CN101180370B - 聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件 - Google Patents

聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101180370B
CN101180370B CN2006800173767A CN200680017376A CN101180370B CN 101180370 B CN101180370 B CN 101180370B CN 2006800173767 A CN2006800173767 A CN 2006800173767A CN 200680017376 A CN200680017376 A CN 200680017376A CN 101180370 B CN101180370 B CN 101180370B
Authority
CN
China
Prior art keywords
boiling point
composition
compound
equal
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2006800173767A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101180370A (zh
Inventor
铃木智之
饭村清寿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Publication of CN101180370A publication Critical patent/CN101180370A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101180370B publication Critical patent/CN101180370B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/06—Ethers; Acetals; Ketals; Ortho-esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L25/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C08L25/04—Homopolymers or copolymers of styrene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1033—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1037—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1408—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1416—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1408—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1425—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1408—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1433—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1441—Heterocyclic
    • C09K2211/1458—Heterocyclic containing sulfur as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1441—Heterocyclic
    • C09K2211/1466—Heterocyclic containing nitrogen as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14—Macromolecular compounds
    • C09K2211/1441—Heterocyclic
    • C09K2211/1475—Heterocyclic containing nitrogen and oxygen as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开的是一种组合物，所述组合物包含一种或多种芳族醚化合物、一种或多种沸点等于或高于200℃的化合物以及一种或多种在固态下传输电荷或发光的聚合物。这种组合物的特征在于所述沸点等于或高于200℃的化合物选自可以具有杂原子的脂族化合物、可以具有杂原子的脂环族化合物、包含两个以下取代基的芳族化合物和包含两个以下取代基的杂环化合物。

Description

聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件
技术领域
本发明涉及一种聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件(以下有时称为高分子LED)。
背景技术
包含作为发光材料的聚合物的各种发光器件(高分子LED)已经得到了研究。
有这样一种方法，即通过喷墨法，使用含有聚合物和溶剂的溶液组合物形成高分子LED的发光层。这种方法的优点在于可以以低成本制备大面积发光器件。
这种可应用于这种喷墨法的溶液组合物的已知实例包括含有聚芴衍生物和溶剂的溶液组合物(专利文件1)；含有聚亚芳基亚乙烯基和溶剂的溶液组合物(专利文件2)；以及含有芳族醚化合物和低沸点溶剂的溶液组合物(专利文件3)。另外，已知有通过使用作为芳族醚化合物的4-甲基苯甲醚和具有三或四个取代基的1，3，5-三甲基苯或1，2，3，4-四甲基苯的混合物制备的器件(专利文件4)。
专利文件1：WO00/59267单行本
专利文件2：WO02/96970单行本
专利文件3：JP-A-2004-535653
专利文件4：JP-A-2003-308969
发明内容
本发明所要解决的问题
顺带提及，有这样的问题，即使用只含有低沸点溶剂或具有高的聚合物溶解度的溶剂的组合物形成薄膜得到不均匀的膜厚度。这种问题在通过喷墨法形成薄膜时是明显的。在这些情形下，需要有一种在形成薄膜时用其得到均匀的膜厚度的组合物。
用于解决问题的手段
本发明人充分地研究以克服所述问题。结果，本发明人发现通过使用下列组合物形成膜获得具有均匀的厚度的膜：包含芳族醚化合物和具有等于或高于200℃的沸点且具有不太好的聚合物溶解度的溶剂的组合物；或者包含两种或更多种的沸点等于或高于100℃的有机化合物的组合物，其中至少一种有机化合物是具有等于或高于200℃的沸点并且具有不太好的聚合物溶解度的溶剂。从而完成了本发明。
即，本发明提供：
一种组合物，所述组合物包含一种或多种芳族醚化合物、一种或多种沸点等于或高于200℃的化合物以及一种或多种在固态下传输电荷或发光的聚合物，其特征在于，所述沸点等于或高于200℃的化合物选自可以任选包含杂原子的脂族化合物、可以任选包含杂原子的脂环族化合物、包含两个以下取代基的芳族化合物和包含两个以下取代基的杂环化合物；和
一种组合物，所述组合物包含两种以上除芳族醚化合物以外的沸点等于或高于100℃的有机化合物以及一种或多种在固态下传输电荷或发光的聚合物，其特征在于，所述有机化合物的至少一种选自可以任选包含杂原子的脂族化合物和可以任选包含杂原子的脂环族化合物，所述脂族化合物和脂环族化合物具有等于或高于200℃的沸点。
根据本发明的组合物具有的优点在于在形成膜时使用该组合物得到具有均匀厚度的膜。
附图简述
图1显示了使用组合物1形成的薄膜的剖面图，其中横坐标轴表示膜的距离(μm)，纵坐标轴表示膜的膜厚度(μm)；
图2显示了使用组合物2形成的薄膜的剖面图，其中横坐标轴表示膜的距离(μm)，纵坐标轴表示膜的膜厚度(μm)；和
图3显示了使用组合物6形成的薄膜的剖面图，其中横坐标轴表示膜的距离(μm)，纵坐标轴表示膜的膜厚度(μm)。
实施本发明的最佳方式
根据本发明的第一方面的组合物是这样一种组合物，所述组合物包含一种或多种的芳族醚化合物、一种或多种的沸点等于或高于200℃的化合物以及一种或多种在固态下传输电荷或发光的聚合物，其特征在于所述沸点等于或高于200℃的化合物选自可以任选包含杂原子的脂族化合物、可以任选包含杂原子的脂环族化合物、包含两个以下取代基的芳族化合物利包含两个以下取代基的杂环化合物。
在根据本发明的第一方面的组合物中含有的芳族醚化合物的实例可以包括：苯甲醚、乙基苯基醚、丙基苯基醚、丁基苯基醚、甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、甲基乙基苯甲醚、二乙基苯甲醚、丙基苯甲醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚、甲基萘基醚和二苯基醚。
根据本发明的第一方面的组合物包含一种或多种的芳族醚化合物。为便于制备所述组合物，该组合物优选包含一种或两种的芳族醚化合物，并且更优选包含一种的芳族醚化合物。
考虑到组合物的性能，如聚合物的溶解度、粘度或成膜性，基于组合物的重量，根据本发明的第一方面的组合物包含10至60重量％的芳族醚化合物，并且更优选为20至50重量％的该化合物。
在根据本发明的第一方面的组合物中含有的沸点等于或高于200℃的化合物是在可以任选包含杂原子的脂族化合物、可以任选包含杂原子的脂环族化合物、包含两个以下取代基的芳族化合物或包含两个以下取代基的杂环化合物之中，沸点等于或高于200℃的化合物。
可以任选包含杂原子的脂族化合物的实例可以包含：脂族烃化合物、脂族醇化合物、脂族二醇化合物、脂族酯化合物、含有氮原子的脂族化合物和含有硫原子的脂族化合物。
脂族烃化合物的实例可以包括：正十二烷(沸点：216℃)、正十三烷(沸点：234℃)和正十四烷(沸点：252至254℃)。
脂族醇化合物的实例可以包括：1-壬醇(沸点：211℃)、正癸醇(沸点：231℃)、2-癸醇(沸点：211℃)、正十一烷醇(沸点：241℃)、异癸醇(沸点：220℃)和正十四烷醇(沸点：289℃)。
脂族二醇化合物的实例可以包括：二甘醇(沸点：244℃)、三甘醇(沸点：287℃)、三甘醇二甲基醚(沸点：216℃)、四甘醇二甲基醚(沸点：275℃)、乙二醇单-2-乙基己基醚(沸点：229℃)、乙二醇单丁基醚(沸点：231℃)、乙二醇单己基醚(沸点：208℃)、乙二醇单苄基醚(沸点：256℃)、一缩二丙二醇(沸点：232℃)、二缩三丙二醇(沸点：268℃)、1，3-丁二醇(沸点：208℃)、1，4-丁二醇(沸点：228℃)、新戊二醇(沸点：211℃)、1，5-戊二醇(沸点：238至239℃)和1，6-己二醇(沸点：250℃)。
脂族酯化合物的实例可以包括：乙酸正辛酯(沸点：208℃)和琥珀酸二乙酯(沸点：218℃)。
含有氮原子的脂族化合物的实例可以包括乙酰胺(沸点：222℃)。
含有硫原子的脂族化合物的实例可以包括硫二甘醇(沸点：283℃)。
可以任选包含杂原子的脂环族化合物的实例可以包括：双环己基(bicyclohexyl)(沸点：226至228℃)、2-(1-环己烯基)环己酮(沸点：265℃)、γ-丁内酯(沸点：203至204℃)、碳酸异丙烯酯(沸点：242℃)、δ-戊内酯(沸点：218至220℃)、异佛尔酮(沸点：215℃)、N-甲基吡咯烷酮(沸点：202℃)、2-吡咯烷酮(沸点：245℃)和环丁砜(沸点：287℃)。
包含两个以下取代基的芳族化合物的实例可以包括：芳族烃化合物、芳族醇化合物、芳族酯化合物和芳族羧基化合物。
芳族烃化合物的实例可以包括：正戊基苯(沸点：205℃)、正己基苯(沸点：226至227℃)、正庚基苯(沸点：233℃)、正辛基苯(沸点：261至263℃)、正壬基苯(n-nonalbenzene)(沸点：282℃)、正癸基苯(沸点：293℃)、1，3-二异丙基苯(沸点：205℃)、1，4-二异丙基苯(沸点：205℃)、环己基苯(沸点：239至240℃)、四氢化萘(沸点：207℃)和联苯(沸点：255℃)。
芳族醇化合物的实例可以包括：间甲酚(沸点：202℃)、对甲酚(沸点：202℃)、对乙基苯酚(沸点：218至219℃)、4-甲氧基苯酚(沸点：246℃)、邻-正丙基苯酚(沸点：214℃)、邻-异丙基苯酚(沸点：215℃)、邻-仲丁基苯酚(沸点：226至228℃)、邻-叔丁基苯酚(沸点：224℃)、间-叔丁基苯酚(沸点：240℃)、对-叔丁基苯酚(沸点：237至239℃)和苄醇(沸点：206℃)。
芳族酯化合物的实例可以包括苯甲酸乙酯(沸点：212℃)和苯甲酸正丁酯(沸点：250℃)。
芳族羧基化合物的实例可以包括苯甲酸(沸点：249℃)和苯乙酸(沸点：266℃)。
考虑到成膜性，优选包含两个以下取代基的芳族化合物是包含一个以下取代基的芳族化合物。
包含两个以下取代基的杂环化合物的实例可以包括喹啉(沸点：237℃)和咪唑(沸点：257℃)。
根据本发明的第一方面的组合物是包含一种或多种的沸点等于或高于200℃的化合物的组合物，所述沸点等于或高于200℃的化合物选自可以任选包含杂原子的脂族化合物、可以任选包含杂原子的脂环族化合物、包含两个以下取代基的芳族化合物和包含两个以下取代基的杂环化合物。为了便于制备组合物，优选所述组合物包含一种至三种的所述化合物、更优选包含一种或两种的所述化合物，并且还优选包含一种的所述化合物。
考虑到成膜性，在根据本发明的第一方面的组合物中含有的沸点等于或高于200℃的化合物优选选自：可以任选包含杂原子的脂族化合物、可以任选包含杂原子的脂环族化合物和包含两个以下取代基的芳族化合物。
考虑到组合物的性能，如聚合物的溶解度、粘度或成膜性，基于组合物的重量，根据本发明的第一方面的组合物优选包含30至90重量％、更优选40至80重量％的沸点等于或高于200℃的化合物。
根据本发明的第一方面的组合物可以任选包含与芳族醚化合物和选自可以任选包含杂原子的脂族化合物、可以任选包含杂原子的脂环族化合物、包含两个以下取代基的芳族化合物和包含两个以下取代基的杂环化合物中的沸点等于或高于200℃的化合物不同的化合物(以下称为另外的化合物)。所述另外的化合物的实例可以包括：正戊烷、异戊烷、正己烷、异己烷、正庚烷、异庚烷、正辛烷、异辛烷、壬烷、正癸烷、正十一烷、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、叔-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、2-己醇、1-庚醇、2-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、2-壬醇、二异丙醚、二丁醚、乙二醇、乙二醇单乙醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇单甲醚、乙二醇二甲基醚、丙二醇、丙二醇单乙醚、丙二醇单甲醚、己二醇、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸正丁酯、甲酸正丙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸烯丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸正丙酯、琥珀酸二甲酯、草酸二乙酯、草酸二甲酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙二酸二甲酯、丙二酸二乙酯、碳酸二甲酯、乙醛、丙醛、丁醛、糠醛、丙酮、甲基乙基酮、甲基异丙基酮、甲基异丁基酮、二异丙酮、二异丁酮、甲酸、乙酸、草酸、丙酸、乙腈、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二异丙基乙胺、二甲亚砜、环戊烷、环戊烯、环己烷、甲基环己烷、二甲基环己烷、乙基环己烷、环己烯、环庚烷、十氢化萘、环戊醇、环己醇、甲基环己醇、二甲基环己醇、环己烯醇、环己基甲醇、四氢糠醇、糠醇、环戊酮、环己酮、甲基环己酮、二噁烷、四氢呋喃、四氢吡喃、苯、甲苯、邻-二甲苯、对-二甲苯、间-二甲苯、1，3，5-三甲基苯、1，2，4-三甲基苯、四甲基苯、乙基苯、邻-二乙基苯、间-二乙基苯、对-二乙基苯、1，2，4-三乙基苯、1，3，5-三乙基苯、四乙基苯、邻-乙基甲基苯、对-乙基甲基苯、间-乙基甲基苯、正丙基苯、异丙基苯、正丁基苯、仲丁基苯、异丁基苯、叔-丁基苯、苯酚、邻-甲酚、邻-乙基苯酚、2，3-二甲苯酚、2，4-二甲苯酚、2，5-二甲苯酚、2，6-二甲苯酚、3，4-二甲苯酚、3，5-二甲苯酚、2，4-二叔丁基苯酚、2，6-二-叔丁基苯酚、2-甲基-6-叔丁基苯酚、苯甲酸甲酯、苯胺和吡啶。
本发明的组合物优选包含另外的组分，其量等于或小于40重量％，更优选等于或小于30重量％，还更优选等于或小于等于或小于20重量％，甚至更优选等于或小于10重量％，并且还甚至更优选等于或小于1重量％。
根据本发明的第一方面的组合物可以是液体或固体。考虑到成膜性，优选该组合物在50℃处于液态，更优选在40℃处于液态，并且还更优选在25℃处于液态。考虑到储存稳定性，优选固体物质在20℃不沉淀，更优选固体物质在10℃不沉淀，并且还更优选固体物质在0℃不沉淀。
考虑到储存稳定性，在根据本发明的第一方面的组合物中含有的沸点等于或高于200℃的化合物优选具有等于或低于25℃、更优选等于或低于20℃并且还更优选等于或低于10℃的熔点。
根据本发明的第二方面的组合物是这样一种组合物，所述组合物包含两种或更多种的除芳族醚化合物以外的沸点等于或高于100℃的有机化合物以及一种或多种的在固态下传输电荷或发光的聚合物，其特征在于，所述有机化合物的至少一种是沸点等于或高于200℃的脂族化合物或脂环族化合物。
在根据本发明的第二方面的组合物中含有的沸点等于或高于200℃的脂族化合物可以任选包含杂原子。脂族化合物的实例可以包括：脂族烃化合物、脂族醇化合物、脂族二醇化合物、脂族酯化合物、含有氮原子的脂族化合物和含有硫原子的脂族化合物。上述描述了脂族烃化合物、脂族醇化合物、脂族二醇化合物、脂族酯化合物、含有氮原子的脂族化合物和含有硫原子的脂族化合物的实例。
考虑到成膜性，优选脂族化合物为脂族烃化合物、脂族醇化合物、脂族二醇化合物或脂族酯化合物，更优选为脂族烃化合物或脂族醇化合物。
在根据本发明的第二方面的组合物中含有的沸点等于或高于200℃的脂环族化合物可以任选包含杂原子。脂环族化合物的实例可以包括：脂环族烃化合物、脂环族酮化合物、脂环族内酯化合物、脂环族碳酸酯化合物、含有氮原子的脂环族化合物和含有硫原子的脂环族化合物。脂环族烃化合物的实例可以包括：双环己基(沸点：226至228℃)。脂环族酮化合物的实例可以包括：2-(1-环己烯基)环己酮(沸点：265℃)和异佛尔酮(沸点：215℃)。脂环族内酯化合物的实例可以包含：γ-丁内酯(沸点：203至204℃)和δ-戊内酯(沸点：218至220℃)。脂族碳酸酯化合物的实例可以包括碳酸异丙烯酯(沸点：242℃)。含有氮原子的脂环族化合物的实例可以包括：N-甲基吡咯烷酮(沸点：202℃)和2-吡咯烷酮(沸点：245℃)。含有硫原子的脂环族化合物的实例可以包括：环丁砜(沸点：287℃)。考虑到组合物的成膜性，脂环族化合物优选只由碳原子、氢原子和氧原子组成。更优选地，脂环族化合物是双环己基和2-(1-环己烯基)环己酮。
根据本发明的第二方面的组合物包含一种或多种沸点等于或高于200℃的脂族化合物或脂环族化合物。为了便于制备组合物，所述组合物优选包含一种至三种所述脂族化合物或脂环族化合物，并且更优选包含一种或两种所述脂族化合物或脂环族化合物。
考虑到形成均匀的膜，在根据本发明的第二方面的组合物中含有的沸点等于或高于200℃的脂族化合物和脂环族化合物优选具有等于或高于220℃的沸点。
考虑到组合物的性能，如聚合物的溶解度、粘度或成膜性，根据本发明的第二方面的组合物优选基于组合物的重量，以等于或大于30重量％并且更优选等于或大于40重量％的重量包含沸点等于或高于200℃的脂族化合物或脂环族化合物。
除沸点等于或高于200℃的脂族化合物或脂环族化合物以外，根据本发明的第二方面的组合物的特征在于，还包含至少一种的沸点等于或高于100℃的有机化合物。
沸点等于或高于100℃的有机化合物的实例可以包括：脂族烃化合物、脂族醇化合物、脂族醚化合物、脂族二醇化合物、脂族酯化合物、脂族醛化合物、脂族酮化合物、脂族羧基化合物、含有氮原子的脂族化合物、含有硫原子的脂族化合物、脂环族化合物、含有杂原子的脂族化合物、芳族烃化合物、芳族醇化合物、芳族酯化合物、芳族醛化合物和芳族羧基化合物。
除上述沸点等于或高于200℃的脂族化合物以外，脂族烃化合物的实例还可以包括：正-辛烷(沸点：126℃)、壬烷(沸点：151℃)、正癸烷(沸点：174℃)和正十一烷(沸点：196℃)。
除上述沸点等于或高于200℃的脂族化合物以外，脂族醇化合物的实例还可以包括：1-丁醇(沸点：116至118℃)、1-戊醇(沸点：136至138℃)、2-戊醇(沸点：118至119℃)、1-己醇(沸点：157℃)、2-己醇(沸点：136℃)、1-庚醇(沸点：176℃)、2-庚醇(沸点：160至162℃)、1-辛醇(沸点：196℃)、2-辛醇(沸点：174至181℃)和2-壬醇(沸点：193至194℃)。
脂族醚化合物的实例可以包括二丁醚(沸点：137至143℃)。
除上述沸点等于或高于200℃的脂族化合物以外，脂族二醇化合物的实例还可以包括：乙二醇(沸点：197℃)、乙二醇单乙醚(沸点：135℃)、乙二醇二乙醚(沸点：124℃)、乙二醇单甲醚(沸点：124℃)、丙二醇(沸点：187℃)、丙二醇单乙醚、丙二醇单甲醚(沸点：119至122℃)和己二醇(沸点：198℃)。
除上述沸点等于或高于200℃的脂族化合物以外，脂族酯化合物的实例还可以包括：甲酸正丁酯(沸点：107℃)、乙酸烯丙酯(沸点：103至104℃)、乙酸正丁酯(沸点：120至125℃)、琥珀酸二甲酯(沸点：195℃)、草酸二乙酯(沸点：1.85℃)、草酸二甲酯(沸点：134至137℃)、乳酸甲酯(沸点：145℃)、乳酸乙酯(沸点：154℃)、丙酮酸甲酯(沸点：165℃)、丙酮酸乙酯(沸点：156℃)、丙二酸二甲酯(沸点：181℃)和丙二酸二乙酯(沸点：198至199℃)。
脂族醛化合物的实例可以包括：糠醛(沸点：161℃)。
脂族酮化合物的实例可以包括：甲基异丁基酮(沸点：118℃)、二异内酮(沸点：124℃)和二异丁基酮(沸点：163至173℃)。
脂族羧基化合物的实例可以包括：甲酸(沸点：101℃)、乙酸(沸点：117至118℃)和丙酸(沸点：141℃)。
除上述沸点等于或高于200℃的脂族化合物以外，含有氮原子的脂族化合物的实例还可以包括：N，N-二甲基乙酰胺(沸点：165至166℃)、N，N-二甲基甲酰胺(沸点：153℃)和N，N-二异丙基乙胺(沸点：127℃)。
除上述沸点等于或高于200℃的脂族化合物以外，含有硫原子的脂族化合物的实例还可以包括：二甲亚砜(沸点：189℃)。
除上述沸点等于或高于200℃的脂族化合物以外，脂环族化合物的实例还可以包括：甲基环己烷(沸点：101℃)、二甲基环己烷(沸点：120至129℃)、乙基环己烷(沸点：132℃)、环庚烷(沸点：116至118℃)以及十氢化萘(沸点：187至195℃)。
除上述沸点等于或高于200℃的脂族化合物以外，含有杂原子的脂环族化合物的实例还可以包括：环戊醇(沸点：139至140℃)、环己醇(沸点：160至161℃)、甲基环己醇(沸点：171至173℃)、二甲基环己醇(沸点：186℃)、环己烯醇(沸点：164至166℃)、环己基甲醇(沸点：181℃)、四氢糠醇(沸点：178℃)、糠醇(沸点：170至171℃)、环戊酮(沸点：130至131℃)、环己酮(沸点：155℃)、二噁烷(沸点：102℃)和甲基环己酮(沸点：162至171℃)。考虑到组合物的性能如成膜性，优选的含有杂原子的脂环族化合物是环戊醇、环己醇、甲基环己醇、二甲基环己醇、环戊酮和环己酮。
芳族烃化合物的实例可以包括：甲苯(沸点：111℃)、邻-二甲苯(沸点：143至145℃)、对-二甲苯(沸点：138℃)、间-二甲苯(沸点：138至139℃)、1，3，5-三甲基苯(162至164℃)、1，2，4-三甲基苯(沸点：168℃)、乙基苯(沸点：136℃)、邻-二乙基苯(沸点：183至184℃)、间-二乙基苯(沸点：181℃)、对-二乙基苯(沸点：184℃)、邻-乙基甲基苯(沸点：164至165℃)、对-乙基甲基苯(沸点：162℃)、间-乙基甲基苯(沸点：161℃)、正丙基苯(沸点：159℃)、异丙基苯(沸点：153℃)、正丁基苯(沸点：183℃)、仲丁基苯(沸点：173℃)、异丁基苯(沸点：173℃)、叔丁基苯(沸点：169℃)、正戊基苯(沸点：205℃)、正己基苯(沸点：226至227℃)、正庚基苯(沸点：233℃)、正辛基苯(沸点：261至263℃)、正壬基苯(沸点：282℃)、正癸基苯(沸点：293℃)、1，3-二异丙基苯(沸点：205℃)、1，4-二异丙基苯(沸点：205℃)、环己基苯(沸点：239至240℃)、四氢化萘(沸点：207℃)和联苯(沸点：255℃)。
芳族醇化合物的实例可以包括：苯酚(沸点：182℃)、邻-甲酚(沸点：190至195℃)、邻-乙基苯酚(沸点：195至197℃)、间-甲酚(沸点：202℃)、对甲酚(沸点：202℃)、对-乙基苯酚(沸点：218至219℃)、4-甲氧基苯酚(沸点：246℃)、邻-正丙基苯酚(沸点：214℃)、邻-异丙基苯酚(沸点：215℃)、邻-仲丁基苯酚(沸点：226至228℃)、邻-叔丁基苯酚(沸点：224℃)、间-叔丁基苯酚(沸点：240℃)、对-叔丁基苯酚(沸点：237至239℃)和苄醇(沸点：206℃)。
芳族酯化合物的实例可以包括：苯甲酸甲酯(沸点：199℃)、苯甲酸乙酯(沸点：212℃)和苯甲酸正丁酯(沸点：250℃)。
芳族醛化合物的实例可以包括：苯甲醛(沸点：178℃)。
芳族羧基化合物的实例可以包括：苯甲酸(沸点：249℃)和苯乙酸(沸点：266℃)。
考虑到组合物的性能如成膜性，优选的沸点等于或高于100℃的有机化合物是脂族烃化合物、脂族醇化合物、脂族酯化合物、脂族酮化合物、脂环族化合物、含有杂原子的脂族化合物、芳族烃化合物、芳族醇化合物和芳族酯化合物。
考虑到形成均匀的膜，根据本发明的第二方面的包含除芳族醚化合物以外的芳族化合物的组合物具有优选等于或低于250℃，并且更优选等于或低于220℃的沸点。所述芳族化合物优选具有比在组合物中含有的沸点等于或高于200℃的脂族化合物或脂环族化合物更低的沸点。
根据本发明的第二方面的组合物的特征在于包含两种或更多种的沸点等于或高于100℃的有机化合物。考虑到粘度，有机化合物具有优选等于或高于120℃，更优选等于或高于150℃并且还更优选等于或高于170℃的沸点。
除沸点等于或高于100℃的有机化合物以外，根据本发明的第二方面的组合物还可以任选包含除以芳族醚化合物外的化合物。这种化合物的实例可以包括沸点低于100℃的化合物。基于本发明的组合物的重量，所述组合物优选以等于或小于20重量％、更优选以等于或小于10重量％并且还更优选以等于或小于1重量％的量含有该化合物。
根据本发明的第二方面的组合物可以是液体或固体。考虑到成膜性，优选该组合物在50℃处于液态，更优选在40℃处于液态，并且还更优选在25℃处于液态。考虑到储存稳定性，优选固体物质在20℃不沉淀，更优选固体物质在10℃不沉淀，并且还更优选固体物质在0℃不沉淀。
考虑到储存稳定性，在根据本发明的第二方面的组合物中含有的沸点等于或高于200℃的脂族化合物和脂环族化合物优选具有等于或低于25℃、更优选等于或低于20℃并且还更优选等于或低于10℃的熔点。
考虑到组合物的性能，如溶解度、粘度和成膜性，在根据本发明的组合物中含有的聚合物优选具有1.0×103至1.0×107，更优选5.0×103至1.0×106并且还更优选1.0×104至2.0×105的数均分子量。
考虑到组合物的性能，如溶解度、粘度和成膜性，在根据本发明的组合物中含有的聚合物优选具有1.0×103至1.0×107，更优选1.0×104至2.0×106并且还更优选5.0×104至1.0×106的重均分子量。
考虑到组合物的性能，如溶解度、粘度和用于形成膜的成本，基于组合物的重量，根据本发明的组合物包含优选0.1至5重量％，更优选0.5至2重量％的该聚合物。
考虑到组合物的性能，如成膜性，根据本发明的组合物在25℃具有优选1至20mPa·s并且更优选3至15mPa·s的粘度。
对在根据本发明的组合物中含有的聚合物没有特别限制，只要聚合物在固态下传输电荷或发光即可。电荷传输聚合物是传输负电荷(电子)或正电荷(空穴)的聚合物，并且该聚合物可以既传输电子又传输空穴。可以通过使用循环伏安法测定电荷传输的技术、制备器件并且测试其电荷传输的技术或本领域中已知的各种技术，测试电荷传输。电子和空穴可以在传输电荷以发射电致发光的聚合物中复合。在固态下发光的聚合物的实例可以包括在固态下发荧光的聚合物和在固态下发磷光的聚合物。在固态下发光的聚合物可以传输电荷或发射电致发光。
使用根据本发明的组合物形成的薄膜可应用于各种用途，如高分子电致发光、有机晶体管、高分子电容器、二次电池、太阳能电池、传感器、热电变换器、电容器、致动器、抗静电剂、气体分离膜、电磁屏蔽、激光器、电子照相光敏材料或有机超导体。根据组合物的用途适当地选择在组合物中含有的聚合物。
对于用于高分子LED的用途，可以使用根据本发明的组合物形成发光层、电子传输层和空穴传输层。
当使用根据本发明的组合物形成发光层时，在组合物中含有的聚合物优选包含在亚芳基、二价杂环基、具有金属配合物结构的二价基团和二价芳族胺之中的至少一种重复单元。
在不损害发光性能的情况下，具有一个或多个重复单元的聚合物还可以包含由-CRa1＝CRa2-、-C≡C-、N(Ra3)-、或-(SiRa4Ra5)b-表示的结构。Ra1和Ra2独立地表示氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、羧基、取代的羧基或氰基。Ra3、Ra4和Ra5独立地表示包括氢原子、烷基、芳基、一价杂环基、芳烷基或取代的氨基的基团。b表示1至12的整数。当Ra1、Ra2、Ra3、Ra4和Ra5中的任何一个有两个以上时，这些R可以相同或不同。
在此所用的亚芳基指通过从芳族烃上除去两个氢原子获得的原子团，并且包括具有稠环的亚芳基以及具有直接或通过基团如亚乙烯基连接到上面的两个或更多个独立的苯环或稠环的芳基。亚芳基可以具有取代基。对取代基的类型没有特别限制。考虑到溶解度、荧光性能、易于合成和得到的器件的特性，取代基的优选实例包括：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基。
亚芳基除取代基以外的碳原子数通常约为6至60，并且优选为6至20。亚芳基包括取代基碳原子数在内的总碳原子数通常约为6至100。
亚芳基的实例包括亚苯基(例如，下式1至3)、萘-二基(下式4至13)、蒽-二基(下式14至19)、联苯-二基(下式20至25)、芴-二基(下式36至38)、三联苯-二基(下式26至28)、稠环化合物基团(下式29至35)、茋-二基(下式A至D)、二茋-二基(下式E和F)以及茚并萘-二基(下式G至N)。
[式1]
[式2]
Figure S2006800173767D00141
[式3]
[式4]
Figure S2006800173767D00151
[式5]
Figure S2006800173767D00161
[式6-1]
Figure S2006800173767D00171
[式6-2]
Figure S2006800173767D00181
二价杂环基指通过从杂环化合物除去两个氢原子获得的残留的原子团，并且可以具有取代基。
杂环化合物指具有环结构的有机化合物，所述的环结构可以不必单独由碳原子组成，并且可以包含杂原子，如氧、硫、氮、磷、硼或砷。在二价杂环基之中，优选芳族杂环基团。对取代基的类型没有特别限制；然而，考虑到溶解度、荧光性能、易于合成和得到的器件的特性，取代基的优选实例包括烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基。
二价杂环基除取代基碳原子数以外的碳原子数通常约为3至60。二价杂环基包括取代基碳原子数在内的总碳原子数通常约为3至100。
二价杂环基的实例包括：
二价吡啶-二基(下式39至44)、
二氮杂亚苯基(下式45至48)、
喹啉二基(下式49至63)、
喹喔啉二基(下式64至68)、
吖啶二基(下式69至72)、
联吡啶二基(下式73至75)和含有作为杂原子的氮的菲咯啉二基(下式76至78)；
具有芴结构并且含有作为杂原子的氧、硅、氮、硒或硫等的基团(下式79至93)；
含有作为杂原子的氧、硅、氮、硫、硒、硼或磷等的5元杂环基(下式94至98、O至Z以及AA至AC)；
含有作为杂原子的氧、硅、氮、硫、硒、硼或硫等的5元稠合杂环基(下式99至110)；
由含有作为杂原子的氧、硅、氮、硫、硒、硼或硫等的5元杂环基形成并且在杂原子的α-位置连接的二聚物或低聚物(下式111和112)；
含有作为杂原子的氧、硅、氮、硫或硒等并且在杂原子的α-位置连接到苯基上的5元杂环基(下式113至119)；
含有作为杂原子的氧、氮或硫等并且取代有苯基、呋喃基、噻吩基的5元稠合杂环基(下式120至125)；和
含有作为杂原子的氧和氮的6元杂环基(下式AD至AG)。
[式7]
Figure S2006800173767D00201
[式8]
Figure S2006800173767D00202
[式9]
Figure S2006800173767D00211
[式10]
Figure S2006800173767D00212
[式11]
Figure S2006800173767D00221
[式12]
Figure S2006800173767D00222
[式13]
Figure S2006800173767D00231
[式14]
[式15]
Figure S2006800173767D00241
[式16]
Figure S2006800173767D00251
[式17]
Figure S2006800173767D00252
[式18]
Figure S2006800173767D00261
[式19]
Figure S2006800173767D00271
具有金属配合物结构的二价基团指通过从具有有机配体的金属配合物的有机配体上除去两个氢原子获得的二价基团。
有机配体的碳原子数通常约为4至60。其实例包括8-喹啉醇及其衍生物、苯并喹啉醇及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物、2-苯基-苯并噻唑及其衍生物、2-苯基-苯并噁唑及其衍生物以及卟啉及其衍生物。
配合物的核金属的实例包括铝、锌、铍、铱、铂、金、铕和铽。
具有有机配体的金属配合物的实例包括作为低分子量荧光材料和磷光材料已知的金属配合物以及三重态发光配合物。
具有金属配合物结构的二价基团的具体实例包括由下式126至132表示的那些。
[式20-1]
Figure S2006800173767D00291
[式20-2]
Figure S2006800173767D00301
[式20-3]
Figure S2006800173767D00311
在式1至132、A至Z和AA至AZ中，R各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、硝基或氰基。
可以用氮原子、氧原子或硫原子取代在式1至1 32的基团中包含的碳原子。可以用氟原子取代在式1至132的基团中包含的氢原子。在式1至132中的相邻R可以连接以形成环。
所述烷基可以是直链、支链或者环状的，并且碳原子数通常约为1至20，优选为3至20。其具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基和全氟辛基。优选的烷基是戊基、异戊基、己基、辛基、2-乙基己基、癸基和3，7-二甲基辛基，从而平衡观点如有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成以及耐热性。
所述烷氧基可以是直链、支链或环状的，并且碳原子数通常约为1至20，优选为3至20。其具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲基氧基和2-甲氧基乙基氧基。优选的烷氧基是戊氧基、己氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、癸氧基和3，7-二甲基辛氧基，从而平衡观点如有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成以及耐热性。
所述烷硫基可以是直链、支链或环状的，并且碳原子数通常约为1至20，优选为3至20。其具体实例包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、月桂硫基和三氟甲硫基。优选的烷硫基是戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基和3，7-二甲基辛硫基，从而平衡观点如有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成以及耐热性。
所述芳基是通过从芳族烃上除去单个氢原子获得的残留的原子团，并且包括具有稠环的芳基以及具有直接或通过基团如亚乙烯基连接到上面的两个或更多个独立的苯环或稠环的芳基。所述芳基通常具有约6至60个碳原子，并且优选7至48个碳原子。其具体实例包括苯基、C1-C12烷氧基苯基(C1-C12表示碳原子数为1至12并且以下也采用该相同的定义)、C1-C12烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基和五氟苯基并且考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成等，优选C1-C12烷氧基苯基和C1-C12烷基苯基。C1-C12烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基和月桂氧基。
C1-C12烷基苯基的具体实例包括甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、2，4，6-三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基和十二烷基苯基。
所述芳氧基通常具有约6至60并且优选7至48个碳原子。其具体实例包括：苯氧基、C1-C12烷氧基苯氧基、C1-C12烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基和五氟苯氧基，并且考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成等，优选C1-C12烷氧基苯氧基和C1-C12烷基苯氧基。
C1-C12烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基和月桂氧基。
C1-C12烷基苯氧基的具体实例包括甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基和十二烷基苯氧基。
所述芳硫基通常具有约3至60个碳原子。其具体实例包括苯硫基、C1-C12烷氧基苯硫基、C1-C12烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基和五氟苯硫基。考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成等，优选的芳硫基是C1-C12烷氧基苯硫基和C1-C12烷基苯硫基。
所述芳烷基通常具有约7至60个并且优选7至48个碳原子。其具体实例包括苯基-C1-C12烷基、C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷基、C1-C12烷基苯基-C1-C12烷基、1-萘基-C1-C12烷基和2-萘基-C1-C12烷基。考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成等，优选的芳烷基是C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷基和C1-C12烷基苯基-C1-C12烷基。
所述芳基烷氧基通常具有约7至60个并且优选7至48个碳原子。其具体实例包括苯基-C1-C12烷氧基，如苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、苯基己氧基、苯基庚氧基或苯基辛氧基；C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷氧基；C1-C12烷基苯基-C1-C12烷氧基；1-萘基-C1-C12烷氧基；和2-萘基-C1-C12烷氧基。考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成等，优选的芳基烷氧基是C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷氧基和C1-C12烷基苯基-C1-C12烷氧基。
所述芳基烷硫基通常具有约7至60个并且优选7至48个碳原子。其具体实例包括苯基-C1-C12烷硫基；C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷硫基；C1-C12烷基苯基-C1-C12烷硫基；1-萘基-C1-C12烷硫基；和2-萘基-C1-C12烷硫基。考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成等，优选的芳基烷硫基是C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷硫基和C1-C12烷基苯基-C1-C12烷硫基。
所述芳基链烯基通常具有约8至60个碳原子。其具体实例包括苯基-C2-C12链烯基、C1-C12烷氧基苯基-C2-C12链烯基、C1-C12烷基苯基-C2-C12链烯基、1-萘基-C2-C12链烯基和2-萘基-C2-C12链烯基；并且考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成等，优选C1-C12烷氧基苯基-C2-C12链烯基和C2-C12烷基苯基-C1-C12链烯基。
所述芳基炔基通常具有约8至60个碳原子。其具体实例包括苯基-C2-C12炔基、C1-C12烷氧基苯基-C2-C12炔基、C1-C12烷基苯基-C2-C12炔基、1-萘基-C2-C12炔基和2-萘基-C2-C12炔基；并且考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件特性和易于合成等，优选C1-C12烷氧基苯基-C2-C12炔基和C1-C12烷基苯基-C2-C12炔基。
所述取代的氨基可以包括用选自烷基、芳基、芳烷基和一价杂环基中的一个基团或两个基团取代的氨基。所述烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基可以具有取代基。取代的氨基除取代基的碳原子数以外的碳原子数通常约为1至60，并且优选为2至48。
具体实例包括甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、月桂基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、环己基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二(三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C1-C12烷氧基苯基氨基、二(C1-C12烷氧基苯基)氨基、二(C1-C12烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基(triazylamino group)、苯基-C1-C12烷基氨基、C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷基氨基、C1-C12烷基苯基-C1-C12烷基氨基、二(C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷基)氨基、二(C1-C12烷基苯基-C1-C12烷基)氨基、1-萘基-C1-C12烷基氨基和2-萘基-C1-C12烷基氨基。
所述取代的甲硅烷基可以包括用选自烷基、芳基、芳烷基和一价杂环基中的1、2或3个基团取代的甲硅烷基。所述取代的甲硅烷基通常具有约1至60个碳原子，并且优选3至48个碳原子。注意烷基、芳基、芳烷基和一价杂环基可以具有取代基。
其具体实例包括三甲代甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异丙基甲硅烷基、叔丁基甲硅烷基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-C1-C12烷基甲硅烷基、C1-C12烷氧基苯基-C1-C12烷基甲硅烷基、C1-C12烷基苯基-C1-C12烷基甲硅烷基、1-萘基-C1-C12烷基甲硅烷基、2-萘基-C1-C12烷基甲硅烷基、苯基-C1-C12烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基和二甲基苯基甲硅烷基。
卤原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
酰基通常具有约2至60个碳原子，并且优选2至18个碳原子。其具体实例包括乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基和五氟苯甲酰基。
酰氧基通常具有约2至20个碳原子，并且优选2至18个碳原子。其具体实例包括乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基和五氟苯甲酰氧基。
所述亚胺残基指通过从亚胺化合物上除去一个氢原子获得的残基。所述亚胺化合物是在分子内包含-N＝C-的有机化合物。亚胺化合物的实例可以包括醛亚胺、酮亚胺和其中用烷基等取代醛亚胺或酮亚胺的N原子上的氢原子的化合物。亚胺残基通常具有约2至20个碳原子，并且优选2至18个碳原子。其具体实例包括由下列结构式表示的基团。
[式21]
Figure S2006800173767D00361
所述酰胺基具有约2至20个碳原子，并且优选2至18个碳原子。其具体实例包括甲酰胺基、甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二(三氟乙酰胺基)、二(五氟苯甲酰胺基)。
所述酰亚胺基可以是通过除去结合到酰亚胺的氮原子上的氢原子获得的残基，并且具有约4至20个碳原子。其具体实例包括下面表示的基团。
[式22]
一价杂环基指通过从杂环化合物上除去一个氢原子获得的原子团，并且通常具有约4至60个碳原子，并且优选4至20个碳原子。注意杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数。在此杂环化合物指具有环结构的有机化合物，所述环结构可以不必单独由碳原子组成，并且可以包含杂原子，如氧、硫、氮、磷、硼或硅。一价杂环基的具体实例包括噻吩基、C1-C12烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C1-C12烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基和异喹啉基；并且优选噻吩基、C1-C12烷基噻吩基、吡啶基和C1-C12烷基吡啶基。
所述取代的羧基可以包括用烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基取代的羧基，并且通常具有约2至60个碳原子，并且优选2至48个碳原子。其具体实例包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基和吡啶氧基羰基。注意所述烷基、芳基、芳烷基或一价杂环基可以具有取代基。注意取代的羧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数。
二价芳族胺基指通过从芳族胺化合物上除去两个氢原子获得的原子团。所述基团可以具有取代基。二价芳族胺基的具体结构由下式(1)的结构表示。
[式23]
Figure S2006800173767D00381
在式中，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4各自独立地表示亚芳基或二甲杂环基；Ar5、Ar6、Ar7和Ar8各自独立地表示芳基或一价杂环基；Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6和Ar7可以具有取代基；并且x和y各地独立地表示0或正整数。对取代基的种类没有特别限制。考虑到溶解度、荧光性能、易于合成和得到的器件的特性，取代基的优选实例包括烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、硝基和氰基。
二价芳族胺基的实例包括由下式133至140表示的基团。
[式24]
Figure S2006800173767D00391
[式25]
Figure S2006800173767D00392
[式26]
Figure S2006800173767D00401
上式的R与在式1至132中所定义的相同。
为了增加聚合物化合物在有机溶剂中的溶解度，聚合物化合物优选包含与氢原子不同的一个或多个原子，并且包含取代基的重复单元的形态的对称性优选是低的。
在上述式中，当R是包含烷基的取代基时，为了增加聚合物化合物在有机溶剂中的溶解度，优选含有一个或多个环状或支链烷基。此外，在上述式中，当R部分含有芳基或杂环基时，这些基团可以具有一个或多个取代基。考虑到调节发光波长，在由式133至140表示的结构之中，优选由式134和137表示的结构。
考虑到调节发光波长、器件性能等，由上式(1)表示的重复单元优选包含各自独立地表示亚芳基的Ar1、Ar2、Ar3和Ar4以及各自独立地表示芳基的Ar5、Ar6和Ar7。
优选Ar1、Ar2和Ar3各自独立地表示未取代的亚苯基、未取代的联苯基、未取代的亚萘基或未取代的蒽-二基。
考虑到在有机溶剂中的溶解度、器件性能等，优选Ar5、Ar6和Ar7各自独立地表示包含三个以上取代基的芳基。更优选地，Ar5、Ar6和Ar7表示包含三个以上取代基的苯基；包含三个以上取代基的萘基；或包含三个以上取代基的蒽基。还更优选地，Ar5、Ar6和Ar7表示包含三个以上取代基的苯基。
在它们之中，优选Ar5、Ar6和Ar7各自独立地表示下式(9)，并且满足关系：x+y≤3，更优选x+y＝1并且还更优选x＝1和y＝0。
[式27]
Figure S2006800173767D00411
在式中，Re、Rf和Rg各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基或卤原子。可以用氟原子任选取代在Re、Rf和Rg中包含的氢原子。
更优选地，在式(9)中，Re和Rf各自独立地表示含3个以下碳原子的烷基、含3个以下碳原子的烷氧基或含3个以下碳原子的烷硫基；并且Rg是含3至20个碳原子的烷基、含3至20个碳原子的烷氧基或含3至20个碳原子的烷硫基。
在由式(9)表示的重复单元中，Ar2优选表示由下式(9-1)或(9-2)表示的基团。
[式28]
在式中，在由(9-1)或(9-2)表示的结构中包含的一个或多个苯环各自独立地包含一个以上且四个以下的取代基；该取代基可以相同或不同；多个取代基可以连接以形成环；并且所述一个或多个苯环可以连接到另一个芳族烃环或杂环上。
在由式(1)表示的重复单元之中，特别优选的具体实例由下式141和142表示。
[式29]
Figure S2006800173767D00421
考虑到器件性能、易于合成、荧光强度等，用于形成高分子LED的发光层的优选聚合物包含由式(1)和下式(2)至(8)中的表示的任何一个重复单元。
[式30]
Figure S2006800173767D00422
在式中，环A和环B各自独立地表示可以具有取代基的芳族烃环；两个键分别存在于环A和/或环B上；并且R1和R2各自独立地表示取代基。
[式31]
在式中，环A和环B表示与上述那些相同的环；两个键分别存在于环A和/或环B上；Z表示-O-、-S-、-S(＝O)-、-S(＝O)(＝O)-、-N(R3)-、-Si(R3)(R4)-、-P(＝O)(R3)-、-P(R3)-、-B(R3)-、-C(R3)(R4)-O-、-C(R3)＝N-或-Se-；并且R3和R4各自独立地表示取代基。
[式32]
Figure S2006800173767D00432
在式中，R5表示取代基；n表示0至4的整数；并且当存在多个R5时，它们可以相同或不同。
[式33]
Figure S2006800173767D00441
在式中，R6和R7表示取代基；o和p各自独立地表示0至3的整数；并且当存在多个R6和R7时，它们可以相同或不同。
[式34]
Figure S2006800173767D00442
在式中，R8、R9、R10和R11表示取代基；q和r各自独立地表示0至4的整数；并且当存在多个R8和R9时，它们可以相同或不同。
[式35]
在式中，R12表示取代基；u表示0至2的整数；Ar8和Ar9各自独立地表示亚芳基，二价杂环基或包含金属配合物结构的二价基团；s和t各自独立地表示0或1；X1表示-O-、-S-、-S(＝O)-、-SO2-、-Se-或-Te-；并且当存在多个R12时，它们可以相同或不同。
[式36]
在式中，Ar10和Ar11各自独立地表示亚芳基，二价杂环基或包含金属配合物结构的二价基团；v和w各自独立地表示0或1；X2表示-O-、-S-、-S(＝O)-、-SO2-、-Se-、-Te-、-NR14-或-SiR15R16-。
式(2)的具体结构可以包括由下式2-1至2-17表示的结构。
[式37]
Figure S2006800173767D00461
[式38]
Figure S2006800173767D00471
在式中，R1和R2表示取代基，并且考虑到溶解度和易于合成，优选氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、硝基或氰基。这些基团的实例与上述那些相同。在这些取代基之中，优选的是烷基、烷氧基、芳基和芳氧基。R1和R2可以相互连接以形成环。
式(3)的实例可以包括由下式3-1至3-12表示的结构。
[式39]
Figure S2006800173767D00481
在式中的R的实例与上述R相同，并且优选的R是烷基、烷氧基、芳基和芳氧基。可以用取代基R取代在式中的多个氢原子。R3和R4表示取代基，并且考虑到溶解度、易于合成等，优选表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、硝基或氰基。这些基团的实例与上述那些相同。在这些取代基之中，优选的是烷基、烷氧基、芳基和芳氧基。考虑到溶解度，该结构优选包含一至三个烷基、烷氧基、芳基或芳氧基。
在式(4)至(8)中的R5、R6、R7、R8、R9、R12、R13、R14、R15和R16的实例包括氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、硝基和氰基。这些基团的实例与上述那些相同。在这些取代基之中，优选的是烷基、烷氧基、芳基和芳氧基。在式(6)中的R10和R11的实例包括氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基、硝基和氰基。这些基团的实例与上述那些相同。在这些取代基之中，优选的是氢原子、烷基和芳基。
式(7)的实例可以包括下列结构。
[式40]
Figure S2006800173767D00501
在式中的R的实例与上述R相同，并且优选的R是烷基、烷氧基、芳基和芳氧基。
在式(8)中的优选实例包括下列结构。
[式41]
Figure S2006800173767D00511
在式中的R的实例与上述R相同，并且优选的R是烷基、烷氧基、芳基和芳氧基。
当通过使用根据本发明的组合物形成高分子LED的空穴传输层时，在组合物中含有的优选聚合物包括聚乙烯基咔唑或其衍生物；聚硅烷或其衍生物；在侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物；吡唑啉衍生物；芳基胺衍生物；茋衍生物；三苯基二胺衍生物；聚苯胺或其衍生物；聚噻吩或其衍生物；聚吡咯或其衍生物；聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物；聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物；和作为用于形成发光层的实例提及的聚合物。
当通过使用根据本发明的组合物形成高分子LED的电子传输层时，在组合物中含有的优选聚合物包括聚喹啉、聚喹喔啉和作为用于形成发光层的实例提及的其它聚合物。
根据本发明的组合物中含有的聚合物可以通过在由通式(10)和(11)以及通式(12)和/或(13)表示的单体之间进行反应而制备。
K1-Ar12-K2   (10)
K3-Ar13-K4    (11)
K5-L1         (12)
K6-L2         (13)
在式中，Ar12和Ar13各自独立地表示亚芳基、二价杂环基、包含金属配合物结构的二价基团或二价芳族胺基；L1和L2独立地表示端基；K1、K2、K3、K4、K5和K6各自独立地表示离去基团；并且注意L1和L2彼此不同。
所述离去基团的实例可以包括卤原子、烷基磺酰氧基、芳基磺酰氧基和-B(OR17)2，其中R11表示氢原子或烷基。
卤原子的实例可以包括氯原子、溴原子和碘原子；优选氯原子和溴原子；并且最优选溴原子。烷基磺酰氧基可以被氟原子任选取代，并且该基团的实例可以包括三氟甲烷磺酰氧基。芳基磺酰氧基可以被烷基任选取代，并且该基团的实例可以包括苯基磺酰氧基和甲苯磺酰氧基(trisulfonyloxy)。
在由-B(OR17)2表示的基团中，R17表示氢原子或烷基。该烷基通常具有约1至20个碳原子。该烷基的实例可以包括甲基、乙基、丙基、丁基、己基、辛基和十二烷基。所述烷基可以相互连接以形成环。
在下面示出了由-B(OR17)2表示的基团的具体实例。
[式42]
Figure S2006800173767D00521
在它们之中，优选的实例是在下面示出的。
[式43]
通式(12)和(13)的单体的总加入量相对于通式(10和(11的单体的总加入量通常为0.1至10摩尔％，优选为02至5摩尔％，并且更优选为0.5至3摩尔％。
用于制备根据本发明的聚合物的方法的实例可以包括：通过Suzuki反应使适合的上述单体聚合的方法(Chem.Rev.，第95卷，第2457页(1995))；通过格利雅反应的聚合方法(Polymer Functional Material Series，第2卷，Synthesis and Reaction of Polymers(2)，第432-3页，由Kyoritsu Shuppan Co.，Ltd.出版)；通过Yamamoto聚合方法的聚合方法(Prog.polym.Sci.，第17卷，第1153-1205页，1992)；使用氧化剂如FeCl3的聚合方法；以及电化学氧化聚合方法(The Fourth Series ofExperimental Chemistry，第28卷，第339-340页，由Maruzen Co.，Ltd.出版)。
在此，描述利用Suzuki反应的情况。在这种情况下，使用例如这些单体，其中K1和K2各自独立地表示-B(OR17)2，其中R11表示氢原子或烷基；K3和K4各自独立地表示卤原子、烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基；K5表示-B(OR17)2，其中R17表示氢原子或烷基；并且K6表示卤原子、烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基。在Pd(0)催化剂的存在下进行在这些单体之间的反应以，制备聚合物。
在上述情况下，在其中将在反应使用的两种或更多种包含两个离去基团的单体中的至少一种是包含两个-B(OR17)2(其中R17表示氢原子或烷基)的单体；并且所述的两种或更多种单体中的至少一种是包含两个卤原子、烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基的单体的反应之中，通常通过在由式(10)和(11)表示的单体之间进行反应约1至100小时，将单体(12)加入到体系中，并且进行反应约0.5至50小时，然后将单体(13)加入到体系中，并且进行反应约0.5至50小时，来进行反应步骤。
作为Pd(0)催化剂，使用例如钯[四(三苯膦)]、乙酸钯等。将1以上当量，优选1至10当量的无机碱如碳酸钾、碳酸钠或氢氧化钡；有机碱如三乙胺；以及无机盐如氟化铯加入到单体中以进行反应。可以通过在两相体系中使用无机盐水溶液进行反应。溶剂的实例可以包括N，N-二甲基甲酰胺、甲苯、二甲氧基-乙烷或四氢呋喃。根据溶剂，反应温度优选为约50至160℃。可以将体系加热至溶剂的沸点左右，然后回流。反应时间为约1至200小时。
描述利用Yamamoto聚合方法的情况。在这种情况下，使用例如这些单体，其中K1、K2、K3、K4、K5和K6各自独立地表示卤原子、烷基磺酰氧基或芳基磺酰氧基。在Ni(0)配合物的存在下进行在这些单体之间的反应，以制备聚合物。通常，通过将所有单体(10)至(13)混合，进行反应。
作为使用Ni(0)配合物(零价镍配合物)的方法，有使用零价镍本身的方法，和在还原剂的存在下进行镍盐的反应以制备零价镍并且在反应中使用零价镍的方法。零价镍配合物的实例可以包括双(1，5-环辛二烯)镍(0)、(亚乙基)双(三苯膦)镍(0)和四(三苯膦)镍。考虑到适于多种用途并且廉价，在这些之中，优选双(1，5-环辛二烯)镍(0)。考虑到增加产率，优选加入中性配体。中性配体指没有阴离子或阳离子的配体。中性配体的实例可以包括含氮配体，如2，2’-联吡啶、1，10-菲咯啉、亚甲基双噁唑啉或N，N’-四甲基乙二胺；以及叔膦配体，如三苯膦、三甲苯基膦、三丁基膦或三苯氧基膦。考虑到适于多种用途并且廉价，优选含氮配体，并且考虑到高反应性和高产率，特别优选2，2’-联吡啶。特别是，考虑到增加聚合物的产率，优选含有其中加入2，2’-联吡啶的双(1，5-环辛二烯)镍(0)的体系。在将零价镍用于反应体系的方法中，镍盐的实例可以包括氯化镍或者乙酸镍。还原剂的实例可以包括锌、氢氧化钠、肼及其衍生物和氢化铝锂。必要时，可以加入添加剂，如碘化铵、碘化锂或碘化钾。对聚合溶剂没有特别限制，只要溶剂不抑制聚合即可，但是溶剂优选含有一种或多种芳族烃溶剂和/或醚溶剂。在此，芳族烃溶剂的实例可以包括：苯、甲苯、二甲苯、三甲基苯、四甲基苯、丁苯、萘和四氢化萘；并且优选甲苯、二甲苯、四氢化萘和四甲基苯。醚溶剂的实例可以包括：二异丙基醚、四氢呋喃、1，4-二噁烷、二苯醚、乙二醇二甲醚和叔丁基甲基醚；并且优选四氢呋喃和1，4-二噁烷，即聚合物的良溶剂。在溶剂之中，最优选四氢呋喃。考虑到提高可聚合性和溶解度，可以使用芳族烃溶剂和/或醚溶剂以及与芳族烃溶剂不同的溶剂和醚溶剂的混合溶剂，只要混合溶剂不抑制聚合反应即可。
反应步骤等可以根据例如在JP-A-2000-44544中所示的方法进行。在Yamamoto聚合方法中，例如，通常在惰性气体气氛如氩气或氮气下、在四氢呋喃溶剂中、在60℃的温度下、在零价镍配合物和中性配体的存在下进行聚合反应。聚合时间通常为约0.5至100小时，但是考虑到生产成本，优选10小时以下。聚合温度通常为约0至200℃，但是考虑到高产率和低的加热成本，优选20至100℃。
在使用中性配体的情况下，考虑到反应产率和成本，所用的中性配体的量相对于每1摩尔零价镍配合物优选为约0.5至10摩尔，更优选为约0.8至1.5摩尔，并且更优选0.9至1.1摩尔。
对所用的零价镍配合物的量没有特别限制，只要配合物不抑制聚合反应即可。然而，当配合物的量太小时，得到的聚合物趋向于具有低分子量。当配合物的量太大时，后处理趋向于繁重。相对于1摩尔单体，配合物的量优选为0.1至10摩尔，更优选为1至5摩尔，并且还更优选为2至3.5摩尔。
当使用聚合物作为高分子LED的发光材料时，优选通过诸如蒸馏、升华纯化或者重结晶的方法纯化在聚合之前的单体，然后使单体聚合。在合成聚合物之后，可以进行纯化处理，例如分馏，如再沉淀纯化或者色谱。
在根据本发明的组合物中含有的聚合物可以是一种，或者两种或更多种。当组合物含有两种或更多种聚合物时，组合物可以含有不传输电荷的聚合物或不发光的聚合物。
对于根据本发明的组合物的稳定性，优选从自制备出组合物开始经过30天之后的粘度变化在制备时的粘度的±5％之内，并且从制备出组合物开始经过90天之后的粘度变化在制备时的粘度的±5％之内。
使用根据本发明的组合物形成薄膜的方法的实例包括诸如旋涂法、流延法、微型凹板涂布法、凹板涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨法之类的成膜法。在所述方法之中，根据本发明的组合物特别适于用喷墨法形成膜。
喷墨法通过将聚合物溶于溶剂中并且用喷墨设备等分配聚合物进行。在制备溶液时，溶液可以含有添加剂或掺杂剂。喷墨法的优点在于可以分别涂上不同的颜色，并且可以在小的材料损耗的情况下有效地利用材料。
薄膜厚度的最佳值根据所用的材料和用途不同。膜厚度为例如1nm至1μm，优选为2nm至500nm，并且还优选为5nm至200nm。
根据本发明的组合物的特征在于，使用该组合物形成具有均匀的厚度的薄膜。当使用膜作为高分子LED的发光层时，具有均匀的厚度的薄膜导致更小的发光不均匀性，并且具有这种高分子LED的器件具有更长的亮度半衰期。在此，均匀的膜优选指的是特别在膜的中央部分具有平面剖面(profiles)的膜。因为发光不均匀性小，具有略凸或凹的剖面的膜不导致问题。然而，具有很凹的剖面的薄膜导致显著的发光不均匀性，并且具有这种膜的器件具有更短的亮度半衰期。有各种用于测量薄膜的剖面的方法。例如，有一种这样的方法：将液化的组合物注入注射器中，用连接高精度针的注射器将组合物分配到玻璃基板上，将组合物干燥，然后用干涉显微镜测量干燥的薄膜的剖面。可以将薄膜在室温或高温下、在常压或减压下干燥。
薄膜的剖面可以通过观察剖面在视觉上评价，但是还可以基于膜的中央部分的膜厚度和膜的最厚部分的膜厚度评价。即，考虑到降低发光不均匀性，通过将最厚部分的膜厚度除以膜的中央部分的膜厚度获得的值优选等于或小于1.50，更优选等于或小于1.35，还更优选等于或小于1.20，甚至更优选等于或小于1.10，并且还甚至更优选等于或小于1.05。
根据本发明的高分子LED包含在由阳极和阴极组成的电极之间的发光层，并且其特征在于使用根据本发明的组合物形成发光层。根据本发明的高分子LED包括：至少包含在电极和发光层之间与一个电极相邻的含导电聚合物层的高分子发光器件；和至少包含在电极和发光层之间与一个电极相邻的平均膜厚度等于或小于2nm的绝缘层的高分子发光器件。
而且，根据本发明的高分子LED的实例包括：
通过将电子传输层安置在阴极和发光层之间形成的高分子LED；
通过将空穴传输层安置在阳极和发光层之间形成的高分子LED；以及
通过将电子传输层安置在阴极和发光层之间并且将空穴传输层安置在阳极和发光层之间形成的高分子LED。
根据本发明的高分子LED的结构的具体实例包括下列结构a)至d)。
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴传输层/发光层/阴极
c)阳极/发光层/电子传输层/阴极
d)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
(其中标记″/″表示各个层以彼此相邻的方式层叠。)
在此，发光层是具有发光的功能的层；空穴传输层是具有传输空穴的功能的层；并且电子传输层是具有传输电子的功能的层。注意电子传输层和空穴传输层统称为电荷传输层。可以将发光层、空穴传输层和电子传输层独立地以两层或更多层的形式使用。
在一些情况下，在与电极相邻安置的电荷传输层之中，通常将具有提高来自电极的电荷注入效率的功能和降低器件的驱动电压的作用的电荷传输层特别称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。
为了提高与电极的粘附性并且改善来自电极的电荷注入，可以以与电极相邻的形式安置电荷注入层或厚度等于或小于2nm的绝缘层。备选地，为了提高与界面的粘附性或者防止污染，可以将薄的绝缘层插入到电荷传输层和发光层之间的界面。考虑到器件的发光效率和寿命，可以适当地设置层叠的层的顺序、数量和厚度。
在本发明中，作为具有在其中安置的电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的高分子LED，可以提及的有：具有与阴极相邻的电荷注入层的高分子LED，和具有与阳极相邻的电荷注入层的高分子LED。例如，可以具体提及下列结构e)至p)。
e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极
f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极
g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极
h)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/阴极
i)阳极/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极
j)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极
k)阳极/电荷注入层/发光层/电子传输层/阴极
l)阳极/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
m)阳极/电荷注入层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
n)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
o)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
p)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极。
电荷注入层的具体实例包括：
含有导电聚合物的层；
在阳极和空穴传输层之间形成并且电离势值在阳极材料的电离势值和在空穴传输层含有的空穴传输材料的电离势值之间的层；以及
安置在阴极和电子传输层之间并且电子亲合势值在阳极材料的电子亲合势值与电子传输层中含有电子传输性材料的电子亲合势值之间的层。
当电荷注入层是含有导电聚合物的层时，导电聚合物的电导率优选为10-5S/cm至103(两者均包含在内)、更优选为10-5S/cm至102(两者均包含在内)并且还优选为10-5S/cm至101(两者均包含在内)以降低发光像素之间的泄漏电流。
当电荷注入层是含有导电聚合物的层时，导电聚合物的电导率优选为10-5S/cm至103S/cm(两者均包含在内)、更优选为10-5S/cm至102S/cm(两者均包含在内)并且还优选为10-5S/cm至101S/cm(两者均包含在内)以降低发光像素之间的泄漏电流。为了将导电聚合物的电导率设定为10-5S/cm至103S/cm(两者均包含在内)，通常将适当量的离子掺杂到导电聚合物中。
如果将离子掺杂到空穴注入层中，则离子的种类为阴离子，并且如果将它们掺杂到电子注入层中，则离子的种类为阳离子。阴离子的实例包括聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子和樟脑磺酸离子。阳离子的实例包括锂离子、钠离子、钾离子和四丁基铵离子。电荷注入层的膜厚度为1nm至100nm，并且优选为2nm至50nm。
对于用于与电极相邻的层的材料，可以适当地选择用于电荷注入层的材料。其实例包括：
聚苯胺或其衍生物；
聚噻吩或其衍生物；
聚吡咯或其衍生物；
聚亚苯基亚乙烯基或其衍生物；
聚亚噻吩基亚乙烯基或其衍生物；
聚喹啉或其衍生物；
聚喹喔啉或其衍生物；
导电聚合物，如在主链或侧链中含有芳族胺结构的聚合物；
金属酞菁(如铜酞菁)；和
碳。
膜厚度等于或小于2nm的绝缘层具有促进电荷注入的功能。绝缘层的材料的实例包括金属氟化物、金属氧化物和有机绝缘材料。具有膜厚度等于或小于2nm的绝缘层的高分子LED的实例包括：
具有与阴极相邻的膜厚度等于或小于2nm的绝缘层的高分子LED；和
具有与阳极相邻的膜厚度等于或小于2nm的绝缘层的高分子LED。
例如，可以具体提及下列结构q)至ab)。
q)阳极/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/发光层/阴极
r)阳极/发光层/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/阴极
s)阳极/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/发光层/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/阴极
t)阳极/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/空穴传输层/发光层/阴极
u)阳极/空穴传输层/发光层/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/阴极
v)阳极/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/空穴传输层/发光层/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/阴极
w)阳极/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/发光层/电子传输层/阴极
x)阳极/发光层/电子传输层/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/阴极
y)阳极/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/发光层/电子传输层/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/阴极
z)阳极/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
aa)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/阴极
ab)阳极/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/膜厚度等于或小于2nm的绝缘层/阴极
发光层的膜厚度的最佳值根据所用的材料不同。可以选择膜厚度使得驱动电压和发光效率适当地取值。膜厚度是例如1nm至1μm、优选为2nm至500nm，并且还优选为5nm至200nm。
还可以使用根据本发明的组合物形成发光层。
当根据本发明的高分子LED具有空穴传输层时，所用的空穴传输材料的实例包括聚乙烯基咔唑或其衍生物；聚硅烷或其衍生物；在侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物；吡唑啉衍生物；芳基胺衍生物；茋衍生物；三苯基-二胺衍生物；聚苯胺或其衍生物；聚噻吩或其衍生物；聚吡咯或其衍生物；聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物；和聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物。
空穴传输性材料的具体实例包括在JP-A-63-70257、JP-A-63-175860、JP-A-2-135359、JP-A-2-135361、JP-A-2-209988、JP-A-3-37992和JP-A-3-152184中描述的那些。
在它们之中，作为用于空穴传输层的空穴传输性材料，可以优选提及的有：聚合物空穴传输性材料，如聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物以及聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物；并且更优选提及的有：聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物。低分子化合物的空穴传输性材料优选通过将其分散于聚合物粘合剂中使用。
聚(N-乙烯基咔唑)或其衍生物可以由乙烯基单体通过阳离子聚合或自由基聚合得到。
聚硅烷或其衍生物的实例包括在Chem.Rev.，第89卷，第1359页(1989)和出版的英国专利说明书GB2300196中描述的化合物。作为其合成方法，可以使用在这些文件中描述的方法。特别是，可以适当地使用Kipping方法。
在聚硅氧烷或其衍生物中，因为聚硅氧烷骨架结构没有空穴传输性，所以适当地使用在侧链或主链中具有上述低分子量空穴传输性材料的结构的衍生物。特别是，可以提及在侧链或主链中具有空穴传输性芳族胺的衍生物。
对形成空穴传输层膜的方法没有特别限制。在低分子量的空穴传输性材料的情况下，可以提及由具有聚合物粘合剂的混合溶液形成膜的方法。在高分子量的空穴传输性材料的情况下，可以提及由溶液形成膜的方法。
对用于由溶液形成膜的溶剂没有特别限制，只要溶剂溶解空穴传输性材料即可。溶剂的实例可以包括用于根据本发明的溶液组合物的溶剂。
由溶液形成膜的方法的实例包括旋涂法、流延法、微型凹板涂布法、凹板涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨法。
作为混合的聚合物粘合剂，优选使用不特别抑制电荷传递的聚合物粘合剂。而且，适宜的是使用对可见光没有强烈吸收的聚合物粘合剂。聚合物粘合剂的实例包括聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯和聚硅氧烷。
作为空穴传输层的膜厚度，它的最佳值根据所用的材料变化。可以选择膜厚度使得驱动电压和发光效率适当地取值。然而，至少要求具有足够的膜厚度以不产生针孔。因为器件的驱动电压增加，不优选极厚的膜。因此，空穴传输层的膜厚度为例如1nm至1μm、优选为2nm至500nm，并且还优选为5nm至200nm。
也可以使用根据本发明的组合物形成空穴传输层。
当根据本发明的高分子LED具有电子传输层时，作为使用的电子传输性材料，可以使用已知的材料。其实例包括：
噁二唑金属配合物、其衍生物；
蒽醌二甲烷(Anthraquinodimethane)、其衍生物；
苯醌或其衍生物；
萘醌或其衍生物；
蒽醌或其衍生物；
四氰基蒽醌-二甲烷或其衍生物；
芴酮衍生物；
二苯基-二氰基乙烯或其衍生物；
二苯酚合苯醌衍生物，或
8-羟基喹啉或其衍生物；
聚喹啉或其衍生物；
聚喹喔啉或其衍生物；以及
聚芴或其衍生物。
具体实例包括在JP-A-63-70257、JP-A-63-175860、JP-A-2-135359、JP-A-2-135361、JP-A-2-209988、JP-A-3-37992和JP-A-3-152184中描述的那些。
在它们之中，优选提及的有：
噁二唑金属配合物、其衍生物、
苯醌或其衍生物、
蒽醌或其衍生物，或
8-羟基喹啉或其衍生物；
聚喹啉或其衍生物；
聚喹喔啉或其衍生物；和聚芴或其衍生物，并且
还优选提及的有：
2-(4-联苯基(viphenyl))-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-喹啉基)铝和聚喹啉。
对用于电子传输层的成膜方法没有特别限制。使用低分子量的电子传输性材料的成膜方法的实例包括用于由粉末形成膜的真空沉积法和用于由溶液或熔融态形成膜的方法。使用高分子量的电子传输性材料的成膜法的实例包括由溶液或熔融态形成膜的方法。在由溶液或熔融态形成膜的方法中，可以将聚合物粘合剂一起使用。
对用于由溶液形成膜的溶剂没有特别限制，只要溶剂溶解电子传输性材料和/或聚合物粘合剂即可。溶剂的实例包括：
氯基溶剂，如氯仿、二氯甲烷和二氯乙烷；
醚基溶剂，如四氢呋喃；
芳族烃基溶剂，如甲苯和二甲苯；
酮基溶剂，如丙酮和甲基乙基酮；和
酯溶剂，如乙酸乙酯、乙酸丁酯和乙基-乙酸溶纤剂。
作为由溶液或熔融态形成膜的方法，可以使用涂布方法，如旋涂法、流延法、微型凹板涂布法、凹板涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法和喷墨法。
作为混合的聚合物粘合剂，优选使用不特别抑制电荷传递的聚合物粘合剂。而且，适合的是使用对可见光没有强烈吸收的聚合物粘合剂。聚合物粘合剂的实例包括：聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯和聚硅氧烷。
作为电子传输层的膜厚度，它的最佳值根据所用的材料变化。可以选择膜厚度使得驱动电压和发光效率适当地取值。然而，至少要求具有足够的膜厚度以不产生针孔。因为器件的驱动电压增加，不优选极厚的膜。因此，电子传输层的膜厚度是例如1nm至1μm、优选为2nm至500nm，并且还优选为5nm至200nm。
也可以使用根据本发明的组合物形成电子传输层。
作为在其上形成根据本发明的高分子LED的基板，可以使用任何基板，只要它在形成电极，然后形成有机材料层时不受影响即可。基板的实例包括由玻璃、塑料、聚合物膜和硅形成的基板。当使用不透明的基板时，相对的电极优选是透明或半透明的。
通常，由阳极和阴极组成的电极中的至少一个是透明或半透明的。阳极优选是透明或半透明的。作为用于阳极的材料，可以使用的有：例如导电金属氧化物膜和半透明的金属薄膜。其具体实例包括由下列材料制成的导电玻璃形成的膜(NESA)：例如氧化铟、氧化锌、氧化锡；和这些的复合材料，如氧化锡铟(ITO)、铟/锌/氧化物、金、铂、银和铜；并且优选ITO、铟/锌/氧化物和氧化锡。形成方法的实例包括真空沉积法、溅射法、离子电镀法和电镀法。而且，作为阳极，可以使用的有：有机导电膜如聚苯胺或其衍生物，或聚噻吩或其衍生物。考虑到透光性和电导率，阳极的膜厚度可以被适当地设定，并且为例如10nm至10μm，优选为20nm至1μm，并且还优选50nm至500nm。为了促进电荷的注入，可以将平均厚度为2nm并且由酞菁衍生物、导电聚合物或碳形成或由金属氧化物、金属氟化物或有机绝缘材料形成的层安置在阳极上。
作为用于根据本发明的高分子LED的阴极用材料，优选具有小的功函的材料。所用的材料的实例包括：
金属，如锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽和镱；
由它们中的至少两种形成的合金；
由它们中的至少一种与选自金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨和锡中的一种形成的合金；
石墨；以及石墨嵌入化合物。
合金的实例包括：
镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金和钙-铝合金。阴极可以具有由两层或更多层组成的层压结构。考虑到电导率和耐久性，阴极的膜厚度可以被适当地设置，并且是例如10nm至10μm，优选为20nm至1μm，并且还优选为50nm至500nm。
形成阴极的方法的实例包括真空沉积法、溅射法和其中通过热压粘合形成金属薄膜的层压法。而且，还可以将由导电聚合物形成的层、或由例如金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料形成并且平均膜厚度等于或小于2nm的层安置在阴极和有机层之间。备选地，在形成阴极后，可以涂覆用于保护高分子LED的保护层。为了长时间稳定地使用高分子LED，可以优选使用保护层和/或保护盖在外面保护器件。
作为保护层，可以使用的有：例如聚合物化合物、金属氧化物、金属氟化物和金属硼酸盐。而且，作为保护盖，可以使用的有：例如在其表面上使用降低渗水性的处理的玻璃片和塑料片。优选使用热塑性树脂或热固性树脂将盖与器件的基板紧密粘附，从而将它们密封的方法。通过使用隔体保持间隔，容易防止器件受损。如果将惰性气体如氮气或氩气引入所述空间中时，可以防止阴极的氧化。而且，如果在所述空间中放置干燥剂如氧化钡，则可以抑制在制造步骤中吸附的含湿量(moisture content)损害器件。优选使用所述方法中的至少一种。
根据本发明的高分子发光器件可以用作段式(segment type)显示器、点矩阵显示器和液晶显示器等的平面光源或背光。
为了通过使用根据本发明的高分子LED得到平面发光，将平面阳极和平面阴极放置成相互重叠。为了得到图案化发光，有：
将具有形成图案的窗口的掩模安置在平面发光器件的表面上的方法；
将用于不发光部分的有机材料形成得极厚以基本上不从该部分发光的方法；以及
形成阳极或阴极中的任一个或两个使其具有图案的方法。根据所述方法中的任何一种形成图案，并且将几个电极排列成独立开启/关闭。以这种方式，可以得到能够显示数值、字符和简单符号的段式显示器。而且，为了获得点矩阵显示器，可以将阳极和阴极以条状形式形成，并且排列成相互垂直交叉。通过分别使用多种发射颜色不同的聚合物荧光体的方法，或通过使用滤色镜或荧光转换滤光器的方法，可以得到分色显示器(Sectorcolor display)和多色显示器。可以无源驱动，并且可以通过与以与例如TFT组合的形式有源驱动点矩阵器件。这些显示器可以用作电脑、电视、便携式手提装置、移动电话、汽车导航、摄像机的取景器等的显示器。
而且，平面发光器件是薄膜自发光器件并且适合用作液晶显示器的背光的平面光源或平面照明光源。而且，如果使用柔性基板，则平面发光器件还可以用作曲面光源或显示器。
而且，本发明的溶液组合物可以用于制备激光染料层、用于有机太阳能电池的材料、用于有机晶体管的有机半导体，和用于导电薄膜的材料。
实施例
现在，将参考下列实施例更具体说明本发明，所述实施例将不被解释成限制本发明。
在此，对于数均分子量和重均分子量，使用凝胶渗透色谱法(GPC)(商品名：由SHIMADZU CORPORATION生产的LC-10Avp)测定相对于聚苯乙烯的Z平均分子量、数均分子量和重均分子量。将待测量的聚合物溶于四氢呋喃中使其浓度为约0.5重量％，并且将50μL这种溶液注入到GPC中。四氢呋喃用于GPC的流动相，并且以0.6mL/分钟的速率流动。对于柱子，将两根TSKgel SuperHM-H(商品名，由Tosoh Corporation生产)和一根TSKgelSuperH2000(商品名，由Tosoh Corporation生产)串联组合。对于检测器，使用差示折光检测器(商品名：由SHIMADZU CORPORATION生产的RID-10A)。
通过如下方法测量薄膜的剖面：将3mL组合物注入注射器中，用连接高精度针FN-002N(商品名，20μm孔径，由Musashi Engineering，Inc.生产)的注射器将组合物分配到玻璃基板上，将组合物在真空减压下、在常温下干燥10分钟，然后用干涉显微镜Micromap557N(商品名，由MicromapCorporation生产)测量干燥的薄膜的剖面。
(合成实施例1)
<聚合物1的合成>
在氮气气氛下，将195.37g下列化合物A、239.44g下列化合物B和232.89g 2，2’-联吡啶溶解于46.26kg无水四氢呋喃中。之后，将这种溶液加热至60℃，将410.15g双(1，5-环辛二烯)镍(0){Ni(COD)2}加入其中，从而进行5小时反应。在完成反应后，将这种反应溶液冷却至室温，滴加到8.52kg25％氨水/16.88kg甲醇/31.98kg离子交换水的混合溶液中，并且搅拌2小时。之后，将沉淀的物质过滤并且在减压下干燥。在干燥之后，将该物质溶于16.22kg甲苯中。在溶解之后，将830g Radiolight加入其中并且将不溶物质过滤。通过氧化铝柱子纯化如此获得的滤液。随后，将纯化的溶液加入到13.52kg离子交换水/2.04kg 25％氨水的混合物中，搅拌0.5小时，并且除去水层。而且，将13.52kg离子交换水加入到有机层中，搅拌0.5小时，并且除去水层。将得到的有机层的一部分在减压下浓缩，并且加入到34.18kg甲醇中，并且搅拌1小时。将得到的沉淀物质过滤并且在减压下干燥。得到的聚合物(以下称为聚合物1)的产量为234.54g。聚合物1相对于聚苯乙烯的数均分子量为Mn＝1.2×104。聚合物1相对于聚苯乙烯的重均分子量为Mw＝7.7×104。
[式44]
化合物A
[式45]
Figure S2006800173767D00672
化合物B
<组合物1的制备>
将0.10g聚合物1溶于3.0g苯乙醚和7.0g苯乙酮(沸点：202℃)的混合溶液中以制备组合物1。
制备实施例1
<组合物2的制备>
将0.10g聚合物1溶于3.0g苯甲醚和7.0g二甲苯(沸点：137至140℃)的混合溶液中以制备组合物2。
测量实施例1
<组合物2的粘度测量>
测量组合物2的粘度为1.1mPa·s。
实施例2
<薄膜的形成>
使用组合物1，通过上述方法形成薄膜。薄膜的剖面接近如图1中所示的平面。通过将最厚部分的膜厚度除以膜的中央部分的膜厚度获得的值为1.15。
比较例1
<薄膜的形成>
使用组合物2，通过上述方法形成薄膜。如图2中所示，薄膜的剖面是内凹的。通过将最厚部分的膜厚度除以膜的中央部分的膜厚度获得的值为2.38。
实施例3
<组合物3的制备>
将0.10g聚合物1溶于3.0g苯乙醚和7.0g双环己基(沸点：226至228℃)的混合溶液中以制备组合物3。
实施例4
<组合物3的粘度测量>
测量组合物3的粘度为3.0mPa·s。
实施例5
<组合物3的荧光特性的评价>
将组合物3旋涂在四分之一片上以形成聚合物薄膜。使用激发波长为350nm的荧光分光光度计(商品名：由JOB NYVON-SPEX生产的Fluorobog)测量薄膜的荧光光谱。
组合物3的荧光峰波长为457nm。
<组合物4的制备>
将0.10g聚合物1溶于3.0g苯乙醚和7.0g正十二烷(沸点：216℃)的混合溶液中以制备组合物4。
实施例7
<组合物5的制备>
将0.10g聚合物1溶于5.0g苯氧基苯酚和5.0g四氢化萘(沸点：207℃)的混合溶液中以制备组合物5。
实施例8
<组合物5的粘度测量>
测量组合物5的粘度为4.1mPa·s。
实施例9
<组合物6的制备>
将0.10g聚合物1溶于7.0g四氢化萘(沸点：207℃)和3.0g双环己基(沸点：226至228℃)的混合溶液中以制备组合物6。
实施例10
使用组合物6，通过上述方法形成薄膜。薄膜的剖面接近如图3中所示的平面。通过将最厚部分的膜厚度除以膜的中央部分的膜厚度获得的值为1.14。
实施例11
<组合物6的粘度测量>
测量组合物6的粘度为4.0mPa·s。
实施例12
<组合物7的制备>
将0.10g聚合物1溶于3.0g四氢化萘(沸点：207℃)和7.0g2-(1-环己烯基)环己酮(沸点：265℃)的混合溶液中以制备组合物7。
实施例13
<组合物7的粘度测量>
测量组合物7的粘度为8.8mPa·s。
实施例14
<组合物8的制备>
将0.10g聚合物1溶于3.0g苯甲酸甲酯(沸点：199℃)和7.0g双环己基(沸点：226至228℃)的混合溶液中以制备组合物8。
实施例15
<组合物8的粘度测量>
测量组合物8的粘度为3.6mPa·s。
实施例16
<组合物8的荧光特性的评价>
将组合物8旋涂在四分之一片上以形成聚合物薄膜。使用激发波长为350nm的荧光分光光度计(商品名：由JOBINYVON-SPEX生产的Fluorobog)测量薄膜的荧光光谱。
组合物8的荧光峰波长为464nm。

Claims (19)

1.一种组合物，其包含一种或多种芳族醚化合物、一种或多种沸点等于或高于200℃的化合物以及一种或多种在固态下传输电荷或发光的聚合物，其特征在于，所述沸点等于或高于200℃的化合物选自可以任选包含杂原子的脂族化合物、可以任选包含杂原子的脂环族化合物、包含两个以下取代基的芳族化合物和包含两个以下取代基的杂环化合物，并且所述沸点等于或高于200℃的化合物具有等于或低于25℃的熔点。
2.根据权利要求1所述的组合物，其包含基于所述组合物的总重量为10至60重量％的芳族醚化合物。
3.一种组合物，其包含两种以上除芳族醚化合物以外的沸点等于或高于100℃的有机化合物以及一种或多种在固态下传输电荷或发光的聚合物，其特征在于，所述有机化合物的至少一种选自可以任选包含杂原子的脂族化合物和可以任选包含杂原子的脂环族化合物，所述脂族化合物和脂环族化合物具有等于或高于200℃的沸点，并且其中选自沸点等于或高于200℃的所述脂族化合物和所述脂环族化合物中的所述有机化合物具有等于或低于25℃的熔点。
4.根据权利要求3所述的组合物，其中所述脂环族化合物包含碳6元环结构。
5.根据权利要求3或4所述的组合物，其以基于所述组合物的总重量等于或大于30重量％的量包含沸点等于或高于200℃的所述脂族化合物或所述脂环族化合物。
6.根据权利要求1至4中任何一项所述的组合物，其中所述聚合物具有相对于聚苯乙烯为1.0×103至1.0×107的重均分子量。
7.根据权利要求1至4中任何一项所述的组合物，其包含基于所述组合物的总重量为0.1至5.0重量％的所述聚合物。
8.根据权利要求1至4中任何一项所述的组合物，其具有1至20mPa·s的粘度。
9.一种薄膜，其特征在于，是使用根据权利要求1至8中任何一项所述的组合物形成的。
10.根据权利要求9所述的薄膜，其中通过将最厚部分的膜厚度除以所述膜的中央部分的膜厚度获得的值等于或小于1.50。
11.一种高分子发光器件，所述高分子发光器件至少包含在由阳极和阴极组成的电极之间的发光层，其特征在于，使用根据权利要求1至8中任何一项所述的组合物形成所述发光层，所述组合物包含一种或多种在固态下发光的聚合物。
12.一种高分子发光器件，所述高分子发光器件至少包含在由阳极和阴极组成的电极之间的发光层和空穴传输层，其特征在于，使用根据权利要求1至8中任何一项所述的组合物形成所述空穴传输层，所述组合物包含一种或多种传输电荷的聚合物。
13.一种高分子发光器件，所述高分子发光器件至少包含在由阳极和阴极组成的电极之间的发光层和电子传输层，其特征在于，使用根据权利要求1至8中任何一项所述的组合物形成所述电子传输层，所述组合物包含一种或多种传输电荷的聚合物。
14.一种用于形成根据权利要求11至13中任何一项所述的高分子发光器件的方法，其特征在于，使用印刷方法。
15.一种用于形成根据权利要求11至13中任何一项所述的高分子发光器件的方法，其特征在于，使用喷墨法。
16.一种平面光源，其特征在于，包含根据权利要求11至13中任何一项所述的高分子发光器件。
17.一种段式显示器，其特征在于，包含根据权利要求11至13中任何一项所述的高分子发光器件。
18.一种点矩阵显示器，其特征在于，包含根据权利要求11至13中任何一项所述的高分子发光器件。
19.一种液晶显示器，其特征在于，包含根据权利要求11至13中任何一项所述的高分子发光器件作为背光。
CN2006800173767A 2005-05-20 2006-05-18 聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件 Active CN101180370B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005148204 2005-05-20
JP148204/2005 2005-05-20
JP148205/2005 2005-05-20
JP2005148205 2005-05-20
PCT/JP2006/309935 WO2006123741A1 (ja) 2005-05-20 2006-05-18 重合体組成物及びそれを用いた高分子発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101180370A CN101180370A (zh) 2008-05-14
CN101180370B true CN101180370B (zh) 2011-12-07

Family

ID=37431313

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800173767A Active CN101180370B (zh) 2005-05-20 2006-05-18 聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9045613B2 (zh)
EP (3) EP2960299A1 (zh)
KR (1) KR101277916B1 (zh)
CN (1) CN101180370B (zh)
TW (1) TWI531603B (zh)
WO (1) WO2006123741A1 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2462410B (en) * 2008-07-21 2011-04-27 Cambridge Display Tech Ltd Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
GB2466842B (en) * 2009-01-12 2011-10-26 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
JP5186020B2 (ja) * 2010-07-13 2013-04-17 パナソニック株式会社 インクジェット用インク組成物およびそれを用いた有機薄膜の製造方法
GB2486202A (en) 2010-12-06 2012-06-13 Cambridge Display Tech Ltd Adhesion layer for solution-processed transition metal oxides on inert metal contacts of organic thin film transistors.
GB2486203A (en) 2010-12-06 2012-06-13 Cambridge Display Tech Ltd Transition metal oxide doped interface by deposition and drying of precursor
GB201110770D0 (en) 2011-06-24 2011-08-10 Cambridge Display Tech Ltd Process for controlling the acceptor strength of solution-processed transition metal oxides for OLED applications
US8906752B2 (en) 2011-09-16 2014-12-09 Kateeva, Inc. Polythiophene-containing ink compositions for inkjet printing
US9331295B2 (en) 2011-12-20 2016-05-03 Seiko Epson Corporation Film-forming ink, film-forming method, method of manufacturing light emitting element, light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus
KR101519701B1 (ko) * 2012-09-25 2015-05-12 현대자동차주식회사 에어컨에서 나는 지린 냄새의 검출 방법 및 지린 냄새 재현 방법과 이에 제조된 지린 냄새 조성물
JP6225413B2 (ja) * 2012-11-16 2017-11-08 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、インク容器、吐出装置、機能層の形成方法、有機ｅｌ素子の製造方法
KR101500074B1 (ko) * 2013-04-23 2015-03-06 현대자동차주식회사 에어컨에서 나는 물비린내의 검출 방법 및 물비린내 재현 방법과 이에 제조된 물비린내 조성물
TWI583746B (zh) * 2013-10-31 2017-05-21 凱特伊夫公司 用於噴墨印刷的含聚噻吩墨水組成物
JP6438041B2 (ja) * 2013-10-31 2018-12-12 カティーバ， インコーポレイテッド インクジェット印刷のためのポリチオフェン含有インク組成物
KR102247476B1 (ko) * 2014-11-20 2021-05-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광층 성막용 용매 및 이를 이용한 유기전계발광 소자
JP6638186B2 (ja) * 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
KR101886594B1 (ko) 2015-01-26 2018-08-07 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 조성물 및 그것을 사용한 발광 소자
JP6798482B2 (ja) * 2015-03-05 2020-12-09 住友化学株式会社 組成物およびそれを用いた発光素子
EP3323159B1 (en) * 2015-07-15 2023-01-04 Merck Patent GmbH Composition comprising organic semiconducting compounds
WO2017080307A1 (zh) * 2015-11-12 2017-05-18 广州华睿光电材料有限公司 用于印刷电子器件的组合物及其在电子器件中的应用
KR20180083889A (ko) * 2015-11-12 2018-07-23 광저우 차이나레이 옵토일렉트로닉 머티리얼즈 엘티디. 인쇄전자용 조성물 및 전자 장치에서 이의 용도
JP6645132B2 (ja) 2015-11-13 2020-02-12 セイコーエプソン株式会社 インク組成物
TW201815998A (zh) * 2016-06-28 2018-05-01 德商麥克專利有限公司 有機功能材料之調配物
US11248138B2 (en) 2016-11-23 2022-02-15 Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Printing ink formulations, preparation methods and uses thereof
CN114068826A (zh) * 2020-08-03 2022-02-18 湖南鼎一致远科技发展有限公司 一种空穴传输层和色带及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1347268A (zh) * 2000-09-25 2002-05-01 大日本印刷株式会社 电致发光元件的制造方法
EP1229063A2 (en) * 2001-02-05 2002-08-07 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymeric fluorescent substance production thereof and polymer light-emitting device

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0122906A3 (en) * 1983-04-11 1986-02-05 Monsanto Company Deep dyeing helically crimped conjugate yarn process
JPS6372665A (ja) 1986-09-12 1988-04-02 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料の製造方法
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JP2651237B2 (ja) 1989-02-10 1997-09-10 出光興産株式会社 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
US5830972A (en) 1995-04-10 1998-11-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Polysilane, its production process and starting materials therefor
EP1029352A1 (en) * 1997-11-13 2000-08-23 Bp Amoco Corporation Heat pipe thermal management apparatus
JP4058842B2 (ja) 1998-05-13 2008-03-12 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
JP2000044544A (ja) 1998-07-30 2000-02-15 Daicel Chem Ind Ltd ビピリミジン化合物及びその重合体とその利用法
JP2000086906A (ja) 1998-09-16 2000-03-28 Toray Ind Inc 熱硬化性樹脂溶液組成物、カラーフィルターおよび液晶表示装置
WO2000059267A1 (fr) 1999-03-29 2000-10-05 Seiko Epson Corporation Composition, procede de preparation d'un film, et element fonctionnel et son procede de preparation
JP2002038007A (ja) 2000-07-26 2002-02-06 Toray Ind Inc ポリイミド前駆体組成物
KR100382702B1 (ko) * 2000-09-18 2003-05-09 주식회사 엘지화학 유기실리케이트 중합체의 제조방법
JP4147778B2 (ja) 2001-02-05 2008-09-10 住友化学株式会社 高分子化合物、その製造方法および高分子発光素子
DE50207293D1 (de) 2001-03-10 2006-08-03 Merck Patent Gmbh Lösung und dispersionen organischer halbleiter
WO2002096970A1 (en) 2001-05-29 2002-12-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Polymer, method of its preparation, and electronic device
TW200300154A (en) * 2001-11-09 2003-05-16 Jsr Corp Light emitting polymer composition, and organic electroluminescene device and production process thereof
GB2399088B (en) * 2001-11-30 2005-07-13 Sumitomo Chemical Co Electroluminescent element
DE60216510T2 (de) * 2002-01-07 2007-09-13 Denki Kagaku Kogyo K.K. Elektrisch leitfähige harzzusammensetzung
JP2003229256A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置用インク組成物
WO2003074587A1 (fr) 2002-03-05 2003-09-12 Suzuka Fuji Xerox Co., Ltd. Solution de precurseur de polyimide, element de fixation/transfert, et procede de fabrication d'une ceinture sans couture en polyimide
JP2004002703A (ja) 2002-03-15 2004-01-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
JP3918617B2 (ja) 2002-04-16 2007-05-23 株式会社日立製作所 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP4239560B2 (ja) * 2002-08-02 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 組成物とこれを用いた有機導電性膜の製造方法
JP2004119351A (ja) * 2002-09-30 2004-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 有機ｅｌ塗布装置
JP2004179144A (ja) 2002-09-30 2004-06-24 Seiko Epson Corp 塗布液組成物および薄膜形成方法
JP2004186111A (ja) 2002-12-06 2004-07-02 Sony Corp 高分子有機ｅｌ材料組成物
US6916902B2 (en) 2002-12-19 2005-07-12 Dow Global Technologies Inc. Tricyclic arylamine containing polymers and electronic devices therefrom
JP2004204114A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Dainippon Printing Co Ltd インクジェット用インク組成物
US7037599B2 (en) * 2003-02-28 2006-05-02 Eastman Kodak Company Organic light emitting diodes for production of polarized light
US20040183434A1 (en) * 2003-03-21 2004-09-23 Yeh Yao Tsung Electroluminescent element with double-sided luminous surface and process for fabricating the same
US20050005285A1 (en) 2003-07-03 2005-01-06 General Electric Company Method of protecting light sensitive optical article
WO2005022900A2 (en) 2003-08-26 2005-03-10 Redshift Systems Corporation Infrared camera system
US20050146263A1 (en) 2003-09-25 2005-07-07 Kelly Stephen M. Lighting elements, devices and methods
JP4792738B2 (ja) 2003-12-12 2011-10-12 住友化学株式会社 高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子
TW200530373A (en) * 2003-12-12 2005-09-16 Sumitomo Chemical Co Polymer and light-emitting element using said polymer
JP4616596B2 (ja) 2004-08-27 2011-01-19 株式会社 日立ディスプレイズ 電子装置の製造方法
JP4148933B2 (ja) * 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 機能膜の製造方法、機能膜形成用塗液、機能素子、電子デバイス及び表示装置
KR101415586B1 (ko) * 2005-02-15 2014-08-06 파이오니아 가부시키가이샤 막형성용 조성물 및 유기 전계 발광 소자
WO2006113205A2 (en) * 2005-04-15 2006-10-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aryl-ethylene substituted aromatic compounds and their use as organic semiconductors
JP5148843B2 (ja) 2005-05-20 2013-02-20 住友化学株式会社 高沸点組成物及びそれを用いた高分子発光素子
JP5225557B2 (ja) 2005-05-20 2013-07-03 住友化学株式会社 芳香族エーテル化合物含有組成物及びそれを用いた高分子発光素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1347268A (zh) * 2000-09-25 2002-05-01 大日本印刷株式会社 电致发光元件的制造方法
EP1229063A2 (en) * 2001-02-05 2002-08-07 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymeric fluorescent substance production thereof and polymer light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
TW200641098A (en) 2006-12-01
EP1894976A1 (en) 2008-03-05
EP2960299A1 (en) 2015-12-30
EP2236561A1 (en) 2010-10-06
US20090103284A1 (en) 2009-04-23
KR20080007617A (ko) 2008-01-22
WO2006123741A1 (ja) 2006-11-23
KR101277916B1 (ko) 2013-06-21
CN101180370A (zh) 2008-05-14
US9045613B2 (en) 2015-06-02
US20150228901A1 (en) 2015-08-13
EP1894976B1 (en) 2015-09-30
TWI531603B (zh) 2016-05-01
EP2236561B1 (en) 2013-07-03
EP1894976A4 (en) 2009-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101180370B (zh) 聚合物组合物和使用该聚合物组合物的高分子发光器件
CN101184789B (zh) 高分子化合物及使用了它的高分子发光元件
CN101111531B (zh) 高分子材料以及使用该高分子材料的元件
CN101516960B (zh) 高分子化合物及使用其的高分子发光元件
CN101128507B (zh) 高分子化合物及使用该高分子化合物的元件
TWI564320B (zh) 高分子化合物及組成物，與使用該高分子化合物及組成物之發光元件
CN102056960A (zh) 共聚物及使用了其的高分子发光元件
CN101516963B (zh) 高分子化合物和高分子发光元件
CN103959498B (zh) 有机电子材料、油墨组合物以及有机电子元件
CN101600752B (zh) 高分子发光元件、高分子化合物、组合物、液态组合物及导电性薄膜
CN101203539B (zh) 高分子材料和高分子发光元件
CN101040008B (zh) 溶液组合物及高分子发光元件
CN102131842A (zh) 高分子化合物以及利用其的高分子发光元件
CN101321801A (zh) 共聚物和使用该共聚物的高分子发光元件
CN102015820A (zh) 具有含氮杂环化合物的残基的高分子化合物
CN101595155B (zh) 嵌段共聚物及高分子发光元件
CN102149742A (zh) 高分子化合物及使用该高分子化合物的发光元件
CN101821313A (zh) 高分子化合物及使用有该高分子化合物的高分子发光元件
CN102149743A (zh) 包含1,3-二烯结构的化合物及其制造方法
CN101511904A (zh) 高分子化合物及高分子发光元件
CN105899523A (zh) 金属络合物和使用该金属络合物的发光元件
CN102292375A (zh) 高分子化合物和使用其的发光元件
CN101124259A (zh) 高分子化合物以及使用该高分子化合物的高分子发光元件
CN101233191A (zh) 高分子材料以及使用其的元件
CN101646709A (zh) 嵌段共聚物以及使用该共聚物的组合物、液体状组合物、发光性薄膜及高分子发光元件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant