TW201000513A

TW201000513A - Polymer compound having residue of nitrogen-containing heterocyclic compound

Info

Publication number: TW201000513A
Application number: TW098113598A
Authority: TW
Inventors: Makoto Anryu; Daisuke Fukushima
Original assignee: Sumitomo Chemical Co; Sumation Co Ltd
Priority date: 2008-04-25
Filing date: 2009-04-24
Publication date: 2010-01-01
Also published as: EP2275469A4; EP2275469A1; WO2009131255A1; US20110118411A1; CN102015820A; KR20100135931A

Description

201000513 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係有關一種具有含氮雜環化合物殘基之高分子化合物。【先前技術】近年來，做為次世代顯示器之使用有機電激發光元件而成之有機電激發光顯示器受到注目。此有機電激發光元件係具備發光層、電荷輸送層等有機層。而且，對於前述有機層，正尋求電子注入性優良之有機材料，已有例如具有三啡骨架之高分子化合物之提案（日本特表2004-532314 號公報）。【發明内容】然而，當將此高分子化合物使用於製造有機電激發光元件時，所得之有機電激發光元件之發光效率不一定充足。本發明之目的係提供在使用於製造有機電激發光元件後可得到顯示優良的發光效率之有機電激發光元件之高分子化合物。本發明之第一係提供一種高分子化合物，係具有下述式（1)所示化合物之殘基及下述式（2)所示化合物之殘基： Ar I (1) (式中，Ar表示可具有取代基之芳基、或可具有取代基之1 價雜環基；存在有3個之Ar可相同或不同） 4 321218 (2) 201000513

S z4—z5 z1=z1 210=Z9 、Z6—z今 (式中’ Z1、Z1及Z3之1個表示，2個表示-C(R，）= ; z4 及Z5表示-C(R’）=; Z6、Z7及Z8之1個表示_N=，2M固表示 -C(R’）=; Z9及Z1D表示-C(R，）=; R’表示氫原子、可具代基之烧基、可具有取代基之烷氧基、可具有取代基之燒硫基、可具有取代基之芳基、可具有取代基之芳氧基、可具有取代基之芳硫基、可具有取代基之烯基、可具有取代基之炔基、可具有取代基之胺基、可具有取代基之矽烷基 (si lyl)、自素原子、可具有取代基之醯基、可具有取代基之醯氧基、可具有取代基之1價雜環基、可具有取代基之雜環硫基、亞胺殘基、可具有取代基之醯胺基、釀亞胺缓基、硝基、或氰基；

存在有8個之-C(R’）=可相同或不同；當21及Ζ3為_c(R，、時，Z1及Z3中所含之2個R，可互相鍵結而形成苯環，春；為時，at中所含之2例，可互相鍵結而^ z及Z、Z及Z、以及Z4及25之2個以上之組合成苯環，·當Z7及Z8為-C(R，）=時，27及^中/ ” /(及/中所含之2個只可相鍵，，·σ而形成苯環，當Z8為一C(R’）=時，28及y中戶) 含之1個R’可互相鍵結而形成苯環，Z9及广中所含之 :;::^結而形成苯環，但27及28、28及29、以及2 321218 5 1 個以上之組合列日㈣成苯環；2個R，互相鍵鲜 ζυιυυυΜ3 而形成之笨環可具有取代基）。本發明之第二係提供—種化合物、與從由發光材料 =係含有前述高分子所成群組中選出 — 材料及電子輸送材料有機電激發光=件系提I使用珂述高分子化合物而成之光源及顯示裝置。U4有機電激發光元件之面狀【實施方式】 <用語之說明>

Me音HP在核明f中共収用語。在本說明書中，二日:基’㈠U意指三級丁基，意指苯基。原子_何_如：氟原子、氯原子、㈣子、及峨至Cy」（x、y為滿足X < y之正整數）之用祖係矣一與此用語-起記載之有機基之碳原子數為=°係表- 芳硫基基'芳基、芳氧基、二、’:块基、胺基、碎縣、南素原子、酿基、 4土 ' 1價雜環基、雜環硫基、亞胺殘基、酿胺基、醯亞胺基、幾基、石肖基、氰基等取代基（以T，提到「取代/ 時，只要未特別標註，即具有相同之意義），通常為無取土代」，烧基、及經齒素原子等取代之貌基，包含直鏈狀燒基及環狀貌基（環炫基）兩者。烧基可具有分支。炫基之碳原子數通常為]至20,且以】至15為佳、以】至]0較佳。就基可舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、 ^21218 6 201000513 二級丁基、三級丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3, 7-二曱基辛基、十二烧基、三敦甲基、五氣乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。

Cl至Cl2烧基可舉例如：曱基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烷基。烷氧基可具有取代基，通常為無取代之烷氧基、及經鹵素原子、烷氧基等取代之烷氧基，包含直鏈狀烷氧基及環狀烷氧基（環烷氧基）兩者。烷氧基可具有分支。烷氧基之碳原子數通常為1至20，且以1至15為佳、以1至10 較佳。烧氧基可舉例如：曱氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3, 7-二甲基辛氧基、十二烷氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、曱氧基甲氧基、2-曱氧基乙氧基等。匕至C】2烷氧基可舉例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3, 7-二曱基辛氧基、十二烷氧基。烷硫基可具有取代基，通常為無取代之烷硫基、及經鹵素原子等取代之烷硫基，包含直鏈狀烷硫基及環狀烷硫基（環烧硫基）兩者。烧硫基可具有分支。烧硫基之碳原子 7 321218 t 201000513 數通常為1至20，且以1至15為佳、以1至l〇較佳.烷硫基可舉例如：曱硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁石爪基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、戊硫基、己硫基、％己硫基、庚硫基、辛硫基、2_乙基己硫基、壬硫基六石瓜基、3, 7-二曱基辛硫基、十二烧硫基、三氟甲硫基等。 ^至烧硫基可舉例如：甲硫基、乙硫基、丙硫基' 異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫基、2_乙基己硫基二壬硫基、癸硫基、3, 7-二曱基辛硫基、十二烷硫基。方基係從芳香族烴去除丨個與構成芳香環之碳原子鍵結之f原子後雜之原子團，可具有取代基，通常為無取代之芳基、及經_素原子、烷氧基、烷基等取代之芳基。在芳基中，也包含具有縮合環者、獨立之苯環或縮合環2 個以上透過單鍵或2價有機基(例如伸乙烯基等伸烯基）鍵結而成者。芳基之碳原子數通常為6至6〇，且以6 ^仏，佳三以6至30較佳。芳基可舉例如：苯基、匕至c!2烧氧基苯基' C,至〇2烷基苯基、]μ萘基、2_.萘基、卜蒽基、 2-蒽基、9-蒽基、五氟苯基.、聯苯基、^ «氧基苯基、c,至l烷基聯笨基，其中尤以笨基、&至烷氧基苯基、C,至C,2烷基苯基、/聯笨基、c)至k烷氧基聯苯基= C丨至Cl2烷基聯苯基為佳。土甲氧基苯基、乙氧基苯丁氧基苯基、異丁氧基

Cl至Cl2炫氧基苯基可舉例如：基、丙氧基笨基、異丙氧基苯基、 321218 201000513 笨基、三級丁氧基苯基'戊氧基苯基、己氧基笨基、基苯基。 " 乳 CI至C1 2烧基苯基可舉例如.曱基本基、乙義苯美曱基苯基、丙基苯基、三甲基苯基、曱基乙基笨基^異一基苯基、丁基笨基、異丁基苯基、三級丁基笨基、戊基— 基、異戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯其苯基、癸基苯基、十二烷基苯基。基芳氧基可具有取代基，通常為無取代之芳氣美鹵素原子、烷氧基、烷基等取代之芳氧基。芳氣武^經子數通常為6至60，且以6至48為佳、以6至碳原至C】2烧氧基苯氧基可舉例如：為佳。芳氧基可舉例如：苯氧基、(:!至C12烧氧基笨氧A、&佳。烧基苯氧基、卜萘氧基、2-萘氧基、五氟笨氧二Cl至C12 以Cl至G麟基苯氧基义至^絲氧‘佳其中尤乙氣基、丙氧基笨氧基，氧基苯氧基、乙土、、丁減本减、三級丁氧絲氧基 1基笨氣己氧基苯氧基、辛氧基笨氧基。叹虱基笨氡基、基 UCl成基苯氧基可舉· 1 、二T基苯氧基、丙基苯氧基」 M、乙基笨氣乙基苯氧基、異丙基苯氧基、丁基=基笨氣基、乳基、二級丁基苯氧基、三級本虱基、異丁基異戊基苯氧基、己基苯氧基、庚二=、戊基笨氣基、壬基：氧基、癸基苯氧基、十二二=辛基笨氣芳硫基可且有取代其乳基。及經代基，通常為無取代之芳碳基、 9 201000513 齒素原子、烷氧基、烷基等取代之芳硫基。芳硫基之碳原子數通常為6至60，且以6至48為佳、以6至30較二了芳硫基可舉例如：苯硫基、（^至L烷氧基苯硫基、G至匸烷基苯硫基、I-萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基。 12 芳烷基可具有取代基，通常為無取代之芳烷基、及細南素原子、烷氧基、烷基等取代之芳烷基。芳烷基之碳^ 子數通常為7至60，且以7至48為佳、以7至30較佳。芳烷基可舉例如：苯基吒，至c,2烷基、〇至^烷氧基苯基七至L烷基、L烷基苯基丄至g烷基、卜萘基^ 至Cl2烧基、2-萘基-Cl至Cl2烧基。芳烷氧基可具有取代基，通常為無取代之芳烷氧基、及經齒素原子、絲基、絲等取代之綠氧基。芳垸氧基之碳原子數通常為7至60，且以7至48為佳、以7至 30較佳。芳烷氧基可舉例如：苯基至&烷氧基、g至 L烷氧基苯基-(^至c,2烷氧基、〇至Ci2烷基苯基—匕至心烧氧基、；!-奈基-C,至（：12垸氧基、2-萘基_c，至Cl2烧氧基。芳烷硫基可具有取代基，通常為無取代之芳烷硫基、及經鹵素原子、烧氧基、烧基等取代之芳烧硫基。芳炫硫基之碳原子數通常為7至60，且以7至48為佳、以7至 30較佳。芳烧硫基可舉例如：苯基{至Q烧硫基、^至 Cl2烧氧基笨基_C,至Cl2烧硫基、C〗至C]2烧基苯基—〇1至Cl2 烧疏基、卜萘基-c】至（：12烧硫基、2_萘基_Gi i &说硫基。稀基可具有取代基，包含直鍵狀稀基、分支狀稀基、及環狀稀基。烯基之碳原子數通f為2至Μ，且以2至15 321218 10 201000513 σ .乙稀基、1-丙烯基、 '戊炸基、2 -戊稀基、為佳、以2至1 〇較佳。稀基可舉例士 2-丙烯基、1 —丁烯基、2-丁烯基、j 1-己烯基、2-己烯基、；[-辛烯基。方烯基可具有取代基，通常為無取代之芳烯基、及經鹵素原子、絲基、妓等取代之料基。⑽基之碳原 :數通常為8至60 ’且以8至48為佳、以8至3〇較佳。芳烯基可舉例如：笨基—(：2至Cl2縣、&至^絲基苯基 C2至C!2烯基、Ci至Ci2烧基苯基-C2至c!2烯基、1-萘基_c2 至C〗2烯基、2-萘基丄至c,2烯基，其中尤以〇至k烷氣基苯基-匕至l烯基、〇至&烷基苯基气2至Ci2烯基為佳。 $至Cl2烯基可舉例如：乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、 1- 丁烯基、2-丁烯基、1-戊烯基、2_戊烯基、卜己婦基、 2- 己烯基、1-辛稀基。炔基可具有取代基，包含直鏈狀炔基及分支狀炔基。炔基之碳原子數通常為2至20，且以2至15為佳、以2 至10較佳。炔基可舉例如··乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、 1- 丁炔基、2-丁炔基、i_戊炔基、2_戊炔基、卜己炔基、 2- 己炔基、1-辛炔基。芳炔基可具有取代基，通常為無取代之芳炔基、及經鹵素原子、烷氧基、烷基等取代之芳炔基。芳炔基之碳原 ^數通常為8至60，且以8至48為佳、以8至30較佳。芳块基可舉例如：苯基{至Cd基、Ci至烧氧基苯基至Ci2炔基、（^至Ci2烧基苯基至Ci2快基、1-萘基_c2 至Cl2炔基、2~萘基-匕至C,2炔基，其中尤以Cl至Cl2烷氧 321218 11 201000513 基祕-c2至c12炔基、k Gi2絲苯基至&絲為佳。 C2至C!2炔基可舉例如.7 &盆，Έ 卜丁炔基、2-丁块基、二基;二丙块基、2,基、 2-己炔基、卜辛块基。'戍炔基、2 —戍炔基、卜己块基、所謂1價雜環基，#於％人彳bD# i ^ *化合物（特別是芳香族雜環 :二：^個虱原子後剩餘之原子團，可具有取代基，價雜環基。！價雜環基之❹ 子數，通f為4⑽，不含取代基之碟原所神蚱e &人& 4至30為佳、以4至20較佳。所胡料化合物，係指在具有環式構造之有機化人物中構成環之元素不只有碳原子物中’ 原子、彻'子1原子1二=7原子'氮

7 /,7、r 石西原子、石帝斥早、石由JS 广：=基嗟吩基，各基"夫喃基，定 ^比縣（PyridaZlnyl),基、謂基、： ! ^岭定基、哌。定基、料基、異料基等，其中尤塞々基、C〗至C,2烷基噻吩基、t定基 σ定基A卢。μ ϊ® «· 主C12烧基π比疋土為t 1½趣基以Hf芳香族雜環基為佳。雜％硫基係巯基之氫原子經】基，可具有取代基。雜環硫基可舉如τ :;:而士：月女基可具有取代基，通常為無取由烧基、芳基、芳絲及丨價雜 h W及赵從或2個取代基取代之胺基（以下稱^選出^ 柄為取代胺基」）。取代 321228 12 201000513 基可復具有取代基（以下，有時稱為「二次取代基」）。取代胺基之碳原子數係，不含二次取代基之碳原子數，通常為1至60，且以2至48為佳、以2至40較佳。取代胺基可舉例如：甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、丙基胺基、二丙基胺基、異丙基胺基、二異丙基胺基、丁基胺基、異丁基胺基、二級丁基胺基、三級丁基胺基、戊基胺基、己基胺基、庚基胺基、辛基胺基、2-乙基己基胺基、壬基胺基 '癸基胺基、3, 7_二甲基辛基胺基、十二烷基胺基、環戊基胺基、二環戊基胺基、環己基胺基、二環己基胺基、二（三氟甲基）胺基、苯基胺基、二苯基胺基、 Ci至Ci2烷氧基苯基胺基、二（Cl至Cl2烷氧基苯基）胺基、 C!至C”烷基笨基胺基、二（Cl至Cl2烷基苯基）胺基、卜萘基胺基、2-奈基胺基、五氟苯基胺基、吼咬基胺基、。答啡基胺基、嘧啶基胺基、。比畊基胺基、三哄基胺基、苯基至Ci2烧基fe基、Ci至C!2烧氧基苯基-Ci至Ci2烧基胺基、二 ,.；(Cl至Cl2烷氧基苯基〜C!至C!2烷基）胺基、C!至C!2烷基苯基 _Cl至Cl2烧基胺基、二（(^至Cl2烧基苯基-C〗至Cl2烧基）胺基、1-奈基-Ci至Ci2燒基胺基、2-萘基-C!至Ci2烧基胺基。石夕烧基可具有取代基，通常為無取代之石夕烧基、以及經從由烷基、芳基、芳烷基及1價雜環基所成群組中選出之1、2或3個取代基取代之矽烷基（以下稱為「取代矽烷基」）。取代基可具有二次取代基。取代矽烷基之碳原子數係，不含二次取代基之碳原子數，通常為1至6〇，且以3 至48為佳、以3至40較佳。取代矽燒基可舉例如：三曱 321218 13 201000513 基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三異丙基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、二乙基異丙基矽烷基、三級丁基二曱基矽烷基、戊基二甲基矽烷基、己基二甲基矽烷基、庚基二甲基矽烷基、辛基二甲基矽烷基、2_乙基己基二曱基石夕烧基、壬基一甲基石夕烧基、癸基二甲基石夕院基' g，7— 二甲基辛基二曱基矽烷基、十二烷基二甲基矽烷基τ α -c,至c,2烷基矽烷基、〇至Cu烷氧基苯基_Ci至Ci2烷基句烧基、C!至C!2烷基苯基至C]2烷基矽烷基、卜萘基_C 至匕2烷基矽烷基、2_萘基—Cl至G烷基矽烷基、苯基一c 至Cl2烧基一甲基石夕烧基、二苯基石夕焼基 '三（對二甲苯美石夕=、三（苯甲基）石夕烧基、二苯基甲基石夕烧基―、三^了基二苯基矽烷基、二甲基苯基矽烷基。醯基可具有取代基，通常為無取代之酿基、及經齒素原子等取代之S!基。酿基之碳料數通以2 2至㈣佳、以2至16較佳。轉可舉例如 : 丙醯基、丁胪其、思丁妒苴 _ ^ :氟甲基乙酿基、苯曱酿基、一齓乙fe基、五氟苯甲醯基。㈣==有取代基’通常為無取代之酿氧基、及經代之縣基。醯氧基之碳原子數㈣為2至〇丨8為佳、以2至丨6較佳。醯氧基可兴你丨土醯乳基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基：：. 本曱酸氧其、广戊^&氧基、土二氟乙醯氧基、五氟笨甲醯氧美等之至:胺::係意指從具有由式:H，c<;式:娜不之構造之亞胺化合物去除1個此構造中之 321218 14 201000513 氫原子而成之殘基。如此之亞胺化合物可舉例如：醒亞胺、酮亞胺、及與醛亞胺中之氮原子鍵結之氫原子經烷基、芳基、芳烧基、芳稀基、芳炔基等取代而成之化合物。亞胺殘基之碳原子數通常為2至20，且以2至18為佳、以2 至16較佳。亞胺殘基可舉例如通式：-CRX=N-RY或通式： -N=C(RY)2所示之基（式中，Rx表示氫原子、烷基、芳基、芳烧基、芳稀基、芳炔基，矿表示烧基、芳基、芳烧基、芳 , 烯基、芳炔基；惟，當1^存在有2個時，該等可相同或不同，2個RY也可互相鍵結成為一體而以2價基（例如：伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基等碳原子數2至18 之伸烷基）之形式形成環）。亞胺殘基可舉例如以下之構造式所示之基等。

醯胺基可具有取代基，通常為無取代之醯胺基、及經鹵素原子等取代之醯胺基。醯胺基之碳原子數通常為2至 15 321218 201000513 2 0 ’且以2至18為佳、以2至16較佳。酿胺基可舉例如：甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯曱醯胺基、三氟乙醯胺基、五氟苯甲醯胺基、二甲醯胺基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯甲醯胺基、二（三氟乙醯胺基）、二（五氟苯甲醯胺基）。亞知基係意指從酿亞胺去除1個與其氮原子鍵结之虱原子而得之殘基。醯亞胺基之碳原子數通常為4至，且以4至18為佳、以4至16較佳。醯亞胺基可舉例如以下所示之基等。

伸芳基係意團，且包含具有原子數通常為6 . 個氫原子而成之原子至18更佳。該碳原

或縮合環者。冑述伸芳基之碳 B至48為佳、以6至3〇較佳、係不含取代基之碳原子數。伸 201000513 方基可舉例如.1,4’苯基、伸笨基、u 無取代或取代之伸笨基；萘二基、"—申木基等蔡二基等無取代或取代mm f n 基基、9,1(κ蒽二基等無取代或取代之貧2二 2,7-#一基寻無取代或取代之菲二基；ι，7-稠四基； 2, 8-稠四苯二基、5，12，四苯二基等無取代或:基、苯二基弗二基、3, 6-第二基等無取代或取代：稠四基，1，6-比一基（pyrenediyl)、ι 8—芘二弗二 …二基等無取代或取代之祐二"X. 3 f二基、 (pery — "、3,㈣二基等無取代絲代之：二基等，且以無取代或取代之伸苯基、無取代或取代之ΪΓ基為佳β 弗一基 2價雜環基細從_化合物（㈣是芳麵雜物）去除2個氫原子後剩餘之原子團，且咅# ^衣δ :環基、及:燒基等取代基取代之2價;環基基之碳原子數係，不含取代基之_子數，通至^ 二 =:、以6至12較佳。前述2價雜環= 子叮舉例如.2,5〜。比。定二基m定二基代之。比咬二基；2,5_㈣二基等無取代或取代、取基；2, 5-料二基等無取代或取代之W二基；26_= 二基等無取代或取代之料二基；異啥琳二基等無取代或取代之異料二基；5，^木二基（qUin〇Xallnedlyl)等無取代或取代之喹噚啉二一苯并Π，2, 5]。塞二唾二基等無取代或取代:苯并^化塞 321218 17 201000513 唑二基；4, 7-苯并嗟王-— . 丞寻無取代或取代之苯并噻唑基，2, 7-咔唑二基、3, 6-咔唑二基等無取代或取代之哇二基；3, 7-啡觸二基（phenoxazinediyl)等無取代代之啡觸二基；3,7一啡㈣二基（咖⑽如如咖⑴ 等無取代或取代之啡嗟哄二基；2,7_二苯并石夕雜環戊二歸，基（cHbenzosnoiecHyi)等無取代或取代之二笨并矽雜 %戊二烯二基，且以無取代或取代之苯并[】，2, 5]噻二唑二基、無取代或取代之啡鳄畊二基、無取代或取代之啡噻^ 二基為佳。2價雜環基以2償芳香族雜環基為佳。所謂具有金屬錯合物構造之2價基，係意指從具機配位體與巾心金屬之金屬錯合物之該有機配位體去除2 個氫原子而成之剩餘之原子團。該有機配位體之碳原子數通常為4至60。前述有機配位體可舉例如：8_料驗及其何^物㈣及其触物、2—笨基κ及其衍生物、 2-苯基苯并噻唑及其衍生物、2苯基苯并噚唑及其衍生物、卟啉（porphyrin)及其衍生物等。前述金屬錯合物之中心金屬可舉例如1、鋅、鍵、銥、鉑、金、銪、轼。前述金屬錯合物可舉例如：做為低分子之勞光發光材碟光發光材料之習知之金屬錯合物、三重態發光錯合物等。 <高分子化合物> 式（1)所示化合物之殘基一所謂所述式⑴所示化合物之殘基，係意指去除前述式 321218 18 201000513 (1)所示之化合物中之氫原子之一部分或全部（通常為1個或2個）後剩餘之原子團。前述式（1)所示化合物之殘基以 (例如形成2價基）重複單元之形式含於高分子化合物中、 (例如形成1價基）存在於分子鏈末端、或存在於重複單元中為佳，而以重複單元之形式含於高分子化合物中較佳。前述式（1)中，當Ar所示之可具有取代基之芳基或可具有取代基之1價雜環基具有取代基時，該取代基可舉例如：烧基、烧氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、芳烧氧基、芳稀基、芳炔基、烯基、快基、胺基、取代胺基、矽烷基、ii素原子、醯基、醯氧基、1價雜環基、雜環硫基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、硝基、氰基等。此等取代基中所含之氫原子之一部分或全部可經氟原子取代。前述式（1)中，Ar以苯基、Ci至Ci2烧氧基苯基、Ci至 C12烷基苯基、聯苯基、（：〗至C12烷氧基聯苯基、0至C12烷基聯苯基、°比σ定基苯基、苯基°比咬基為佳，以苯基、Cl至 C12烷基聯苯基（例如：經碳原子數1至12之烷基取代之聯苯基）較佳。此等基可具有取代基。從電荷注入/輸送之觀點來看，由前述式（1)所示化合物之殘基所成之重複單元以下述式（3)所示之重複單元為佳，以在此式（3)中，Ar為可具有取代基之苯基，Ar’為可具有取代基之1，4-伸苯基之重複單元較佳： 19 321218 201000513

⑶ (式中，Ar係具有與前述相同之奄 _ 基之伸芳基、或可具有取代又不具有取厂之紅，可相同或不同）。代基之2仏仏基，·存在有2個刖述式⑶中，當Ar’所示之可具有可具有取代基之2價_基具有取代基時，該取例如.烧基、·貌氧基、烧硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳絲、芳燒氧基、芳烯基、芳诀基、稀基、块基、胺基、取代胺基、矽烷基、齒素原子、醯基、醯氧基、1價雜環基、雜環硫基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、羧基、硝基、氰基等。此等取代基中所含之氫原子之一部分或全部可經鼠原子取代。

Ar’可舉例如：伸苯基、c]至c]2烷氧基伸苯基、ο至 &垸基伸苯基、伸聯苯基、G至c12烷氧基伸聯苯基、C, 至C12烧基伸聯苯基、。比咬二基、C!至Cl 2燒氧基°比。定二基、 Cl至C!2烷基吡啶二基，以丨，4-伸苯基、1，3-伸苯基、1，2~ 伸苯基、1，4—吼啶二基、1，3-吡啶二基、1，2-吼啶二基、 1，4-萘二基、2, 6-萘二基、1，4-蒽二基、1, 5-蒽二基、2, 6~ 恩二基、9, 10-蒽二基為佳，以1，4-伸苯基、1，3-伸笨基、 1，2-伸笨基、1，4-。比咬二基、1，3-吼„定二基、1，2-。比咬二 20 321218 201000513 基、1，4-萘二基、2, 6-萘二基較佳，以1，4-伸苯基、1，3-伸苯基、1, 4-萘二基、1,4-吼啶二基、1，3-吼啶二基、1, 2-。比啶二基更佳，以1,4-伸苯基、1,4-吡咬二基特佳。前述式（3)所示之重複單元可舉例如下述式（3)’、 (3)’’所示之重複單元：

(式中，X表示氫原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、烯基、炔基、胺基、取代胺基、矽烷基、函素原子、醯基、酉藍氧基、1價雜環基、雜環硫基、亞胺殘基、臨胺基、酉I：亞胺基、羧基、硝基、或氰基；X所示之基中所含之氫原子之一部分或全部可經氟原子取代）。 21 321218 201000513 前述式（3)所示之重複單元可舉例如以下之式所示之重複單元。

22 321218 201000513

23 321218 201000513

月1j逃式（1)所示化合物之殘基係在高分孑化合物中可僅含有-種，或含有兩種以上。 —式（2)所示化合物之殘基一 _ …丨个丨u。柳又殘基，係意指去除韵遇5 ()所不之化合物中之氫源 — ^ η ,, 邛为或全部（通常為1 或2们Μ剩餘之原子團。前述式⑵所示化 (例如形成2價基）重複單元之形 ^ D物之夂基含於向分子化合物中

3217TR 24 201000513 以（例如形成1價基）存在於分子鏈末端、或存在於重複單元中為佳，而以重複單元之形式含於高分子化合物中或存在於分子鏈末端較佳。前述式（2)中，在 Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、Z7、Z8、Z9 及Ζ1()中之8個所示之-C(R’）=中，R’表示氫原子、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烷氧基、可具有取代基之烷硫基、可具有取代基之芳基、可具有取代基之芳氧基、，可具有取代基之芳硫基、可具有取代基之烯基、可具有取代基之炔基、可具有取代基之胺基、可具有取代基之矽烷基、鹵素原子、可具有取代基之醯基、可具有取代基之醯氧基、可具有取代基之1價雜環基、可具有取代基之雜環硫基、亞胺殘基、可具有取代基之醯胺基、醯亞胺基、羧基、硝基、或氰基，以氫原子、可經氟原子取代之烷基、可經氟原子取代之烷氧基、可經氟原子取代之芳基、可經氟原子取代之芳氧基、可經氟原子取代之芳烷基、可經氟 I 原子取代之芳烷氧基、可經氟原子取代之芳烯基、可經氟原子取代之芳炔基、可經氟原子取代之胺基、可經氟原子取代之取代胺基、鹵素原子、可經氟原子取代之醯基、可經氟原子取代之醯氧基、可經氟原子取代之1價雜環基、羧基、硝基、氰基為佳，以氳原子、可經氟原子取代之烷基、可經氟原子取代之烷氧基、可經氟原子取代之芳基、可經氟原子取代之芳氧基、可經氟原子取代之芳烷基、可經氟原子取代之芳烧氧基、函素原子、可經氟原子取代之 1價雜環基較佳，以氫原子、可經氟原子取代之烷基、可 25 321218 201000513 ^原子取狀絲、可經氟原子取代之芳絲、齒素原 Γ二經氟原子取代之1價雜縣更佳，錢原子、可經 r:r代之烧基、可經氣原子取代之芳基特佳，以氮原子、可經氟原子取代之烷基尤佳。前述式（2)中’以ζ】、ζ2及73由十Ί / _ 與Ζ6、Ζ7及ζ8中之丨個所-Μ 1個所示-Ν=之位置、如Ζ1及Ζ、Ν且2二之位置相對稱者為佳。以例

Ζ 及 Ζ 為-C(R )=、73 另 78 达及為谓）：為佳，以及ZL且W 、C〇〇=較佳。及2 為+且 ζ2、ζ3ϋζΐ 由别述式（2)所示化合物之述式（4)所示之重複單/基所成之重複單元以下佳，在此等式中，以非鍵述式（5)所示之重複單元為複單元、非鍵結鍵之R，，^ R’’、為氫原子或炫基之重鍵結鍵之R，，為氫原:氣原子或烧基之重複單元、非尺’，，為氫原子或貌’之或烷基之重複單元且非鍵結鍵之 \/ 基之重複單元較佳：

(4) (式中，Z'z2、广之】 ^ ,-,_ccr , )= ; ^ ^^7'N=； 2 ^ )-; 表示~C(R，，）=，· 及一及Z之Ϊ個表示-N=，2個烷基、貌氧基、芳基二丁 C(R )=，尺，’表示氫原子、巧基、芳妓、以氧基、芳婦

32J21S 26 201000513 基、芳，、胺基、取代胺基、齒素原子、酿基、醒氧基、 1雜垓基.、羧基、硝基、或氰基，但γ ζ中所含之『’之〗個表示鍵結鍵，且广、ζ Γ居中所含之R’’之1録讀結鍵；卩，，料之基+所含之二二不同；當22*及z、-c(r >時，r及 :所3之2心’，可互相鍵結吒（只，，>時，2料及汐*中所本衣田2為苯環，Z4*及Z”中所含之可互相鍵結而形成但Z”及可互相鍵結而形成苯環，時形成苯環；當Ζ7*及s* 個以上之組合不同 2個R，，τ 及Z為—C(R,，）=時，Z7*及广中所含之 2们R可互相鍵結而形成 3之及广令所含之2個R 义，备為-C(R")嚇，r 中所含之2個R，，可目鍵結而形絲環，^及Z⑽ 及z'以及r及产形成苯環’但广及η 個R，，互相鍵^η之2細上之組合不同時形成苯環；2 / \ 苯環可具有取代基）

26 、8 (式中，Ζ1' 72** Ζ7

24<ί2^22 — (5) 及Ζ 3*木之1個表示-.，2個表示-c(R， 321218 27 201000513 〇〇示馆’’）1’’表示氫原子、絲、燒氧芙 =基、芳氧基、芳絲、芳垸氧基、料基、芳块基Γ胺縣、硝基、或氮基，基二之R’’’之2個表示鍵結鍵；Z6、Z7、z8、 : 3 前述相同之意義；R，、R，，，所示之 ^有與部分或全部可經說原子取代;存在有4個二=之；二同:存在有4個之_C(R，，，)，同或不同;；為’’’’）=時’广及23>所含之2個^田結而形成苯環，當…）=時，z3„ 互相鍵 :個r’’可互相鍵結而形成苯環，z、所含：;：及相私而形成笨環，但^及ζ3' π及r、以 ζ之2個以上之組合不同時為卿時，⑴、所含之2.r，= ’當ζ及^ 笨環，當Z8為-c〇〇=時，z9之相也结而形成鍵結而形成苯環，中所含之2個之可互相成苯環，但^及^广以及〜义目鍵結而形組合不同時# & # 之2個以上之右μ 2個R互相鍵結而形成之目 :)取代基，2”’’一形一=: 所在Z,'、Z'〜、〜'〜、餘之R，，所干之广其不之—C(R’’）=中，1個表示鍵結鍵’剩芳烧氧基、芳稀二:::基:其芳基、芳氧基，基、爾方块基、胺基、取代胺基、齒素原子、 32171« 28 201000513 基、酿氧.基、1備雜環基、叛基、墙基、或.氰基係具有與前述相同之意義，以氫原子、饶基"、烧.氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳坑氧基、'.齒素原子、1 .價雜環基為佳，以氫原·子、烷基、芳基、芳烷基、_素原子、i價雜環基車父佳’以氫原子、院基、芳基更佳，以氫原子、燒基特佳。在前述式（4)中，以Zi'Z2*及Z3*中之1個所示位置、與ζ6Ί*及z8*中之L姻所示κ位置相對稱為俨。具體而言m #為_,且ζ2*、ζ'ζ7*及ζ8 ❿。 72*K ryl* ^ '-VK )= Λ 、β及f為 ^及26*為咄= Ζ 為州=且 ζ"、Ζ3*、Ζ6*及 ζ8*為-C(R，。一 N=且 71*、72* r>fi木 7* Z、Z 及Z7* 為-C(R，，）=為佳，以且Z 、”、”及^為—^’^較佳。中在具有前述式（4)所示之重之，2支鍵砝接攸早兀之回分子化合物又蹲、、、。鍵U去除2科及Z8*中。。物 1所示之重複單元可舉例如以下之式所前述式⑷所示muJI 而成者為佳不之重複單元。 321218 29 201000513

N

-N

?3** 如述式（5)中，在zm、z2** z

Z&木木I —_—，，，中之4個; :之C,(R )=中，2個表示鍵結鍵，剩餘之R，，，所示之: 二=氧基、芳基、芳氧基、技基、芳絲基、芳縣 =其胺基、取代胺基、齒素原子、酿基、酿氧基、 "或虱基係具有與前述相同之意義以虱原子、烷基、烷氧基、 —&

氧其、土方氧基、芳烧基、芳J 乳基鹵素原子、1價雜環基為并、— , 基、芳烧基、虐素原子、J hW風原子、烧基、；基、芳基更佳，%基較佳，以氫原子、^ 2 以虱原子、烷基特佳。在前述式（5)中，以ζι** Z6、z7及28之，叫相對丄及〜，之位置、1 Z6為+且Z…及Z3”為—C(R，為\。具體而言，以^ 及 Z7 為且 z】《及 3* =、2’及 Z8 為-C(R’）=、z2 〕z 及 Z8 為-C(R，’，）= 321218 30 201000513 z3lz^、NiZ!“ 為佳，以 N ⑽，’）=、z^z7為(广）: 為-叫較:。為切及卜μΪ則述式⑸所示之重複單元之高分子化人物支鍵、，古鍵以去除ζ加及Ζ5* 口物而成者為佳。一及2中所含之R，，，二，⑸所示之重複單元可舉例如之2, 2 -聯吡咬一5阳L、有取代基示之重複單元等。，――基所成之重複單元、以下之式所

時 kJ 當前述式⑵所*化合物之殘基存在於分子鍵以以下述式（6)所示之基之形式存在為、

(式中，Z1、 72* 、74* 75* z6—z7 佳鱼tfru ^ 6、z8、Z9及 z]°係具: 共則述相同之意義；R，、R，’所示 ys. -V . 土中所δ之氫原子之 1刀或全部可經氟原子取代；存在或不Ρ1 . + 廿在有4個之~C(R，）=可相 =不问，存在有4個之-C(R，，W相同或不同；當22*及，為-'COT ’）=時，广及Z3*中所含個R可互相鍵結而 321218 31 201000513 成苯環’當β為—C(R，，）= Έ ,,,, 才Z及Z中所含之2個R’，可互相鍵結而形成苯環，Z4* 不衣Z及Z中所含之2個！^，，可互相鍵 #-. Q * 結而形成苯環，但Z2*及z3：t ,π /及Ζ4*、以及ζ4*及Ζ5*之同時形成笨環…7…二 -con-時^之2個R’可互相鍵結而形成苯環，當z8為 Ζ1Ζ8、Ζ8/7Γ含之2個R’可互相鍵結而形成苯環，但成苯产.2 以及心之2個以上之組合不同時形烕本％，2個R’互相钕社了〜個R，，互相㈣ ”成之苯環可具有取代基，2 個目鍵結而形成之苯環可具有取代基）。 Z?及S，(6)中，以Zl'Z2*及〜N-—之位置、與z6、 Z及Z之-N二之位蓄41α " 1 、 -Ν=且rmc(R，，為佳。制而言’〇ζ6為 1且广及2-為、Z6及Z8為-C(R’ )=、Z2*及Z7為及26為*且2^):、^為，，）=為佳，以广在前述气二叫加為料較佳。成者為^姻巾，]核結敎去除A所含之R，，而田刖述式（6)所示之基存一合物之全分子鏈末力子鏈末時南分子化所示之基之比例（子在於分子鏈末端之前述式⑹ 麵較佳、以4〇 /準）以】〇至_為佳、以25至 _ 以40至100%更佳。 $述式（6 )所示之基 · 聯岭5~基、以…：牛例如.可具有取代基之2, 2’ - r足式所示之基等。 32J218 32 201000513

前述式（2)所示化合物之殘基係在高分子化合物中僅含有一種，或含有兩種以上。可比 —式⑴所示化合物之殘基與式⑵所示化合物之殘基之例等一

攸电荷主入/輸送之觀點來看，本發明之高分子化合物以共輛系高分子為佳。前述所謂共㈣高分子，係意指，鏈中之全鍵結之50至100% (特別是7〇至函、尤其是80至1〇〇% )為互相共輛之高分子化合物。本發明之高分子化合㈣，前述式⑴所示化合物之殘基（包含前述式（3)所示之重複單元，以下僅稱為「式（1) =示化合物之殘基」）與前述式⑵所示化合物之殘基（包含 :述式（4)所示之重複單元、前述式（5)所示之重複單元、則述式（6)所不之重複單元）之比例（莫耳比）通常為j : 〇.〇〇1至1:5，且以 1:0.005 至1:3為佳，以1:〇.〇1 至1 : 1較佳。從發光效率和元件之耐久性之觀點來看，本發明之高 321218 33 201000513 分子化合物以具有前述式(3) 式⑷所示之重複單元及前述？==從由前述組中選出之至少一插芬/4、、，)斤不之重後早7L所成群化合物為佳。 5、别述式（6)所示之基之高分子 —其他重複單元— 從電荷注入/輸送及袁声士明之含八u度+㈣命之觀點來看，本發月之呵分子化合物以復具有丰么元、下述式⑻所示之重複單述式⑴所不之重複單早兀所成群組中選出室不夂、出之至少—種重複單元為佳·· ㈧ —^-Ar3- 1 -Ar4--N—(~Ar5— R1 R2 (B) (C) • Af7--'Xi- (式中Ar及Ar分別獨立地表示可具有取代基之伸美、可具有取代基之2價雜環基、成可呈有取枝土錯合物構造之2價Α·Α 4 A 3二之具有金屬苒l Z 4貝基，Ar、Ar及紅6分別獨立地表示有取代基之伸芳基、可具有取代基之2價雜絲、或可^ 有取代基之W單鍵連結2個芳香環而成之2價基；^ 分別獨立地表示氫原子、、p装 1 辽席千烷基、方基、1價雜環基或芳烷暴， X1 表示-CR3=CR4-或-Cs〇 ;R3及R4分別獨立地表示氫原 321218 34 201000513 子、烷基、芳基、1償雜環基、羧基、或氰基；a為0或 1)。 •式（Α)所示之重複單元在前述式（Α)中，當Ar3所示之基具有取代基時，該取代基可舉例如：烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、鹵素原子、醯基、醯氧基、1價雜環基、羧基、硝基、氰基等，以烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、取代胺基、1價雜環基為佳，以烧基、烧氧基、芳基較佳。前述式（A)中，Ar3所示之可具有取代基之伸芳基中之伸芳基係意指從芳香族烴去除2個氫原子而成之原子團，且包含具有獨立之苯環或縮合環者。此伸芳基之碳原子數通常為6至60，且以6至30為佳、以6至18較佳。前述式（A)中，Ar3所示之可具有取代基之伸芳基中之伸芳基可舉例如：1，4-伸苯基、1，3-伸苯基、1，4-萘二基、1，5-萘二基、2, 6-萘二基、9, 10-蒽二基、2, 7-菲二基、5, 12-稠四苯二基、2，7-弗二基、3,6_弗二基、1，6-祐二基、1,8_ 芘二基、3, 9-茈二基、3, 10-茈二基、2, 6-喹啉二基、1, 4-異喹啉二基、1，5-異喹啉二基、5, 8-喹噚啉二基等，以1, 4-伸苯基、1，4-萘二基、1，5-萘二基、2, 6-萘二基、9, 10-蒽二基、2, 7-荞二基、1，6-芘二基、3, 9-茈二基、3, 10-茈二基、2, 6-^^#二基、1，4-異啥琳二基、5, 8-啥噚琳二基為佳，以1，4-伸苯基、1，4-萘二基、1,5-萘二基、2, 6-萘二基、9, 10-蒽二基、2,7-g二基、5, 8-喹噚啉二基較佳， 35 321218 201000513 以伸笨基、2, 7-薄二基更佳。月J边式（A)中，Ar3所示之可具有取代基之中之2價雜環基可舉例如：4,7__笨和，2,5]^^基 3, 7-詞啡二基、3, 7—啡噻哄二基等，以4, 7 —基、嗔二唾二基、3,7—啡卿二基、3,7_啡5] 4,7—苯并[1，2,5]嗔二峻二基、3,7,卩井二基、3圭，" 畊二基較佳’以4, 7-苯并塞二唾二基卞啡。塞哄二基、3, 7-啡嗟π井二基更佳。，〜啡可具有前述式⑷中，“所示之取代基之 - 合物構造之2價基可舉例如以下里屬錯卜之式M-1至M-7所示之基。 321218 36 201000513

R R R R R

R R

-1 M-2

R R R R

R R M-3 M-4 37 321218 201000513

R R R

R R M-5 M-6

R R R M-7 此等之中，Ar3所示之基以下述式（D)、（E)、（F)、（G) 及（H)之至少一種為佳：

(式中，R]°為烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、ii素原子、醯 38 321218 201000513

(F) (式中，R13及R14分別獨立地為氣原子基、，芳氧基、芳燒基、芳烧氧基、芳烯基、芳块基:美方取代胺基、鹵素原子、醯基、醯氣 1 土企甘^ I知乳基、1價雜環基、羧基、項基、或氰基；此等基中所含之* 經氣原子喊）巾原子之—料或全部可

(式中，R15表示氫原子、烷基、芳基、

R16 價雜環基或芳烷基） (式中，R16表示氫原子、烷基、方基、1價雜環基或芳烷基）。 321218 39 201000513 前述式（D)中，R111以烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、取代胺基、醯基、1 價雜環基為佳，以烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、取代胺基、醯基、1價雜環基較佳，以烷基、烷氧基、芳基、1價雜環基更佳，以烷基、烷氧基、芳基特佳。前述式（D)中，f以0至2之整數為佳。前述式（E)中，R11及R12以烷基、芳基、1價雜環基為佳，以烧基、芳基較佳。前述式（F)中，R13及R14以氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烧基、芳炫氧基、取代胺基、酿基、1價雜環基為佳，以氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、1 價雜環基較佳，以氫原子、烷基更佳，以氫原子特佳。前述式（G)中，R15以烷基、芳基、1價雜環基為佳，以院基、芳基較佳，以芳基更佳。前述式（H)中，R16以烷基、芳基、1價雜環基為佳，以炫基、芳基較佳1以芳基更佳。前述式（A)所示之重複單元以可具有取代基之苐二基、可具有取代基之伸苯基、及此等之組合為佳。 •式（B)所示之重複單元在前述式（B)中，當Ar4、Ar5及Ar6所示之基具有取代基時，該取代基可舉例如：炫基、炫氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、鹵素原子、醯基、醯氧基、1價雜環基、羧基、硝基、氰基，且以烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧 40 321218 201000513

基、取代胺基'醉其、患I 較佳。皿基减為佳’以烧基、垸氧基、芳基別述式（B)中，紅4、A 5另6 & _ 伸芳基中之伸_之可具有取代基之之原子團，1 芳香族煙去除2個氫原子而成之碳片子數、i it具有獨立之苯環或縮合環者。此停芳基較二原子數通常為6至6()，且以6錢為佳、以6至】8 前述式（B)中，Ar4、Ar5及伸芳基中之伸芳基 :可-有取代基之 1，4-关二其9 c牛例如.I3—伸苯基、1，4-伸苯基、稍四笨;基、9，10—葱二基、2,7,二基、5，12-::基、2,7-第二基、3,8-花二基等。價雜環美^β)/ ’ Al_ 'Al*及Ar"6所示之可具有取代基之2 4至環基之碳原子數通常為4至60，且以所示之可:有：』Γ較佳。前述式⑻中，Ar4、Ar5及紅6 ^ : 2 5 V 土之2仏雜環基中之2價雜環基可舉例 -笨基各二基、2,5,二基' 二基等。基义^啡噚畊二基^^-咔唑别述式（B)中，紅4、Ar5 » λ 6 以單。及Ar所示之可具有取代基之芳香環而:之Π香環而成之2價基中之以單鍵連結2個示之基。扣基可舉例如以下之式(3A-1)至(3A-4)所 321218 41 201000513 (3Α-1)

(3Α-4) 认w刀奶倜旦地以可具有取代基之以可具有取代基之伸苯基、可具有取代似丄，，、可具有取代基之1,4-蔡二基、可具有取 ^基之2, 6-奈二基；前述式（Μ)所示之基較佳，以可旦户取:ΐ:，4,苯基、可具有取代基之U-萘二基更 ^ 可具有取代基之1，4-伸笨基特佳。且有⑻中，“以可具有取代基之伸苯基、可 ”有取代基之U-伸苯基、可具有取代基 4;^:# 一，，]巷一唑二基、可具有取代基之3,7一啡噚哄二美、 = =(3Α「υ所示之基、前述式（3A_4)所示之基為佳、美’、可苯基、可具有取代基之“-萘二摩基佳可具有取代基之2,7rn述式（H)所示之基較佳’以可具有取代基之伸苯基、可: 述式（3A-1)所示之基更佳。 -有取代基之别前述式⑻中，Ri及別獨立地以炫基雜環f為佳以统基芳基較佳，以芳基更佳知別述式（B)所示之重複單-可與至(㈣所示之重複單元。式中：=:之式叫）方基方减H基、枝氧基、㈣基、芳

32J21S 42 201000513 炔基、胺基、取代胺基、齒素原子、醯基、醯氧基、1價雜％基、羧基、硝基、或氰基。存在有複數個之Ra可相或不同。

(3B-1)

Ra Ra

(3B-2)

式（C)所示之重複單元可月1J迷式（C)中，Ar7所示之可具有取代基之伸芳基 43 321218 201000513 具有取代基之2價雜環基、可具有取代基之具有金屬錯合物構造之2價基，係與在前述Ar3之項中所說明並例示者相同。前述式（C)中，R3及R4以氫原子、烷基、芳基為佳，以氫原子、芳基較佳。前述式（C)所示之重複單元可舉例如以下之式（4A-1) 至（4A-11)所示之重複單元。 44 321218 201000513 \'

(4A-1)

(4A-2)

(4A-3) (4A-4)

(4Α·6)

(4A-7) (4A-5)

ip- (4A-9)

當本發明之高分子化合物具有從由前述式（A)所示之重複單元、前述式（B)所示之重複單元、及前述式（C)所示之重複單元所成群組中選出之至少一種重複單元時，前述式（1)所示化合物之殘基與從由前述式（A)所示之重複單元、前述式（B)所示之重複單元、及前述式（C)所示之重複單元所成群組中選出之至少一種重複單元之比例（莫耳比） 45 321218 201000513 通常為1 : 〇. 01至1 : 100 , 以1 : 0· 1至1 : 20較佳。且以1 : 05至1 : 50為佳， ^述式⑷解之重複單^、前料⑻財之重複單兀、雨述式⑹所示之重複單元分別可在高分子化合物中僅含有一種或含有兩種以上。本發明之高分子化合物之換算絲笨乙狀數八子量通常為ΙχΙΟ3至1χ1〇7，且以1 1n4 刀上以1x10至5xl〇6為佳，換曾成聚笨乙烯之重量平均分子量通常為1χ1〇4至h , 、# 5xl04至lxl〇7為佳。 ’且以本發明之高分子化合物可舉例如以下之子化合物1至4。 &所示之高分 •高分子化合物1

321218 46 201000513

η (式中，x、y、m、η表示高分子化合物1中之各重複單元之組成比（莫耳％ )，X為滿足30 5x^60之正數，y為滿足 20SyS40之正數，m為滿足5SmS30之正數，η為滿足3

SnS20之正數；惟，x+y + m + n=100 ;高分子化合物1 之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為lxlO4至lxlO6)。 •高分子化合物2 n-CeH-i3

n-〇eHi3

47 321218 201000513

n-C6Hi3

η (式中，x’、y’、ιώ’、n’表示高分子化合物2中之各重複單元之組成比（莫耳％ )，X’為滿足30 Sx’ S 60之正數，y’ 為滿足20 S y’ S 40之正數，πΓ為滿足5 S m’ S 30之正數， η’ 為滿足 3 S n’ S 20 之正數；惟，X’ + y’ + m’ + η’ =100 ; 高分子化合物2之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為lx 104 至 lxlO6)。 •高分子化合物3

48 321218 201000513

(式中，x’ ’、y ’、m’ ’、η’ ’表示高分子化合物3中之各重複單元之組成比（莫耳％ )，X’ ’為滿足30Sx’ ’ $60之正數，y’ ’為滿足20Sy’ ’ $40之正數，m’ ’為滿足5Sm’ ’ S 30之正數，η’ ’為滿足3S η’ ’ S 20之正數；惟，X’ ’ + y’ ’ + m’ ’+η’ ’ =100 ;高分子化合物3之換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為lxlO4至lxlO6)。 •高分子化合物4

49 321218 201000513

X' 、Y (式中 j Λ ，各重複單元之组成比莫耳^’表示高分子化合物4中之战匕（旲耳/〇，x ’，為滿足30gx，，，$60 =正數’ y為滿足l〇$y，，，錢之正數，z為滿足5^ζ $20之正數，m，’，為滿足，’ S30之正數，η，，，為滿足 3 S Π’ ’ ’ $ 20 之正數；惟，X’ ’ ’ + y’ ’ ’ + Z + m’ ’ ’ + n ’ = 10 0 ;高分子化合物4之換算成聚笨乙烯之重量平均分子量為lxlO4至lxio6)。 <組成物> 50 ^21218 201000513 本發明之高分子化合物可與從由發光材料、電洞輸送材料、及電子輸送材料所成群組中選出之至少一種併用而製作成組成物。前述發光材料可舉例如：低分子螢光發光材料、磷光發光材料等，其例子可舉例如：萘衍生物、蒽及其衍生物、花及其衍生物；聚次曱基系色素、咕嘲（xanthene)系色素、香豆素系色素、花青素系色素等色素類；具有8-羥基啥淋做為配位體之金屬錯合物、具有8-羥基喹啉衍生物做為配 .jr 位體之金屬錯合物、其他螢光性金屬錯合物；芳香族胺、四苯基環戊二烯及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物；二苯乙稀系、含石夕芳香族系、噚°坐系、氧化吱咱（f uroxan) 系、噻唑系、四芳基曱烷系、噻二唑系、吡唑系、間環艽 (metacyclophane)系、乙炔系等低分子化合物之螢光性材料；銥錯合物、鉑錯合物等金屬錯合物；三重態發光錯合物等。其他還可舉例如：日本特開昭57-51781號公報、曰 k 本特開昭59-194393號公報等中所記載者。從有機電激發光元件之色度之觀點來看，相對於本發明之高分子化合物100重量份，前述發光材料之比例以1 至50重量份為佳、以3至40重量份較佳、以3至30重量份更佳。前述電洞輸送材料可舉例如：聚乙烯咔唑及其衍生物、聚矽烷及其衍生物、在侧鏈或主鏈具有芳香族胺之聚石夕氧烧衍生物、。比σ坐1#衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙稀衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩 51 321218 201000513 及其衍生物、聚π比略及其衍生物、聚（對伸苯基伸乙烯基）及其衍生物、聚（2, 5-伸噻吩基伸乙烯基）及其衍生物等。其他還可舉例如：日本特開昭63-70257號公報、日本特開昭63-175860號公報、日本特開平2-135359號公報、日本特開平2-135361號公報、日本特開平2-209988號公報、日本特開平3-37992號公報、日本特開平3-152184號公報中所記載者。從電荷平衡之觀點來看，相對於本發明之高分子化合物10 0重量份，前述電洞輸送材料之比例以3至3 0重量份為佳，以3至2 0重量份較佳，以3至10重量份更佳。前述電子輸送材料可舉例如：卩等二嗤衍生物、蒽酿二曱烧及其衍生物、苯S昆及其衍生物、萘酿及其衍生物、蒽酉昆及其衍生物、四氰基蒽酿二曱炫及其衍生物、荞酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、聯苯醌衍生物、8-羥基喹 °林及其衍生物之金屬錯合物、聚喧σ林及其衍生物、聚啥D等琳及其衍生物、聚第及其衍生物等。其他還可舉例如：曰本特開昭63_70257號公報、日本特開昭63-175860號公報、日本特開平2-135359號公報、日本特開平2-135361 號公報、日本特開平2-209988號公報、日本特開平3-37992 號公報、日本特開平3-152184號公報中所記載者。從電荷平衡之觀點來看，相對於本發明之高分子化合物10 0重量份，前述電洞輸送材料之比例以5至5 0重量份為佳、以5至30重量份較佳、以5至20重量份更佳。從發光效率及元件耐久性之觀點來看，本發明之組成 321218 201000513 物可含有前述式（1)所示之化合物、具有前述式（1)所示化合物之殘基之化合物、前述式（2)所示之化合物、具有前述式（2 )所示化合物之殘基之化合物等。本發明之組成物可經由含有有機溶劑而製作成溶液或分散液（以下僅稱為「溶液」）。經由如此處理，即可藉由塗佈法進行成膜。此溶液一般稱為印墨、液狀組成物等。前述有機溶劑可舉例如：氣仿、二氣甲烷、1，2-二氯乙烷、1，1, 2-三氯乙烷、氣苯、鄰二氯苯等氯系溶劑；四 f 氫呋喃、二噚烷（dioxane)等醚系溶劑；曱苯、二曱苯、三甲苯、均三曱苯等芳香族烴系溶劑；環己烷、曱基環己烷、正戊烧、正己烧、正庚烧、正辛烧、正壬烧、正癸烧等脂肪族烴系溶劑；丙酮、曱基乙基酮、環己酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、苯曱酸曱酯、乙基賽璐蘇乙酸酯等酯系溶劑；乙二醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、二甲氧基乙烷、丙二醇、二乙氧基曱烷、三乙二醇單乙謎、甘油、1, 2-己二醇等多元醇及其衍生物；曱醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇系溶劑；二曱基亞石風（dimethyl sulfoxide)等亞石風系溶劑；N-曱基-2-σ比17各口定酮、Ν，Ν-二甲基曱醯胺等醯胺系溶劑。前述溶劑可單獨使用一種或併用兩種以上。從黏度、成膜性等觀點來看，前述溶劑中，以含有具有含苯環之構造，且熔點為0°C以下沸點為100°C以上之有機溶劑為佳。當本發明之組成物含有前述有機溶劑時，在塗佈本發明之組成物後，僅須藉由乾燥而去除有機溶劑即可，而在 53 321218 201000513 :二非s!有利於從本發明之組成物進行積層/成膜。在，可在加熱至50至靴左右之狀態下使盆乾無，^可_幻吟a左右使其乾燥。吏，、乾前述積層/成膜可使用旋轉塗佈法塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、卜估、;^法4凹版、、其淨、、上,、钟土忡沄钪塗佈法、線棒塗佈法、印:法、縫塗佈法、毛細管塗佈法、噴霧塗佈法、網版佈法等塗佈法。 1财1墨列印法、噴嘴塗較佳2=::成物含有前述有機溶劑時，前述溶液之 mp X ^佈法而異’細饥時在0 5至5⑽ mPa · s之齡間盔从 . · ^王ΰυυ 通過噴出裝置者二，為以黏度机時在G 5 = ㈣之m塞錢行彎曲，〈有機電激發先:;一^ 本發明之有機電激發光合物而成者，但通θ 本發明之南分子化陰極之間使用本—發===二陰極、以及於該陽極及用本=:=層為發光層者為佳。以下，說明使例子。一化合物而成之層為發光層之情形做為一至之有輪發光71件之構射舉例如以下之a) 陽極/發光層/陰極 b)陽極/電洞輸送層/發先層/陰極 321218 54 201000513 C)陽極/發光層/電子輸送層/陰極 d)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (在此，/表示各層係相鄰積層，以下皆同）。所謂發光層係指具有發光機能之層，所謂電洞輸送層係指具有輸送電洞之機能之層，所謂電子輸送層係指具有輸送電子之機能之層。電洞輸送層與電子輸送層合稱為電荷輸送層。有時也將鄰接發光層之電洞輸送層稱為層間 β (interlayer)層 ° 各層之積層/成膜可從溶液進行。從溶液進行之積層 /成膜可使用旋轉塗佈法、澆鑄法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、親塗佈法、線棒塗佈法、浸塗法、狹縫塗佈法、毛細管塗佈法、噴霧塗佈法、網版印刷法、柔性印刷法、膠版印刷法、喷墨列印法、喷嘴塗佈法等塗佈法。發光層之膜厚只要選擇使驅動電壓與發光效率成為適 w 度的值即可，但通常為1 nm至1 // m，且以2 nm至5 0 0 nm為佳、以5nm至200nm更佳。當本發明之有機電激發光元件具有電洞輸送層時，所使用之電洞輸送材料係如前所述。電洞輸送層之成膜可依任何方法進行，但當電洞輸送材料為低分子化合物時，以由與高分子黏合劑之混合溶液而成膜者為佳。當電洞輸送材料為高分子化合物時，以由溶液而成膜者為佳。由溶液而成膜時可使用前述所例示之方法做為塗佈法。混合之高分子黏合劑以不會極度阻礙電荷輸送者，且 55 321218 201000513 耵於可見光之吸收不強者聚碳酸醋、聚丙歸酸: ^刀子黏合劑可舉例如：一烤、聚氣:坤聚甲一甲电洞輸送層之臈厚〇度的值而選擇即可，但：須=電壓與發光效率成為適若過厚則元件之驅動電壓會升^而^產生針孔之厚度，層之膜厚通常為化至〗门。因此，電洞輸送 5至2◦。麵更佳。且以2…◦。⑽為佳、以當本發明之有機電激發光使用之電子輪送材料係如前所述時，所任何方法進行，但當電別込層之成膜可依從粉末藉由真空蒸二成=為低分子化合物時，以夕大、丄成胰、稭由從溶液或熔融狀能志胺、方法為L。當電子輪送材料為高分…成膜從溶液或溶融狀態成膜之方法為佳以錯由膜可併用高分子黎合割。從 ^ 谷融狀態成法做為塗佈法。 Λ 、叮使用珂述例示之方 :合之高分子黏合創以不會極度 ΐ苯胺及其衍生物、料吩及其衍生物、也（對伸本基伸乙稀基）及其衍生物丁生物烯基）及其衍生物、5 伸噻吩基伸乙聚甲芙兩〜丙稀酸醋、聚丙埼酸甲醋、二子幹、'夂：3曰、聚本乙烯、聚氯乙稀、聚矽氧烷等。為二:：厚只要選擇使驅動電厂堅與發先效率成 4度的值即可但必須至少為不會產生針孔之厚度，ί 321218 201000513 過厚則元件之驅動電壓會升高而不佳。因此，電子輸送層之膜厚通常為lnm至l/im，且以2nm至500nm為佳、以5 至200nm更佳。在鄰接電極設置之電何輸送層中’具有改善從電極注入電荷之效率之機能且具有降低元件之驅動電壓之效果者，有時特別稱為電荷注入層（電洞注入層、電子注入層）。並且，為了提高與電極之密著性或改善從電極注入電荷， , 可鄰接電極設置前述之電荷注入層或絕緣層，為了提高界面之密著性和防止混合等，可在電荷輸送層和發光層之界面插入薄的缓衝層。關於積層之層之順序和數量以及各層之厚度，只要考量發光效率和元件壽命而適當選擇即可。設置有電荷注入層之有機電激發光元件可舉例如具有以下之e)至p)之構造者： e) 陽極/電荷注入層/發光層/陰極 f) 陽極/發光層/電荷注入層/陰極 t g)陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 i) 陽極/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 j) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 k) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷輸送層/陰極 l) 陽極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 m) 陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 57 321218 201000513 η)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷輸送層/陰極〇)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 P)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極。、e书何注人層可舉例如：含有導電性高分子之層、設置洞輸送層之間且含有具有在陽極材料與電洞輸曰干所含之電洞輸送材料中間之值之游離電位之 I電3於陰極與電子輪送層之間且含有具有在陰極材料二:::::所含之電子輸送材料中間之值之電子親和 ^前^荷注人層為含有導電性高分子之層時，該導、、'、w、阿刀子之導電度以1 〇-5s/cm至io3s/⑽為佳，為了风乂發光像素間之漏電電流較佳，以在ιη-5ς/尾'而以在10 s/cm至1〇2s/cm 度至1〇S/cm以下更佳。為了使導電 :足如此之漏’可在該導電性高分子中摻雜適量之離 #雜之離子之種翻 & — 在恭之卞之檀娟右在電洞注入層則為陰離子' 牡兒子注入層則為陽離子。险右酸〜基聚苯，例如、子、聽子陽離子可舉恭# 評雊子'四丁銨離子等。電荷注入層之膜厚為例如為佳。㈣女1至100·，且以2至50⑽ ^21218 58 201000513 電荷注入層中所使用之材料，只要依與電極或鄰接之層之材料之關係而適當選擇即可，可舉例如：聚苯胺及其衍生物、聚°塞吩及其衍生物、聚比ϋ各及其衍生物、聚伸苯基伸乙烯基及其衍生物、聚伸噻吩基伸乙烯基及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹噚啉及其衍生物、在主鏈或側鏈含有芳香族胺構造之聚合物等導電性高分子、金屬酞勢（銅s大菁等）、碳等。絕緣層係具有使電荷注入變容易之機能者。此絕緣層之平均厚度通常為0.1至20nm，且以0. 5至10nm為佳、以1至5nra較佳。絕緣層中所使用之材料可舉例如：金屬氟化物、金屬氧化物、有機絕緣材料等。設置有絕緣層之有機電激發光元件可舉例如具有以下之Q )至ab )之構造者. q) 陽極/絕緣層/發光層/陰極 r) 陽極/發光層/絕緣層/陰極 s) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 ΐ)陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/陰極 u)陽極/電洞輸送層/發光層/絕緣層/陰極 ν) 陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/絕緣層/陰極 w)陽極/絕緣層/發光層/電子輸送層/陰極 X)陽極/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極 y) 陽極/絕緣層/發光層/電子輸送層/絕緣層/陰極 z) 陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 59 321218 201000513 陰極 aa) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/絕緣層/ 陰極 ab) 陽極/絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 絕緣層/陰極形成本發明之有機電激發光元件之基板，只要為在形成電極及有機物之層時不會產生變化者即可，可舉例如：玻璃、塑膠、高分子薄膜、矽等基板者。當為不透明的基板時，以與較接近該基板的電極相反側之電極為透明或半透明者為佳。在本發明中，通常由陽極及陰極所成之電極之至少一者為透明或半透明，以陽極側為透明或半透明為佳。陽極之材料可使用例如：導電性之金屬氧化物膜、半透明之金屬薄膜等，具體而言可使用：使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、及此等之複合物之銦·錫·氧化物（ΙΤ0)、銦·鋅·氧化物等所成之導電性無機化合物而製得之膜 (NESA等）、或金、鉑、銀、銅等。陽極也可使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有機的透明導電膜。為了使電荷注入變容易，於陽極上也可設置由酜菁衍生物、導電性高分子、碳等所成之層；或者由金屬氧化物或金屬氟化物、有機絕緣材料等所成之層。陽極之製作方法可舉例如：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆法、電鍍法等。陽極之膜厚可考慮透光性與導電度而適當選擇，通常 60 321218 201000513 為1 Onm至10 // ο，且以20nm至1 // m為佳、以50至500nm 更佳。陰極之材料以功函數小的材料為佳，可使用例如：鋰、納 '钟' !如、'絶、.皱'、認 '鎖' I呂 '銃' !凡 ' 鋅' 在乙、姻、錄、彭、銪、試、鏡等金屬；及該等中之2種以上之合金；或談等中之1種以上與金、銀、鉑、銅、錳、欽、钻、錄.-、鎮..、錫中之1種以上之合金；石墨或石墨層 , 間化合物等。陰極之製作方法可使用真空蒸鍍法、濺鍍法、將金屬薄膜熱壓接之積層法等。陰極之膜厚，只要考慮導電度和耐久性而適當選擇即可，通常為1 Onm至10//111，且以2()皿至1"111為佳、以50 至500nm更佳。於陰極與發光詹或陰極與電子輸送層之間’也可設置由導電性高分子所成之層、或者由金屬氧化物或金屬氟化 : 物、有機絕緣材料等所成之層，也可在製作陰極後，安裝保護該有機電激發光元件之保護層。為了長期安定地使用該有機電激發光元件，以安裝自外部保護元件之保護層及 /或保護罩為佳。保護層可使用樹脂、金屬氧化物、金屬II化物、金屬硼化物等。保護罩可使用玻璃板、經對表面實施低透水率處理之塑膠板等，宜使用以熱硬化樹脂或光硬化樹脂將該保護罩與元件基板貼合並密封之方法。若使用隔板維持空間’即容易防止元件受損。若在該空間内密封氛氣或鼠氣 61 321218 201000513 等惰性氣體，即可防止陰極氧化，經氧化4貝笪# r十丨；5亥工間内設置乳化鋇寺乾無劑，即容易抑制製造過程元件造成損傷。 ⑽之水7刀對本發明之高分子化合物、组成物、有係有用於曲面妝杏、、塔工包教^光兀件 ^曲面狀先源、平面狀光源等面狀光源（例如曰召明寺)’區奴顯示裝置(例如區段型之顯示元件等 :鱼不I置（例如點矩陣之平板顯示器等）、液晶顯示吃液晶顯示裝置、液晶顯示器之背光源 :置歹：發明之高分子化合物，除了宜傲為制你^碩不衣置寺。本料以外，做為雷射用”、有寺時所使用之材晶體用之有機半導3電==用材料、有機電等电〖生涛膜、有機丰遭辦續 … 導性薄膜用材料、發出榮光之發光性薄膜材料、效電晶體之材料等也為有用。呵刀子％光發明之有機電激發光元件而得到面狀之發光/、要使面狀之陽極與陰極重疊配置即可 ’則有於前述面狀之發光元件之表面設置設有 π 口系狀之方法。經由以此等任— 案，並將數個電極以可獨立地on/off之置，/可字或文字、簡單的記號等之區段型之顯：製作成點矩陣元件，只要將陽極與陰極- 複數===之方式配置即可。藉由分開塗布或螢光轉換黄光^之问刀子化合物之方法、或使用遽光片先轉換之方法，即可顯示部分彩色、顯示多色。 321218 62 201000513 點矩陣元件也可被動驅動，也可與TFT等組合而主動驅動。此等顯示元件可做為電腦、電視、行動終端機、行動電話、汽車導航、視訊攝影機之觀景窗等顯示裝置使用。 (實施例）使用實施例具體地說明本發明。以下，所謂「F8」，係意指9, 9-二辛基第'所謂「F8Br2」，係意指2, 7-二溴-9, 9-二辛基第。 (數平均分子量及重量平均分子量）在實施例中，換算成聚苯乙烯之數平均分子量及重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析儀（GPC，島津製作所製，商品名：LC-10Avp)求出。所測定之高分子化合物係以成為約0.5重量％之濃度之方式使其溶於四氫呋喃（以下稱為「THF」）中後，注入30#L至GPC中。GPC之移動相係使用THF，以0. 6mL/分鐘之流速使其流動。管柱係將TSKgel SuperHM-H(東曹製）2 支與 TSKgel SuperH2000(東曹製）1 支串聯。偵測器係使用示差折射率偵測器（島津製作所製，商品名：RID-10A)。 (丽R測定）在實施例中，單體之NMR測定係以下述條件進行。裝置：核磁共振裝置，INOVA300(商品名），Varian公司製測定溶劑：氘化氯仿樣品〉農度.約1重量％

測定溫度：25°C 63 321218 201000513 (高效液相層析法）在實施例中，單體之高效液相層析法（以下稱為「HPLC」）係以下述條件進行。裝置：LC-20A(商品名），島津製作所管柱：Kaseisorb LC 0DS-AM 4. 6mml. D. xlOOmm，東京化成製移動相：含有乙酸0. 1重量％之水/含有乙酸0. 1重量％之乙腈偵測器：UV偵測器，偵測波長254nm (氣相層析法）在實施例中，單體之氣相層析法（以下稱為「GC」）係以下述條件進行。裝置·· Agilent Technology 公司 6890N Network GC 管柱：BPX5 0. 25mml. D. x30m 5 SGE Analytical Science 製移動相：fl 偵測器：氫焰離子化偵測器（FID) (合成例1)(低分子化合物A之合成）

Br

n-BuLi EtjO

在氮氣環境中，在1，4-二溴苯27. lg(114.97mmol)中加入脫水二乙醚（217mL)後，將所調製成之溶液冷卻至-66 64 32J218 201000513 °C。在所得之懸浮液中在-66°C以下費時2小時滴入2. 77M 之正丁鋰之己烷溶液37. 2mL(正丁鋰純度：103.04mmol) 後，在同溫度攪拌1小時，而調製成鋰試劑。在氮氣環境中，在三聚氯化氰（cyanuric chloride) 10. 0g(54. 23mmol)中加入脫水二乙醚68mL後，將所調製成之懸浮液冷卻至-50°C，並在-35°C以下費時45分鐘緩缓加入前述鋰試劑後升溫至室溫，並在室溫使其反應。將所得之生成物過濾後，減壓使其乾燥。將所得之固體16. 5g精製’而得到13. 2g之針狀結晶。

C6Hi3-{^-MgBr ΧΧ^ΝγΧΧ Tiff ^ NVN

Br

低分子化合物A 在氮氣環境中，在脫水THF65mL加至鎮1.37g(56.4 mmol)而成之懸浮液中，每次少量地加入4-己基溴苯 14. 2g(59. 2mmol)之脫水THFl5mL溶液後，加熱並在回流下攪拌。放置冷卻後’在所得之反應液中再加入鎂〇. 39g (16. 3mmol)並再次加熱，在回流下使其反應，而調製成格林納（Gr i gnard)試劑。在氮氣環境中’在前述針狀結晶12. 〇g(28.2mm〇1)i 脫水THFlGGinL料液巾加A前述格林減劑後，加熱並在回流下授拌。放置冷卻後’將所得之反應液以稀鹽酸水溶 65 321218 201000513 液洗淨並進行分液後’以二乙醚萃取水相。將所得之有機相混合並以水洗淨後分液，將有機相以無水硫酸鎂乾燥後，過濾並濃縮。將所得之白色固體以矽膠管柱精製，再進仃再結晶，藉此得到白色固體（以下稱為「低分子化合物 A」）6. 5g。 NMR (4 0 〇MH z/CDC 1 3)： 50. 90 (t, 3H) , 1. 31^1. 34 (m. 6 Η) . 1. 69 (m, 2 H)、2. 7 3 (t、2H)、7. 3 7 (d、2H)、7· 6 9 (d、4H)、 8. 5 9〜8. 6 4 (m、6H) LC/MS (APCI posi) : [M+H]+ 566 (合成例2 )(低分子化合物b之合成）在氮乱％境中’在100至1〇5〇c將聯硼酸頻那醇酯（bk (pinacolato)diboron)(CAS 編號：73183-34-3)37. 〇g、2, 5- 二溴吡啶103. 5g、[ΐ，ι，-雙（二苯膦基）二茂鈦]二氯化鈀 (與ch2ci2形成錯合物之化合物，Aldrich製）7.丨鈕、1，^ — 雙（二苯膦基）二茂鐵4 85g、氫氧化鈉35 〇g、及〗，4—二 %烷568mL攪拌95小時。將所得之溶液冷卻至室溫後，加入甲苯460niL，並在室溫攪拌2〇分鐘。將所得之溶液以填充有石夕膠之過濾後，將濾液濃縮使其變乾硬而得到固體。接著’將該固體以乙腈進行再結晶2次、以乙酸乙進行再結晶1次、以氯仿進行再結晶2次後，得到固體 2. 2g。接著，將乙腈（65〇mL)加至該固體，並在開始進行回流之溫度授拌後，在同溫度進行過濾，並將所得之濾液濃縮使其變乾硬。接著’將所得之固體以氯仿進行再結晶後， 32J2J8 66 201000513 得到下述式所示之5，5’ -二漠-2，2’ -聯°比°定（以下稱為「低分子化合物B」）1. 17g(產率3% ，HPLC面積百分率99· 5 % ，GC面積百分率99· 2% )。在1H-NMR中未觀察到源自不純物之峰值。

Br 1 H-NMR (2 9 9. 4 ΜΗ z、CDC I 3) : 7 . 9 4 .(d ' 2 Η)、8. 2 9 (d、2Η)、8. 7 1 (s, 2 H) LC-MS (APP I -MS (p 〇 s i ) ) : 313 [M+H]+ (合成例3)(低分子化合物（]之合成）在300mL四口燒瓶中裝入14—二己基_2,5-二溴苯 8. 08g(20. Ommol)、聯硼酸頻那醇酯（CAS 編號：73183_34_3) 12. 19g(48. 0_〇1)、及乙酸鉀 u· 78g(12〇. 〇_〇1)，並進行氬氣取代。裝入脫水丨，4—二噚烷1〇〇mL，並以氬氣除在其中裝人[1，1’-雙（二苯膦基）二茂鐵]二氯化纪（⑴二 ^甲烧錯合物〇.98g(1.2mmol)，再以氬氣除氣。加熱6小時進行回流後，成為焦茶色之漿液。在其中加人曱笨及離子交換水崎分液後，將所得之有機相料交換水洗淨。在所叙有機層巾加人無水硫_及活时，並以預藻土之漏斗韻。將毅濃縮後，得❹茶色之結以正己崎再結晶後，以甲醇將結晶洗淨。、斤寸之、、·.晶減愿使其乾燥後’以仏4%之產率得到 .忌之白色針狀結晶(以下稱為「低分子化合物c」）。 321218 67 201000513 n~CgHi3 CH3

~^6Ηΐ3 ch3 iH-NMR (2 9 9. 4MHz/CDC 13) · 62(m 、4H)、2. 88 (t、4H)、7. 59 (bd、2h) LC/MS (ESI posi KC1 添加）：[Μ+ΚΓ 573 (合成例4 )(低分子化合物j)之合成）在氮氣環境中，在5-漢_2令比咬47 5g及肆（三苯基膦）纪U3g中加入2—吼咬基鋅漠化物之〇, 5m之珊溶液 500mL，並在 20 f 23T、增埭。上， .芏。h見4在其中加入水23mL·並攪拌 Μ鐘。接著’加入碎藻土（商品名：Ceme545，副⑽ =司:）巧及舰5GmL ’並攪拌15分鐘後，過濾、並將所仔之k液〉農縮使其變乾硬。將所得之粗生成物溶於， 600mL中後，加入乙二胺12 ^ Zg 水 700mL、甲苯 1200mL 並 $拌後’靜置並進行分液。將所得之水層以^鳥L萃取’並將所得之有機層混合在—起後，在其中加入乙二胺 g”4GGmL並洗淨後，靜置並進行分液。由於固體析出，，稭由喊去除，將·再以水·此洗淨2次、以 fimiGGmL洗淨1次。將所得之麵相無水硫酸所〜g乙燥’並進们農縮，藉此得到褐色油狀物2Ig。將所仔之油狀物藉由矽膠管柱声燥，藉此得到普…晶丨◦層斤法，己^^ g°加熱使所得之結晶溶於匕/兀2申後，冷卻使社晶如山 ... 丨使、、口日日析出，亚减壓使其乾燥後，得 32J218 68 201000513 到白色板狀結晶之下述式所示之5_溴_2, 2’ _聯吡啶（以下稱為「低分子化合物D」）8.69g(產率22% ，LC面積百分率 99. 9¾ )。 ’

】H-NMR (2 9 9. 4 MHz、CDC13) : 7. 32(ddd、1H) 7 .82(td、1H)、7. 94(dd、1H)、8. 32(d、1H)、8. 38( d、1H)、8· 67(dt、1H)' 8. 73(d' 1H) (合成例5)(發光材料a之合成）

按照刪2/Q66552中所記載之合成方法進行合成。換言之，在氮氣環境中，經由將2-溴吡啶與12當量之、溴苯蝴酸進行鈴核合（觸媒：肆（三苯基膦）^)里J 2Μ碳酸鈉水溶液，溶劑：乙醇、曱苯），而得到下示之2 - (3 ’ -溴苯基）。比η定。所

接著，在氮氣環境中，，經由將三演苯與22 ♦ 一三級丁基苯硼酸進行鈐木耦合（觸媒： ―曰里 (0) ’驗：2Μ碳酸納水溶液，溶劑··乙醇 ^土膦）16 下述式所示之溴化物^ 本）’而得到 321218 69 201000513

騎Ή ’冑此;臭化物溶於無水THF巾後，冷卻 Β(0ΓίΜ’並滴人少4過剩之三級Μ。在冷卻下，再滴入匕、―4/ 3，亚在室溫使其反應。將所得之反應液以3Μ鹽酸水〉谷液淮耔你南a d _

由將1.2當量之前述硼酸化合物與2_(3，_漠苯基）吡啶進行鈐木耦合（觸媒：肆（二、 f l —本基恥）鈀（0)，鹼：2M碳酸納水溶液，溶劑：乙醢、甲本）’而得到下述式所示之配位肢（亦即做為配位體之化合物）。

在氬氣環境中，裝入前述配位體、4當量之 3H2〇、2-麵·、及離子交換水並使其回流。將㈣之3固 321218 70 201000513 體進行抽吸過濾。將所得之固體以乙醇、離子交換水洗淨後，使其乾燥後，得到下述式所示之黃色粉末。

321218 201000513

.48 (d' 12H)、7. 57 (d、6H)、7. 64 (d、12H)、7. 5 5〜7.70(xn、6H)、7.78(s、6H)'8.00(d、3H)、 8. 0 5 ( s、3H) LC/MS (APCI posi) : [M+H]+ 1677 (合成例6 )(低分子化合物E之合成） •化合物E-l之合成將3L之四口燒觀進行氮氣取代後，裝入2, 7-二溴葬酮165g，並使其懸浮於2.4L之二苯基醚。將所得之懸浮液加熱至120°C，使2, 7-二溴荞酮溶解後，在其中加入氫氧化鉀155g，並升溫至160t，攪拌2乃小時。放置冷卻至室溫後’加入己11. 5L並過遽廣，以己烧洗淨，藉此得到粗生成物。祕之四口燒瓶進行氮氣取代後，裝入所得 321218 72 201000513 之粗生成物’並使其溶於1.5L之脫水DMF中。將所得之溶液升溫至9(3°C後，緩緩加入碘曱烷53〇g。之後，使其反應 10小時。將所得之反應液放置冷卻至室溫後，滴入冷卻至 0 C之水3L中，並以3L之己烧萃取2次。將所得之萃取液以填充有矽膠之玻璃過濾器過濾後，將所得之有機層濃縮。再藉由矽膠管柱層析法精製，而得到133 48g之下述式所示之化合物E-1。

C02Me JH-NMR (3 0 0MHz/CDC13): δ 3. 6 8 ( s，3 Η)、7 . 1 5 (d，2 Η)、7 . 2 Ο (d，1 Η)、7 .52 (d，2Η)、7· 65 (d，1Η)、8· 〇〇 (brs, 1Η) 13C-NMR (3 Ο OMH z/CDC 13)： δ 52. 6、1 2 1. 8、1 22. 2、1 3 Ο. 1、1 3 1· 6、1 32. 3 > 13 2. 4 N 13 3. 2、134. 7.、. 139. 4、140. 6、167. 8 •化合物E-2之合成 (E-2) 在2L之三口圓底燒瓶中裝入溴_4_正己苯75g及 847mL之無水THF，並冷卻至-78°C。在其中緩緩裝入n_BuLi (1· 6M己烧溶液）i98mL，並在-78°C授拌2小時，而得到反應液。將49. 53g之化合物E-1溶於141 mL之無水THF中後，將所彳于之;谷液裝入滴液漏斗中，並以反應液之溫度不會超過-70°C以下之滴液速度進行滴液。滴液結束後，在同溫度攪拌2小時，並缓缓升溫至室溫。之後，在其中加入氯化 321218 73 201000513 銨飽和水溶液500mL並攪拌後，將溶液移至分液漏斗中並去除水層。將所得之有機層以水5 0 OmL洗淨2次，並在所得之有機層中加入無水硫酸鈉使其乾燥。在玻璃過濾器中填充叾夕膠之層7cm之厚度，並通入THF溶液進行過濾後，以1L之THF洗淨。將所得之溶液濃縮使其乾燥。以己院 30OmL再製漿洗淨，而得到60g之下述式所示之化合物E-2。

•化合物E之合成在1L之三口燒瓶中裝入60. Og之化合物E-2及二氯曱烷202mL，並使用冰浴冷卻至0°C。將三氟化硼二乙基醚錯合物234mL裝入滴液漏斗中並滴入該溶液中。將所得之反應溶液在0°C攪拌2小時後，注入裝有水500mL與冰500g 之燒杯中使反應停止。將所得之反應溶液移至分液漏斗中並進行分液，以二氯甲烷200mL萃取後，將有機層混合並以水50OmL洗淨2次後，以無水硫酸鎂乾燥。在玻璃過滤器中填充石夕膠之層7cm之厚度，並通入THF溶液後，將硫酸納過滤，並將溶液濃縮。在所得之油狀物中加入曱苯 100mL，並加熱使其回流。接著，冷卻至70°C後，加入異丙醇700mL並攪拌，放置至室溫後，生成結晶。將此結晶過渡並乾燥後，裝入茄型燒瓶中，並加入己烧80OmL、活 74 32J218 201000513 性碳5Gg後’加熱並進行回流2小時，^ 玻璃過濾器中填充鈉沸石（2cm)，再在 (3cm)，並在烘箱中預先加熱至70°C後，十’而得到混合物。在再在其上填充矽藻土二後，使用此過濾器過 f前述混合物。將所得之溶液濃縮至—半的量後，^濃^ 物加熱亚使其回流後，在室溫麟！小時。—面再使用冰浴冷卻-面㈣2小時後’過濾收集生成之結晶後，得到 53. 9g之下述式所示之化合物e。

H-NMR (3 0 OMHz/CDC 1 3): δ〇. 87 (t，6H)、1. 28 〜1. 3 1. 28 〜1. 37 (m, 12H)、1. 62 (m, 4H)、2. 54 (t，4H)、7. 04 (s，8H)、7. 45 ( d，2H)、7. 49 (s, 2H)、7. 55 (d，2H) 13C-NMR (3 Ο OMH z/CDC 13): δ14. 4、22_ 9、29. 4、31. 6、32. 0、35. 8、65. 4、 121. 8、122, 1 v 12 8. 1、128. 7、129. 7、131. 1、 138. 3、141. 9、142. 1、153. 7 (貫施例1 )(高分子化合物A之合成）在氮氣環境中，將0. 997g(2. Ommol)之低分子化合物 C、0· 658g(l. 20mmol)之 F8Br2、0. 221g(〇. 40腿〇1)之低分子化合物A、0. 126g(0.40_ol)之低分子化合物B、乙酸鈀 0. 7mg、參（2-甲氧基苯基）膦4. 2mg、及甲苯30mL混合，並加熱至105°C。在所得之溶液中滴入20重量％氫氧化四 75 321218 201000513 乙敍水溶液6. 6mL，並使其回流26小時。之後，加入苯硼酸0· 24g，再使其回流17小時。接著，在其中加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液，並在8〇t攪拌2小時。冷卻後，以水27mL洗淨2次、以3重量％乙酸水溶液27mL洗淨2 次、以水27niL洗淨2次，並將所得之溶液滴入甲醇31〇mL 中後，藉由過濾而得到沉殿物。將此沉殿物溶於甲苯中後，依序通過氧化紹管柱、㈣管柱，藉此進行精製。將所得之甲苯溶液滴人？醇3侃中並攪拌後，將所得之 “又物過濾並乾燥。此沉澱物(以下稱之產量為0.85g。 ”于化口物A」） 8.9χ1(Γ，換升從饋高分子化合物A之換算成聚苯 104，換管忐肀絮7 γ >冬β 敌十吟刀子罝為換，成水本乙卸之重量平均分子入原料所求出之理論值來看，古 ·1Χΐ° ):If) : in十贫n A , 同刀子化合物A係

321218 76 201000513

、與下述式所示之重複單元： --Q-Q— 之無規共聚物。 (實施例2)(高分子化合物B之合成）在氮氣環境中5將2. 118g(4. 25mmol)之低分子化合物 C、1· 865g(3. 40mmol)之 F8Br2、0· 469g(0. 85mmol)之低分子化合物A、0. 0 08g( 0. 03mmo 1)之低分子化合物D、乙酸4巴 1.4mg、參（2-甲氧基苯基）膦9.0mg、及曱苯43mL混合，並加熱至105°C。在所得之溶液中滴入20重量％氫氧化四乙銨水溶液14. 2mL，並使其回流4小時。反應後，加入苯硼酸0. 52g，再使其回流16小時。接著，加入二乙基二硫代胺曱酸鈉水溶液，並在80°C攪拌2小時。冷卻後，以水 57mL洗淨2次、以3重量％乙酸水溶液57mL洗淨2次、以水5 7niL洗淨2次，並將所得之溶液滴入曱醇663mL中後，藉由過濾而得到沉澱物。將此沉澱物溶於甲苯134mL 中後，依序通過氧化銘管柱、梦膠管柱，藉此進行精製。將所得之甲苯溶液滴入甲醇663mL中並攪拌後，將所得之沉殿物過遽並乾燥。此沉殿物（以下稱為「高分子化合物B」） 77 321218 201000513 之產量為1. 97g。高分子化合物B之換算成聚苯乙烯之數平均分子量為 1. lxlO5，換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為2. 4x105。從饋入原料所求出之理論值來看，高分子化合物B係以50 : 40 : 10之莫耳比具有下述式所示之重複單元：

，且在分子鏈末端具有下述式所示之基之無規共聚物。 78 321218 201000513 (合成例7)(高分子化合物C之合成）在氮氣環境中，將2,7-雙（1,3,2-二氧雜硼雜環戊烷 -2-基）-9, 9-二辛基» 5. 20g、雙（4-溴苯基）（4-二級丁基苯基）胺4. 50g、乙酸鈀2. 2mg、三（2-甲基苯基）膦15. lmg、氯化三辛基曱基銨0.91g(商品名：Aliquat(註冊商標） 336，A1 dr i ch製）、及甲苯7OmL混合，並加熱至105°C。在所得之溶液中滴入2M碳酸鈉水溶液19mL，並使其回流4 , 小時。之後，在其中加入苯棚酸121 mg，再使其回流3小時。接著，加入二乙基二硫代胺曱酸鈉水溶液，並在80°C 擾拌4小時。冷卻後，以水60mL洗淨3次、以3重量％乙酸水溶液60mL洗淨3次、以水60mL洗淨3次，依序通過氧化紹管柱、石夕膠管柱，藉此進行精製。將所得之甲苯溶液滴入甲醇3L中，並攪拌3小時後，將所得之固體取出並乾燥。如此進行所得之以50 : 50(從饋入量求出之理論值（莫耳比））具有下述式所示之重複單 t 元之高分子化合物（交替共聚物）（以下稱為「高分子化合物 C」）之產量為5.2 5g。高分子化合物C之換算成聚苯乙烯之數平均分子量為1. 2x1 05,換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為2. 6xl05。

79 321218 201000513 (實施例4)(高分子化合物E之合成）在氮氣環境中，將低分子化合物C(l. 495g，3. 0麵〇1)、低分子化合物E(1.431g，2.22mmol)、低分子化合物A (0_ 331g，0. 60mmol)、低分子化合物 B(0.0566g，0.18 mmol)、乙酸I巴1. Omg、參（2 -曱氧基苯基）膦6. 3mg、及甲苯33mL混合，並加熱至10 5 °C。在所得之溶液中滴入2 0 重量％氫氧化四乙銨水溶液1 OmL，並使其回流19小時。之後，加入苯硼酸0. 37g，再使其回流17小時。接著，在其中加入二乙基二硫代胺曱酸鈉水溶液，並在80°C攪拌2 小時。冷卻後，以水40mL洗淨2次、以3重量％乙酸水溶液4OmL洗淨2次、以水40raL洗淨2次，並將所得之溶液滴入曱醇500mL中後，藉由過濾而得到沉澱物。將該沉澱物溶於曱苯9 4mL中後，通過氧化紹管柱、石夕膠管柱，藉此進行精製。將所得之曱苯溶液滴入曱醇600mL中並攪拌後，將所得之沉澱物過濾並乾燥。此沉澱物（以下稱為「高分子化合物E」）之產量為1.53g。高分子化合物E之換算成聚苯乙烯之數平均分子量為 1. 3xl05，換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為3. 3x105。從饋入原料所求出之理論值來看，高分子化合物E係以50 : 37 : 1 0 : 3之莫耳比具有下述式所示之重複單元：

80 321218 201000513 、下述式所示之重複單元：

、與下述式所示之重複單元：

之無規共聚物。 (實施例5)(高分子化合物F之合成）在氮氣環境中，將低分子化合物C(l. 495g，3. 0顏〇1)、低分子化合物E(1. 160g，1. 80mmol)、低分子化合物A (0. 331g，0. 60mmol)、低分子化合物 B(0. 188g，0. 60mmol)、乙酸I巴1. Omg、參（2-甲氧基苯基）膦6. 3mg、及甲苯33mL 混合，並加熱至105°C。在所得之溶液中滴入20重量％氫氧化四乙铵水溶液1 OmL，並使其回流19小時。之後，加入苯硼酸0. 37g，再使其回流17小時。接著，在其中加入 81 321218 201000513 二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液，並在8〇t攪拌2小時。冷卻後’以水40mL洗淨2次、以3重量％乙酸水溶液侃洗淨2次、以水40niL洗淨2 -々，廿监^曰人亚將所得之溶液滴入曱醇 500mL中後，藉由過濾而得到沉澱物。將該沉澱物溶於甲苯9就中後，通過氧化紹管柱、@膠^，藉此將所得之甲苯溶㈣人甲醇_mL中並攪拌後，得沉澱物過濾並乾燥。此沉澱物（于之之產量W鄭力（以下無為、分子化合物F」）高分子化合物F之換算成聚笨 m減絲苯w之重量子量為從饋入原料所求出之理論值一里為UxlO。比具有下述式以50 : 30 : 10 : 10之莫耳4曰上一向分子化合物F係

所示之重複單元：下述式所示之重複單元：

下述式所示之重複單元： 82 201000513 9 Π-〇6Ηΐ3 、與下述式所示之重複單元：之無規共聚物。 (比較例1)(高分子化合物D之合成）在氮氣環境中，將0.987g(2.0mmol)之低分子化合物 C、0. 878g(l. 6mmol)之 F8Br2、0. 221g(0. 40mmol)之低分子化合物A、乙酸鈀0. 7mg、參（2-曱氧基苯基）膦4. 2mg、及曱苯30mL混合，並加熱至105°C。在所得之溶液中滴入 20重量％氫氧化四乙銨水溶液6. 6mL，並使其回流23小時。之後，加入苯硼酸0. 24g，再使其回流8小時。接著，在其中加入二乙基二硫代胺曱酸鈉水溶液，並在80°C攪拌 2小時。冷卻後，以水27mL洗淨2次、以3重量％乙酸水溶液27mL洗淨2次、以水27mL洗淨2次，並將所得之溶液滴入曱醇310mL中後，藉由過濾而得到沉澱物。將該沉澱物溶於甲苯63mL中後，依序通過氧化鋁管柱、矽膠管柱，藉此進行精製。將所得之曱苯溶液滴入曱醇310mL中並攪拌後，將所得之沉澱物過濾並乾燥。此沉澱物（以下稱為「高分子化合物D」）之產量為1. lg。 83 321218 201000513 高分子化合物D之換算成聚苯乙烯之數平均分子量為 1. 2xl05，換算成聚苯乙烯之重量平均分子量為3. 2xl05。從饋入原料所求出之理論值來看，高分子化合物D係以50 : 40 : 10之莫耳比具有下述式所示之重複單元：

、下述式所示之重複單元：

之無規共聚物。 (實施例6) 將聚（3, 4-伸乙二氧基噻吩）/聚苯乙烯磺酸 (H. C. Starck公司製，商品名：BaytronP)(以下稱為 84 321218 201000513 ^BaytronP」）之懸浮液倒在附有經藏銀法作成厚度之ΙΤ0膜之破璃基板上，並藉由旋轉塗佈法以使厚度成為約65nm之方式進行成膜後，在熱板上在2〇〇°c使其乾燥分鐘。接著’使高分子化合物C以0 5重量％之濃度溶於一曱笨（關東化學公司製：電子工業用（EL級））中後，將所得之二甲苯溶液倒在BaytronP之膜上，並藉由旋轉塗佈法進行成膜後，在氧氣濃度及水分濃度為l〇ppm以下（重量基準）之氮氣環境中，在1801使其乾燥15分鐘。接著，使高分子化合物A、發光材料A以1.5重量％ (重量比為高分子化合物A/發光材料A=70/30)之濃度溶於二曱苯（關東化學公司製：電子工業用（EL級））中。將所得之二甲苯溶液倒在高分子化合物C之膜上，並藉由旋轉塗佈法以使厚度成為約90nra之方式成膜為發光層A。然後，在氧氣濃度及水分濃度為10Ppm以下（重量基準）之氮氣環境中，在9〇 °c使其乾燥ίο分鐘。減壓至h 0xl0-4Pa以下後，在發光層 A之膜上蒸賴約5nm、接著在鋇層上蒸倾約做^ 陰極。蒸鑛後:使用玻璃基板進行密封，藉此製得有機電激發光元件。元件構成如下述： π〇/Β_〇ηΡ(約65nmV高分子化合物c(約1〇⑽ 發光層A(90nm)/鋇/鋁。對所得之有機電激發光元件施加4>8V之㈣時K 發光效率係顯示35. Ocd/Α。 (實施例7) # Ba邮nPU料倒麵有峰料作成厚度 321218 85 201000513 150mn之ITG狀麵基板上，並藉㈣轉塗佈法以使厚度成為約65nm之方式進行成膜後，在熱板上在20(TC使其乾燥10分鐘。接著，使高分子化合物〇以〇5重量％之濃度溶於二曱苯(關東化學公司製：電子工業用⑽級))中後’將所得之二曱笨溶液倒在BaytrQnP之膜上，並藉由旋轉塗佈法進行成膜後，纟氧氣濃度及水分濃度為 10ppm 以下\重量基準）之氮氣環境中，在18〇t使其乾燥15分鐘。接著’使南分子化合物E、發光材料A以h 5重量％ (重量比為高分子化合物E//發光材料A=7Q/3Q)之濃度溶於二甲笨（關東化學公司f :電子工業用肌級））巾。將所得之二曱苯溶液倒在高分子化合物G之膜上，並藉由旋轉塗佈法以使厚度成為約90nm之方式成膜為發光層E。然後，在氧氣濃度及水分濃度為1()卿以下（重量基準）之氮氣環境中，在90 C使其乾燥1〇分鐘。減壓至h 〇xl(r4pa以下後，在發光層E之膜上蒸鍍鋇約5nm、接著在鋇層上蒸鍍鋁約 lOOmn做為陰極。蒸鍍後，使用玻璃基板進行密封，藉此製得有機電激發光元件。元件構成如下述： ΙΤΟ/BaytronP(約 65·)/高分子化合物 c(約 lOrm)/ 發光層E(90nm)/鋇呂。對所得之有機電激發光元件施加8. 4V之電壓時，最大發光效率係顯示35. 2cd/A。 (實施例8) 將BaytronP之懸浮液倒在附有經濺鍍法作成厚度 15Onm之IT0膜之坡璃基板上，並藉由旋轉塗佈法以使厚 321218 86 201000513 度成為約65mn之方式進行成膜後，在熱板上在2〇〇。〇使其乾燥10分鐘。接著，使高分子化合物c以〇. 5重量％之濃度溶於二曱苯（關東化學公司製：電子工業用（EL級））中後，將所得之二甲笨溶液倒在BaytronP之膜上，並藉由旋轉塗佈法進行成膜後，在氧氣濃度及水分濃度為1〇ppm以下（重量基準）之氮氣環境中，在18(rc使其乾燥15分鐘。接著，使高分子化合物F、發光材料A以丨.4重量％ (重量比為高分子化合物F/發光材料A=70/3〇)之濃度溶於二甲苯（關東化學公司製：電子工業用姐級））中。將所得之二曱苯溶液倒在高分子化合物c之膜上，並藉由旋轉塗佈法以使厚度成為約9Gnni之方式成膜為發光層卜錢，在氧氣濃度及水分濃度為1()ppm以下（重4基準）之氮氣環境中，在赃使其乾燥10分鐘。減壓至1〇xl〇_4p^下後， fnf光層=膜上魏鋇約Μ"、接著在鋇層上蒸鍍紹約廳m做為陰極。蒸鑛後，使用料基板進行密封製得有機電激發光元件。元件構成如下述. 5 nvBaytr〇nP(、約 65nm)/高分子化:物發光層F(90mn)/鋇/鋁。對所得之有機電激發光元件施發光效率係顯示32.6CC1/A。取大 (比較例2) 將Β_Γ〇ηΡ之懸浮液倒在附有經_法作成厚度驗m之™膜之玻璃基板上，迷藉由旋轉塗佈法以度成為約65·之方式進行成膜後，在熱板上在2〇代使盆 321218 87 201000513 乾燥10分鐘。接著，使高分子化合物C以0. 5重量％之濃度溶於二甲苯（關東化學公司製：電子工業用（EL級））中後，將所得之二曱苯溶液倒在Bay tronP之膜上，並藉由旋轉塗佈法進行成膜後，在氧氣濃度及水分濃度為lOppm以下（重量基準）之氮氣環境中，在18(TC使其乾燥15分鐘。接著，使高分子化合物D、發光材料A以1. 3重量％ (重量比為高分子化合物D/發光材料A=70/30)之濃度溶於二曱苯（關東化學公司製：電子工業用（EL級））中。將所得之二甲苯溶液倒在高分子化合物C之膜上，並藉由旋轉塗佈法以使厚度成為約90nm之方式成膜為發光層D。然後，在氧氣濃度及水分濃度為lOppm以下（重量基準）之氮氣環境中，在90°C使其乾燥10分鐘。減壓至1. 0xl(T4Pa以下後，在發光層D之膜上蒸鍍鋇約5nm、接著在鋇層上蒸鍍鋁約 10 Onm做為陰極。蒸鍍後，使用玻璃基板進行密封，藉此製得有機電激發光元件。元件構成如下述： ITO/BaytronP(約 65nm)/高分子化合物 C(約 10nm)/ 發光層D(90nm)/鋇/1呂。對所得之有機電激發光元件施加5. 2V之電壓時，最大發光效率係顯示27. lcd/A。 (產業上之可利用性）本發明之高分子化合物在使用於製造有機電激發光元件後可得到顯示優良的元件特性（特別是最大發光效率）之有機電激發光元件。並且，本發明之高分子化合物係做為電洞輸送材料、電子輸送材料也有用。 88 3212.18 201000513 【圖式簡單說明】。【主要元件符號說明】

Claims

201000513 七、申請專利範圍： 1·—種高分子化合物，係具有下述式（1)所示化合物之殘基及下述式（2)所示化合物之殘基：

(式中，Ar表示可具有取代基之芳基、或可具有取代基之1價雜環基；存在有3個之Ar可相同或不同）

(式中，Z1、Z2及Z3之1個表示-.，2個表示-C(R’）=; Z及Z。表示-C(R’）= ; z6、Z7及Ζδ之1個表示-N=，2個表示-C(R，> ; Z9及Zlfl表示-C(R’ > ; R，表示氫原子、可具有取代基之烷基、可具有取代基之烧氧基、可具有取代基之烷硫基、可具有取代基之芳基、可具有取代基之芳氧基、可具有取代基之芳硫基、可具有取代基之烯基、可具有取代基之炔基、可具有取代基之胺基、可具有取代基之矽烷基（Si lyl )、鹵素原子、可具有取代基之醯基、可具有取代基之醯氧基、可具有取代基之} 價雜環基、可具有取代基之雜環硫基、亞胺殘基、可具有取代基之醯胺基、醯亞胺基、羧基、硝基、或氰基；存在有8個之-C(R’）=可相同或不同；當Z2及Z3為 ~C(R’）=時，22及Z3中所含之2個R，可互相鍵結而形成 321218 90 201000513 苯環，當z3為-cor >時，z4中所含之2個r，可互相鍵結而形成苯環，z4及z5中所含之2個R，可互結而形成苯環，但22及y、23及Z4、以及π及y之個以上之組合不同時形成苯環；# ?7及z8為之2 當Z、—叫時，2心9中所含之_，可成本壞，但Z及znz9、以及Z1Z\2個以上之組合不同時形成苯環；2個r互相鍵結而形成可具有取代基）。 X心本％ 2·如申請專利範圍第！項之高分子化合物，其 ⑵之R，錢原子、可範原子取代之絲、可經= 子取代之垸氧基、可經氟原子取代之芳基、可經氣原子取代之方氧基、可經氟原子取代之芳烧基、可取代之芳絲基、可經氟原子取代之芳烯基、可叙= 子取代之芳炔基、可經氟原子取代之胺基、可經子二代，：代胺基、南素原子、可經氣原子取代之醒基、 I㈣原子取代之酿氧基、可經氣料基、縣、石肖基、或氰基。 1貝為 3H專利範圍第1項或第2項之高分子化合物，其中，則述R’係氫原子或烷基。 '、 (2申請專利範圍第^項至第3項中任一項之高分子化人複單元。，、 ⑴所示化合物之殘基作為重 321218 91 201000513 5 ·如申請專利範圍第4項之高分子化合物，其中，由前述式（1)所示化合物之殘基所成之重複單元係下述式（3) 所示之重複單元：

(式中’ Ar係具有與前述相同之意義；Ar，表示可具有取代基之伸芳基、或可具有取代基之2價雜環基，存在有2個之Ar可相同或不同）。 6·如申。月專利範圍第5項之高分子化合物，其中，前述係可具有取代基之笨基，紅’係可具有取代基之1，4一伸苯基。私申D月專利视起帛1項至第6項中任—項之高分子化合 .一 Γ巾 <系》有月述式⑵所示化合物之殘基作為重 .二;月利範圍第7項之高分子化合物，其中，由前述 :斤二：丁，σ物之殘基所成之重複單元係下述式(4) 不/複單元或下述式⑸所示之重複單元：

(4) (式中，Ζ' 及Ζ之1個表示_Ν=，2個表示_c(R， 3232JS 92 201000513 Z4 及 Z3* 表示-C(R’，）= ; ZS*、27*及 Z8* 之 1 個表示 _N=，2 個表示-C(R，，> ; 2”及表示_C(R，，）= ; R，，表示氣原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氣基、芳烯基、芳炔基、胺基、取代胺基、if素原子、醯基、醯氧基、1價雜環基、羧基、取代羧基、硝基、或氰基，但Z"、Z2*、Z3、Z4*及Z5、所含之R，，之丄個表示鍵結鍵，且z6*、Z' f及z⑽中所含之R，，之; 個表示鍵結鍵；R，’所示之基中所含之氫原子之—部分或全部可經氟原子取代；存在有8個之-C(R，，）=可相同或不同，當Z及Z3*為-C(R’，）=時，Z2*及Z3、所含之2 個R可互相鍵結而形成苯環，當γ為-C(r，，）= * 及Z4*中戶斤合夕 9 D，， 75*. 之2個R可互相鍵結而形成苯環，Ζ4*及广"可互相鍵結而形成苯環，但Ρ及成苯環;”:34了之⑽ 個R，，/ 為谓，)=時，^及，中所含之2 σ互相鍵結而形成苯環，當8 及所含之⑷，，可互相鍵〇所含之，，可互相^環，^及广、28*及广 #，建、、-而形成苯環，但广及及2 、以及广及2_之形成苯環；2個ρ，，μ u 乂上之組合不同時基）心互相鍵結而形成之苯環可具有取代 321218 93 4 3»* (5)201000513 26 IL Ζ,υ Ζ9、Ζ8· (式中’ 、Z2M及z3“之1個表示-N=，2個表示 -C(R’ ’ ’）= ; Ζ5»表示 _C(R’ ’ ’; R’ ’，表示氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、芳烷基、芳烷氧基、 ^’布基芳快基、胺基、取代胺基、鹵素原子、臨基、酉ώ氧基、1價雜環基、羧基、取代羧基、硝基、或氰基，但^、广、所含之R，，，之2個表示鍵結鍵 ’·Ζ6、Ζ7、Ζ8、Ζ1ζ1ΰ^^__4Α; R R所不之基中所含之氫原子之一部分或全部可經敦原子取代；存在有4個之_G(R，>可相同或不同；存在有4個之-C(R，’’）q相同或不同；當η z C(R )-時’ Z2及Z3»中所含之2個R…可互二個 k可互相鍵結而形成苯環，但 \：1 η 77 ry5^* ^ Λ 2個R，可互相鍵結而形成苯環，Z⑴及z5“中所含之2 Ζ4'以及Ζ…及之2個以卜夕/人…八6 、η -士不同時形成笨環; 田Z及Z為一C(R >時，z、z8中所含之2 相鍵結而形成苯環，當Ζ8 可互為—C(R )=時，Ζ8及Ζ9中所含 94 3212J8 201000513 2個R可互相鍵結而形成苯環，29及汐。中個R，可互相鍵結而形成苯環，但z^z 二之2 之2個以上之組合不同時形成苯環，· ^目鍵結而形成之苯環可具有取代基，2心，^ 結而形成之苯環可具有取代基）。相鍵 n 專利範圍第8項之高分子化合物，其中，由前述 = 所不化合物之殘基所成之重複單元係由可具有取代基之2,2令比料，5，_二基所成之重複單元。 I申利Ϊ圍第1項至第6項中任-項之高分子化合二，‘述式所示化合物之殘基係下述式（6) 所不之基，且存在於分子鏈末端：

,5* 210==29 (6) 26Z7 \2^=2 :有十 z、z、Z、z5、z6、z7、z8、z9及 Z1。係 j奸述相同之意A;R，、R，，所示之基中所含之氣部分或全部可經氟原子取代；存在有4個之 ()=可相同或不同；存在有4個之-C(R，，）=可相或不同；當22*及Z3*為谓’)=時，r及r中所含之°2 個R’J可互相鍵結而形成苯環，當，>時，γ 7tf中所含之2個R’’可互相鍵結而形成苯環，r及 :含之2個R"可互相鍵結而形成苯環，但 z、z及f以及^5*之2個以上之組合不同時形 321218 95 201000513 成苯環；當27及28為-⑽，）：時，m中所含之2個 R可互相鍵結而形成苯環，#ζ8為_c(r，）=時，^及” :所含之2個R’可互相鍵結而形成苯環， r二可z 一麵㈣，互相二:=;:::不_成苯環;2 相鍵結而形成之苯環可具有取代基)取人基’2個尺’’互 η·:二物⑽第μ項之高分子化合物，其中，㈣ 1 R所不化合物之殘基係可具有取代基之2, D疋-5-基’且存在於分子鏈末端。，# 12.如申請專利範圍第8 第中，非鍵D 項分子化合物，其 iQ非鍵結鍵之R’’係氫原子或絲。 =申凊專利範圍第δ項之高分子化鍵之R’，，錢原子或絲。 J非鍵結 14.如申請專利笳合物，其中第13項中任—項之高分子化由前述式⑷⑶所示之重複單元、與從單元所成雜έ不重钹早兀及前述式（5)所示之重複選出之至少-種及/或前物:： 15.:申請專利範圍第！項至第14 合物，其中，讳員之阿分子化下述式⑻所^之#1由下述式（Α)所示之重複單元、元所成群組巾以1早^、及T^(G)心之重複單出之至少—種重複單元： 323218 96 ί 201000513

Κ中’Ar3及Ar?分別獨立基、可具有取代基之2價雜祕 '取代基之伸芳有金屬錯合物欉#$ 9 ^ 、土或可具有取代基之具萄箱口物構造之2價基；知4月地表示可具有取代基紅为別獨立環m目士方基、可具有取代基之2價雜 2二3取代基之以單鍵連結2個芳香環而成之丄環獨立地表示氫原子，、芳基、 p 表示-CR3=CR4-或-(：ΞΓ-.ί?3β w V 子、产Α —I — ，R及只/刀別獨立地表示氫原 a A :: I 1價雜環基，基、取代羧基或氰基； a為（j或1)。 16·=請專利範圍第15項之高分子化合物，其中，前述式（)所不之重複單元係可具有取代基之第二基、可且有取代基之伸苯基、或此等之組合。 17.種組成物’係含有申請專利範圍第1項至第16項中 ^員之问分子化合物、與從由發光材料、電洞輸送材料及屯子輪送材料所成群組中選出之至少一種者。士申m專利範圍第1 7項之組成物，其中，復含有有機 97 321218 201000513 .種有機電數發先第Μ項中# ν尺用甲％專利範圍第1.項至 20 一綠員中任一項之而分子化合物而成者。….} 面狀光源，係具備申請專利難第】激發光元'件。員之有機電、數不裝置’係具備申請專利範圍第19項之敦發光元件。、之·有機電 98 201000513 ' 四、指定代表圖：本案無圖式。 (一) 本案指定代表圖為：第（）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

5 (1)

z4-z Z10 二 z9 (2) z2=z1 z6—z7 3 321218