CN102725350B - 组合物及使用该组合物制造的发光元件 - Google Patents

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Abstract

一种组合物，其包含：(i)具有交联基且显示发光性及电荷传输性中的至少一方的性质的交联性高分子化合物，以及(ii)具有交联基且显示发光性及电荷传输性中的至少一方的性质的交联性低分子化合物。

Description

组合物及使用该组合物制造的发光元件
技术领域
本发明涉及组合物及使用该组合物制造的发光元件。
背景技术
用于有机电致发光元件等的发光元件中的材料近年来进行了各种研究。其中，作为对层叠型的发光元件有用的材料，已知具有含苯并环丁烯结构的交联基的化合物(日本特开2008-106241号公报)。
但是，所述材料在低温区域的固化性并不充分。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在低温区域下的固化性良好的材料。
本发明提供下述的组合物、薄膜、发光元件、面状光源、显示装置、有机晶体管、有机光电转换元件等。
[1]一种组合物，其包含：
(i)具有交联基且显示发光性及电荷传输性中的至少一方的性质的交联性高分子化合物，以及
(ii)具有交联基且显示发光性及电荷传输性中的至少一方的性质的交联性低分子化合物。
[2]根据[1]所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物具有的交联基，以及所述交联性低分子化合物具有的交联基分别为下述式(Z-1)～(Z-12)的任一个所示的基团，
式(Z-1)～(Z-12)中，RC表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、氨基、甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、氰基或硝基，RN表示烷基、芳基、芳烷基、酰基或1价的杂环基，RC及RN所示的基团可具有取代基，多个存在的RC可相同也可不同。
[3]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物具有的交联基与所述交联性低分子化合物具有的交联基相同。
[4]根据[1]或[2]所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物具有的交联基与所述交联性低分子化合物具有的交联基不同。
[5]根据[4]所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物及所述交联性低分子化合物的一方具有所述式(Z-1)～(Z-4)的任一个所示的基团作为所述交联基，另一方具有所述式(Z-5)～(Z-12)的任一个所示的基团作为所述交联基团。
[6]根据[1]-[5]中任一项所述的组合物，其中，所述交联性低分子化合物为芳香族烃。
[7]根据[1]-[5]中任一项所述的组合物，其中，所述交联性低分子化合物为杂环化合物。
[8]根据[1]-[7]中任一项所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物具有选自以下组中的至少一种作为重复单位：
具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的亚芳基，
具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的2价的杂环基，及
具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的2价的芳香族胺残基，
式(I)中，Z表示所述式(Z-1)～(Z-12)的任一个所示的基团，J1表示可具有取代基的亚苯基，J2表示可具有取代基的亚烷基，X1表示氧原子或硫原子，h及i分别独立地为0或1，j为0～3的整数。
[9]根据[1]-[8]中任一项所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物与所述交联性低分子化合物的重量比为99∶1～50∶50。
[10]根据[1]-[9]中任一项所述的组合物，其中，1g组合物中所含的所述交联基的总计量为1.0×10-6～1.0×10-2摩尔。
[11]根据[1]-[10]中任一项所述的组合物，其中，其进一步含有溶剂。
[12]一种薄膜，其是使用[1]～[11]中的任一项所述的组合物而形成的。
[13]一种发光元件，其具有：包含阳极及阴极的电极，以及设于该电极间的、且使用[1]～[11]中的任一项所述的组合物而形成的层。
[14]一种面状光源，其具备[13]所述的发光元件。
[15]一种显示装置，其具备[13]所述的发光元件。
[16]一种有机晶体管，其是使用[1]～[11]中的任一项所述的组合物而形成的。
[17]一种有机光电转换元件，其是使用[1]～[11]中的任一项所述的组合物而形成的。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
在本发明中，当将交联性高分子化合物设为厚度30～60nm的薄膜时，将激发波长为325nm时的PL量子收率为5％以上(优选为10％以上)的情况称为该化合物具有发光性。当将交联性低分子化合物设为厚度30～60nm的薄膜时，将激发波长为250nm时的PL量子收率为5％以上(优选为，10％以上)的情况称为该化合物具有发光性。用于测定PL量子收率的薄膜的制作方法，在交联性高分子化合物的情况下，为利用由溶液或溶融状态的成膜的方法，在交联性低分子化合物的情况下，为利用由粉末的真空蒸镀法、由溶液或溶融状态的成膜的方法。PL量子收率的测定，例如，可使用日本浜松トニクス公司(Hamamatsu Photonics)制的PL量子收率测定装置(C9920-02)。
在本发明中，在将交联性高分子化合物或交联性低分子化合物形成为薄膜(0.1～20μm)时，激发波长通过以氮激光337nm、Time of Flight法进行测定，将该薄膜的空穴迁移率为10-7cm2/V/秒(cm2/(V·s))以上的情况称为该化合物具有空穴传输性，将该薄膜的电子迁移率为10-7cm2/V/秒以上的情况称为该化合物具有电子传输性，将具有空穴传输性及电子传输性的至少一方的性质的情况称为该化合物具有电荷传输性。迁移率(电荷传输性)的测定可使用例如，住友重机械工业株式会社制的光激发载体迁移率测定装置(TOF401)。
<组合物>
本发明的组合物为包含(i)具有交联基且显示发光性及电荷传输性的至少一方的性质的交联性高分子化合物(以下，称为“交联性高分子化合物”。)，及，(ii)具有交联基且显示发光性及电荷传输性的至少一方的性质的交联性低分子化合物(以下，称为“交联性低分子化合物”。)的组合物。
所述交联基为对于热、光等的刺激引发交联反应的基团，优选为下述式(Z-1)～(Z-12)的任一个所示的基团，从交联容易的观点出发，更优选为下述式(Z-1)、(Z-2)、(Z-5)～(Z-7)的任一个所示的基团，特别优选为下述式(Z-1)、(Z-2)或(Z-5)所示的基团。
从容易调整交联条件(温度、光的波长)的观点出发，优选交联性高分子化合物的交联基与交联性低分子化合物的交联基为相同，但从促进低温下的交联反应的观点出发，优选为不同。
在本发明中，“交联基为相同”是指，交联性高分子化合物具有的交联基的种类与交联性低分子化合物具有的交联基的种类为相同(交联基的种类为2种以上时，其种类及种类的数量相同)的情况，“交联基为不同”是指上述以外的情况。
交联基的种类相同是指交联基的基本结构相同。
例如，属于(Z-1)的不同的2个交联基的种类相同。
属于(Z-2)的不同的2个交联基，属于(Z-3)的不同的2个交联基，属于(Z-4)不同的2个交联基，属于(Z-5)不同的2个交联基，属于(Z-6)不同的2个交联基，属于(Z-7)不同的2个交联基，属于(Z-8)不同的2个交联基，属于(Z-9)不同的2个交联基，属于(Z-10)不同的2个交联基，属于(Z-11)不同的2个交联基，属于(Z-12)不同的2个交联基也是同样的情况。
在交联性高分子化合物的交联基与交联性低分子化合物的交联基为不同的情况下，优选地所述交联性高分子化合物及所述交联性低分子化合物的一方作为所述交联基具有所述式(Z-1)～(Z-4)的任一个所示的基团，另一方作为所述交联基具有所述式(Z-5)～(Z-12)的任一个所示的基团。除此之外，作为交联基的组合，优选为下述式(Z-1)所示的基团与下述式(Z-2)所示的基团、下述式(Z-1)所示的基团与下述式(Z-5)所示的基团、下述式(Z-2)所示的基团与下述式(Z-5)所示的基团、下述式(Z-6)所示的基团与下述式(Z-7)所示的基团、下述式(Z-1)所示的基团与下述式(Z-2)所示的基团与下述式(Z-5)所示的基团，从低温下的固化性的观点出发，更优选为下述式(Z-1)所示的基团与下述式(Z-2)所示的基团、下述式(Z-1)所示的基团与下述式(Z-5)所示的基团、下述式(Z-2)所示的基团与下述式(Z-5)所示的基团、下述式(Z-1)所示的基团与下述式(Z-2)所示的基团与下述式(Z-5)所示的基团。
〔式(Z-1)～(Z-12)中，RC表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、氨基、甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、氰基或硝基，RN表示烷基、芳基、芳烷基、酰基或1价的杂环基，RC及RN所示的基团可具有取代基。多个存在的RC可相同也可不同。〕
具有存在所述式(Z-2)中的下述式所示的波状线的双键的化合物表示E体及Z体的任一种都可。在以下的结构式中为同样。
所述RC所示的烷基可任意为直链、支链、环状，可具有取代基。所述烷基的碳数通常为1～20，例如为甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基。
所述RC所示的烷氧基可任意为直链、支链、环状，可具有取代基。所述烷氧基的碳数通常为1～20，例如为甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲氧基、2-甲氧基乙氧基。
所述RC所示的烷硫基可任意为直链、支链或环状，可具有取代基。所述烷硫基的碳数通常为1～20，例如为甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基。
所述RC所示的芳基为从芳香族烃中除去1个氢原子后的原子团，包括具有稠环的基团、2个以上独立的苯环或稠环直接键合的基团。所述芳基可具有取代基。所述芳基的碳数通常为6～60，优选为7～48，例如为苯基、C1～C12烷氧基苯基(“C1～C12烷氧基”表示烷氧基部分的碳数为1～12。以下同样。)、C1～C12烷基苯基(“C1～C12烷基”表示烷基部分的碳数为1～12。以下同样。)、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基，优选为C1～C12烷氧基苯基、C1～C12烷基苯基。
作为C1～C12烷氧基苯基，可举出甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、异丙氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、环己氧基苯基、庚氧基苯基、辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、壬氧基苯基、癸氧基苯基、3，7-二甲基辛氧基苯基、月桂氧基苯基等。
作为C1～C12烷基苯基，可举出甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、2，4，6-三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。
所述RC所示的芳氧基可具有取代基，碳数通常为6～60，优选为7～48。作为所述芳氧基，可举出苯氧基、C1～C12烷氧基苯氧基、C1～C12烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，优选为C1～C12烷氧基苯氧基、C1～C12烷基苯氧基。
作为C1～C12烷氧基苯氧基，可举出甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、丙氧基苯氧基、异丙氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、异丁氧基苯氧基、叔丁氧基苯氧基、戊氧基苯氧基、己氧基苯氧基、环己氧基苯氧基、庚氧基苯氧基、辛氧基苯氧基、2-乙基己氧基苯氧基、壬氧基苯氧基、癸氧基苯氧基、3，7-二甲基辛氧基苯氧基、月桂氧基苯氧基等。
作为C1～C12烷基苯氧基，可举出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1、3、5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基等。
所述RC所示的芳硫基可具有取代基，碳数通常为3～60。作为所述芳硫基，例如可举出苯硫基、C1～C12烷氧基苯硫基、C1～C12烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基。
所述RC所示的芳烷基可具有取代基，碳数通常为7～60。作为所述芳烷基，例如可举出苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基、1-萘基-C1～C12烷基、2-萘基-C1～C12烷基。
所述RC所示的芳烷氧基可具有取代基，碳数通常为7～60。作为所述芳烷氧基，例如可举出苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷氧基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷氧基、1-萘基-C1～C12烷氧基、2-萘基-C1～C12烷氧基。
所述RC所示的芳烷硫基可具有取代基，碳数通常为7～60。作为所述芳烷硫基，例如可举出苯基-C1～C12烷硫基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷硫基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷硫基、1-萘基-C1～C12烷硫基、2-萘基-C1～C12烷硫基。
所述RC所示的氨基可为无取代的氨基，也可为氨基中的1或2个氢原子被选自烷基、芳基、芳烷基及1价的杂环基中的1或2个的基团所取代的氨基(以下，称为“取代氨基”。)。
取代氨基还可进一步具有取代基，碳数通常为1～60，优选为2～48。
作为所述取代氨基，例如可举出甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、仲丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3、7-二甲基辛基氨基、月桂基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二(三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C1～C12烷氧基苯基氨基、二(C1～C12烷氧基苯基)氨基、二(C1～C12烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡唑基(pyrazyl)氨基、三唑基(triazyl)氨基、苯基-C1～C12烷基氨基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基氨基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基氨基、二(C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基)氨基、二(C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基)氨基、1-萘基-C1～C12烷基氨基、2-萘基-C1～C12烷基氨基。
所述RC所示的甲硅烷基可为无取代的甲硅烷基，也可为甲硅烷基中的1、2或3个氢原子被选自烷基、芳基、芳烷基及1价的杂环基中的1、2或3个基团所取代的甲硅烷基(以下，称为“取代甲硅烷基”。)。
所述取代甲硅烷基可进一步具有取代基，碳数通常为1～60，优选为3～48。
作为所述取代甲硅烷基，例如可举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三-异丙基甲硅烷基、二甲基-异丙基甲硅烷基、二乙基-异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3、7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷氧基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、C1～C12烷基苯基-C1～C12烷基甲硅烷基、1-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、2-萘基-C1～C12烷基甲硅烷基、苯基-C1～C12烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三对二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基。
作为所述RC所示的卤原子，例如可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。
所述RC所示的酰基可具有取代基，碳数通常为1～20，优选为2～18。作为所述酰基，例如可举出乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基。
所述RC所示的酰氧基可具有取代基，碳数通常为1～20，优选为2～18。作为所述酰氧基，例如可举出乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基。
所述RC所示的亚胺残基为亚胺化合物(是指分子内具有-N＝C-的化合物。作为其例，可举出亚胺醛、酮亚胺及与它们中所含的氮原子结合的氢原子被烷基等取代的化合物。)中除去1个氢原子后的原子团，可具有取代基，碳数通常为2～20，优选为2～18。
作为所述亚胺残基，例如可举出以下的式所示的基团。
(式中，Me表示甲基。以下同样。)
所述RC所示的氨基甲酰基可具有取代基，碳数通常为1～20，优选为2～20，更优选为2～18。作为所述氨基甲酰基，例如可举出甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二(三氟乙酰)胺基、二(五氟苯甲酰)胺基。
所述RC所示的酰亚胺基为从酰亚胺除去与其氮原子结合的氢原子后的原子团，可具有取代基，碳数通常为4～20。作为所述酰亚胺基，例如，可举出以下示出的基团。
所述RC所示的1价的杂环基是指从杂环化合物中除去1个氢原子后的剩余的原子团，碳数通常为4～60，优选为4～20。1价的杂环基中优选为1价的芳香族杂环基。1价的杂环基的碳数中不包含取代基的碳数。在此，杂环化合物是指，具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅仅为碳原子，环内还含有氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子等杂原子的化合物。作为所述1价的杂环基，例如可举出噻吩基、C1～C12烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C1～C12烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基，优选为噻吩基、C1～C12烷基噻吩基、吡啶基、C1～C12烷基吡啶基。
所述RC所示的羧基可为无取代的羧基，也可为羧基中的氢原子被烷基、芳基、芳烷基或1价的杂环基所取代的羧基(以下，称为“取代羧基”。)。
所述取代羧基可进一步具有取代基，碳数通常为2～60，优选为2～48。
作为所述取代羧基，例如可举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、丁氧基羰基、异丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、戊氧基羰基、己氧基羰基、环己氧基羰基、庚氧基羰基、辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、壬氧基羰基、癸氧基羰基、3、7-二甲基辛氧基羰基、十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基。该烷基、芳基、芳烷基及1价的杂环基可具有取代基。
作为所述RC所示的基团可具有的取代基，可举出烷基、芳基、氟基及1价的杂环基。
-交联性高分子化合物-
所述交联性高分子化合物通常为在分子量上具有分布，且聚苯乙烯换算的数均分子量为1×104～1×108化合物。
从容易交联的观点出发，所述交联性高分子化合物优选具有如下组中的至少一种作为重复单元：具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的亚芳基，具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的2价的杂环基，及具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的2价的芳香族胺残基(以下，该重复单元被称为“第一重复单元”。)。
〔式(I)中，Z表示所述式(Z-1)～(Z-12)的任一个所示的基团，J1表示可具有取代基的亚苯基，J2表示可具有取代基的亚烷基，X1表示氧原子或硫原子，h及i分别独立地为0或1，j为0～3的整数。〕
所述亚芳基包括：从芳香族烃中除去2个氢原子后的原子团，包括具有稠环的基团，2个以上独立的苯环或稠环直接或介由亚乙烯基等键合的基团。所述亚芳基可具有取代基。作为所述亚芳基可具有的取代基，可举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基，从发光元件的特性的观点出发，优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、卤原子、氰基。
关于所述亚芳基，除去取代基的部分的碳数通常为6～60，优选为6～20，包括取代基的全部碳数通常为6～100。
作为所述亚芳基，例如可举出亚苯基(下式1～3)、亚萘基(下式4～13)、亚蒽基(下式14～19)、亚联苯基(下式20～25)、亚三联苯基(下式26～28)、稠环基(下式29～35)、亚芴基(下式36～38)、亚苯并芴基(下式39～46)，从发光元件的耐久性的观点出发，优选为亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚联苯基、亚芴基、亚苯并芴基，更优选为亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚芴基、亚苯并芴基，进一步优选为亚苯基、亚芴基。以下的基团可具有与作为所述亚芳基可具有的取代基进行说明而例示的基团相同的取代基。
所述2价的杂环基为从杂环化合物中除去2个氢原子后剩余的的原子团。所述2价的杂环基可具有取代基。作为所述取代基可举出与所述亚芳基可具有的取代基相同的基团。
所述杂环化合物为具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅仅为碳原子，环内还含有氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、砷原子等的杂原子的化合物。作为所述2价的杂环基，优选为2价的芳香族杂环基。
在2价的杂环基中，除去取代基的部分的碳数通常为3～60，包括取代基的全部碳数通常为3～100。
作为2价的杂环基，例如可举出以下的基团。以下的基团可具有与作为所述亚芳基可具有的取代基进行说明例示的基团相同的取代基。
作为杂原子含有氮原子的2价的杂环基：亚吡啶基(下式101～104)、亚二氮苯基(下式105～108)、亚三嗪基(下式109)、亚喹啉基(下式110～114)、亚喹喔啉基(下式115～119)、亚吖啶基(下式120～123)、亚联吡啶基(下式124～126)、亚邻二氮杂菲基(下式127～128)。
作为杂原子含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等的具有芴结构的基团(下式129～136)。
作为杂原子含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等的5员环杂环基(下式137～140)。
作为杂原子含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等的5员环稠合杂环基(下式141～158)。
作为杂原子含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等的5员环杂环基且以其杂原子的α位键合，形成为2聚物或低聚物的基团(下式159～160)。
作为杂原子含有氧原子、硫原子、氮原子、硅原子等的5员环杂环基且以其杂原子的α位与苯基键合而成的基团(下式161～166)。
作为杂原子含有氧原子、硫原子、氮原子等的5员环稠合杂环基中苯基、呋喃基、噻吩基取代了的基团(下式167～172)。
作为杂原子含有氧原子、氮原子等的6员环杂环基(下式173～176)。
从电子传输性的观点出发，作为2价的杂环基，优选为下述式(II)所示的2价的基团：
〔式(II)中，Y表示氧原子、硫原子、-O-C(R2)(R3)-、或-Si(R4)(R5)-。R2、R3、R4及R5分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基或芳烷基。该式可具有取代基。〕
更优选为下述式(II)-1或下述式(II)-2所示的2价的基团。
〔式(II)-1中，Y表示与前述相同的意义。该式所示的基团可具有取代基。〕
〔式(II)-2中，Y具有与前述相同的意义。该式所示的基团可具有取代基。〕
在所述式(II)、式(II)-1、式(II)-2所示的基团具有取代基的情况下，作为该取代基可举出烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基。这些的基团具有与前述相同的意义。
从合成的容易性的观点出发，所述式(II)、式(II)-1中，Y优选为氧原子、硫原子，更优选为氧原子。
从合成的容易性的观点出发，所述式(II)-2中，Y优选为氧原子或硫原子，特别优选为硫原子。
所述2价的芳香族胺残基是指从芳香族胺中除去2个氢原子2个后剩余的原子团，其碳数在不含取代基的碳数时通常为5～100，优选为15～60。所述2价的芳香族胺残基可具有取代基。作为所述取代基，可举出与所述亚芳基可具有的取代基相同的基团。
作为所述2价的芳香族胺残基，可举出以下的式201～214所示的2价的基团。以下的基团可具有与作为所述亚芳基可具有的取代基进行说明而例示的基团相同的取代基。
从空穴传输性的观点出发，作为所述2价的芳香族胺残基，优选为下述式(III)所示的2价的基团：
〔式(III)所示的基团可具有取代基。〕
或者，下述式(IV)所示的2价的基团：
〔式(IV)所示的基团可具有取代基。〕
在所述式(III)或(IV)所示的基团具有取代基的情况下，作为该取代基可举出烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基及取代氨基。这些的基团具有与前述相同的意义。
所述式(I)中，Z表示所述式(Z-1)～(Z-12)所示的基团，从原料化合物的入手的容易性的观点出发，优选为所述式(Z-1)～(Z-7)所示的基团，更优选为所述式(Z-1)、(Z-2)、(Z-5)～(Z-7)所示的基团，特别优选为所述式(Z-1)、(Z-2)、(Z-5)所示的基团。
所述式(I)中，J1所示的亚苯基可具有取代基。作为所述亚苯基，可举出邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基等。作为所述亚苯基可具有的取代基，可举出烷基、烷氧基、卤原子、氰基。这些基团具有与前述相同的意义。
所述式(I)中，J2所示的亚烷基可为直链，也可具有支链，可具有取代基。所述亚烷基的碳数通常为1～20、优选为1～10、更优选为1～6。作为所述亚烷基、可举出亚甲基、1、2-亚乙基、1、3-亚丙基、1、3-亚丁基、1、4-亚丁基、1、3-亚戊基、1、4-亚戊基、1、5-亚戊基、1、4-亚己基、1、6-亚己基、1、7-亚庚基、1、6-亚辛基、1、8-亚辛基等。
从交联性高分子化合物的合成的容易性的观点出发，所述式(I)中，X1优选为氧原子。
作为具有1～4个所述式(I)所示的基团且可具有取代基的亚芳基，具有1～4个所述式(I)所示的基团且可具有取代基的2价的杂环基，以及具有1～4个所述式(I)所示的基团且可具有取代基的2价的芳香族胺残基，可举出以下的式(Ar1-1)～(Ar1-22)所示的基团。
从电荷传输性的观点出发，所述交联性高分子化合物除了第一重复单元，还优选含有下述式(A)所示的重复单元：
〔式(A)中，R6表示烷基、芳基、芳烷基或芳烷氧基，这些基团可具有取代基。2个存在的R6可相同，也可不同，可相互结合而形成环。〕
所述式(A)所示的重复单元与第一重复单元不同。
所述式(A)中，R6所示的烷基，芳基，芳烷基，芳烷氧基具有与前述相同的意义，但从原料单体的合成的容易性的观点出发，优选为烷基、芳基、芳烷基，更优选为烷基、芳基，特别优选为烷基。
在2个R6相互结合形成环的情况下，作为该环，可示例可具有取代基的C4～C10环烷烃环、可具有取代基的C4-C10环烯烃环、可具有取代基的C4～C10杂环。
作为C4～C10环烷烃环，可示例环丁烷环、环戊烷环、环己烷环、环庚烷环、环辛烷环、环壬烷环、环癸烷环。
C4～C10环烯烃环包括具有2个以上双键的环，作为其具体例，可举出环己烯环、环己二烯环、环辛三烯环、环戊二烯环。
作为C4～C10杂环，可示例四氢呋喃环、四氢噻吩环、四氢吲哚环、四氢喹啉环、六氢吡啶环、四氢异喹啉环。
从空穴传输性的观点出发，所述交联性高分子化合物除了第一重复单元，优选地还具有选自下述式(B)所示的重复单元及下述式(C)所示的重复单元中的一种以上的重复单元。下述式(B)、(C)所示的重复单元与第一重复单元不同。
〔式(B)中，Ar3、Ar4、Ar5及Ar6分别独立地表示可具有取代基的亚芳基或可具有取代基的2价的杂环基，Ar7、Ar8及Ar9分别独立地表示可具有取代基的芳基或可具有取代基的1价的杂环基，α及β分别独立地为0或1。〕
〔式(C)中，P环及Q环表示可具有取代基的芳香族烃环，X3表示单键、氧原子或硫原子，R100表示烷基、芳基、芳氧基、芳烷基、酰基或1价的杂环基，这些基团可具有取代基。〕
所述式(B)中，亚芳基、2价的杂环基、芳基及1价的杂环基具有与前述相同的意义。
作为Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8及Ar9所示的基团可具有的取代基，可举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基。这些的基团、原子具有与前述相同的意义。
所述式(C)中，作为芳香族烃环，可举出在所述亚芳基的项中示出的例示中，2个结合键被氢原子取代而成的环。
所述式(C)中，P环及Q环可具有的取代基与作为所述Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8及Ar9所示的基团可具有的取代基进行说明而例示的基团、原子相同。
所述式(C)中、R100所示的烷基、芳基、芳氧基、芳烷基、酰基、1价的杂环基具有与前述相同的意义。R100所示的基团可具有的取代基与作为所述Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8及Ar9所示的基团可具有的取代基进行说明而例示的基团、原子相同。
从空穴传输性的观点出发，所述式(B)所示的重复单元优选为下述式(B)-1、(B)-2、(B)-3或(B)-4所示的重复单元。
〔式(B)-1中，R7表示氢原子、烷基或烷氧基，这些基团可具有取代基。3个存在的R7可相同也可不同。〕
〔式(B)-2中，R8表示氢原子、烷基或烷氧基，这些基团可具有取代基。6个存在的R8可相同也可不同。〕
〔式(B)-3中，R9表示氢原子、烷基或烷氧基，这些基团可具有取代基。6个存在的R8可相同也可不同。〕
〔式(B)-4中，R10表示氢原子、烷基或烷氧基，这些基团可具有取代基。R11表示烷基、芳基、芳烷基或芳烷氧基，这些基团可具有取代基。6个存在的R10可相同也可相异，2个存在的R11可相同也可不同。〕
所述式(B)-1中的R7、所述式(B)-2中的R8、所述式(B)-3中的R9所示的烷基、烷氧基具有与前述相同的意义。
所述式(B)-4中，R10所示的烷基、烷氧基，R11所示的烷基、芳基、芳烷基、芳烷氧基具有与前述相同的意义。
从空穴传输性的观点出发，所述式(C)所示的重复单元优选为下述式(C)-1所示的重复单元。
〔式(C)-1中，R12表示烷基、芳基或芳烷基，这些基团可具有取代基。〕
所述式(C)-1中，R12所示的烷基、芳基、芳烷基具有与前述相同的意义。
从电荷传输性的观点出发，所述交联性高分子化合物优选地除了第一重复单元以外，还具有选自下述式(D)、(E)、(F)、(G)所示的重复单元中的一种以上的重复单元。下述式(D)、(E)、(F)、(G)所示的重复单元与第一重复单元相异。
〔式(D)中，R13表示烷基、芳基、芳烷基或芳烷氧基，这些基团可具有取代基。2个存在的R13可相同也可相异，可相互结合形成环。〕
〔式(E)中，R14表示烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或芳烷氧基，这些基团可具有取代基。q为0～4的整数。在存在多个R14的情况下，它们可相同也可不同。〕
〔式(F)中，R15表示烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或芳烷氧基，这些基团可具有取代基。Z’表示氧原子或硫原子。r为0～3的整数。在存在多个R15的情况下，它们可相同也可不同。〕
〔式(G)中，R16表示烷基、烷氧基、芳基、芳烷基或芳烷氧基，这些基团可具有取代基。s为0～2的整数。在存在多个R16的情况下，它们可相同也可不同。〕
所述式(D)中，R13所示的烷基，芳基，芳烷基，芳烷氧基具有与前述相同的意义。
所述式(D)中，在R13所示的基团相互结合形成环的情况下，作为该环，可示例可具有取代基的C4～C10环烷烃环、可具有取代基的C4-C10环烯烃环、及可具有取代基的C4～C10杂环。
R13所示的基团相互结合可形成的C4～C10环烷烃环、可具有取代基的C4-C10环烯烃环、及可具有取代基的C4～C10杂环，与作为R6所示的基团相互结合可形成的环进行说明而例示的环相同。
所述式(E)中的R14、所述式(F)中的R15、所述式(G)中的R16所示的烷基、烷氧基、芳基、芳烷基、芳烷氧基具有与前述相同的意义。
所述交联性高分子化合物，在本发明的组合物作为发光材料使用的情况下，从发光元件的发光効率的观点出发，除了第一重复单元以外，优选地还具有选自下述式(J)、(K)或(N)所示的重复单元中的一种以上的重复单元。下述式(J)、(K)、(N)所示的重复单元与第一重复单元相异。
〔式(J)中，L1表示从下述式(L-1)～(L-5)的任一个所示的配体中除去2个氢原子后的残基，L2及L3表示(L-1)～(L-5)的任一个所示的配体或卤原子，M表示原子序数50以上且由旋转-轨道相互作用而在本化合物中可引起单重态和三重态间的系间交叉(intersystem crossing)的金属原子，la及lb分别独立地为0或1。〕
〔所述式(K)中，L4及L5分别独立地表示从下述式(L-1)～(L-5)的任一个所示的配体中除去1个氢原子后的结构，L6表示下述式(L-1)～(L-5)的任一个所示的配体或卤原子，M具有与前述相同的意味，lc为0或1。〕
〔式(N)中，ArM表示亚芳基、2价的杂环基或2价的芳香族胺残基，具有1个或2个下述式(P)所示的基团：
——L7——M(L8)ld(L9)le  (P)
〔式(P)中，L7表示从下述式(L-1)～(L-5)的任一个所示的配体中除去1个的氢原子后的残基，L8及L9分别独立地表示下述式(L-1)～(L-5)的任一个所示的配体或卤原子，M具有与前述相同的意义，ld及le分别独立地为0或1。〕〕
〔式(L-1)～(L-5)中，*表示与金属络合物结合的原子。〕
所述式(L-1)～(L-5)所示的配体可具有与作为所述Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8及Ar9所示的基团可具有的取代基进行说明而例示的基团相同的取代基。
所述式(J)，(K)及(P)中，作为M所示的金属原子，可示例铼原子、铱原子、锇原子、铂原子、金原子、铕原子，从发光元件的发光効率的观点出发，优选为铱原子、铂原子、金原子、更优选为、铱原子、铂原子。
所述式(J)中，由于发光元件的发光効率增高，la及lb优选la+lb为1或2，更优选为2。
所述式(K)中，由于发光元件的发光効率增高，lc优选为1。
所述式(P)中，ld及le，由于发光元件的发光効率增高，ld+le优选为1或2，更优选为2。
所述式(N)中，ArM所示的亚芳基、2价的杂环基、2价的芳香族胺残基表示与前述同样的基团。
从发光元件的发光効率的观点出发，所述交联性高分子化合物优选具有第一重复单元、所述式(A)所示的重复单元、和选自所述式(B)所示的重复单元及所述式(C)所示的重复单元中的一种以上的重复单元。
在所述交联性高分子化合物中，从交联性高分子化合物的化学的稳定性的观点出发，第一重复单元的比例的上限相对于交联性高分子化合物的全部重复单元，通常为100摩尔％，优选为50摩尔％，更优选为30摩尔％，特别优选为15摩尔％，从交联性高分子化合物的固化性的观点出发，第一重复单元的比例的下限通常为1摩尔％，优选为2摩尔％，更优选为5摩尔％。
在所述交联性高分子化合物为具有第一重复单元、所述式(A)所示的重复单元、和选自所述式(B)所示的重复单元及所述式(C)所示的重复单元中的一种以上的重复单元的高分子化合物的情况下，相对于全部重复单元，所述式(A)所示的重复单元通常为10～90摩尔％，优选为30～90摩尔％，所述式(B)、(C)所示的重复单元的总计通常为1～50摩尔％，优选为5～30摩尔％。
从用于发光元件的制作时该发光元件的亮度寿命的观点出发，所述交联性高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量优选为1×104～1×107。
从固化性的观点出发，所述交联性高分子化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为1×104～1×107。
所述交联性高分子化合物可任意为均聚物、交替共聚物、无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物，也可为具有它们的中间的结构的高分子化合物，例如，带嵌段性的无规共聚物，但从荧光或磷光的量子收率的观点出发，相比于完全的无规共聚物更优选为带嵌段性的无规共聚物、嵌段共聚物，接枝共聚物。所述交联性高分子化合物还包括主链具有分枝且具有3个以上末端部的情况、树枝状聚合物(dendrimer)。
若所述交联性高分子化合物的末端基为聚合活性基，则在用于发光元件的制作时，有时该发光元件的发光特性、寿命降低，因此优选以稳定的基团进行保护。在所述交联性高分子化合物具有共轭结构的情况下，作为所述末端基，优选为具有与主链的共轭结构连续的共轭结合的基团，作为这样的基团，可举出介由碳-碳键与芳基或1价的杂环基结合的基团、日本特开平9-45478号公报的化10中记载的取代基。
作为所述交联性高分子化合物，可举出以下的高分子化合物。式中，v、w、x、y及z表示组成比(摩尔比)。
以上例示的高分子化合物中，共聚物可任意为无规共聚物、交替共聚物、嵌段共聚物。
-交联性低分子化合物-
所述交联性低分子化合物为具有单一的分子量且分子量为1×102以上且小于1×104的化合物。
作为所述交联性低分子化合物，优选为下述式(R)所示的化合物。
〔式(R)中、E1及E2分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基，这些基团可具有取代基。E3表示直接键合、亚芳基或2价的芳香族胺残基，这些基团可具有取代基。r为0～2的整数。Ar2表示亚芳基、2价的芳香族胺残基、具有氧原子或硫原子的2价的杂环基、或具有金属络合物结构的2价的基团，这些基团可具有取代基、Ar2具有2～4个下述式(V)所示的基团：
(式(V)中，Z具有与前述相同的意义，J3表示可具有取代基的亚苯基，J4表示可具有取代基的亚烷基，X2表示氧原子或硫原子。l及m分别独立地为0或1，n为0～3的整数。)。
在存在多个Ar2及E3的情况下分别可相同也可不同。
所述式(R)中，E1及E2所示的基团、原子表示与前述相同的意义，但从交联性低分子化合物的合成的容易性的观点出发，E1及E2优选为氢原子、烷基、芳基、芳烷基、取代氨基、取代甲硅烷基或卤原子，更优选为氢原子、芳基、芳烷基、取代氨基或卤原子，进一步优选为芳基、取代氨基或卤原子。
所述式(R)中、Ar2及E3所示的亚芳基为与前述相同的基团，但从发光元件的发光効率的观点出发，优选为亚萘基、亚蒽基、稠环基、亚芴基、亚苯并芴基，更优选为亚蒽基、稠环基、亚芴基，进一步优选为亚蒽基、亚芴基。
作为Ar2所示的具有氧原子或硫原子的2价的杂环基，可举出前述式129～134、137、138、141、142、145、146、149、150、153、154、157～162、165、167～174所示的基团。
Ar2所示的具有氧原子或硫原子的2价的杂环基，从电子传输性的观点出发，所述式(II)所示的基团中，优选Y为氧原子或硫原子的基团，所述式(II)-1，(II)-2所示的基团中，优选Y1为氧原子或硫原子的基团。
作为Ar2及E3所示的2价的芳香族胺残基的例示、优选的范围，与前述同样。
Ar2所示的具有金属络合物结构的2价的基团是指，从具有有机配体的金属络合物的有机配体中除去2个氢原子后剩余的2价的基团，或从2个有机配体中分别除去1个氢原子后剩余的2价的基团。该有机配体的碳数通常为4～60，作为其例，可举出8-羟基喹啉及其衍生物、苯并羟基喹啉及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物、2-苯基-苯并噻唑及其衍生物、2-苯基-苯并噁唑及其衍生物、卟啉及其衍生物，从使用交联性低分子化合物制作的发光元件的发光効率的观点出发，优选为8-羟基喹啉及其衍生物、苯并羟基喹啉及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物，进一步优选为苯并羟基喹啉及其衍生物、2-苯基-吡啶及其衍生物。
作为所述金属络合物的中心金属，例如可举出铝、锌、铍、铱、铂、金、铕、铽，从发光元件的发光効率的观点出发，优选为铝、锌、铱、铂，更优选为铱、铂，进一步优选为铱。
作为所述具有有机配体的金属络合物，可举出作为低分子荧光材料、磷光材料公知的金属络合物，三重态发光络合物等，从发光元件的发光効率的观点出发，优选三重态发光络合物。
作为所述具有有机配体的金属络合物，示例出以下的式301～308所示的金属络合物。这些具有有机配体的金属络合物可具有取代基。作为该金属络合物可具有的取代基，可举出烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、取代羧基、氰基及硝基，从发光元件的特性的观点出发，优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、卤原子、氰基。
所述式(V)中，作为J3所示的亚苯基，可举出邻亚苯基、间亚苯基、对亚苯基等。作为所述亚苯基可具有的取代基，可举出烷基、烷氧基、卤原子、氰基。这些的基团具有与前述相同的意义。
所述式(V)中，J4所示的亚烷基可为直链也可具有支链。所述亚烷基与所述J2所示的亚烷基相同。
所述式(V)中，从交联性低分子化合物的合成的容易性的观点出发，X2优选为氧原子。
作为所述Ar2，可举出下述式(Ar2-1)～(Ar2-22)所示的基团。
作为所述交联性低分子化合物，从具有高効率的荧光发光的观点出发，优选为芳香族烃，从电子传输性的观点出发，优选为杂环化合物。在所述交联性低分子化合物中，芳香族烃及杂环化合物可具有取代基。
在所述交联性低分子化合物中，从具有高効率的荧光发光的观点出发，Ar2优选为亚芳基，从电子传输性的观点出发，优选为2价的杂环基，从空穴传输性的观点出发，优选为2价的芳香族胺残基，从具有高効率的磷光发光的观点出发，优选为具有金属络合物结构的2价的基团。
作为所述交联性低分子化合物，可举出以下的式所示的化合物。
-共通-
在本发明的组合物中，交联性高分子化合物及交联性低分子化合物分别可单独使用1种，也可并用2种以上。
所述交联性高分子化合物与所述交联性低分子化合物的重量比通常为99∶1～50∶50(即，99/1～50/50)，从组合物的固化性的观点出发，优选为99∶1～70∶30，进一步优选为99∶1～90∶10。
本发明的组合物1g中的交联基的摩尔数通常为1.0×10-6～1.0×10-2摩尔，从组合物的固化性的观点出发，优选为1.0×10-4～1.0×10-2摩尔，进一步优选为1.0×10-3～1.0×10-2摩尔。
所述交联性高分子化合物1g中的交联基的摩尔数通常为1.0×10-6～5.0×10-3摩尔，从组合物的固化性的观点出发，优选为1.0×10-5～5.0×10-3摩尔，进一步优选为1.0×10-4～5.0×10-3摩尔。
所述交联性低分子化合物1g中的交联基的摩尔数通常为1.0×10-6～1.0×10-2摩尔，从组合物的固化性的观点出发，优选为1.0×10-5～5.0×10-3摩尔，进一步优选为1.0×10-4～5.0×10-3摩尔。
<组合物>
本发明的组合物可进一步含有溶剂(以下，有时将含有溶剂的组合物称为“液体组合物”。)。
本发明的组合物在发光元件等的发光元件、有机晶体管的制作中有用。本发明的液体组合物在元件制作时为液体，典型地在常压(即，1气压)、25℃下为液体。
本发明的组合物可含有低分子发光材料、空穴传输材料、电子传输材料、用于调节粘度及/或表面张力的添加剂、抗氧化剂等。这些任意成分分别可单独使用一种，也可并用二种以上。
在本发明的组合物含有任意成分的情况下，从组合物的固化性的观点出发，相对于除去溶剂的组合物的重量，交联性高分子化合物及交联性低分子化合物的比例通常为80～99.9重量％，优选为85～99.9重量％。
作为所述低分子发光材料，可举出萘衍生物，蒽，蒽衍生物，芘，芘衍生物，聚甲炔系色素，呫吨系色素，香豆素系色素，花青系色素，具有8-羟基喹啉的金属络合物作为配体的金属络合物，具有8-羟基喹啉衍生物作为配体的金属络合物，其他的荧光性金属络合物，铱络合物、铂络合物等磷光性金属络合物，具有苯基吡啶衍生物、苯基异喹啉衍生物、2，2’-联吡啶衍生物等作为配体的磷光性金属络合物，芳香族胺，四苯基环戊二烯，四苯基环戊二烯衍生物，四苯基环丁二烯，四苯基环丁二烯衍生物，芪系，含硅芳香族系，噁唑系，N-氧化噁二唑系，噻唑系，四芳基甲烷系，噻二唑系，吡唑系，间环芳系，乙炔系等的低分子化合物的荧光性材料，还可举出日本特开昭57-51781号公报、日本特开昭59-194393号公报等中记载的材料。
作为所述空穴传输材料，可举出聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等。
作为所述电子传输材料，可举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)及其衍生物，苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、联苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。
作为用于调节所述粘度及/或表面张力的添加剂，可根据需要组合使用用于提高粘度的高分子量的化合物(增稠剂)、贫溶剂，用于降低粘度的低分子量的化合物，用于降低表面张力的表面活性剂等。
作为所述高分子量的化合物，只要不阻碍发光或电荷传输即可，通常为可溶于组合物可含有的溶剂中的材料。作为高分子量的化合物，可使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯等。所述高分子量的化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量优选为50万以上，更优选为100万以上。还可使用贫溶剂作为增稠剂。
作为所述抗氧化剂，只要不阻碍发光或电荷传输即可，在组合物含有溶剂的情况下，通常可溶于该溶剂。作为抗氧化剂可举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂等。通过使用抗氧化剂，可改善所述组合物、溶剂的保存稳定性。
在本发明的组合物含有空穴传输材料的情况下，该液体组合物中的空穴传输材料的比例通常为1～80重量％，优选为5～60重量％。
在本发明的组合物含有电子传输材料的情况下，该液体组合物中的电子传输材料的比例通常为1～80重量％，优选为5～60重量％。
在使用本发明的液体组合物制作发光元件时，仅在涂布本发明的组合物后，通过干燥除去溶剂即可，在混合电荷传输材料、发光材料的情况下也可使用同样的方法，因此制造上有利。干燥时，可在加温至50～150℃左右的状态下干燥，也可减压至10-3Pa左右进行干燥。
使用本发明的组合物的成膜中，可使用旋涂法、浇注法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、狭缝涂布法、帽涂法(cap coat method)法、毛细管涂布法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶印法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等的涂布法。
本发明的液体组合物中的溶剂的比例，相对于该液体组合物的总重量，通常为1～99.9重量％，优选为60～99.9重量％，更优选为90～99.5重量％。液体组合物的粘度随印刷法而不同，但在25℃下优选为0.5～500mPa·s，喷墨印刷法等，液体组合物经由喷出装置的情况下，为了防止喷出时堵塞或飞出，粘度在25℃下优选为0.5～20mPa·s。
作为液体组合物中所含的溶剂，优选可溶解或分散该液体组合物中的该溶剂以外的成分。作为该溶剂，可举出氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等的氯系溶剂，四氢呋喃、二氧杂环乙烷等醚系溶剂，甲苯、二甲苯、三甲基苯、筴等的芳香族烃系溶剂，环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃系溶剂，丙酮、甲乙酮、环己酮等酮系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、安息香酸甲酯、乙基溶纤剂醋酸酯等的酯系溶剂，二乙二醇、二乙二醇单丁基醚、二乙二醇单乙基醚、二乙二醇单甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三二乙二醇单乙基醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂，二甲亚砜等亚砜系溶剂，N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺基等酰胺系溶剂。这些溶剂可单独使用1种，还可并用2种以上。所述溶剂中，具有含有1个以上苯环的结构且熔点为0℃以下、沸点为100℃以上的有机溶剂被含有1种类以上时，从粘度、成膜性等观点出发而优选。作为溶剂的种类，从液体组合物中溶剂以外的成分向有机溶剂的溶解性、成膜时的均一性、粘度特性等的观点出发，优选为芳香族烃系溶剂、脂肪族烃系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂，优选为甲苯、二甲苯、乙基苯、二乙基苯、三甲基苯、筴、正丙基苯、异丙基苯、正丁基苯、异丁基苯、叔丁基苯、茴香醚、乙氧基苯、1-甲基萘、环己烷、环己酮、环己基苯、联环己烷、环己烯基环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、甲基安息香酸酯、2-丙基环己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己基酮，进一步优选为含有二甲苯、茴香醚、筴、环己基苯、联环己基甲基安息香酸酯中的至少1种。
液体组合物中所含的溶剂的种类，从成膜性的观点、元件特性等观点出发，优选为2种以上，更优选为2～3种，特别优选为2种。
在液体组合物中含有2种溶剂的情况下，其中的1种溶剂可在25℃下为固体状态。从成膜性的观点出发，优选1种溶剂的沸点为180℃以上，另1种溶剂的沸点小于180℃，进一步优选1种溶剂的沸点为200℃以上，另1种溶剂的沸点小于180℃。从粘度的观点出发，优选在60℃下，以从液体组合物中除去溶剂后的成分为0.2重量％以上的浓度溶解于溶剂，优选在25℃下，以从液体组合物中除去溶剂后的成分为0.2重量％以上的浓度溶解于2种溶剂中的1种溶剂。
在液体组合物含有3种溶剂的情况下，其中的1～2种溶剂可在25℃下为固体状态。从成膜性的观点出发，优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点是180℃以上的溶剂，至少1种溶剂为沸点小于180℃的溶剂，进一步优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点200～300℃的溶剂，至少1种溶剂为沸点小于180℃的溶剂。从粘度的观点出发，优选在60℃下，以从液体组合物中除去溶剂后的成分为0.2重量％以上的浓度溶解于3种溶剂中的2种溶剂，优选在25℃下，以从液体组合物中除去溶剂后的成分为0.2重量％以上的浓度溶解于3种溶剂中的1种溶剂。
在液体组合物含有2种以上溶剂的情况下，从粘度及成膜性的观点出发，沸点最高的溶剂优选为液体组合物中所含的全部溶剂的重量的40～90重量％，更优选为50～90重量％，进一步优选为65～85重量％。
<薄膜>
本发明的薄膜是使用本发明的组合物而形成的。作为薄膜的种类，可举出发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜等。
本发明的薄膜的第一形态为保持本发明的组合物所含的交联性高分子化合物和交联性低分子化合物的状态的薄膜。本发明的薄膜的第二形态为使本发明的组合物所含的交联性高分子化合物和交联性低分子化合物进行交联而成的薄膜。
在本发明的薄膜的第二形态中，所述交联可利用基于热、光等的外部刺激而进行，可使交联性高分子化合物和交联性低分子化合物一边交联一边形成薄膜，还可在形成薄膜后使之交联。
在利用热使薄膜交联的情况下，本发明的组合物的加热温度通常为室温～300℃。从薄膜制作的容易性的观点出发，加热温度的上限优选为250℃，进一步优选为190℃，特别优选为170℃，从室温下组合物的处理的容易性的观点出发，加热温度的下限优选为50℃，进一步优选为70℃，特别优选为100℃。通过加热温度和加热时间，可调整交联比例。
本发明的组合物，在利用光使薄膜交联的情况下，照射的光优选为紫外光、近紫外光、可见光，进一步优选为紫外光、近紫外光。通过光的曝光波长和照射世界，可调节交联比例、交联速度。
发光性薄膜，从元件的亮度、发光电压等观点出发，发光的量子收率优选为50％以上，更优选为60％以上，进一步优选为70％以上。
导电性薄膜的表面电阻优选为1KΩ/□以下。通过向薄膜掺杂路易斯酸、离子性化合物等，可提高导电率。表面电阻更优选为100Ω/□以下，进一步优选为10Ω/□以下。
有机半导体薄膜的电子迁移率或空穴迁移率的任意较大的一方，优选为10-5cm2/V/秒以上，更优选为10-3cm2/V/秒以上，进一步优选为10-1cm2/V/秒以上。使用有机半导体薄膜，可制作有机晶体管。具体而言，在形成有SiO2等绝缘膜和栅电极的Si基板上形成有机半导体薄膜，通过以Au等形成源电极和漏电极，可制成有机晶体管。
<有机晶体管>
本发明的有机晶体管为使用本发明的组合物而形成的有机晶体管。以下，对作为有机晶体管的一个形态的场效应晶体管进行说明。
本发明的组合物，作为场效应晶体管的材料，其中适于用作活性层。作为场效应晶体管的结构，通常，源电极及漏电极与使用本发明的组合物而形成的活性层相接地设置，进一步夹持与活性层接触的绝缘层而设置栅电极。
场效应晶体管通常形成于支承基板上。作为支承基板可使用玻璃基板、挠性的薄膜基板、塑料基板。
场效应晶体管可使用公知的方法，例如，日本特开平5-110069号公报中记载的方法进行制造。
在形成活性层时，使用本发明的液体组合物在制造上有利从而优选。由本发明的液体组合物的成膜中可使用旋涂法、浇注法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、狭缝涂布法、帽涂法(cap coat method)法、毛细管涂布法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶印法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等的涂布法。
优选为在制作场效应晶体管后，进行密封而成的密封场效应晶体管。由此，场效应晶体管与大气隔断，可抑制场效应晶体管的特性的降低。
作为密封方法，可举出紫外线(UV)固化树脂、热固化树脂、无机的SiONx膜等覆盖的方法，以UV固化树脂、热固化树脂等贴合玻璃板、薄膜的方法等。为了进行与大气的高效的隔断，在制造场效应晶体管后直至密封为止的工序优选不暴露在大气中进行(例如，干燥的氮气氛中，真空中)。
<有机光电转换元件>
本发明的有机光电转换元件(例如，太阳能电池)为使用本发明的组合物而形成的有机光电转换元件。
本发明的组合物，作为有机光电转换元件的材料，其中适宜作为利用有机半导体和金属的界面的肖特基势垒型元件的有机半导体层中使用的材料，及，作为利用有机半导体和无机半导体或有机半导体之间的界面的pn异质结型元件的有机半导体层中使用的材料。
此外，可适宜用作增大了供体·受体的接触面积的本体异质结型元件中的给电子性材料、受电子性材料，及，作为使用高分子·低分子复合体系的有机光电转换元件，例如，分散富勒烯衍生物作为受电子体的本体异质结型有机光电转换元件的给电子性共轭系材料(分散支持体)。
作为有机光电转换元件的结构，例如可举出，pn异质结型元件中，欧姆性电极，例如，ITO上形成p型半导体层，再层叠n型半导体层，在其上设置欧姆性电极的结构。
有机光电转换元件通常形成于支承基板上。作为支承基板，可使用玻璃基板、挠性薄膜基板、塑料基板等。
有机光电转换元件可利用公知的方法，例如，Synth.Met.，102，982(1999)中记载的方法、Science，270，1789(1995)中记载的方法进行制造。
<发光元件>
然后，对本发明的发光元件进行说明。
本发明的发光元件为具有由阳极及阴极构成的电极，设于该电极间的使用本发明的组合物而成的层的发光元件，优选该层为发光层或电荷传输层的发光元件。作为本发明的发光元件，可举出(1)阴极和发光层间设有电子传输层的发光元件，(2)阳极和发光层间设有空穴传输层的发光元件，(3)阴极和发光层间设有电子传输层，且阳极和发光层间设有空穴传输层的发光元件等。
例如，可举出以下的a)～d)的结构。
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴传输层/发光层/阴极
c)阳极/发光层/电子传输层/阴极
d)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
(其中，/表示各层邻接而层叠。以下相同。)
所述发光层是指具有发光机能的层，空穴传输层是指具有传输空穴的机能的层，电子传输层是指具有传输电子的机能的层。将电子传输层和空穴传输层总称为电荷传输层。发光层、空穴传输层、电子传输层分别独立地可使用2层以上。与发光层邻接的空穴传输层有时被称为中间层。
作为发光层的成膜方法，可举出由溶液的成膜的方法。由溶液的的成膜中可使用旋涂法、浇注法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、狭缝涂布法、帽涂法(cap coat method)法、毛细管涂布法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶印法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等的涂布法。由该溶液的成膜在后述的空穴传输层、电子传输层的成膜中也有用。
在制作发光元件时，可仅通过使用本发明的液体组合物，由涂布后干燥除去溶剂即可，另外，在混合电荷传输材料、发光材料的情况下也可适用同样的方法，制造上有利。
发光层的厚度以驱动电压和发光効率为适度的值的方式进行选择即可，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。
在本发明的发光元件中，发光层中可使用本发明的组合物以外的发光材料。在本发明的发光元件中，含有本发明的组合物以外的发光材料的发光层可与使用本发明的组合物而成的发光层进行层叠。
作为本发明的组合物以外的发光材料，可举出萘衍生物，蒽及其衍生物，芘及其衍生物，聚甲炔系、呫吨系、香豆素系、花青系等的色素类，8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物，芳香族胺、四苯基环戊二烯及其衍生物，四苯基丁二烯及其衍生物等低分子化合物等，还可举出日本特开昭57-51781号、日本特开昭59-194393号公报中记载的材料等。
在本发明的发光元件具有空穴传输层的情况下，所使用的空穴传输材料与前述空穴传输材料同样地优选为聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链具有芳香族胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等高分子空穴传输材料，进一步优选为聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在低分子的空穴传输材料的情况下，优选分散于高分子粘合剂而使用。
作为空穴传输层的成膜方法，低分子空穴传输材料的情况下，可举出以与高分子粘合剂的混合溶液进行成膜的方法。高分子空穴传输材料的情况下，可举出由溶液进行成膜的法。
作为混合的高分子粘合剂，优选为不极度阻碍电荷传输的材料，另外，适宜使用对可见光的吸收不强的材料。作为该高分子粘合剂，可举出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
空穴传输层的厚度以驱动电压和发光効率为适度的值的方式进行选择即可，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。
在本发明的发光元件具有电子传输层的情况下，所使用的电子传输材料与前述电子传输材料同样地优选为噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物，聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物，进一步优选为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。
作为电子传输层的成膜方法，低分子电子传输材料的情况下，可举出基于粉末的真空蒸镀法、基于溶液或溶融状态的成膜的方法，高分子电子传输材料的情况下可举出基于溶液或溶融状态的成膜的方法。在基于溶液或溶融状态的成膜时，可并用高分子粘合剂。
作为混合的高分子粘合剂，优选为不极度阻碍电荷传输的材料，另外，适宜使用对可见光的吸收不强的材料。作为该高分子粘合剂，可举出聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。
电子传输层的厚度以使驱动电压和发光効率为适度的值的方式进行选择即可，例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。
与电极邻接设置的电荷传输层中，对具有改善由电极的电荷注入効率的机能，具有降低元件的驱动电压的効果的层有时特别称为电荷注入层(空穴注入层，电子注入层)。
此外，为了提高与电极的密合性、改善从电极的电荷注入，可与电极邻接地设置所述电荷注入层或绝缘层，另外，为了提高界面的密合性、防止混合等，可在电荷传输层、发光层的界面插入薄的缓冲层。
关于层叠的层的顺序、数量，及各层的厚度，可考虑发光効率、元件寿命进行选择。
在本发明中，作为设有电荷注入层的发光元件，可举出与阴极邻接地设置电荷注入层的发光元件，与阳极邻接地设置电荷注入层的发光元件。
例如，可举出以下的e)～p)的结构。
e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极
f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极
g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极
h)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/阴极
i)阳极/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极
j)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极
k)阳极/电荷注入层/发光层/电荷传输层/阴极
l)阳极/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
m)阳极/电荷注入层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
n)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电荷传输层/阴极
o)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
p)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极
作为电荷注入层，可举出含有导电性高分子的层，设于阳极和空穴传输层间且含有具有阳极材料和空穴传输层所含的空穴传输材料的中间的值的电离势的材料的层，设于阴极和电子传输层间且含有具有阴极材料和电子传输层所含的电子传输材料的中间的值的电子亲和势的材料的层等。
在所述电荷注入层为含有导电性高分子的层的情况下，该导电性高分子的导电率优选为10-5～103S/cm，为了减小发光像素间的漏电流，更优选为10-5～102S/cm，进一步优选为10-5～101S/cm。通常为了使该导电性高分子的导电率为10-5～103S/cm，而向该导电性高分子掺杂适量的离子。
掺杂的离子种类，若为空穴注入层则为阴离子，若为电子注入层则为阳离子。作为阴离子的例子，可举出聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等，作为阳离子的例子，可举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等
电荷注入层的厚度，例如为1～100nm，优选为2～50nm。
作为用于电荷注入层的材料，可举出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、主链或侧链含有芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。
绝缘层具有使电荷注入变得容易的机能。该绝缘层的平均厚度通常为0.1～20nm，优选为0.5～10nm，更优选为1～5nm。作为绝缘层的材料，可举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设有绝缘层的发光元件，可举出与阴极邻接地设有绝缘层的发光元件，与阳极邻接地设有绝缘层的发光元件。
例如，可举出以下的q)～ab)的结构。
q)阳极/绝缘层/发光层/阴极
r)阳极/发光层/绝缘层/阴极
s)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极
t)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/阴极
u)阳极/空穴传输层/发光层/绝缘层/阴极
v)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/绝缘层/阴极
w)阳极/绝缘层/发光层/电子传输层/阴极
x)阳极/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极
y)阳极/绝缘层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极
z)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
aa)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极
ab)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极
形成本发明的发光元件的基板，只要为形成电极，且形成有机物的层时不发生化学变化的材料即可，例如可举出玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等基板。在为不透明的基板情况下，优选相反的电极为透明或半透明。
在本发明的发光元件中，通常由阳极及阴极构成的电极的至少一方为透明或半透明，但优选阳极为透明或半透明。
作为阳极的材料，可使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等，可使用采用由氧化铟、氧化锌、氧化锡、及它们的复合体铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等构成的导电性无机化合物而制作的膜，NESA，金，铂，银，铜等，优选为ITO、铟·锌·氧化物、氧化锡。作为制作方法，可举出真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法、镀敷法等。作为该阳极，可使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机透明导电膜。
阳极的厚度，考虑光的透过性和导电率，例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进一步优选为50nm～500nm。
为了使电荷注入变得容易，阳极上可设有包含酞菁衍生物、导电性高分子、碳等的层，或者含有金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的层。
作为阴极的材料，优选功函数较小的材料，可使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钡、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属，及它们中的2种以上的合金，或者它们中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中1种以上的合金，石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子、可举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。也可为将阴极设为2层以上的层叠结构。
从导电率、耐久性考虑，阴极的厚度，例如为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。
作为阴极的制作方法，可使用真空蒸镀法、溅射法、或热压合金属薄膜的层合法等。在阴极和有机物层之间，可设有含有导电性高分子的层、或含有金属氧化物、金属氟化物，有机绝缘材料等的层，在制作阴极后，可安装保护该发光元件的保护层。为了长期稳定地使用该发光元件，为了从外部保护元件，优选安装保护层及/或保护罩。
作为该保护层，可使用树脂、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。作为保护罩，可使用玻璃板，表面实施了低透水率处理后的塑料板等，适宜使用将该罩用热固化树脂、光固化树脂与元件基板贴合而密闭的方法。若使用间隔件维持空间，则容易防止元件划伤。若向该空间封入氮、氩这样的惰性气体，则可防止阴极的氧化，通过进一步在该空间内设置氧化钡等干燥剂从而可容易抑制制造工序中吸附的水分给元件带来损伤。它们中优选采用任意1种以上的方案。
本发明的发光元件可用于面状光源、段式显示装置、点矩阵显示装置、液晶显示装置(例如，背光等)、平面显示器等显示装置等。
为了使用本发明的发光元件而得到面状的发光，只要以重合面状的阳极和阴极方式配置即可。为了得到图案状的发光，有如下方法：在所述面状的发光元件的表面设置设有图案状的窗口的掩膜的方法，非常厚地形成非发光部的有机物层而实质上使之不发光的方法，将阳极或阴极的任一方、或双方的电极形成图案状的方法。通过以它们中的任意方法形成图案，以可独立地ON/OFF的方式配置若干电极，从而可得到可表示数字、文字，简单的记号等的分段型显示元件。此外，为了形成点矩阵元件，只要将阳极和阴极都形成为条状，以正交的方式配置即可。利用分别涂布多种发光色的不同化合物的方法，使用滤色片或荧光转换滤光片的方法，可使部分颜色显示、多色显示成为可能。点矩阵元件可受动驱动，也可与TFT等组合而主动驱动。这些显示元件可作为电脑、电视、便携终端、便携电话、车载导航、摄像机的取景器等的显示装置使用。
此外，所述面状的发光元件为自发光薄型，可适宜用作液晶显示装置的背光灯用的面状光源、或面状的照明用光源。例如照明用光源中可举出白色发光、红色发光、绿色发光或蓝色发光等发光色。若使用挠性基板，还可作为曲面状的光源、显示装置使用。
实施例
以下，为了详细说明本发明而示出实施例。
在实施例中，数均分子量及重均分子量为通过体积排阻色谱(Sizeexclusion chromatography，SEC)(岛津制作所制，商品名：LC-10Avp)而求出的聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量。SEC中的移动相为有机溶剂的凝胶浸透色谱称为凝胶渗透色谱(GPC)。测定的聚合物以约0.5重量％的浓度溶解于四氢呋喃，向GPC注入30μL。GPC的移动相使用四氢呋喃(THF)，以0.6mL/分的流速流过。色谱柱使用2根TSKgel SuperHM-H(东曹公司制)和1根TSKgel SuperH2000(东曹公司制)串联连接。检测器使用示差折射率检测器(岛津制作所制，商品名：RID-10A)。测定在40℃下进行。
<合成例1>(化合物M-1的合成)
氩气氛下，混合二乙烯基甲醇(25.24g)、原乙酸三乙酯(340g)、及丙酸(0.20g)，使用迪安斯塔克(Dean-Stark)管，一边除去乙醇，一边于130℃加热4小时。反应结束后，冷却得到的反应液，向其中加入己烷(300ml)和离子交换水(300ml)，在60℃搅拌3小时。分液后，将有机层用离子交换水(300ml×3回)清洗，以硫酸钠干燥。将得到的有机层通过快速氧化铝色谱柱(Alumina flash column)，进行浓缩。向得到的油液中再次加入己烷(300ml)、离子交换水(300ml)、及丙酸(0.20g)，在60℃搅拌8小时。分液后，将有机层用离子交换水(300ml×3回)清洗，以硫酸钠干燥。将得到的有机层通过氧化铝快速色谱柱，通过浓缩，得到28g化合物M-1。
1H-NMR(270MHz，CDCl3)：δ＝1.25(t，3H)，2.07(q，2H)，2.41(m，4H)，5.05(dd，2H)，5.70(m，1H)，6.09(dd，1H)，6.29(m，1H)ppm.
<合成例2>(化合物M-2的合成)
氩气氛下，混合化合物M-1(14.65g)及二乙醚(770ml)，冷却至0℃。向得到的混合液中以1小时滴加1M锂铝氢氧化物的二乙醚溶液(50ml)，在维持0℃的条件下搅拌1小时。向反应溶液缓慢滴加5重量％氢氧化钠水溶液(100ml)，使反应停止后，将有机层用水(100ml×3回)清洗，清洗后的有机层以硫酸钠干燥。将得到的有机层通过氧化铝快速色谱柱，通过浓缩，得到8.0g化合物M-2。
1H-NMR(270MHz，CDCl3)：δ＝1.67(tt，2H)，2.13-2.28(m，2H)，3.63(q，2H)，5.04(dd，2H)，5.72(dd，1H)，6.07(dd，1H)，6.30(m，1H)ppm.
<合成例3>(化合物M-3的合成)
氩气氛下，混合化合物M-2(18.98g)、及二氯甲烷(730ml)，冷却至0℃。向得到的混合液中滴加三乙基胺(58ml)，接着，滴加甲磺酰氯(24ml)，在保持0℃的条件下搅拌2小时。向得到的反应溶液中加入水而使反应停止后，以二乙醚进行抽提，通过以硫酸钠进行干燥，得到32g黄色油液。
氩气氛下，混合该黄色油液(32g)、溴化锂(36g)、及THF(400ml)，回流7小时。将得到的反应溶液冷却，加入离子交换水(200ml)和甲苯(500ml)，进行分液，将有机层用离子交换水(100ml×5回)清洗，以硫酸钠干燥。浓缩得到的有机层，加入己烷(100ml)后，通过快速氧化铝色谱柱，进行浓缩。通过分馏得到的油液(3mmHg，27℃)，得到15.1g化合物M-3。
1H-NMR(270MHz，CDCl3)：δ＝1.96(tt，2H)，2.22-2.29(m，2H)，3.41(t，2H)，5.05(dd，2H)，5.65(m，1H)，6.10(dd，1H)，6.30(m，1H)ppm.
<合成例4>(化合物M-4的合成)
氩气氛下，在300mL的四口烧瓶中，混合化合物M-3(5.29g)，2，7-二溴芴(4.67g)，及，二甲亚砜(35ml)。向得到的混合液中，加入用研钵磨碎后的氢氧化钾(3.43g)和碘化钾(0.17g)，85℃下，加温45分钟。向得到的混合液中，加入离子交换水(50ml)和醋酸乙酯(100ml)，进行分液后，将有机层用饱和食塩水(100ml×10回)清洗，以硫酸钠干燥后，进行了浓缩。将得到的油液用二氧化硅凝胶色谱柱色谱(展开溶剂：己烷)进行精制，从而作为白色固体得到4.9g化合物M-4。
1H-NMR(270MHz，CDCl3)：δ＝0.68(m，4H)，1.81-1.96(m，8H)，4.99(dd，4H)，5.44(m，2H)，5.89(dd，2H)，6.22(td，2H)，7.47(m，6H)ppm.
MS(APCI-MS：Positive)m/z：512(〔M〕+).
<合成例5>(化合物M-6的合成)
氩气氛下，在100mL的四口烧瓶中，混合化合物M-3(1.63g)、化合物M-5(1.63g)、及乙醇(7ml)。向得到的混合液中，加入以研钵磨碎后的氢氧化钾(0.97g)，60℃下加温40小时。反应结束后，向得到的反应液中，加入离子交换水(50ml)和甲苯(50ml)，进行分液后，将有机层用离子交换水(40ml×3回)清洗，以硫酸钠干燥后，进行浓缩。通过将得到的油液用二氧化硅凝胶色谱柱色谱(展开溶剂：甲苯/己烷＝1∶1)进行精制，以白色固体得到1.1g化合物M-6。化合物M-5参考EP1344788进行了合成。
1H-NMR(270MHz，CDCl3)：δ＝1.97-2.06(m，4H)，2.36-2.43(m，4H)，4.10(t，4H)，5.04(dd，4H)，5.78(m，2H)，6.14(m，2H)，6.32(m，2H)，7.32(s，2H)，7.73(s，2H)ppm.
<合成例6>(化合物M-7的合成)
氩气氛下，在500ml的4口烧瓶中，混合2，7-二溴芴(22.7g)、5-溴-1-戊烯(21.9g)、氢氧化钾(16.7g)、碘化钾(1.2g)及二甲亚砜(170ml)，于80℃加温4小时。反应结束后，将反应液冷却至室温，向其中混合水(300ml)和甲苯(300ml)进行分液。接着，将有机层用氯化钠饱和水溶液(300ml)进行5次清洗。将得到的有机层以硫酸钠干燥后，在展开溶剂中使用己烷，且使用二氧化硅凝胶作为填充剂，通过以色谱柱色谱进行精制，得到化合物M-7(25.2g)。
ESI-MS：460[M]+
1H-NMR(270MHz，CDCl3)；δ＝0.69(t，4H)，1.83(m，4H)，1.93(m，4H)，4.85(d，4H)，5.56(m，2H)，7.44-7.53(m，6H).
<合成例6>(化合物M-8的合成)
氩气氛下，在300ml的3口烧瓶中，混合2，7-二溴芴(8.1g)、8-溴-1-辛烯(10.0g)、氢氧化钾(6.0g)、碘化钾(0.42g)及二甲亚砜(60ml)，于80℃加温4小时。反应结束后，冷却至室温，向其中混合水(100ml)和甲苯(100ml)，分液后，将得到的有机层用氯化钠饱和水溶液(100ml)进行5次清洗。将清洗后的有机层以硫酸钠干燥后，在展开溶剂中使用己烷，在填充剂使用二氧化硅凝胶，通过色谱柱色谱进行精制，得到化合物M-8(12.8g)。
ESI-MS：544[M]+
1H-NMR(270MHz，CDCl3)；δ＝0.58(m，4H)，1.06(m，8H)，1.18(m，4H)，1.92(m，8H)，4.90(d，4H)，5.73(m，2H)，7.43-7.52(m，6H).
<合成例7>(化合物M-10的合成)
氩气氛下，在300mL的四口烧瓶中，混合5-溴-1-戊烯(7.45g)和THF(20ml)，向得到的溶液中以1小时滴加0.5M的9-BBN/THF溶液(100ml)后，室温下搅拌12小时。向反应液中混合化合物M-9(3.66g)、(二苯基膦二茂铁)二氯化钯(PdCl2(dppf))(0.82g)、THF(32ml)、及3M的氢氧化钠水溶液(27ml)，使之回流4小时。反应结束后，将得到的溶液冷却至室温，加入己烷(40ml)后，一边进行冰冷，一边向其中缓慢滴加20重量％过氧化氢水(6ml)，搅拌1小时。分液反应液后，将有机层用离子交换水(50ml)进行5次清洗。将得到的有机层以硫酸钠干燥后，在展开溶剂使用己烷，在填充剂使用二氧化硅凝胶，通过色谱柱色谱进行精制，得到化合物M-10(2.6g)。
需要说明的是，化合物M-9是参考WO1987/001383进行合成的。
GC-MS：253[M]+
<合成例8>(化合物M-11的合成)
氩气氛下，在50ml的3口烧瓶中，混合2，7-二溴芴(0.65g)、化合物M-10(1.1g)、氢氧化钾(0.48g)、碘化钾(0.03g)及二甲亚砜(5ml)，于80℃加温4小时。反应结束后，冷却至室温，向其中混合水(10ml)和甲苯(10ml)，分液后，将得到的有机层用氯化钠饱和水溶液(10ml)进行5次清洗。将得到的有机层用硫酸钠干燥后，在展开溶剂使用己烷，在填充剂使用二氧化硅凝胶，通过色谱柱色谱进行精制，得到化合物M-11(0.61g)。
LC-MS(APPI-MS(posi))：668[M]+
1H-NMR(270MHz，CDCl3)；δ＝0.59(tt，4H)，1.08(tt，4H)，1.35(tt，4H)，1.89(t，4H)，2.38(t，4H)，3.11(t，8H)，6.77(s，2H)，6.89(dd，4H)，7.41-7.52(m，6H).
<合成例9>(高分子化合物P-1的合成)
首先，下述式所示的化合物M-12通过US2004-0127666所记载的方法合成。
接着，在惰性气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.66g)、化合物M-6(0.10g)、化合物M-12(0.28g)、醋酸钯(0.4mg)、三(邻甲氧基苯基)膦(2.8mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336，Aldrich制)(0.25g)、及甲苯(40ml)，加热至105℃。向反应液滴加2M的碳酸钠水溶液(11ml)，使之回流4小时。反应后，向其中加入硼酸苯酯(240mg)，再回流4小时。接着，向其中加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，80℃下搅拌4小时。冷却至室温后，用水(30ml)清洗3次，用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次，再用水(30ml)清洗3次，利用通过氧化铝色谱柱、二氧化硅凝胶色谱柱而进行精制。向甲醇(300ml)中滴加得到的甲苯溶液，搅拌1小时后，滤取得到的固体并使之干燥，得到0.9g下述式所示的高分子化合物P-1。高分子化合物P-1的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.0×105，聚苯乙烯换算的重均分子量为3.9×105。
(式中，括号外添加的数字表示各重复单元的摩尔比。)
<合成例10>(高分子化合物P-2的合成)
惰性气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、双(4-溴苯基)-(4-叔丁基苯基)-胺(0.37g)、化合物M-8(0.44g)、化合物M-11(0.27g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336，Aldrich制)(0.25g)、及甲苯(40ml)，加热至105℃。向反应液滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流5小时。反应后，加入硼酸苯酯(240mg)，再回流4小时。接着，加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，80℃下搅拌4小时。冷却至室温后，用水(30ml)清洗3次，用3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次，再用水(30ml)清洗3次，利用通过氧化铝色谱柱、二氧化硅凝胶色谱柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加至甲醇(300ml)，搅拌1小时后，滤取得到的固体并使之干燥，得到0.8g下述式所示的高分子化合物P-2，高分子化合物P-2的聚苯乙烯换算的数均分子量为4.3×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.1×105。
(式中，括号的外添加的数字表示各重复单元的摩尔比。)
<合成例11>(高分子化合物P-3的合成)
惰性气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.05g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.77g)、化合物M-4(0.31g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336，Aldrich制)(0.25g)、及甲苯(40ml)，加热至105℃。向反应液滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流20小时。反应后，向其中加入硼酸苯酯(240mg)，再回流4小时。接着，向其中加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，80℃下搅拌4小时。将得到的反应液冷却至室温后，用水(30ml)清洗3次，3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次，再用水(30ml)清洗3次，利用通过氧化铝色谱柱、二氧化硅凝胶色谱柱而进行精制。将得到的甲苯溶液滴加至甲醇(300ml)，搅拌1小时后，滤取得到的固体使之干燥，得到0.8g下述式所示的高分子化合物P-3，高分子化合物P-3的聚苯乙烯换算的数均分子量为4.1×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为1.3×105。
(式中，括号的外添加的数字表示各重复单元的摩尔比。)
<合成例12>(高分子化合物CP-1的合成)
首先，下述式所示的化合物M-13通过WO2002-045184中记载的方法合成，
下述式所示的化合物M-15通过US2004/035221中记载的方法合成。
接着，在惰性气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、化合物M-13(0.87g)、化合物M-15(0.04g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336，Aldrich制)(0.25g)、及甲苯(40ml)，加热至105℃。向得到的反应液滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流7小时。反应后，向其中加入硼酸苯酯(240mg)，再回流4小时。接着，向其中加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，80℃下搅拌4小时。冷却至室温后，用水(30ml)清洗3次，3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次，在用水(30ml)清洗3次，利用通过氧化铝色谱柱、二氧化硅凝胶色谱柱而进行精制。将得到的甲苯溶液滴加至甲醇(300ml)，搅拌1小时后，滤取得到的固体并使之干燥，得到0.8g下述式所示的高分子化合物CP-1。高分子化合物CP-1的聚苯乙烯换算的数均分子量为3.4×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为6.7×104。
(式中，括号的外添加的数字表示各重复单元的摩尔比。)
<合成例13>(高分子化合物CP-2的合成)
首先，下述式所示的化合物M-14通过日本特开2008-106241号公报中记载的方法合成。
接着，惰性气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.22g)、化合物M-13(0.55g)、化合物M-14(0.21g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336，Aldrich制)(0.25g)、及甲苯(40ml)，加热至105℃。向反应液滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流7小时。反应后，向其中加入硼酸苯酯(240mg)，再回流4小时。接着，向其中加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，80℃下搅拌4小时。冷却至室温后，用水(30ml)清洗3次，3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次，再用水(30ml)清洗3次，利用通过氧化铝色谱柱、二氧化硅凝胶色谱柱而进行精制。将得到的甲苯溶液滴加至甲醇(300ml)，搅拌1小时后，滤取得到的固体并使之干燥，下述式所示的高分子化合物CP-2的收量为0.9g：
(式中，括号的外添加的数字表示各重复单元的摩尔比す。)
高分子化合物CP-2的聚苯乙烯换算的数均分子量为8.4×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.0×105。
<合成例14>(高分子化合物CP-3的合成)
惰性气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂戊硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.06g)、化合物M-8(0.22g)、N，N-二(4-溴苯基)苯胺(0.73g)、双三苯基膦二氯化钯(1.4mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336，Aldrich制)(0.25g)、及甲苯(40ml)，加热至105℃。向反应溶液滴加2M的碳酸钠水溶液(6ml)，使之回流20小时。反应后，向其中加入硼酸苯酯(240mg)，再回流4小时。接着，向其中加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(10ml)，80℃下搅拌4小时。冷却至室温后，用水(30ml)清洗3次，3重量％的醋酸水溶液(30ml)清洗3次，再用水(30ml)清洗3次，利用通过氧化铝色谱柱、二氧化硅凝胶色谱柱而进行精制。将得到的甲苯溶液滴加至甲醇(300ml)，搅拌1小时后，滤取得到的固体并使之干燥，得到0.8g下述式所示的高分子化合物CP-3：
(式中，括号的外添加的数字表示各重复单元的摩尔比。)
高分子化合物CP-3的聚苯乙烯换算的数均分子量为5.3×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为1.9×105。
<合成例15>(高分子化合物P-4的合成)
惰性气氛下，混合下述式所示的化合物MM-1(7.28g)：
、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(4.94g)、下述式所示的化合物MM-2(0.74g)：
、双三苯基膦二氯化钯(7.0mg)、三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat336，Aldrich制)(1.30g)、及甲苯(100ml)，加热至105℃。向反应溶液滴加2M的碳酸钠水溶液(27ml)，使之回流2小时。反应后，向其中加入硼酸苯酯(120mg)，再回流4小时。接着，向其中加入1.8M的二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液(60ml)，80℃下搅拌4小时。冷却至室温后，用水(130ml)清洗3次，3重量％的醋酸水溶液(130ml)清洗3次，再用水(130ml)清洗3次清，利用通过氧化铝色谱柱、二氧化硅凝胶色谱柱而进行精制。将得到的甲苯溶液滴加至甲醇(1.5L)，搅拌1小时后，滤取得到的固体并使之干燥，得到8.0g下述式所示的高分子化合物P-4：
(式中，括号的外添加的数字表示各重复单元的摩尔比。)
高分子化合物P-4的聚苯乙烯换算的数均分子量为5.1×104，聚苯乙烯换算的重均分子量为1.4×105。化合物MM-1通过WO2008/111658中记载的方法合成，化合物MM-2通过EP1394188中记载的方法合成。
<实施例1>(液体组合物L-1的制备)
混合高分子化合物P-1(70mg)和化合物M-14(30mg)，通过使之溶解于二甲苯(10g)，制备了组合物为约1重量％的液体组合物L-1。
<实施例2>(液体组合物L-2的制备)
混合高分子化合物P-2(90mg)和化合物M-6(10mg)，通过使之溶解于二甲苯(10g)，制备了组合物为约1重量％的液体组合物L-2。
<实施例3>(液体组合物L-3的制备)
混合高分子化合物P-3(50mg)和化合物M-7(50mg)，通过使之溶解于二甲苯(10g)，制备了组合物为约1重量％的液体组合物L-3。
<比较例1>(液体组合物CL-1的制备)
通过将高分子化合物CP-1(100mg)溶解于二甲苯(10g)，制备组合物为约1重量％的液体组合物CL-1。
<比较例2>(液体组合物CL-2的制备)
通过将高分子化合物CP-2(100mg)溶解于二甲苯(10g)，制备组合物为约1重量％的液体组合物CL-2。
<比较例3>(液体组合物CL-2的制备)
通过将高分子化合物CP-3(100mg)溶解于二甲苯(10g)，制备组合物为约1重量％的液体组合物CL-3。
<残膜率的测定和评价>
·玻璃基板上的残膜率的评价
将液体组合物L-1～L-3、CL-1～CL-3的任一项滴加至玻璃基板上，使用旋涂器(商品名：MS-A100型，Misawa社制)，在1000rpm下15秒的条件下进行了成膜。将得到的膜的厚度(H1)使用断面仪(商品名：P-16+，KLA-Tencor社制)进行了测定。
接着，在内部气体被氮置换了的手套箱中，使用高功率热板(商品名：HP-ISA，AS ONE公司制)，将所述玻璃基板上的膜以表1所示的烘烤温度烘烤20分钟。将得到的玻璃基板上的膜冷却至室温，浸入二甲苯溶液后，用旋涂器(商品名：MS-A100型，Misawa社制)，在1000rpm下15秒的条件下进行冲洗。将制作的膜的厚度(H2)用断面仪(商品名：P-16+，KLA-Tencor社制)进行测定。
以(H2)/(H1)作为残膜率，将得到的结果示于表1中。
表1
·评价
由于与使用液体组合物CL-1～CL-3制作的薄膜相比，使用液体组合物L-1～L-3制作的薄膜的残膜率更高，因此可确认在低温区域(150℃)下的固化性良好。此外，还观察到使用液体组合物L-1～L-3制作的薄膜在170℃下的固化性也良好。
<高分子化合物的PL量子收率的测定>
(1)通过使高分子化合物P-1溶解至二甲苯，制备了1.2重量％的溶液PL-1。
(2)通过将高分子化合物P-2溶解至二甲苯，制备了1.2重量％的溶液PL-2。
(3)通过将高分子化合物P-3溶解至二甲苯，制备了1.2重量％的溶液PL-3。
(4)通过将低分子化合物M-14溶解至二甲苯，制备了3重量％的溶液ML-1。
(5)通过将低分子化合物M-6溶解至二甲苯，制备了3重量％的溶液ML-2。
(6)通过将低分子化合物M-7溶解至二甲苯，制备了3重量％的溶液ML-3。
(7)将溶液PL-1～PL-3、ML-1～ML-3中任一项滴加至玻璃基板上，使用旋涂器(商品名：MS-A100型，Misawa社制)，在1000rpm下15秒的条件下进行成膜，制作了厚度为约40nm的薄膜。
高分子化合物P-1～P-3，低分子化合物M-14、M-6、M-7的PL量子收率使用由溶液PL-1～PL-3得到的薄膜，将激发波长设为325nm，进行测定。由溶液ML-1～ML-3得到的薄膜使用250nm的激发波长，测定了PL量子收率。PL量子收率的测定使用了日本浜松トニクス公司(HamamatsuPhotonics)制的PL量子收率测定装置(C9920-02)。得到的结果示于表2。
表2
溶液     化合物 PL量子收率
PL-1 高分子化合物P-1     41％
PL-2 高分子化合物P-2     38％
PL-3 高分子化合物P-3     18％
ML-1 低分子化合物M-14     8％
ML-2 低分子化合物M-6     7％
ML-3 低分子化合物M-7     6％
<实施例4>(电致发光元件的制作和评价)
·高分子化合物P-4溶液的制备
通过将高分子化合物P-4溶解于二甲苯，制备了聚合物浓度1.2重量％的溶液PL-4。
·电致发光元件的制作
在利用溅射法以150nm的厚度赋予了ITO膜的玻璃基板上，使用将聚(3，4)乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制，商品名：BaytronP AI4083)的悬浊液以0.2μm薄膜过滤器过滤后的液体，通过旋涂以70nm的厚度形成薄膜，在热板上200℃下干燥10分钟。然后，使用液体组合物L-1，通过旋涂以1000rpm的旋转速度成膜，通过在热板上170℃下加热20分钟使薄膜固化。固化后的薄膜的厚度为约30nm。此外，使用溶液PL-4，通过旋涂以3000rpm的旋转速度成膜。成膜后的膜的厚度为约55nm。进一步将其在减压下于130℃干燥10分钟后，作为阴极蒸镀约5nm的氟化钠，接着蒸镀约60nm的铝，制作电致发光元件。在真空度到达1×10-4Pa以下后开始金属的蒸镀。
·电致发光元件的性能评价
通过向得到的电致发光元件施加电压，得到450nm处具有峰的EL发光。该电致发光元件的最大发光効率为8.45cd/A。
产业上的利用可能性
本发明的组合物为在低温区域(150℃)下的固化性良好的组合物。

Claims (16)

1.一种组合物，其包含：
(i)具有交联基且显示发光性及电荷传输性中的至少一方的性质的交联性高分子化合物，以及
(ii)具有交联基且显示发光性及电荷传输性中的至少一方的性质的交联性低分子化合物，
其中，所述交联性高分子化合物具有的交联基，以及所述交联性低分子化合物具有的交联基分别为下述式(Z-1)、(Z-2)或(Z-5)所示的基团，
式(Z-1)、(Z-2)和(Z-5)中，RC表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、氨基、甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、氨基甲酰基、酰亚胺基、1价的杂环基、羧基、氰基或硝基，RC所示的基团可具有取代基，多个存在的RC可相同也可不同。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物具有的交联基与所述交联性低分子化合物具有的交联基相同。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物具有的交联基与所述交联性低分子化合物具有的交联基不同。
4.根据权利要求3所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物及所述交联性低分子化合物的一方具有所述式(Z-1)或(Z-2)所示的基团作为所述交联基，另一方具有所述式(Z-5)所示的基团作为所述交联基团。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中，所述交联性低分子化合物为芳香族烃。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中，所述交联性低分子化合物为杂环化合物。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物具有选自以下组中的至少一种作为重复单元：
具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的亚芳基，
具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的2价的杂环基，及
具有1～4个下述式(I)所示的基团且可具有取代基的2价的芳香族胺残基，
式(I)中，Z表示所述式(Z-1)、(Z-2)或(Z-5)所示的基团，J1表示可具有取代基的亚苯基，J2表示可具有取代基的亚烷基，X1表示氧原子或硫原子，h及i分别独立地为0或1，j为0～3的整数。
8.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中，所述交联性高分子化合物与所述交联性低分子化合物的重量比为99∶1～50∶50。
9.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中，1g组合物中所含的所述交联基的总计量为1.0×10-6～1.0×10-2摩尔。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中，进一步含有溶剂。
11.一种薄膜，其是使用权利要求1～10中的任一项所述的组合物而形成的。
12.一种发光元件，其具有：
包含阳极及阴极的电极，以及
设于该电极间的、且使用权利要求1～10中的任一项所述的组合物而形成的层。
13.一种面状光源，其具备权利要求12所述的发光元件。
14.一种显示装置，其具备权利要求12所述的发光元件。
15.一种有机晶体管，其是使用权利要求1～10中的任一项所述的组合物而形成的。
16.一种有机光电转换元件，其是使用权利要求1～10中的任一项所述的组合物而形成的。
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