CN102015820A - 具有含氮杂环化合物的残基的高分子化合物 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种高分子化合物，其具有下述式(1)表示的化合物的残基及下述式(2)表示的化合物的残基，

(式中，Ar表示芳基或1价杂环基。)

(式中，Z¹～Z³中，1个表示-N＝、2个表示-C(R’)＝。Z⁴及Z⁵表示-C(R’)＝。Z⁶～Z⁸中，1个表示-N＝、2个表示-C(R’)＝。Z⁹及Z¹⁰表示-C(R’)＝。R’表示氢原子、烷基等。)。

Description

具有含氮杂环化合物的残基的高分子化合物

技术领域

本发明涉及一种具有含氮杂环化合物残基的高分子化合物。

背景技术

近年来，作为下一代显示器，使用有机电致发光元件的有机致致发光显示器备受瞩目。该有机电致发光元件备有发光层、电荷传输层等有机层。而且，要求上述有机层为电子注入性优异的有机材料，作为其实例，提出过具有三嗪骨架的高分子化合物(日本特表2004-532314号公报)。

但是，将该高分子化合物使用在有机电致发光元件的制造中时，得到的有机电致发光元件的发光效率未必充分。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高分子化合物，其在有机电致发光元件的制造中使用时，可以赋予显示优异发光效率的有机电致发光元件。

本发明的第一方面提供一种高分子化合物，其具有用下述式(1)表示的化合物的残基及用下述式(2)表示的化合物的残基。

(式中，Ar表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的1价杂环基。存在的3个Ar可以相同也可以不同。)

(式中，Z¹、Z²及Z³中，1个表示-N＝、2个表示-C(R’)＝。Z⁴及Z⁵表示-C(R’)＝。Z⁶、Z⁷及Z⁸中，1个表示-N＝、2个表示-C(R’)＝。Z⁹及Z¹⁰表示-C(R’)＝。R’表示氢、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的芳硫基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的氨基、可以具有取代基的甲硅烷基、卤原子、可以具有取代基的酰基、可以具有取代基的酰氧基、可以具有取代基的1价杂环基、可以具有取代基的杂环硫基、亚胺残基、可以具有取代基的酰胺基、酰亚胺基、羧基、硝基、或氰基。

存在的8个-C(R’)＝可以相同也可以不同。Z²及Z³为-C(R’)＝时Z²及Z³中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z³为-C(R’)＝时Z³及Z⁴中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁴及Z⁵中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，但Z²及Z³、Z³及Z⁴、Z⁴及Z⁵中的2个以上组合不同时形成苯环。Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝时Z⁷及Z⁸中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁸为-C(R’)＝时Z⁸及Z⁹中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁹及Z¹⁰中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，但Z⁷及Z⁸、Z⁸及Z⁹、Z⁹及Z¹⁰中的2个以上组合不同时形成苯环，2个R’互相键合形成的苯环可以具有取代基。)

本发明的第二方面供一种组合物，其包含所述高分子化合物和选自发光材料、空穴传输材料、及电子传输材料组成的组中的至少一种。

本发明的第三方面提供一种使用所述高分子化合物而成的有机电致发光元件以及备有该有机电致发光元件的面状光源及显示装置。

具体实施方式

<术语说明>

下面，说明本说明书中通用的术语。本说明书中，Me是指甲基、t-Bu是指叔丁基、Ph是指苯基。

作为卤原子，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子。

“C_x～C_y”(x、y为满足x＜y的正整数)之类的术语表示与该术语一起记载的有机基团的碳原子数为x～y。

对烷基而言，可以具有烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、烯基、炔基、氨基、甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、杂环硫基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、硝基、氰基等取代基(以下，称为“取代基”时，只要没有特别的说明，就具有相同的意思)，通常为未取代的烷基及被卤原子等取代的烷基，包含直链状烷基及环状烷基(环烷基)两者。烷基可以具有支链。烷基的碳原子数通常为1～20，优选为1～15，更优选为1～10。作为烷基，例如可以举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3，7-二甲基辛基、十二烷基、三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基。

作为C₁～C₁₂的烷基，例如可以举出：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基。

对烷氧基而言，可以具有取代基，通常为未取代的烷氧基及被卤原子、烷氧基等取代的烷氧基，包括直链状烷氧基及环状烷氧基(环烷氧基)两者。烷氧基可以具有支链。烷氧基的碳原子数通常为1～20，优选为1～15，更优选为1～10。作为烷氧基，例如可以举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲基氧基、2-甲氧基乙氧基。

作为C₁～C₁₂的烷氧基，例如可以举出：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二甲基辛氧基、十二烷氧基。

对烷硫基而言，可以具有取代基，通常为未取代的烷硫基及被卤原子等取代的烷硫基，包含直链状烷硫基及环状烷硫基(环烷硫基)两者。烷硫基可以具有支链。烷硫基的碳原子数通常为1～20，优选为1～15，更优选为1～10。作为烷硫基，例如可以举出：甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基、三氟甲硫基。

作为C₁～C₁₂的烷硫基，例如可以举出：甲硫基、乙硫基、丙硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3，7-二甲基辛硫基、十二烷硫基。

芳基是从芳香族烃中除去键合在构成芳香环的碳原子上的1个氢原子后剩余的原子团，可以具有取代基，通常为未取代的芳基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳基。芳基也包括具有稠环的芳基、独立的苯环或稠环2个以上借助单键或2价有机基团例如亚乙烯基等亚烯基键合的芳基。芳基的碳原子数通常为6～60，优选为6～48，更优选为6～30。作为芳基，例如可以举出：苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基、联苯基、C₁～C₁₂烷氧基联苯基、C₁～C₁₂烷基联苯基，其中，优选苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基、联苯基、C₁～C₁₂烷氧基联苯基、C₁～C₁₂烷基联苯基。

作为C₁～C₁₂烷氧基苯基，例如可以举出：甲氧基苯基、乙氧基苯基、丙氧基苯基、异丙氧基苯基、丁氧基苯基、异丁氧基苯基、叔丁氧基苯基、戊氧基苯基、己氧基苯基、辛氧基苯基。

作为C₁～C₁₂烷基苯基，例如可以举出：甲基苯基、乙基苯基、二甲基苯基、丙基苯基、

基、甲基乙基苯基、异丙基苯基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基。

对芳氧基而言，可以具有取代基，通常为未取代的芳氧基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳氧基。芳氧基的碳原子数通常为6～60，优选为6～48，更优选为6～30。作为芳氧基，例如可以举出：苯氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基，其中，优选C₁～C₁₂烷氧基苯氧基、C₁～C₁₂烷基苯氧基。

作为C₁～C₁₂烷氧基苯氧基，例如可以举出：甲氧基苯氧基、乙氧基苯氧基、丙氧基苯氧基、异丙氧基苯氧基、丁氧基苯氧基、异丁氧基苯氧基、叔丁氧基苯氧基、戊氧基苯氧基、己氧基苯氧基、辛氧基苯氧基。

作为C₁～C₁₂烷基苯氧基，例如可以举出：甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1，3，5-三甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、仲丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基苯氧基、癸基苯氧基、十二烷基苯氧基。

对芳硫基而言，可以具有取代基，通常是指未取代的芳硫基及被卤原子、烷氧基、烷基取代的芳硫基。芳硫基的碳原子数通常为6～60，优选为6～48，更优选为6～30。作为芳硫基，例如可以举出：苯硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯硫基、C₁～C₁₂烷基苯硫基、1-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基。

对芳烷基而言，可以具有取代基，通常为未取代芳烷基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳烷基。芳烷基的碳原子数通常为7～60，优选为7～48，更优选为7～30。作为芳烷基，例如可以举出：苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基。

对芳烷氧基而言，可以具有取代基，通常为未取代芳烷氧基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳烷氧基。芳烷氧基的碳原子数通常为7～60，优选为7～48，更优选为7～30。作为芳烷氧基，例如可以举出：苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷氧基、1-萘基-C₁～C₁₂烷氧基、2-萘基-C₁～C₁₂烷氧基。

对芳烷硫基而言，可以具有取代基，通常为未取代的芳烷硫基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳烷硫基。芳烷硫基的碳原子数通常为7～60，优选为7～48，更优选为7～30。作为芳烷硫基，例如可以举出：苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷硫基、1-萘基-C₁～C₁₀烷硫基、2-萘基-C₁～C₁₂烷硫基。

对烯基而言，可以具有取代基，包含直链状烯基、支链状烯基、及环状烯基。烯基的碳原子数通常为2～20，优选为2～15，更优选为2～10。作为烯基，例如可以举出：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、1-辛烯基。

对芳烯基而言，可以具有取代基，通常为未取代芳烯基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳烯基。芳烯基的碳原子数通常为8～60，优选为8～48，更优选为8～30。作为芳烯基，例如可以举出：苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基、1-萘基-C₂～C₁₂烯基、2-萘基-C₂～C₁₂烯基等，其中，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂烯基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂烯基。

作为C₂～C₁₂烯基，例如可以举出：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、1-辛烯基等。

对炔基而言，可以具有取代基，包括直链状炔基及支链状炔基。炔基的碳原子数通常为2～20，优选为2～15，更优选为2～10。作为炔基，例如可以举出：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、1-戊炔基、2-戊炔基、1-己炔基、2-己炔基、1-辛炔基。

芳炔基可以具有取代基，通常为未取代的芳炔基及被卤原子、烷氧基、烷基等取代的芳炔基。芳炔基的碳原子数通常为8～60，优选为8～48，更优选为8～30。作为芳炔基，例如可以举出：苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基、1-萘基-C₂～C₁₂炔基、2-萘基-C₂～C₁₂炔基，其中，优选C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₂～C₁₂炔基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₂～C₁₂炔基。

作为C₂～C₁₂炔基，例如可以举出：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔基、1-戊炔基、2-戊炔基、1-己炔基、2-己炔基、1-辛炔基。

所谓1价杂环基，是指从杂环式化合物(特别是芳香族杂环式化合物)中除去1个氢原子后剩余的原子团，可以具有取代基，通常为未取代的1价杂环基及被烷基等取代基取代的1价杂环基。1价杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为4～60，优选为4～30，优选为4～20。所谓杂环化合物，是指在具有环式结构的有机化合物中，作为构成环的元素，不仅包含碳原子，而且包含氧原子、硫原子、氮原子、磷原子、硼原子、硅原子、硒原子、碲原子、砷原子等杂原子的化合物。作为1价杂环基，例如可以举出：噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、吡咯烷基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，其中，优选噻吩基、C₁～C₁₂烷基噻吩基、吡啶基、C₁～C₁₂烷基吡啶基。作为1价杂环基，优选1价的芳香族杂环基。

杂环硫基为巯基的氢原子被1价杂环基取代的基团，可以具有取代基。作为杂环硫基，例如可以举出：吡啶基硫基、哒嗪基硫基、嘧啶基硫基、吡嗪基硫基、三嗪基硫基等杂芳基硫基等。

氨基可以具有取代基，通常为未取代的氨基及被选自烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基中的1个或2个取代基取代的氨基(以下，称为“取代氨基”)。取代基可以进一步具有取代基(以下有时称为“二次取代基”。)。取代氨基的碳原子数不包括二次取代基的碳原子数，通常为1～60，优选为2～48，更优选为2～40。作为取代氨基，例如可以举出：甲基氨基、二甲基氨基、乙基氨基、二乙基氨基、丙基氨基、二丙基氨基、异丙基氨基、二异丙基氨基、丁基氨基、异丁基氨基、仲丁基氨基、叔丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基、3，7-二甲基辛基氨基、十二烷基氨基、环戊基氨基、二环戊基氨基、环己基氨基、二环己基氨基、二三氟甲基氨基、苯基氨基、二苯基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基)氨基、C₁～C₁₂烷基苯基氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基)氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、五氟苯基氨基、吡啶氨基、哒嗪氨基、嘧啶氨基、吡嗪氨基、三嗪氨基、苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、二(C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基氨基、二(C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基)氨基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基氨基。

对甲硅烷基而言，可以具有取代基，通常为未取代的甲硅烷基及被选自烷基、芳基、芳烷基及1价杂环基中的1、2或3个取代基取代的甲硅烷基(以下，称为“取代甲硅烷基”)。取代基可以具有二次取代基。取代甲硅烷基的碳原子数不包含二次取代基的碳原子数，通常为1～60，优选为3～48，更优选为3～40。作为甲硅烷基，例如可以举出：三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、二甲基异丙基甲硅烷基、二乙基异丙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、庚基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、2-乙基己基-二甲基甲硅烷基、壬基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基、3，7-二甲基辛基-二甲基甲硅烷基、十二烷基二甲基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷氧基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、C₁～C₁₂烷基苯基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、1-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、2-萘基-C₁～C₁₂烷基甲硅烷基、苯基-C₁～C₁₂烷基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三-对二甲苯基甲硅烷基、三苄基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、二甲基苯基甲硅烷基。

对酰基而言，可以具有取代基，通常为未取代的酰基及被卤原子等取代的酰基。酰基的碳原子数通常为2～20，优选为2～18，更优选为2～16。作为酰基，例如可以举出：乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基、三氟乙酰基、五氟苯甲酰基。

对酰氧基而言，可以具有取代基，通常为未取代的酰氧基及被卤原子等取代的酰氧基。酰氧基的碳原子数通常为2～20，优选为2～18，更优选为2～16。作为酰氧基，例如可以举出：乙酰氧基、丙酰氧基、丁酰氧基、异丁酰氧基、新戊酰氧基、苯甲酰氧基、三氟乙酰氧基、五氟苯甲酰氧基。

对亚胺残基而言，是指从具有式：H-N＝C＜及式：1-N＝CH-的至少一个式子所示的结构的亚胺化合物中除去该结构中的1个氢原子后的残基。作为此类亚胺化合物，例如可以举出：醛亚胺、酮亚胺、及键合在醛亚胺中的氮原子上的氢原子被烷基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基等取代的化合物。亚胺残基的碳原子数通常为2～20，优选为2～18，更优选为2～16。作为亚胺残基，例如可以举出通式：-CR^X＝N-R^Y或通式：-N＝C(R^Y)₂(式中，R^X表示氢原子、烷基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基，R^Y表示烷基、芳基、芳烷基、芳烯基、芳炔基。其中，存在2个R^Y时，2个R^Y可以相同也可以不同，2个R^Y可以相互键合成为1体以2价基团例如亚乙基、三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基等碳原子数为2～18的亚烷基形成环)表示的基团。作为亚胺残基的例子，可以举出用以下结构式表示的基团等。

对酰胺基而言，可以具有取代基，通常为未取代的酰胺基及被卤原子等取代的酰胺基。酰胺基的碳原子数通常为2～20，优选为2～18，更优选为2～16。作为酰胺基，例如可以举出：甲酰胺基、乙酰胺基、丙酰胺基、丁酰胺基、苯甲酰胺基、三氟乙酰胺基、五氟苯甲酰胺基、二甲酰胺基、二乙酰胺基、二丙酰胺基、二丁酰胺基、二苯甲酰胺基、二三氟乙酰胺基、二五氟苯甲酰胺基。

酰亚胺基是指从酰亚胺中除去键合在其氮原子上的1个氢原子后得到的残基。酰亚胺基的碳原子数通常为4～20，优选为4～18，更优选为4～16。作为酰亚胺基，例如可以举出如下所示的基团等。

亚芳基是指从芳香族烃中除去2个氢原子而成的原子团，包含具有独立的苯环或稠环的亚芳基。所述亚芳基的碳原子数通常为6～60，优选为6～48，更优选为6～30，进一步优选为6～18。该碳原子数不包含取代基的碳原子数。作为亚芳基，可以举出：1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，2-亚苯基等未取代或取代的亚苯基；1，4-萘二基、1，5-萘二基、2，6-萘二基等未取代或取代的萘二基；1，4-蒽二基、1，5-蒽二基、2，6-蒽二基、9，10-蒽二基等未取代或取代的蒽二基；2，7-菲二基等未取代或取代的菲二基；1，7-并四苯二基、2，8-并四苯二基、5，12-并四苯二基等未取代或取代的并四苯二基；2，7-芴二基、3，6-芴二基等未取代或取代的芴二基；1，6-芘二基、1，8-芘二基，2，7-芘二基、4，9-芘二基等未取代或取代的芘二基；3，9-苝二基、3，10-苝二基等未取代或取代的苝二基等，优选为未取代或取代的亚苯基、未取代或取代的芴二基。

2价杂环基是指从杂环式化合物(特别是芳香族杂环式化合物)中除去2个氢原子后剩余的原子团，是指未取代的2价杂环基及被烷基等取代基取代的2价杂环基。2价杂环基的碳原子数不包含取代基的碳原子数，通常为4～60，优选为4～30，更优选为6～12。作为所述2价杂环基的例子，可以举出：2，5-吡啶二基、2，6-吡啶二基等未取代或取代的吡啶二基；2，5-噻吩二基等未取代或取代的噻吩二基；2，5-呋喃二基等未取代或取代的呋喃二基；2，6-喹啉二基等未取代或取代的喹啉二基；1，4-异喹啉二基、1，5-异喹啉二基等未取代或取代的异喹啉二基；5，8-喹喔啉二基等未取代或取代的喹喔啉二基；4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二基等未取代或取代的苯并[1，2，5]噻二唑二基；4，7-苯并噻唑二基等未取代或取代的苯并噻唑二基；2，7-咔唑二基、3，6-咔唑二基等未取代或取代的咔唑二基；3，7-吩噁嗪二基等未取代或取代的吩噁嗪二基；3，7-吩噻嗪二基等未取代或取代的吩噻嗪二基；2，7-二苯并硅杂环戊二烯二基等非取代或取代的二苯并硅杂环戊二烯(dibenzosilole)二基等，优选为未取代或取代的苯并[1，2，5]噻二唑二基、未取代或取代的吩噁嗪二基、未取代或取代的吩噻嗪二基。作为2价杂环基，优选2价的芳香族杂环基。

所谓具有金属络合物结构的2价基团，是指从具有有机配位基和中心金属的金属络合物的该有机配位基中除去2个氢原子而成的剩余的原子团。该有机配位基的碳原子数通常为4～60。作为所述有机配位基，可以举出：8-羟基喹啉及其衍生物、苯并羟基喹啉及其衍生物、2-苯基吡啶及其衍生物、2-苯基苯并噻唑及其衍生物、2-苯基苯并噁唑及其衍生物、卟啉及其衍生物等。

作为所述金属络合物的中心金属，例如可以举出：铝、锌、铍、铱、铂、金、铕、铽。

作为所述金属络合物，可以举出作为低分子荧光发光材料、磷光发光材料公知的金属络合物、三重态发光络合物等。

<高分子化合物>

-式(1)表示的化合物的残基-

所谓以所述式(1)表示的化合物的残基，是指除去所述式(1)表示的化合物中的一部分或全部(通常为1个或2个)氢原子后剩余的原子团。所述式(1)表示的化合物的残基优选以(例如成为2价基团)重复单元包含在高分子化合物中、(例如成为1价基团)存在于分子链末端、包含在重复单元中而存在，更优选以重复单元包含在高分子化合物中。

所述式(1)中，可以具有以Ar表示的取代基的芳基、可以具有取代基的1价杂环基在具有取代基时，作为该取代基，可以举出：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、烯基、炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、杂环硫基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、硝基、氰基等。这些取代基中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代。

所述式(1)中，Ar优选为苯基、C₁～C₁₂烷氧基苯基、C₁～C₁₂烷基苯基、联苯基、C₁～C₁₂烷氧基联苯基、C₁～C₁₂烷基联苯基、吡啶基苯基、苯基吡啶基，更优选为苯基、C₁～C₁₂烷基联苯基(例如，被碳原子数为1～12的烷基取代的联苯基)。这些基团可以具有取代基。

以所述式(1)表示的化合物的残基组成的重复单元从电荷注入·传输的观点考虑，优选为以下述式(3)表示的重复单元，更优选为在该式(3)中Ar为可以具有取代基的苯基、Ar’为可以具有取代基的1，4-亚苯基的重复单元。

(式中，Ar具有和上述Ar相同的意思。Ar’表示可以具有取代基的亚芳基、或可以具有取代基的2价杂环基。存在的2个Ar’可以相同也可以不同。)

所述式(3)中，在以Ar’表示的可以具有取代基的亚芳基、可以具有取代基的2价杂环基具有取代基时，作为该取代基，可以举出：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、烯基、炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、杂环硫基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、硝基、氰基等。这些取代基中包含的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代。

Ar’例如为亚苯基、C₁～C₁₂烷氧基亚苯基、C₁～C₁₂烷基亚苯基、亚联苯基、C₁～C₁₂烷氧基亚联苯基、C₁～C₁₂烷基亚联苯基、吡啶二基、C₁～C₁₂烷氧基吡啶二基、C₁～C₁₂烷基吡啶二基，优选为1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，2-亚苯基、1，4-吡啶二基、1，3-吡啶二基、1，2-吡啶二基、1，4-萘二基、2，6-萘二基、1，4-蒽二基、1，5-蒽二基、2，6-蒽二基、9，10-蒽二基，更优选为1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，2-亚苯基、1，4-吡啶二基、1，3-吡啶二基、1，2-吡啶二基、1，4-萘二基、2，6-萘二基，进一步优选为1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，4-萘二基、1，4-吡啶二基、1，3-吡啶二基、1，2-吡啶二基，特别优选为1，4-亚苯基、1，4-吡啶二基。

作为以所述式(3)表示的重复单元，可以举出以下述式(3)’、(3)”表示的重复单元。

(式中，X表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、烯基、炔基、氨基、取代氨基、甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、杂环硫基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、羧基、硝基、或氰基。在以X表示的基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代。)

作为以所述式(3)表示的重复单元，可以举出以下式表示的重复单元。

在高分子化合物中可以仅含有一种以所述式(1)表示的化合物的残基，也可以含有两种以上。

-以式(2)表示的化合物的残基-

所谓以所述式(2)表示的化合物的残基，是指除去在以所述式(2)表示的化合物中的一部分或全部(通常为1个或2个)氢原子后剩余的原子团。以所述式(2)表示的化合物的残基优选以(例如成为2价基团)重复单元包含在高分子化合物中、(例如成为1价基团)存在于分子链末端、包含在重复单元中而存在，更优选以重复单元包含在高分子化合物中、存在于分子链末端。

所述式(2)中，Z¹、Z²、Z³、Z⁴、Z⁵、Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹、及Z¹⁰中的8个表示的-C(R’)＝中，R’表示氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的芳硫基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的氨基、可以具有取代基的甲硅烷基、卤原子、可以具有取代基的酰基、可以具有取代基的酰氧基、可以具有取代基的1价杂环基、可以具有取代基的杂环硫基、亚胺残基、可以具有取代基的酰胺基、酰亚胺基、羧基、硝基、或氰基，优选为氢原子、可被氟原子取代的烷基、可被氟原子取代的烷氧基、可被氟原子取代的芳基、可被氟原子取代的芳氧基、可被氟原子取代的芳烷基、可被氟原子取代的芳烷氧基、可被氟原子取代的芳烯基、可被氟原子取代的芳炔基、可被氟原子取代的氨基、可被氟原子取代的取代氨基、卤原子、可被氟原子取代的酰基、可被氟原子取代的酰氧基、可被氟原子取代的1价杂环基、羧基、硝基、氰基，进一步优选为氢原子、可被氟原子取代的烷基、可被氟原子取代的烷氧基、可被氟原子取代的芳基、可被氟原子取代的芳氧基、可被氟原子取代的芳烷基、可被氟原子取代的芳烷氧基、卤原子、可被氟原子取代的1价杂环基、更优选为氢原子、可被氟原子取代的烷基、可被氟原子取代的芳基、可被氟原子取代的芳烷基、卤原子、可被氟原子取代的1价杂环基，特别优选为氢原子、可被氟原子取代的烷基、可被氟原子取代的芳基，尤其优选为氢原子、可被氟原子取代的烷基。

所述式(2)中，Z¹、Z²及Z³中的1个表示的-N＝的位置和Z⁶、Z⁷及Z⁸中的1个表示的-N＝的位置优选为对称。例如，优选Z¹及Z⁶为-N＝、Z²、Z³、Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝，Z²及Z⁷为-N＝、Z¹、Z³、Z⁶、及Z⁸为-C(R’)＝，Z³及Z⁸为-N＝、Z¹、Z²、Z⁶及Z⁷为-C(R’)＝，更优选Z¹及Z⁶为-N＝、Z²、Z³Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝。

包含所述式(2)表示的化合物的残基的重复单元，优选为以下述式(4)表示的重复单元或以下述式(5)表示的重复单元，更优选为这些式中不是结合手的R”为氢原子或烷基的重复单元、不是结合手的R”’为氢原子或烷基的重复单元、不是结合手的R”为氢原子或烷基的重复单元并且不是结合手的R”’为氢原子或烷基的重复单元。

(式中，Z^1*、Z^2*及Z^3*中，1个表示-N＝、2个表示-C(R”)＝。Z^4*及Z^5*表示-C(R”)＝。Z^6*、Z^7*及Z^8*中，1个表示-N＝、2个表示-C(R”)＝。Z^9*及Z^10*表示-C(R”)＝。R”表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基、或氰基，Z^1*、Z^2*、Z^3*、Z^4*及Z^5*中含有的1个R”表示结合手，Z^6*、Z^7*、Z^8*、Z^9*及Z^10*中含有的1个R”表示结合手。用R”表示的基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代。存在的8个-C(R”)＝可以相同也可以不同。Z^2*及Z^3*为-C(R”)＝时Z^2*及Z^3*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^3*为-C(R”)＝时Z^3*及Z^4*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^4*及Z^5*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，但Z^2*及Z^3*、Z^3*及Z^4*及Z^4*及Z^5*中的2个以上组合不同时形成苯环，Z^7*及Z^8*为-C(R”)＝时Z^7*及Z^8*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^8*为-C(R”)＝时Z^8*及Z^9*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^9*及Z^10*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，但Z^7*及Z^8*、Z^8*及Z^9*及Z^9*及Z^10*中的2个以上组合不同时形成苯环，2个R”互相键合形成的苯环可以具有取代基。)

(式中，Z^1**、Z^2**及Z^3**中，1个表示-N＝、2个表示-C(R”’)＝。Z^4**及Z^5**表示-C(R”’)＝。R”’表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基、或氰基，Z^1**、Z^2**、Z^3**、Z^4**及Z^5**中含有的2个R”’表示结合手。Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹及Z¹⁰具有和上述Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹及Z¹⁰相同的意思。用R’、R”’表示的基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代。存在的4个-C(R’)＝可以相同也可以不同。存在的4个-C(R”’)＝可以相同也可以不同。Z^2**及Z^3**为-C(R”)＝时Z^2**及Z^3**中含有的2个R”’可以互相键合形成苯环，Z^3**为-C(R”’)＝时Z^3**及Z^4**中含有的2个R”’可以互相键合形成苯环，Z^4**及Z^5**中含有的2个R”’可以互相键合形成苯环，但Z^2**及Z^3**、Z^3**及Z^4**及Z^4**及Z^5**中的2个以上组合不同时形成苯环。Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝时Z⁷及Z⁸中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁸为-C(R’)＝时Z⁸及Z⁹中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁹及Z¹⁰中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，但Z⁷及Z⁸、Z⁸及Z⁹及Z⁹及Z¹⁰中的2个以上组合不同时形成苯环。2个R’互相键合形成的苯环可以具有取代基，2个R”’互相键合形成的苯环可以具有取代基。)

所述式(4)中，Z^1*、Z^2*、Z^3*、Z^4*、Z^5*、Z^6*、Z^7*、Z^8*、Z^9*及Z^10*中的8个所表示的-C(R”)＝中，1个表示结合手，其余的R”表示的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基或氰基具有和上述相同的意思，优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、卤原子、1价杂环基，更优选为氢原子、烷基、芳基、芳烷基、卤原子、1价杂环基，进一步优选为氢原子、烷基、芳基，特别优选为氢原子、烷基。

所述式(4)中，Z^1*、Z^2*及Z^3*中的1个表示的-N＝的位置和Z^6*、Z^7*及Z^8*中的1个表示的-N＝的位置优选为对称。具体而言，优选Z^1*及Z^6*为-N＝、Z^2*、Z^3*、Z^7*及Z^8*为-C(R”)＝，Z^2*及Z^7*为-N＝、Z^1*、Z^3*、Z^6*及Z^8*为-C(R”)＝，Z^3*及Z^8*为-N＝、Z^1*、Z^2*、Z^6*及Z^7*为-C(R”)＝，更优选Z^1*及Z^6*为-N＝、Z^2*、Z^3*、Z^7*及Z^8*为-C(R”)＝。

具有以所述式(4)表示的重复单元的高分子化合物中，优选2个结合手为除去Z^3*及Z^8*所含的R”而成的键。

作为所述式(4)表示的重复单元，可以举出以下式表示的重复单元。

所述式(5)中，以Z^1**、Z^2**、Z^3**、Z^4**及Z^5**中的4个表示的-C(R”’)＝中，2个表示结合手，其余的R”’所表示的烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基、或氰基具有和上述相同的意思，优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、卤原子、1价杂环基，更优选为氢原子、烷基、芳基、芳烷基、卤原子、1价杂环基，进一步优选为氢原子、烷基、芳基，特别优选为氢原子、烷基。

所述式(5)中，Z^1**、Z^2**及Z^3**的-N＝的位置和Z⁶、Z⁷及Z⁸的-N＝的位置优选为对称。具体而言，优选Z^1**及Z⁶为-N＝、Z^2**及Z^3**为-C(R”’)、Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝，Z^2**及Z⁷为-N＝、Z^1**及Z^3**为-C(R”’)、Z⁶及Z⁸为-C(R”’)＝，Z^3**及Z⁸为-N＝、Z^1**及Z^2**为-C(R”’)、Z⁶及Z⁷为-C(R”’)＝，更优选Z^1**及Z⁶为-N＝、Z^2**及Z^3**为-C(R”’)、Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝。

具有以所述式(5)表示的重复单元的高分子化合物中，优选2个结合手为除去Z^2**及Z^5**或Z^2**及Z^4**所含的R”’而成的键。

作为以所述式(5)表示的重复单元，可以举出含有可以具有取代基的2，2’-联吡啶-5，5’-二基的重复单元、用下式表示的重复单元等。

以所述式(2)表示的化合物的残基存在于分子链末端时，优选以下述式(6)表示的基团存在。

(式中，Z^1*、Z^2*、Z^3*、Z^4*、Z^5*、Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹及Z¹⁰具有和上述Z^1*、Z^2*、Z^3*、Z^4*、Z^5*、Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹及Z¹⁰相同的意思。用R’、R”表示的基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代。存在的4个-C(R’)＝可以相同也可以不同。存在的4个-C(R”)＝可以相同也可以不同。Z^2*及Z^3*为-C(R”)＝时Z^2*及Z^3*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^3*为-C(R”)＝时Z^3*及Z^4*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^4*及Z^5*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，但Z^2*及Z^3*、Z^3*及Z^4*及Z^4*及Z^5*中的2个以上组合不同时形成苯环。Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝时Z⁷及Z⁸中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁸为-C(R’)＝时Z⁸及Z⁹中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁹及Z¹⁰中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，但Z⁷及Z⁸、Z⁸及Z⁹及Z⁹及Z¹⁰中的2个以上组合不同时形成苯环。2个R’互相键合形成的苯环可以具有取代基，2个R”互相键合形成的苯环可以具有取代基。)

所述式(6)中，Z^1*、Z^2*及Z^3*中的-N＝的位置和Z⁶、Z⁷及Z⁸中的-N＝的位置优选为对称。具体而言，优选Z^1*及Z⁶为-N＝、Z^2*、Z^3*为-C(R”)、Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝，Z^2*及Z⁷为-N＝、Z^1*及Z^3*为-C(R”)＝、Z⁶及Z⁸为-C(R’)＝，Z^3*及Z⁸为-N＝、Z^1*及Z^2*为-C(R”)＝、Z⁶及Z⁷为-C(R’)＝，更优选Z^1*及Z⁶为-N＝、Z^2*及Z^3*为-C(R”)、Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝。

所述式(6)中，1个键优选为除去Z^3*所含的R”而成的键。

所述式(6)表示的基团存在于分子链末端时，高分子化合物的全部分子链末端中，存在于分子链末端的用所述式(6)表示的基团的比例(个数标准)优选为10～100％，更优选为25～100％，进一步优选为40～100％。

作为用所述式(6)表示的基团，可以举出可具有取代基的2，2’-联吡啶-5-基、用下式表示的基团等。

在高分子化合物中可以仅含有1种以所述式(2)表示的化合物的残基，也可以含有2种以上。

-以式(1)表示的化合物的残基和以式(2)表示的化合物的残基的比例等

本发明的高分子化合物从电荷注入·传输的观点考虑，优选为共轭类高分子。所谓所述共轭类高分子，是指在主链中的全部键的50～100％、特别是70～100％、尤其是80～100％共轭的高分子化合物。

本发明的高分子化合物中用所述式(1)表示的化合物的残基(包含用所述式(3)表示的重复单元。以下，简称为“式(1)表示的化合物的残基)和用所述式(2)表示的化合物的残基(包含用所述式(4)表示的重复单元、用所述式(5)表示的重复单元、用所述式(6)表示的基团)的比例(摩尔比)通常为1∶0.001～1∶5，优选为1∶0.005～1∶3，更优选为1∶0.01～1∶1。

本发明的高分子化合物从发光效率及元件的耐久性的观点考虑优选为如下所述的高分子化合物，该高分子化合物具有

用所述式(3)表示的重复单元、和

选自用所述式(4)表示的重复单元及用所述式(5)表示的重复单元组成的组中的至少一种、及/或用所述式(6)表示的基团。

-其他的重复单元-

本发明的高分子化合物从电荷传输·注入及亮度半衰期的观点考虑，优选进一步具有选自用下述式(A)表示的重复单元、用下述式(B)表示的重复单元及用下述式(C)表示的重复单元组成的组中的至少一种重复单元。

(式中，Ar³及Ar⁷分别独立地表示可以具有取代基的亚芳基、可以具有取代基的2价杂环基或可以具有取代基的具有金属络合物结构的2价基团。Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶分别独立地表示可以具有取代基的亚芳基、可以具有取代基的2价杂环基或可以具有取代基的2个芳香环以单键连接成的2价基团。R¹及R²分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或芳烷基。

X¹表示-CR³＝CR⁴或-C≡C-。R³及R⁴分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基、羧基、或氰基。a为0或1。)

·用式(A)表示的重复单元-

所述式(A)中，以Ar³表示的基团具有取代基时，作为该取代基，可以举出：烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基、氰基等，优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、取代氨基、1价杂环基，更优选为烷基、烷氧基、芳基。

所述式(A)中，以Ar³表示的可以具有取代基的亚芳基中的亚芳基是指从芳香族烃中除去2个氢原子后的原子团，包含具有独立的苯环或稠环的亚芳基。该亚芳基的碳原子数通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。所述式(A)中，作为以Ar³表示的可以具有取代基的亚芳基中的亚芳基，可以举出：1，4-亚苯基、1，3-亚苯基、1，4-萘二基、1，5-萘二基、2，6-萘二基、9，10-蒽二基、2，7-亚菲基、5，12--亚并四苯基、2，7-芴二基、3，6-芴二基、1，6-芘二基、1，8-芘二基、3，9-苝二基、3，10-苝二基、2，6-喹啉二基、1，4-异喹啉二基、1，5-异喹啉二基、5，8-喹喔啉二基等，优选1，4-亚苯基、1，4-萘二基、1，5-萘二基、2，6-萘二基、9，10-蒽二基、2，7-芴二基、1，6-芘二基、3，9-苝二基、3，10-苝二基、2，6-喹啉二基、1，4-异喹啉二基、5，8-喹喔啉二基，更优选1，4-亚苯基、1，4-萘二基、1，5-萘二基、2，6-萘二基、9，10-蒽二基、2，7-芴二基、5，8-喹喔啉二基，进一步优选1，4-亚苯基、2，7-芴二基。

所述式(A)中，作为以Ar³表示的可以具有取代基的2价杂环基中的2价杂环基，可以举出4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二基、3，7-吩噁嗪二基、3，7-吩噻嗪二基等，优选为4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二基、3，7-吩噁嗪二基、3，7-吩噻嗪二基、4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二基、3，7-吩噁嗪二基、3，7-吩噻嗪二基，更优选为4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二基、3，7-吩噁嗪二基、3，7-吩噻嗪二基。

所述式(A)中，作为以Ar³表示的可以具有取代基的具有金属络合物结构的2价基团，可以举出用下式M-1～M-7表示的基团。

其中，作为以Ar³表示的基团，优选为下述式(D)、(E)、(F)、(G)及(H)中的至少一种。

(式中，R¹⁰为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基或氰基。这些基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代。f表示0～4的整数。存在多个R¹⁰时，它们可以相同也可以不同。)

(式中，R¹¹及R¹²分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、芳烷基或1价杂环基。)

(式中，R¹³及R¹⁴分别独立为氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基或氰基。这些基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代。)

(式中，R¹⁵表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或芳烷基。)

(式中，R¹⁶表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或芳烷基。)

所述式(D)中，R¹⁰优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、取代氨基、酰基、1价杂环基，更优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、取代氨基、酰基、1价杂环基，进一步优选为烷基、烷氧基、芳基、1价杂环基，特别优选为烷基、烷氧基、芳基。

所述式(D)中，f优选为0～2的整数。

所述式(E)中，R¹¹、R¹²优选为烷基、芳基、1价杂环基，更优选为烷基、芳基。

所述式(F)中，R¹³及R¹⁴优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、酰基、1价杂环基，更优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1价杂环基，进一步优选为氢原子、烷基，特别优选为氢原子。

所述式(G)中，R¹⁵优选为烷基、芳基、1价杂环基，更优选为烷基、芳基，进一步优选为芳基。

所述式(H)中，R¹⁶优选为烷基、芳基、1价杂环基，更优选为烷基、芳基，进一步优选为芳基。

作为以所述式(A)表示的重复单元，优选可以具有取代基的芴二基、可以具有取代基的亚苯基及它们的组合。

·以式(B)表示的重复单元

所述式(B)中，以Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶表示的基团具有取代基时，作为该取代基，可以举出：烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基、氰基，优选为烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、取代氨基、酰基、氰基，更优选为烷基、烷氧基、芳基。

所述式(B)中，以Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶表示的可以具有取代基的亚芳基中的亚芳基是指从芳香族烃中除去2个氢原子后的原子团，包含具有独立的苯环或稠环的原子团。该亚芳基的碳原子数通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。

所述式(B)中，作为以Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶表示的可以具有取代基的亚芳基中的亚芳基，可以举出：1，3-亚苯基、1，4-亚苯基、1，4-萘二基、2，6-萘二基、9，10-蒽二基、2，7-菲二基、5，12-并四苯二基、2，7-芴二基、3，8-苝二基等。

所述式(B)中，以Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶表示的可以具有取代基的2价杂环基中的2价杂环基的碳原子数通常为4～60，优选为4～20，更优选为4～9。所述式(B)中，作为以Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶表示的可以具有取代基的2价杂环基中的2价杂环基，可以举出：2，5-噻吩二基、N-甲基-2，5-吡咯二基、2，5-呋喃二基、4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二基、3，7-吩噁嗪二基、3，6-咔唑二基等。

所述式(A)中，作为以Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶表示的、可以具有取代基的2个芳香环以单键连接成的2价基团中的、2个芳香环以单键连接成的2价基团，可以举出以下式(3A-1)～(3A-4)表示的基团。

所述式(B)中，Ar⁴及Ar⁵分别独立地优选为可以具有取代基的亚芳基，更优选为可以具有取代基的1，3-亚苯基、可以具有取代基的1，4-亚苯基、可以具有取代基的1，4-萘二基、可以具有取代基的2，6-萘二基、以所述式(3A-1)表示的基团，更优选为可以具有取代基的1，4-亚苯基、可以具有取代基的1，4-萘二基，特别优选为可以具有取代基的1，4-亚苯基。

所述式(B)中，Ar⁵优选为可以具有取代基的1，3-亚苯基、可以具有取代基的1，4-亚苯基、可以具有取代基的1，4-萘二基、可以具有取代基的2，7-芴二基、可以具有取代基的4，7-苯并[1，2，5]噻二唑二基、可以具有取代基的3，7-吩噁嗪二基、以所述式(3A-1)表示的基团、以所述式(3A-4)表示的基团，更优选为可以具有取代基的1，4-亚苯基、可以具有取代基的1，4-萘二基、可以具有取代基的2，7-芴二基、以所述式(3A-1)表示的基团，进一步优选为可以具有取代基的1，4-亚苯基、可以具有取代基的以所述式(3A-1)表示的基团。

所述式(B)中，R¹及R²分别独立地优选为烷基、芳基、1价杂环基，更优选为烷基、芳基，进一步优选为芳基。

作为以所述式(B)表示的重复单元，可以举出以下式(3B-1)～(3B～4)表示的重复单元。式中，R^a表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、硝基或氰基。存在的多个R^a可以相同也可以不同。

·以式(C)表示的重复单元

所述式(C)中，以Ar⁷表示的可以具有取代基的亚芳基、可以具有取代基的2价杂环基、可以具有取代基的具有金属络合物结构的2价基团和所述Ar³项中说明例示的基团相同。

所述式(C)中，R³、R⁴优选为氢原子、烷基、芳基，更优选为氢原子、芳基。

作为以所述式(C)表示的重复单元，可以举出以下式(4A-1)～(4A-11)表示的重复单元。

当本发明的高分子化合物具有选自以所述式(A)表示的重复单元、以所述式(B)表示的重复单元及以所述式(C)表示的重复单元组成的组中的至少一种重复单元时，以所述式(1)表示的化合物的残基和选自以所述式(A)表示的重复单元、所述式(B)表示的重复单元、所述式(C)表示的重复单元组成的组中的至少一种重复单元的比例(摩尔比)通常为1∶0.01～1∶100，优选为1∶0.05～1∶50，更优选为1∶0.1～1∶20。

以所述式(A)表示的重复单元、以所述式(B)表示的重复单元、以所述式(C)表示的重复单元各自在高分子化合物中，可以仅含有1种也可以含有2种以上。

本发明的高分子化合物的聚苯乙烯换算的数均分子量通常为1×10³～1×10⁷，优选为1×10⁴～5×10⁶，聚苯乙烯换算的重均分子量通常为1×10⁴～5×10⁷，优选为5×10⁴～1×10⁷。

作为本发明的高分子化合物，例如可以举出用下式表示的高分子化合物1～4。

(式中，x、y、m、n表示高分子化合物1中的各重复单元的组成比(摩尔％)，x为满足30≤x≤60的正数，y为满足20≤y≤40的正数，m为满足5≤m≤30的正数，n为满足3≤n≤20的正数。其中，x+y+m+n＝100。高分子化合物1的聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10⁴～1×10⁶。)

(式中，x’、y’、m’、n’表示高分子化合物2中的各重复单元的组成比(摩尔％)，x’为满足30≤x’≤60的正数，y’为满足20≤y’≤40的正数，m’为满足5≤m’≤30的正数，n’为满足3≤n’≤20的正数。

其中，x’+y’+m’+n’＝100。高分子化合物2的聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10⁴～1×10⁶。)

(式中，x”、y”、m”、n”表示高分子化合物3中的各重复单元的组成比(摩尔％)，x”为满足30≤x”≤60的正数，y”为满足20≤y”≤40的正数，m”为满足5≤m”≤30的正数，n”为满足3≤n”≤20的正数。其中，x”+y”+m”+n”＝100。高分子化合物3的聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10⁴～1×10⁶。)

(式中，x”’、y”’、m”’、n”’表示高分子化合物4中的各重复单元的组成比(摩尔％)，x”’为满足30≤x”’≤60的正数，y”’为满足10≤y”’≤30的正数，z为满足5≤z≤20的正数，m”’为满足5≤m”’≤30的正数，n”’为满足3≤n”’≤20的正数。其中，x”’+y”’+m”’+n”’＝100。高分子化合物4的聚苯乙烯换算的重均分子量为1×10⁴～1×10⁶。)

<组合物>

本发明的高分子化合物可以与选自发光材料、空穴传输材料及电子传输材料组成的组中的至少一种并用而成为组合物。

作为所述发光材料，可以举出低分子荧光发光材料、磷光发光材料等，作为其例子，可以举出：萘衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、聚甲炔类色素、呫吨类色素、香豆素类色素、花青类色素等色素类、以8-羟基喹啉作为配位基的金属络合物、以8-羟基喹啉衍生物作为配位基的金属络合物，其他的荧光性金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物、茋类、含硅芳香族类、噁唑类、含硅芳香族系类、噁唑类、N-氧化噁二唑类、噻二唑类、四芳基甲烷系、噻二唑系、吡唑系、间环芳(metacyclophane)系、乙炔系等低分子化合物的荧光性材料、铱络合物、铂络合物等金属络合物、三重态发光络合物等。此外，还可以举出日本特开昭57-51781号公报、日本特开昭59-194393号公报中所述的材料。

所述发光材料的比例相对于本发明的高分子化合物100重量份，从有机电致发光元件的色度的观点考虑，优选为1～50重量份，更优选为3～40重量份，进一步优选为3～30重量份。

作为所述空穴传输材料，可以举出：聚乙烯咔唑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、侧链或主链上具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物等。此外，还可以举出：日本特开昭63-70257号公报、日本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公报、日本特开平3-152184号公报中所述的材料。

所述空穴输送材料的比例相对于本发明的高分子化合物100重量份，从电荷平衡的观点考虑，优选为3～30重量份、更优选为3～20重量份，进一步优选为3～10重量份。

作为所述电子传输材料，可以举出：噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、联苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、聚芴及其衍生物等。此外，还可以举出：日本特开昭63-70257号公报、日本特开昭63-175860号公报、日本特开平2-135359号公报、日本特开平2-135361号公报、日本特开平2-209988号公报、日本特开平3-37992号公报、日本特开平3-152184号公报中所述的材料。

所述电子传输材料的比例相对于本发明的高分子化合物100重量份，从电荷平衡的观点考虑，优选为5～50重量份，更优选为5～30重量份，进一步优选为5～20重量份。

本发明的组合物从发光效率及元件耐久性的观点考虑，可以包含以所述式(1)表示的化合物、具有以所述式(1)表示的化合物的残基的化合物、以所述式(2)表示的化合物、具有以所述式(2)表示的化合物的残基的化合物等。

本发明的组合物通过含有有机溶剂，可以形成溶液或分散液(以下，简称为溶液)。通过该操作，可以利用涂布法进行成膜。该溶液一般称为油墨、液状组合物等。

作为所述有机溶剂，可以举出：氯仿、二氯甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氯苯、邻二氯苯等氯类溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚类溶剂；甲苯、二甲苯、三甲基苯、

等芳香族烃类溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷等脂肪族烃类溶剂；丙酮、甲基乙基酮、环己酮等酮类溶剂；醋酸乙酯、醋酸丁酯、苯甲酸甲酯、乙基溶纤剂醋酸酯等酯类溶剂；乙二醇、乙二醇单丁醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基甲烷、三乙二醇单乙醚、丙三醇、1，2-己二醇等多元醇及其衍生物；甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等醇类溶剂；二甲基亚砜等亚砜类溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺类溶剂。上述溶剂可以单独使用1种也可以并用2种以上。从粘度、成膜性等观点考虑，所述溶剂中优选包含如下有机溶剂：具有包含苯环的结构、并且熔点为0℃以下、沸点为100℃以上的有机溶剂。

本发明的组合物含有上述有机溶剂时，由本发明的组合物进行层叠·成膜时，涂布本发明的组合物后，可以仅通过干燥除去有机溶剂，在制造上非常有利。干燥时，可以在加温到50～150℃左右的状态下干燥，也可以减压到10^-3Pa左右进行干燥。

对于所述层叠·成膜，可以使用以下的涂布法：旋涂法、铸造法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、金属丝棒涂法、浸涂法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等。

本发明的组合物含有所述有机溶剂时，所述溶剂的优选的粘度根据印刷法的不同而有所差异，优选25℃下在0.5～500mPa·s的范围，当利用喷墨印刷法等使液状组合物经由喷出装置喷出时，为了防止喷出时的堵塞、飞行弯曲，优选粘度在25℃下在0.5～20mPa·s的范围。

<有机电致发光元件>

本发明的有机电致发光元件为使用本发明的高分子化合物而成的元件，通常为具有阳极和阴极和在该阳极及阴极之间使用本发明的高分子化合物而成的层的元件，优选使用该高分子化合物而成的层为发光层的元件。以下，以使用本发明的高分子化合物而成的层为发光层的情况作为一例进行说明。

作为本发明的有机电致发光元件的构成，可以举出以下a)～d)的构造。

a)阳极/发光层/阴极

b)阳极/空穴传输层/发光层/阴极

c)阳极/发光层/电子传输层/阴极

d)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极

(在此，/表示各层邻接层叠，下面相同。)

所谓发光层，为具有发光功能的层，所谓空穴传输层，为具有传输空穴功能的层，所谓电子传输层，为具有传输电子功能的层。空穴传输层和电子传输层统称为电荷传输层。也存在将和发光层邻接的空穴传输层称为夹层的情况。

各层的层叠·成膜可以由溶液进行。由溶液进行层叠·成膜时，可以使用旋涂法、铸造法、微凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、金属丝棒涂法、浸涂法、狭缝涂布法、毛细管涂布法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、喷嘴涂布法等涂布法。

发光层的膜厚以驱动电压和发光效率成为适当的值的方式选择即可，通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

本发明的有机电致发光元件具有空穴传输层时，使用的空穴传输材料如前所述。空穴传输层的成膜可以通过任意的方法进行，空穴传输材料为低分子化合物时，优选由和高分子粘结剂的混合溶液成膜。空穴传输材料为高分子化合物时，优选由溶液成膜。由溶液成膜时，可以使用上述作为涂布法示例的方法。

混合的高分子粘结剂优选为不极度妨碍电荷传输且对可见光的吸收不强的粘结剂。作为高分子粘结剂，可以举出聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

空穴传输层的膜厚以驱动电压和发光效率成为适当的值的方式选择即可，需要为至少不产生针孔的厚度，如果过厚则元件的驱动电压变高，故不优选。因此，空穴传输层的膜厚通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

本发明的有机电致发光元件具有电子传输层时，使用的电子传输材料如前所述。电子传输层的成膜可以通过任意的方法进行，电子传输材料为低分子化合物时，优选利用粉末的真空蒸镀法、由溶液或溶融状态进行成膜的方法。电子传输材料为高分子化合物时，优选由溶液或熔融状态进行成膜的方法。由溶液或熔融状态进行成膜时，可以并用高分子粘结剂。由溶液进行成膜时，可以使用上述作为涂布法示例的方法。

混合的高分子粘结剂优选为不极度妨碍电荷传输且对可见光的吸收不强的粘结剂。作为高分子粘结剂，可以举出：聚(N-乙烯基咔唑)、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)及其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。

电子传输层的膜厚以驱动电压和发光效率成为适当的值的方式选择即可，需要为至少不产生针孔的厚度，如果过厚则元件的驱动电压变高，故不优选。因此，电子传输层的膜厚通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。

在邻接电极设置的电荷传输层中，具有改善由电极注入电荷的效率的功能、且具有降低元件的驱动电压的效果的电荷传输层有时特别地称为电荷注入层(空穴注入层、电子注入层)。进而，为了提高和电极的密合性及改善从电极的电荷注入，可以和电极邻接设置所述电荷注入层或绝缘层，为了提高界面的密合性及防止混合等，可以在电荷传输层、发光层的界面插入薄的缓冲层。对于层叠的层的顺序及数量及各层的厚度，可以考虑发光效率及元件寿命做出适当选择。

作为设置有电荷注入层的有机电致发光元件，可以举出具有以下的e)～p)的构造的元件。

e)阳极/电荷注入层/发光层/阴极

f)阳极/发光层/电荷注入层/阴极

g)阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极

h)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/阴极

i)阳极/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极

j)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电荷注入层/阴极

k)阳极/电荷注入层/发光层/电荷传输层/阴极

l)阳极/发光层/电荷传输层/电荷注入层/阴极

m)阳极/电荷注入层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极

n)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电荷传输层/阴极

o)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极

p)阳极/电荷注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电荷注入层/阴极

作为电荷注入层，可列举：包含导电性高分子的层；设置在阳极和空穴传输层之间的、包含离子势为阳极材料和空穴传输层所含的空穴传输材料的中间值的材料的层；设置在阴极和电子传输层之间的、包含电子亲和力为阴极材料和电子传输层所含的电子传输材料的中间值的材料的层等。

所述电荷注入层为包含导电性高分子的层时，该导电性高分子的导电率优选为10^-5S/cm～10³S/cm，为了使发光像素间的漏电流变少，更优选为10^-5S/cm～10²S/cm，进一步优选为10^-5S/cm～10¹S/cm。为了满足该范围，可以在导电性高分子中掺杂适量的离子。

对于掺杂的离子的种类，为空穴注入层时为阴离子、为电子注入层时为阳离子。作为阴离子，可以举出：聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等，作为阳离子，可以举出：锂离子、钠离子、钾离子、四丁基铵离子等。

电荷注入层的膜厚例如为1～100nm，优选为2～50nm。

作为电荷注入层中使用的材料，根据与电极、邻接的层的材料的关系作出适当的选择即可，可以举出：聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚亚苯基亚乙烯基及其衍生物、聚亚噻吩基亚乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喔啉及其衍生物、主链或侧链含有芳香族胺构造的聚合物等导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。

绝缘层具有使电荷容易注入的功能。该绝缘层的平均厚度通常为0.1～20nm，优选为0.5～10nm，更优选为1～5nm。

作为绝缘层中使用的材料，可以举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。

作为设置有绝缘层的有机电致发光元件，可以举出具有以下q)～ab)的构造的元件。

q)阳极/绝缘层/发光层/阴极

r)阳极/发光层/绝缘层/阴极

s)阳极/绝缘层/发光层/绝缘层/阴极

t)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/阴极

u)阳极/空穴传输层/发光层/绝缘层/阴极

v)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/绝缘层/阴极

w)阳极/绝缘层/发光层/电子传输层/阴极

x)阳极/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极

y)阳极/绝缘层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极

z)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极

aa)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极

ab)阳极/绝缘层/空穴传输层/发光层/电子传输层/绝缘层/阴极

形成本发明的有机电致发光元件的基板只要在形成电极及有机物的层时不变化就可以，例如可以举出：玻璃、塑料、高分子膜、硅等基板。为不透明的基板时，优选与更靠近该基板的电极相反侧的电极为透明或半透明。

本发明中，通常，阳极及阴极组成的电极的至少一个为透明或半透明，优选阳极侧为透明或半透明。

作为阳极的材料，可以使用导电性的金属氧化物膜、半透明的金属薄膜等，具体可以使用用氧化铟、氧化锌、氧化锡及这些氧化物的复合物即铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物等组成的导电性无机化合物制作的膜(NESA等)及金、铂、银、铜等。作为阳极，可以使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机透明导电膜。为了使电荷注入容易，在阳极上可以设置由酞菁衍生物、导电性高分子、碳等组成的层或由金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等组成的层。

作为阳极的制作方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀敷法、镀敷法等。

阳极的厚度可以考虑光的透射性和导电率做出适当的选择，通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进一步优选为50nm～500nm。

作为阴极的材料，优选功函小的材料，可以使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属及这些金属中的2种以上的合金或这些金属中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金、石墨或石墨层间化合物等。

作为阴极的制作方法，可以使用真空蒸镀法、溅射法、热压接金属薄膜的层压法等。

阴极的膜厚可以考虑导电率及耐久性做出适当的选择，通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，进一步优选为50nm～500nm。

在阴极和发光层或阴极和电子传输层之间，可以设置包含导电性高分子的层或者包含金属氧化物、金属氟化物、有机绝缘材料等的层，在制作阴极后，可以安装保护该有机电致发光元件的保护层。为了长期稳定地使用该有机电致发光元件，为了从外部保护元件，优选安装保护层及/或保护罩。

作为保护层，可以使用树脂、金属氧化物、金属氟化物、金属硼化物等。作为保护罩，可以使用玻璃板、表面实施了低透水率处理的塑料板等，可优选使用用热固性树脂或光固性树脂将该保护罩与元件基板粘贴在一起进行密闭的方法。如果用隔板维持空间，则容易防止元件损伤。如果在该空间封入氮或氩等惰性气体，则可以防止阴极氧化，进而在该空间内设置氧化钡等干燥剂，由此可容易地抑制制造工序中吸附的水分损害元件。

本发明的高分子化合物、组合物、有机电致发光元件可用于：曲面状光源、平面状光源等面状光源(例如，照明等)；段显示装置(例如，段型显示元件等)、点阵显示装置(例如，点阵式平板显示器等)、液晶显示装置(例如，液晶显示装置、液晶显示器的背光灯等)等显示装置等。本发明的高分子化合物除优选用作这些制作中使用的材料以外，还可用于激光用色素、有机太阳电池用材料、有机晶体管用有机半导体、导电性薄膜、有机半导体薄膜等传导性薄膜用材料、发出荧光的发光性薄膜材料、高分子电场效果晶体管的材料等。

为了使用本发明的有机电致发光元件得到面状发光，以面状的阳极和阴极重叠的方式配置即可。为了得到图案状的发光，有如下方法：在上述面状的发光元件的表面设置设有图案状窗口的掩模的方法；使阳极和阴极的任一个或两个电极形成为图案状的方法。通过用这些方法中的任一个方法形成图案，将几个电极以能够独立地ON/OFF的方式配置，可得到可以显示数字或文字、简单的符号等的段型显示元件。进而，为了形成点阵元件，以阳极和阴极均形成条纹状并相互垂直的方式进行配置即可。通过分开涂布多种发光色不同的高分子化合物的方法或者使用彩色滤光片或荧光转换滤光片的方法，可以进行部分彩色显示、多色显示。点阵元件可以是无源驱动，也可以是与TFT等组合的有源驱动。这些显示元件可以作为计算机、电视、便携终端、便携电话、汽车导航系统、摄像机的取景器等显示装置使用。

实施例

用实施例具体说明本发明。以下，所谓“F8”，是指9，9-二辛基芴，所谓“F8Br2”，是指2，7-二溴-9，9-二辛基芴。

(数均分子量及重均分子量)

实施例中，聚苯乙烯换算的数均分子量及重均分子量通过凝胶渗透色谱仪(GPC、岛津制作所制造、商品名：LC-10Avp)求得。使测定的高分子化合物以为约0.5重量％的浓度溶解在四氢呋喃(以下，称为“THF”)中，注入30μL到GPC中。GPC的流动相使用THF，以0.6mL/分钟的流速流动。色谱柱为TSKgel SuperHM-H(东曹制造)2根和TSKgel SuperH2000(东曹制造)1根串联连接而成的柱子。检测器使用差示折射率检测器(岛津制作所制造、商品名：RID-10A)

(NMR测定)

实施例中，单体的NMR测定在以下的条件下进行。

装置：核磁共振装置、INOVA300(商品名)、Varian公司制造

测定溶剂：氘化氯仿

样品浓度：约1重量％

测定温度：25℃

(高效液相色谱)

实施例中，单体的高效液相色谱(以下，称为“HPLC”)在以下的条件下进行。

装置：LC-20A(商品名)、岛津制作所制造

色谱柱：Kaseisorb LC ODS-AM 4.6mmI.D.×100mm、东京化成制造

流动相：含有0.1重量％醋酸的水/含有0.1重量％醋酸的乙腈

检测器：UV检测器、检测波长254nm

(气相色谱)

实施例中，单体的气相色谱(以下，称为“GC”)在以下的条件下进行。

装置：Agilent Technology公司6890N network GC

色谱柱：BPX5 0.25mmI.D.×30m、SGE analytical science制造

流动相：氦

检测器：氢火焰离子化检测器(FID)

<合成例1>(低分子化合物A的合成)

氮气氛围下，将在1，4-二溴苯27.1g(114.97mmol)中加入脱水二乙醚(217ml)制备的溶液冷却到-66℃。将2.77M的正丁基锂的己烷溶液37.2ml(正丁基锂纯度：103.04mmol)在-66℃以下经过2小时滴加在得到的悬浊液中后，在同一温度下搅拌1小时，制备锂试剂。

氮气氛围下，将在氰尿酰氯10.0g(54.23mmol)中加入脱水二乙醚68ml制备的悬浊液冷却到-50℃，在-35℃以下的温度下经过45分钟慢慢地加入所述锂试剂后升温到室温，在室温下反应。过滤得到的生成物，减压使其干燥。精制得到的固体16.5g，得到13.2g的针状结晶。

氮气氛围下，于在镁1.37g(56.4mmol)中加入有脱水THF65ml的悬浊液中一点点地加入4-己基溴苯14.2g(59.2mmol)的脱水THF 15ml溶液，加热，在回流下搅拌。在得到的反应液中，放置冷却后，追加镁0.39g(16.3mmol)，再次加热，在回流下使其反应，制备格利雅试剂。

氮气氛围下，在所述针状结晶12.0g(28.2mmol)的脱水THF100ml悬浊液中加入所述格利雅试剂，加热，在回流下搅拌。在得到的反应液中，放置冷却后，用稀盐酸水溶液清洗、分液，用二乙醚提取水相。合并得到的有机相，用水清洗后，分液，将有机相用无水硫酸镁干燥、过滤、浓缩。用硅胶柱精制得到的白色固体，通过进一步再结晶，得到白色固体(以下，称为“低分子化合物A”)6.5g。

¹H-NMR(400MHz/CDCl₃)：

δ0.90(t、3H)、1.31～1.34(m、6H)、1.69(m、2H)、2.73(t、2H)、7.37(d、2H)、7.69(d、4H)、8.59～8.64(m、6H)

LC/MS(APCI posi)；[M+H]⁺566

<合成例2>(低分子化合物B的合成)

氮气氛围下，将双戊酰二硼(CAS number：73183-34-3)37.0g、2，5-二溴吡啶103.5g、[1，1’-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(与CH₃Cl₃形成了络合物的化合物、Aldrich制造)7.14g、1，1’-双(二苯基膦基)二茂铁4.85g、氢氧化钠35.0g、及1，4-二噁烷568ml在100～105℃下搅拌95小时。将得到的溶液冷却到室温后，加入甲苯460ml，在室温下搅拌20分钟。将得到的溶液用铺满硅胶的过滤器过滤，将滤液浓缩干燥固化，得到固体，接着，将该固体用乙腈进行2次再结晶，用醋酸乙酯进行1次再结晶，用氯仿进行2次再结晶，得到固体2.2g。接着，在该固体中加入乙腈(650ml)，在产生回流的温度下搅拌，在此温度下进行过滤，将得到的滤液浓缩干燥固化。接着，将得到的固体用氯仿进行再结晶，得到以下述式表示的5，5’-二溴-2，2’-联吡啶(以下，称为“低分子化合物B”)1.17g(收率3％、HPLC面积百分率99.5％、GC面积百分率99.2％)。¹H-NMR中没有观测到来源于杂质的峰。

¹H-NMR(299.4MHz、CDCl₃)：7.94(d、2H)、8.29(d、2H)、8.71(s、2H)

LC-MS(APPI-MS(posi))：313[M+H]⁺

<合成例3>(低分子化合物C的合成)

在300ml的四口烧瓶中加入1，4-二己基-2，5-二溴苯8.08g(20.0mmol)、双戊酰二硼(CAS number：73183-34-3)12.19g(48.0mmol)及醋酸钾11.78g(120.0mmol)，进行氩取代。加入脱水1，4-二噁烷100ml，用氩进行脱气。在其中加入[1，1’-双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯(II)二氯甲烷络合物0.98g(1.2mmol)，再用氩脱气。经过6小时加热回流，成为深茶色的浆液。在其中加入甲苯及离子交换水、分液，用离子交换水清洗得到的有机层。在得到的有机层中加入无水硫酸钠、活性炭，用预涂有硅藻土的漏斗过滤。浓缩滤液，得到深茶色的结晶11.94g。用正己烷再结晶，用甲醇清洗结晶。将得到的结晶减压干燥，以42.4％的收率得到用下述式表示的4.23g的白色针状结晶(以下，称为“低分子化合物C”)。

¹H-NMR(299.4MHz/CDCl₃)：

δ0.95(t、6H)、1.39～1.42(bd、36H)、1.62(m、4H)、2.88(t、4H)、7.59(bd、2H)

LC/MS(ESI posi KCl添加)；[M+H]⁺573

<合成例4>(低分子化合物D的合成)

氮气氛围下，在5-溴-2-碘吡啶47.5g及四(三苯基膦)钯5.73g中加入2-吡啶溴化锌的0.5M的THF溶液500mL，在20～23℃下搅拌。在其中加入水23mL搅拌10分钟。接着，加入硅藻土(商品名：Celite545、Aldrich公司制造)10g及THF250mL，搅拌15分钟后，浓缩干燥并固化过滤得到的滤液。将得到的粗生成物溶解在THF600ml中，加入乙二胺12g、水700ml、甲苯1200ml，搅拌后，静置、分液。用甲苯200ml提取得到的水层，合并得到的有机层后，在其中加入乙二胺8g及水400ml，清洗、静置、分液。由于析出固体，因此通过过滤除去，进一步将滤液用水400ml清洗2次、用15重量％的食盐水100ml清洗1次。将得到的有机层用无水硫酸钠50g干燥、浓缩，得到褐色油状物21g。将得到的油状物用硅胶柱色谱精制，通过浓缩干燥，得到黄白色结晶10.8g。将得到的结晶加热溶解在己烷22g中，冷却析出晶体，减压干燥，以白色板状结晶得到用下述式表示的5-溴-2，2’-联吡啶(以下，称为“低分子化合物D”)8.69g(收率22％、LC面积百分率99.9％)。

¹H-NMR(299.4MHz、CDCl₃)：7.32(ddd、1H)、7.82(td、1H)、7.94(dd、1H)、8.32(d、1H)、8.38(d、1H)、8.67(dt、1H)、8.73(d、1H)

<合成例5>(发光材料A的合成)

根据WO02/066552中所述的合成方法进行合成。即，氮气氛围下，通过2-溴吡啶和1.2当量的2-溴苯基硼酸的铃木偶联(催化剂：四(三苯基膦)钯(0)、碱：2M碳酸钠水溶液、溶剂：乙醇、甲苯)，得到用下述式表示的2-(3’-溴苯基)吡啶。

接着，氮气氛围下，通过三溴苯和2.2当量的4-叔丁基苯基硼酸的铃木偶联(催化剂：四(三苯基膦)钯(0)、碱：2M碳酸钠水溶液、溶剂：乙醇、甲苯)，得到用下述式表示的溴化物。

氮气氛围下，将该溴化物溶解在无水THF中后，冷却到-78℃，滴加稍稍过量的叔丁基锂。冷却下，进一步滴加B(OC₄H₉)，在室温下反应。用3M的盐酸水对得到的反应液进行后处理，得到用下述式表示的硼酸化合物。

通过1.2当量的所述硼酸化合物和2-(3’-溴苯基)吡啶的铃木偶联(催化剂：四(三苯基膦)钯(0)、碱：2M碳酸钠水溶液、溶剂：乙醇、甲苯)，得到用下述式表示的配位基(即，成为配位基的化合物)。

氩气氛围下，加入所述配位基、4当量的IrCl₃·3H₂O、2-EtOEtOH、及离子交换水，使其回流。将析出的固体抽滤。用乙醇、离子交换水清洗得到的固体后，干燥，得到用下述式表示的黄色粉末。

氩气氛围下，在所述黄色粉末中加入2当量的所述配位基，在二醇类溶剂中加热，得到用下述式表示的铱络合物(以下，称为“发光材料A”)。

¹H-NMR(300MHz/CDCl₃)：

δ1.37(s、54H)、6.90(t、3H)、7.35(d、3H)、7.48(d、12H)、7.57(d、6H)、7.64(d、12H)、7.55～7.70(m、6H)、7.78(s、6H)、8.00(d、3H)、8.05(s、3H)

LC/MS(APCI posi)；[M+H]⁺1677

<合成例6>(低分子化合物E的合成)

·化合物E-1的合成

将3L的四口烧瓶进行氮气取代，加入2，7-二溴芴酮165g，使其悬浮在2.4L的二苯基醚中。将得到的悬浊液加热到120℃，使2，7-二溴芴酮溶解后，在其中加入氢氧化钾155g，升温到160℃，搅拌2.5小时。放置冷却到室温后，加入己烷1.5L，过滤后，用己烷清洗，得到粗生成物。将3L的四口烧瓶进行氮气置换，加入得到的粗生成物，使其溶解在1.5L的脱水DMF中。将得到的溶液升温到90℃后，缓慢加入碘甲烷530g。然后，使其反应10小时。将得到的反应液冷却到室温后，滴加到冷却至0℃的水3L中，用3L己烷提取2次。将得到的提取液用铺上硅胶的玻璃过滤器过滤后，浓缩得到的有机层。将其通过硅胶柱色谱精制，得到用下述式表示的化合物E-1133.48g。

¹H-NMR(300MHz/CDCl₃)：

δ3.68(s、3H)、7.15(d、2H)、7.20(d、1H)、7.52(d、2H)、7.65(d、1H)、8.00(brs、1H)

¹³C-NMR(300MHz/CDCl₃)：

δ52.6、121.8、122.2、130.1、131.6、132.3、132.4、133.2、134.7、139.4、140.6、167.8

·化合物E-2的合成

(E-2)

在2L的三口圆底烧瓶中加入1-溴-4-正己基苯75g及无水THF847ml，冷却到-78℃。在其中慢慢地加入正丁基锂(1.6M己烷溶液)198ml，在-78℃下搅拌2小时，得到反应液。将把化合物E-149.53g溶解在无水THF141ml中所得的溶液加入到滴液漏斗中，以反应液的温度不超过-70℃以下的滴加速度滴加。滴加完成后，在相同温度下搅拌2小时，慢慢地升温到室温。然后，在其中加入氯化铵饱和水溶液500ml，进行搅拌，转移到分液漏斗中除去水层。用500ml水清洗得到的有机层2次，在得到的有机层中加入无水硫酸钠使其干燥。在玻璃过滤器中铺上厚度为7cm的硅胶层，使THF溶液通过进行过滤后，用THF 1L清洗。浓缩干燥得到的溶液。用己烷300ml进行再浆化清洗，得到用下述式表示的化合物E-260g。

·化合物E的合成

在1L的三口烧瓶中加入化合物E-260.0g及二氯甲烷202ml，使用水浴冷却到0℃。将三氟化硼二乙醚络合物234ml加入到滴液漏斗中，滴加到其中。在0℃搅拌得到的反应溶液2小时后，加入到加入有水500ml和冰500g的烧杯中使反应停止。将得到的反应溶液转移到分液漏斗中进行分液，用二氯甲烷200ml提取后，合并有机层，用水500ml清洗2次，用无水硫酸钠进行干燥。在玻璃过滤器中铺上厚度为7cm的硅胶层，使THF溶液通过，过滤硫酸钠，浓缩。在得到的油状物中加入甲苯100ml，加热回流。接着，冷却到70℃后，加入异丙醇700ml进行搅拌，放置到室温，产生结晶。过滤该结晶，干燥后，加入到茄型烧瓶中，加入己烷800ml、活性炭50g进行加热，回流2小时，得到混合物。在玻璃过滤器中铺上ラジオライト(2cm)，在其上铺上硅藻土(3cm)，在烘箱70℃下加热，使用其过滤所述混合物。将得到的溶液一半浓缩，加热浓缩物回流后，在室温下搅拌1小时。进而使用冰浴冷却的同时搅拌2小时，过滤生成的结晶并收集，得到用下述式表示的化合物E 53.9g。

¹H-NMR(300MHz/CDCl₃)：

δ0.87(t、6H)、1.28～1.37(m、12H)、1.50～1.62(m、4H)、2.54(t、4H)、7.04(s、8H)、7.45(d、2H)、7.49(s、2H)、7.55(d、2H)

¹³C-NMR(300MHz/CDCl₃)：

δ14.4、22.9、29.4、31.6、32.0、35.8、65.4、121.8、122.1、128.1、128.7、129.7、131.1、138.3、141.9、142.1、153.7

<实施例1>(高分子化合物A的合成)

氮气氛围下，混合低分子化合物C 0.997g(2.0mmol)、F₈Br₂0.658g(1.20mmol)、低分子化合物A 0.221g(0.40mmol)、低分子化合物B0.126g(0.40mmol)、醋酸钯0.7mg、三(2-甲氧基苯基)膦4.2mg及甲苯30ml，加热到105℃。在得到的溶液中滴加20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液6.6ml，回流26个小时。然后，加入苯基硼酸0.24g，进一步回流17个小时。接着，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2个小时。冷却后，用水27ml清洗2次、用3重量％醋酸水溶液27ml清洗2次、用水27ml清洗2次，将得到的溶液滴加到甲醇310mL中，过滤，得到沉淀物。将该沉淀物溶解在63ml甲苯中，依次通过氧化铝柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到310ml甲醇中，搅拌后，过滤得到的沉淀物，使其干燥。该沉淀物(以下，称为“高分子化合物A”)的得量为0.85g。

高分子化合物A的聚苯乙烯换算的数均分子量为8.9×10⁴，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.1×10⁵。

高分子化合物A是以由加入的原料中求得的理论值计以50∶30∶10∶10的摩尔比具有如下的重复单元的无规共聚物，所述重复单元为：

用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元。

<实施例2>(高分子化合物B的合成)

氮气氛围下，混合低分子化合物C 2.118g(4.25mmol)、F₈Br₂1.865g(3.40mmol)、低分子化合物A 0.469g(0.85mmol)、低分子化合物D0.008g(0.03mmol)、醋酸钯1.4mg、三(2-甲氧基苯基)膦9.0mg及甲苯43ml，加热到105℃。在得到的溶液中滴加20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液14.2ml，回流4小时。反应后，加入苯基硼酸0.52g，进一步回流16小时。接着，加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2小时。冷却后，用水57ml清洗2次、用3重量％醋酸水溶液57ml清洗2次、用水57ml清洗2次，将得到的溶液滴加到663mL甲醇中，通过过滤，得到沉淀物。将该沉淀物溶解在134ml甲苯中，依次通过氧化铝柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到663ml甲醇中，搅拌后，过滤得到的沉淀物，使其干燥。该沉淀物(以下，称为“高分子化合物B”)的得量为1.97g。

高分子化合物B的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.1×10⁵，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.4×10⁵。

高分子化合物B为以由加入的原料中求得的理论值计以50∶40∶10的摩尔比具有如下的重复单元、且在分子链末端具有式

表示的基团的无规共聚物，所述重复单元为：

用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元。

<合成例7>(高分子化合物C的合成)

氮气氛围下，混合2，7-双(1，3，2-二氧杂环戊硼烷(dioxaborolane)-2-基)-9，9-二辛基芴5.20g、双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺4.50g、醋酸钯2.2mg、三(2-甲基苯基)膦15.1mg、三辛基甲基氯化铵0.91g(商品名：Aliquat(注册商标)336、Aldrich制造)及甲苯70ml，加热到105℃。在得到的溶液中滴加2M的碳酸钠水溶液19ml，回流4小时。然后，在其中加入苯基硼酸121mg，进一步回流3小时。接着，加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌4小时。冷却后，用水60ml清洗3次、用3重量％醋酸水溶液60ml清洗3次、用水60ml清洗3次，依次通过氧化铝柱、硅胶柱进行精制。

将得到的甲苯溶液滴加到3L甲醇中，搅拌3小时后，取出得到的固体，使其干燥。这样得到的以50∶50(由进料量得到的理论值(摩尔比))具有用式

表示的重复单元的高分子化合物(交替共聚物)(以下，称为“高分子化合物C”)的得量为5.25g。高分子化合物C的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×10⁵，聚苯乙烯换算的重均分子量为2.6×10⁵。

<实施例4>(高分子化合物E的合成)

氮气氛围下，混合低分子化合物C(1.495g、3.0mmol)、低分子化合物E(1.431g、2.22mmol)、低分子化合物A(0.331g、0.60mmol)、低分子化合物B(0.0566g、0.18mmol)、醋酸钯1.0mg、三(2-甲氧基苯基)膦6.3mg及甲苯33ml，加热到105℃。在得到的溶液中滴加20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液10ml，回流19小时。然后，加入苯基硼酸0.37g，进一步回流17个小时。接着，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2个小时。冷却后，用水40ml清洗2次、用3重量％醋酸水溶液40ml清洗2次、用水40ml清洗2次，将得到的溶液滴加到甲醇500mL中，通过过滤，得到沉淀物。将该沉淀物溶解在94ml甲苯中，依次通过氧化铝柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到600ml甲醇中，搅拌后，过滤得到的沉淀物，使其干燥。该沉淀物(以下，称为“高分子化合物E”)的得量为1.53g。

高分子化合物E的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.3×10⁵，聚苯乙烯换算的重均分子量为3.3×10⁵。

高分子化合物E为以由加入的原料中求得的理论值计以50∶37∶10∶3的摩尔比具有如下的重复单元的无规共聚物，所述重复单元为：

用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元和、用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元。

<实施例5>(高分子化合物F的合成)

氮气氛围下，混合低分子化合物C(1.495g、3.0mmol)、低分子化合物E(1.160g、1.80mmol)、低分子化合物A(0.331g、0.60mmol)、低分子化合物B(0.188g、0.60mmol)、醋酸钯1.0mg、三(2-甲氧基苯基)膦6.3mg及甲苯33ml，加热到105℃。在得到的溶液中滴加20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液10ml，回流19小时。然后，加入苯基硼酸0.37g，进一步回流17小时。接着，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2小时。冷却后，用水40ml清洗2次、用3重量％醋酸水溶液40ml清洗2次、用水40ml清洗2次，将得到的溶液滴加到甲醇500mL中，通过过滤，得到沉淀物。将该沉淀物溶解在94ml甲苯中，依次通过氧化铝柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到800ml甲醇中，搅拌后，过滤得到的沉淀物，使其干燥。该沉淀物(以下，称为“高分子化合物F”)的得量为1.39g。

高分子化合物F的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.3×10⁵，聚苯乙烯换算的重均分子量为3.8×10⁵。

高分子化合物F为以由加入的原料求得的理论值计以50∶30∶10∶10的摩尔比具有如下的重复单元的无规共聚物，所述重复单元为：

用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元。

<比较例1>(高分子化合物D的合成)

氮气氛围下，混合低分子化合物C 0.987g(2.0mmol)、F₈Br₂ 0.878g(1.6mmol)、低分子化合物A 0.221g(0.40mmol)、醋酸钯0.7mg、三(2-甲氧基苯基)膦4.2mg及甲苯30ml，加热到105℃。在得到的溶液中滴加20重量％的氢氧化四乙基铵水溶液6.6ml，回流23小时。然后，加入苯基硼酸0.24g，进一步回流8小时。接着，在其中加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，在80℃搅拌2小时。冷却后，用水27ml清洗2次、用3重量％醋酸水溶液27ml清洗2次、用水27ml清洗2次，将得到的溶液滴加到甲醇310mL中，通过过滤，得到沉淀物。将该沉淀物溶解在63ml甲苯中，依次通过氧化铝柱、硅胶柱进行精制。将得到的甲苯溶液滴加到310ml甲醇中，搅拌后，过滤得到的沉淀物，使其干燥。该沉淀物(以下，称为“高分子化合物D”)的得量为1.1g。

高分子化合物D的聚苯乙烯换算的数均分子量为1.2×10⁵，聚苯乙烯换算的重均分子量为3.2×10⁵。

高分子化合物D为以由加入的原料求得的理论值计以50∶40∶10的摩尔比具有如下的重复单元的无规共聚物，所述重复单元为：

用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元、和用下述式：

表示的重复单元。

<实施例6>

在利用溅射法以150nm的厚度附着有ITO膜的玻璃基板上，承载聚(3，4)乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(H.C.Starck公司制造、商品名：BaytronP)(以下，称为“BaytronP”。)的悬浊液，利用旋涂法以为约65nm的厚度进行成膜，在热板上以200℃使其干燥10分钟。接着，将高分子化合物C以0.5重量％的浓度溶解在二甲苯(关东化学公司制造、电子工业用(EL等级))中，使得到的二甲苯溶液承载在BaytronP的膜上，利用旋涂法成膜后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以180℃干燥15分钟。接着，将高分子化合物A、发光材料A以1.5重量％(以重量比计高分子化合物A/发光材料A＝70/30)的浓度溶解在二甲苯(关东化学公司制造、电子工业用(EL等级))中。使得到的二甲苯溶液承载在高分子化合物C的膜上，利用旋涂法以约90nm厚的方式成膜发光层A。然后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以90℃干燥10分钟。减压到1.0×10^-4pa以下后，作为阴极，在发光层A的膜上蒸镀约5nm钡，接着，在钡层上蒸镀约100nm厚的铝，蒸镀后，通过使用玻璃基板密封，制作有机电致发光元件。元件构成如下。

ITO/BaytronP(约65nm)/高分子化合物C(约10nm)/发光层A(90nm)/钡/铝

对得到的有机电致发光元件施加4.8V的电压时，最大发光效率显示为35.0cd/A。

<实施例7>

在利用溅射法以150nm的厚度附着有ITO膜的玻璃基板上，承载BaytronP的悬浊液，利用旋涂法以达到约65nm的厚度的方式进行成膜，在热板上以200℃使其干燥10分钟。接着，将高分子化合物C以0.5重量％的浓度溶解在二甲苯(关东化学公司制造、电子工业用(E等级))中，使得到的二甲苯溶液承载在BaytronP的膜上，利用旋涂法成膜后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以180℃干燥15分钟。接着，将高分子化合物E、发光材料A以1.5重量％(以重量比计高分子化合物E/发光材料A＝70/30)的浓度溶解在二甲苯(关东化学公司制造、电子工业用(EL等级))中。使得到的二甲苯溶液承载在高分子化合物C的膜上，利用旋涂法以达到约90nm厚的方式成膜发光层E。然后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以90℃干燥10分钟。减压到1.0×10^-4Pa以下后，作为阴极，在发光层E的膜上蒸镀约5nm钡，接着，在钡层上蒸镀约100nm厚的铝。蒸镀后，通过使用玻璃基板密封，制作有机电致发光元件。元件构成如下。

ITO/BaytronP(约65nm)/高分子化合物C(约10nm)/发光层E(90nm)/钡/铝

对得到的有机电致发光元件施加8.4V的电压时，最大发光效率显示为35.2cd/A。

<实施例8>

在利用溅射法以150nm的厚度附着有ITO膜的玻璃基板上，承载BaytronP的悬浊液，利用旋涂法以达到约65nm的厚度的方式进行成膜，在热板上以200℃使其干燥10分钟。接着，将高分子化合物C以0.5重量％的浓度溶解在二甲苯(关东化学公司制造、电子工业用(EL等级))中，使得到的二甲苯溶液承载在BaytronP的膜上，利用旋涂法成膜后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以180℃干燥15分钟。接着，将高分子化合物F、发光材料A以1.4重量％(以重量比计高分子化合物F/发光材料A＝70/30)的浓度溶解在二甲苯(关东化学公司制造、电子工业用(EL等级))中。使得到的二甲苯溶液承载在高分子化合物C的膜上，利用旋涂法以达到约90nm厚的方式成膜发光层F。然后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以90℃干燥10分钟。减压到1.0×10^-4Pa以下后，作为阴极，在发光层F的膜上蒸镀约5nm钡，接着，在钡层上蒸镀约100nm厚的铝。蒸镀后，通过使用玻璃基板密封，制作有机电致发光元件。元件构成如下。

ITO/BaytronP(约65nm)/高分子化合物C(约10nm)/发光层F(90nm)/钡/铝

对得到的有机电致发光元件施加7.8V的电压时，最大发光效率显示为32.6cd/A。

<比较例2>

在利用溅射法以150nm的厚度附着有ITO膜的玻璃基板上，承载BaytronP的悬浊液，利用旋涂法以达到约65nm的厚度的方式进行成膜，在热板上以200℃使其干燥10分钟。接着，将高分子化合物C以0.5重量％的浓度溶解在二甲苯(关东化学公司制造、电子工业用(EL等级))中，使得到的二甲苯溶液承载在BaytronP的膜上，利用旋涂法成膜后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以180℃干燥15分钟。接着，将高分子化合物D、发光材料A以1.3重量％(以重量比计高分子化合物D/发光材料A＝70/30)的浓度溶解在二甲苯(关东化学公司制造、电子工业用(EL等级))中。使得到的二甲苯溶液承载在高分子化合物C的膜上，利用旋涂法以达到约90nm厚的方式成膜发光层D。然后，在氧浓度及水分浓度为10ppm以下(重量标准)的氮气氛围下，以90℃干燥10分钟。减压到1.0×10^-4Pa以下后，作为阴极，在发光层D的膜上蒸镀约5nm钡，接着，在钡层上蒸镀约100nm厚的铝。蒸镀后，通过使用玻璃基板密封，制作有机电致发光元件。元件构成如下。

ITO/BaytronP(约65nm)/高分子化合物C(约10nm)/发光层D(90nm)/钡/铝

对得到的有机电致发光元件施加5.2V的电压时，最大发光效率显示为27.1cd/A。

工业上应用的可能性

本发明的高分子化合物用于有机电致发光元件的制造时，可以赋予显示优异的元件特性(特别是最大发光效率)的有机电致发光元件。进而，本发明的高分子化合物还可用作空穴传输材料、电子传输材料。

Claims (21)

1.一种高分子化合物，其具有用下述式(1)表示的化合物的残基及下述式(2)表示的化合物的残基，其中，

式中，Ar表示可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的1价杂环基，存在的3个Ar可以相同也可以不同，

式中，Z¹、Z²及Z³中，1个表示-N＝、2个表示-C(R’)＝，Z⁴及Z⁵表示-C(R’)＝，Z⁶、Z⁷及Z⁸中，1个表示-N＝、2个表示-C(R’)＝，Z⁹及Z¹⁰表示-C(R’)＝，R’表示氢、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的芳基、可以具有取代基的芳氧基、可以具有取代基的芳硫基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的氨基、可以具有取代基的甲硅烷基、卤原子、可以具有取代基的酰基、可以具有取代基的酰氧基、可以具有取代基的1价杂环基、可以具有取代基的杂环硫基、亚胺残基、可以具有取代基的酰胺基、酰亚胺基、羧基、硝基、或氰基，存在的8个-C(R’)＝可以相同也可以不同，Z²及Z³为-C(R’)＝时Z²及Z³中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z³为-C(R’)＝时Z³及Z⁴中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁴及Z⁵中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，但Z²及Z³、Z³及Z⁴、Z⁴及Z⁵中的2个以上组合不同时形成苯环，Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝时Z⁷及Z⁸中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁸为-C(R’)＝时Z⁸及Z⁹中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁹及Z¹⁰中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，但Z⁷及Z⁸、Z⁸及Z⁹、Z⁹及Z¹⁰中的2个以上组合不同时形成苯环，2个R’互相键合形成的苯环可以具有取代基。

2.如权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述式(2)的R’为氢原子、可被氟原子取代的烷基、可被氟原子取代的烷氧基、可被氟原子取代的芳基、可被氟原子取代的芳氧基、可被氟原子取代的芳烷基、可被氟原子取代的芳烷氧基、可被氟原子取代的芳烯基、可被氟原子取代的芳炔基、可被氟原子取代的氨基、可被氟原子取代的取代氨基、卤原子、可被氟原子取代的酰基、可被氟原子取代的酰氧基、可被氟原子取代的1价杂环基、羧基、硝基、或氰基。

3.如权利要求1或2所述的高分子化合物，其中，所述R’为氢原子或烷基。

4.如权利要求1～3中任一项所述的高分子化合物，其中，以重复单元的形式含有所述式(1)表示的化合物的残基。

5.如权利要求4所述的高分子化合物，其中，含有所述式(1)表示的化合物的残基的重复单元为下述式(3)表示的重复单元，

式中，Ar具有和上述Ar相同的意思，Ar’表示可以具有取代基的亚芳基、或可以具有取代基的2价杂环基，存在的2个Ar’可以相同也可以不同。

6.如权利要求5所述的高分子化合物，其中，所述Ar为可以具有取代基的苯基，Ar’为可以具有取代基的1，4-亚苯基。

7.如权利要求1～6中任一项所述的高分子化合物，其中，以重复单元的形式含有所述式(2)表示的化合物的残基。

8.如权利要求7所述的高分子化合物，其中，含有所述式(2)表示的化合物的残基的重复单元为用下述式(4)表示的重复单元或用下述式(5)表示的重复单元，

式中，Z^1*、Z^2*及Z^3*中，1个表示-N＝、2个表示-C(R”)＝，Z^4*及Z^5*表示-C(R”)＝，Z^6*、Z^7*及Z^8*中，1个表示-N＝、2个表示-C(R”)＝，Z^9*及Z^10*表示-C(R”)＝，R”表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、取代羧基、硝基、或氰基，Z^1*、Z^2*、Z^3*、Z^4*及Z^5*中含有的1个R”表示结合手，Z^6*、Z^7*、Z^8*、Z^9*及Z^10*中含有的1个R”表示结合手，用R”表示的基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代，存在的8个-C(R”)＝可以相同也可以不同，Z^2*及Z^3*为-C(R”)＝时Z^2*及Z^3*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^3*为-C(R”)＝时Z^3*及Z^4*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环、Z^4*及Z^5*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，但Z^2*及Z^3*、Z^3*及Z^4*及Z^4*及Z^5*中的2个以上组合不同时形成苯环，Z^7*及Z^8*为-C(R”)＝时Z^7*及Z^8*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^8*为-C(R”)＝时Z^8*及Z^9*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^9*及Z^10*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，但Z^7*及Z^8*、Z^8*及Z^9*及Z^9*及Z^10*中的2个以上组合不同时形成苯环，2个R”互相键合形成的苯环可以具有取代基，

式中，Z^1**、Z^2**及Z^3**中，1个表示-N＝、2个表示-C(R”’)＝，Z^4**及Z^5**表示-C(R”’)＝，R”’表示氢原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、氨基、取代氨基、卤原子、酰基、酰氧基、1价杂环基、羧基、取代羧基、硝基、或氰基，Z^1**、Z^2**、Z^3**、Z^4**及Z^5**中含有的2个R”’表示结合手，Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹及Z¹⁰具有和上述Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹及Z¹⁰相同的意思，用R’、R”’表示的基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代，存在的4个-C(R’)＝可以相同也可以不同，存在的4个-C(R”’)＝可以相同也可以不同，Z^2**及Z^3**为-C(R”)＝时Z^2**及Z^3**中含有的2个R”’可以互相键合形成苯环，Z^3**为-C(R”’)＝时Z^3**及Z^4**中含有的2个R”’可以互相键合形成苯环，Z^4**及Z^5**中含有的2个R”’可以互相键合形成苯环，但Z^2**及Z^3**、Z^3**及Z^4**及Z^4**及Z^5**中的2个以上组合不同时形成苯环，Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝时Z⁷及Z⁸中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁸为-C(R’)＝时Z⁸及Z⁹中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁹及Z¹⁰中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，但Z⁷及Z⁸、Z⁸及Z⁹及Z⁹及Z¹⁰中的2个以上组合不同时形成苯环，2个R’互相键合形成的苯环可以具有取代基，2个R”’互相键合形成的苯环可以具有取代基。

9.如权利要求8所述的高分子化合物，其中，含有所述式(2)表示的化合物的残基的重复单元为含有可以具有取代基的2，2’-联吡啶-5，5’-二基的重复单元。

10.如权利要求1～6中任一项所述的高分子化合物，其中，用所述式(2)表示的化合物的残基为用下述式(6)表示的基团，并且其存在于分子链末端，

式中，Z^1*、Z^2*、Z^3*、Z^4*、Z^5*、Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹及Z¹⁰具有和上述Z^1*、Z^2*、Z^3*、Z^4*、Z^5*、Z⁶、Z⁷、Z⁸、Z⁹及Z¹⁰相同的意思，用R’、R”表示的基团中含有的一部分或全部氢原子可以被氟原子取代，存在的4个-C(R’)＝可以相同也可以不同，存在的4个-C(R”)＝可以相同也可以不同，Z^2*及Z^3*为-C(R”)＝时Z^2*及Z^3*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^3*为-C(R”)＝时Z^3*及Z^4*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，Z^4*及Z^5*中含有的2个R”可以互相键合形成苯环，但Z^2*及Z^3*、Z^3*及Z^4*及Z^4*及Z^5*中的2个以上组合不同时形成苯环，Z⁷及Z⁸为-C(R’)＝时Z⁷及Z⁸中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁸为-C(R’)＝时Z⁸及Z⁹中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，Z⁹及Z¹⁰中含有的2个R’可以互相键合形成苯环，但Z⁷及Z⁸、Z⁸及Z⁹及Z⁹及Z¹⁰中的2个以上组合不同时形成苯环，2个R’互相键合形成的苯环可以具有取代基，2个R”互相键合形成的苯环可以具有取代基。

11.如权利要求10所述的高分子化合物，其中，用所述式(2)表示的化合物的残基为可以具有取代基的2，2’-联吡啶-5-基，并且其存在于分子链末端。

12.如权利要求8或10所述的高分子化合物，其中，不是结合手的R”为氢原子或烷基。

13.如权利要求8所述的高分子化合物，其中，不是结合手的R”’为氢原子或烷基。

14.如权利要求10～13中任一项所述的高分子化合物，其具有选自由用所述式(3)表示的重复单元和用所述式(4)表示的重复单元及用所述式(5)表示的重复单元组成的组中的至少一种、及/或用所述式(6)表示的基团。

15.如权利要求1～14中任一项所述的高分子化合物，其进一步具有选自由用下述式(A)表示的重复单元、用下述式(B)表示的重复单元及用下述式(C)表示的重复单元组成的组中的至少一种重复单元，

式中，Ar³及Ar⁷分别独立地表示可以具有取代基的亚芳基、可以具有取代基的2价杂环基、或可以具有取代基的具有金属络合物结构的2价基团，Ar⁴、Ar⁵及Ar⁶分别独立地表示可以具有取代基的亚芳基、可以具有取代基的2价杂环基、或可以具有取代基的2个芳香环以单键键合连接的2价基团，R¹及R²分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基或芳烷基，

X¹表示-CR³＝CR⁴-或-C≡C-，R³及R⁴分别独立地表示氢原子、烷基、芳基、1价杂环基、羧基、取代羧基或氰基，a为0或1。

16.如权利要求15所述的高分子化合物，其中，用所述式(A)表示的重复单元为可以具有取代基的芴二基、可以具有取代基的亚苯基、或它们的组合。

17.一种组合物，其包含权利要求1～16中任一项所述的高分子化合物和选自由发光材料、空穴传输材料、及电子传输材料组成的组中的至少一种。

18.如权利要求17所述的组合物，其进一步含有有机溶剂。

19.一种有机电致发光元件，其使用了权利要求1～16中任一项所述的高分子化合物。

20.一种面状光源，其备有权利要求19所述的有机电致发光元件。

21.一种显示装置，其备有权利要求19所述的有机电致发光元件。