CN103003358A - 含有高分子化合物的组合物及使用该组合物的发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的为提供一种使用高分子化合物的组合物，其可用于制造具有优良发光效率的蓝色磷光发光元件。本发明所提供的组合物含有高分子化合物以及发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物，所述高分子化合物实质上由选自下述式(1)-1所示的结构单元、下述式(1)-2所示的结构单元、下述式(2)-1所示的结构单元、下述式(2)-2所示的结构单元、及由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元中的结构单元所构成，并至少包含下述式(1)-1所示的结构单元及下述式(1)-2所示的结构单元两者。

Description

含有高分子化合物的组合物及使用该组合物的发光元件
技术领域
本发明涉及一种含高分子化合物的组合物及使用该组合物的发光元件。
背景技术
作为在发光元件的发光层中所使用的发光材料，已知有显示由三重激发态发光的磷光性发光化合物作为掺杂物掺杂在主材料中所构成的组合物。
作为对于绿色磷光性发光化合物的主材料，已知有芴-2，7-二基与在2位及5位具有特定取代基的1，4-亚苯基的共聚物(高分子化合物)(参考专利文献1)。
[以往技术文献]
专利文献
[专利文献1]国际公开第2007/032437号公报
发明内容
(发明要解决的课题)
然而，使用含有显示蓝色发光色的磷光性发光化合物、与相对于该化合物的作为主材料的上述高分子化合物的组合物来制造发光元件时，所得的发光元件的发光效率并不充分。
因此，本发明的目的在于提供一种对于制造发光效率优良的蓝色发光元件有用的组合物。
(解决课题的手段)
〔1〕一种组合物，其含有高分子化合物和发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物：
所述高分子化合物实质上由选自下述式(1)-1所示的结构单元、下述式(1)-2所示的结构单元、下述式(2)-1所示的结构单元及下述式(2)-2所示的结构单元的结构单元所构成，且至少包含下述式(1)-1所示的结构单元及下述式(1)-2所示的结构单元两者。
〔式中，R1表示烷基、芳基、1价芳族杂环基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氰基。高分子化合物中存在的2个以上的R1，可分别相同也可不同。
R2表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基。高分子化合物中存在的2个以上的R2，可分别相同也可不同。
R3表示烷基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基。
R4及R5分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基。高分子化合物中存在2个以上的R4时，R4可分别相同也可不同。高分子化合物中存在的2个以上的R5，可分别相同也可不同。
R6表示氢原子、烷氧基或氟原子。高分子化合物中存在的2个以上的R6，可分别相同也可不同。
R7表示氢原子、烷氧基、芳氧基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氟原子。高分子化合物中存在2个以上的R7时，R7可分别相同也可不同。〕
〔2〕如前述〔1〕项中所述的组合物，其中，前述R1为烷基、芳基或芳烷基。
〔3〕如前述〔1〕或〔2〕项中所述的组合物，其中，前述R2为氢原子。
〔4〕如前述〔1〕至〔3〕中任一项所述的组合物，其中，前述R3为烷基、芳基或芳烷基。
〔5〕如前述〔4〕项中所述的组合物，其中，前述R3为甲基。
〔6〕如前述〔1〕至〔5〕中任一项所述的组合物，其中，前述R5为氢原子。
〔7〕如前述〔1〕至〔6〕中任一项所述的组合物，其中，前述R4为下述式(3)所示的基及/或下述式(4)所示的基。
Figure BDA00002732565200031
〔式中，R8及R9分别独立地表示烷基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基。式(3)中存在的2个R8可互相键合。高分子化合物中存在的2个以上的R8，可分别相同也可不同。式(4)中存在的2个R9可互相键合。该高分子化合物中存在的2个以上的R9，可分别相同也可不同。〕
〔8〕如前述〔1〕至〔7〕中任一项所述的组合物，相对于前述式(1)-1所示的结构单元及前述式(2)-1所示的结构单元的合计摩尔数，前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例为0.1至9.0。
〔9〕如前述〔7〕或〔8〕中所述的组合物，相对于前述式(1)-1所示的结构单元、前述式(2)-1所示的结构单元、前述R4不为前述式(3)所示的基及前述式(4)所示的基任一者的前述式(1)-2所示的结构单元、以及前述R4不为前述式(3)所示的基及前述式(4)所示的基任一者的前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数，前述R4为前述式(3)所示的基的前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元、以及前述R4为前述式(4)所示的基的前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例为0.1至9.0。
〔10〕如前述〔7〕至〔9〕中任一项所述的组合物，相对于前述R4为前述式(4)所示的基的前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数，前述R4为前述式(3)所示的基的前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例为0.1至9.0。
〔11〕如前述〔1〕至〔10〕中任一项所述的组合物，其中，前述(2)-1所示的结构单元彼此之间实质上并不相邻，前述(2)-2所示的结构单元彼此之间实质上不相邻，且前述(2)-1所示的结构单元及前述(2)-2所示的结构单元彼此之间实质上不相邻。
〔12〕如前述〔1〕至〔11〕中任一项所述的组合物，其中，前述磷光性发光化合物为铱络合物。
〔13〕如前述〔12〕项中所述的组合物，其中，前述铱络合物具有氟原子或三氟甲基。
〔14〕如前述〔12〕或〔13〕项中所述的组合物，其中，前述铱络合物具有烷基。
〔15〕如前述〔1〕至〔14〕中任一项所述的组合物，其中，相对于前述高分子化合物的重量，前述磷光性发光化合物的重量比例为0.05至0.5。
〔16〕如前述〔1〕至〔15〕中任一项所述的组合物，还含有发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物。
〔17〕如前述〔16〕项中所述的组合物，其中，含有发光光谱峰为480nm以上且未达580nm的磷光性发光化合物、及580nm以上且未达680nm的磷光性发光化合物。
〔18〕如前述〔1〕至〔17〕中任一项所述的组合物，还含有选自空穴输送材料、电子输送材料、及除磷光性发光材料以外的发光材料中的1种或2种以上的材料。
〔19〕如前述〔18〕项中所述的组合物，其中，前述电子输送材料为具有下述式(5)所示结构的电子输送材料。
Figure BDA00002732565200051
〔式中，
R10表示烷基、芳基、1价芳族杂环基、或芳烷基；所存在的3个R10可互相键合。所存在的3个R10，可相同也可不同。〕
〔20〕一种高分子化合物，实质上由选自下述式(1)-1所示的结构单元、下述式(1)-2所示的结构单元、下述式(2)-1所示的结构单元、下述式(2)-2所示的结构单元、及由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元中的结构单元所构成；且至少包含：下述式(1)-1所示的结构单元、下述式(1)-2所示的结构单元及发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元。
〔式中，
R1表示烷基、芳基、1价芳族杂环基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氰基。高分子化合物中存在的2个以上的R1，可分别相同也可不同。
R2表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基。高分子化合物中存在的2个以上的R2可分别相同也可不同。
R3表示烷基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基。高分子化合物中存在2个以上的R3时，R3可分别相同也可不同。
R4及R5分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基。高分子化合物中存在2个以上的R4时，R4可分别相同也可不同。高分子化合物中存在的2个以上的R5可分别相同也可不同。
R6表示氢原子、烷氧基或氟原子。高分子化合物中存在的2个以上的R6可分别相同也可不同。
R7表示氢原子、烷氧基、芳氧基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氟原子。高分子化合物中存在2个以上的R7时，R7可分别相同也可不同。〕
〔21〕一种液状组合物，其含有前述〔1〕至〔19〕中任一项所述的组合物或前述〔20〕项中所述的高分子化合物，以及溶剂。
〔22〕一种薄膜，其含有前述〔1〕至〔19〕中任一项所述的组合物或如前述〔20〕项中所述的高分子化合物。
〔23〕一种发光元件，具有阳极及阴极、及设置于阳极与阴极之间且含有如上述〔1〕至〔19〕中任一项所述的组合物或如〔20〕项中所述的高分子化合物的层。
〔24〕如前述〔23〕项中所述的发光元件，其中，前述的层为发光层。
〔25〕一种面状光源，具备如上述〔23〕或〔24〕项中所述的发光元件。
〔26〕一种显示设备，具备如上述〔23〕或〔24〕项中所述的发光元件。
(发明的效果)
通过本发明的组合物，可提供发光效率极高的蓝色发光元件。通过本发明组合物的优选实施方式，可提供发光效率极高的白色发光元件。此外，根据本发明，可提供用以制造该发光元件的组合物以及含有该组合物的液状组合物及薄膜。
实施方式
以下，详细说明本发明。
在本说明书中，“结构单元”是指高分子化合物中存在1个以上的单元，优选作为“重复单元”(即在高分子化合物中存在2个以上的单元)而存在于高分子化合物中。“1价芳族杂环基”是指从表现芳族性的杂环化合物中去除1个氢原子后的原子团。
“芳基”是指从芳族烃中去除1个氢原子后的原子团。“C1至C12烷氧基”表示在其后所述的基或化合物的烷氧基部分的碳原子数为1至12。“C1至C12烷基”表示在其后所述的基或化合物的烷基部分的碳原子数为1至12。
在本说明书中，Me表示甲基，Et表示乙基，i-Pr表示异丙基，n-Bu表示正丁基，t-Bu表示叔丁基。
本说明书中，“未取代的”是指在其后所述的基团的氢原子未被取代基取代。在基团前面附有“取代”是指该基团中部分或全部的氢原子被取代基取代。该取代基，除非特别说明，可列举如卤素原子、碳原子数1至30的烃基(hydrocarbyl)及碳原子数1至30的烃氧基，其中优选为卤素原子、碳原子数1至18的烃基及碳原子数1至18的烃氧基，更优选为卤素原子、碳原子数1至12的烃基及碳原子数1至12的烃氧基，再更优选为卤素原子及碳原子数1至12的烃基，特别优选卤素原子及碳原子数1至6的烃基。
本发明的组合物含有：含规定结构单元的高分子化合物、及发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物。以下，依序说明前述的高分子化合物、及磷光性发光化合物。
<高分子化合物>
-取代基的说明-
以下，首先说明本发明组合物中所含的各结构单元中的取代基。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的烷基包括直链、分支及环状的，包括取代烷基及未取代烷基两者。前述烷基的碳原子数通常为1至20。该碳原子数并未包含前述取代的烷基中所具有的取代基的碳原子数。前述取代烷基中所具有的取代基，可列举如氟原子等卤素原子。前述烷基的示例可列举如：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基及全氟辛基。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的芳基包括具有稠环的，包括取代芳基及未取代芳基两者。前述芳基的碳原子数通常为6至60，优选为6至48，更优选为6至20，再更优选为6至14。该碳原子数并未包含前述取代芳基中所具有的取代基的碳原子数。前述取代芳基中所具有的取代基可列举如：烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、取代羧基、氟原子及氰基。
前述芳基以取代苯基或未取代苯基为佳。前述取代苯基中所具有的取代基，以含有烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基及取代氨基中的任一者为佳，以含有烷基、芳基及1价芳族杂环基中的任一者为更佳。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的1价芳族杂环基包括取代的1价芳族杂环基及未取代的1价芳族杂环基两者。前述的1价芳族杂环基的碳原子数通常为2至60，以3至60为佳，以3至20为更佳。该碳原子数并未包含取代的1价芳族杂环基中所具有的取代基的碳原子数。前述1价芳族杂环基的示例可列举如：2-噁二唑基、2-噁噻唑基、2-噻二唑基、2-噻唑基、2-噁唑基、2-噻吩基、2-吡咯基、2-呋喃基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吡唑基、2-嘧啶基、2-三唑基、3-哒嗪基(pyridazinyl)、3-咔唑基、2-吩噁嗪基(phenoxazinyl)、3-吩噁嗪基及2-吩噻嗪基(phenothiazinyl)、3-吩噻嗪基。前述取代的1价芳族杂环基中所具有的取代基的示例可列举如：烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、取代羧基、氟原子及氰基。
前述的1价芳族杂环基优选取代或未取代的2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-吡唑基、2-嘧啶基、2-三唑基或3-哒嗪基。取代的1价芳族杂环基中所具有的取代基优选含有烷基、芳基及1价芳族杂环基中的任一者。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的烷氧基包括直链、分支及环状的，包括取代烷氧基及未取代烷氧基两者。前述烷氧基的碳原子数通常为1至20。该碳原子数中并未包含前述取代烷氧基中所具有的取代基的碳原子数。前述烷氧基的示例可列举如甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁基氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙基氧基及2-乙氧基乙基氧基。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的芳氧基包括取代的芳氧基及未取代的芳氧基两者。前述芳氧基的碳原子数通常为6至60。该碳原子数中并未包含前述取代的芳氧基中所具有的取代基的碳原子数。前述芳氧基的示例可列举如苯氧基、C1至C12烷氧基苯氧基、C1至C12烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基及五氟苯氧基。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的芳烷基包括取代的芳烷基及未取代的芳烷基两者。前述芳烷基的碳原子数通常为7至60。该碳原子数中并未包含前述取代的芳烷基中所具有的取代基的碳原子数。前述芳烷基的示例可列举如：苯基-C1至C12烷基、C1至C12烷氧苯基-C1至C12烷基及C1至C12烷基苯基-C1至C12烷基。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的芳基烷氧基包含取代的芳基烷氧基及未取代的芳基烷氧基两者。前述芳基烷氧基的碳原子数通常为7至60。该碳原子数中并未包含前述取代的芳基烷氧基中所具有的取代基的碳原子数。前述芳基烷氧基的示例可列举如苯基-C1至C12烷氧基、C1至C12烷氧苯基-C1至C12烷氧基及C1至C12烷基苯基-C1至C12烷氧基。
前述式(1)-1、(1)-2及(2)-2中取代氨基的碳原子数通常为2至60。前述取代氨基所具有的取代基可列举如烷基、芳基、芳烷基及1价芳族杂环基。取代氨基包括氨基的取代基彼此间直接键合的，及氨基的取代基彼此间隔着碳原子、氧原子、硫原子等原子键合而形成稠环的。前述取代氨基优选二烷基取代氨基或二芳基取代氨基，更优选二甲氨基、二乙氨基、二苯氨基、二-4-甲苯基氨基、二-4-叔丁基苯基氨基、双(3，5-二-叔丁基苯基)氨基、N-咔唑基、N-吩噁嗪基、N-吖啶基(acridinyl)或N-吩噻嗪基。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的取代羰基的碳原子数通常为2至60。前述取代羰基所具有的取代基，可列举如烷基、芳基、芳烷基及1价芳族杂环基，优选乙酰基、丁酰基或苯甲酰基。
前述式(1)-1、(1)-2、(2)-1及(2)-2中的取代羧基的碳原子数通常为2至60。前述取代羧基中所具有的取代基，可列举如：烷基、芳基、芳烷基及1价芳族杂环基，优选甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基、苯氧基羰基或苯甲氧羰基。
-式(1)-1所示的结构单元及式(2)-1所示的结构单元-
本发明的组合物中所含的高分子化合物包含下式(1)-1所示的结构单元，也可还包含下式(2)-1所示的结构单元。并且，下式(2)-1所示的结构单元与下式(1)-1所示的结构单元不同。
Figure BDA00002732565200111
前述式(1)-1中，R1表示烷基、芳基、1价芳族杂环基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氰基。
前述式(1)-1及前述式(2)-1中，R2表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基。
前述式(1)-1中存在的2个R1，可相同也可不同。该高分子化合物中存在2个以上的R1时，2个以上的R1可相同也可不同。前述式(1)-1及前述式(2)-1中，存在的2个R2，可相同也可不同。高分子化合物中存在2个以上的R2时，2个以上的R2可相同也可不同。
前述式(2)-1中，R6表示氢原子、烷氧基或氟原子。前述式(2)-1中，存在的2个R6可相同也可不同。高分子化合物中存在2个以上的R6时，2个以上的R6可相同也可不同。
前述式(1)-1中，R1为可提高前述高分子化合物的耐热性及对有机溶剂的溶解性的平衡，优选烷基、芳基、1价芳族杂环基、芳氧基、芳烷基或取代氨基，更优选烷基、芳基或芳烷基，更优选烷基，特别优选丙基、异丙基、丁基、仲丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、环己基甲基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基或十二烷基。上述各基中的部分或全部的氢原子也可被氟原子等卤素原子取代。
前述式(1)-1及前述式(2)-1中，由于可提高前述高分子化合物的耐热性、对有机溶剂的溶解性及单体聚合时的反应性，R2优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基，更优选氢原子或烷基，再更优选氢原子。
前述式(2)-1中，由于可提高前述高分子化合物的耐热性、对有机溶剂的溶解性及单体聚合时的反应性，R6优选为氢原子或烷氧基，更优选氢原子。
作为前述式(1)-1所示的结构单元，可列举如下述式(1)-1-001至(1)-1-017及(1)-1-101至(1)-1-105分别所示的结构单元。
Figure BDA00002732565200131
作为前述式(2)-1所示的结构单元，可列举如下述式(2)-1-001至(2)-1-015、(2)-1-101至(2)-1-015分别所示的结构单元。
Figure BDA00002732565200141
前述式(1)-1所示的结构单元及前述式(2)-1所示的结构单元，在前述高分子化合物中可只含有1种也可含有2种以上。
-式(1)-2所示的结构单元及式(2)-2所示的结构单元-
本发明的组合物中所含的高分子化合物，包含下述式(1)-2所示的结构单元，也可还包含下述式(2)-2所示的结构单元。并且，下述式(2)-2所示的结构单元与下述式(1)-2所示的结构单元不同。
Figure BDA00002732565200151
前述式(1)-2中，R3表示烷基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基。高分子化合物中存在2个以上的R3时，2个以上的R3可相同也可不同。
前述式(1)-2及前述式(2)-2中，R4及R5分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基。高分子化合物中存在2个以上的R4时，2个以上的R4可相同也可不同。前述式(1)-2及前述式(2)-2中，存在的2个R5可相同也可不同。高分子化合物中存在2个以上的R5时，2个以上的R5可相同也可不同。
前述式(2)-2中，R7表示氢原子、烷氧基、芳氧基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氟原子。高分子化合物中存在2个以上的R7时，2个以上的R7可相同也可不同。
前述式(1)-2中，R3优选烷基、芳基或芳烷基，由于可提高单体聚合时的反应性，因此优选烷基，更优选甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基，特别优选甲基。
前述式(1)-2及前述式(2)-2中，由于可降低使用本发明的组合物所制成的发光元件的驱动电压，R4优选氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基或取代氨基；更优选未取代的芳基、或由烷基、芳基、1价芳族杂环基或取代氨基所取代的芳基，未取代的1价芳族杂环基、或由烷基、芳基或1价芳族杂环基所取代的1价芳族杂环基，二芳基取代氨基；再更优选1价芳族杂环基或由取代氨基所取代的芳基，未取代的1价芳族杂环基、或由烷基、芳基或1价芳族杂环基所取代的1价芳族杂环基，二芳基取代氨基；特别优选由1价芳族杂环基或取代氨基所取代的苯基，由烷基、芳基或1价芳族杂环基所取代的吡啶基，由烷基、芳基或1价芳族杂环基所取代的吡唑基，由烷基、芳基或1价芳族杂环基所取代的哒嗪基，由烷基、芳基或1价芳族杂环基所取代的嘧啶基，由烷基、芳基或1价芳族杂环基所取代的1，3，5-三嗪-2-基，吡啶基，或二芳基取代氨基。
R4优选下述式(3)所示的基及/或下述式(4)所示的基。
Figure BDA00002732565200161
前述式(3)及前述式(4)中，R8及R9分别独立地表示烷基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基。式(3)中存在的2个R8也可互相键合。高分子化合物中存在2个以上的R8时，可相同也可不同。式(4)中存在的2个R9也可互相键合。高分子化合物中存在2个以上的R9时，可相同也可不同。
前述式(1)-2及(2)-2中，由于可提高单体聚合时的反应性，R5以氢原子、烷基、芳基或1价芳族杂环基为佳，以氢原子为更佳。
前述式(2)-2中，由于可提高单体聚合时的反应性，R7以氢原子、烷氧基、芳氧基或芳基烷氧基为佳，以氢原子为更佳。
作为前述式(1)-2所示的结构单元，可列举如下述式(1)-2-001至(1)-2-017、(1)-2-101至(1)-2-107、(1)-2-201至(1)-2-206分别所示的结构单元。
Figure BDA00002732565200171
作为前述式(2)-2所示的结构单元，可列举如下述式(2)-2-001至(2)-2-019、(2)-2-101至(2)-2-107、(2)-2-201至(2)-2-206分别所示的结构单元。
Figure BDA00002732565200191
Figure BDA00002732565200201
前述式(1)-2及(2)-2所示的结构单元，在前述高分子化合物中，可分别只含有1种也可含有2种以上。
-由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元-
由于可提高发光元件制造中的作业性，前述的高分子化合物也可含有后述由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元。前述的高分子化合物含有由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元时，该高分子化合物也可单独使用于发光元件的制造中。即，该高分子化合物不是与由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物的组合物，而是单独使用于发光元件的制造中。
作为“由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元”，可列举如：具有前述磷光性发光化合物去除1个氢原子后残余的残基作为取代基的亚芳基或2价芳族杂环基；前述磷光性发光化合物去除2个氢原子后残余的残基；前述磷光性发光化合物去除3个氢原子后残余的残基。前述结构单元为前述磷光性发光化合物去除3个氢原子后残余的残基时，前述高分子化合物在该结构单元中成为分支结构。相对于前述高分子化合物的全部结构单元的合计摩尔数，由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元的合计摩尔数的比例通常为0.01至0.3，由于可提高使用本发明的组合物制成的发光元件的发光效率，优选为0.05至0.3，更优选为0.05至0.2，再更优选为0.1至0.2。
-由发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物所衍生的结构单元-
前述高分子化合物可以在含有由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元的同时，再含有由发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物所衍生的结构单元。由此，前述高分子化合物可作为白色发光元件利用。作为“由发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物所衍生的结构单元”，可列举如：具有前述磷光性发光化合物去除1个氢原子后残余的残基作为取代基的亚芳基或2价芳族杂环基；前述磷光性发光化合物去除2个氢原子后残余的残基；前述磷光性发光化合物去除3个氢原子后残余的残基。前述结构单元为前述磷光性发光化合物去除3个氢原子后残余的残基时，前述高分子化合物在该结构单元中成为分支结构。
-高分子化合物中结构单元的比例-
本发明中，作为高分子化合物的示例可列举如以下的化合物EP-1至EP-4。
[表1]
Figure BDA00002732565200221
〔表中，u、v、w、x及y为表示摩尔比率的数值。u+v+w+x+y＝1.0，且1≥u+v+w+x≥0.7。〕
本发明组合物中所含的高分子化合物中，相对于前述式(1)-1所示的结构单元及前述式(2)-1所示的结构单元的合计摩尔数，前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例通常为0.1至9.0，由于可提高单体聚合时的反应性，以0.2至5.0为佳，以0.25至1.0为更佳。
本发明组合物中所含的高分子化合物中，由于可降低由该组合物制成的发光元件的驱动电压，相对于前述式(1)-1所示的结构单元、前述式(2)-1所示的结构单元、前述R4不为前述式(3)所示的基及前述式(4)所示的基任一者的前述式(1)-2所示的结构单元、及前述R4不为前述式(3)所示的基及前述式(4)所示的基任一者的前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数，前述R4为前述式(3)所示的基的前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元、以及前述R4为前述式(4)所示的基的前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例，优选为0.1至9.0，更优选为0.2至1.0，再更优选为0.25至1.0。
本发明组合物中所含的高分子化合物中，由于可降低由该组合物制成的发光元件的驱动电压、提高发光效率，相对于前述R4为前述式(4)所示的基的前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数，前述R4为前述式(3)所示的基的前述式(1)-2所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例优选为0.1至9.0，更优选为0.2至5.0，再更优选为0.5至2.0。
前述式(1)-1所示的结构单元及前述式(1)-2所示的结构单元，只要在前述高分子化合物中分别含有各1种以上即可。
前述式(2)-1所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元为在前述高分子化合物中可含有的任意的结构单元，分别可含有各1种以上。
前述高分子化合物中各结构单元的存在形态并无限定。可以由同一种类的结构单元连续键合，或不同种类的结构单元彼此间也可键合。由于可提高由本发明组合物所制成的发光元件的发光效率，以前述式(2)-1所示的结构单元彼此间在实质上未相邻、前述式(2)-2所示的结构单元彼此间在实质上未相邻，并且前述式(2)-1所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元彼此间在实质上未相邻为佳。在此，所谓“实质上未相邻”是指相对于全部结构单元彼此键合的个数，前述式(2)-1所示的结构单元彼此间相邻键合的个数、前述式(2)-2所示的结构单元彼此间相邻键合的个数、以及前述式(2)-1所示的结构单元及前述式(2)-2所示的结构单元相邻键合的个数的合计的比例未达0.05。
-其他-
本发明的组合物中所含的高分子化合物，可成为线状聚合物、分支聚合物、超支化聚合物(hyperbranched polymer)、环状聚合物、梳形聚合物、星形聚合物、网状聚合物等任意形状的聚合物。此外，前述高分子化合物也可为具有前述的任意形状的均聚物、交替共聚物、周期共聚物、无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等以任意组成及/或具有规则性的聚合物。
本发明的组合物中所含的高分子化合物的末端基为聚合活性基时，在使用该组合物制作发光元件时，由于所得的发光元件的发光效率或亮度寿命有降低的可能性，因此优选稳定的基团。该末端基，以与主链形成共轭键为佳，例如隔着碳-碳键与芳基或1价芳族杂环基键合的。作为此种芳基、1价芳族杂环基，与在前述式(1)-1中R1所示的芳基、1价芳族杂环基的说明中所举的示例相同。
本发明的组合物中所含的高分子化合物以凝胶渗透色谱(以下称为GPC))所测定的换算成聚苯乙烯的数均分子量(Mn)通常为1×103至1×108，以1×104至1×106为佳，以1×104至5×105为更佳。此外，前述高分子化合物的换算成聚苯乙烯的重均分子量(Mw)通常为1×103至1×108，由于可提高成膜性、由本发明的组合物所得的发光元件的发光效率，因此优选1×104至5×106，更优选3×104至1×106，再更优选3×104至5×105。GPC的分析条件，除非特别记载，可例举如在后述的实施例中所示的分析条件。
由于可提高对于制造发光元件等过程的耐久性、对于发光元件的驱动中的发热的稳定性(耐热性)，本发明的组合物中所含的高分子化合物的玻璃转移温度以70℃以上为佳，以100℃以上更佳。
本发明的组合物中所含的高分子化合物的重量比例通常为0.1至0.99，以0.5至0.95为佳，以0.7至0.95为更佳。
<发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物>
本发明的组合物所含的发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物，可列举如发光光谱峰未达480nm且中心金属为铱的磷光性化合物(铱络合物)。
本发明的组合物中所含的发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物，以下述式(101)至(105)所示的化合物为佳。
Figure BDA00002732565200251
〔式(101)至(105)中，X表示碳原子或氮原子。Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及Rg分别独立地表示氢原子、取代或未取代的碳原子数1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数6至60的芳基、取代或未取代的碳原子数2至30的烯基、取代或未取代的碳原子数2至30的炔基、取代或未取代的碳原子数0至30的氨基、取代或未取代的碳原子数1至60的1价杂环基、取代或未取代的碳原子数1至30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数1至30的烷硫基、取代或未取代的碳原子数6至60的芳氧基、取代或未取代的碳原子数6至60的芳硫基、取代或未取代的碳原子数1至60的杂环氧基、取代或未取代的碳原子数1至60的杂环硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、亚胺残基、取代的甲硅烷基、取代的甲硅烷氧基、取代的甲硅烷硫基、取代的甲硅烷氨基、卤素原子、氰基或羧基；Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及Rg的至少1个为烷基。L表示2齿配位基。并且，Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf及Rg之中，相邻基团彼此也可键合形成环结构。n为1至3的整数。n为1时，2个L可相同也可不同。〕
n为1至3的整数，优选为2或3。n为3时，几何异构体有面式(facial)异构体及经向(meridional)异构体，其中以面式异构物为佳。
L所表示的2齿配位基，优选为中性的2齿配位基、及阴离子性的2齿配位基为佳，以阴离子性的2齿配位基，更优选为单阴离子性的2齿配位基。
L与铱原子之间优选为形成金属-氮键合及金属-碳键合的2齿配位基、形成金属-氮键合及金属-氧键合的2齿配位基、形成2个金属-氧键合的2齿配位基、或形成2个金属-氮键合的2齿配位基。
L特别优选下述式(106)至(108)所示的2齿配位基。
Figure BDA00002732565200261
〔式(106)至(108)中，Rh、Ri、Rj、Rk、Rl、Rm、Rn、Ro、Rp、Rq、Rr、Rs、Rt、Ru、Rv、Rw及Rx分别独立地表示氢原子、取代或未取代的碳原子数1至30的烷基、取代或未取代的碳原子数6至60的芳基、取代或未取代的碳原子数2至30的烯基、取代或未取代的碳原子数2至30的炔基、可具有取代基的碳原子数0至30的氨基、取代或者未取代的碳原子数1至60的1价杂环基、取代或未取代的碳原子数1至30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数1至30的烷硫基、可具有取代基的碳原子数6至60的芳氧基、取代或未取代的碳原子数6至60的芳硫基、取代或未取代的碳原子数1至60的杂环氧基、取代或未取代的碳原子数1至60的杂环硫基、酰基、酰氧基、酰胺基、酰亚胺基、亚胺残基、取代的甲硅烷基、取代的甲硅烷氧基、取代的甲硅烷硫基、取代的甲硅烷氨基、卤素原子、氰基、羧基、或三氟甲基。Rh至Rx之中，相邻基团彼此间也可键合形成环结构。〕
从在显示设备的色彩再现性的观点考虑，本发明的组合物中所含的发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物优选发光光谱峰未达475nm的磷光性发光化合物。
发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物优选为美国American Dye Source公司贩卖的Ir-1(商品名：AD S065BE)、Ir-2(商品名：AD S070BE)；日本OHJEC公司贩卖的Ir-3(商品名：LT-N620)；日本特开2004-139819号公报中所公开的Ir-4；WO2004/034751号公报中所公开的Ir-5、Ir-6及Ir-7；日本特开2008-74921号公报中所公开的Ir-8、Ir-9、Ir-10、Ir-11、Ir-12及Ir-13以及磷光性发光化合物A；国际公开第2011/024737号公报中所记载的磷光性发光化合物B至磷光性发光化合物J。
Figure BDA00002732565200281
Figure BDA00002732565200291
Figure BDA00002732565200301
磷光性发光化合物A
Figure BDA00002732565200311
磷光性发光               磷光性发光                 磷光性发光
化合物B                  化合物C                    化合物D
磷光性发光               磷光性发光                磷光性发光
化合物E                  化合物F                   化合物G
Figure BDA00002732565200313
磷光性发光               磷光性发光                  磷光性发光
化合物H                  化合物I                     化合物J
此外，发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物的其他的示例可列举如：发光光谱峰未达480nm且中心金属为铂的磷光性发光化合物。作为该化合物可例举如：美国American DyeSource公司贩卖的Pt-1(商品名：ADS064BE)及日本特开2004-139319号公报中所公开的Pt-2。
Figure BDA00002732565200321
前述磷光性发光化合物的发光光谱峰，例如将该化合物溶于二甲苯、甲苯、氯仿等有机溶剂中，调制成稀溶液后，测定该稀溶液的PL光谱，由此进行评估。
本发明的组合物中所含的前述磷光性发光化合物，以铱络合物为佳。由发光光谱的观点，前述铱络合物以具有氟原子或三氟甲基为佳。此外，由于具有良好的溶解性，前述铱络合物以具有烷基较佳。
相对于前述高分子化合物的重量，本发明的组合物中所含的前述磷光性发光化合物的重量的比例通常为0.05至0.5，由于可提高由该组合物所得的发光元件的发光效率，因此优选0.1至0.4，更优选0.2至0.4。
<发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物>
本发明的组合物中，除了发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物以外，也可再含有发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物(以下也称为“发光材料”)。发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物的例如下所示。
中心金属为铱的化合物(铱络合物)：Ir(ppy)3(例如记载于Appl.Phys.Lett.，(1999)，75(1)，4、及Jpn.J.Appl.Phys.，34，1883(1995))；由美国American Dye Source公司贩卖的ADS066GE(商品名)；Btp2Ir(acac)(例如记载于Appl.Phys.Lett.，(2001)，78(11)，1622)；发光材料P至发光材料U等。
中心金属为铂的化合物(铂络合物)：PtOEP(例如记载于Nature，(1998)，395，151)等。
中心金属为铕的化合物(铕络合物)：Eu(TTA)3phen等。
其中，以铱络合物为佳。
Figure BDA00002732565200331
Figure BDA00002732565200341
本发明的组合物中，通过含有发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物的同时，含有发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物，可调整组合物的发光光谱。其中，由于发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物为在绿色区域具有发光光谱峰的磷光性发光化合物及在红色区域具有发光光谱峰的磷光性发光化合物的组合，所得的组合物可利用于白色发光元件的制作。
前述在绿色区域具有发光光谱峰的磷光性发光化合物，以发光光谱峰为480nm以上且未达580nm的磷光性发光化合物为佳，此外，在红色区域具有发光光谱峰的磷光性发光化合物，以发光光谱峰为580nm以上且未达680nm的磷光性发光化合物为佳。
作为发光光谱峰为480nm以上且未达580nm的磷光性发光化合物，可列举如：前述的Ir(ppy)3、ADS066GE、发光材料P及发光材料U，以发光材料P及发光材料U为佳。发光光谱峰为580nm以上且未达680nm的磷光性发光化合物，可列举如：前述的Btp2Ir(acac)、PtOEP、Eu(TTA)3phen、发光材料Q、发光材料R、发光材料S及发光材料T，以发光材料Q、发光材料R、发光材料S及发光材料T为佳。
由于可使以本发明组合物制成的发光元件发光为白色，且提高其发光效率，因此，相对于前述发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物的重量，前述发光光谱峰为480nm以上未达580nm的磷光性发光化合物、及前述发光光谱峰为580nm以上且未达680nm的磷光性发光化合物的合计重量的比例，优选为0.01至0.3，更优选为0.01至0.2，再更优选为0.03至0.2。
由于可使由本发明组合物所得的发光元件的发光色度为白色，且提高发光效率，因此，相对于前述发光光谱峰为580nm以上且未达680nm的磷光性发光化合物的重量，前述发光光谱峰为480nm以上且未达580nm的磷光性发光化合物的重量的比例，优选为1.0至10.0，更优选为1.0至5.0，再更优选为1.0至3.0。
使由本发明组合物所得的发光元件的发光为白色，例如可藉由与实施例同样的条件测定发光元件的色度并求得色度坐标(CIE色度坐标)而确认。色度坐标的X在0.30至0.55范围、Y在0.30至0.55范围时，可评估为发白色光；色度坐标的X在0.30至0.50范围、Y在0.30至0.50范围时，可评估为发出优良的白色光。
<高分子化合物及磷光性发光化合物以外的成分>
本发明的组合物，作为前述高分子化合物及前述磷光性发光化合物以外的成分，也可再含有选自空穴输送材料、电子输送材料、及除磷光性发光化合物以外的发光材料中的至少1种材料。并且，本发明的组合物中，空穴输送材料、电子输送材料、及除磷光性发光化合物以外的发光材料，分别可使用单独1种也可并用2种以上。
本发明的组合物中，“选自空穴输送材料、电子输送材料、及除磷光性发光化合物以外的发光材料中的至少1种材料”与前述高分子化合物及前述磷光性发光化合物的比例，在以前述高分子化合物及前述磷光性发光化合物的合计为100重量份时，“选自空穴输送材料、电子输送材料及除磷光性发光化合物以外的发光材料中的至少1种材料”的比例，各材料通常为0.01至400重量份，优选0.05至150重量份。
前述空穴输送材料只要为已知作为有机EL元件的空穴输送材料的材料即可。作为前述空穴输送材料，可列举如：聚乙烯咔唑及其衍生物；聚硅烷(polysilane)及其衍生物；侧链及主链上具有芳族胺的聚硅氧烷(polysiloxane)衍生物；吡唑啉(pyrazoline)衍生物；芳胺(arylamine)衍生物；茋(stilbene)衍生物；聚苯胺及其衍生物；聚噻吩及其衍生物；聚芳胺及其衍生物；聚吡咯及其衍生物；聚(对亚苯基亚乙烯基)(Poly(p-phenylenevinylene)及其衍生物；聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)(poly(2，5-thienylene vinylene)及其衍生物。前述空穴输送材料，也可具有亚芳基、2价芳族杂环基作为共聚成分(结构单元)。
前述电子输送材料只要为已知作为有机EL元件的电子输送材料的材料即可。作为前述电子输送材料，可列举如：噁二唑(oxadiazole)衍生物；蒽醌二甲烷(anthraquinone dimethane)及其衍生物；苯醌(benzoquinone)及其衍生物；萘醌(naphthoquinone)及其衍生物；蒽醌及其衍生物；四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物；芴酮(fluorenone)衍生物；二苯基二氰基乙烯(diphenyldicyanoethylene)及其衍生物；联苯醌(diphenoquinone)衍生物；8-羟喹啉(8-hydroxyquinoline)及其衍生物的金属络合物；三芳基三嗪及其衍生物；聚喹啉及其衍生物；聚喹喔啉(polyquinoxaline)及其衍生物；聚芴及其衍生物。前述电子输送材料，也可具有亚芳基、2价芳族杂环基作为共聚成分(结构单元)。
由于可降低由本发明的组合物所得的发光元件的驱动电压，前述电子输送材料优选含有具有下述式(5)所示的结构的电子输送材料。
Figure BDA00002732565200361
式(5)中，R10表示烷基、芳基、1价芳族杂环基、或芳烷基，3个存在的R10也可互相键合。3个存在的R10可相同也可不同。
具有式(5)所示结构的电子输送材料优选下述式所示的ET-A。
Figure BDA00002732565200371
前述发光材料只要为前述磷光性发光化合物以外的发光材料即可，例如可列举荧光发光性化合物。荧光发光性化合物为低分子荧光材料、高分子荧光材料。低分子荧光材料通常在400nm至700nm的波长范围具有荧光发光的极大波峰的材料，其分子量通常未达3000，优选100至2000，更优选100至1000。
前述低分子荧光材料只要为已知的作为有机EL元件的发光材料即可。作为前述低分子荧光材料，可列举如：萘衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、喹吖啶酮(quinacridone)及其衍生物、呫吨(xanthene)系色素、香豆素(coumalin)系色素、花青(cyanine)系色素、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉(pyrazoloquinoline)衍生物、二(苯乙烯基)苯(distyrylbenzene)衍生物、二(苯乙烯基)亚芳基(distyrylarylene)衍生物、吡咯(pyrrole)衍生物、噻吩环化合物、吡啶(pyridine)环化合物、寡聚噻吩衍生物等色素系材料；铝-羟基喹啉(aluminum quinolinol)络合物、苯并羟基喹唑铍(benzoquinolinol berylium)络合物、苯并噁唑(benzoxazolyl)锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基(azomethyl)锌络合物、卟啉(porphyrin)锌络合物、铕络合物等，中心金属中具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土类金属，配位基中含噁二唑、噻二唑(thiadiazole)、苯基吡啶、苯基苯并咪唑(phenyl benzimidazole)、喹啉(quinoline)结构等的金属络合物等金属络合物系材料。
作为前述高分子荧光材料，可列举如：聚(对亚苯基亚乙烯基)衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔(polyacetylene)衍生物、聚芴(polyfluorene)衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、含有上述低分子荧光材料中所例举的色素材料的色素体。
并且，本发明的组合物中，前述高分子化合物等各成分，可单独使用1种也可并用2种以上。
<液状组合物>
本发明的液状组合物中含有本发明的组合物及溶剂。本发明的液状组合物可使用于印刷法等，因此一般称为墨液、墨液组合物等。本发明的液状组合物中所使用的溶剂，也可依照其需要，还含有稳定剂、增稠剂(用以提高粘度的高分子量的化合物)、用以降低粘度的低分子量的化合物、表面活性剂、抗氧化剂、除本发明的高分子化合物以外的高分子量的化合物等。并且，本发明的液状组合物中所含的各成分，分别可使用单独1种也可并用2种以上。
本发明的液状组合物中本发明组合物的比例，当液状组合物总体为100重量份时，通常为0.1重量份至99重量份，以0.5重量份至40重量份为佳，以0.5重量份至20重量份为更佳。
本发明的液状组合物的粘度，可依照本发明的液状组合物所使用的印刷法而调整。该印刷法在以喷墨印刷法等将液状组合物经由喷出装置的印刷法时，为防止喷出时阻塞或路径偏移，25℃的液状组合物的粘度优选为1mPa·s至20mPa·s的范围。
前述增稠剂只要为在本发明的液状组合物所使用的溶剂中为可溶性，且不妨害发光及电荷输送即可。作为增稠剂可使用高分子量的聚苯乙烯、高分子量的聚甲基丙烯酸甲酯等化合物。前述增稠剂的换算成聚苯乙烯的重均分子量，以5×105以上为佳，以1×106以上更佳。
前述抗氧化剂用以提高前述液状组合物的保存稳定性。抗氧化剂只要对与本发明的液状组合物相同的溶剂为可溶性，且不妨害发光及电荷输送即可，例如可列举：酚(phenol)系抗氧化剂及磷系抗氧化剂。
构成本发明的液状组合物的溶剂，以可溶解作为溶质的固形分的溶剂、或该固形分可以均匀地分散的溶剂为佳。作为前述溶剂，可列举如氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯化苯、邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷、苯甲醚(anisole)等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂族烃系溶剂；丙酮、甲基乙基酮、环己酮、二苯甲酮(benzophenone)、苯乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯、苯甲酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶剂；乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙醚、丙三醇、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。
前述溶剂可使用单独1种也可并用2种以上。由于可提高前述液状组合物的成膜性、及由前述液状组合物所得的发光元件的元件特性，以并用2种以上为佳，以并用2至3种为较佳，以并用2种特佳。
本发明的液状组合物中含有2种以上的溶剂时，以其中的1种溶剂在25℃为固体状态者为佳。此外，由于可提高前述液状组合物的成膜性，因此，优选其中的1种溶剂为沸点180℃以上的溶剂，更优选200℃以上的溶剂。此外，由于可使前述液状组合物具有适当的粘度，优选2种溶剂皆可在60℃以1重量％以上的浓度溶解本发明高分子化合物，优选2种溶剂中的1种溶剂可在25℃以1重量％以上的浓度溶解本发明组合物。
本发明的液状组合物中含有2种以上的溶剂时，由于使前述液状组合物可具有适当的粘度、及良好的成膜性，因此，优选沸点最高的溶剂的比例为该液状组合物中的总溶剂重量的40至90重量％，更优选50至90重量％，再更优选65至85重量％。
本发明的液状组合物中，也可还含有重量基准在1ppm至1000ppm范围的水、金属及其盐、硅、磷、氟、氯、溴等。前述金属，可例举如：锂、钠、钙、钾、铁、铜、镍、铝、锌、铬、锰、钴、铂及铱。
<薄膜>
本发明的薄膜含有本发明的组合物，是发光性薄膜、导电性薄膜。
本发明的薄膜，可通过旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版印刷法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、毛细管涂布法、喷嘴涂布法等方法制作。
使用本发明的液状组合物制作薄膜时，根据该液状组合物中所含高分子化合物的玻璃转移温度而不同，一般在100℃以上的温度(如130℃、160℃)烘烤制得。
由于可提高元件的亮度及发光电压，前述薄膜的发光量子收率优选为30％以上，更优选为40％以上，再更优选为50％以上，特别优选60％以上。
前述薄膜的表面电阻优选为以1KΩ/□以下，更优选为100Ω/□以下，更优选为10Ω/□以下。可通过在薄膜上掺入路易斯酸、离子性化合物等，来提高导电度。
<发光元件>
本发明的发光元件是具有阳极及阴极、以及设置在阳极及阴极之间的含有本发明组合物的层的发光元件。
本发明的发光元件，在阳极及阴极之间，具有作为发光层的功能层(以下，简称为“发光层”)。阳极及阴极之间，不限于该发光层也可具有其他的层(例如：空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、电子注入层、电子输送层、空穴阻挡层)。阳极及阴极间的各层，可由1层形成也可由2层以上形成。此外，构成各层的材料/化合物，可使用单独1种也可并用2种以上。本发明的发光元件中，前述各层为2层以上时，只要至少1层含有前述组合物者即可，也可在2层以上含有前述组合物。此外，含有前述组合物的层，通常作为上述任一层发挥功能，通常可作为发光层、空穴输送层、电子阻挡层的功能，作为发光层的功能更佳。
作为设置于前述阳极与发光层之间的层，可列举如空穴注入层、空穴输送层及电子阻挡层。设置于前述阳极与发光层之间的层为1层时，该层为空穴注入层，设置于前述阳极与发光层之间的层为2层以上时，邻接于阳极的层为空穴注入层，此外的层为空穴输送层。前述空穴注入层是具有改善自阳极的空穴注入效率的功能的层。前述空穴输送层是具有改善自空穴注入层或比阳极更近的层的空穴注入效率的功能的层。空穴注入层或空穴输送层具有阻止电子输送的功能时，该层也可称为电子阻挡层。对于具有阻止电子输送的功能而言，可以制造仅流通电子电流的元件，再由其电流值的减少确认阻止效果。
作为设置在前述阴极与发光层之间的层，可列举如：电子注入层、电子输送层及空穴阻挡层。设置在前述阴极与发光层之间的层只有1层时，该层为电子注入层；在前述阴极与发光层之间设置2层以上时，邻接于阴极的层为电子注入层，此外的层为电子输送层。前述电子注入层为具有改善自阴极的电子注入效率的功能的层。前述电子输送层为具有改善自电子注入层或比阴极更近的层的电子注入功能的层。电子注入层或电子输送层具有阻止空穴输送的功能时，该层也可称为空穴阻挡层。对于具有阻止空穴输送的功能而言，可通过制造仅流通空穴(hole)电流的元件，再由其电流值的减少确认阻止效果。
本发明的发光元件的结构，可列举如以下的a)至d)所示的结构。
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴输送层/发光层/阴极
c)阳极/发光层/电子输送层/阴极
d)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
(在此，/表示各层为相邻而层叠。以下也相同。)
相邻电极而设置的空穴输送层及电子输送层中，具有改善自电极的电荷(空穴/电子)注入效率的功能，具有降低发光元件的驱动电压的效果的，也称为电荷注入层(空穴注入层/电子注入层)。
再者，为了提升与电极的密接性及改善自电极的电荷注入，邻接于电极也可设置前述电荷注入层或绝缘层。此外，为了提高与界面的密接性及防止混合等，也可在前述电荷输送层及发光层的界面插入薄的缓冲层。层叠在电极间的层的顺序及数目、及各层的厚度，可依照发光元件的发光效率及元件寿命加以调整。
作为设置有电荷注入层的本发明的发光元件的结构，可列举如以下的e)至p)的结构。
e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极
f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极
g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极
h)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极
i)阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极
j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极
k)阳极/电荷注入层/发光层/电荷输送层/阴极
l)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷输送层/阴极
o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极
本发明的发光元件，通常使用基板而形成。在基板的一侧的面形成电极，在另一面形成元件的各层。上述的基板，可例举如：玻璃、塑料、硅等材质的基板、高分子薄膜的基板。
本发明的发光元件中所含的阳极及阴极，通常为透明或半透明，优选阳极为透明或半透明。
阳极通常为透明或半透明，由导电度高的金属氧化物、金属硫化物及金属的薄膜所构成，其中优选由透光率高的材料构成。前述阳极的材料，可例举如氧化铟、氧化锌、氧化锡、铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等导电性无机化合物；金、铂、银、铜等金属；聚苯胺及其衍生物；聚噻吩及其衍生物，其中以ITO、铟·锌·氧化物或氧化锡较佳。前述导电性无机化合物作为NESA膜构成阳极。此外，聚苯胺及其衍生物或聚噻吩及其衍生物可构成有机透明导电膜。
前述阳极的制作中可以使用真空蒸镀法、溅镀法、离子镀覆法、电镀法等方法。
对于阳极的厚度而言，可考虑透光性及导电度而选择，通常为10nm至10μm，以20nm至1μm为佳，以40nm至500nm更佳。
空穴注入层中所使用的材料，可例举如：苯胺系化合物、星爆型胺系化合物、酞菁(phthalocyanine)系化合物；氧化钒、氧化钼、氧化钌、氧化铝等氧化物；非晶形碳、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、及其他导电性高分子。
空穴注入层中所使用的材料为导电性高分子时，为了提高该导电性高分子的导电度，必要时也可掺杂聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等阴离子。
作为空穴输送层中所使用的材料，可列举如在说明前述空穴输送材料中所例举者。空穴输送层中所使用的材料为低分子化合物时，优选分散于高分子粘合剂中使用。
本发明的发光元件中，含有本发明组合物的层为空穴输送层时，本发明组合物中所含的高分子化合物优选含有作为该高分子化合物的结构单元及/或取代基的空穴输送性基(例如取代氨基、噻吩基等)。
作为空穴输送层中所使用的材料，除了聚乙烯咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链中具有芳胺的聚硅氧烷衍生物、聚芳胺及其衍生物之外，优选本发明的组合物。
对于空穴输送层的形成方法而言，在前述空穴输送层中所使用的材料为低分子化合物时，列举该由低分子化合物与高分子粘合剂的混合溶液成膜，在为高分子化合物时，列举由该高分子化合物的溶液成膜。
由溶液成膜时所使用的溶剂，只要为可溶解空穴输送层中所使用的材料的即可。作为该溶剂，可列举如氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；甲苯、二甲苯等芳族烃系溶剂；丙酮、甲基乙基酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂醋酸酯等酯系溶剂。
由溶液成膜，可藉由旋涂法、浇铸法、微凹版涂布法、凹版印刷法、棒涂法、辊涂法、丝棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法等成膜法制作。
前述高分子粘合剂，以不极度妨害电荷输送者为佳。此外，前述高分子粘合剂，又以对可见光的吸收不强者为佳。作为前述高分子粘合剂，可列举如聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯及聚硅氧烷。
对于空穴输送层的厚度而言，考虑发光元件的驱动电压及发光效率加以调整即可，以没有发生小孔可能的厚度为佳。当厚度过厚时，会使发光元件的驱动电压升高。因此，空穴输送层的厚度，通常为1nm至1μm，以2nm至500nm为佳，以5nm至200nm更佳。
发光层通常为发出荧光或磷光的有机化合物(低分子化合物、高分子化合物)，必要时与辅助它们的掺杂剂所形成。本发明的发光元件中的发光层优选含有本发明的组合物。前述发光层中含有本发明的组合物时，可在含有该组合物同时含有前述磷光性发光化合物以外的发光材料。该发光材料为低分子化合物时，优选分散于高分子粘合剂中使用。
发光层中为了提高发光元件的发光效率，或使发光元件的发光波长变化，也可添加掺杂剂。作为掺杂剂，可列举如：蒽衍生物、苝衍生物、香豆素衍生物、红萤烯(rubrene)衍生物、喹吖啶酮衍生物、方鎓(squarylium)衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯系色素、并四苯(tetracene)衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、十环烯(decacyclene)及吩噁酮(phenoxazone)。
发光层的厚度，可考虑发光元件的驱动电压及发光效率而选择，通常为2nm至200nm。
发光层的形成中可使用：将含有发光层中所使用的材料的溶液在基体上或其上方涂布的方法、真空蒸镀涂布法、转印法等方法。前述溶液的调制中所使用的溶剂与在由空穴输送层的溶液成膜一项的说明中所例举示例相同。将含有发光材料的溶液在基体上或其上方涂布的方法，可列举如：旋涂法、浸涂法、喷墨法、柔版印刷法、凹版印刷法、狭缝涂布法等印刷法。发光材料为升华性的低分子化合物时，以使用真空蒸镀涂布法为佳。前述转印法是通过利用激光的转印及热转印，在指定的位置上形成发光层的方法。
电子输送层中可使用的材料，可列举如本发明的组合物及前述电子输送材料。
本发明的组合物使用在电子输送层时，本发明的组合物中所含的高分子化合物优选含有作为该高分子化合物的结构单元及/或取代基的电子输送性基(噁二唑基、噁噻二唑基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、三唑基等)。
电子输送层中所使用的材料，以本发明的组合物、噁二唑衍生物、苯醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、8-羟喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹噁啉及其衍生物、聚芴及其衍生物为佳。
作为电子输送层的形成方法，在前述电子输送层中使用的材料为低分子化合物时，可列举如：由粉末的真空蒸镀涂布法、及由溶液或熔融状态成膜的方法；在前述电子输送层中使用的材料为高分子化合物时，可列举如：由溶液或熔融状态成膜的方法。由溶液或熔融状态成膜时，也可并用高分子粘合剂。由溶液成膜与由前述溶液成膜形成空穴输送层的方法相同。
电子输送层的厚度，可考虑发光元件的驱动电压及发光效率而调整，优选没有产生小孔可能的厚度。当过厚时，发光元件的驱动电压可能升高。因此，电子输送层的厚度，通常为1nm至1μm，以2nm至500nm为佳，以5nm至200nm为更佳。
作为电子注入层，可列举如由Ca单层结构所成的电子注入层；由周期表IA族及IIA族中所选择(但Ca除外)且其功函数为1.5至3.0eV的金属、该金属的氧化物、该金属的卤化物、及该金属的碳酸化物之中所选择的1种或2种以上所形成的层、与Ca层的层叠结构所形成的电子注入层；可依照发光层的种类而适当它们中的任一种。功函数为1.5至3.0eV的周期表IA族的金属、该金属的氧化物、该金属的卤化物、及该金属的碳酸化物的示例可列举如：锂、氟化锂、氧化钠、氧化锂及碳酸锂。此外，功函数为1.5至3.0eV的Ca除外的周期表IIA族的金属、该金属的氧化物、该金属的卤化物及该金属的碳酸化物的示例可列举如锶、氧化镁、氟化镁、氟化锶、氟化钡、氧化锶及碳酸镁。
电子注入层的形成方法，可例举如蒸镀法、溅镀法及印刷法。电子注入层的厚度，优选1nm至1μm。
阴极的材料，以功函数小而对发光层电子注入容易的材料为佳。可列举如锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属；上述金属中的2种以上的合金；上述金属及合金中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金；石墨及石墨层间化合物。前述合金的示例可列举如：镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金。
前述阴极也可为2层以上的层叠结构。该层叠结构优选由前述金属、前述金属的金属氧化物、前述金属的金属氟化物、及这些合金中所选择的1或2层以上与铝、银、铬等金属层的层叠结构。
前述阴极的厚度，可考虑导电度及耐久性而选择，通常为10nm至10μm，优选为20nm至1μm，更优选为50nm至500nm。
前述阴极的制作，可使用真空蒸镀法、溅镀法、将金属薄膜热压着的层叠法等方法。制作阴极后，在发光元件周围的部分或全部中，也可装设保护层及/或保护罩。为了使发光元件长期稳定地使用，以由外部保护该发光元件为佳，更优选为在该发光元件上装设保护层及/或保护罩。
保护层的示例可列举如由高分子量的化合物、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等材料所形成的层。保护层例如可装设在阴极端。保护罩的示例可列举如金属板、玻璃板及表面经低透水率处理的塑料板。保护罩装设方法的示例可列举如：将保护罩以热固化树脂及光固化树脂贴合于元件基板而密封的方法。若以间隔层维持空间时，可容易地防止发光元件受损伤。该空间中，也可封入氮、氩等不活性气体、及设置氧化钡等干燥剂，较佳为实施其中的任一者。通过封入不活性气体，则可防止阴极的氧化。此外，通过设置干燥剂，可容易地抑制在制造步骤中吸附的水分或穿透固化树脂渗入的微量水分引起的发光元件的损伤。
本发明的发光元件，可使用作为面状光源、显示设备(区段显示设备、点矩阵显示设备)、液晶显示设备的背光源等。为了获得使用本发明发光元件的面状发光，将面状的阳极及阴极以重叠方式配置即可。此外，作为得到图形(pattern)状发光的方法，可列举如：在前述面状发光元件的表面设置形成有图形状的窗的掩模的方法；使非发光部份的层形成极厚而实质上不发光的方法；使阳极或阴极的一者或两者的电极形成图形状的方法。以这些中的任一方法形成图形后，通过将若干个电极配置成可独立开/关时，可制成可显示数字及文字、简单的记号等的区段型显示设备。再者，为了成为点矩阵型显示设备，在制造发光元件时使阳极及阴极同时形成为条纹状并以互相垂直的方式配置。通过以分别涂布多种发光色不同的高分子化合物的方法、及使用滤色器或荧光转换滤光器的方法，可部分色彩显示、多色彩显示。点矩阵型显示设备可被动驱动，也可与TFT等组合主动驱动。前述显示设备，可用于计算机、电视、行动终端、移动电话、汽车导航系统、数字录像机的显示屏的作为显示设备。再者，前述面状光源，作为自发光薄型面状光源，可适于作为液晶显示设备的背光源用的面状光源、面状的照明用光源等。此外，使用挠性基板所得的本发明发光元件，也可作为曲面状的光源及显示设备使用。
〔实施例〕
以下，列举实施例详细说明本发明，然而本发明并不限定于此。
数均分子量及重均分子量是通过分子筛渗透色谱(SEC)作为换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量而求得的。SEC中移动相为有机溶剂时，称为胶体渗透层析(GPC)。并且，使用作为该GPC的分析条件显示下述分析条件的方法。
〔分析条件〕
将测定试样，以约0.05重量％的浓度溶于四氢呋喃中，注入10μ1于GPC(岛津制作所制造，商品名：LC-10Avp)中。GPC的移动相为以2.0ml/分钟的流量流动四氢呋喃。柱使用PLgelMIXED-B(Polymer Laboratories公司制造)。检测器使用UV-VIS检测器(岛津制作所制造，商品名：SPD-10Avp)。
LC-MS的测定以下述方法进行。先将测定试样以约2mg/ml浓度溶于氯仿或四氢呋喃中，再以1μl注入LC-MS(Agilent科技制造，商品名：1100LCMSD)中。LC-MS的移动相使用离子交换水、乙腈、四氢呋喃及它们的混合溶液，必要时添加乙酸。柱使用L-column 2ODS(3μm)(化学物质评价研究机构制造，内径：2.1mm，长度：100mm，粒径3μm)。
TLC-MS的测定以下述方法进行。先将测定试样溶于氯仿、甲苯或四氢呋喃中，将所得的溶液于预先切断的TLC玻璃板(Merck制造，商品名：Silica gel 60F254)的表面少量涂布。再将其以TLC-MS(日本电子制造，商品名：JMS-T100TD)，使用加热成240℃至350℃的氦气测定。
NMR的测定除特别记载外为先将5至20mg的测定试样溶解于约0.5ml的氘代氯仿，使用NMR(Varian，Inc.制造，商品名：MERCURY 300)进行测定。
实施例中，磷光性发光化合物的发光光谱峰的评估除特别记载以下述的方法进行。将磷光性发光化合物溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。此时，以将固形分的浓度为0.0008重量％的方式制备溶液。对该溶液使用荧光分光光度计(日本分光公司制造，商品名：FP-6500)，以350nm的波长激发，测定该溶液的PL光谱，评估其发光光谱峰。
实施例中，发光元件的发光效率、电压及发光色度的测定，使用东京System开发公司制造的OLED TEST SYSTEM进行。
<合成例1>(化合物M-1的合成)
Figure BDA00002732565200491
在四口烧瓶中，加入8.08g的1，4-二己基-2，5-二溴苯、12.19g的双(频那酸酯)二硼烷(ビス(ピナコレ一ト)ジボロン)、及11.78g的乙酸钾，以氩气取代烧瓶内的气体。之后，再加入100ml的脱水1，4-二噁烷，并以氩气脱气。再于其中加入0.98g的〔1，1′-双(联苯基膦)二茂铁〕二氯钯(II)(Pd(dppf)2Cl2)，再以氩气脱气。所得的混合液加热回流6小时。该反应液中，加入甲苯，并以离子交换水洗净。于洗净的有机层中，加入无水硫酸钠及活性炭，之后以预涂有硅藻土的漏斗过滤。该滤液再经浓缩，即可制成11.94g的焦茶色结晶。该结晶以正己烷重结晶，并以甲醇洗净结晶。所得的结晶经减压干燥后，即可制成4.23g的化合物M-1的白色针状结晶。其收率为42％。
化合物M-1的1H-NMR分析及LC-MS分析的结果，分别如下所示。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)：δ(ppm)＝0.88(t，6H)，1.23-1.40(m，36H)，1.47-1.56(m，4H)，2.81(t，4H)，7.52(s，2H)
LC-MS(ESI，阳性)m/z+＝573〔M+K〕+
<合成例2>(化合物M-2的合成)
Figure BDA00002732565200501
作为化合物M-2使用将市售的1，4-二溴-2，5-二甲苯通过重结晶进行精制，再减压干燥，HPLC面积百分率的值为99.5％以上的。
<合成例3>(化合物M-3的合成)
Figure BDA00002732565200502
先在氩气环境，在附有Dean-Stark脱水装置的烧瓶中，混合3，5-二溴-4-甲基苯胺(5.30g，20.0mmol)、氯化铜(I)(0.99g，10mmol)、1，10-菲咯啉(phenanthroline)(1.80g，10mmol)、氢氧化钾(8.98g，160mmol)、4-叔丁基碘化苯(16.1g，62mmol)及脱水甲苯(40ml)，一面在130℃油浴加热一面搅拌回流反应8小时进行脱水。之后以甲苯稀释，冷却至室温后，将溶液通过覆有硅藻土的漏斗，滤除不溶物。于该滤液中加入活性白土(和光纯药公司制造)，在室温搅拌1小时后过滤其中的固体，并重复操作3次后浓缩滤液，再于其中加入己烷使固体析出，并加以过滤。所得的固体再以甲苯-甲醇重结晶，之后以甲苯-甲醇重结晶，接着以中压硅胶柱色谱(己烷)精制后，再次以甲苯-甲醇重结晶，即可得到作为目标物的化合物M-3(5.70g，HPLC面积百分率(紫外线波长254nm)为＞99.9％，收率为54％)的白色结晶。
化合物M-3的1H-NMR分析的结果如下所示。
1H-NMR(300MHz，THF-d8)：δ(ppm)＝1.33(s，18H)，2.49(s，3H)，7.01(d，4H)，7.16(s，2H)，7.36(d，4H)
<合成例4>(化合物M-4的合成)
Figure BDA00002732565200511
(步骤(4a))
在氩气环境下，于烧瓶中混合3，5-二溴-4-甲基苯胺(47.0g，177mmol)、35重量％的盐酸(111ml)、及离子交换水(111ml)，在冰浴冷却同时费时约30分钟滴下将亚硝酸钠(12.9g，186mmol)溶解在离子交换水(约130ml)中的溶液。在滴入结束后，于室温搅拌约1小时，再度冰浴冷却，同时费时30分钟间滴下将碘化钾(30.9g，186mmol)溶解在离子交换水(约130ml)中的溶液。在滴入结束后，于室温搅拌约3小时，之后一面搅拌反应一面缓缓加入至另外制备的10重量％的碳酸氢钠水溶液(约1200ml)。以乙酸乙酯进行萃取，有机层以10重量％的亚硫酸钠水溶液洗净，以无水硫酸镁干燥、过滤，将滤液浓缩，即可得到粗生成物(77g)。再将上述粗生成物溶解于丙酮中，在加入活性炭并搅拌反应后，再过滤，将滤液浓缩。之后再度溶解于丙酮中，并加入活性炭且搅拌后，再过滤，将滤液浓缩，将析出的固体减压干燥后，由此可得到黄褐色固体(约50g)。再将所得的固体溶解于己烷中，加入乙醇以使结晶析出，过滤析出的结晶，并减压干燥后，即可得到中间物2，6-二溴-4-碘化甲苯(28.4g，收率43％，化合物M4a)的白色结晶。
化合物M4a的1H-NMR分析的结果如下所示。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)：δ(ppm)＝2.51(s，3H)，7.83(s，2H)
(步骤(4b))
在氩气环境下，于烧瓶中在将化合物M4a(22.6g，60.0mmol)溶解于脱水四氢呋喃(300ml)的溶液中，在室温费时10分钟滴下异丙基氯化镁的四氢呋喃溶液(Aldrich公司制造，浓度2.0M，60ml)，再于室温搅拌1小时。于冰浴冷却后，加入2-异丙氧基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼戊烷(dioxaborolan)(22.3g，120mmol)，再于室温下搅拌2小时后，再次于冰浴冷却并一边滴下0.1M的盐酸(180ml)。之后以乙酸乙酯萃取，有机层以15重量％的食盐水洗净2次，以无水硫酸钠干燥、过滤。将滤液浓缩，并加入甲醇使固体析出。将该析出的固体过滤、减压干燥后，即可得到中间物的2，6-二溴-4-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼戊烷-2-基)甲苯(16.3g，收率72％，化合物M4b)的白色结晶。
化合物M4b的1H-NMR分析的结果如下所示。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)：δ(ppm)＝1.33(s，12H)，2.58(s，3H)，7.90(s，2H)
(步骤(4c))
在氩气环境，于烧瓶中，将4-溴-叔丁基苯(125g，587mmol)溶解于脱水四氢呋喃(470ml)中，再冷却至-70℃，同时费时90分钟滴下正丁基锂/己烷溶液(1.6M，367ml，587mmol)，之后再搅拌2小时，调制成4-叔丁基苯基锂/四氢呋喃溶液。
另在氩气环境下，于烧瓶中将氰尿酰氯(塩化シアヌル)(50.8g，276mmol)溶解于脱水四氢呋喃(463ml)中，冷却至-70℃。之后向其中以保持内温为-60℃以下的速度滴下事先制成的4-叔丁基苯基锂/四氢呋喃溶液的全部量。滴下结束后，于-40℃搅拌4小时，之后在室温搅拌4小时。在所得的反应混合物中缓缓加入离子交换水(50ml)后，将溶剂减压蒸去。所得的残渣中加入离子交换水及氯仿以萃取有机层，再以离子交换水洗净有机层并将溶剂减压蒸去。于所得的残渣中加入乙腈，并于加热回流下搅拌后，在热时过滤而将不溶物分离。将该滤液减压浓缩，再使其冷却至70℃使固体析出并过滤。将所得的固体溶解于氯仿/己烷混合溶剂中，以硅胶管色谱(展开溶剂：氯仿/己烷)进行精制，再经乙腈重结晶后，即可得到作为目标物的中间物4，6-双(4-叔丁基苯基)-2-氯-1，3，5-三嗪(41.3g，109mmol，收率39％，化合物M4c)的白色结晶。
化合物M4c的1H-NMR分析及LC-MS分析的结果，分别如下所示。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)：δ(ppm)＝1.39(s，18H)，7.56(d，4H)，8.54(d，4H)
LC/MS(APPI，阳性)m/z+＝380〔M+K〕+。
(步骤(4d))
在氮气环境下，于烧瓶中混合化合物M4b(7.52g，20.0mmol)、化合物M4c(9.12g，24.0mmol)、四(三苯膦)钯(0)(2.32g，2.0mmol)、碳酸银(16.5g，60mmol)及脱水四氢呋喃(160ml)，于遮光、加热回流下搅拌33小时。在该反应结束后，以甲苯(400ml)稀释后并过滤分离不溶物。之后浓缩该滤液，并加入乙腈(200ml)，于回流下搅拌1小时后，使其冷却至室温，并过滤析出的固体，减压干燥后即可得到粗生成物。再经中压硅胶柱色谱(己烷/氯仿＝98/2至70/30)精制之后，以甲苯-乙腈重结晶并重复3次，即可得到作为目标物的化合物M-4(2.46g，HPLC面积百分率(紫外线波长254nm)为99.6％，收率21％)的白色结晶。
化合物M-4的1H-NMR分析的结果如下所示。
1H-NMR(300MHz，THF-d8)：δ(ppm)＝1.43(s，18H)，2.68(s，3H)，7.65(d，4H)，8.67(d，4H)，8.89(s，2H)
<合成例5>(磷光性发光化合物A的合成)
<过程1：化合物(A)的合成>
Figure BDA00002732565200541
化合物(A)
将3.89g的2-氯-5-正癸基嘧啶、2.65g的2，4-二氟苯基硼酸、35ml的1，2-二甲氧基乙烷及42ml的2M的碳酸钾水溶液置入二口烧瓶中调制成溶液。于该溶液中以氩气通气20分钟后，于其中加入0.88g的四(三苯膦)(0)钯络合物，再使用油浴使该溶液在氩气环境下加热回流16小时。该有机层分离回收后，再经硅胶柱色谱(洗脱液：二氯甲烷与己烷的混合溶剂)分离精制，得到4.1g的化合物(A)。
化合物(A)的1H-NMR分析的结果如下所示。
1H-NMR(400MHz/CDCl3)：δ(ppm)＝8.66(s，2H)，8.08-8.15(m，1H)，6.91-7.00(m，2H)，2.63(t，2H)，1.18-1.68(m，16H)，0.88(t，3H)
<过程2：化合物(B)的合成>
Figure BDA00002732565200542
化合物(B)
先将800mg的三氯化铱n水合物、1.58g的化合物(A)、64ml的2-乙氧基乙烷及22ml的水置入二口烧瓶中，再于氩气环境下加热回流14小时。使该反应液冷却至室温后，于其中加入水，并过滤生成的固体，即可得到化合物(B)。单离收率为57％。
化合物(B)的1H-NMR分析的结果如下所示。
1H-NMR(400MHz/CDCl3)：δ(ppm)＝9.03(s，4H)，8.79(s，4H)，6.42(t，4H)，5.25(d，4H)，2.52(m，4H)，2.11(m，4H)，1.18-1.70(m，64H)，0.87(t，12H)
<过程3：磷光性发光化合物A的合成>
Figure BDA00002732565200551
磷光性发光化合物A
先将111mg的化合物(B)、45mg的吡啶羧酸(picolinic acid)钠及40ml的2-乙氧基乙醇置入梨形烧瓶中，再于氩气环境下以微波(2450MHz)照射10分钟。之后使该反应液冷却至室温，并将该溶剂减压浓缩而得到固体。该固体以二氯甲烷-己烷重结晶，得到磷光性发光化合物A。单离收率为74％。
磷光性发光化合物A的1H-NMR分析的结果如下所示。
1H-NMR(400MHz/CDCl3中)：δ(ppm)＝8.68-8.72(m，3H)，8.36(d，1H)，8.01(t，1H)，7.83(d，1H)，7.49(dd，1H)，7.26(d，1H)，6.54(dd，1H)，6.47(dd，1H)，5.83(d，1H)，5.60(d，1H)，2.60-2.67(m，2H)，2.39-2.48(m，2H)，1.23-1.60(m，32H)，0.88(t，6H)。
磷光性发光化合物A的发光光谱峰为472nm。
<合成例6>(电子输送材料ET-A的合成)
Figure BDA00002732565200561
先将4-叔丁基苯甲腈(10.0g)及脱水氯仿(75ml)置入圆底烧瓶中，并以氮气取代该烧瓶中的气体。之后，一面搅拌一面加入三氟甲烷磺酸(11ml)，并于室温搅拌48小时。在反应结束后，冷却至室温，该反应液以10重量％的氨水及离子交换水各洗净1次。将取出的有机层以硫酸镁脱水后，将溶剂减压蒸去。该残渣再以氯仿/己烷混合溶剂反复进行重结晶，得到4.2g的电子输送材料ET-A。
电子输送材料ET-A的1H-NMR分析的结果如下所示。
1H-NMR(300MHz，CDCl3)：δ(ppm)＝1.40(s，27H)，7.59(d，J＝7.5Hz，6H)，8.68(d，J＝7.5Hz，6H)。
<合成例7>(高分子化合物HP-1的合成)
在不活泼气氛下，混合5.20g的2，7-双(1，3，2-二氧杂硼戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴、5.42g的双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺、2.2mg的乙酸钯、15.1mg的三(2-甲基苯基)膦、0.91g的三辛基甲基氯化铵(商品名：Aliquat 336，Aldrich制造)及70ml的甲苯，并加热至105℃。于该反应液中滴入19ml的2M碳酸钠水溶液，并回流4小时。反应后，再于其中加入121mg的苯基硼酸，并再回流3小时。接着，于其中加入N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物的水溶液，并于80℃搅拌2小时。在冷却后，将反应液依序用水、3重量％的乙酸水溶液、水洗净，所得的甲苯溶液利用通过氧化铝、硅胶柱的方法进行精制。所得的甲苯溶液滴入至大量甲醇中，经搅拌后，过滤所得的沉淀物、加以干燥，可得到高分子化合物HP-1。通过前述分析条件求得高分子化合物HP-1，换算成聚苯乙烯的数均分子量Mn为8.4×104、换算成聚苯乙烯的重均分子量Mw为3.4×105。
高分子化合物HP-1，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由各结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200571
<合成例8>(高分子化合物P-1的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(0.770g)、化合物M-2(0.244g)、化合物M-3(0.326g)、及15.2ml的甲苯，并一面加热一面搅拌。于该反应液中加入乙酸钯(II)(0.5mg)及三(2-甲氧基苯基)膦(3.4mg)，加热至100℃后再加入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(5.3ml)，并回流4.5小时。
接着，再加入2-异丙基苯基硼酸(25.5mg)、乙酸钯(II)(0.5mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(3.3mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(5.2ml)，并再回流17小时。
自该反应液中去除水层后，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(0.86g)溶解于离子交换水(17ml)的溶液，之后于85℃搅拌2小时。冷却至室温后，以水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、水4次洗净，再将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，过滤该沉淀并干燥。再将充分干燥的沉淀(固体)溶于甲苯中，并使其通过填充了硅胶及氧化铝的柱进行精制。所得的甲苯溶液滴入至甲醇后产生沉淀，过滤该沉淀并进行干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物P-1”)的收量为0.58g。此外，通过前述分析条件求得高分子化合物P-1的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝1.0×105、Mw＝3.8×105。
高分子化合物P-1由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由(PA)的结构单元及(PB)中所选择的结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200581
<合成例9>(高分子化合物P-2的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(0.724g)、化合物M-2(0.231g)、化合物M-4(0.347g)、及15.6ml的甲苯，并一面加热一面搅拌。于该反应液中加入乙酸钯(II)(0.5mg)及三(2-甲氧基苯基)膦(3.1mg)，加热至100℃后加入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(4.9ml)，并回流5小时。
接着，加入2-异丙基苯基硼酸(24.1mg)、乙酸钯(II)(0.5mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(3.1mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(4.9ml)，并再回流18小时。
由反应液去除水层之后，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(0.81g)溶解于离子交换水(16ml)的溶液，并于85°下搅拌2小时。冷却至室温后，以水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、水5次洗净，再将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，过滤该沉淀并进行干燥。再将充分干燥的沉淀(固体)溶解于甲苯中，并使其通过填充了硅胶及氧化铝的柱进行精制。所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，再过滤该沉淀并进行干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物P-2”)的收量为0.63g。此外，藉由前述分析条件所求得的高分子化合物P-2的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝4.2×104、Mw＝1.2×105。
高分子化合物P-2由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由(PA)的结构单元及(PB)中所选择的结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200591
<合成例10>(高分子化合物P-3的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(0.537g)、化合物M-3(0.227g)、化合物M-4(0.384g)、及15ml的甲苯，并一面加热一面搅拌。于该反应溶液中加入乙酸钯(II)(0.4mg)及三(2-甲氧基苯基)膦(2.3mg)，加热至100℃后加入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(5.5ml)，并回流5小时。
接着，加入2-异丙基苯基硼酸(17.9mg)、乙酸钯(II)(0.4mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(2.3mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(3.6ml)，并再回流17小时。
由反应液中去除水层之后，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(0.60g)溶解于离子交换水(12ml)的溶液，并于85℃搅拌2小时。冷却至室温后，以水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、水2次洗净，再将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，过滤该沉淀并进行干燥。再将充分干燥的沉淀(固体)溶解于甲苯中，并使其通过填充了硅胶及氧化铝的柱进行精制。将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，之后过滤该沉淀并进行干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物P-3”)的收量为0.56g。通过前述分析条件所求得的高分子化合物P-3的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝2.5×104、Mw＝1.1×105。
高分子化合物P-3，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由(PA)的结构单元及(PB)中所选择的结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200601
<合成例11>(高分子化合物CP-1的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(3.13g)、2，7-二溴-9，9-二辛基芴(3.47g)、及80.0ml的甲苯，并一面加热一面搅拌。于该反应溶液中加入乙酸钯(II)(2.2mg)及三(2-甲氧基苯基)膦(13.4mg)，加热至100℃后加入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(22.0ml)，并回流4.5小时。在反应后，再于其中加入苯基硼酸(78mg)、乙酸钯(II)(2.2mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(13.4mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(22.0ml)，并再回流15小时。由反应液中去除水层之后，加入0.2M的二乙基二硫脲酸钠水溶液(70ml)，并于85℃搅拌2小时。冷却至室温后，以水3次、3重量％的乙酸水溶液3次、水3次洗净，再将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，之后过滤该沉淀并进行干燥。再将充分干燥的沉淀(固体)溶解于甲苯中，并使其通过填充了硅胶及氧化铝的柱进行精制。所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，再过滤该沉淀并进行干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物CP-1”)的收量为3.52g。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物CP-1的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝3.6×105、Mw＝9.4×105。
高分子化合物CP-1由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由各结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200611
<合成例12>(高分子化合物CP-2的合成)
在氮气环境下，于烧瓶中将2，7-双(1，3，2-二氧杂硼戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.5915g，3.000mmol)、化合物M-3(1.5881g，3.000mmol)、及甲苯(30ml)的混合物加热至90℃，再加入乙酸钯(1.0mg，4.5μmol)、三(2-甲氧基苯基)膦(6.3mg，18μmol)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(10ml，14mmol)，再在通过加热使其回流的状态下搅拌约20小时。
接着，加入苯基硼酸(0.366g，3.0mmol)、乙酸钯(1.0mg，4.5μmol)、及三(2-甲氧基苯基)膦(6.3mg，18μmol)，一面加热至105℃一面回流搅拌约4小时。
接着，加入溴化苯(0.66g，4.2mmol)、乙酸钯(1.0mg，4.5μmol)、及三(2-甲氧基苯基)膦(6.3mg，18μmol)，一面加热至105℃一面回流搅拌约4小时。
再者，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(1.83g)溶解于离子交换水(18ml)的溶液，并一面于85℃搅拌2小时。
将有机层与水层分离后，有机层依序以离子交换水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、离子交换水2次洗净。将有机层滴入至甲醇中使高分子化合物沉淀，经过滤、干燥后得到固体。将该固体溶解于甲苯中，并使其通过预先通过了甲苯的硅胶柱及氧化铝柱，再将所得的溶液滴入至甲醇中使高分子化合物沉淀，使其过滤、干燥后，可得到高分子化合物CP-2(1.87g)。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物CP-2的换算成聚苯乙烯的数均分子量(Mn)及重均分子量(Mw)分别为Mn＝2.6×104、Mw＝3.5×104。
高分子化合物CP-2，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且各结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200621
<合成例13>(高分子化合物CP-3的合成)
在氮气环境下，于烧瓶中将2，7-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.2851mg，2.000mmol)、1，4-二己基-2，5-二溴苯(646.8mg，1.600mmol)、化合物M-3(211.7mg，0.400mmol)、及甲苯(40ml)的混合物加热至90℃，加入乙酸钯(0.9mg，4μmol)、三(2-甲氧基苯基)膦(5.6mg，16μmol)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(6.6ml，9.4mmol)，再在通过加热使其回流的状态下，搅拌约6小时。
接着，加入溶于甲苯(20ml)中的苯基硼酸(25.7mg，0.200mmol)、乙酸钯(0.9mg，4μmol)、三(2-甲氧基苯基)膦(5.6mg，16μmol)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(6.6ml，9.4mmol)，一面加热至105℃一面回流下搅拌约16小时。
再者，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(1.22g)溶于离子交换水(20ml)的溶液，一面加热至85℃并搅拌2小时。
将有机层与水层分离之后，有机层依序以离子交换水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、离子交换水2次洗净。将有机层滴入至甲醇中使高分子化合物沉淀，经过滤、干燥后得到固体。将该固体溶解于甲苯中，并使其通过预先通过了甲苯的硅胶柱及氧化铝柱，再将所得的溶液滴入至甲醇中使高分子化合物沉淀，经过滤、干燥后，得到高分子化合物CP-3(1.14g)。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物CP-3的换算成聚苯乙烯的数均分子量(Mn)及重均分子量(Mw)分别为Mn＝4.3×104、Mw＝1.0×105。
高分子化合物CP-3由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由(PA)的结构单元及(PB)中所选择的结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200631
<合成例14>(高分子化合物CP-4的合成)
在氮气环境下，于烧瓶中将2，7-双(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧杂硼戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(1.2851mg，2.000mmol)、1，4-二己基-2，5-二溴苯(646.8mg，1.600mmol)、化合物M-4(238.3mg，0.400mmol)、及甲苯(40ml)的混合物加热至90℃，加入乙酸钯(0.9mg，4μmol)、三(2-甲氧基苯基)膦(5.6mg，16μmol)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(6.6ml，9.4mmol)，再在通过加热使其回流的状态下搅拌约6小时。
接着，加入溶解于甲苯(20ml)中的苯基硼酸(25.7mg，0.200mmol)、乙酸钯(0.9mg，4μmol)、三(2-甲氧基苯基)膦(5.6mg，16μmol)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(6.6ml，9.4mmol)，一面加热至105℃一面在回流下搅拌约16小时。
再者，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(1.22g)溶解于离子交换水(20ml)的溶液，一面加热至85℃一面搅拌2小时。
将有机层与水层分离，有机层依序以离子交换水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、离子交换水2次洗净。将有机层滴入至甲醇中使高分子化合物沉淀，经过滤、干燥后得到固体。将该固体溶解于甲苯中，并使其通过预先通过了甲苯的硅胶柱及氧化铝柱，再将所得的溶液滴入至甲醇中使高分子化合物沉淀，经过滤、干燥后，得到高分子化合物CP-4(1.14g)。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物CP-4的换算成聚苯乙烯的数均分子量(Mn)及重均分子量(Mw)分别为Mn＝5.6×104、Mw＝1.4×105。
高分子化合物CP-4，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由(PA)的结构单元及(PB)中所选择的结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200641
<合成例15>(化合物M-5的合成)
作为化合物M-5使用通过将市售的1，4-二溴苯重结晶而精制，将其减压干燥后，HPLC面积百分率的值为99.5％以上的化合物。
<合成例16>(化合物M-6的合成)
Figure BDA00002732565200643
作为化合物M-6使用将市售的1，3-二溴苯通过减压蒸馏而精制后，HPLC面积百分率的值为99.2％以上的化合物。
Figure BDA00002732565200651
作为磷光性发光化合物Ir-1使用由American Dye Source公司购得的商品名为AD S065BE的化合物。
磷光性发光化合物Ir-1的发光光谱峰为470nm。
<合成例17>(发光材料T的合成)
Figure BDA00002732565200652
发光材料T
发光材料T依照日本特开2006-188673号公报中所记载的合成方法来合成。
该发光材料T的发光光谱峰为619nm。
<合成例18>(发光材料U的合成)
Figure BDA00002732565200661
发光材料U
发光材料U依照Journal of American Chemical Society，Vol.107，1431-1432(1985)中所记载的合成方法来合成。
发光材料U的发光光谱峰为508nm。
<合成例19>(高分子化合物P-4的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(1.0317g)、化合物M-5(0.0978g)、化合物M-3(0.4396g)、化合物M-4(0.4906g)、及甲苯(35ml)，一面加热至100℃一面搅拌。于该反应液中加入乙酸钯(II)(0.9mg)、及三(2-甲氧基苯基)膦(6.0mg)，并一面继续在100℃加热一面于其中滴入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(7.0ml)，使其回流7小时。接着，于其中加入2-异丙基苯基硼酸(51mg)、乙酸钯(II)(0.5mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(2.9mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(7.0ml)，再回流16小时。由反应液中去除水层之后，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(0.58g)溶解于离子交换水(11.6ml)的溶液，并一面于85℃加热一面搅拌2.5小时。
将有机层与水层分离之后，该有机层依序以3.6重量％的盐酸2次、2.5重量％的氨水溶液2次、水4次洗净。将该洗净的有机层(甲苯溶液)滴入至甲醇中产生沉淀，该沉淀经过滤并干燥。将充分干燥的沉淀(固体)溶于甲苯(68ml)中，并使其通过填充了硅胶及氧化铝的柱进行精制。再将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，该沉淀过滤并干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物P-4”)的收量为0.99g。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物P-4的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝1.4×104、Mw＝3.2×104。
高分子化合物P-4，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由各结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200671
<合成例20>(高分子化合物P-5的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(1.0318g)、化合物M-6(0.0978g)、化合物M-3(0.4396g)、化合物M-4(0.4907g)、及甲苯(35ml)，一面加热至100℃一面搅拌。于反应液中加入乙酸钯(II)(0.9mg)、及三(2-甲氧基苯基)膦(5.8mg)，并一面继续在100℃加热一面于其中滴入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(7.0ml)，使其回流7.5小时。接着，于其中加入2-异丙基苯基硼酸(102mg)、乙酸钯(II)(0.5mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(2.9mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(7.0ml)，并再回流16小时。由反应液中去除水层之后，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(0.58g)溶解于离子交换水(11.6ml)的溶液，并一面于85℃加热一面搅拌8小时。
将有机层与水层分离之后，有机层依序以3.6重量％的盐酸2次、2.5重量％的氨水溶液2次、水4次洗净。将洗净的有机层(甲苯溶液)通过填充了硅胶及氧化铝的柱进行精制。所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，过滤此沉淀并干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物P-5”)的收量为0.93g。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物P-5的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝7.3×103、Mw＝1.3×104。
高分子化合物P-5，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由各结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200681
<合成例21>(高分子化合物P-6的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(1.0464g)、化合物M-2(0.1660g)、化合物M-3(0.1113g)、化合物M-4(0.7464g)、及甲苯(35ml)，一面加热至100℃一面搅拌。于该反应溶液中加入乙酸钯(II)(0.9mg)、及三(2-甲氧基苯基)膦(6.0mg)，一面继续在100℃加热一面滴入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(7.1ml)，再回流7.5小时。接着，于其中加入2-异丙基苯基硼酸(51mg)、乙酸钯(II)(0.5mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(2.9mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(7.1ml)，再回流15小时。由反应液中去除水层之后，再加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(0.60g)溶解于离子交换水(12ml)的溶液，并一面于85℃加热一面搅拌2.5小时。
将有机层与水层分离之后，有机层依序以3.6重量％的盐酸2次、2.5重量％的氨水溶液2次、水5次洗净。再将该洗净的有机层(甲苯溶液)通过填充了硅胶及氧化铝的柱进行精制。将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，将该沉淀过滤并干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物P-6”)的收量为0.87g。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物P-6的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝8.9×103、Mw＝1.70×104。
高分子化合物P-6，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，并由各结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200691
<合成例22>(高分子化合物P-7的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(1.0002g)、化合物M-2(0.1059g)、化合物M-3(0.2131g)、化合物M-4(0.7133g)、及甲苯(35ml)，一面在100℃加热一面搅拌。于该反应液中加入乙酸钯(II)(0.9mg)、及三(2-甲氧基苯基)膦(5.6mg)，一面继续在100℃加热一面于其中滴入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(6.8ml)，并使其回流6.5小时。接着，于其中加入2-异丙基苯基硼酸(66mg)、乙酸钯(II)(0.5mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(2.8mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(6.8ml)，并再回流16.5小时。由反应溶液中去除水层之后，加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(0.57g)溶解于离子交换水(11.9ml)的溶液，并一面于85℃加热一面搅拌2小时。
将有机层与水层分离之后，有机层依序以3.6重量％的盐酸2次、2.5重量％的氨水溶液2次、水4次洗净。再将该洗净的有机层(甲苯溶液)通过填充硅胶及氧化铝的柱进行精制。将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，将该沉淀过滤并干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物P-7”)的收量为0.98g。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物P-7的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝5.3×103、Mw＝1.0×104。
高分子化合物P-7，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，并由各结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200701
<合成例23>(高分子化合物CP-5的合成)
在不活性气体气氛下，混合化合物M-1(2.8051g)、化合物M-6(1.3324g)、及甲苯(41ml)，一面在100℃加热一面搅拌。于该反应液中加入乙酸钯(II)(1.2mg)、及三(2-甲氧基苯基)膦(8.0mg)，一面继续在100℃加热一面于其中滴入20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(19.1ml)，并使其回流5.5小时。接着，于其中加入2-异丙基苯基硼酸(92mg)、乙酸钯(II)(1.4mg)、三(2-甲氧基苯基)膦(7.9mg)、及20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液(19.1ml)，再回流16小时。由反应液中去除水层之后，再加入将N，N-二乙基二硫脲酸钠三水合物(1.60g)溶解于离子交换水(32ml)的溶液，并一面于85℃加热一面搅拌2小时。
将有机层与水层分离之后，有机层依序以3.6重量％的盐酸2次、2.5重量％的氨水溶液2次、水4次洗净。将洗净的有机层(甲苯溶液)滴入至甲醇中产生沉淀，将该沉淀过滤并干燥。将充分干燥的沉淀(固体)溶解于甲苯中，并使其通过填充了硅胶及氧化铝的柱进行精制。将所得的甲苯溶液滴入至甲醇中产生沉淀，将该沉淀过滤并干燥。该沉淀(以下称为“高分子化合物CP-5”)的收量为1.49g。此外，通过前述分析条件所求得的高分子化合物CP-5的换算成聚苯乙烯的数均分子量及重均分子量分别为Mn＝1.5×104、Mw＝6.1×104。
高分子化合物CP-5，由单体的原料比可推定为具有以下的结构单元及摩尔比，且由各结构单元交互聚合的高分子化合物。
Figure BDA00002732565200711
<实施例1>(发光元件1的制作)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板，将聚(3，4)乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonate)(H.C.starck公司制造，商品名：CLEVIOS P AI4083)(以下称之为“CLEVIOS P”)的悬浮液，以旋涂法成膜形成约50nm的厚度，之后于加热台上以200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液置于CLEVIOS P膜上，之后以旋涂法成膜形成厚度约20nm的膜，于氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-1、磷光性发光化合物A及电子输送材料ET-A，溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中成1.2重量％(重量比，高分子化合物P-1/磷光性发光化合物A/电子输送材料ET-A＝85/5/10)的浓度。将所得的二甲苯溶液倒在高分子化合物HP-1的热处理膜上，并以旋涂法以形成约60nm厚度的方式形成的发光层1。再于氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，于130℃进行干燥10分钟。之后减压至1.0×10-4Pa以下，在发光层1的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝作为阴极。在蒸镀后，使用玻璃基板密封，制作发光元件1。
在发光元件1上施加至20V的电压时，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度在20cd/m2时的发光效率为2.39cd/A，此时的电压为6.1V。亮度为50cd/m2时的发光效率为2.05cd/A，此时的电压为6.6V。亮度为100cd/m2时的发光效率为1.83cd/A，此时的电压为7.1V。
<实施例2>(发光元件2的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上放置CLEVIO S P的悬浮液，通过旋涂法以形成约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度的方式溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将该所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，之后以旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，使高分子化合物P-2、磷光性发光化合物A以1.6重量％(以重量比计，高分子化合物P-2/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))。将所得的二甲苯溶液倒在高分子化合物HP-1的热处理膜上，并以旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层2。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，发光层2的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝作为阴极。在蒸镀后，以玻璃基板密封，制作发光元件2。
在该发光元件2上施加至20V的电压时，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为1.72cd/A，此时的电压为5.2V。亮度为50cd/m2时的发光效率为1.67cd/A，此时的电压为5.8V。亮度为100cd/m2时的发光效率为1.62cd/A，此时的电压为6.3V。
<实施例3>(发光元件3的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，利用旋涂法以形成约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度的方式溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，之后以旋涂法以成为厚度约20nm的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，使高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A以成为1.7重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度的方式溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，并以旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层3。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，在发光层3的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝作为阴极。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件3。
在该发光元件3上施加至20V的电压时，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为4.08cd/A，此时的电压为4.1V，而此时的发光色度为(0.16，0.31)。亮度为50cd/m2时的发光效率为4.74cd/A，此时的电压为4.3V，而此时的发光色度为(0.16，0.30)。亮度为100cd/m2时的发光效率为5.30cd/A，此时的电压为4.5V，而此时的发光色度为(0.15，0.30)。
<比较例1>(发光元件C1的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃使之干燥10分钟。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度的方式溶解到二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，之后通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，通过在180℃使之干燥60分钟而得到热处理膜。接着，再将高分子化合物CP-1、磷光性发光化合物A，以成为0.7重量％(重量比，高分子化合物CP-1/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，并通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层C1。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层C1的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件C1。
在该发光元件C1上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为0.01cd/A，此时的电压为18.8V。但亮度未达50cd/m2及100cd/m2。
<比较例2>(发光元件C2的制作)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm的厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物CP-1、磷光性发光化合物A、电子输送材料ET-A，以成为0.7重量％(重量比，高分子化合物CP-1/磷光性发光化合物A/电子输送材料ET-A＝85/5/10)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。之后将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度方式成膜发光层C2。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层C2的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件C2。
在该发光元件C2上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为0.01cd/A，此时的电压为18.4V。但亮度未达50cd/m2及100cd/m2。
<比较例3>(发光元件C3的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物CP-2、磷光性发光化合物A，以成为2.3重量％(重量比，高分子化合物CP-2/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层C3。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层C3的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件C3。
在发光元件C3上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为0.01cd/A，此时的电压为13.1V。但亮度未达50cd/m2及100cd/m2。
<比较例4>(发光元件C4的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物CP-2、磷光性发光化合物A、电子输送材料ET-A，以成为2.3重量％(重量比，高分子化合物CP-2/磷光性发光化合物A/电子输送材料ET-A＝85/5/10)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层C4。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层C4的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件C4。
在该发光元件C4上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为0.03cd/A，此时的电压为10.2V。亮度为50cd/A时的发光效率为0.02cd/A，此时的电压为13.1V。亮度为100cd/m2时的发光效率为0.02cd/A，此时的电压为19.3V。
<比较例5>(发光元件C5的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物CP-3、磷光性发光化合物A，以成为1.7重量％(重量比，高分子化合物CP-3/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层C5。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层C5的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件C5。
在该发光元件C5上施加至20V的电压时，虽可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)，但亮度未达20cd/m2、50cd/m2及100cd/m2。
<比较例6>(发光元件C6的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm的厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物CP-3、磷光性发光化合物A、电子输送材料ET-A，以成为1.7重量％(重量比，高分子化合物CP-3/磷光性发光化合物A/电子输送材料ET-A＝85/5/10)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层C6。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层C6的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件C6。
在该发光元件C6上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为0.01cd/A，此时的电压为19.6V。但亮度未达50cd/m2及100cd/m2。
<比较例7>(发光元件C7的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物CP-4、磷光性发光化合物A，以成为1.7重量％(重量比，高分子化合物CP-4/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层C7。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层C7的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件C7。
在该发光元件C7上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为0.04cd/A，此时的电压为15.2V。亮度为50cd/m2时的发光效率为0.03cd/A，此时的电压为18.4V。但亮度未达100cd/m2。
<实施例4>(发光元件4的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-4、磷光性发光化合物A，以成为2.6重量％(重量比，高分子化合物P-4/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层4。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层4的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件4。
在该发光元件4上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为3.02cd/A，此时的电压为4.0V。亮度为50cd/m2时的发光效率为3.44cd/A，此时的电压为4.2V。亮度为100cd/m2时的发光效率为3.79cd/A，此时的电压为4.4V。
<实施例5>(发光元件5的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-5、磷光性发光化合物A，以成为2.6重量％(重量比，高分子化合物P-5/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层5。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层5的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件5。
在该发光元件5上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为4.78cd/A，此时的电压为4.2V。亮度为50cd/m2时的发光效率为5.28cd/A，此时的电压为4.4V。亮度为100cd/m2时的发光效率为5.71cd/A，此时的电压为4.6V。
<实施例6>(发光元件6的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-6、磷光性发光化合物A，以成为2.6重量％(重量比，高分子化合物P-6/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层6。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层6的膜上蒸镀形成约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件6。
在该发光元件6上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为5.23cd/A，此时的电压为4.5V。亮度为50cd/m2时的发光效率为5.88cd/A，此时的电压为4.9V。亮度为100cd/m2时的发光效率为6.04cd/A，此时的电压为5.3V。
<实施例7>(发光元件7的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-7、磷光性发光化合物A，以成为2.7重量％(重量比，高分子化合物P-7/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层7。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层7的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件7。
在该发光元件7上施加至20V的电压时，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为5.21cd/A，此时的电压为4.1V。亮度为50cd/m2时的发光效率为6.73cd/A，此时的电压为4.3V。亮度为100cd/m2时的发光效率为7.79cd/A，此时的电压为4.5V。
<实施例8>(发光元件8的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物Ir-1溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中成1.8重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物Ir-1＝95/5)的浓度。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层8。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气下，于130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层8的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件8。
在该发光元件8上施加至20V的电压时，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为1.64cd/A，此时的电压为4.6V。亮度为50cd/m2时的发光效率2.00cd/A，此时的电压为4.8V。亮度为100cd/m2时的发光效率为2.30cd/A，此时的电压为4.9V。
<实施例9>(发光元件9的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A，以成为1.8重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A＝90/10)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层9。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层9的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件9。
在该发光元件9上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为6.31cd/A，此时的电压为4.2V。亮度为50cd/m2时的发光效率为7.06cd/A，此时的电压为4.5V。亮度为100cd/m2时的发光效率为7.66cd/A，此时的电压为4.7V。
<实施例10>(发光元件10的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm的厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A，以成为1.9重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A＝80/20)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层10。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层10的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件10。
在该发光元件10上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为8.27cd/A，此时的电压为4.6V。亮度为50cd/m2时的发光效率为9.28cd/A，此时的电压为4.9V。亮度为100cd/m2时的发光效率为10.07cd/A，此时的电压为5.2V。
<实施例11>(发光元件11的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A，以成为1.9重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A＝70/30)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以约60nm厚度的方式成膜发光层11。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层11的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件11。
在该发光元件11上施加至20V的电压后，可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为8.22cd/A，此时的电压为4.8V。亮度为50cd/m2时的发光效率为9.21cd/A，此时的电压为5.2V。亮度为100cd/m2时的发光效率为9.87cd/A，此时的电压为5.5V。
<比较例8>(发光元件C8的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物CP-5、磷光性发光化合物A，以成为2.4重量％(重量比，高分子化合物CP-5/磷光性发光化合物A＝95/5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层C8。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层C8的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件C8。
在该发光元件C8上施加至20V的电压后，虽可观察到发出蓝色光的电场发光(EL)，但亮度未达20cd/m2、50cd/m2及100cd/m2。
[表2]
Figure BDA00002732565200861
<实施例12>(发光元件12的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A、发光材料U、发光材料T，以成为1.9重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A/发光材料U/发光材料T＝77/20/2.0/1.0)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层12。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层12的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件12。
在该发光元件12上施加至20V的电压后，可观察到发出白色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为12.69cd/A，此时的电压为4.7V，而此时的发光色度为(0.50，0.45)。亮度为50cd/m2时的发光效率为14.25cd/A，此时的电压为5.1V，而此时的发光色度为(0.49，0.45)。亮度为100cd/m2时的发光效率为15.27cd/A，此时的电压为5.5V，而此时的发光色度为(0.48，0.46)。
<实施例13>(发光元件13的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A、发光材料U、发光材料T，以成为1.9重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A/发光材料U/发光材料T＝78.5/20/1.0/0.5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层13。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层13的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件13。
在该发光元件13上施加至20V的电压时，可观察到发出白色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为10.56cd/A，此时的电压为4.8V，而此时的发光色度为(0.48，0.46)。亮度为50cd/m2时的发光效率为12.27cd/A，此时的电压为5.3V，而此时的发光色度为(0.47，0.47)。亮度为100cd/m2时的发光效率为13.63cd/A，此时的电压为5.7V，而此时的发光色度为(0.46，0.48)。
<实施例14>(发光元件14的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A、发光材料U、发光材料T，以成为1.9重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A/发光材料U/发光材料T＝79.25/20/0.5/0.25)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，并通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层14。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，以蒸镀在发光层14的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件14。
在该发光元件14上施加至20V的电压时，可观察到发出白色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为13.77cd/A，此时的电压为4.4V，而此时的发光色度为(0.37，0.50)。亮度为50cd/m2时的发光效率为15.86cd/A，此时的电压为4.8V，而此时的发光色度为(0.35，0.50)。亮度为100cd/m2时的发光效率为17.29cd/A，此时的电压为5.1V，而此时的发光色度为(0.35，0.51)。
<实施例15>(发光元件15的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A、发光材料U、发光材料T，以成为1.9重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A/发光材料U/发光材料T＝79.4/20/0.5/0.1)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，并通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层15。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，于130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层15的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件15。
在该发光元件15上施加至20V的电压时，可观察到发出白色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为14.77cd/A，此时的电压为4.6V，而此时的发光色度为(0.41，0.49)。亮度为50cd/m2时的发光效率为17.34cd/A，此时的电压为5.0V，而此时的发光色度为(0.40，0.50)。亮度为100cd/m2时的发光效率为19.07cd/A，此时的电压为5.4V，而此时的发光色度为(0.39，0.51)。
<实施例16>(发光元件16的制造)
在附有以溅镀法形成厚度45nm的ITO膜的玻璃基板上，放置CLEVIOS P的悬浮液，通过旋涂法以成为约50nm的厚度的方式进行成膜，于加热台上在200℃、10分钟进行干燥。接着，将高分子化合物HP-1以成为0.7重量％的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))，再将所得的二甲苯溶液倒于CLEVIOS P的膜上，通过旋涂法以成为约20nm厚度的方式进行成膜，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，在180℃、60分钟进行干燥得到热处理膜。接着，再将高分子化合物P-3、磷光性发光化合物A、发光材料U、发光材料T，以成为1.9重量％(重量比，高分子化合物P-3/磷光性发光化合物A/发光材料U/发光材料T＝79/20/0.5/0.5)的浓度溶解于二甲苯(关东化学公司制造：电子工业用(EL级))中。将所得的二甲苯溶液倒于高分子化合物HP-1的热处理膜上，并通过旋涂法以成为约60nm厚度的方式成膜发光层16。在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量基准)的氮气环境下，于130℃进行干燥10分钟。减压至1.0×10-4Pa以下后，作为阴极，在发光层16的膜上蒸镀约5nm的钡，接着再于钡层上蒸镀约60nm的铝。在蒸镀后，再以玻璃基板密封，制作发光元件16。
在该发光元件16上施加至20V的电压后，可观察到发出白色光的电场发光(EL)。亮度为20cd/m2时的发光效率为17.41cd/A，此时的电压为4.5V，而此时的发光色度为(0.33，0.55)。亮度为50cd/m2时的发光效率为20.47cd/A，此时的电压为4.9V，而此时的发光色度为(0.32，0.55)。亮度为100cd/m2时的发光效率为22.64cd/A，此时的电压为5.2V，而此时的发光色度为(0.31，0.55)。
[表3]
Figure BDA00002732565200911

Claims (26)

1.一种组合物，其含有高分子化合物和发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物：
所述高分子化合物实质上由选自下述式(1)-1所示的结构单元、下述式(1)-2所示的结构单元、下述式(2)-1所示的结构单元及下述式(2)-2所示的结构单元的结构单元所构成，且至少包含下述式(1)-1所示的结构单元及下述式(1)-2所示的结构单元两者，
Figure FDA00002732565100011
式中，R1表示烷基、芳基、1价芳族杂环基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氰基，高分子化合物中存在的2个以上的R1可分别相同也可不同，
R2表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基，高分子化合物中存在的2个以上的R2可分别相同也可不同，
R3表示烷基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基，高分子化合物中存在2个以上的R3时，R3可分别相同也可不同，
R4及R5分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基，高分子化合物中存在2个以上的R4时，R4可分别相同也可不同，高分子化合物中存在的2个以上的R5可分别相同也可不同，
R6表示氢原子、烷氧基或氟原子，高分子化合物中存在的2个以上的R6可分别相同也可不同，
R7表示氢原子、烷氧基、芳氧基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氟原子，高分子化合物中存在2个以上的R7时，R7可分别相同也可不同。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述R1为烷基、芳基或芳烷基。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述R2为氢原子。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述R3为烷基、芳基或芳烷基。
5.根据权利要求4所述的组合物，其中，所述R3为甲基。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述R5为氢原子。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述R4为下述式(3)所示的基团及/或下述式(4)所示的基团，
式中，R8及R9分别独立地表示烷基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基，式(3)中存在的2个R8可互相键合，高分子化合物中存在的2个以上的R8可分别相同也可不同，式(4)中存在的2个R9可互相键合，该高分子化合物中存在的2个以上的R9可分别相同也可不同。
8.根据权利要求1所述的组合物，其中，相对于所述式(1)-1所示的结构单元及所述式(2)-1所示的结构单元的合计摩尔数，所述式(1)-2所示的结构单元及所述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例为0.1至9.0。
9.根据权利要求7所述的组合物，其中，相对于所述式(1)-1所示的结构单元、所述式(2)-1所示的结构单元、所述R4不为所述式(3)所示的基团及所述式(4)所示的基团任一者的所述式(1)-2所示的结构单元、以及所述R4不为所述式(3)所示的基团及所述式(4)所示的基团任一者的所述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数，所述R4为所述式(3)所示的基团的所述式(1)-2所示的结构单元及所述R4为所述式(3)所示的基团的所述式(2)-2所示的结构单元、以及所述R4为所述式(4)所示的基团的所述式(1)-2所示的结构单元及所述R4为所述式(4)所示的基团的所述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例为0.1至9.0。
10.根据权利要求7所述的组合物，相对于所述R4为所述式(4)所示的基团的所述式(1)-2所示的结构单元及所述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数，所述R4为所述式(3)所示的基团的所述式(1)-2所示的结构单元及所述式(2)-2所示的结构单元的合计摩尔数的比例为0.1至9.0。
11.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述(2)-1所示的结构单元彼此之间实质上不相邻，所述(2)-2所示的结构单元彼此之间实质上不相邻，且所述(2)-1所示的结构单元及所述(2)-2所示的结构单元彼此之间实质上不相邻。
12.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述磷光性发光化合物为铱络合物。
13.根据权利要求12所述的组合物，其中，所述铱络合物具有氟原子或三氟甲基。
14.根据权利要求12所述的组合物，其中，所述铱络合物具有烷基。
15.根据权利要求1所述的组合物，其中，相对于所述高分子化合物的重量，所述磷光性发光化合物的重量比例为0.05至0.5。
16.根据权利要求1所述的组合物，其中，还含有发光光谱峰为480nm以上的磷光性发光化合物。
17.根据权利要求16所述的组合物，其中，含有发光光谱峰为480nm以上且未达580nm的磷光性发光化合物、及580nm以上且未达680nm的磷光性发光化合物。
18.根据权利要求1所述的组合物，其中，还含有选自空穴输送材料、电子输送材料、及除磷光性发光材料以外的发光材料中的1种或2种以上的材料。
19.根据权利要求18所述的组合物，其中，所述电子输送材料为具有下述式(5)所示结构的电子输送材料，
Figure FDA00002732565100041
式中，R10表示烷基、芳基、1价芳族杂环基、或芳烷基，所存在的3个R10可互相键合，所存在的3个R10可相同也可不同。
20.一种高分子化合物，实质上由选自下述式(1)-1所示的结构单元、下述式(1)-2所示的结构单元、下述式(2)-1所示的结构单元、下述式(2)-2所示的结构单元、及由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元中的结构单元所构成，且至少包含下述式(1)-1所示的结构单元、下述式(1)-2所示的结构单元及由发光光谱峰未达480nm的磷光性发光化合物所衍生的结构单元，
Figure FDA00002732565100042
式中，R1表示烷基、芳基、1价芳族杂环基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氰基，高分子化合物中存在的2个以上的R1可分别相同也可不同，
R2表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基，高分子化合物中存在的2个以上的R2可分别相同也可不同，
R3表示烷基、芳基、1价芳族杂环基或芳烷基，高分子化合物中存在2个以上的R3时，R3可分别相同也可不同，
R4及R5分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价芳族杂环基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基、氟原子或氰基，高分子化合物中存在2个以上的R4时，R4可分别相同也可不同，高分子化合物中存在的2个以上的R5可分别相同也可不同，
R6表示氢原子、烷氧基或氟原子，高分子化合物中存在的2个以上的R6可分别相同也可不同，
R7表示氢原子、烷氧基、芳氧基、芳基烷氧基、取代氨基、取代羰基、甲酰基、取代羧基或氟原子，高分子化合物中存在2个以上的R7时，R7可分别相同也可不同。
21.一种液状组合物，其含有权利要求1所述的组合物或权利要求20所述的高分子化合物，以及溶剂。
22.一种薄膜，其含有权利要求1所述的组合物或权利要求20所述的高分子化合物。
23.一种发光元件，其具有阳极及阴极、及设置于阳极与阴极之间且含有权利要求1所述的组合物或权利要求20所述的高分子化合物的层。
24.根据权利要求23所述的发光元件，其中，所述层为发光层。
25.一种面状光源，其具备权利要求23所述的发光元件。
26.一种显示装置，其具备权利要求23所述的发光元件。
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