CN102576722A - El显示面板、el显示装置以及el显示面板的制造方法 - Google Patents

El显示面板、el显示装置以及el显示面板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102576722A
CN102576722A CN2010800034065A CN201080003406A CN102576722A CN 102576722 A CN102576722 A CN 102576722A CN 2010800034065 A CN2010800034065 A CN 2010800034065A CN 201080003406 A CN201080003406 A CN 201080003406A CN 102576722 A CN102576722 A CN 102576722A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wiring
electrode
film
power
grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010800034065A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102576722B (zh
Inventor
钟之江有宣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Design And Development Contract Society
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN102576722A publication Critical patent/CN102576722A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102576722B publication Critical patent/CN102576722B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

EL显示面板具有EL部和薄膜半导体部，EL部包括阳极电极、阴极电极和发光层，薄膜半导体部具有基板、栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、第1电极、第2电极、层间绝缘膜、在层间绝缘膜上配置的栅极布线(21)、在层间绝缘膜上与栅极布线(21)同层且与栅极布线(21)并行地配置的电源布线(23)、在层间绝缘膜上与栅极布线(21)和电源布线(23)同层且与栅极布线(21)和电源布线(23)并行地配置的辅助布线(25)。

Description

EL显示面板、EL显示装置以及EL显示面板的制造方法
技术领域
本发明涉及薄膜半导体装置和使用了它的EL显示面板、EL显示装置以及EL显示面板的制造方法，尤其涉及用于有源矩阵方式的显示装置的薄膜半导体装置及其制造方法。
背景技术
以往，在液晶显示装置或有机EL显示装置等有源矩阵驱动型的显示装置中，使用薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)作为选择像素的开关元件或驱动像素的驱动元件。
薄膜晶体管用于显示装置的有源矩阵基板，当前，正在积极进行面向高性能化的开发。尤其是随着显示装置的大型化、高精细化，要求薄膜晶体管的高驱动能力，在这其中使用已结晶的半导体薄膜(多晶硅、微晶硅)作为沟道层(活性层)正受到关注。
作为半导体薄膜的结晶化工艺，取代已经确立的采用1000℃以上的处理温度的高温工艺技术，开发出采用600℃以下的处理温度的低温工艺。在低温工艺中，无需使用耐热性优良的石英等高价基板，能够谋求制造成本的降低。
作为低温工艺的一个环节，使用激光束进行加热的激光退火正受到关注。在该激光退火中，对在玻璃等低耐热性绝缘基板上成膜的非晶硅等非单晶性的半导体薄膜，照射激光束，使局部加热熔融，然后在其冷却过程中使半导体薄膜结晶。该结晶了的半导体薄膜中载流子的迁移率变高，因此能够使薄膜晶体管高性能化(例如，参照专利文献1)。
另外，作为薄膜晶体管的构造，以栅电极配置在沟道层之下的底栅(bottom gate)型构造为主流。以下，使用图25、图26A～图26C以及图27说明以往的底栅型薄膜晶体管。图25是显示装置的1个像素中的现有的显示装置用薄膜半导体装置的俯视图。图26A是沿着图25的X1-X1’线剖切的、现有的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。图26B是沿着图25的X2-X2’线剖切的、现有的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。图26C是沿着图25的Y-Y，线剖切的、现有的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。图27是与图26A对应的、表示从图25的X1-X1’的剖面观察时的现有的显示装置用薄膜半导体装置的主要部分的立体图。
如图25、图26A～图26C以及图27所示，现有的显示装置用薄膜半导体装置9具有：沿着像素的行方向(横方向)形成的栅极布线921、沿着像素的列方向(纵方向)形成的源极布线922、以及设置在栅极布线921和源极布线922交叉的部位的薄膜晶体管910。
如图26A所示，薄膜晶体管910为底栅型薄膜晶体管，是在基板900上依次形成的栅电极910G、栅极绝缘膜930、半导体层911(沟道层)以及源电极910S和漏电极910D所构成的层叠构造体。
如图25和图26A所示，栅电极910G从栅极布线921延伸设置，形成在与栅极布线921同层的第1金属层ML1’。栅极绝缘膜930以覆盖栅极布线921和栅电极910G的方式形成在基板900上。半导体层911以与栅电极910G重叠的方式在栅极绝缘膜930上呈岛状形成。源电极910S和漏电极910D形成为与半导体层911的一部分重叠，另外分离配置以使它们相互对置。源电极910S和漏电极910D形成在与源极布线922同层的第2金属层ML2’。另外，以覆盖薄膜晶体管910、栅极布线921以及源极布线922的方式层叠有层间绝缘膜940。
在此，在底栅型的薄膜晶体管910中，通过在栅电极910G上形成非晶硅，激光退火进行结晶化，形成半导体层911的情况下，在非晶硅的熔融时激光退火的热通过栅电极910G而发散。因此，为了抑制激光退火的热的发散，优选采用热传导率小的材料构成栅电极910G。
另一方面，对于栅极布线921而言，若布线电阻高，则会出现信号延迟，或者由于电压降而导致显示装置的发光辉度不均。特别是在显示装置的面板面积大型化、驱动频率变大时，布线电阻的影响会变大。因此，栅极布线921优选以电阻率(比电阻)低的材料构成。
如上所述，由于栅电极910G和栅极布线921形成在同一层上，因此往往以同一材料构成。因此，若从上述的半导体层911的结晶的观点考虑，以热传导率小的材料构成栅电极910G，则栅极布线921也以相同的热传导小的材料构成。另一方面，若从栅极布线921的布线电阻的观点考虑，以电阻率低的材料构成栅极布线921，则也以相同的电阻率低的材料构成栅电极910G。
但是，热传导率小的金属材料几乎都是电阻率高的物质，难以同时满足半导体层911的结晶的观点和栅极布线921的布线电阻的观点的双方。
因此，以往提出了同时满足上述两个观点的显示装置用薄膜半导体装置(参照专利文献2)。在专利文献2中，公开了下述技术：以兼顾栅电极的热传导性和栅极布线的低电阻化为目的，设为将栅极布线分成2个部分的结构。
即，在专利文献2的显示装置用薄膜半导体装置中，栅极布线由与栅电极一体地形成的一体部、和介由接触孔与该一体部连接的分体部构成。另外，成为使栅极布线的一体部和源极布线夹着栅极绝缘膜立体交叉的构造。并且，对于栅电极和栅极布线的一体部，使用具有比栅极布线的分体部低的热传导率的材料。另一方面，对于栅极布线的分体部，使用具有比栅电极低的电阻率的材料。
专利文献1：日本特开平07-235490号公报
专利文献2：日本特开2007-047808号公报
发明内容
但是，在专利文献2所公开的显示装置用薄膜半导体装置中，栅电极和栅极布线的一体部采用相同的材料构成，因此若以热传导率低的材料构成栅电极，则栅极布线的一体部的电阻率变高，导致高电阻化。其结果，会出现无法充分地降低栅极布线的布线电阻、显示装置的发光辉度产生不均的问题。
另外，栅极布线中的一体部和分体部按各像素介由接触孔而连接，因此也会有在一体部和分体部的连接部分中产生IR降(在布线上产生的电流I和电阻R之乘积所得到的电压降)的问题。而且，由于1行的栅极布线为一体部和分体部为交替地连接的构造，因此只要一体部和分体部的连接部分中的一个部位出现连接不良，也就会出现沿着栅极布线的1行所有的像素变得不良的问题。
另外，栅电极与漏电极之间的间隔由栅极绝缘膜的膜厚所规定。栅极绝缘膜的膜厚为例如200nm左右。若从与栅电极设置在同一层的栅极布线延伸设置栅电极，从与漏电极设置在同一层的电源布线延伸设置所述漏电极，则栅极布线与漏极布线之间的间隔也与栅电极和漏电极之间的间隔同样，成为栅极绝缘膜的膜厚即200nm左右。此时，在栅极布线与电源布线交叉的区域中，栅极布线与漏极布线的间隔狭小，因此存在栅极布线与电源布线之间的寄生电容变大的问题。因该寄生电容有可能会导致显示装置的发光辉度产生不均。另外，为了减小寄生电容即使使栅极绝缘膜的膜厚变厚，但由于为了保障作为薄膜半导体装置的性能而存在局限性，所以也无法增厚得那么多。
进而，在例如为EL显示装置的情况下，在各像素中用于对具有发光层的EL部提供电源的EL辅助电源线被设置在EL部，因此EL电源线导致显示装置的面板的开口率降低，结果会出现无法足够得到EL显示装置的寿命的问题。
另外，多个像素的电源布线按各像素设置，因此薄膜晶体管的配置空间就会受到布线空间的限制。
本发明是为了解决上述问题而作出的，其目的在于，提供一种EL显示面板，该EL显示面板中发光辉度不会产生不均、能够提高寿命、薄膜晶体管的配置区域不会受到布线空间的限制。
本发明的一个技术方案的EL显示面板，具有EL部和控制所述EL部的发光的薄膜半导体部，所述EL部包括阳极电极、阴极电极、以及介于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光层，所述薄膜半导体部具备：基板；栅电极，其形成在基板上；栅极绝缘膜，其以覆盖所述栅电极的方式形成在所述基板上；半导体层，其形成在所述栅极绝缘膜上并在所述栅电极的上方；第1电极，其形成在所述半导体层的上方；第2电极，其与所述第1电极形成在同一层；层间绝缘膜，其覆盖所述第1电极和所述第2电极形成在所述栅极绝缘膜的上方、是与形成有所述栅电极的层不同的层；栅极布线，其配置在所述层间绝缘膜上；电源布线，其在形成有所述栅极布线的所述层间绝缘膜上与所述栅极布线同层、并且与所述栅极布线并行地配置；以及辅助布线，其在所述层间绝缘膜上与所述栅极布线和所述电源布线同层、并且与所述栅极布线和所述电源布线并行地配置，所述栅电极和所述栅极布线介由设置成贯穿所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的第1导电部电连接，所述第1电极和所述第2电极中的任一方与所述电源布线介由设置成贯穿所述层间绝缘膜的第2导电部电连接，所述辅助布线与所述阴极电极电连接。
根据本发明的EL显示面板，能够将栅极布线和栅电极在不同的层构成，因此可选择适合于各自的材料，降低布线电阻、提高EL显示面板的发光辉度。
另外，作为TFT电源线的电源布线与栅极布线形成在同一层，因此能够降低在电源布线与栅极布线之间产生的寄生电容。另外，作为EL电源线的辅助布线与栅极布线形成在同一层，因此无需在EL部设置辅助布线，因此可提高EL显示面板的开口率(aperture ratio)，提高寿命。
进而，电源布线和辅助布线形成在与栅极布线同一层，并且与栅极布线并行地配置，因此能够通过电源布线和辅助布线减少层间绝缘膜上的因栅极布线产生的凹凸。由此，能够使平坦度提高、提高EL显示面板的寿命。
进而，由于将多个像素的电源布线共用地设置，因此可减少按各像素设置的电源布线的配置空间。因此，能够提供一种薄膜晶体管的配置空间不受到布线空间限制的EL显示面板。
附图说明
图1是本发明第1实施方式的EL显示面板的局部剖切立体图。
图2是示出本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体阵列装置的母基板的图。
图3是本发明第1实施方式的EL显示面板的一个像素的电路构成图。
图4是示意是表示出本发明第1实施方式的EL显示面板中的一个像素的一部分的像素结构的剖面图。
图5是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体阵列装置的俯视图。
图6是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体阵列装置(一部分透过)的俯视图。
图7是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体阵列装置(一部分透过)的俯视图。
图8是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置的俯视图。
图9是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置(一部分透过)的俯视图。
图10是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置(一部分透过)的俯视图。
图11是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图8的X1-X1’线剖面图)。
图12是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图8的X2-X2’线剖面图)。
图13是本发明第1实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图8的X3-X3’线剖面图)。
图14是图9的显示装置用薄膜半导体装置的立体图。
图15是图9的显示装置用薄膜半导体装置的立体图。
图16A是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图16B是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图16C是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图16D是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图16E是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图16F是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图16G是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图16H是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图161是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图16J是表示第1实施方式的EL显示面板的制造工序的剖面图。
图17是用于说明本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体装置中的薄膜晶体管的TFT特性的图。
图18是本发明第1实施方式的变形例的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。
图19是本发明第2实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置的俯视图。
图20是本发明第2实施方式的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图19的X2-X2’线剖面图)
图21是用于说明本发明第2实施方式的显示装置用薄膜半导体装置中的薄膜晶体管的TFT特性的图。
图22是本发明第2实施方式的变形例的EL显示面板中的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。
图23A是表示本发明的EL显示面板的一例的剖面立体图。
图23B是表示本发明的EL显示面板的其他例的剖面立体图。
图24是表示本发明的EL显示装置的一例的外观立体图。
图25是显示装置的1个像素中的现有的显示装置用薄膜半导体装置的俯视图。
图26A是现有的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图25的X1-X1’线剖面图)。
图26B是现有的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图25的X2-X2’线剖面图)。
图26C是现有的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图(图25的Y-Y′线剖面图)。
图27是表示从图25的X1-X1’的剖面观察时现有的显示装置用薄膜半导体装置的主要部分的立体图。
附图标记说明
1：EL显示面板
2、2’、3、3’、9：显示装置用薄膜半导体装置(薄膜半导体部)
10：有机EL元件(EL部)
12：下部电极(阳极电极)
13：有机EL层(发光层)
14：上部电极(阴极电极)
15：堤
20：显示装置用薄膜半导体阵列装置(薄膜半导体部)
21、921：栅极布线
22、922：源极布线
23：电源布线
25：辅助布线
30：像素电路
100：像素
100R、100G、100B：子像素
111：第1接触部(第1导电部)
112：第2接触部(第2导电部)
113：第3接触部
114：第4接触部
115：第5接触部(第3导电部)
120：电极部
300、900：基板
300C：电容器
301：非晶性半导体膜
310：第1薄膜晶体管
310D：第1漏电极
310G：第1栅电极
310S：第1源电极
311：第1半导体层
311A、321A：第1沟道层
311B、321B：第2沟道层
320：第2薄膜晶体管
320D：第2漏电极
320G：第2栅电极
320S：第2源电极
321：第2半导体层
330、930：栅极绝缘膜
340：第1层间绝缘膜
350：第2层间绝缘膜
400：平板电视系统(EL显示装置)
910：薄膜晶体管
910D：漏电极
910G：栅电极
910S：源电极
911：半导体层
940：层间绝缘膜
具体实施方式
本发明的EL显示面板的一个方式，具有EL部和控制所述EL部的发光的薄膜半导体部，所述EL部包括阳极电极、阴极电极、以及介于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光层，所述薄膜半导体部具备：基板；栅电极，其形成在基板上；栅极绝缘膜，其以覆盖所述栅电极的方式形成在所述基板上；半导体层，其形成在所述栅极绝缘膜上并在所述栅电极的上方；第1电极，其形成在所述半导体层的上方；第2电极，其与所述第1电极形成在同一层；层间绝缘膜，其覆盖所述第1电极和所述第2电极形成在所述栅极绝缘膜的上方、是与形成有所述栅电极的层不同的层；栅极布线，其配置在所述层间绝缘膜上；电源布线，其在形成有所述栅极布线的所述层间绝缘膜上与所述栅极布线同层、并且与所述栅极布线并行地配置；以及辅助布线，其在所述层间绝缘膜上与所述栅极布线和所述电源布线同层、并且与所述栅极布线和所述电源布线并行地配置，所述栅电极和所述栅极布线介由设置成贯穿所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的第1导电部电连接，所述第1电极和所述第2电极中的任一方与所述电源布线介由设置成贯穿所述层间绝缘膜的第2导电部电连接，所述辅助布线与所述阴极电极电连接。
根据本方式，栅极布线和电源布线并不夹着对EL显示面板中的薄膜半导体部的特性带来影响的栅极绝缘膜配置，而是配置在不会对薄膜半导体部的特性带来影响的层间绝缘膜上。因此，能够防止由于无法将栅极绝缘膜的膜厚设计得厚而产生在栅极布线与电源布线之间的寄生电容。
并且，栅极布线和电源布线分别配置在与栅电极、第1电极和第2电极不同的层，因此能够将栅极布线和电源布线在层间绝缘膜上平行地配置。因此，栅极布线和电源布线配置在作为同一层的层间绝缘膜上。因此，不会产生栅极布线和电源布线的交叉点(crosspoint)。其结果能够使因存在栅极布线与电源布线交叉的区域而产生寄生电容得到完全防止。
进而，根据本方式，将用于防止伴随EL显示面板的大画面化而在显示画面的中央区域产生的电压降的辅助布线(EL电源线)设置在薄膜半导体部而不是设置在EL部。而且，将该辅助布线在作为薄膜半导体的上部的层间绝缘膜的上面，与栅极布线和电源布线一起并行地配置。因此，能够有效地灵活运用已应用在栅极布线和电源布线的配置中的既有层，还配置了辅助布线。其结果，将设置在EL部的辅助布线转移到薄膜半导体部的既有层，由此能够对薄膜半导体部不会带来空间上的负担、开放配置了EL部的辅助布线的空间。因此，能够扩大所述EL部的设计的自由度，使EL部所包括的各像素的开口率增大。
另外，根据本方式，电源布线和辅助布线形成在与栅极布线同一层并与栅极布线并行地配置，因此能够通过电源布线和辅助布线使层间绝缘膜上的因栅极布线所产生的凹凸减少。由此，能够使平坦度提高，使EL显示面板的寿命提高。
进而，根据本方式，将电源布线共用地配置在层间绝缘膜上，例如，从共用的电源布线对红、绿、蓝的各像素提供电源即可，所以不需要例如按红、绿、蓝的各像素单独地配置电源布线，相应地例如能够削减红、绿、蓝的各像素的电源布线的配置空间。由此，能够提供一种扩大晶体管设计的自由度、晶体管的配置空间不受布线空间限制的EL显示面板。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，所述电源布线和所述辅助布线优选形成在与所述栅极布线相同或预定的近似值的高度。
根据本方式，能够进一步减少因层间绝缘膜上的栅极布线产生的凹凸。由此，能够使平坦度进一步提高，提高EL显示面板的寿命。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选所述电源布线和所述辅助布线配置在所述栅极布线和与所述栅极布线并行、与所述栅极布线相邻的其他栅极布线之间，组合所述电源布线和所述辅助布线这两者而得到的宽度对应于所述栅极布线和与所述栅极布线并行配置的与所述栅极布线相邻的其他栅极布线之间的宽度，并使与相邻的2个所述栅极布线接近地配置以使得填埋相邻的2个所述栅极布线之间。
在仅有栅极布线形成在层间绝缘膜上的情况下，薄膜半导体部的上面比未形成栅极布线的区域突出与栅极布线的膜厚相应的量。
另一方面，根据本方式，为了进行薄膜半导体部的上面平坦化，使用电源布线和辅助布线，并且组合电源布线和辅助布线这两者而得到的宽度对应于栅极布线和与栅极布线平行且与栅极布线相邻的其他栅极布线之间的宽度，因此，在该薄膜半导体部上配置具有EL元件的EL部来构成EL显示面板的情况下，EL部难以受到成为其下层的薄膜半导体部的上面的凹凸的影响。其结果，使用作为既有材料的电源布线和辅助布线以简单的结构确保平坦性，能够容易地防止由于平坦性不充分导致的寿命降低。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，所述栅极布线与所述电源布线的距离、所述电源布线与所述辅助布线的距离、所述辅助布线与所述栅极布线的距离优选分别在4μm以上。
根据本方式，将栅极布线、电源布线和辅助布线配置成相互不影响，能够使薄膜半导体部的平坦性提高。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选所述电源布线和所述辅助布线的至少一方具有比所述栅极布线的宽度宽的宽度。
根据本方式，通过将电源布线设为宽度大的布线，能够使用电源布线使薄膜半导体部的上面平坦化。例如，在该薄膜半导体部上配置具有EL元件的EL部来构成EL显示面板时，EL部受到成为其下层的薄膜半导体部的上面的凹凸的影响。通过将电源布线设为宽度大的布线，使用作为既有材料的电源布线以简单的结构确保平坦性，能够容易地防止由于平坦性不充分导致的寿命降低。
另外，通过将电源布线设为宽度大的大致为平板形状的布线，能够将电源布线设为低电阻的布线。因此，从布线电阻低的电源布线对第1电极或第2电极直接进行电源供给，所以针对伴随EL显示面板的大画面化而在显示区域的中央区域产生的电压下降(IR降)，能够大幅度地降低其下降量。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选所述半导体层为p沟道型，所述电源布线形成为与所述半导体层重叠。
在薄膜半导体部的沟道区域中，在半导体层表面与层间绝缘膜表面存在制造时的晶格缺陷。若产生该晶格缺陷，则产生不稳定的界面态(interface state)，会导致沟道区域的背沟道的电位不稳定。
根据本方式，在半导体层为p沟道型的薄膜半导体部的沟道区域的上方，为由正电位的电源布线或辅助布线覆盖在层间绝缘膜上的结构。由此，能够使背沟道的电位稳定。其结果能够实现抑制薄膜半导体部的截止泄漏，因此能够实现具有截止特性优异的薄膜半导体部的EL显示面板。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选所述半导体层为n沟道型，所述电源布线和所述辅助布线形成为与所述半导体层不重叠。
在半导体层为n沟道型的薄膜半导体部的沟道区域的上方，正电位的电源布线和辅助布线的至少一方覆盖在层间绝缘膜上时，在沟道区域的背沟道感应出负载流子，因此由负载流子产生电流。由这样产生的载流子，电流变为薄膜半导体部的截止态泄漏电流。因此，即便不施加栅极电压也会产生电流，因此会使薄膜半导体部的截止态特性降低。
根据本方式，能够避免由于辅助布线而在n沟道型TFT的背沟道感应出载流子。其结果能够实现抑制薄膜半导体部的截止态泄漏，因此能够实现具有截止态特性优异的薄膜半导体部的EL显示面板。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选所述第1电极为源电极，所述第2电极为漏电极。
根据本方式，能够将第1电极设为源电极，将第2电极设为漏电极。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选所述第1电极为漏电极，所述第2电极为源电极。
根据本方式，能够将第1电极设为漏电极，将第2电极设为源电极。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选所述半导体层包括多晶性半导体层。
根据本方式，能够通过多晶性半导体层使载流子的迁移率提高。由此，能够实现具有导通特性优异的薄膜晶体管的EL显示面板。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选构成所述电源布线和所述辅助布线的材料包括Al、Cu、Ag中的任一种。
根据本方式，电源布线和辅助布线能够以包括在布线用材料中电阻率小的Al、Cu、Ag的材料构成，因此能够进一步减小电源布线和辅助布线的电阻。
另外，在本发明的EL显示面板的一个方式中，优选所述EL部作为所述发光层，为具有有机发光层的有机EL部。
根据本方式，能够实现显示性能优异的EL显示面板。
另外，本发明的EL显示装置的一个方式，具有包含所述特征的EL显示面板。
根据本方式，能够实现具有所述特征的EL显示装置。
另外，本发明一个方式的EL显示面板的制造方法，包括：第1工序，准备基板；第2工序，在所述基板上形成栅电极；第3工序，覆盖所述栅电极，在所述基板上形成栅极绝缘膜；第4工序，在所述栅极绝缘膜上在所述栅电极的上方形成半导体层；第5工序，在所述半导体层的上方形成第1电极，并形成与第1电极电连接的源极布线和第2电极；第6工序，覆盖所述第1电极和所述第2电极，在所述栅极绝缘膜的上方形成第1层间绝缘膜；第7工序，形成贯穿所述栅极绝缘膜和所述第1层间绝缘膜的第1接触孔；第8工序，形成贯穿位于所述栅电极的上方的所述第1层间绝缘膜、与所述第1接触孔不同的第2接触孔；第9工序，在所述第1层间绝缘膜上形成金属膜并进行图形化，由此形成介由所述第1接触孔与所述栅电极电连接的栅极布线、与所述栅极布线平行、介由所述第2接触孔与所述第1电极或所述第2电极电连接的所述电源布线、以及与所述栅极布线和所述电源布线并行、与所述阴极电极电连接的辅助布线；第10工序，以覆盖所述第1层间绝缘膜、所述电源布线、和所述辅助布线的上面的方式形成第2层间绝缘膜；第11工序，形成贯穿所述第2层间绝缘膜的第3接触孔；以及第12工序，在所述第2层间绝缘膜的上方，形成包括一组阳极电极和阴极电极、以及介于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光层的EL部，在所述第12工序中，介由所述第3接触孔将所述阴极电极与所述辅助布线电连接。
根据本方式，能够容易制造出上述的本发明的EL显示装置。
另外，在本发明的EL显示面板的制造方法的一个方式中，优选在所述第4工序中形成的半导体层为非晶性半导体层，在所述第4工序和所述第5工序之间包括如下的工序：从所述非晶性半导体层的上方照射预定的激光，通过所述预定的激光照射将所述非晶性半导体层的温度设为预定的温度范围，使所述非晶性半导体层结晶。
根据本方式，能够形成包括多晶性半导体膜的半导体层。
另外，在本发明的EL显示面板的制造方法的一个方式中，优选所述EL部为用有机发光层形成所述发光层的有机EL部。
根据本方式，能够制造显示性能优异的EL显示面板。
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。
(第1实施方式)
首先，使用图1说明本发明第1实施方式的EL(Electro Luminescence，电致发光)面板。图1是本发明第1实施方式的有机EL显示面板的局部剖切立体图。
如图1所示，本发明第1实施方式的EL显示面板1为有机EL显示面板(有机EL显示器)，具备作为自发光型显示元件的有机EL元件10、以及由形成有薄膜晶体管和各种布线等的有源矩阵基板构成的显示装置用薄膜半导体阵列装置20。另外，有机EL元件10相当于本发明中的EL部，显示装置用薄膜半导体阵列装置20相当于本发明中的薄膜半导体部。
有机EL元件10具有在显示装置用薄膜半导体阵列装置20上依次形成的下部电极12、有机EL层13以及上部电极14。有机EL层13为层叠有电子输送层、发光层、空穴输送层等的结构。
显示装置用薄膜半导体阵列装置20具有多个像素100呈矩阵状(行列状)配置的像素100，在各像素100设有包括薄膜晶体管(未图示)的像素电路30。另外，显示装置用薄膜半导体阵列装置20具有呈矩阵状配置的栅极布线21和源极布线22。栅极布线21在行方向(横方向)排列有多条，源极布线22在列方向(纵方向)排列有多条。另外，栅极布线21和源极布线22正交地配置，分别将各像素电路30和控制电路(未图示)连接。
在各像素电路30至少设有2个薄膜晶体管作为用于选择像素100的开关元件和用于驱动有机EL元件10的驱动元件。
显示装置用薄膜半导体阵列装置20具有在行方向排列的多个电源布线23(在图1中没有图示)。多个电源布线23与作为各像素100的驱动元件的薄膜晶体管连接。对于电源布线23将在后面详细说明。
这样，在本实施方式的有机EL显示面板1中，采用按由栅极布线21和源极布线22划分出的各像素100进行显示控制的有源矩阵方式。
接着，使用图2说明本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置的一例。图2示出本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置的母基板。
如图2所示，母基板包括2个显示部200，通过将该母基板切断为2个，能够得到2个显示装置用薄膜半导体阵列装置20。如上所述，各显示部200为像素100呈矩阵状(行列状)配置的结构。在图2中，对于像素100仅示出像素100的角部的像素。另外，在图2中，母基板被设为包括2个显示部200，但也可以是母基板包括2个以上的多个显示部200，另外也可以是仅包括1个。
接着，使用图3说明本发明第1实施方式的EL显示面板中的像素的电路构成。图3是本发明第1实施方式的EL显示面板1中的一个像素的电路构成图。另外，以下以及在图3～图18中示出的第1实施方式中，对第1薄膜晶体管、第2薄膜晶体管为p沟道型的TFT进行说明。
如图3所示，各像素100具有：像素电路30和有机EL元件10，所述像素电路30包括第1薄膜晶体管310、第2薄膜晶体管320和电容器300C。第1薄膜晶体管310是用于选择像素100的选择晶体管(开关晶体管)，第2薄膜晶体管320是用于驱动有机EL元件10的驱动晶体管。
第1薄膜晶体管310具有第1源电极310S、第1漏电极310D和第1栅电极310G。第1源电极310S与源极布线22连接，第1栅电极310G与栅极布线21连接。另外，第1漏电极310D与电容器300C和第2薄膜晶体管320的第2栅电极320G连接。第1薄膜晶体管310，当电压施加于栅极布线21和源极布线22时，将施加在源极布线22的电压值作为显示数据保存在电容器300C中。
第2薄膜晶体管320具有第2源电极320S、第2漏极电极320D和第2栅电极320G。第2漏电极320D与有机EL元件10的阳极连接，第2源电极320S与电源布线23连接。另外，第2栅电极320G与第1薄膜晶体管310的第1漏电极310D连接。第2薄膜晶体管320将与电容器300C所保持的电压值对应的电流从电源布线23经由第2源电极320S、第2漏电极320D提供给有机EL元件10的下部电极12。
在这样构成的像素100中，当栅极信号被输入到栅极布线21中、将第1薄膜晶体管310设为导通状态时，经由源极布线22提供的信号电压被写入电容器300C中。然后，写入到电容器300C中的保持电压在整个1帧期间内被保持。通过该保持电压，第2薄膜晶体管320的电导模拟性地发生变化，与发光灰度对应的驱动电流从作为有机EL元件10的阳极的下部电极12流向作为阴极的上部电极14。由此，有机EL元件10发光，作为图像而显示。
接着，使用图4说明本发明第1实施方式的EL显示面板1中的像素的结构。图4是示意地表示出本发明第1实施方式的EL显示面板1中的一个像素的一部分的像素构成的剖面图。
如图4所示，本发明第1实施方式的EL显示面板1中的各像素具有作为开关晶体管的第1薄膜晶体管310、和作为用于驱动有机EL元件10的驱动晶体管的第2薄膜晶体管320。如上所述，第1薄膜晶体管310具有第1源电极310S、第1漏电极310D和第1栅电极310G。另外，第2薄膜晶体管320具有第2源电极320S、第2漏电极320D和第2栅电极320G。
如图4所示，在各像素中，在基板300上形成有第1栅电极310G和第2栅电极320G。另外，以覆盖第1栅电极310G和第2栅电极320G的方式形成有栅极绝缘膜330。
在第1栅电极370G的上方、在栅极绝缘膜330上，形成有第1半导体层311。另外，在第2栅电极320G的上方、在栅极绝缘膜330上，形成有第2半导体层321。
第1源电极310S和第1漏电极310D覆盖第1半导体层311的一部分、相互对向地分离配置。另外，第2漏电极320D和第2源电极320S覆盖第2半导体层321的一部分、相互对向地分离配置。
第1薄膜晶体管310的第1源电极310S与源极布线22电连接。
进而，以覆盖第1薄膜晶体管310和第2薄膜晶体管320的方式形成有第1层间绝缘膜340(下部层间绝缘膜)。
在第1层间绝缘膜340上形成有电源布线23。电源布线23介由形成在第1层间绝缘膜340的接触孔与第2源电极320S电连接。
另外，以覆盖电源布线23的方式在第1层间绝缘膜340上形成有第2层间绝缘膜350(上部层间绝缘膜)。
在第2层间绝缘膜350上形成有依次层叠着下部电极12、有机EL层13和上部电极14的有机EL元件10。在第2层间绝缘膜350上，在与相邻的像素的边界部分形成有堤15。在由相邻的堤15所构成的开口形成下部电极12和有机EL层13。
下部电极12为以像素为单位配置的阳极，形成在第2层间绝缘膜350上。下部电极12介由贯穿第1层间绝缘膜340和第2层间绝缘膜350的接触孔，与第2薄膜晶体管的第2漏电极320D电连接。
有机EL层13(有机发光层)以色(子像素列)为单位或以子像素为单位形成，由预定的有机发光材料构成。
上部电极14配置在有机EL层13的上方，为跨多个像素地形成的阴极，由ITO等透明电极构成。在本实施方式中，上部电极14是所有像素共用的共用电极。
在这样构成的EL显示面板1中，将形成最下层的薄膜晶体管的层设为TFT层(TFT部)L1，将形成最上层的有机EL元件10的层设为有机EL层(有机EL部)L3，将位于TFT层L1和有机EL层L3之间、形成各种布线的层设为布线层(布线部)L2。
如图4所示，在布线层L2形成有例如电源布线23、辅助布线25(参照图6)、栅极布线21(参照图6)。辅助布线25与有机EL元件10的上部电极14电连接，具有作为EL电源线对上部电极14施加预定的电压、或使上部电极14接地的功能。辅助布线25是为了防止由于EL显示面板的大画面化导致在EL显示面板1的中央区域产生电压降而设置的。另外，TFT层L1和布线层L2相当于本发明中的薄膜半导体部，有机EL层L3相当于本发明中的EL部。
另外，在TFT层L1中，将形成第1栅电极310G和第2栅电极320G的层设为第1金属层ML1。另外，将形成第1源电极310S和第1漏电极310D、以及第2源电极320S和第2漏电极320D的层设为第2金属层ML2。因此，如图4所示，在本实施方式中，源极布线22形成在第2金属层ML2。
另外，在布线层L2中，将形成栅极布线21(参照图6)、电源布线23、辅助布线25(图6参照)的层设为第3金属层ML3。
在这些第1金属层ML1～第3金属层ML3中，形成在同一金属层的电极和布线等的金属部件能够通过对同一金属膜进行图形化而同时形成。
接着，参照图5～图7说明本发明第1实施方式的EL显示面板1。图5是构成本发明第1实施方式的EL显示面板1的显示装置用薄膜半导体阵列装置20的俯视图。另外，图6是本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置20的俯视图，示出透过(透视)了形成在有机EL层L3的阳极和第2层间绝缘膜的状态。另外，图7是本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置20的俯视图，示出透过了形成在布线层L2的布线和绝缘膜的状态。
如图5所示，本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置20具有呈矩阵状(行列状)排列的像素100。如图6所示，在下部电极12之下沿着像素100的行方向配置有多个栅极布线21、多个电源布线23和多个辅助布线25。
电源布线23与栅极布线21并行地配置。另外，辅助布线25在电源布线23和相邻的像素100的栅极布线21之间，与电源布线23和栅极布线21并行地配置。也就是说，栅极布线21、电源布线23和辅助布线25在行方向上相互并行地配置。另外，栅极布线21、电源布线23和辅助布线25形成在同一层。
图6是在图5透过了栅极布线21、电源布线23和辅助布线25的状态的图。
如图6所示，本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体阵列装置20具有沿着像素100的列方向相互平行地配置的多个源极布线22。源极布线22形成在图4所示的TFT层L1的第2金属层ML2上，并被配置成与形成在上层的布线层L2的栅极布线21、电源布线23和辅助布线25立体交叉。另外，显示装置用薄膜半导体阵列装置20具有第1薄膜晶体管310和第2薄膜晶体管320。
另外，参照图8～图13说明构成本发明第1实施方式的EL显示面板1的1个像素100。图8是本发明第1实施方式的EL显示面板的像素100的俯视图，示出配置了阳极的状态。另外，图9是本发明第1实施方式的像素100的俯视图，示出透过了形成在有机EL层L3的阳极的状态。另外，图10是本发明第1实施方式的像素100的俯视图，示出透过了形成在布线层L2的布线和绝缘膜的状态。另外，图11是沿着图8～图10的X1-X1’线剖切的像素100的剖面图。图12是沿着图8～图10的X2-X2’线剖切的像素100的剖面图。图13是沿着图8～图10的X3-X3’线剖切的像素100的剖面图。
如图8～图10所示，构成本发明第1实施方式的EL显示面板1的像素100具有基板300、第1薄膜晶体管310和第2薄膜晶体管320、栅极布线21、源极布线22、电源布线23、辅助布线25以及第1层间绝缘膜340。在图9～图12中，位于第1层间绝缘膜340之上的结构省略图示。
第1薄膜晶体管310为第1栅电极310G、栅极绝缘膜330、第1半导体层311(沟道层)、和第1源电极310S以及第1漏电极310D的层叠构造体。另外，第2薄膜晶体管320为第2栅电极320G、栅极绝缘膜330、第2半导体层321(沟道层)、和第2源电极320S以及第2漏电极320D的层叠构造体。
在本实施方式中，第1薄膜晶体管310、第2薄膜晶体管320和源极布线22形成在图4所示的TFT层L1。另外，栅极布线21、电源布线23和辅助布线25形成在图4所示的布线层L2。
以下，从下层的结构要素开始依次详细说明本发明第1实施方式的EL显示面板1的各结构要素。
如图8～图12所示，第1栅电极310G和第2栅电极320G在图4所示的基板300上图形形成为岛状。
另外，如图11和图12所示，在基板300上以覆盖第1栅电极310G和第2栅电极320G的方式形成栅极绝缘膜330。
另外，如图11和图12所示，在栅极绝缘膜330上、在第1栅电极310G的上方，第1半导体层311图形形成为岛状。另外，在栅极绝缘膜330上、在第2栅电极320G的上方，第2半导体层321图形形成为岛状。
在此，第1半导体层311和第2半导体层321使用p沟道型的半导体。在电源布线23中提供正电位。
另外，在第1薄膜晶体管310中，如图10和图12所示，第1源电极310S和第1漏电极310D形成为在第1半导体层311的上方与第1半导体层311局部重叠。另外，在图10所示的俯视图中，第1源电极310S和第1漏电极310D在夹着第1半导体层311相互对向的位置形成。这些第1源电极310S和第1漏电极310D形成在图4所示的TFT层L1中的第2金属层ML2。在本说明书中，“重叠”指的是从像素100的上下方向观察处于互相重合的位置关系。
另外，如图11和图12所示，第1漏电极310D形成为与第2薄膜晶体管320的第2栅电极320G重叠。第1漏电极310D和第2栅电极320G通过第4接触部114(第4导电部)电连接。第4接触部114通过在第1漏电极310D和第2栅电极320G重叠的位置沿厚度方向形成的接触孔(孔部)中埋入导电部件而构成。在本实施方式中，如图12所示，第4接触部114通过在以贯穿栅极绝缘膜330的方式形成的接触孔中埋入第1漏电极310D的一部分而构成。
如图12所示，第4接触部114中的接触孔形成在栅极绝缘膜330。在本实施方式中，如图10所示，第4接触部114被设在3个部位。
另外，如图10和图12所示，在第2薄膜晶体管320中，第2源电极320S和第2漏电极320D形成为在第2半导体层321的上方与第2半导体层321重叠。另外，在图10所示的俯视图中，第2源电极320S和第2漏电极320D形成在夹着第2半导体层321相互相对的位置上。这些第2源电极320S和第2漏电极320D形成在TFT层L1中的第2金属层ML2。
进而，如图10所示，第2漏电极320D沿着列方向呈直线状延伸设置，在与设有第2半导体层321的端部相反一侧的端部附近形成有宽度大于延伸设置部分的岛状的电极部120。
电极部120介由第3接触部113与有机EL元件10的下部电极12电连接。第3接触部113通过在以贯穿形成在电极部120的上层的第1层间绝缘膜340和第2层间绝缘膜350的方式形成的接触孔(孔部)中埋入导电材料而构成。
如图8～图10所示，源极布线22沿着像素100的列方向呈线状形成。源极布线22配置成通过第1薄膜晶体管310的附近，与第1源电极310S电连接。
在本实施方式中，形成为源极布线22与第1半导体层311重叠，以使得线状的源极布线22的一部分作为第1源电极310S发挥作用。在本实施方式中，源极布线22形成在图4所示的TFT层L1中的第2金属层ML2。
如图12所示，源极布线22的除了与第1薄膜晶体管310重叠的部分以外的部分，形成在栅极绝缘膜330上。另外，源极布线22构成为隔着第1层间绝缘膜340与后述的栅极布线21、电源布线23和辅助布线25立体交叉。
另外，如图11和图12所示，以覆盖第1薄膜晶体管310、第2薄膜晶体管320、源极布线22和电源布线23的方式形成有第1层间绝缘膜340。第1层间绝缘膜340构成为位于图4所示的TFT层L1的最上层且覆盖形成在下部的全体电极、布线。
进而，在第1层间绝缘膜340上形成有栅极布线21、电源布线23、辅助布线25。栅极布线21、电源布线23和辅助布线25均形成在图4所示的布线层L20的第3金属层ML3。
如图9和图11所示，栅极布线21沿着像素100的行方向呈线状形成。进而，如图11所示，栅极布线21形成在第1层间绝缘膜340上，形成在图4所示的布线层L2中的第3金属层ML3。即，栅极布线21形成在与形成有第1栅电极310G的层不同的层。
另外，栅极布线21配置成通过第1薄膜晶体管310的附近，构成为与第1栅电极310G电连接。在本实施方式中，如图9和图11所示，栅极布线21和第1栅电极310G被配置在重叠的位置上，介由第1接触部111(第1导电部)与第1栅电极310G电连接。第1接触部111通过在栅极布线21和第1栅电极310G重叠的位置上沿着厚度方向形成的接触孔(孔部)中埋入导电部件而构成。在本实施方式中，如图11所示，第1接触部111通过在以贯穿第1层间绝缘膜340和栅极绝缘膜330的方式形成的接触孔(孔部)中埋入栅极布线21的一部分而构成。
如图9和图12所示，电源布线23沿着像素100的行方向呈线状形成。如图12所示，电源布线23也形成在第1层间绝缘膜340上，形成在图4所示的布线层L2中的第3金属层ML3。即，电源布线23与栅极布线21形成在同一层。
另外，如图9所示，电源布线23与栅极布线21并行地配置。进而，如图12所示，电源布线23配置在与第2源电极320S重叠的位置，介由第2接触部112(第2导电部)与第2源电极320S电连接。如图12所示，第2接触部112通过在电源布线23与第2源电极320S重叠的位置在厚度方向上形成的接触孔(孔部)中埋入导电材料而构成。在本实施方式中，第2接触部112通过在形成为贯穿第1层间绝缘膜340的接触孔中埋入电源布线23的一部分而构成。另外，在本实施方式中，如图9所示，第2接触部112设有6个(2行3列)。
如图9和图13所示，辅助布线25沿着像素100的行方向呈线状形成。如图13所示，辅助布线25也形成在第1层间绝缘膜340上，形成在图4所示的布线层L2中的第3金属层ML3。即，辅助布线25与栅极布线21和电源布线23形成在同一层。
另外，如图9所示，辅助布线25与栅极布线21和电源布线23并行地配置。进而，在辅助布线25之上形成有第2层间绝缘膜350和图4所示的有机EL层L3。也就是说，在第2层间绝缘膜350之上形成有下部电极12、EL层13和上部电极14。并且，如图13所示，上部电极14和辅助布线25介由第5接触部115(第3导电部)电连接。如图13所示，第5接触部115通过在上部电极14和辅助布线25重叠的位置沿着厚度方向形成的接触孔(孔部)中埋入导电材料而构成。在本实施方式中，第5接触部115通过在形成为贯穿第2层间绝缘膜350的接触孔中埋入上部电极14的一部分而构成。另外，在本实施方式中，如图9所示，第5接触部115设有14个(2行7列)。
在本实施方式中，构成电源布线23和辅助布线25的材料由包含从Al(铝)、Cu(铜)、Ag(银)中选择出的任一种的材料而形成。另外，也可以将电源布线23和辅助布线25设为多层布线，构成电源布线23和辅助布线25的主布线包含从Al、Cu、Ag中选择出的任一种。另外，电源布线23和辅助布线25可以含有上述这些金属中的多种金属，也可以由其他材料构成。
图14是从配置有电极部120一侧的端部观察图9所示的显示装置用薄膜半导体装置2时的立体图。图15是从配置有电极部120一侧的端部观察图10所示的显示装置用薄膜半导体装置2时的立体图。
如图14所示，栅极布线21、电源布线23和辅助布线25形成在同一层。也就是说，栅极布线21、电源布线23和辅助布线25形成在第1层间绝缘膜340上的布线层L2，形成于与在TFT层L1形成的源极布线22不同的层。另外，栅极布线21、电源布线23和辅助布线25配置成与源极布线22正交且立体交叉。另外，如图15所示，源极布线22、第2源电极320S和第2漏电极320D形成在TFT层L1。
接着，参照图16A～图16J说明制造实施方式1的EL显示面板1的显示装置用薄膜半导体装置2的方法。图16A～图16J是示意地表示本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体装置的制造方法的各工序的剖面图。图16A～图16J的剖面图与图9的X2-X2’剖面相对应。
首先，如图16A所示，准备基板300。基板300一般使用由玻璃、石英等构成的具有绝缘性的材料。为了防止从基板300扩散杂质，也可以在基板300的上面形成未图示的由氧化硅膜或氮化硅膜构成的内涂(undercoat)层。作为一例，内涂层的膜厚为100nm左右。
接着，在以纯水等洗净之后，在基板300上形成具有耐热性的第1金属层。接着，如图16B所示，通过光刻法、蚀刻法等将第1金属层图形化为预定的形状，形成栅电极310G、320G。作为第1金属膜的材料，可举出具有耐热性的Mo、W、Ta、Ti、Ni中任一种的金属、或这些金属的合金。在本实施方式中，作为一例，使用Mo形成膜厚100nm左右的第1金属膜。
接着，如图16C所示，在基板300上的整个面形成栅极绝缘膜330，以使得覆盖第1栅电极310G和第2栅电极320G。作为栅极绝缘膜330的材料，可举出氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiN)或它们的复合膜。在本实施方式中，作为一例，通过等离子体CVD法形成由膜厚200nm左右的氧化硅膜构成的栅极绝缘膜330。
进而，如图16D所示，在栅极绝缘膜330上形成非晶性半导体膜301。在本实施方式中，使用非晶硅膜(无定形硅膜)作为非晶性半导体膜301，通过等离子体CVD法形成膜厚50nm左右的非晶硅膜。栅极绝缘膜330和非晶性半导体膜301也可以通过等离子体CVD法等不破坏真空地连续形成。
此后，如图16D的箭头所示，通过对非晶性半导体膜301照射由激元激光器等产生的激光，使非晶性半导体膜301结晶化、改性为多晶性半导体膜。具体而言，例如对非晶硅膜照射激元激光等，使非晶硅膜的温度上升到预定的温度范围，由此将非晶硅膜结晶化、使结晶粒径扩大，变为多晶性半导体膜。在此，预定的温度范围例如是1100℃～1414℃。另外，多晶性半导体层内的平均结晶粒径为20nm～60nm。
在此，第1栅电极310G和第2栅电极320G在该激光照射工序中曝露在高温中，因此优选以熔点高于上述温度范围的上限值(1414℃)的金属构成。另一方面，在接下来的工序中形成在第2金属层ML2和第3金属层ML3的布线和电极，可以由熔点低于上述温度范围的下限值(1100℃)的金属形成。
优选在照射激光之前，作为前处理以400℃～500℃进行30分钟的退火处理。另外，优选在激光照射后在真空中进行几秒～几十秒的氢等离子体处理。
接着，如图16E所示，通过光刻法、蚀刻法等将非晶性半导体膜301图形形成为岛状，形成第1半导体层311、第2半导体层321。
接着，如图16F所示，为了电连接第1漏电极310D和第2栅电极320G，通过光刻法和湿法蚀刻等形成贯穿栅极绝缘膜330的第4接触孔CH4。
之后，如图16G所示，形成第2金属膜以使得覆盖栅极绝缘膜330、第1半导体层311和第2半导体层321。接着，通过光刻法和湿法蚀刻法等将第2金属膜图形形成为预定的形状，从而形成源极布线22、第1源电极310S和第1漏电极310D、第2源电极320S和第2漏电极320D。此时，构成第2金属膜的材料也填充在第4接触孔CH4中、形成第4接触部114。
作为第2金属层的材料，优选低电阻金属，可举出Al、Cu、Ag中的任一金属或者这些金属的合金。在本实施方式中，作为一例使用Al，形成膜厚300nm左右的第2金属层。
进而，优选在Al的上部、下部或这两方形成Mo等高耐热性的金属作为势垒金属(barrier metal)。势垒金属的厚度为50nm左右。另外，在进一步要求布线的低电阻化的情况下，优选使用Cu而不是Al。另外，不是替代材料而是使第2金属膜的厚度增加，由此也可以实现低电阻化。
另外，优选在第1源电极310S和第1半导体层311之间以及在第1漏电极310D和第1半导体层311之间形成低电阻半导体膜。一般而言，该低电阻半导体膜使用作为杂质掺杂了磷等n型掺杂剂的非晶硅膜、或者使用作为杂质掺杂了硼等p型掺杂剂的非晶硅膜。作为低电阻半导体膜的膜厚可以设为20nm左右。进而，也可以在结晶化了的第1半导体层311和低电阻半导体膜(掺杂了杂质的非晶硅膜)之间形成由非晶硅构成的无掺杂(不进行有意识地掺杂杂质)的半导体层。通过形成这些膜，能够使TFT特性提高等、得到所期待的TFT特性。另外，对于第2薄膜晶体管320也是同样的。
接着，如图16H所示，以覆盖第1源电极310S、第1漏电极310D、第2源电极320S和第2漏电极320D等露出的电极和布线的方式，在基板300上的整个面形成第1层间绝缘膜340。第1层间绝缘膜340可以由氧化硅膜、氮化硅膜或这些膜的层叠膜构成。
接着，如图16I所示，为了连接电源布线23和第2源电极320S，通过光刻法和蚀刻法等形成贯穿第1层间绝缘膜340的第2接触孔CH2。此时，为了连接第1栅电极310G和栅极布线21，还形成连续地贯穿第1层间绝缘膜340和栅极绝缘膜330的第1接触孔(参照图11)。
接着，如图16J所示，在第1层间绝缘膜340上形成第3金属膜，通过光刻法和蚀刻法等对第3金属膜进行图形化形成为预定形状，由此形成栅极布线21、电源布线23和辅助布线25。此时，构成第3金属膜的材料还填充在第2接触孔CH2和第1接触孔(参照图11)中，形成第2接触部112和第1接触部111。
构成栅极布线21、电源布线23和辅助布线25的第3金属膜的材料优选低电阻的材料，可以用与第2金属层相同的金属材料构成。例如，可以在形成50nm的Mo作为势垒金属之后，形成300nm的Al，由此构成第3金属膜。
如上述那样，能够制造本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体装置2。
之后，如图13所示，在第1层间绝缘膜340上形成第2层间绝缘膜350，以使得覆盖栅极布线21、电源布线23和辅助布线25。第2层间绝缘膜350可以用与第1层间绝缘膜340同样的材料构成，例如可以用氧化硅膜、氮化硅膜或这些膜的层叠膜构成。
接着，在第2层间绝缘膜350上形成图4所示的有机EL层L3。具体而言，在第2层间绝缘膜350上依次层叠下部电极12、堤15、有机EL层13以及上部电极14。
首先，通过光刻法、蚀刻法形成贯穿第2层间绝缘膜350的接触孔(未图示)。该接触孔成为图13所示的第5接触部115。
接着，下部电极12形成在第2层间绝缘膜350上。堤15形成在第2层间绝缘膜350上的与各像素100的边界对应的位置上。另外，有机EL层13在下部电极12上按各像素100形成在堤15的开口部内。
进而，上部电极14形成在第2层间绝缘膜350上以使得覆盖堤15、有机EL层13。此时，构成上部电极14的材料填充在形成于第2层间绝缘膜350的接触孔中，形成第5接触部115。介由该第5接触部115，上部电极14和辅助布线25电连接。
下部电极12的材料例如为Mo、Al、Au、Hg、Cu等导电性金属中的任一种或者它们的合金、PEDOT：PSS等有机导电性材料、氧化锌或添加铅的氧化铟中的任一种的材料。由这些材料构成的膜通过真空蒸镀法、电子束蒸镀法、RF溅射法、或印刷法等做成，形成电极图形。
有机EL层13在下部电极12上按各颜色(子像素列)或各子像素形成在堤15的开口部内。该有机EL层13层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、和电子注入层等各层而构成。作为空穴注入层可以使用酞菁铜，作为空穴输送层可以使用α-NPD(双[N-(1-萘基)-N-苯基]联苯胺)，作为发光层可以使用Alq3(三(8-羟基)铝)，作为电子输送层可以使用噁唑衍生物，作为电子注入层可以使用Alq3。另外，这些材料只是一例而已，也可以使用其他的材料。
上部电极14是连续地形成在有机EL层13上、具有透射性的电极。上部电极14的材料例如为ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)、SnO2、In2O3、ZnO或它们的组合等。
如以上那样，能够制造本发明第1实施方式的EL显示面板1。
以上，根据本发明第1实施方式的EL显示面板1，EL显示面板1的显示装置用薄膜半导体装置2的栅极布线21形成在第1层间绝缘膜340上的布线层L2，配置在与第1栅电极310G(和第2栅电极320G)另外的层(不同的层)。由此，对于栅极布线21与第1栅电极310G(以及第2栅电极320G)能够选择各自适合的材料。
另外，根据本实施方式的EL显示面板1，电源布线23在第1层间绝缘膜340上与栅极布线21形成在同一层，并与栅极布线21并行地配置。另外，辅助布线25在第1层间绝缘膜340上与栅极布线21和电源布线23形成在同一层上，并且与栅极布线21和电源布线23并行地配置。由此，能够将由于在第1层间绝缘膜340上配置栅极布线21所形成的凹凸的凹部由电源布线23和辅助布线25填埋。即，能够通过电源布线23和辅助布线25减轻第1层间绝缘膜340上的凹凸，使显示装置用薄膜半导体装置2的上面的平坦度提高。其结果，在显示装置用薄膜半导体装置2上例如构成布线层L2或有机EL层L3时，能够减轻第1层间绝缘膜340上的凹凸对布线层L2或有机EL层L3带来的影响，能够抑制在平坦性不充分的情况下产生的寿命降低等。
另外，在本实施方式的显示装置用薄膜半导体装置2中，如图12所示，电源布线23构成为覆盖第1半导体层311和第2半导体层321，因此优选第1半导体层311和第2半导体层321均为p沟道型。
在薄膜晶体管的半导体层(沟道区域)中，在覆盖半导体层的表面和薄膜晶体管的层间绝缘膜的表面，在制造时有时会产生晶格缺陷。若产生该晶格缺陷，则会产生不稳定的界面态，半导体层的背沟道的电位变得不稳定。
在本实施方式中，为p沟道型的第1半导体层311和第2半导体层321构成为与成为正电位的电源布线23重叠，能够使背沟道的电位稳定。
图17是用于说明本发明第1实施方式的显示装置用薄膜半导体装置中的薄膜晶体管的TFT特性的图。在本实施方式中，为p沟道型的第1半导体层311和第2半导体层321构成为与成为正电位的电源布线23重叠，能够构成具有背栅的p沟道TFT，因此能够使背沟道的电位稳定。其结果，如图17所示，作为具有背栅的p沟道TFT的第1薄膜晶体管310和第2薄膜晶体管320，与没有背栅的P沟道TFT同等地，既能够抑制截止时的泄漏电流(截止泄漏(off leak)电流)，而且还能够实现降低来自外部噪声的影响。这是因为：上述背栅覆盖沟道区域的上方，所以起到对外部噪声的电磁波屏蔽的作用。因此，能够实现具有截止特性优异、且抗外部噪声性强的薄膜晶体管的显示装置用薄膜半导体装置。
另外，在本实施方式的显示装置用薄膜半导体装置2中，优选电源布线23和辅助布线25形成在与栅极布线21大致相同的高度、即形成在相同高度或近似高度，并且形成为具有与相邻的2个栅极布线21之间的宽度对应的宽度。进而，优选电源布线23和辅助布线25与相邻的2个栅极布线21的距离、即栅极布线21与电源布线23、电源布线23与辅助布线25、辅助布线25与栅极布线21的距离设为4μm以上。
在本实施方式中，栅极布线21形成在第1层间绝缘膜340上，因此这样会比没有形成栅极布线21的区域突出栅极布线21的膜厚的量，在相邻的栅极布线21之间形成凹部。
对此，如上所述，将电源布线23和辅助布线25设为与栅极布线21大致相同的高度，并设为与相邻的2个栅极布线21之间的宽度对应的宽度，由此能够由电源布线23和辅助布线25确保显示装置用薄膜半导体装置2的上面的平坦性。由此，在形成有机EL元件10的情况下，能够容易地防止由于布线层L2上面的平坦性不充分导致的寿命降低。
另外，在本实施方式的显示装置用薄膜半导体装置2中，优选电源布线23和辅助布线25形成在与栅极布线21大致相同的高度上，并且与相邻的2个栅极布线21接近地配置以使得填埋相邻的2个栅极布线21之间。
由此，能够在相邻的栅极布线21之间由电源布线23和辅助布线25填埋凹部，因此能够确保显示装置用薄膜半导体装置2的上面的平坦性。进而，能够使电源布线23和辅助布线25低电阻化。
(第1实施方式的变形例)
接着，使用图18说明本发明第1实施方式的变形例的EL显示面板的显示装置用薄膜半导体装置2′。图18是设置在本变形例的EL显示面板的显示装置用薄膜半导体装置2′的剖面图。图18与图12所示的设置在第1实施方式的EL显示面板的显示装置用薄膜半导体装置2的剖面图对应。
显示装置用薄膜半导体装置2’与本发明第1实施方式的EL显示面板1的显示装置用薄膜半导体装置2为基本相同的结构。因此，在图18中，对于与图12所示的结构要素相同的结构要素标注相同的附图标记，省略或简化详细的说明。另外，图12所示的结构以外的结构与第1实施方式相同。
显示装置用薄膜半导体装置2’与显示装置用薄膜半导体装置2的不同之处在于，第1薄膜晶体管310的第1半导体层和第2薄膜晶体管320的第2半导体层的结构。
如图18所示，在显示装置用薄膜半导体装置2’中，第1薄膜晶体管310的第1半导体层由第1沟道层311A和第2沟道层311B构成，所述第1沟道层311A由多晶性半导体膜构成，所述第2沟道层311B由非晶性半导体膜构成。另外，第2薄膜晶体管320的第2半导体层也由第1沟道层321A和第2沟道层321B构成，所述第1沟道层321A由多晶性半导体膜构成，所述第2沟道层321B由非晶性半导体膜构成。
第1沟道层311A和第1沟道层321A可以由通过使非晶硅膜(无定形硅膜)结晶而形成的多晶硅膜构成。
第2沟道层311B和第2沟道层321B，与图12所示的第1半导体层311和第2半导体层321同样，可以由非晶性半导体膜构成。
这样构成的第1半导体层和第2半导体层可以通过对非晶硅膜(无定形硅膜)的上层部进行激光照射使其结晶而形成。另外，在俯视观察时，第1沟道层311A(或第1沟道层321A)和第2沟道层311B(或第2沟道层321B)成为相同的形状，均在栅极绝缘膜330上形成为岛状。
显示装置用薄膜半导体装置2’起到与上述设置在本发明第1实施方式的EL显示面板1的显示装置用薄膜半导体装置2同样的作用效果。
进而，在显示装置用薄膜半导体装置2’中，薄膜晶体管中的第1半导体层和第2半导体层由：由非晶硅膜构成的第2沟道层311B(或第2沟道层321B)、和形成在第2沟道层311B(或第2沟道层321B)之下的由多晶性半导体膜构成的第1沟道层311A(或第1沟道层321A)构成。由此，在第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管中，能够降低截止电流并增大导通电流。
(第2实施方式)
接着，使用图19～图21说明本发明第2实施方式的EL显示面板。图19是设置在本发明第2实施方式的EL显示面板的显示装置用薄膜半导体装置的俯视图。图20是沿着图19的X2-X2’线剖切的显示装置用薄膜半导体装置的剖面图。图21是用于说明本实施方式的显示装置用薄膜半导体装置中的薄膜晶体管的TFT特性的图。
设置在本发明第2实施方式的EL显示面板的显示装置用薄膜半导体装置3是与设置在本发明第1实施方式的EL显示面板的显示装置用薄膜半导体装置2基本相同的结构。因此，在图19和图20中，对于与图8～图13所示的结构要素相同的结构要素标注相同的附图标记，省略或简化详细的说明。
显示装置用薄膜半导体装置3与设置在本发明第1实施方式的EL显示装置的显示装置用薄膜半导体装置2的不同之处在于：第1半导体层311和第2半导体层321的沟道型均为n沟道型；由于第1半导体层311和第2半导体层321的沟道型均为n沟道型，其结果第1实施方式中的源电极和漏电极分别在第2实施方式中相反地各自变为漏电极和源电极；以及电源布线23的结构。除此之外的结构与第1实施方式相同。
如图19和图20所示，在显示装置用薄膜半导体装置3中，电源布线23构成为与第1半导体层311和第2半导体层321不重叠，具有形成在第1半导体层311上的第1开口部131和形成在第2半导体层321上的第2开口部132。
另外，第1半导体层311和第2半导体层321均为n沟道型。
这样构成的显示装置用薄膜半导体装置3可以与第1实施方式同样地制造。但是，在本实施方式中，需要在电源布线23形成第1开口部131和第2开口部132。第1开口部131和第2开口部132在对第3金属膜图形化时形成在电源布线23。
以上，根据显示装置用薄膜半导体装置3，能够与第1实施方式同样地将栅极布线21和第1栅电极310G用不同的层构成，所以能够选择适合于各自的材料。
进而，电源布线23和辅助布线25形成在与栅极布线21同一层上，并且与栅极布线21并行地配置，因此能够减轻因形成在第1层间绝缘膜340上的栅极布线21产生的凹凸，能够使平坦度提高。
进而，根据显示装置用薄膜半导体装置3能够实现以下的作用效果。
在为n沟道型的第1半导体层311和第2半导体层321的上方中，在为正电位的电源布线23覆盖在第1层间绝缘膜340上的情况下，在第1半导体层311和第2半导体层321的背沟道感应出负载流子，由此产生截止泄漏电流。因此，即使不施加栅极电压也会产生电流，所以就会使第1薄膜晶体管310和第2薄膜晶体管320的截止特性降低。
对此，在显示装置用薄膜半导体装置3中，为n沟道型的第1半导体层311和第2半导体层321构成为与正电位的电源布线23不重叠。也就是说，设为无背栅的结构。由此，如图21所示，与有背栅时相比，能够抑制由于为正电位的电源布线23导致在为n沟道型TFT的第1薄膜晶体管310和第2薄膜晶体管320中在背沟道感应出载流子。其结果，能够抑制在第1薄膜晶体管310和第2薄膜晶体管320产生截止泄漏电流，因此能够实现截止特性优异的EL显示面板。
(第2实施方式的变形例)
接着，使用图22说明本发明第2实施方式的变形例的EL显示面板。图22是设置在本发明第2实施方式的变形例的EL显示面板的显示装置用薄膜半导体装置3’的剖面图。图22与图20的设置在本发明第2实施方式的EL显示面板的显示装置用薄膜半导体装置3的剖面图对应。
显示装置用薄膜半导体装置3’是与本发明第2实施方式的显示装置用薄膜半导体装置3基本相同的结构。因此，在图22中，对于与图20所示的结构要素相同的结构要素，标注相同的附图标记，省略或简化详细的说明。另外，与图22所示的结构以外的结构与第2实施方式相同。
显示装置用薄膜半导体装置3′与显示装置用薄膜半导体装置3的不同之处在于，第1薄膜晶体管310的第1半导体层和第2薄膜晶体管320的第2半导体层的结构。
如图22所示，在显示装置用薄膜半导体装置3’中，第1薄膜晶体管310的第1半导体层由：由多晶性半导体膜构成的第1沟道层311A和由非晶性半导体膜构成的第2沟道层311B构成。另外，第2薄膜晶体管320的第2半导体层也由：由多晶性半导体膜构成的第1沟道层321A和由非晶性半导体膜构成的第2沟道层321B构成。
第1沟道层311A和第1沟道层321A可以由通过使非晶硅膜(无定形硅膜)结晶而形成的多晶硅膜构成。
第2沟道层311B和第2沟道层321B可以由非晶性半导体膜构成。
这样构成的第1半导体层和第2半导体层可以通过对非晶硅膜(无定形硅膜)进行激光照射而结晶化、然后形成非晶硅膜来形成。另外，在俯视观察时，第1沟道层311A(或第1沟道层321A)和第2沟道层311B(或第2沟道层321B)为相同形状，均在栅极绝缘膜330上形成为岛状。
本实施方式的EL显示面板起到与上述的本发明第2实施方式的具有显示装置用薄膜半导体装置3的EL显示面板同样的作用效果。
进而，在显示装置用薄膜半导体装置3’中，薄膜晶体管中的第1半导体层和第2半导体层由：由非晶硅膜构成的第2沟道层311B(或第2沟道层321B)、以及形成在由非晶硅膜构成的第2沟道层311B(或第2沟道层321B)之下的由多晶性半导体膜构成的第1沟道层311A(或第1沟道层321A)构成。由此，在第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管中，能够减少截止电流并使导通电流增大。
本发明不限于上述实施方式，可以在不脱离本发明要旨的范围内进行各种改良和变形。
例如，如图23A和图23B所示，有机EL显示面板1的各像素100也可以由3色(红色、绿色、蓝色)的子像素100R、100G、100B构成。子像素100R、100G、100B分别沿着图23A的进深方向排列有多个(将其表述为“子像素列”)。
图23A是表示线型堤(line bank)的例子的图。如图23A所示，各子像素列可以通过堤15相互分离。图23A所示的堤15是在相互相邻的子像素列之间在与源极布线22平行的方向延伸的突条，且形成在薄膜半导体阵列装置20上。换言之，各子像素列分别形成在相互相邻的突条之间(即堤15的开口部)。
下部电极12在薄膜半导体阵列装置20上(更具体而言是在上部层间绝缘膜11上)在堤15的开口部内，按各子像素100R、100G、100B而形成。有机EL层13在下部电极12上在堤15的开口部内按各子像素列(即，以覆盖各列的多个下部电极12的方式)形成。上部电极14在多个有机EL层13和堤15(多个突条)上以覆盖所有子像素100R、100G、100B的方式连续地形成。
另外，图23B是表示像素型堤(pixel bank)的例子的图，各子像素100R、100G、100B通过堤15相互分离。图23B所示的堤15形成为与栅极布线21平行地延伸的突条和与源极布线22平行地延伸的突条相互交叉。并且，由该突条包围的部分(即堤15的开口部)形成有子像素100R、100G、100B。
下部电极12在薄膜半导体阵列装置20上(更具体而言是在上部层间绝缘膜11上)在堤15的开口部内按各子像素100R、100G、100B形成。同样地，有机EL层13在下部电极12上在堤15的开口部内按各子像素100R、100G、100B形成。上部电极14在多个有机EL层13和堤15(多个突条)上以覆盖所有子像素100R、100G、100B的方式连续地形成。
进而，在薄膜半导体阵列装置20按各子像素100R、100G、100B形成有像素电路30(在图23A和图23B中省略图示)。并且，各子像素100R、100G、100B和对应的像素电路30电连接。
子像素100R、100G、100B除了有机EL层13的特性(发光色)不同之外其余为相同的结构。
另外，在上述实施方式中，也可以将第1源电极310S和第1漏电极310D互换而构成。具体而言，构成为：图3、图4的310S为第1漏电极，310D则是第1源电极。同样地，也可以将第2漏电极320D和第2源电极320S互换而构成。具体而言，构成为：图3、图4的320S为第1漏电极、320D则是第1源电极。
另外，在上述实施方式中，第1源电极310S设为线状的源极布线22的一部分，但不限于此。例如，也可以构成为：在源极布线22的图形形成时，图形形成从源极布线22的一部起在行方向延伸设置的延伸设置部，将该延伸设置部和另外形成的第1源电极310S电连接。
同样地，在上述实施方式中，第2源电极320S设为线状的第1电源布线23的一部分，但不限于此。例如，也可以构成为：在第1电源布线23A的图形形成时，图形形成从第1电源布线23A的一部分起在行方向延伸设置的延伸设置部，将该延伸设置部和另外形成的第2源电极320S电连接。
另外，在上述实施方式中，电源布线23在相邻的栅极布线21之间排列1条，但不限于此。例如，也可以在相邻的栅极布线21之间排列多条电源布线23。
另外，在上述实施方式中，在1个像素形成2个薄膜晶体管，但不限于此。例如，也可以在1个像素形成3个以上的薄膜晶体管。此时，也可以与薄膜晶体管的个数相一致地排列多条电源布线23。由此，能够通过多个电源布线23对需要供电的薄膜晶体管如所希望那样提供电力。
另外，在上述实施方式中，关于本发明的EL显示面板例示出有机EL显示面板，但不限于此。例如，本发明的EL显示面板也可以适用于无机EL面板、或具有液晶显示元件等使用有源矩阵基板的其他显示元件的显示器。
另外，只要不脱离本发明的宗旨，将本领域技术人员所能想到的各种变形施加在本实施方式中而得到的方式、组合不同实施方式中的结构要素而构建的方式也包含在本发明的范围内。例如，如图24所示的具有本发明的EL显示面板1的薄型平板电视系统400等EL显示装置也包含在本发明中。
产业上的可利用性
本发明的图像显示装置用薄膜半导体装置作为用于有机EL显示装置、液晶显示装置等的驱动用背板(back plane)是有用的。

Claims (16)

1.一种EL显示面板，具有EL部和控制所述EL部的发光的薄膜半导体部，
所述EL部包括阳极电极、阴极电极、以及介于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光层，
所述薄膜半导体部具备：
基板；
栅电极，其形成在基板上；
栅极绝缘膜，其以覆盖所述栅电极的方式形成在所述基板上；
半导体层，其形成在所述栅极绝缘膜上并在所述栅电极的上方；
第1电极，其形成在所述半导体层的上方；
第2电极，其与所述第1电极形成在同一层；
层间绝缘膜，其覆盖所述第1电极和所述第2电极并形成在所述栅极绝缘膜的上方、是与形成有所述栅电极的层不同的层；
栅极布线，其配置在所述层间绝缘膜上；
电源布线，其在形成有所述栅极布线的所述层间绝缘膜上、与所述栅极布线同层、并且与所述栅极布线并行地配置；以及
辅助布线，其在所述层间绝缘膜上与所述栅极布线和所述电源布线同层、并且与所述栅极布线和所述电源布线并行地配置，
所述栅电极和所述栅极布线介由设置成贯穿所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的第1导电部电连接，
所述第1电极和所述第2电极中的任一方与所述电源布线介由设置成贯穿所述层间绝缘膜的第2导电部电连接，
所述辅助布线与所述阴极电极电连接。
2.根据权利要求1所述的EL显示面板，
所述电源布线和所述辅助布线形成在与所述栅极布线相同或预定的近似值的高度。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的EL显示面板，
所述电源布线和所述辅助布线配置在所述栅极布线和与所述栅极布线并行、与所述栅极布线相邻的其他栅极布线之间，
组合了所述电源布线和所述辅助布线双方的宽度对应于所述栅极布线和与所述栅极布线并行配置的与所述栅极布线相邻的其他栅极布线之间的宽度，所述电源布线和所述辅助布线与相邻的2个所述栅极布线接近地配置以使得填埋相邻的2个所述栅极布线之间。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的EL显示面板，
所述栅极布线和所述电源布线的距离、所述电源布线和所述辅助布线的距离、所述辅助布线和所述栅极布线的距离分别为4μm以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的EL显示面板，
所述电源布线和所述辅助布线中的至少任一方具有比所述栅极布线的宽度宽的宽度。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的EL显示面板，
所述半导体层为p沟道型，
所述电源布线形成为与所述半导体层重叠。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的EL显示面板，
所述半导体层为n沟道型，
所述电源布线和所述辅助布线形成为与所述半导体层不重叠。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的EL显示面板，
所述第1电极为源电极，所述第2电极为漏电极。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的EL显示面板，
所述第1电极为漏电极，所述第2电极为源电极。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的EL显示面板，
所述半导体层包括多晶性半导体层。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的EL显示面板，
构成所述电源布线和所述辅助布线的材料包括Al、Cu、Ag中的任一种。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的EL显示面板，
所述EL部为具有有机发光层作为所述发光层的有机EL部。
13.一种EL显示装置，具有权利要求1～12中任一项所述的EL显示面板。
14.一种EL显示面板的制造方法，包括：
第1工序，准备基板；
第2工序，在所述基板上形成栅电极；
第3工序，覆盖所述栅电极在所述基板上形成栅极绝缘膜；
第4工序，在所述栅极绝缘膜上在所述栅电极的上方形成半导体层；
第5工序，在所述半导体层的上方形成第1电极，并形成与第1电极电连接的源极布线和第2电极；
第6工序，覆盖所述第1电极和所述第2电极并在所述栅极绝缘膜的上方形成第1层间绝缘膜；
第7工序，形成贯穿所述栅极绝缘膜和所述第1层间绝缘膜的第1接触孔；
第8工序，形成贯穿位于所述栅电极的上方的所述第1层间绝缘膜、与所述第1接触孔不同的第2接触孔；
第9工序，通过在所述第1层间绝缘膜上形成金属膜并进行图形化，形成介由所述第1接触孔与所述栅电极电连接的栅极布线，与所述栅极布线平行、介由所述第2接触孔与所述第1电极或所述第2电极电连接的所述电源布线，以及与所述栅极布线和所述电源布线并行、与所述阴极电极电连接的辅助布线；
第10工序，以覆盖所述第1层间绝缘膜、所述电源布线、和所述辅助布线的上面的方式形成第2层间绝缘膜；
第11工序，形成贯穿所述第2层间绝缘膜的第3接触孔；以及
第12工序，在所述第2层间绝缘膜的上方，形成包括一组阳极电极和阴极电极、以及介于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光层的EL部，
在所述第12工序中，介由所述第3接触孔将所述阴极电极与所述辅助布线电连接。
15.根据权利要求14所述的EL显示面板的制造方法，
在所述第4工序中形成的半导体层为非晶性半导体层，
在所述第4工序和所述第5工序之间包括如下的工序：从所述非晶性半导体层的上方照射预定的激光，通过所述预定的激光照射将所述非晶性半导体层的温度设为预定的温度范围，使所述非晶性半导体层结晶化。
16.根据权利要求14或权利要求15所述的EL显示面板的制造方法，
所述EL部为用有机发光层形成所述发光层的有机EL部。
CN201080003406.5A 2010-09-29 2010-09-29 El显示面板、el显示装置以及el显示面板的制造方法 Active CN102576722B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2010/005846 WO2012042565A1 (ja) 2010-09-29 2010-09-29 Ｅｌ表示パネル、ｅｌ表示装置及びｅｌ表示パネルの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102576722A true CN102576722A (zh) 2012-07-11
CN102576722B CN102576722B (zh) 2015-05-27

Family

ID=45869954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080003406.5A Active CN102576722B (zh) 2010-09-29 2010-09-29 El显示面板、el显示装置以及el显示面板的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8274207B2 (zh)
JP (1) JP5595392B2 (zh)
KR (1) KR101344977B1 (zh)
CN (1) CN102576722B (zh)
WO (1) WO2012042565A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103700694A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN103715205A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN114424270A (zh) * 2019-09-30 2022-04-29 夏普株式会社 显示装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5502996B2 (ja) 2010-05-27 2014-05-28 パナソニック株式会社 薄膜半導体装置、表示装置及び薄膜半導体装置の製造方法
JP5386643B2 (ja) 2010-09-29 2014-01-15 パナソニック株式会社 表示装置用薄膜半導体装置、表示装置用薄膜半導体装置の製造方法、ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示装置
WO2012042564A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 パナソニック株式会社 表示装置用薄膜半導体装置、表示装置用薄膜半導体装置の製造方法、ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示装置
KR101348537B1 (ko) * 2010-09-29 2014-01-07 파나소닉 주식회사 Ｅｌ 표시 패널, ｅｌ 표시 장치 및 ｅｌ 표시 패널의 제조 방법
TWI559380B (zh) * 2012-02-06 2016-11-21 群康科技(深圳)有限公司 用於有機發光顯示器之畫素結構之製造方法
CN102881712B (zh) * 2012-09-28 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、oled显示装置
JP6219656B2 (ja) 2013-09-30 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102107565B1 (ko) * 2013-12-18 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20160351119A1 (en) * 2014-02-06 2016-12-01 Joled Inc. Display apparatus
CN104091785A (zh) * 2014-07-22 2014-10-08 深圳市华星光电技术有限公司 Tft背板的制作方法及tft背板结构
KR102489836B1 (ko) * 2015-06-30 2023-01-18 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP7256622B2 (ja) * 2018-09-26 2023-04-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN111627954B (zh) * 2018-10-03 2022-11-08 寰采星科技(宁波)有限公司 防止侧面漏光的oled显示器件及其制作方法、电子设备
CN111446284A (zh) * 2020-05-07 2020-07-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050218819A1 (en) * 2000-03-07 2005-10-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Active-driving type organic EL display device, and a method of producing the same
JP2006011059A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
CN1890787A (zh) * 2003-12-02 2007-01-03 株式会社半导体能源研究所 薄膜晶体管、显示器件和液晶显示器件、及其制造方法
CN101017844A (zh) * 2002-05-31 2007-08-15 精工爱普生株式会社 电光学装置及其制造方法、及电子设备

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3227980B2 (ja) 1994-02-23 2001-11-12 ソニー株式会社 多結晶シリコン薄膜形成方法およびｍｏｓトランジスタのチャネル形成方法
KR100299292B1 (ko) 1993-11-02 2001-12-01 이데이 노부유끼 다결정실리콘박막형성방법및그표면처리장치
JP2000223279A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP3649927B2 (ja) 1999-01-29 2005-05-18 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
JP2003108068A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Toshiba Corp 表示装置
JP2003108033A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Toshiba Corp 表示装置
US7227306B2 (en) * 2003-08-28 2007-06-05 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence display having recessed electrode structure
KR100573132B1 (ko) 2004-02-14 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP4715197B2 (ja) 2004-12-27 2011-07-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7652291B2 (en) * 2005-05-28 2010-01-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
JP4848675B2 (ja) 2005-06-08 2011-12-28 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイパネル及びトランジスタアレイパネルの製造方法
US7528418B2 (en) * 2006-02-24 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4240059B2 (ja) 2006-05-22 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP4168292B2 (ja) 2006-09-11 2008-10-22 ソニー株式会社 表示装置及び表示用薄膜半導体装置
JP2009092908A (ja) * 2007-10-09 2009-04-30 Canon Inc 表示装置及びその製造方法
JP2009122652A (ja) 2007-10-23 2009-06-04 Sony Corp 表示装置及び電子機器
JP5012633B2 (ja) 2008-04-16 2012-08-29 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、並びにその製造方法および製造装置
JP2010003880A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Sony Corp 表示装置および電子機器
KR101375334B1 (ko) * 2008-07-17 2014-03-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
JP2010085866A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Sony Corp アクティブマトリックス型表示装置
JP5428404B2 (ja) * 2009-03-09 2014-02-26 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050218819A1 (en) * 2000-03-07 2005-10-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Active-driving type organic EL display device, and a method of producing the same
CN101017844A (zh) * 2002-05-31 2007-08-15 精工爱普生株式会社 电光学装置及其制造方法、及电子设备
CN1890787A (zh) * 2003-12-02 2007-01-03 株式会社半导体能源研究所 薄膜晶体管、显示器件和液晶显示器件、及其制造方法
JP2006011059A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103700694A (zh) * 2013-12-31 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN103715205A (zh) * 2013-12-31 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN103700694B (zh) * 2013-12-31 2016-02-03 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN103715205B (zh) * 2013-12-31 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
CN114424270A (zh) * 2019-09-30 2022-04-29 夏普株式会社 显示装置
CN114424270B (zh) * 2019-09-30 2023-07-11 夏普株式会社 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120074834A1 (en) 2012-03-29
US8274207B2 (en) 2012-09-25
CN102576722B (zh) 2015-05-27
JPWO2012042565A1 (ja) 2014-02-03
US8558445B2 (en) 2013-10-15
KR20120129750A (ko) 2012-11-28
US20120319117A1 (en) 2012-12-20
JP5595392B2 (ja) 2014-09-24
KR101344977B1 (ko) 2014-01-15
WO2012042565A1 (ja) 2012-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102576722B (zh) El显示面板、el显示装置以及el显示面板的制造方法
CN102741905B (zh) El显示面板、el显示装置及el显示面板的制造方法
US11793060B2 (en) Organic light-emitting diode display including a storage capacitive plate and a driving voltage line formed on the same layer and manufacturing method thereof
CN105870126B (zh) 薄膜晶体管基底、其制造方法、显示装置及其制造方法
CN102934153B (zh) 显示装置用薄膜半导体装置、显示装置用薄膜半导体装置的制造方法、el显示面板及el显示装置
CN108257972A (zh) 显示装置
TWI690065B (zh) 薄膜電晶體陣列基板及包含薄膜電晶體陣列基板之有機發光顯示裝置
CN102549636B (zh) 薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法
KR101100885B1 (ko) 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR20150070753A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101685716B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 장치, 박막 트랜지스터 어레이 장치의 제조 방법
CN105960711B (zh) 像素驱动电路
CN108511506A (zh) 一种oled基板及显示面板
CN103155019B (zh) 薄膜晶体管阵列装置、el显示面板、el显示装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法以及el显示面板的制造方法
US20120050235A1 (en) Organic electroluminescence emitting display and method of manufacturing the same
US8895989B2 (en) Thin-film semiconductor device for display apparatus, method for manufacturing thin-film semiconductor device for display apparatus, EL display panel, and EL display apparatus
CN102105924A (zh) 显示装置以及显示装置的制造方法
CN107887403B (zh) 有机发光二极管显示器及其制作方法
CN106057816A (zh) 薄膜晶体管基底和包括该薄膜晶体管基底的显示装置
CN103959470B (zh) 薄膜晶体管阵列装置以及使用它的el显示装置
KR20160012783A (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: JOLED Inc.

Address before: Osaka Japan

Applicant before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD. TO: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM:

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231205

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Japan Display Design and Development Contract Society

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JOLED Inc.