JP6546045B2 - 金属錯体および該金属錯体を含む発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を含む発光素子に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料としては、三重項励起状態から発光する燐光発光性化合物等が知られている。このような発光材料として、例えば特許文献１には、下記式で表される金属錯体Ａが記載されている。また、例えば特許文献２には、下記式で表される金属錯体Ｂが記載されている。金属錯体ＡおよびＢは、いずれも配位子がフェニルイミダゾール構造を有する金属錯体である。

特開２００８−３０３１５０号公報 国際公開第２００６／１２１８１１号

しかしながら、上記の先行技術文献にかかる金属錯体を含む発光素子では、演色性の高い白色の発光色を実現することが困難であった。

そこで、本発明は、発光素子において演色性の高い白色の発光色を実現できる金属錯体を提供し、ひいては該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を含む発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、下記［１］〜［１０］を提供する。
［１］ 下記式（１）で表される金属錯体。

［式中、
ｎ_１は、１、２または３を表す。ｎ_２は、０または１を表す。ｎ_２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^７とＲ^８、および、Ｒ^１０とＲ^１１は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ｒ^４およびＲ^５からなる群から選ばれる少なくとも１つは、フッ素原子を置換基として有するアルキル基、フッ素原子を置換基として有するシクロアルキル基、フッ素原子を置換基として有するアルコキシ基、フッ素原子を置換基として有するシクロアルコキシ基、フッ素原子を置換基として有するアリール基、フッ素原子を置換基として有するアリールオキシ基、フッ素原子を置換基として有する１価の複素環基、フッ素原子またはシアノ基であり、且つ、Ｒ^４、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０からなる群から選ばれる少なくとも１つは、下記式（Ｄ−Ａ）または式（Ｄ−Ｂ）で表される基である。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、単結合、または、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
［２］ 前記Ｒ^４およびＲ^５のいずれか一方がフッ素原子を置換基として有するアルキル基である、［１］に記載の金属錯体。
［３］ 前記Ｒ^４およびＲ^９からなる群から選ばれる少なくとも１つが、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基である、［１］または［２］に記載の金属錯体。
［４］ 前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、下記式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基である、［１］〜［３］のいずれか１つに記載の金属錯体。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は、１〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
［５］ 前記式（Ｄ−Ａ）で表される基が、前記式（Ｄ−Ａ１）で表される基である、［４］に記載の金属錯体。
［６］ 前記ｎ_２が１である、［１］〜［５］のいずれか１つに記載の金属錯体。
［７］ 前記ｎ_１が３である、［１］〜［６］のいずれか１つに記載の金属錯体。
［８］ ［１］〜［７］のいずれか１つに記載の金属錯体と、
下記式（Ｈ−１）で表される化合物とを含有する組成物。

［式（Ｈ−１）中、
Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^Ｈ１およびｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０または１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［９］ ［１］〜［７］のいずれか１つに記載の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料と
を含有する組成物。
［１０］ ［１］〜［７］のいずれか１つに記載の金属錯体を含む発光素子。

本発明によれば、発光素子において演色性に優れた白色の発光色を実現できる金属錯体を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３〜１×１０^８である重合体を意味する。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性または輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、ドデシル基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、近紫外線照射処理、可視光照射処理、赤外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式（Ｂ−１）−（Ｂ−１７）のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（即ち、デンドリマー構造）を有する基を意味する。デンドロンを有する化合物（以下、「デンドリマー」と言う。）としては、例えば、国際公開第２００２／０６７３４３号、特開２００３−２３１６９２号公報、国際公開第２００３／０７９７３６号、国際公開第２００６／０９７７１７号等の文献に記載の構造が挙げられる。

デンドロンとしては、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０または１である。ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。
Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜（ＡｒＤＡ−３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。

Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜（ＴＤＡ−３）で表される基である。

［式中、Ｒ^ＤＡおよびＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。］

式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ３）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ａ１）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜（Ｄ−Ｂ３）で表される基である。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

ｎｐ１は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。

式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）および式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ３）中、複数あるＲ^ｐ１のうちの少なくとも１つは、炭素原子数が４以上のアルキル基または炭素原子数が４以上のシクロアルキル基であることが好ましく、複数あるＲ^ｐ１の全てが、炭素原子数が４以上のアルキル基であるか、または炭素原子数が４以上のシクロアルキル基であることが好ましい。

式（Ｄ−Ａ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ａ−１）〜式（Ｄ−Ａ−１７）で表される基が挙げられる。また、式（Ｄ−Ｂ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｂ−１）〜式（Ｄ−Ｂ−７）で表される基が挙げられる。

［式中、＊、＊＊および＊＊＊は前記と同じ意味を表す。］

Ｒ^ｐは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよく、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、式（Ｒｐ−１）で表される基または２−エチルヘキシルオキシ基であることが好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基または式（Ｒｐ−１）で表される基がより好ましい。

＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。本発明の金属錯体は、式（１)で表される。

式（１）で表される金属錯体は、イリジウム原子と、添え字ｎ_１でその数を規定されている配位子と、添え字（３−ｎ_１）でその数を規定されている配位子とから構成されている。

式（１）中、ｎ_１は、２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
式（１）中、ｎ_２は、１であることが好ましい。

式（１）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、イリジウム原子と結合する部位を示す。］

式（１）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、下記式で表される配位子であってもよい。但し、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ_１でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、イリジウム原子と結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６およびＲ^８〜Ｒ^１０は、本発明の金属錯体の溶媒に対する溶解性および成膜性を高めることができるので、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、更に好ましくは、水素原子である。ここで、Ｒ^４およびＲ^５からなる群から選ばれる少なくとも１つ、換言すると、Ｒ^４およびＲ^５の両方またはいずれか一方は、フッ素原子を置換基として有するアルキル基、フッ素原子を置換基として有するシクロアルキル基、フッ素原子を置換基として有するアルコキシ基、フッ素原子を置換基として有するシクロアルコキシ基、フッ素原子を置換基として有するアリール基、フッ素原子を置換基として有するアリールオキシ基、フッ素原子を置換基として有する１価の複素環基、フッ素原子またはシアノ基であり、好ましくは、フッ素原子を置換基として有するアルキル基、フッ素原子またはシアノ基である。中でも、本発明の金属錯体の耐久性が優れることから、Ｒ^４およびＲ^５のうちのいずれか一方がフッ素原子を置換基として有するアルキル基、フッ素原子またはシアノ基であることが好ましく、Ｒ^４およびＲ^５のいずれか一方がフッ素原子を置換基として有するアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^４がフッ素原子を置換基として有するアルキル基であるか、またはＲ^５がフッ素原子であることが特に好ましい。さらに、Ｒ^４、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０からなる群から選ばれる少なくとも１つは、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であり、好ましくは、Ｒ^４、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０からなる群から選ばれる少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ）で表される基である。

Ｒ^４およびＲ^９からなる群から選ばれる少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^４およびＲ^９からなる群から選ばれる少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ）で表される基であることがより好ましく、Ｒ^４およびＲ^９のうちのいずれか一方が式（Ｄ−Ａ）で表される基であることが更に好ましい。

式（１）中、Ｒ^７およびＲ^１１は、本発明の金属錯体の発光色をより純青に近づける、換言すると金属錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長をより短波長側に存在させることができるので、好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、より好ましくは、アルキル基である。なお、純青である発光色とは、通常、発光スペクトルの最大ピーク波長が４２０〜４６５ｎｍの範囲であり、かつ、波長４２０〜４６５ｎｍに存在するピークの幅が、１００ｎｍ以下である発光色を意味する。

式（１）中、Ｒ^９は、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基またはアリール基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基またはフェニル基が更に好ましい。Ｒ^９で表されるアリール基（例えば、フェニル基）および１価の複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基またはシクロアルキル基が好ましい。

式（１）で表される金属錯体としては、例えば、下記式（Ｉｒ−１）−（Ｉｒ−２９）で表される金属錯体が挙げられ、本発明の金属錯体を含む発光素子の寿命が特に優れるので、好ましくは、式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−１３）で表される金属錯体であり、より好ましくは、式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−９）で表される金属錯体である。

［式中、
Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ_Ｌは、水素原子、または、炭素原子数が４以下のアルキル基もしくは炭素原子数が４以下のシクロアルキル基を表す。複数存在するＲ_Ｌは、同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^１は、前記式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。Ｚ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２９）中、Ｒ_Ｌは、好ましくは、群ＩＩの式（ＩＩ−０１）〜（ＩＩ−０６）のうちのいずれかで表される基である。
＜群ＩＩ＞

本発明の発光素子には、本発明の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

式（１）で表される金属錯体には、複数種の幾何異性体が考えられ、式（１）で表される金属錯体はいずれの幾何異性体であってもよい。式（１）で表される金属錯体は、発光素子の輝度寿命を優れたものにできるので、ｆａｃｉａｌ体の式（１）で表される金属錯体が好ましく、ｆａｃｉａｌ体の式（１）で表される金属錯体の割合は、金属錯体の全量に対して、好ましくは８０モル％以上であり、より好ましくは９０モル％以上であり、更に好ましくは９９モル％以上であり、特に好ましくは１００モル％である。

本発明の金属錯体の好ましい態様によれば、安定性に優れる金属錯体を提供することができる。

＜金属錯体の製造方法＞
・製造方法１
本発明の金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる製造方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。

式（１）で表される化合物は、例えば、下記式（Ｍ−１）で表される化合物と、イリジウム化合物またはその水和物とを反応させる工程Ａ、および、下記式（Ｍ−２)で表される金属錯体と、式（Ｍ−１）で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ、を含む製造方法により製造することができる。

［式中、Ｒ^１〜Ｒ^１１およびｎ_２は、前記と同じ意味を表す。］

工程Ａにおいて、イリジウム化合物としては、例えば、塩化イリジウム、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマーが挙げられる。イリジウム化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物が挙げられる。

工程Ａおよび工程Ｂは、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。

工程Ａおよび工程Ｂにおいて、反応時間は、通常、３０分間〜１５０時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

工程Ａにおいて用いられる、式(Ｍ−１)で表される化合物の量は、イリジウム化合物またはその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

工程Ｂにおいて用いられる、式(Ｍ−１)で表される化合物またはＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体の量は、式（Ｍ−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜１００モルである。

工程Ｂにおいて、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、式（Ｍ−２）で表される金属錯体１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

式（Ｍ−１）で表される化合物は、例えば、下記式（Ｍ−３）で表される化合物と、式（２）で表される化合物とを、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｋｕｍａｄａ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応等のカップリング反応により反応させる工程によって合成することができる。

［式中、
ｎ_２およびＺ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^２１およびＲ^２２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、シアノ基、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基またはアリールスルホニルオキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ^１５、Ｒ^１９、Ｒ^２０およびＲ^２１のうちの少なくとも１つは、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であり、Ｒ^１５およびＲ^１６のうちの少なくとも１つは、フッ素原子を置換基として有するアルキル基、フッ素原子を置換基として有するシクロアルキル基、フッ素原子を置換基として有するアルコキシ基、フッ素原子を置換基として有するシクロアルコキシ基、フッ素原子を置換基として有するアリール基、フッ素原子を置換基として有するアリールオキシ基、フッ素原子を置換基として有する１価の複素環基、フッ素原子またはシアノ基である。
Ｗ^１は、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｗ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。］

−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基としては、例えば、下記式（Ｗ−１）−（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。

Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。
Ｗ^１で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。

Ｗ^１は、式（２）で表される化合物と式（Ｍ−３）で表される化合物とのカップリング反応を容易に進行させることができるので、好ましくは、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、臭素原子またはヨウ素原子であり、より好ましくは、式（Ｗ−７）で表される基である。

Ｒ^1５、Ｒ^1９、Ｒ^２０およびＲ^２１で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基は、それぞれ、Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基、シクロアルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基と同じ意味を表す。

Ｒ^1５、Ｒ^1９、Ｒ^２０およびＲ^２１は、好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子または式（Ｗ−７）で表される基である。

この反応は、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度等の条件は、工程Ａおよび工程Ｂについて説明した条件と同じである。

この反応において用いられる式(２)で表される化合物の量は、式（Ｍ−３）で表される化合物１モルに対して、通常、０．０５〜２０モルである。

式(２)で表される化合物は、例えば、国際公開第０２／０６７３４３号、特開２００３−２３１６９２号公報、国際公開第２００３／０７９７３６号、国際公開第２００６／０９７７１７号等の文献に記載の方法に従って合成することができる。

式（Ｍ−３）で表される化合物は、例えば、国際公開第０６／１２１８１１号に記載の方法に従って合成することができる。

・製造方法２
本発明の金属錯体（化合物）は、例えば、金属錯体の前駆体と金属錯体の配位子の前駆体とを反応させる製造方法によっても製造することができる。

式（１）で表される化合物は、例えば、式（２）で表される化合物と、式（３）で表される金属錯体とをカップリング反応させることにより製造することができる。このカップリング反応は、式（Ｍ−１）で表される化合物について既に説明したカップリング反応と同じである。

［式中、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^２１、Ｒ^２２、ｎ₁、ｎ_２、Ａ¹、Ｇ¹およびＡ²は、前記と同じ意味を表す。］

式（３）で表される金属錯体の実施形態の１つである式（３ａ）または式（３ｂ）で表される金属錯体は、例えば、式（４）で表される金属錯体から合成することができる。

［式中、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｒ^２１、Ｒ^２２、ｎ_１、ｎ_２、Ａ^１、Ｇ^１およびＡ^２は、前記と同じ意味を表す。］

より詳しくは、式（３ａ）で表される金属錯体は、例えば、有機溶媒中で、式（４）で表される金属錯体と、Ｎ−ブロモスクシンイミドとを反応させる工程Ｃにより合成することができる。

工程Ｃにおいて、Ｎ−ブロモスクシンイミドの量は、式（４）で表される化合物１モルに対して、通常、１〜５０モルである。

より詳しくは、式（３ｂ）で表される金属錯体は、例えば、有機溶媒中で、式（３ａ）で表される金属錯体と、ビス（ピナコラート）ジボロンとを反応させる工程Ｄにより合成することができる。

工程Ｄにおいて、ビス（ピナコラート）ジボロンの量は、式（３ａ）で表される化合物１モルに対して、通常、１〜５０モルである。

工程Ｃおよび工程Ｄは、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度等の条件は、工程Ａおよび工程Ｂについて既に説明した条件と同じである。

式（３）で表される金属錯体の実施形態の１つである式（３ｃ）または式（３ｄ）で表される金属錯体は、例えば、下記のスキームに従って式（５）で表される化合物から合成することができる。

［式中、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２１、Ｒ^２２、ｎ_１、ｎ_２、Ａ^１、Ｇ^１およびＡ^２は、前記と同じ意味を表す。］

より詳しくは、式（３ｃ）で表される金属錯体は、例えば、有機溶媒中で、式（５）で表される化合物と、イリジウム化合物とを反応させる工程Ｅにより合成することができる。工程Ｅは、既に説明した製造方法１の工程Ａおよび工程Ｂと同様の反応により行うことができる。

より詳しくは、式（３ｄ）で表される金属錯体は、例えば、有機溶媒中で、式（３ｃ）で表される化合物と、ビス（ピナコラート）ジボロンとを反応させる工程Ｆにより合成することができる。

工程Ｆにおいて、ビス(ピナコラート)ジボロンの量は、式（３ｃ）で表される化合物１モルに対して、通常、１〜５０モルである。

工程Ｅおよび工程Ｆは、通常、溶媒中で行う。溶媒、反応時間および反応温度等の条件は、工程Ａおよび工程Ｂについて既に説明した条件と同じである。

・製造方法３
式（１）で表される化合物は、ｎ_１が３の場合、例えば、下記のスキームに示される式（Ｍ−１）で表される化合物と、イリジウム化合物とを反応させる工程Ｇを含む製造方法により合成することができる。

［式中、Ｒ^１〜Ｒ^１１およびｎ_２は、前記と同じ意味を表す。］

工程Ｇにおいて、イリジウム化合物としては、例えば、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）が挙げられる。

工程Ｇは、通常、溶媒中で行うが、溶媒中で行わなくてもよい。溶媒としては、工程Ａおよび工程Ｂについて既に説明した溶媒のうち、沸点が１００〜３００℃である溶媒が好ましい。

工程Ｇにおいて、反応時間は、通常、３０分間〜１５０時間である。
工程Ｇにおいて、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、１００〜３００℃が好ましく、２００〜３００℃がより好ましい。

工程Ｇにおいて、式（Ｍ−１）で表される化合物は、イリジウム化合物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

・製造方法１と製造方法２との共通説明
カップリング反応において、反応を促進するために、パラジウム触媒等の触媒を用いてもよい。パラジウム触媒としては、例えば、酢酸パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）等が挙げられる。

パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。

カップリング反応においてパラジウム触媒を用いる場合、その量は、例えば、式（２）、式（３）、式（Ｍ−３）で表される化合物１モルに対して、通常、有効量であり、好ましくは、パラジウム元素換算で０．００００１〜１０モルである。

カップリング反応においては、必要に応じて、塩基を併用してもよい。

上述の＜金属錯体の製造方法＞で既に説明した各反応において用いられる化合物、触媒および溶媒は、各々、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の金属錯体とを含有する。

本発明の組成物において、本発明の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

［ホスト材料］
本発明の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性からなる群から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、かかる組成物を含む発光素子の外部量子効率が特に優れたものとなる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

本発明の金属錯体とホスト材料とを含有する組成物において、本発明の金属錯体の含有量は、本発明の金属錯体とホスト材料との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０５〜８０重量部であり、好ましくは０．１〜５０重量部であり、より好ましくは０．５〜４０重量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、得られる発光素子の外部量子効率をより向上させることができるので、本発明の金属錯体の有するＴ_１と同等のエネルギー準位であるか、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、得られる発光素子を塗工液を用いる塗布法により製造できるので、本発明の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示す材料であることが好ましい。以下、ホスト材料について具体的に説明する。

ホスト材料となり得る化合物は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

ホスト材料として用いられる低分子化合物（以下、「低分子ホスト」と言う。）について説明する。

［低分子ホスト］
低分子ホストは、好ましくは、下記式（Ｈ−１）で表される化合物である。

［式中、
Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^Ｈ１およびｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０または１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基またはフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、上記式（ＴＤＡ−１）または式（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、上記式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基またはシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

ｎ^Ｈ１は、好ましくは１である。ｎ^Ｈ２は、好ましくは０である。

ｎ^Ｈ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。

ｎ^Ｈ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましくは１である。

Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基または２価の複素環基であることが好ましい。

Ｌ^Ｈ１は、式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜式（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−２１）または式（ＡＡ−２４）〜式（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）または式（ＡＡ−２９）〜式（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）または式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）または式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。

Ｌ^Ｈ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１は、単結合またはアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例は、既に説明したＬ^Ｈ１で表されるアリーレン基または２価の複素環基の定義および例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１は、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｈ２１で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例は、Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２で表されるアリール基および１価の複素環基の定義および例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１が有していてもよい置換基の定義および例は、Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基の定義および例と同様である。

式（Ｈ−１）で表される化合物は、下記式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Ｈ１、Ａｒ^Ｈ２、ｎ^Ｈ３およびＬ^Ｈ１は、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｈ−１）で表される化合物としては、例えば、下記式（Ｈ−１０１）〜式（Ｈ−１１８）で表される化合物が挙げられる。

ホスト材料として用いられる高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う。）としては、例えば、後述する正孔輸送材料である高分子化合物、後述する電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

［高分子ホスト］
ホスト材料として用いられる好ましい高分子化合物について説明する。

高分子ホストは、好ましくは、下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物である。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）または式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）〜式（ＡＡ−２１）、式（ＡＡ−３３）または式（ＡＡ−３４）で表される基であり、更に好ましくは、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）または式（ＡＡ−３３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^ＸＸは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、後述する下記式（Ｙ−１）〜下記式（Ｙ−１０）で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体とを含む組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは下記式（Ｙ−１）〜下記式（Ｙ−３）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは下記式（Ｙ−４）〜下記式（Ｙ−７）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは下記式（Ｙ−８）〜下記式（Ｙ−１０）で表される構成単位である。以下、式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−１０）で表される構成単位について具体的に説明する。

式（Ｙ−１）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−１）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ１は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−１）で表される構成単位は、好ましくは、式（Ｙ−１’）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Ｙ１１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−２）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−２）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基またはＣ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ２は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基であって他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基であって他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは下記式（Ｙ−Ａ１）〜下記式（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは下記式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基は、好ましくは下記式（Ｙ−Ｂ１）〜下記式（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。］

式（Ｙ−２）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−２’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１およびＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

式（Ｙ−３）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−３）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１およびＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

式（Ｙ−３）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−３’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１１およびＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

式（Ｙ−４）〜式（Ｙ−７）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−４）〜下記式（Ｙー７）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−４）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−４’）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｙ−６）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−６’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１およびＲ^Ｙ３は前記と同じ意味を表す。］

式（Ｙ−８）〜式（Ｙ−１０）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−８）〜下記式（Ｙ−１０）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、下記式（Ｙ−１０１）〜下記式（Ｙ−１２１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、下記式（Ｙ−２０１）〜下記式（Ｙ−２０６）で表される２価の複素環基からなる構成単位、下記式（Ｙ−３０１）〜下記式（Ｙ−３０４）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体とを含む組成物を用いた発光素子の輝度寿命をより向上させることができるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜８０モル％であり、より好ましくは３０〜６０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体とを含む組成物を用いた発光素子の電荷輸送性をより向上させることができるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜３０モル％であり、より好ましくは３〜２０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性をより向上させることができるので、更に、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、ａ^Ｘ１およびａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ａ^Ｘ１は、高分子ホストと本発明の金属錯体とを含む組成物を用いた発光素子の輝度寿命をより向上させることができるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^Ｘ２は、高分子ホストと本発明の金属錯体とを含む組成物を用いた発光素子の輝度寿命をより向上させることができるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）または式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基は、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）または式（ＡＡ−７）〜式（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｘ）で表される構成単位は、好ましくは下記式（Ｘ−１）〜下記式（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは下記式（Ｘ−１）〜下記式（Ｘ−６）で表される構成単位であり、更に好ましくは下記式（Ｘ−３）〜下記式（Ｘ−６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性をより向上させることができるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜４０モル％であり、更に好ましくは５〜３０モル％である。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、下記式（Ｘ１−１）〜下記式（Ｘ１−１１）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは下記式（Ｘ１−３）〜下記式（Ｘ１−１０）で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、下記表３の高分子化合物（Ｐ−１）〜（Ｐ−６）が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ． Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、例えば、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応およびＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が挙げられる。

前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、例えば、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。

遷移金属触媒としては、例えば、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行うことができる。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

本発明の金属錯体および溶媒を含有する組成物は塗工液（以下、「インキ」と言う。）の材料または塗工液自体としてとして用いることができる。インキは、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法（塗布法）による発光素子の製造に好適に用いることができる。

インキの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の液体が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。

インキに含まれる溶媒は、好ましくは、インキ中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素化溶媒；ＴＨＦ、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド溶媒が挙げられる。溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

インキにおいて、溶媒の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１０００〜１０００００重量部であり、好ましくは２０００〜２００００重量部である。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。

正孔輸送材料は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。

電子輸送材料は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１〜４００重量部であり、好ましくは５〜１５０重量部である。

正孔注入材料および電子注入材料は、各々、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープされるイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープされるイオンは、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［発光材料］
発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体を含む。

本発明の金属錯体と組み合わせて高い演色性を有する白色の発光色を実現するために、本発明の金属錯体とは異なる発光材料として、発光スペクトルの最大ピーク波長が４９５ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の２種以上の三重項発光錯体を更に用いることが好ましい。

なお、演色性は、例えば、発光スペクトルより、ＪＩＳ Ｚ８７２６−１９９０に記載の方法により算出された平均演色評価数Ｒａにより評価することができる。平均演色評価数Ｒａを算出するに際しては、発光スペクトルとして、本発明の金属錯体および本発明の金属錯体と組み合わせて用いる１種以上の発光材料（例えば、２種以上の三重項発光錯体）のＰＬスペクトルをそれぞれ測定し、それらのＰＬスペクトルを白色発光スペクトルになるように足し合わせて得られるスペクトルを用いてもよい。

本発明の金属錯体と、上記２種以上の三重項発光錯体の含有量との比率を調整することで、発光色を白色に調整することが可能である。

発光素子の発光色は、発光素子の発光色度を測定して色度座標（ＣＩＥ色度座標）を求めることで確認することできる。ここで、白色の発光色とは、プランキアン軌跡における色温度２５００Ｋ〜７０００Ｋの近傍（相関色温度２５００Ｋ〜７０００Ｋ）の発光色を意味し、通常、ＣＩＥ色度座標のＸ座標（ＣＩＥ−ｘ）が０．２５〜０．５５の範囲内であり、かつ、ＣＩＥ色度座標のＹ座標（ＣＩＥ−ｙ）が０．２５〜０．５５の範囲内であり、好ましくは、ＣＩＥ色度座標のＸ座標が０．３０〜０．５０の範囲内であり、ＣＩＥ色度座標のＹ座標が０．３０〜０．５０の範囲内である。

本発明の金属錯体と、上記２種以上の三重項発光錯体とを含む発光素子の発光色を白色に調整するためには、本発明の金属錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長は、好ましくは４００ｎｍ以上４９０ｎｍ以下であり、より好ましくは４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である。

本発明の金属錯体と、上記２種以上の三重項発光錯体とを含む発光素子の発光色を白色に調整するためには、２種以上の三重項発光錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長は、好ましくは５００ｎｍ以上６８０ｎｍ以下であり、より好ましくは５０５ｎｍ以上６３０ｎｍ以下である。

本発明の金属錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長と、上記２種以上の三重項発光錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長とは、発光素子の発光色を白色に調整するためには、互いに異なることが好ましく、その差は、好ましくは１０〜２００ｎｍであり、より好ましくは２０〜１８０ｎｍであり、更に好ましくは４０〜１２５ｎｍである。

本発明の金属錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長と、上記２種以上の三重項発光錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長とが異なる場合、得られる発光素子の発光色を白色に調整するためには、上記２種以上の三重項発光錯体のうち、発光スペクトルの最大ピーク波長が最も短波長側にある三重項発光錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長は、好ましくは５００ｎｍ以上５７０ｎｍ未満であり、より好ましくは５０５ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。また、上記２種以上の三重項発光錯体のうち、発光スペクトルの最大ピーク波長が最も長波長側にある三重項発光錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長は、好ましくは５７０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下であり、より好ましくは５９０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下である。

本発明の金属錯体と、上記２種以上の三重項発光錯体とを含む発光素子の発光色を白色に調整するためには、２種以上の三重項発光錯体の合計含有量は、本発明の金属錯体の含有量を１００重量部とした場合、好ましくは０．０１〜５０重量部であり、より好ましくは０．０５〜３０重量部であり、更に好ましくは０．１〜１０重量部であり、特に好ましくは０．５〜５重量部である。

本発明の金属錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長と、上記２種以上の三重項発光錯体の発光スペクトルの最大ピーク波長とが異なる場合、本発明の金属錯体を含む発光素子の発光色を白色に調整するためには、上記２種以上の三重項発光錯体のうち、発光スペクトルの最大ピーク波長が最も長波長側にある三重項発光錯体の含有量は、発光スペクトルの最大ピーク波長が最も短波長側の三重項発光錯体を１００重量部とした場合、通常、１〜１００００重量部であり、本発明の金属錯体を含む発光素子の色再現性が優れるので、好ましくは５〜１０００重量部であり、より好ましくは１０〜２００重量部である。

本発明の金属錯体と組み合わせて本発明の発光素子中に２種以上含有されていてもよい三重項発光錯体は、好ましくは下記式（ＧＲ）で表される三重項発光錯体（燐光発光性化合物）である。

［式中、
Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子または白金原子を表す。
ｎ^３は１以上の整数を表し、ｎ^４は０以上の整数を表し、ｎ^３＋ｎ^４は２または３である。Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子またはイリジウム原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は３であり、Ｍがパラジウム原子または白金原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は２である。
Ｅ^４は、炭素原子または窒素原子を表す。
環Ｒ^３は、６員環の芳香族複素環を表し、この環Ｒ^３は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ^４は、５員環もしくは６員環の芳香族炭化水素環、または、５員環もしくは６員環の芳香族複素環を表し、環Ｒ^４は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ^４が６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^４は炭素原子である。
環Ｒ^３が有していてもよい置換基と環Ｒ^４が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、または、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｅ^４は、炭素原子であることが好ましい。

Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子またはイリジウム原子の場合、ｎ^３は２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

Ｍがパラジウム原子または白金原子の場合、ｎ^３は２であることが好ましい。

環Ｒ^３は、６員環の芳香族複素環であるが、環Ｒ^３が有する置換基同士が互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成したものであってもよい。環Ｒ^３としては、１つ以上４つ以下の窒素原子を構成原子として有する６員環の芳香族複素環であることが好ましく、１つ以上２つ以下の窒素原子を構成原子として有する６員環の芳香族複素環であることがより好ましく、ピリジン環、ジアザベンゼン環、キノリン環またはイソキノリン環であることが更に好ましく、ピリジン環、キノリン環またはイソキノリン環が特に好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^４は、５員環もしくは６員環の芳香族炭化水素環、または、５員環もしくは６員環の芳香族複素環であるが、環Ｒ^４が有する置換基同士が互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^４としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、ピロール環、フラン環またはチオフェン環であることが好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環またはフルオレン環であることがより好ましく、ベンゼン環であることが更に好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^３および環Ｒ^４が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基ハロゲン原子またはデンドロンが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンがより好ましく、アルキル基、アリール基またはデンドロンが更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。環Ｒ^３および環Ｒ^４が有していてもよい置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合してそれぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。

式（ＧＲ）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子の定義および例は、前述の式（１）で表される金属錯体におけるＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子の定義および例と同様である。但し、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ^３でその数を定義されている配位子とは異なる。

式（ＧＲ）で表される三重項発光錯体は、式（ＧＲ−Ａ１）〜式（ＧＲ−Ａ５）で表される燐光発光性化合物であることが好ましく、式（ＧＲ−Ａ１）、式（ＧＲ−Ａ２）または式（ＧＲ−Ａ５）で表される三重項発光錯体がより好ましい。

［式中、
Ｍ^１、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２、ｎ^３およびｎ^４は前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１Ｃ、Ｒ^２Ｃ、Ｒ^３Ｃ、Ｒ^４Ｃ、Ｒ^５Ｃ、Ｒ^６Ｃ、Ｒ^７ＣおよびＲ^８Ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１Ｃ、Ｒ^２Ｃ、Ｒ^３Ｃ、Ｒ^４Ｃ、Ｒ^５Ｃ、Ｒ^６Ｃ、Ｒ^７ＣおよびＲ^８Ｃが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１ＣとＲ^２Ｃ、Ｒ^２ＣとＲ^３Ｃ、Ｒ^３ＣとＲ^４Ｃ、Ｒ^４ＣとＲ^５Ｃ、Ｒ^５ＣとＲ^６Ｃ、Ｒ^６ＣとＲ^７Ｃ、および、Ｒ^７ＣとＲ^８Ｃは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

Ｒ^１Ｃ、Ｒ^２Ｃ、Ｒ^３Ｃ、Ｒ^４Ｃ、Ｒ^５Ｃ、Ｒ^６Ｃ、Ｒ^７ＣおよびＲ^８Ｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

デンドロンとしては、式（Ｄ−Ａ１）、式（Ｄ−Ａ３）、式（Ｄ−Ｂ１）または式（Ｄ−Ｂ３）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）または式（Ｄ−Ａ３）で表される基であることがより好ましい。

Ｒ^１Ｃ、Ｒ^４Ｃ、Ｒ^５ＣおよびＲ^８Ｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^２Ｃ、Ｒ^３Ｃ、Ｒ^６ＣおよびＲ^７Ｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子またはデンドロンであることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^２Ｃ、Ｒ^３Ｃ、Ｒ^６ＣおよびＲ^７Ｃからなる群から選ばれる少なくとも１つがデンドロンであることが好ましく、Ｒ^２ＣまたはＲ^６Ｃがデンドロンであることがより好ましい。

式（ＧＲ−Ａ１）で表される三重項発光錯体としては、例えば、下記表４〜表６に示される下記式（ＧＲ−Ａ１−１）〜下記式（ＧＲ−Ａ１−２４）で表される三重項発光錯体が挙げられる。

式（ＧＲ−Ａ２）で表される三重項発光錯体は、具体的には下記式（ＧＲ−Ａ２）で表される金属錯体である。

［式中、
Ｍ^１、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２、ｎ^３およびｎ^４は前記と同じ意味を表す。
Ｒ^９Ｃ、Ｒ^１０Ｃ、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^１５Ｃ、Ｒ^１６Ｃ、Ｒ^１７ＣおよびＲ^１８Ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^９Ｃ、Ｒ^１０Ｃ、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^１５Ｃ、Ｒ^１６Ｃ、Ｒ^１７ＣおよびＲ^１８Ｃが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^９ＣとＲ^１０Ｃ、Ｒ^１０ＣとＲ^１１Ｃ、Ｒ^１１ＣとＲ^１２Ｃ、Ｒ^１２ＣとＲ^１３Ｃ、Ｒ^１３ＣとＲ^１４Ｃ、Ｒ^１４ＣとＲ^１５Ｃ、Ｒ^１５ＣとＲ^１６Ｃ、Ｒ^１６ＣとＲ^１７Ｃ、および、Ｒ^１７ＣとＲ^１８Ｃは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

Ｒ^９Ｃ、Ｒ^１０Ｃ、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^１５Ｃ、Ｒ^１６Ｃ、Ｒ^１７ＣおよびＲ^１８Ｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

デンドロンとしては、式（Ｄ−Ａ１）、式（Ｄ−Ａ３）、式（Ｄ−Ｂ１）または式（Ｄ−Ｂ３）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）または式（Ｄ−Ｂ１）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ１）で表される基であることが更に好ましい。

Ｒ^９Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^１５ＣおよびＲ^１８Ｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２ＣおよびＲ^１３Ｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^１０Ｃ、Ｒ^１６ＣおよびＲ^１７Ｃは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子またはデンドロンであることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^１０Ｃ〜Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１６ＣおよびＲ^１７Ｃからなる群から選ばれる少なくとも１つがデンドロンであることが好ましく、Ｒ^１６ＣまたはＲ^１７Ｃがデンドロンであることがより好ましく、Ｒ^１６Ｃがデンドロンであることが更に好ましい。

式（ＧＲ−Ａ２）で表される三重項発光錯体としては、例えば、下記表７に示される下記式（ＧＲ−Ａ２−１）〜下記式（ＧＲ−Ａ２−８）で表される三重項発光錯体が挙げられる。

式（ＧＲ−Ａ３）で表される三重項発光錯体は、具体的には下記式（ＧＲ−Ａ３）で表される金属錯体である。

［式中、Ｍ^１、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２、ｎ^３、ｎ^４、Ｒ^９Ｃ、Ｒ^１０Ｃ、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^１５Ｃ、Ｒ^１６Ｃ、Ｒ^１７ＣおよびＲ^１８Ｃは、前記と同じ意味を表す。］

式（ＧＲ−Ａ３）で表される三重項発光錯体としては、例えば、下記表８に示される下記式（ＧＲ−Ａ３−１）〜下記式（ＧＲ−Ａ３−８）で表される三重項発光錯体が挙げられる。

式（ＧＲ−Ａ４）で表される三重項発光錯体は、具体的には下記式（ＧＲ−Ａ４）で表される金属錯体である。

［式中、Ｍ^１、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２、ｎ^３、ｎ^４、Ｒ^９Ｃ、Ｒ^１０Ｃ、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^１５Ｃ、Ｒ^１６Ｃ、Ｒ^１７ＣおよびＲ^１８Ｃは、前記と同じ意味を表す。］

式（ＧＲ−Ａ４）で表される三重項発光錯体としては、例えば、下記表９に示される下記式（ＧＲ−Ａ４−１）〜下記式（ＧＲ−Ａ４−８）で表される三重項発光錯体が挙げられる。

式（ＧＲ−Ａ５）で表される三重項発光錯体は、具体的には下記式（ＧＲ−Ａ５）で表される金属錯体である。

［式中、
Ｍ^１、Ｒ^１Ｃ、Ｒ^２Ｃ、Ｒ^３Ｃ、Ｒ^４Ｃ、Ｒ^５Ｃ、Ｒ^６Ｃ、Ｒ^７Ｃ、Ｒ^８Ｃ、Ｒ^９Ｃ、Ｒ^１０Ｃ、Ｒ^１１Ｃ、Ｒ^１２Ｃ、Ｒ^１３Ｃ、Ｒ^１４Ｃ、Ｒ^１５Ｃ、Ｒ^１６Ｃ、Ｒ^１７ＣおよびＲ^１８Ｃは、前記と同じ意味を表す。
ｎ^３Ａおよびｎ^４Ａは、それぞれ独立に、１以上の整数を表し、ｎ^３Ａ＋ｎ^４Ａは２または３である。Ｍ^１がイリジウム原子の場合、ｎ^３Ａ＋ｎ^４Ａは３であり、Ｍ^１が白金原子の場合、ｎ^３Ａ＋ｎ^４Ａは２である。］

式（ＧＲ−Ａ５）で表される三重項発光錯体としては、例えば、下記表１０に示される下記式（ＧＲ−Ａ５−１）〜下記式（ＧＲ−Ａ５−１１）で表される三重項発光錯体が挙げられる。なお、式（ＧＲ−Ａ５−１）〜（ＧＲ−Ａ５−１１）において、式（ＧＲ−Ａ５）中のＲ^１Ｃ、Ｒ^４Ｃ、Ｒ^５Ｃ、Ｒ^８Ｃ〜Ｒ^１５ＣおよびＲ^１８Ｃは水素原子を表す。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、０．１〜４００重量部である。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、０．００１〜１０重量部である。

酸化防止剤は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

＜膜＞
本発明の金属錯体を含有する組成物は、膜（層）の形態とすることができる。

本発明の金属錯体（組成物）を含有する膜には、本発明の金属錯体、または他の成分を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本発明の金属錯体または他の成分を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるので、発光素子の機能、特性を損なうことなく更なる多層化、ひいては高性能化が可能となる。

架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、外部量子効率をより向上させることができるので、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。

架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

本発明の金属錯体を含有する膜は、発光素子における発光層、正孔輸送層または正孔注入層として好適である。

本発明の金属錯体を含有する膜は、インキを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法により形成することができる。

本発明の金属錯体を含有する膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を含む発光素子である。発光素子に含有される本発明の金属錯体は、分子内または分子間で架橋されていてもよく、本発明の金属錯体が分子内および分子間で架橋されていてもよい。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を含む層とを有する構成が挙げられる。

［層構成］
本発明の金属錯体を含む層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、および電子輸送層、電子注入層から選ばれる１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。
これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させて調製されたインキを用い、上述した塗布法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層との間に、電子注入層および電子輸送層のうちの少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層および電子注入層の材料としては、例えば、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料および電子注入材料等が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の製造において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層される層の順序、数および厚さは、外部量子効率および輝度寿命を勘案して設定すればよい。

［基板および電極］
発光素子は、通常、基板上に設けられる。発光素子が設けられる基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。

電極のうちの陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド（ＩＺＯ）等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅が挙げられる。

電極のうちの陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上を含む積層構造としてもよい。

［発光素子の用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極とが重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極とを共にストライプ状に形成してこれらの延在方向が互いに直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されない。なお、本実施例中、室温とは、２５±５℃の範囲の温度を意味する。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）およびポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、次のとおりである。

［測定条件］
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でＴＨＦに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。
ＳＥＣの移動相としてＴＨＦを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ−ＭＳ）は、下記の方法で行った。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはＴＨＦに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレントテクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相としては、アセトニトリルおよびＴＨＦをその比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。
カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３−ｄ_１）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ_８）または重アセトン（（ＣＤ_３）_２ＣＯ−ｄ_６）に溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ）製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ ３００）、ＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ製、商品名：ＪＮＭ−ＥＣＸ４００）、または、ＮＭＲ装置（ブルカー（Ｂｒｕｋｅｒ ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）製、商品名：Ａｖａｎｃｅ ＩＩＩ ６００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）による面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにＴＨＦまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびＴＨＦを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／ＴＨＦ＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析として流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜合成例Ｍ１＞ 金属錯体ＣＢ１の合成
まず、下記のスキームに従って、化合物Ｌ１−ａおよび化合物Ｌ１−ｂを用いて化合物Ｌ１を得た。

化合物Ｌ１−ａは、米国特許出願公開第２０１１／００５７５５９号明細書に記載される方法に準じて合成された。

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１−ａ（９．９ｇ）、化合物Ｌ１−ｂ（１５ｇ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（０．１１ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０．１２ｇ）、２０重量％のテトラエチルアンモニウム水溶液（２０ｍＬ）、トルエン（２００ｍＬ）およびエタノール（５０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加えて抽出し、有機層を得た。得られた有機層を、イオン交換水を用いて洗浄した後、減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチルとヘキサンとの混合溶媒）で精製し、更に、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した後、減圧乾燥することで化合物Ｌ１（１７ｇ、収率９０％）を得た。

下記のスキームに従って、化合物Ｌ１から化合物ＣＢ１を得た。

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｌ１（１０ｇ）、塩化イリジウム水和物（２．２ｇ）、２−エトキシエタノール（１２０ｍＬ）および水（４０ｍＬ）を加え、加熱還流下で１４時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、メタノールを加えたところ、沈殿が生じた。得られた沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥することにより、化合物ＣＢ１−ａ（１０ｇ、黄色粉末）を得た。

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＢ１−ａ（９．５ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（３１ｇ）、ジクロロメタン（１００ｍＬ）およびメタノール（３０ｍＬ）を加え、室温で一晩攪拌した。析出した沈殿をろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮した。その後、そこへ、化合物Ｌ１（７．８ｇ）、２，６−ルチジン（６．７ｍＬ）およびジエチレングリコールジメチルエーテル（１８０ｍＬ）を加え、加熱還流下で一晩攪拌した。その後、室温まで冷却し、イオン交換水およびメタノールの混合溶媒を加え、析出した沈殿をろ過して固体を得た。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒）で精製し、更に、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した後、減圧乾燥することで金属錯体ＣＢ１（１．２ｇ、収率６．５％）を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、（ＣＤ_３）_２ＣＯ−ｄ_６）δ（ｐｐｍ）＝８．０１−７．９７（ｍ，９Ｈ），７．９１（ｄ，６Ｈ），７．８１（ｄ，１２Ｈ），７．５９（ｄ，１２Ｈ），７．２５（ｓ，３Ｈ），６．９２−６．８９（ｍ，６Ｈ），６．５７（ｔ，３Ｈ），５．８７−５．８１（ｍ，６Ｈ），２．８９−２．８６（ｍ，３Ｈ），２．５２−２．４８（ｍ，３Ｈ），１．８７（ｓ，１２Ｈ），１．４２（ｓ，３６Ｈ），１．３８（ｄ，９Ｈ），１．１６（ｄ，９Ｈ），１．１２（ｄ，９Ｈ），１．０７（ｄ，９Ｈ），０．８０（５４Ｈ）．

＜合成例Ｍ２＞ 化合物Ｓ１の合成
下記のスキームに従って、化合物Ｓ１を得た。

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノール（２５０．００ｇ、１．２１ｍｏｌ、Ａｌｄｒｉｃｈ製）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（１７７．６４ｇ、１．４５ｍｏｌ）およびジクロロメタン（３１００ｍＬ）を加え、これを５℃に氷冷した。その後、これに、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３７６．０６ｇ、１．３３ｍｏｌ）を４５分間かけて滴下した。滴下終了後、氷冷下で３０分間攪拌し、次いで、室温に戻して更に１．５時間攪拌して反応混合物を得た。得られた反応混合物にヘキサン（３１００ｍＬ）を加え、この反応混合物を、４１０ｇのシリカゲルを用いてろ過してろ液を得て、更に、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒（２．５Ｌ）でろ過に用いたシリカゲルを洗浄して洗浄液を得た。得られたろ液と洗浄液とを濃縮し、無色オイル状の化合物Ｓ１−ａ（４１０．９４ｇ、１．２１ｍｏｌ、ＬＣ純度９９．７％）を得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ１−ａ（４１０．９４ｇ、１．２１ｍｏｌ）、ビス（ピナコレート）ジボロン（３３８．４７ｇ、１．３３ｍｏｌ）、酢酸カリウム（２３７．８３ｇ、２．４２ｍｏｌ）、１，４−ジオキサン（２６００ｍＬ）、酢酸パラジウム（４．０８ｇ、０．０１８ｍｏｌ）およびトリシクロヘキシルホスフィン（１０．１９ｇ、０．０３６ｍｏｌ）を加え、２時間還流した。室温まで冷却後、得られた反応混合物をろ過してろ液を集め、さらにろ過物を１，４−ジオキサン（２．５Ｌ）で洗浄し、得られたろ液と洗浄液とを濃縮した。この濃縮により得られた残渣を、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒に溶解させ、７７０ｇのシリカゲルを用いてろ過してろ液を得て、更に、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒（２．５Ｌ）でろ過に用いたシリカゲルを洗浄して洗浄液を得た。得られたろ液と洗浄液とを濃縮し、得られた残渣にメタノール（１５００ｍＬ）を加えて３０分間超音波洗浄を行った。その後、得られた混合物をろ過することにより、化合物Ｓ１−ｂ（２７４．２７ｇ）を得た。ろ液と洗浄液とを濃縮し、得られた残渣にメタノールを加え、超音波洗浄を行い、ろ過する操作を繰り返すことことにより、化合物Ｓ１−ｂ（１４．２９ｇ）を得た。得られた化合物Ｓ１−ｂの合計の収量は２８８．５６ｇであった。

＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、１，３−ジブロモベンゼン（１０２．４８ｇ、０．４３４ｍｏｌ）、化合物Ｓ１−ｂ（２８８．５６ｇ、０．９１２ｍｏｌ）、トルエン（２１００ｍＬ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９６２．３８ｇ、１．３１ｍｏｌ）およびビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（３．０４ｇ、０．００４ｍｏｌ）を加え、７時間還流した。室温に冷却後、水層と有機層を分離し、（第１）有機層を集めた。この水層にトルエン（１Ｌ）を加えて、（第２）有機層をさらに抽出した。得られた（第１および第２）有機層を合わせて、これを蒸留水／飽和食塩水（１．５Ｌ／１．５Ｌ）の混合水溶液で洗浄した。得られた有機層を４００ｇのシリカゲルでろ過してろ液を得、更にトルエン（２Ｌ）でろ過に用いたシリカゲルを洗浄して洗浄液を得た。得られたろ液と洗浄液とを濃縮し、得られた残渣をヘキサンに溶解させて溶解液を得た。この溶解液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。展開溶媒であるヘキサンで不純物を溶出させた後に、ヘキサン／ジクロロメタン（１０／１（体積基準））の混合溶媒で展開した。得られた各フラクションを減圧濃縮により溶媒を除去し、無色結晶の化合物Ｓ１−ｃ（１５４．０８ｇ、ＬＣ純度９９．１％）、および、粗製の化合物Ｓ１−ｃ（３８．６４ｇ、ＬＣ純度８３％）を得た。この粗製の化合物Ｓ１−ｃを再び上記と同様の展開条件にてカラム精製し、溶媒を減圧留去し、化合物Ｓ１−ｃ（２８．４ｇ、ＬＣ純度９９．６％）を得た。得られた化合物Ｓ１−ｃの合計の収量は１８２．４８ｇ（０．４０ｍｏｌ）であった。

＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ１−ｃ（１８２、４８ｇ、０．４０１ｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（１１２．０９ｇ、０．４４１ｍｏｌ）、４，４’−ジ-ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ジピリジル（３．２３ｇ、０．０１２ｍｏｌ）、シクロヘキサン（２０００ｍＬ）およびビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μ−メトキシジイリジウム（Ｉ）（３．９９ｇ、０．００６ｍｏｌ）を加え、２時間還流した。室温まで空冷後、得られた反応混合物を攪拌しながらシリカゲル（２２０ｇ）を２０分間かけて加えた。得られた懸濁液を４４０ｇのシリカゲルでろ過し、さらにジクロロメタン（２Ｌ）でシリカゲルを洗浄し、溶液を濃縮した。得られた残渣に、メタノール（１１００ｍＬ）およびジクロロメタン（１１０ｍＬ）を加え、１時間還流した。室温まで冷却後、これをろ過した。得られたろ過物をメタノール（５００ｍＬ）で洗浄し、得られた固体を乾燥させて、化合物Ｓ１（２２０．８５ｇ、０．３８０ｍｏｌ）を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．００（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），７．９２（ｔ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，１Ｈ），７．６０（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４４（ｔ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ)，１．７８（ｓ，４Ｈ），１．４１（ｓ，１２Ｈ)，１．３７（ｓ，１２Ｈ)，０．７５（ｓ，１８Ｈ）．

＜合成例Ｍ３＞ 三重項発光錯体Ｇ１の合成
下記のスキームに従って、化合物Ｇ１−ａから化合物Ｇ１を得た。

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｇ１−ａ（３６．１７ｇ）、化合物Ｓ１（９４．２０ｇ）、トルエン（１５４５ｍＬ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３４１．２８ｇ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８．９２７ｇ）を加え、８０℃で４時間攪拌した。室温まで冷却後、得られた反応液に水（１５４５ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層を、水（１５４５ｍＬ）で２回、食塩水（１５４５ｍＬ）で１回洗浄した。得られた有機層を、１８８ｇのシリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧下で濃縮した。得られた残渣に、トルエン（２３５ｇ）およびメタノール（１１７４ｇ）を加え、６０℃で３０分間加熱した。その後、これを氷浴で５℃に冷却し、固体を析出させた。得られた固体をろ過し、冷メタノールで洗浄した。得られた固体を減圧乾燥させることにより、上記式Ｇ１−ｂで表される化合物Ｇ１−ｂ（８２．０ｇ）を得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、塩化イリジウム三水和物（１１．５１ｇ）およびイオン交換水（１１４ｍＬ）を加え、５０℃に加温して溶解させた。容器内の雰囲気を窒素ガス雰囲気とした別の反応容器に、化合物Ｇ１−ｂ（４３．８０ｇ）、２−エトキシエタノール（７９２ｍＬ）およびイオン交換水（５７ｍＬ）を加え、１００℃で１時間加熱攪拌した。その後、この溶液に、先に準備した塩化イリジウム水溶液（全量）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、１２０℃で１５時間攪拌した。室温まで冷却後、得られた反応混合物にメタノール（２０７ｇ）を加え、ろ過して固体を得た。得られた固体を、メタノール（２０７ｇ）で４回、ヘキサン（１１５ｇ）で１回洗浄した。得られた固体を減圧乾燥させることにより、化合物Ｇ１の中間体（４２．８８ｇ）を得た。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｇ１の中間体（７．６１ｇ）、化合物Ｇ１−ｂ（１６．０５ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１．６３ｇ）およびジエチレングリコールジメチルエーテル（７９ｍＬ）を加え、１６０℃で１６時間撹拌した。室温まで冷却後、得られた反応混合物にメタノール（３０４ｍＬ）を加え、生じた沈澱をろ過した。ろ過により得られた沈澱を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝４／６．５（体積基準）の混合溶媒）で精製し、減圧下で溶媒を除去した。得られた残渣（８．０５ｇ）をジクロロメタン（８０ｍＬ）に溶解させ、この溶液にメタノール（８０ｍＬ）を加えた。生じた沈澱をろ別して集め、これを減圧乾燥させることにより、化合物Ｇ１（６．２５ｇ）を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０９（ｍ，３Ｈ），８．０１（ｓ，６Ｈ），７．８４（ｍ，３Ｈ），７．７２（ｄ，３Ｈ），７．５７（ｍ，６Ｈ），７．４２（ｄ，１２Ｈ），７．１９（ｄ，１２Ｈ），７．０３（ｄ，３Ｈ），６．９６−６．８６（ｍ，６Ｈ)，１．６５（ｓ，１２Ｈ），１．２４（ｓ，３６Ｈ），０．６３（ｓ，５４Ｈ）．

＜合成例Ｍ４＞ 三重項発光錯体Ｇ２の合成

上記式Ｇ２で表される三重項発光錯体Ｇ２は、特開２００６−１８８６７３号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例Ｍ５＞ 三重項発光錯体Ｒ１の合成

上記式Ｒ１で表される三重項発光錯体Ｒ１は、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例Ｍ６＞ 三重項発光錯体Ｒ２の合成

上記式Ｒ２で表される三重項発光錯体Ｒ２は、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例Ｍ７＞ 三重項発光錯体Ｒ３の合成

上記式Ｒ３で表される三重項発光錯体Ｒ３は、特開２００６−１８８６７３号公報に記載の方法に従って合成した。

＜実施例１＞ 化合物（Ｂ１）の合成
下記式Ｂ１で表される化合物（Ｂ１）（フェイシャル体）を、下記の工程（１）から工程（６−１）を含むスキームに従って合成した（なお、後述する実施例２の化合物（
Ｂ２）（メリジオナル体）の合成のための工程（６−２）についても併せて示した。）。

工程（１）
３−ブロモ−４−フルオロベンゾイルクロリド１３．４ｇ（５６．５ｍｍｏｌ）とピリジン１１．５ｇ（１５４ｍｍｏｌ）とを三口フラスコに入れ、三口フラスコ中に２，６−ジメチルアニリン６．２０ｇ（５１．２ｍｍｏｌ）を滴下し、アルゴンガス雰囲気下で１６時間撹拌した。反応終了後、反応液を減圧留去し固体を得た。得られた固体を水中に投入した後、減圧濾過により回収し、化合物（Ｂ１−Ａ）を１４．８ｇ、収率９９％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．１４（ｄｄ，１Ｈ），７．８３−７．９３（ｍ，１Ｈ），７．３０（ｓ，１Ｈ），７．１０−７．２５（ｍ，４Ｈ），２．２７（ｓ，６Ｈ）．

工程（２）
化合物（Ｂ１−Ａ）６．８７ｇ（２１．３ｍｍｏｌ）と五塩化リン４．３９ｇ（２１．４ｍｍｏｌ）を三口フラスコに入れた後、三口フラスコ中に塩化ホスホリル６０ｍＬを滴下し、アルゴンガス雰囲気下で１６時間加熱還流した。室温まで冷却した後、塩化ホスホリルを減圧留去した。ここへ２−プロパノール６０ｍＬを加え、さらにアミノアセトアルデヒドジメチルアセタール４４．０ｇ（０．４２ｍｏｌ）を滴下した。１６時間撹拌した後、１２Ｍの塩酸を滴下し１６時間加熱還流した。反応終了後、析出してきた黒色固体をろ別してろ液を得た。得られたろ液に水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを９程度としてから、トルエンを加えて抽出し、黒色オイル状の生成物を回収した。この生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチルとジクロロメタンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、化合物（Ｂ１−Ｂ）を４．７３ｇ、収率６４％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．７４（ｄｄ，１Ｈ），７．２８−７．３２（ｍ，２Ｈ），７．１７（ｄ，２Ｈ），７．１３−７．１６（ｍ，１Ｈ），６．８８−６．９３（ｍ，２Ｈ），１．９７（ｓ．６Ｈ）．

工程（３）
化合物（Ｂ１−Ｂ）４．９３ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ１−Ｇ）８．０４ｇ（１７．２ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン０．７６ｇ（２．８６ｍｍｏｌ）、トルエン３０ｍＬ、エタノール１５ｍＬ、２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガスを１５分間通気した後、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド０．５２ｇ（０．７２ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンガス雰囲気下で１６時間加熱還流した。室温まで冷却した後、トルエンを加え抽出し、油層を回収した。油層を減圧濃縮し、得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチルとジクロロメタンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、化合物（Ｂ１−Ｃ）を８．６８ｇ、収率９９％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝７．８６（ｔ，１Ｈ），７．７４−７．８０（ｍ，１Ｈ），７．６９（ｄｔ，４Ｈ），７．６０（ｄｔ，４Ｈ），７．４４（ｔ，１Ｈ），７．３６（ｄｄ，２Ｈ），７．２８（ｄ，１Ｈ），７．２１−７．２７（ｍ，２Ｈ），７．１４−７．２０（ｍ，２Ｈ），２．０８（ｓ，６Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）．

工程（４）
塩化イリジウムｎ水和物４００ｍｇ（１．１４ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ１−Ｃ）１．５１ｇ（２．４９ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール３６ｍＬ、および水１８ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で１６時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液を減圧濃縮した。ここへ水２０ｍＬを加えて、析出した黄色固体をろ別し、水とメタノールとで洗浄し、黄色粉末として化合物（Ｂ１−Ｄ）を１．６６ｇ得た。得られた化合物（Ｂ１−Ｄ）はこれ以上精製せず用いた。

工程（５）
化合物（Ｂ１−Ｄ）１．６５ｇ（０．５７３ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀３０９ｍｇ（１．２０ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン６０ｍＬ、およびメタノール６０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で２１．５時間加熱還流した。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し、ここへナトリウムアセチルアセトナート７００ｍｇ（５．７３ｍｍｏｌ）、アセトニトリル１００ｍＬを加え、アルゴンガス雰囲気下で１７時間加熱還流した。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し、ここへジクロロメタン１００ｍＬを加えろ過した。ろ液を減圧留去し、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、化合物（Ｂ１−Ｅ）を１．０３ｇ、収率６０％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝７．７０（ｓ，２Ｈ），７．６０（ｄ，８Ｈ），７．５５（ｄ，８Ｈ），７．３１−７．４１（ｍ，１４Ｈ），６．４４（ｄ，２Ｈ），６．３９（ｄ，２Ｈ），５．３３（ｓ，１Ｈ），２．２４（ｓ，６Ｈ），２．１３（ｓ，６Ｈ），１．８０（ｓ，６Ｈ），１．３６（ｓ，３６Ｈ）．

工程（６−１）（フェイシャル体の化合物（Ｂ１）の合成）
化合物（Ｂ１−Ｅ）５００ｍｇ（０．３１ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ１−Ｃ）３００ｍｇ（０．４９ｍｍｏｌ）、グリセリン１０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、２２５℃付近の温度で２６時間加熱して反応させた。室温まで冷却し、メタノール５０ｍＬを加え、生成した固体をろ過することで回収した。引き続いて、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、フェイシャル体の化合物（Ｂ１）を９２ｍｇ、収率１５％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝７．６９（ｓ，３Ｈ），７．６２（ｄ，１２Ｈ），７．５７（ｄ，１２Ｈ），７．３３−７．４０（ｍ，１２Ｈ），７．２５（ｓ，３Ｈ），７．１９（ｔ，３Ｈ），６．９５（ｓ，３Ｈ），６．７６（ｄ，３Ｈ），６．５９（ｄ，３Ｈ），２．２１（ｓ，９Ｈ），１．９９（ｓ，９Ｈ），１．２６（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例２＞ メリジオナル体の化合物（Ｂ２）の合成
下記式Ｂ２で表される化合物（Ｂ２）（メリジオナル体）を、上記の工程（１）から工程（５）に引き続いて行われる下記の工程（６−２）により合成した。

工程（６−２）（メリジオナル体の化合物（Ｂ２）の合成）
実施例１の工程（５）で得られた化合物（Ｂ１−Ｅ）５００ｍｇ（０．３１ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ１−Ｃ）３００ｍｇ（０．４９ｍｍｏｌ）、エチレングリコール１０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、３時間加熱還流した。室温まで冷却し、メタノール５０ｍＬを加え、生成した固体をろ過することで回収した。引き続いて、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）を用いて分離精製し、メリジオナル体の化合物（Ｂ２）を１６５ｍｇ、収率２６％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝７．６８−７．７１（ｍ，３Ｈ），７．５５−７．６４（ｍ，２４Ｈ），７．１８−７．４３（ｍ，１６Ｈ），７．１１（ｓ，２Ｈ），６．９３−６．９６（ｍ，２Ｈ），６．８４（ｄ，１Ｈ），６．７９（ｓ，１Ｈ），６．６５−６．７２（ｍ，３Ｈ），６．５７（ｔ，２Ｈ），２．２２−２．２５（ｍ，９Ｈ），２．０６（ｓ，３Ｈ），１．９７−１．９９（ｍ，６Ｈ），１．３８（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例３＞ 化合物（Ｂ３）の合成
下記式Ｂ３で表される化合物（Ｂ３）（フェイシャル体）を、下記の工程（１）から工程（６）を含むスキームに従って合成した。

工程（１）
３−（トリフルオロメチル）ベンゾイルクロリド７．７９ｇ（３７．４ｍｍｏｌ）とピリジン３ｍＬ、クロロホルム２０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で４−ブロモ−２，６−ジメチルアニリン６．７６ｇ（３３．８ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１６時間撹拌した。反応終了後、反応液を減圧留去し淡黄色固体を得た。得られた淡黄色固体をジクロロメタンを用いて再結晶し、化合物（Ｂ３−Ａ）を１０．２ｇ、収率８１％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．１６（ｓ，１Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ），７．８４（ｄ，１Ｈ），７．６６（ｔ，１Ｈ），７．２９（ｓ，２Ｈ），２．２７（ｓ，６Ｈ）．

工程（２）
化合物（Ｂ３−Ａ）４．２８ｇ（１１．５ｍｍｏｌ）と五塩化リン２．４０ｇ（１１．５ｍｍｏｌ）とを三口フラスコに入れた後、塩化ホスホリル５ｍＬを滴下し、アルゴンガス雰囲気下で５時間加熱還流した。室温まで冷却した後、塩化ホスホリルを減圧留去した。ここへ２−プロパノール１０ｍＬを加え、さらにアミノアセトアルデヒドジメチルアセタール１０．５ｇ（９９．９ｍｍｏｌ）を滴下した。５時間撹拌した後、１２Ｍの塩酸を滴下して１６時間加熱還流した。反応終了後、析出してきた黒色固体をろ別し水で洗浄した。この黒色固体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶離液：ジクロロメタン）により分離精製し、化合物（Ｂ３−Ｂ）を３．４３ｇ、収率７５％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８３（ｓ，１Ｈ），７．５２（ｄ，１Ｈ），７．３５−７．４３（ｍ，５Ｈ），６．９３（ｓ，１Ｈ），１．９４（ｓ，６Ｈ）．

工程（３）
塩化イリジウムｎ水和物１．１１ｇ（３．１５ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ３−Ｂ）２．６０ｇ（６．５８ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール１００ｍＬ、および水５０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で１６時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液を減圧濃縮した。ここへ水５０ｍＬを加え、析出した黄色固体をろ別し、水とメタノールとで洗浄し、黄色粉末として化合物（Ｂ３−Ｃ）を３．２０ｇ得た。この化合物（Ｂ３−Ｃ）はこれ以上精製せず用いた。

工程（４）
化合物（Ｂ３−Ｃ）３．４３ｇ（１．６９ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀９２０ｍｇ（３．５８ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン８０ｍＬ、およびメタノール８０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で１７時間加熱還流した。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し、ここへナトリウムアセチルアセトナート７９１ｍｇ（６．４８ｍｍｏｌ）、アセトニトリル１００ｍＬを加え、アルゴンガス雰囲気下で１８時間加熱還流した。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し、ジクロロメタン２００ｍＬを加え、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮し、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとトルエンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、化合物（Ｂ３−Ｄ）を２．４７ｇ、収率８２％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．４８（ｓ，４Ｈ），７．２５（ｓ，２Ｈ），６．９７（ｓ，２Ｈ），６．７９（ｄ，２Ｈ），６．５９（ｄ，２Ｈ），６．３０（ｓ，２Ｈ），５．２６（ｓ，１Ｈ），２．１３（ｓ，６Ｈ），２．０５（ｓ，６Ｈ），１．８３（ｓ，６Ｈ）．

工程（５）
化合物（Ｂ３−Ｄ）１．５１ｇ（１．３９ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ３−Ｂ）８１８ｍｇ（２．０７ｍｍｏｌ）、エチレングリコール１０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、１６０℃で１５時間加熱反応した。室温まで冷却し、水５０ｍＬを加え、生成した固体をろ過することで回収した。引き続いて、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）を用いて分離精製した。フェイシャル体の化合物（Ｂ３−Ｅ）を１．１８ｇ、収率６２％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．４３（ｓ，６Ｈ），６．８２（ｄ，６Ｈ），６．７９（ｓ，３Ｈ），６．７２（ｄ，３Ｈ），６．３９（ｄ，３Ｈ），２．０８（ｓ，９Ｈ），１．８４（ｓ，９Ｈ）．

工程（６）
化合物（Ｂ３−Ｅ）１．８３ｇ（１．３３ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ３−Ｇ）２．８３ｇ（６．０４ｍｍｏｌ）、トルエン８０ｍＬ、エタノール１５ｍＬ、２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液２５ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガスを１５分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．４８６ｇ（０．４２ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンガス雰囲気下で６２時間加熱還流した。室温まで冷却した後、トルエンを加え抽出し、油層を回収した。油層を減圧濃縮して、得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、フェイシャル体の化合物（Ｂ３）を０．８５１ｇ、収率３０％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝７．８５（ｄ，６Ｈ），７．８０（ｄｄ，９Ｈ），７．６６（ｔ，１２Ｈ），７．４５（ｄｔ，１２Ｈ），７．２６（ｄ，３Ｈ），６．８２−６．８６（ｍ，６Ｈ），６．７５（ｄｄ，３Ｈ），６．４３（ｄ，３Ｈ），２．１７（ｓ，９Ｈ），１．８７（ｓ，９Ｈ），１．２６（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例４＞ 化合物（Ｂ４）の合成
下記式Ｂ４で表される化合物（Ｂ４）（フェイシャル体）を、下記の工程（１）から工程（６−１）を含むスキームに従って合成した（なお、後述する実施例５の化合物（Ｂ５）（メリジオナル体）の合成のための工程（６−２）についても併せて示した。）。

工程（１）
４−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）ベンゾイルクロリド５．０８ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）とピリジン３ｍＬ、クロロホルム２０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で４−ブロモ−２，６−ジメチルアニリン４．４５ｇ（２２．２ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１６時間撹拌した。反応終了後、反応液を減圧留去し固体を得た。これをジクロロメタンとヘキサンとを用いて再結晶し、化合物（Ｂ４−Ａ）を８．４７ｇ、収率９８％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．１８（ｄ，１Ｈ），８．１２−８．１５（ｍ，１Ｈ），７．３５（ｔ，１Ｈ），７．２９（ｓ，２Ｈ），２．２５（ｓ，６Ｈ）．

工程（２）
化合物（Ｂ４−Ａ）３．５４ｇ（９．０７ｍｍｏｌ）と五塩化リン１．７１ｇ（８．２３ｍｍｏｌ）を三口フラスコに入れた後、塩化ホスホリル１０ｍＬを滴下し、アルゴンガス雰囲気下で５時間加熱還流した。室温まで冷却した後、塩化ホスホリルを減圧留去した。ここへ２−プロパノール２０ｍＬを加え、さらにアミノアセトアルデヒドジメチルアセタール９．３７ｇ（８９．１ｍｍｏｌ）を滴下した。５時間撹拌した後、１２Ｍの塩酸１５ｍＬを滴下し、１６時間加熱還流した。反応終了後、１０％の水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを７に調整し、析出してきた固体をろ別して水で洗浄した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒）により分離精製し、化合物（Ｂ４−Ｂ）を２．６３８ｇ、収率７８％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．７９（ｄ，１Ｈ），７．４１（ｍ，１Ｈ），７．３５（ｍ，３Ｈ），７．０５（ｔ，１Ｈ），６．９１（ｓ，１Ｈ），１．９４（ｓ，６Ｈ）．

工程（３）
塩化イリジウムｎ水和物１５２ｍｇ（０．４３ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ４−Ｂ）３４９ｍｇ（０．８４ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール１４ｍＬ、および水７ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で１６時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液を減圧濃縮した。ここへ水７ｍＬを加え、析出した黄色固体をろ別し、水とメタノールとで洗浄し、黄色粉末として化合物（Ｂ４−Ｃ）を４０１ｍｇ得た。化合物（Ｂ４−Ｃ）はこれ以上精製せず用いた。

工程（４）
化合物（Ｂ４−Ｃ）４０１ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀１０６．８ｍｇ（０．４２ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン３０ｍＬ、およびメタノール１０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で１７時間加熱還流した。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し、ここへナトリウムアセチルアセトナート９６．２ｍｇ（０．７８ｍｍｏｌ）、アセトニトリル３０ｍＬを加え、アルゴンガス雰囲気下で２時間加熱還流した。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し、ここへジクロロメタン１００ｍＬを加えろ過した。ろ液を減圧留去し、得られた褐色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）を用いて分離精製した。黄色粉末として化合物（Ｂ４−Ｄ）を３０６ｍｇ、収率７２％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．４７（ｄ，４Ｈ），７．２０（ｄ，２Ｈ），６．９８（ｄ，２Ｈ），６．２６（ｄ，２Ｈ），６．１７（ｄ，２Ｈ），５．２８（ｓ，１Ｈ），２．１２（ｓ，６Ｈ），２．０４（ｓ，６Ｈ），１．８５（ｓ，６Ｈ）．

工程（５）
化合物（Ｂ４−Ｄ）２８０ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ４−Ｂ）１２７ｍｇ（０．３１ｍｍｏｌ）、エチレングリコール１５ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下、１５０℃で１５時間加熱反応した。室温まで冷却し、水５０ｍＬを加え、生成した固体をろ過することで回収した。引き続いて、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンの混合溶媒）を用いて分離精製したところ、フェイシャル体の化合物（Ｂ４−Ｅ）およびメリジオナル体の化合物（Ｂ４−Ｅ）がそれぞれ得られた。

フェイシャル体の化合物（Ｂ４−Ｅ）の収量は５５．２ｍｇ、収率１５％であった。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．４５（ｓ，６Ｈ），６．８０（ｄ，３Ｈ），６．６６（ｄ，３Ｈ），６．４８（ｄ，３Ｈ），６．３６（ｄ，３Ｈ），２．０８（ｓ，９Ｈ），１．８６（ｓ，９Ｈ）．

また、メリジオナル体の化合物（Ｂ４−Ｅ）の収量は２０７ｍｇ、収率５８％であった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．３９−７．４８（ｍ，６Ｈ），６．８１（ｓ，１Ｈ），６．６９−６．７２（ｍ，３Ｈ），６．５９−６．６４（ｍ，３Ｈ），６．４０−６．４７（ｍ，３Ｈ），６．３７（ｔ，２Ｈ），２．１１（ｓ，３Ｈ），２．０７（ｄ，６Ｈ），１．９３（ｓ，３Ｈ），１．８４（ｄ，６Ｈ）．

工程（６−１）（フェイシャル体の化合物（Ｂ４）の合成）
フェイシャル体の化合物（Ｂ４−Ｅ）１．６０ｇ（１．１２ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ４−Ｇ）１．６９ｇ（３．６２ｍｍｏｌ）、トルエン４０ｍＬ、エタノール１５ｍＬ、２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガスを１５分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．２８７６ｇ（０．２４９ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンガス雰囲気下で１３時間加熱還流した。室温まで冷却した後、トルエンを加えて抽出し、油層を回収した。油層を減圧濃縮して、得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒）を用いて分離精製した。フェイシャル体の化合物（Ｂ４）を１．３９ｇ、収率５６％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８３（ｓ，３Ｈ），７．７７（ｓ，６Ｈ），７．６４（ｄ，１２Ｈ），７．５７（ｄ，６Ｈ），７．５３（ｄ，１２Ｈ），６．９３（ｓ，３Ｈ），６．７５（ｓ，３Ｈ），６．５５（ｄ，３Ｈ），６．４５（ｄ，３Ｈ），２．２０（ｓ，９Ｈ），１．９９（ｓ，９Ｈ），１．３７（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例５＞ 金属錯体Ｂ５の合成
下記式Ｂ５で表される化合物（Ｂ５）（メリジオナル体）を、上記の工程（１）から工程（５）に引き続いて行われる下記の工程（６−２）により合成した。

工程（６−２）（メリジオナル体の化合物（Ｂ５）の合成）
実施例４の工程（５）で得られたメリジオナル体の化合物（Ｂ４−Ｅ）５３１ｍｇ（０．３７１ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ４−Ｇ）５４８ｍｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、トルエン２０ｍＬ、２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液１０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガスを１５分間通気した後、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）１４４ｍｇ（０．１２５ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンガス雰囲気下で１５時間加熱還流した。室温まで冷却した後、トルエンを加えて抽出し、油層を回収した。油層を減圧濃縮して、得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、メリジオナル体の化合物（Ｂ５）を２３７ｍｇ、収率２９％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２−７．８４（ｍ，３Ｈ），７．７６−７．７８（ｍ，６Ｈ），７．６３−７．６８（ｍ，１２Ｈ），７．５１−７．５７（ｍ，１８Ｈ），６．９４（ｓ，１Ｈ），６．８５（ｍ，１Ｈ），６．７７−６．８１（ｍ，２Ｈ），６．７０−６．７４（ｍ，２Ｈ），６．６６−６．６７（ｍ，１Ｈ），６．５３−６．５７（ｍ，３Ｈ），６．４５−６．５０（ｍ，２Ｈ），２．２４（ｓ，３Ｈ），２．１９（ｓ，６Ｈ），２．０６（ｓ，３Ｈ），１．９７（ｓ，６Ｈ），１．３９（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例６＞化合物（Ｂ６−Ｆ）の合成
下記式（Ｂ６−Ｆ）で表される化合物（Ｂ６−Ｆ）を、下記の工程（１）から工程（６）を含むスキームに従って合成した。

工程（１）
４−ブロモ−２，６−ジメチルアニリン１．４３ｇ（７．１５ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ６−Ｇ）４．０３ｇ（８．６０ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン２７９ｍｇ（１．０６ｍｍｏｌ）、Ｋ_３ＰＯ_４６．３９９１ｇ（３０．１ｍｍｏｌ）、トルエン３０ｍＬ、エタノール１５ｍＬ、水１５ｍＬ、２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液１０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガスを１５分間通気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム５０８ｍｇ（０．５５ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンガス雰囲気下で３時間加熱還流した。室温まで冷却した後、トルエンを加え抽出し、油層を回収した。油層を減圧濃縮して、得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、化合物（Ｂ６−Ａ）を２．５３ｇ、収率７６％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．６９（ｍ，３Ｈ），７．６１（ｄ，４Ｈ），７．５０（ｄ，４Ｈ），７．２９（ｓ，２Ｈ），３．６７（ｓ，２Ｈ），２．２６（ｓ，６Ｈ），１．３８（ｓ，１８Ｈ）．

工程（２）
３−ブロモベンゾイルクロリド２．００ｇ（９．１２ｍｍｏｌ）とピリジン２ｍＬ、ジクロロメタン５０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で化合物（Ｂ６−Ａ）３．３１ｇ（７．１７ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で１６時間撹拌した。反応終了後、反応液を減圧留去し固体を得た。これをジクロロメタンとヘキサンとを用いて再結晶し、化合物（Ｂ６−Ｂ）を３．９１ｇ、収率８５％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝８．０９（ｓ，１Ｈ），７．８６（ｄ，１Ｈ），７．７７（ｓ，１Ｈ），７．７３−７．７６（ｍ，３Ｈ），７．６３（ｄ，４Ｈ），７．５１（ｓ，４Ｈ），７．３６−７．４４（ｓ，４Ｈ），２．３７（ｓ，６Ｈ），１．３８（ｓ，１８Ｈ）．

工程（３）
化合物（Ｂ６−Ｂ）２．４９ｇ（３．８６ｍｍｏｌ）と五塩化リン７７８ｍｇ（３．７４ｍｍｏｌ）とを三口フラスコに入れた後、塩化ホスホリル２０ｍＬを滴下し、アルゴンガス雰囲気下で５時間加熱還流した。室温まで冷却した後、塩化ホスホリルを減圧留去した。ここへ２−プロパノール４０ｍＬを加え、さらにアミノアセトアルデヒドジメチルアセタール７．８２ｇ（７４．４ｍｍｏｌ）を滴下した。７時間撹拌した後、１２Ｍの塩酸２０ｍＬを滴下して１６時間加熱還流した。反応終了後、２−プロパノールを減圧留去したのち、１０％の水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを１１に調整し、ジクロロメタンで抽出して生成物を回収した。この生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタンと酢酸エチルとの混合溶媒）を用いて分離精製し、化合物（Ｂ６−Ｃ）を２．２９ｇ、収率９１％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．７７−７．８１（ｍ，４Ｈ），７．６４（ｄ，４Ｈ），７．４８−７．５２（ｍ，６Ｈ），７．３６−７．３８（ｍ，２Ｈ），７．１９（ｄ，１Ｈ），７．０５（ｔ，１Ｈ），６．９８（ｓ，１Ｈ），２．０４（ｓ，６Ｈ），１．３９（ｓ，１８Ｈ）．

工程（４）
化合物（Ｂ６−Ｃ）１．６０ｇ（２．３ｍｍｏｌ）、シアン化銅（Ｉ）４３３ｍｇ（４．９ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３０ｍＬを、アルゴンガス雰囲気下、１７５℃で４０時間加熱して反応させた。反応液を室温まで冷却後、シアン化ナトリウム１．０２ｇ（２０．９ｍｍｏｌ）を溶解させた水２００ｍＬに注いで、５０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却後に反応液をジクロロメタンで抽出し、減圧濃縮して、得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチルとヘキサンとの混合溶媒）を用いて分離精製し、化合物（Ｂ６−Ｄ）を１．２０ｇ、収率８５％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．７９（ｔ，１Ｈ），７．６９−７．７１（ｍ，３Ｈ），７．６４（ｄｄ，４Ｈ），７．５５（ｔ，２Ｈ），７．４３（ｄｄ，４Ｈ），７．３５（ｔ，１Ｈ），７．２２（ｓ，１Ｈ），７．１９（ｓ，１Ｈ），１．９４（ｓ，６Ｈ），１．２５（ｓ，１８Ｈ）．

工程（５）
塩化イリジウムｎ水和物８０ｍｇ（０．０２２ｍｍｏｌ）、化合物（Ｂ６−Ｄ）２７．３ｍｇ（０．０４４ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール２０ｍＬ、および水１０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で１６時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液を減圧濃縮した。ここへ水１０ｍＬを加え、析出した固体をろ別し、水とメタノールとで洗浄し、化合物（Ｂ６−Ｅ）を３２．１ｍｇ得た。この化合物（Ｂ６−Ｅ）はこれ以上精製せず用いた。

工程（６）
化合物（Ｂ６−Ｅ）８０４ｍｇ（０．２８ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀１６１．６ｍｇ（０．６３ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン４０ｍＬ、およびメタノール２０ｍＬを三口フラスコに入れ、アルゴンガス雰囲気下で１７時間加熱還流した。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し、ここへナトリウムアセチルアセトナート１３８．１ｍｇ（１．１３ｍｍｏｌ）、アセトニトリル３０ｍＬを加え、アルゴンガス雰囲気下で３時間加熱還流した。室温まで冷却した後、溶媒を減圧留去し、ここへジクロロメタン１００ｍＬを加えろ過した。ろ液を減圧留去し、得られた褐色固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）を用いて分離精製し、化合物（Ｂ６−Ｆ）を２８５ｍｇ、収率３４％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲの結果は下記のとおりである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝７．９７−８．０３（ｍ，８Ｈ），７．９３（ｓ，２Ｈ），７．７８（ｄ，８Ｈ），７．５７（ｔ，１０Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），６．８４（ｔ，２Ｈ），６．７６（ｄ，２Ｈ），６．４０（ｄ，２Ｈ），５．３４（ｓ，１Ｈ），２．２９（ｓ，６Ｈ），２．２０（ｓ，６Ｈ），１．８０（ｓ，６Ｈ），１．３８（ｓ，３６Ｈ）．

＜ＰＬスペクトル測定＞
ＰＬスペクトルの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を、キシレンに８．０×１０^−４重量％の濃度になるように溶解させて石英セルに封入し、励起光源にキセノンランプ（浜松ホトニクス社製、Ｍｏｄｅｌ Ｅ７５３６）を用い、分光器（浜松ホトニクス社製、Ｍｏｄｅｌ Ａ１００８０−０２）を介して励起波長３００ｎｍで測定試料を励起した。ＰＬスペクトルの測定はマルチチャンネル分光器（浜松ホトニクス社製、ＰＭＡ１２）を用いて行った。

＜金属錯体のＰＬスペクトル＞
金属錯体（化合物）ＣＢ１、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５、Ｇ１、Ｇ２、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のＰＬスペクトル測定を行った。各金属錯体の発光ピーク波長（最大ピーク波長）およびＣＩＥ色度座標（ＣＩＥ−ｘ，ＣＩＥ−ｙ）を表１１に示す。

＜演色性の評価＞
本発明の金属錯体のＰＬスペクトル、および発光スペクトルの最大ピーク波長が４９５ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の２種類の三重項発光錯体のＰＬスペクトルを、プランキアン軌跡上の色温度３５００Ｋ、４０００Ｋ、または５０００Ｋの白色発光スペクトルになるように足し合わせて得られたスペクトルからＪＩＳ Ｚ８７２６−１９９０に記載の方法により、平均演色評価数Ｒａを算出して演色性を評価した。得られたＲａの値が大きいほど、演色性がより高いことを示す。

＜比較例１＞ 金属錯体ＣＢ１の平均演色評価数Ｒａ
金属錯体ＣＢ１のＰＬスペクトルと、金属錯体Ｇ１またはＧ２のＰＬスペクトルと、金属錯体Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３から選ばれる１種類のＰＬスペクトルとを、、プランキアン軌跡上の色温度３５００Ｋ、４０００Ｋ、または５０００Ｋの白色発光スペクトルになるように足し合わせて得られたＰＬスペクトルから既に説明したとおり平均演色評価数Ｒａを算出した。結果を下記表１２に示す。

＜実施例７＞ 金属錯体Ｂ１の平均演色評価数Ｒａ
金属錯体ＣＢ１の代わりに金属錯体Ｂ１を用いた以外は比較例１と同様にして、金属錯体Ｂ１を用いた時の平均演色評価数Ｒａを算出した。結果を下記表１３に示す。

＜実施例８＞ 金属錯体Ｂ２の平均演色評価数Ｒａ
金属錯体ＣＢ１の代わりに金属錯体Ｂ２を用いた以外は比較例１と同様にして、金属錯体Ｂ２を用いた時の平均演色評価数Ｒａを算出した。結果を下記表１４に示す。

＜実施例９＞ 金属錯体Ｂ３の平均演色評価数Ｒａ
金属錯体ＣＢ１の代わりに金属錯体Ｂ３を用いた以外は比較例１と同様にして、金属錯体Ｂ３を用いた時の平均演色評価数Ｒａを算出した。結果を下記表１５に示す。

＜実施例１０＞ 金属錯体Ｂ４の平均演色評価数Ｒａ
金属錯体ＣＢ１の代わりに金属錯体Ｂ４を用いた以外は比較例１と同様にして、金属錯体Ｂ４を用いた時の平均演色評価数Ｒａを算出した。結果を下記表１６に示す。

＜実施例１１＞ 金属錯体Ｂ５の平均演色評価数Ｒａ
金属錯体ＣＢ１の代わりに金属錯体Ｂ５を用いた以外は比較例１と同様にして、金属錯体Ｂ５を用いた時の平均演色評価数Ｒａを算出した。結果を下記表１７に示す。

これらの結果から、本発明の金属錯体を用いれば、金属錯体ＣＢ１を用いた場合と比較して演色性に優れる白色の発光色を実現することができる。

Claims (7)

1. 下記式（１）で表される金属錯体。
   

   

   ［式中、
   ｎ_１は、１、２または３を表す。ｎ_２は、０または１を表す。ｎ_２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０およびＲ^１１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^４とＲ^５、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^７とＲ^８、および、Ｒ^１０とＲ^１１は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。但し、Ｒ ^５ は、フッ素原子を置換基として有するアルキル基、フッ素原子を置換基として有するシクロアルキル基、フッ素原子を置換基として有するアルコキシ基、フッ素原子を置換基として有するシクロアルコキシ基、フッ素原子を置換基として有するアリール基、フッ素原子を置換基として有するアリールオキシ基、フッ素原子を置換基として有する１価の複素環基、フッ素原子またはシアノ基であり、且つ、Ｒ ^４ は、下記式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ２）または（Ｄ−Ａ３）で表される基である。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、単結合、または、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   Ｒ ^ｐ１ 、Ｒ ^ｐ２ およびＲ ^ｐ３ は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基またはハロゲン原子を表す。Ｒ ^ｐ１ およびＲ ^ｐ２ が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   ｎｐ１は、１〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
2. 前記Ｒ ^４ が、前記式（Ｄ−Ａ１）で表される基である、請求項１に記載の金属錯体。
3. 前記ｎ_２が１である、請求項１または２に記載の金属錯体。
4. 前記ｎ_１が３である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属錯体。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属錯体と、
   下記式（Ｈ−１）で表される化合物とを含有する組成物。
   

   

   ［式（Ｈ−１）中、
   Ａｒ^Ｈ１およびＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ｎ^Ｈ１およびｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０または１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
   Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属錯体と、
   正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料と
   を含有する組成物。
7. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属錯体を含む発光素子。