CN105280137B - 有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents

有机发光显示器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105280137B
CN105280137B CN201510478366.4A CN201510478366A CN105280137B CN 105280137 B CN105280137 B CN 105280137B CN 201510478366 A CN201510478366 A CN 201510478366A CN 105280137 B CN105280137 B CN 105280137B
Authority
CN
China
Prior art keywords
grid
active layer
storage
electrode
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510478366.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105280137A (zh
Inventor
吴锦美
孙庚模
金圣训
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN105280137A publication Critical patent/CN105280137A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105280137B publication Critical patent/CN105280137B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
    • H10K10/486—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising two or more active layers, e.g. forming pn heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)

Abstract

有机发光显示器及其制造方法。讨论了一种用于显示装置的子像素结构以及制造该显示装置的方法。所述子像素结构可以包括发光二极管、具有第一栅极和第一有源层的第一开关晶体管、具有第二栅极和第二有源层的驱动晶体管、包括第三栅极和第三有源层的第二开关晶体管，并且所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极中的至少一个被设置在对应的所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层与基板之间。

Description

有机发光显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示器及其制造方法，并且更具体地，涉及一种具有高分辨率和高可靠性的有机发光显示器及其制造方法。
背景技术
在屏幕上显示各种各样的信息的图像显示器是信息时代的关键技术，并且在朝着轻重量、便携和高性能的趋势发展。因此，能够减少重量和体积，即克服CRT的缺点的平板显示器已经成为热点。
平板显示器包括形成在基板上并且用作开关单元和驱动单元的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括形成沟道区的有源层、与沟道区交叠的栅极以及彼此相对设置并且其间插置有沟道区的源极和漏极。
在这种有源层中，非晶硅薄膜沉积在基板上并且通过热处理结晶成为多晶硅。更详细地，如果激光照射到非晶硅层上，则经由瞬间溶解和凝固工艺进行冷却，进而生成固态的多晶硅芯。进一步地，执行根据温度梯度，固体和液体界面在多晶硅芯的向上方向和横向方向上前进的生长工艺。在这种凝固工艺中，在三个或更多个方向上生长的固态颗粒在一条线上相交，这种界面形成颗粒边界。然而，因为被激光溶解的非晶硅层具有高凝固速度，容纳根据非晶硅层的固态和液态之间的变化的体积膨胀的空间是不足的，在由芯生长而在三个或更多个方向上相交形成的颗粒边界中的点处的非晶硅层(即，有源层16)向上突出并且形成突起，例如图1中所示。因此，电场集中在有源层16的突起上，导致栅绝缘膜14的介电击穿，进而，栅极18和有源层16之间发生电短路。进一步地，通常，有源层16的存储区和存储电极彼此交叠且栅绝缘层14插置在二者之间，并且在基板1上形成存储电容器。这里，由于通过独立于有源层16的沟道区而执行的掺杂工艺将有源层16的存储区形成在缓冲层12上并且有源层16的存储区位于不同于沟道区的区域，不能够获得高分辨率。此外，如果使用柔性基板以使得平板更薄，则晶体管的电流会由于杂质(诸如从柔性基板引入的移动电荷)而劣化。
发明内容
因此，本发明致力于一种有机发光显示器及其制造方法，其实质上解决了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种具有高分辨率和高稳定性的有机发光显示器及其制造方法。
本发明的实施方式的附加优点、目的和特征将在以下描述中部分地阐述，并且对于本领域普通技术人员而言，在研读了下文后将部分地变得明显，或者可以从具体实现的本发明的实践来学习。具体实现的本发明的目的和其它优点将通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和达到。
将理解，本发明的以上总体描述和以下具体描述二者均是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来说明具体实现的本发明的原理。附图中：
图1是例示应用于现有技术的有机发光显示器的晶体管的截面图；
图2是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光显示器的各个子像素的电路图；
图3是例示图2所示的有机发光显示器的平面图；
图4是例示沿图3的线I-I’截取的有机发光显示器的截面图；
图5是详细例示图4所示的存储电容器的截面图；
图6A和图6B是例示图3和图4所示的存储电极的制造方法的平面图和截面图；
图7A和图7B是例示图3和图4所示的栅极的制造方法的平面图和截面图；
图8A和图8B是例示图3和图4所示的有源层的制造方法的平面图和截面图；
图9A和图9B是例示图3和图4所示的有源层的源区和漏区的制造方法的平面图和截面图；
图10A和图10B是例示图3和图4所示的源接触孔和漏接触孔的制造方法的平面图和截面图；
图11A和图11B是例示图3和图4所示的源极和漏极的制造方法的平面图和截面图；
图12A和图12B是例示图3和图4所示的像素接触孔的制造方法的平面图和截面图；
图13A和图13B是例示图3和图4所示的阳极的制造方法的平面图和截面图；
图14A和图14B是例示图3和图4所示的堤(bank)绝缘膜、间隔体(spacer)、有机公共层和阴极的制造方法的平面图和截面图；
图15是例示根据本发明的另一实施方式的有机发光显示器的平面图；
图16是例示沿图15的线II-II’截取的有机发光显示器的截面图；以及
图17A到图17C是例示图15和图16所示的其它类型的连接电极和扫描接触孔的平面图和截面图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的实施方式，其示例例示在附图中。只要可能，在全部附图中，相同的附图标记将用来指代相同或相似的部件。
图2是例示根据本发明的一个实施方式的有机发光显示器的各个子像素的电路图。
图2所示的有机发光显示器的各个子像素包括有机发光二极管(OLED)、第一开关晶体管ST1和第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT以及存储电容器Cst。
当向第2n-1(这里，n为自然数)扫描线SL提供扫描脉冲时，第一开关晶体管ST1导通，并且将提供到数据线DL的数据电压提供给第一节点n1，即，存储电容器Cst和驱动晶体管DT的栅极。为了这个目的，第一开关晶体管ST1包括与第2n-1扫描线SL1连接的第一栅极156、被包括在数据线DL中的第一源极104、与第一源极104相对设置且与驱动晶体管DT的第二栅极106和存储电容器Cst连接的第一漏极108以及在第一源极104和第一漏极108之间形成沟道部分的第一有源层154。
此时，在栅绝缘膜112上形成第一有源层154使得其被设置在第一栅极156上方。这种第一有源层154包括第一沟道区154C、彼此相对设置且第一沟道区154C插置在其间的第一源区154S和第一漏区154D。第一沟道区154C与第一栅极156交叠并且栅绝缘膜112插置在其间。n型或p型杂质被注入到第一源区154S，第一源区154S的侧面通过第一源接触孔124S暴露并且连接到第一源极104。这里，第一源接触孔124S穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、第一源区154S以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且将第一源区154S的侧面和基板101的上表面暴露。n型或p型杂质被注入到第一漏区154D，第一漏区154D的侧面通过第一漏接触孔124D暴露并且连接到第一漏极108。这里，第一漏接触孔124D穿过第二栅极106的一部分、栅绝缘膜112、第一漏区154D以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116并且将第一漏区154D的侧面和第二栅极106暴露。
响应于存储在存储电容器Cst中的数据电压，驱动晶体管DT通过控制从电力线PL提供到有机发光二极管OLED的电流来调节从有机发光二极管OLED生成的光的量。为了这一目的，驱动晶体管DT包括与开关晶体管ST1的第一漏极108连接的第二栅极106、被包括在电力线PL中的第二源极、与第二源极相对设置并且连接到阳极132的第二漏极110以及在第二源极和第二漏极110之间形成沟道部分的第二有源层114，如图2和图3所示。
第二栅极106通过第一漏接触孔124D暴露并且连接到开关晶体管ST1的第一漏极108。进一步地，第二栅极106形成在存储绝缘膜126上，以与存储电极140交叠进而形成存储电容器Cst。
第二源极被包括在电力线PL中并且通过暴露第二源区114S的侧面的第二源接触孔162S连接到第二有源层114的第二源区114S的侧面。这里，按照与第一源接触孔124S相同的方式，第二源接触孔162S穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、第二源区114S以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第二源区114S的侧面。
第二漏极110通过经由钝化膜118形成的像素接触孔120暴露，并且连接到阳极132。进一步地，第二漏极110通过暴露第二漏区114D的侧面的第二漏接触孔164D连接到第二有源层114的第二漏区114D的侧面。这里，第二漏接触孔164D穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、第二漏区114D以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第二漏区114D的侧面。
在栅绝缘膜112上形成第二有源层114以使其设置在第二栅极106上方。这种第二有源层114包括第二沟道区114C、彼此相对设置并且第二沟道区114C插置在其间的第二源区114S和第二漏区114D。第二沟道区114C形成在栅绝缘膜112上，并且与第二栅极106交叠，栅绝缘膜112插置在第二沟道区114C与第二栅极106之间。n型或p型杂质被注入到第二源区114S，第二源区114S的侧面通过第二源接触孔142S暴露并且连接到电力线PL。n型或p型杂质被注入到第二漏区114D，第二漏区114D通过第二漏接触孔164D暴露并且连接到第二漏极110。
当向第2n(这里，n为自然数)扫描线SL(例如，SL2)提供扫描脉冲时，第二开关晶体管ST2导通，并且利用通过基准电压线RL提供的基准电压Vref来将第二节点n2初始化，如图3和图4所示。
为了这个目的，第二开关晶体管ST2包括与第2n(这里，n为自然数)扫描线SL连接的第三栅极172、被包括在基准电压线RL中的第三源极、与第三源极104相对设置的第二漏极110以及在第三源极和第二漏极110之间形成沟道部分的第三有源层176。
第三源极被包括在基准电压线RL中并且通过暴露第三源区176S的侧面的第三源接触孔174S连接到第三有源层176的第三源区176S的侧面。这里，按照与第一源接触孔124S相同的方式，第三源接触孔174S穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、第三源区176S以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第三源区176S的侧面。
第三有源层176从第二有源层114延伸并且形成在栅绝缘膜112上，使得被设置在第三栅极172上方。这种第三有源层176包括与第二漏区114D连接的第三沟道区176C以及与第二漏区114D相对设置并且第三沟道区176C插置在其间的第三源区176S。
第三沟道区176C与第三栅极172交叠，并且栅绝缘膜112插置在第三沟道区176C与第三栅极172之间。n型或p型杂质被注入到第三源区176S，第三源区176S通过第三源接触孔152S暴露并且连接到基准电压线RL。
在有机发光二极管OLED中，当电压施加到阳极132与阴极136之间时，来自第一电极132的空穴和来自第二电极136的电子在光发射层中复合，生成激子，并且当激子返回到基态时，发射光。为了这一目的，有机发光二极管OLED包括与驱动晶体管DT的第二漏极110连接的阳极132、形成在阳极132上的有机公共层134以及形成在有机公共层134上的阴极136。
阳极132是透明电极，阴极136是反射电极。在这种情形下，图3和图4所示的有机发光显示器通过其底面(即，基板101)发射光。根据阳极132和阴极136的材料，图3和图4所示的有机发光显示器可以通过其顶面(即，阴极136)发射光，或者通过其顶面和底面这二者发射光。因此，阳极132和阴极136的材料不限于此。
有机公共层134包括按照顺序或相反的顺序在阳极132上层叠的空穴相关层、光发射层和电子相关层，它们通过由堤绝缘膜130形成的堤孔暴露。这里，堤绝缘膜130通过同一个工艺与间隔体138一体形成，以维持单元间隙。因而，一个微间隔体138和堤绝缘膜130同时形成，进而，减少了所使用的掩模的数量并且降低了工艺时间和成本。
存储电容器Cst包括与第一节点n1连接的第一电极以及与第二节点n2连接的第二电极，如图2中所示，并且存储了第一节点n1与第二节点n2之间的电压差。通过存储在存储电容器Cst中的电压，即使开关晶体管ST1截止，驱动晶体管DT提供均匀的电流直到提供下一帧的数据信号为止，并且维持有机发光二极管OLED的光发射。
因此，存储电容器Cst是通过与第二电极(即，形成在基板101上的存储电极140)和第一电极(即，驱动晶体管DT的第二栅极106)交叠而形成的，并且存储绝缘膜126插置在其间，如图4和图5所示。存储电极140通过第二源接触孔164D暴露并且连接到驱动晶体管DT的第二漏极110。存储电极140是通过沉积低电阻金属(例如，铝(Al)、诸如铝-钕(AlNd)的铝合金、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)和钼-钛(Mo-Ti)中的一种或至少两种)而形成的。驱动晶体管DT的第二栅极106通过第一漏接触孔124D暴露并且连接到第一开关晶体管ST1的第一漏极108。
如上所述，在本发明的实施方式中，在无需任何附加的掺杂工艺的情况下由低电阻金属形成的存储电极140以及第二栅极106被设置在第二有源层114的下方，以便与第二有源层114交叠，进而能够使存储电容器Cst的面积最大并且实现高分辨率。
进一步地，在本发明的该实施方式中，由于第二栅极106被设置在第二有源层114下方，如图5所示，可以防止第二有源层114的结晶工艺期间生成的第二有源层114的突起与第二栅极106之间的电短路，进而可以改进可靠性。此外，由于第一栅极156和第三栅极172位于第一有源层154和第三有源层176下方，可以防止第一有源层154和第三有源层176的突起与第一栅极156和第三栅极172之间的电短路，进而可以改进可靠性。
进一步地，在本发明的该实施方式中，由于诸如从由柔性材料(诸如聚酰亚胺)形成的基板101引入的移动电荷的杂质被存储电极140阻挡，所以可以防止驱动晶体管DT的电流劣化，进而可以改进可靠性。
图6A到图14B是例示图3和图4所示的有机发光显示器的制造方法的平面图和截面图。
参照图6A和图6B，第一存储电极140通过第一掩模工艺形成在基板101上。
更详细地，第一存储电极140是通过在基板101的整个上表面上层叠低电阻金属层并且然后通过利用第一掩模的光刻和蚀刻将低电阻金属层图案化而形成的。
参照图7A和图7B，存储绝缘膜126以及包括扫描线SL和第一栅极到第三栅极156、106和172的栅图案顺序地形成在设置有存储电极140的基板101上。
更详细地，存储绝缘膜126通过将无机绝缘材料(诸如SiOx或SiNx)沉积在设置有存储电极140的基板101的整个上表面上而形成。此后，包括扫描线SL以及第一栅极到第三栅极156、106和172的栅图案通过在存储绝缘膜126上层叠栅金属层并且然后通过利用第二掩模的光刻和蚀刻将栅金属层图案化而形成。
参照图8A和图8B，栅绝缘膜112以及第一有源层至第三有源层154、114和176顺序地形成在设置有栅图案的基板101上。
更详细地，栅绝缘膜112是通过将无机绝缘材料(诸如SiOx或SiNx)沉积在设置有栅图案的基板101的整个上表面上形成的。此后，在栅绝缘膜112的整个上表面上沉积非晶硅薄膜。通过脱氢工艺从非晶硅薄膜中去除氢，在脱氢工艺中，对沉积有非晶硅薄膜的基板101施加热。脱氢工艺可以防止由于激光结晶工艺期间包括在非晶硅薄膜中的氢与腔内存在的氧的反应导致的非晶硅薄膜的表面特性的劣化。在脱氢工艺后，通过经由热处理使非晶硅结晶来形成多晶硅薄膜。第一有源层至第三有源层154、114和176是通过经由利用第三掩模的光刻和蚀刻将多晶硅薄膜图案化而形成的。
参照图9A和图9B，第一层间绝缘膜128被形成在设置有第一有源层至第三有源层154、114和176的基板101上，并且形成了第一有源层至第三有源层154、114和176的源区154S、114S和176S以及漏区154D和114D。
更详细地，第一层间绝缘膜128是通过将无机绝缘材料(诸如SiOx或SiNx)沉积在设置有第一有源层154和第二有源层114的基板101的整个上表面上形成的。
此后，在第一层间绝缘膜128的整个上表面上沉积光刻胶，通过经由利用第四掩模的光刻将光刻胶图案化来在第一层间绝缘膜128上形成光刻胶图案。通过利用光刻图案作为掩模将n型或p型杂质注入到第一有源层至第三有源层154、114和176来形成第一有源层至第三有源层154、114和176的源区154S、114S和176S以及漏区154D和114D。
参照图10A和图10B，在设置有第一层间绝缘膜128的基板101上形成具有源接触孔124S、164S和174S以及漏接触孔124D和164D的第二层间绝缘膜116。
更详细地，第二层间绝缘膜116是通过将无机绝缘材料(诸如SiOx或SiNx)沉积在设置有第一层间绝缘膜128的基板101的整个上表面上形成的。此后，通过将激光照射到第一有源层至第三有源层154、114和176上或者执行热处理来将注入到第一有源层至第三有源层154、114和176中的杂质激活，通过将通过脱氢去除的氢再次注入到第一有源层至第三有源层154、114和176中来将第一有源层至第三有源层154、114和176氢化。这里，注入到第一有源层至第三有源层154、114和176中的氢可以使得第一有源层至第三有源层154、114和176稳定，改进界面性能，并且防止电荷运动被捕获。
在氢化之后，选择性地通过利用第五掩模的光刻和蚀刻，穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、第一有源层至第三有源层154、114和176以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116形成暴露第一有源层至第三有源层154、114和176的源区154S、114S和176S的第一源接触孔至第三源接触孔124S、164S和174S以及暴露第一有源层154和第二有源层114的漏区154D和114D的第一漏接触孔124D和第二漏接触孔164D。第一源接触孔124S穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、第一有源层的第一源区154S以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第一源区154S的侧面。第一漏接触孔124D穿过栅绝缘膜112、第一有源层的第一漏区154D以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第一漏区154D的侧面。第二源接触孔164S穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、与电力线PL交叠的第二源区114S以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第二源区114S的侧面。第二漏接触孔164D穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、第二有源层的第二漏区114D以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第二漏区114D的侧面。第三源接触孔174S穿过存储绝缘膜126、栅绝缘膜112、第三有源层的第三源区176S以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第三源区176S的侧面。
参照图11A和图11B，在第二层间绝缘膜116上形成数据线DL、电力线PL、源极104以及漏极108和110。
更详细地，在第二层间绝缘膜116上形成源/漏金属层，并且通过利用第六掩模的光刻和蚀刻将源/漏金属层图案化来形成数据线DL、电力线PL、源极104以及漏极108和110。
参照图12A和图12B，在设置有数据线DL、电力线PL、源极104以及漏极108和110的基板101上形成具有像素接触孔120的钝化膜118。
更详细地，通过在设置有数据线DL、电力线PL、源极104以及漏极108和110的基板101上形成有机绝缘膜(诸如光敏丙烯酸类树脂)来形成钝化膜118。此后，通过利用第七掩模的光刻和蚀刻将钝化膜118图案化来形成像素接触孔120。像素接触孔120暴露对应的子像素区的驱动晶体管的第二漏极110。
参照图13A和图13B，在设置有具有像素接触孔120的钝化膜118的基板101上形成阳极132。
更详细地，通过沉积法(诸如溅射)在设置有具有像素接触孔120的钝化膜118的基板101上形成透明导电材料(诸如铟锡氧化物(下文称为ITO)或铟锌氧化物(下文称为IZO))。此后，通过经由利用第八掩模的光刻和蚀刻将透明导电材料图案化来形成阳极132。
参照图14A和图14B，在设置有阳极132的基板101上顺序地形成集成的堤绝缘膜130和间隔体138、有机光发射层134以及阴极136。
更详细地，有机绝缘材料被应用于设置有阳极132的基板101的整个上表面。此后，通过经由利用第九掩模的光刻和蚀刻将有机绝缘材料图案化来形成包括用于暴露阳极132的堤孔的堤绝缘膜130以及与堤绝缘膜130集成的间隔体138。此后，在用于暴露阳极132的堤孔中形成包括空穴注入层、空穴传输层、光发射层和电子传输层的有机公共层134。此后，在设置有有机公共层134的基板101的整个上表面上形成阴极136。
图15是例示根据本发明的另一实施方式的有机发光显示器的平面图，图16是例示沿图15中的线II-II’截取的有机发光显示器的截面图。
除了按照双层结构形成扫描线以外，图15和图16所示的有机发光显示器包括与根据本发明的前一实施方式的有机发光显示器相同的元件。因此，省略了这些元件的详细描述。
扫描线SL包括第一线部分102a以及沿着第一线部分102a形成的第二线部分102b。
第一线部分102a由与存储电极140相同的材料与存储电极140同时地形成在基板101上。
第二线部分102b由与第一栅极至第三栅极156、106和172相同的材料与第一栅极至第三栅极156、106和172同时地形成在存储绝缘膜126上，并且通过连接电极144电连接到第一线部分102a。
连接电极144由与数据线DL相同的材料与数据线DL同时地形成在第二层间绝缘膜116上。这些连接电极144连接到通过扫描接触孔142暴露的第一线部分102a的上表面以及第二线部分102b的侧面，进而将第一线部分102a和第二线部分102b彼此电连接。这里，扫描接触孔142穿过存储绝缘膜126、第二线部分102b、栅绝缘膜112以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第一线部分102a的上表面以及第二线部分102b的侧面。通过相同的工艺与第二漏接触孔164D同时地形成扫描接触孔142。
在本发明的实施方式中，扫描线SL具有包括通过连接电极144彼此连接的第一线部分102a和第二线部分102b的双层结构，进而减小了扫描线SL的总电阻值。尤其是，在通过热处理的有源层154、114和176的结晶工艺期间，通过位于有源层154、114和176下方的高热导率的栅极156、106和172朝向基板101发出热，有源层154、114和176的结晶性会降低。如果为了防止这种缺陷，减小栅极156、106和172的厚度，与栅极156、106和172同时地形成的扫描线SL的第二线部分102b的厚度也会减小，并且会产生扫描线SL的信号延迟。在这种情形下，通过经由连接电极144连接到第二线部分102b的第一线部分102a，扫描线SL的总电阻值会减小，进而防止扫描线SL的信号变化。
连接电极144和扫描接触孔142位于无源区的两侧，无源区位于设置有相应子像素的有源区之外，如图15中示例性示出的。
此外，连接电极144和扫描接触孔142可以位于设置有相应子像素的有源区AA中，或者形成在有源区AA和无源区这二者中，如图17A和图17B中示例性示出的。
如图17A中示例性示出的，连接电极144和扫描接触孔142形成在各个子像素区中，进而改进了接触特性。连接电极144电连接到第一栅极156，第一栅极156包括从第一线部分102a和第二线部分102b分别延伸穿过扫描接触孔142的第一栅部分156a和第二栅部分156b，如图17C示例性示出的。扫描接触孔142穿过存储绝缘膜126、第二栅部分156b、栅绝缘膜112以及第一层间绝缘膜128和第二层间绝缘膜116，并且暴露第一栅部分156a的上表面和第二栅部分156b的侧面。
这里，第一有源层154的沟道区被形成为与数据线DL交叠，并且防止连接电极144和第一有源层154通过扫描接触孔142彼此电连接。
如图17B中示例性示出的，在各个第i(这里，i为自然数)子像素中形成连接电极144和扫描接触孔142。连接电极144电连接到第一栅极156，第一栅极156包括分别从第一线部分102a和第二线部分102b突出的第一栅部分156a和第二栅部分156b，如图17C中示例性示出的。这里，设置有连接电极144和扫描接触孔142的子像素的第一有源层154的沟道区被形成为与数据线DL交叠，并且防止连接电极144和第一有源层154通过扫描接触孔142彼此电连接。进一步地，没有设置连接电极144和扫描接触孔142的子像素的第一有源层154的沟道区被形成为与第一栅极156交叠，并且使存储电极140和阳极132的面积的减少最小。
尽管本发明的实施方式示例性地描述了各个子像素具有包括三个晶体管ST1、ST2、ST3和一个存储电容器Cst的结构的有机发光显示器，但是本发明不限于此，并且可以应用于其它各种结构。
进一步地，本发明的实施方式的存储电容器可应用于所有具有薄膜晶体管的平坦显示面板以及有机发光显示器。
从以上描述明显的是，在根据本发明的实施方式的有机发光显示器中，在无需任何附加的掺杂工艺的情况下由低电阻金属形成的存储电极以及栅极被设置在有源层下方以与有源层交叠。因此，根据本发明的实施方式的有机发光显示器可以使存储电容器的面积最大并且利用单栅结构实现高分辨率。进一步地，在根据本发明的实施方式的有机发光显示器中，由于栅极位于有源层下方，使用可以防止在有源层的结晶期间生成的有源层的突起与栅极之间的短路，进而可以改进可靠性。进一步地，在根据本发明的实施方式的有机发光显示器中，由于诸如从由柔性材料(诸如聚酰亚胺)形成的基板101引入的移动电荷的杂质被存储电极阻挡，所以可以防止驱动晶体管的电流劣化，进而可以改进可靠性。进一步地，在根据本发明的实施方式的有机发光显示器中，可以在无需昂贵的半色调掩模的情况下利用6个光掩模形成开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器，进而降低了成本并且改进了工艺可靠性。此外，在根据本发明的实施方式的有机发光显示器中，由于按照双层结构形成与栅极连接的扫描线，所以位于栅极上方的有源层可以在不增加栅极的厚度的情况下结晶，从而可以防止有源层的结晶性的降低。
对于本领域技术人员而言将明显的是，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明进行各种修改和变形。因而，本发明旨在覆盖本发明的修改和变形，只要它们落入所附权利要求书及其等同物的范围内即可。
本申请要求于2014年7月4日在韩国提交的专利申请No.10-2014-0083926的权益，通过引用将其并入本文，如同在此充分阐释一样。

Claims (20)

1.一种用于显示装置的子像素结构，该子像素结构包括：
发光二极管，其形成在基板上；
第一开关晶体管，其包括连接到第一扫描线的第一栅极、连接到数据线的第一源极、第一漏极以及在所述第一源极和所述第一漏极之间形成第一沟道部分的第一有源层；
驱动晶体管，其包括第二栅极、第二漏极、第二源极以及在所述第二源极和所述第二漏极之间形成第二沟道部分的第二有源层，其中，所述驱动晶体管连接到所述第一开关晶体管和所述发光二极管；
第二开关晶体管，其包括连接到第二扫描线的第三栅极、第三源极、所述第二漏极以及在所述第三源极和所述第二漏极之间形成第三沟道部分的第三有源层；以及
存储电容器，其连接到所述第一开关晶体管和所述驱动晶体管，
其中，所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极中的至少一个被设置在对应的所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层与所述基板之间，
其中，所述存储电容器包括第一电极和与所述基板接触的存储电极，并且所述驱动晶体管的所述第二栅极形成所述存储电容器的所述第一电极，并且
其中，所述第二栅极被设置在所述存储电极与所述第二有源层之间。
2.根据权利要求1所述的子像素结构，其中，所述存储电极被设置在所述发光二极管下方，并且与所述第二栅极交叠。
3.根据权利要求2所述的子像素结构，其中，所述基板是由柔性材料形成的柔性基板。
4.根据权利要求2所述的子像素结构，其中，所述存储电容器还包括设置在所述第二栅极与所述存储电极之间的绝缘膜，以形成所述存储电容器。
5.根据权利要求1所述的子像素结构，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的每一个包括具有彼此连接的第一线部分和第二线部分的双层结构以及设置在所述第一线部分和所述第二线部分之间的绝缘膜。
6.根据权利要求1所述的子像素结构，其中，所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层形成在栅绝缘膜上，并且所述栅绝缘膜形成在所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极上。
7.根据权利要求1所述的子像素结构，其中，所述存储电极被设置在所述发光二极管下方并且与所述驱动晶体管的所述第二栅极交叠，并且存储绝缘膜被设置在所述存储电极与所述第二栅极之间，以形成所述存储电容器，并且
其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的每一个包括具有彼此连接的第一线部分和第二线部分的双层结构以及设置在所述第一线部分和所述第二线部分之间的存储绝缘膜。
8.根据权利要求1所述的子像素结构，其中，所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层中的至少一个是由多晶硅制成的。
9.根据权利要求1所述的子像素结构，该子像素结构还包括所述发光二极管的阳极，所述阳极通过漏接触孔连接到所述存储电极。
10.一种显示装置，该显示装置包括：
显示面板，其包括多个像素，所述多个像素中的至少一个像素包括根据权利要求1所述的子像素结构。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述存储电极被设置在所述发光二极管下方，并且与所述第二栅极交叠。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述存储电容器还包括设置在所述第二栅极与所述存储电极之间的绝缘膜，以形成所述存储电容器。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的每一个包括具有彼此连接的第一线部分和第二线部分的双层结构以及设置在所述第一线部分和所述第二线部分之间的绝缘膜。
14.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述基板是由柔性材料形成的柔性基板，并且
其中，所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层形成在栅绝缘膜上，并且所述栅绝缘膜形成在所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极上。
15.根据权利要求10所述的显示装置，
其中，所述存储电极与所述驱动晶体管的所述第二栅极交叠，并且存储绝缘膜被设置在所述存储电极与所述第二栅极之间，以形成所述存储电容器，并且
其中，所述第一扫描线和所述第二扫描线中的每一个包括具有彼此连接的第一线部分和第二线部分的双层结构以及设置在所述第一线部分和所述第二线部分之间的所述存储绝缘膜。
16.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述多个像素中的所述至少一个像素包括多个子像素，各个子像素具有形成在对应的子像素区中的扫描接触孔，该对应的子像素区包括连接到所述第一扫描线的连接电极。
17.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述多个像素中的所述至少一个像素包括多个相邻的子像素，并且每个其它相邻子像素包括形成在对应的子像素区中的扫描接触孔，该对应的子像素区包括连接到所述第一扫描线的连接电极。
18.一种制造显示器的方法，该方法包括以下步骤：
通过第一掩模工艺在基板上形成第一存储电极；
在所述第一存储电极上方形成存储绝缘膜；
在所述存储绝缘膜上层叠栅金属层；
利用第二掩模将所述栅金属层图案化，以形成第一栅极、第二栅极和第三栅极；
在所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极上形成栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上形成有源层；以及
利用第三掩模将所述有源层图案化，以形成分别对应于所述第一栅极、所述第二栅极和所述第三栅极的第一有源层、第二有源层和第三有源层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二栅极被设置在所述第一存储电极与所述第二有源层之间，以形成存储电容器和驱动晶体管这二者。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述基板是由柔性材料形成的柔性基板，并且
其中，所述存储电极被设置为与所述基板接触，并且被构造为阻挡从所述基板引入的杂质。
CN201510478366.4A 2014-07-04 2015-07-04 有机发光显示器及其制造方法 Active CN105280137B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140083926A KR102296945B1 (ko) 2014-07-04 2014-07-04 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR10-2014-0083926 2014-07-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105280137A CN105280137A (zh) 2016-01-27
CN105280137B true CN105280137B (zh) 2018-08-07

Family

ID=55017579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510478366.4A Active CN105280137B (zh) 2014-07-04 2015-07-04 有机发光显示器及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9520455B2 (zh)
KR (2) KR102296945B1 (zh)
CN (1) CN105280137B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102017764B1 (ko) 2015-04-29 2019-09-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102297208B1 (ko) 2015-04-29 2021-09-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN205318071U (zh) * 2016-01-27 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
JP6758884B2 (ja) * 2016-04-01 2020-09-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102606279B1 (ko) * 2016-04-04 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN113936601A (zh) * 2016-04-22 2022-01-14 索尼公司 显示装置与电子设备
KR102580063B1 (ko) * 2016-07-21 2023-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6698486B2 (ja) 2016-09-26 2020-05-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6756560B2 (ja) * 2016-09-27 2020-09-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102621678B1 (ko) * 2016-09-30 2024-01-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR20180045964A (ko) * 2016-10-26 2018-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20180047540A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10957755B2 (en) 2016-11-15 2021-03-23 Lg Display Co., Ltd. Display panel having a gate driving circuit arranged distributively in a display region of the display panel and organic light-emitting diode display device using the same
KR101992917B1 (ko) * 2016-11-30 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치용 기판과, 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20180079056A (ko) 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 백플레인 기판, 이의 제조 방법 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR102383889B1 (ko) * 2017-05-31 2022-04-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN107293256B (zh) * 2017-07-17 2019-08-06 武汉天马微电子有限公司 一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置
CN107342375B (zh) * 2017-08-21 2019-05-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板
KR102454468B1 (ko) * 2017-09-20 2022-10-14 주식회사 디비하이텍 유기 발광 다이오드 표시 장치용 신호 제어 유닛, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 소자
KR102490895B1 (ko) * 2017-12-14 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN108231804A (zh) * 2018-01-02 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种光电探测单元及其制造方法、光电探测设备
KR102652448B1 (ko) * 2018-03-13 2024-03-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102564720B1 (ko) * 2018-04-17 2023-08-08 주식회사 디비하이텍 유기 발광 다이오드 표시 장치용 신호 제어 유닛, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 소자
US11749192B2 (en) * 2020-03-19 2023-09-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
KR20220030368A (ko) * 2020-08-28 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 절연막의 식각 방법, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
WO2022087852A1 (zh) * 2020-10-27 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
US20220352278A1 (en) * 2020-11-18 2022-11-03 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display device
KR20230140658A (ko) * 2022-03-29 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02165125A (ja) * 1988-12-20 1990-06-26 Seiko Epson Corp 表示装置
WO1994008331A1 (en) * 1992-10-06 1994-04-14 Panocorp Display Systems Drive system and method for panel displays
JP3530362B2 (ja) * 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
JP4907003B2 (ja) * 1999-12-27 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置およびそれを用いた電気器具
JP3591513B2 (ja) * 2000-04-21 2004-11-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置およびプロジェクタ
KR100446940B1 (ko) * 2001-08-29 2004-09-01 일진다이아몬드(주) 액정표시장치용 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100426031B1 (ko) * 2001-12-29 2004-04-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
JP4179393B2 (ja) * 2006-09-14 2008-11-12 エプソンイメージングデバイス株式会社 表示装置及びその製造方法
JP2008241782A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Sony Corp 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP5532568B2 (ja) * 2008-09-26 2014-06-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
WO2010041426A1 (ja) * 2008-10-07 2010-04-15 パナソニック株式会社 画像表示装置およびその制御方法
KR101073543B1 (ko) * 2009-09-04 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2011145468A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
CN101976546B (zh) * 2010-10-19 2012-08-22 友达光电股份有限公司 具电源电压降补偿功能的像素电路与发光面板
KR20150054210A (ko) * 2013-11-11 2015-05-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160004843A (ko) 2016-01-13
US9520455B2 (en) 2016-12-13
US20160005804A1 (en) 2016-01-07
CN105280137A (zh) 2016-01-27
KR20210109504A (ko) 2021-09-06
KR102296945B1 (ko) 2021-09-01
KR102350398B1 (ko) 2022-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105280137B (zh) 有机发光显示器及其制造方法
CN104752439B (zh) 一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法
US9379170B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
CN109860259B (zh) 一种oled阵列基板及oled显示装置
US7830476B2 (en) Electroluminescence display device comprising a drain electrode being directly contacted with the upper surface of the first transparent conductive layer and the side surface of the second conductive layer and fabricating methods thereof
KR101991338B1 (ko) 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
CN101043047B (zh) 显示装置及其制造方法
KR101281167B1 (ko) 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자 및 그제조방법
CN102569340B (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
KR101100885B1 (ko) 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
JP4943534B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
KR101021479B1 (ko) 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치
CN104347819A (zh) 柔性有机电致发光器件及其制造方法
CN100474085C (zh) 薄膜晶体管阵列面板
CN109801909A (zh) 阵列基板母板及其制造方法、阵列基板、显示装置
CN109326624A (zh) 像素电路、其制造方法及显示装置
US20090206421A1 (en) Organic light emitting display and manufacturing method thereof
CN109585456A (zh) 有源矩阵基板、液晶显示装置、有机el显示装置
CN104091817A (zh) 一种阵列基板及其制备方法
US20210202634A1 (en) Display Apparatus
CN102881709B (zh) 有机发光二极管显示器件
KR100793105B1 (ko) 박막트랜지스터 및 박막트랜지스터를 포함한평판표시소자와 그 제조방법
US8772779B2 (en) Display substrate for driving an electroluminescent element
KR101843191B1 (ko) 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법
KR20150021212A (ko) 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant