CN102149742A

CN102149742A - 高分子化合物及使用该高分子化合物的发光元件

Info

Publication number: CN102149742A
Application number: CN2009801356947A
Authority: CN
Inventors: 中谷智也; 川口惠子
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2008-07-29
Filing date: 2009-07-29
Publication date: 2011-08-10
Anticipated expiration: 2029-07-29
Also published as: EP2308910B1; KR101624371B1; CN102149742B; JP5625271B2; US8993124B2; US20110127516A1; JP2010215886A; WO2010013723A1; KR20110043717A; EP2308910A1; EP2308910A4

Abstract

本发明的高分子化合物包含下述式(I)所示的重复单元及下述式(II)所示的重复单元。

(式(I)中，Ar¹表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺。J¹及J²分别独立地表示直接键合、亚烷基或亚苯基，X¹表示氧原子或硫原子。i为0～3的整数，j为0或1，m为1或2。R¹表示氢原子、烷基、烷氧基等。)

(式(II)中，Ar²表示芴-二基。J³及J⁴分别独立地表示直接键合、亚烷基或亚苯基，X²表示氧原子或硫原子。k为0～3的整数，l为0或1，n为1或2)。

Description

高分子化合物及使用该高分子化合物的发光元件

技术领域

本发明涉及高分子化合物(特别是芴系高分子化合物)及使用该高分子化合物的发光元件。

背景技术

由于高分子量的发光材料或电荷输送材料作为发光元件的有机层中使用的材料等是有用的，因此进行了各种研究。其中，为了制作层叠型发光元件，提出了仅具有苯并环丁烯残基作为交联基且通过分子内·分子间交联能够使上述有机层固化的高分子化合物(专利文献1及2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2005/035221号小册子

专利文献2：特开2008-106241号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，上述高分子化合物的固化性不充分。

因此，本发明的目的在于提供显示充分的固化性的高分子化合物。

用于解决问题的手段

本发明之一提供包含下述式(I)所示的重复单元及下述式(II)所示的重复单元的高分子化合物。

【化1】

(式(I)中，Ar¹表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺。J¹及J²分别独立地表示直接键合、亚烷基或亚苯基，X¹表示氧原子或硫原子。i为0～3的整数，j为0或1，m为1或2。R¹表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。存在多个的R¹可以相同也可以不同。在J¹、J²、X¹、i及j存在多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。)

【化2】

(式(II)中，Ar²表示芴-二基。J³及J⁴分别独立地表示直接键合、亚烷基或亚苯基，X²表示氧原子或硫原子。k为0～3的整数，l为0或1，n为1或2。在J³、J⁴、X²、k及l存在多个的情况下，它们各自可以相同也可以不同。)

本发明之二提供包含上述高分子化合物的组合物。

本发明之三提供包含上述高分子化合物和溶剂的液态组合物。

本发明之四提供包含上述高分子化合物的薄膜及使上述高分子化合物交联得到的薄膜。

本发明之五提供具有由阳极及阴极构成的电极、和设置在该电极间且包含上述高分子化合物的发光层及/或设置在该电极间且包含上述高分子化合物的电荷输送层的发光元件；以及具有由阳极及阴极构成的电极、和设置在该电极间且使上述高分子化合物交联得到的发光层及/或设置在该电极间且使上述高分子化合物交联得到的电荷输送层的发光元件。

本发明之六提供具备上述发光元件的面状光源及显示装置。

本发明之七提供使用上述高分子化合物得到的有机晶体管及有机光电转换元件。

本发明之八提供下述式(XII)所示的化合物。

【化3】

(式中，X表示卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸残基或硼酸酯残基，o为4～10的整数。存在2个的o可以相同也可以不同。存在2个的X可以相同也可以不同。)

本发明之九提供包括在碱中使下述式(XIII)所示的化合物和下述式(XIV)所示的化合物反应的工序的、上述式(XII)所示的化合物的制造方法。

【化4】

(式中，Y表示卤素原子，o具有与上述相同的含义。)

【化5】

(式中，X具有与上述相同的含义。)

本发明之十提供下述式(XV)所示的化合物。

【化6】

(式中，z表示1～10的整数。X及R¹具有与所述相同的含义。)

本发明之十一提供包括在碱中使下述式(XVI)所示的化合物反应的工序的、下述式(XV)所示的化合物的制造方法。

【化7】

(式中，X、R¹及z具有与上述相同的含义。)

【化8】

(式中，z表示1～10的整数。X及R¹具有与所述相同的含义。)

发明的效果

本发明的高分子化合物是显示出色的固化性(例如，热固化性)的高分子化合物。另外，在优选的实施方式中，本发明的化合物是还显示出色的寿命的高分子化合物。

具体实施方式

本发明的高分子化合物是包含上述式(I)所示的重复单元及上述式(II)所示的重复单元的高分子化合物。上述式(I)所示的重复单元、上述式(II)所示的重复单元，各自可以仅包含一种也可以包含两种以上。

<高分子化合物>

本发明的化合物是包含上述式(I)及化合物(II)所示的重复单元的高分子化合物，但从固化性的观点考虑，可以具有2种以上的上述式(I)所示的重复单元，也可以具有2种以上的上述式(II)所示的重复单元。

-式(I)所示的重复单元-

上述式(I)中，作为Ar¹，从耐久性的观点考虑，优选亚芳基，从电荷输送性的观点考虑，优选2价杂环基，从空穴输送的观点考虑，优选2价芳香族胺。

上述式(I)中，Ar¹所示的亚芳基是从芳香族烃除去两个氢原子后得到的原子团，也包括具有稠环的基、2个以上独立的苯环或稠环直接或借助亚乙烯基等基团键合而成的基。上述亚芳基也可以具有取代基。作为上述取代基，可以举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基，从所得到的化合物的溶解性、荧光特性、容易进行合成、作成元件时的特性等观点考虑，优选烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、卤素原子及氰基。

Ar¹所示的亚芳基中，除去取代基后得到的部分的碳原子数通常为6～60，优选为6～20，包含取代基的总碳原子数通常为6～100。

作为Ar¹所示的亚芳基，例如可以举出亚苯基(下式1～3)、萘二基(下式4～13)、蒽-二基(下式14～19)、联苯-二基(下式20～25)、联三苯-二基(下式26～28)、稠环化合物基(下式29～35)、芴-二基(下式36～38)、苯并芴-二基(下式39～46)等，从耐久性的观点考虑，优选亚苯基、萘二基、蒽-二基、联苯-二基、芴-二基、苯并芴-二基，更优选萘二基、蒽-二基、联苯-二基、芴-二基、苯并芴-二基，进一步优选萘二基、蒽-二基、芴-二基、苯并芴-二基，特别优选芴-二基、苯并芴-二基，最优选芴-二基。另外，作为Ar¹所示的亚芳基，从容易合成所得到的化合物的观点考虑，优选亚苯基、芴-二基，更优选对亚苯基、间亚苯基、2，7-芴-二基，特别优选对亚苯基、2，7-芴-二基。需要说明的是，以下基团也可以具有取代基。

【化9】

【化10】

【化11】

作为上述取代基的烷基可以是直链、支化、环状的任一种，也可以具有取代基。上述烷基的碳原子数通常为1～20，例如为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。

作为上述取代基的烷氧基可以是直链、支化、环状的任一种，也可以具有取代基。上述烷氧基的碳原子数通常为1～20，例如为甲氧基、乙氧基、丙基氧基、异丙基氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊基氧基、己基氧基、环己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、3，7-二甲基辛基氧基、月桂基氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基氧基、全氟辛基氧基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基等。

作为上述取代基的烷硫基可以是直链、支化或环状的任一种，也可以具有取代基。碳原子数通常为1～20左右，具体而言，可以例示甲基硫基、乙基硫基、丙基硫基、异丙基硫基、丁基硫基、异丁基硫基、叔丁基硫基、戊基硫基、己基硫基、环己基硫基、庚基硫基、辛基硫基、2-乙基己基硫基、壬基硫基、癸基硫基、3，7-二甲基辛基硫基、月桂基硫基、三氟甲基硫基等。

作为上述取代基的芳基是从芳香族烃除去一个氢原子后得到的原子团，包括具有稠环的基团、2个以上独立的苯环或稠环直接或借助亚乙烯基等基团键合而成的基团。上述芳基的碳原子数通常为6～60，优选为7～48，例如为苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(“C₁～C₁₂烷氧基”表示烷氧基部分的碳原子数为1～12。以下相同。)、C₁～C₁₂烷基苯基(“C₁～C₁₂烷基”表示烷基部分的碳原子数为1～12。以下相同)、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基。

作为C₁～C₁₂烷氧基苯基，可以举出甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙基氧基苯基、异丙基氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、戊基氧基苯基、己基氧基苯基、环己基氧基苯基、庚基氧基苯基、辛基氧基苯基、2-乙基己基氧基苯基、壬基氧基苯基、癸基氧基苯基、3，7-二甲基辛基氧基苯基、月桂基氧基苯基等。

作为C₁～C₁₂烷基苯基，可以举出甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、

基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。

作为上述取代基的芳氧基的碳原子数通常为6～60，优选为7～48。作为上述芳氧基，可以举出苯氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基、1-萘基氧基、2-萘基氧基、五氟苯基氧基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基。

作为C₁～C₁₂烷氧基苯氧基，可以举出甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、丙基氧基苯氧基、异丙基氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、异丁氧基苯氧基、叔丁氧基苯氧基、戊基氧基苯氧基、己基氧基苯氧基、环己基氧基苯氧基、庚基氧基苯氧基、辛基氧基苯氧基、2-乙基己基氧基苯氧基、壬基氧基苯氧基、癸基氧基苯氧基、3，7-二甲基辛基氧基苯氧基、月桂基氧基苯氧基等。

作为C₁～C₁₂烷基苯氧基，可以举出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。

作为上述取代基的芳硫基可以在芳香环上具有取代基，碳原子数通常为3～60左右，具体而言，可以例示苯基硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯基硫基、C₁～C₁₂烷基苯基硫基、1-萘基硫基、2-萘基硫基、五氟苯基硫基等。

作为上述取代基的芳烷基可以具有取代基，碳原子数通常为7～60左右，具体而言，可以例示苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基等。

作为上述取代基的芳基烷氧基可以具有取代基，碳原子数通常为7～60左右，具体而言，可以例示苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷氧基等。

作为上述取代基的芳基烷硫基可以具有取代基，碳原子数通常为7～60左右，具体而言，可以例示苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、1-萘基-C₁～C₁₂烷硫基、2-萘基-C₁～C₁₂烷硫基等。

作为上述取代基的芳基烯基的碳原子数通常为8～60左右，作为其具体例，可以例示苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基、1-萘基-C₂～C₁₂烯基、2-萘基-C₂～C₁₂烯基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基。

作为上述取代基的芳基炔基的碳原子数通常为8～60左右，作为其具体例，可以例示苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基、1-萘基-C₂～C₁₂炔基、2-萘基-C₂～C₁₂炔基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基。

作为上述取代基的取代氨基，可以举出被选自烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基中的1个或2个基团取代的氨基，该烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基也可以具有取代基。取代氨基的碳原子数在不包含该取代基的碳原子数的情况下通常为1～60左右，优选碳原子数为2～48。

具体而言，可以例示甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、仲丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、月桂基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、双三氟甲基氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基、苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基等。

作为上述取代基的取代甲硅烷基，可以举出被选自烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基中的1个、2个或3个基团取代的甲硅烷基。取代甲硅烷基的碳原子数通常为1～60左右，优选碳原子数为3～48。需要说明的是，该烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基也可以具有取代基。

具体而言，可以例示三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三-异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。

作为上述取代基的卤素原子，可以例示氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。

作为上述取代基的酰基的碳原子数通常为2～20左右，优选碳原子数为2～18，作为其具体例，可以例示乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、三甲基乙酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基等。

作为上述取代基的酰氧基的碳原子数通常为2～20左右，优选碳原子数为2～18，作为其具体例，可以例示乙酰氧基、丙酰基氧基、丁酰基氧基、异丁酰基氧基、三甲基乙酰基氧基、苯甲酰基氧基、三氟乙酰基氧基、五氟苯甲酰基氧基等。

作为上述取代基的亚胺残基，可以举出从亚胺化合物(是指分子内具有-N＝C-的有机化合物。作为其例，可以举出醛亚胺、酮亚胺及它们的N上的氢原子被烷基等取代的化合物)除去一个氢原子后得到的残基，通常碳原子数为2～20左右，优选碳原子数为2～18。具体而言，可以例示以下结构式所示的基团等。

【化12】

作为上述取代基的氨基甲酰基的碳原子数通常为2～20左右，优选碳原子数为2～18，作为其具体例，例如可以举出甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、双三氟乙酰胺基、双五氟苯甲酰胺基。

作为上述取代基的酸酰亚胺基，可以举出从酸酰亚胺除去与其氮原子键合的氢原子后得到的残基，碳原子数为4～20左右，具体而言，可以例示以下所示的基团等。

【化13】

作为上述取代基的1价杂环基是指从杂环化合物除去1个氢原子后残留的原子团，碳原子数通常为4～60左右，优选为4～20。1价杂环基中，优选1价芳香族杂环基。需要说明的是，杂环基的碳原子数中不包含取代基的碳原子数。在此，杂环化合物是指：在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅包括碳原子而且还包括氧、硫、氮、磷、硼等杂原子的化合物。具体而言，可以例示噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，优选噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基。

作为上述取代基的取代羧基是指被烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基取代的羧基，碳原子数通常为2～60左右，优选碳原子数为2～48，作为其具体例，可以举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊基氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、庚基氧基羰基、辛基氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬基氧基羰基、癸氧基羰基、3，7-二甲基辛基氧基羰基、十二烷基氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己基氧基羰基、全氟辛基氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶基氧基羰基等。需要说明的是，该烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基也可以具有取代基。上述取代羧基的碳原子数中不包含该取代基的碳原子数。

上述式(I)中，Ar¹所示的2价杂环基是指从杂环式化合物除去2个氢原子后残留的原子团。上述2价杂环基也可以具有取代基。

上述杂环式化合物是指：在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅包括碳原子而且还包括氧、硫、氮、磷、硼、砷等杂原子的化合物。作为2价杂环基，优选2价芳香族杂环基。作为上述取代基，可以举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基，从所得到的高分子化合物的溶解性、荧光特性、容易进行合成、作成元件时的特性等观点考虑，优选烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、卤素原子及氰基。这些基团、原子具有与上述的基团、原子相同的含义。

Ar¹所示的2价杂环基中，除去取代基后得到的部分的碳原子数通常为3～60，包含取代基的总碳原子数通常为3～100。

作为Ar¹所示的2价杂环基，例如可以举出以下基团。需要说明的是，以下基团也可以具有取代基。

含有氮原子作为杂原子的2价杂环基：吡啶-二基(下式101～104)、亚二氮杂苯基(下式105～108)、三嗪-二基(下式109)、喹啉-二基(下式110～114)、喹喔啉-二基(下式115～119)、吖啶二基(下式120～123)、联吡啶-二基(下式124～126)、菲咯啉二基(下式127～128)。

含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等作为杂原子且具有芴结构的基团(下式129～136)。

含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等作为杂原子的5元杂环基(下式137～140)。

含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等作为杂原子的5元杂环稠环基(下式141～158)。

在含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等作为杂原子的5元杂环基的杂原子的α位键合并形成二聚体或寡聚物的基团(下式159～160)。

在含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等作为杂原子的5元杂环基的杂原子的α位键合有苯基的基团(下式161～166)。

在含有氧原子、硫原子、氮原子等作为杂原子的5元杂环稠环基上取代有苯基或呋喃基、噻吩基的基团(下式167～172)。

含有氧原子、氮原子等作为杂原子的6元杂环基(下式173～176)。

【化14】

【化15】

【化16】

【化17】

【化18】

作为Ar¹所示的2价杂环基，从电荷输送性的观点考虑，优选下述式(I)-X所示的2价基团。

【化19】

(式中，Y表示氧原子、硫原子、-N(R^a)-、-O-C(R^b)(R^c)-或-Si(R^d)(R^e)-。R^a、R^b、R^c、R^d及R^e分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基。该式可以具有取代基。)

在上述式(I)-X具有取代基的情况下，作为该取代基，可以举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基，从所得到的高分子化合物的溶解性、荧光特性、容易进行合成、作成元件时的特性等观点考虑，优选烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、卤素原子及氰基。这些基团具有与上述相同的含义。

上述式(I)-X中，从容易合成本发明的化合物的观点考虑，Y优选为氧原子、硫原子、-N(R^a)-，更优选为氧原子、-N(R^a)-。

从得到高的电荷输送性的观点考虑，上述式(I)-X所示的2价基团优选为下述式(I)-Y或下述式(I)-Z所示的2价基团。

【化20】

(式中，Y¹表示氧原子、硫原子、-N(R^a)-、-O-C(R^b)(R^c)-或-Si(R^d)(R^e)-。该式可以具有取代基。)

【化21】

在上述式(I)-Y及(I)-Z具有取代基的情况下，作为该取代基，可以举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基，从所得到的高分子化合物的溶解性、荧光特性、容易进行合成、作成元件时的特性等观点考虑，优选烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、卤素原子及氰基。这些基团具有与上述相同的含义。

上述式(I)-Y中，从容易合成本发明的化合物的观点考虑，Y¹优选为氧原子、硫原子、-N(R^a)-，更优选为氧原子、-N(R^a)-，特别优选为氧原子。

上述式(I)-Z中，从容易合成本发明的化合物的观点考虑，Y²优选为氧原子、硫原子、-N(R^a)-，更优选为硫原子、-N(R^a)-，特别优选为-N(R^a)-。

Ar¹所示的2价芳香族胺基是指从芳香族胺除去2个氢原子后残留的原子团，其碳原子数通常为5～100，优选为15～60。上述2价芳香族胺基可以具有取代基。需要说明的是，芳香族胺的碳原子数中不包含取代基的碳原子数。作为上述取代基，可以举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基，从所得到的高分子化合物的溶解性、荧光特性、容易进行合成、作成元件时的特性等观点考虑，优选烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、卤素原子及氰基。这些基团、原子具有与上述基团、原子相同的含义。

作为Ar¹所示的2价芳香族胺基，可以举出以下式201～210所示的2价基团。需要说明的是，以下基团可以具有取代基。

【化22】

作为Ar¹所示的2价芳香族胺基，从空穴输送性的观点考虑，优选为下述式(I)-V所示的2价基团或下述式(I)-W所示的2价基团。

【化23】

(式中，R^V表示氢原子、烷基、烷氧基或取代氨基。存在5个的R^V可以相同也可以不同。)

【化24】

(式中，R^W表示氢原子、烷基、烷氧基或取代氨基。存在10个的R^W可以相同也可以不同。)

上述式(I)-V及(I)-W中，R^V及R^W所示的烷基、烷氧基及取代氨基具有与上述相同的含义。

上述式(I)中，J¹及J²所示的亚烷基可以是直链也可以是支链。例如为亚甲基、1，2-亚乙基、1，3-亚丙基、1，3-亚丁基、1，4-亚丁基、1，3-亚戊基、1，4-亚戊基、1，5-亚戊基、1，4-亚己基、1，6-亚己基、1，7-亚庚基、1，6-亚辛基或1，8-亚辛基等。

上述式(I)中，J¹及J²所示的亚苯基可以具有取代基，例如为邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基等。作为可以具有上述亚苯基的取代基，可以举出烷基、烷氧基、卤素原子、氰基。需要说明的是，作为取代基的烷基、烷氧基、卤素原子具有与上述相同的含义。

上述式(I)中，从容易合成原料化合物的观点考虑，J¹优选为直接键合或亚苯基。

上述式(I)中，从容易合成原料化合物的观点考虑，J²优选为直接键合或亚烷基。

上述式(I)中，X¹表示氧原子或硫原子，从容易合成原料化合物的观点考虑，优选为氧原子。

上述式(I)中，R¹表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，但从高分子化合物的固化性的观点考虑，优选为氢原子、烷基、烷氧基或卤素原子，更优选为氢原子、烷基、卤素原子，进一步优选为氢原子、烷基，特别优选为氢原子。这些基团具有与上述相同的含义。

上述式(I)中，m为1或2，但从容易合成作为原料的单体的观点考虑，优选为2。

上述式(I)中，i为0～3的整数，但从容易合成作为原料的单体的观点考虑，优选为0～1，特别优选为0。

上述式(I)中，j为0或1，但从容易合成作为原料的单体的观点考虑，优选为0。

作为上述式(I)所示的重复单元，可以举出下述式(I-1)～(I-38)所示的重复单元。

【化25】

【化26】

【化27】

【化28】

【化29】

【化30】

【化31】

【化32】

【化33】

【化34】

【化35】

从高分子化合物的电荷输送性的观点考虑，上述式(I)所示的重复单元优选为下述式(III)所示的重复单元。

【化36】

(式中，J²、R¹及m具有与上述相同的含义。R²表示烷基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基。)

上述式(III)中，R²所示的烷基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基具有与上述相同的含义。

-式(II)所示的重复单元-

上述式(II)中，Ar²所示的芴-二基是指由芴骨架具有2个结合手的2价基团。作为芴-二基，可以举出下述式(Ar²-1)～(Ar²-6)所示的基团。

【化37】

上述式(Ar²-1)～(Ar²-6)所示的基团，除上述式(IIa)所示的基团之外，可以具有取代基。作为该取代基，可以举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基，从高分子化合物在溶剂中的溶解性、耐久性的观点考虑，优选为烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基、卤素原子或氰基，进一步优选为烷基、芳基或芳烷基。

上述式(II)中，J³表示直接键合、亚烷基或亚苯基，但从容易得到原料化合物的观点考虑，优选为亚苯基。J³所示的亚烷基、亚苯基具有与上述相同的含义。

上述式(II)中，J⁴表示直接键合、亚烷基或亚苯基，但从高分子化合物的固化性的观点考虑，优选为直接键合、亚烷基，更优选为亚烷基，特别优选为直链的亚烷基。J⁴所示的亚烷基、亚苯基具有与上述相同的含义。

上述式(I)中，k为0～3的整数，但从容易合成作为原料的单体的观点考虑，优选为0～1，特别优选为0。

上述式(I)中，l为0或1，但从容易合成作为原料的单体的观点考虑，优选为0。

上述式(II)中，n为1或2，但从容易合成作为原料的单体的观点考虑，优选为2。

作为上述式(II)所示的重复单元，可以举出下述式(II-1)～(II-8)所示的重复单元。

【化38】

从高分子化合物的电荷输送性的观点考虑，上述式(II)所示的重复单元优选为下述式(IV)所示的重复单元。

【化39】

(式中，J⁴及n具有与上述相同的含义。R³表示烷基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基。)

上述式(IV)中，R³所示的烷基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基具有与上述相同的含义。

-重复单元的比例-

本发明的高分子化合物中，从元件的稳定性的观点考虑，相对于构成该高分子化合物的总重复单元，上述式(I)所示的重复单元的摩尔比的上限通常为0.5，优选为0.3，特别优选为0.2，从交联性的观点考虑，摩尔比的下限通常为0.01，优选为0.02，进一步优选为0.03，特别优选为0.05。

本发明的高分子化合物中，从元件的稳定性的观点考虑，相对于构成该高分子化合物的总重复单元，上述式(II)所示的重复单元的摩尔比的上限通常为0.5，优选为0.3，进一步优选为0.2，特别优选为0.1，从交联性的观点考虑，摩尔比的下限通常为0.01，优选为0.02，特别优选为0.03。

本发明的高分子化合物中，对于上述式(I)所示的重复单元和上述式(II)所示的重复单元的比例(摩尔比)而言，相对于上述式(II)所示的重复单元1摩尔，上述式(I)所示的重复单元通常为1～30摩尔，优选为1～20摩尔，更优选为1～10摩尔，进一步优选为1～5摩尔，特别优选为1～4摩尔。

-其他重复单元-

从高分子化合物的交联性的观点考虑，本发明的高分子化合物除上述式(I)及(II)所示的重复单元之外，还可以具有包含交联基的重复单元。

交联基是指对于热或光等刺激发生交联反应的取代基。

作为交联基，可以举出环氧乙烷基(oxiranyl group)、氧杂环丁烷基、肉桂酰基、二烯亲和物基、炔基等。

从高分子化合物的电荷输送性的观点考虑，本发明的高分子化合物优选除上述式(I)所示的重复单元、上述式(II)所示的重复单元之外，具有下述式(A)所示的重复单元。

【化40】

(式中，R⁴表示烷基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基。存在2个的R⁴可以相同也可以不同。)

上述式(A)中，R⁴所示的烷基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基具有与上述相同的含义。

从高分子化合物的空穴输送性的观点考虑，本发明的高分子化合物优选除上述式(I)所示的重复单元、上述式(II)所示的重复单元之外，具有选自下述式(B)所示的重复单元及下述式(C)所示的重复单元中的1种以上的重复单元。

【化41】

(式(B)中，Ar³、Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶分别独立地表示亚芳基或2价杂环基，Ar⁷、Ar⁸及Ar⁹分别独立地表示芳基或1价杂环基，α及β分别独立地表示0或1。Ar³、Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶、Ar⁷、Ar⁸及Ar⁹可以具有取代基。)

【化42】

(式(C)中，P环及Q环分别独立地表示芳香族烃环，X³表示单键、氧原子及硫原子，R¹⁰⁰表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。)

上述式(B)中，亚芳基、2价杂环基、芳基及1价杂环基具有与上述相同的含义。

作为Ar³、Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶、Ar⁷、Ar⁸及Ar⁹可以具有的取代基，可以举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基。

烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基具有与上述相同的含义。

上述式(C)中，芳香族烃环是指从上述亚芳基除去2个结合手得到的芳香族烃环。

上述式(C)中，烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基具有与上述相同的含义。

从空穴输送性的观点考虑，上述式(B)所示的重复单元优选为下述式(B)-1或(B)-2所示的重复单元。

【化43】

(式中，R⁵表示氢原子、烷基或烷氧基。存在3个的R⁵可以相同也可以不同。)

【化44】

(式中，R⁶表示氢原子、烷基或烷氧基。存在6个的R⁶可以相同也可以不同。)

上述式(B)-1中，R⁵所示的烷基、烷氧基具有与上述相同的含义。

上述式(B)-2中，R⁶所示的烷基、烷氧基具有与上述相同的含义。

从空穴输送性的观点考虑，上述式(C)所示的重复单元优选为下述式(C)-1所示的重复单元。

【化45】

(式中，R⁷表示烷基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基。)

上述式(C)-1中，R⁷所示的烷基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基具有与上述相同的含义。

从发光効率的观点考虑，本发明的高分子化合物优选除上述式(A)所示的重复单元之外，包含上述式(B)、(C)所示的重复单元的至少一种。

进而，从高分子化合物的电荷输送性的观点考虑，本发明的高分子化合物除上述式(A)～(C)所示的至少一种重复单元、上述式(I)所示的重复单元及上述式(II)所示的重复单元之外，可以具有下述式(E)～(H)所示的重复单元。

【化46】

(式中，R⁸表示烷基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基。存在2个的R⁸可以相同也可以不同。)

【化47】

(式中，R⁹表示烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基，q为0～4的整数。在R⁹存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同。)

【化48】

(式中，R¹⁰表示烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基，Z表示氧原子或硫原子，r为0～3的整数。在R¹⁰存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同。)

【化49】

(式中，R¹¹表示烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基，s为0～2的整数。在R¹¹存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同。)

上述式(E)中，R⁸所示的烷基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基具有与上述相同的含义。

上述式(F)中，R⁹所示的烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基具有与上述相同的含义。

上述式(G)中，R¹⁰所示的烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基具有与上述相同的含义。

上述式(H)中，R¹¹所示的烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、芳基烷氧基具有与上述相同的含义。

-高分子化合物的具体例-

作为本发明的高分子化合物的具体例，可以举出以下式所示的高分子化合物。需要说明的是，式中、w、x、y、z表示各重复单元的组成比。

【化50】

【化51】

【化52】

【化53】

【化54】

【化55】

【化56】

从在发光元件的制作中使用时的该发光元件的寿命特性的观点考虑，本发明的高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量优选为1×10³～1×10⁸，更优选为1×10³～1×10⁷，特别优选为1×10⁴～1×10⁷。

在本说明书中，对于数均分子量及重均分子量而言，利用尺寸排阻色谱(SEC)(岛津制作所制造，商品名：LC-10Avp)，求得了聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量。将SEC中流动相为有机溶剂的凝胶浸透色谱称为凝胶渗透色谱(GPC)。对于所测定的聚合物而言，使其以约0.5重量％的浓度溶解于四氢呋喃中，向GPC中注入了30μL。GPC的流动相使用四氢呋喃，以0.6mL/分的流速使其流动。对于色谱柱而言，串联连接了两根TSKgel SuperHM-H(TOSOH制造)和一根TSKgel SuperH2000(TOSOH制造)。检测器使用了差示折射率检测器(岛津制作所制造，商品名：RID-10A)。测定是在40℃下进行的。

另外，本发明的高分子化合物可以是交替共聚物、无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物的任一种，也可以是具有它们的中间结构的高分子化合物，例如，带嵌段性的无规共聚物。从荧光或磷光的量子收率的观点考虑，本发明的高分子化合物优选与完全的无规共聚物相比带嵌段性的无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物。本发明的高分子化合物还包括主链有分枝且末端部为3个以上的情况或树枝状聚合物。

对于本发明的高分子化合物的末端基而言，由于若聚合活性基直接残留，则在发光元件的制作中使用时有时所得发光元件的发光特性或寿命降低，因此可以被稳定的基团保护。作为上述末端基，优选具有与主链的共轭结构连接的共轭键的基团，例如可以举出经由碳-碳键与芳基或1价杂环基键合的基团，还可以举出特开平9-45478号公报的化10中记载的取代基等。

<高分子化合物的制造方法>

接着，对本发明的高分子化合物的制造方法进行说明。

本发明的高分子化合物可以用任意方法制造，例如可以通过使式：Y¹-A¹-Y²所示的化合物和式：Y³-A²-Y⁴所示的化合物缩聚来制造。需要说明的是，上述式中，A¹表示上述式(I)所示的重复单元，A²表示上述式(II)所示的重复单元。另外，上述式中，Y¹、Y²、Y³及Y⁴分别独立地表示聚合反应性基团。

另外，在本发明的高分子化合物具有所述式(A)～(H)所示的重复单元的情况下，可以通过还使对应于该重复单元的式：Y⁵-A³-Y⁶所示的化合物缩聚来制造。另外，上述式中，Y⁵及Y⁶分别独立地表示聚合反应性基团。

作为上述聚合反应性基团，可以举出卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯残基、锍甲基、鏻甲基、膦酸酯甲基、单卤代甲基、硼酸残基(-B(OH)₂)、甲酰基、氰基、乙烯基等。

作为上述聚合反应性基团即卤素原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

作为上述聚合反应性基团即烷基磺酸酯基，可以举出甲烷磺酸酯基、乙烷磺酸酯基、三氟甲烷磺酸酯基等。

作为上述聚合反应性基团即芳基磺酸酯基，可以举出苯磺酸酯基、对甲苯磺酸酯基等。

作为上述聚合反应性基团即芳基烷基磺酸酯基，可以举出苄基磺酸酯基等。

作为上述聚合反应性基团即硼酸酯残基，可以举出下述式所示的基团。

【化57】

(式中，Me表示甲基，Et表示乙基。)

作为上述聚合反应性基团即锍甲基，可以举出下述式所示的基团。

-CH₂S⁺Me₂X’-、-CH₂S⁺Ph₂X’-

(式中，X’表示卤素原子，Ph表示苯基。)

作为上述聚合反应性基团即鏻甲基，可以举出下述式所示的基团。

-CH₂P⁺Ph₃X’-

(式中，X’表示卤素原子。)

作为上述聚合反应性基团即膦酸酯甲基，可以举出下述式所示的基团。

-CH₂PO(OR’)₂

(式中，R’表示烷基、芳基或芳烷基。)

作为上述聚合反应性基团即单卤代甲基，可以举出氟化甲基、氯化甲基、溴化甲基、碘化甲基。

上述聚合反应性基团在例如Yamamoto偶联反应等使用0价镍络合物的情况下为卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基等，在Suzuki偶联反应等使用镍催化剂或者钯催化剂的情况下为烷基磺酸酯基、卤素原子、硼酸酯残基、硼酸残基等。

本发明的高分子化合物的制造可以将作为单体的具有多个聚合反应性基团的化合物根据需要溶解于有机溶剂中，例如使用碱或适当的催化剂，在有机溶剂的熔点以上沸点以下的温度下进行，例如可以使用“オルガニツクリアクシヨンズ(Organic Reactions)”，第14卷，270-490页，ジヨンワイリ一アンドサンズ(John Wiley&Sons，Inc.)，1965年，“オルガニツクシンセシス(Organic Syntheses)”，コレクテイブ第6卷(Collective Volume VI)，407-411页，ジヨンワイリ一アンドサンズ(John Wiley&Sons，Inc.)，1988年，ケミカルレビユ一(Chem.Rev.)，第95卷，2457页(1995年)，ジヤ一ナルオブオルガノメタリツクケミストリ一(J.Organomet.Chem.)，第576卷，147页(1999年)，マクロモレキユラ一ケミストリ一マクロモレキユラ一シンポジウム(Macromol.Chem.，Macromol.Symp.)，第12卷，229页(1987年)等中记载的方法。

本发明的高分子化合物的制造方法中，可以根据上述聚合反应性基团的种类使用已知的缩合反应，例如可以举出将对应的单体利用Suzuki偶联反应进行聚合的方法、利用Grignard反应进行聚合的方法、利用Ni(0)络合物进行聚合的方法、利用FeCl₃等氧化剂进行聚合的方法、进行电化学氧化聚合的方法、或者利用具有适当的离去基的中间体高分子的分解进行的方法等。

其中，从控制结构的观点考虑，优选利用Suzuki偶联反应进行聚合的方法、利用Grignard反应进行聚合的方法、及利用镍零价络合物进行聚合的方法。

本发明的高分子化合物的制造方法中，优选聚合反应性基团选自卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基及芳基烷基磺酸酯基中，在镍零价络合物的存在下进行缩聚的制造方法。

作为成为本发明的高分子化合物的原料的化合物，可以举出二卤代化合物、双(烷基磺酸酯)化合物、双(芳基磺酸酯)化合物、双(芳基烷基磺酸酯)化合物、卤素-烷基磺酸酯化合物、卤素-芳基磺酸酯化合物、卤素-芳基烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物及芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。另外，在制造控制了顺序的高分子化合物的情况下，作为上述化合物，优选使用卤素-烷基磺酸酯化合物、卤素-芳基磺酸酯化合物、卤素-芳基烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物、芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物等。

作为本发明的高分子化合物的制造方法，从容易合成高分子化合物的观点考虑，优选聚合反应性基团选自卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸残基及硼酸酯残基中，且所有原料化合物所具有的卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基及芳基烷基磺酸酯基的摩尔数的总和(J)与硼酸残基及硼酸酯残基的摩尔数的总和(K)之比实质上为1(通常K/J为0.7～1.2)，使用镍催化剂或钯催化剂进行缩聚的制造方法。

作为成为上述原料的化合物的组合(即式：Y¹-A¹-Y²所示的化合物和式：Y³-A²-Y⁴所示的化合物)，可以举出二卤代化合物、双(烷基磺酸酯)化合物、双(芳基磺酸酯)化合物或双(芳基烷基磺酸酯)化合物与二硼酸化合物或二硼酸酯化合物的组合。

另外，在制造控制了顺序的高分子化合物的情况下，作为上述化合物，优选使用卤素-硼酸化合物、卤素-硼酸酯化合物、烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸酯化合物等。

对于在上述缩聚中使用的有机溶剂而言，为了抑制副反应，优选被充分地实施脱氧处理、脱水处理。但是，像Suzuki偶联反应这样在与水的2相体系中进行反应的情况下没有上述限制。

作为在上述缩聚中使用的有机溶剂，可以举出戊烷、己烷、庚烷、辛烷、环己烷等饱和烃；苯、甲苯、乙基苯、二甲苯等不饱和烃；四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤代饱和烃；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤代不饱和烃；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、叔丁醇等醇类；甲酸、乙酸、丙酸等羧酸类；二甲基醚、二乙基醚、甲基-叔丁基醚、四氢呋喃、四氢吡喃、二噁烷等醚类；三甲基胺、三乙基胺、N，N，N’，N’-四甲基亚乙基二胺、吡啶等胺类；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、N-甲基吗啉氧化物等酰胺类等，优选醚类，特别优选四氢呋喃、二乙基醚。这些有机溶剂可以单独使用一种也可以并用两种以上。

上述缩聚中，为了促进反应，也可以适宜添加碱或适当的催化剂。上述碱、催化剂优选为充分溶解于反应中使用的溶剂中的碱、催化剂。在混合碱或催化剂时，可以在氩或氮等惰性气氛中边搅拌反应液边缓慢添加碱或催化剂的溶液，或者，相反地在碱或催化剂的溶液中缓慢添加反应液。

在将本发明的高分子化合物用于发光元件等的制作中的情况下，由于其纯度对发光特性等发光元件的性能产生影响，因此优选将成为聚合前的原料的化合物用蒸馏、升华精制、重结晶等方法进行精制后进行聚合。另外，优选聚合后进行再沉淀精制、用色谱分离等纯化处理。

<化合物>

在制造本发明的高分子化合物时，优选使用上述式(XII)所示的化合物。

上述式(XII)中，X所示的卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸残基或硼酸酯残基与上述相同，但从容易合成化合物的观点考虑，优选为卤素原子、硼酸酯残基，优选为卤素原子。

进而从容易进行缩聚的观点考虑，卤素原子优选为溴原子、碘原子，特别优选为溴原子。

上述式(XII)中，o为4～10的整数，但从容易获得原料的观点考虑，优选为4～8的整数，特别优选为5～8的整数。

作为上述式(XII)所示的化合物，可以举出以下式所示的化合物。

【化58】

另外，上述式(XII)所示的化合物可以用任意方法制造，例如可以通过包括在碱中使上述式(XIII)所示的化合物和上述式(XIV)所示的化合物反应的工序的方法来制造。

作为在上述反应中使用的碱，将碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钾、氢氧化钠等无机碱，三乙基胺等有机碱，相对于上述式(XIII)，加入1当量以上、优选1～20当量而使之反应。

上述反应中通常使用溶剂，作为该溶剂，可以举出N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、甲苯、二甲氧基乙烷、四氢呋喃等。

上述反应的反应温度通常为0℃～溶剂的沸点，优选为50～150℃。另外，上述反应的反应时间为0.5～100小时。

进而在制造本发明的高分子化合物时，优选使用上述式(XV)所示的化合物。

上述式(XV)中，X所示的卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸残基或硼酸酯残基与上述同样，但从容易合成化合物的观点考虑，优选为卤素原子、硼酸酯残基，优选为卤素原子。

上述式(XII)中，z为1～10的整数，但从容易获得原料的观点考虑，优选为1～5的整数，特别优选为1～3的整数。

作为上述式(XV)所示的化合物，可以举出以下式所示的化合物。

【化59】

式(XV)-6中，OTf为三氟甲烷磺酸酯基。

另外，上述式(XV)所示的化合物可以用任意方法制造，例如可以通过包括在碱中使上述式(XVI)所示的化合物反应的工序的方法来制造。

作为在上述反应中使用的碱，将碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钾、氢氧化钠、叔丁氧基钠等无机碱，三乙基胺等有机碱，相对于上述式(XVI)，加入1当量以上、优选1～20当量而使之反应。

上述反应的反应温度通常为-78℃～溶剂的沸点，优选为-20℃～100℃。另外，上述反应的反应时间为0.5～100小时。

<用途>

本发明的高分子化合物不仅作为发光材料有用，而且还作为薄膜、有机半导体材料、有机晶体管、光学材料、有机光电转换元件或基于掺杂的导电性材料有用。

<组合物>

本发明的组合物是包含本发明的高分子化合物的组合物，例如可以举出包含选自空穴输送材料、电子输送材料及发光材料中的至少一种材料和上述高分子化合物的组合物等。

另外，本发明的组合物通过还含有溶剂，还可以作成液态组合物。即，本发明的液态组合物是包含上述高分子化合物和溶剂的液态组合物。

本发明的液态组合物在发光元件等发光元件或有机晶体管的制作中有用。在本说明书中，“液态组合物”是指在制作元件时为液态的组合物，典型的是，常压(即，1个大气压)、25℃下为液态的组合物。另外，液态组合物通常还称为墨液、墨液组合物、溶液等。以下，将本发明的组合物和本发明的液态组合物统称为“液态组合物”。

本发明的液态组合物中，除上述高分子化合物之外，还可以含有低分子发光材料、空穴输送材料、电子输送材料、稳定剂、用于调节粘度及/或表面张力的添加剂、抗氧化剂等。这些任意成分可以分别单独使用一种也可以并用两种以上。

作为上述低分子发光材料，可以举出萘衍生物、蒽、蒽衍生物、苝、苝衍生物、聚次甲基系色素、呫吨系色素、香豆素系色素、花青苷系色素、具有8-羟基喹啉的金属络合物作为配位基的金属络合物、具有8-羟基喹啉衍生物作为配位基的金属络合物、其他的荧光性金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯、四苯基环戊二烯衍生物、四苯基环丁二烯、四苯基环丁二烯衍生物、茋系、含硅芳香族系、噁唑系、N-氧化噁二唑、噻唑系、四芳基甲烷系、噻二唑系、吡唑系、间环芳系、乙炔系等低分子化合物的荧光性材料，还可以举出特开昭57-51781号公报、特开昭59-194393号公报等中记载的材料。

作为上述空穴输送材料，可以举出聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等。

作为上述电子输送材料，可以举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基亚乙基及其衍生物、联苯醌(diphenoquinone)衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。

作为上述稳定剂，可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。

作为用于调节上述粘度及/或表面张力的添加剂，只要将用于提高粘度的高分子量的化合物(增稠剂)或不良溶剂、用于降低粘度的低分子量的化合物、用于降低表面张力的表面活性剂等适宜组合使用即可。

作为上述高分子量的化合物，只要是不会阻碍发光或电荷输送的化合物即可，通常为能够溶解于液态组合物的溶剂中的化合物。作为高分子量的化合物，可以使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯等。上述高分子量的化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为50万以上，更优选为100万以上。另外，也可以将不良溶剂作为增稠剂使用。

作为上述抗氧化剂，只要是不会阻碍发光或电荷输送的抗氧化剂即可，在组合物包含溶剂的情况下，通常为能够溶解于该溶剂中的抗氧化剂。作为抗氧化剂，可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。通过使用抗氧化剂，可以改善上述高分子化合物、溶剂的保存稳定性。

在本发明的液态组合物包含空穴输送材料的情况下，该液态组合物中的空穴输送材料的比例通常为1～80重量％，优选为5～60重量％。另外，在本发明的液态组合物包含电子输送材料的情况下，该液态组合物中的电子输送材料的比例通常为1～80重量％，优选为5～60重量％。

在制作发光元件时使用该液态组合物形成膜的情况下，涂敷该液态组合物之后，只通过干燥除去溶剂即可，另外在混合电荷输送材料或发光材料的情况下，也可以适用同样的方法，因此对于制造非常有利。需要说明的是，干燥时，可以在加温至50～150℃左右的状态下进行干燥，另外，也可以在减压至10^-3Pa左右而使之干燥。

使用液态组合物形成膜时，可以使用旋涂法、浇铸法、照相凹版涂敷法、显微照相凹版涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、狭缝涂敷法、顶涂(capcoat)法、毛细管涂敷法、喷涂法、网板印刷法、胶版印刷法、苯胺印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂敷法等涂敷法。

液态组合物中的溶剂的比例相对于该液态组合物的全部重量，通常为1～99.9重量％，优选为60～99.9重量％，更优选为90～99.8重量％。液态组合物的粘度根据印刷法而不同，在25℃下优选为0.5～500mPa·s，在喷墨印刷法等液态组合物经由喷出装置的印刷法的情况下，为了防止喷出时的堵塞或弯曲飞跃，粘度在25℃下优选为0.5～20mPa·s。

作为液态组合物中包含的溶剂，优选能够溶解或分散该液态组合物中的该溶剂以外的成分的溶剂。作为该溶剂，可以举出氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、三甲基苯、

等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲基乙基甲酮、环己酮等酮系溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯、苯甲酸甲酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂；乙二醇、乙二醇单丁基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙基醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。另外，这些溶剂可以单独使用一种也可以组合使用多种。在上述溶剂中，从粘度、成膜性等观点考虑，优选含有一种以上的具有至少含有1个以上苯环的结构且熔点在0℃以下、沸点在100℃以上的有机溶剂。作为溶剂的种类，从液态组合物中的溶剂以外的成分在有机溶剂中的溶解性、成膜时的均匀性、粘度特性等观点考虑，优选为芳香族烃系溶剂、脂肪族烃系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂，优选为甲苯、二甲苯、乙基苯、二乙基苯、三甲基苯、正丙基苯、异丙基苯、正丁基苯、异丁基苯、仲丁基苯、茴香醚、乙氧基苯、1-甲基萘、环己烷、环己酮、环己基苯、联环己基、环己烯基环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、苯甲酸甲酯、2-丙基环己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己基甲酮，更优选含有二甲苯、茴香醚、

环己基苯、联环己基、苯甲酸甲酯中的至少一种。

从成膜性的观点或元件特性等观点考虑，液态组合物中含有的溶剂的种类优选为2种以上，更优选为2～3种，特别优选为2种。

在液态组合物中含有2种溶剂的情况下，其中的1种溶剂也可以在25℃下为固体状态。从成膜性的观点考虑，优选1种溶剂的沸点为180℃以上，另一种溶剂的沸点不足180℃，更优选1种溶剂的沸点为200℃以上，另一种溶剂的沸点不足180℃。另外，从粘度的观点考虑，优选在60℃下，从液态组合物除去溶剂所得成分的0.2重量％以上溶解在溶剂中，优选在25℃下，在2种溶剂中的1种溶剂中溶解从液态组合物除去溶剂所得成分的0.2重量％以上。

在液态组合物中含有3种溶剂的情况下，其中的1～2种溶剂也可以在25℃下为固体状态。从成膜性的观点考虑，优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点在180℃以上的溶剂，至少一种溶剂为沸点不足180℃的溶剂，更优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点在200℃以上300℃以下的溶剂，至少一种溶剂为沸点不足180℃的溶剂。另外，从粘度的观点考虑，优选在60℃下，3种溶剂中的2种溶剂中溶解从液态组合物除去溶剂所得成分的0.2重量％以上，优选在25℃下，3种溶剂中的1种溶剂中溶解从液态组合物除去溶剂所得成分的0.2重量％以上。

在液态组合物中含有2种以上溶剂的情况下，从粘度及成膜性的观点考虑，沸点最高的溶剂优选为液态组合物中含有的全部溶剂的重量的40～90重量％，更优选为50～90重量％，进一步优选为65～85重量％。

<薄膜>

对本发明的薄膜进行说明。该薄膜是使用上述高分子化合物得到的薄膜。作为薄膜的种类，可以举出发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜等。另外，本发明的第二薄膜是使上述高分子化合物交联得到的薄膜，通常为根据热或光引起的外部刺激而交联固化的薄膜。

使薄膜固化的热没有特别的限定，通常在室温～300℃的范围，从容易制成薄膜的观点考虑，其上限优选为250℃，进一步优选为190℃，最优选为170℃。另外，从在室温下的薄膜的稳定性的观点考虑，下限优选为50℃，进一步优选为70℃，最优选为100℃。

使薄膜固化的光没有特别的限定，通常使用紫外光、近紫外光、可见光，优选为紫外光、近紫外光。

从元件的亮度或发光电压等观点考虑，发光性薄膜的发光的量子收率优选为50％以上，更优选为60％以上，进一步优选为70％以上。

导电性薄膜的表面电阻优选为1KΩ/□以下。通过在薄膜中掺杂路易斯酸、离子性化合物等，可以提高电导率。表面电阻更优选为100Ω/□以下，进一步优选为10Ω/□以下。

对于有机半导体薄膜而言，电子迁移率或空穴迁移率中的任意大的一方，优选为10^-5cm²/V/秒以上，更优选为10^-3cm²/V/秒以上，进一步优选为10^-1cm²/V/秒以上。另外，可以使用有机半导体薄膜制作有机晶体管。具体而言，通过在形成有SiO₂等绝缘膜和栅电极的Si基板上形成有机半导体薄膜并用Au等形成源电极和漏电极，可以形成有机晶体管。

<有机晶体管>

本发明的有机晶体管是包含上述高分子化合物的有机晶体管。以下，对有机晶体管的一实施方式即高分子场效应晶体管进行说明。

本发明的高分子化合物可适合用作高分子场效应晶体管的材料，其中适合用作活性层。作为高分子场效应晶体管的结构，通常源电极及漏电极与由高分子构成的活性层接触而设置，进而夹持与活性层接触的绝缘层而设置栅电极即可。

高分子场效应晶体管通常形成在支撑基板上。作为支撑基板，还可以使用玻璃基板或柔性的膜基板或塑料基板。

高分子场效应晶体管可以通过公知的方法，例如特开平5-110069号公报中记载的方法来制造。

形成活性层时，使用可溶于有机溶剂中的高分子化合物对于制造是非常有利的，因此优选。作为由将可溶于有机溶剂中的高分子化合物溶解在溶剂中得到的溶液形成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、照相凹版涂敷法、显微照相凹版涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、狭缝涂敷法、顶涂(capcoat)法、毛细管涂敷法、喷涂法、网板印刷法、胶版印刷法、苯胺印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂敷法等涂敷法。

优选制作高分子场效应晶体管后进行密封而成的密封高分子场效应晶体管。由此，高分子场效应晶体管与大气阻断，可以抑制高分子场效应晶体管的特性降低。

作为密封方法，可以举出用紫外线(UV)固化树脂、热固化树脂或无机SiONx膜等进行覆盖的方法、将玻璃板或膜用UV固化树脂、热固化树脂等贴合的方法等。为了有效地进行与大气之间的阻断，在制作高分子场效应晶体管后，优选将直至密封为止的工序在不曝露于大气的状态下(例如，在干燥的氮气氛中、真空中等)实施。

<有机光电转换元件>

本发明的有机光电转换元件(例如，太阳能电池等)是包含上述高分子化合物的有机光电转换元件。

本发明的高分子化合物可适合用作有机光电转换元件的材料，其中适合用作利用有机半导体与金属间的界面的肖特基势垒型元件的有机半导体层，另外，适合用作利用有机半导体与无机半导体或有机半导体彼此之间的界面的pn异质结型元件的有机半导体层。

进而，可适合用作增大了供体·受体的接触面积的体异质结型元件中的电子给予性高分子、电子接受性高分子，另外，可适合用作使用高分子·低分子复合体系的有机光电转换元件例如，分散富勒烯衍生物作为电子接受体的体异质结型有机光电转换元件的电子给予性共轭系高分子(分散支撑体)。

作为有机光电转换元件的结构，例如对于pn异质结型元件而言，设置欧姆性电极，例如在ITO上形成p型半导体层，进而层叠n型半导体层，在其上设置欧姆性电极即可。

有机光电转换元件通常形成在支撑基板上。作为支撑基板，还可以使用玻璃基板或柔性的膜基板或塑料基板。

有机光电转换元件可以通过公知的方法，例如Synth.Met.，102，982(1999)中记载的方法或Science，270，1789(1995)中记载的方法来制造。

<发光元件>

接着，对本发明的发光元件进行说明。

本发明的发光元件是具有由阳极及阴极构成的电极、和设置在该电极间且包含本发明的高分子化合物的发光层及/或设置在该电极间且包含本发明的高分子化合物的电荷输送层的发光元件。另外，本发明的第二发光元件是具有由阳极及阴极构成的电极、和设置在该电极间且使本发明的高分子化合物交联得到的发光层(通常，通过交联来固化)及/或设置在该电极间且使本发明的高分子化合物交联得到的电荷输送层(通常，通过交联来固化)的发光元件。作为本发明的发光元件，可以举出(1)在阴极与发光层之间设置有电子输送层的发光元件、(2)在阳极与发光层之间设置有空穴输送层的发光元件、(3)在阴极与发光层之间设置有电子输送层且在阳极与发光层之间设置有空穴输送层的发光元件等。

更具体而言，可以举出以下a)～d)的结构。

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子输送层/阴极

d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

(在此，/表示各层相邻层叠。以下相同。)

上述发光层是指具有发光的功能的层，空穴输送层是指具有输送空穴的功能的层，电子输送层是指具有输送电子的功能的层。需要说明的是，将电子输送层和空穴输送层统称为电荷输送层。发光层、空穴输送层、电子输送层可以分别独立地使用2层以上。另外，还有将与发光层相邻的空穴输送层称为中间层的情况。

作为发光层的成膜方法，可以举出由溶液形成膜的方法。由溶液形成膜，可以使用旋涂法、浇铸法、显微照相凹版涂敷法、照相凹版涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、狭缝涂敷法、顶涂(capcoat)法、毛细管涂敷法、喷涂法、网板印刷法、胶版印刷法、苯胺印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂敷法等涂敷法。需要说明的是，由该溶液形成膜还对后述的空穴输送层、电子输送层的成膜有用。

制作发光元件时，通过使用本发明的高分子化合物，在由溶液形成膜的情况下，涂敷该溶液后只通过干燥除去溶剂即可，另外在混合有电荷输送材料或发光材料的情况下也可适用同样的方法，对制造有利。

发光层的膜厚只要以驱动电压与发光効率成为适度的值的方式选择即可，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

本发明的发光元件中，也可以在发光层中混合上述高分子化合物以外的发光材料而使用。另外，在本申请发明的发光元件中，包含上述高分子化合物以外的发光材料的发光层也可以与包含上述高分子化合物的发光层相层叠。

作为上述高分子化合物以外的发光材料，可以举出萘衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、聚次甲基系、呫吨系、香豆素系、花青苷系等色素类，8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物等低分子化合物等，还可以举出特开昭57-51781号、特开昭59-194393号公报等中记载的材料等。

在本发明的发光元件具有空穴输送层的情况下，所使用的空穴输送材料与在液态组合物项中说明的空穴输送材料相同，优选聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等高分子空穴输送性材料，更优选聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在为低分子的空穴输送材料的情况下，优选使之分散在高分子粘合剂中使用。

作为空穴输送层的成膜方法，对于低分子空穴输送材料而言，可以举出由与高分子粘合剂的混合溶液形成膜的方法。另外，对于高分子空穴输送材料而言，可以举出由溶液形成膜的方法。

作为所混合的高分子粘合剂，优选为不会极端阻碍电荷输送的高分子粘合剂，另外，优选使用对可见光的吸收不强的高分子粘合剂。作为该高分子粘合剂，可以举出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯，聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

空穴输送层的膜厚只要以驱动电压和发光效率成为适度的值的方式选择即可，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

在本发明的发光元件具有电子输送层的情况下，所使用的电子输送材料与在液态组合物项中说明的电子输送材料相同，优选噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。

作为电子输送层的成膜方法，对于低分子电子输送性材料而言，可以举出利用粉末的真空蒸镀法、由溶液或熔融状态形成膜的方法，对于高分子电子输送材料而言，可以举出由溶液或熔融状态形成膜的方法。由溶液或熔融状态形成膜时，也可以并用高分子粘合剂。

作为所混合的高分子粘合剂，优选为不会极端阻碍电荷输送的高分子粘合剂，另外，优选使用对可见光的吸收不强的高分子粘合剂。作为该高分子粘合剂，可以例示聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

电子输送层的膜厚只要以驱动电压和发光效率成为适度的值的方式选择即可，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

另外，与电极相邻设置的电荷输送层中，具有改善从电极注入电荷的效率的功能、具有降低元件的驱动电压的效果的层有时特别称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。

进而，为了改善与电极的密接性或从电极注入电荷，也可以与电极相邻设置上述的电荷注入层或绝缘层，另外，为了提高界面的密接性或防止混合等，也可以在电荷输送层或发光层的界面插入薄的缓冲层。

关于所层叠的层的顺序或数量，以及各层的厚度，只要考虑发光效率和元件寿命适当地选择即可。

在本发明中，作为设置有电荷注入层的发光元件，可以举出与阴极相邻设置电荷注入层的发光元件、与阳极相邻设置电荷注入层的发光元件。

例如，具体而言，可以举出以下的e)～p)的结构。

e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极

f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极

g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极

i)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/发光层/电荷输送层/阴极

l)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷输送层/阴极

o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

作为电荷注入层，可以举出包含导电性高分子的层；设置在阳极和空穴输送层之间，且包含具有阳极材料和包含在空穴输送层中的空穴输送性材料的中间值电离势的材料的层；设置在阴极和电子输送层之间，且包含具有阴极材料和包含在电子输送层中的电子输送材料的中间值电子亲和力的材料的层等。

在上述电荷注入层为包含导电性高分子的层的情况下，该导电性高分子的电导率优选为10^-5～10³S/cm，为了减小发光像素之间的漏电流，更优选为10^-5～10²S/cm，进一步优选为10^-5～10¹S/cm。通常，为了使该导电性高分子的电导率达到10^-5～10³S/cm，在该导电性高分子中掺杂适量的离子。

所掺杂的离子的种类对于空穴注入层而言是阴离子，对于电子注入层而言是阳离子。作为阴离子的例子，可以举出聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等，作为阳离子的例子，可以举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。

电荷注入层的膜厚度，例如为1nm～100nm，优选为2nm～50nm。

作为电荷注入层中使用的材料，可以举出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。

绝缘层是具有使电荷注入变得容易的功能的层。该绝缘层的平均厚度通常为0.1～20nm，优选为0.5～10nm，更优选为1～5nm。作为绝缘层的材料，可以举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设置有绝缘层的发光元件，可以举出与阴极相邻设置绝缘层的发光元件、与阳极相邻设置绝缘层的发光元件。

具体而言，例如可以举出以下的q)～ab)的结构。

q)阳极/绝缘层/发光层/阴极

r)阳极/发光层/绝缘层/阴极

s)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极

t)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极

u)阳极/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极

v)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极

w)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/阴极

x)阳极/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

y)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

z)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

ab)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

形成本发明的发光元件的基板只要是在形成电极并形成有机物的层时不发生变化的基板即可，例如可以举出玻璃、塑料、高分子膜、硅等基板。在为不透明基板的情况下，优选相对的电极透明或半透明。

本发明中，通常，由阳极及阴极构成的电极的至少一方透明或半透明，优选阳极侧透明或半透明。

作为阳极的材料，可以使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等，可以使用用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、以及作为它们的复合物的铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等构成的导电性玻璃制成的膜(NESA等)或金、铂、银、铜等，优选ITO、铟·锌·氧化物、氧化锡。作为制作方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀敷法等。另外，作为该阳极，也可以使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机的透明导电膜。

考虑到透光性和电导率，阳极的膜厚例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进一步优选为50nm～500nm。

另外，为了使电荷注入变得容易，也可以在阳极上设置由酞菁衍生物、导电性高分子、碳等构成的层，或由金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材料等构成的层。

作为阴极的材料，优选功函数小的材料，可以使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属，以及其中2种以上金属的合金，或其中1种以上金属和金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上金属的合金，石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。也可以将阴极作成2层以上的层叠结构。

考虑到电导率、耐久性，阴极的膜厚例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进一步优选为50nm～500nm。

作为阴极的制造方法，可以使用真空蒸镀法、溅射法、另外热压接金属薄膜的层压法等。另外，也可以在阴极和有机物层之间设置由导电性高分子构成的层、或由金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材料等构成的层，制作阴极后，也可以安装保护该发光元件的保护层。为了长期稳定地使用该发光元件，为了从外部保护元件，优选安装保护层及/或保护罩。

作为该保护层，可以使用树脂、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。另外，作为保护罩，可以使用玻璃板、表面实施了低透水率处理的塑料板等，优选使用用热固化树脂或光固化树脂贴合该罩体与元件基板而进行密闭的方法。如果用间隔件维持空间，则容易防止元件损伤。如果在该空间中封入氮或氩之类的惰性气体，则可以防止阴极的氧化，进而通过在该空间内设置氧化钡等干燥剂，容易抑制在制造工序中吸附的水分对元件造成损坏。优选采用其中的任一种以上的方法。

本发明的发光元件可以用于面状光源、分段显示装置、点阵显示装置、液晶显示装置(例如，背光灯等)、平板显示器等显示装置等中。

为了使用本发明的发光元件得到面状的光源，只要将面状的阳极和阴极以叠合的方式配置即可。另外，为了得到图案状的发光，有设置在上述面状发光元件的表面设有图案状窗的掩模的方法、使非发光部的有机物层形成得极厚并使其实质上不发光的方法、使阳极或阴极中的任一方或两方的电极以图案状形成的方法。通过用其中的任一种方法形成图案，并以能够独立地进行开/关的方式设置若干个电极，可以得到能够显示数字或文字、简单的符号等的分段型显示元件。进而，为了形成点阵元件，只要使阳极和阴极均形成为条状而垂直地配置即可。通过分别涂敷多种发光颜色不同的化合物的方法、使用滤色片或荧光转换滤色片的方法，能够进行部分色彩显示、多色彩显示。点阵元件可以进行无源驱动，也可以与TFT等组合进行有源驱动。这些显示元件可以作为计算机、电视、便携终端、便携电话、汽车导航系统、摄像机的取景器等显示装置使用。

进而，上述面状的发光元件是自发光薄型发光元件，优选作为液晶显示装置的背光灯用面状光源、或面状的照明用光源使用。例如，照明用光源可以举出白色发光、红色发光、绿色发光或蓝色发光等发光颜色。另外，如果使用柔性基板，则也可以作为曲面状的光源或显示装置使用。

实施例

以下，为了更详细地说明本发明而例示实施例，但本发明并不限于这些实施例。

<合成例1>(化合物M-2的合成)

【化60】

在氩气氛中，在300mL四口烧瓶中混合5-溴-1-戊烯(7.45g)和THF(20ml)，向所得溶液中经1小时滴加0.5M的9-BBN/THF溶液(100ml)后，在室温下搅拌了12小时。向所得反应溶液中混合由上述式M-1表示的化合物M-1(3.66g)、(二苯基膦基二茂铁)二氯化钯(0.82g)、及THF(32ml)和3M的氢氧化钠水溶液(27ml)，使之回流4小时。反应结束后，将所得溶液冷却至室温并加入己烷(40ml)后，边用冰冷却边向其中缓慢滴加过氧化氢水(6ml)，搅拌了1小时。对反应溶液进行分液后，将有机层用离子交换水(50ml)清洗了5次。用硫酸钠使所得有机层干燥后，通过展开溶剂使用己烷、填充剂使用硅胶而利用柱色谱进行精制，得到了由上述式M-2表示的化合物M-2。

GC-MS：253[M]⁺

<实施例1>(化合物M-3的合成)

【化61】

在氩气氛中，在50ml的三口烧瓶中，混合2，7-二溴芴(0.65g)、由上述式M-2表示的化合物M-2(1.1g)、氢氧化钾(0.48g)、碘化钾(0.03g)及二甲基亚砜(5ml)，经4小时加温至80℃。反应结束后，冷却至室温，向其中混合水(10ml)和甲苯(10ml)，进行分液后，将所得有机层用氯化钠饱和水溶液(10ml)清洗了5次。用硫酸钠使所得有机层干燥后，通过展开溶剂使用己烷、填充剂使用硅胶而利用柱色谱进行精制，得到了由上述式M-3表示的化合物M-3。

LC-MS(APPI-MS(posi))：668[M]⁺

¹H-NMR(270MHz，CDCl₃)；δ＝0.59(tt，4H)，1.08(tt，4H)，1.35(tt，4H)，1.89(t，4H)，2.38(t，4H)，3.11(t，8H)，6.77(s，2H)，6.89(dd，4H)，7.41-7.52(m，6H).

<合成例2>(化合物M-4的合成)

【化62】

在氩气氛中，在300ml的三口烧瓶中，混合2，7-二溴芴(8.1g)、8-溴-1-辛烯(10.0g)、氢氧化钾(6.0g)、碘化钾(0.42g)及二甲基亚砜(60ml)，经4小时加温至80℃。反应结束后，冷却至室温，向其中混合水(100ml)和甲苯(100ml)，进行分液后，将所得有机层用氯化钠饱和水溶液(100ml)清洗了5次。用硫酸钠使所得有机层干燥后，通过展开溶剂使用己烷、填充剂使用硅胶而利用柱色谱进行精制，得到了由上述式M-4表示的化合物M-4。

ESI-MS：544[M]⁺

¹H-NMR(270MHz，CDCl₃)；δ＝0.58(m，4H)，1.06(m，8H)，1.18(m，4H)，1.92(m，8H)，4.90(d，4H)，5.73(m，2H)，7.43-7.52(m，6H).

<合成例3>(化合物M-5的合成)

【化63】

在氩气氛中，在500ml的四口烧瓶中，混合2，7-二溴芴(22.7g)、5-溴-1-辛烯(21.9g)、氢氧化钾(16.7g)、碘化钾(1.2g)及二甲基亚砜(170ml)，经4小时加温至80℃。反应结束后，冷却至室温，向其中混合水(300ml)和甲苯(300ml)并进行分液后，将所得有机层用氯化钠饱和水溶液(300ml)清洗了5次。用硫酸钠使所得有机层干燥后，通过展开溶剂使用己烷、填充剂使用硅胶而利用柱色谱进行精制，得到了由上述式M-5表示的化合物M-5。

ESI-MS：460[M]⁺

¹H-NMR(270MHz，CDCl₃)；δ＝0.69(t，4H)，1.83(m，4H)，1.93(m，4H)，4.85(d，4H)，5.56(m，2H)，7.44-7.53(m，6H).

<合成例4>(化合物M-7的合成)

【化64】

在氩气氛中，在300mL的三口烧瓶中，混合由上述式M-6表示的化合物M-6(8.1g)及四氢呋喃(20mL)，冷却至0℃。向其中滴加了氢化锂铝的四氢呋喃溶液(1M)。之后，在0℃下搅拌了4小时。反应结束后，加入氢氧化钠水溶液(20mL)，进行分液后，利用硫酸钠干燥所得有机层，进行浓缩干固。将其溶解于二氯甲烷(150ml)中，冷却至0℃。向其中加入了三乙胺(6mL)及甲磺酰氯(2.6mL)。搅拌6小时后，加入水(50mL)，用氯仿进行萃取，利用硫酸钠干燥有机层，进行了浓缩干固。之后，通过展开溶剂使用己烷∶氯仿＝5∶1，填充剂使用氧化铝而利用柱色谱进行精制，得到了由上述式M-7表示的化合物M-7。

¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)；δ＝7.31-7.17(m，4H)，4.23(t，2H)，2.66(t，2H)，1.81-1.76(m，4H).

<合成例5>(化合物M-9的合成)

【化65】

在氩气氛中，在200mL的三口烧瓶中，混合由上述式M-7表示的化合物M-7(8.1g)及四氢呋喃(30mL)，冷却至-78℃。向其中滴加了正丁基锂的己烷溶液(1.6M)。之后，在-78℃下搅拌了2小时。接着，在反应溶液中加入由上述式M-8表示的化合物M-8(2-甲氧基羰基-4，4’-二溴联苯)(6.4g)的四氢呋喃溶液，进而在-78℃下搅拌1小时后，升温至室温。反应结束后，加入水(20mL)，进行分液后，利用硫酸钠干燥所得有机层，进行了浓缩干固。将其溶解于二氯甲烷(150mL)中，冷却至0℃。向其中加入了三氟化硼乙醚络合物(17mL)。搅拌11小时后，加入水(50mL)，利用氯仿进行萃取，利用硫酸钠干燥有机层，进行了浓缩干固。将其溶解于四氢呋喃(30mL)中，加入溴化锂(1.2g)，进行了6小时的加热回流。之后，进行分液后，利用硫酸钠干燥所得有机层，进行了浓缩干固。接着，通过展开溶剂使用己烷∶氯仿＝4∶1、填充剂使用氧化铝而利用柱色谱进行精制，得到了由上述式M-9表示的化合物M-9。

¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)；δ＝7.32-6.99(m，14H)，3.42(t，4H)，2.65(t，4H)，1.95-1.73(m，8H).

需要说明的是，由上述式M-8表示的化合物是用Journal of the American Chemical Society(1956)，78，3196-3198.中记载的方法合成的。

<实施例2>(化合物M-10的合成)

【化66】

在氩气氛中，在100mL的三口烧瓶中，混合叔丁氧基钾(808mg)及四氢呋喃(3mL)，冷却至0℃。向其中滴加了由上述式M-9表示的化合物M-9(3.6g)的四氢呋喃溶液(0.5M)。之后，在0℃下搅拌6小时，升温至室温后，进而搅拌了12小时。反应结束后，加入水(20mL)，进行分液后，利用硫酸钠干燥所得有机层，进行了浓缩干固。接着，通过展开溶剂使用己烷∶氯仿＝4∶1、填充剂使用氧化铝而利用柱色谱进行精制，得到了由上述式M-10表示的化合物M-10。

¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)；δ＝7.30-7.18(m，14H)，5.93-5.80(m，2H)，5.07-4.96(m，4H)，3.35(t，4H)，2.63(t，4H)

<合成例6>(化合物MM-X的合成)

【化67】

对5L-三口烧瓶进行氮取代，量取226g的1-溴-3-正己基苯，使之溶解于2.5L的脱水THF中。将该溶液冷却至-75℃以下，滴加2.5M的正丁基锂/己烷溶液358ml，边保持为-75℃以下边搅拌了5小时。向该溶液中，边保持为-70℃以下边滴加使2-甲氧基羰基-4，4’-二溴联苯150g溶解于400ml的脱水THF中得到的溶液。将该溶液缓慢升温至室温后，搅拌了一夜。边在0℃下搅拌反应溶液边滴加了150ml的水。镏去溶剂后，向残渣中加入200m的水，用1L的己烷萃取1次，用100ml的己烷萃取2次。合并有机层，用200ml的饱和食盐水清洗，用100ml的己烷再萃取水层后，用硫酸镁进行干燥。镏去溶剂的结果，得到了264g的化合物MM-X的粗产物。不进行精制而用于接下来的工序中。

<合成例7>(化合物MM-Y的合成)

【化68】

在3L的三口烧瓶中称取264g的如上所述合成的化合物MM-X，使之溶解于900ml的二氯甲烷中，进行了氮取代。将该溶液冷却至0℃以下，边保持为5℃以下边滴加了245ml的三氟化硼二乙基醚络合物。缓慢升温至室温后，搅拌了一夜。将该反应溶液注入2L的冰水中的同时进行搅拌，搅拌了30分钟。分液，用100ml的二氯甲烷萃取水层。合并有机层，加入10％的磷酸钾水溶液1L，进行分液，用1L的水清洗2次有机层。使利用硫酸镁干燥后镏去溶剂得到的油溶解于200ml的甲苯中，使之通过铺上硅胶的玻璃过滤器，进行了过滤。镏去溶剂后，加入500ml的甲醇进行剧烈的搅拌。过滤所得结晶，用甲醇清洗。用己烷/醋酸丁酯混合溶剂体系进行重结晶，得到了121g的化合物MM-Y。

¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)；δ0.86(6H，t)、1.26(12H，m)、1.52(4H，m)、2.51(4H，t)、6.87(2H，d)、7.00(2H，s)、7.04(2H，d)、7.12(2H，t)、7.46(2H，dd)、7.48(2H，d)、7.55(2H，d)ppm

<合成例8>(化合物MM-2的合成)

【化69】

在2L的三口烧瓶中称取50g的化合物MM-Y，进行了氮取代。加入500ml的脱水THF，冷却至-70℃以下。边将该溶液保持为-70℃以下边滴加了2.5M的正丁基锂/己烷溶液68ml。滴加后，边保持温度边搅拌了4小时。加入44ml的2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼杂环戊烷(dioxaborolane)后，缓慢升温至室温并搅拌了一夜。冷却至-30℃，滴加2M的盐酸/二乙基醚溶液78ml之后，升温至室温。镏去溶剂后，加入400ml的甲苯进行溶解，使之通过铺上硅胶的玻璃过滤器进行过滤，镏去所得溶液的溶剂的结果，得到了50g的粗产物。在氮气氛中，从甲苯/乙腈溶剂中重结晶，得到了34g的化合物MM-2。

¹H-NMR(300MHz，CDCl₃)；δ0.86(6H，t)、1.26-1.29(12H，m)、1.31(24H，s)、1.52-1.53(4H，m)、2.50(4H，t)、6.92(2H，d)、7.00(2H，d)、7.08(2H，t)、7.13(2H，s)、7.77(2H，d)、7.81-7.82(4H，m)ppm.

<实施例3>(高分子化合物P-1的合成)

在惰性气氛中，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼杂环戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.73g)、由上述式M-5表示的化合物M-5(0.09g)、由上述式M-3表示的化合物M-3(0.13g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336、Aldrich制造)(0.25g)及甲苯(40ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流5小时。反应后，向其中加入苯基硼酸(240mg)，进而使之回流4小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了0.7g的下述式所示的高分子化合物P-1。

【化70】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物P-1的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×10⁵，聚苯乙烯换算的重均分子量为3.8×10⁵。

需要说明的是，双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺是用WO2002/045184中记载的方法合成的。

<实施例4>(高分子化合物P-2的合成)

在惰性气氛中，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼杂环戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.37g)、由上述式M-4表示的化合物M-4(0.44g)、由上述式M-3表示的化合物M-3(0.27g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336、Aldrich制造)(0.25g)及甲苯(40ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流5小时。反应后，加入苯基硼酸(240mg)，进而使之回流4小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了0.8g的下述式所示的高分子化合物P-2。

【化71】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物P-2的聚苯乙烯换算的数均分子量为4.3×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.1×10⁵。

<实施例5>(高分子化合物P-3的合成)

在惰性气氛中，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼杂环戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.66g)、由上述式M-5表示的化合物M-5(0.18g)、由上述式M-3表示的化合物M-3(0.27g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336、Aldrich制造)(0.25g)及甲苯(40ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流10小时。反应后，加入苯基硼酸(240mg)，进而使之回流4小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了1.1g的下述式所示的高分子化合物P-3。

【化72】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物P-3的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.5×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为3.4×10⁴。

<实施例6>(高分子化合物P-4的合成)

在惰性气氛中，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼杂环戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.55g)、N，N’-(4-溴苯基)-N，N’-(4-正丁基苯基)-1，4-亚苯基二胺(0.14g)、由上述式M-4表示的化合物M-4(0.17g)、由下述式MM-1表示的化合物MM-1(0.25g)、

【化73】

醋酸钯(0.4mg)、三(邻甲氧基苯基)膦(2.8mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336、Aldrich制造)(0.25g)及甲苯(40ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流18小时。反应后，加入苯基硼酸(240mg)，进而使之回流4小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了0.9g的由下述式P-4表示的高分子化合物P-4。

【化74】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物P-4的聚苯乙烯换算的数均分子量为6.9×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.2×10⁵。

需要说明的是，由上述式MM-1表示的化合物MM-1是用特开2008-106241号公报中记载的方法合成的。

<实施例7>(高分子化合物P-5的合成)

在惰性气氛中，混合由上述式MM-2表示的化合物MM-2(1.48g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.22g)、由上述式M-5表示的化合物M-5(0.09g)、由上述式MM-1表示的化合物MM-1(0.11g)、由下述式MM-3表示的化合物MM-3(0.57g)、

【化75】

醋酸钯(0.4mg)、三(邻甲氧基苯基)膦(2.8mg)及甲苯(44ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加20％的氢氧化三乙基铵水溶液(7ml)，使之回流5小时。反应后，加入苯基硼酸(244mg)，进而使之回流18小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(20ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了1.3g的由下述式P-5表示的高分子化合物P-5。

【化76】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物P-5的聚苯乙烯换算的数均分子量为2.1×10⁵，聚苯乙烯换算的重均分子量为6.8×10⁵。

需要说明的是，由上述式MM-3表示的化合物MM-3是用US20040127666中记载的方法合成的。

<实施例8>(高分子化合物P-6的合成)

在惰性气氛中，混合由上述式MM-2表示的化合物MM-2(3.69g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.55g)、由上述式M-5表示的化合物M-5(0.23g)、由上述式M-3表示的化合物M-3(0.33g)、由下述式MM-4表示的化合物MM-4(2.04g)、

【化77】

醋酸钯(1.1mg)、三(邻甲氧基苯基)膦(7.0mg)及甲苯(110ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加20％的氢氧化三乙基铵水溶液(17ml)，使之回流4小时。反应后，加入苯基硼酸(600mg)，进而使之回流20小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(55ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(70ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(70ml)清洗3次、用水(70ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(800ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了4.1g的由下述式P-6表示的高分子化合物P-6。

【化78】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物P-6的聚苯乙烯换算的数均分子量为9.1×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为4.3×10⁵。

需要说明的是，由上述式MM-4表示的化合物MM-4是用特开2003-226744号公报中记载的方法合成的。

<实施例9>(高分子化合物P-7的合成)

在惰性气氛中，混合由上述式MM-2表示的化合物MM-2(1.48g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.22g)、由上述式M-5表示的化合物M-5(0.09g)、由上述式M-3表示的化合物M-3(0.11g)、由下述式MM-5表示的化合物MM-5(1.09g)、

【化79】

醋酸钯(0.4mg)、三(邻甲氧基苯基)膦(2.8mg)及甲苯(44ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加20％的氢氧化三乙基铵水溶液(7ml)，使之回流4小时。反应后，加入苯基硼酸(244mg)，进而使之回流20小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(20ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了1.7g的由下述式P-7表示的高分子化合物P-7。

【化80】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物P-7的聚苯乙烯换算的数均分子量为5.4×10⁵，聚苯乙烯换算的重均分子量为1.1×10⁶。

需要说明的是，由上述式MM-5表示的化合物MM-5是用WO2005049548中记载的方法合成的。

<实施例10>(高分子化合物P-8的合成)

在惰性气氛中，混合由上述式MM-2表示的化合物MM-2(1.48g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.22g)、由上述式M-5表示的化合物M-5(0.09g)、由上述式M-3表示的化合物M-3(0.11g)、由下述式MM-6表示的化合物MM-6(0.58g)、

【化81】

醋酸钯(0.4mg)、三(邻甲氧基苯基)膦(2.8mg)及甲苯(44ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加20％的氢氧化三乙基铵水溶液(7ml)，使之回流4小时。反应后，加入苯基硼酸(244mg)，进而使之回流20小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(20ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了1.2g的由下述式P-8表示的高分子化合物P-8。

【化82】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物P-8的聚苯乙烯换算的数均分子量为7.2×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为3.61×10⁵。

需要说明的是，由上述式MM-6表示的化合物MM-6是用WO2006126439中记载的方法合成的。

<比较例1>(高分子化合物C-1的合成)

在惰性气氛中，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼杂环戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.87g)、由下述式MM-7表示的化合物MM-7(0.04g)、

【化83】

双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336、Aldrich制造)(0.25g)及甲苯(40ml)，加热至105℃。向所得反应溶液中，滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流7小时。反应后，加入苯基硼酸(240mg)，进而使之回流4小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了0.8g的下述式所示的高分子化合物C-1。

【化84】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物C-1的聚苯乙烯换算的数均分子量为3.4×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为6.7×10⁴。

需要说明的是，由上述式MM-7表示的化合物MM-7是用US2004/035221中记载的方法合成的。

<比较例2>(高分子化合物C-2的合成)

在惰性气氛中，混合2，7-双(1，3，2-二氧硼杂环戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.22g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.55g)、由上述式MM-1表示的化合物MM-1(0.21g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336、Aldrich制造)(0.25g)、甲苯(40ml)，加热至105℃。向该反应溶液中，滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流7小时。反应后，加入苯基硼酸(240mg)，进而使之回流4小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(30ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次、用水(30ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(300ml)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了0.9g的下述式所示的高分子化合物C-2。

【化85】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物C-2的聚苯乙烯换算的数均分子量为8.4×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.0×10⁵。

<合成例2>(高分子化合物P-9的合成)

在惰性气氛中，混合由下述式MM-8表示的化合物MM-8(7.28g)、

【化86】

2，7-二溴-9，9-二辛基芴(4.94g)、由下述式MM-9表示的化合物MM-9(0.74g)、

【化87】

双三苯基膦二氯化钯(7.0mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336、Aldrich制造)(1.30g)、甲苯(100ml)，加热至105℃。向该反应溶液中，滴加2M的碳酸钠水溶液(27ml)，使之回流2小时。反应后，加入苯基硼酸(120mg)，进而使之回流4小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(60ml)，在80℃下搅拌了4小时。冷却至室温后，通过用水(130ml)清洗3次、用3重量％的醋酸水溶液(130ml)清洗3次、用水(130ml)清洗3次，并使其通过氧化铝柱、硅胶柱来进行精制。将所得甲苯溶液滴加在甲醇(1.5L)中，搅拌1小时后，滤取所得固体并使其干燥的结果，得到了8.0g的下述式所示的高分子化合物C-9。

【化88】

(式中，附在括号外的数字表示各重复单元的摩尔比。)

高分子化合物C-9的聚苯乙烯换算的数均分子量为5.1×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为1.4×10⁵。

需要说明的是，由上述式MM-8表示的化合物MM-8是用WO2008111658中记载的方法合成的。

另外，由上述式MM-9表示的化合物MM-9是用EP1394188中记载的方法合成的。

<测定>(液态组合物的配制、在玻璃基板上的残膜率的评价)

通过将高分子化合物P-1～P-8、C-1～C-2分别溶解于二甲苯中，针对各自的高分子化合物，配制了约1重量％的二甲苯溶液。

将这样配制的液态组合物滴加在玻璃基板上，使用旋涂器(商品名：MS-A100型，MISAWA公司制)，以1000rpm、15秒钟的条件形成了膜。使用轮廓仪(商品名：P-16+、KLA-Tencor公司制)测定了所得膜的膜厚(H₁)。

接着，在已进行氮取代的手套箱中，使用大功率热台(商品名：HP-ISA、AS-1公司制)，对上述玻璃基板上的膜，以各自的烘焙温度烘焙了20分钟。将上述玻璃基板上的膜冷却至室温后，浸渍于二甲苯溶液中，之后使用旋涂器(商品名：MS-A100型，MISAWA公司制)，以1000rpm、15秒钟的条件进行了冲洗。使用轮廓仪(商品名：P-16+、KLA-Tencor公司制)测定了所制作的膜的膜厚(H₂)。

另外，将(H₂)/(H₁)×100(％)作为残膜率，将其值示于表1中。

【表1】

<评价>

高分子化合物P-1～P-8与高分子化合物C-1～C-2相比，显示高的残膜率，由此确认具有高的固化性。

<电致发光(EL)元件的制作与评价><实施例19>

高分子化合物<P-2>溶液的配制

将在上述中得到的高分子化合物<P-2>溶解于二甲苯中，制作了聚合物浓度1.2重量％的二甲苯溶液。

高分子化合物<P-9>溶液的配制

将在上述中得到的高分子化合物<P-9>溶解于二甲苯中，制作了聚合物浓度1.2重量％的二甲苯溶液。

EL元件的制作

在利用溅射法以150nm的厚度附加ITO膜的玻璃基板上，使用用0.2μm膜滤器过滤聚(3，4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，BaytronP AI4083)的悬浮液得到的溶液，利用旋涂器，以70nm的厚度形成薄膜，在热台上以200℃干燥了10分钟。接着，使用在上述中得到的高分子化合物<P-2>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1600rpm的转速形成膜，通过在热台上以190℃加热20分钟，使薄膜固化。成膜后的膜厚约为20nm。进而，使用在上述中得到的高分子化合物<P-9>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1500rpm的转速形成膜。成膜后的膜厚约为60nm。进而，将其在减压下以130℃干燥10分钟后，将钡蒸镀约5nm作为阴极，接着将铝蒸镀约100nm，制作了EL元件。需要说明的是，真空度达到1×10^-4Pa以下后开始了金属的蒸镀。

EL元件的性能

通过向所得元件施加电压，由该元件得到了在460nm处具有峰值的EL发光。

初始亮度为100cd/m²时的亮度减少至50％的时间(寿命)是120小时，即长寿命。

<实施例20>

高分子化合物<P-5>溶液的配制

将在上述中得到的高分子化合物<P-5>溶解于二甲苯中，制作了聚合物浓度1.2重量％的二甲苯溶液。

EL元件的制作

在利用溅射法以150nm的厚度附加ITO膜的玻璃基板上，使用用0.2μm膜滤器过滤聚(3，4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，BaytronP AI4083)的悬浮液得到的溶液，利用旋涂器，以70nm的厚度形成薄膜，在热台上以200℃干燥了10分钟。接着，使用在上述中得到的高分子化合物<P-5>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1600rpm的转速形成膜，通过在热台上以190℃加热20分钟，使薄膜固化。成膜后的膜厚约为20nm。进而，使用在上述中得到的高分子化合物<P-9>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1500rpm的转速形成膜。成膜后的膜厚约为60nm。进而，将其在减压下以130℃干燥10分钟后，将钡蒸镀约5nm作为阴极，接着将铝蒸镀约100nm，制作了EL元件。需要说明的是，真空度达到1×10^-4Pa以下后开始了金属的蒸镀。

EL元件的性能

通过向所得元件施加电压，由该元件得到了在475nm处具有峰值的EL发光。

初始亮度为100cd/m²时的亮度减少至50％的时间(寿命)是16小时，即长寿命。

<实施例21>

高分子化合物<P-6>溶液的配制

将在上述中得到的高分子化合物<P-6>溶解于二甲苯中，制作了聚合物浓度1.2重量％的二甲苯溶液。

EL元件的制作

在利用溅射法以150nm的厚度附加ITO膜的玻璃基板上，使用用0.2μm膜滤器过滤聚(3，4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，BaytronP AI4083)的悬浮液得到的溶液，利用旋涂器，以70nm的厚度形成薄膜，在热台上以200℃干燥了10分钟。接着，使用在上述中得到的高分子化合物<P-6>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1600rpm的转速形成膜，通过在热台上以190℃加热20分钟，使薄膜固化。成膜后的膜厚约为20nm。进而，使用在上述中得到的高分子化合物<P-9>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1500rpm的转速形成膜。成膜后的膜厚约为60nm。进而，将其在减压下以130℃干燥10分钟后，将钡蒸镀约5nm作为阴极，接着将铝蒸镀约100nm，制作了EL元件。需要说明的是，真空度达到1×10^-4Pa以下后开始了金属的蒸镀。

EL元件的性能

通过向所得元件施加电压，由该元件得到了在470nm处具有峰值的EL发光。

初始亮度为100cd/m²时的亮度减少至50％的时间(寿命)是18小时，即长寿命。

<比较例5>

高分子化合物<C-1>溶液的配制

将在上述中得到的高分子化合物<C-1>溶解于二甲苯中，制作了聚合物浓度1.2重量％的二甲苯溶液。

EL元件的制作

在利用溅射法以150nm的厚度附加ITO膜的玻璃基板上，使用用0.2μm膜滤器过滤聚(3，4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，BaytronP AI4083)的悬浮液得到的溶液，利用旋涂器，以70nm的厚度形成薄膜，在热台上以200℃干燥了10分钟。接着，使用在上述中得到的高分子化合物<C-1>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1600rpm的转速形成膜，通过在热台上以190℃加热20分钟，使薄膜固化。成膜后的膜厚约为20nm。进而，使用在上述中得到的高分子化合物<P-9>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1500rpm的转速形成膜。成膜后的膜厚约为60nm。进而，将其在减压下以130℃干燥10分钟后，将钡蒸镀约5nm作为阴极，接着将铝蒸镀约100nm，制作了EL元件。需要说明的是，真空度达到1×10^-4Pa以下后开始了金属的蒸镀。

EL元件的性能

初始亮度为100cd/m²时的亮度减少至50％的时间(寿命)是5小时。

<比较例6>

高分子化合物<C-2>溶液的配制

将在上述中得到的高分子化合物<C-2>溶解于二甲苯中，制作了聚合物浓度1.2重量％的二甲苯溶液。

EL元件的制作

在利用溅射法以150nm的厚度附加ITO膜的玻璃基板上，使用用0.2μm膜滤器过滤聚(3，4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，BaytronP AI4083)的悬浮液得到的溶液，利用旋涂器，以70nm的厚度形成薄膜，在热台上以200℃干燥了10分钟。接着，使用在上述中得到的高分子化合物<C-2>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1600rpm的转速形成膜，通过在热台上以190℃加热20分钟，使薄膜固化。成膜后的膜厚约为20nm。进而，使用在上述中得到的高分子化合物<P-9>的二甲苯溶液，利用旋涂器，以1500rpm的转速形成膜。成膜后的膜厚约为60nm。进而，将其在减压下以130℃干燥10分钟后，将钡蒸镀约5nm作为阴极，接着将铝蒸镀约100nm，制作了EL元件。需要说明的是，真空度达到1×10^-4Pa以下后开始了金属的蒸镀。

EL元件的性能

初始亮度为100cd/m²时的亮度减少至50％的时间(寿命)是9小时。

产业上的可利用性

本发明的高分子化合物可作为发光元件等的成分利用。

Claims

1.一种高分子化合物，其包含下述式(I)所示的重复单元及下述式(II)所示的重复单元，

式(I)中，Ar¹表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺；J¹及J²分别独立地表示直接键合、亚烷基或亚苯基，X¹表示氧原子或硫原子；i为0～3的整数，j为0或1，m为1或2；R¹表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酸酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；存在多个的R¹相同或不同；在J¹、J²、X¹、i及j存在多个的情况下，它们各自相同或不同，

式(II)中，Ar²表示芴-二基；J³及J⁴分别独立地表示直接键合、亚烷基或亚苯基，X²表示氧原子或硫原子；k为0～3的整数，1为0或1，n为1或2；在J³、J⁴、X²、k及l存在多个的情况下，它们各自相同或不同。

2.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，

所述式(I)中，Ar¹为芴-二基。

3.根据权利要求1或2所述的高分子化合物，其中，

所述式(I)中，i及j为0。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的高分子化合物，其中，

所述式(I)所示的重复单元为下述式(III)所示的重复单元，

式(III)中，J²、R¹及m具有与上述相同的含义；R²表示烷基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的高分子化合物，其中，

m为2。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的高分子化合物，其中，

J²为亚烷基。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的高分子化合物，其中，

所述式(II)中，k及l为0。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的高分子化合物，其中，

所述式(II)所示的重复单元为下述式(IV)所示的重复单元，

式(IV)中，J⁴及n具有与上述相同的含义；R³表示烷基、芳基、芳烷基或芳基烷氧基。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的高分子化合物，其中，

n为2。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的高分子化合物，其中，

J⁴为直接键合或亚烷基。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的高分子化合物，其中，

聚苯乙烯换算的数均分子量为1×10³～1×10⁸。

12.一种组合物，其包含权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物。

13.一种液态组合物，其包含权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物和溶剂。

14.一种薄膜，其包含权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物。

15.一种薄膜，其是使权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物交联而成的。

16.一种发光元件，其具有：

由阳极及阴极构成的电极；和

设置在该电极间且包含权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物的发光层及/或设置在该电极间且包含权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物的电荷输送层。

17.一种发光元件，其具有：

由阳极及阴极构成的电极；和

设置在该电极间且使权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物交联而成的发光层及/或设置在该电极间且使权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物交联而成的电荷输送层。

18.一种面状光源，其具备权利要求16或17所述的发光元件。

19.一种显示装置，其具备权利要求16或17所述的发光元件。

20.一种有机晶体管，其是使用权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物而成的。

21.一种有机光电转换元件，其是使用权利要求1～11中任一项所述的高分子化合物而成的。

22.一种化合物，其由下述式(XII)表示，

式(XII)中，X表示卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸残基或硼酸酯残基，o为4～10的整数；存在2个的o相同或不同；存在2个的X相同或不同。

23.根据权利要求22所述的化合物，其中，

所述式(XII)中，X为卤素原子。

24.一种下述式(XII)所示的化合物的制造方法，其包括在碱中使下述式(XIII)所示的化合物和下述式(XIV)所示的化合物反应的工序，

式(XIII)中，Y表示卤素原子，o具有与上述相同的含义，

式(XIV)中，X具有与上述相同的含义，

式(XII)中，X及o具有与上述相同的含义。

25.一种化合物，其由下述式(XV)表示，

式(XV)中，z为1～10的整数；X及R¹具有与上述相同的含义。

26.一种下述式(XV)所示的化合物的制造方法，其包括在碱中使下述式(XVI)所示的化合物反应的工序，

式(XVI)中，X、R¹及z具有与上述相同的含义，

式(XV)中，z表示1～10的整数；X及R¹具有与上述相同的含义。