TW201718774A - 有機電子材料及其利用 - Google Patents

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石塚健一
杉岡智嗣
舟生重昭
上田俊輔
淺野直紀
高井良啓
福島伊織
龍崎大輔
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Abstract

一種有機電子材料，其含有電荷傳輸性聚合物，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下且分子量500以下的成分所佔的面積比為1％以下。

Description

有機電子材料及其利用
本發明之實施形態是有關一種有機電子材料、墨組成物、有機層、有機電子元件、有機電致發光元件(亦稱為「有機EL元件」)、顯示元件、照明裝置、及顯示裝置。
有機EL元件，在下述用途中受到矚目，例如：作為白熾燈、充氣燈等之替代品；作為大面積固態光源。此外，有機EL元件亦作為自發光顯示器受到矚目，而正在進行製品化，該自發光顯示器最有可能取代平板顯示器(FPD)領域中的液晶顯示器(LCD)。
有機EL元件由其所使用的有機材料，大致區分為下述2種：低分子型有機EL元件，其使用低分子化合物；及，高分子型有機EL元件，其使用高分子化合物。有機EL元件的製造方法主要是大致區分為下述2種：在真空系統中進行成膜之乾式製程；及，藉由印刷來進行成膜之濕式製程，該印刷包含：凸版印刷、凹模印刷等有版印刷；及，噴墨等無版印刷等。由於能夠簡易成膜，故濕式製程作為今後大畫面有機EL顯示器所不可或缺的方法而受到期待(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2006-279007號公報
[發明所欲解決之問題] 　　為了有機EL元件的高效率化、長壽命化，而期望使有機層多層化並將各層的機能分離。然而，在濕式製程中，使用墨組成物來進行多層化時，當塗佈上層時，有時會產生下層因上層中所含的溶劑而溶解這樣的問題。
一般認為：若使用分子量大的聚合物、或若使用分枝結構的聚合物，則能夠形成耐溶劑性優異的有機層。然而，若聚合物高分子量化，則聚合物本身的對溶劑之溶解性會降低，故有難以製作成用以使用於濕式製程中之墨組成物的疑慮。
本發明之實施形態是有鑑於上述情形而完成，所欲解決之問題在於提供一種有機電子材料及墨組成物，該等適合濕式製程而能夠容易進行多層化。本發明之其它實施形態所欲解決之問題，在於提供一種具有優異特性的有機電子元件、有機EL元件、顯示元件、照明裝置、及顯示裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明之實施形態是有關一種有機電子材料，其含有電荷傳輸性聚合物，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法(GPC)測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下且分子量500以下的成分所佔的面積比為1％以下。
本發明之其它實施形態是一種有機電子材料，其含有電荷傳輸性聚合物，該電荷傳輸性聚合物是已去除分子量未達20,000的成分後的電荷傳輸性聚合物，並且，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法測得的分子量分布圖表中，前述分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下。
本發明之其它實施形態是有關一種有機電子材料的製造方法，該有機電子材料含有電荷傳輸性聚合物，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下，其中，該有機電子材料的製造方法包括下述步驟： 從電荷傳輸性聚合物去除分子量未達20,000的成分。
本發明之其它實施形態是有關一種墨組成物，其包含：前述有機電子材料、或藉由前述有機電子材料的製造方法製得之有機電子材料；及，溶劑。 　　本發明之其它實施形態是有關一種有機層，其使用下述物質來形成：前述有機電子材料、或前述墨組成物。
本發明之其它實施形態是有關一種有機電子元件，其具備至少一層前述有機層。 　　本發明之其它實施形態是有關一種有機電致發光元件，其具備至少一層前述有機層。
本發明之其它實施形態是有關一種顯示元件，其具備前述有機電致發光元件。 　　本發明之其它實施形態是有關一種照明裝置，其具備前述有機電致發光元件。 　　進一步，本發明之其它實施形態是有關一種顯示裝置，其具備：前述照明裝置、及作為顯示手段之液晶元件。 [功效]
本發明之實施形態的有機電子材料及墨組成物，適合濕式製程，且能夠形成耐溶劑性優異的有機層。此外，本發明之實施形態的有機層，適合用於提高有機電子元件的發光效率及發光壽命。進一步，本發明之實施形態的有機電子元件、有機EL元件、顯示元件、照明裝置、及顯示裝置的發光效率特性及發光壽命特性優異。
說明關於本發明之實施形態，但本發明不限定於此等實施形態。
＜有機電子材料＞ 　　本實施形態的有機電子材料，其特徵在於：含有電荷傳輸性聚合物(以下，亦將其記載為「電荷傳輸性聚合物1」)，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法(GPC)測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分(以下，亦將其記載為「低分子量成分」)所佔的面積比為40％以下且分子量500以下的成分所佔的面積比為1％以下。
其它實施形態的有機電子材料，其特徵在於：含有電荷傳輸性聚合物(以下，亦將其記載為「電荷傳輸性聚合物2」)，該電荷傳輸性聚合物是已去除分子量未達20,000的成分後的電荷傳輸性聚合物，並且，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法測得的分子量分布圖表中，前述分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下。
此等實施形態的有機電子材料，可僅含有一種或含有兩種以上的電荷傳輸性聚合物，該電荷傳輸性聚合物的上述低分子量成分的比例低。 　　再者，本說明書中，當僅記載為「電荷傳輸性聚合物」(或「聚合物」)時，是意指不將上述電荷傳輸性聚合物1與電荷傳輸性聚合物2兩者特別區分。
根據本實施形態，將聚合物中的分子量20,000以下這樣的低分子量成分的比例降低至GPC面積比為40％以下而較低，則即便不使聚合物整體高分子量化，仍能夠保持聚合物本身的溶解性並提高硬化性，而形成耐溶劑性優異的有機層。因此，本實施形態的有機電子材料適合應用於濕式製程用的墨組成物。 　　雖然僅為推論，但我們認為：由於相較於高分子量成分，低分子量成分本身更容易溶解，故低分子量成分會大量殘留，因此，會使所得到的有機層的薄膜殘留率(耐溶劑性)惡化。除此之外，我們認為：當製作成在末端具有聚合性官能基(交聯基)之聚合物(如後所述)時，在低分子量成分中，末端之交聯基的量會較少，交聯反應率亦會因此較低，故調查出：減少這樣的低分子量成分的比例，而能夠使所得到的有機層的硬化性提高並提高耐溶劑性。
而且，根據本實施形態，得知：令人驚訝的是，藉由減少用以形成有機層之聚合物的特定低分子量成分，對於使用此有機層而得之有機EL元件，能夠獲得下述功效：使發光特性提高，並降低驅動電壓、提高發光效率及提高發光壽命。 　　此外，聚合物中的低分子量成分的比例降低，而能夠控制作為電荷傳輸材料之聚合物的物性。
[電荷傳輸性聚合物] (低分子量成分) 　　首先，說明使用GPC(凝膠滲透層析法)來規定之電荷傳輸性聚合物的低分子量成分的成分比例之求出方式。 　　所謂「在該電荷傳輸性聚合物之藉由GPC測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分(亦即低分子量成分)所佔的面積比為40％以下」，是意指在藉由溶出時間與偵測強度來表示之GPC圖表(溶出圖案)中，後述的以聚苯乙烯來換算的分子量未達20,000的成分，相對於該圖表的總面積所佔的面積比為40％以下。換言之，溶出時間長的低分子量側的面積比為總圖表面積的40％以下。再者，總圖表面積是將溶劑和雜質的峰值去除後餘留之峰值整體的面積。
GPC的測定條件是如下所述(後述的實施例中亦相同)。 　裝置：島津製作所股份有限公司製造的高效液相層析儀Prominence 送液泵(LC-20AD) 除氣單元(DGU-20A) 自動採樣機(SIL-20AHT) 管柱烘箱(CTO-20A) PDA偵測器(SPD-M20A) 示差折射率偵測器(RID-20A) 　管柱：日立化成股份有限公司製造的Gelpack(註冊商標) GL-A160S(製造編號：686-1J27) GL-A150S(製造編號：686-1J27) 　溶析液：和光純藥工業股份有限公司製造的四氫呋喃(THF)(高效液相層析儀(HPLC)用，含安定劑) 　流速：1 mL/min 　管柱溫度：40℃ 　偵測波長：254 nm 　分子量標準物質：東曹股份有限公司製造的PstQuick A/B/C
分子量20,000的聚合物的溶出時間，能夠使用下述來求出：從已知分子量之聚苯乙烯標準樣品的溶出時間算出之校準曲線。
以上述方式特定出來的低分子量成分，較佳是40％以下，從獲得更高的硬化性及更統一的材料物性之觀點來看，更佳是30％以下，特佳是20％以下。
進一步，電荷傳輸性聚合物1亦具備下述來作為特徵構成：分子量500以下的成分所佔的面積比為1％以下。 　　一般而言，一般的聚合物合成，即便聚合物為如何的高分子量，亦經常在所得到的聚合物中無法避免地含有數個％以上左右的未反應單體及寡聚物(例如僅有1～4個左右單體單元經進行聚合)，該寡聚物是聚合物鏈的延伸受到單體本身的某種缺陷所阻礙而成。亦能夠將此等未反應單體及寡聚物合稱為「缺陷體」，所謂「分子量500以下的成分所佔的面積比為1％以下」，是意指幾乎不存在此等缺陷體。此時，分子量500以下的成分的成分比例之求出方式亦與上述低分子量成分的成分比例之求出方式相同。
電荷傳輸性聚合物1，能夠簡便地藉由下述方式來較佳地獲得：從藉由一般合成所製得之聚合物將低分子量成分去除，但該製造步驟中不一定需要進行去除，亦可以下述方式進行，例如：藉由控制單體的比例、反應溶液濃度、添加單體的時機等來製造低分子量成分及上述缺陷體較少的聚合物。 　　進行去除之方法並無特別限定，能夠使用任意習知方法。能夠藉由下述方式來進行去除，例如：藉由僅溶解低分子量成分之溶劑來將聚合物洗淨、再沉澱、藉由製備GPC來進行之分餾、或使用透析膜來進行之分餾等。藉由此等一般的去除方法，亦能夠一併將低分子量成分中的上述缺陷體去除。從操作性之觀點來看，能夠藉由下述方式來進行低分子量成分之去除：較佳是藉由製備GPC來進行之分餾，更佳是再沉澱，特佳是藉由僅溶解低分子量成分之溶劑來將聚合物洗淨。
電荷傳輸性聚合物2是已去除分子量未達20,000的低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物。此處，「去除」是意指減少分子量未達20,000的低分子量成分的量。因此，其概念不僅是以從低分子量成分的量為GPC圖表面積比高於40％的聚合物減少低分子量成分直到該面積比成為40％以下的比例為止之方式進行去除，且亦包含為了在面積比40％以下的範圍內更加減少低分子量成分而進行去除。 　　較佳的一實施形態是一種電荷傳輸性聚合物，其已去除分子量未達20,000的成分(從超過40％)直到在藉由GPC測得的分子量分布圖表中的面積比成為40％以下的比例為止。
第2圖是使用GPC的分子量分布圖表來顯示「聚合物的低分子量成分的去除」的概念之圖，是概略地顯示在低分子量成分去除前及去除後之GPC測定圖表。將低分子量成分去除前之測定圖表(實線)亦在溶出時間長的低分子量側能夠確認有偵測結果。相對地，在將低分子量成分去除後之測定圖表(鏈線)中，溶出時間長的低分子量成分消失，另一方面，關於高分子量側之成分之分布，在將低分子量成分去除前後未觀察到有變化。
(分散度) 　　為了降低聚合物的結晶性來確保對溶劑之溶解性，電荷傳輸性聚合物的分散度(質量平均分子量/數目平均分子量，Mw/Mn)以較廣為佳。以2.0以上為佳，以2.3以上較佳，以2.5以上最佳。另一方面，從抑制有機電子元件的特性變異、或簡便地合成聚合物之觀點來看，分散度以20以下為佳，依序以15以下、10以下、7以下更佳。
(數目平均分子量：Mn) 　　電荷傳輸性聚合物的數目平均分子量，能夠考慮對溶劑之溶解性、成膜性等來適當調整。從成膜安定性及電荷傳輸性優異之觀點來看，數目平均分子量以500以上為佳，以1,000以上較佳，以2,000以上更佳，以3,000以上再更佳，以10,000以上最佳。此外，從保持對溶劑之良好溶解性而容易調製墨組成物之觀點來看，數目平均分子量以1,000,000以下為佳，以800,000以下較佳，以600,000以下更佳，依序以100,000以下、50,000以下再更佳。
(重量平均分子量：Mw) 　　電荷傳輸性聚合物的重量平均分子量，能夠考慮對溶劑之溶解性、成膜性等來適當調整。從電荷傳輸性優異之觀點來看，重量平均分子量以1,000以上為佳，以5,000以上較佳，以10,000以上更佳。此外，從保持對溶劑之良好溶解性而容易調製墨組成物之觀點來看，重量平均分子量以1,000,000以下為佳，以700,000以下較佳，以400,000以下更佳，以300,000以下最佳。
數目平均分子量及重量平均分子量，能夠藉由GPC使用標準聚苯乙烯之校準曲線來進行測定。GPC之測定條件與在上述低分子量成分中所說明之條件相同。
再者，在上述電荷傳輸性聚合物2中，上述分散度、數目平均分子量及重量平均分子量之任一者，均為對已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物為較佳的範圍。 　　在將低分子量成分去除之前後，在重量平均分子量方面，由於即便因進行去除而有些微增加，亦未改變高分子量側的分子量分布，故未觀察到有較大的變化。相對地，在數目平均分子量方面，更明確顯示其值因進行去除而增加。較佳的一實施形態中，低分子量成分去除前的數目平均分子量未達10,000，去除後的數目平均分子量為10,000以上。
(聚合度) 　　電荷傳輸性聚合物的聚合度，較佳是5以上且10,000以下，更佳是10以上且3000以下。若n過小，則有製膜安定性會降低之傾向，若n過大，則有溶解度會降低之傾向。
(結構) 　　電荷傳輸性聚合物是具有傳輸電荷的能力之聚合物，如上所述，只要已減少低分子量成分的比例，則其結構並無特別限定。 　　以下具體說明較佳實施形態的聚合物的結構。
電荷傳輸性聚合物，可為直鏈狀或具有分枝結構。電荷傳輸性聚合物，較佳是至少包含：具有電荷傳輸性之2價結構單元L、及構成末端部之1價結構單元T，可進而包含構成分枝部之3價以上結構單元B。電荷傳輸性聚合物可將各結構單元分別僅包含1種或分別包含複數種。電荷傳輸性聚合物中，各結構單元是在「1價」～「3價以上」之結合部位相互鍵結。
以下列舉作為電荷傳輸性聚合物中所含的部分結構之例子。電荷傳輸性聚合物不限定於具有下述部分結構。部分結構中，「L」表示結構單元L，「B」表示結構單元B，「T」表示結構單元T。本說明書中，式中之「＊」是表示與其它結構單元之鍵結部位。下述部分結構中，複數個L可為互為相同的結構單元、或互為不同的結構單元。關於B及T亦相同。
直鏈狀的電荷傳輸性聚合物
具有分枝結構之電荷傳輸性聚合物
(結構單元L) 　　結構單元L是具有電荷傳輸性之2價結構單元。結構單元L只要包含具有傳輸電荷的能力之原子團即可，無特別限定。例如：結構單元L是從經取代或未經取代之下述結構之中選出：芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、茀結構、苯結構、聯苯結構、聯三苯結構、萘結構、蒽結構、稠四苯結構、菲結構、二氫菲結構、吡啶結構、吡嗪結構、喹啉結構、異喹啉結構、喹噁啉(quinoxaline)結構、吖啶(acridine)結構、二氮雜菲結構、呋喃結構、吡咯結構、噁唑結構、噁二唑結構、噻唑結構、噻二唑結構、三唑結構、苯并噻吩結構、苯并噁唑結構、苯并噁二唑結構、苯并噻唑結構、苯并噻二唑結構、苯并三唑結構；及，包含此等結構中之1種或2種以上之結構。芳香族胺結構以三芳基胺結構為佳，以三苯胺結構較佳。
一實施形態中，從獲得優異的電洞傳輸性之觀點來看，結構單元L較佳是從經取代或未經取代之下述結構之中選出：芳香族胺結構、咔唑結構、噻吩結構、茀結構、苯結構、吡咯結構；及，包含此等結構中之1種或2種以上之結構，更佳是從經取代或未經取代之下述結構之中選出：芳香族胺結構、咔唑結構；及，包含此等結構中之1種或2種以上之結構。其它實施形態中，從獲得優異電子傳輸性之觀點來看，結構單元L較佳是從經取代或未經取代之下述結構之中選出：茀結構、苯結構、菲結構、吡啶結構、喹啉結構；及，包含此等結構中之1種或2種以上之結構。
結構單元L的具體例，可舉例如下述。結構單元L不限定於下述。
R分別獨立地表示氫原子或取代基。R較佳是分別獨立地從由－R1 、－OR2 、－SR3 、－OCOR4 、－COOR5 、－SiR6 R7 R8 、鹵素原子、及包含後述之聚合性官能基之基所組成之群組中選出。R1 ～R8 分別獨立地表示：氫原子；碳數1～22的直鏈、環狀或分枝的烷基；或是碳數2～30的芳基或雜芳基。芳基為從芳香族烴將1個氫原子去除後餘留之原子團。雜芳基為從芳香族雜環將1個氫原子去除後餘留之原子團。烷基可進一步經碳數2～20的芳基或雜芳基所取代，芳基或雜芳基進一步經碳數1～22的直鏈、環狀或分枝的烷基所取代。R以氫原子、烷基、芳基、經烷基取代之芳基為佳。Ar表示碳數2～30的伸芳基或伸雜芳基。伸芳基為從芳香族烴將2個氫原子去除後餘留之原子團。伸雜芳基為從芳香族雜環將2個氫原子去除後餘留之原子團。Ar以伸芳基為佳，以伸苯基較佳。
(結構單元T) 　　結構單元T為構成電荷傳輸性聚合物的末端部的1價結構單元。結構單元T無特別限定，是例如從經取代或未經取代之下述結構之中選出：芳香族烴結構、芳香族雜環結構；及，包含此等結構中之1種或2種以上之結構。一實施形態中，從在不使電荷傳輸性降低之情形下賦予耐久性之觀點來看，結構單元T以經取代或未經取代之芳香族烴結構為佳，以經取代或未經取代之苯結構較佳。此外，其它實施形態中，當電荷傳輸性聚合物如後所述在末端部具有聚合性官能基時，結構單元T可為能夠進行聚合的結構(例如吡咯基等聚合性官能基)。結構單元T可具有與結構單元L相同的結構、或具有與結構單元L不同的結構。
作為結構單元T的具體例，可舉例如下述。結構單元T不限定於下述。
R與結構單元L中的R相同。當電荷傳輸性聚合物在末端部具有後述的聚合性官能基時，以R中的至少任一個為包含聚合性官能基之基為佳。
(結構單元B) 　　當電荷傳輸性聚合物具有分枝結構時，結構單元B為構成分枝部之3價以上的結構單元。從提高有機電子元件的耐久性之觀點來看，結構單元B以6價以下為佳，以3價或4價較佳。結構單元B以具有電荷傳輸性之單元為佳。例如：從提高有機電子元件的耐久性之觀點來看，結構單元B較佳是從經取代或未經取代之下述結構之中選出：芳香族胺結構、咔唑結構、縮合多環式芳香族烴結構；及，包含此等結構中之1種或2種以上之結構。結構單元B可具有與結構單元L相同的結構、或具有與結構單元L不同的結構，並且，可具有與結構單元T相同的結構、或具有與結構單元T不同的結構。
作為結構單元B的具體例，可舉例如下述。結構單元B不限定於下述。
W表示3價連結基，可舉例如：碳數2～30的芳烴三基或雜芳烴三基。如上所述，芳烴三基為從芳香族烴將3個氫原子去除後餘留之原子團。雜芳烴三基為從芳香族雜環將3個氫原子去除後餘留之原子團。Ar分別獨立地表示2價連結基，例如：分別獨立地表示碳數2～30的伸芳基或伸雜芳基。Ar以伸芳基為佳，以伸苯基較佳。Y表示2價連結基，可舉例如：從結構單元L中之R(惟，包含聚合性官能基之基除外)中之具有1個以上氫原子之基進而將1個氫原子去除後餘留之2價基。Z表示碳原子、矽原子或磷原子中之任一者。結構單元中，苯環及Ar可具有取代基，取代基之例子可舉例如結構單元L中之R。
(聚合性官能基) 　　一實施形態中，從藉由聚合反應來使其硬化而使對溶劑的溶解度變化之觀點來看，電荷傳輸性聚合物較佳是具有至少一個聚合性官能基(亦記載為「能夠進行聚合的取代基」)。所謂「聚合性官能基」，是指能夠藉由熱及/或光來相互形成鍵結之官能基。
作為聚合性官能基，可舉例如：具有碳-碳多鍵之基(例如：乙烯基、烯丙基、丁烯基、乙炔基、丙烯醯基、丙烯醯氧基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯氧基、甲基丙烯醯胺基、乙烯氧基、乙烯胺基等)、具有小員環之基(例如：環丙基、環丁基等環狀烷基；環氧基(氧雜環丙烷基)、氧雜環丁烷基等環狀醚基；二乙烯酮；環硫化物基；內酯基；內醯胺基等)；雜環基(例如：呋喃基、吡咯基、噻吩基、矽雜環戊二烯基)等。特別是，聚合性官能基以乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、環氧基、及氧雜環丁烷基為佳，從反應性及有機電子元件的特性之觀點來看，以乙烯基、氧雜環丁烷基或環氧基較佳，以氧雜環丁烷基最佳。
從提高聚合性官能基的自由度而容易產生聚合反應之觀點來看，較佳是：電荷傳輸性聚合物之主骨架與聚合性官能基間經以例如碳數1～8的直鏈狀的伸烷基鏈來連結在一起。此外，例如：當於電極上形成有機層時，從提高與氧化銦錫(ITO)等親水性電極間之親和性之觀點來看，較佳是經以乙二醇鏈、二乙二醇鏈等親水性的鏈來連結在一起。並且，從容易調製用於導入聚合性官能基之單體之觀點來看，電荷傳輸性聚合物可在伸烷基鏈及/或親水性的鏈的末端部具有醚鍵或酯鍵，該伸烷基鏈及/或親水性的鏈的末端部亦即：此等鏈與聚合性官能基間之連結部、及/或此等鏈與電荷傳輸性聚合物之骨架間之連結部。前述所謂「包含聚合性官能基之基」，是意指聚合性官能基本身、或將聚合性官能基與伸烷基鏈等組合而成之基。包含聚合性官能基之基能夠較佳使用例如國際公開第WO2010/140553號中所例示之基。
聚合性官能基，可導入至電荷傳輸性聚合物的末端(亦即結構單元T)、或導入至末端部以外之部分(亦即結構單元L或B)、或導入至末端部及末端以外之部分兩者。從謀求硬化性與電荷傳輸性並存之觀點來看，較佳是僅導入至末端部。此外，當電荷傳輸性聚合物具有分枝結構時，聚合性官能基可導入至電荷傳輸性聚合物的主鏈、或導入至電荷傳輸性聚合物的側鏈，且亦可導入至電荷傳輸性聚合物的主鏈及側鏈兩者。
從有助於溶解度變化之觀點來看，聚合性官能基較佳是在電荷傳輸性聚合物中大量含有。另一方面，從不會妨礙電荷傳輸性之觀點來看，聚合性官能基較佳是在電荷傳輸性聚合物中含有的量較少。聚合性官能基的含量能夠考慮此等來適當設定。
例如：從獲得充分的溶解度變化之觀點來看，電荷傳輸性聚合物每1分子的聚合性官能基數以2個以上為佳，以3個以上較佳。此外，從保持電荷傳輸性之觀點來看，聚合性官能基數以1,000個以下為佳，以500個以下較佳。
電荷傳輸性聚合物每1分子的聚合性官能基數，能夠使用合成電荷傳輸性聚合物時所使用的下述值並以平均值之形式求出：聚合性官能基之饋入量(例如具有聚合性官能基之單體之饋入量)、對應於各結構單元之單體之饋入量、電荷傳輸性聚合物的重量平均分子量等。此外，聚合性官能基之數目能夠利用下述值並以平均值之形式算出：電荷傳輸性聚合物之1 H NMR(核磁共振)光譜中的源自聚合性官能基的訊號的積分值與所有光譜的積分值之比、電荷傳輸性聚合物的重量平均分子量等。因較簡便，因此，當饋入量明確時，較佳是採用使用饋入量來求出之值。
(結構單元的比例) 　　從獲得充分的電荷傳輸性之觀點來看，以所有結構單元為基準時，電荷傳輸性聚合物中所含的結構單元L的比例，較佳是10 mol％以上，更佳是20 mol％以上，進一步較佳是30 mol％以上。此外，若考慮到結構單元T及因應需要來導入之結構單元B，則結構單元L的比例較佳是95 mol％以下，更佳是90 mol％以下，進一步較佳是85 mol％以下。
從提高有機電子元件的特性之觀點、或抑制黏度上升而良好地合成電荷傳輸性聚合物之觀點來看，以所有結構單元為基準時，電荷傳輸性聚合物中所含的結構單元T的比例，較佳是5 mol％以上，更佳是10 mol％以上，進一步較佳是15 mol％以上。此外，從獲得充分的電荷傳輸性之觀點來看，結構單元T的比例，較佳是60 mol％以下，更佳是55 mol％以下，進一步較佳是50 mol％以下。
當電荷傳輸性聚合物包含結構單元B時，從提高有機電子元件的耐久性之觀點來看，以所有結構單元為基準時，結構單元B的比例，較佳是1 mol％以上，更佳是5 mol％以上，進一步較佳是10 mol％以上。此外，從抑制黏度上升而良好地合成電荷傳輸性聚合物之觀點、或獲得充分的電荷傳輸性之觀點來看，結構單元B的比例，較佳是50 mol％以下，更佳是40 mol％以下，進一步較佳是30 mol％以下。
當電荷傳輸性聚合物具有聚合性官能基時，從使電荷傳輸性聚合物有效率地硬化之觀點來看，以所有結構單元為基準時，聚合性官能基的比例，較佳是0.1 mol％以上，更佳是1 mol％以上，進一步較佳是3 mol％以上。此外，從獲得良好電荷傳輸性之觀點來看，聚合性官能基的比例，較佳是70 mol％以下，更佳是60 mol％以下，進一步較佳是50 mol％以下。再者，此處所謂「聚合性官能基的比例」，是指具有聚合性官能基之結構單元的比例。
若考慮到電荷傳輸性、耐久性、生產性等間之平衡，則結構單元L與結構單元T的比例(mol比)，較佳是L：T＝100：1～70，更佳是100：3～50，進一步較佳是100：5～30。此外，當電荷傳輸性聚合物包含結構單元B時，結構單元L、結構單元T及結構單元B的比例(mol比)，較佳是L：T：B＝100：10～200：10～100，更佳是100：20～180：20～90，進一步較佳是100：40～160：30～80。
結構單元的比例能夠使用合成電荷傳輸性聚合物時所使用的下述值來求出：對應於各結構單元之單體的饋入量。此外，結構單元的比例能夠利用下述值並以平均值的形式算出：電荷傳輸性聚合物之1 H NMR光譜中的源自各結構單元的光譜的積分值。因較簡便，因此，當饋入量明確時，較佳是採用使用饋入量來求出之值。
特佳的一實施形態中，從具有較高的電洞注入性、電洞傳輸性等之觀點來看，電荷傳輸性聚合物較佳是一種化合物，其是以具有芳香族胺結構之結構單元及/或具有咔唑結構之結構單元作為主要結構單元(主骨架)。此外，從容易進行多層化之觀點來看，電荷傳輸性聚合物，較佳是具有至少2個以上的能夠進行聚合的取代基之化合物。從具有優異的硬化性之觀點來看，能夠進行聚合的取代基，較佳是具有環狀醚結構之基、具有碳-碳多鍵之基等。
(製造方法) 　　本實施形態的電荷傳輸性聚合物，較佳是包含具有電洞傳輸性的結構單元之單體之聚合物或共聚物。能夠藉由下述方式來較佳地製造：使用單體混合物並使此等單體進行共聚，該單體混合物包含包含上述結構單元L之一種以上的單體及包含上述結構單元T之一種以上的單體且任意包含包含上述結構單元B之單體。共聚的形式可為交互、無規、嵌段或接枝之共聚物，且亦可為具有該等的中間結構之共聚物，例如亦可為帶有嵌段性之無規共聚物。
電荷傳輸性聚合物，能夠藉由各種合成方法來製造，無特別限定。能夠使用例如：鈴木耦合、根岸耦合、園頭耦合、史帝勒(Stille)耦合、布赫瓦爾德-哈特維希(Buchwald-Hartwig)耦合等習知耦合反應。鈴木耦合是在芳香族硼酸衍生物與芳香族鹵化物之間使用Pd觸媒來產生交叉耦合反應。根據鈴木耦合，能夠藉由使期望的芳香族環彼此鍵結來簡便地製造電荷傳輸性聚合物。
耦合反應是使用下述化合物來作為觸媒，例如：Pd(0)化合物、Pd(II)化合物、Ni化合物等。此外，亦能夠使用一種觸媒物種，其是藉由下述方式來產生：以參(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)、乙酸鈀(II)等作為前驅物並與膦配位基混合。電荷傳輸性聚合物之合成方法能夠參照例如國際公開第WO2010/140553號之記載。
在合成聚合物後，藉由任意方法來將既定的低分子量成分去除，即能夠獲得電荷傳輸性聚合物2，低分子量成分少的電荷傳輸性聚合物1亦能夠藉由將低分子量成分去除來簡便地獲得。
[摻雜劑] 　　有機電子材料能夠含有任意的添加劑，可進而含有例如摻雜劑。摻雜劑只要添加在有機電子材料中即能夠使其顯示摻雜效果而提高電荷的傳輸性，則無特別限制。摻雜有p型摻雜及n型摻雜，p型摻雜是使用產生電子受體的作用之物質來作為摻雜劑，n型摻雜是使用產生電子予體的作用之物質來作為摻雜劑。提高電洞傳輸性時較佳是進行p型摻雜，提高電子傳輸性時較佳是進行n型摻雜。有機電子材料中所使用的摻雜劑可為使p型摻雜或n型摻雜中之任一種的效果顯現之摻雜劑。此外，可單獨添加1種摻雜劑、或將複數種摻雜劑混合來添加。
p型摻雜中所使用的摻雜劑是電子接受性之化合物，可舉例如：路易士(lewis)酸、質子酸、過渡金屬化合物、離子化合物、鹵素化合物、π共軛系化合物等。具體而言，作為路易士酸，可舉例如：FeCl3 、PF5 、AsF5 、SbF5 、BF5 、BCl3 、BBr3 等。作為質子酸，可舉例如：HF、HCl、HBr、HNO5 、H2 SO4 、HClO4 等無機酸；苯磺酸、對甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、聚乙烯苯磺酸、甲磺酸、三氟甲磺酸、三氟乙酸、1-丁磺酸、乙烯基苯磺酸、樟腦磺酸等有機酸。作為過渡金屬化合物，可舉例如：FeOCl、TiCl4 、ZrCl4 、HfCl4 、NbF5 、AlCl3 、NbCl5 、TaCl5 、MoF5 。作為離子化合物，可舉例如：肆(五氟苯基)硼酸離子、參(三氟甲磺醯基)甲基化物離子、雙(三氟甲磺醯)亞胺離子、六氟銻酸離子、AsF6 － (六氟砷酸離子)、BF4 － (四氟硼酸離子)、PF6 － (六氟磷酸離子)等具有氟陰離子之鹽。作為陰離子，可舉例如：具有前述質子酸之共軛鹼之鹽等。作為鹵素化合物，可舉例如：Cl2 、Br2 、I2 、ICl、ICl3 、IBr、IF等。作為π共軛系化合物，可舉例如：TCNE(四氰乙烯)、TCNQ(四氰苯醌二甲烷)等。此外，亦能夠使用：日本特開2000-36390號公報、日本特開2005-75948號公報、日本特開2003-213002號公報等中所記載之電子接受性化合物。以路易士酸、離子化合物、π共軛系化合物等為佳。
n型摻雜中所使用的摻雜劑是電子供予性之化合物，可舉例如：Li、Cs等鹼金屬；Mg、Ca等鹼土金屬；LiF、Cs2 CO3 等鹼金屬及/或鹼土金屬之鹽；金屬錯合物；電子供予性有機化合物等。
當電荷傳輸性聚合物具有聚合性官能基時，為了容易改變有機層的溶解度，較佳是使用能夠對聚合性官能基產生聚合起始劑之作用之化合物來作為摻雜劑。
[其它任意成分] 　　有機電子材料可進而含有電荷傳輸性低分子化合物、其它聚合物等。
[含量] 　　從獲得良好電荷傳輸性之觀點來看，相對於有機電子材料的總質量，有機電子材料中，電荷傳輸性聚合物的含量，較佳是50質量％以上，更佳是70質量％以上，進一步較佳是80質量％以上。電荷傳輸性聚合物的含量的上限並無特別限定，亦能夠設為100質量％。考慮到包含摻雜劑等添加劑，亦可將電荷傳輸性聚合物的含量設為例如95質量％以下、90質量％以下等。
當含有摻雜劑時，從提高有機電子材料的電荷傳輸性之觀點來看，相對於有機電子材料的總質量，摻雜劑的含量，較佳是0.01質量％以上，更佳是0.1質量％以上，進一步較佳是0.5質量％以上。此外，從保持良好的成膜性之觀點來看，相對於有機電子材料的總質量，摻雜劑的含量，較佳是50質量％以下，更佳是30質量％以下，進一步較佳是20質量％以下。
＜有機電子材料的製造方法＞ 　　本實施形態的有機電子材料的製造方法，該有機電子材料含有電荷傳輸性聚合物，在該電荷傳輸性聚合物之藉由GPC測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下，該有機電子材料的製造方法的特徵在於包括下述步驟：從電荷傳輸性聚合物去除分子量未達20,000的成分。 　　關於「去除」，是如同在電荷傳輸性聚合物中所說明。此外，所製造的電荷傳輸性聚合物的較佳結構、數目平均分子量、重量平均分子量、及分散度，亦如上所述。
較佳的一實施形態中，含有電荷傳輸性聚合物之有機電子材料的製造方法，包括下述步驟：準備電荷傳輸性聚合物之步驟；及，藉由從前述電荷傳輸性聚合物將分子量未達20,000的成分去除來獲得在該電荷傳輸性聚合物之藉由GPC測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下的電荷傳輸性聚合物之步驟。
上述較佳的一實施形態中，包括下述：當藉由一般的聚合或共聚來合成的電荷傳輸性聚合物，包含GPC圖表面積比高於40％的低分子量成分時，將該低分子量成分去除來減少至40％以下。
＜墨組成物＞ 　　本發明之實施形態的墨組成物，含有：前述實施形態的有機電子材料(包含藉由前述實施形態的有機電子材料的製造方法製得之有機電子材料，以下記載中亦相同)；及，溶劑，其能夠使該材料溶解或分散。藉由使用墨組成物，即能夠藉由塗佈法這樣的簡便方法來容易形成有機層。
[溶劑] 　　溶劑能夠使用水、有機溶劑、或此等之混合溶劑。作為有機溶劑，可舉例如：甲醇、乙醇、異丙醇等醇類；戊烷、己烷、辛烷等烷類；環己烷等環狀烷類；苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氫萘、二苯基甲烷等芳香族烴類；乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、丙二醇-1-單甲基醚乙酸酯等脂肪族醚類；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基苯甲醚等芳香族醚類；乙酸乙酯、乙酸正丁酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯等脂肪族酯類；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶劑；二甲基亞碸、四氫呋喃、丙酮、氯仿、二氯甲烷等。溶劑以芳香族烴類、脂肪族酯類、芳香族酯類、脂肪族醚類、芳香族醚類等為佳。
[聚合起始劑] 　　當電荷傳輸性聚合物具有聚合性官能基時，墨組成物較佳是含有聚合起始劑。能夠使用：習知自由基聚合起始劑、陽離子聚合起始劑、陰離子聚合起始劑等。從能夠簡便地調製墨組成物之觀點來看，較佳是使用兼具摻雜劑的機能及聚合起始劑的機能之物質。這樣的物質可舉例如前述離子化合物。
[添加劑] 　　墨組成物可進而含有添加劑來作為任意成分。作為添加劑，可舉例如：聚合抑制劑、安定劑、增稠劑、凝膠化劑、阻燃劑、抗氧化劑、抗還原劑、氧化劑、還原劑、表面改質劑、乳化劑、消泡劑、分散劑、界面活性劑等。
[含量] 　　墨組成物中，溶劑的含量能夠考慮應用至各種塗佈方法來決定。例如：溶劑的含量，較佳是電荷傳輸性聚合物相對於溶劑的比例成為0.1質量％以上的量，更佳是電荷傳輸性聚合物相對於溶劑的比例成為0.2質量％以上的量，進一步較佳是電荷傳輸性聚合物相對於溶劑的比例成為0.5質量％以上的量。此外，溶劑的含量，較佳是電荷傳輸性聚合物相對於溶劑的比例成為20質量％以下的量，更佳是電荷傳輸性聚合物相對於溶劑的比例成為15質量％以下的量，進一步較佳是電荷傳輸性聚合物相對於溶劑的比例成為10質量％以下的量。
＜有機層＞ 　　本發明之實施形態的有機層是使用前述實施形態的有機電子材料或墨組成物來形成。藉由墨組成物，即能夠藉由塗佈法來良好且簡便地形成有機層。作為塗佈方法，可舉例如：旋轉塗佈法；澆鑄法；浸漬法；凸版印刷、凹模印刷、膠版印刷、平版印刷、凸版翻轉膠版印刷、網版印刷、凹版印刷等有版印刷法；噴墨法等無版印刷法等習知方法。此外，當藉由塗佈法來形成有機層時，可在塗佈後藉由加熱板或烘箱來使所得到的有機層(塗佈層)乾燥而去除溶劑。
當電荷傳輸性聚合物具有聚合性官能基時，能夠藉由照光、加熱處理等來使電荷傳輸性聚合物進行聚合反應，而使有機層的溶解度變化。將經使溶解度變化之有機層積層，即能夠容易謀求有機電子元件之多層化。有機層的形成方法能夠參照例如國際公開第WO2010/140553號之記載。
從提高電荷傳輸的效率之觀點來看，乾燥後或硬化後之有機層的厚度，較佳是0.1 nm以上，更佳是1 nm以上，進一步較佳是3 nm以上。此外，從降低電阻之觀點來看，有機層的厚度，較佳是300 nm以下，更佳是200 nm以下，進一步較佳是100 nm以下。
＜有機電子元件＞ 　　本發明之實施形態的有機電子元件具備至少一層前述實施形態的有機層。作為有機電子元件，可舉例如：有機EL元件、有機光電轉換元件、有機電晶體等。有機電子元件，較佳是具有在至少一對電極之間配置了有機層之結構。
＜有機EL元件＞ 　　本發明之實施形態的有機EL元件具備至少一層前述實施形態的有機層。有機EL元件通常具備發光層、陽極、陰極及基板，且因應需要來具備電洞注入層、電子注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層等其它機能層。各層可藉由蒸鍍法來形成，亦可藉由塗佈法來形成。有機EL元件較佳是具備前述有機層來作為發光層或其它機能層，更佳是具備有機層來作為機能層，再更佳是具備有機層來作為電洞注入層或電洞傳輸層中之至少一種。
第1圖是顯示有機EL元件之一實施形態的剖面概略圖。第1圖之有機EL元件為多層結構之元件，且依序具有基板8、陽極2、電洞注入層3及電洞傳輸層6、發光層1、電子傳輸層7、電子注入層5、以及陰極4。以下說明各層。
[發光層] 　　發光層中所使用的材料能夠使用：低分子化合物、聚合物、樹枝狀聚合物等發光材料。聚合物由於對溶劑之溶解性高而適合塗佈法，故較佳。作為發光材料，可舉例如：螢光材料、磷光材料、熱活化延遲螢光材料(TADF)等。
作為螢光材料，可舉例如：苝(perylene)、香豆素、紅螢烯、喹吖啶酮(quinacridone)、二苯乙烯、色素雷射用色素、鋁錯合物、此等之衍生物等低分子化合物；聚茀、聚亞苯、聚(伸苯基伸乙烯基)、聚乙烯咔唑、茀-苯并噻二唑共聚物、茀-三苯胺共聚物、此等之衍生物等聚合物；此等之混合物等。
作為磷光材料，能夠使用包含Ir、Pt等金屬之金屬錯合物等。作為Ir錯合物，可舉例如：進行藍色發光之FIr(pic)(雙[(4,6-二氟苯基)吡啶-N,C2 ]吡啶甲酸合銥(III)(bis((4,6-difluorophenyl)pyridinato-N,C2 )picolinatoiridium)(III))、進行綠色發光之Ir(ppy)3 (面式參(2-苯基吡啶)銥、進行紅色發光之(btp)2 Ir(acac)(雙2-(2’-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3 (乙醯丙酮)合銥)、Ir(piq)3 (參(1-苯基異喹啉)銥)等。作為Pt錯合物，可舉例如：進行紅色發光之PtOEP(2、3、7、8、12、13、17、18-八乙基-21H、23H-卟吩鉑(2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H,23H-porphin platinum))等。
當發光層包含磷光材料時，較佳是除了磷光材料以外亦進而包含主體材料。主體材料能夠使用：低分子化合物、聚合物、或樹枝狀聚合物。低分子化合物可舉例如：CBP(4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯苯)、mCP(1,3-雙(9-咔唑基)苯)、CDBP(4,4'-雙(咔唑-9-基)-2,2'-二甲基聯苯)、此等之衍生物等，聚合物可舉例如：前述實施形態的有機電子材料、聚乙烯咔唑、聚亞苯、聚茀、此等之衍生物等。
作為熱活化延遲螢光材料，可舉例如下述文獻中所記載之化合物：Adv. Mater., 21, 4802-4906 (2009)；Appl. Phys. Lett., 98, 083302 (2011)；Chem. Comm., 48, 9580 (2012)；Appl. Phys. Lett., 101, 093306 (2012)；J. Am. Chem. Soc., 134, 14706 (2012)；Chem. Comm., 48, 11392 (2012)；Nature, 492, 234 (2012)；Adv. Mater., 25, 3319 (2013)；J. Phys. Chem. A, 117, 5607 (2013)；Phys. Chem. Chem. Phys., 15, 15850 (2013)；Chem. Comm., 49, 10385 (2013)；Chem. Lett., 43, 319 (2014)等。
[電洞注入層、電洞傳輸層] 　　較佳是使用有機層來作為電洞注入層及電洞傳輸層中之至少一種，更佳是使用有機層來至少作為電洞傳輸層，該有機層是使用上述有機電子材料來形成。如上所述，藉由使用包含有機電子材料之墨組成物，即能夠容易形成此等層。 　　當有機EL元件具有有機層來作為電洞傳輸層並進而具有電洞注入層，且該有機層是使用上述有機電子材料來形成時，電洞注入層能夠使用習知材料。此外，當有機EL元件具有有機層來作為電洞注入層並進而具有電洞傳輸層，且該有機層是使用上述有機電子材料來形成時，電洞傳輸層能夠使用習知材料。 　　作為電洞注入層及電洞傳輸層中能夠使用的材料，可舉例如：芳香族胺系化合物(例如N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基聯苯胺(α-NPD)等芳香族二胺)、酞菁系化合物、噻吩系化合物(例如：噻吩系導電性聚合物(例如聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)；聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT：PSS)等)等。
[電子傳輸層、電子注入層] 　　作為電子傳輸層及電子注入層中所使用的材料，可舉例如：啡啉(phenanthroline)衍生物、聯吡啶衍生物、硝基取代茀衍生物、二苯基苯醌衍生物、噻喃二氧化物(thiopyran dioxide)衍生物；萘、苝等之縮合環四羧酸酐；碳二亞胺、亞茀基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷及蒽酮衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹噁啉衍生物、鋁錯合物等。此外，亦能夠使用前述實施形態的有機電子材料。
[陰極] 　　作為陰極材料，能夠使用例如：Li、Ca、Mg、Al、In、Cs、Ba、Mg/Ag、LiF、CsF等金屬或金屬合金。
[陽極] 　　作為陽極材料，能夠使用例如：金屬(例如Au)或具有導電性之其它材料。作為其它材料，可舉例如：氧化物(例如ITO：氧化銦/氧化錫)、導電性高分子(例如聚噻吩-聚苯乙烯磺酸混合物(PEDOT：PSS))。
[基板] 　　作為基板，能夠使用玻璃、塑膠等。基板以透明為佳，並且，以具有可撓性之可撓性基板為佳。較佳是使用：石英玻璃、透光性樹脂薄膜等。
作為樹脂薄膜，可舉例如由下述化合物所構成之薄膜：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯、纖維素三乙酸酯、纖維素乙酸酯丙酸酯等。
當使用樹脂薄膜時，可為了抑制水蒸氣、氧氣等穿透而對樹脂薄膜塗佈氧化矽、氮化矽等無機物後使用。
[密封] 　　有機EL元件可為了減少外部氣體的影響來延長壽命而被密封。此外，密封時所使用的材料能夠使用：玻璃；環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等塑膠薄膜；或氧化矽、氮化矽等無機物，但並不限定於此等。 　　密封的方法亦無特別限定，能夠以習知方法來進行。
[發光色] 　　有機EL元件的發光色並無特別限定。白色的有機EL元件由於能夠用於家庭用照明、車內照明、時鐘或液晶之背光等各種照明器具，故較佳。
形成白色的有機EL元件的方法，能夠使用下述方法：使用複數種發光材料來同時發出複數種發光色的光並使其混色。作為複數種發光色之組合，並無特別限定，可舉例如：包含藍色、綠色及紅色三種顏色之發光極大波長之組合；藍色與黃色、黃綠色與橙色等兩種顏色之發光極大波長之組合等。發光色之控制能夠藉由調整發光材料的種類及量來進行。
＜顯示元件、照明裝置、顯示裝置＞ 　　本發明之實施形態的發光元件具備前述實施形態的有機EL元件。例如：使用有機EL元件來作為對應於紅、綠及藍(RGB)的各像素之元件，即能夠獲得彩色的顯示元件。像素的形成方法有：單純矩陣型，其是對使用經配置成矩陣狀之電極來將排列在面板之各個有機EL元件進行直接驅動；及，主動矩陣型，其是將薄膜電晶體配置於各元件並驅動。
此外，本發明之實施形態的照明裝置具備前述實施形態的有機EL元件。並且，本發明之實施形態的顯示元件具備：照明裝置、及作為顯示手段之液晶元件。例如：顯示裝置可製作成一種顯示裝置，其使用本實施形態的照明裝置來作為背光且使用習知液晶元件來作為顯示手段而成，該顯示裝置亦即液晶顯示裝置。 [實施例]
以下，藉由實施例來更具體地說明本發明，但本發明並不受下述實施例所限定。只要未特別說明，「％」即是意指「質量％」。此外，下述實施例中，有時將構成前述結構單元L、結構單元B及結構單元T之各單體記載為「L單體」、「B單體」及「T單體」，且為了區分複數種同種類的單體，而有時以「T1單體」、「T2單體」之方式記載。
＜Pd觸媒的調製＞ 　　在氮氣環境中之套手工作箱中，在室溫，量取參(二苯亞甲基丙酮)二鈀(73.2 mg，80 μmol)至樣品管中，並加入苯甲醚(15 mL)後，攪拌30分鐘。同樣地，量取三(三級丁基)膦(129.6 mg，640 μmol)至樣品管中，並加入苯甲醚(5 mL)後，攪拌5分鐘。將此等溶液混合，並在室溫攪拌30分鐘，而獲得觸媒之溶液。再者，調製觸媒時，所有溶劑均是在藉由氮氣起泡來除氣30分鐘以上後再使用。
＜電荷傳輸性聚合物1-1之合成＞ 　　在三頸圓底燒瓶中加入作為L單體之下述單體2(4.0 mmol)、作為B單體之單體3(5.0 mmol)、作為第1種T單體(T1單體)之單體1(0.1 mmol)、作為第2種T單體(T2單體)之單體4(1.9 mmol)、及苯甲醚(20 mL)，並且加入上述所調製之Pd觸媒溶液(7.5 mL)。攪拌30分鐘後，額外加入10％的氫氧化四乙銨水溶液(20 mL)。將此混合物加熱、回流2小時。再者，到此為止之所有操作均是在氮氣氣流中進行。此外，所有溶劑均是在藉由氮氣起泡來除氣30分鐘以上後再使用。
反應結束後，對有機層進行水洗，並將有機層注入至甲醇-水(9：1)中。藉由過濾來將所生成之沉澱回收，並以甲醇-水(9：1)來洗淨。使洗淨後之沉澱溶於甲苯中後，使其從甲醇再沉澱出。將所得到的沉澱充分乾燥後，使其溶於甲苯中，而製作成10％的聚合物溶液。在此溶液中加入與聚合物相同質量的清除劑(Scavenger)(Strem Chemicals公司製「Triphenylphosphine, polymer-bound on styrene-divinylbenzene copolymer」)，並在室溫攪拌5小時以上。然後，使用孔徑0.2 μm的聚四氟乙烯製過濾器(DISMIC 25JP020AN)來將清除劑濾除後，與甲醇混合而使其再沉澱。將聚合物過濾回收，並在乾燥器中真空乾燥，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物1-1。
＜電荷傳輸性聚合物1-2～1-5之合成＞ 　　與上述電荷傳輸性聚合物1-1同樣地合成電荷傳輸性聚合物1-2、電荷傳輸性聚合物1-3、電荷傳輸性聚合物1-4、及電荷傳輸性聚合物1-5。合成各個電荷傳輸性聚合物時所使用的單體之化學式是如下所示，將其組合彙整表示於下述表1中。再者，表1中亦一併記載上述電荷傳輸性聚合物1-1以及後述的電荷傳輸性聚合物1-6及1-7之單體。
單體5 單體6 單體7 單體8
[表1]
＜電荷傳輸性聚合物1-6之合成＞ 　　除了單獨使用2.0 mmol上述單體1來作為T單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物1-1同樣地進行，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物1-6。
＜電荷傳輸性聚合物1-7之合成＞ 　　除了使用單體5取代單體3來作為B單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物1-6同樣地進行，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物1-7。
＜電荷傳輸性聚合物2-1之合成＞ 　　在三頸圓底燒瓶中與上述電荷傳輸性聚合物1-1同樣地加入作為L單體之上述單體2(4.0 mmol)、作為B單體之上述單體3(5.0 mmol)、作為第1種T單體(T1單體)之上述單體1(0.1 mmol)、及作為第2種T單體(T2單體)之上述單體4(1.9 mmol)，並且加入苯甲醚(20 mL)及上述所調製之Pd觸媒溶液(7.5 mL)。攪拌30分鐘後，額外加入10％的氫氧化四乙銨水溶液(20 mL)。將此混合物加熱、回流2小時。再者，到此為止之所有操作均是在氮氣氣流中進行。此外，所有溶劑均是在藉由氮氣起泡來除氣30分鐘以上後再使用。
反應結束後，對有機層進行水洗，並將有機層注入至甲醇-水(9：1)中。藉由過濾來將所生成之沉澱回收並真空乾燥後，在乙酸乙酯-甲苯(1：1)混合溶液(相對於沉澱物1.5 g，使用50 mL)中在60℃攪拌30分鐘，並加熱過濾後，從聚合物將低分子量成分去除。重複進行同樣的操作3次後，將聚合物充分乾燥後，使其溶於甲苯中，而製作成10％的聚合物溶液。 　　在此之後是與上述電荷傳輸性聚合物1-1同樣地進行使用清除劑之操作及從甲醇再沉澱出，而獲得已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物2-1。
＜電荷傳輸性聚合物2-2～2-5之合成＞ 　　與上述電荷傳輸性聚合物2-1同樣地合成電荷傳輸性聚合物2-2、電荷傳輸性聚合物2-3、電荷傳輸性聚合物2-4、及電荷傳輸性聚合物2-5。合成各個電荷傳輸性聚合物時所使用的單體之組合是如表2所示。再者，表2中亦一併記載上述電荷傳輸性聚合物2-1以及後述的電荷傳輸性聚合物2-6及2-7之單體。
[表2]
＜電荷傳輸性聚合物2-6之合成＞ 　　除了單獨使用2.0 mmol上述單體1來作為T單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物2-1同樣地進行，而獲得已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物2-6。
＜電荷傳輸性聚合物2-7之合成＞ 　　除了使用單體5取代單體3來作為B單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物2-6同樣地進行，而獲得已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物2-7。
＜電荷傳輸性聚合物3-1之合成＞ 　　在三頸圓底燒瓶中加入作為L單體之上述單體2(4.0 mmol)、作為B單體之上述單體3(5.0 mmol)、作為第1種T單體(T1單體)之上述單體1(0.1 mmol)、作為第2種T單體(T2單體)之上述單體4(1.9 mmol)、及苯甲醚(8 mL)，並且加入另外調製之Pd觸媒溶液(7.5 mL)。攪拌30分鐘後，額外加入10％的氫氧化四乙銨水溶液(20 mL)。將此混合物加熱、回流2小時。再者，到此為止之所有操作均是在氮氣氣流中進行。此外，所有溶劑均是在藉由氮氣起泡來除氣30分鐘以上後再使用。在此之後是與上述電荷傳輸性聚合物1-1同樣地進行精製處理，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物3-1。
＜電荷傳輸性聚合物3-2～3-5之合成＞ 　　與上述電荷傳輸性聚合物3-1同樣地合成電荷傳輸性聚合物3-2、電荷傳輸性聚合物3-3、電荷傳輸性聚合物3-4、及電荷傳輸性聚合物3-5。合成各個電荷傳輸性聚合物時所使用的單體之組合是如表3所示。再者，表3中亦一併記載上述電荷傳輸性聚合物3-1以及後述的電荷傳輸性聚合物3-6及3-7之單體。
[表3]
＜電荷傳輸性聚合物3-6之合成＞ 　　除了單獨使用2.0 mmol上述單體1來作為T單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物3-1同樣地進行，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物3-6。
＜電荷傳輸性聚合物3-7之合成＞ 　　除了使用單體5取代單體3來作為B單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物3-6同樣地進行，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物3-7。
＜電荷傳輸性聚合物4-1之合成＞ 　　在三頸圓底燒瓶中加入作為L單體之上述單體2(4.0 mmol)、作為B單體之上述單體3(5.0 mmol)、作為第1種T單體(T1單體)之上述單體1(0.1 mmol)、作為第2種T單體(T2單體)之上述單體4(1.9 mmol)、及苯甲醚(8 mL)，並且加入另外調製之Pd觸媒溶液(7.5 mL)。攪拌30分鐘後，額外加入10％的氫氧化四乙銨水溶液(20 mL)。將此混合物加熱、回流2小時。再者，到此為止之所有操作均是在氮氣氣流中進行。此外，所有溶劑均是在藉由氮氣起泡來除氣30分鐘以上後再使用。在此之後是與上述電荷傳輸性聚合物2-1同樣地進行低分子量成分之去除及精製處理，而獲得已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物4-1。
＜電荷傳輸性聚合物4-2～4-5之合成＞ 　　與上述電荷傳輸性聚合物4-1同樣地合成電荷傳輸性聚合物4-2、電荷傳輸性聚合物4-3、電荷傳輸性聚合物4-4、及電荷傳輸性聚合物4-5。合成各個電荷傳輸性聚合物時所使用的單體之組合是如表4所示。再者，表4中亦一併記載上述電荷傳輸性聚合物4-1以及後述之電荷傳輸性聚合物4-6及4-7之單體。
[表4]
＜電荷傳輸性聚合物4-6之合成＞ 　　除了單獨使用2.0 mmol上述單體1來作為T單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物3-1同樣地進行，而獲得已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物4-6。
＜電荷傳輸性聚合物4-7之合成＞ 　　除了使用單體5取代單體3來作為B單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物4-6同樣地進行，而獲得已去除低分子量成分去後的電荷傳輸性聚合物4-7。
＜電荷傳輸性聚合物5-1之合成＞ 　　在三頸圓底燒瓶中加入作為L單體之上述單體2(4.0 mmol)、作為B單體之上述單體3(5.0 mmol)、作為第1種T單體(T1單體)之上述單體1(0.1 mmol)、作為第2種T單體(T2單體)之上述單體4(1.9 mmol)、及苯甲醚(4 mL)，並且加入另外調製之Pd觸媒溶液(7.5 mL)。攪拌30分鐘後，額外加入10％的氫氧化四乙銨水溶液(20 mL)。將此混合物加熱、回流2小時。再者，到此為止之所有操作均是在氮氣氣流中進行。此外，所有溶劑均是在藉由氮氣起泡來除氣30分鐘以上後再使用。在此之後是與上述電荷傳輸性聚合物1-1同樣地進行精製處理，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物5-1。
＜電荷傳輸性聚合物5-2～5-5之合成＞ 　　與上述電荷傳輸性聚合物5-1同樣地合成電荷傳輸性聚合物5-2、電荷傳輸性聚合物5-3、電荷傳輸性聚合物5-4、及電荷傳輸性聚合物5-5。合成各個電荷傳輸性聚合物時所使用的單體之組合是如表5所示。再者，表5中亦一併記載上述電荷傳輸性聚合物5-1以及後述之電荷傳輸性聚合物5-6及5-7之單體。
[表5]
＜電荷傳輸性聚合物5-6之合成＞ 　　除了單獨使用2.0 mmol上述單體1來作為T單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物5-1同樣地進行，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物5-6。
＜電荷傳輸性聚合物5-7之合成＞ 　　除了使用單體5取代單體3來作為B單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物5-6同樣地進行，而獲得未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物5-7。
＜電荷傳輸性聚合物6-1之合成＞ 　　在三頸圓底燒瓶中加入作為L單體之上述單體2(4.0 mmol)、作為B單體之上述單體3(5.0 mmol)、作為第1種T單體(T1單體)之上述單體1(0.1 mmol)、作為第2種T單體(T2單體)之上述單體4(1.9 mmol)、及苯甲醚(4 mL)，並且加入另外調製之Pd觸媒溶液(7.5 mL)。攪拌30分鐘後，額外加入10％的氫氧化四乙銨水溶液(20 mL)。將此混合物加熱、回流2小時。再者，到此為止之所有操作均是在氮氣氣流中進行。此外，所有溶劑均是在藉由氮氣起泡來除氣30分鐘以上後再使用。在此之後是與上述電荷傳輸性聚合物2-1同樣地進行低分子量成分之去除及精製處理，而獲得已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物6-1。
＜電荷傳輸性聚合物6-2～6-5之合成＞ 　　與上述電荷傳輸性聚合物6-1同樣地合成電荷傳輸性聚合物6-2、電荷傳輸性聚合物6-3、電荷傳輸性聚合物6-4、及電荷傳輸性聚合物6-5。合成各個電荷傳輸性聚合物時所使用的單體之組合是如表6所示。再者，表6中亦一併記載上述電荷傳輸性聚合物6-1以及後述之電荷傳輸性聚合物6-6及6-7之單體。
[表6]
＜電荷傳輸性聚合物6-6之合成＞ 　　除了單獨使用2.0 mmol上述單體1來作為T單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物6-1同樣地進行，而獲得已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物6-6。
＜電荷傳輸性聚合物6-7之合成＞ 　　除了使用單體5取代單體3來作為B單體以外，其餘與上述電荷傳輸性聚合物6-6同樣地進行，而獲得已去除低分子量成分後的電荷傳輸性聚合物6-7。
藉由GPC來進行測定並求出所得到的聚合物的重量平均分子量、數目平均分子量、及低分子量成分的比例(GPC圖表面積比)。GPC的測定條件是如上所述。所得到的值是如表7所示。
[表7]
第3圖中重疊顯示上述電荷傳輸性聚合物1-1及電荷傳輸性聚合物2-1之GPC測定圖表。在該圖中，電荷傳輸性聚合物2-1由於已去除低分子量成分，故顯示其分子量未達2萬的成分量較未將低分子量成分去除之電荷傳輸性聚合物1-1更加減少。
＜有機層的形成及薄膜殘留率的評估＞ [比較例1-1] 　　將使電荷傳輸性聚合物1-1(10 mg)溶於1100 μL甲苯中而成之溶液與使下述化學式所示之離子化合物1(1 mg)溶於50 μL甲苯中而成之溶液混合而獲得塗佈溶液後，以3000 rpm來將塗佈溶液旋轉塗佈於石英板上。然後，在加熱板上在180℃加熱10分鐘來進行聚合反應。加熱後將石英板於甲苯溶劑中浸漬10秒鐘來進行洗淨。
在浸漬於甲苯溶劑中來洗淨的前後，測定UV-VIS(紫外-可見)光譜，並從所得到的光譜中的吸收極大(λmax)的吸光度(Abs)的比值，來測定薄膜殘留率。 　洗淨前：λmax＝383 nm，Abs＝0.229 　洗淨後：λmax＝383 nm，Abs＝0.180 　薄膜殘留率(％)＝洗淨後Abs/洗淨前Abs×100 　　　　　　　　＝(0.180/0.229)×100＝78.6
UV-VIS光譜的測定，是在下述條件下進行。 　裝置：U-3900H形分光光度計(日立High-Technologies) 　狹縫：2 nm 　掃描速度：600 nm/min 　起始波長：500 nm 　結束波長：250 nm 　參照組：石英基板
[實施例1-1～1-7、2-1～2-7、3-1～3-7；比較例1-2～1-7、2-1～2-7、3-1～3-7] 　　除了使用下述表8所示之任一種電荷傳輸性聚合物取代電荷傳輸性聚合物1-1以外，其餘與上述比較例1-1同樣地進行來形成有機層，並測定薄膜殘留率。結果是如表8所示。
[表8]
由表8可知，實施例之電荷傳輸性聚合物由於所含的低分子量成分是在GPC圖表面積比為40％以下，故硬化性提高。如上所述，實施例中，即便不使聚合物高分子量化，仍能夠達成較高的硬化性。
＜有機EL元件之製作＞ [比較例4-1] 　　以轉數1500 min－ 1 來將PEDOT：PSS分散液(H.C. STARCK-V TECH公司製，A14083 LVW142)旋轉塗佈於已將ITO圖案化成1.6 mm寬之玻璃基板上，並在加熱板上在空氣中，加熱乾燥200℃/10分鐘，而形成電洞注入層(40 nm)。在此之後的實驗是在乾燥氮氣環境中進行。
將電荷傳輸性聚合物3-1(4.5 mg)、上述離子化合物1(0.13 mg)、及甲苯(1.2 mL)混合，而調製電洞傳輸層形成用的墨組成物。以轉數3000 min－ 1 來將此墨組成物旋轉塗佈於上述所得到的電洞注入層上後，在加熱板上在120℃加熱10分鐘使其硬化，而形成電洞傳輸層(40 nm)。
將上述中所得到的玻璃基板移至真空蒸鍍機中，並在電洞傳輸層上依序蒸鍍CBP：Ir(ppy)3 (94：6，30 nm)、BAlq(10 nm)、Alq3 (30 nm)、LiF(0.8 nm)及Al(100 nm)並成膜，來積層發光層、電洞阻障層、電子傳輸層、電子注入層、及陰極。
形成電極後，在不開放至大氣中之情形下，將上述積層玻璃基板移至乾燥氮氣環境中後，藉由使用光硬化性環氧樹脂來與密封用玻璃貼合來密封，而製作多層結構之高分子型有機EL元件，該密封用玻璃是對0.7 mm的無鹼玻璃實施0.4 mm的沉孔(counterbore)加工而成。
[比較例4-2～4-7] 　　除了使用表9所示之任一種聚合物取代電荷傳輸性聚合物3-1來形成電洞傳輸層以外，其餘與比較例4-1同樣地進行，而製作有機EL元件。
[表9]
[實施例4-1] 　　除了使用電荷傳輸性聚合物4-1取代電荷傳輸性聚合物3-1來形成電洞傳輸層以外，其餘與比較例4-1同樣地進行，而製作有機EL元件。
[實施例4-2～4-7] 　　除了使用表10所示之任一種聚合物取代電荷傳輸性聚合物3-1來形成電洞傳輸層以外，其餘與比較例4-1同樣地進行，而製作有機EL元件。
[表10]
[比較例5-1] 　　將電荷傳輸性聚合物3-1(4.5 mg)、上述離子化合物1(0.13 mg)、及甲苯(500 μL)混合，而調製電洞注入層形成用的墨組成物。在此之後的實驗是在乾燥氮氣環境中進行。 　　以轉數3000 min－ 1 來將前述墨組成物旋轉塗佈於已將ITO圖案化成1.6 mm寬之玻璃基板上後，在加熱板上在120℃加熱10分鐘使其硬化，而形成電洞傳輸層(40 nm)。
然後，將上述中所得到的玻璃基板移至真空蒸鍍機中，並電洞注入層上依序蒸鍍α-NPD(20 nm)、CBP：Ir(ppy)3 (94：6，30 nm)、BAlq(10 nm)、Alq3 (30 nm)、LiF(0.8 nm)及Al(100 nm)並成膜，來積層電洞傳輸層、發光層、電洞阻障層、電子傳輸層、電子注入層、及陰極。
形成電極後，在不開放至大氣中之情形下，將上述積層玻璃基板移至乾燥氮氣環境中後，藉由使用光硬化性環氧樹脂來與密封用玻璃貼合來密封，而製作多層結構之高分子型有機EL元件，該密封用玻璃是對0.7 mm的無鹼玻璃實施0.4 mm的沉孔加工而成。
[比較例5-2～5-7] 　　除了使用表11所示之任一種聚合物取代電荷傳輸性聚合物3-1來形成電洞傳輸層以外，其餘與比較例5-1同樣地進行，而製作有機EL元件。
[表11]
[實施例5-1] 　　除了使用電荷傳輸性聚合物4-1取代電荷傳輸性聚合物3-1來形成電洞注入層以外，其餘與比較例5-1同樣地進行，而製作有機EL元件。
[實施例5-2～5-7] 　　除了使用表12所示之任一種聚合物取代電荷傳輸性聚合物3-1來形成電洞注入層以外，其餘與比較例5-1同樣地進行，而製作有機EL元件。
[表12]
對上述實施例4-1～4-7及5-1～5-7、以及比較例4-1～4-7及5-1～5-7中所得到的有機EL元件施加電壓，並評估發光性能。結果任一種均能夠確認綠色的發光。對各個元件測定發光亮度1000 cd/m2 時之驅動電壓及發光效率、以及初期亮度3000 cd/m2 時之發光壽命(亮度半衰壽命)。測定結果是如表13所示。
[表13]
如表13所示，相較於比較例之有機EL元件，實施例之有機EL元件之驅動電壓低，並且發光效率優異，而顯示較長的發光壽命。換言之，藉由使用含有較少的低分子量成分之電荷傳輸性聚合物，而獲得下述特別的功效：發光效率及發光壽命提高。
本案之揭示是與2015年9月10日所申請之日本特願2015-178625號公報中所記載之主題相關，並且是藉由參照來將該等之所有揭示內容援用於本案中。 　　應注意地是，除了上述以外，亦可在不脫離本發明之新穎且有利的特徵之情形下在上述實施形態中加入各種修正或變更。因此，本案是意圖將這樣的修正和變更全部包含在所附之申請專利範圍中。
1‧‧‧發光層 2‧‧‧陽極 3‧‧‧電洞注入層 4‧‧‧陰極 5‧‧‧電子注入層 6‧‧‧電洞傳輸層 7‧‧‧電子傳輸層 8‧‧‧基板
第1圖是顯示本發明之實施形態的有機EL元件的一例的剖面概略圖。 　　第2圖是本發明之實施形態的有機電子材料中所含的電荷傳輸性聚合物在去除低分子量成分前及去除後的GPC測定圖表的概念圖。 　　第3圖是有關本發明之實施形態的有機電子材料中所含的電荷傳輸性聚合物的一例，在去除低分子量成分前及去除後的GPC測定圖表。
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1‧‧‧發光層
2‧‧‧陽極
3‧‧‧電洞注入層
4‧‧‧陰極
5‧‧‧電子注入層
6‧‧‧電洞傳輸層
7‧‧‧電子傳輸層
8‧‧‧基板

Claims (14)

  1. 一種有機電子材料，其含有電荷傳輸性聚合物，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下且分子量500以下的成分所佔的面積比為1％以下。
  2. 一種有機電子材料，其含有電荷傳輸性聚合物，該電荷傳輸性聚合物是已去除分子量未達20,000的成分後的電荷傳輸性聚合物，並且，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法測得的分子量分布圖表中，前述分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下。
  3. 如請求項1或2所述之有機電子材料，其中，前述電荷傳輸性聚合物的分散度亦即質量平均分子量/數目平均分子量為2.0以上。
  4. 一種有機電子材料的製造方法，該有機電子材料含有電荷傳輸性聚合物，在該電荷傳輸性聚合物之藉由凝膠滲透層析法測得的分子量分布圖表中，分子量未達20,000的成分所佔的面積比為40％以下，其中，該有機電子材料的製造方法包括下述步驟： 從電荷傳輸性聚合物去除分子量未達20,000的成分。
  5. 如請求項4所述之有機電子材料的製造方法，其中，去除分子量未達20,000的成分後之前述電荷傳輸性聚合物的分散度亦即質量平均分子量/數目平均分子量為2.0以上。
  6. 一種墨組成物，其包含：請求項1至3中任一項所述之有機電子材料、或藉由請求項4或5所述之有機電子材料的製造方法製得之有機電子材料；及，溶劑。
  7. 一種有機層，其使用下述物質來形成：請求項1至3中任一項所述之有機電子材料、藉由請求項4或5所述之有機電子材料的製造方法製得之有機電子材料、或請求項6所述之墨組成物。
  8. 一種有機電子元件，其具備至少一層請求項7所述之有機層。
  9. 一種有機電致發光元件，其具備至少一層請求項7所述之有機層。
  10. 如請求項9所述之有機電致發光元件，其進一步具備可撓性基板。
  11. 如請求項9所述之有機電致發光元件，其進一步具備樹脂薄膜基板。
  12. 一種顯示元件，其具備請求項9至11中任一項所述之有機電致發光元件。
  13. 一種照明裝置，其具備請求項9至11中任一項所述之有機電致發光元件。
  14. 一種顯示裝置，其具備：請求項13所述之照明裝置、及作為顯示手段之液晶元件。
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