WO2023085171A1

WO2023085171A1 - 組成物、有機電界発光素子及びその製造方法、表示装置、並びに照明装置

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Publication number: WO2023085171A1
Application number: PCT/JP2022/040871
Authority: WO
Inventors: 英貴五郎丸; 英司小松; 延軍李; 大輔弘; 宏一朗飯田; 祥匡坂東; 優記大嶋; 一毅岡部; 司長谷川; 麻未山下
Original assignee: 三菱ケミカル株式会社
Priority date: 2021-11-12
Filing date: 2022-11-01
Publication date: 2023-05-19
Also published as: JPWO2023085171A1; KR20240108395A; TW202330870A

Abstract

下記式（７１）又は下記式（７２）で表される、架橋基を有するカルバゾール化合物、および下記式（８１）で表される、架橋基を有する電子受容性化合物を含む組成物。

Description

組成物、有機電界発光素子及びその製造方法、表示装置、並びに照明装置

　本発明は、組成物、有機電界発光素子及びその製造方法、表示装置、並びに照明装置に関する。

　近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を用いたものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）は、通常、陽極と陰極の間に、電荷注入層、電荷輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、この各層に適した材料が開発されつつあり、発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。

　有機電界発光素子の有機層の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法（塗布法）が挙げられる。真空蒸着法は積層化が容易であるため、陽極及び／又は陰極からの電荷注入の改善、励起子の発光層封じ込めが容易であるという利点を有する。一方で、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、様々な機能をもった複数の材料を混合した塗布液を用いることにより、容易に、様々な機能をもった複数の材料を含有する層を形成できる等の利点がある。そのため、近年では塗布法での製膜による有機電界発光素子の研究開発が精力的に行われている。

　特許文献１には、電荷注入材料として架橋基を含む重合体と架橋基を含む電子受容性化合物を有する有機電界発光素子が記載されている。特許文献２には、架橋基を含むフルオレンのアリールジアミン化合物と電子受容性化合物を含む組成物を有する有機電界発光素子が記載されている。特許文献３には、架橋基を含むカルバゾールのアリールアミン化合物と電子受容性化合物を含む組成物を有する有機電界発光素子が記載されている。特許文献４には、分子内に、１つ以上の重合可能な置換基と２つ以上のカルバゾール基とを有する化合物を含む有機電界発光素子が開示されている。

国際公開第２０１９／０５９３３１号国際公開第２０１９／２３１２５７号米国特許出願公開第２０２１／０１５１６８５号明細書特開２００８－２４４４７１号公報

　一般的に、アリールアミン類の有機電子供与体と有機電子受容体とを適切な比率で混合し、アリールアミンの有するＮ原子が部分的に有機電子受容体とイオン錯体を形成すると、このイオン錯体が形成されることで陽極からの正孔注入障壁が低減するので、安定なイオン錯体を形成する材料が注目されている。
　特許文献１～３に開示された材料や技術では、アリールアミン重合体やアリールアミン低分子化合物やカルバゾールのアリールアミン化合物の有機電子供与体と、有機電子受容体からイオン錯体を形成させているが、有機電界発光素子の駆動電圧の低減が不十分である。
　特許文献４には、オキセタン架橋基を含むビスカルバゾール化合物が開示されているが、架橋基を含まない有機電子受容体が光重合開始剤として使用されており、発光層まで有機電子受容体の拡散防止が不十分であり、発光効率及び駆動寿命を向上させることができなかった。

　本発明は、駆動電圧が低く、発光効率が高く、駆動寿命が長い有機電界発光素子を提供することを課題とする。

　本発明者は、架橋基を有するカルバゾール化合物および架橋基を有する電子受容性化合物の架橋反応物を含有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層を用いることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

　即ち、本発明の要旨は、次の［１］～［４５］のとおりである。

［１］　下記式（７１）又は下記式（７２）で表される、架橋基を有するカルバゾール化合物、および下記式（８１）で表される、架橋基を有する電子受容性化合物を含む組成物。

（式（７１）中、
　Ａｒ^６２１は、置換基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は架橋基である。
　ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は各々独立に、０～４の整数である。
　但し、ｎ６２１とｎ６２２とｎ６３３とｎ６２４の合計は１以上である。
　式（７１）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（７２）中、
　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６１１、Ｒ^６１２は各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は、架橋基である。
　Ｇは、単結合、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　ｎ^６１１、ｎ^６１２は各々独立に０～４の整数である。
　式（７２）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（８１）中、５つのＲ^８１、５つのＲ^８２、５つのＲ^８３、５つのＲ^８４はそれぞれにおいて独立であり、かつ、Ｒ^８１～Ｒ^８４は、各々独立に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数３～５０の芳香族複素環基、フッ素置換された炭素数１～１２のアルキル基、又は架橋基を表す。
　Ｐｈ^１、Ｐｈ^２、Ｐｈ^３、Ｐｈ^４は４つのベンゼン環を指す符号である。
　式（８１）で表される化合物は、架橋基を有する。
　Ｘ^＋は対カチオンを表す。）

［２］　前記式（７１）におけるＡｒ^６２１が、１～４個の置換基を有していてもよいベンゼン環、及び、１又は２個の置換基を有していてもよいフルオレン環から選択される複数の構造が任意の順序で鎖状又は分岐して結合して形成された２価の基である、［１］に記載の組成物。

［３］　前記式（７１）におけるＡｒ^６２１が、下記式（７１－１）～（７１－１１）、（７１－２１）～（７１－２４）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する、［１］又は［２］に記載の組成物。

（上記式（７１－１）～（７１－１１）、（７１－２１）～（７１－２４）それぞれにおいて、
　＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表し、４つ存在する＊の任意２つ＊少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。
　Ｒ^６２５、Ｒ^６２６は、各々独立に、炭素数６～１２のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、アラルキル基、又は炭素数６～３０の１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^６２５、Ｒ^６２６は共に結合して環を形成してもよい。）

［４］　前記式（７１）における、Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３及びＲ^６２４がそれぞれ独立に、架橋基を有してもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は架橋基である、［１］～［３］のいずれかに記載の組成物。

［５］　前記式（７１）における、ｎ^６２１及びｎ^６２３が１であり、ｎ^６２２及びｎ^６２４が０であり、Ｒ^６２１及びＲ^６２３が、各々独立に、架橋基によって置換されている炭素数６～５０の芳香族炭化水素基又は架橋基である、［１］～［４］のいずれかに記載の組成物。

［６］　前記式（７２）における、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２が、各々独立に、架橋基を有するフェニル基、又は、複数のベンゼン環が複数鎖状又は分岐して結合した１価の基であってかつ架橋基を有する基である、［１］～［５］のいずれかに記載の組成物。

［７］　前記式（７２）における、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２の少なくとも一方が、下記式（７２－１）～（７２－６）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する、［１］～［６］のいずれかに記載の組成物。

（上記式（７２－１）～式（７２－６）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。）

［８］　前記式（７２）において、ｎ^６１１及びｎ^６１２が０である、［１］～［７］のいずれかに記載の組成物。

［９］　前記式（７２）において、Ｇが単結合である、［１］～［８］のいずれかに記載の組成物。

［１０］　前記式（８１）における、－Ｐｈ^１－（Ｒ^８１）_５、－Ｐｈ^２－（Ｒ^８２）_５、－Ｐｈ^３－（Ｒ^８３）_５、及び－Ｐｈ^４－（Ｒ^８４）_５の内、少なくとも１つが４つのフッ素原子を有する下記式（８４）で表される基である、［１］～［９］のいずれかに記載の組成物。

（式（８４）中、＊は式（８１）のホウ素Ｂとの結合を表す。
　Ｆ_４はフッ素原子が４個置換していることを表す。
　Ｒ^８５は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は架橋基を表す。）

［１１］　前記式（８１）で表される電子受容性化合物が少なくとも２つの架橋基を有する、［１］～［１０］のいずれかに記載の組成物。

［１２］　更に、アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体であって、下記式（５０）で表される繰り返し単位を有する重合体を含む、［１］～［１１］のいずれかに記載の組成物。

（式（５０）中、
　Ａｒ^５１は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表す。
　Ａｒ^５２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ａｒ^５１とＡｒ^５２は単結合又は連結基を介して環を形成していてもよい。
　Ａｒ^５１、Ａｒ^５２は置換基及び／又は架橋基を有してもよい。）

［１３］　前記重合体が架橋基を有する、［１２］に記載の組成物。

［１４］　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する架橋基、前記式（８１）で表される化合物が有する架橋基、及び前記式（５０）で表される繰返し単位を有する重合体が有する架橋基が、各々独立に、下記架橋基群Ｔにおける式（Ｘ１）～式（Ｘ１８）から選ばれる、［１］～［１３］のいずれかに記載の組成物。

＜架橋基群Ｔ＞

（式（Ｘ１）～式（Ｘ１８）中、Ｑは直接結合又は連結基を表す。
　＊は結合位置を表す。
　式（Ｘ４）、式（Ｘ５）、式（Ｘ６）及び式（Ｘ１０）中のＲ^１１０は水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　式（Ｘ１）～（Ｘ４）中、ベンゼン環及びナフタレン環は置換基を有していてもよい。また、置換基は互いに結合して環を形成してもよい。
　式（Ｘ１）～（Ｘ３）中、シクロブテン環は置換基を有していてもよい。）

［１５］　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する架橋基、前記式（８１）で表される化合物が有する架橋基、及び前記アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体が有する架橋基が、各々独立に、前記架橋基群Ｔにおける式（Ｘ１）～式（Ｘ４）から選ばれる、［１４］に記載の組成物。

［１６］　前記式（５０）で表される繰り返し単位が下記式（５４）、式（５５）、式（５６）、又は式（５７）で表される繰り返し単位である、［１２］～［１５］のいずれかに記載の組成物。

（式（５４）中、
　Ａｒ^５１は、前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｘは、－Ｃ（Ｒ^２０７）（Ｒ^２０８）－、－Ｎ（Ｒ^２０９）－又は－Ｃ（Ｒ^２１１）（Ｒ^２１２）－Ｃ（Ｒ^２１３）（Ｒ^２１４）－である。
　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１及びＲ^２２２は、各々独立に置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基である。
　Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４は、各々独立に水素原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
　ａ及びｂは、各々独立に０～４の整数である。
　ｃは、０～３の整数である。
　ｄは、０～４の整数である。
　ｉ及びｊは、各々独立に０～３の整数である。）

（式（５５）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５４）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｒ^３０３及びＲ^３０６は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｒ^３０４及びＲ^３０５は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルコキシ基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基を表す。
　ｌは、０又は１である。
　ｍは、１又は２である。
　ｎは、０又は１である。
　ｐは、０又は１である。
　ｑは、０又は１である。）

（式（５６）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５４）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ａｒ^４１は、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ｒ^４４１及びＲ^４４２は、各々独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　ｔは、１又は２である。
　ｕは、０又は１である。
　ｒ及びｓは、各々独立に、０～４の整数である。
　但し、前述の捻れ構造を必須とする場合、ｒ×ｔ＋ｓ×ｕは１である。）

（式（５７）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｒ^５１７～Ｒ^５１９は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルコキシ基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
　ｆ、ｇ、ｈは、各々独立に０～４の整数を表す。
　ｅは０～３の整数を表す。
　ただし、ｇが１以上の場合、ｅは１以上である。
　また、ｆ＋ｅ×ｇ＋ｈは１以上である。）

［１７］　前記アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体が、前記式（５０）で表される繰り返し単位として前記式（５４）、式（５５）、式（５６）、又は式（５７）で表される繰り返し単位に加え、下記式（６０）で表される繰り返し単位をさらに含む、［１６］に記載の組成物。

（式（６０）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　ｎ^６０は１～５の整数を表す。）

［１８］　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する置換基、前記式（８１）で表される化合物が有する置換基、前記式（５０）で表される繰り返し単位を有する重合体が有する置換基、前記架橋基群Ｔが有する置換基が、各々独立に、下記置換基群Ｚから選ばれる、［１］～［１７］のいずれかに記載の組成物。
＜置換基群Ｚ＞
炭素数１以上２４以下のアルキル基、
炭素数２以上２４以下のアルケニル基、
炭素数２以上２４以下のアルキニル基、
炭素数１以上２４以下のアルコキシ基、
炭素数４以上３６以下のアリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基、
炭素数２以上２４以下のアルコキシカルボニル基、
炭素数２以上２４以下のジアルキルアミノ基、
炭素数１０以上３６以下のジアリールアミノ基、
炭素数７以上３６以下のアリールアルキルアミノ基、
炭素数２以上２４以下のアシル基、
ハロゲン原子、
炭素数１以上１２以下のハロアルキル基、
炭素数１以上２４以下のアルキルチオ基、
炭素数４以上３６以下のアリールチオ基、
炭素数２以上３６以下のシリル基、
炭素数２以上３６以下のシロキシ基、
シアノ基、
炭素数６以上３６以下の芳香族炭化水素基、
炭素数４以上３６以下の芳香族複素環基。
　上記置換基は、直鎖、分岐又は環状のいずれの構造を含んでいてもよく、上記置換基が隣接する場合、隣接した置換基同士が結合して環を形成してもよい。

［１９］　更に溶媒を含有する、［１］～［１８］のいずれかに記載の組成物。

［２０］　下記式（７１）又は下記式（７２）で表される、架橋基を有するカルバゾール化合物、およびアリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体を含む組成物であって、該アリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体は、下記式（５０）で表される構造を繰返し単位として有し、かつ、架橋基を有し、前記式（５０）で表される構造は下記式（６３）で表される部分構造を有する、組成物。

（式（５０）中、
　Ａｒ^５１は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表す。
　Ａｒ^５２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ａｒ^５１とＡｒ^５２は単結合又は連結基を介して環を形成していてもよい。
　Ａｒ^５１、Ａｒ^５２は置換基及び／又は架橋基を有してもよい。
　但し、Ａｒ^５２は下記式（６３）で表される部分構造を有する。）

（式（６３）において、
　Ｒ^６０１は置換基又は架橋基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ａｒ^６２１は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族複素環基を表す。
　環Ａｒは置換基及び／又は架橋基を有してもよい芳香族炭化水素構造、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族複素構造を表す。
　＊は隣の原子との結合位置を表す。）

［２１］　前記式（５０）で表される繰り返し単位が下記式（５４）、式（５５）、式（５６）、又は式（５７）で表される繰り返し単位である、［２０］に記載の組成物。

（式（５４）中、
　Ａｒ^５１は、前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｘは、－Ｃ（Ｒ^２０７）（Ｒ^２０８）－、－Ｎ（Ｒ^２０９）－又は－Ｃ（Ｒ^２１１）（Ｒ^２１２）－Ｃ（Ｒ^２１３）（Ｒ^２１４）－である。
　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１及びＲ^２２２は、各々独立に置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基である。
　Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４は、各々独立に水素原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
　ａ及びｂは、各々独立に０～４の整数である。
　ｃは、０～３の整数である。
　ｄは、０～４の整数である。
　ｉ及びｊは、各々独立に０～３の整数である。
　但し、ａ×ｃ＋ｂ×ｄ＋ｉ＋ｊは１以上である。）

［２２］　前記式（５４）で表される繰返し単位が下記式（６２）で表される繰り返し単位である、［２１］に記載の組成物。

（式（６２）中、
　Ａｒ^５１、Ｘ、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、Ｒ^２２２、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｉ、ｊは、前記式（５４）におけるＡｒ^５１、Ｘ、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、Ｒ^２２２、ａ、ｂ、ｉ、ｊと同じである。
　ｃは、１～３の整数である。
　ｄは、１～４の整数である。
　ａ^１、ａ^２、ｂ^１、ｂ^２、ｉ^１、ｉ^２、ｊ^１、ｊ^２はそれぞれ独立に０又は１である。但し、下記条件（１）、（２）のいずれかを満たす。
　（１）ａ^１、ａ^２、ａ、ｂ^１、ｂ^２及びｂの少なくとも一つは１以上である。ただし、ｃが１の場合はａは定義されず、ｄが１の場合はｂは定義されない。
　（２）ｉ^１、ｉ^２、ｊ^１及びｊ^２の少なくとも１つは１である。
　Ｒｉｎｇ　Ａ１はＲ^２０１を特定の位置に有してよい２価のベンゼン環を指し、
　Ｒｉｎｇ　Ａ２はＲ^２０１を有してよいｃ－１個のベンゼン環が連結した２価の基、ただしｃ＝２の場合は単環の２価のベンゼン環を指し、
　Ｒｉｎｇ　Ａ３はビフェニル構造がＸで更に結合した２価の縮合環を指し、
　Ｒｉｎｇ　Ａ４はＲ^２０２を有してよいｄ－１個のベンゼン環が連結した２価の基、ただしｄ＝２の場合は単環の２価のベンゼン環を指し、
　Ｒｉｎｇ　Ａ５はＲ^２０２を特定の位置に有してよい２価のベンゼン環を指す。）

［２３］　前記アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体が、前記式（５０）で表される繰り返し単位として前記式（５４）、式（５５）、式（５６）、又は式（５７）で表される繰り返し単位に加え、下記式（６０）で表される繰り返し単位をさらに含む、［２０］～［２２］のいずれかに記載の組成物。

［２４］　前記式（７１）におけるＡｒ^６２１が、１～４個の置換基を有していてもよいベンゼン環、及び、１又は２個の置換基を有していてもよいフルオレン環から選択される複数の構造が任意の順序で鎖状又は分岐して結合して形成された２価の基である、［２０］～［２３］のいずれかに記載の組成物。

［２５］　前記式（７１）におけるＡｒ^６２１が、下記式（７１－１）～（７１－１１）、（７１－２１）～（７１－２４）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する、［２０］～［２４］のいずれかに記載の組成物。

［２６］　前記式（７１）における、Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３及びＲ^６２４がそれぞれ独立に、架橋基を有してもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は架橋基である、［２０］～［２５］のいずれかに記載の組成物。

［２７］　前記式（７１）における、ｎ^６２１及びｎ^６２３が１であり、ｎ^６２２及びｎ^６２４が０であり、Ｒ^６２１及びＲ^６２３が、各々独立に、架橋基によって置換されている炭素数６～５０の芳香族炭化水素基又は架橋基である、［２０］～［２６］のいずれかに記載の組成物。

［２８］　前記式（７２）における、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２が、各々独立に、架橋基を有するフェニル基、又は、複数のベンゼン環が複数鎖状又は分岐して結合した１価の基であってかつ架橋基を有する基である、［２０］～［２７］のいずれかに記載の組成物。

［２９］　前記式（７２）における、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２の少なくとも一方が、下記式（７２－１）～（７２－６）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する、［２０］～［２８］のいずれかに記載の組成物。

［３０］　前記式（７２）において、ｎ^６１１及びｎ^６１２が０である、［２０］～［２９］のいずれかに記載の組成物。

［３１］　前記式（７２）において、Ｇが単結合である、［２０］～［３０］のいずれかに記載の組成物。

［３２］　さらに下記式（８１）で表される、架橋基を有する電子受容性化合物を含む、［２０］～［３１］のいずれかに記載の組成物。

［３３］　前記式（８１）における、－Ｐｈ^１－（Ｒ^８１）_５、－Ｐｈ^２－（Ｒ^８２）_５、－Ｐｈ^３－（Ｒ^８３）_５、及び－Ｐｈ^４－（Ｒ^８４）_５の内、少なくとも１つが４つのフッ素原子を有する下記式（８４）で表される基である、［３２］に記載の組成物。

［３４］　前記式（８１）で表される電子受容性化合物が少なくとも２つの架橋基を有する、［３２］又は［３３］に記載の組成物。

［３５］　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する架橋基、前記式（８１）で表される化合物が有する架橋基、及び前記アリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体が有する架橋基が、各々独立に、下記架橋基群Ｔにおける式（Ｘ１）～式（Ｘ１８）から選ばれる、［２０］～［３４］のいずれかに記載の組成物。

＜架橋基群Ｔ＞

［３６］　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する架橋基、前記式（８１）で表される化合物が有する架橋基、及び前記アリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体が有する架橋基が、各々独立に、前記架橋基群Ｔにおける式（Ｘ１）～式（Ｘ４）から選ばれる、［３５］に記載の組成物。

［３７］　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する置換基、前記式（８１）で表される化合物が有する置換基、前記アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体が有する置換基、前記架橋基群Ｔが有する置換基が、各々独立に、下記置換基群Ｚから選ばれる、［２０］～［３６］のいずれかに記載の組成物。
＜置換基群Ｚ＞
炭素数１以上２４以下のアルキル基、
炭素数２以上２４以下のアルケニル基、
炭素数２以上２４以下のアルキニル基、
炭素数１以上２４以下のアルコキシ基、
炭素数４以上３６以下のアリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基、
炭素数２以上２４以下のアルコキシカルボニル基、
炭素数２以上２４以下のジアルキルアミノ基、
炭素数１０以上３６以下のジアリールアミノ基、
炭素数７以上３６以下のアリールアルキルアミノ基、
炭素数２以上２４以下のアシル基、
ハロゲン原子、
炭素数１以上１２以下のハロアルキル基、
炭素数１以上２４以下のアルキルチオ基、
炭素数４以上３６以下のアリールチオ基、
炭素数２以上３６以下のシリル基、
炭素数２以上３６以下のシロキシ基、
シアノ基、
炭素数６以上３６以下の芳香族炭化水素基、
炭素数４以上３６以下の芳香族複素環基。
　上記置換基は、直鎖、分岐又は環状のいずれの構造を含んでいてもよく、上記置換基が隣接する場合、隣接した置換基同士が結合して環を形成してもよい。

［３８］　更に溶媒を含有する、［２０］～［３７］のいずれかに記載の組成物。

［３９］　基板上に、陽極及び陰極を有し、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、該有機層を、［１９］又は［３８］に記載の組成物を用いて湿式成膜法にて形成する工程を有する、有機電界発光素子の製造方法。

［４０］　前記有機層が陽極と発光層の間にある有機層である、［３９］に記載の有機電界発光素子の製造方法。

［４１］　［３９］又は［４０］に記載の有機電界発光素子の製造方法で製造された有機電界発光素子。

［４２］　基板上に、陽極及び陰極を有し、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される架橋基を含むカルバゾール化合物と、下記式（８１）で表される架橋基を含む電子受容性化合物との架橋反応物を含有する有機電界発光素子。

［４３］　基板上に、陽極及び陰極を有し、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される架橋基を含むカルバゾール化合物と、アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体であって、下記式（５０）で表される繰り返し構造を単位として有し、かつ架橋基を有し、前記式（５０）で表される構造は下記式（６３）で表される部分構造を有する重合体との架橋反応物を含む有機電界発光素子。

［４４］　［４１］～［４３］のいずれかに記載の有機電界発光素子を有する表示装置。

［４５］　［４１］～［４３］のいずれかに記載の有機電界発光素子を有する照明装置。

　本発明によれば、駆動電圧が低く、発光効率が高く、駆動寿命が長い有機電界発光素子が提供される。

図１は、本発明の有機電界発光素子の構造例を示す断面模式図である。

　以下に、本発明の一実施形態である組成物、有機電界発光素子及びその製造方法、表示装置、並びに照明装置の実施態様を詳細に説明する。以下の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）である第一の実施形態であるが、本発明は、その要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
　本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を１以上有していてもよいことを意味するものとする。

［定義］
　以下、本発明に係る架橋基を有するカルバゾール化合物、架橋基を有する電子受容性化合物及び電荷輸送性高分子化合物ないしは重合体の構造を詳細に説明するにあたり、共通する部分構造は特段の断りが無い限り、以下の構造であるとする。

＜芳香族炭化水素基＞
　芳香族炭化水素基とは、後述の説明対象となる化合物の構造の中での結合状態に応じて、芳香族炭化水素環構造の１価、２価、又は３価以上の構造を指す。
　芳香族炭化水素環の構造において、通常、炭素数は制限されるものではないが、好ましくは炭素数６以上、６０以下であり、炭素数の上限としてさらに好ましくは炭素数４８以下、より好ましくは炭素数３０以下である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環等の、６員環の単環若しくは２～５縮合環の基、又はこれらから選択される複数の基が複数連結した構造が挙げられる。
　芳香族炭化水素環が複数個連結する場合は、通常、２～１０連結した構造が挙げられ、２～５個連結した構造であることが好ましい。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合、同一の構造が連結してもよく、異なる構造が連結してもよい。
　芳香族炭化水素環構造として好ましくは、ベンゼン環、ビフェニル環すなわちベンゼン環が２連結した構造、ターフェニル環すなわちベンゼン環が３連結した構造、クォーターフェニル環すなわちベンゼン環が４連結した構造、ナフタレン環、フルオレン環である。

＜芳香族複素環基＞
　芳香族複素環基とは、後述の説明対象となる化合物の構造の中での結合状態に応じて、芳香族複素環構造の１価、２価、又は３価以上構造を指す。
　芳香族複素環の構造において、通常、炭素数は制限されるものではないが、好ましくは、炭素数３以上、６０以下であり、炭素数の上限としてさらに好ましくは炭素数４８以下、より好ましくは炭素数３０以下である。具体的には、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等の、５～６員環の単環若しくは２～４縮合環の２価の基又はこれらが複数連結した基が挙げられる。芳香族複素環が複数個連結する場合、同一の構造が連結してもよく、異なる構造が連結してもよい。
　芳香族複素環が複数個連結される場合は、通常、２～１０連結した構造が挙げられ、２～５個連結した構造であることが好ましい。
　芳香族複素環構造として好ましくは、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピリミジン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環である。

＜架橋基＞
　架橋基とは、熱及び／又は活性エネルギー線の照射により、該架橋基の近傍に位置する他の架橋基と反応して、新規な化学結合を生成する基のことをいう。この場合、反応する基は架橋基と同一の基あるいは異なった基の場合もある。

　架橋基としては、限定されないが、アルケニル基を含む基、共役ジエン構造を含む基、アルキニル基を含む基、オキシラン構造を含む基、オキセタン構造を含む基、アジリジン構造を含む基、アジド基、無水マレイン酸構造を含む基、芳香族環に結合したアルケニル基を含む基、芳香族環に縮環したシクロブテン環などが挙げられる。好ましい架橋基の具体例としては下記架橋基群Ｔにおける下記式（Ｘ１）～（Ｘ１８）で表される基が挙げられる。

＜架橋基群Ｔ＞

（式（Ｘ１）～（Ｘ１８）中、Ｑは直接結合又は連結基を表す。
　＊は結合位置を表す。
　式（Ｘ４）、式（Ｘ５）、式（Ｘ６）及び式（Ｘ１０）中のＲ^１１０は水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　式（Ｘ１）～（Ｘ４）中、ベンゼン環及びナフタレン環は置換基を有していてもよい。また、置換基は互いに結合して環を形成してもよい。
　式（Ｘ１）～（Ｘ３）中、シクロブテン環は置換基を有していてもよい。）

　Ｑが連結基である場合、連結基は特に限定はされないが、好ましくは、アルキレン基、２価の酸素原子又は置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基である。
　該アルキレン基としては、通常、炭素数１～１２、好ましくは炭素数１～８、さらに好ましくは炭素数１～６のアルキレン基である。
　該２価の芳香族炭化水素基としては、通常、炭素数６以上であり、通常炭素数３６以下、好ましくは３０以下、さらに好ましくは２４以下である。芳香族炭化水素環の構造としてはベンゼン環が好ましく、有してもよい置換基は、後述の置換基群Ｚから選択することが出来る。
　Ｑは、架橋基の反応性をあげつつ、素子性能を保てることから、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基が好ましい。

　Ｒ^１１０で表されるアルキル基は直鎖、分岐又は環状構造であり、炭素数は１以上であり、好ましくは２４以下、より好ましくは１２以下、さらに好ましくは８以下である。

　式（Ｘ１）～（Ｘ４）のベンゼン環及びナフタレン環、式（Ｘ４）、（Ｘ６）、（Ｘ１０）のＲ^１１０が有していてもよい置換基として好ましくは、アルキル基、芳香族炭化水素基、アルキルオキシ基、アラルキル基である。
　置換基としてのアルキル基は直鎖、分岐又は環状構造であり、炭素数は好ましくは２４以下、より好ましくは１２以下、さらに好ましくは８以下であり、好ましくは１以上である。
　置換基としての芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは２４以下、より好ましくは１８以下、さらに好ましくは１２以下であり、好ましくは６以上である。芳香族炭化水素基はさらに前記アルキル基を置換基として有してもよい。
　置換基としてのアルキルオキシ基の炭素数は、好ましくは炭素数２４以下、より好ましくは１２以下、さらに好ましくは８以下であり、好ましくは１以上である。
　置換基としてのアラルキル基の炭素数は、好ましくは炭素数３０以下、より好ましくは２４以下、さらに好ましくは１４以下であり、好ましくは７以上である。アラルキル基に含まれるアルキレン基は直鎖又は分岐構造が好ましい。アラルキル基に含まれるアリール基はさらに前記アルキル基を置換基として有してもよい。
　式（Ｘ１）、（Ｘ２）、（Ｘ３）のシクロブテン環が有していてもよい置換基として好ましくは、アルキル基である。置換基としてのアルキル基は直鎖、分岐又は環状構造であり、炭素数は好ましくは２４以下、より好ましくは１２以下、さらに好ましくは８以下であり、好ましくは１以上である。

　架橋基としては、式（Ｘ１）～（Ｘ３）のいずれかで表される架橋基が、熱のみで架橋反応が進行し、極性が小さく、電荷輸送に影響が小さい点で好ましい。

　式（Ｘ１）で表される架橋基は下記式のように、熱によりシクロブテン環が開環し、開環した基同士で結合し、架橋構造を形成する。なお、以下において、式（Ｘ１）～式（Ｘ４）等における連結基Ｑは記載を省略している。

　式（Ｘ２）で表される架橋基は下記式のように、熱によりシクロブテン環が開環し、開環した基同士で結合し、架橋構造を形成する。

　式（Ｘ３）で表される架橋基は下記式のように、熱によりシクロブテン環が開環し、開環した基同士で結合し、架橋構造を形成する。

　式（Ｘ１）～（Ｘ３）のいずれかで表される架橋基は、熱によりシクロブテン環が開環し、開環した基は、近傍に二重結合が存在する場合は、二重結合と反応して架橋構造を形成する。
　下記に、式（Ｘ１）で表される架橋基が開環した基と二重結合部位を有する式（Ｘ４）で表される架橋基が架橋構造を形成する例を示す。

　式（Ｘ１）～（Ｘ３）のいずれかで表される架橋基と反応し得る二重結合を含有する基としては、式（Ｘ４）で表される架橋基の他に、式（Ｘ５）、（Ｘ６）、（Ｘ１２）、（Ｘ１５）、（Ｘ１６）、（Ｘ１７）、（Ｘ１８）のいずれかで表される架橋基が挙げられる。これらの二重結合を含有する基を電子受容性化合物における架橋基として用いる場合、正孔輸送性化合物などの正孔注入層及び、又は正孔輸送層を形成する他の成分に、式（Ｘ１）～（Ｘ３）のいずれかで表される架橋基を含有させることが、架橋構造を形成する可能性が高まり、好ましい。

　架橋基としては、ラジカル重合性の式（Ｘ４）、（Ｘ５）、（Ｘ６）のいずれかで表される架橋基が、極性が小さく、電荷輸送の妨げとなりにくいため、好ましい。

　架橋基としては、式（Ｘ７）で表される架橋基が、電子受容性を高める点で好ましい。なお、式（Ｘ７）で表される架橋基を用いると、下記のような架橋反応が進行する。

　式（Ｘ８）、（Ｘ９）のいずれかで表される架橋基は、反応性が高い点で好ましい。なお、式（Ｘ８）で表される架橋基、及び式（Ｘ９）で表される架橋基を用いると、下記のような架橋反応が進行する。

　架橋基としては、カチオン重合性の式（Ｘ１０）、（Ｘ１１）、（Ｘ１２）のいずれかで表される架橋基が、反応性が高い点で好ましい。

　架橋後の安定性及び素子特性を向上させる観点から、本発明の組成物に含まれる後述のカルバゾール化合物、電荷輸送性高分子化合物ないしは重合体及び電子受容性化合物の少なくとも一つは式（Ｘ１）～式（Ｘ４）で表される架橋基を有することが好ましく、式（Ｘ２）又は式（Ｘ４）で表される架橋基を有することがさらに好ましい。式（Ｘ４）は、Ｒ^１１０が置換基であることが好ましく、好ましい置換基は前述の通りである。

＜置換基＞
　特に断りの無い場合、置換基とは任意の基であるが、好ましくは、下記置換基群Ｚから選択される基である。また、有してよい置換基が置換基群Ｚから選択される、又は、有してよい置換基が置換基群Ｚから選択されることが好ましい、と記されている場合、好ましい置換基も下記置換基群Ｚに記されている通りである。

　置換基群Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素基、及び芳香族複素環基よりなる群である。これらの置換基は直鎖、分岐及び環状のいずれの構造を含んでいてもよい。

＜置換基群Ｚ＞
置換基群Ｚは、以下の構造が好ましい。
炭素数１以上２４以下のアルキル基、
炭素数２以上２４以下のアルケニル基、
炭素数２以上２４以下のアルキニル基、
炭素数１以上２４以下のアルコキシ基、
炭素数４以上３６以下のアリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基、
炭素数２以上２４以下のアルコキシカルボニル基、
炭素数２以上２４以下のジアルキルアミノ基、
炭素数１０以上３６以下のジアリールアミノ基、
炭素数７以上３６以下のアリールアルキルアミノ基、
炭素数２以上２４以下のアシル基、
ハロゲン原子、
炭素数１以上１２以下のハロアルキル基、
炭素数１以上２４以下のアルキルチオ基、
炭素数４以上３６以下のアリールチオ基、
炭素数２以上３６以下のシリル基、
炭素数２以上３６以下のシロキシ基、
シアノ基、
炭素数６以上３６以下の芳香族炭化水素基、
炭素数４以上３６以下の芳香族複素環基。
　上記置換基は、直鎖、分岐又は環状のいずれの構造を含んでいてもよく、上記置換基が隣接する場合、隣接した置換基同士が結合して環を形成してもよい。

　置換基群Ｚとして、より具体的な例としては、以下の構造が挙げられる。
　炭素数が１以上であり、好ましくは４以上であり、２４以下、好ましくは１２以下であり、さらに好ましくは８以下であり、より好ましくは６以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基。具体例としてはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等が挙げられる。
　炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルケニル基；具体例としては、ビニル基等が挙げられる。
　炭素数が通常２以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下である、直鎖又は分岐のアルキニル基；具体例としては、エチニル基等が挙げられる。
　炭素数が１以上、２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシ基。具体例としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
　炭素数４以上、好ましくは５以上であり、３６以下、好ましくは２４以下である、アリールオキシ基若しくはヘテロアリールオキシ基。具体例としては、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等が挙げられる。
　炭素数２以上、２４以下、好ましくは１２以下であるアルコキシカルボニル基。具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。
　炭素数２以上、２４以下、好ましくは１２以下であるジアルキルアミノ基。具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等が挙げられる。
　炭素数１０以上、好ましくは１２以上であり、３６以下、好ましくは２４以下のジアリールアミノ基。具体例としては、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ－カルバゾリル基等が挙げられる。
　炭素数７以上、３６以下、好ましくは２４以下であるアリールアルキルアミノ基。具体例としては、フェニルメチルアミノ基が挙げられる。
　炭素数２以上、２４以下、好ましくは１２以下であるアシル基。具体例としては、アセチル基、ベンゾイル基が挙げられる。
　フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子。好ましくはフッ素原子である。；
　炭素数１以上、１２以下、好ましくは６以下のハロアルキル基。具体例としては、トリフルオロメチル基等が挙げられる。
　炭素数１以上であり、通常２４以下、好ましくは１２以下のアルキルチオ基。具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。
　炭素数４以上、好ましくは５以上であり、３６以下、好ましくは２４以下であるアリールチオ基。具体的には、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等が挙げられる。
　炭素数が通常２以上、好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシリル基。具体例としては、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
　炭素数２以上、好ましくは３以上であり、通常３６以下、好ましくは２４以下であるシロキシ基。具体例としては、トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等が挙げられる。
　シアノ基。
　炭素数６以上、３６以下、好ましくは２４以下である芳香族炭化水素基。具体例としては、フェニル基、ナフチル基、複数のフェニル基が連結した基、等が挙げられる。
　炭素３以上、好ましくは４以上であり、３６以下、好ましくは２４以下である芳香族複素環基。具体例としては、チエニル基、ピリジル基等が挙げられる。

　上記置換基は、直鎖、分岐又は環状のいずれの構造を含んでいてもよい。
　上記置換基が隣接する場合、隣接した置換基同士が結合して環を形成してもよい。好ましい環の大きさは、４員環、５員環、６員環であり、具体例としては、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環である。

　上記の置換基群Ｚの中でも、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基である。

　また、上記置換基群Ｚの各置換基は更に置換基を有していてもよい。それら置換基としては、上記置換基群Ｚと同じのもの又は架橋基が挙げられる。好ましくは、更なる置換基は有さないか、炭素数８以下のアルキル基、炭素数８以下のアルコキシ基、またはフェニル基、より好ましくは炭素数６以下のアルキル基、炭素数６以下のアルコキシ基、またはフェニル基である。電荷輸送性の観点からは、さらなる置換基を有さないことがより好ましい。
　上記置換基群Ｚの各置換基が更に有してよい置換基が架橋基である場合の架橋基は、前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。架橋基を更に有することが好ましい置換基は、アルキル基又は芳香族炭化水素基である。

＜電荷輸送材料＞
　本発明に係る電荷輸送材料とは、正孔及び／又は電子を輸送することのできる材料である。本発明に係る、後述する架橋基を有するカルバゾール化合物及び電荷輸送性高分子化合物はいずれも電荷輸送材料である。また、本発明に係る電荷輸送材料は正孔輸送性であることが好ましく、電子受容性化合物によって酸化され、カチオンラジカル化する材料であることが好ましい。本発明においては、電荷輸送性高分子化合物としては正孔輸送高分子化合物が好ましく、アリールアミン構造を繰返し単位として含む重合体が好ましい。この場合、電荷とは通常正孔であり、電荷を輸送するとは正孔を輸送することであり、電荷輸送膜とは正孔輸送膜であり、電荷注入層とは正孔注入層である。

［本発明の組成物］
　本発明の態様１の組成物は、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される、架橋基を有するカルバゾール化合物（以下、「本発明のカルバゾール化合物」と称す場合がある。）および下記式（８１）で表される、架橋基を有する電子受容性化合物（以下、「本発明の電子受容性化合物」と称す場合がある。）を含む組成物である。

　本発明の態様２の組成物は、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される、架橋基を有するカルバゾール化合物、およびアリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体を含む組成物であって、該アリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体は下記式（５０）で表される構造を繰返し単位として有し、かつ、架橋基を有し、式（５０）で表される構造は式（６３）で表される部分構造を有する、組成物である。

　本発明の態様３は、基板上に、陽極及び陰極を有し、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される架橋基を含むカルバゾール化合物と下記式（８１）で表される架橋基を有する電子受容性化合物との架橋反応物を含有する有機電界発光素子である。

　本発明の態様４は、基板上に、陽極及び陰極を有し、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される架橋基を含むカルバゾール化合物と、アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体であって、下記式（５０）で表される繰り返し単位を有し、かつ架橋基を有する重合体との架橋反応物を含む有機電界発光素子である。

（式（８１）中、５つのＲ^８１、５つのＲ^８２、５つのＲ^８３、５つのＲ^８４はそれぞれにおいて独立であり、かつ、Ｒ^８１～Ｒ^８４は、各々独立に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数３～５０の芳香族複素環基、フッ素置換された炭素数１～１２のアルキル基、又は架橋基を表す。
　Ｐｈ^１、Ｐｈ^２、Ｐｈ^３、Ｐｈ^４は４つのベンゼン環を指す符号である。
　式（８１）で表される化合物は、架橋基を有する。
　Ｘ^＋は対カチオンであり、好ましくは下記式（８３）の構造を有する対カチオンを表す。）

（式（８３）中、Ａｒ^８１、Ａｒ^８２は各々独立に、置換基を有していてもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基である。）

＜架橋基を有するカルバゾール化合物＞
　本発明のカルバゾール化合物は、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される化合物であり、本発明の組成物中に電荷輸送材料として含有される。本発明のカルバゾール化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。
　本明細書において、本発明のカルバゾール化合物は、架橋基を有するカルバゾール化合物と称する場合がある。

＜式（７１）で表されるカルバゾール化合物＞

（式（７１）中、
　Ａｒ^６２１は、置換基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は架橋基である。
　式（７１）で表される化合物は、少なくとも２つ架橋基を有する。
　ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は各々独立に、０～４の整数である。
　但し、ｎ６２１とｎ６２２とｎ６３３とｎ６２４の合計は１以上である。）

（Ａｒ^６２１）
　Ａｒ^６２１は、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素を表し、Ａｒ^６２１の炭素数は６～５０である。
　芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６～５０、より好ましくは６～３０、さらに好ましくは６～１８である。芳香族炭化水素基としては、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、アントラセン環、テトラフェニレン環、フェナントレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、又はペリレン環等の、炭素数が通常６以上、通常３０以下、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１４以下である芳香族炭化水素環構造の２価の基、又は、これらの構造から選択された複数の構造が鎖状に又は分岐して結合した構造の２価の基が挙げられる。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合は、通常、２～８個連結した構造が挙げられ、２～５個連結した構造であることが好ましい。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合、同一の構造が連結してもよく、異なる構造が連結してもよい。

　芳香族炭化水素基としては、好ましくは、１～４個のベンゼン環、１又は２個のナフタレン環、１又は２個のフルオレン環、１又は２個の複数のフェナントレン環、及び、１つのテトラフェニレン環から選択される複数の構造が任意の順序で鎖状又は分岐して結合して形成された２価の基、又は、１，４－フェニレン基、１，３－フェニレン基、２，７－フルオレニレン基、２価のスピロフルオレン基であり、さらに好ましくは、１～４個のベンゼン環、及び、１又は２個のフルオレン環から選択される複数の構造が任意の順序で鎖状又は分岐して結合して形成された２価の基であり、特に好ましくは、１又は２個のフェニレン基、２，７－フルオレニレン基、１又は２個のフェニレン基がこの順に鎖状に結合した２価の基、フェニレン基、ビフェニレン基、パラターフェニレン基、又は２，７－フルオレニレン基である。フルオレン構造は、９，９’位に置換基を有してよく、有してよい置換基は前記置換基群Ｚから選択される基が好ましい。
　これらの芳香族炭化水素構造は置換基を有してもよい。有してよい置換基は前述の通りであり、具体的には置換基群Ｚから選択することが出来る。好ましい置換基は前記置換基群Ｚの好ましい置換基である。

（Ａｒ^６２１の部分構造）
　Ａｒ^６２１は、化合物の電荷に対する安定性が向上する傾向にある観点から、下記式（７１－１）～（７１－１１）、（７１－２１）～（７１－２４）から選択される少なくとも１つの部分構造を有することが好ましく、化合物の溶解性及び耐久性の観点から、下記式（７１－１）～（７１－７）から選択される少なくとも１つの部分構造を有することがより好ましい。

　Ｒ^６２５、Ｒ^６２６の芳香族炭化水素環構造としてはフェニル基又はフェニル基が複数連結した基がさらに好ましい。
　これらの基は置換基を有してもよい。有してよい置換基は前述の通りであり、具体的には前記置換基群Ｚから選択することが出来る。好ましい置換基は前記置換基群Ｚの好ましい置換基である。

　部分構造として、より好ましくは式（７１－１）～（７１－７）から選択される構造であり、さらに好ましくは式（７１－１）～（７１－５）から選択される構造であり、特に好ましくは式（７１－１）～（７１－４）から選択される構造である。電荷輸送性が優れることから、式（７１－３）で表される部分構造を有することが最も好ましい。

　式（７１－１）として好ましくは、１，３－フェニレン基又は１，４－フェニレン基である。

　式（７１－２）として好ましくは下記式（７１－２－２）である。

　式（７１－２）としてよりさらに好ましくは、下記式（７１－２－３）である。

　また、化合物の溶解性及び耐久性の観点からＡｒ^６２１は部分構造として、式（７１－１）で表される部分構造及び式（７１－２）で表される部分構造を有することが好ましい。

　式（７１－１）で表される部分構造及び式（７１－２）で表される部分構造を有する部分構造としては、式（７１－１）で表される部分構造及び式（７１－２）で表される部分構造から選択される構造を複数含む構造である、前記式（７１－８）～前記式（７１－１１）から選択される少なくとも１つで表される部分構造がさらに好ましい。

　式（７１－１）で表される部分構造及び式（７１－３）、（７１－４）で表される部分構造を有する部分構造としては、式（７１－１）で表される部分構造及び式（７１－３）、（７１－４）で表される部分構造から選択される構造を複数含む構造である、前記式（７１－２１）～前記式（７１－２４）から選択される少なくとも１つで表される部分構造がさらに好ましい。

　本発明では特に、カルバゾール環の間に電荷輸送性が優れる置換基を有するフルオレン環を含む化合物が好ましく、Ａｒ^６２１としてはフルオレン環を含むことが好ましい。

（Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４）
　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は架橋基を表す。

　ハロゲン原子としては特にフッ素原子が好ましい。
　なお、Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４が各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基であるとき、Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４が各々独立に置換基及び架橋基の両方を有する炭素数６～５０の芳香族炭化水素基であってもよい。

　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、好ましくは、それぞれ独立に、架橋基を有してもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は架橋基である。

　該芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６～５０、より好ましくは６～３０、さらに好ましくは６～１８である。具体的には例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラフェニレン環、フェナントレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、又はペリレン環等の、炭素数が通常６以上、通常３０以下、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１４以下である芳香族炭化水素環構造の１価の基、又は、これらの構造から選択された複数の構造が鎖状に又は分岐して結合した構造の１価の基が挙げられる。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合は、通常、２～８個連結した構造が挙げられ、２～５個連結した構造であることが好ましい。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合、同一の構造が連結してもよく、異なる構造が連結してもよい。

　これら芳香族炭化水素基は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい。芳香族炭化水素基が有してよい置換基は前述の通りであり、具体的には前記置換基群Ｚから選択することが出来る。好ましい置換基は前記置換基群Ｚの好ましい置換基である。芳香族炭化水素基が有してよい架橋基及び架橋基は前述の通りであり、具体的には前記架橋基群Ｔから選択することが出来る。好ましい架橋基は前記架橋基群Ｔの好ましい架橋基である。

　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、化合物の溶解性及び耐久性の観点から、前記式（７１－１）～（７１－３）から選択される少なくとも１つの部分構造を有することが好ましく、１，３－フェニレン基、１，４－フェニレン基、前記式（７１－１）又は（７１－２）から選択される少なくとも１つの部分構造を有することがさらに好ましく、１，３－フェニレン基、１，４－フェニレン基、又は前記式（７１－２－２）で表される部分構造を有することが特に好ましい。

（架橋基）
　式（７１）で表される化合物は少なくとも２つの架橋基を有する。架橋基は前述の通りであり、具体的には前記架橋基群Ｔから選択することが出来る。好ましい架橋基は前記架橋基群Ｔの好ましい架橋基である。

　式（７１）で表される化合物が有する架橋基の位置としては、少なくとも１つのＲ^６２１及び少なくとも１つのＲ^６２３が架橋基によって置換されているか又は架橋基そのものであることが好ましく、１つのＲ^６２１及び１つのＲ^６２３の２つのみが架橋基によって置換されているか又は架橋基そのものであることがさらに好ましい。

　なお、式（７１）で表される化合物の対称性から、Ｒ^６２１及びＲ^６２３が架橋基を有する構造は、Ｒ^６２２及びＲ^６２４が架橋基を有する構造と同義である。

（ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４）
　ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は各々独立に、０～４の整数である。但し、ｎ６２１＋ｎ６２２＋ｎ６２３＋ｎ６２４は１以上である。
　ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は好ましくは各々独立に、０～２の整数であり、さらに好ましくは０又は１である。

　式（７１）で表される化合物が架橋基を有することから、ｎ６２１及びｎ６２３は１以上であることが好ましく、好ましくは２以下であり、さらに好ましくは１であり、特に好ましくは、ｎ６２１及びｎ６２３が１であり、かつ、ｎ６２２及びｎ６２４が０である。
　前記式（７１）で表される化合物は、特に、ｎ６２１及びｎ６２３が１であり、ｎ６２２及びｎ６２４が０であり、Ｒ６２１及びＲ６２３が、各々独立に、架橋基によって置換されている炭素数６～５０の芳香族炭化水素基又は架橋基であることが好ましい。

＜式（７２）で表されるカルバゾール化合物＞

（式（７２）中、
　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６１１、Ｒ^６１２は各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は、架橋基である。
　Ｇは、単結合、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　式（７２）で表される化合物は、少なくとも２つ架橋基を有する。
　ｎ^６１１、ｎ^６１２は各々独立に０～４の整数である。）

（Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２）
　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　該芳香族炭化水素基の炭素数としては、好ましくは６～５０、より好ましくは６～３０、さらに好ましくは６～１８である。芳香族炭化水素基としては、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラフェニレン環、フェナントレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、又はペリレン環等の、炭素数が通常６以上、通常３０以下、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１４以下である芳香族炭化水素構造の１価の基、又は、これらの構造から選択された複数の構造が鎖状に又は分岐して結合した構造の１価の基が挙げられる。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合は、通常、２～８個連結した構造が挙げられ、２～５個連結した構造であることが好ましい。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合、同一の構造が連結してもよく、異なる構造が連結してもよい。

　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は好ましくは、各々独立に
　フェニル基、
　１つ又は複数のベンゼン環及び少なくとも１つのナフタレン環が鎖状又は分岐して結合した１価の基、
　１つ又は複数のベンゼン環及び少なくとも１つのフェナントレン環が鎖状又は分岐して結合した１価の基、又は、
　１つ又は複数のベンゼン環及び少なくとも１つのテトラフェニレン環が鎖状又は分岐して結合した１価の基、
であり、さらに好ましくは、複数のベンゼン環が複数鎖状又は分岐して結合した１価の基であり、いずれの場合も結合の順序は問わない。

　結合するベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環及びテトラフェニレン環の数は前記の通り、通常２～８であり、２～５が好ましい。中でも好ましくは、ベンゼン環が１～４個連結した１価の構造、ベンゼン環が１～４個及びナフタレン環が連結した１価の構造、ベンゼン環が１～４個及びフェナントレン環が連結した１価の構造、又は、ベンゼン環が１～４個及びテトラフェニレン環が連結した１価の構造である。

　膜質の安定性に優れるため、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は、各々独立に、架橋基を有するフェニル基、又は、複数のベンゼン環が複数鎖状又は分岐して結合した１価の基であってかつ架橋基を有する基であることが好ましい。

　また、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２の少なくとも一方は、化合物の溶解性及び耐久性の観点から、下記式（７２－１）～（７２－６）から選択される少なくとも１つの部分構造を有することが好ましい。

（上記式（７２－１）～式（７２－６）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。）
　なお、以降の記載においても、特に断りの無い限り＊の定義は同様である。

　より好ましくは、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２の少なくとも一方は、式（７２－１）～（７２－４）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する。
　さらに好ましくは、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２がそれぞれ、式（７２－１）～（７２－３）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する。
　特に好ましくは、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２がそれぞれ、式（７２－１）～（７２－２）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する。

　式（７２－２）として好ましくは、下記式（７２－２－２）である。

　式（７２－２）としてよりさらに好ましくは、下記式（７２－２－３）である。

　また、化合物の溶解性及び耐久性の観点からＡｒ^６１１、Ａｒ^６１２の少なくとも１つが有することが好ましい部分構造として、式（７２－１）で表される部分構造及び式（７２－２）で表される部分構造を有する部分構造が挙げられる。

（Ｒ^６１１、Ｒ^６１２）
　Ｒ^６１１、Ｒ^６１２は各々独立に、重水素原子、フッ素原子等のハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～３０の１価の芳香族炭化水素である。
　芳香族炭化水素基としては、好ましくは炭素数６～３０、さらに好ましくは６～１８、より好ましくは６～１０である芳香族炭化水素構造の１価の基が挙げられる。
　これら芳香族炭化水素基は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい。芳香族炭化水素基が有してよい置換基は前述の通りであり、具体的には前記置換基群Ｚから選択することが出来る。好ましい置換基は前記置換基群Ｚの好ましい置換基である。芳香族炭化水素基が有してよい架橋基及び架橋基は前述の通りであり、具体的には前記架橋基群Ｔから選択することが出来る。好ましい架橋基は前記架橋基群Ｔの好ましい架橋基である。

（ｎ^６１１、ｎ^６１２）
　ｎ^６１１、ｎ^６１２は各々独立に、０～４の整数である。好ましくは０～２であり、さらに好ましくは０又は１である。

（置換基、架橋基）
　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２、Ｒ^６１１、Ｒ^６１２が１価又は２価の芳香族炭化水素基である場合、有してよい置換基は前記置換基群Ｚから選択される置換基が好ましい。有してよい架橋基は前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。架橋基を有する位置としては、Ａｒ^６１１及びｎ^６１１が１以上の場合のＡｒ^６１１、Ｒ^６１１から選択される構造に少なくとも１つと、Ａｒ^６１２及びｎ^６１２が１以上の場合のＡｒ^６１２、Ｒ^６１２から選択される構造に少なくとも１つ有することが好ましく、Ａｒ^６１１及びＡｒ^６１２にそれぞれ少なくとも１つ有することがさらに好ましい。式（７２）で表される化合物が有する架橋基の数は、２以上４以下が好ましく、２以上３以下が更に好ましく、２が最も好ましい。

（Ｇ）
　Ｇは、単結合、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。

　該芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６～５０、さらに好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。芳香族炭化水素基としては、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラフェニレン環、フェナントレン環、クリセン環、ピレン環、ベンゾアントラセン環、又はペリレン環等の、炭素数が通常６以上、通常３０以下、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１４以下である芳香族炭化水素構造の２価の基、又は、これらの構造から選択された複数の構造が鎖状に又は分岐して結合した構造の２価の基が挙げられる。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合は、通常、２～８個連結した構造が挙げられ、２～５個連結した構造であることが好ましい。芳香族炭化水素環が複数個連結する場合、同一の構造が連結してもよく、異なる構造が連結してもよい。

　Ｇは、好ましくは、
　単結合、
　フェニレン基、
　複数のベンゼン環が複数鎖状又は分岐して結合した２価の基、
　１つ又は複数のベンゼン環及び少なくとも１つのナフタレン環が鎖状又は分岐して結合した２価の基、
　１つ又は複数のベンゼン環及び少なくとも１つのフェナントレン環が鎖状又は分岐して結合した２価の基、又は、
　１つ又は複数のベンゼン環及び少なくとも１つのテトラフェニレン環が鎖状又は分岐して結合した２価の基、
であり、さらに好ましくは、複数のベンゼン環が複数鎖状又は分岐して結合した２価の基であり、いずれの場合も結合の順序は問わない。

　結合するベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環及びテトラフェニレン環の数は前記の通り、通常２～８であり、２～５が好ましい。中でもさらに好ましくは、ベンゼン環が１～４個連結した２価の構造、ベンゼン環が１～４個及びナフタレン環が連結した２価の構造、ベンゼン環が１～４個及びフェナントレン環が連結した２価の構造、又は、ベンゼン環が１～４個及びテトラフェニレン環が連結した２価の構造である。

　電荷輸送時の安定性に優れ、素子性能が向上するため、Ｇは単結合であることが好ましい。

（分子量）
　本発明のカルバゾール化合物の分子量は、熱安定性の観点から６００以上が好ましく、より好ましくは８００以上であり、さらに好ましくは１０００以上であり、特に好ましくは１２００以上であり、５０００以下が好ましく、より好ましくは４０００以下であり、さらに好ましくは３０００以下であり、特に好ましくは２５００以下である。

（具体例）
　以下に、本発明のカルバゾール化合物の具体例を示す。本発明はこれらに限定されるものではない。

：式（７１）で表されるカルバゾール化合物の具体例：

：式（７２）で表されるカルバゾール化合物の具体例：

［電子受容性化合物］
　陽極から正孔注入層又は正孔輸送層への正孔注入性を向上させるため、若しくは正孔注入層又は正孔輸送層内での電荷輸送性を向上させるため、正孔注入層又は正孔輸送層に含まれる電荷輸送材料はカチオンラジカル部位を含むことが好ましい。電荷輸送材料をカチオンラジカル化させるため、正孔注入層又は正孔輸送層を形成する場合に電子受容性化合物を用いる。電子受容性化合物の母骨格としては、後述するイオン価１のアニオンであるテトラアリールホウ酸イオンと対カチオンからなるイオン化合物が高い安定性を有するため好ましい。

（電荷輸送材料のカチオンラジカル化）
　電荷輸送材料のカチオンラジカル化は次のように行われる。
　電荷輸送材料としてカルバゾール構造を有する化合物を用いた場合、ジアリールヨードニウムを対カチオンとするテトラアリールホウ酸塩を電子受容性化合物として用いると、正孔注入層又は正孔輸送層形成時に、下記式のように対カチオンはジアリールヨードニウムからカルバゾールカチオンに変わり得る。

（例えば、Ａｒ、Ａｒ^１’～Ａｒ^４’は各々独立に、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、又は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基及び置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される構造が複数連結した１価の基である。）

　上記反応で生成したカルバゾールカチオンは電子を受容し得る半占軌道（ＳＯＭＯ）を有しているため、カルバゾールイオン対カチオンとするテトラアリールホウ酸塩は、電子受容性化合物である。

　本発明においては、この電荷輸送材料のカチオンとアニオンであるテトラアリールホウ酸イオンからなる化合物を、電荷輸送性イオン化合物と称する。詳細は後述する。

　後述するように、本発明の有機電界発光素子の正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、本発明の電荷輸送膜形成用組成物を湿式成膜して得ることが好ましく、本発明の電荷輸送膜形成用組成物は、後述するテトラアリールホウ酸イオン構造を有する電子受容性化合物及び後述する電荷輸送材料を有機溶剤に溶解又は分散させる工程を経て得られた組成物であることが好ましい。そして、本発明の有機電界発光素子の電荷輸送層中では、後述する本発明におけるテトラアリールホウ酸イオン構造をアニオンとし、本発明の電荷輸送材料のカチオンを対カチオンとする電荷輸送性イオン化合物を含むことが好ましい。

（架橋反応物）
　本発明に係る電荷輸送材料が架橋基を有する場合、架橋基を有する電子受容性化合物との架橋反応物とは、次の架橋反応物である場合を含む。
・電子受容性化合物同士が架橋した化合物。
・電子受容性化合物と電荷輸送材料とが架橋した化合物。
・電子受容性化合物と本発明におけるテトラアリールホウ酸イオンが架橋した化合物。
・本発明におけるテトラアリールホウ酸イオン同士が架橋した化合物。
・本発明におけるテトラアリールホウ酸イオンと電荷輸送材料が架橋した化合物。

　ここで、“本発明におけるテトラアリールホウ酸イオン”とは、後述するテトラアリールホウ酸イオンと対カチオンとからなるイオン化合物である電子受容性化合物として存在する場合、及び後述するテトラアリールホウ酸イオンと電荷輸送材料のカチオンとからなる電荷輸送性イオン化合物として存在する場合を含む。

　架橋反応する２つの架橋基は、架橋反応可能であれば同じ架橋基であっても異なる架橋基であってもよい。

［電子受容性化合物］
　テトラアリールホウ酸イオンと対カチオンからなるイオン化合物である電子受容性化合物は、下記式（８１）で表わされる非配位性アニオンである対アニオンと対カチオンからなる電子受容性イオン化合物である。下記式（８２）はアニオンとして後述する式（８３）をテトラアリールホウ酸イオンとして有する。尚、本発明に係る電子受容性化合物は電子受容性イオン化合物と称することがある。

（式（８１）中、５つのＲ^８１、５つのＲ^８２、５つのＲ^８３、５つのＲ^８４はそれぞれにおいて独立であり、かつ、Ｒ^８１～Ｒ^８４は、各々独立に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数３～５０の芳香族複素環基、フッ素置換された炭素数１～１２のアルキル基、又は架橋基を表す。
　Ｐｈ^１、Ｐｈ^２、Ｐｈ^３、Ｐｈ^４は４つのベンゼン環を指す符号である。
　Ｘ^＋は対カチオンを表す。）
　上記Ｒ^８１～Ｒ^８４のハロゲン原子としては、ヨウ素原子、ホウ素原子、塩素原子、フッ素原子から選択される。

　前記式（８１）で表される電子受容性化合物は架橋基を有することが好ましく、架橋基は２以上であることが更に好ましい。架橋基は、前記式（８１）で表される電子受容性化合物のアニオン部すなわち、テトラアリールホウ酸イオンである後述の式（８２）に有することが好ましい。

［テトラアリールホウ酸イオン］
　上述の電子受容性化合物の母骨格としては、ホウ素原子に、４つの、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環又は置換基を有していてもよい芳香族複素環が置換した、イオン価１のアニオンであるテトラアリールホウ酸イオンと対カチオンからなるイオン化合物が、高い安定性を有するため好ましい。

　テトラアリールホウ酸イオンは、下記式（８２）で表される、前記式（８１）のアニオン体である。

（式（８２）中、Ｒ^８１～Ｒ^８４はそれぞれ式（８１）のＲ^８１～Ｒ^８４と同じである。
　Ｐｈ^１～Ｐｈ^４はそれぞれ式（８１）のＰｈ^１～Ｐｈ^４と同じで４つのベンゼン環を指す符号である。）

　Ｒ^８１～Ｒ^８４に用いられる芳香族炭化水素基の炭素数は６～５０が好ましい。芳香族炭化水素環構造としては、単環又は２～６縮合環、及びこれらが２～８個連結した構造が好ましい。芳香族炭化水素基としては、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、ビフェニル構造、テルフェニル構造、又はクォーターフェニル構造の単独の1価の基、及び、これらが２～８個連結した1価の基が挙げられる。

　Ｒ^８１～Ｒ^８４に用いられる芳香族複素環基の炭素数は３～５０が好ましい。芳香族複素環構造としては、単環又は２～６縮合環、及びこれらが２～８個連結した構造が好ましい。芳香族複素環基としては、具体的には、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、又はアズレン環の単独の１価の基、及び、これらが２～８個連結した１価の基が挙げられる。さらに、ここで言う芳香族複素環基としては、これら単独の構造を少なくとも１つ含んでいればよく、連結する構造としては芳香族炭化水素環構造を含んでもよい。芳香族炭化水素環構造を含む場合は、前記芳香族複素環及び芳香族炭化水素環を合わせて、２～８個連結した構造で有り得る。ここで、芳香族炭化水素環としては、前記Ｒ^８１～Ｒ^８４に用いられる芳香族炭化水素環の単独の構造を用いることが出来る。

　中でも、安定性、耐熱性に優れることから、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピリジン環もしくはカルバゾール環の１価の基、又はこれらの基が２～５個連結したビフェニル基等の1価の基がより好ましい。特に好ましくはベンゼン環の１価の基又はベンゼン環が２～５個連結した基が好ましく、具体的にはフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等である。

　置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい芳香族複素環基から選択される構造が複数連結した１価の基に含まれる芳香族炭化水素基および芳香族複素環基の数は２以上であり、８以下が好ましく、４以下がさらに好ましく、３以下がより好ましい。ただし、芳香族炭化水素基がビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基の場合は、それぞれフェニル基が２個連結した構造、３個連結した構造、４個連結した構造であるとみなす。

　Ｒ^８１～Ｒ^８４が有してもよい置換基としては、前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選択される基が好ましい。

　Ｒ^８１～Ｒ^８４は、アニオンの安定性が増し、カチオンを安定させる効果が向上する点から、フッ素原子又はフッ素置換されたアルキル基が好ましい。また、フッ素原子又はフッ素置換されたアルキル基は、２つ以上含むことが好ましく、３つ以上含むことがより好ましく、４つ含むことが最も好ましい。

　Ｒ^８１～Ｒ^８４に用いられるフッ素置換されたアルキル基としては、炭素数１～１２の直鎖又は分岐のアルキル基であってフッ素原子が置換している基が好ましく、パーフルオロアルキル基がより好ましく、炭素数１～５の直鎖又は分岐のパーフルオロアルキル基がさらに好ましく、炭素数１～３の直鎖又は分岐のパーフルオロアルキル基が特に好ましく、パーフルオロメチル基が最も好ましい。この理由は、架橋基を有する電子受容性化合物の架橋物を含む電荷注入層や、その上層に積層される塗布膜が安定になるためである。フッ素置換されたアルキル基は、ホウ素原子のパラ位に結合することが好ましい。

　テトラアリールホウ酸イオンは、アニオンの安定性がさらに増し、カチオンを安定させる効果がさらに向上する点で、前記式（８２）における、－Ｐｈ^１－（Ｒ^８１）_５、－Ｐｈ^２－（Ｒ^８２）_５、－Ｐｈ^３－（Ｒ^８３）_５、及び－Ｐｈ^４－（Ｒ^８４）_５の内、少なくとも１つが４つのフッ素原子を有する下記式（８４）で表される基であることが好ましく、アニオンの安定性が向上する点で、少なくとも２つが同一の式（８４）で表される基であることがさらに好ましく、アニオンの安定性がさらに向上する点で、少なくとも３つが同一の式（８４）で表される基であることが最も好ましい。

　Ｒ^８５に用いることのできる芳香族炭化水素基の炭素数は３～４０が好ましい。芳香族炭化水素環構造としては、単環又は２～６縮合環、及びこれらが２～５個連結した構造が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、ビフェニル構造、テルフェニル構造、又はクォーターフェニル構造の単独の1価の基、及び、これらが２～６連結した1価の基が挙げられる。芳香族炭化水素基が有してよい架橋基は前記架橋基群Ｔから選択される架橋基である。

　Ｒ^８５に用いることのできる架橋基は、前記架橋基群Ｔから選択される架橋基である。
　前記芳香族炭化水素基及び前記芳香族炭化水素基が有してよい置換基は前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選択される置換基が好ましく、中でも芳香族炭化水素基が安定性の観点から好ましく、アルキル基が溶解性の観点から好ましい。

＜テトラアリールホウ酸イオンを含む電子受容性イオン化合物＞
　テトラアリールホウ酸イオンは、好ましくはテトラアリールホウ酸イオンからなるアニオンと対カチオンからなる電子受容性イオン化合物として用いられる。

（対カチオン）
　対カチオンとしては、ヨードニウムカチオン、スルホニウムカチオン、カルボカチオン、オキソニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、シクロヘプチルトリエニルカチオンまたは遷移金属を有するフェロセニウムカチオンが好ましく、ヨードニウムカチオン、スルホニウムカチオン、カルボカチオン、アンモニウムカチオンがより好ましく、ヨードニウムカチオンが特に好ましい。

　ヨードニウムカチオンとして好ましくは、下記式（８３）で表される構造であり、さらに好ましい構造も同様である。

　ヨードニウムカチオンとして具体的には、ジフェニルヨードニウムカチオン、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムカチオン、４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニルフェニルヨードニウムカチオン、４－メトキシフェニルフェニルヨードニウムカチオン、４－イソプロピルフェニル－４－メチルフェニルヨードニウムカチオン等が好ましい。

　スルホニウムカチオンとして具体的には、トリフェニルスルホニウムカチオン、４－ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムカチオン、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウムカチオン、４－シクロヘキシルスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン等が好ましい。

　カルボカチオンとして具体的には、トリフェニルカルボカチオン、トリ（メチルフェニル）カルボカチオン、トリ（ジメチルフェニル）カルボカチオンなどの三置換カルボカチオン等が好ましい。

　アンモニウムカチオンとして具体的には、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、トリプロピルアンモニウムカチオン、トリブチルアンモニウムカチオン、トリ（ｎ－ブチル）アンモニウムカチオンなどのトリアルキルアンモニウムカチオン；Ｎ，Ｎ－ジエチルアニリニウムカチオン、Ｎ，Ｎ－２，４，６－ペンタメチルアニリニウムカチオンなどのＮ，Ｎ－ジアルキルアニリニウムカチオン；ジ（イソプロピル）アンモニウムカチオン、ジシクロヘキシルアンモニウムカチオンなどのジアルキルアンモニウムカチオン等が好ましい。

　ホスホニウムカチオンとして具体的には、テトラフェニルホスホニウムカチオン、テトラキス（メチルフェニル）ホスホニウムカチオン、テトラキス（ジメチルフェニル）ホスホニウムカチオンなどのテトラアリールホスホニウムカチオン；テトラブチルホスホニウムカチオン、テトラプロピルホスホニウムカチオンなどのテトラアルキルホスホニウムカチオン等が好ましい。

　これらの中では、化合物の膜安定性の点でヨードニウムカチオン、カルボカチオン、スルホニウムカチオンが好ましく、ヨードニウムカチオンがより好ましい。

（Ｘ^＋：（ヨードニウムカチオン））
　前記式（８１）における対カチオンであるＸ^＋は下記式（８３）の構造を有するヨードニウムカチオンであることが好ましい。

　式（８３）中、Ａｒ^８１、Ａｒ^８２は各々独立に、置換基を有していてもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基である。
　芳香族炭化水素基としては炭素数６～１８の芳香族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくは炭素数６～１２であり、最も好ましくはフェニル基である。有してよい置換基は前記置換基群Ｚから選択される基であり、その中で最も好ましくはアルキル基である。
　芳香族炭化水素基として好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、トリフェニレン基、ナフチルフェニル基等が挙げられ、フェニル基が化合物の安定性から最も好ましい。

（分子量）
　テトラアリールホウ酸イオンを有する電子受容性イオン化合物の分子量は、通常９００以上、好ましくは１０００以上、より好ましくは１２００以上、また、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは３０００以下の範囲である。分子量が小さすぎると、正電荷及び負電荷の非局在化が不十分なため、電子受容能が低下するおそれがある。分子量が大きすぎると、電荷輸送の妨げとなるおそれがある。

（具体例）
　以下に式（８１）で表される電子受容性イオン化合物として、ヨードニウムカチオンとのイオン化合物の具体例を挙げる。本発明はこれらに限定されるものではない。

［電荷輸送性高分子化合物］
　本発明の組成物は、電荷輸送性高分子化合物として正孔輸送高分子化合物を含むことが好ましい。正孔輸送高分子化合物は通常、正孔注入層、又は正孔輸送層を形成するために用いられ、後述の電荷輸送膜形成用組成物に含まれる。この場合、本発明の組成物は、正孔注入層、又は正孔輸送層を形成するために用いることができる。

［アリールアミン構造を繰返し単位として含む重合体］
　正孔輸送高分子化合物として好ましくは、以下に記すアリールアミン構造を繰返し単位として含む重合体である。さらに好ましくは、架橋基を有する。
　アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体のアリールアミン構造の繰返し単位は下記式（５０）で表される。

（式（５０）中、
　Ａｒ^５１は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表す。
　Ａｒ^５２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ａｒ^５１とＡｒ^５２は単結合又は連結基を介して環を形成しない。
　Ａｒ^５１、Ａｒ^５２は置換基及び／又は架橋基を有してもよい。）

　Ａｒ^５１、Ａｒ^５２が有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｚから選択される置換基が好ましい。
　Ａｒ^５１、Ａｒ^５２が有していてもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。
　式（５０）で表されるアリールアミン構造の繰返し単位を有する重合体は、架橋基を有することが好ましい。式（５０）で表されるアリールアミン構造の繰返し単位を有する重合体が架橋基を有するとは、該重合体に含まれる、式（５０）で表されるアリールアミン構造の繰返し単位の少なくとも一つが架橋基を有する場合、及び、又は、該重合体に含まれる式（５０）の繰返し単位以外の繰返し単位が架橋基を有する場合であってよい。
　好ましくは、該重合体に含まれる式（５０）で表されるアリールアミン構造の繰返し単位の少なくとも一つが架橋基を有する、重合体である。
　式（５０）で表されるアリールアミン構造の繰返し単位が架橋基を有する場合、Ａｒ^５１、及び、又は、Ａｒ^５２が架橋基を有する。好ましくは、Ａｒ^５１が架橋基を有する。

（末端基）
　本明細書において、末端基とは、重合体の重合終了時に用いるエンドキャップ剤によって形成された、重合体の末端部の構造のことを指す。本発明の組成物において、式（５０）で表される繰り返し単位を含む重合体の末端基は炭化水素基であることが好ましい。炭化水素基としては、電荷輸送性の観点から、炭素数１以上６０以下の炭化水素基が好ましく、１以上４０以下の炭化水素基がより好ましく、１以上３０以下の炭化水素基がさらに好ましい。

　該炭化水素基としては、例えば、
　メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等の、炭素数が通常１以上であり、好ましくは４以上であり、通常２４以下であり、好ましくは１２以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基；
　ビニル基等の、炭素数が通常２以上、２４以下であり、好ましくは１２以下である、直鎖、分岐、又は環状のアルケニル基；
　エチニル基等の、炭素数が通常２以上、２４以下であり、好ましくは１２以下である、直鎖又は分岐のアルキニル基；
　フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常６以上、３６以下であり、好ましくは２４以下である芳香族炭化水素基；
　前記架橋基群Ｔの中の炭化水素基である架橋基；好ましくは前記式（Ｘ１）～式（Ｘ４）で表される架橋基；が挙げられる。

　これら炭化水素基はさらに置換基を有していてもよく、さらに有していてもよい置換基はアルキル基又は芳香族炭化水素基が好ましい。さらに有していてもよい置換基が複数ある場合は、互いに結合して環を形成していてもよい。これら炭化水素基が架橋基以外の基である場合、置換基はさらに前記架橋基群Ｔから選択される架橋基を置換基として有してもよい。

　末端基は、好ましくは、電荷輸送性及び耐久性の観点から、アルキル基、芳香族炭化水素基、又は前記架橋基群Ｔの中の炭化水素基である架橋基であり、より好ましくは芳香族炭化水素基である。末端基が架橋基でない場合はさらに前記架橋基群Ｔから選択される架橋基を置換基として有することも好ましい。

（Ａｒ^５２）
　Ａｒ^５２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。該芳香族炭化水素基及び該芳香族複素環基は置換基及び／又は架橋基を有してもよい。
　有してもよい置換基は、前記置換基群Ｚから選択される置換基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。

（捻れた構造）
　前記式（５０）で表される繰り返し単位としては、下記式（６３）で表される部分構造をＡｒ^５２で表される主鎖構造に含むことが、主鎖が捻じれた構造となり、共役を阻害し、好ましい。

（Ａｒ^５１）
　Ａｒ^５１は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表し、該芳香族炭化水素基及び該芳香族複素環基は置換基及び／又は架橋基を有してもよい。
　有してもよい置換基は、前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選択される置換基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。
　膜の安定性を向上させる観点から、Ａｒ^５１は架橋基を有することが好ましい。

（架橋基を有するＡｒ^５１の好ましい構造）
　Ａｒ^５１が架橋基を有する場合、Ａｒ^５１は好ましくは、置換基を有していてもよいベンゼン環が２～５個連結した１価の基の末端に前記架橋基群Ｔから選択される架橋基を有する構造が好ましい。Ａｒ^５１はより好ましくは、置換基を有さないベンゼン環が２～５個連結した１価の基の末端に前記架橋基群Ｔから選択される架橋基を有する構造である。

＜好ましいＡｒ^５１＞
　Ａｒ^５１は、電荷輸送性が優れる点、耐久性に優れる点から、芳香族炭化水素基が好ましく、中でもベンゼン環（フェニル基）、ベンゼン環が２～５個連結した基、又はフルオレン環の１価の基（フルオレニル基）がより好ましく、フルオレニル基がさらに好ましく、２－フルオレニル基が特に好ましい。これらは置換基及び／又は架橋基を有してもよい。置換基としては前記置換基群Ｚから選択される基が好ましく、架橋基としては前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。

　Ａｒ^５１の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有してもよい置換基としては、本重合体の特性を著しく低減させないものであれば、特に制限はない。当該置換基は、好ましくは前記置換基群Ｚから選ばれる基が挙げられ、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。

　Ａｒ^５１は、溶媒への溶解性の点から、炭素数１～２４のアルキル基で置換されたフルオレニル基が好ましく、特に、炭素数４～１２のアルキル基で置換された２－フルオレニル基が好ましい。さらに、２－フルオレニル基の９位がアルキル基で置換された９－アルキル－２－フルオレニル基が好ましく、特に、アルキル基で２置換された９，９’－ジアルキル－２－フルオレニル基が好ましい。

　Ａｒ^５１が、９位及び９’位の少なくとも一方がアルキル基で置換されたフルオレニル基であることにより、溶媒に対する溶解性及びフルオレン環の耐久性が向上する傾向にある。さらに、９位及び９’位の両方がアルキル基で置換されたフルオレニル基であることにより、溶媒に対する溶解性及びフルオレン環の耐久性がさらに向上する傾向にある。

　Ａｒ^５１は、溶媒への溶解性の点から、スピロビフルオレニル基であることも好ましい。

　前記式（５０）で表される繰り返し単位を含む重合体としては、前記式（５０）で表される繰り返し単位におけるＡｒ^５１が、下記式（５１）で表される基、下記式（５２）で表される基、又は下記式（５３）で表される基である繰返し単位を含むことが好ましい。

＜式（５１）で表される基＞

（式（５１）中、
　＊は式（５０）の主鎖の窒素原子との結合を表す。
　Ａｒ^５３、Ａｒ^５４は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基、又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基若しくは置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ａｒ^５５は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基、又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した１価の基を表す。
　Ａｒ^５６は水素原子、置換基又は架橋基を表す。）

　ここで、各芳香族炭化水素基及び各芳香族複素環基は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい。有してもよい置換基は前記置換基群Ｚから選択される基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。

（Ａｒ^５３）
　Ａｒ^５３は、２価の芳香族炭化水素基が１～６個連結した基が好ましく、２価の芳香族炭化水素基が２～４個連結した基がさらに好ましく、中でもフェニレン環が１～４個連結した基がより好ましく、フェニレン環が２個連結したビフェニレン基が特に好ましい。

　これらの基は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい。有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｚから選ばれる基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。好ましくは、Ａｒ^５３は置換基及び架橋基を有さない。

　これら２価の芳香族炭化水素基又は２価の芳香族複素環基が複数連結する場合、好ましくは複数連結した２価の芳香族炭化水素基が共役しないように結合した基である。具体的には、１，３－フェニレン基、又は置換基を有し置換基の立体効果によって捻じれ構造となる基を含むことが好ましく、さらに好ましくは、置換基及び架橋基を有さない１，３－フェニレン基又は置換基及び架橋基を有さない１，３－フェニレン基が複数連結した基である。

（Ａｒ^５４）
　Ａｒ^５４は電荷輸送性が優れる点、耐久性に優れる点から、同一であっても異なっていてもよい２価の芳香族炭化水素基が１または複数連結した基が好ましい。該２価の芳香族炭化水素基は置換基を有していてもよい。複数連結する場合、連結する基の数は、２～１０が好ましく、６以下がさらに好ましく、３以下が膜の安定性の観点からは特に好ましい。好ましい芳香族炭化水素環構造としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環であり、より好ましくはベンゼン環およびフルオレン環である。複数連結した基としては、フェニレン環が１～４個連結した基、または、フェニレン環とフルオレン環が連結した基が好ましい。ＬＵＭＯが広がる観点からフェニレン環が２個連結したビフェニレン基が特に好ましい。

　これらの基は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい。有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｚから選ばれる基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。より好ましい置換基としては、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基である。また、置換基を有さないことも好ましい。

（Ａｒ^５５）
　Ａｒ^５５は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基、又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した１価の基である。好ましくは、Ａｒ^５５は、１価の芳香族炭化水素基又は１価の芳香族炭化水素基が複数連結した基である。

　これらの基は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい。有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選ばれる基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。

　これらの基が複数個連結する場合は、２～１０個連結した１価の基であり、２～５個連結した１価の基であることが好ましい。芳香族炭化水素基、芳香族複素環基としては、前記Ａｒ^５１と同様の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基を用いることが出来る。

　Ａｒ^５５としては、下記スキーム２Ａ，２Ｂ，２Ｃのいずれかで表される構造を有することが好ましい。

　上記スキーム２Ａ～２Ｃにおいて、＊はＡｒ^５４との結合位置を表し、＊が複数ある場合はいずれか１つがＡｒ^５４との結合位置を表す。
　これらの構造は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい。これらの構造が有していてもよい置換基としては、前記置換基群Ｚから選択される基が好ましい。有していてもよい架橋基は前記架橋基群Ｔから選択される基が好ましい。

（Ｒ^３１及びＲ^３２）
　スキーム２Ａ，２ＢのＲ^３１及びＲ^３２は、各々独立に、置換基を有していてもよい直鎖、分岐又は環状のアルキル基であることが好ましい。アルキル基の炭素数は特に限定されないが、重合体の溶解性を維持するために、炭素数が１以上、６以下が好ましく、３以下がより好ましく、メチル基又はエチル基であることが更に好ましい。

　Ｒ^３１及びＲ^３２は同一であっても異なっていてもよいが、電荷を均一的に窒素原子の周りに分布することができ、更に合成も容易であることから、全てのＲ^３１及びＲ^３２は同一の基であることが好ましい。

（Ａｒ^ｄ１８）
　スキーム２ＢのＡｒ^ｄ１８は、各々独立に、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である。Ａｒ^ｄ１８は、安定性の観点から芳香族炭化水素基が好ましく、さらに好ましくはフェニル基である。これらの基はさらに置換基又は架橋基を有してもよい。有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｚから選ばれる基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。

　分子のＬＵＭＯを分布させる観点から、Ａｒ^５５としては、上記ａ－１～ａ－４、ｂ－１～ｂ－９、ｃ－１～ｃ－４、ｄ－１～ｄ－１８、及びｅ－１～ｅ－４から選択される構造が好ましい。更に電子求引性基を有することにより分子のＬＵＭＯが広がることを促進する観点から、ａ－１～ａ－４、ｂ－１～ｂ－９、ｄ－１～ｄ－１２、ｄ－１７、ｄ－１８、及びｅ－１～ｅ－４から選択される構造が好ましい。更に三重項レベルが高い、発光層に形成された励起子を閉じ込める効果の観点から、ａ－１～ａ－４、ｄ－１～ｄ－１２、ｄ－１７、ｄ－１８、及びｅ－１～ｅ－４から選択される構造が好ましい。また、簡易に合成でき、安定性に優れる観点から、ｄ－１、ｄ－１０、ｄ－１７、ｄ－１８及びｅ－１がさらに好ましく、ｄ－１のベンゼン環構造、ｄ－６のフルオレン環構造又はｄ－１７のカルバゾール構造が特に好ましい。

　Ａｒ^５５がｄ－６で表されるフルオレン構造の場合、２－フルオレニル基が好ましい。２－フルオレニル基の９，９’位には置換基及び／又は架橋基を有してもよく、有してよい置換基は、前記置換基群Ｚから選ばれる基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。置換基としては中でもアルキル基が好ましい。

（Ａｒ^５６）
　Ａｒ^５６は、水素原子、置換基又は架橋基を表す。Ａｒ^５６が置換基である場合、特に限定はされないが、好ましくは芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であり、更に置換基群Ｚから選択される置換基、及び／又は、架橋基群Ｔから選択される架橋基を有していてもよい。Ａｒ^５６が架橋基の場合の架橋基は、好ましくは前記架橋基群Ｔから選択される架橋基である。

　Ａｒ^５６が置換基である場合、式（５１）においてＡｒ^５６が結合しているカルバゾール構造の３位に結合していることが、耐久性向上の観点から好ましい。Ａｒ^５６は、耐久性向上及び電荷輸送性の観点からは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基であることが好ましく、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。

　Ａｒ^５６は、合成のし易さ及び電荷輸送性の観点からは、水素原子であることが好ましい。

（式（５１）で表される基の具体例）
　式（５１）で表される基の具体例を以下に挙げる。式（５１）で表される基はこれらに限定されるものではない。

＜式（５２）で表される基＞

（式（５２）中、
　Ａｒ^６１及びＡｒ^６２は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい２価の芳香族複素環基、又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基若しくは置換基又は架橋基を有してもよい芳香族複素環基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ａｒ^６３～Ａｒ^６５は、各々独立に、水素原子、置換基又は架橋基である。
　＊は式（５０）中の主鎖の窒素原子への結合位置を表す。）

　各芳香族炭化水素基が有してもよい置換基及び各芳香族複素環基が有してもよい置換基、並びに置換基である場合のＡｒ^６３～Ａｒ^６５は、前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選ばれる基が好ましい。
　各芳香族炭化水素基が有してもよい置換基及び各芳香族複素環基が有してもよい架橋基、並びに架橋基である場合のＡｒ^６３～Ａｒ^６５は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。

（Ａｒ^６３～Ａｒ^６５）
　Ａｒ^６３～Ａｒ^６５は、それぞれ独立して、前記Ａｒ^５６と同様である。
　Ａｒ^６３～Ａｒ^６４は、好ましくは水素原子である。

（Ａｒ^６２）
　Ａｒ^６２は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい２価の芳香族複素環基、又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基若しくは置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基である。好ましくは、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基が複数連結した基である。ここで、芳香族炭化水素基が有してもよい置換基及び芳香族複素環基が有してもよい置換基は前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘと同様の基が好ましい。芳香族炭化水素基が有してもよい架橋基及び芳香族複素環基が有してもよい架橋基としては、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。

　Ａｒ^６２の具体的な構造は、Ａｒ^５４と同様である。

　Ａｒ^６２の具体的な好ましい基は、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環の２価の基又はこれらが複数連結した基であり、より好ましくは、ベンゼン環の２価の基又はこれが複数連結した基であり、特に好ましくは、ベンゼン環が１，４位の２価で連結した１，４－フェニレン基、フルオレン環の２，７位の２価で連結した２，７－フルオレニレン基、又はこれらが複数連結した基であり、最も好ましくは、“１，４－フェニレン基－２，７－フルオレニレン基－１，４－フェニレン基－”を含む基である。

　Ａｒ^６２のこれら好ましい構造において、フェニレン基は連結位置以外に置換基及び架橋基を有さないことが、置換基の立体効果によるＡｒ^６２のねじれが生じず好ましい。また、フルオレニレン基は、９，９’位に置換基又は架橋基を有している方が、溶解性及びフルオレン構造の耐久性向上の観点から好ましい。置換基としては前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選択される置換基が好ましく、中でもアルキル基がより好ましい。これら置換基はさらに架橋基で置換されていてもよい。架橋基としては前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。好ましくは置換基である。

（Ａｒ^６１）
　Ａｒ^６１は、前記Ａｒ^５３と同様の基であり、好ましい構造も同様である。

（式（５２）で表される基の具体例）
　式（５２）で表される基の具体例を以下に挙げる。式（５２）で表される基は以下のものに限定されるものではない。

＜式（５３）で表される基＞

（式（５３）中、
　＊は式（５０）の主鎖の窒素原子との結合を表す。
　Ａｒ^７１は、２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ａｒ^７２及びＡｒ^７３は、各々独立に、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、或いは、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選ばれる２以上の基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した１価の基を表す。これらの基は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい。
　環ＨＡは窒素原子を含む芳香族複素環である。
　Ｘ^２、Ｙ^２は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｘ^２及びＹ^２の少なくとも一方が、炭素原子の場合は、当該炭素原子は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい。）

　上記有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選ばれる基が好ましい。有してもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。

＜Ａｒ^７１＞
　Ａｒ^７１は、前記Ａｒ^５３と同様の基である。

　Ａｒ^７１としては、特に、置換基を有していてもよいベンゼン環が２～６個連結した基が好ましく、置換基を有していてもよいベンゼン環が４個連結したクォーターフェニレン基が最も好ましい。

　Ａｒ^７１は非共役部位である１，３位で連結したベンゼン環を少なくとも１つ含むことが好ましく、２以上含むことが更に好ましい。

　Ａｒ^７１が置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基が複数連結した基の場合、電荷輸送性又は耐久性の観点から、全て直接結合して連結していることが好ましい。

　このため、Ａｒ^７１として、重合体の主鎖の窒素原子と前記式（５３）中の環ＨＡとの間を繋ぐ好ましい構造は、下記のスキーム２－１及びスキーム２－２に挙げられる通りである。下記のスキーム２－１及びスキーム２－２において、＊は、重合体の主鎖の窒素原子又は前記式（５３）の環ＨＡとの結合部位を表す。２つの＊のうち、いずれかが重合体の主鎖の窒素原子と結合していても、環ＨＡと結合していてもよい。

　Ａｒ^７１が有していてもよい置換基としては、前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘのいずれか又はこれらの組み合わせを用いることができる。Ａｒ^７１が有していてもよい置換基の好ましい範囲は、前述のＡｒ^５３が芳香族炭化水素基である場合に有してもよい置換基と同様である。

＜Ｘ^２及びＹ^２＞
　Ｘ^２及びＹ^２は、それぞれ独立に、Ｃ（炭素）原子又はＮ（窒素）原子を表す。Ｘ^２及びＹ^２の少なくとも一方が、Ｃ原子の場合は、置換基を有していてもよい。

　環ＨＡの周辺にＬＵＭＯをより局在化させやすい観点からＸ^２及びＹ^２はいずれもＮ原子であることが好ましい。

　Ｘ^２及びＹ^２の少なくとも一方がＣ原子の場合に有していてもよい置換基としては、前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘのいずれか又はこれらの組み合わせを用いることができる。電荷輸送性の観点からは、Ｘ^２及びＹ^２は置換基を有さないことが更に好ましい。

＜Ａｒ^７２及びＡｒ^７３＞
　Ａｒ^７２及びＡｒ^７３は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、或いは、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選ばれる２以上の基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した１価の基である。これらの基は置換基及び／又は架橋基を有していてもよく、有していてもよい置換基は前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選ばれる基が好ましい。有していてもよい架橋基は、前記架橋基群Ｔから選ばれる基が好ましい。

　分子のＬＵＭＯを分布させる観点から、Ａｒ^７２及びＡｒ^７３は、それぞれ独立に、前記スキーム２Ａ～２Ｃに示すａ－１～ａ－４、ｂ－１～ｂ－９、ｃ－１～ｃ－４、ｄ－１～ｄ－１６、及びｅ－１～ｅ－４から選択される構造を有することが好ましい。
　更に電子求引性基を有することにより分子のＬＵＭＯが広がることを促進する観点から、ａ－１～ａ－４、ｂ－１～ｂ－９、ｃ－１～ｃ－５、ｄ－１～ｄ－１２、及びｅ－１～ｅ－４から選択される構造が好ましい。
　更に三重項レベルが高い、発光層に形成された励起子を閉じ込める効果の観点から、ａ－１～ａ－４、ｄ－１～ｄ－１２、及びｅ－１～ｅ－４から選択される構造が好ましい。
　分子の凝集を防ぐため、ｄ－１～ｄ－１２、及びｅ－１～ｅ－４から選択される構造が更に好ましい。簡易に合成でき、安定性に優れる観点からＡｒ^７２＝Ａｒ^７３＝ｄ－１又はｄ－１０が好ましく、ｄ－１のベンゼン環構造が特に好ましい。
　またこれら構造に置換基を有していてもよい。

（式（５３）で表される基の具体例）
　式（５３）で表される基の具体例を以下に挙げる。式（５３）で表される基としてはこれらに限定されるものではない。

(好ましい式（５０）で表される繰り返し単位)
　前記式（５０）で表される繰り返し単位として好ましくは、下記式（５４）で表される繰り返し単位、下記式（５５）で表される繰り返し単位、下記式（５６）で表される繰り返し単位、下記式（５７）で表される繰り返し単位、及び下記式（６０）で表される繰り返しから選択される繰返し単位である。
　特に、下記式（５４）で表される繰り返し単位は、芳香族炭化水素環が縮合した構造を有するために耐熱性が高くなり好ましい。
　特に、下記式（５５）で表される繰り返し単位は、Ｒ^３０４及びＲ^３０５を有するフェニレン環が、隣接するフェニレン環に対して相対的にねじれた構造を有するため、重合体の共役の広がりが抑制され、重合体のＴ１レベルが向上するため好ましい。
　特に、下記式（５６）で表される繰り返し単位は、カルバゾール構造を有するため耐熱性が高くなり好ましい。
　特に、下記式（５７）で表される繰り返し単位は、重合体のＬＵＭＯを広げやすく、そのため電子耐久性を高くしやすい傾向にあることから好ましい。
　特に、下記式（６０）で表される繰り返し単位は、正孔輸送性が優れるため好ましい。
　本発明の重合体は、下記式（５４）で表される繰り返し単位、下記式（５５）で表される繰り返し単位、下記式（５６）で表される繰り返し単位、及び下記式（５７）で表される繰り返し単位から選択される繰返し単位を含むことが好ましく、中でも、下記式（５４）で表される繰り返し単位又は下記式（５７）で表される繰り返し単位を含むことが更に好ましい。
　さらに、本発明の重合体は、下記式（５４）で表される繰り返し単位、下記式（５５）で表される繰り返し単位、下記式（５６）で表される繰り返し単位、及び下記式（５７）で表される繰り返し単位から選択される繰返し単位のうちの１種以上を含むことに加え、下記式（６０）で表される繰返し単位をさらに含むことが好ましく、中でも、下記式（５４）で表される繰り返し単位又は下記式（５７）で表される繰り返し単位を含むことに加え、下記式（６０）で表される繰返し単位をさらに含むことがより好ましい。

＜式（５４）で表される繰り返し単位＞

（式（５４）中、
　Ａｒ^５１は、前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｘは、－Ｃ（Ｒ^２０７）（Ｒ^２０８）－、－Ｎ（Ｒ^２０９）－又は－Ｃ（Ｒ^２１１）（Ｒ^２１２）－Ｃ（Ｒ^２１３）（Ｒ^２１４）－である。
　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１及びＲ^２２２は、各々独立に置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基である。
　Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４は、各々独立に水素原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
　ａ及びｂは、各々独立に０～４の整数である。
　ｃは、０～３の整数である。
　ｄは、０～４の整数である。
　ｉ及びｊは、各々独立に０～３の整数である。
　但し、前述の捻れ構造を必須とする場合、ａ×ｃ＋ｂ×ｄ＋ｉ＋ｊは１以上である。）

（Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、Ｒ^２２２）
　上記式（５４）で表される繰り返し単位中のＲ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１及びＲ^２２２は、それぞれ独立して、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基である。

　該アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。アルキル基の炭素数は特に限定されないが、重合体の溶解性を維持するために、１以上であって、８以下が好ましく、６以下がより好ましく、３以下がさらに好ましい。該アルキル基は、メチル基又はエチル基であることがさらに好ましい。

　Ｒ^２０１が複数ある場合は、複数のＲ^２０１は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２０２が複数ある場合は、複数のＲ^２０２は同一であっても異なっていてもよい。電荷を均一的に窒素原子の周りに分布することができ、さらに合成も容易であることから、全てのＲ^２０１とＲ^２０２は同一の基であることが好ましい。

　Ｒ^２２１が複数ある場合は、複数のＲ^２２１は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^２２２が複数ある場合は、複数のＲ^２２２は同一であっても異なっていてもよい。合成が容易であることから、全てのＲ^２２１とＲ^２２２は同一の基であることが好ましい。

（Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４）
　Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４は、それぞれ独立して、水素原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。

　該アルキル基は特に限定されないが、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数は１以上であって、２４以下が好ましく、８以下がより好ましく、６以下がさらに好ましい。また、該アルキル基は直鎖、分岐又は環状の各構造であってもよい。

　該アルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等が挙げられる。

　該アラルキル基は特に限定されないが、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数は５以上が好ましく、また、６０以下が好ましく、４０以下がより好ましい。

　該アラルキル基として、具体的には、１，１－ジメチル－１－フェニルメチル基、１，１－ジ（ｎ－ブチル）－１－フェニルメチル基、１，１－ジ（ｎ－ヘキシル）－１－フェニルメチル基、１，１－ジ（ｎ－オクチル）－１－フェニルメチル基、フェニルメチル基、フェニルエチル基、３－フェニル－１－プロピル基、４－フェニル－１－ｎ－ブチル基、１－メチル－１－フェニルエチル基、５－フェニル－１－ｎ－プロピル基、６－フェニル－１－ｎ－ヘキシル基、６－ナフチル－１－ｎ－ヘキシル基、７－フェニル－１－ｎ－ヘプチル基、８－フェニル－１－ｎ－オクチル基、４－フェニルシクロヘキシル基等が挙げられる。

　該芳香族炭化水素基としては特に限定されないが、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数は６以上が好ましく、また、６０以下が好ましく、３０以下がより好ましい。

　該芳香族炭化水素基として、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環等の、６員環の単環若しくは２～５縮合環の１価の基、又はこれらが複数連結した基等が挙げられる。

　電荷輸送性及び耐久性向上の観点から、Ｒ^２０７及びＲ^２０８はメチル基又は芳香族炭化水素基が好ましく、Ｒ^２０７及びＲ^２０８はメチル基であることがより好ましく、Ｒ^２０９はフェニル基であることがより好ましい。

　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、Ｒ^２２２のアルキル基、Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４のアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい。置換基は、前記Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４のアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基の好ましい基として挙げた基が挙げられる。架橋基としては、前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が挙げられる。

　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、Ｒ^２２２のアルキル基、Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４のアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基は、低電圧化の観点からは、置換基及び架橋基を有さないことが最も好ましい。

　式（５４）で表される繰返し単位の主鎖構造に架橋基が結合する場合、架橋基は、アルキル基、アラルキル基または芳香族炭化水素基である場合の、Ｒ^２０７～Ｒ^２０９、Ｒ^２１１～Ｒ^２１３、又はＲ^２１４に結合していることが好ましい。

（ａ、ｂ、ｃ及びｄ）
　上記式（５４）で表される繰り返し単位中において、ａ及びｂはそれぞれ独立して、０～４の整数である。ａ＋ｂは１以上であることが好ましく、さらに、ａ及びｂは、各々２以下であることが好ましく、ａとｂの両方が１であることがより好ましい。ここで、ｂが１以上である場合、ｄも１以上である。また、ｃが２以上の場合、複数のａは同じであっても異なってもよく、ｄが２以上の場合、複数のｂは同じであっても異なってもよい。

　ａ＋ｂが１以上であると、主鎖の芳香環が立体障害により捻じれ、重合体の溶媒への溶解性が優れると共に、湿式成膜法で形成し加熱処理された塗膜は溶媒への不溶性に優れる傾向にある。したがって、ａ＋ｂが１以上であると、この塗膜上へ湿式成膜法で別の有機層（例えば発光層）を形成する場合には、有機溶媒を含む該別の有機層形成用組成物への重合体の溶出が抑えられる。

　上記式（５４）で表される繰り返し単位中において、ｃは０～３の整数であり、ｄは０～４の整数である。ｃ及びｄは、各々２以下であることが好ましく、ｃとｄは等しいことがさらに好ましく、ｃとｄの両方が１であるか、又はｃとｄの両方が２であることが特に好ましい。

　上記式（５４）で表される繰り返し単位中のｃとｄの両方が１であるか又はｃとｄの両方が２であり、且つ、ａとｂの両方が２又は１である場合、Ｒ^２０１とＲ^２０２は、互いに対称な位置に結合していることが最も好ましい。

　ここで、Ｒ^２０１とＲ^２０２とが互いに対称な位置に結合するとは、式（５４）におけるフルオレン環、カルバゾール環又は９，１０－ジヒドロフェナントレン誘導体構造に対して、Ｒ^２０１とＲ^２０２の結合位置が対称であることをいう。このとき、主鎖を軸とする１８０度回転は同一構造とみなす。

　Ｒ^２２１とＲ^２２２は存在する場合それぞれ独立に、Ｘが結合しているベンゼン環の炭素原子を基準として、１位、３位、６位、又は８位に存在することが好ましい。この位置にＲ^２２１及び／又はＲ^２２２が存在することで、Ｒ^２２１及び／又はＲ^２２２が結合している縮合環と、主鎖上の隣のベンゼン環とが立体障害により捻じれ、重合体の溶媒への溶解性が優れると共に、湿式成膜法で形成し加熱処理された塗膜は溶媒への不溶性に優れる傾向にあり、好ましい。

（ｉ、ｊ）
　上記式（５４）で表される繰り返し単位中において、ｉ及びｊはそれぞれ独立して、０～３の整数である。ｉ及びｊはそれぞれ独立して、０～２の整数であることが好ましく、０又は１であることが更に好ましい。ｉ及びｊは同じ整数であることが好ましい。ｉ及びｊは、重合体の主鎖を捻れされるためには、１又は２が好ましく、かつ、Ｒ^２２１及び／又はＲ^２２２がベンゼン環の１位及び／又は３位に結合することが好ましい。合成のしやすさからはｉ及びｊは０であることが好ましい。尚、前記ベンゼン環の結合位は、Ｘが結合している炭素原子の隣の炭素原子でＲ^２２１又はＲ^２２２が結合可能な炭素原子を１位、主鎖として隣の構造と結合している炭素原子を２位とする。

（Ｘ）
　前記式（５４）におけるＸは、電荷輸送時の安定性が高いことから、－Ｃ（Ｒ^２０７）（Ｒ^２０８）－又は－Ｎ（Ｒ^２０９）－であることが好ましく、－Ｃ（Ｒ^２０７）（Ｒ^２０８）－であることがより好ましい。
　Ｘが架橋基を有する場合、Ｒ^２０７及びＲ^２０８の少なくとも一方、Ｒ^２０９、又はＲ^２１１～Ｒ^２１４の少なくとも一つが、架橋基を有するアルキル基、架橋基を有するアラルキル基、又は架橋基を有する芳香族炭化水素基であることが、重合体分子間の凝集を抑制する傾向にあるため好ましい。

（好ましい繰り返し単位）
　上記式（５４）で表される繰り返し単位は、下記式（５４－１）～（５４－８）のいずれかで示される繰り返し単位であることが特に好ましい。

　上記式において、Ｒ^２０１及びＲ^２０２は同一であり、且つ、Ｒ^２０１とＲ^２０２は互いに対称な位置に結合している。

＜式（５４）で表される繰り返し単位の主鎖の好ましい例＞
　上記式（５４）中の窒素原子を除いた主鎖構造は特に限定されないが、例えば以下のような構造が好ましい。

＜式（５５）で表される繰り返し単位＞

（Ｒ^３０３、Ｒ^３０６）
　上記式（５５）で表される繰り返し単位中のＲ^３０３及びＲ^３０６は、それぞれ独立して、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基である。

　アルキル基としては、前記式（５４）におけるＲ^２０１及びＲ^２０２と同様のものが挙げられ、有していてもよい置換基、架橋基及び好ましい構造もＲ^２０１及びＲ^２０２と同様のものが挙げられる。

　Ｒ^３０３が複数ある場合は、複数のＲ^３０３は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^３０６が複数ある場合は、複数のＲ^３０６は同一であっても異なっていてもよい。

（Ｒ^３０４、Ｒ^３０５）
　上記式（５５）で表される繰り返し単位中のＲ^３０４及びＲ^３０５は、それぞれ独立して、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルコキシ基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基である。好ましくは置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基である。
　Ｒ^３０４とＲ^３０４は同一であることが好ましい。

　該アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。該アルキル基の炭素数は特に限定されないが、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、１以上であって、２４以下が好ましく、８以下がより好ましく、６以下がさらに好ましい。

　該アルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、シクロヘキシル基、ドデシル基等が挙げられる。

　該アルコキシ基は特に限定されず、アルコキシ基(－ＯＲ^１０)のＲ^１０で表されるアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれの構造であってもよく、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数は、１以上であって、２４以下が好ましく、１２以下がより好ましい。

　該アルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ヘキシロキシ基、１－メチルペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

　該アラルキル基は特に限定されないが、重合体の溶解性を向上できる傾向にあるため、炭素数５以上が好ましく、また、６０以下が好ましく、４０以下がより好ましい。

　該アラルキル基としては、具体的には、１，１－ジメチル－１－フェニルメチル基、１，１－ジ（ｎ－ブチル）－１－フェニルメチル基、１，１－ジ（ｎ－ヘキシル）－１－フェニルメチル基、１，１－ジ（ｎ－オクチル）－１－フェニルメチル基、フェニルメチル基、フェニルエチル基、３－フェニル－１－プロピル基、４－フェニル－１－ｎ－ブチル基、１－メチル－１－フェニルエチル基、５－フェニル－１－ｎ－プロピル基、６－フェニル－１－ｎ－ヘキシル基、６－ナフチル－１－ｎ－ヘキシル基、７－フェニル－１－ｎ－ヘプチル基、８－フェニル－１－ｎ－オクチル基、４－フェニルシクロヘキシル基などが挙げられる。

　Ｒ^３０４、Ｒ^３０５のアルキル基、アルコキシ基及びアラルキル基が有してよい置換基は、前記Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４のアルキル基、アラルキル基及び芳香族炭化水素基の好ましい基として挙げた基が挙げられる。有してよい架橋基は前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が挙げられる。

　Ｒ^３０４、Ｒ^３０５のアルキル基、アルコキシ基及びアラルキル基は、低電圧化の観点からは、置換基及び架橋基を有さないことが最も好ましい。

　式（５５）で表される繰返し単位の主鎖構造に架橋基が結合する場合、架橋基は、Ｒ^３０４及びＲ^３０５に結合していることが好ましい。

（ｌ、ｍ及びｎ）
　ｌは０又は１を表す。ｎは０又は１を表す。

　ｌ及びｎは各々独立であり、ｌ＋ｎは１以上が好ましく、１又は２がより好ましく、２がさらに好ましい。ｌ＋ｎが上記範囲であることで、該重合体の溶解性を高くし、該重合体を含有する本発明の組成物からの析出も抑制できる傾向にある。

　ｍは１又は２を表し、本発明の組成物を用いて製造される有機電界発光素子を低電圧で駆動でき、正孔注入能、輸送能、耐久性も向上する傾向にあることから、１であることが好ましい。

（ｐ及びｑ）
　ｐは０又は１を表す。ｑは０又は１を表す。ｌが２以上の場合、複数のｐは同じであっても異なってもよい。ｎが２以上の場合、複数のｑは同じであっても異なってもよい。ｌ＝ｎ＝１の場合、ｐとｑは同時に０となることはない。ｐとｑが同時に０とならないことで、該重合体の溶解性を高くし、該重合体を含有する本発明の組成物からの析出も抑制できる傾向にある。また、前記ａ及びｂと同様の理由により、ｐ＋ｑが１以上であると主鎖の芳香環が立体障害により捻じれ、重合体の溶媒への溶解性が優れると共に、湿式成膜法で形成し加熱処理された塗膜は溶媒への不溶性に優れる傾向にある。したがって、ｐ＋ｑが１以上であると、この塗膜上へ湿式成膜法で別の有機層（例えば発光層）を形成する場合には、有機溶媒を含む該別の有機層形成用組成物への重合体の溶出が抑えられる。

＜式（５５）で表される繰り返し単位の主鎖の具体例＞
　式（５５）中の窒素原子を除いた主鎖構造は特に限定されないが、例えば以下のような構造が挙げられる。

＜式（５６）で表される繰り返し単位＞

（Ｒ^４４１、Ｒ^４４２）
　上記式（５６）で表される繰り返し単位中のＲ^４４１、Ｒ^４４２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアルキル基である。

　該アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。アルキル基の炭素数は特に限定されないが、重合体の溶解性を維持するために、炭素数１以上であって、１０以下が好ましく、８以下がより好ましく、６以下がより好ましい。該アルキル基はメチル基又はヘキシル基であることがさらに好ましい。

　Ｒ^４４１及びＲ^４４２が上記式（５６）で表される繰り返し単位中に複数ある場合は、複数のＲ^４４１及びＲ^４４２は同一であっても異なっていてもよい。

（ｒ、ｓ、ｔ及びｕ）
　式（５６）で表される繰り返し単位中において、ｒ及びｓはそれぞれ独立して、０～４の整数である。ｔが２以上の場合、複数のｒは同じであっても異なってもよい。ｕが２以上の場合、複数のｓは同じであっても異なってもよい。ｒ＋ｓは１以上であることが好ましく、さらに、ｒ及びｓは、各々２以下であることが好ましい。ｒ＋ｓが１以上であると、前記式（５４）におけるａ及びｂと同様の理由により、有機電界発光素子の駆動寿命はさらに長くなると考えられる。

　上記式（５６）で表される繰り返し単位中において、ｔは１又は２である。ｕは０又は１である。ｔは１が好ましい。ｕは１が好ましい。

（Ａｒ^４１）
　Ａｒ^４１は、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基である。

　Ａｒ^４１における芳香族炭化水素基及び芳香族炭化水素基としては、前記式（５０）におけるＡｒ^５２と同様の基が挙げられる。芳香族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｚから選ばれる基が好ましく、さらに有していてよい置換基も前記置換基群Ｚと同様であることが好ましい。

＜式（５６）で表される繰り返し単位の具体例＞
　式（５６）で表される繰り返し単位は特に限定されないが、例えば以下のような構造が挙げられる。

＜式（５７）で表される繰り返し単位＞

（式（５７）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｒ^５１７～Ｒ^５１９は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルコキシ基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
　ｆ、ｇ、ｈは、各々独立に０～４の整数を表す。
　ｅは０～３の整数を表す。
　ただし、ｇが１以上の場合、ｅは１以上である。
　但し、前述の捻れ構造を必須とする場合、ｆ＋ｅ×ｇ＋ｈは１である。）

（Ｒ^５１７～Ｒ^５１９）
　Ｒ^５１７～Ｒ^５１９における芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は、各々独立に、前記Ａｒ^５１で挙げたものと同様の基である。これらの基が有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｚと同様の基が好ましい。架橋基としては前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。

　Ｒ^５１７～Ｒ^５１９におけるアルキル基及びアラルキル基は、前記Ｒ^２０７で挙げたものと同様の基が好ましく、さらに有していてもよい置換基は前記Ｒ^２０７と同様の基が好ましく、架橋基としては前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。

　Ｒ^５１７～Ｒ^５１９におけるアルコキシ基は、前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘで挙げたアルコキシ基が好ましく、さらに有していてもよい置換基は前記置換基群Ｚが、好ましくは置換基群Ｘ好ましい。さらに有していてもよい架橋基としては前記架橋基群Ｔから選択される架橋基が好ましい。

（ｆ、ｇ、ｈ）
　ｆ、ｇ、ｈは、各々独立して、０～４の整数を表す。
　ｅが２以上の場合、複数のｇは同じであっても異なってもよい。
　ｆ＋ｇ＋ｈは１以上であることが好ましい。
　ｆ＋ｈは１以上であることが好ましく、
　ｆ＋ｈは１以上、且つ、ｆ、ｇ及びｈは２以下であることがより好ましく、
　ｆ＋ｈは１以上、且つ、ｆ、ｈは１以下であることがさらに好ましく、
　ｆ、ｈはいずれも１であることが最も好ましい。

　ｆ及びｈがいずれも１である場合、Ｒ^５１７とＲ^５１９は互いに対称な位置に結合していることが好ましい。
　Ｒ^５１７とＲ^５１９とは同一であることが好ましく、

　ｇは２であることがより好ましい。
　ｇが２である場合、２つのＲ^５１８は互いにパラ位に結合していることが最も好ましい。
　ｇが２である場合、２つのＲ^５１８は同一であることが最も好ましい。

　ここで、Ｒ^５１７とＲ^５１９が互いに対称な位置に結合するとは、下記の結合位置のことを言う。ただし、表記上、主鎖を軸とする１８０度回転は同一構造とみなす。

　本実施形態の重合体が式（５４）で表される繰り返し単位と式（５７）で表される繰り返し単位を含む場合、式（５４）で表される繰り返し単位と式（５７）で表される繰り返し単位との割合は、（式（５７）で表される繰り返し単位のモル数）／（式（５４）で表される繰り返し単位のモル数）が、０．１以上が好ましく、０．３以上がより好ましく、０．５以上がさらに好ましく、０．９以上がよりさらに好ましく、１．０以上が特に好ましい。また、当該割合は、２．０以下が好ましく、１．５以下がより好ましく、１．２以下がさらに好ましい。

　また、前記式（５７）で表される繰り返し単位は、下記式（５８）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

　前記式（５８）で表される繰り返し単位の場合、ｇ＝０または２であることが好ましい。ｇ＝２の場合、結合位置は２位と５位である。ｇ＝０の場合、すなわちＲ^５１８による立体障害が無い場合、及びｇ＝２であり結合位置は２位と５位である場合、すなわち立体障害が２つのＲ^５１８が結合するベンゼン環の対角位置となる場合は、Ｒ^５１７とＲ^５１９とが互いに対称な位置に結合することが可能である。

　また、前記式（５８）で表される繰り返し単位は、ｅ＝３である下記式（５９）で示される繰り返し単位であることがさらに好ましい。

　前記式（５９）で表される繰り返し単位の場合、ｇ＝０または２であることが好ましい。ｇ＝２の場合、結合位置は２位と５位である。ｇ＝０の場合、すなわちＲ^５１８による立体障害が無い場合、及びｇ＝２であり結合位置は２位と５位である場合、すなわち、立体障害が２つのＲ^５１８が結合するベンゼン環の対角位置となる場合は、Ｒ^５１７とＲ^５１９とが互いに対称な位置に結合することが可能である。

＜式（５７）で表される繰り返し単位の主鎖の具体例＞
　式（５７）で表される繰り返し単位の主鎖構造は特に限定されないが、例えば以下のような構造が挙げられる。

　上記式（５０）～（５９）で表される繰り返し単位には、架橋基を有していないことが好ましい。架橋基を有していない場合、湿式成膜後の加熱乾燥またはベーク（加熱焼成）によって、ポリマー鎖の歪みが生じにくく好ましい。架橋基が反応する際に、体積変化が生じることがあり、ポリマー鎖の歪みが生じる為である。また、体積変化が生じなくてもポリマー鎖の歪みが生じるためである。

＜式（６０）で表される繰り返し単位＞

（ｎ^６０）
　ｎ^６０は１～５の整数を表し、好ましくは１～４の整数であり、さらに好ましくは１～３の整数である。

（共役を阻害する捻れた構造）
　本発明の組成物に用いる電荷輸送性高分子化合物が前記式（５０）で表される繰り返し単位を有する重合体の場合、式（５０）で表される繰返し単位としてさらに好ましくは、前記式（５４）で表される繰り返し単位、前記式（５５）で表される繰り返し単位、前記式（５６）で表される繰り返し単位又は前記式（５７）で表される繰り返し単位である。また、前記式（６３）で表される部分構造は、下記式（６３Ａ）又は（６３Ｂ）で表される部分構造であることが好ましい。そのため、前記式（５０）で表される繰返し単位としてさらに好ましくは、下記式（６３Ａ）又は（６３Ｂ）で表される部分構造を主鎖構造として含む前記式（５４）で表される繰り返し単位、下記式（６３Ａ）又は（６３Ｂ）で表される部分構造を主鎖構造として含む前記式（５５）で表される繰り返し単位、下記式（６３Ａ）又は（６３Ｂ）で表される部分構造を主鎖構造として含む前記式（５６）で表される繰り返し単位、又は下記式（６３Ａ）又は（６３Ｂ）で表される部分構造を主鎖構造として含む前記式（５７）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

（式（６３Ａ）及び式（６３Ｂ）において、
　Ｒ^６０１は式（６３）におけるＲ^６０１であり、
　Ｒｉｎｇ　Ａは式（６３）における環Ａｒの部分構造又は環Ａｒであり、
　Ｒｉｎｇ　Ｂは式（６３）におけるＡｒ^６２１の部分構造又は環Ａｒ^６２１である。
　Ｒ^６０１は式（５４）におけるＲ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、又はＲ^２２２、式（５５）におけるＲ^３０３、Ｒ^３０４、Ｒ^３０５、又はＲ^４０６、式（５６）におけるＲ^４４１又はＲ^４４２、式（５７）におけるＲ^５１７、Ｒ^５１８又はＲ^５１９を表す。
　＊は隣の原子との結合を表す。
　式（６３Ａ）が式（５４）の部分構造または式（５６）の部分構造である場合、Ｒｉｎｇ　Ｂは縮合環の一部であってもよい。
　式（６３Ａ）及び式（６２Ｂ）で表される部分構造は、Ｒ^６０１の他に、Ｒｉｎｇ　Ａ及びＲｉｎｇ　Ｂに、
式（５４）の部分構造である場合はＲ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、又はＲ^２２２を、
式（５５）の部分構造である場合はＲ^３０３、Ｒ^３０４、Ｒ^３０５、又はＲ^３０６を、
式（５６）の部分構造である場合はＲ^４４１又はＲ^４４２を、
式（５７）の部分構造である場合はＲ^５１７、Ｒ^５１８又はＲ^５１９を、有していてもよい。）

＜式（６２）で表される繰返し単位＞
　前記式（５０）で表される繰返し単位として特に好ましくは、前記式（６３Ａ），（６３Ｂ）で表される部分構造を主鎖構造として含む前記式（５４）で表される繰り返し単位である、下記式（６２）で表される繰返し単位を含む重合体である。

　ここで、式（５４）におけるａが１以上であるとは、式（６２）において、ａ^１、ａ^２及びａの少なくとも一つは１以上であることと同義である。式（５４）におけるｂが１以上であるとは、式（６２）において、ｂ^１、ｂ^２及びｂの少なくとも一つは１以上であることと同義である。

　以下の通り、式（６２）は、前記式（６３Ａ）または前記式（６３Ｂ）を部分構造として含む。
　ａ^１、ａ^２及びａの少なくとも一つは１以上である場合、
　ａ^１またはａ^２の少なくとも一方が１の場合、ｃが２以上の場合はＲｉｎｇ　Ａ１とＲｉｎｇ　Ａ２とが、ｃが１の場合はＲｉｎｇ　Ａ１とＲｉｎｇ　Ａ３とが、
　ａが１の場合、Ｒｉｎｇ　Ａ２とＲｉｎｇ　Ａ１とが、又は、Ｒｉｎｇ　Ａ２とＲｉｎｇ　Ａ３とが、前記式（６３Ａ）または前記式（６３Ｂ）を部分構造として含む。
　同様に、ｂ^１、ｂ^２及びｂの少なくとも一つは１以上である場合も前記式（６３Ａ）または前記式（６３Ｂ）を部分構造として含むことがわかる。
　また、ｉ^１、ｉ^２、ｊ^１及びｊ^２の少なくとも１つは１である場合は、
　ｉ^１及びｉ^２の一方又は両方が１の場合、Ｒｉｎｇ　Ａ３のＲ^２２１が結合している環とＲｉｎｇ　Ａ２のベンゼン環とで、部分構造として式（６３Ｂ）が形成され、
　ｊ^１及びｊ^２の一方又は両方が１の場合、Ｒｉｎｇ　Ａ３のＲ^２２２が結合している環とＲｉｎｇ　Ａ４のベンゼン環とで、部分構造として式（６３Ａ）が形成されることが分かる。
　すなわち、Ｒｉｎｇ　Ａ３とＲｉｎｇ　Ａ２とが、又は、Ｒｉｎｇ　Ａ３とＲｉｎｇ　Ａ４とが捻じれた構造であることが分かる
　したがって、式（６２）は主鎖の芳香環が捻れた構造を含むため、共役を阻害する捻れた構造であり好ましい。
　好ましくは、ａ１及びａ２の少なくとも一方と、ｂ１及びｂ２の少なくとも一方が１である構造、ｉ１及びｊ１が１である構造、ｉ２及びｊ２が１である構造、又は、ｉ１、ｊ１、ｉ２及びｊ２が１である構造である。

［重合体の分子量］
　以下、本発明の組成物に含まれる重合体の分子量について記す。

　上述のアリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１，０００，０００以下、好ましくは５００，０００以下、より好ましくは１００，０００以下、さらに好ましくは７０，０００以下、特に好ましくは５０，０００以下である。また、当該重量平均分子量は、通常５，０００以上、好ましくは１０，０００以上、さらに好ましくは１２，０００以上、特に好ましくは１５，０００以上である。

　上述のアリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体の重量平均分子量が上記上限値以下であることで、溶媒に対する溶解性が得られ、成膜性に優れる傾向にある。また、該重合体の重量平均分子量が上記下限値以上であることで、重合体のガラス転移温度、融点及び気化温度の低下が抑制され、耐熱性が向上する場合がある。加えて、架橋反応後の塗膜の有機溶媒に対する不溶性が十分である場合がある。

　また、上述のアリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体における数平均分子量（Ｍｎ）は、通常７５０，０００以下、好ましくは２５０，０００以下、より好ましくは１００，０００以下、特に好ましくは５０，０００以下である。また、当該数平均分子量は、通常２，０００以上、好ましくは４，０００以上、より好ましくは６，０００以上、さらに好ましくは８，０００以上である。

　さらに、上述のアリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体における分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは３．５以下、さらに好ましくは２．５以下、特に好ましくは２．０以下である。なお、分散度は値が小さい程よいため、下限値は理想的には１である。当該重合体の分散度が、上記上限値以下であると、精製が容易で、また溶媒に対する溶解性や電荷輸送能が良好である。

　通常、重合体の重量平均分子量及び数平均分子量はＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー）測定により決定される。ＳＥＣ測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン（標準試料）の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量及び数平均分子量が算出される。

＜式（５０）で表される繰り返し単位の含有量＞
　重合体において、式（５０）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、式（５０）で表される繰り返し単位は重合体の全繰り返し単位１００モル％中に通常１０モル％以上含まれ、３０モル％以上含まれることが好ましく、４０モル％以上含まれることがより好ましく、５０モル％以上含まれることがさらに好ましい。

　重合体は、繰り返し単位が、式（５０）で表される繰り返し単位のみから構成されていてもよいが、有機電界発光素子とした場合の諸性能をバランスさせる目的から、式（５０）で表される繰り返し単位とは別の繰り返し単位を有していてもよい。その場合、重合体中の式（５０）で表される繰り返し単位の含有量は、通常、９９モル％以下、好ましくは９５モル％以下である。

＜式（６１）で表される繰り返し単位＞
　本発明のアリールアミン構造を繰返し単位として含む重合体は、さらに下記式（６１）で表される構造を主鎖に含んでいてもよい。

（式（６１）中、
　Ｒ^８１、Ｒ^８２は、各々独立して、水素原子、アルキル基、芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基を表す。Ｒ^８１、Ｒ^８２が複数個存在する場合、同じであっても異なっていてもよい。
　ｐ^８０は１～５の整数を表す。）

　Ｒ^８１、Ｒ^８２がアルキル基である場合、アルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のアルキル基である。アルキル基の炭素数は特に限定されないが、重合体の溶解性を維持するために、１以上であって、８以下が好ましく、６以下がより好ましく、３以下がさらに好ましい。該アルキル基は、メチル基又はエチル基であることがさらに好ましい。

　Ｒ^８１、Ｒ^８２が芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基である場合は、前述の「定義」の項目にて述べた構造が好ましい。

　Ｒ^８１、Ｒ^８２は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい。置換基は前記置換基群Ｚ、特に前記置換基群Ｘから選択される置換基が好ましい。架橋基は前記架橋基群Ｚから選択される架橋基が好ましい。

　重合体の耐久性及び電荷輸送性の観点から、ｐ^８０は３以下が好ましく、２以下が更に好ましく、１が最も好ましい。

　式（６１）で表される構造を含むことにより、重合体の主鎖の共役が切られ、重合体のＳ１エネルギー準位及びＴ１エネルギー準位が高くなる。このため、この重合体を含む組成物を有機電界発光素子の正孔輸送層に用いた場合、発光層の励起子を失活させにくくなり、発光効率が高くなると考えられ、好ましい。

＜重合体の好ましい繰返し単位構造＞
　ここで、各式で表される繰返し単位において、具体的な構造のことを、「繰返し単位構造」と称することとする。具体的な構造とは、一般式において、全ての符号にそれぞれ具体的な構造または数値を当てはめて得られる構造である。すなわち、アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体は、前記式（５４）に含まれる繰返し単位構造、前記式（５５）に含まれる繰返し単位構造、前記式（５６）に含まれる繰返し単位構造、前記式（５７）に含まれる繰返し単位構造、及び前記式（６０）に含まれる繰返し単位構造の内、１つのみの繰返し単位構造を含んでもよく、２以上の複数の繰返し単位構造を含んでもよい。２以上の複数の繰返し単位構造を含む場合、これら２以上の複数の繰返し単位は、同一の前記式に含まれる繰返し単位構造であってもよいし、異なる前記式に含まれる繰返し単位構造であってもよい。電荷輸送性及び耐久性の観点から、アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体は、これらの各式で表される具体的繰返し単位構造を１又は２含み、他の繰返し単位構造を含まない重合体であることがさらに好ましい。

＜具体例＞
　前記の重合体の具体例を以下に示す。前記の重合体はこれらに限定されるものではない。なお、化学式中の数字は繰返し単位のモル比を表す。
　これらの重合体は、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体、又はグラフト共重合体等のいずれでもよく、単量体の配列順序には限定されない。

＜重合体の製造方法＞
　本発明の組成物が含有する重合体の製造方法は特には制限されず任意である。例えば、Ｓｕｚｕｋｉ反応による重合方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応による重合方法、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応による重合方法、Ｕｌｌｍａｎｎ反応による重合方法、Ｂｕｃｈｗａｌｄ－Ｈａｒｔｗｉｇ反応による重合方法等などが挙げられる。また、国際公開第２０１９／１７７１７５号、国際公開第２０２０／１７１１９０号、国際公開第２０２１／１２５０１１号に記載の重合体の製造方法と同様の製造方法にて製造できる。

　Ｕｌｌｍａｎｎ反応による重合方法及びＢｕｃｈｗａｌｄ－Ｈａｒｔｗｉｇ反応による重合方法の場合、例えば、下記式（２ａ）で表されるジハロゲン化アリール（ＺはＩ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ等のハロゲン原子を表す。）と下記式（２ｂ）で表される１級アミノアリールとを反応させることにより、前記式（５４）で表される繰り返し単位を含む重合体が合成される。

（上記反応式中、Ａｒ^５１、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｘ、ａ～ｄは前記式（５４）における定義と同義である。）

　また、Ｕｌｌｍａｎｎ反応による重合方法及びＢｕｃｈｗａｌｄ－Ｈａｒｔｗｉｇ反応による重合方法の場合、例えば、式（３ａ）で表されるジハロゲン化アリール（ＺはＩ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ等のハロゲン原子を表す。）と式（３ｂ）で表される１級アミノアリールとを反応させることにより、前記式（５５）で表される繰り返し単位を含む重合体が合成される。

（上記反応式中、Ａｒ^５１、Ｒ^３０３～Ｒ^３０６、ｎ、ｍ、ｌ、ｐ、ｑは前記式（５５）における定義と同義である。）

　上記の重合方法において、通常、Ｎ－アリール結合を形成する反応は、例えば炭酸カリウム、ｔｅｒｔ－ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基存在下で行う。上記の重合方法はまた、例えば銅やパラジウム錯体等の遷移金属触媒存在下で行うこともできる。

［本発明の組成物中の各化合物の含有量］
＜本発明のカルバゾール化合物の含有量＞
　本発明の組成物の固形分成分の組成比率において電荷輸送層に注入障壁を低減する観点から、本発明のカルバゾール化合物の含有量は１０重量％以上が好ましく、２５重量％以上がより好ましく、３０重量％以上がさらに好ましい。一方、電荷輸送層内の電荷輸送性を維持するの観点から、本発明の組成物中の本発明のカルバゾール化合物の含有量は、組成物の固形分成分の組成比率において９９重量％以下であることが好ましく、９０重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましい。

＜組成物中のカルバゾール化合物と電子受容性化合物の組成比率・含有量＞
　本発明の組成物において、本発明のカルバゾール化合物と本発明の電子受容性化合物の合計量に対して、本発明のカルバゾール化合物の含有量は、９９重量％以下であることが好ましく、９７重量％以下であることがより好ましく、９５重量％以下であることがさらに好ましい。また、５０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上であることがより好ましく、８０重量％以上であることがさらに好ましい。これらの範囲であることで、本発明の組成物を用いて形成された膜が十分架橋して不溶化し、本発明の組成物を用いて形成された膜に直接湿式塗布成膜することが可能であり、かつ、本発明の組成物を用いて形成された膜を電荷注入膜として用いた場合、電荷輸送層に注入障壁が低減して電荷輸送性優れ、電荷輸送時の安定性が向上し、本発明の組成物を用いて形成された膜を含む素子の耐久性が向上すると考えられる。

＜電荷輸送性高分子化合物の含有量＞
　熱による架橋基を有する本発明のカルバゾール化合物と本発明の電子受容性化合物のヨードニウムカチオンとのイオン化合物と形成される膜の電荷輸送性を向上させるため、これらの化合物は、電荷輸送性高分子化合物と組み合わせて用いることが好ましい。この場合、本発明の組成物中の電荷輸送性高分子化合物の含有量は、本発明の組成物の固形分成分の組成比率において、電荷輸送性の観点から、１０重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましい。一方、電荷注入層と電荷注入層に隣接する電荷輸送層との間の電荷注入障壁を低減する観点から、９５重量％以下であることが好ましく、９０重量％以下であることがより好ましく、８５重量％以下であることがさらに好ましい。

　本発明の組成物は、更に、溶媒、重合開始剤、添加剤等を含んでいてもよい。

［溶媒］
　本発明の組成物は、本発明のカルバゾール化合物と前述の電子受容性化合物及び／又は前述の電荷輸送性高分子化合物に加えて、さらに溶媒を含むことが好ましい。特に、本発明の組成物を用いて、湿式成膜法により電荷輸送膜を形成する場合には、溶媒を用いて本発明のカルバゾール化合物と本発明の電子受容性化合物、また前記電荷輸送性高分子化合物を溶解させた状態とすることが好ましい。

　本発明の組成物に含まれる溶媒としては、本発明のカルバゾール化合物と本発明の電子受容性化合物、また前記電荷輸送性高分子化合物をともに溶解することが可能な溶媒であれば、その種類は特に限定されない。ここで、本発明のカルバゾール化合物と本発明の電子受容性化合物を溶解する溶媒とは、本発明のカルバゾール化合物を好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上溶解する溶媒である。また、前記電子受容性化合物を好ましくは０．００１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、更に好ましくは０．２重量％以上溶解する溶媒である。また、前記電荷輸送性高分子化合物を好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上溶解する溶媒である。

　好ましい溶媒としては、例えば、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒及びエステル系溶媒が挙げられる。
　具体的には、芳香族炭化水素系溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼンが挙げられる。
　エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２－ジメトキシベンゼン、１，３－ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２－メトキシトルエン、３－メトキシトルエン、４－メトキシトルエン、２，３－ジメチルアニソール、２，４－ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。
　エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ－ブチル等の脂肪族エステル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ－ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
　これらは何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。

　上述のエーテル系溶媒及びエステル系溶媒以外に使用可能な溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは何れか１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。また、これらの溶媒のうち１種又は２種以上を、上述のエーテル系溶媒及びエステル系溶媒のうちの１種又は２種以上と組み合わせて用いてもよい。特に、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒は、電子受容性化合物、フリーキャリア（カチオンラジカル）を溶解する能力が低いため、エーテル系溶媒及びエステル系溶媒と混合して用いることが好ましい。

　溶媒を使用する場合、本発明の組成物に対する溶媒の濃度は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０％質量以上である。また、組成物に対する溶媒の濃度は、好ましくは９９．９９９重量％以下、より好ましくは９９．９９重量％以下、更に好ましくは９９．９重量％以下の範囲である。なお、２種以上の溶媒を混合して用いる場合には、これらの溶媒の合計がこの範囲を満たすようにする。

　本発明の組成物を有機電界発光素子に用いる場合、有機電界発光素子は多数の有機化合物からなる層を積層して形成するため、各層がいずれも均一な層であることが要求される。湿式成膜法で層形成する場合、薄膜形成用の溶液（組成物）に水分が存在すると、塗膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、溶液中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。一般に有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、素子の劣化の観点からも水分の存在は好ましくない。

　具体的に、本発明の組成物に含まれる水分量は、好ましくは１重量％以下、中でも０．１重量％以下、更には０．０５重量％以下に抑えることが好ましい。
　組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶媒を予め脱水する、水の溶解度が低い溶媒を使用する等が挙げられる。中でも、塗布工程中に溶液塗膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐという観点からは、水の溶解度が低い溶媒を使用することが好ましい。
　湿式成膜法により成膜する用途に用いる場合、本発明の組成物は、水の溶解度が低い溶媒、具体的には、２５℃における水の溶解度が１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下である溶媒を、組成物全体に対して好ましくは１０重量％以上、中でも３０重量％以上、特に５０重量％以上の濃度で含有することが好ましい。

［電荷輸送膜用組成物］
　電子受容性化合物が前記の電子受容性イオン化合物である場合、該電子受容性イオン化合物と前記本発明のカルバゾール化合物とを含有する組成物（以下、適宜「電荷輸送膜用組成物（Ａ）」という。）、又は、前記本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルと該電子受容性イオン化合物の一部である対アニオンからなる、後記の電荷輸送性イオン化合物を含有する組成物（以下、適宜「電荷輸送膜用組成物（Ｂ）」という。）として用いることが好ましい。ここで、便宜上、電荷輸送膜用組成物（Ａ）と電荷輸送膜用組成物（Ｂ）に分けて説明するが、電荷輸送膜用組成物は、前記電子受容性イオン化合物、前記本発明のカルバゾール化合物及び、前記本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルと前記電子受容性イオン化合物の一部である対アニオンからなる、後記の電荷輸送性イオン化合物とを含む組成物も含む。なお、前記本発明のカルバゾール化合物は、前記架橋基を有するカルバゾール化合物である。

　なお、前記電荷輸送膜用組成物（Ａ）及び（Ｂ）は、電荷輸送材料の用途に広く用いることが可能な組成物（電荷輸送材料用組成物）である。但し、通常はこれを成膜し、正孔注入層及び、又は正孔輸送層として、即ち電荷である正孔を輸送する「電荷輸送膜」として用いるため、本明細書では特に「電荷輸送膜用組成物」と呼ぶことにする。

＜電荷輸送膜用組成物（Ａ）＞
　電荷輸送膜用組成物（Ａ）は、前記本発明のカルバゾール化合物、前記架橋基を有する電子受容性化合物、及び溶媒を含む。前記本発明のカルバゾール化合物は１種単独で含んでもよく２種以上の複数種含んでもよい。さらに前記正孔輸送高分子化合物を含有してもよい。

＜電荷輸送膜用組成物（Ａ）の調製方法＞
　電荷輸送膜用組成物（Ａ）は、少なくとも、前記電子受容性化合物と、本発明のカルバゾール化合物とを混合することで調製される。この時、電荷輸送膜用組成物（Ａ）は溶剤を含み、前記電子受容性化合物と、本発明のカルバゾール化合物とを溶剤に溶解して混合することが好ましい。

　電荷輸送膜用組成物（Ａ）における前記電子受容性化合物の含有量は、本発明のカルバゾール化合物に対する値で、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、また、通常１００重量％以下、好ましくは４０重量％以下である。電子受容性化合物の含有量が上記下限以上であれば、フリーキャリア（本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカル）が十分に生成でき好ましい。電子受容性化合物の含有量が上記上限以下であれば、十分な電荷輸送能が確保でき好ましい。２種以上の電子受容性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。電荷輸送性化合物についても同様である。

＜電荷輸送膜用組成物（Ｂ）＞
　電荷輸送膜用組成物（Ｂ）は、前記の通り、本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルと前記電子受容性イオン化合物の対アニオンからなる電荷輸送性イオン化合物を含有する組成物である。
　電荷輸送性イオン化合物のカチオンである本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルは、本発明のカルバゾール化合物に示す電気的に中性の化合物から、一電子取り除いた化学種である。

　前記式（７１）で表される本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルは、下記式（１１０）で表される構造を有する芳香族カルバゾール化合物である。

（上記式（１１０）中、Ａｒ^６２１、Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４、ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は、それぞれ前記式（７１）におけるＡｒ^６２１、Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４、ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４と同様である。）

　式（１１０）で表される構造を有する芳香族カルバゾール化合物としては特に、下記式（１１０－２）で表される構造を有する芳香族カルバゾール化合物であることが、適度な酸化還元電位を有する点、安定な電荷輸送性イオン化合物が得られる点から好ましい。

［上記式（１１０－２）中、
　ｗは１～６の整数を表す。
　Ａｒ^８１～Ａｒ^８４は各々独立に、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子（具体的にはＩ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｆ原子）、置換基を有してもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい単素数３～３０の芳香族複素環基を表す。
　Ｒ^８１～Ｒ^８４は各々独立に置換基を表し、相隣のフェニレンの置換基の間に結合しでもよい。］

　Ａｒ^８１～Ａｒ^８４は好ましくは置換基を有する芳香族炭化水素基であり、その具体例、好ましい基、有していてもよい置換基の例及び好ましい置換基の例は、前記の式（７１）におけるＲ^６２１～Ｒ^６２４と同様であり、特に好ましくは置換基を有していてもよい炭素数６～１４の芳香族炭化水素基である。

　好ましい置換基及び好ましいＲ^８１～Ｒ^８４は、前記の置換基群Ｚから選ばれる基であり、好ましくは、無置換であるか、置換基群Ｚのアルキル基、芳香族炭化水素基である。
　ｗは、式（１１０－２）で表される部分構造がカチオンラジカルになりやすいおよび電荷輸送の観点から、好ましくは６以下であり、さらに好ましくは５以下であり、４であることが特に好ましい。
　式（１１０－２）で表される構造を有する芳香族カルバゾール化合物は、芳香族カルバゾール構造として式（１１０－２）で表される構造を１つのみ又は複数有する低分子化合物であってもよい。

　前記式（７２）で表される本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルは、下記式（１２０）で表される構造を有する芳香族カルバゾール化合物である。

（式（１２０）中、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２、Ｒ^６１１、Ｒ^６１２、Ｇ、ｎ^６１１、ｎ^６１２は、それぞれ式（７２）におけるＡｒ^６１１、Ａｒ^６１２、Ｒ^６１１、Ｒ^６１２、Ｇ、ｎ^６１１、ｎ^６１２と同様である。）

　式（１２０）で表される構造を有する芳香族カルバゾール化合物としては特に、下記式（１２０－２）で表される構造を有する芳香族カルバゾール化合物であることが、適度な酸化還元電位を有する点、安定な電荷輸送性イオン化合物が得られる点から好ましい。

（上記式（１２０－２）中、Ａｒ^６１１、Ｒ^６１１、Ｒ^６１２、Ｇ、ｎ^６１１、ｎ^６１２は、それぞれ前記式（７２）におけるＡｒ^６１１、Ｒ^６１１、Ｒ^６１２、Ｇ、ｎ^６１１、ｎ^６１２と同様である。
　Ａｒ^６１３は前記式（７２）におけるＡｒ^６１２がフェニレンを介してカルバゾール構造に結合可能な構造である場合のＡｒ^６１２から当該フェニレン基を除いた残基である。）

＜電荷輸送性イオン化合物＞
　電荷輸送性イオン化合物は、本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルと、電子受容性イオン化合物の一部である対アニオンとがイオン結合した化合物である。
　電荷輸送性イオン化合物は、電子受容性イオン化合物と、本発明のカルバゾール化合物とを混合することによって得ることができ、種々の溶媒に容易に溶解する。具体的には、後述の、＜電荷輸送膜用組成物（Ｂ）の調製方法＞にて記した方法で得ることが出来る。
　電荷輸送性イオン化合物の分子量は、カチオンラジカルが高分子化合物である場合を除いて、通常１０００以上、好ましくは１２００以上、更に好ましくは１４００以上、また、通常９０００以下、好ましくは５０００以下、更に好ましくは４０００以下の範囲である。

＜電荷輸送膜用組成物（Ｂ）の調製方法＞
　電荷輸送性イオン化合物（Ｂ）は、電子受容性イオン化合物と、本発明のカルバゾール化合物とを溶媒に溶解して混合して調製して得ることが好ましい。この溶液中で、電子受容性イオン化合物によって本発明のカルバゾール化合物が酸化されてカチオンラジカル化し、電子受容性イオン化合物の対アニオンと、本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルとのイオン化合物である、電荷輸送性イオン化合物が生成する。

　このとき、本発明のカルバゾール化合物と電子受容性イオン化合物とを溶液中で混合することにより、本発明のカルバゾール化合物の酸化されやすい部位であるカルバゾールの窒素原子近傍に電子受容性イオン化合物が存在する確率が高くなり、電子受容性イオン化合物によって本発明のカルバゾール化合物のカルバゾールが酸化されてカチオンラジカル化し、電子受容性イオン化合物の対アニオンと、本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルとのイオン化合物が生成しやすくなる。このとき、溶液を加熱することが、前記反応を促進する観点で好ましい。

　電子受容性イオン化合物と、本発明のカルバゾール化合物との混合物を加熱して電荷輸送膜用組成物（Ｂ）を調製することも好ましい。この混合物は、電子受容性イオン化合物と、本発明のカルバゾール化合物との混合物を溶媒に溶解した溶液を塗布乾燥して成膜した膜であることが好ましい。混合物を加熱することにより、混合物中で電子受容性イオン化合物と本発明のカルバゾール化合物とが互いに拡散し、本発明のカルバゾール化合物の酸化されやすい部位であるカルバゾールの窒素原子近傍に電子受容性化合物が存在する確率が高くなり、電子受容性イオン化合物の対アニオンと、本発明のカルバゾール化合物のカチオンラジカルとのイオン化合物が生成しやすくなる。この時の加熱温度は、組成物の架橋基が架橋反応しない温度が好ましいが、架橋基が架橋反応する温度であっても、架橋反応も拡散しながら起こるため、電子受容性イオン化合物は問題なく形成される。

　電荷輸送膜用組成物（Ｂ）は、前記した電荷輸送性イオン化合物１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。電荷輸送性イオン化合物は１種又は２種含有することが好ましく、１種を単独で含有することがより好ましい。電荷輸送性イオン化合物のイオン化ポテンシャルのばらつきが少なく、正孔輸送性が優れるためである。
　電荷輸送性イオン化合物１種を単独で、又は２種含有する組成物とは、電子受容性イオン化合物と本発明のカルバゾール化合物を合計で２種のみ又は３種のみ用いて調製された組成物であって、少なくとも１つの電子受容性イオン化合物と少なくとも１つの本発明のカルバゾール化合物とを用いて調製された組成物である。

　電荷輸送膜用組成物（Ｂ）には、電荷輸送性イオン化合物の他に、電荷輸送性化合物を含有することも好ましい。電荷輸送性化合物としては、前記正孔輸送高分子化合物である、前記式（５０）で表される繰返し単位を有する、前記アリールアミン構造を繰返し単位として含む重合体が特に好ましい。

　電荷輸送膜用組成物（Ｂ）を調製する場合、仕込み量としての本発明のカルバゾール化合物の含有量は、電荷輸送性イオン化合物に対する値で、好ましくは１０重量％以上、更に好ましくは２０重量％以上であり、より好ましくは３０重量％以上である。また、１００００重量％以下であることが好ましく、１０００重量％以下であることがさらに好ましい。

　電荷輸送膜用組成物（Ｂ）から形成される電荷輸送膜は、電荷輸送性イオン化合物から近傍の中性の電荷輸送性化合物に正電荷が移動することにより、高い正孔注入・輸送能を発揮することから、電荷輸送性イオン化合物と中性の本発明のカルバゾール化合物とが、質量比で１：１００～１００：１程度であることが好ましく、１：２０～２０：１程度の割合であることが更に好ましい。

＜電荷輸送膜用組成物（Ａ）と（Ｂ）の関係＞
　電荷輸送膜用組成物（Ａ）により形成される電荷輸送膜は、耐熱性に優れるとともに、高い正孔注入・輸送能を有する。この様な優れた特性が得られる理由を以下に説明する。

　電荷輸送膜用組成物（Ａ）は、前述した電子受容性化合物と電荷輸送性化合物とを含有している。電子受容性イオン化合物中のカチオンは、超原子価の中心原子を有し、その正電荷が広く非局在化しているため、高い電子受容性を有している。これによって、電荷輸送性化合物から電子受容性イオン化合物のカチオンへと電子移動が起こり、電荷輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなる電荷輸送性イオン化合物が生成する。この電荷輸送性化合物のカチオンラジカルが電荷のキャリアとなるため、電荷輸送膜の電気伝導度を高めることができる。すなわち、電荷輸送膜用組成物（Ａ）を調製すると、少なくとも一部は電荷輸送性化合物のカチオンラジカルと電子受容性イオン化合物の対アニオンとからなる電荷輸送性イオン化合物が生成すると考えられる。

　例えば、下記の式（７）で表される電荷輸送性化合物から式（６）で表される電子受容性化合物へ電子移動が起きる場合、式（９）で表される、電荷輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンＪ-からなる電荷輸送性イオン化合物が生成する。

［組成物の調製］
　本発明の組成物は、前記本発明のカルバゾール化合物及び、前記電子受容性化合物、及び／又は、前記重合体、を含む機能性材料と溶媒を混合し、一定時間加温して溶解または分散させることで調製することができる。機能性材料を溶媒内に均一に溶解または分散させるためには、加温する温度は通常、室温又は室温以上であり、８０℃以上が好ましく、９０℃以上がより好ましく、１００℃以上、例えば１００～１１５℃がさらに好ましい。また、加温時間は３０分以上が好ましく４５分以上がより好ましく、６０分以上、例えば６０～１８０分がさらに好ましい。

　加温後の組成物は、メンブレンフィルタやデプスフィルタ等を用いて濾過し、粗大な粒子を取り除いてから使用する。インクジェットヘッドのノズルから吐出して組成物を塗布することを考慮すると、フィルタの孔径は０．５μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以下がさらに好ましい。

［組成物を用いた成膜方法］
　本発明の組成物を用いて膜を形成する場合、本発明の組成物は溶媒を含む溶液であることが好ましく、本発明の組成物を湿式成膜することが好ましい。

　湿式成膜法とは、基板上に溶媒を含む組成物を塗布し、溶媒を乾燥除去して膜を形成する方法をいう。塗布方法としては、特に限定はされないが、例えばスピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等が挙げられる。

　溶媒を乾燥除去する方法としては、通常、加熱乾燥を行う。加熱工程において使用する加熱手段の例としては、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線加熱が挙げられる。赤外線加熱としては、ハロゲンヒーターやセラミックコートしたハロゲンヒーター、セラミックヒーター等が使用できる。
　赤外線による加熱は基板あるいは膜に直接熱エネルギーを与えるため、オーブンやホットプレートを用いた加熱と比べて短時間での乾燥が可能となる。そのため加熱雰囲気のガス（水分や酸素）の影響や、微小なごみの影響を最小限に抑えることができ、生産性が向上し、好ましい。

　加熱温度は、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以上であり、通常３００℃以下、好ましくは２８０℃以下、より好ましくは２６０℃以下である。
　加熱時間は、通常１０秒以上、好ましくは６０秒以上、より好ましくは９０秒以上であり、通常１２０分以下、好ましくは６０分以下、より好ましくは３０分以下である。
　加熱乾燥の前に真空乾燥を行うことも好ましい。

　本発明の組成物を湿式成膜法にて成膜した有機層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上である。膜厚は、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下である。

［有機電界発光素子］
　本発明の組成物を用いた膜及び本発明の組成物を用いて形成された膜は、電荷輸送層として好適に用いることができる。この電荷輸送層は、特に好ましくは、有機電界発光素子の電荷輸送膜として用いられる。

　本発明の有機電界発光素子の構造の一例として、図１に有機電界発光素子８の構造例の模式図（断面）を示す。図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は電子輸送層、７は陰極を各々表す。

［基板］
　基板１は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、通常、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。これらのうち、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。基板は、外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いことからガスバリア性の高い材質とするのが好ましい。このため、特に合成樹脂製の基板等のようにガスバリア性の低い材質を用いる場合は、基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を上げるのが好ましい。

［陽極］
　陽極２は、発光層５側の層に正孔を注入する機能を担う。

　陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属；インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物；ヨウ化銅等のハロゲン化金属；カーボンブラック及びポリ（３－メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。

　陽極２の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式法により行われることが多い。銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより形成することもできる。導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

　陽極２は、通常、単層構造であるが、適宜、積層構造としてもよい。陽極２が積層構造である場合、１層目の陽極上に異なる導電材料を積層してもよい。

　陽極２の厚みは、必要とされる透明性と材質等に応じて決めればよい。特に高い透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が６０％以上となる厚みが好ましく、可視光の透過率が８０％以上となる厚みが更に好ましい。陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下である。透明性が不要な場合は、陽極２の厚みは必要な強度等に応じて任意に厚みとすればよく、この場合、陽極２は基板と同一の厚みでもよい。

　陽極２の表面に他の層を成膜する場合は、成膜前に、紫外線／オゾン、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等の処理を施すことにより、陽極２上の不純物を除去すると共に、そのイオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させておくことが好ましい。

［正孔注入層］
　陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層は、通常、正孔注入輸送層又は正孔輸送層と呼ばれる。陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層が２層以上ある場合に、より陽極側に近い方の層を正孔注入層３と呼ぶことがある。正孔注入層３は、陽極２から発光層５側に正孔を輸送する機能を強化する点で、形成されることが好ましい。正孔注入層３を形成する場合、通常、正孔注入層３は、陽極２上に形成される。

　本発明の組成物を用いて成膜された正孔注入層３は、本発明のカルバゾール化合物と前述の電子受容性化合物との架橋反応物を含む。

　正孔注入層３の形成方法は特に制限されず、真空蒸着法、湿式成膜法等が挙げられる。湿式成膜法による層形成の場合は、本発明の組成物を調製し、スピンコート法やディップコート法等の湿式成膜法により陽極２上に塗布し、乾燥して、正孔注入層３を形成させる。

　特に好ましくは、本発明のカルバゾール化合物と前述の電子受容性化合物とを含む組成物を用いること、及び本発明のカルバゾール化合物と前述の電子受容性化合物とを含む組成物を用いて形成された膜を用いることである。
　このようにして形成される正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

　正孔注入層の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。
　溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤等が挙げられる。

　エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル及び１，２－ジメトキシベンゼン、１，３－ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２－メトキシトルエン、３－メトキシトルエン、４－メトキシトルエン、２，３－ジメチルアニソール、２，４－ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。

　エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ－ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。

　芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３－イソプロピルビフェニル、１，２，３，４－テトラメチルベンゼン、１，４－ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。

　アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等が挙げられる。

　これらの他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。

　正孔注入層３の湿式成膜法による形成は、通常、正孔注入層形成用組成物を調製後に、これを、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより行われる。

　正孔注入層３は、通常、成膜後に、加熱や減圧乾燥等により塗布膜を乾燥させる。

［正孔輸送層］
　正孔輸送層４は、陽極２側から発光層５側に正孔を輸送する機能を担う層である。正孔輸送層４は、本発明の有機電界発光素子では、必須の層では無いが、陽極２から発光層５に正孔を輸送する機能を強化する点では、この層を形成することが好ましい。正孔輸送層４を形成する場合、通常、正孔輸送層４は、陽極２と発光層５の間に形成される。上述の正孔注入層３がある場合は、正孔輸送層４は、正孔注入層３と発光層５の間に形成される。

　正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

　正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。多くの場合、正孔輸送層４は、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。

　このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前記の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。

　また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。

　中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
　ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む重合体が好ましい。特に、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位からなる重合体が好ましい。この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒ^ａ’又はＡｒ^ｂ’が異なっているものであってもよい。

（式（Ｉ）中、Ａｒ^ａ’及びＡｒ^ｂ’は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。）

　ポリアリーレン誘導体としては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。

　ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＩＩ－１）及び／又は下記式（ＩＩ－２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。

（式（ＩＩ－１）中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基又はカルボキシ基を表す。ｘ１１及びｘ１２は、それぞれ独立に、０～３の整数を表す。ｘ１１又はｘ１２が２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲａ又はＲ^ｂは同一であっても異なっていてもよい。隣接するＲ^ａ又はＲ^ｂ同士で環を形成していてもよい。）

（式（ＩＩ－２）中、Ｒ^ｅ及びＲ^ｆは、それぞれ独立に、上記式（ＩＩ－１）におけるＲ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ又はＲ^ｄと同義である。ｘ１３及びｘ１４は、それぞれ独立に、０～３の整数を表す。ｘ１３又はｘ１４が２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ^ｅ及びＲ^ｆは同一であっても異なっていてもよい。隣接するＲ^ｅ又はＲ^ｆ同士で環を形成していてもよい。Ｌは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を表す。）

　Ｌの具体例は、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子又はこれらが結合してなる基である。

　ポリアリーレン誘導体としては、上記式（ＩＩ－１）及び／又は上記式（ＩＩ－２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（ＩＩＩ－３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

（式（ＩＩＩ－３）中、Ａｒ^ｃ～Ａｒ^ｉは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ｘ１５及びｘ１６は、それぞれ独立に０又は１を表す。）

　上記式（ＩＩＩ－１）～（ＩＩＩ－３）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８－９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。

　湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。

　正孔輸送層形成用組成物は、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。

　真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。

　正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。

　正孔輸送層４は、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。

　この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。

　架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。

　架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられる。架橋性化合物としては、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（Ｉ）や式（ＩＩ－１）～（ＩＩＩ－３）に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。

　架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。

　このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以下である。

［発光層］
　発光層５は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極２から注入される正孔と陰極７から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する機能を担う層である。発光層５は、陽極２と陰極７の間に形成される層であり、発光層は、陽極の上に正孔注入層がある場合は、正孔注入層と陰極の間に形成される。陽極の上に正孔輸送層がある場合は、発光層は正孔輸送層と陰極の間に形成される。

　本発明における有機電界発光素子は、発光層として好適な発光層形成材料を含むことが好ましい。

　発光層５の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生じ難い点では厚い方が好ましい。一方、薄い方が低駆動電圧としやすい点で好ましい。このため、発光層５の膜厚は、３ｎｍ以上であるのが好ましく、５ｎｍ以上であるのがより好ましく、通常２００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以下であるのがより好ましい。

　発光層５は、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含み、好ましくは、１つまたは複数のホスト材料を含む。

［好適な発光層形成材料］
　本発明の発光層は、発光材料と電荷輸送材料を含む。発光材料は燐光発光材料でもよいし、蛍光発光材料でもよい。好ましくは、赤発光材料と緑発光材料は燐光発光材料であり、青発光材料は蛍光発光材料である。

＜燐光発光材料＞
　燐光発光材料とは、励起三重項状態から発光を示す材料をいう。例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｅｕなどを有する金属錯体化合物がその代表例であり、材料の構造として、金属錯体を含むものが好ましい。

　金属錯体の中でも、三重項状態を経由して発光する燐光発光性有機金属錯体として、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７～１１族から選ばれる金属を中心金属として含むウェルナー型錯体又は有機金属錯体化合物が挙げられる。このような燐光発光材料としては、例えば、国際公開第２０１４／０２４８８９号、国際公開第２０１５－０８７９６１号、国際公開第２０１６／１９４７８４、特開２０１４－０７４０００号に記載の燐光発光材料が挙げられる。好ましくは、下記式（２０１）で表される化合物、又は下記式（２０５）で表される化合物が好ましく、より好ましくは下記式（２０１）で表される化合物である。

　式（２０１）において、環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　環Ａ２は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　Ｒ^１０１、Ｒ^１０２は各々独立に式（２０２）で表される構造である。
　＊は環Ａ１又は環Ａ２との結合位置を表す。
　Ｒ^１０１、Ｒ^１０２は同じであっても異なっていてもよく、Ｒ^１０１、Ｒ^１０２がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０３は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　Ａｒ^２０２は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造を表す。
　環Ａ１に結合する置換基同士、環Ａ２に結合する置換基同士、又は環Ａ１に結合する置換基と環Ａ２に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。

　Ｂ^２０１－Ｌ^２００－Ｂ^２０２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ｂ^２０１及びＢ^２０２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｌ^２００は、単結合、又は、Ｂ^２０１及びＢ^２０２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ｂ^２０１－Ｌ^２００－Ｂ^２０２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

　式（２０１）、（２０２）において、
　ｉ１、ｉ２はそれぞれ独立に、０以上１２以下の整数を表す。
　ｉ３は、Ａｒ^２０２に置換可能な数を上限とする０以上の整数を表す。
　ｉ４は、Ａｒ^２０１に置換可能な数を上限とする０以上の整数を表す。
　ｋ１及びｋ２はそれぞれ独立に、環Ａ１、環Ａ２に置換可能な数を上限とする０以上の整数を表す。
　ｚは１～３の整数を表す。

（置換基）
　特に断りのない場合、置換基としては、次の置換基群Ｓから選ばれる基が好ましい。

<置換基群Ｓ>
・アルキル基、好ましくは炭素数１～２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１～１２のアルキル基、さらに好ましくは炭素数１～８のアルキル基、特に好ましくは炭素数１～６のアルキル基。
・アルコキシ基、好ましくは炭素数１～２０のアルコキシ基、より好ましくは炭素数１～１２のアルコキシ基、さらに好ましくは炭素数１～６のアルコキシ基。
・アリールオキシ基、好ましくは炭素数６～２０のアリールオキシ基、より好ましくは炭素数６～１４のアリールオキシ基、さらに好ましくは炭素数６～１２のアリールオキシ基、特に好ましくは炭素数６のアリールオキシ基。
・ヘテロアリールオキシ基、好ましくは炭素数３～２０のヘテロアリールオキシ基、より好ましくは炭素数３～１２のヘテロアリールオキシ基。
・アルキルアミノ基、好ましくは炭素数１～２０のアルキルアミノ基、より好ましくは炭素数１～１２のアルキルアミノ基。
・アリールアミノ基、好ましくは炭素数６～３６のアリールアミノ基、より好ましくは炭素数６～２４のアリールアミノ基。
・アラルキル基、好ましくは炭素数７～４０のアラルキル基、より好ましくは炭素数７～１８のアラルキル基、さらに好ましくは炭素数７～１２のアラルキル基。
・ヘテロアラルキル基、好ましくは炭素数７～４０のヘテロアラルキル基、より好ましくは炭素数７～１８のヘテロアラルキル基、
・アルケニル基、好ましくは炭素数２～２０のアルケニル基、より好ましくは炭素数２～１２のアルケニル基、さらに好ましくは炭素数２～８のアルケニル基、特に好ましくは炭素数２～６のアルケニル基。
・アルキニル基、好ましくは炭素数２～２０のアルキニル基、より好ましくは炭素数２～１２のアルキニル基。
・アリール基、好ましくは炭素数６～３０のアリール基、より好ましくは炭素数６～２４のアリール基、さらに好ましくは炭素数６～１８のアリール基、特に好ましくは炭素数６～１４のアリール基。
・ヘテロアリール基、好ましくは炭素数３～３０のヘテロアリール基、より好ましくは炭素数３～２４のヘテロアリール基、さらに好ましくは炭素数３～１８のヘテロアリール基、特に好ましくは炭素数３～１４のヘテロアリール基。
・アルキルシリル基、好ましくはアルキル基の炭素数が１～２０であるアルキルシリル基、より好ましくはアルキル基の炭素数が１～１２であるアルキルシリル基。
・アリールシリル基、好ましくはアリール基の炭素数が６～２０であるアリールシリル基、より好ましくはアリール基の炭素数が６～１４であるアリールシリル基。
・アルキルカルボニル基、好ましくは炭素数２～２０のアルキルカルボニル基。
・アリールカルボニル基、好ましくは炭素数７～２０のアリールカルボニル基。

　以上の基は１つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられているか、若しくは１つ以上の水素原子が重水素原子で置き換えらえられていてもよい。
　特に断りのない限り、アリールは芳香族炭化水素環であり、ヘテロアリールは芳香族複素環である。
・水素原子、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、又は、－ＳＦ_５。

　上記置換基群Ｓのうち、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、及びこれらの基の１つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は－ＳＦ_５であり、
　より好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、及びこれらの基の１つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は－ＳＦ_５であり、
　さらに好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基であり、
　特に好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、
　最も好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基である。

　これら置換基群Ｓにはさらに置換基群Ｓから選ばれる置換基を置換基として有していてもよい。有していてもよい置換基の好ましい基、より好ましい基、さらに好ましい基、特に好ましい基、最も好ましい基は置換基群Ｓの中の好ましい基と同様である。

（環Ａ１）
　環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。

　芳香族炭化水素環としては、好ましくは炭素数６～３０の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましい。

　芳香族複素環としては、ヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数３～３０の芳香族複素環が好ましい。さらに好ましくは、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環である。
　環Ａ１としてより好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環であり、特に好ましくはベンゼン環又はフルオレン環であり、最も好ましくはベンゼン環である。

（環Ａ２）
　環Ａ２は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　芳香族複素環としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数３～３０の芳香族複素環である。具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、より好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、最も好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環である。

（環Ａ１と環Ａ２との組み合わせ）
　環Ａ１と環Ａ２の好ましい組み合せとしては、（環Ａ１－環Ａ２）と表記すると、（ベンゼン環－ピリジン環）、（ベンゼン環－キノリン環）、（ベンゼン環－キノキサリン環）、（ベンゼン環－キナゾリン環）、（ベンゼン環－ベンゾチアゾール環）、（ベンゼン環－イミダゾール環）、（ベンゼン環－ピロール環）、（ベンゼン環－ジアゾール環）、及び（ベンゼン環－チオフェン環）である。

（環Ａ１、環Ａ２の置換基）
　環Ａ１、環Ａ２が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは前記置換基群Ｓから選ばれる１種又は複数種の置換基である。

（Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３）
　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０３は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
　Ａｒ^２０２は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造を表す。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造である場合、該芳香族炭化水素環構造としては、好ましくは炭素数６～３０の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましく、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環が好ましく、最も好ましくはベンゼン環である。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２のいずれかが置換基を有していてもよいベンゼン環である場合、少なくとも１つのベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましく、少なくとも１つのベンゼン環がメタ位で隣接する構造と結合していることがより好ましい。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３のいずれかが置換基を有していてもよいフルオレン環である場合、フルオレン環の９位及び９’位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族複素環構造である場合、芳香族複素環構造としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数３～３０の芳香族複素環である。具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環である。

　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３のいずれかが置換基を有していてもよいカルバゾール環である場合、カルバゾール環のＮ位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。

　Ａｒ^２０２が置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造である場合、直鎖、分岐鎖、又は環状構造を有する脂肪族炭化水素構造であり、好ましくは炭素数が１以上２４以下であり、さらに好ましくは炭素数が１以上１２以下であり、より好ましくは炭素数が１以上８以下である。

（ｉ１、ｉ２、ｉ３、ｉ４、ｋ１、ｋ２）
　ｉ１、ｉ２はそれぞれ独立に、０～１２の整数を表し、好ましくは１～１２、より好ましくは１～８、さらに好ましくは１～６である。この範囲であることにより、溶解性向上や電荷輸送性向上が見込まれる。
　ｉ３は好ましくは０～５の整数を表し、より好ましくは０～２、さらに好ましくは０又は１である。
　ｉ４は好ましくは０～２の整数を表し、より好ましくは０又は１である。
　ｋ１、ｋ２はそれぞれ独立に、好ましくは０～３の整数を表し、より好ましくは１～３であり、さらに好ましくは１又は２であり、特に好ましくは１である。

（Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３の好ましい置換基）
　Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２、Ａｒ^２０３が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは前記置換基群Ｓから選ばれる１種又は複数種の置換基であり、好ましい基も前記置換基群Ｓの通りであるが、より好ましくは無置換（水素原子）、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくは無置換（水素原子）、アルキル基であり、最も好ましくは無置換（水素原子）またはターシャリーブチル基である。ターシャリーブチル基はＡｒ^２０３が存在する場合はＡｒ^２０３に、Ａｒ^２０３が存在しない場合はＡｒ^２０２に、Ａｒ^２０２とＡｒ^２０３が存在しない場合はＡｒ^２０１に置換していることが好ましい。

（式（２０１）で表される化合物の好ましい態様）
　前記式（２０１）で表される化合物は、下記（Ｉ）～（IV）のうちのいずれか１以上を満たす化合物であることが好ましい。
（Ｉ）フェニレン連結式
　式（２０２）で表される構造はベンゼン環が連結した基を有する構造、すなわち、ベンゼン環構造、ｉ１が１～６で、少なくとも１つの前記ベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましい。
　このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。

（II）（フェニレン）－アラルキル（アルキル）
　環Ａ１又は環Ａ２に、アルキル基若しくはアラルキル基が結合した芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基を有する構造、すなわち、Ａｒ^２０１が芳香族炭化水素構造又は芳香族複素環構造、ｉ１が１～６、Ａｒ^２０２が脂肪族炭化水素構造、ｉ２が１～１２、好ましくは３～８、Ａｒ^２０３がベンゼン環構造、ｉ３が０又は１である構造、好ましくは、Ａｒ^２０１は前記芳香族炭化水素構造であり、さらに好ましくはベンゼン環が１～５連結した構造であり、より好ましくはベンゼン環１つである。
　このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。

（III）デンドロン
　環Ａ１又は環Ａ２に、デンドロンが結合した構造、例えば、Ａｒ^２０１、Ａｒ^２０２がベンゼン環構造、Ａｒ^２０３がビフェニル又はターフェニル構造、ｉ１、ｉ２が１～６、ｉ３が２、ｊが２である。
　このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。

（IV）Ｂ^２０１－Ｌ^２００－Ｂ^２０２
　Ｂ^２０１－Ｌ^２００－Ｂ^２０２で表される構造は下記式（２０３）又は下記式（２０４）で表される構造であることが好ましい。

　式（２０３）中、Ｒ^２１１、Ｒ^２１２、Ｒ^２１３はそれぞれ独立に置換基を表す。
　式（２０４）中、環Ｂ３は、置換基を有していてもよい、窒素原子を含む芳香族複素環構造を表す。環Ｂ３は好ましくはピリジン環である。

（好ましい燐光発光材料）
　前記式（２０１）で表される燐光発光材料としては特に限定はされないが、好ましいものとして以下のものが挙げられる。

　また、下記式（２０５）で表される燐光発光材料も好ましい。

[式（２０５）中、Ｍ^２は金属を表し、Ｔは炭素原子又は窒素原子を表す。Ｒ^９２～Ｒ^９５は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Ｔが窒素原子の場合は、Ｒ^９４及びＲ^９５は無い。］

　式（２０５）中、Ｍ^２の具体例としては、周期表第７～１１族から選ばれる金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。

　式（２０５）において、Ｒ^９２及びＲ^９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。

　Ｔが炭素原子の場合、Ｒ^９４及びＲ^９５は、それぞれ独立に、Ｒ^９２及びＲ^９３と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Ｔが窒素原子の場合は該Ｔに直接結合するＲ^９４又はＲ^９５は存在しない。Ｒ^９２～Ｒ^９５は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記の置換基とすることができる。更に、Ｒ^９２～Ｒ^９５のうち任意の２つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。

（分子量）
　燐光発光材料の分子量は、好ましくは５０００以下、更に好ましくは４０００以下、特に好ましくは３０００以下である。また、燐光発光材料の分子量は、好ましくは８００以上、より好ましくは１０００以上、更に好ましくは１２００以上である。この分子量範囲であることによって、燐光発光材料同士が凝集せず電荷輸送材料と均一に混合し、発光効率の高い発光層を得ることができると考えられる。

　燐光発光材料の分子量は、Ｔｇや融点、分解温度等が高く、燐光発光材料及び形成された発光層の耐熱性に優れる点、及び、ガス発生、再結晶化及び分子のマイグレーション等に起因する膜質の低下や材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇等が起こり難い点では大きいことが好ましい。一方、燐光発光材料の分子量は、有機化合物の精製が容易である点では小さいことが好ましい。

＜電荷輸送材料＞
　発光層に用いる電荷輸送材料は、電荷輸送性に優れる骨格を有する材料であり、電子輸送性材料、正孔輸送性材料及び電子と正孔の両方を輸送可能な両極性材料から選ばれることが好ましい。

　電荷輸送性に優れる骨格としては、具体的には、芳香族構造、芳香族アミン構造、トリアリールアミン構造、ジベンゾフラン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、フタロシアニン構造、ポルフィリン構造、チオフェン構造、ベンジルフェニル構造、フルオレン構造、キナクリドン構造、トリフェニレン構造、カルバゾール構造、ピレン構造、アントラセン構造、フェナントロリン構造、キノリン構造、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造、オキサジアゾール構造又はイミダゾール構造等が挙げられる。

　電子輸送性材料としては、電子輸送性に優れ構造が比較的安定な材料である観点から、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物がより好ましく、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物であることがさらに好ましい。

　正孔輸送性材料は、正孔輸送性に優れた構造を有する化合物であり、前記電荷輸送性に優れた中心骨格の中でも、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造、トリアリールアミン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造又はピレン構造が正孔輸送性に優れた構造として好ましく、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造又はトリアリールアミン構造がさらに好ましい。

　発光層に用いる電荷輸送材料は、３環以上の縮合環構造を有することが好ましく、３環以上の縮合環構造を２以上有する化合物又は５環以上の縮合環を少なくとも１つ有する化合物であることがさらに好ましい。これらの化合物であることで、分子の剛直性が増し、熱に応答する分子運動の程度を抑制する効果が得られ易くなる。さらに、３環以上の縮合環及び５環以上の縮合環は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を有することが電荷輸送性及び材料の耐久性の点で好ましい。

　３環以上の縮合環構造としては、具体的には、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、クリセン構造、ナフタセン構造、トリフェニレン構造、フルオレン構造、ベンゾフルオレン構造、インデノフルオレン構造、インドロフルオレン構造、カルバゾール構造、インデノカルバゾール構造、インドロカルバゾール構造、ジベンゾフラン構造、ジベンゾチオフェン構造等が挙げられる。電荷輸送性ならびに溶解性の観点から、フェナントレン構造、フルオレン構造、インデノフルオレン構造、カルバゾール構造、インデノカルバゾール構造、インドロカルバゾール構造、ジベンゾフラン構造及びジベンゾチオフェン構造からなる群より選択される少なくとも１つが好ましく、電荷に対する耐久性の観点からカルバゾール構造又はインドロカルバゾール構造がさらに好ましい。

　本発明においては、有機電界発光素子の電荷に対する耐久性の観点から、発光層の電荷輸送材料の内、少なくとも１つはピリミジン骨格又はトリアジン骨格を有する材料であることが好ましい。

　発光層の電荷輸送材料は、可撓性に優れる観点では高分子材料であることが好ましい。可撓性に優れる材料を用いて形成された発光層は、フレキシブル基板上に形成された有機電界発光素子の発光層として好ましい。発光層に含まれる電荷輸送材料が高分子材料である場合、分子量は、好ましくは５，０００以上１，０００，０００以下、より好ましくは１０，０００以上、５００，０００以下、さらに好ましくは１０，０００以上１００，０００以下である。

　また、発光層の電荷輸送材料は、合成及び精製のしやすさ、電子輸送性能及び正孔輸送性能の設計のしやすさ、溶媒に溶解した時の粘度調整のしやすさの観点からは、低分子材料であることが好ましい。発光層に含まれる電荷輸送材料が低分子材料である場合、分子量は、５，０００以下が好ましく、さらに好ましくは４，０００以下であり、特に好ましくは３，０００以下であり、最も好ましくは２，０００以下であり、好ましくは３００以上、より好ましくは３５０以上、さらに好ましくは４００以上である。

＜蛍光発光材料＞
　蛍光発光材料としては特に限定されないが、下記式（２１１）で表される化合物が好ましい。

　上記式（２１１）において、Ａｒ^２４１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素縮合環構造を表す。Ａｒ^２４２、Ａｒ^２４３は各々独立に置換基を有していてもよいアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素基又はこれらが結合した基を表す。ｎ４１は１～４の整数である。

　Ａｒ^２４１は好ましくは炭素数１０～３０の芳香族炭化水素縮合環構造を表し、具体的な環構造としては、ナフタレン、アセナフテン、フルオレン、アントラセン、フェナトレン、フルオランテン、ピレン、テトラセン、クリセン、ペリレン等が挙げられる。
　Ａｒ^２４１はより好ましくは炭素数１２～２０の芳香族炭化水素縮合環構造であり、具体的な環構造としては、アセナフテン、フルオレン、アントラセン、フェナトレン、フルオランテン、ピレン、テトラセン、クリセン、ペリレンが挙げられる。
　Ａｒ^２４１はさらに好ましくは炭素数１６～１８の芳香族炭化水素縮合環構造であり、具体的な環構造としては、フルオランテン、ピレン、クリセンが挙げられる。

　ｎ４１は１～４であり、好ましくは１～３、さらに好ましくは１～２、最も好ましくは２である。

　Ａｒ^２４２、Ａｒ^２４３のアルキル基としては、炭素数１～１２のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数１～６のアルキル基である。
　Ａｒ^２４２、Ａｒ^２４３の芳香族炭化水素基としては、炭素数６～３０の芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくは炭素数６～２４の芳香族炭化水素基であり、最も好ましくはフェニル基、ナフチル基である。
　Ａｒ^２４２、Ａｒ^２４３の芳香族複素基としては、炭素数３～３０の芳香族複素基が好ましく、より好ましくは炭素数５～２４の芳香族炭化水素基であり、具体的にはカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基が好ましく、ジベンゾフラニル基がより好ましい。

　Ａｒ^２４１、Ａｒ^２４２、Ａｒ^２４３が有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｓから選ばれる基が好ましく、より好ましくは置換基群Ｓに含まれる、炭化水素基であり、さらに好ましくは置換基群Ｓとして好ましい基の中の炭化水素基である。

　上記蛍光発光材料と共に用いる電荷輸送材料としては特に限定されないが、下記式（２１２）で表されるものが好ましい。

　上記式（２１２）において、Ｒ^２５１、Ｒ^２５２はそれぞれ独立に式（２１３）で表される構造である。Ｒ^２５３は置換基を表し、Ｒ^２５３が複数ある場合、同一であっても異なっていてもよい。ｎ４３は０～８の整数である。

　上記式（２１３）において、＊は式（２１２）のアントラセン環との結合手を表す。Ａｒ^２５４、Ａｒ^２５５はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい複素芳香環構造を表す。Ａｒ^２５４、Ａｒ^２５５はそれぞれ複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。ｎ４４は１～５の整数、ｎ４５は０～５の整数である。

　Ａｒ^２５４は好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数６～３０の単環又は縮合環である芳香族炭化水素構造であり、より好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数６～１２の単環又は縮合環である芳香族炭化水素構造である。

　Ａｒ^２５５は好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数６～３０の単環もしくは縮合環である芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい炭素数６～３０の縮合環である芳香族複素環構造である。Ａｒ^２５５はより好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数６～１２の単環もしくは縮合環である芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい炭素数１２の縮合環である芳香族複素環構造である。

　ｎ４４は好ましくは１～３の整数であり、より好ましくは１又は２である。
　ｎ４５は好ましくは０～３の整数であり、より好ましくは０～２である。

　置換基であるＲ^２５３、Ａｒ^２５４及びＡｒ^２５５が有していてもよい置換基は、前記置換基群Ｓから選ばれる基が好ましい。より好ましくは置換基群Ｓに含まれる炭化水素基であり、さらに好ましくは置換基群Ｓとして好ましい基の中の炭化水素基である。

　蛍光発光材料及び電荷輸送材料の分子量は５，０００以下が好ましく、さらに好ましくは４，０００以下であり、特に好ましくは３，０００以下であり、最も好ましくは２，０００以下である。また、好ましくは３００以上であり、より好ましくは３５０以上、さらに好ましくは４００以上である。

［正孔阻止層］
　発光層５と後述の電子注入層との間に、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、発光層５の上に、発光層５の陰極７側の界面に接するように積層される層である。

　この正孔阻止層は、陽極２から移動してくる正孔を陰極７に到達するのを阻止する役割と、陰極７から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ_１）が高いことが挙げられる。

　このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２－メチル－８－キノラト）アルミニウム－μ－オキソ－ビス－（２－メチル－８－キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１－２４２９９６号公報）、３－（４－ビフェニルイル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７－４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０－７９２９７号公報）等が挙げられる。更に、国際公開第２００５／０２２９６２号に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。

　正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。

　正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。正孔阻止層の膜厚は、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上で、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。

［電子輸送層］
　電子輸送層６は素子の電流効率をさらに向上させることを目的として、発光層５と陰極７との間に設けられる。

　電子輸送層６は、電界を与えられた電極間において陰極７から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層６に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極７からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し、注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。

　電子輸送層に用いる電子輸送性化合物としては、例えば、８－ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体（特開昭５９－１９４３９３号公報）、１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３－ヒドロキシフラボン金属錯体、５－ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６－２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５－３３１４５９号公報）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－Ｎ，Ｎ’－ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙げられる。

　電子輸送層６の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。

　電子輸送層６は、前記と同様にして湿式成膜法、或いは真空蒸着法により正孔阻止層上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
　本発明においては、前記のように、好適な発光層形成材料を含む発光層上に、湿式成膜法にて電子輸送層を形成することが出来る。

［電子注入層］
　電子注入層は、陰極７から注入された電子を効率よく、電子輸送層６又は発光層５へ注入するために設けられてもよい。

　電子注入を効率よく行うには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム等のアルカリ土類金属等が用いられる。電子注入層の膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。

　更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８－ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０－２７０１７１号公報、特開２００２－１００４７８号公報、特開２００２－１００４８２号公報等に記載）ことも、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。

　電子注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上で、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。

　電子注入層は、湿式成膜法或いは真空蒸着法により、発光層５又はその上の正孔阻止層や電子輸送層６上に積層することにより形成される。
　湿式成膜法の場合の詳細は、前述の発光層の場合と同様である。

　正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層を電子輸送材料とリチウム錯体共ドープの操作で一層にする場合もある。

［陰極］
　陰極７は、発光層５側の層（電子注入層又は発光層など）に電子を注入する役割を果たす。

　陰極７の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能である。効率良く電子注入を行なう上では、陰極７の材料としては、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金等が用いられる。具体例としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、アルミニウム－リチウム合金等の低仕事関数の合金電極等が挙げられる。

　有機電界発光素子の安定性の点では、陰極の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を積層して、低仕事関数の金属からなる陰極を保護することが好ましい。積層する金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。

　陰極の膜厚は通常、陽極と同様である。

［その他の層］
　本発明の有機電界発光素子は、本発明の効果を著しく損なわなければ、更に他の層を有していてもよい。すなわち、陽極と陰極との間に、上述の他の任意の層を有していてもよい。

［その他の素子構成］
　本発明の有機電界発光素子は、上述の説明とは逆の構造、即ち、例えば、基板上に陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に積層することも可能である。

　本発明の有機電界発光素子を有機電界発光装置に適用する場合は、単一の有機電界発光素子として用いても、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成にして用いても、陽極と陰極がＸ－Ｙマトリックス状に配置された構成にして用いてもよい。

［表示装置］
　本発明の表示装置（有機電界発光素子表示装置）は、本発明の有機電界発光素子を備える。本発明の表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。

　例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬ表示装置を形成することができる。

［照明装置］
　本発明の照明装置（有機電界発光素子照明装置）は、本発明の有機電界発光素子を備える。本発明の照明装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。

　以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。

＜中間体の合成＞
[化合物１の合成]

　窒素気流下、１－フルオロ－４－ヨードベンゼン（２５．０ｇ、１１２．６ｍｍｏｌ）、3－ブロモカルバゾール（６．９３ｇ、２８．１５ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム（３６．７ｇ、１１２．６ｍｍｏｌ）、脱水N,N－ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）をフラスコに仕込み、系内を十分に窒素置換して１５０℃まで加温した。この温度で１２時間攪拌した。室温で反応液に水を加え、１５分間攪拌後、１００ｍｌの塩化メチレンで抽出を行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。粗精製品をカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン：塩化メチレン＝７００：３００）により精製し、化合物１（６．４ｇ、収率５０．７％）を得た。

[化合物２の合成]

　次いで、化合物１（６．４ｇ、１４．２８ｍｍｏｌ）、9，9－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジボロン酸（３．０ｇ、７．１４ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム（２Ｍ水溶液、２０ｍｌ）、及びトルエン（４０ｍｌ）、エタノール（２０ｍｌ）をフラスコに仕込み、系内を十分に窒素置換して６０℃まで加温した。ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．０５０ｇ、０．０７１ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で３時間攪拌した。反応液に水を加え、トルエンで抽出を行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥して活性白土より粗精製した。粗精製品をカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン：塩化メチレン＝７５０：２５０）により精製し、化合物２（５．５ｇ、収率３９．５％）を得た。

[化合物３の合成]

　窒素気流下、２００ｍｌのフラスコに６０ｍｌのジメチルスルホンキシド、化合物２（５．５ｇ、５．６４ｍｍｏｌ）、ビス(ピナコラト)ジボロン（４．３ｇ、１６．９２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（３．３ｇ、３３．８４ｍｍｏｌ）を入れ、６０℃で３０分間攪拌した。その後、１，１’－ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン-パラジウム(II)ジクロリド-ジクロロメタン〔ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）ＣＨ_２Ｃｌ_２〕（０．９２ｇ、１．１３ｍｍｏｌ）を加え、９５℃で４時間反応した。
　室温で純水を滴下して析出物を減圧濾過し、ろ取物をトルエンで溶解し、無水硫酸マグネシウムで乾燥して活性白土により粗精製した。減圧濾過し、ろ液を濃縮してから塩化メチレンに溶解してメタノールに再沈した。析出物を減圧濾過して化合物３（４．４ｇ、収率７３．０％）を得た。

[化合物４の合成]

　窒素気流下、２００ｍｌのフラスコに１００ｍｌのジメチルスルホンキシド、4－ブロモ－１，２－ジヒドロシクロブタ[α]ナフタレン（１５．０ｇ、６４．３５ｍｍｏｌ）、ビス(ピナコラト)ジボロン（１９．６ｇ、７７．２２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１８．９ｇ、１９３．０５ｍｍｏｌ）を入れ、６０℃で３０分間攪拌した。その後、１，１’－ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン-パラジウム(II)ジクロリド-ジクロロメタン〔ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）ＣＨ_２Ｃｌ_２〕（２．６ｇ、３．２２ｍｍｏｌ）を加え、９５℃で５時間反応した。
　室温で純水を滴下して析出物を減圧濾過し、ろ取物をトルエンで溶解し、無水硫酸マグネシウムで乾燥して活性白土により粗精製した。減圧濾過し、ろ液を濃縮してからアセトンニトリルで再結晶した。減圧濾過し、ろ取物を乾燥して化合物４（１０．３ｇ、収率５７．０％）を得た。

[化合物５の合成]

　次いで、1－ブロモ－３－ヨードベンゼン（７．５ｇ、２６．５１ｍｍｏｌ）、化合物４（６．１９ｇ、２２．０９ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム（２Ｍ水溶液、３０ｍｌ）、及びトルエン（６０ｍｌ）、エタノール（３０ｍｌ）をフラスコに仕込み、系内を十分に窒素置換して６０℃まで加温した。ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．０７８ｇ、０．１１ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で３時間攪拌した。反応液に水を加え、トルエンで抽出を行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥して活性白土より粗精製した。粗精製品をカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン：塩化メチレン＝９８０：２０）により精製し、化合物５（４．４ｇ、収率６４．４％）を得た。

[化合物７の合成]

　1－ブロモ－３－ヨードベンゼン（１７．４ｇ、６１．５ｍｍｏｌ）、市販品の化合物６（１０．０ｇ、４１．０ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム（２Ｍ水溶液、６２ｍｌ）、及びトルエン（１２０ｍｌ）、エタノール（６０ｍｌ）をフラスコに仕込み、系内を十分に窒素置換して６０℃まで加温した。ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１４７ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を加え、６０℃で４．５時間攪拌した。反応液に水を加え、トルエンで抽出を行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥して活性白土より粗精製した。粗精製品をカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン）により精製し、化合物７（９．０ｇ、収率８０．４％）を得た。

[化合物８の合成]

　窒素気流下、２００ｍｌのフラスコに１００ｍｌのジメチルスルホンキシド、化合物７（９．０ｇ、３２．９ｍｍｏｌ）、ビス(ピナコラト)ジボロン（１２．５ｇ、４９．４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（９．７ｇ、９８．７ｍｍｏｌ）を入れ、６０℃で３０分間攪拌した。その後、１，１’－ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン-パラジウム(II)ジクロリド-ジクロロメタン〔ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）ＣＨ_２Ｃｌ_２〕（１．３ｇ、１．６ｍｍｏｌ）を加え、９５℃で５時間反応した。
室温で純水を滴下して析出物を減圧濾過し、ろ取物をトルエンで溶解し、無水硫酸マグネシウムで乾燥して活性白土により粗精製した。乾燥して化合物８（８．９ｇ、収率９０．５％）を得た。

[ＨＩ－５２の合成]

　化合物２（２．８ｇ、２．８７ｍｍｏｌ）、化合物８（２．８ｇ、８．６１ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム（２Ｍ水溶液、９ｍｌ）、及びトルエン（１８ｍｌ）、エタノール（９０ｍｌ）をフラスコに仕込み、系内を十分に窒素置換して６０℃まで加温した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１９６ｇ、０．１７ｍｍｏｌ）を加え、９５℃で４．５時間攪拌した。反応液に水を加え、トルエンで抽出を行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥して活性白土より粗精製した。粗精製品をカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン：塩化メチレン＝７５０：２５０）により精製し、目的物のＨＩ－５２（２．５ｇ、収率７２．０％）を得た。

[ＨＩ－５３の合成]

　化合物３（１．４７ｇ、１．３８ｍｍｏｌ）、化合物５（１．３ｇ、４．１４ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２Ｍ水溶液、４．２ｍｌ）、及びトルエン（２０ｍｌ）、エタノール（１０ｍｌ）をフラスコに仕込み、系内を十分に窒素置換して６０℃まで加温した。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．０６４ｇ、０．０５５ｍｍｏｌ）を加え、８５℃で７時間攪拌した。反応液に水を加え、トルエンで抽出を行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥して活性白土より粗精製した。粗精製品をカラムクロマトグラフィー（展開液：ヘキサン：塩化メチレン＝７５０：２５０）により精製し、目的物のＨＩ－５３（０．８２ｇ、収率４６．８％）を得た。

＜化合物Ｉの合成＞

　５００ｍＬナスフラスコに、ビカルバゾール（７．３９ｇ）、３－ブロモフルオロベンゼン（２４．９ｇ）、炭酸セシウム（１０１ｇ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（１００ｍＬ）を入れ、窒素雰囲気下、１５０℃で１６時間撹拌した。室温まで冷却後、反応溶液を水（８００ｍＬ）に注ぎ、吸引ろ過した。ろ取物をジクロロメタン（５００ｍＬ）と酢酸エチル（１００ｍＬ）とエタノール（５０ｍＬ）で洗浄し、乾燥させることで、白色固体として中間体１を１０．１ｇ得た。

　窒素雰囲気下、２００ｍＬフラスコに、中間体１（２．０１ｇ）、中間体２（１．５２ｇ）、トルエン（５５ｍＬ）、エタノール（３０ｍＬ）および２ｍｏｌ／Ｌりん酸三カリウム水溶液（８ｍＬ）を入れ、１００℃で３．５時間攪拌した。室温まで冷却後、水（１００ｍＬ）および酢酸エチル（１００ｍＬ）を加えて分液洗浄した。油相を回収し、溶媒を減圧留去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（中性シリカゲル、ヘキサン／ジクロロメタン＝４／１）で精製したところ、白色固体として化合物Ｉを１．４６ｇ得た。

［実施形態例］
　基板としては、ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を例えば５０ｎｍの厚さに堆積したものを用いることが出来る。
　正孔注入層形成用組成物として、式（Ｐ－１）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と式（Ｍ－１）の構造を有する正孔輸送性化合物１．３重量％、電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製することが出来る。

　この溶液を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中ホットプレートで２３０℃、３０分乾燥させ、例えば膜厚５０ｎｍの正孔注入層を形成することが出来る。

　次に、正孔注入層を塗布成膜した基板上に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を形成し、最後に封止して有機電界発光素子を作製することが出来る。
　このようにして作成された素子は、良好な素子特性を示すことが見込まれる。

〔有機電界発光素子実施例〕
［実施例１］
　ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を５０ｎｍの厚さに堆積したもの（ジオマテック社製、スパッタ成膜品）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。このようにＩＴＯをパターン形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。

　正孔注入層形成用組成物として、下記式（Ｐ－２）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と下記式（Ｍ－２）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物（前記ＨＩ－５３）１．３重量％、下記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製した。

　この溶液を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中ホットプレートで２３０℃、３０分乾燥させ、膜厚５０ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。

　次に、下記の構造式（ＨＴ－１）を有する電荷輸送性高分子化合物１００重量部を、１，３，５－トリメチルベンゼンに溶解させ、２．０重量％の溶液を調製した。

　この溶液を、上記正孔注入層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートで２３０℃、３０分間乾燥させ、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。

　次に、下記構造式（ＢＨ－１）を有するホスト化合物と下記構造式（ＢＤ－１）を有するドーパント化合物を１００：１０となるような重量部でシクロヘキシルベンゼンに溶解させ、４．２重量％の溶液を調製した。

　上記正孔輸送層までを塗布成膜した基板上に、窒素グローブボックス中でスピンコートし４０ｎｍの均一な薄膜を形成し、発光層とした。窒素グローブボックス中のホットプレートで１２０℃、２０分間乾燥させて発光層とした。

　発光層までを成膜した基板を真空蒸着装置に設置し、装置内を２×１０^－４Ｐａ以下になるまで排気した。

　次に、下記の構造式（ＥＴ－１）および８－ヒドロキシキノリノラトリチウムを２：３の膜厚比で、発光層上に真空蒸着法にて共蒸着し、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。

　続いて、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のＩＴＯストライプとは直交するように基板に密着させて、真空蒸着法によりアルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極を形成した。以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
　窒素で充填された空間内で、中空構造を有するガラス基板の内側に、水分および酸素吸着剤を貼り合わせ、ガラス基板の有機電界発光素子を有する面と、中空ガラスの水分・酸素吸着剤を有する面を対向させ、有機電界発光素子部の外周を囲うように紫外線硬化樹脂を塗布して、互いの面を接着した。さらに、紫外線硬化樹脂部に紫外線を照射し、有機電界発光素子部を外部空間と隔離する構造を形成した。これにより、直接有機電界発光素子面にはどのような構造物も触れない形で、水分や酸素から隔離することができ、水分や酸素の影響を除外して有機電界発光素子の性能を評価することができる。

［実施例２］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｍ－２）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物２．６重量％と前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％のみを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［実施例３］
　正孔注入層形成用組成物として、下記式（Ｐ－３）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と前記式（Ｍ－２）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物１．３重量％、前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［実施例４］
　正孔注入層形成用組成物として、下記式（Ｐ－４）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と前記式（Ｍ－２）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物１．３重量％、前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、安息香酸ブチルに溶解させた組成物を調製して用い、スピンコート後に真空乾燥を実施したほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［比較例１］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｐ－２）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と下記式（Ｍ－３）の構造を有する正孔輸送性化合物１．３重量％、前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［比較例２］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｐ－２）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と前記式（Ｍ－２）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物１．３重量％と、下記電子受容性化合物（ＨＩ－２）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［比較例３］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｍ－２）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物２．６重量％と、前記電子受容性化合物（ＨＩ－２）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［比較例４］
　正孔注入層形成用組成物として、下記式（Ｍ－４）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物２．６重量％と、前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。
　しかしながら、正孔輸送層を形成する工程にて正孔注入層が溶解してしまい素子を作成することはできなかった。

［素子の評価］
　実施例１～４および比較例１～３で得られた有機電界発光素子を発光させると、ピーク波長４６８ｎｍの青色発光が得られた。
　素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電流効率（ｃｄ／Ａ）を測定した。また、素子に２０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で通電し続けた際の輝度低下寿命（輝度低下９０％）を測定した。この値をＬＴ９０とする。
　比較例１の有機電界発光素子の電流発光効率（ｃｄ／Ａ）を１．００としたときの、他の実施例及び比較例の有機電界発光素子の電流発光効率の比、すなわち、「比較例１以外の各有機電界発光素子の電流発光効率／比較例１の有機電界発光素子の電流発光効率」（以下「相対電流発光効率」と称す）を表１に記した。
　また、比較例１の有機電界発光素子のＬＴ９０を１．０とした場合の、他の実施例及び比較例の有機電界発光素子のＬＴ９０の比、すなわち、「比較例１以外の各有機電界発光素子のＬＴ９０／比較例１の有機電界発光素子のＬＴ９０」（以下「相対寿命」と称す）を求め、表１に記した。

　表１において、各種材料の下に記載されている〇および×の記号については、架橋基を有する材料を〇、架橋基を持たない材料を×と表示している。
　表１の結果から、架橋基を有するカルバゾール化合物と架橋基を有する電子受容性化合物を含む本発明の組成物を用いて作製した有機電界発光素子であれば、電流発光効率及び寿命が良好であることが判った。

［実施例５］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｍ－１）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物２．６重量％と、前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［実施例６］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｐ－１）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と前記式（Ｍ－１）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物１．３重量％と、前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、安息香酸ブチルに溶解させた組成物を調製して用い、スピンコート後に真空乾燥を実施したほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［実施例７］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｐ－３）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と前記式（Ｍ－１）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物１．３重量％と、前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［実施例８］
　正孔注入層形成用組成物として、下記式（Ｐ－５）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．３重量％と前記式（Ｍ－１）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物１．３重量％と、前記電子受容性化合物（ＨＩ－１）０．４重量％とを、安息香酸ブチルに溶解させた組成物を調製して用い、スピンコート後に真空乾燥を実施したほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［比較例５］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｍ－１）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物２．６重量％と、前記電子受容性化合物（ＨＩ－２）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製して用いたほかは、実施例１と同様にして素子を作製した。

［素子の評価］
　実施例５～８および比較例１、５で得られた有機電界発光素子を発光させると、ピーク波長４６８ｎｍの青色発光が得られた。
　素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電圧（Ｖ）及び電流効率（ｃｄ／Ａ）を測定した。また、素子に２０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で通電し続けた際の輝度低下寿命（輝度低下９０％）を測定した。この値をＬＴ９０とする。
　比較例１以外の有機電界発光素子の電圧（Ｖ）から比較例１の有機電界発光素子の電圧（Ｖ）を引いた値、すなわち、「比較例１以外の各有機電界発光素子の電圧－比較例１の有機電界発光素子の電圧」を「電圧差」として求め、表２に記した。
　また、比較例１の有機電界発光素子の電流発光効率（ｃｄ／Ａ）を１．００としたときの、他の実施例及び比較例の有機電界発光素子の電流発光効率の比、すなわち、「比較例１以外の各有機電界発光素子の電流発光効率／比較例１の有機電界発光素子の電流発光効率」を「相対電流発光効率」として求め、表１に記した。
　さらに、比較例１の有機電界発光素子のＬＴ９０を１．０とした場合の、他の実施例及び比較例の有機電界発光素子のＬＴ９０の比、すなわち、「比較例１以外の各有機電界発光素子のＬＴ９０／比較例１の有機電界発光素子のＬＴ９０」を「相対寿命」として求め、表２に記した。

　表２において、各種材料の下に記載されている〇および×の記号については、架橋基を有する材料を〇、架橋基を持たない材料を×と表示している。
　表２の結果から、架橋基を有するカルバゾール化合物と架橋基を有する電子受容性化合物を含む本発明の組成物を用いて作製した有機電界発光素子であれば、電圧、電流発光効率及び寿命が良好であることが判った。

［実施例９］
　正孔注入層形成用組成物として、前記式（Ｐ－１）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物２．６重量％と、前記電子受容性化合物（ＨＩ－２）０．４重量％とを、アニソールに溶解させた組成物を調製し、実施例１と同様にして正孔注入層を形成した。
　次に、前記式（Ｐ－５）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．５重量％と前記式（Ｍ－１）の構造を有する正孔輸送性カルバゾール化合物１．５重量％とを、安息香酸ブチルに溶解させた組成物を調製し、この溶液を、上記正孔注入層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、その後に真空乾燥を実施し、窒素グローブボックス中のホットプレートで２３０℃、３０分間乾燥させ、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。

　次に、下記の構造式（ＧＨ－１）を有するホスト化合物と前記電荷輸送性低分子化合物（Ｍ－３）、下記構造式（ＧＤ－１）を有するドーパント化合物を５０：５０：４２となるよう重量比でシクロヘキシルベンゼンに溶解させ、７．１重量％の溶液を調製した。

　この溶液を上記正孔輸送層までを塗布成膜した基板上に、窒素グローブボックス中でスピンコートし６０ｎｍの均一な薄膜を形成し、窒素グローブボックス中のホットプレートで１２０℃、２０分間乾燥させて発光層とした。
　これ以降は実施例１と同様の方法で素子を作成した。

［比較例６］
　前記式（Ｐ－５）の繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物１．５重量％と前記式（Ｍ－３）の構造を有する正孔輸送性化合物１．５重量％とを、安息香酸ブチルに溶解させた組成物を調製し、実施例９と同様に正孔輸送層とした以外は、実施例９と同様の方法で素子を作成した。

［素子の評価]
　実施例９、比較例６で得られた有機電界発光素子を発光させると、ピーク波長５２３ｎｍの緑色発光が得られた。
　素子を１，０００ｃｄ／ｍ^２で発光させた際の電圧（Ｖ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）を測定した。また、素子に２０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で通電し続けた際の輝度低下寿命（輝度低下９０％）を測定した。この値をＬＴ９０とする。
　比較例６の有機電界発光素子の電圧と、実施例９の有機電界発光素子の電圧差、すなわち、「実施例９の有機電界発光素子の電圧－比較例６の有機電界発光素子の電圧」の値を「電圧差」として求め、表３に記した。
　また、比較例６の有機電界発光素子の電流発光効率（ｃｄ／Ａ）を１．００としたときの、実施例９の有機電界発光素子の電流発光効率の比、すなわち、「実施例９の有機電界発光素子の電流発光効率／比較例６の有機電界発光素子の電流発光効率」を「相対電流発光効率」として求め、表３に記した。
　さらに、比較例６の有機電界発光素子のＬＴ９０を１．０とした場合の、実施例９の有機電界発光素子のＬＴ９０の比、すなわち、「実施例９の有機電界発光素子のＬＴ９０／比較例１の有機電界発光素子のＬＴ９０」を「相対寿命」として求め、表２に記した。

　表３において、各種材料の下に記載されている〇および×の記号については、架橋基を有する材料を〇、架橋基を持たない材料を×と表示している。
　表３の結果から、架橋基を有するカルバゾール化合物と架橋基を有する電子受容性化合物を含む本発明の組成物を用いて作製した有機電界発光素子であれば、電圧、電流発光効率及び寿命が良好であることが判った。

　本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更が可能であることは当業者に明らかである。
　本出願は、２０２１年１１月１２日付で出願された日本特許出願２０２１－１８４７４３及び、２０２１年１１月１２日付で出願された日本特許出願２０２１－１８４７４５に基づいており、その全体が引用により援用される。

　１　基板
　２　陽極
　３　正孔注入層
　４　正孔輸送層
　５　発光層
　６　電子輸送層
　７　陰極
　８　有機電界発光素子

Claims

　下記式（７１）又は下記式（７２）で表される、架橋基を有するカルバゾール化合物、および下記式（８１）で表される、架橋基を有する電子受容性化合物を含む組成物。

（式（７１）中、
　Ａｒ^６２１は、置換基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は架橋基である。
　ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は各々独立に、０～４の整数である。
　但し、ｎ６２１とｎ６２２とｎ６３３とｎ６２４の合計は１以上である。
　式（７１）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（７２）中、
　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６１１、Ｒ^６１２は各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は、架橋基である。
　Ｇは、単結合、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　ｎ^６１１、ｎ^６１２は各々独立に０～４の整数である。
　式（７２）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（８１）中、５つのＲ^８１、５つのＲ^８２、５つのＲ^８３、５つのＲ^８４はそれぞれにおいて独立であり、かつ、Ｒ^８１～Ｒ^８４は、各々独立に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数３～５０の芳香族複素環基、フッ素置換された炭素数１～１２のアルキル基、又は架橋基を表す。
　Ｐｈ^１、Ｐｈ^２、Ｐｈ^３、Ｐｈ^４は４つのベンゼン環を指す符号である。
　式（８１）で表される化合物は、架橋基を有する。
　Ｘ^＋は対カチオンを表す。）
　前記式（７１）におけるＡｒ^６２１が、１～４個の置換基を有していてもよいベンゼン環、及び、１又は２個の置換基を有していてもよいフルオレン環から選択される複数の構造が任意の順序で鎖状又は分岐して結合して形成された２価の基である、請求項１に記載の組成物。
　前記式（７１）におけるＡｒ^６２１が、下記式（７１－１）～（７１－１１）、（７１－２１）～（７１－２４）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する、請求項１に記載の組成物。

（上記式（７１－１）～（７１－１１）、（７１－２１）～（７１－２４）それぞれにおいて、
　＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表し、４つ存在する＊の任意２つ＊少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。
　Ｒ^６２５、Ｒ^６２６は、各々独立に、炭素数６～１２のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、アラルキル基、又は炭素数６～３０の１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^６２５、Ｒ^６２６は共に結合して環を形成してもよい。）
　前記式（７１）における、Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３及びＲ^６２４がそれぞれ独立に、架橋基を有してもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は架橋基である、請求項１に記載の組成物。
　前記式（７１）における、ｎ^６２１及びｎ^６２３が１であり、ｎ^６２２及びｎ^６２４が０であり、Ｒ^６２１及びＲ^６２３が、各々独立に、架橋基によって置換されている炭素数６～５０の芳香族炭化水素基又は架橋基である、請求項１に記載の組成物。
　前記式（７２）における、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２が、各々独立に、架橋基を有するフェニル基、又は、複数のベンゼン環が複数鎖状又は分岐して結合した１価の基であってかつ架橋基を有する基である、請求項１に記載の組成物。
　前記式（７２）における、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２の少なくとも一方が、下記式（７２－１）～（７２－６）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する、請求項１に記載の組成物。

（上記式（７２－１）～式（７２－６）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。）
　前記式（７２）において、ｎ^６１１及びｎ^６１２が０である、請求項１に記載の組成物。
　前記式（７２）において、Ｇが単結合である、請求項１に記載の組成物。
　前記式（８１）における、－Ｐｈ^１－（Ｒ^８１）_５、－Ｐｈ^２－（Ｒ^８２）_５、－Ｐｈ^３－（Ｒ^８３）_５、及び－Ｐｈ^４－（Ｒ^８４）_５の内、少なくとも１つが４つのフッ素原子を有する下記式（８４）で表される基である、請求項１に記載の組成物。

（式（８４）中、＊は式（８１）のホウ素Ｂとの結合を表す。
　Ｆ_４はフッ素原子が４個置換していることを表す。
　Ｒ^８５は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は架橋基を表す。）
　前記式（８１）で表される電子受容性化合物が少なくとも２つの架橋基を有する、請求項１に記載の組成物。
　更に、アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体であって、下記式（５０）で表される繰り返し単位を有する重合体を含む、請求項１に記載の組成物。

（式（５０）中、
　Ａｒ^５１は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表す。
　Ａｒ^５２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ａｒ^５１とＡｒ^５２は単結合又は連結基を介して環を形成していてもよい。
　Ａｒ^５１、Ａｒ^５２は置換基及び／又は架橋基を有してもよい。）
　前記重合体が架橋基を有する、請求項１２に記載の組成物。
　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する架橋基、前記式（８１）で表される化合物が有する架橋基、及び前記式（５０）で表される繰返し単位を有する重合体が有する架橋基が、各々独立に、下記架橋基群Ｔにおける式（Ｘ１）～式（Ｘ１８）から選ばれる、請求項１２に記載の組成物。
＜架橋基群Ｔ＞

（式（Ｘ１）～式（Ｘ１８）中、Ｑは直接結合又は連結基を表す。
　＊は結合位置を表す。
　式（Ｘ４）、式（Ｘ５）、式（Ｘ６）及び式（Ｘ１０）中のＲ^１１０は水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　式（Ｘ１）～（Ｘ４）中、ベンゼン環及びナフタレン環は置換基を有していてもよい。また、置換基は互いに結合して環を形成してもよい。
　式（Ｘ１）～（Ｘ３）中、シクロブテン環は置換基を有していてもよい。）
　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する架橋基、前記式（８１）で表される化合物が有する架橋基、及び前記アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体が有する架橋基が、各々独立に、前記架橋基群Ｔにおける式（Ｘ１）～式（Ｘ４）から選ばれる、請求項１４に記載の組成物。
　前記式（５０）で表される繰り返し単位が下記式（５４）、式（５５）、式（５６）、又は式（５７）で表される繰り返し単位である、請求項１２に記載の組成物。

（式（５４）中、
　Ａｒ^５１は、前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｘは、－Ｃ（Ｒ^２０７）（Ｒ^２０８）－、－Ｎ（Ｒ^２０９）－又は－Ｃ（Ｒ^２１１）（Ｒ^２１２）－Ｃ（Ｒ^２１３）（Ｒ^２１４）－である。
　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１及びＲ^２２２は、各々独立に置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基である。
　Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４は、各々独立に水素原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
　ａ及びｂは、各々独立に０～４の整数である。
　ｃは、０～３の整数である。
　ｄは、０～４の整数である。
　ｉ及びｊは、各々独立に０～３の整数である。）

（式（５５）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５４）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｒ^３０３及びＲ^３０６は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｒ^３０４及びＲ^３０５は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルコキシ基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基を表す。
　ｌは、０又は１である。
　ｍは、１又は２である。
　ｎは、０又は１である。
　ｐは、０又は１である。
　ｑは、０又は１である。）

（式（５６）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５４）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ａｒ^４１は、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ｒ^４４１及びＲ^４４２は、各々独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　ｔは、１又は２である。
　ｕは、０又は１である。
　ｒ及びｓは、各々独立に、０～４の整数である。
　但し、前述の捻れ構造を必須とする場合、ｒ×ｔ＋ｓ×ｕは１である。）

（式（５７）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｒ^５１７～Ｒ^５１９は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルコキシ基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
　ｆ、ｇ、ｈは、各々独立に０～４の整数を表す。
　ｅは０～３の整数を表す。
　ただし、ｇが１以上の場合、ｅは１以上である。
　また、ｆ＋ｅ×ｇ＋ｈは１以上である。）
　前記アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体が、前記式（５０）で表される繰り返し単位として前記式（５４）、式（５５）、式（５６）、又は式（５７）で表される繰り返し単位に加え、下記式（６０）で表される繰り返し単位をさらに含む、請求項１６に記載の組成物。

（式（６０）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　ｎ^６０は１～５の整数を表す。）
　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する置換基、前記式（８１）で表される化合物が有する置換基、前記式（５０）で表される繰り返し単位を有する重合体が有する置換基、前記架橋基群Ｔが有する置換基が、各々独立に、下記置換基群Ｚから選ばれる、請求項１４に記載の組成物。
＜置換基群Ｚ＞
炭素数１以上２４以下のアルキル基、
炭素数２以上２４以下のアルケニル基、
炭素数２以上２４以下のアルキニル基、
炭素数１以上２４以下のアルコキシ基、
炭素数４以上３６以下のアリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基、
炭素数２以上２４以下のアルコキシカルボニル基、
炭素数２以上２４以下のジアルキルアミノ基、
炭素数１０以上３６以下のジアリールアミノ基、
炭素数７以上３６以下のアリールアルキルアミノ基、
炭素数２以上２４以下のアシル基、
ハロゲン原子、
炭素数１以上１２以下のハロアルキル基、
炭素数１以上２４以下のアルキルチオ基、
炭素数４以上３６以下のアリールチオ基、
炭素数２以上３６以下のシリル基、
炭素数２以上３６以下のシロキシ基、
シアノ基、
炭素数６以上３６以下の芳香族炭化水素基、
炭素数４以上３６以下の芳香族複素環基。
　上記置換基は、直鎖、分岐又は環状のいずれの構造を含んでいてもよく、上記置換基が隣接する場合、隣接した置換基同士が結合して環を形成してもよい。
　更に溶媒を含有する、請求項１に記載の組成物。
　下記式（７１）又は下記式（７２）で表される、架橋基を有するカルバゾール化合物、およびアリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体を含む組成物であって、該アリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体は、下記式（５０）で表される構造を繰返し単位として有し、かつ、架橋基を有し、前記式（５０）で表される構造は下記式（６３）で表される部分構造を有する、組成物。

（式（７１）中、
　Ａｒ^６２１は、置換基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は架橋基である。
　ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は各々独立に、０～４の整数である。
　但し、ｎ６２１とｎ６２２とｎ６３３とｎ６２４の合計は１以上である。
　式（７１）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（７２）中、
　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６１１、Ｒ^６１２は各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は、架橋基である。
　Ｇは、単結合、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　ｎ^６１１、ｎ^６１２は各々独立に０～４の整数である。
　式（７２）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（５０）中、
　Ａｒ^５１は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表す。
　Ａｒ^５２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ａｒ^５１とＡｒ^５２は単結合又は連結基を介して環を形成していてもよい。
　Ａｒ^５１、Ａｒ^５２は置換基及び／又は架橋基を有してもよい。
　但し、Ａｒ^５２は下記式（６３）で表される部分構造を有する。）

（式（６３）において、
　Ｒ^６０１は置換基又は架橋基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ａｒ^６２１は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族複素環基を表す。
　環Ａｒは置換基及び／又は架橋基を有してもよい芳香族炭化水素構造、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族複素構造を表す。
　＊は隣の原子との結合位置を表す。）
　前記式（５０）で表される繰り返し単位が下記式（５４）、式（５５）、式（５６）、又は式（５７）で表される繰り返し単位である、請求項２０に記載の組成物。

（式（５４）中、
　Ａｒ^５１は、前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｘは、－Ｃ（Ｒ^２０７）（Ｒ^２０８）－、－Ｎ（Ｒ^２０９）－又は－Ｃ（Ｒ^２１１）（Ｒ^２１２）－Ｃ（Ｒ^２１３）（Ｒ^２１４）－である。
　Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１及びＲ^２２２は、各々独立に置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基である。
　Ｒ^２０７～Ｒ^２０９及びＲ^２１１～Ｒ^２１４は、各々独立に水素原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
　ａ及びｂは、各々独立に０～４の整数である。
　ｃは、０～３の整数である。
　ｄは、０～４の整数である。
　ｉ及びｊは、各々独立に０～３の整数である。
　但し、ａ×ｃ＋ｂ×ｄ＋ｉ＋ｊは１以上である。）

（式（５５）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５４）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｒ^３０３及びＲ^３０６は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｒ^３０４及びＲ^３０５は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルコキシ基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基を表す。
　ｌは、０又は１である。
　ｍは、１又は２である。
　ｎは、０又は１である。
　ｐは、０又は１である。
　ｑは、０又は１である。）

（式（５６）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５４）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ａｒ^４１は、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ｒ^４４１及びＲ^４４２は、各々独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　ｔは、１又は２である。
　ｕは、０又は１である。
　ｒ及びｓは、各々独立に、０～４の整数である。
　但し、前述の捻れ構造を必須とする場合、ｒ×ｔ＋ｓ×ｕは１である。）

（式（５７）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　Ｒ^５１７～Ｒ^５１９は、各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアルコキシ基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよいアラルキル基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基及び／又は架橋基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
　ｆ、ｇ、ｈは、各々独立に０～４の整数を表す。
　ｅは０～３の整数を表す。
　ただし、ｇが１以上の場合、ｅは１以上である。
　また、ｆ＋ｅ×ｇ＋ｈは１以上である。）
　前記式（５４）で表される繰返し単位が下記式（６２）で表される繰り返し単位である、請求項２１に記載の組成物。

（式（６２）中、
　Ａｒ^５１、Ｘ、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、Ｒ^２２２、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｉ、ｊは、前記式（５４）におけるＡｒ^５１、Ｘ、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２２１、Ｒ^２２２、ａ、ｂ、ｉ、ｊと同じである。
　ｃは、１～３の整数である。
　ｄは、１～４の整数である。
　ａ^１、ａ^２、ｂ^１、ｂ^２、ｉ^１、ｉ^２、ｊ^１、ｊ^２はそれぞれ独立に０又は１である。但し、下記条件（１）、（２）のいずれかを満たす。
　（１）ａ^１、ａ^２、ａ、ｂ^１、ｂ^２及びｂの少なくとも一つは１以上である。ただし、ｃが１の場合はａは定義されず、ｄが１の場合はｂは定義されない。
　（２）ｉ^１、ｉ^２、ｊ^１及びｊ^２の少なくとも１つは１である。
　Ｒｉｎｇ　Ａ１はＲ^２０１を特定の位置に有してよい２価のベンゼン環を指し、
　Ｒｉｎｇ　Ａ２はＲ^２０１を有してよいｃ－１個のベンゼン環が連結した２価の基、ただしｃ＝２の場合は単環の２価のベンゼン環を指し、
　Ｒｉｎｇ　Ａ３はビフェニル構造がＸで更に結合した２価の縮合環を指し、
　Ｒｉｎｇ　Ａ４はＲ^２０２を有してよいｄ－１個のベンゼン環が連結した２価の基、ただしｄ＝２の場合は単環の２価のベンゼン環を指し、
　Ｒｉｎｇ　Ａ５はＲ^２０２を特定の位置に有してよい２価のベンゼン環を指す。）
　前記アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体が、前記式（５０）で表される繰り返し単位として前記式（５４）、式（５５）、式（５６）、又は式（５７）で表される繰り返し単位に加え、下記式（６０）で表される繰り返し単位をさらに含む、請求項２１に記載の組成物。

（式（６０）中、
　Ａｒ^５１は前記式（５０）におけるＡｒ^５１と同様である。
　ｎ^６０は１～５の整数を表す。）
　前記式（７１）におけるＡｒ^６２１が、１～４個の置換基を有していてもよいベンゼン環、及び、１又は２個の置換基を有していてもよいフルオレン環から選択される複数の構造が任意の順序で鎖状又は分岐して結合して形成された２価の基である、請求項２０に記載の組成物。
　前記式（７１）におけるＡｒ^６２１が、下記式（７１－１）～（７１－１１）、（７１－２１）～（７１－２４）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する、請求項２０に記載の組成物。

（上記式（７１－１）～（７１－１１）、（７１－２１）～（７１－２４）それぞれにおいて、
　＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表し、４つ存在する＊の任意２つ＊少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。
　Ｒ^６２５、Ｒ^６２６は、各々独立に、炭素数６～１２のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、アラルキル基、又は炭素数６～３０の１価の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^６２５、Ｒ^６２６は共に結合して環を形成してもよい。）
　前記式（７１）における、Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３及びＲ^６２４がそれぞれ独立に、架橋基を有してもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は架橋基である、請求項２０に記載の組成物。
　前記式（７１）における、ｎ^６２１及びｎ^６２３が１であり、ｎ^６２２及びｎ^６２４が０であり、Ｒ^６２１及びＲ^６２３が、各々独立に、架橋基によって置換されている炭素数６～５０の芳香族炭化水素基又は架橋基である、請求項２０に記載の組成物。
　前記式（７２）における、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２が、各々独立に、架橋基を有するフェニル基、又は、複数のベンゼン環が複数鎖状又は分岐して結合した１価の基であってかつ架橋基を有する基である、請求項２０に記載の組成物。
　前記式（７２）における、Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２の少なくとも一方が、下記式（７２－１）～（７２－６）から選択される少なくとも１つの部分構造を有する、請求項２０に記載の組成物。

（上記式（７２－１）～式（７２－６）それぞれにおいて、＊は隣接する構造との結合又は水素原子を表し、２つ存在する＊の少なくとも一方は隣接する構造との結合位置を表す。）
　前記式（７２）において、ｎ^６１１及びｎ^６１２が０である、請求項２０に記載の組成物。
　前記式（７２）において、Ｇが単結合である、請求項２０に記載の組成物。
　さらに下記式（８１）で表される、架橋基を有する電子受容性化合物を含む、請求項２０に記載の組成物。

（式（８１）中、５つのＲ^８１、５つのＲ^８２、５つのＲ^８３、５つのＲ^８４はそれぞれにおいて独立であり、かつ、Ｒ^８１～Ｒ^８４は、各々独立に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数３～５０の芳香族複素環基、フッ素置換された炭素数１～１２のアルキル基、又は架橋基を表す。
　Ｐｈ^１、Ｐｈ^２、Ｐｈ^３、Ｐｈ^４は４つのベンゼン環を指す符号である。
　式（８１）で表される化合物は、架橋基を有する。
　Ｘ^＋は対カチオンを表す。）
　前記式（８１）における、－Ｐｈ^１－（Ｒ^８１）_５、－Ｐｈ^２－（Ｒ^８２）_５、－Ｐｈ^３－（Ｒ^８３）_５、及び－Ｐｈ^４－（Ｒ^８４）_５の内、少なくとも１つが４つのフッ素原子を有する下記式（８４）で表される基である、請求項３２に記載の組成物。

（式（８４）中、＊は式（８１）のホウ素Ｂとの結合を表す。
　Ｆ_４はフッ素原子が４個置換していることを表す。
　Ｒ^８５は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい芳香族炭化水素基、又は架橋基を表す。）
　前記式（８１）で表される電子受容性化合物が少なくとも２つの架橋基を有する、請求項３２に記載の組成物。
　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する架橋基、前記式（８１）で表される化合物が有する架橋基、及び前記アリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体が有する架橋基が、各々独立に、下記架橋基群Ｔにおける式（Ｘ１）～式（Ｘ１８）から選ばれる、請求項３２に記載の組成物。
＜架橋基群Ｔ＞

（式（Ｘ１）～式（Ｘ１８）中、Ｑは直接結合又は連結基を表す。
　＊は結合位置を表す。
　式（Ｘ４）、式（Ｘ５）、式（Ｘ６）及び式（Ｘ１０）中のＲ^１１０は水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　式（Ｘ１）～（Ｘ４）中、ベンゼン環及びナフタレン環は置換基を有していてもよい。また、置換基は互いに結合して環を形成してもよい。
　式（Ｘ１）～（Ｘ３）中、シクロブテン環は置換基を有していてもよい。）
　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する架橋基、前記式（８１）で表される化合物が有する架橋基、及び前記アリールアミン構造を繰返し単位として有する重合体が有する架橋基が、各々独立に、前記架橋基群Ｔにおける式（Ｘ１）～式（Ｘ４）から選ばれる、請求項３５に記載の組成物。
　前記式（７１）又は前記式（７２）で表される化合物が有する置換基、前記式（８１）で表される化合物が有する置換基、前記アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体が有する置換基、前記架橋基群Ｔが有する置換基が、各々独立に、下記置換基群Ｚから選ばれる、請求項３５に記載の組成物。
＜置換基群Ｚ＞
炭素数１以上２４以下のアルキル基、
炭素数２以上２４以下のアルケニル基、
炭素数２以上２４以下のアルキニル基、
炭素数１以上２４以下のアルコキシ基、
炭素数４以上３６以下のアリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基、
炭素数２以上２４以下のアルコキシカルボニル基、
炭素数２以上２４以下のジアルキルアミノ基、
炭素数１０以上３６以下のジアリールアミノ基、
炭素数７以上３６以下のアリールアルキルアミノ基、
炭素数２以上２４以下のアシル基、
ハロゲン原子、
炭素数１以上１２以下のハロアルキル基、
炭素数１以上２４以下のアルキルチオ基、
炭素数４以上３６以下のアリールチオ基、
炭素数２以上３６以下のシリル基、
炭素数２以上３６以下のシロキシ基、
シアノ基、
炭素数６以上３６以下の芳香族炭化水素基、
炭素数４以上３６以下の芳香族複素環基。
　上記置換基は、直鎖、分岐又は環状のいずれの構造を含んでいてもよく、上記置換基が隣接する場合、隣接した置換基同士が結合して環を形成してもよい。
　更に溶媒を含有する、請求項２０に記載の組成物。
　基板上に、陽極及び陰極を有し、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、該有機層を、請求項１９又は３８に記載の組成物を用いて湿式成膜法にて形成する工程を有する、有機電界発光素子の製造方法。
　前記有機層が陽極と発光層の間にある有機層である、請求項３９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
　請求項３９に記載の有機電界発光素子の製造方法で製造された有機電界発光素子。
　基板上に、陽極及び陰極を有し、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される架橋基を含むカルバゾール化合物と、下記式（８１）で表される架橋基を含む電子受容性化合物との架橋反応物を含有する有機電界発光素子。

（式（７１）中、
　Ａｒ^６２１は、置換基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は架橋基である。
　ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は各々独立に、０～４の整数である。
　但し、ｎ６２１とｎ６２２とｎ６３３とｎ６２４の合計は１以上である。
　式（７１）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（７２）中、
　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６１１、Ｒ^６１２は各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は、架橋基である。
　Ｇは、単結合、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　ｎ^６１１、ｎ^６１２は各々独立に０～４の整数である。
　式（７２）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（８１）中、５つのＲ^８１、５つのＲ^８２、５つのＲ^８３、５つのＲ^８４はそれぞれにおいて独立であり、かつ、Ｒ^８１～Ｒ^８４は、各々独立に水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数３～５０の芳香族複素環基、フッ素置換された炭素数１～１２のアルキル基、又は架橋基を表す。
　Ｐｈ^１、Ｐｈ^２、Ｐｈ^３、Ｐｈ^４は４つのベンゼン環を指す符号である。
　式（８１）で表される化合物は架橋基を有する。
　Ｘ^＋は対カチオンを表す。）
　基板上に、陽極及び陰極を有し、該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が、下記式（７１）又は下記式（７２）で表される架橋基を含むカルバゾール化合物と、アリールアミン構造を繰り返し単位として有する重合体であって、下記式（５０）で表される繰り返し構造を単位として有し、かつ架橋基を有し、前記式（５０）で表される構造は下記式（６３）で表される部分構造を有する重合体との架橋反応物を含む有機電界発光素子。

（式（７１）中、
　Ａｒ^６２１は、置換基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６２１、Ｒ^６２２、Ｒ^６２３、Ｒ^６２４は、各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は架橋基である。
　ｎ６２１、ｎ６２２、ｎ６２３、ｎ６２４は各々独立に、０～４の整数である。
　但し、ｎ６２１とｎ６２２とｎ６３３とｎ６２４の合計は１以上である。
　式（７１）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（７２）中、
　Ａｒ^６１１、Ａｒ^６１２は各々独立に、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　Ｒ^６１１、Ｒ^６１２は各々独立に、重水素原子、ハロゲン原子、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の１価の芳香族炭化水素基、又は、架橋基である。
　Ｇは、単結合、又は、置換基及び／又は架橋基を有していてもよい炭素数６～５０の２価の芳香族炭化水素基を表す。
　ｎ^６１１、ｎ^６１２は各々独立に０～４の整数である。
　式（７２）で表される化合物は、少なくとも２つの架橋基を有する。）

（式（５０）中、
　Ａｒ^５１は、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選択される複数の基が連結した基を表す。
　Ａｒ^５２は、２価の芳香族炭化水素基、２価の芳香族複素環基、又は前記２価の芳香族炭化水素基及び前記２価の芳香族複素環基からなる群から選択される少なくとも１つの基が直接若しくは連結基を介して複数個連結した２価の基を表す。
　Ａｒ^５１とＡｒ^５２は単結合又は連結基を介して環を形成していてもよい。
　Ａｒ^５１、Ａｒ^５２は置換基及び／又は架橋基を有してもよい。
　但し、Ａｒ^５２は下記式（６３）で表される部分構造を有する。）

（式（６３）において、
　Ｒ^６０１は置換基又は架橋基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ａｒ^６２１は、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族複素環基を表す。
　環Ａｒは置換基及び／又は架橋基を有してもよい芳香族炭化水素構造、置換基及び／又は架橋基を有してもよい２価の芳香族複素構造を表す。
　＊は隣の原子との結合位置を表す。）
　請求項４２又は４３のいずれかに記載の有機電界発光素子を有する表示装置。
　請求項４２又は４３のいずれかに記載の有機電界発光素子を有する照明装置。