的第2金属层ML2，且配置为与形成于上层的布线层L2的栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25立体交叉。
接着，关于图5～图7中的各像素100的详细结构，使用图8～图10、图11A、图11B、图11C、图12A及图12B进行说明。图8～图10分别对应于图5～图7的各像素100，是本发明的第1实施方式的EL显示面板的俯视图。图11A是沿图9的X1-X1’线剖切而得到的剖面图，图11B是沿图9的X2-X2’线剖切而得到的剖面图，图11C是沿图8的X3-X3’线剖切而得到的剖面图。此外，图12A是从图9的X4-X4’剖面看时的本发明的第1实施方式的EL显示面板的立体图。图12B是从图10的X3-X3’剖面看时的本发明的第1实施方式的EL显示面板的立体图。
如图8～图10所示，本发明的第1实施方式的EL显示面板1具备显示装置用薄膜半导体装置，所述显示装置用薄膜半导体装置具有基板300、第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320、栅极布线21、源极布线22、第1电源布线23A、第2电源布线23B、辅助布线25和第1层间绝缘膜340。
第1薄膜晶体管310是第1栅电极310G、栅极绝缘膜330、第1半导体层311(沟道层)、一对第1源电极310S及第1漏电极310D的层叠结构体。此外，第2薄膜晶体管320是第2栅电极320G、栅极绝缘膜330、第2半导体层321(沟道层)、一对第2源电极320S及第2漏电极320D的层叠结构体。
在本实施方式中，第1薄膜晶体管310、第2薄膜晶体管320、源极布线22及第1电源布线23A形成于图4A所示的TFT层L1。此外，栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25形成于图4A及图4B所示的布线层L2。
以下，关于本发明的第1实施方式的EL显示面板1的各构成要素，从下层的构成要素开始按顺序进行详述。
第1栅电极310G及第2栅电极320G，如图10、图11A、图11B及图12B所示，在基板300上图案形成为岛状。第1栅电极310G及第2栅电极320G形成于图4A所示的第1金属层ML1。
栅极绝缘膜330，如图11A及图11B所示，以覆盖第1栅电极310G及第2栅电极320G的方式在基板300上形成。此外，栅极绝缘膜330在形成接触孔的区域以外的区域，形成于基板300上的整面。
第1半导体层311，如图10及图11B所示，在栅极绝缘膜330上、第1栅电极310G的上方图案形成为岛状。此外，第2半导体层321在栅极绝缘膜330上、第2栅电极320G的上方图案形成为岛状。
另外，第1半导体层311及第2半导体层321能够设为n沟道型或p沟道型。在本实施方式中，因为第1半导体层311及第2半导体层321由正电位的第2电源布线23B覆盖，所以第1半导体层311及第2半导体层321都设为p沟道型。
第1薄膜晶体管310中的一对第1源电极310S及第1漏电极310D，如图10及图11B所示，形成为在第1半导体层311的上方与第1半导体层311重叠，此外形成为相互相对。这些第1源电极310S及第1漏电极310D形成于图4A所示的处于TFT层L1的第2金属层ML2。
另外，在本说明书中，所谓“重叠”，指从上下方向看处于互相重合的位置关系。
进而，第1漏电极310D，如图10及图11B所示，形成为与第2薄膜晶体管320的第2栅电极320G重叠。第1漏电极310D与第2栅电极320G通过第4接触部114(第4导电部)电连接。第4接触部114，通过在第1漏电极310D与第2栅电极320G重叠的位置、在形成于厚度方向的第4接触孔埋入导电部件而构成。在本实施方式中，如图11B所示，第4接触部114，通过在贯通栅极绝缘膜330而形成的第4接触孔埋入第1漏电极310D的一部分而构成。
另外，如图11B所示，对应于第4接触部114的第4接触孔，形成于栅极绝缘膜330。在本实施方式中，第4接触部114如图10所示形成有3个。
此外，第2薄膜晶体管320中的一对第2源电极320S及第2漏电极320D，如图10及图11B所示，形成为在第2半导体层321的上方与第2半导体层321重叠，此外形成为相互相对。这些第1源电极310S及第1漏电极310D形成于处于TFT层L1的第2金属层ML2。
进而，如图10及图12B所示，第2漏电极320D沿列方向(纵向方向)直线状地延伸设置，在与第2半导体层321的相反侧部分形成有比延伸设置部分幅度宽的岛状的电极部120。
电极部120经由第3接触部113(第3导电部)及与栅极布线21同层的中继电极与有机EL元件10的下部电极12电连接。第3接触部113通过在第3接触孔(孔部)埋入导电材料而构成，所述第3接触孔形成为贯通形成于电极部120的上层的第1层间绝缘膜340及第2层间绝缘膜350。
源极布线22，如图10、图11A、图11B及图12B所示，沿像素100的列方向(纵向方向)形成为线状。源极布线22，配置为通过第1薄膜晶体管310的附近，构成为与第1源电极310S电连接。
在本实施方式中，形成为：线状的源极布线22的一部分作为第1源电极310S而起作用，源极布线22与第1半导体层311重叠。在本实施方式中，源极布线22形成于图4A及图4B所示的处于TFT层L1的第2金属层ML2。
另外，源极布线22，关于与第1薄膜晶体管310重叠的部分以外的部分，形成于栅极绝缘膜330上。此外，源极布线22构成为，与后述的栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25隔着第1层间绝缘膜340立体交叉。
第1电源布线23A与源极布线22同样，沿像素100的列方向(纵向方向)形成为线状。第1电源布线23A，配置为通过第2薄膜晶体管320的附近，构成为与第2源电极320S电连接。
在本实施方式中，形成为：线状的第1电源布线23A的一部分作为第2源电极320S而起作用，第1电源布线23A与第2半导体层321重叠。第1电源布线23A为正电位，对于第2薄膜晶体管320的第2源电极320S供给电源。在本实施方式中，第1电源布线23A形成于图4A所示的处于TFT层L1的第2金属层ML2。
另外，第1电源布线23A，关于与第2薄膜晶体管320重叠的部分以外的部分，形成于栅极绝缘膜330上。此外，第1电源布线23A构成为，与后述的栅极布线21及第2电源布线23B隔着第1层间绝缘膜340立体交叉。
这样构成的源极布线22与第1电源布线23A，配置为互相平行。此外，如上所述，源极布线22及第1电源布线23A形成于与一对第1源电极310S及第1漏电极310D以及一对第2源电极320S及第2漏电极320D相同的层的第2金属层ML2，通过对同一金属膜进行图案形成而形成。
第1层间绝缘膜340，如图11A及图11B所示，形成为覆盖第1薄膜晶体管310、第2薄膜晶体管320、源极布线22及第1电源布线23A。第1层间绝缘膜340构成为，是TFT层L1的最上层，覆盖形成于下部的电极和/或布线整体。
栅极布线21，如图9所示，沿像素100的行方向(横向方向)形成为线状。进而，栅极布线21，如图11A所示，形成于第1层间绝缘膜340上，形成于图4A所示的处于布线层L2的第3金属层ML3。即，栅极布线21形成于与形成有第1栅电极310G等的层(第1金属层ML1)及形成有第1电源布线23A和/或源极布线22等的层(第2金属层ML2)不同的层。
此外，栅极布线21，配置为通过第1薄膜晶体管310的附近，构成为与第1栅电极310G电连接。在本实施方式中，如图10及图11A所示，配置为栅极布线21与第1栅电极310G立体交叉，在该立体交叉部(重叠部分)，栅极布线21与第1栅电极310G经由第1接触部111(第1导电部)电连接。
第1接触部111，通过在栅极布线21与第1栅电极310G重叠的位置、在形成于厚度方向的第1接触孔埋入导电部件而构成。在本实施方式中，如图11A所示，第1接触部111，通过在贯通第1层间绝缘膜340及栅极绝缘膜330而形成的第1接触孔埋入栅极布线21的一部分而构成。
第2电源布线23B，如图9所示，沿像素100的行方向(横向方向)形成为线状。此外，如图11B所示，第2电源布线23B，形成于第1层间绝缘膜340上，形成于图4A所示的处于布线层L2的第3金属层ML3。即，第2电源布线23B，如图12A所示，与栅极布线21形成于相同的层。
此外，第2电源布线23B，如图9所示，以与栅极布线21及辅助布线25并行的方式，配置于栅极布线21与辅助布线25之间。进而，第2电源布线23B配置为与第1电源布线23A立体交叉，在该立体交叉部分(重叠部分)，第2电源布线23B与第1电源布线23A经由形成于厚度方向的第2接触部112(第2导电部)电连接。从而，在本实施方式中，第2电源布线23B的电位为与第1电源布线23A相同的正电位。
第2接触部112，如图11B所示，通过在以贯通第1层间绝缘膜340的方式形成的第2接触孔埋入导电材料而构成。在本实施方式中，第2接触部112，通过在第2接触孔埋入第2电源布线23B的一部分而构成。此外，在本实施方式中，第2接触部112，如图9及图10所示，形成有16个(8行2列)。
另外，在本实施方式中，构成第2电源布线23B的材料，能够由从Al(铝)、Cu(铜)、Ag(银)选择的任意一种元素构成。此外，还能够构成为，将第2电源布线23B设为多层布线，构成第2电源布线23B的主布线由从Al、Cu、Ag选择的任意一种元素构成。
辅助布线25，如图9所示，沿像素100的行方向(横向方向)形成为线状。此外，如图11C所示，辅助布线25，形成于第1层间绝缘膜340上，形成于图4B所示的处于布线层L2的第3金属层ML3。即，辅助布线25，如图12A所示，与栅极布线21及第2电源布线23B形成于相同的层。
此外，辅助布线25，如图9所示，配置为与第2电源布线23B并行。进而，辅助布线25，配置为与第1电源布线23A立体交叉，经由形成于该立体交叉部分(重叠部分)的第5接触部115(第5导电部)，如图11C所示，与在比辅助布线25靠上层形成的上部电极14电连接。从而，在本实施方式中，辅助布线25的电位为与上部电极14相同的电位。
第5接触部115，如图11C所示，通过在以贯通辅助布线25上的第2层间绝缘膜350的方式形成的第5接触孔埋入导电材料而构成。在本实施方式中，第5接触部115，通过在第5接触孔埋入上部电极14的一部分而构成。此外，在本实施方式中，第5接触部115，如图8～图10所示，形成有16个(8行2列)。
如图11C所示，在第2层间绝缘膜350上，形成有机EL元件10。在本实施方式中，在第2层间绝缘膜350上，形成有机EL元件10的下部电极12。下部电极12，如图8所示，按每像素100而形成，以除去形成第5接触部115的部分的方式进行图案形成。另外，在下部电极12上，依次形成有机发光层13及上部电极14。
这样，本实施方式的EL显示面板1配置为，栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25，与源极布线22及第1电源布线23A正交并且立体交叉。此外，栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25，形成于第1层间绝缘膜340上的处于布线层L2的第3金属层ML3，与形成于TFT层L1的第1金属层ML1的第1栅电极310G及第2栅电极320G，形成于不同的层。进而，栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25，即与形成于TFT层L1的第2金属层ML2的源极布线22及第1电源布线23A形成于不同的层、此外也与有机EL层L1形成于不同的层。
接着，关于本发明的第1实施方式的EL显示面板1的制造方法，使用图13A～图13J进行说明。图13A～图13J是示意性地表示本发明的第1实施方式的EL显示面板的制造方法的各工序的剖面图。另外，图13A～图13J对应于图9的X2-X2’线剖面。
首先，如图13A所示，准备基板300。作为基板300，能够使用通过石英玻璃等玻璃材料构成的绝缘性的基板。另外，为了防止从基板300的杂质的扩散，也可以将由氧化硅膜或氮化硅膜构成的底涂层形成于基板300的上面。底涂层的膜厚为100nm左右。
接着，在用纯水等进行了清洗之后，通过溅射等将具有耐热性的第1金属膜成膜于基板300上的整面，此后，通过光刻及湿法蚀刻等将第1金属膜图案形成为预定形状，由此如图13B所示，形成第1栅电极G及第2栅电极320G。作为第1金属膜的材料，能够使用有耐热性的Mo、W、Ta、Ti、Ni中的任一金属或它们的合金。在本实施方式中，使用Mo，以100nm左右的膜厚对第1金属膜进行成膜。
接着，如图13C所示，以覆盖第1栅电极310G及第2栅电极320G的方式，在基板300上的整面形成栅极绝缘膜330。作为栅极绝缘膜330的材料，能够使用氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiN)或它们的复合膜。此外，在本实施方式中，作为栅极绝缘膜330的膜厚，以200nm左右的膜厚进行了成膜。
接着，如图13D所示，在栅极绝缘膜330上，进行非结晶性半导体膜301的成膜。在本实施方式中，作为非结晶性半导体膜301，使用非晶质硅膜(非晶硅膜)，通过等离子体CVD，以50nm左右进行了成膜。另外，栅极绝缘膜330及非结晶性半导体膜301，能够不破坏真空地通过连续等离子体CVD等进行成膜。
此后，如由图13D的箭头所示，通过对非结晶性半导体膜301实施由受激准分子激光等进行的激光照射，使非结晶性半导体膜301结晶化而改质为多结晶性半导体膜。具体地，例如，通过对非晶质硅膜照射受激准分子激光等，使非晶质硅膜的温度上升至预定的温度范围，由此使非晶质硅膜结晶化而扩大晶体粒径而成为多结晶性半导体膜。在此，所谓预定的温度范围，例如为1100℃～1414℃。此外，多结晶性半导体内的平均晶体粒径为20nm～60nm。
在此，第1栅电极310G及第2栅电极320G，因为在该激光照射工序中暴露于高温，所以优选由熔点比所述温度范围的上限值(1414℃)高的金属构成。另一方面，在以后的工序中形成于第2金属层ML2及第3金属层ML3的布线及电极，也可以由熔点比所述温度范围的下限值(1100℃)低的金属构成。
另外，在激光的照射之前，作为预处理，优选以400℃～500℃进行30分钟的退火处理。此外，在激光的照射之后，优选在真空中进行数秒～数十秒的氢等离子体处理。
接着，如图13E所示，通过光刻及湿法蚀刻等，将结晶化了的非结晶性半导体膜301图案形成为岛状，形成第1半导体层311及第2半导体层321。
接着，如图13F所示，为了将第1漏电极310D与第2栅电极320G电连接，通过光刻及湿法蚀刻等，形成贯通栅极绝缘膜330的第4接触孔CH4。
接着，如图13G所示，通过溅射等，以覆盖栅极绝缘膜330和第1半导体层311及第2半导体层321的方式进行第2金属膜(未图示)的成膜，通过光刻及湿法蚀刻等对第2金属膜进行图案形成，由此将源极布线22、第1电源布线23A、第1源电极310S及第1漏电极310D以及第2源电极320S及第2漏电极320D形成为预定形状。此时，在第4接触孔CH4也填充构成第2金属膜的材料，形成第4接触部114。
另外，作为构成源极布线22、第1电源布线23A、第1源电极310S及第1漏电极310D以及第2源电极320S及第2漏电极320D的第2金属膜的材料，优选是低电阻金属，能够使用Al、Cu、Ag中的任一金属或它们的合金。在本实施方式中，使用Al，以300nm左右的膜厚进行了第2金属膜的成膜。进而，优选在Al的上部、下部或双方形成Mo等高耐热性的金属作为势垒金属。势垒金属的厚度为50nm左右。此外，在进一步要求布线的低电阻化的情况下，优选不用Al而使用Cu。另外，通过不改变材料而使第2金属膜的厚度增加也能够实现低电阻化。
此外，优选在第1源电极310S与第1半导体层311之间及第1漏电极310D与第1半导体层311之间，形成低电阻半导体膜。该低电阻半导体膜一般使用作为杂质而掺杂有磷等n型掺杂剂的非晶质硅膜、或作为杂质而掺杂有硼等p型掺杂剂的非晶质硅膜。作为低电阻半导体膜的膜厚，能够设为20nm左右。进而，在结晶化了的第1半导体层311与低电阻半导体膜(掺杂有杂质的非晶质硅膜)之间，也可以形成由非晶质硅构成的未掺杂(刻意不掺杂杂质)的半导体膜。通过形成这些膜，能够使TFT特性提高等得到期望的TFT特性。另外，关于第2薄膜晶体管320也同样。
接着，如图13H所示，通过等离子体CVD，以覆盖第1源电极310S、第1漏电极310D、第2源电极320S及第2漏电极320D等露出的电极及布线的方式，在基板300上的整面形成第1层间绝缘膜340。第1层间绝缘膜340能够由氧化硅膜、氮化硅膜或这些膜的层叠膜构成。
接着，如图13I所示，为了将第1电源布线23A与第2电源布线23B连接，通过光刻及蚀刻等，形成贯通第1层间绝缘膜340的第2接触孔CH2。此时，虽然未图示，但是为了将第1栅电极310G与栅极布线21连接，也形成连续贯通第1层间绝缘膜340及栅极绝缘膜330的第1接触孔。
接着，如图13J所示，通过溅射等在第1层间绝缘膜340上形成第3金属膜，并通过光刻及蚀刻等将第3金属膜图案形成为预定形状，由此形成栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25。此时，在第2接触孔CH2及第1接触孔(未图示)也填充构成第3金属膜的材料，形成第2接触部112及第1接触部111。
另外，构成栅极布线21、第2电源布线23B及辅助布线25的第3金属膜的材料，优选是低电阻材料，能够由与第2金属层相同的金属材料构成。例如，通过在作为势垒金属而形成了50nm的Mo之后，形成300nm的Al，能够构成第3金属膜。
虽然未图示，但是此后，通过等离子体CVD等形成第2层间绝缘膜350。第2层间绝缘膜350能够由与第1层间绝缘膜340同样的材料构成，例如，能够由氧化硅膜、氮化硅膜或这些膜的层叠膜构成。
然后，在第2层间绝缘膜350上，依次形成下部电极12、有机发光层13及上部电极14。另外，在中途，以使辅助布线25露出的方式在第2层间绝缘膜350形成第5接触孔，使辅助布线25与上部电极14经由第5接触孔电连接。
通过以上，能够制造本发明的第1实施方式的EL显示面板1。
以上，根据本发明的第1实施方式的EL显示面板1，栅极布线21形成于第1层间绝缘膜340上的TFT层L2，配置于与第1栅电极310G(及第2栅电极320G)单独的层(不同的层)。由此，栅极布线21与第1栅电极310G(及第2栅电极320G)能够分别选择适合的材料。
进而，根据本实施方式的EL显示面板1，栅极布线21配置于第1层间绝缘膜340的上层，另一方面，第1电源布线23A(或源极布线22)在第1层间绝缘膜340的下层配置于与第1漏电极310D及第2源电极320S相同的层的第2金属层ML2(TFT层L1)。由此，栅极布线21与第1电源布线23A(或源极布线22)之间的间隔不依赖于第1栅电极310G(或第2栅电极320G)与第1漏电极310D(或第2源电极320S)之间的间隔，而对应于形成于第1漏电极310D(或第2源电极320S)上的第1层间绝缘膜340的膜厚。
在此，形成于第1漏电极310D(或第2源电极320S)上的第1层间绝缘膜340，由于是对薄膜半导体部(显示装置用薄膜半导体装置)的表面进行保护的膜，所以即使将其膜厚加厚对薄膜半导体部的性能也不产生影响。从而，通过增大第1层间绝缘膜340的膜厚，能够增大栅极布线21与第1漏电极310D(或第2源电极320S)之间的间隔。由此，因为能够确保栅极布线21与第1电源布线23A(或源极布线22)之间的膜厚间距离，所以能够降低栅极布线21与第1电源布线23A(或源极布线22)之间的寄生电容。
进而，根据本实施方式的EL显示面板1，电连接于第2源电极320S的第1电源布线23A与第2电源布线23B配置为立体交叉，这些第1电源布线23A与第2电源布线23B经由第2接触部112电连接。由此，第2薄膜晶体管320的第2源电极320S能够从纵向方向的第1电源布线23A和横向方向的第2电源布线23B双方向接受电源供给。从而，对于伴随着显示装置大画面化而在显示区域的中央区域产生的IR压降，能够降低IR压降量。其结果，能够减轻显示装置的辉度不均。尤其是，因为有机EL显示面板是电流驱动型的显示面板，所以为了抑制辉度不均，优选降低布线电阻而减小IR压降。
进而，根据本实施方式的EL显示面板1，第2电源布线23B及辅助布线25，在第1层间绝缘膜340上与栅极布线21形成于相同的层并且与栅极布线21并行地配置。由此，能够通过第2电源布线23B及辅助布线25填埋由于在第1层间绝缘膜340上配置栅极布线21而形成的凹凸的凹部。
即，通过第2电源布线23B及辅助布线25，能够减轻第1层间绝缘膜340上的凹凸，能够使薄膜半导体部的平坦度提高。其结果，能够减轻第1层间绝缘膜340上的凹凸对上层产生的影响。从而，因为能够提高形成于薄膜半导体部上的有机EL元件10的平坦性，所以能够抑制EL显示面板的发光辉度不均等。而且，在该情况下，因为不需要使形成于有机EL元件10的下层的第2层间绝缘膜等平坦化膜厚膜化，所以能够实现更薄型的EL显示面板。
进而，根据本实施方式的EL显示面板1，对于特定的1个像素的第2薄膜晶体管320，能够从列方向的第1电源布线23A及行方向的第2电源布线23B双方向供给电力。由此，例如，即使假设与某像素的第2薄膜晶体管320连接的第1电源布线23A存在断线不良等，也能够通过作为另一方电源布线的第2电源布线23B对于该像素的第2薄膜晶体管320供给电力。即，对于1个像素能够通过2条电源布线供给电力。从而，因为能够抑制像素不良，所以能够抑制EL显示面板的显示不均。
这样，在本实施方式中，第2电源布线23B具有作为电源供给用的后备布线的功能，并且也具有作为平坦化膜的功能。
进而，根据本实施方式的EL显示面板1，用于防止伴随着EL显示面板的大画面化而在显示画面的中央区域产生的电压下降的辅助布线25(EL电源线)，不配置于EL部(有机EL层L3)，而配置于布线层L2、即薄膜半导体部。而且，该辅助布线25在第1层间绝缘膜340的上面，与栅极布线21及第2电源布线23B一起并行地配置。由此，能够有效活用在栅极布线21及第2电源布线23B的配置中所利用的已有层，来配置辅助布线25。这样，通过将配置于EL部的辅助布线25移至薄膜半导体部的已有层，不会对薄膜半导体部增加空间上的负担，而能够释放以往为了配置EL部的辅助布线而利用的空间。从而，能够扩大EL部的设计的自由度，并且能够增大各像素的开口率。
以上，在本实施方式的EL显示面板1中，若将通过栅极布线21、第1电源布线23A、由栅极布线21和第1电源布线23A所夹的第1层间绝缘膜340形成的单位面积的电容设为CPAS，将通过第1栅电极310G、第1电源布线23A、由第1栅电极310G和第1电源布线23A所夹的栅极绝缘膜330形成的单位面积的电容设为CGI，则优选CPAS＜CGI。
即，优选：通过由形成有栅极布线21的层、即第3金属层ML3和形成有第1电源布线23A的层、即第2金属层ML2所夹的第1层间绝缘膜340形成的单位面积的电容CPAS，比通过由形成有第1栅电极310G的层、即第1金属层ML1和形成有第1电源布线23A的层、即第2金属层ML2所夹的栅极绝缘膜330形成的单位面积的电容CGI小。
由此，若将第1层间绝缘膜340的膜厚设为dPAS，将栅极绝缘膜33的膜厚设为dGI，则在第1层间绝缘膜340与栅极绝缘膜330为同一材料的情况下，能够设为dPAS＞dGI。由此，因为能够使第1层间绝缘膜340上的栅极布线21与第1层间绝缘膜340之下的第1电源布线23A之间的间隔分离为栅极绝缘膜330的膜厚以上，所以能够进一步降低栅极布线21与第1电源布线23A之间的寄生电容。此外，同样地，因为关于栅极布线21与源极布线22之间的间隔也能够使其分离为栅极绝缘膜330的膜厚以上，所以关于栅极布线21与源极布线22之间的寄生电容也能够进一步降低。
更具体地，优选：通过第1层间绝缘膜340形成的电容CPAS小于1.5×10(-4F/m2)。此外，优选：通过栅极绝缘膜330形成的电容CGI为1.5×10(-4F/m2)以上。
此外，在本实施方式的EL显示面板1中，因为第2电源布线23B如图9所示，构成为覆盖第1半导体层311及第2半导体层321，所以优选第1半导体层311及第2半导体层321都构成为p沟道型。
在薄膜晶体管的半导体层(沟道区域)中，在半导体层的表面和被覆薄膜晶体管的层间绝缘膜的表面，有时在制造时会产生晶格缺陷。若产生该晶格缺陷，则会产生不稳定的界面能级，半导体层的背沟道的电位会变得不稳定。
在本实施方式中，p沟道型的第1半导体层311及第2半导体层321构成为与正电位的第2电源布线23B重叠，因为能够构成具有背栅的p沟道TFT，所以能够使背沟道的电位变得稳定。其结果，如图14所示，关于作为具有背栅的p沟道TFT的第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320，与没有背栅的p沟道TFT同等地，能够实现抑制截止泄漏电流并进一步降低来自外部噪音的影响的效果。这是因为，由于所述背栅覆盖沟道区域的上方，所以作为对于外部噪音的电磁波屏蔽层而起作用。从而，能够实现具有截止特性优异又抗外部噪音强的薄膜晶体管的EL显示面板。
另外，虽然只要构成为第2电源布线23B的至少一部分与第1半导体层311或第2半导体层321重叠便有效果，但是优选构成为第2电源布线23B与第1半导体层311或第2半导体层321完全重叠。
此外，在本实施方式的EL显示面板1中，优选：第2电源布线23B及辅助布线25形成为与栅极布线21基本相同的膜厚、即与栅极布线21相同的高度或近似值的高度，并且形成为使第2电源布线23B及辅助布线25双方组合得到的宽度是与相邻的2条栅极布线21之间的宽度对应的宽度。进而，优选第2电源布线23B或辅助布线25与相邻的2条栅极布线21的距离设为4μm以上。此外，优选第2电源布线23B与辅助布线25的距离也设为4μm以上。
在本实施方式中，因为栅极布线21形成于第1层间绝缘膜340上，所以直接这样会比不形成栅极布线21的区域突出栅极布线21的膜厚量，在相邻的栅极布线21间形成凹部。
相对于此，如上所述，通过将第2电源布线23B及辅助布线25设为与栅极布线21基本相同的高度，并且设为与相邻的2条栅极布线21之间的宽度对应的宽度，能够通过第2电源布线23B及辅助布线25确保平坦性。由此，因为能够提高形成于上层的有机EL元件10的平坦性，所以能够抑制产生于EL显示面板的发光不均。
此外，在本实施方式的EL显示面板1中，优选：第2电源布线23B及辅助布线25形成为与栅极布线21基本相同的高度，并且以填埋相邻的2条栅极布线21之间的方式与相邻的2条栅极布线21接近地配置。此外，优选第2电源布线23B及辅助布线25也以填埋互相的间隔的方式互相接近地配置。
由此，因为能够通过第2电源布线23B填埋相邻的栅极布线21间的凹部，所以能够确保平坦性。
此外，在本实施方式的EL显示面板1中，优选：第2电源布线23B形成为与栅极布线21基本相同的高度，并且成为具有比第1电源布线23A的宽度宽阔的宽度的布线。
由此，能够使薄膜半导体部的平坦性提高。而且，因为能够使第2电源布线23B比第1电源布线23A低电阻化，所以对于伴随着大画面化而在显示区域的中央区域产生的IR压降，能够大幅地降低该压降量。
此外，在本实施方式的EL显示面板1中，优选：第2电源布线23B及辅助布线25以均匀的膜厚构成，并且按照形成于第2电源布线23B的下层的结构的表面形状而形成。
由此，因为能够使第2电源布线23B及辅助布线25成为具有比第1电源布线23A的宽度宽阔的宽度的平板形状的布线，所以能够使第2电源布线23B及辅助布线25成为低电阻布线。从而，因为能够从布线电阻更低的第2电源布线23B经由第1电源布线23A对第2源电极320S进行电源供给，所以能够大幅地降低所述的IR压降量。
(第1实施方式的变形例)
接着，关于本发明的第1实施方式的变形例的EL显示面板1’，使用图15进行说明。图15是本发明的第1实施方式的变形例的EL显示面板1’的剖面图。另外，图15对应于图11B的本发明的第1实施方式的EL显示面板1的剖面图。
本变形例的EL显示面板1’与本发明的第1实施方式的EL显示面板1基本的结构相同。从而，在图15中，关于与图11B所示的构成要素相同的构成要素，附加相同的符号，并省略化或简略化详细的说明。此外，图11B所示的结构以外的结构，与第1实施方式相同。
本变形例的EL显示面板1’，与本发明的第1实施方式的EL显示面板1不同之处是第1薄膜晶体管310的第1半导体层及第2薄膜晶体管320的第2半导体层的结构。
如图15所示，本变形例的EL显示面板1’，其第1薄膜晶体管310的第1半导体层由第1沟道层311A和第2沟道层311B构成，所述第1沟道层311A由多结晶性半导体膜构成，所述第2沟道层311B由非结晶性半导体膜构成。此外，第2薄膜晶体管320的第2半导体层也由第1沟道层321A和第2沟道层321B构成，所述第1沟道层321A由多结晶性半导体膜构成，所述第2沟道层321B由非结晶性半导体膜构成。
第1沟道层311A及第1沟道层321A，能够由通过使非晶质硅膜(非晶硅膜)结晶化而形成的多结晶性半导体膜构成。
第2沟道层311B及第2沟道层321B，与图11B所示的第1半导体层311及第2半导体层321同样地，能够由非晶质硅膜(非晶硅膜)构成。
由多结晶性半导体膜构成的第1沟道层311A及第1沟道层321A，能够通过利用激光照射使非晶质硅膜(非晶硅膜)结晶化而形成。此外，第1沟道层311A(或第1沟道层321A)与第2沟道层311B(或第2沟道层321B)，在俯视时成为相同的形状，都在栅极绝缘膜330上形成为岛状。
本变形例的EL显示面板1’，可产生与上述的本发明的第1实施方式的EL显示面板1同样的作用效果。
进而，本变形例的EL显示面板1’，其薄膜晶体管中的第1半导体层及第2半导体层，在由非晶质硅膜构成的第2沟道层311B(或第2沟道层321B)的下方，形成由多结晶性半导体膜构成的第1沟道层311A(或第1沟道层321A)。
由此，在第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320中，通过由多结晶性半导体膜构成的第1沟道层311A及第1沟道层321A，因为能够使载流子迁移率升高，所以能够使导通特性提高。此外，因为在半导体层的上层形成由非晶质硅膜构成的第2沟道层311B及第2沟道层321B，所以能够维持截止特性。
(第2实施方式)
接着，关于本发明的第2实施方式的EL显示面板2，使用图16～图18进行说明。图16是本发明的第2实施方式的EL显示面板的俯视图，表示透过了有机EL层L1及第2层间绝缘膜的状态。此外，图17是本发明的第2实施方式的EL显示面板的俯视图，表示透过了有机EL层L1、布线层L2及第1层间绝缘膜的状态。图18是沿图16的X2-X2’线剖切而得到的剖面图。另外，沿图16的X1-X1’线剖切而得到的剖面，与图11A相同。此外，在各图中，关于形成于有机EL层L3的结构，进行了省略。
本发明的第2实施方式的EL显示面板2，与本发明的第1实施方式的EL显示面板1基本的结构相同。从而，在图16～图18中，关于与图8～图10所示的构成要素相同的构成要素，附加相同的符号，并省略化或简略化详细的说明。
本发明的第2实施方式的EL显示面板2，与本发明的第1实施方式的EL显示面板1不同之处是：第1半导体层311及第2半导体层的沟道类型都是n沟道型；其结果，第1实施方式中的源电极及漏电极的各个在第2实施方式中相反地成为漏电极及源电极；以及电源布线23的结构。另外，除此以外的结构，与第1实施方式相同。
如图16～图18所示，在本发明的第2实施方式的EL显示面板2中，第2电源布线23B构成为与第1半导体层311及第2半导体层321不重叠，具备形成于第1半导体层311上的第1开口部131和形成于第2半导体层321上的第2开口部132。
此外，在本实施方式中，第1半导体层311及第2半导体层321都构成为n沟道型。
这样构成的本发明的第2实施方式的EL显示面板2，能够与第1实施方式同样地进行制造。但是，在本实施方式中，需要在第2电源布线23B形成第1开口部131及第2开口部132。这通过在对第3金属膜进行图案形成时，在第2电源布线23B与第1半导体层311及第2半导体层321重叠的部分形成开口，能够形成上述的第1开口部131及第2开口部132。
以上，根据本发明的第2实施方式的EL显示面板2，因为与第1实施方式同样，能够用单独的层构成栅极布线21和第1栅电极310G，所以能够分别选择适合的材料。此外，因为能够确保栅极布线21与第1电源布线23A之间的膜厚间距离，所以能够降低栅极布线21与第1电源布线23A之间的寄生电容。
此外，因为第1电源布线23A与第2电源布线23B配置为交叉，所以第2源电极320S能够从纵向方向的第1电源布线23A和横向方向的第2电源布线23B双方向接受电源供给。因此，能够降低伴随着大画面化而在显示区域的中央区域产生的IR压降。
进而，因为第2电源布线23B及辅助布线25与栅极布线21形成于相同的层并且与栅极布线21并行地配置，所以能够减轻由于在第1层间绝缘膜340上形成的栅极布线21而产生的凹凸，能够使平坦度提高。
进而，对于1个像素能够通过第1电源布线23A及第2电源布线23B两条电源布线供给电力。由此，因为能够抑制像素不良，所以能够抑制显示装置的显示不均。
进而，辅助布线25不配置于EL部，而配置于薄膜半导体部。从而，能够扩大EL部的设计的自由度，并且能够增大各像素的开口率。
进而，根据本实施方式的EL显示面板2，可产生以下的作用效果。
当在n沟道型的第1半导体层311及第2半导体层321的上方，正电位的第2电源布线23B覆盖第1层间绝缘膜340之上的情况下，在第1半导体层311及第2半导体层321的背沟道会诱发负的载流子，由此产生截止泄漏电流。从而，因为即使不施加栅极电压也会产生电流，所以会使第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320的截止特性下降。
相对于此，本实施方式的EL显示面板2，构成为n沟道型的第1半导体层311及第2半导体层321与正电位的第2电源布线23B不重叠，作为无背栅的n沟道TFT而构成。其结果，如图19所示，通过正电位的第2电源布线23B，关于作为无背栅的n沟道型TFT的第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320，与有背栅的n沟道型TFT相比，能够抑制在背沟道诱发载流子的情况。其结果，能够减小第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320的截止泄漏电流。从而，能够实现具有截止特性优异的薄膜晶体管的EL显示面板2。
另外，虽然只要构成为第2电源布线23B的至少一部分与第1半导体层311或第2半导体层321不重叠便有效果，但是优选构成为第2电源布线23B与第1半导体层311或第2半导体层321毫不重叠。
(第2实施方式的变形例)
接着，关于本发明的第2实施方式的变形例的EL显示面板2’，使用图20进行说明。图20是本发明的第2实施方式的变形例的EL显示面板2’的剖面图。另外，图20对应于图18的本发明的第2实施方式的EL显示面板2的剖面图。
本变形例的EL显示面板2’与本发明的第2实施方式的EL显示面板2基本的结构相同。从而，在图20中，关于与图18所示的构成要素相同的构成要素，附加相同的符号，并省略化或简略化详细的说明。此外，图18所示的结构以外的结构，与第2实施方式相同。
本变形例的EL显示面板2’，与本发明的第2实施方式的EL显示面板2不同之处是第1薄膜晶体管310的第1半导体层及第2薄膜晶体管320的第2半导体层的结构。
如图20所示，本变形例的EL显示面板2’，其第1薄膜晶体管310的第1半导体层由第1沟道层311A和第2沟道层311B构成，所述第1沟道层311A由多结晶性半导体膜构成，所述第2沟道层311B由非结晶性半导体膜构成。此外，第2薄膜晶体管320的第2半导体层也由第1沟道层321A和第2沟道层321B构成，所述第1沟道层321A由多结晶性半导体膜构成，所述第2沟道层321B由非结晶性半导体膜构成。
第1沟道层311A及第1沟道层321A，能够由通过使非晶质硅膜(非晶硅膜)结晶化而形成的多结晶性半导体膜构成。
第2沟道层311B及第2沟道层321B，能够由非晶质硅膜(非晶硅膜)构成。
由多结晶性半导体膜构成的第1沟道层311A及第1沟道层321A，能够通过利用激光照射使非晶质硅膜(非晶硅膜)结晶化而形成。此外，第1沟道层311A(或第1沟道层321A)与第2沟道层311B(或第2沟道层321B)，在俯视时成为相同的形状，都在栅极绝缘膜330上形成为岛状。
本变形例的EL显示面板2’，可产生与上述的本发明的第2实施方式的EL显示面板2同样的作用效果。
进而，本变形例的EL显示面板2’，其薄膜晶体管中的第1半导体层及第2半导体层，在由非晶质硅膜构成的第2沟道层311B(或第2沟道层321B)的下方，形成由多结晶性半导体膜构成的第1沟道层311A(或第1沟道层321A)。
由此，在第1薄膜晶体管310及第2薄膜晶体管320中，通过由多结晶性半导体膜构成的第1沟道层311A及第1沟道层321A，因为能够使载流子迁移率升高，所以能够使导通特性提高。此外，因为在半导体层的上层形成由非晶质硅膜构成的第2沟道层311B及第2沟道层321B，所以能够维持截止特性。
(实施例1)
接着，关于作为本发明的各实施方式的EL显示面板的一例的有机EL显示面板，使用图21A及图21B进行说明。图21A是表示本发明的有机EL显示面板的一例的剖面立体图。图21B是表示本发明的有机EL显示面板的另一例的剖面立体图。
如图21A及图21B所示，有机EL显示面板的多个像素100通过3色(红色、绿色、蓝色)的子像素100R、100G、100B构成。子像素100R、100G、100B分别在图21A及图21B的进深方向排列有多个(将其表示为“子像素列”)。
图21A是表示线堤栏的例子的图，各子像素列通过堤栏15互相分离。图21A所示的堤栏15，由在相互相邻的子像素列之间、在与源极布线22平行的方向延伸的凸部构成，形成于显示装置用薄膜半导体阵列装置20上。换言之，各子像素列分别形成于相互相邻的凸部之间(即，堤栏15的开口部)。
下部电极12，在显示装置用薄膜半导体阵列装置20上(更具体地，第2层间绝缘膜350上)且堤栏15的开口部内，按每子像素100R、100G、100B而形成。有机发光层13，在下部电极20上且堤栏15的开口部内，按每子像素列(即，以覆盖各列的多个下部电极12的方式)而形成。上部电极14，在多个有机发光层13及堤栏15上且以覆盖全部的子像素100R、100G、100B的方式，连续地形成。
另一方面，图21B是表示像素堤栏的例子的图，各子像素100R、100G、100B通过堤栏15互相分离。图21B所示的堤栏15，形成为平行于栅极布线21延伸的突部与平行于源极布线22延伸的突部互相交叉。而且，在由该突部包围的部分(即，堤栏15的开口部)形成子像素100R、100G、100B。
下部电极12，在显示装置用薄膜半导体阵列装置20上(更具体地，第2层间绝缘膜350上)且堤栏15的开口部内，按每子像素100R、100G、100B而形成。同样地，有机发光层13在下部电极20上且堤栏15的开口部内，按每子像素100R、100G、100B而形成。上部电极14，在多个有机发光层13及堤栏15(多个突条)上且以覆盖全部的子像素100R、100G、100B的方式，连续地形成。
另外，虽然在图21A及图21B中进行了省略，但是在显示装置用薄膜半导体阵列装置20，按每子像素100R、100G、100B而形成有像素电路30。此外，子像素100R、100G、100B除了有机发光层13的特性(发光色)不同之外，是同一结构。
(实施例2)
接着，关于应用了本发明的EL显示面板的EL显示装置的一例，使用图22进行说明。图22是表示本发明的EL显示装置的一例的外观立体图。
如图22所示，本发明的EL显示装置是电视机400，其内置本发明的EL显示面板。
这样，本发明的EL显示面板，能够作为平板显示器等进行利用。另外，本发明的EL显示面板，除了电视机以外，还能够应用于便携电话机或个人计算机等所有的显示装置。
以上，虽然关于本发明的EL显示面板、EL显示面板的制造方法及EL显示装置，基于实施方式及实施例进行了说明，但是本发明并非限定于这些实施方式及实施例。
例如，在本实施方式中，也可以调换构成第1源电极310S和第1漏电极310D。具体地，是下述结构：图3及图4等所示的第1源电极310S是第1漏电极，图3及图4等所示的第1漏电极310D是第1源电极。同样地，也可以调换构成第2源电极320S和第2漏电极320D。具体地，是下述结构：图3及图4等所示的第2源电极320S是第2漏电极，图3及图4等所示的第2漏电极320D是第2源电极。
此外，虽然在本实施方式中，第1源电极310S成为线状的源极布线22的一部分，但是并非限定于此。例如，也可以构成为，在源极布线22的图案形成时，图案形成从源极布线22的一部分开始在行方向延伸设置的延伸设置部，并将该延伸设置部与另行形成的第1源电极310S电连接。
同样地，虽然在本实施方式中，第2漏电极320D成为线状的第1电源布线23A的一部分，但是并非限定于此。例如，也可以构成为，在第1电源布线23A的图案形成时，图案形成从第1电源布线23A的一部分开始在行方向延伸设置的延伸设置部，并将该延伸设置部与另行形成的第2漏电极320D电连接。
此外，虽然在本实施方式中，第2电源布线23B在相邻的栅极布线21间排列有1条，但是并不限于此。例如，也可以在相邻的栅极布线21间，排列多条第2电源布线23B。
此外，虽然在本实施方式中，在1像素形成有2个薄膜晶体管，但是并不限于此。例如，也可以在1像素形成3个以上的薄膜晶体管。在该情况下，也可以与薄膜晶体管的个数一致而排列多条第2电源布线23B。由此，能够通过多条第2电源布线23B，对于需要电力供给的薄膜晶体管预期地供给电力。
此外，虽然在本实施方式中，作为本发明的EL显示面板，例示了有机EL面板，但是并不限于此。例如，作为本发明的EL显示面板，也可以是无机EL面板。
此外，本领域技术人员对于各实施方式及实施例实施所想到的各种变形而得到的方式和/或通过在不脱离本发明的主旨的范围任意组合各实施方式及实施例中的构成要素及功能而实现的方式也包括在本发明中。
本发明的EL显示面板能够在电视机、个人计算机、便携电话机等的显示装置等中广泛地利用。

Claims (20)

1.一种EL显示面板，其具备EL部和对所述EL部的发光进行控制的薄膜半导体部，
所述EL部包含阳极电极、阴极电极和介于所述阳极电极与所述阴极电极之间的发光层；
所述薄膜半导体部包含：
基板；
栅电极，其形成于所述基板上；
栅极绝缘膜，其覆盖所述栅电极而形成于所述基板上；
半导体层，其形成在所述栅极绝缘膜上所述栅电极的上方；
第1电极，其形成于所述半导体层的上方；
第2电极，其形成于与所述第1电极相同的层；
第1电源布线，其与所述第2电极电连接，形成于与所述第2电极相同的层；
第1层间绝缘膜，其覆盖所述第1电极及所述第2电极而形成于所述栅极绝缘膜的上方；
栅极布线，其形成于与形成有所述栅电极的层不同的层即所述第1层间绝缘膜上，配置为与所述第1电源布线交叉；
第2电源布线，其与所述栅极布线形成于相同的层并且与所述栅极布线并行地配置；以及
辅助布线，其与所述第2电源布线形成于相同的层并且与所述第2电源布线并行地配置；
所述栅电极与所述栅极布线经由第1导电部电连接，所述第1导电部设置为贯通所述栅极绝缘膜及所述第1层间绝缘膜；
所述第1电源布线与所述第2电源布线经由第2导电部电连接，所述第2导电部设置为贯通所述第1层间绝缘膜；
所述辅助布线与所述阴极电极电连接。
2.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述第2电源布线及所述辅助布线形成为与所述栅极布线基本相同的高度；
所述第2电源布线及所述辅助布线配置于相邻的2条所述栅极布线之间；
所述第2电源布线及所述辅助布线双方组合而得到的宽度与所述相邻的2条栅极布线之间的宽度对应。
3.根据权利要求2所述的EL显示面板，
所述第2电源布线或所述辅助布线与所述相邻的2条栅极布线的距离分别为4μm以上。
4.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述第2电源布线及所述辅助布线形成为与所述栅极布线基本相同的高度；
所述第2电源布线及所述辅助布线以填埋相邻的2条所述栅极布线之间的方式，与所述栅极布线接近地配置。
5.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述第2电源布线及所述辅助布线形成为与所述栅极布线基本相同的高度；
所述第2电源布线及所述辅助布线是具有比所述第1电源布线的宽度宽阔的宽度的布线。
6.根据权利要求2～5中的任意一项所述的EL显示面板，
所述第2电源布线及所述辅助布线都具有均匀的膜厚，并且按照所述电源布线及所述辅助布线的下层的表面形状而形成。
7.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述半导体层为n沟道型；
所述第2电源布线的至少一部分配置为与所述半导体层不重叠。
8.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述半导体层为p沟道型；
所述第2电源布线的至少一部分配置为与所述半导体层重叠。
9.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述第1电极为源电极，所述第2电极为漏电极。
10.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述第1电极为漏电极，所述第2电极为源电极。
11.根据权利要求1所述的EL显示面板，
通过由形成有所述栅极布线的层和形成有所述第1电源布线的层所夹的所述第1层间绝缘膜形成的单位面积的电容，比通过由形成有所述栅电极的层和形成有所述第1电源布线的层所夹的所述栅极绝缘膜形成的单位面积的电容小。
12.根据权利要求11所述的EL显示面板，
通过所述第1层间绝缘膜形成的电容小于1.5×10－4F/m2；
由所述栅极绝缘膜形成的电容为1.5×10－4F/m2以上。
13.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述半导体层包含多结晶性半导体层。
14.根据权利要求1所述的EL显示面板，
构成所述第2电源布线及所述辅助布线的材料包含从Al、Cu、Ag中选择的任意一种元素。
15.根据权利要求14所述的EL显示面板，
所述第2电源布线及所述辅助布线为多层布线；
构成所述第2电源布线及所述辅助布线的主布线由从Al、Cu、Ag中选择的任意一种构成。
16.根据权利要求1～5、7～15中的任意一项所述的EL显示面板，
所述EL部是所述发光层为有机发光层的有机EL部。
17.一种EL显示装置，具备：
权利要求1～16中的任意一项所述的EL显示面板。
18.一种EL显示面板的制造方法，包括：
第1工序，准备基板；
第2工序，在所述基板上形成栅电极；
第3工序，覆盖所述栅电极而在所述基板上形成栅极绝缘膜；
第4工序，在所述栅极绝缘膜上、在所述栅电极的上方形成半导体层；
第5工序，在所述半导体层的上方形成第1电极，并且在与所述第1电极相同的层形成第2电极及与所述第2电极电连接的第1电源布线；
第6工序，覆盖所述第1电极及所述第2电极而在所述栅极绝缘膜的上方形成第1层间绝缘膜；
第7工序，形成贯通所述栅极绝缘膜及所述第1层间绝缘膜的第1接触孔及贯通所述第1层间绝缘膜的第2接触孔；
第8工序，通过在所述第1层间绝缘膜上进行金属膜的成膜并对所述金属膜进行图案形成，而以与所述第1电源布线交叉的方式形成经由所述第1接触孔与所述栅电极电连接的栅极布线，并且以与所述栅极布线并行的方式形成经由所述第2接触孔与所述第1电源布线电连接的第2电源布线，进而以与所述第2电源布线并行的方式形成辅助布线；
第9工序，以覆盖所述第1层间绝缘膜、所述第2电源布线及所述辅助布线的上面的方式形成第2层间绝缘膜；
第10工序，形成贯通所述辅助电极上的所述第2层间绝缘膜的第3接触孔；以及
第11工序，在所述第2层间绝缘膜的上方，形成包含阳极电极、阴极电极和介于所述阳极电极与所述阴极电极之间的发光层的EL部；
在所述第11工序中，经由所述第3接触孔将所述阴极电极与所述辅助布线电连接。
19.根据权利要求18所述的EL显示面板的制造方法，
由所述第4工序形成的半导体层为非结晶性半导体膜；
在所述第4工序与所述第5工序之间，包含对于所述非结晶性半导体膜照射预定的激光，通过所述预定的激光的照射将所述非结晶性半导体膜的温度设为预定的温度范围，使所述非结晶性半导体膜结晶化的工序。
20.根据权利要求18或19所述的EL显示面板的制造方法，所述EL部是由有机发光层形成了所述发光层的有机EL部。
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