JP6555130B2 - 金属錯体およびそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を含有する発光素子に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物が種々検討されている。この燐光発光性化合物としては、中心金属が第５周期または第６周期に属する遷移金属である金属錯体が数多く検討されている。例えば、特許文献１では、デンドロンを有するフェニルピリジン構造を配位子として有する金属錯体（例えば、下記で表される金属錯体）が提案されている。

特開２０１１−１０５７０１号公報

しかしながら、上記の特許文献１に記載された金属錯体の量子収率（以下、「ＰＬＱＹ」ともいう。）は十分ではなかった。また、上記の特許文献１に記載されている金属錯体の発光スペクトルの半値幅は十分に狭いものではなかった。
そこで本発明は、量子収率に優れ、かつ、発光スペクトルの半値幅に優れる金属錯体を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、第一に、下記式（１）で表される金属錯体を提供する。

［式中、
Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
ｎ_１は、１、２または３を表す。ｎ_２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は３であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は２である。
Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^１は存在せず、Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^２は存在せず、Ｅ^３が窒素原子の場合、Ｒ^３は存在せず、Ｅ^４が窒素原子の場合、Ｒ^４は存在しない。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、および、Ｒ^８とＲ^９は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、下記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。
Ｘ^ａおよびＸ^ｂは、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^Ｘａ _２−または−ＮＲ^Ｘａ−を表す。Ｒ^Ｘａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｘ^ａおよびＸ^ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｘ^ａおよびＸ^ｂの少なくとも一方は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^Ｘａ _２−または−ＮＲ^Ｘａ−である。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
本発明は、第二に、下記式（２）で表される金属錯体を提供する。

［式中、
Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
ｎ_１は、１、２または３を表す。ｎ_２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は３であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は２である。
Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^１１は存在せず、Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^１２は存在せず、Ｅ^３が窒素原子の場合、Ｒ^１３は存在せず、Ｅ^４が窒素原子の場合、Ｒ^１４は存在しない。
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、および、Ｒ^８とＲ^９は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｙ^ａおよびＹ^ｂは、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−または−ＮＲ^Ｙｃ−を表す。Ｒ^Ｙａは、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基はアリール基または１価の複素環基を置換基として有していてもよい。Ｒ^Ｙｂは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｙｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、Ｙ^ａおよびＹ^ｂの少なくとも一方は、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
本発明は、第三に、上記の金属錯体を含有する組成物を提供する。
本発明は、第四に、上記の金属錯体を用いて得られる発光素子を提供する。

本発明によれば、量子収率に優れ、かつ、発光スペクトルの半値幅に優れる金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することができる。本発明の金属錯体は、量子収率に優れるため、該金属錯体を用いて得られる発光素子は外部量子効率に優れたものとなる。また、本発明の金属錯体は、発光スペクトルの半値幅に優れるため、該金属錯体を用いて得られる発光素子をカラーフィルターと併用させた場合、該金属錯体を用いて得られる発光素子のキャビティが調整された場合には、その外部量子効率は更に優れたものとなる。

図１は金属錯体Ｍ１、金属錯体Ｍ２および金属錯体ＣＭ１の発光スペクトルである。
図２は実施例で用いたカラーフィルターの透過スペクトルを示した図である。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
＜共通する用語の説明＞
以下、本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
本明細書において、水素原子は重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
本明細書において、金属錯体を表す構造式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３〜１×１０^８である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
アルキル基およびシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシル−デシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、置換基を有するアルキル基およびシクロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基およびシクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。
「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。］
「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成する事が可能な基であり、好ましくは、式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）、（Ｂ−５）、（Ｂ−６）、（Ｂ−７）、（Ｂ−８）、（Ｂ−９）、（Ｂ−１０）、（Ｂ−１１）、（Ｂ−１２）、（Ｂ−１３）、（Ｂ−１４）、（Ｂ−１５）、（Ｂ−１６）または（Ｂ−１７）で表される基である。

［式中、これらの基は置換基を有していてもよい。］
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（デンドリマー構造）を有する基である。なお、デンドロンを部分構造として有する化合物（デンドリマーと呼ぶ場合がある。）としては、例えば、ＷＯ０２／０６７３４３、特開２００３−２３１６９２、ＷＯ２００３／０７９７３６、ＷＯ２００６／０９７７１７等の文献に記載の構造が挙げられる。前記式（Ｄ−Ａ）で表される基および前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基も、デンドロンである。

ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、５以下の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。また、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることが好ましい。
Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。
Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜（ＡｒＤＡ−３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。
Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜（ＴＤＡ−３）で表される基である。

［式中、Ｒ^ＤＡおよびＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。］
式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜（Ｄ−Ｂ３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。
＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。本発明の金属錯体は、式（１）または式（２）で表される。
式（１）で表される金属錯体は、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基を有する。
式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４がそれぞれ複数存在する場合、それらの少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であればよいが、複数存在するＲ^１の全て、複数存在するＲ^２の全て、複数存在するＲ^３の全て、または、複数存在するＲ^４の全てが、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。
式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが更に好ましい。
式（１）中、Ｒ^２は、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが更に好ましく、式（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが特に好ましい。
式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４が式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基以外の基である場合、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
式（１）中、Ｘ^ａは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−ＣＲ^Ｘａ _２−または−ＮＲ^Ｘａ−であることが好ましく、直接結合または−ＣＲ^Ｘａ _２−であることがより好ましく、−ＣＲ^Ｘａ _２−であることが更に好ましい。
式（１）中、Ｘ^ｂは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−ＣＲ^Ｘａ _２−または−ＮＲ^Ｘａ−であることが好ましく、直接結合または−ＣＲ^Ｘａ _２−であることがより好ましく、直接結合であることが更に好ましい。
但し、Ｘ^ａおよびＸ^ｂの少なくとも一方は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^Ｘａ _２−または−ＮＲ^Ｘａ−である。
式（１）中、Ｘ^ａおよびＸ^ｂの組み合わせは、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるものとなるため、
Ｘ^ａが−ＣＲ^Ｘａ _２−でありＸ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｘ^ａが−ＣＲ^Ｘａ _２−でありＸ^ｂが−ＮＲ^Ｘａ−である組み合わせ、Ｘ^ａが酸素原子でありＸ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｘ^ａが酸素原子でありＸ^ｂが−ＮＲ^Ｘａ−である組み合わせ、Ｘ^ａが硫黄原子でありＸ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｘ^ａが−Ｃ（＝Ｏ）−でありＸ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｘ^ａが−ＮＲ^Ｘａ−でありＸ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｘ^ａが直接結合でありＸ^ｂが−ＣＲ^Ｘａ _２−である組み合わせ、または、Ｘ^ａが直接結合でありＸ^ｂが硫黄原子である組み合わせが好ましく、
Ｘ^ａが−ＣＲ^Ｘａ _２−でありＸ^ｂが直接結合である組み合わせ、または、Ｘ^ａが直接結合でありＸ^ｂが−ＣＲ^Ｘａ _２−である組み合わせがより好ましく、
Ｘ^ａが−ＣＲ^Ｘａ _２−でありＸ^ｂが直接結合である組み合わせが更に好ましく、
Ｘ^ａが−ＣＲ^ＸｂＲ^Ｘｃ−（Ｒ^Ｘｂは、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基はアリール基または１価の複素環基を置換基として有していてもよい。Ｒ^Ｘｃは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）でありＸ^ｂが直接結合である組み合わせが特に好ましい。
式（１）中、Ｒ^Ｘａは、本発明の金属錯体を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基またはアリール基であることがより好ましい。
式（１）中、Ｒ^Ｘｂは、本発明の金属錯体を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、アルキル基であることが好ましい。
式（１）中、Ｒ^Ｘｃは、本発明の金属錯体を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、アリール基であることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。
式（２）で表される金属錯体は、Ｙ^ａおよびＹ^ｂの少なくとも一方が、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である。
式（２）中、Ｙ^ａおよびＹ^ｂがそれぞれ複数存在する場合、それらの少なくとも１つが、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−であればよいが、複数存在するＹ^ａの全て、または、複数存在するＹ^ｂの全てが、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−であることが好ましい。
式（２）中、Ｙ^ａは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−または−ＮＲ^Ｙｃ−であることが好ましく、直接結合または−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−であることがより好ましく、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−であることが更に好ましい。
式（２）中、Ｙ^ｂは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−または−ＮＲ^Ｙｃ−であることが好ましく、直接結合または−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−であることがより好ましく、直接結合であることが更に好ましい。
但し、Ｙ^ａおよびＹ^ｂの少なくとも一方は、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である。
式（２）中、Ｙ^ａおよびＹ^ｂの組み合わせは、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるものとなるため、
Ｙ^ａが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−でありＹ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｙ^ａが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−でありＹ^ｂが−ＮＲ^Ｙｃ−である組み合わせ、Ｙ^ａが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−でありＹ^ｂが酸素原子である組み合わせ、Ｙ^ａが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−でありＹ^ｂが硫黄原子である組み合わせ、Ｙ^ａが直接結合でありＹ^ｂが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である組み合わせ、Ｙ^ａが−ＮＲ^Ｙｃ−であり^Ｙｂが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である組み合わせ、Ｙ^ａが酸素原子でありＹ^ｂが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である組み合わせ、または、Ｙ^ａが硫黄原子でありＹ^ｂが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である組み合わせが好ましく、
Ｙ^ａが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−でありＹ^ｂが直接結合である組み合わせ、または、Ｙ^ａが直接結合でありＹ^ｂが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である組み合わせがより好ましく、
Ｙ^ａが−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−でありＹ^ｂが直接結合である組み合わせが更に好ましい。
式（２）中、Ｒ^Ｙａは、本発明の金属錯体を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、置換基を有していてもよいアルキル基であることが好ましい。
式（２）中、Ｒ^Ｙｂは、本発明の金属錯体を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基であることがより好ましい。
式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるものとなるため、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。
Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１４がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するＲ^１１の全て、複数存在するＲ^１２の全て、複数存在するＲ^１３の全て、または、複数存在するＲ^１４の全てが、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。
式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが更に好ましい。
式（２）中、Ｒ^１２は、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるものとなるため、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが更に好ましく、式（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが特に好ましい。
式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１４が式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基以外の基である場合、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１４は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
式（１）および式（２）中、Ｍは、本発明の金属錯体を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、イリジウム原子であることが好ましい。
式（１）および式（２）中、ｎ_２は、本発明の金属錯体を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、０であることが好ましい。
式（１）および式（２）中、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、炭素原子であることが好ましい。
式（１）および式（２）中、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^９およびＲ^１０は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
式（１）および式（２）中、Ｒ^７およびＲ^８は、本発明の金属錯体の溶媒に対する溶解性および成膜性が優れるので、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることが更に好ましい。
式（１）および式（２）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を示す。］
式（１）および式（２）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、下記で表される配位子であってもよい。ただし、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ_１でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、イリジウム原子または白金原子と結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
式（１）または式（２）で表される金属錯体としては、例えば、下記式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２６）で表される金属錯体が挙げられる。これらの中でも、本発明の金属錯体の量子収率がより優れるため、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−２）、（Ｉｒ−３）、（Ｉｒ−４）、（Ｉｒ−１５）、（Ｉｒ−１６）、（Ｉｒ−１７）、（Ｉｒ−１８）、（Ｉｒ−１９）または（Ｉｒ−２０）で表される金属錯体が好ましく、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−２）、（Ｉｒ−３）、（Ｉｒ−４）、（Ｉｒ−１５）または（Ｉｒ−１６）で表される金属錯体がより好ましい。これらの中でも、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−２）、（Ｉｒ−３）または（Ｉｒ−４）で表される金属錯体が更に好ましく、式（Ｉｒ−１）または（Ｉｒ−３）で表される金属錯体が特に好ましい。

［式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２６）中、
Ｒ^Ｌ５は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、４位および６位にアリール基を置換基として有する１，３，５−トリアジン−２−イル基、４位および６位にアリール基を置換基として有する１，３−ピリミジン−２−イル基、または、デンドロンから選ばれる基である。Ｒ^Ｌ５が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｚａは、前記Ｒ^ＸａまたはＲ^Ｙａで表される基であり、Ｒ^Ｚｂは、前記Ｒ^ＸａまたはＲ^Ｙｂで表される基であり、Ｒ^Ｚｃは、前記Ｒ^ＸａまたはＲ^Ｙｃで表される基である。但し、Ｒ^ＺａがＲ^Ｘａで表される基である場合、Ｒ^ＺｂおよびＲ^Ｚｃは、Ｒ^Ｘａで表される基であり、Ｒ^ＺａがＲ^Ｙａで表される基である場合、Ｒ^Ｚｂは、Ｒ^Ｙｂで表される基であり、Ｒ^Ｚｃは、Ｒ^Ｙｃで表される基である。Ｒ^Ｚａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｚｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｚｃが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^１ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、または、前記式（Ｄ−Ａ）もしくは（Ｄ−Ｂ）で表される基である。但し、Ｒ^ＺａがＲ^Ｘａで表される基であり、Ｒ^Ｚｂが、Ｒ^Ｘａで表される基である場合、Ｚ^１ａは、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。Ｚ^１ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２６）中、
Ｒ^Ｌ５は、下記群ＩＩの式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−１５）で表される基および下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１７）で表される基から選ばれる基であることが好ましい。
Ｚ^１ａは、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基である下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−１）〜式（ＩＩＩ−１７）で表される基から選ばれる基であることが好ましい。
＜群ＩＩ＞

＜群ＩＩＩ＞

式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２６）中、Ｚ^１ａとしては、式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−１３）で表される基からなる群から選ばれる基であることが好ましく、式（ＩＩＩ−７）〜（ＩＩＩ−１３）で表される基からなる群から選ばれる基であることがより好ましい。
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２６）中、Ｒ^Ｚａ、Ｒ^ＺｂまたはＲ^Ｚｃで表されるＲ^Ｘａとしては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基がより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２６）中、Ｒ^Ｚａで表されるＲ^Ｙａとしては、無置換のアルキル基または無置換のシクロアルキル基が好ましい。
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２６）中、Ｒ^Ｚｂで表されるＲ^Ｙｂとしては、アリール基が好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基が好ましい。
式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２６）中、Ｒ^Ｚｃで表されるＲ^Ｙｃとしては、アリール基が好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基が好ましい。
式（１）または式（２）で表される金属錯体の例としては、下記式（Ｉｒ−１０１）〜（Ｉｒ−１２２）で表される金属錯体が挙げられる。

式（１）および式（２）で表される金属錯体には、複数の立体異性体が存在し得る。例えば、エナンチオマーである配位子を有する金属錯体、ジアステレオマーである配位子を有する金属錯体、複数の配位子がエナンチオマーであることにより全体としてジアステレオマーとなる金属錯体などが挙げられる。
式（１）および式（２）で表される金属錯体のうち、Ｍがイリジウム原子であり、かつｎ_２が０である金属錯体には、ｆａｃｉａｌ体またはｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ体の立体異性体が存在し得、本発明の金属錯体の発光スペクトルの半値幅がより優れるため、ｆａｃｉａｌ体が金属錯体全体に対して８０モル％以上であることが好ましく、９０モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更に好ましく、１００モル％（すなわち、ｍｅｒｉｄｉｏｎａｌ体を含まないこと）が特に好ましい。
本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子には、本発明の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞
［製造方法１］
本発明の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。
式（１）で表される金属錯体の中で、Ｍがイリジウム原子であり、ｎ１が３であるものは、例えば、
式（Ｍ１−１）で表される化合物と、イリジウム化合物またはその水和物とを反応させることで、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体を合成する工程Ａ１、および、
式（Ｍ１−２）で表される金属錯体と、式（Ｍ１−１）で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ１を含む方法により製造することができる。

［式中、Ｅ^１〜Ｅ^４、Ｒ^１〜Ｒ^１０、Ｘ^ａおよびＸ^ｂは、前記と同じ意味を表す。］
工程Ａ１において、イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）が挙げられ、イリジウム化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物が挙げられる。
工程Ａ１および工程Ｂ１は、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−（２−エトキシエトキシ）エタノール、２−（ｉ−プロポキシ）エタノール、２−（ｎ−ブトキシ）エタノール、２−（ｔ−ブトキシ）エタノール等のアルコール系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水が挙げられる。
工程Ａ１および工程Ｂ１において、反応時間は、通常、３０分〜１５０時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。
工程Ａ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物の量は、イリジウム化合物またはその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
工程Ｂ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体の量は、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜１００モルである。
工程Ｂ１において、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、式（Ｍ１−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、２〜２０モルである。
式（Ｍ１−１）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−３）で表される化合物と、式（Ｍ１−４）で表される化合物とを、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｋｕｍａｄａ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応等のカップリング反応させる工程により合成することができる。

［式中、
Ｅ^１〜Ｅ^４、Ｒ^５〜Ｒ^１０、Ｘ^ａおよびＸ^ｂは、前記と同じ意味を表す。
Ｚ^１は、前記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基を表す。
Ｗ^１は、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ、Ｒ^３ａおよびＲ^４ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１ａとＲ^２ａ、Ｒ^２ａとＲ^３ａ、Ｒ^３ａとＲ^４ａ、Ｒ^４ａとＲ^５は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ｒ^１ａ、Ｒ^２ａ、Ｒ^３ａおよびＲ^４ａからなる群から選ばれる少なくとも１つは、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。
Ｒ^Ｗ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。］
−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基としては、例えば、下記式（Ｗ−１）〜（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。

Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられる。
Ｗ^１で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基が挙げられる。
Ｗ^１としては、式（Ｍ１−３）で表される化合物と式（Ｍ１−４）で表される化合物とのカップリング反応が容易に進行するので、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が好ましく、これらの中でも、式（Ｍ１−４）で表される化合物の合成が容易であるため、塩素原子、臭素原子または式（Ｗ−７）で表される基がより好ましい。
Ｒ^１ａ〜Ｒ^４ａで表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基は、それぞれ、Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基と同じ意味を表す。
Ｒ^２ａとしては、臭素原子、ヨウ素原子または式（Ｗ−７）で表される基が好ましい。
Ｚ^１としては、式（Ｄ−Ａ）で表される基が好ましく、式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）で表される基がより好ましい。
式（Ｍ１−３）で表される化合物と式（Ｍ１−４）で表される化合物とのカップリング反応は、通常、溶媒中で行う。用いられる溶媒、反応時間および反応温度は、工程Ａ１および工程Ｂ１について説明したものと同じである。
式（Ｍ１−３）で表される化合物と式（Ｍ１−４）で表される化合物とのカップリング反応において、式（Ｍ１−４）で表される化合物の量は、式（Ｍ１−３）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。
式（Ｍ１−４）で表される化合物としては、例えば、Ｚ^１が式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ３）で表される基であり、且つ、Ｗ^１が−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である化合物が挙げられる。
式（Ｍ１−４）で表される化合物の実施形態の１つである式（Ｍ１−４−１）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式中、
Ｒ^ｐ１およびｎｐ１は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^２は−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
式（Ｍ１−４−１）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−１ａ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−１ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同じである。
式（Ｍ１−４）で表される化合物の実施形態の１つである式（Ｍ１−４−２）で表される化合物は、例えば、下記の方法で合成することができる。

［式中、Ｒ^ｐ１、ｎｐ１およびＷ^２は、前記と同じ意味を表す。］
式（Ｍ１−４−２ｃ）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−２ａ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−２ｂ）で表される化合物とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同じである。
式（Ｍ１−４−２）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−４−２ｃ）で表される化合物と、式（Ｍ１−４−２ｄ）で表される化合物とを、石山−宮浦−Ｈａｒｔｗｉｇ反応させることにより合成することができる。
式（Ｍ１−３）で表される化合物は、例えば、式（Ｍ１−５）で表される化合物と、式（Ｍ１−６）で表される化合物とを、カップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同じである。

［式中、
Ｅ^１〜Ｅ^４、Ｒ^５〜Ｒ^１０、Ｒ^１ａ〜Ｒ^４ａ、Ｘ^ａおよびＸ^ｂは、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^３およびＷ^４は、それぞれ独立に、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［製造方法２］
本発明の金属錯体である式（１）で表される金属錯体は、例えば、金属錯体の前駆体と金属錯体の配位子の前駆体とを反応させる方法によっても製造することができる。
式（１）で表される金属錯体は、例えば、
前記式（Ｍ１−４）で表される化合物と、式（Ｍ１−７）で表される金属錯体とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ１−１）で表される化合物について説明したものと同じである。

［式中、Ｒ^５〜Ｒ^１０、Ｒ^１ａ〜Ｒ^４ａ、Ｅ^１〜Ｅ^４、ｎ_１、ｎ_２、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂおよびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。］
式（Ｍ１−７）で表される金属錯体は、例えば、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法１］における工程Ａ１および工程Ｂ１において、式（Ｍ１−１）で表される化合物の代わりに、前記式（Ｍ１−３）で表される化合物を用いることで合成することができる。
＜式（２）で表される金属錯体の製造方法＞
［製造方法３］
本発明の金属錯体である式（２）で表される金属錯体は、例えば、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法１］と同様の方法により製造することができる。
具体的には、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法１］における式（Ｍ１−１）で表される化合物の代わりに、式（Ｍ２−１）で表される化合物を用いることで、式（Ｍ２−２）で表される金属錯体を合成する工程Ａ２、および、
式（Ｍ２−２）で表される金属錯体と、式（Ｍ２−１）で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ２を含む方法により製造することができる。工程Ａ２および工程Ｂ２は、それぞれ、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法１］における工程Ａ１および工程Ｂ１と同様の方法で実施することができる。

［式中、Ｅ^１〜Ｅ^４、Ｒ^５〜Ｒ^１４、Ｙ^ａおよびＹ^ｂは、前記と同じ意味を表す。］
式（Ｍ２−１）で表される化合物の中で、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１４からなる群から選ばれる少なくとも１つが、前記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である場合、例えば、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法１］における式（Ｍ１−３）で表される化合物の代わりに、式（Ｍ２−３）で表される化合物を用いることで、合成することができる。

［式中、Ｅ^１〜Ｅ^４、Ｒ^５〜Ｒ^１０、Ｒ^１ａ〜Ｒ^４ａ、Ｙ^ａ、Ｙ^ｂ、Ｚ^１およびＷ^１は、前記と同じ意味を表す。］
式（Ｍ２−３）で表される化合物は、例えば、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法１］における式（Ｍ１−５）で表される化合物の代わりに、式（Ｍ２−５）で表される化合物を用いることで、合成することができる。

［式中、Ｅ^１〜Ｅ^４、Ｒ^５〜Ｒ^１０、Ｒ^１ａ〜Ｒ^４ａ、Ｙ^ａ、Ｙ^ｂ、Ｗ^３およびＷ^４は、前記と同じ意味を表す。］
［製造方法４］
本発明の金属錯体である式（２）で表される金属錯体は、例えば、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法２］と同様の方法により製造することができる。
具体的には、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法２］における式（Ｍ１−７）で表される化合物の代わりに、式（Ｍ２−７）で表される化合物を用いることで、製造することができる。この反応は、上記の式（１）で表される金属錯体の［製造方法２］における反応と同様の方法で実施することができる。

［式中、Ｒ^５〜Ｒ^１０、Ｒ^１ａ〜Ｒ^４ａ、Ｅ^１〜Ｅ^４、ｎ_１、ｎ_２、Ｙ^ａ、Ｙ^ｂおよびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。］
［製造方法１、製造方法２、製造方法３および製造方法４におけるカップリング反応］
カップリング反応において、反応を促進するために、パラジウム触媒等の触媒を用いてもよい。パラジウム触媒としては、例えば、酢酸パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）が挙げられる。
パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。
カップリング反応においてパラジウム触媒を用いる場合、その量は、例えば、式（Ｍ１−３）、式（Ｍ１−４）、式（Ｍ１−５）、式（Ｍ１−７）、式（Ｍ２−３）、式（Ｍ２−５）または式（Ｍ２−７）で表される化合物１モルに対して、通常、有効量であり、好ましくはパラジウム元素換算で、０．００００１〜１０モルである。
カップリング反応において、必要に応じて、塩基を併用してもよい。
＜金属錯体の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒および溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
＜金属含有高分子化合物＞
前記式（１）または（２）で表される金属錯体から誘導される基を有する構成単位（以下、「金属含有構成単位」ともいう。）を含む高分子化合物（以下、「金属含有高分子化合物」ともいう。）は、本発明の金属錯体と同等の効果を奏する。
金属含有構成単位としては、例えば、前記式（１）または（２）で表される金属錯体から水素原子を１個取り除いた基を置換基として有するアリーレン基または２価の複素環基、前記式（１）または（２）で表される金属錯体から水素原子を１個取り除いた基、前記式（１）または（２）で表される金属錯体から水素原子を２個取り除いた基、前記式（１）または（２）で表される金属錯体から水素原子を３個取り除いた基が挙げられる。
金属含有高分子化合物が、前記式（１）または（２）で表される金属錯体から水素原子を１個取り除いた基を構成単位として含む場合、該構成単位は、通常、末端の構成単位である。また、金属含有高分子化合物が、前記式（１）または（２）で表される金属錯体から水素原子を３個取り除いた基を金属含有構成単位として含む場合、金属含有高分子化合物は、該金属含有構成単位の位置で分岐している。
金属含有構成単位としては、例えば、下記式（３ａ）〜（３ｈ）で表される構成単位が挙げられ、金属含有高分子化合物の合成が容易になるため、式（３ｂ）、（３ｃ）、（３ｅ）、（３ｆ）または（３ｈ）で表される構成単位が好ましく、式（３ｃ）、（３ｆ）または（３ｈ）で表される構成単位がより好ましく、式（３ｆ）または（３ｈ）で表される構成単位が更に好ましい。

［式中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。但し、Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^２１は存在せず、Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^２２は存在せず、Ｅ^３が窒素原子の場合、Ｒ^２３は存在せず、Ｅ^４が窒素原子の場合、Ｒ^２４は存在しない。
ｎ_１’は、０、１または２を表す。ｎ_２’は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_１’＋ｎ_２’は２であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_１’＋ｎ_２’は１である。
ｎ_３は、２または３を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_３は３であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_３は２である。
ｎ_４は、０または１を表す。ｎ_５は、０または１を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_４＋ｎ_５は１であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_４＋ｎ_５は０である。
Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３およびＲ^２４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３およびＲ^２４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２２とＲ^２３、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２４とＲ^５は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｚ^ａおよびＺ^ｂは、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−、−ＣＲ^Ｚｃ _２−または−ＮＲ^Ｚｃ−を表す。Ｒ^Ｚａは、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基はアリール基または１価の複素環基を置換基として有していてもよい。Ｒ^Ｚｂは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｚｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｚｃが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｚ^ａおよびＺ^ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｚ^ａおよびＺ^ｂの少なくとも一方は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−、−ＣＲ^Ｚｃ _２−または−ＮＲ^Ｚｃ−である。
但し、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３およびＲ^２４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、前記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であるか、または、Ｚ^ａおよびＺ^ｂの少なくとも一方は、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−である。
Ｗは、下記式（Ｗ１）、（Ｗ２）または（Ｗ３）で表される基を表す。
ｎＬは、０以上５以下の整数を表す。
Ｌは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
式（３ａ）において、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３またはＥ^４はＬと結合する。式（３ｂ）において、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８またはＲ^９と結合する炭素原子はＬと結合する。式（３ｃ）において、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３またはＥ^４は他の構成単位と結合し、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８またはＲ^９と結合する炭素原子は他の構成単位と結合する。式（３ｄ）において、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３またはＥ^４は他の構成単位と結合する。式（３ｅ）において、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８またはＲ^９と結合する炭素原子は他の構成単位と結合する。式（３ｆ）において、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８またはＲ^９と結合する炭素原子は他の構成単位と結合する。式（３ｇ）において、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３またはＥ^４は他の構成単位と結合する。式（３ｈ）において、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８またはＲ^９と結合する炭素原子は他の構成単位と結合する。Ｅ^１とＬまたは他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^２１は存在しない。Ｅ^２とＬまたは他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^２２は存在しない。Ｅ^３とＬまたは他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^２３は存在しない。Ｅ^４とＬまたは他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^２４は存在しない。Ｒ^６と結合する炭素原子とＬまたは他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^６は存在しない。Ｒ^７と結合する炭素原子とＬまたは他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^７は存在しない。Ｒ^８と結合する炭素原子とＬまたは他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^８は存在しない。Ｒ^９と結合する炭素原子とＬまたは他の構成単位とが結合する場合、Ｒ^９は存在しない。］

［式中、
＊は、Ｌとの結合手を表す。
Ａｒは、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｗは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
式（３ａ）〜（３ｅ）中、Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_１’は、金属含有高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、１または２であることが好ましく、２であることがより好ましい。Ｍが白金原子の場合、ｎ_１’は、金属含有高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、１であることが好ましい。
式（３ｇ）および式（３ｈ）中、Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_４は、金属含有高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、１であることが好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３およびＲ^２４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、金属含有高分子化合物の量子収率がより優れるものとなるため、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３およびＲ^２４がそれぞれ複数存在する場合、複数存在するＲ^２１の全て、複数存在するＲ^２２の全て、複数存在するＲ^２３の全て、または、複数存在するＲ^２４の全てが、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３およびＲ^２４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、金属含有高分子化合物の量子収率がより優れるため、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが更に好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｒ^２２は、金属含有高分子化合物の量子収率がより優れるため、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが更に好ましく、式（Ｄ−Ａ３）で表される基であることが特に好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３およびＲ^２４が式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基以外の基である場合、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３およびＲ^２４は、金属含有高分子化合物の合成が容易になるため、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｚ^ａは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−、−ＣＲ^Ｚｃ _２−または−ＮＲ^Ｚｃ−であることが好ましく、直接結合、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−または−ＣＲ^Ｚｃ _２−であることがより好ましく、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−または−ＣＲ^Ｚｃ _２−であることが更に好ましく、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−であることが特に好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｚ^ｂは、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−、−ＣＲ^Ｚｃ _２−または−ＮＲ^Ｚｃ−であることが好ましく、直接結合、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−または−ＣＲ^Ｚｃ _２−あることがより好ましく、直接結合または−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−であることが更に好ましく、直接結合であることが特に好ましい。
但し、Ｚ^ａおよびＺ^ｂの少なくとも一方は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−、−ＣＲ^Ｚｃ _２−または−ＮＲ^Ｚｃ−である。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｚ^ａおよびＺ^ｂの組み合わせは、金属含有高分子化合物の量子収率がより優れるものとなるため、
Ｚ^ａが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｚ^ａが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−でありＺ^ｂが−ＮＲ^Ｚｃ−である組み合わせ、Ｚ^ａが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−でありＺ^ｂが酸素原子である組み合わせ、Ｚ^ａが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−でありＺ^ｂが硫黄原子である組み合わせ、Ｚ^ａが直接結合でありＺ^ｂが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−である組み合わせ、Ｚ^ａが−ＮＲ^Ｚｃ−でありＺ^ｂが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−である組み合わせ、Ｚ^ａが酸素原子でありＺ^ｂが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−である組み合わせ、Ｚ^ａが硫黄原子でありＺ^ｂが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−である組み合わせ、Ｚ^ａが−ＣＲ^Ｚｃ _２−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｚ^ａが−ＣＲ^Ｚｃ _２−でありＺ^ｂが−ＮＲ^Ｚｃ−である組み合わせ、Ｚ^ａが酸素原子でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｚ^ａが酸素原子でありＺ^ｂが−ＮＲ^Ｚｃ−である組み合わせ、Ｚ^ａが硫黄原子でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｚ^ａが−Ｃ（＝Ｏ）−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｚ^ａが−ＮＲ^Ｚｃ−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｚ^ａが直接結合でありＺ^ｂが−ＣＲ^Ｚｃ _２−である組み合わせ、または、Ｚ^ａが直接結合でありＺ^ｂが硫黄原子である組み合わせが好ましく、
Ｚ^ａが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、Ｚ^ａが直接結合でありＺ^ｂが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−である組み合わせ、Ｚ^ａが−ＣＲ^Ｚｃ _２−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、または、Ｚ^ａが直接結合でありＺ^ｂが−ＣＲ^Ｚｃ _２−である組み合わせがより好ましく、
Ｚ^ａが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせ、または、Ｚ^ａが−ＣＲ^Ｚｃ _２−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせが更に好ましく、
Ｚ^ａが−ＣＲ^ＺａＲ^Ｚｂ−でありＺ^ｂが直接結合である組み合わせが特に好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｒ^Ｚａは、金属含有高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、置換基を有していてもよいアルキル基であることが好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｒ^Ｚｂは、金属含有高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基であることがより好ましい。
式（３ａ）〜（３ｈ）中、Ｒ^Ｚｃは、金属含有高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるため、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基またはアリール基であることがより好ましい。
式（３ａ）および式（３ｂ）中、Ｗは、金属含有高分子化合物を用いた発光素子の外部量子効率が優れるため、式（Ｗ１）で表される基であることが好ましい。
式（３ａ）および式（３ｂ）中、ｎＬは、０〜２の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましい。
式（３ａ）および式（３ｂ）中、Ｌは、アルキレン基またはアリーレン基であることが好ましく、アリーレン基であることがより好ましい。
式（Ｗ１）中、Ａｒは、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
式（Ｗ２）および（Ｗ３）中、Ｒ^Ｗは、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
金属含有構成単位の例としては、下記式（Ｉｒ−３０１）〜（Ｉｒ−３１０）で表される構成単位が挙げられる。

金属含有高分子化合物において、金属含有構成単位は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
金属含有高分子化合物は、金属含有構成単位以外の構成単位を含むことが好ましい。金属含有構成単位以外の構成単位としては、後述する式（Ｙ）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位であることが好ましい。
金属含有高分子化合物において、金属含有構成単位の含有量は、金属含有高分子化合物を用いた発光素子の外部量子効率が優れるので、金属含有高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜３０モル％であり、より好ましくは０．５〜１５モル％であり、更に好ましくは１〜８モル％である。
金属含有高分子化合物は、例えば、下記式（４）で表される化合物を用いて、後述する＜高分子ホストの製造方法＞と同様の方法で製造することができる。

［式中、
ＭＲは、金属含有構成単位を表す。
ｎＶは、１、２または３を表す。
Ｖは、置換基Ａ群から選ばれる基、または、置換基Ｂ群から選ばれる基を表す。Ｖが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ_３Ｑ′（式中、Ｑ′は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓを表す。）で表される基；
−ＭｇＹ′（式中、Ｙ′は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ′′（式中、Ｙ′′は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基；および、
−Ｓｎ（Ｒ^Ｃ３）_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。
−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基としては、下記式で表される基が例示される。

＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の金属錯体とを含有する。
本発明の組成物において、本発明の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
［ホスト材料］
本発明の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の外部量子効率がより優れたものとなる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。
本発明の金属錯体と、ホスト材料とを含有する組成物において、本発明の金属錯体の含有量は、本発明の金属錯体とホスト材料との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０１〜８０重量部であり、好ましくは０．０５〜４０重量部であり、より好ましくは０．１〜２０重量部であり、更に好ましくは１〜２０重量部である。
ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の外部量子効率がより優れるため、本発明の金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。
ホスト材料としては、本発明の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスにて作製する観点から、本発明の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。
ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。
ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、例えば、カルバゾール骨格を有する化合物、トリアリールアミン骨格を有する化合物、フェナントロリン骨格を有する化合物、トリアリールトリアジン骨格を有する化合物、アゾール骨格を有する化合物、ベンゾチオフェン骨格を有する化合物、ベンゾフラン骨格を有する化合物、フルオレン骨格を有する化合物、スピロフルオレン骨格を有する化合物が挙げられる。ホスト材料に用いられる低分子化合物の例としては、下記で表される化合物が挙げられる。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。
［高分子ホスト］
ホスト化合物として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」ともいう。）に関して説明する。
高分子ホストとしては、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい、

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）または式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）〜式（ＡＡ−２１）、式（ＡＡ−３３）または式（ＡＡ−３４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）または式（ＡＡ−３３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^ＸＸは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）〜（Ｙ−１０）で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）、（Ｙ−２）または（Ｙ−３）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−４）〜（Ｙ−７）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−８）〜（Ｙ−１０）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
Ｒ^Ｙ１は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−またはＣ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
Ｒ^Ｙ２は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）〜（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基は、好ましくは式（Ｙ−Ｂ１）〜（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１０１）〜（Ｙ−１２１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、式（Ｙ−２０１）〜（Ｙ−２０６）で表される２価の複素環基からなる構成単位、式（Ｙ−３０１）〜（Ｙ−３０４）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜１００モル％であり、より好ましくは６０〜９５モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜３０モル％であり、より好ましくは３〜２０モル％である。
式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、ａ^Ｘ１およびａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
ａ^Ｘ１は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。
ａ^Ｘ２は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）または式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）または式（ＡＡ−７）〜式（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−６）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）〜（Ｘ−６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜４０モル％であり、更に好ましくは２〜３０モル％である。
式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）〜（Ｘ１−１１）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−３）〜（Ｘ１−１０）で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
高分子ホストとしては、例えば、下記表１の高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−７が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］
高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法、例えば、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応およびＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法を用いて製造することができる。
前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。
遷移金属触媒としては、例えば、パラジウム触媒、ニッケル触媒が挙げられる。
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
本発明の金属錯体および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。
インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。
インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１０００〜１０００００重量部であり、好ましくは２０００〜２００００重量部である。
［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。
本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式（Ｘ）で表される基を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。
［発光材料］
発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
発光材料は、低分子化合物および高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、０．１〜４００重量部である。
［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、０．００１〜１０重量部である。
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
＜膜＞
本発明の金属錯体を用いて得られる膜は、本発明の金属錯体を含有する膜と、本発明の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜に分類される。不溶化膜は、本発明の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、外部量子効率が良好になるので、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。
膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
膜は、発光素子における発光層として好適である。
膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。
膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。
＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子であり、本発明の金属錯体が分子内または分子間で架橋されたものであってもよく、本発明の金属錯体が分子内および分子間で架橋されたものであってもよい。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を用いて得られる層とを有する。
［層構成］
本発明の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。
発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層および電子注入層の材料としては、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料および電子注入材料が挙げられる。
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
積層する層の順番、数および厚さは、外部量子効率および素子寿命を勘案して調整すればよい。
［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレント テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。
ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ_８）または重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名 ＭＥＲＣＵＲＹ ３００）を用いて測定した。
化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。
ＴＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を、トルエン、テトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製 ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子（ＪＥＯＬ Ｌｔｄ．）社製、商品名ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調整した。
ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定は、下記の方法で行った。
金属錯体を、０．０００８重量％の濃度となるように、キシレンに溶解させた。得られたキシレン溶液を１ｃｍ角の石英セルに入れた後、窒素ガスでバブリングすることにより酸素を脱気することにより測定試料を作製した。得られた測定試料に対して、絶対ＰＬ量子収率測定装置（自動制御電動モノクロ光源タイプ）（Ｃ９９２０−０２Ｇ 浜松ホトニクス株式会社製）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルを測定し、得られた発光スペクトルから、発光スペクトルの半値幅（以下、「ＦＷＨＭ」ともいう。）を算出した。具体的には、ＦＷＨＭは、金属錯体の発光スペクトルにおける最大ピークの発光強度を１．０に規格化したとき、規格化された発光強度が０．５である波長から算出する。規格化された発光強度が０．５である波長が３つ以上存在する場合、最も短波長である波長と、最も長波長である波長とから算出する。なお、励起波長は３８０ｎｍとした。
＜実施例１＞ 金属錯体Ｍ１の合成

（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ１ｃの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ａ（１２ｇ）、化合物Ｌ１ｂ（５．７ｇ）、トルエン（１４０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（９０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（７０ｍＬ）、イオン交換水（４５ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５３０ｍｇ）および４０重量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６０ｇ）を加え、５０℃で１５時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
この油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびヘキサンの混合溶媒）で精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ１ｃ（１０ｇ、収率８０％）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４６［Ｍ＋Ｈ］^＋
（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ１ｅの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ｃ（１０ｇ）、化合物Ｌ１ｄ（７．２ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、７８０ｍｇ）、酢酸カリウム（５．６ｇ）および１，２−ジメトキシエタン（６０ｍＬ）を加え、加熱還流下で２時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（９０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、ろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、ヘキサンおよび活性炭を加え、６０℃で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、ろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ１ｅ（１２ｇ）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ１ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％を示した。
（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｌ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１ｅ（１２ｇ）、化合物Ｌ１ｆ（８．７ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４４０ｍｇ）、トルエン（１０５ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５６ｇ）を加え、７０℃で３時間撹拌した。なお、化合物Ｌ１ｆは、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびヘキサンの混合溶媒）で精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ１（９．３ｇ、化合物Ｌ１ｃに対して収率６０％）を淡黄色固体として得た。化合物Ｌ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝８１２［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１０．０２（ｄ，１Ｈ），９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．７２（ｄｔ，４Ｈ），８．２３（ｓ，１Ｈ），８．１９（ｄｄ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．８１−７．７８（ｍ，１Ｈ），７．６５（ｄｔ，４Ｈ），７．４３−７．３５（ｍ，３Ｈ），２．１８−２．０１（ｍ，４Ｈ），１．４３（ｓ，１８Ｈ），１．２１−１．０７（ｍ，２０Ｈ），０．８０（ｔ，６Ｈ），０．７５−０．５６（ｍ，４Ｈ）．
（Ｓｔａｇｅ４：金属錯体Ｍ１ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１（４８０ｍｇ）および２−エトキシエタノール（４０ｍＬ）を加え、６０℃まで加熱した。その後、そこへ、イオン交換水（１３ｍＬ）に溶解させた塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（８８ｍｇ）を加え、１０５℃で１５時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（８０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、残渣を減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ１ａを含む赤色固体（４７０ｍｇ）を得た。
（Ｓｔａｇｅ５：金属錯体Ｍ１の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ１ａを含む赤色固体（４７０ｍｇ）、化合物Ｌ１（２１０ｍｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）（８７ｍｇ）、２，６−ルチジン（４０μＬ）およびジエチレングリコールジメチルエーテル（６．３ｍＬ）を加え、１５０℃で１７時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（２０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、残渣にトルエン（２０ｍＬ）を加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンおよびヘキサンの混合溶媒）、酢酸エチルおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いた再結晶により順次精製した後、減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ１（２００ｍｇ、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物を３水和物とした場合のＩｒＣｌ_３・３Ｈ_２Ｏ仕込量に対して収率３０％）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２６２３［Ｍ＋Ｈ］^＋
＜実施例２＞ 金属錯体Ｍ２の合成

（Ｓｔａｇｅ１：化合物Ｌ２ｚの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、特開２０１２−１４４７２１号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｌ２ｙ（８７．４ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、８７０ｍＬ）を加え、攪拌しながら−７４℃まで冷却した。その後、そこへ、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ、１００ｍＬ）を加え、−７４℃で１時間攪拌した。その後、そこへ、イオン交換水（４４０ｍＬ）を加え、室温まで昇温させた後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣をトルエンに溶解させた後、イオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
この油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ２ｚ（６３．５ｇ、収率８４％）を黄色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｚのＨＰＬＣ面積百分率値は９３．０％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５０２［Ｍ］^＋
（Ｓｔａｇｅ２：化合物Ｌ２ａの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｚ（６３．５ｇ）、化合物Ｌ１ｄ（３５．２ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（３．１ｇ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２．１ｇ）、酢酸カリウム（３７．１ｇ）および１，４−ジオキサン（３７０ｍＬ）を加え、加熱還流下で３．５時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（５５０ｍＬ）を加え、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮した後、トルエン、活性白土および活性炭を加え、６０℃で３０分間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ２ａ（７８．５ｇ）を黄色の油状物として得た。化合物Ｌ２ａのＨＰＬＣ面積百分率値は８９．９％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５５０［Ｍ］^＋
（Ｓｔａｇｅ３：化合物Ｌ２ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ａ（６９．４ｇ）、化合物Ｌ１ｂ（３５．８ｇ）、トルエン（７６０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（３８０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（５００ｍＬ）、イオン交換水（２５０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．４ｇ）および４０重量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３３０ｍＬ）を加え、５０℃で１５時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。
この油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルムおよびヘキサンの混合溶媒）で精製し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチルおよびアセトニトリルの混合溶媒）で精製した後、減圧乾燥することにより、化合物Ｌ２ｃ（５７．２ｇ、収率７８％）を無色の油状物として得た。化合物Ｌ２ＣのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％を示した。
ＴＬＣ−ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５７９［Ｍ］^＋
（Ｓｔａｇｅ４：化合物Ｌ２ｅの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｃ（５６．９ｇ）、化合物Ｌ１ｄ（３７．３ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（４．８ｇ）、酢酸カリウム（２８．９ｇ）および１，２−ジメトキシエタン（３９０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１．５時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（５９０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮した後、ヘキサンおよび活性炭を加え、６５℃で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。ろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｌ２ｅ（８２．１ｇ）を褐色の油状物として得た。化合物Ｌ２ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．６％を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝６２８［Ｍ＋Ｈ］^＋
（Ｓｔａｇｅ５：化合物Ｌ２の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２ｅ（４１．４ｇ）、化合物Ｌ１ｆ（３０．１ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（４．６ｇ）、トルエン（３６０ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３９０ｍＬ）を加え、７０℃で１２時間撹拌した。なお、化合物Ｌ１ｆは、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエンを加え、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルムおよびヘキサンの混合溶媒）で精製し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチルおよびアセトニトリルの混合溶媒）で精製した後、酢酸エチルおよびメタノールの混合溶媒を用いて再結晶することにより精製した。その後、４０℃で一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｌ２（４５．５ｇ、収率８２％）を薄黄色固体として得た。化合物Ｌ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．２％を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝８４５．５［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．９５（ｄ，１Ｈ），９．０２（ｄｄ，１Ｈ），８．７０（ｄｔ，４Ｈ），８．２１（ｄｄ，１Ｈ），８．０９（ｄ，１Ｈ），７．９６（ｔ，２Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．６３（ｄｔ，４Ｈ），７．４３−７．２７（ｍ，３Ｈ），６．８７（ｓ，３Ｈ），２．４９（ｔ，４Ｈ），１．９６（ｓ，３Ｈ），１．５８−１．２１（ｍ，３４Ｈ），０．８５（ｔ，６Ｈ）．
（Ｓｔａｇｅ６：金属錯体Ｍ２ａの合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ２（３７６ｍｇ）および２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）を加え、８０℃まで加熱した。その後、そこへ、イオン交換水（１０ｍＬ）に溶解させた塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（７１ｍｇ）を加え、１２０℃で１５時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、メタノール（４０ｍＬ）に加え、室温で１時間攪拌した。その後、ろ過を行い、残渣を減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ２ａを含む固体（これを「固体Ａ」という。３８４ｍｇ）を得た。この操作を繰り返し行うことで、固体Ａの必要量を得た。
固体Ａをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルムおよびヘキサンの混合溶媒）により精製した。その後、５０℃で一晩減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ２ａを含む赤色固体（これを「固体Ｂ」という。）を得た。
（Ｓｔａｇｅ７：金属錯体Ｍ２の合成）
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、固体Ｂ（５００ｍｇ）、アセチルアセトン（２６０ｍｇ）、炭酸ナトリウム（２７７ｍｇ）および２−エトキシエタノール（２７ｍＬ）を加え、１２０℃で３時間攪拌した。
得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（１００ｍＬ）を加え、イオン交換水で洗浄した。その後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過を行い、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
この固体をエタノールで洗浄し、ヘキサンで洗浄することにより精製した後、減圧乾燥することにより、金属錯体Ｍ２（３２０ｍｇ）を赤色固体として得た。金属錯体Ｍ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．９％以上を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）： ｍ／ｚ＝２０１８［Ｍ＋Ｋ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．９７（ｄ，２Ｈ），９．０６（ｄ，２Ｈ），９．３５（ｄ，８Ｈ），８．０５（ｄ，２Ｈ），７．６９（ｍ，２Ｈ），７．６１（ｄ，８Ｈ），７．４０−７．３１（ｍ，２Ｈ），７．１３（ｔ，６Ｈ），６．８８−６．８１（ｍ，８Ｈ），５．４８（ｓ，１Ｈ），２．５２−２．３９（ｍ，８Ｈ），２．０６（ｓ，６Ｈ），１．８７−１．８３（ｍ，６Ｈ），１．６１−１．４０（ｍ，４４Ｈ），１．２６（ｍ，２４Ｈ），０．８９（ｍ，１２Ｈ）．
＜比較例１＞ 金属錯体ＣＭ１の合成
金属錯体ＣＭ１は、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜測定例１＞ 金属錯体Ｍ１のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
金属錯体Ｍ１のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。６２１ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、この発光スペクトルのＦＷＨＭは３６ｎｍであり、ＰＬＱＹは７２％であった。
＜測定例２＞ 金属錯体Ｍ２のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
金属錯体Ｍ２のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。６２４ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、この発光スペクトルのＦＷＨＭは６５ｎｍであり、ＰＬＱＹは６６％であった。
＜測定例Ｃ１＞ 金属錯体ＣＭ１のＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定
金属錯体ＣＭ１のキシレン溶液（０．０００８重量％）を用いて、ＰＬＱＹおよび発光スペクトルの測定を行った。６１５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、この発光スペクトルのＦＷＨＭは８８ｎｍであり、ＰＬＱＹは５３％であった。
＜合成例１＞ 高分子化合物ＩＰ１の合成
高分子化合物ＩＰ１は、特開２０１１−１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ１と、国際公報第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ２と、国際公報第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ３と、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ４を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法で合成した。

高分子化合物ＩＰ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＰＭ１から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ４から誘導される構成単位とが、５０：３０：１２．５：７．５のモル比で構成されてなる共重合体である。
＜合成例２＞ 化合物ＰＭ５の合成

化合物ＰＭ５ａは、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。
（Ｓｔａｇｅ１：化合物ＰＭ５ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４−ブロモ−ｎ−オクチルベンゼン（２５０ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、２．５Ｌ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（３５５ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて３時間攪拌した。その後、そこへ、テトラヒドロフラン（脱水品、４００ｍＬ）に化合物ＰＭ５ａ（１４８ｇ）を溶解させた溶液を滴下した後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却した後、水（１５０ｍＬ）を加えて攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮し、有機溶媒を除去した。得られた反応混合物に、ヘキサン（１Ｌ）および水（２００ｍＬ）を加え、分液操作によって水層を除去した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。得られた混合物をろ過し、ろ液を減圧濃縮することで、化合物ＰＭ５ｂ（３３０ｇ）を黄色油状物として得た。
（Ｓｔａｇｅ２：化合物ＰＭ５ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＰＭ５ｂ（３３０ｇ）およびジクロロメタン（９００ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．０ｍｏｌ／Ｌの三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２４５ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を、氷水（２Ｌ）の入った容器に加え、３０分間攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層を、１０重量％濃度のリン酸カリウム水溶液（１Ｌ）で１回、水（１Ｌ）で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物をろ過し、ろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。この油状物をトルエン（２００ｍＬ）に溶解させた後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することでトルエン溶液１を得た。トルエン溶液１を得た後、シリカゲルを敷いたろ過器に更にトルエン（約３Ｌ）を通液することでトルエン溶液２を得た。トルエン溶液１とトルエン溶液２を混合した後、減圧濃縮することで油状物を得た。この油状物にメタノール（５００ｍＬ）を加え、攪拌した。得られた反応混合物をろ過することで固体を得た。この固体に、酢酸ブチルおよびメタノールの混合溶媒を加え、再結晶を繰り返すことにより、化合物ＰＭ５ｃ（１５１ｇ）を白色固体として得た。化合物ＰＭ５ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５６（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ，２Ｈ），７．０６〜７．０１（ｍ，８Ｈ），２．５５（ｔ，４Ｈ），１．６１〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３０〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．
（Ｓｔａｇｅ３：化合物ＰＭ５の合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＰＭ５ｃ（１００ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、１０００ｍＬ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌのｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１２６ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて５時間攪拌した。その後、そこへ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（８１ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を−３０℃に冷却し、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩酸−ジエチルエーテル溶液（１４３ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、減圧濃縮することにより固体を得た。この固体にトルエン（１．２Ｌ）を加え、室温にて１時間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。このろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。この固体にメタノールを加えて攪拌した後、ろ過することにより固体を得た。この固体に対して、イソプロピルアルコールを用いた再結晶を繰り返すことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物ＰＭ５（７２ｇ）を白色固体として得た。化合物ＰＭ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％以上を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，４Ｈ）、７．００（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．５９〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３６〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．
＜合成例３＞ 高分子化合物Ｐ１の合成
（Ｓｔａｇｅ１）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＰＭ５（４．７７ｇ）（化合物ＰＭ５と同一である。）、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ６（０．７７３ｇ）、単量体ＰＭ３（１．９７ｇ）、国際公報第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ７（０．３３１ｇ）、特開２００４−１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＰＭ８（０．４４３ｇ）およびトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱しながら攪拌した。

（Ｓｔａｇｅ２）
その後、これに、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）を加え、次いで、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を滴下した後、還流下で３時間攪拌した。
（Ｓｔａｇｅ３）
その後、これに、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、還流下で２４時間攪拌した。
（Ｓｔａｇｅ４）
有機層を水層と分離した後、得られた有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）およびイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。有機層を水層と分離した後、有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液させた。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．４×１０^５、Ｍｗ＝４．１×１０^５であった。
高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＰＭ５から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ６から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ７から誘導される構成単位と、単量体ＰＭ８から誘導される構成単位とが、５０：１０：３０：５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。
＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製および評価
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（正孔輸送層の形成）
キシレンに高分子化合物ＩＰ１を０．７０重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１および金属錯体Ｍ１（高分子化合物Ｐ１／金属錯体Ｍ１＝９２．５重量％／７．５重量％）を１．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により９０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１５０℃、１０分間加熱させることにより発光層とした形成した。
（陰極の形成）
発光層の形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。
＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製および評価
発光素子Ｄ１に電圧を印加することにより、６２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６６８，０．３２９）であった。この発光スペクトルのＦＷＨＭは４４ｎｍであった。発光素子Ｄ１を、図２に示すカラーフィルターと併用した場合、１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１２．６％となる。
＜実施例Ｄ２＞ 発光素子Ｄ２の作製および評価
実施例Ｄ１における、高分子化合物Ｐ１および金属錯体Ｍ１に代えて、高分子化合物Ｐ１および金属錯体Ｍ２を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。
発光素子Ｄ２に電圧を印加することにより、６２５ｎｍに発光スペクトルの最大ピークを有する発光が観測され、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６６４，０．３３３）であった。この発光スペクトルのＦＷＨＭは６２ｎｍであった。発光素子Ｄ２を、図２に示すカラーフィルターと併用した場合、１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は９．５３％となる。

本発明によれば、量子収率に優れ、かつ、発光スペクトルの半値幅に優れる金属錯体を提供することができる。

Claims (14)

1. 下記式（１）で表される金属錯体。
   

   

   ［式中、
   Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
   ｎ_１は、１、２または３を表す。ｎ_２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は３であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は２である。
   Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^１は存在せず、Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^２は存在せず、Ｅ^３が窒素原子の場合、Ｒ^３は存在せず、Ｅ^４が窒素原子の場合、Ｒ^４は存在しない。
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、および、Ｒ^８とＲ^９は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。また、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４からなる群から選ばれる少なくとも１つは、下記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。
   Ｘ^ａおよびＸ^ｂは、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^Ｘａ _２−または−ＮＲ^Ｘａ−を表す。Ｒ^Ｘａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。Ｘ^ａおよびＸ^ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｘ^ａおよびＸ^ｂの少なくとも一方は、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^Ｘａ _２−または−ＮＲ^Ｘａ−である。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^DAは、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^DAは、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^DAは、同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^DAは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］
2. 前記Ｒ^２が、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基である、請求項１に記載の金属錯体。
3. 前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、下記式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基である、請求項１または２に記載の金属錯体。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
   ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
4. 前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、前記式（Ｄ−Ａ３）で表される基である、請求項３に記載の金属錯体。
5. 前記Ｘ^ａが、−ＣＲ^Ｘａ _２−であり、前記Ｘ^ｂが、直接結合である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属錯体。
6. 前記Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４が、炭素原子である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
7. 前記Ｍがイリジウム原子であり、前記ｎ_１が３であり、前記ｎ_２が０である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体。
8. 下記式（２）で表される金属錯体。
   

   

   ［式中、
   Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
   ｎ_１は、１、２または３を表す。ｎ_２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は３であり、Ｍが白金原子の場合、ｎ_１＋ｎ_２は２である。
   Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３およびＥ^４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^１１は存在せず、Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^１２は存在せず、Ｅ^３が窒素原子の場合、Ｒ^１３は存在せず、Ｅ^４が窒素原子の場合、Ｒ^１４は存在しない。
   Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１１とＲ^１２、Ｒ^１２とＲ^１３、Ｒ^１３とＲ^１４、Ｒ^１４とＲ^５、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、および、Ｒ^８とＲ^９は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ｒ ^１１ 、Ｒ ^１２ 、Ｒ ^１３ およびＲ ^１４ からなる群から選ばれる少なくとも１つは、下記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。
   Ｙ^ａおよびＹ^ｂは、それぞれ独立に、直接結合、酸素原子、硫黄原子、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−または−ＮＲ^Ｙｃ−を表す。Ｒ^Ｙａは、アルキル基またはシクロアルキル基を表し、これらの基はアリール基または１価の複素環基を置換基として有していてもよい。Ｒ^Ｙｂは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｙｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、Ｙ^ａおよびＹ^ｂの少なくとも一方は、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−である。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍ ^DA1 、ｍ ^DA2 およびｍ ^DA3 は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ ^DA は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ ^DA1 、Ａｒ ^DA2 およびＡｒ ^DA3 は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ ^DA1 、Ａｒ ^DA2 およびＡｒ ^DA3 が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ ^DA は、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ ^DA は、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍ ^DA1 、ｍ ^DA2 、ｍ ^DA3 、ｍ ^DA4 、ｍ ^DA5 、ｍ ^DA6 およびｍ ^DA7 は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ ^DA は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ ^DA は、同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ ^DA1 、Ａｒ ^DA2 、Ａｒ ^DA3 、Ａｒ ^DA4 、Ａｒ ^DA5 、Ａｒ ^DA6 およびＡｒ ^DA7 は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ ^DA1 、Ａｒ ^DA2 、Ａｒ ^DA3 、Ａｒ ^DA4 、Ａｒ ^DA5 、Ａｒ ^DA6 およびＡｒ ^DA7 が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ ^DA は、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ ^DA は、同一でも異なっていてもよい。］
9. 前記Ｙ^ａが、−ＣＲ^ＹａＲ^Ｙｂ−であり、前記Ｙ^ｂが、直接結合である、請求項８に記載の金属錯体。
10. 前記Ｒ^Ｙａが、置換基を有していてもよいアルキル基である、請求項８または９に記載の金属錯体。
11. 前記Ｒ^Ｙｂが、置換基を有していてもよいアリール基である、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の金属錯体。
12. 前記Ｒ^Ｙｂが、置換基を有していてもよいフェニル基である、請求項１１に記載の金属錯体。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の金属錯体と、
    正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
14. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載の金属錯体を用いて得られる発光素子。

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