CN102131842A - 高分子化合物以及利用其的高分子发光元件 - Google Patents

Abstract

一种含有式(I)所示的重复单元的高分子化合物，

式中，X¹和X²相同或相异，表示氧原子、硫原子、-N(R^N)-或-C(R^c1)＝C(R^c2)-；R¹、R²、R³、R⁴、R^N、R^c1、R^c2相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；Ar¹表示2价杂环基。

Description

高分子化合物以及利用其的高分子发光元件

技术领域

本发明涉及高分子化合物以及利用其的高分子发光元件。

背景技术

作为用于高分子元件的材料，正在探讨各种高分子化合物。作为其例子，已知的是，重复单元中含有芴二基和下式所示的2价基团的高分子化合物(参考特表2004-534863号公报)。

发明内容

但是，对于使用上述的高分子化合物制作的高分子发光元件而言，从开始发光的时刻到亮度降低10％为止的寿命(下面，称为“亮度降低10％为止的寿命”)并不是充分的。

本发明的目的在于，提供一种在用于高分子发光元件时“亮度降低10％为止的寿命”长的高分子化合物。

本发明之一在于提供一种含有式(I)所示的重复单元的高分子化合物。

式中，X¹和X²相同或相异，表示氧原子、硫原子、-N(R^N)-或-C(R^c1)＝C(R^c2)-；R¹、R²、R³、R⁴、R^N、R^c1、R^c2相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；Ar¹表示2价杂环基。

本发明之二在于提供一种式(VI)所示的化合物。

式中，X¹和X²相同或相异，表示氧原子、硫原子、-N(R^N)-或-C(R^c1)＝C(R^c2)-；R¹、R²、R³、R⁴、R^N、R^A1、R^A2、R^c1、R^c2相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；Ar¹表示2价杂环基。

本发明之三在于提供一种制造具有后述的式(III)所示的重复单元的高分子化合物的方法，该方法包括在过渡金属化合物的存在下缩聚后述的式(VIII)所示的化合物的步骤。

本发明之四在于提供一种含有上述高分子化合物的组合物。

本发明之五在于提供一种含有上述高分子化合物的薄膜。

本发明之六在于提供一种高分子发光元件，其包括阳极、阴极以及设置于该阳极与该阴极之间且含有上述高分子化合物的有机层。

本发明之七在于提供一种有机晶体管，其包括源电极、漏电极、栅电极以及含有上述高分子化合物的有机层。

本发明之八在于提供一种光电转换元件，其包括阳极、阴极、设置于该阳极与该阴极之间且含有上述高分子化合物的有机层。

具体实施方式

本发明的高分子化合物含有式(I)所示的重复单元。式(I)中，X¹和X²相同或相异，表示氧原子、硫原子、-N(R^N)-或-C(R^c1)＝C(R^c2)-；R¹、R²、R³、R⁴、R^N、R^c1、R^c2相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；Ar¹表示2价杂环基。

作为卤素原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。

烷基可以是直链状也可以是支链状，还可以是环烷基。烷基的碳原子数通常为1～20。作为烷基的例子，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、3-甲基丁基、正戊基、正己基、2-乙基己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、3，7-二甲基辛基、正月桂基等。所述烷基中的氢原子可以被氟原子取代。作为被氟原子取代的烷基，可以举出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。

烷氧基可以是直链状也可以是支链状，还可以是环烷基氧基。烷氧基的碳数通常为1～20。作为烷氧基的例子，可举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基、正壬氧基、正癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、正月桂基氧基。所述烷氧基中的氢原子可以被氟原子取代。作为被氟原子取代的烷氧基，可以举出三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基等。

烷硫基可以是直链状也可以是支链状，还可以是环烷基硫基。烷硫基的碳数通常为1～20。作为烷硫基，可举出甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、正辛硫基、2-乙基己硫基、正壬硫基、正癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、正月桂硫基。所述烷硫基中的氢原子可以被氟原子取代。作为被氟原子取代的烷硫基，可以举出三氟甲硫基等。

芳基是指从芳香烃中除去1个氢原子而残留的原子基团。具有稠环的基团、独立的苯环或稠环中的任意一个或双方的2个以上直接地或者通过1，2-亚乙烯基等结合而成的基团也包括在该芳基中。芳基的碳数通常为6～60，优选为6～48。所述芳基可以具有取代基。作为该取代基，可以举出碳数1～20的直链状、支链状的烷基或碳数3～20的环烷基、其结构中含有该烷基或该环烷基的烷氧基、式(5)所示的基团等。作为芳基的例子，可举出苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基(“C₁～C₁₂”是指碳数为1～12者。下同)、C₁～C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基。作为C₁～C₁₂烷氧基苯基，可举出甲氧基苯基、乙氧基苯基、正丙氧基苯基、异丙氧基苯基、正丁氧基苯基、异丁氧基苯基、仲丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、正戊氧基苯基、正己氧基苯基、环己氧基苯基、正庚氧基苯基、正辛氧基苯基、2-乙基己氧基苯基、正壬氧基苯基、正癸氧基苯基、3，7-二甲基辛氧基苯基、正月桂氧基苯基等。作为C₁～C₁₂烷基苯基，可举出甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、正丙基苯基、

基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、正丁基苯基、异丁基苯基、仲丁基苯基、叔丁基苯基、正戊基苯基、异戊基苯基、正己基苯基、正庚基苯基、正辛基苯基、正壬基苯基、正癸基苯基、正十二烷基苯基等。所述芳基中的氢原子可以被氟原子取代。

(式中，g1表示1～6的整数，h1表示0～5的整数。)

芳氧基的碳数通常为6～60左右，优选为6～48。作为芳氧基的例子，可举出苯氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基。作为C₁～C₁₂烷氧基，可举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基、正壬氧基、正癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、正月桂氧基等。作为C₁～C₁₂烷基苯氧基，可举出甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、正丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、正丁基苯氧基、异丁基苯氧基、仲丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、正戊基苯氧基、异戊基苯氧基、正己基苯氧基、正庚基苯氧基、正辛基苯氧基、正壬基苯氧基、正癸基苯氧基、正十二烷基苯氧基等。

芳硫基可以在芳香环上具有取代基，碳数通常为6～60，作为芳硫基，可举出苯硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯硫基、C₁～C₁₂烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基、吡啶硫基、哒嗪硫基、嘧啶硫基、吡嗪硫基、三嗪硫基。

芳烷基可以具有取代基，碳数通常为7～60。作为芳烷基，可举出苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基。

芳基烷氧基可以具有取代基，碳数通常为7～60。作为芳基烷氧基，可举出苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷氧基。

作为芳基烷硫基，可以具有取代基，碳数通常为7～60。作为芳基烷硫基，可举出苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、1-萘基-C₁～C₁₂烷硫基、2-萘基-C₁～C₁₂烷硫基。

芳基烯基的碳数通常为8～60。作为芳基烯基的例子，可举出苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基、1-萘基-C₂～C₁₂烯基、2-萘基-C₂～C₁₂烯基等，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基。

芳基炔基的碳数通常为8～60。作为芳基炔基的例子，可举出苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基、1-萘基-C₂～C₁₂炔基、2-萘基-C₂～C₁₂炔基，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基。

1价杂环基是指从杂环式化合物中除去1个氢原子而残留下来的原子基团。1价杂环基的碳数通常为4～60，优选4～20。1价杂环基的碳数中不包含取代基的碳数。所述杂环式化合物是指在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅包括碳原子，而且在环内还含有氧、硫、氮、磷、硼、硅等杂原子的化合物。作为1价杂环基的例子，可举出噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基，优选噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基。1价杂环基中优选1价芳香族杂环基。

杂环硫基是指巯基的氢原子被1价杂环基取代后的基团。作为杂环硫基，可以举出吡啶硫基、哒嗪硫基、嘧啶硫基、吡嗪硫基、三嗪硫基等杂芳硫基等。

作为取代氨基，可以举出被选自烷基、芳基、芳烷基和1价杂环基中的1个或者2个基团取代后的氨基，该烷基、芳基、芳烷基以及1价杂环基可以具有取代基。取代氨基的碳数不包含该取代基的碳数，通常为1～60，优选为2～48。作为取代氨基的例子，可举出甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、正丙基氨基、二正丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、正丁基氨基、仲丁基氨基、异丁基氨基、叔丁基氨基、正戊基氨基、正己基氨基、环己基氨基、正庚基氨基、正辛基氨基、2-乙基己基氨基、正壬基氨基、正癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、正月桂基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、环己基氨基、二环己基氨基、吡咯烷基、哌啶基、二(三氟甲基)氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶基氨基、哒嗪基氨基、嘧啶基氨基、吡嗪基氨基、三嗪基氨基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基等。

作为取代甲硅烷基，可以举出被选自烷基、芳基、芳烷基和1价杂环基中的1、2或者3个基团取代了的甲硅烷基。取代甲硅烷基的碳数通常为1～60，优选为3～48。该烷基、芳基、芳烷基和1价杂环基可以具有取代基。作为取代甲硅烷基的例子，可举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三正丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、正戊基二甲基甲硅烷基、正己基二甲基甲硅烷基、正庚基二甲基甲硅烷基、正辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、正壬基二甲基甲硅烷基、正癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、正月桂基二甲基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对-二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基等。

酰基的碳数通常为2～20，优选为2～18。作为酰基的例子，可举出乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基。

酰氧基的碳数通常为2～20，优选为2～18。作为酰氧基的例子，可举出乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基等。

亚氨残基是指从亚胺化合物(即，分子内具有-N＝C-的有机化合物。作为其例子，可举出醛亚胺、酮亚胺、以及它们的分子中与N原子键合的氢原子被烷基等取代而成的化合物等。)中除去1个氢原子而得到的残基。亚氨残基的碳数通常为2～20，优选为2～18。作为亚氨残基的例子，可举出以下结构式所示的基团。

(式中，Me表示甲基，下同。波浪线表示结合键，意味着根据亚氨残基的种类，会存在具有顺式体、反式体等几何异构体的情况。)

酰胺基的碳数通常为2～20，优选为2～18。作为酰胺基的例子，可举出甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二(三氟乙酰胺基)、二(五氟苯甲酰胺基)。

酰亚胺基是指从酰亚胺中除去1个与氮原子键合的氢原子而得到的残基，优选碳数为4～20。作为酰亚胺基的例子，可举出以下所示的基团。

取代羧基可以举出被烷基、芳基、芳烷基或者1价杂环基取代的羧基。所述烷基、芳基、芳烷基以及1价杂环基可以具有取代基。取代羧基的碳数通常为2～60，优选为2～48。取代羧基的碳数中不包含该取代基的碳数。作为该取代羧基的例子，可举出甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、异丙氧基羰基、正丁氧基羰基、异丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、正戊氧基羰基、正己氧基羰基、环己氧基羰基、正庚氧基羰基、正辛氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、正壬氧基羰基、正癸氧基羰基、3，7-二甲基辛氧基羰基、正十二烷氧基羰基、三氟甲氧基羰基、五氟乙氧基羰基、全氟丁氧基羰基、全氟己氧基羰基、全氟辛氧基羰基、苯氧基羰基、萘氧基羰基、吡啶氧基羰基。

从单体容易合成的观点考虑，式(I)中R¹、R²、R³以及R⁴优选为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选氢原子、烷基或芳基，进一步优选氢原子。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从使发光起始电压降低的观点考虑，式(I)中X¹和X²优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

式(I)中Ar¹表示2价杂环基。

2价杂环基是指从杂环式化合物中除去2个氢原子后残留的原子团，该基团可以具有取代基。

杂环式化合物是指在具有环式结构的有机化合物中，构成环的元素不仅包括碳原子，而且在环内还含有氧、硫、氮、磷、硼、砷等杂原子的化合物。2价杂环基中优选2价芳香族杂环基。就取代基的种类而言，从溶解性、荧光特性、合成进行的容易度、做成元件时的特性等观点考虑，优选烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基、硝基。

2价杂环基中除去取代基后的部分的碳数通常为3～60。2价杂环基中包含取代基的总碳数通常为3～100。

作为2价杂环基，可以举出如下的基团。

含有氮原子作为杂原子的2价杂环基：吡啶二基(下式101～106)、二氮杂亚苯基(下式107～110)、喹啉二基(下式111～125)、喹喔啉二基(下式126～130)、吖啶二基(下式131～134)、联二吡啶二基(下式135～137)、菲绕啉二基(下式138～140)、

作为杂原子含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子、硼原子、磷原子等的5元环杂环基(下式141～145)。

作为杂原子含有氧原子、硅原子、氮原子、硒原子等的5元环稠合杂环基(下式146～157)。

作为杂原子含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子等的5元环稠合杂环基在其杂原子的α位上相结合而成为2聚体或低聚物的基团(下式158～159)。

作为杂原子含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子等的5元环稠合杂环基在其杂原子的α位与苯基结合后形成的基团(下式160～166)。

在作为杂原子含有氧原子、氮原子、硫原子、硒原子等的5元环稠合杂环基上，有苯基或呋喃基、噻吩基取代的基团(下式167～172)。

作为杂原子含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子等并且具有与芴类似的结构的基团(下式173～202)。

作为杂原子含有氧原子、硅原子、氮原子、硫原子、硒原子、硼原子、磷原子等的6元环稠合杂环基(下式203～205)。

式101-205中，R表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。多个R可以相同也可以不同。

烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基以及取代羧基的定义和例子等，与上述R¹中它们的定义和例子等相同。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从进一步延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点考虑，式(I)中Ar¹优选为式101～110、126～130、135～145、158～159、173～205，更优选为式126～130、135～137、141～145、158～159。

从单体容易合成的观点考虑，本发明的高分子化合物优选具有式(II)所示的重复单元。

式中，X³和X⁴相同或相异，表示氧原子、硫原子或-N(R^N)-；R⁵、R⁶、R⁷、R⁸相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；X¹、X²、R¹、R²、R³、R⁴、R^N以及Ar¹表示与上述相同的含义。

R⁵、R⁶、R⁷、R⁸所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、取代羧基的定义和例子等，与上述R¹中它们的定义和例子等相同。

从单体容易合成的观点考虑，式(II)中R⁵、R⁶、R⁷、R⁸优选为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选为氢原子、烷基或芳基，进一步优选为氢原子或烷基。

从单体容易合成的观点考虑，式(II)中R¹、R²、R³、R⁴优选为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选为氢原子、烷基或芳基，进一步优选为氢原子。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从使发光起始电压降低的观点考虑，式(II)中X¹和X²优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从进一步延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点考虑，式(II)中X³和X⁴优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从进一步延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点考虑，式(II)所示的重复单元中优选式(III)所示的重复单元。

式中，X⁵表示氧原子、硫原子或-N(R^N)-；R⁹和R¹⁰相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；X¹、X²、X³、X⁴、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸以及R^N表示与上述相同的含义。

R⁹和R¹⁰所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、取代羧基的定义、例子等，与上述R¹中与它们的定义、例子等相同。

从单体容易合成的观点考虑，式(III)中R⁵、R⁶、R⁷、R⁸优选为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选为氢原子、烷基或芳基，进一步优选为氢原子或烷基。

从单体容易合成的观点考虑，式(III)中R¹、R²、R³、R⁴优选为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选为氢原子、烷基或芳基，进一步优选为氢原子。

从单体容易合成的观点考虑，式(III)中R⁹、R¹⁰优选为氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选为氢原子、烷基或芳基，进一步优选为烷基或氢原子。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从使发光起始电压降低的观点考虑，式(III)中X¹和X²优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从进一步延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点考虑，式(III)中X³、X⁴以及X⁵优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

作为式(III)所示的重复单元的例子，可举出式(III-1)～(III-22)所示的重复单元。

作为式(III)所示的重复单元，从热稳定性的观点考虑，优选如式(III-1)～(III-13)、(III-15)～(III-18)、(III-20)所示的重复单元那样对称的，从溶解性的观点考虑，优选如式(III-14)～(III-19)、(III-21)、(III-22)所示的重复单元那样非对称的。

从高分子发光元件的发光效率、元件特性的观点考虑，本发明的高分子化合物中优选还含有式(IV)所示的重复单元。式(IV)所示的重复单元与式(I)所示的重复单元不同。

-(Ar²)-(IV)

式中，Ar²表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺残基。

Ar²所示的亚芳基是指从芳香烃中除去2个氢原子后的原子基团。作为亚芳基，也包括具有稠环的基团、独立的苯环或者2个以上稠环直接键合或者借助1，2-亚乙烯基等键合而成的基团。亚芳基可以具有取代基。关于取代基的种类，从溶解性、荧光特性、合成进行的容易度、做成元件时的特性等观点考虑，优选烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基、硝基。亚芳基中除去取代基后的部分的碳数通常为6～60，优选为6～20。亚芳基中包含取代基的总碳数通常为6～100。

作为Ar²所示的亚芳基，可举出亚苯基(下式1～3)、萘二基(下式4～13)、蒽二基(下式14～19)、联二苯-二基(下式20～25)、联三苯-二基(下式26～28)、芴-二基(下式29～31)、苯并芴-二基(下式32～39)、稠环化合物基团(下式40～53)。

式1～53中，R表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。多个R可以相同也可以不同。

烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、取代氨基、取代甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、1价杂环基以及取代羧基的定义和例子等，与上述R¹中它们的定义和例子等相同。

作为2价芳香族胺残基，可举出式(VII-1)所示的基团等。

式中，Ar⁰、Ar³、Ar⁴以及Ar⁵相同或相异，表示亚芳基或2价杂环基，Ar⁶、Ar⁷以及Ar⁸相同或相异，表示芳基或1价杂环基，x和y相同或相异，表示0～5的整数。Ar³中的碳原子和Ar⁰中的碳原子可以直接键合或者借助氧原子或硫原子键合而形成稠环。当Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶、Ar⁸有多个时，它们可以相同也可以不同。

亚芳基、2价杂环基的定义、例子等，与上述Ar¹中的定义、例子等相同。芳基、1价杂环基的定义、例子等，与上述R¹中的定义、例子等相同。

式(VII-1)中x优选为0～3的整数，更优选0或1。y优选为0～3的整数，更优选为0或1。

作为式(VII-1)所示的重复单元的例子，可以举出式(VII-1-1)～(VII-1-18)所示的重复单元。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从进一步延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点考虑，式(IV)中Ar²优选为亚芳基或2价芳香族胺残基。

将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件时，从进一步延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点考虑，式(IV)中Ar²所示的亚芳基优选为式(V)所示的基团。

式中，R¹²和R¹³相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。R¹¹表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基。多个存在的R¹¹可以相同或相异。

R¹²和R¹³所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基以及取代羧基的定义、例子等，与上述R¹中它们的定义、例子等相同。R¹¹所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基以及取代羧基的定义、例子等，与上述R¹中它们的定义、例子等相同。

从进一步延长使用了本发明的高分子化合物的高分子发光元件的“亮度降低10％为止的寿命”的观点考虑，式(V)中R¹²和R¹³优选为芳基或烷基。

从单体容易合成的观点考虑，式(V)中R¹¹优选为氢原子。

作为式(V)所示的基团的例子，可以举出式(V-1)～(V-12)所示的基团。

对于本发明的高分子化合物而言，从更加延长用于高分子发光元件时的“亮度降低10％为止的寿命”的观点出发，在式(IV)所示的重复单元中，优选含有由亚芳基构成的重复单元和由2价芳香族胺残基构成的重复单元，更优选含有由上述式(V)所示的基团构成的重复单元和由2价芳香族胺残基构成的重复单元。

从元件的寿命特性的观点考虑，本发明的高分子化合物的按聚苯乙烯换算的数均分子量，优选为1×10³～1×10⁸，更优选为1×10³～1×10⁷，进一步优选为1×10⁴～1×10⁷。本发明的高分子化合物的按聚苯乙烯换算的重均分子量，优选为1×10³～1×10⁸，更优选为1×10³～1×10⁷，进一步优选为1×10⁴～1×10⁷。

本发明的高分子化合物可以是交替共聚物、无规共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物，也可以是具有上述这些共聚物的中间结构的高分子，例如带有嵌段型的无规共聚物等。从荧光或磷光的量子收率的观点考虑，与完全的无规共聚物相比，更优选带有嵌段性的无规共聚物、嵌段共聚物或接枝共聚物。本发明的高分子化合物中也包括主链上有分支、末端部为3个以上的化合物或树枝状聚合物。

对于本发明的高分子化合物的末端基团而言，如果有聚合活性基团残留，则做成元件时存在发光特性、寿命降低的可能性，因此可以用稳定基团保护起来。作为高分子化合物的末端基团，优选具有与主链的共轭结构连接的共轭键的基团。例如可以举出借助碳-碳键与芳基或1价杂环基键合的结构，也可以举出特开平9-45478号公报的化10记载的取代基。

作为对于本发明的高分子化合物的良溶剂，可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、

萘满、萘烷、正丁基苯。虽然根据高分子化合物的结构、分子量而异，但通常可以使高分子化合物在这些溶剂中溶解0.1重量％以上。

下面说明本发明的高分子化合物的制造方法。

例如使用Y^a-A-Y^b所示的化合物(单体)作为一个原料，使之缩聚来制造本发明的高分子化合物。

式中，-A-表示式(I)或式(II)所示的重复单元。Y^a或Y^b相同或相异，表示参与缩聚的取代基。

作为参与所述缩聚的取代基，可以举出卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸酯基、由硼酸酯基衍生的基团、锍甲基、鏻甲基、磷酸酯甲基、单卤代甲基、-B(OH)₂、甲酰基、氰基以及乙烯基等。

这里，作为卤素原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。

作为烷基磺酸酯基，可以举出甲磺酸酯基、乙磺酸酯基、三氟甲烷磺酸酯基。

作为芳基磺酸酯基，可以举出苯磺酸酯基、对甲苯磺酸酯基。

作为芳基烷基磺酸酯基，可以举出苄基磺酸酯基等。

作为由硼酸酯基衍生的基团，可以举出以下式所示的基团。

式中，Et表示乙基。

作为锍甲基，可以举出以下式所示的基团。

-CH₂S⁺Me₂X_a ^-、-CH₂S⁺Ph₂X_a ^-、

(式中X_a表示卤素原子，Ph表示苯基，下同。)

作为鏻甲基，可以举出以下式所示的基团。

-CH₂P⁺Ph₃X_a ^-(X_a表示与上述相同的含义。)

作为磷酸酯甲基，可以举出以下式所示的基团。

-CH₂PO(OR’)₂(式中，R’表示烷基、芳基、芳烷基。)

作为单卤代甲基，可以举出氟代甲基、氯代甲基、溴代甲基、碘代甲基。

作为参与聚合的取代基来说，优选的取代基根据聚合反应的种类而不同。例如当聚合反应是例如Yamamoto偶联反应等使用Ni(0)络合物的反应的情况下，优选卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基以及芳烷基磺酸酯基。另外，当聚合反应是Suzuki偶联反应等使用镍催化剂或钯催化剂的反应的情况下，优选烷基磺酸酯基、卤素原子、由硼酸酯基衍生的基团、-B(OH)₂等。

本发明的高分子化合物的制造方法，具体来说可以将作为单体的具有多个参与缩聚的取代基的化合物根据需要溶解于有机溶剂中，例如使用碱或适当的催化剂，在有机溶剂的熔点以上沸点以下的温度下进行聚合来实施。例如可以使用“有机反应(Organic Reactions)”，第14卷、270-490页，John Wiley&Sons，Inc.，1965年；“有机合成(Organic Syntheses)”，合集第6卷(Collective Volume VI)，407-411页，John Wiley&Sons，Inc.，1988年；化学综述(Chem.Rev.)，第95卷，2457页(1995年)；有机金属化学杂志(J.Organomet.Chem.)，第576卷，147页(1999年)；大分子化学大分子论丛(Makromol.Chem.，Macromol.Symp.)，第12卷，229页(1987年)等中记载的公知的方法。

在本发明的高分子化合物的制造方法中，根据参与缩聚的取代基，可以使用公知的缩合反应。例如由对应的单体，利用Suzuki偶联反应聚合的方法、利用Grignard反应聚合的方法、利用Ni(0)络合物聚合的方法、利用FeCl₃等氧化剂聚合的方法、电化学地氧化聚合的方法、利用具有适当的离去基的中间体高分子的分解的方法等。其中由于结构控制容易进行，因此优选利用Suzuki偶联反应聚合的方法、利用Grignard反应聚合的方法以及镍0价络合物来聚合的方法。

本发明的高分子化合物的制造方法中，作为优选的一个方式，优选参与缩聚的取代基相同或相异，是卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸酯基，并且在镍0价络合物的存在下缩聚的制造方法。

作为所述单体，可以举出二卤代化合物、双(烷基磺酸酯)化合物、双(芳基磺酸酯)化合物、双(芳基烷基磺酸酯)化合物、卤素-烷基磺酸酯化合物、卤素-芳基磺酸酯化合物、卤素-芳基烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物以及芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物。通过使用卤素-烷基磺酸酯化合物、卤素-芳基磺酸酯化合物、卤素-芳基烷基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基磺酸酯化合物、烷基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物或芳基磺酸酯-芳基烷基磺酸酯化合物作为所述单体，可以制造序列(sequence)得以控制的高分子化合物。

本发明的高分子化合物的制造方法中，优选的一个方式是：参与缩聚的取代基相同或相异，是卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳烷基磺酸酯基、-B(OH)₂、或由硼酸酯基衍生的基团，并且全部单体所具有的卤素原子、烷基磺酸酯基、芳基磺酸酯基以及芳烷基磺酸酯基的摩尔数的合计(J)，与-B(OH)₂以及由硼酸酯基衍生的基团的摩尔数的合计(K)的比值实质上为1(通常，K/J为0.7～1.2的范围)，且使用镍催化剂或钯催化剂进行缩聚的制造方法。

作为溶剂，虽然根据所用的化合物和反应而不同，但是一般来说为了抑制副反应，所用的溶剂优选充分地实施脱氧处理，在惰性气氛中进行反应。另外，优选同样地进行脱水处理。但是，在Suzuki偶联反应那样的与水的2相体系中的反应的情况下并不受此限制。

作为溶剂，可以举出戊烷、己烷、庚烷、辛烷、环己烷等饱和烃；苯、甲苯、乙基苯、二甲苯等不饱和烃；四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、叔丁醇等醇类；甲酸、乙酸、丙酸等羧酸类；二甲醚、二乙醚、甲基叔丁基醚、四氢呋喃、四氢吡喃、二氧杂环己烷等醚类；三甲胺、三乙胺、N，N，N’，N’-四甲基乙二胺、吡啶等胺类；N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二乙基乙酰胺、N-甲基吗啉氧化物等酰胺类，可以使用单一溶剂或它们的混合溶剂。它们当中，优选烃类、不饱和烃类、醚类，更优选己烷、辛烷、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、二乙醚。

为了进行反应，根据需要添加碱或合适的催化剂。它们可以根据所用的反应选择。该碱或催化剂优选充分地溶解于反应所用的溶剂中的。作为将碱或催化剂混合的方法，可以举出将反应液在氩气或氮气等惰性气氛下搅拌的同时慢慢地添加碱或催化剂的溶液；或者相反地向碱或催化剂的溶液中慢慢地添加反应液的方法。

在将本发明的高分子化合物用于高分子发光元件的情况下，由于其纯度对发光特性等产生影响，因此优选将聚合前的单体用蒸馏、升华精制、重结晶等方法精制后聚合。另外，在聚合后，优选进行再沉淀精制、利用色谱的分离等纯化处理。

本发明的高分子化合物的制造方法中，优选的实施方式是具有式(VIII)所示的重复单元的高分子化合物的制造方法，其包括在过渡金属化合物的存在下，使后述的式(VIII)所示的化合物缩聚的步骤。具体而言可以举出：将后述的式(VIII)所示的化合物、或将后述的式(VIII)所示的化合物和具有参与缩聚的取代基的化合物，利用Suzuki偶联反应进行聚合的方法、利用Grignard反应聚合的方法、利用Yamamoto偶联反应聚合的方法、利用Negishi偶联反应聚合的方法、利用Stille偶联反应聚合的方法、利用Ullmann偶联反应聚合的方法、利用FeCl₃等氧化剂聚合的方法，其中从结构控制的观点考虑，优选利用Suzuki偶联反应聚合的方法、利用Grignard反应聚合的方法以及利用Yamamoto偶联反应聚合的方法。

作为过渡金属化合物，在利用Suzuki偶联反应聚合的方法中可以举出钯化合物、镍化合物，在利用Grignard反应聚合的方法中可以举出镍化合物，在利用Yamamoto偶联反应聚合的方法中可以举出镍化合物。

(化合物)

作为对制造本发明的高分子化合物而有用的化合物，可以举出式(VI)所示的化合物。

式中，X¹和X²相同或相异，表示氧原子、硫原子、-N(R^N)-或-C(R^c1)＝C(R^c2)-；R¹、R²、R³、R⁴、R^N、R^A1、R^A2、R^c1、R^c2相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；Ar¹表示2价杂环基。

R¹、R²、R³、R⁴、R^N、R^c1、R^c2所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、取代羧基的定义、例子等，与上述的定义、例子等相同。Ar¹所示的2价杂环基的定义、例子等与上述的定义、例子等相同。R^A1、R^A2所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、取代羧基的定义、例子等，与上述R¹中它们的定义、例子等相同。

从化合物容易合成的观点考虑，式(VI)中R¹、R²、R³、R⁴优选氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选氢原子、烷基或芳基，进一步优选氢原子。

将使用式(VI)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从使发光起始电压降低的观点考虑，式(VI)中X¹和X²优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

将使用式(VI)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从更加延长用于高分子发光元件时的“亮度降低10％为止的寿命”的观点出发，式(VI)中Ar¹优选为式101～110、126～130、135～145、158～159、173～205所示的基团，更优选为式126～130、135～137、141～145、158～159所示的基团。

作为R^A1、R^A2，优选氢原子、卤素原子、烷基、芳基、1价杂环基，更优选芳基、1价杂环基。

将使用式(VI)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从更加延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点出发，式(VI)所示的化合物优选式(VII)所示的化合物。

式中，X³和X⁴相同或相异，表示氧原子、硫原子或-N(R^N)-；R^A3、R^A4、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；X¹、X²、R¹、R²、R³、R⁴、R^N、Ar¹表示与上述相同的含义。

R⁵、R⁶、R⁷、R⁸所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、取代羧基的定义、例子等，与上述的定义、例子等相同。R^A3、R^A4所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、取代羧基的定义、例子等，与上述R¹中对它们的定义、例子等相同。

从化合物容易合成的观点考虑，式(VII)中R⁵、R⁶、R⁷、R⁸优选氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选氢原子、烷基或芳基，进一步优选氢原子或烷基。

从化合物容易合成的观点考虑，式(VII)中R¹、R²、R³、R⁴优选氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选氢原子、烷基或芳基，进一步优选氢原子。

将使用式(VII)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从使发光起始电压降低的观点考虑，式(VII)中X¹和X²优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

将使用式(VII)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从更加延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点出发，式(VII)中X³和X⁴优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

作为R^A3、R^A4，优选氢原子、卤素原子、烷基、芳基，更优选氢原子、卤素原子。

将使用式(VII)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从更加延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点出发，式(VII)所示的化合物优选为式(VIII)所示的化合物。

式中，X⁵表示氧原子、硫原子或-N(R^N)-；R⁹、R¹⁰、R¹⁴、R¹⁵相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基、硝基或由硼酸酯衍生的基团；X¹、X²、X³、X⁴、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸以及R^N表示与上述相同的含义。

R⁹、R¹⁰所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、取代羧基的定义、例子等，与上述定义、例子等相同。R¹⁴、R¹⁵所示的卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、取代氨基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、取代羧基以及由硼酸酯衍生的基团的定义、例子等，与上述R¹中对它们的定义、例子等相同。

从化合物容易合成的观点考虑，式(VIII)中R⁵、R⁶、R⁷、R⁸优选氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选氢原子、烷基或芳基，进一步优选氢原子或烷基。

从化合物容易合成的观点考虑，式(VIII)中R¹、R²、R³、R⁴优选氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选氢原子、烷基或芳基，进一步优选氢原子。

从化合物容易合成的观点考虑，式(VIII)中R⁹和R¹⁰优选氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基或1价杂环基，更优选氢原子、烷基或芳基，进一步优选烷基或氢原子。

将使用式(VIII)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从使发光起始电压降低的观点考虑，式(VIII)中X¹和X²优选为硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

将使用式(VIII)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从更加延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点出发，式(VIII)中X³和X⁴以及X⁵优选硫原子或-N(R^N)-，更优选为硫原子。

作为R¹⁴、R¹⁵，优选氢原子、卤素原子、烷基、芳基，更优选氢原子、卤素原子。

作为式(VIII)所示的化合物的例子，可以举出式(VIII-1)～(VIII-8)所示的化合物。

式(VIII)所示的化合物例如可以利用如下的方法合成。

(式中，n-Bu表示正丁基，下同)。

在化合物(C-1-1)和正丁基锂己烷溶液的存在下，在四氢呋喃溶剂中，使化合物(C-3)发生作用，可以合成硼酸酯体(C-1-2)。进而在二溴体(C-1-3)和甲苯溶剂中，在钯催化剂和碱的存在下，进行铃木偶联反应，由此可以合成化合物(C-1)。按照同样的操作，由化合物(C-1-1)通过上述的路线可以合成化合物(C-2)。

式中，Ac表示乙酰基，下同。

将上述中得到的化合物(C-1)和二硼酸酯体(C-4)，在甲苯溶剂中，在钯催化剂和碱的存在下，进行铃木偶联反应，由此可以合成化合物(C-5)。

将上述中得到的化合物(C-5)和化合物(C-2)，在甲苯溶剂中，在钯催化剂和碱的存在下进行铃木偶联反应，由此可以得到式(VIII)所示的化合物。

将使用式(VIII)所示的化合物合成的高分子化合物用于高分子发光元件时，从更加延长“亮度降低10％为止的寿命”的观点出发，式(VIII)所示的化合物优选为式(IX)所示的化合物。

式中，R^x和R^y相同或相异，表示卤素原子，X¹、X²、X³、X⁴、X⁵、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰以及R^N表示与上述相同的含义。

式(IX)中，作为R^x和R^y所示的卤素原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子以及碘原子。

(组合物)

本发明的组合物是含有本发明的高分子化合物的组合物，可以举出含有选自空穴输送材料、电子输送材料以及发光材料中的至少1种材料和至少1种本发明的高分子化合物的组合物，以及含有至少2种本发明的高分子化合物的组合物等。

本发明的组合物可以是液状组合物，有用于高分子发光元件等发光元件或有机晶体管的制作中。液状组合物是含有所述高分子化合物和溶剂而形成的。本申请说明书中，“液状组合物”意味着在元件制作时呈液状的组合物，通常在常压(即1个大气压)、25℃下呈液状。液状组合物有时被称为墨液、墨液组合物、溶液等。

液状组合物中除了上述高分子化合物以外，还可以含有低分子发光材料、空穴输送材料、电子输送材料、稳定剂、用于调节粘度和/或表面张力的添加剂、抗氧化剂等。这些任意成分可以单独使用1种也可以并用2种以上。

作为液状组合物中可以含有的低分子荧光材料，例如可以举出萘衍生物、蒽、蒽衍生物、苝、苝衍生物、聚甲炔类色素、呫吨类色素、香豆素类色素、花青类色素、以8-羟基喹啉作为配位基的金属络合物、以8-羟基喹啉衍生物作为配位基的金属络合物，其他的荧光性金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯、四苯基环戊二烯衍生物、四苯基环丁二烯、四苯基环丁二烯衍生物、茋类、含硅芳香族类、噁唑类、含硅芳香族系类、噻唑类、四芳基甲烷系、噻二唑系、吡唑系、间环芳(metacyclophane)系、乙炔系等低分子化合物的荧光性材料。具体地可以举出日本特开昭57-51781号公报、日本特开昭59-194393号公报中所述的材料、公知的材料。

作为液状组合物中可以含有的空穴输送材料，例如可以举出聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或者主链上具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基1，2-亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基1，2-亚乙烯基)及其衍生物。

作为液状组合物中可以含有的电子输送材料，例如可以举出，

二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、联对苯醌(diphenoquinone)衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。

作为液状组合物中可以含有的稳定剂，例如可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。

作为液状混合物中可以含有的、用于调节粘度和/或表面张力的添加剂，例如可以举出用于提高粘度的高分子量的化合物(增粘剂)或贫溶剂、用于降低粘度的低分子量的化合物、用于降低表面张力的表面活性剂。贫溶剂是指溶解于1g溶剂中的本发明的高分子化合物的重量为0.1mg以下的溶剂。

作为所述高分子量的化合物，只要不阻碍发光、电荷输送即可，通常是溶解于液状组合物的溶剂中的化合物。作为高分子量的化合物，可以使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯。所述高分子量化合物的按聚苯乙烯换算的重均分子量优选为50万以上，更优选为100万以上。可以将贫溶剂用作增粘剂。

作为可以在液状混合物中含有的抗氧化剂，只要是不阻碍发光、电荷输送即可，当组合物含有溶剂的情况下，通常是溶解于该溶剂中的化合物。作为抗氧化剂，可以举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。通过使用抗氧化剂，可以改善所述高分子化合物、溶剂的保存稳定性。

当液状组合物含有空穴输送材料的情况下，对于该液状混合物中的空穴输送材料的量而言，如果将除溶剂以外的全部成分作为100重量份，则通常为1～80重量份，优选5～60重量份。当本发明的液状组合物含有电子输送材料的情况下，对于该液状混合物中的电子输送材料的量而言，如果将除溶剂以外的全部成分作为100重量份，则通常为1～80重量份，优选5～60重量份。

在制作高分子发光元件时，在使用该液状组合物来进行成膜时，在涂布该液状组合物之后通过干燥除去溶剂即可，并且混合了电子输送材料或发光材料的情况下，也同样适用相同的方法，因此制造上非常有利。在干燥时，也可在加热到50～150℃左右的状态下进行干燥，也可以减压到10^-3Pa左右来进行干燥。

作为使用了液状组合物的成膜方法，可以采用旋转涂布法、流延法、微型凹版涂布法、凹槽辊涂布法、刮条涂布法、辊涂法、线式刮条涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法。

液状组合物中的溶剂的比例相对于该液状组合物的总重量，通常为1～99.9重量％，优选60～99.9重量％，进一步优选90～99.8重量％。液状组合物的粘度因印刷法而异，优选在25℃下0.5～500mPa·s的范围。当利用喷墨印刷法等使液状组合物经由喷出装置喷出时，为了防止喷出时的堵塞、飞行弯曲，优选粘度在25℃下在0.5～20mPa·s的范围。

作为液状组合物中含有的溶剂，优选能够使该液状组合物中的除该溶剂以外的成分溶解或分散的溶剂。作为该溶剂，可举出氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二烷等醚类溶剂；甲苯、二甲苯、三甲基苯、

等芳香烃类溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪烃类溶剂；丙酮、丁酮、环己酮等酮类溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、苯甲酸甲酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯类溶剂；乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇单乙醚、甘油、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇类溶剂；二甲亚砜等亚砜类溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺类溶剂。这些溶剂可以单独使用一种，也可以将多种组合使用。从粘度、成膜性等的观点考虑，所述溶剂中优选含有1种以上的如下有机溶剂，所述有机溶剂具有含有至少1个以上苯环的结构并且其熔点为0℃以下、沸点为100℃以上。

作为溶剂的种类，从液状组合物中的除溶剂以外的成分对于溶剂的溶解性、成膜时的均匀性、粘度特性等的观点考虑，优选芳香族烃类溶剂、脂肪族烃类溶剂、酯类溶剂、酮类溶剂，更优选甲苯、二甲苯、乙基苯、二乙基苯、三甲基苯、

正丙基苯、异丙基苯、正丁基苯、异丁基苯、仲丁基苯、苯甲醚、乙氧基苯、1-甲基萘、环己烷、环己酮、环己基苯、联环己基、环己烯基环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、苯甲酸甲酯、2-丙基环己酮、2-庚酮、4-庚酮、2-辛酮、2-壬酮、2-癸酮、二环己基酮、二环己基甲基苯甲酸酯，特别优选二甲苯、苯甲醚、

环己基苯、二环己基甲基苯甲酸酯。

液状组合物中含有的溶剂的种类，从成膜性的观点和元件特性等的观点考虑，优选2种以上，更优选2～3种，进一步优选2种。

当液状组合物中含有2种溶剂时，其中的1种溶剂在25℃可以是固体状态。从成膜性的观点考虑，优选1种溶剂的沸点为180℃以上，另外1种溶剂的沸点小于180℃，更优选1种溶剂的沸点为200℃以上，另外1种溶剂的沸点小于180℃。

当液状组合物中含有3种溶剂时，其中的1～2种溶剂在25℃可以是固体状态。从成膜性的观点考虑，优选3种溶剂中的至少1种溶剂的沸点为180℃以上，至少1种溶剂的沸点小于180℃，更优选3种溶剂中的至少1种溶剂的沸点为200℃～300℃，至少1种溶剂的沸点小于180℃。

当液状组合物中含有2种以上的溶剂的情况下，从粘度和成膜性的观点考虑，沸点最高的溶剂为液状组合物所含的总溶剂重量的40～90重量％，更优选50～90重量％，进一步优选65～85重量％。

<用途>

本发明的高分子化合物不仅可以用作发光材料，还可用作薄膜用的材料、有机半导体材料、有机晶体管材料、光学材料、太阳能电池材料、基于掺杂的导电性材料。

对本发明的薄膜进行说明。该薄膜是使用上述高分子化合物形成的。作为薄膜的种类可以举出，发光性薄膜、导电性薄膜、有机半导体薄膜等。

从元件的亮度和发光电压等观点考虑，发光性薄膜的发光的量子收率优选50％以上，更优选60％以上，进一步优选70％以上。

导电性薄膜的表面电阻优选1KΩ/□以下。通过向薄膜中掺杂路易斯酸、离子性化合物等，可以提高电导率。表面电阻更优选100Ω/□以下，进一步优选10Ω/□以下。

有机半导体薄膜的电子迁移率或空穴迁移率中的任一个大的那一个优选10^-5cm²/Vs以上，更优选10^-3cm²/Vs以上，进一步优选10^-1cm²/Vs以上。使用有机半导体薄膜可以制作有机晶体管。具体而言，在形成了SiO₂等绝缘膜和栅电极的Si基板上形成有机半导体薄膜，并用Au等形成源电极和漏电极，由此做成有机晶体管。

下面对本发明的高分子发光元件进行说明。

本发明的高分子发光元件具有阳极、阴极和含有上述高分子化合物并设置在该阳极和该阴极之间的有机层。所述有机层作为发光层、空穴输送层、空穴注入层、电子输送层、电子注入层等发挥作用。在本发明的高分子发光元件中所述有机层优选为发光层。

作为本发明的高分子发光元件，可以举出(1)在阴极和发光层之间设有电子输送层的高分子发光元件，(2)在阳极和发光层之间设有空穴输送层的高分子发光元件，(3)在阴极和发光层之间设有电子输送层，并且在阳极和发光层之间设有空穴输送层的高分子发光元件等。

更具体地，可以举出以下的a)～d)的结构。

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子输送层/阴极

d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

(记号“/”表示各层相邻地层叠。下同。)

发光层为具有发光功能的层，空穴输送层为具有输送空穴的功能的层，电子输送层为具有输送电子的功能的层。将电子输送层和空穴输送层统称为电荷输送层。发光层、空穴输送层、电子输送层相同或相异，可以使用2层以上。

将与发光层相邻的空穴输送层有时称为中间层。

作为发光层的成膜方法，可以举出由溶液成膜的方法。

作为由溶液成膜的方法，可以采用旋转涂布法、流延法、微型凹版涂布法、凹槽辊涂布法、刮条涂布法、辊涂法、线式刮条涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法。

制作高分子发光元件时，在使用本发明的高分子化合物由溶液进行成膜的情况下，在涂布该溶液之后通过干燥除去溶剂即可，并且混合了电子输送材料或发光材料的情况下，也同样可适用相同的方法，因此制造上非常有利。

作为发光层的膜厚，其最佳值根据所用的材料而不同，只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值的条件来选择即可，通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

本发明的高分子发光元件中，在发光层中可以混合使用所述高分子化合物以外的发光材料。本发明的高分子发光元件中，含有上述高分子化合物以外的发光材料的发光层可以与含有上述高分子化合物的层层叠。

作为所述高分子化合物以外的发光材料，可以使用公知的化合物。作为低分子化合物，例如可以举出萘衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、聚甲炔类、呫吨类、香豆素类、花青类等色素类，8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯及其衍生物、四苯基环丁二烯及其衍生物、日本特开昭57-51781号公报、日本特开昭59-194393号公报中记载的化合物等。

当本发明的高分子发光元件具有空穴输送层时，作为使用的空穴输送材料，可举出所述高分子化合物、聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或者主链上具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基1，2-亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基1，2-亚乙烯基)及其衍生物等、特开昭63-70257号公报、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号公报、特开平2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184号公报中记载的化合物等。

其中，作为用于空穴输送层的空穴输送材料，优选聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或者主链上具有芳香胺化合物基的聚硅氧烷衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基1，2-亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基1，2-亚乙烯基)及其衍生物等高分子空穴输送材料，更优选聚乙烯基咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或者主链上具有芳香胺的聚硅氧烷衍生物。低分子的空穴输送材料的情况下优选使之分散于高分子粘合剂中使用。

聚乙烯基咔唑及其衍生物例如由乙烯基单体通过阳离子聚合或自由基聚合来获得。

作为聚硅烷及其衍生物，可以举出chem.Rev第89卷1359页(1989年)、英国特许GB2300196号公开说明书中记载的化合物。关于合成方法，也可以使用其中记载的方法，特别适用的是Kipping法。

对于聚硅氧烷衍生物而言，由于硅氧烷骨架结构几乎不具有空穴输送性，因此适合使用侧链或主链上具有上述低分子空穴输送材料的结构的聚硅氧烷衍生物。特别可以举出侧链或主链上具有空穴输送性的芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。

作为空穴输送层的成膜方法，就低分子空穴输送材料而言，可以举出由与高分子粘合剂的混合溶液成膜的方法。就高分子空穴输送材料而言，可以举出由溶液成膜的方法。

作为用于由溶液成膜的溶剂，使空穴输送材料溶解的溶剂即可。作为该溶剂，可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯类溶剂，四氢呋喃等醚类溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃类溶剂，丙酮、丁酮等酮类溶剂，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯类溶剂。

作为由溶液成膜的方法，可以使用由溶液采用旋转涂布法、流延法、微型凹版涂布法、凹槽辊涂布法、刮条涂布法、辊涂法、线式刮条涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法成膜的方法。

作为混合的高分子粘合剂，优选不会极度阻碍电荷输送的粘合剂，并且适合使用对可见光的吸收不强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可以举出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷。

作为空穴输送层的膜厚，其最佳值根据所用的材料而不同，只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值的条件来选择即可，但必须是至少不会导致发生针孔的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压提高，是不理想的。因此，该空穴输送层的膜厚通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

当本发明的高分子发光元件具有电子输送层时，作为使用的电子输送材料，可举出所述高分子化合物、

二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、联对苯醌(diphenoquinone)衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物、特开昭63-70257号公报、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号公报、特开平2-209988号公报、特开平3-37992号公报、特开平3-152184号公报中记载的化合物等。

其中，优选

二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物，更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-

二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝、聚喹啉。

作为电子输送层的成膜法，就低分子电子输送材料而言，可以举出由粉末的真空蒸镀法、由溶液或熔融状态成膜的方法，就高分子电子输送材料而言，可以举出由溶液或熔融状态成膜的方法。由溶液或熔融状态成膜时，也可以并用高分子粘合剂。

作为由溶液成膜时使用的溶剂，只要是使电子输送材料和/或高分子粘合剂溶解的溶剂即可。作为该溶剂，可以举出氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯类溶剂，四氢呋喃等醚类溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃类溶剂，丙酮、丁酮等酮类溶剂，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯类溶剂。

作为由溶液或熔融状态成膜的方法，可以使用旋转涂布法、流延法、微型凹版涂布法、凹槽辊涂布法、刮条涂布法、辊涂法、线式刮条涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法成膜的方法。

作为混合的高分子粘合剂，优选不会极度阻碍电荷输送的粘合剂，并且适合使用对可见光的吸收不强的粘合剂。作为该高分子粘合剂，可以举出聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对(对亚苯基1，2-亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基1，2-亚乙烯基)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷。

作为电子输送层的膜厚，其最佳值根据所用的材料而不同，只要按照能使驱动电压和发光效率达到适度的值的条件来选择即可，但必须是至少不会导致发生针孔的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压提高，是不理想的。因此，该电子输送层的膜厚通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

在与电极邻接设置的电荷输送层中，具有改善从电极的电荷注入效率的功能并且降低元件的驱动电压的效果的电荷输送层有时特别地称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。

进而，为了提高与电极的密合性及改善从电极的电荷注入，可以与电极邻接设置所述电荷注入层或绝缘层，为了提高界面的密合性及防止混合等，可以在电荷输送层、发光层的界面插入薄的缓冲层。

对于层叠的层的顺序及数量及各层的厚度，可以考虑发光效率及元件寿命做出选择。

本发明中，作为设置了电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的高分子发光元件，可以举出与阴极邻接设置了电荷注入层的高分子发光元件、与阳极邻接设置了电荷注入层的高分子发光元件。

作为设置有电荷注入层的有机电致发光元件，可以举出具有以下的e)～p)的构造的元件。

e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极

f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极

g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极

i)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/发光层/电荷输送层/阴极

l)阳极/发光层/电荷输送层/电荷注入层/阴极

m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷输送层/阴极

o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极

作为电荷注入层的例子，可列举：包含导电性高分子的层；设置在阳极和空穴输送层之间的、包含离子势为阳极材料和空穴输送层所含的空穴输送材料的中间值的材料的层；设置在阴极和电子输送层之间的、包含电子亲和力为阴极材料和电子输送层所含的电子输送材料的中间值的材料的层等。

所述电荷注入层为包含导电性高分子的层时，该导电性高分子的导电率优选为10^-5S/cm～10³S/cm，为了使发光像素间的漏电流较小，更优选为10^-5S/cm～10²S/cm，进一步优选为10^-5S/cm～10¹S/cm。通常为了使该导电性高分子的导电率为10^-5S/cm～10³S/cm，在该导电性高分子中掺杂适量的离子。

对于掺杂的离子的种类，为空穴注入层时为阴离子、为电子注入层时为阳离子。作为阴离子的例子，可以举出聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子，作为阳离子的例子，可以举出锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子。

电荷注入层的膜厚例如为1nm～100nm，优选为2nm～50nm。

作为电荷注入层中使用的材料，根据与电极、邻接的层的材料的关系作出适当的选择即可，可以举出：所述高分子化合物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基1，2-亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基1，2-亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、主链或侧链含有芳香族胺构造的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳。

绝缘层具有使电荷容易注入的功能。该绝缘层的平均厚度通常为0.1～20nm，优选为0.5～10nm，更优选为1～5nm。作为绝缘层的材料，可以举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为设置了绝缘层的高分子发光元件，可以举出与阴极邻接设置了绝缘层的高分子发光元件、与阳极邻接设置了绝缘层的高分子发光元件。

作为设置了绝缘层的高分子发光元件，例如可以举出以下q)～ab)。

q)阳极/绝缘层/发光层/阴极

r)阳极/发光层/绝缘层/阴极

s)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极

t)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极

u)阳极/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极

v)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/绝缘层/阴极

w)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/阴极

x)阳极/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

y)阳极/绝缘层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

z)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极

aa)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

ab)阳极/绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/绝缘层/阴极

形成本发明的高分子发光元件的基板优选在形成电极、形成有机物的层时不变形的。作为基板，例如可以举出：玻璃、塑料、高分子膜、硅等基板。为不透明的基板时，优选相反侧的电极为透明或半透明。

本发明中，通常，阳极及阴极组成的电极的至少一个为透明或半透明，优选阳极侧为透明或半透明。

作为阳极的材料，可以使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等。具体可以使用采用氧化铟、氧化锌、氧化锡及这些氧化物的复合物即铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等导电性材料制作的膜(NESA等)、金、铂、银、铜等。优选ITO、铟·锌·氧化物、氧化锡。作为制作方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀敷法、镀敷法等。作为该阳极，可以使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机透明导电膜。

阳极的厚度可以考虑光的透过性和导电率做出选择，通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进一步优选为50nm～500nm。

为了使电荷注入变得容易，可以在阳极上设置含有酞菁衍生物、导电性高分子、碳等的层，或者是含有金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的层。

作为阴极的材料，优选功函小的材料。作为阴极的材料，可以使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属及这些金属中的2种以上的合金或这些金属中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金、石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金等。可以将阴极形成为2层以上的层叠结构。

阴极的膜厚可以考虑导电率及耐久性做出适当的选择，通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进一步优选为50nm～500nm。

作为阴极的制作方法，可以采用真空蒸镀法、溅射法、热压接金属薄膜的层压法等。在阴极和有机层之间可以设置含导电性高分子的层、或含金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的层，而且在制作阴极之后，可以安装保护该高分子发光元件的保护层。为了长期稳定地使用该高分子发光元件，为了保护元件免受来自外部的损伤，优选安装保护层及/或保护罩。

作为保护层，可以使用树脂、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。作为保护罩，可以使用玻璃板、表面实施了低透水率处理的塑料板等，可优选使用用热固性树脂或光固化树脂将该保护罩与元件基板粘贴在一起进行密闭的方法。如果用隔离件维持空间，则容易防止元件损伤。如果在该空间封入氮或氩等惰性气体，则可以防止阴极氧化，进而在该空间内设置氧化钡等干燥剂，由此可容易地抑制制造工序中吸附的水分损害元件。其中，优选采用任意1个以上的方案。

本发明的高分子发光元件可用于面状光源、段显示装置、点阵显示装置、液晶显示装置(例如背光灯等)等显示装置等中。

为了使用本发明的高分子发光元件获得面状的发光，只要按照使面状的阳极与阴极叠加的方式进行配置即可。另外，为了获得图案状的发光，可以采用在上述面状的发光元件的表面上设置设有图案状窗口的掩模的方法、形成极厚的非发光部的有机物层并作为实际上非发光部分的方法、按照图案状形成阳极或者阴极中的任一方或双方电极的方法。采用其中任一种方法形成图案，并通过按照可使一些电极独立地实现开/关的方式进行配置，获得能够显示数字、文字、简单的符号等的节段式的显示元件。进而，为了形成点矩阵元件，可以使阳极与阴极均形成为条纹状并正交地进行配置。通过采用分别涂布发光色不同的多种高分子化合物的方法、使用滤色片或者荧光转换滤光器的方法，可以进行部分颜色显示、多彩色显示。点矩阵元件可以进行无源驱动，也可以与TFT等组合起来进行有源驱动。这些显示元件可以用作计算机、电视、移动终端、移动电话、车载导航装置、摄像机的取景器等的显示装置。

进而，上述面状的发光元件通常为自发光薄型的，可适合用作液晶显示装置的背光用的面状光源、或面状的照明用光源、光通信用光源、电子照相方式印刷的光源、图像传感器用材料。如果使用挠性基板，则也可用作面状的光源或显示装置。

下面，对作为有机晶体管的一个方式的高分子电场效应晶体管进行说明。

本发明的高分子化合物可用作高分子电场效应晶体管的材料，其中可适合用作活性层。作为高分子电场效应晶体管的结构，通常是，与由高分子构成的活性层相接地设置源电极和漏电极、并夹着与活性层相接的绝缘层设置栅电极即可。

高分子电场效应晶体管通常形成在支撑基板上。作为支撑基板，只要是不损害作为电场效应晶体管的特性即可，例如可以使用玻璃基板、挠性的膜基板、塑料基板。

高分子电场效应晶体管可以按照公知的方法例如特开平5-110069号公报记载的方法制造。

在形成活性层时，使用有机溶剂可溶性的高分子化合物对制造非常有利，因此是优选的。作为使有机溶剂可溶性的高分子化合物溶解于溶剂中形成溶液，并由该溶液形成膜的方法，可以采用旋转涂布法、流延法、微型凹版涂布法、凹槽辊涂布法、刮条涂布法、辊涂法、线式刮条涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、苯胺印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等涂布法。

优选在制作高分子电场效应之后密封而成的密封高分子电场效应晶体管。由此，高分子电场效应晶体管与大气隔断，可抑制高分子电场效应晶体管的特性降低。

作为密封方法，可以举出利用紫外线(UV)固化树脂、热固性树脂、无机SiONx膜等覆盖的方法、利用UV固化树脂、热固性树脂等将玻璃板、膜贴合的方法等。为了有效地实现与大气之间的隔断，优选制作高分子电场效应晶体管之后到密封为止的工序是在不暴露在大气的条件(例如在干燥的氮气氛中、真空中等)下进行。

接着对光电转换元件进行说明。光电转换元件可用于太阳能电池、光传感器等用途中。此处，对作为光电转换元件的一个方式的太阳能电池进行说明。

本发明的高分子化合物可用作太阳能电池的材料，其中可适合用作利用有机半导体和金属之间的界面的肖特基势垒型元件的有机半导体层，利用有机半导体和无机半导体或有机半导体之间的界面的pn异质结型元件的有机半导体层。

此外，可适合用作使施主·受主的接触面积增大的本体异质结型元件中的给电子性高分子、受电子性高分子，此外，适合用作采用高分子·低分子复合体系的太阳能电池例如分散了作为受电子体的芴衍生物的本体异质结型有机光电转换元件的给电子性共轭系高分子(分散支撑体)。将本发明的高分子化合物用于太阳能电池的情况下，可以获得高的转换效率。

作为太阳能电池的结构，例如在pn异质结型元件中设置欧姆型电极即可，例如：在ITO上形成p型半导体层，进而层叠n型半导体，在该n型半导体之上设置欧姆型电极。

太阳能电池通常形成在支撑基板上。作为支撑基板，只要是不损害作为有机光电转换元件的特性即可，例如可以使用玻璃基板、挠性的膜基板、塑料基板。

太阳能电池可以利用公知的方法例如Synth.Met.，102，982(1999)记载的方法或Science，270，1789(1995)记载的方法制造。

实施例

下面，示出实施例来更详细地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。

按聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量是通过尺寸排阻色谱仪(SEC)(岛津制作所制造：LC-10Avp或Waters公司制：PL-GPC2000)求得。

<分析条件A>

在用LC-10Avp测定的情况下，将测定的高分子化合物以约0.5重量％的浓度溶解在四氢呋喃中，取30μL注入到SEC中。SEC的流动相使用四氢呋喃，以0.6mL/分钟的流速流动。色谱柱为TSKgel SuperHM-H(东曹制造)2根和TSKgel SuperH2000(东曹制造)1根串联连接而成的柱子。检测器使用差示折射率检测器(岛津制作所制造、商品名：RID-10A)。

<分析条件B>

在用PL-GPC2000测定的情况下，将高分子化合物以约1重量％的浓度溶解在邻二氯苯中。GPC的流动相使用邻二氯苯，在测定温度140℃下以1mL/分钟的流速流动。色谱柱为PLGEL 10μm MIXED-B(PL laboratory制)3根串联连接而成的柱子。

<实施例1>(化合物M-1的合成)

按照下述反应合成了化合物M-1。

化合物M-1-3的合成

在惰性气氛下，在500mL 4口烧瓶中加入化合物M-1-1(13.46g、80mmol)、四氢呋喃240mL，使用丙酮/干冰冷却至-78℃，进行搅拌。从滴液漏斗加入正丁基锂1.6M己烷溶液(58mL、88mmol)，搅拌1个小时之后，加入化合物M-1-2(44.36g、240mmol)，在-78℃继续搅拌2个小时。然后加水，将四氢呋喃溶液浓缩之后，用甲苯萃取。使用硫酸镁干燥后过滤，浓缩之后用硅胶柱进行精制，得到了化合物M-1-3(18.05g、收率：71％)。将上述操作重复进行2次。

化合物M-1-5的合成

在惰性气氛下，在100ml三口烧瓶中加入化合物M-1-3(29.4g、0.1mol)、化合物M-1-4(29.3g、0.1mol)、氯化三辛基甲基铵(18.34g、商品名：Aliquat(注册商标)336、Aldrich制造)和二氯双(三苯基膦)钯(2.10g、3mmol)，溶解于甲苯700mL中。然后由滴液漏斗加入2M碳酸钠水溶液125mL，在70℃加热搅拌18个小时。反应结束后萃取出有机相，使用硫酸镁干燥后过滤，浓缩之后用硅胶柱进行精制，得到了化合物M-1-5(20.5g、收率：54％)。

化合物M-1-7的合成

在惰性气氛下，在500ml四口烧瓶中加入化合物M-1-5(4.58g、12mmol)、化合物M-1-6(2.10g、6mmol)、氯化三辛基甲基铵(1.09g、商品名：Aliquat(注册商标)336、Aldrich制造)、乙酸钯(68.5mg、0.3mmol)、三(邻甲氧基苯基)膦(285mg、1.0mmol)和甲苯80mL，边搅拌边滴加2M碳酸钠水溶液10mL之后，在105℃加热搅拌2.5个小时。萃取有机层之后用水洗涤，使用硫酸镁干燥有机层，之后过滤，浓缩有机层，然后反复实施氯仿重结晶，得到了化合物M-1-7(3.25g、收率：79％)。

化合物M-1的合成

在惰性气氛下，在1000mL 4口烧瓶中加入化合物M-1-7(3.08g、4.5mmol)，用氯仿450mL溶解。在冰浴中冷却至0℃，从滴液漏斗用30分钟滴加N-溴琥珀酰亚胺(1.52g、9.0mmol)的二甲基甲酰胺溶液30mL。继续搅拌2个小时，加水停止反应。然后，除去水层之后，用稀盐酸水溶液、饱和食盐水、水洗涤，用硫酸镁干燥后过滤，将得到的溶液浓缩。将得到的固体反复用氯仿进行重结晶，得到了化合物M-1(2.51g、66％)。

<实施例2>(高分子化合物P-1)的合成

化合物M-2的合成

按照特表2004-534863号公报记载的方法合成了化合物M-2。也即，将4，7-双(5-溴-4-己基噻吩-2-基)-2，1，3-苯并噻二唑和2-(三丁基甲锡烷基)噻吩溶解于甲苯中，在四(三苯基膦)钯的存在下，加热回流反应18个小时。将反应物冷却至室温，通入硅胶柱中进行过滤。浓缩滤液，由己烷重结晶。将重结晶体溶解于二甲基甲酰胺(以下，称DMF)中，进而滴加N-溴琥珀酰亚胺的DMF溶液，在室温下搅拌1个晚上。过滤生成物，用甲醇和去离子水洗涤。用己烷重结晶，得到了化合物M-2。

高分子化合物P-1的合成

混合2，7-双(1，3，2-二

硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.596g、化合物A-1)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(0.790g、化合物A-2)、化合物M-2(0.095g)、4，7-二溴-2，1，3-苯并噻二唑(0.176g、化合物A-3)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.276g、化合物A-4)、化合物M-1(0.201g)、乙酸钯(1.3mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(8.5mg)、氯化三辛基甲基胺(0.39g、商品名：Aliquat(注册商标)336、Aldrich制)和甲苯(30mL)，将得到的反应溶液加热到105℃。接着，向上述反应溶液中滴加2M碳酸钠水溶液(8.2mL)，使之回流3.5小时后，加入苯基硼酸(39mg)、乙酸钯(1.3mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(8.5mg)，继续回流18个小时，然后，向所述反应溶液中加入1.8M的二乙基二噻氨基甲酸钠水溶液(18mL)，在80℃搅拌3个小时。然后，将反应溶液冷却到25℃之后，用水(40mL)洗涤2次，用3重量％乙酸水溶液(40mL)洗涤2次，用水(40mL)洗涤2次，通入氧化铝柱、硅胶柱，进行精制，得到了甲苯溶液。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(450mL)中，搅拌1个小时之后，将得到的固体过滤使之干燥，得到了高分子化合物P-1。得到的高分子化合物P-1的收量为1.83g。高分子化合物P-1的用<分析条件A>按聚苯乙烯换算的重均分子量为2.6×10⁵，按聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×10⁵。

高分子化合物是P-1按照以下的摩尔比具有如下的重复单元(RA-1、RA-2、RM-2、RA-3、RA-4、RM-1)的高分子化合物(由原料算出的理论值)。

<比较例1>(高分子化合物P-2的合成)

混合2，7-双(1，3，2-二

硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(2.926g、化合物A-1)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(1.689g、化合物A-2)、化合物M-2(0.175g)、4，7-二溴-2，1，3-苯并噻二唑(0.323g、化合物A-3)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.505g、化合物A-4)、乙酸钯(2.5mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(15.5mg)、氯化三辛基甲基胺(0.72g、商品名：Aliquat(注册商标)336、Aldrich制)和甲苯(55mL)，将得到的反应溶液加热到105℃。接着，向上述反应溶液中加入2M碳酸钠水溶液(15mL)，使之回流2小时后，加入苯基硼酸(71mg)、乙酸钯(2.5mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(15.5mg)，继续回流18个小时，然后，向所述反应溶液中加入1.8M的二乙基二噻氨基甲酸钠水溶液(33mL)，在80℃搅拌2个小时。然后，将反应溶液冷却到25℃之后，用水(70mL)洗涤2次，用3重量％乙酸水溶液(70mL)洗涤2次，用水(70mL)洗涤2次，通入氧化铝柱、硅胶柱，进行精制，得到了甲苯溶液。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(850mL)中，搅拌1个小时之后，将得到的固体过滤使之干燥，得到了高分子化合物P-2。得到的高分子化合物P-2的收量为2.92g。高分子化合物P-2的用<分析条件A>按聚苯乙烯换算的重均分子量为1.7×10⁵，按聚苯乙烯换算的数均分子量为8.2×10⁴。

高分子化合物P-2是按照以下的摩尔比具有如下的重复单元(RA-1、RA-2、RM-2、RA-3、RA-4)的高分子化合物(由原料算出的理论值)

<合成例1>(高分子化合物P-3的合成)

在惰性气氛下，混合2，7-双(1，3，2-二

硼烷-2-基)-9，9-二辛基芴(5.20g)、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(4.50g)、乙酸钯(2.2mg)、三(2-甲基苯基)膦(15.1mg)、氯化三辛基甲基胺(商品名：Aliquat(注册商标)336、0.91g、Aldrich制)和甲苯(70mL)，加热到105℃。向该反应溶液中加入2M碳酸钠水溶液(19mL)，使之回流4小时。反应后加入苯基硼酸(121mg)继续回流3个小时，然后，加入二乙基二噻氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌4个小时。冷却后，用水(60mL)洗涤3次，用3重量％乙酸水溶液(60mL)洗涤3次，用水(60mL)洗涤3次，通入氧化铝柱、硅胶柱，进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到甲醇(3L)中，搅拌3个小时之后，将得到的固体过滤使之干燥。得到的高分子化合物P-3的收量为5.25g。高分子化合物P-3的用<分析条件A>按聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×10⁵，按聚苯乙烯换算的重均分子量为2.6×10⁵。

高分子化合物P-3是按照以下的摩尔比具有如下的重复单元的高分子化合物(由原料算出的理论值)。

<实施例3>(高分子发光元件的制作和评价)

高分子发光元件的制作

在利用溅射法以150nm的厚度附着有ITO膜的玻璃基板上，承载聚(3，4)乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(Bayer制造、商品名：BaytronP)的悬浊液，利用旋涂法以约50nm的厚度进行成膜，在热板上以200℃使其干燥10分钟。接着，将高分子化合物P-3以1.5重量％的浓度溶解在二甲苯中，将得到的二甲苯溶液承载在BaytronP的膜上，利用旋涂法成膜后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以180℃干燥60分钟。接着，使基板在氮气气氛下回到室温之后，在基板上滴加二甲苯，以2000rpm旋涂30秒。接着使高分子化合物P-1以1.8重量％的浓度溶解在二甲苯中，利用旋涂法将得到的二甲苯溶液涂布到高分子化合物P-3的膜上面，以约120nm的厚度方式成膜。然后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以130℃干燥1小时。减压到1.0×10^-4Pa以下后，作为阴极，在高分子化合物P-1的膜上蒸镀约5nm钡，接着，在钡层上蒸镀约80nm厚的铝，蒸镀后，通过使用玻璃基板密封，制作高分子发光元件1。元件构成如下。

ITO/BaytronP(约50nm)/高分子化合物P-3(20nm)/高分子化合物P-1(约120nm)/Ba/Al

高分子发光元件的性能

高分子发光元件1的发光波长为713nm，发光起始电压为5.21V，1000cd/m²发光时的电压为7.97V。在初期的发光强度为4mW/cm²的电流密度下，进行恒电流驱动，结果“亮度减少10％为止的寿命”为0.25小时。

<比较例2>(高分子发光元件的制作和评价)

高分子发光元件的制作

在实施例3中代替高分子化合物P-1使用了高分子化合物P-2，除此之外，与实施例3同样地制作了高分子发光元件2。元件的构成如下。

ITO/BaytronP(约50nm)/高分子化合物P-3(20nm)/高分子化合物P-2(约120nm)/Ba/Al

高分子发光元件的性能

高分子发光元件2的发光波长为695nm，发光起始电压为6.01V，1000cd/m²发光时的电压是高电压，为9.41V。在初期的发光强度为4mW/cm²的电流密度下，进行恒电流驱动，结果“亮度减少10％为止的寿命”为0.05小时，为短寿命。

<实施例4>(高分子化合物P-4的合成)

在用氮气置换的50mL三口烧瓶中，分别添加化合物M-10.4272g(0.507mmol)、9，9-二(十二烷基芴)-2，7-二硼酸0.3008g(0.509mmol)、乙酸钯0.1mg(0.001mmol)、三(邻甲氧基)膦1.3mg(0.004mmol)、氯化三辛酰基甲基胺(商品名：Aliquat(注册商标)336、Aldrich制)0.1g、以及预先用氮冒泡了的甲苯9mL，边加热到105℃，边滴加碳酸钠水溶液(2M/L)0.939ml。滴加结束后加热回流5小时，加入苯基硼酸11mg，继续加热回流3个小时。接着，加入N，N-二乙基二硫氨基甲酸钠三水合物0.25g和水，在90℃搅拌5个小时。然后，除去水层，将有机层用热水洗涤3次、用3重量％乙酸洗涤3次、再用热水洗涤3次。向甲醇中滴加有机层，回收沉淀，减压干燥。将得到的固体用丙酮进行索克斯累特萃取之后，回收残留的固体，减压干燥。再溶解于100℃的甲苯中，通入硅胶-氧化铝柱之后，加入到300ml的甲醇中。将析出的沉淀过滤进行回收，减压干燥。得到的高分子化合物P-4的重量为0.38g。用<分析条件B>按聚苯乙烯换算的数均分子量为1.23×10⁴，重均分子量为1.78×10⁴。

高分子化合物P-4是按照以下的摩尔比具有如下的重复单元的高分子化合物(由原料算出的理论值)。

<实施例5>(有机薄膜太阳能电池的制作和评价)

对利用溅射法以150nm的厚度附着有ITO膜的玻璃基板进行臭氧UV处理，以此进行了表面处理。接着，使用高分子化合物P-4和作为芴衍生物的PCBM(苯基C61-丁酸甲酯、Frontier Carbon公司制)的邻二氯苯溶液(高分子化合物P-4/PCBM＝1/3(重量比))，利用旋涂法以膜厚约为100nm的方式进行涂布制作了光活性层。然后，利用真空蒸镀机以厚度4nm蒸镀氟化锂，接着以厚度100nm蒸镀Al。得到的有机薄膜太阳能电池的形状为2mm×2mm的正四方形。对得到的有机薄膜太阳能电池使用太阳能模拟器(分光计器制、商品名OTENTO-SUN I I：AM1.5G滤色器、放射照度100mW/cm²)照射一定的光，测定产生的电流和电压，求出光电转换效率。Jsc(短路电流密度)为3.29mA/cm²，Voc(开路电压)为0.881V，ff(填充因子)为0.325，光电转换效率为0.94％。

产业上的可利用性

对于本发明的高分子化合物而言，由于使用该高分子化合物制作的高分子发光元件的“亮度减少10％为止”的寿命较长，因此可适合用作高分子发光元件用的发光材料，工业上极为有用。

Claims (21)

1.一种高分子化合物，其含有式(I)所示的重复单元，

式中，X¹和X²相同或相异，表示氧原子、硫原子、-N(R^N)-或-C(R^c1)＝C(R^c2)-；R¹、R²、R³、R⁴、R^N、R^c1、R^c2相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；Ar¹表示2价杂环基。

2.根据权利要求1所述的高分子化合物，其含有式(II)所示的重复单元，

式中，X³和X⁴相同或相异，表示氧原子、硫原子或-N(R^N)-；R⁵、R⁶、R⁷和R⁸相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；X¹、X²、R¹、R²、R³、R⁴、R^N和Ar¹表示与上述相同的含义。

3.根据权利要求2所述的高分子化合物，其中式(II)所示的重复单元是式(III)所示的重复单元，

式中，X⁵表示氧原子、硫原子或-N(R^N)-；R⁹和R¹⁰相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基X¹、X²、X³、X⁴、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸以及R^N表示与上述相同的含义。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的高分子化合物，其中X¹和X²是硫原子。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的高分子化合物，其中R¹、R²、R³、R⁴是氢原子。

6.根据权利要求2～5中的任意一项所述的高分子化合物，其中X³和X⁴是硫原子。

7.根据权利要求3～6中的任意一项所述的高分子化合物，其中X⁵是硫原子。

8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的高分子化合物，其中还含有式(IV)所示的重复单元，

-(Ar²)-(IV)

式中，Ar²表示亚芳基、2价杂环基或2价芳香族胺残基。

9.根据权利要求8所述的高分子化合物，其中Ar²所示的亚芳基是式(V)所示的基团，

R¹²和R¹³相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；R¹¹表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；多个存在的R11相同或相异。

10.根据权利要求1～9中的任意一项所述的高分子化合物，其中按聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10³～1×10⁸。

11.一种式(VI)所示的化合物，

式中，X¹和X²相同或相异，表示氧原子、硫原子、-N(R^N)-或-C(R^c1)＝C(R^c2)-；R¹、R²、R³、R⁴、R^N、R^A1、R^A2、R^c1、R^c2相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；Ar¹表示2价杂环基。

12.根据权利要求11所述的化合物，其中式(VI)所示的化合物是式(VII)所示的化合物，

式中，X³和X⁴相同或相异，表示氧原子、硫原子或-N(R^N)-；R^A3、R^A4、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；X¹、X²、R¹、R²、R³、R⁴、R^N、Ar¹表示与上述相同的含义。

13.根据权利要求12所述的化合物，其中式(VII)所示的化合物是式(VIII)所示的化合物，

式中，X⁵表示氧原子、硫原子或-N(R^N)-；R⁹、R¹⁰、R¹⁴、R¹⁵相同或相异，表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、1价杂环基、杂环硫基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、取代甲硅烷基、酰基、酰氧基、亚氨残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、取代羧基、氰基或硝基；X¹、X²、X³、X⁴、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸以及R^N表示与上述相同的含义。

14.根据权利要求13所述的化合物，其中式(VIII)所示的化合物是式(IX)所示的化合物，

式中，R^x和R^y相同或相异，表示卤素原子，X¹、X²、X³、X⁴、X⁵、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰以及R^N表示与上述相同的含义。

15.一种制造具有式(III)所示的重复单元的高分子化合物的方法，包括使式(VIII)所示的化合物在过渡金属化合物的存在下进行缩聚的步骤。

16.一种组合物，其含有权利要求1～10中的任意一项所述的高分子化合物。

17.一种薄膜，其含有权利要求1～10中的任意一项所述的高分子化合物。

18.一种高分子发光元件，其包括阳极、阴极以及设置于该阳极与该阴极之间且含有权利要求1～10中的任意一项所述的高分子化合物的有机层。

19.根据权利要求18所述的高分子发光元件，其中有机层为发光层。

20.一种有机晶体管，其包括源电极、漏电极、栅电极以及含有权利要求1～10中的任意一项所述的高分子化合物的有机层。

21.一种光电转换元件，其包括阳极、阴极以及设置于该阳极与该阴极之间且含有权利要求1～10中的任意一项所述的高分子化合物的有机层。