JP7124589B2 - 発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、ディスプレイ及び照明の用途に好適に使用することが可能であり、研究開発が行われている。例えば、特許文献１には、金属錯体Ｃ１、Ｃ２又はＣ３を含有する発光層を有する発光素子が記載されている。

国際公開第２０１６／１８５１８３号

しかし、上述した発光素子は、発光効率が必ずしも十分ではなかった。
そこで、本発明は、発光効率が優れる発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］～［８］を提供する。
［１］
陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた式（１）で表される金属錯体を含有する発光層とを有する発光素子。

［式中、
Ｍ¹はロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ¹は１以上の整数を表し、ｎ²は０以上の整数を表す。但し、Ｍ¹がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ¹＋ｎ²は３であり、Ｍ¹がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ¹＋ｎ²は２である。
環Ｒ^1Aは、ジアゾール環、トリアゾール環又はテトラゾール環を表す。但し、環Ｒ^1Aの少なくとも１つは、ジアゾール環又はトリアゾール環である。
環Ｒ²は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ¹及びＥ²の少なくとも一方は炭素原子である。
Ｒ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
但し、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aの少なくとも１つは窒素原子であり、該窒素原子に結合するＲ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aの少なくとも１つは式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であり、且つ、Ｅ^11A、Ｅ^12A及びＥ^13Aの少なくとも１つは炭素原子であり、該炭素原子に結合するＲ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aの少なくとも１つは、炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であり、該基は置換基を有していてもよい。ｎ^R1は、１以上１５以下の整数を表す。
Ｒ^11AとＲ^12Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^12AとＲ^13Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ²が有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｅ^11Aが窒素原子の場合、Ｒ^11Aは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^12Aが窒素原子の場合、Ｒ^12Aは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^13Aが窒素原子の場合、Ｒ^13Aは存在しても存在しなくてもよい。
Ａ¹－Ｇ¹－Ａ²は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ¹及びＡ²は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ¹は、単結合、又は、Ａ¹及びＡ²とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ¹－Ｇ¹－Ａ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ²は、炭素原子数ｎ^R2のアルキル基を表し、該基は置換基を有していてもよい。ｎ^R2は、１以上１５以下の整数を表す。但し、ｎ^R1とｎ^R2との和は、５以上３０以下である。］
［２］
前記式（１）で表される金属錯体が、式（１－Ａ１）又は式（１－Ａ２）で表される金属錯体である、［１］に記載の発光素子。

［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A、Ｅ^11A、Ｅ^12A、Ｅ^13A、Ｅ²、環Ｒ²及びＡ¹－Ｇ¹－Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
環Ｒ^2Aは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^2Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
但し、式（１－Ａ１）中、Ｒ^11Aの少なくとも１つは前記式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であり、且つ、Ｅ^12A及びＥ^13Aの少なくとも１つは炭素原子であり、該炭素原子に結合するＲ^12A及びＲ^13Aの少なくとも１つは、炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であり、該基は置換基を有していてもよい。式（１－Ａ２）中、Ｒ^12Aの少なくとも１つは前記式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であり、且つ、Ｅ^11A及びＥ^13Aの少なくとも１つは炭素原子であり、該炭素原子に結合するＲ^11A及びＲ^13Aの少なくとも１つは、炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であり、該基は置換基を有していてもよい。］
［３］
前記式（１－Ａ１）で表される金属錯体が、式（１－Ａ１－１）、式（１－Ａ１－２）又は式（１－Ａ１－３）で表される金属錯体である、［２］に記載の発光素子。

［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A及びＡ¹－Ｇ¹－Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、Ｒ^23AとＲ^24A、及び、Ｒ^11AとＲ^21Aは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［４］
前記式（１－Ａ２）で表される金属錯体が、式（１－Ａ２－１）又は式（１－Ａ２－２）で表される金属錯体である、［２］に記載の発光素子。

［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A及びＡ¹－Ｇ¹－Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、Ｒ^23AとＲ^24A、及び、Ｒ^11AとＲ^21Aは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［５］
前記式（Ａｒ－１Ａ）で表される基が、式（Ａｒ－２Ａ）で表される基である、［１］～［４］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、Ｒ²は、前記と同じ意味を表す。
環Ａ¹は、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表す。
Ｅ^1A、Ｅ^2A及びＥ^3Aは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^1Aが窒素原子の場合、Ｒ^1Aは存在しない。Ｅ^2Aが窒素原子の場合、Ｒ^2Aは存在しない。Ｅ^3Aが窒素原子の場合、Ｒ^3Aは存在しない。
Ｒ^1A、Ｒ^2A及びＲ^3Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^1AとＲ^2A、及び、Ｒ^2AとＲ^3Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［６］
前記式（Ａｒ－２Ａ）で表される基が、式（Ａｒ－３Ａ）で表される基である、［５］に記載の発光素子。

［式中、Ｒ²、Ｒ^1A、Ｒ^2A及びＲ^3Aは、前記と同じ意味を表す。］
［７］
前記発光層が、式（Ｈ－１）で表される化合物を更に含有する、［１］～［６］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
Ａｒ^H1及びＡｒ^H2は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^H1及びｎ^H2は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^H1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^H2は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^H3は、０以上１０以下の整数を表す。
Ｌ^H1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、－［Ｃ（Ｒ^H11）₂］ｎ^H11－で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^H1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^H11は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^H11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^H11は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^H2は、－Ｎ（－Ｌ^H21－Ｒ^H21）－で表される基を表す。Ｌ^H2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^H21は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^H21は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［８］
前記発光層が、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、［１］～［７］のいずれかに記載の発光素子。

本発明によれば、発光効率が優れる発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
金属錯体を表す式中、金属との結合を表す実線は、イオン結合、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×10³～１×10⁸である重合体を意味する。
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～50であり、好ましくは３～30であり、より好ましくは４～20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～50であり、好ましくは３～30であり、より好ましくは４～20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、2-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基）が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～50であり、好ましくは３～30であり、より好ましくは４～20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～60であり、好ましくは６～20であり、より好ましくは６～10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～40であり、好ましくは４～10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～40であり、好ましくは４～10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～40であり、好ましくは４～10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～60であり、好ましくは６～48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２～60であり、好ましくは４～20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～30であり、好ましくは３～20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～30であり、好ましくは４～20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～30であり、好ましくは４～20である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２～20であり、好ましくは３～20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４～30であり、好ましくは４～20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４～30であり、好ましくは４～20である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６～60であり、好ましくは６～30であり、より好ましくは６～18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)～式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２～60であり、好ましくは、３～20であり、より好ましくは、４～15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)～式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式(B-1)-式(B-17)のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。但し、アルキル基が有していてもよい置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基である。置換基は架橋基であってもよい。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた式（１）で表される金属錯体を含有する発光層とを有する。

＜発光層＞
発光層は、式（１）で表される金属錯体の１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。

＜式（１）で表される金属錯体＞
式（１）で表される金属錯体は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す金属錯体であり、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。

Ｍ¹は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、イリジウム原子又は白金原子であることが好ましく、イリジウム原子であることがより好ましい。
Ｍ¹がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ¹は２又は３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
Ｍ¹がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ¹は２であることが好ましい。
Ｅ¹及びＥ²は、炭素原子であることが好ましい。

環Ｒ^1Aがジアゾール環である場合、環Ｒ^1Aは、好ましくは、Ｅ^11Aが窒素原子であるイミダゾール環、又は、Ｅ^12Aが窒素原子であるイミダゾール環であり、より好ましくは、Ｅ^11Aが窒素原子であるイミダゾール環である。
環Ｒ^1Aがトリアゾール環である場合、環Ｒ^1Aは、好ましくは、Ｅ^11A及びＥ^12Aが窒素原子であるトリアゾール環、又は、Ｅ^11A及びＥ^13Aが窒素原子であるトリアゾール環であり、より好ましくは、Ｅ^11A及びＥ^13Aが窒素原子であるトリアゾール環である。
環Ｒ^1Aがテトラゾール環である場合、環Ｒ^1Aは、好ましくは、Ｅ^11A～Ｅ^13Aが窒素原子であるテトラゾール環である。
環Ｒ^1Aが複数存在する場合、複数存在する環Ｒ^1Aの少なくとも１つが、ジアゾール環又はトリアゾール環であればよいが、式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、複数存在する環Ｒ^1Aの少なくとも２つが、ジアゾール環又はトリアゾール環であることが好ましく、複数存在する環Ｒ^1Aのすべてがジアゾール環又はトリアゾール環であることがより好ましい。
環Ｒ^1Aは、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくはジアゾール環又はトリアゾール環であり、より好ましくはトリアゾール環である。

Ｅ^11Aが窒素原子であり、且つ、Ｒ^11Aが存在する場合、Ｒ^11Aはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、アリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｅ^11Aが炭素原子である場合、Ｒ^11Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｅ^12Aが窒素原子であり、且つ、Ｒ^12Aが存在する場合、Ｒ^12Aはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、アリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｅ^12Aが炭素原子である場合、Ｒ^12Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｅ^13Aが窒素原子であり、且つ、Ｒ^13Aが存在する場合、Ｒ^13Aはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、アリール基又は１価の複素環基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｅ^13Aが炭素原子である場合、Ｒ^13Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^11A～Ｒ^13Aにおけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基、ジヒドロフェナントレニル基、フルオレニル基又はスピロビフルオレニル基が好ましく、フェニル基、フルオレニル基又はスピロビフルオレニル基がより好ましく、フェニル基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^11A～Ｒ^13Aにおける１価の複素環基としては、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基が好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基又はカルバゾリル基がより好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基又はトリアジニル基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^11A～Ｒ^13Aにおける置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^11A～Ｒ^13Aにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｒ^11A～Ｒ^13Aが有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくは、アルキル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ^11A～Ｒ^13Aが有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基である。これらの基は更に置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。

Ｒ^11A～Ｒ^13Aにおけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは式（Ｄ－Ａ）～式（Ｄ－Ｃ）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ－Ａ）又は式（Ｄ－Ｃ）で表される基である。

［式（Ｄ－Ａ）、式（Ｄ－Ｂ）又は式（Ｄ－Ｃ）で表される基］
ｍ^DA1～ｍ^DA7は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは２以下の整数であり、更に好ましくは０又は１である。ｍ^DA2～ｍ^DA7が同一の整数であることが好ましく、ｍ^DA1～ｍ^DA7が同一の整数であることがより好ましい。

Ｇ^DAは、好ましくは芳香族炭化水素基又は複素環基であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環又はカルバゾール環から環を構成する炭素原子又は窒素原子に直接結合する水素原子３個を除いてなる基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｇ^DAが有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基である。これらの基は更に置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。
Ｇ^DAは、好ましくは式(GDA-11)～式(GDA-15)で表される基であり、より好ましくは式(GDA-11)～式(GDA-14)で表される基であり、更に好ましくは式(GDA-11)又は式(GDA-14)で表される基であり、特に式(GDA-11)で表される基である。

［式中、
＊は、式（Ｄ－Ａ）におけるＡｒ^DA1、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA1、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA2、又は、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA3との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ－Ａ）におけるＡｒ^DA2、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA2、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA4、又は、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA6との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ－Ａ）におけるＡｒ^DA3、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA3、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA5、又は、式（Ｄ－Ｂ）におけるＡｒ^DA7との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1～Ａｒ^DA7は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式(ArDA-1)～式(ArDA-6)で表される基であり、更に好ましくは式(ArDA-1)～式(ArDA-3)で表される基であり、特に好ましくは式(ArDA-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

Ｒ^DBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1～Ａｒ^DA7、Ｒ^DA及びＲ^DBが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｇ^DAが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

Ｔ^DAは、好ましくは式（ＴＤＡ－１）～式（ＴＤＡ－４）で表される基であり、より好ましくは式（ＴＤＡ－１）又は式（ＴＤＡ－３）で表される基であり、更に好ましくは式（ＴＤＡ－１）で表される基である。

［式中、Ｒ^DA及びＲ^DBは、前記と同じ意味を表す。］

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)～式(D-A5)で表される基であり、より好ましくは式(D-A1)、式(D-A3)又は式(D-A5)で表される基であり、更に好ましくは式(D-A1)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1～Ｒ^p4は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1、Ｒ^p2及びＲ^p4が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０～５の整数を表し、ｎｐ２は０～３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０～４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)～式(D-B3)で表される基であり、より好ましくは式(D-B1)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1～Ｒ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1及びＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０～５の整数を表し、ｎｐ２は０～３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。ｎｐ１及びｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

式(D-C)で表される基は、好ましくは式(D-C1)～式(D-C4)で表される基であり、より好ましくは式(D-C1)～式(D-C3)で表される基であり、更に好ましくは式(D-C1)又は式(D-C2)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p4～Ｒ^p6は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p4～Ｒ^p6が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ４は、０～４の整数を表し、ｎｐ５は０～５の整数を表し、ｎｐ６は０～５の整数を表す。］

ｎｐ１は、好ましくは０又は１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。ｎｐ４は、好ましくは０～２の整数である。ｎｐ５は、好ましくは１～３の整数である。ｎｐ６は、好ましくは０～２の整数である。

Ｒ^p1～Ｒ^p6は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基、シクロヘキシル基又はｔｅｒｔ－オクチル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ヘキシル基、２－エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ－オクチル基である。

環Ｒ^1Aにおいて、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、Ｅ^11A及びＥ^12Aの少なくとも１つが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A及びＲ^12Aの少なくとも１つが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であることが好ましく、Ｅ^11Aが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11Aが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であることがより好ましい。

環Ｒ^1Aが複数存在する場合、複数存在する環Ｒ^1Aの少なくとも１つにおいて、Ｅ^11A～Ｅ^13Aの少なくとも１つが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A～Ｒ^13Aの少なくとも１つが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であればよいが、式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、複数存在する環Ｒ^1Aの少なくとも２つにおいて、Ｅ^11A～Ｅ^13Aの少なくとも１つが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A～Ｒ^13Aの少なくとも１つが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であることが好ましく、複数存在する環Ｒ^1Aのすべてにおいて、Ｅ^11A～Ｅ^13Aの少なくとも１つが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11A～Ｒ^13Aの少なくとも１つが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であることがより好ましい。

環Ｒ^1Aにおいて、Ｅ^11Aが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^11Aが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基である場合、Ｅ^12Aが炭素原子であり、且つ、該炭素原子に結合するＲ^12Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることが好ましい。
環Ｒ^1Aにおいて、Ｅ^12Aが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^12Aが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基である場合、Ｅ^13Aが炭素原子であり、且つ、該炭素原子に結合するＲ^13Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることが好ましい。
環Ｒ^1Aにおいて、Ｅ^13Aが窒素原子であり、且つ、該窒素原子に結合するＲ^13Aが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基である場合、Ｅ^12Aが炭素原子であり、且つ、該炭素原子に結合するＲ^12Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることが好ましい。

炭素原子数ｎ^R1のアルキル基において、ｎ^R1は、置換基の炭素原子数を含めない、アルキル基の炭素原子数を表す。炭素原子数ｎ^R1のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基及びドデシル基等の直鎖のアルキル基；並びに、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１，１－ジメチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、１，１－ジメチルペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、１，２－ジメチルペンチル基、１，１－ジメチルヘキシル基、１－エチル－１－メチルペンチル基、１，１，３，３－テトラメチルブチル基、１，２－ジメチルヘキシル基、１－プロピルペンチル基、２－エチルヘキシル基、１，１－ジメチルヘプチル基、１，１－ジプロピルブチル基、１－ブチルヘキシル基、１－プロピルヘプチル基、１，１，３，７－テトラメチルオクチル基及び１，１，２－トリエチルオクチル基等の分岐のアルキル基が挙げられる。

炭素原子数ｎ^R1のアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、２－エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、デシル基及びドデシル基等の第一級のアルキル基であってよく、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、１－エチルブチル基、１，２－ジメチルペンチル基、１，２－ジメチルヘキシル基、１－プロピルペンチル基、１－ブチルヘキシル基及び１－プロピルヘプチル基等の第二級のアルキル基であってもよく、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、１，１－ジメチルブチル基、１，１－ジメチルペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、１，１－ジメチルヘキシル基、１－エチル－１－メチルペンチル基、１，１，３，３－テトラメチルブチル基、１，１－ジメチルヘプチル基、１，１－ジプロピルブチル基、１，１，３，７－テトラメチルオクチル基及び１，１，２－トリエチルオクチル基等の第三級のアルキル基であってもよい。

炭素原子数ｎ^R1のアルキル基が有していてもよい置換基としては、好ましくは、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、より好ましくは、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

炭素原子数ｎ^R1のアルキル基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒ^11A～Ｒ^13Aにおけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

炭素原子数ｎ^R1のアルキル基は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、炭素原子数ｎ^R1の分岐のアルキル基であり、より好ましくは、炭素原子数ｎ^R1の第二級又は第三級のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素原子数ｎ^R1の第三級のアルキル基であり、これらの基は置換基を有さないことが特に好ましい。

ｎ^R1は、好ましくは２以上であり、より好ましくは３以上であり、更に好ましくは５以上であり、特に好ましくは７以上である。また、ｎ^R1は、好ましくは１２以下であり、より好ましくは１０以下であり、更に好ましくは８以下である。

環Ｒ²における芳香族炭化水素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。環Ｒ²における芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、インデン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環及びこれらの環が１個以上５個以下縮合した縮合した環が挙げられ、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、フェナントレン環又はジヒドロフェナントレン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環又はジヒドロフェナントレン環であり、更に好ましくは、ベンゼン環又はフルオレン環であり、特に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ｒ²における芳香族複素環の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～６０であり、好ましくは３～３０であり、より好ましくは４～１５である。環Ｒ²における芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、ジアゾール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環及びこれらの環に芳香環が１個以上５個以下縮合した環が挙げられ、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、更に好ましくは、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、特に好ましくは、ジベンゾフラン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。環Ｒ²が６員の芳香族複素環である場合、Ｅ²は炭素原子であることが好ましい。

環Ｒ²は、本発明の発光素子の発光効率が更に優れるので、好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、更に好ましくはベンゼン環又はジベンゾフラン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ²が有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｒ²が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒ^11A～Ｒ^13Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ｒ²が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^11A～Ｒ^13Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、Ｒ^11AとＲ^12A、Ｒ^12AとＲ^13A、及び、環Ｒ²が有していてもよい置換基とＲ^11Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

［式（Ａｒ－１Ａ）で表される基］
環Ａにおける芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²における芳香族炭化水素環の例及び好ましい範囲と同じである。環Ａにおける芳香族複素環の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²における芳香族複素環の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ａは、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環であり、更に好ましくはベンゼン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ａが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、環Ａが有していてもよい置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

Ｒ²における炭素原子数ｎ^R2のアルキル基としては、炭素原子数ｎ^R1のアルキル基の例と同じ基が例示できる。なお、ｎ^R2は、置換基の炭素原子数を含めない、アルキル基の炭素原子数を表す。
Ｒ²が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、炭素原子数ｎ^R1のアルキル基が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ｒ²は、合成が容易であるので、好ましくは、炭素原子数ｎ^R2の第一級又は第三級のアルキル基であり、より好ましくは、炭素原子数ｎ^R2の第一級のアルキル基であり、これらの基は置換基を有さないことが更に好ましい。

ｎ^R2は、合成が容易であるので、好ましくは１以上１０以下であり、より好ましくは１以上７以下であり、更に好ましくは１以上４以下であり、特に好ましくは１である。

「ｎ^R1とｎ^R2との和（以下、「ｎ^R1＋ｎ^R2」という。）は、５以上３０以下」とは、ｎ^R1のうちの少なくとも１つと、ｎ^R2のうちの少なくとも１つとの和が、５以上３０以下であることを意味する。例えば、ｎ^R1及びｎ^R2が複数存在する場合、複数存在するｎ^R1のうちの少なくとも１つと、複数存在するｎ^R2のうちの少なくとも１つとの和が５以上３０以下であればよい。
ｎ^R1＋ｎ^R2は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは５以上２０以下であり、より好ましくは６以上１５以下であり、更に好ましくは６以上１２以下であり、更に好ましくは７以上１０以下である。

式（Ａｒ－１Ａ）で表される基は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、式（Ａｒ－２Ａ）で表される基である。

Ｅ^1A～Ｅ^3Aは、好ましくは、炭素原子である。

環Ａ¹がピリジン環である場合、Ｅ^1Aが窒素原子であるピリジン環が好ましい。
環Ａ¹がジアザベンゼン環である場合、Ｅ^1A及びＥ^3Aが窒素原子であるピリミジン環が好ましい。
環Ａ¹は、ベンゼン環が好ましい。

Ｒ^1A～Ｒ^3Aは、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^1A及びＲ^3Aは、更に好ましくは、水素原子である。
Ｒ^2Aは、更に好ましくはアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^1A～Ｒ^3Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ｒ^11A～Ｒ^13Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ｒ^1A～Ｒ^3Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ｒ^11A～Ｒ^13Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、Ｒ^1AとＲ^2A、及び、Ｒ^2AとＲ^3Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。

式（Ａｒ－２Ａ）で表される基は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、式（Ａｒ－３Ａ）で表される基である。

［アニオン性の２座配位子］
Ａ¹－Ｇ¹－Ａ²で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。但し、Ａ¹－Ｇ¹－Ａ²で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ¹でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、Ｍ¹と結合する部位を表す。
Ｒ^L1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^L1は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^L2は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^L1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はフッ素原子であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^L2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（１）で表される金属錯体は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、式（１－Ａ１）又は式（１－Ａ２）で表される金属錯体であり、より好ましくは式（１－Ａ１）で表される金属錯体である。

環Ｒ^2Aは、好ましくはベンゼン環、フルオレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環又はジベンゾフラン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²が有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１－Ａ１）又は式（１－Ａ２）で表される金属錯体の合成が容易になるので、環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。
式（１－Ａ１）又は式（１－Ａ２）で表される金属錯体の合成が容易になるので、環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

式（１－Ａ１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、式（１－Ａ１）中、Ｒ^11Aが複数存在する場合、Ｒ^11Aの少なくとも２つは式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^11Aのすべてが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であることがより好ましい。
本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、式（１－Ａ１）中、Ｅ^12Aが炭素原子であり、且つ、該炭素原子に結合するＲ^12Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることが好ましい。
式（１－Ａ１）で表される金属錯体の合成が容易になり、且つ、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、式（１－Ａ１）中、Ｒ^12A及びＥ^12Aが複数存在する場合、Ｅ^12Aの少なくとも２つは炭素原子であり、且つ、これらの炭素原子に結合するＲ^12Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることが好ましく、Ｅ^12Aのすべてが炭素原子であり、且つ、これらの炭素原子に結合するＲ^12Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることがより好ましい。
式（１－Ａ１）中、Ｅ^13Aは窒素原子であり、且つ、Ｒ^13Aは存在していないことが好ましい。

式（１－Ａ２）で表される金属錯体の合成が容易になるので、式（１－Ａ２）中、Ｒ^12Aが複数存在する場合、Ｒ^12Aの少なくとも２つは式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^12Aのすべてが式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であることがより好ましい。
本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、式（１－Ａ１）中、Ｅ^13Aが炭素原子であり、且つ、該炭素原子に結合するＲ^13Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることが好ましい。
式（１－Ａ１）で表される金属錯体の合成が容易になり、且つ、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、式（１－Ａ１）中、Ｒ^13A及びＥ^13Aが複数存在する場合、Ｅ^13Aの少なくとも２つは炭素原子であり、且つ、これらの炭素原子に結合するＲ^13Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることが好ましく、Ｅ^13Aのすべてが炭素原子であり、且つ、これらの炭素原子に結合するＲ^13Aが置換基を有していてもよい炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であることがより好ましい。
式（１－Ａ２）中、Ｅ^11Aは窒素原子であり、且つ、Ｒ^11Aは存在していないことが好ましい。

式（１－Ａ１）で表される金属錯体は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、式（１－Ａ１－１）～式（１－Ａ１－３）で表される金属錯体であり、より好ましくは式（１－Ａ１－１）又は式（１－Ａ１－２）で表される金属錯体であり、更に好ましくは式（１－Ａ１－２）で表される金属錯体である。
式（１－Ａ２）で表される金属錯体は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、式（１－Ａ２－１）又は式（１－Ａ２－２）で表される金属錯体であり、より好ましくは式（１－Ａ２－２）で表される金属錯体である。

Ｒ^21A～Ｒ^24Aは、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^21A及びＲ^24Aは、更に好ましくは水素原子である。

Ｒ^21A～Ｒ^24Aにおけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、環Ｒ²が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体の合成が容易になるので、Ｒ^11AとＲ^21Aとは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成しないことが好ましい。

Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、又は、Ｒ^23AとＲ^24Aが、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成する場合、形成する環としては、例えば、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環が挙げられ、好ましくは、べンゼン環、インデン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、又は、インドール環であり、より好ましくは、インデン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、又は、インドール環であり、更に好ましくは、ベンゾフラン環又はベンゾチオフェン環であり、特に好ましくは、ベンゾフラン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、又は、Ｒ^23AとＲ^24Aが、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成する場合、Ｒ^21AとＲ^22A、又は、Ｒ^22AとＲ^23Aが、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成することが好ましく、Ｒ^22AとＲ^23Aとが互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成することが好ましい。

Ｒ^21A～Ｒ^24Aが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、環Ｒ²が有していてもよい置換基が更に有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

式（１）で表される金属錯体としては、例えば、下記式で表される金属錯体が挙げられる。

［式中、
Ｚ^Aは、－ＣＨ＝で表される基又は－Ｎ＝で表される基を表す。Ｚ^Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^Bは、－Ｏ－で表される基又は－Ｓ－で表される基を表す。Ｚ^Bが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｚ^Aは、好ましくは－Ｎ＝で表される基である。Ｚ^Bは、好ましくは－Ｏ－で表される基である。

＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞
式（１）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、金属錯体の配位子の官能基変換反応を行ってもよい。

式（１）で表される金属錯体は、例えば、式（Ｍ－１）で表される化合物と、金属化合物若しくはその水和物とを反応させる工程Ａを含む方法により製造することができる。

［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、環Ｒ^1A、環Ｒ²、Ｒ^11A～Ｒ^13A、Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A～Ｅ^13A及びＡ¹－Ｇ¹－Ａ²は、前記と同じ意味を表す。］

工程Ａにおいて、金属化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）等のイリジウム化合物；塩化白金酸カリウム等の白金化合物；塩化パラジウム、酢酸パラジウム等のパラジウム化合物；及び、塩化ロジウム等のロジウム化合物が挙げられる。金属化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物、塩化ロジウム・三水和物が挙げられる。

工程Ａにおいて、式（Ｍ－１）で表される化合物の量は、金属化合物又はその水和物１モルに対して、通常、２～２０モルである。

工程Ａは、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。

工程Ａにおいて、反応時間は、通常、３０分間～２００時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

＜式（１）で表される金属錯体の製造方法＞で説明した反応において用いられる化合物、触媒及び溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［ホスト材料］
本発明の発光素子の発光効率が優れるので、発光層は、式（１）で表される金属錯体と、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性のうちの少なくとも１つの機能を有するホスト材料とを含有する層であることが好ましい。発光層は、ホスト材料の１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。

発光層が、式（１）で表される金属錯体とホスト材料とを含有する層である場合、式（１）で表される金属錯体の含有量は、式（１）で表される金属錯体とホスト材料との合計を１００質量部として、通常、０．１～５０質量部であり、好ましくは１～４５質量部であり、より好ましくは５～４０質量部であり、更に好ましくは１０～３５質量部である。

発光層が、式（１）で表される金属錯体とホスト材料とを含有する層である場合、ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ₁）は、本発明の発光素子の発光効率が優れるので、発光層に含有される式（１）で表される金属錯体の有するＴ₁より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、本発明の発光素子を湿式法で作製できるので、発光層に含有される式（１）で表される金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物（低分子ホスト）と高分子化合物（高分子ホスト）とに分類され、発光層はいずれのホスト材料を含有していてもよい。発光層に含有されていてもよいホスト材料としては、低分子化合物が好ましく、式（Ｈ－１）で表される化合物がより好ましい。

Ａｒ^H1及びＡｒ^H2は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基又はカルバゾリル基であることが更に好ましく、式（ＴＤＡ－３）で表される基であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^H1及びＡｒ^H2が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

ｎ^H1は、好ましくは１である。ｎ^H2は、好ましくは０である。
ｎ^H3は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。
ｎ^H11は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましく１である。

Ｒ^H11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^H1は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^H1は、式（Ａ－１）～式（Ａ－３）、式（Ａ－８）～式（Ａ－１０）、式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－６）、式（ＡＡ－１０）～式（ＡＡ－２１）又は式（ＡＡ－２４）～式（ＡＡ－３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－８）、式（Ａ－９）、式（ＡＡ－１）～式（ＡＡ－４）、式（ＡＡ－１０）～式（ＡＡ－１５）、式（ＡＡ－３３）又は式（ＡＡ－３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ－１）、式（Ａ－２）、式（Ａ－８）、式（ＡＡ－２）、式（ＡＡ－４）、式（ＡＡ－１０）、式（ＡＡ－１２）、式（ＡＡ－１４）又は（ＡＡ－３３）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ－８）、式（ＡＡ－１０）、式（ＡＡ－１２）又は式（ＡＡ－１４）で表される基であることが特に好ましく、式（ＡＡ－１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。

Ｌ^H1が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、１価の複素環基が特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^H21は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。
Ｌ^H21で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例は、Ｌ^H1で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例と同様である。

Ｒ^H21は、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^H21で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例は、Ａｒ^H1及びＡｒ^H2で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例と同様である。
Ｒ^H21が有していてもよい置換基の定義及び例は、Ａｒ^H1及びＡｒ^H2が有していてもよい置換基の定義及び例と同様である。

式（Ｈ－１）で表される化合物は、式（Ｈ－２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^H1、Ａｒ^H2、ｎ^H3及びＬ^H1は、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｈ－１）で表される化合物としては、下記式で表される化合物及び後述の化合物ＨＭ－１が例示される。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

［発光層の組成物］
発光層は、式（１）で表される金属錯体と、前述のホスト材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（式（１）で表される金属錯体とは異なる。）及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種とを含む組成物（以下、「発光層の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。
低分子化合物としては、例えば、トリフェニルアミン及びその誘導体、Ｎ，Ｎ’－ジ－１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（α－ＮＰＤ）、並びに、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ（ｍ－トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン及びトリニトロフルオレノン等の電子受容性部位が結合された化合物でもよい。
発光層の組成物において、正孔輸送材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１～４００質量部である。
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
発光層の組成物において、電子輸送材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１～４００質量部である。
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
発光層の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の含有量は、各々、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１～４００質量部である。
電子注入材料及び正孔注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

（イオンドープ）
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm～１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［発光材料］
発光材料（式（１）で表される金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、アントラセンジイル基及びピレンジイル基等のアリーレン基；芳香族アミンから２個の水素原子を取り除いてなる基等の芳香族アミン残基；並びに、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基及びフェノチアジンジイル基等の２価の複素環基を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体又は高分子化合物であり、より好ましくは三重項発光錯体である。

発光層の組成物において、発光材料の含有量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、０．０１～４００質量部であり、好ましくは０．１～１００質量部であり、より好ましくは０．５～５０質量部であり、更に好ましくは１～１０質量部である。
発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、式（１）で表される金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
発光層の組成物において、酸化防止剤の含有量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、０．００１～１０質量部である。
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜発光層のインク＞
式（１）で表される金属錯体と、溶媒と、を含有する組成物（以下、「発光層のインク」ともいう。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の湿式法を用いた発光素子の作製に好適である。発光層のインクの粘度は、湿式法の種類によって調整すればよいが、好ましくは25℃において１～20mPa・sである。

発光層のインクに含有される溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、１，２－ジクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ－ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４－メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ－ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ－ペンタン、ｎ－ヘキサン、ｎ－へプタン、ｎ－オクタン、ｎ－ノナン、ｎ－デカン、ｎ－ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２－ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。
発光層のインクにおいて、溶媒の含有量は、式（１）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１０００～１０００００質量部であり、好ましくは２０００～２００００質量部である。
溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜膜＞
膜は、式（１）で表される金属錯体を含有するものであり、発光素子の発光層として好適である。
膜は、発光層のインクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等の湿式法により作製することができる。
膜の厚さは、通常、１ｎｍ～１０μｍである。

＜発光素子の層構成＞
本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた発光層とを有する。本発明の発光素子は、更に、基板を有していてもよい。
本発明の発光素子は、陽極、陰極及び発光層以外の層（例えば、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等）を有していてもよい。

本発明の発光素子の好ましい一態様は、基板上に陽極が設けられ、その上層に発光層が積層され、更にその上層に陰極が積層された発光素子である。また、本発明の発光素子の好ましい他の一態様は、基板上に陰極が設けられ、その上層に発光層が積層され、更にその上層に陽極が積層された発光素子である。これらの態様において、更に、保護層、バッファー層、反射層、封止層（封止膜、封止基板等）等の他の機能を有する層を設けてもよい。

本発明の発光素子は、ボトムエミッションタイプ、トップエミッションタイプ、両面採光型のいずれであってもよい。

本発明の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

本発明の発光素子は、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

本発明の発光素子の好ましい層構成としては、例えば、下記の構成が挙げられる。
（ａ）陽極－正孔輸送層－発光層－陰極
（ｂ）陽極－発光層－電子輸送層－陰極
（ｃ）陽極－正孔注入層－正孔輸送層－発光層－陰極
（ｄ）陽極－発光層－電子輸送層－電子注入層－陰極
（ｅ）陽極－正孔輸送層－発光層－電子注入層－陰極
（ｆ）陽極－正孔注入層－発光層－電子輸送層－陰極
（ｇ）陽極－正孔注入層－正孔輸送層－発光層－電子注入層－陰極
（ｈ）陽極－正孔注入層－発光層－電子輸送層－電子注入層－陰極
（ｉ）陽極－正孔注入層－正孔輸送層－発光層－電子輸送層－電子注入層－陰極
（ｊ）陽極－正孔輸送層－発光層－電子輸送層－陰極
（ｋ）陽極－正孔注入層－正孔輸送層－発光層－電子輸送層－陰極
（ｌ）陽極－正孔輸送層－発光層－電子輸送層－電子注入層－陰極

本発明の発光素子は、電極と他の層との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよい。また、本発明の発光素子では、界面の密着性向上や隣接する２層の成分の混合防止等のために、各層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番及び数、並びに各層の厚さは、外部量子効率、素子寿命等を勘案して調整すればよい。

［基板］
本発明の発光素子は、陽極の発光層側とは反対側、又は陰極の発光層側とは反対側に基板を有していてもよい。基板は、電極の形成及び有機層（例えば、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等）の形成の際に、化学的に変化しない基板であることが好ましい。基板は、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン等の基板であってよく、これらを積層した基板であってもよい。

本発明の発光素子において、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極は、それぞれ、必要に応じて、２層以上設けられていてもよい。

陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極が複数存在する場合、それらを構成する材料はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極の厚さは、通常、１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ～１５０ｎｍである。

正孔注入層、発光層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層は、各々、隣接する層の形成時に使用される溶媒に、各層を構成する材料が溶解しないことが望ましい。材料の溶解を回避する方法としては、ｉ）架橋基を有する材料を用いる方法、又は、ｉｉ）隣接する層の溶解性に差を設ける方法が好ましい。上記ｉ）の方法では、架橋基を有する材料を用いて層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

［正孔注入層及び電子注入層］
正孔注入層は、正孔注入材料を含有する層である。正孔注入材料としては、例えば、前述の発光層の組成物が含有していてもよい正孔注入材料が挙げられる。正孔注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

電子注入層は、電子注入材料を含有する層である。電子注入材料としては、例えば、前述の発光層の組成物が含有していてもよい電子注入材料が挙げられる。電子注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層は、正孔輸送材料を含有する層である。正孔輸送材料としては、例えば、前述の発光層の組成物が含有していてもよい正孔輸送材料が挙げられる。正孔輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［電子輸送層］
電子輸送層は、電子輸送材料を含有する層である。電子輸送材料としては、例えば、前述の発光層の組成物が含有していてもよい電子輸送材料が挙げられる。電子輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［電極］
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金が挙げられる。

本発明の発光素子において、陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明であるが、陽極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極及び陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及びラミネート法が挙げられる。

［発光素子の製造方法］
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、並びに、スピンコート法及びインクジェット印刷法に代表される湿式法等が挙げられ、湿式法が好ましい。低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、及び、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

発光層は発光層のインクを用いて、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層は、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料及び電子注入材料をそれぞれ含有するインクを用いて、スピンコート法、インクジェット印刷法に代表される湿式法により形成することができる。

本発明の発光素子は、例えば、基板上に各層を順次積層することにより製造することができる。具体的には、例えば、基板上に陽極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層等の層を設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層、電子注入層等の層を設け、更にその上に、陰極を積層することにより、発光素子を製造することができる。他の製造方法としては、例えば、基板上に陰極を設け、その上に電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層等の層を設け、更にその上に、陽極を積層することにより、発光素子を製造することができる。更に他の製造方法としては、例えば、陽極又は陽極上に各層を積層した陽極側基材と陰極又は陰極上に各層を積層させた陰極側基材とを、対向させて接合することにより製造することができる。

［発光素子の用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。
これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動相にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)により求めた。
測定する高分子化合物を約０．０５質量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ－Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ－ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ－８３２０ＧＰＣ）を用いた。

ＬＣ－ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ－ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１２９０ Ｉｎｆｉｎｉｔｙ ＬＣ及び６２３０ ＴＯＦ ＬＣ／ＭＳ）に約１μＬ注入した。ＬＣ－ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ ＯＤＳ Ｚ－ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＴＬＣ－ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料をトルエン、テトラヒドロフラン又はクロロホルムのいずれかの溶媒に任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製、商品名：ＹＳＫ５－１００）上に塗布し、ＴＬＣ－ＭＳ（日本電子製、商品名：ＪＭＳ－Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００～４００℃の範囲で調節した。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５～１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ₃）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２－プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製、商品名：ＪＮＭ－ＥＣＺ４００Ｓ/Ｌ1、又は、ブルカー製、商品名：ＡＶＡＮＣＥ６００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ－２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１～０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１～１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０～０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＳＵＭＩＰＡＸ ＯＤＳ Ｚ－ＣＬＵＥ（住化分析センター製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒径３μｍ）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ－Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜合成例Ｍ１＞ 化合物Ｍ１～Ｍ５及び金属錯体ＲＭ１の合成
化合物Ｍ１は、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ２、化合物Ｍ４及び化合物Ｍ５は、国際公開第２０１３／１４６８０６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ３は、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
金属錯体ＲＭ１は、国際公開第２００９／１５７４２４号に記載の方法に従って合成した。

＜金属錯体Ｇ１、金属錯体Ｒ１及び化合物ＨＭ－１＞ 金属錯体Ｇ１及び金属錯体Ｒ１の合成並びに化合物ＨＭ－１の入手
金属錯体Ｇ１は、国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に準じて合成した。
金属錯体Ｒ１は、特開２００６－１８８６７３号公報に記載の方法に準じて合成した。
化合物ＨＭ－１はＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。

＜合成例ＨＴＬ１＞ 高分子化合物ＨＴＬ－１の合成
高分子化合物ＨＴＬ－１は、化合物Ｍ１、化合物Ｍ２及び化合物Ｍ３を用いて、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ－１は、Ｍｎ＝２．３×１０⁴及びＭｗ＝１．２×１０⁵であった。
高分子化合物ＨＴＬ－１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが、４５：５：５０のモル比で構成された共重合体である。

＜合成例ＨＴＬ２＞ 高分子化合物ＨＴＬ－２の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ４(２．５２ｇ)、化合物Ｍ２(０．４７０ｇ)、化合物Ｍ５(４．９０ｇ)、金属錯体ＲＭ１(０．５３０ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(4.2mg)及びトルエン(158mL)を加え、１００℃に加熱した。反応液に、２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(16mL)を滴下し、８時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(116mg)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(4.2mg)を加え、１５時間還流させた。その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８５℃で２時間撹拌した。冷却後、反応液を、３．６質量％塩酸、２．５質量％アンモニア水、水で洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＨＴＬ－２を6.02g得た。高分子化合物ＨＴＬ－２のMnは3.8×10⁴であり、Mwは4.5×10⁵であった。
高分子化合物ＨＴＬ－２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、金属錯体ＲＭ１から誘導される構成単位とが、40:10:47:3のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例ＥＴ１＞ 高分子化合物ＥＴ１の合成
（高分子化合物ＥＴ１ａの合成）
特開２０１２－３３８４５号公報に記載の方法に従って、化合物ＥＴ１－１及び化合物ＥＴ１－２を合成し、それを用いて、高分子化合物ＥＴ１ａを合成した。

高分子化合物ＥＴ１ａのＭｎは５．２×１０⁴であった。

高分子化合物ＥＴ１ａは、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＥＴ１－１から誘導される構成単位と、化合物ＥＴ１－２から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成された共重合体である。

（高分子化合物ＥＴ１の合成）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、高分子化合物ＥＴ１ａ（２００ｍｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）及びエタノール（２０ｍＬ）を加え、５５℃に加熱した。その後、そこへ、水（２ｍＬ）に溶解させた水酸化セシウム（２００ｍｇ）を加え、５５℃で６時間撹拌した。その後、室温まで冷却した後、減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を水で洗浄した後、減圧乾燥させることにより、高分子化合物ＥＴ１（１５０ｍｇ、薄黄色固体）を得た。得られた高分子化合物ＥＴ１のＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物ＥＴ１ａのエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。

＜合成例ＢＣ１＞ 金属錯体ＢＣ１～ＢＣ６の合成
金属錯体ＢＣ１～ＢＣ３は国際公開第２０１６／１８５１８３号に記載の方法に従って合成した。
金属錯体ＢＣ４～ＢＣ６は国際公開第２０１６／１８５１８３号に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例Ｂ１＞ 金属錯体Ｂ１の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、２，４－ジメチルアニリン（２００ｇ）とシクロペンチルメチルエーテル（４００ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、１６質量％塩化水素シクロペンチルメチルエーテル溶液（３５７ｇ）を滴下した。滴下後、室温で１時間撹拌を継続し、析出した固体をろ取し、得られた固体をヘキサン（１５０ｍＬ）で洗浄した。得られた固体を２－プロパノールを用いて晶析し、更に、室温で減圧乾燥させることで、化合物１ａ（２２０ｇ、薄赤色固体）を得た。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物１ａ（１４０ｇ）、クロロホルム（２１００ｍＬ）及びトリエチルアミン（２６７ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、２，２－ジメチルブチリルクロリド（１１３ｍＬ）を滴下した。滴下後、室温で１時間撹拌を継続した後、そこへ、飽和炭酸ナトリウム水溶液（４００ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。得られた反応混合物を分液し、得られた有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液及びイオン交換水で順次洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を濃縮した後、そこへ、ヘプタンを加え、１時間撹拌し、得られた固体をろ取した。その後、得られた固体を４０℃で減圧乾燥させることで、化合物１ｂ（１６４ｇ、白色固体）を得た。化合物１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１ｂのＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，４００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：０．９４（３Ｈ，ｔ），１．２９（６Ｈ，ｓ），１．６７（２Ｈ，ｑ），２．２１（３Ｈ，ｓ），２．２８（３Ｈ，ｓ），６．９９（１Ｈ，ｓ），７．００（１Ｈ，ｄ），７．１２（１Ｈ，ｂｒ），７．６５（１Ｈ，ｄ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物１ｂ（６０ｇ）、モノクロロベンゼン（４８０ｍＬ）、２－フルオロピリジン（２６ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（５０ｍＬ）を加え、室温下で３０分撹拌した。その後、そこへ、ベンズヒドラジド（４１ｇ）を加え、９０℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（５００ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。その後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びテトラヒドロフランの混合溶媒）で精製した後、２－プロパノール及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１ｃ（７０ｇ、収率８０％）を白色固体として得た。化合物１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１ｃのＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３２０［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂） δ（ｐｐｍ）：７．４２－７．３７（ｍ，２Ｈ），７．３５－７．３１（ｍ，２Ｈ），７．２９－７．２５（ｍ，２Ｈ），７．１９（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｓ，１Ｈ），２．４０（ｓ，３Ｈ），１．７９－１．７２（ｍ，４Ｈ），１．５７－１．４５（ｍ，１Ｈ），１．３４（ｓ，３Ｈ），１．１５（ｓ，３Ｈ），０．８９（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１５．３ｇ）、化合物１ｃ（４０．０ｇ）及びペンタデカン（４０ｍＬ）を加え、加熱還流下で５０時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ１を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン溶媒）で精製した後、トルエン及びメタノールの混合溶媒を用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ１（３０．５ｇ）を得た。金属錯体Ｂ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．３％であった。

金属錯体Ｂ１のＬＣ－ＭＳの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１１４９［Ｍ＋Ｈ］⁺

＜合成例Ｂ２＞ 金属錯体Ｂ２の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、２，２’－ジメチルヘキサン酸（４０ｇ）、クロロホルム（２４０ｍＬ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルホルムアミド（０．２１ｍＬ）及び塩化チオニル（２０ｍＬ）を加え、４５℃で３時間撹拌した。その後、反応容器を水浴を用いて冷却することにより、２，２’－ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物１ａ（４１．５ｇ）、クロロホルム（４００ｍＬ）及びトリエチルアミン（７５ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴を用いて冷却した。その後、そこへ、上記で得られた化合物２，２’－ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を滴下した。滴下後、室温で１時間撹拌を継続した後、そこへ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸ナトリウム水溶液（２８０ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。得られた反応混合物を分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水（２８０ｍＬ）で洗浄した。その後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物２ｂ（６０ｇ、収率８８％）を薄黄色の油状物として得た。上記操作を繰り返すことにより、必要量の化合物２ｂを確保した。化合物２ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物２ｂのＴＬＣ－ＭＳ測定結果は、以下のとおりであった。
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２４８［Ｍ＋Ｈ］⁺

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｂ（４０ｇ）、モノクロロベンゼン（３２０ｍＬ）、２－フルオロピリジン（１４ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２７ｍＬ）を加え、室温下で３０分撹拌した。その後、そこへ、３－ブロモベンズヒドラジド（３５ｇ）を加え、９０℃で７時間撹拌した。その後、そこへ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸水素ナトリウム水溶液（１６０ｍＬ）を加え、攪拌した後、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で精製した後、ヘプタンを用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物２ｃ（４８ｇ、収率７７％）を白色固体として得た。化合物２ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物２ｃのＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４２６［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂） δ（ｐｐｍ）＝７．６０－７．５５（ｍ，１Ｈ），７．４１（ｄ，１Ｈ），７．２５（ｄ，１Ｈ），７．２１－７．１３（ｍ，２Ｈ），７．０９－７．０３（ｍ，２Ｈ），２．３６（ｓ，３Ｈ），１．７６－１．５９（ｍ，４Ｈ），１．４３－１．０７（ｍ，１１Ｈ），０．８４（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｃ（２．２ｇ）、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルボロン酸（１．０ｇ）、トルエン（２２ｍＬ）及び（ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（４－ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（１８ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１６ｍＬ）を加え、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで、固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で精製した後、ヘプタンを用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物２ｄ（２．２ｇ、収率８５％）を白色固体として得た。化合物２ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物２ｄのＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８０［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．５３－７．４８（ｍ，１Ｈ），７．４６－７．３９（ｍ，２Ｈ），７．４０－７．３７（ｍ，２Ｈ），７．３４－７．２９（ｍ，２Ｈ），７．２６－７．１９（ｍ，３Ｈ），７．０７（ｓ，１Ｈ），２．４０（ｓ，３Ｈ），１．７４（ｓ，３Ｈ），１．７０－１．６１（ｍ，１Ｈ），１．４７－１．３６（ｍ，１Ｈ），１．３４－１．３０（ｍ，１２Ｈ），１．２９－１．１４（ｍ，４Ｈ），１．１２（ｓ，３Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．０ｇ）、化合物２ｄ（２．０ｇ）及びペンタデカン（３ｍＬ）を加え、加熱還流下で４６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ２を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をアセトニトリル及びヘプタンで洗浄し、更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製した。その後、得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ２（１．０ｇ）を黄色固体として得た。金属錯体Ｂ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．８％であった。

金属錯体Ｂ２のＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６２９［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．４１－７．１６（ｍ，１５Ｈ），７．１０－６．６４（ｍ，１２Ｈ），６．１９－６．０４（ｍ，３Ｈ），２．５４－２．４３（ｍ，９Ｈ），２．１６－１．６７（ｍ，９Ｈ），１．６２－１．０３（ｍ，６３Ｈ），０．８５－０．６３（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ３＞ 金属錯体Ｂ３の合成
（合成例Ｂ３－１） 化合物３ｄの合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、２－フェニル－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン（５０ｇ）、２－メチル－４－ブロモアニリン（４６ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（３ｇ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（４ｇ）及びトルエン（１Ｌ）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を室温で滴下した後、７０℃で５時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却後、得られた反応液を分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を濃縮した後、そこへ、テトラヒドロフラン及び活性白土を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過する操作を２回繰り返した。得られたろ液を減圧濃縮した後、そこへ、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した。その後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を濃縮した。上記操作を繰り返すことで、化合物３ａ（９２ｇ、赤茶色油状物）を得た。化合物３ａのＧＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物３ａ（９２ｇ）とシクロペンチルメチルエーテル（２１４ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却し、そこへ、１６質量％塩化水素シクロペンチルメチルエーテル溶液（１１４ｇ）を滴下し、次いで、ヘプタン（６４９ｍＬ）を滴下した。滴下後、室温で１時間撹拌を継続した後、析出した固体をろ取し、得られた固体をヘプタン及びアセトンで洗浄した。得られた固体を２－プロパノール、メタノール、エタノール及びヘプタンを用いて複数回晶析した後、得られた固体を室温で減圧乾燥させることで、化合物３ｂ（３７ｇ、薄赤色固体）を得た。上記操作を繰り返すことにより、必要量の化合物３ｂを確保した。

化合物３ｂのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．３３－７．６５（８Ｈ，ｍ），４．８５（３Ｈ，ｓ），２．４６（３Ｈ，ｓ）．

反応容器内をアルゴン雰囲気とした後、２，２’－ジメチルヘキサン酸（２９ｇ）、クロロホルム（１７４ｍＬ）及びＮ，Ｎ’－ジメチルホルムアミド（０．１４ｇ）を加え、５０℃で撹拌した。その後、そこへ、塩化チオニル（２４ｇ）を滴下した後、５０℃で４時間撹拌した。その後、反応容器を水浴を用いて冷却することにより、２，２’－ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を調製した。
別途用意した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物３ｂ（３９ｇ）、クロロホルム（２９０ｍＬ）及びトリエチルアミン（４７ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、上記で調製した２，２’－ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を滴下した。滴下後、室温で２時間撹拌を継続した後、そこへ、飽和炭酸ナトリウム水溶液（３００ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。得られた反応混合物を分液することにより、有機層を得た。得られた有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液及びイオン交換水で順次洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、油状物を得た。得られた油状物にヘキサンを加えた後、得られた混合物を、ドライアイスを加えたアセトンバスを用いて冷却しながら、１時間撹拌することにより、固体が析出した。その後、得られた固体をろ取し、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物３ｃ（４０ｇ、白色固体）を得た。上記操作を繰り返すことにより、必要量の化合物３ｃを確保した。化合物３ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物３ｃのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．９８（１Ｈ，ｄ），７．５５（１Ｈ，ｄ），７．４２（１Ｈ，ｔ），７．４１（４Ｈ，ｍ），７．３１（１Ｈ，ｔ），２．３２（３Ｈ，ｓ），１．６２（２Ｈ，ｓ），１．３５（１０Ｈ，ｓ），０．９１（３Ｈ，ｓ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物３ｃ（３０ｇ）、モノクロロベンゼン（３００ｍＬ）、２－フルオロピリジン（９ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１８ｍＬ）を加え、室温下で３０分撹拌した。その後、そこへ、２－ブロモベンゾイルヒドラジン（２３ｇ）を加え、９０℃で３時間撹拌した後、得られた反応液を室温まで冷却した。その後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（３００ｍＬ）を加えた後、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をヘキサンで洗浄した後、更に、２－プロパノール、ヘプタン及びアセトニトリルを用いて複数回晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物３ｄ（３１ｇ）を白色固体として得た。化合物３ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物３ｄのＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８８［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．５７－７．６４（ｍ，４Ｈ），７．３８－７．４９（ｍ，６Ｈ），７．２８－７．３０（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｔ，１Ｈ），１．８５（３Ｈ，ｓ），１．６７－１．７４（２Ｈ，ｍ），１．４２－１．５０（１Ｈ，ｍ），１．３９（３Ｈ，ｓ），１．１４－１．３６（３Ｈ，ｍ），１．１７（３Ｈ，ｓ），０．８８（３Ｈ，ｔ）．

（合成例Ｂ３－２） 金属錯体Ｂ３の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物３ｄ（１０ｇ）、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルボロン酸（４ｇ）及びトルエンを加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、ビス（ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（４－ジメチルアミノビフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（７２ｍｇ）を加えた後、９０℃に加熱した。その後、そこへ、２０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６４ｇ）を滴下した後、９０℃で３時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応混合物を分液した。得られた有機層をイオン交換水で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮した後、そこへ、ヘキサンを加え、固体をろ取した。得られた固体をヘキサン及び２－プロパノールを用いて複数回晶析した後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで化合物３ｅ（９ｇ、白色固体）得た。化合物３ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物３ｅのＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５４２［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．６３－７．６８（ｍ，４Ｈ），７．３１－７．５２（ｍ，８Ｈ），７．２５（ｄ，２Ｈ），７．１５－７．１７（ｄ，２Ｈ），１．８８（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｓ，３Ｈ），１．２８（ｓ，９Ｈ），１．２１（ｓ，３Ｈ），１．４５－１．７８（ｍ，１Ｈ），１．１７－１．３９（ｍ，５Ｈ），０．８８（３Ｈ，ｔ）

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．１ｇ）、化合物３ｅ（５．０ｇ）及びペンタデカン（１３ｍＬ）を加え、加熱還流下で４８時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ３を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製することにより、固体を得た。得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いた晶析、並びに、トルエン及びヘキサンの混合溶媒を用いた晶析を、それぞれ、複数回繰り返した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ３（１．７ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．３％であった。

金属錯体Ｂ３のＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．４２－７．７３（２４Ｈ，ｍ），６．９７－７．１１（１８Ｈ，ｍ），６．１３－６．２６（３Ｈ，ｍ），２．２３－２．２７（４Ｈ，ｍ），２．０１（１Ｈ，ｓ）１．９４（１Ｈ，ｓ），０．９７－１．８９（３４Ｈ，ｍ），１．８８（２Ｈ，ｄ），１．５６（３Ｈ，ｓ），１．２０（２７Ｈ，ｓ），０．７０－０．８４（９Ｈ，ｍ）

＜合成例Ｂ４＞ 金属錯体Ｂ４の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｃ（７．０ｇ）、フェニルボロン酸（２．１ｇ）、トルエン（７０ｍＬ）及び（ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（４－ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（５８ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５１ｇ）を加え、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。その後、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で精製した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物４ｄ（４．７ｇ、収率４８％）を無色油状物として得た。化合物４ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物４ｄのＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８０［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂－ｄ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．５４－７．４６（ｍ，２Ｈ），７．４３－７．３９（ｍ，１Ｈ），７．３９－７．２７（ｍ，７Ｈ），７．２１（ｄ，１Ｈ），７．０７（ｓ，１Ｈ），２．３９（ｓ，３Ｈ），１．７５（ｓ，３Ｈ），１．７１－１．６２（ｍ，１Ｈ），１．４６－１．３６（ｍ，１Ｈ），１．３３（ｓ，３Ｈ），１．３２－１．１４（ｍ，４Ｈ），１．１３（ｓ，３Ｈ），０．８６（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．５ｇ）、化合物４ｄ（４．５ｇ）及びペンタデカン（１４ｍＬ）を加え、加熱還流下で４６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ４を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をアセトニトリル及びヘプタンで洗浄し、次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製した。得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ４（３．２ｇ）を黄色固体として得た。金属錯体Ｂ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９６．３％であった。

金属錯体Ｂ４のＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６２９［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．４１－７．１７（ｍ，１５Ｈ），７．１５－６．６７（ｍ，１５Ｈ），６．２１－６．０６（ｍ，３Ｈ），２．５３－２．４３（ｍ，９Ｈ），２．１６－２．０５（ｍ，５Ｈ），１．９０－１．６７（ｍ，４Ｈ），１．６２－０．９９（ｍ，３６Ｈ），０．８３－０．６２（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ５＞ 金属錯体Ｂ５の合成

反応容器をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｂ（２５．２ｇ）、２－フルオロピリジン（１０．８ｇ）、クロロベンゼン（２０２ｍＬ）及びトリフルオロ酢酸無水物（３１．３ｇ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を水浴を用いて冷却した後、そこへ、２－ブロモ３－メチルベンゾイルヒドラジン（２５．４ｇ）を加え、室温で１０分間撹拌した。得られた反応液を少量取り出し、クロロホルムで希釈した後、ＨＰＬＣ測定を実施した。化合物２ｂの残存量が２％未満（ＨＰＬＣ面積百分率値）になったことを確認後、９０℃で７時間撹拌した。反応容器を室温まで冷却後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層に硫酸マグネシウムを加え、乾燥させた。その後、乾燥させた有機層に、活性炭１２．６ｇを加えて、撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体に、クロロホルム及びテトラヒドロフランを加えた後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を、トルエン及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物５ｃ（３６．２ｇ）を白色固体として得た。化合物５ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物５ｃのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂－ｄ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．６１－７．５３（ｍ，１Ｈ），７．２８－７．２１（ｍ，１Ｈ），７．２１－７．１２（ｍ，１Ｈ），７．１２－７．０１（ｍ，３Ｈ），２．３４（ｓ，３Ｈ），２．３０（ｓ，３Ｈ），１．７５－１．６０（ｍ，５Ｈ），１．４２－１．０８（ｍ，１０Ｈ），８５（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、３－ブロモスピロフルオレン（５．０ｇ）、ビスピナコラートジボロン（４．１ｇ）、酢酸カリウム（４．９ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（１２５ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、そこへ、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド ジクロロメタン（０．３ｇ）を加え、９０℃で１６時間撹拌を継続した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水（５０ｍＬ）で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体に、トルエン及び活性炭（１．４ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮することで、白色固体を得た。得られた白色固体をトルエン及びアセトニトリルを用いて晶析し、次いで、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物５ｄ（４．５ｇ、白色固体）を得た。

化合物５ｄの¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂、４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）= １．３３（１２Ｈ，ｍ），６．６４（４Ｈ，ｍ），７．０６－７．２３（３Ｈ，ｍ），７．３５（３Ｈ，ｔ），７．５１（１Ｈ，ｄ），７．８６（２Ｈ，ｄ），７．９１（１Ｈ，ｄ），８．２６（１Ｈ，ｓ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物５ｃ(１．７ｇ)、化合物５ｄ（２．０ｇ）、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．９ｇ）、イオン交換水（５．９ｇ）及びトルエン（１９．９ｇ）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、ビス（ジ-ｔｅｒｔ-ブチル（４－ジメチルアミノビフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（０．０３ｇ）を加え、８０℃で１９時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水（２７．０ｇ）で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（０．５ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、固体を得た。得られた固体をトルエン及びヘプタンの混合溶媒、並びに、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて複数回晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させた。上記の操作を繰り返すことにより、化合物５ｅ（２．６ｇ、白色固体）を得た。化合物５ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物５ｅの¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８９－７．８５（ｍ，２Ｈ），７．８４－７．８０（ｍ，１Ｈ），７．６０－７．５７（ｍ，１Ｈ），７．４０－７．３５（ｍ，３Ｈ），７．３０－７．２６（ｍ，２Ｈ），７．２３（ｄ，１Ｈ），７．１８－７．０８（ｍ，５Ｈ），７．０５（ｂｒ，１Ｈ），６．８２（ｄｄ，１Ｈ），６．７４－６．６３（ｍ，４Ｈ），２．３２（ｓ，３Ｈ），２．２７（ｓ，３Ｈ），１．７６（ｓ，３Ｈ），１．６９－１．５９（ｍ，１Ｈ），１．４４－１．３７（ｍ，１Ｈ），１．３２（ｓ，３Ｈ），１．２９－１．１５（ｍ，４Ｈ），１．０９（ｓ，３Ｈ），０．８５（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（０．５ｇ）、化合物５ｅ（２．５ｇ）及びペンタデカン（７．２ｇ）を加え、加熱還流下で４６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（９．０ｇ）を加え、シリカゲル（２２．６ｇ）を敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ５を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで固体を得た後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製することにより、固体を得た。得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析し、次いで、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ５（０．７ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％であった。

金属錯体Ｂ５のＬＣ／ＭＳ及び¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２２１８［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９０－７．８２（ｍ，９Ｈ），７．５１－７．３４（ｍ，１５Ｈ），７．２７－７．０９（ｍ，１５Ｈ），６．９０－６．７８（ｍ，３Ｈ），６．７５－６．５９（ｍ，１２Ｈ），６．５７－６．５１（ｍ，３Ｈ），５．８８－５．７８（ｍ，３Ｈ），２．２５－２．０５（ｍ，２７Ｈ），２．０１－１．８３（ｍ，６Ｈ），１．４７－１．０６（ｍ，３０Ｈ），０．８９－０．７２（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ６＞ 金属錯体Ｂ６の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｃ(１３．０ｇ)、５’－ｍ－テルフェニルボロン酸（９．２ｇ）、ビス（ジ-ｔ-ブチル（４－ジメチルアミノビフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（０．１ｇ）及びトルエン（１００ｍL）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４９ｍL）を加え、９０℃で２１時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（３．０ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で分取精製することにより、油状物を得た。得られた油状物にメタノール及び活性炭を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、白色固体を得た。得られた固体をヘプタン及び２－プロパノールの混合溶媒を用いて晶析し、得られた固体を５０℃で減圧乾燥することにより、化合物６ａ（１１．３ｇ、白色固体）を得た。化合物６aのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物６ａの¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．８０－７．２５（ｍ，１８Ｈ），７．２０－７．０７（ｍ，１Ｈ），７．０１（ｔ，１Ｈ），２．１９－２．０９（ｔ，３Ｈ），１．８４－１．５６（ｍ，５Ｈ），１．４５－１．０６（ｍ，１０Ｈ），０．９４－０．８６（ｍ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（２．１ｇ）、化合物６a（１０ｇ）及びペンタデカン（５０ｍL）を加え、加熱還流下で６３時間攪拌した。その後、反応容器を室温まで冷却し、そこへ、２－プロパノール（１００ｍL）を加え、析出した固体をろ取した。得られた固体をジクロロメタン及びアセトニトリルの混合溶媒で洗浄することにより、黄色固体（５．５ｇ）を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製した後、ジクロロメタン及びエタノールの混合溶媒、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒、並びに、トルエン及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析した。更に、得られた固体を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン及びアセトニトリルの混合溶媒）で分取精製した後、トルエン及びエタノールの混合溶媒を用いて晶析した。得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ６（３．０ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
金属錯体Ｂ６の¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝７．６６－７．５６（ｍ，１５Ｈ），７．５１－７．１９（ｍ，２７Ｈ），７．１７－６．８０（ｍ，１２Ｈ），６．４１－６．２６（ｍ，３Ｈ），２．３４－２．４９（ｍ，６Ｈ），１．９６－１．８０（ｍ，１２Ｈ），１．６３－１．００（ｍ，３６Ｈ），０．８９－０．６５（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ７＞ 金属錯体Ｂ７の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、２－ジベンゾフランカルボン酸（２０．０ｇ）、硫酸（１．８ｇ）及びエタノール（６００ｍL）を加え、８０℃で４５時間撹拌した後、得られた反応液を室温にした。上記の操作を二回繰り返した後、得られた２回の反応液を合一した。得られた合一した反応液を濃縮した後、そこへ、酢酸エチル（４００ｍL）を加え、濃縮した。得られた濃縮物に、酢酸エチル（２００ｍL）及びイオン交換水（２００ｍL）を加え、抽出した。得られた有機層を炭酸ナトリウム水溶液（２００ｍL）で洗浄した後、得られた有機層をイオン交換水（２００ｍL）で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、セライト及びシリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。その後、得られた油状物を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物７a（３９．４ｇ、黄色油状物）を得た。化合物７aのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．０％であった。
化合物７aの¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝１．４０（３Ｈ，ｔ），４．３９（２Ｈ，ｑ），７．３８（１Ｈ，ｄｔ），７．５０（１Ｈ，ｄｔ），７．５９（２Ｈ，ｄ），８．０２（１Ｈ，ｄｄ），８．１６（１Ｈ，ｄｄ），８．６７（１Ｈ，ｄ）．

反応容器をアルゴン雰囲気下とした後、化合物７a（４０．０ｇ）、エタノール（３６０ｍL）、イオン交換水（４０ｍL）及びヒドラジン一水和物（１２５．０ｇ）を加え、８０℃で６時間撹拌した。その後、反応液を室温まで冷却した後、そこへ、イオン交換水（３００ｍL）を加え、０℃で１時間撹拌したところ、固体が生じた。得られた固体をろ取した後、得られた固体をイオン交換水（２００ｍL）で２回洗浄し、更に、５０％エタノール水（２００ｍL）で１回洗浄した。得られた固体に、２－プロパノール（５６５ｍL）を加えた後、懸濁撹拌した。その後、固体をろ取し、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物７ｂ（３４．５ｇ）を白色固体として得た。化合物７ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９７．１％であった。
化合物７ｂの¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₃ＯＤ）δ（ｐｐｍ）＝４．８４（２Ｈ，ｓ），７．３９（１Ｈ，ｄｔ），７．５２（１Ｈ，ｄｔ），７．６０（１Ｈ，ｄｄ），７．６４（１Ｈ，ｄ），７．９３（１Ｈ，ｄｄ），８．０７（１Ｈ，ｄｄ），８．４８（１Ｈ，ｄ）．

反応容器をアルゴン雰囲気下とした後、化合物３ｃ（２２．０ｇ）、モノクロロベンゼン（２２０ｍL）、２－フルオロピリジン（６．７ｍL）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１２．８ｍL）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、化合物７ｂ（１７．７ｇ）を加え、８５℃で３時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（７８ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（８８ｍL）で洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮した後、得られた固体をヘキサンで洗浄した。得られた固体を、アセトニトリルを用いて晶析した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物７ｃ（２８．２ｇ）を白色固体として得た。化合物７ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物７ｃの¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝０．８９（３Ｈ，ｔ），１．１８（３Ｈ，ｓ），１．２０－１．３５（３Ｈ，ｍ），１．３９（３Ｈ，ｍ），１．４６（１Ｈ，ｄｔ），１．６３（１Ｈ，ｍ），１．６６－１．７５（１Ｈ，ｍ），１．８３（３Ｈ，ｓ），７．２９（１Ｈ，ｄｔ），７．３４－７．６６（１２Ｈ，ｍ），７．８０（１Ｈ，ｄｄ），８．０２（１Ｈ，ｄ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（４．４ｇ）、化合物７ｃ（１８．０ｇ）及びペンタデカン（９０ｍL）を加え、加熱還流下で６６時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、２－プロパノール（９０ｍＬ）を加えたところ、固体が生じた。得られた固体をろ取した後、得られた固体にトルエン（１５ｍＬ）を加え、シリカゲル（７６ｇ）を敷いたろ過器でろ過した。その後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ７を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮した後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することで、固体を得た。得られた固体をトルエン及びエタノールの混合溶媒で晶析した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ７（７．０ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ７のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．３％であった。
金属錯体Ｂ７のＬＣ／ＭＳ及び¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６８８．８［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ₂Ｃｌ₂）δ（ｐｐｍ）＝０．４９－０．８６（１０Ｈ，ｍ），０．９４－１．７０（３５Ｈ，ｍ），１．８１－１．９１（４Ｈ，ｍ），２．２３－２．３２（５Ｈ，ｍ），６．５１－６．５９（３Ｈ，ｍ），６．７８－７．２７（１５Ｈ,m），７．４３－７．８１（２４Ｈ，ｍ）．

＜合成例Ｂ８＞ 金属錯体Ｂ８の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物８ａ（２７．５ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（５５ｇ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、１６質量％塩化水素シクロペンチルメチルエーテル溶液（２７．８ｇ）を滴下した。その後、そこへ、ヘプタン（１１０ｇ）を滴下した後、室温で１時間撹拌を継続し、析出した固体をろ取した。得られた固体を、ヘプタン及びシクロペンチルメチルエーテルで洗浄した後、更に、減圧乾燥させることで、化合物８ｂ（２９ｇ）を得た。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、２，２’－ジメチルヘキサン酸（１７．３ｇ）、クロロホルム（１１４ｇ）、Ｎ，Ｎ’－ジメチルホルムアミド（０．０４ｇ）を加え、５０℃で撹拌した。その後、そこへ、塩化チオニル（１５．０ｇ）を滴下した後、４０℃で３時間撹拌することにより、２，２’－ジメチルヘキサノイルクロライドを発生させた。その後、反応容器を水浴を用いて冷却し、２，２’－ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を得た。
別途用意した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物８ｂ（２８．５ｇ）、クロロホルム（１１４ｇ）及びトリエチルアミン（３９．７ｇ）を加え、撹拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却した後、そこへ、上記で調製した２，２’－ジメチルヘキサノイルクロライドを含む反応液を滴下した後、４０℃で５時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、イオン交換水を滴下した。その後、水層を除去した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、更に、減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製した後、ヘプタンを用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物８ｃ（２６．４ｇ）を得た。化合物８ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物８ｃのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．６４－７．６０（ｍ，２Ｈ），７．５９－７．５５（ｍ，２Ｈ），７．４４－７．３９（ｍ，３Ｈ），７．３６（ｂｒ，１Ｈ），７．３４－７．２９（ｍ，１Ｈ），１．６５－１．５７（ｍ，２Ｈ），１．４３（ｓ，９Ｈ），１．３６－１．２７（ｍ，１０Ｈ），０．９２－０．８７（ｍ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物８ｃ（５．５ｇ）、モノクロロベンゼン（２８ｇ）、２－フルオロピリジン（１．７ｇ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（４．９ｇ）を加え、室温下で１時間撹拌した。そこへ、３－ブロモベンズヒドラジド（３．７ｇ）を加え、１１０℃で１７時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、２ｍｏｌ／Ｌ炭酸水素ナトリウム水溶液（３０ｇ）を加えた。その後、水層を除去した後、得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、減圧濃縮することにより、粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製した後、更に、５０℃で減圧乾燥させることで、化合物８ｄ（５．３ｇ）を得た。化合物８ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．１％であった。
化合物８ｄのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７９（ｄ，１Ｈ），７．６９－７．６４（ｍ，２Ｈ），７．６１（ｄｄ，１Ｈ），７．５５（ｄｄ，１Ｈ），７．５３－７．４７（ｍ，２Ｈ），７．４６－７．３９（ｍ，２Ｈ），７．３５（ｄ，１Ｈ），７．３４－７．２７（ｍ，１Ｈ），７．１２（ｔ，１Ｈ），２．００－１．８６（ｍ，１Ｈ），１．５９－１．５０（ｍ，１Ｈ），１．４４－１．２６（ｍ，６Ｈ），１．２５－１．１３（ｍ，４Ｈ），０．９９－０．８８（ｍ，１２Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物８ｄ（５．２ｇ）、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニルボロン酸（２．１ｇ）、トルエン（５２ｇ）及び（ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（４－ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（６７ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３０ｍＬ）を加え、加熱還流下で７０時間攪拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びクロロホルムの混合溶媒）で精製し、更に、トルエン及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物８ｅ（３．９ｇ）を得た。化合物８ｅのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物８ｅのＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，１Ｈ），７．７３－７．６６（ｍ，３Ｈ），７．６４（ｄｄ，１Ｈ），７．５５－７．４７（ｍ，３Ｈ），７．４７－７．３５（ｍ，３Ｈ），７．２３－７．１６（ｍ，３Ｈ），７．０９－７．０３（ｍ，２Ｈ），２．０１－１．９０（ｍ，１Ｈ），１．６０－１．５０（ｍ，１Ｈ），１．４４－１．１６（ｍ，１９Ｈ），０．９５－０．８４（ｍ，１２Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（０．８６ｇ）、化合物８ｅ（３．６ｇ）及びペンタデカン（１０ｇ）を加え、加熱還流下で６７時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、トルエンを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した後、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をアシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製し、更に、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ８（１．０ｇ）を得た。金属錯体Ｂ８のＨＰＬＣ面積百分率値は９５．３％であった。

金属錯体Ｂ８のＬＣ－ＭＳ及びＮＭＲの測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ－ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１９４１［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０５－７．９３（ｍ，３Ｈ），７．７７－７．３１（ｍ，２１Ｈ），７．１７－６．８１（ｍ，１８Ｈ），６．２９－６．１６（ｍ，３Ｈ），２．００－１．７７（ｍ，２Ｈ），１．７５－１．５２（ｍ，２Ｈ），１．５０－１．１５（ｍ，６４Ｈ），１．１２－０．８０（ｍ，２８Ｈ），０．５４－０．４２（ｍ，３Ｈ）．

＜合成例Ｂ９＞ 金属錯体Ｂ９の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、１，２，３－トリメチルベンゼン（１６８ｇ）、ビスピナコラートジボロン（３８４ｇ）、(１，５－シクロオクタジエン)(メトキシ)イリジウム(I) (ダイマー)（８ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（１６８１ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、そこへ、(1,5-シクロオクタジエン)(メトキシ)イリジウム(I) (ダイマー)（１０ｇ）を加えた後、９５℃で６時間撹拌を継続した。その後、反応容器を室温まで冷却し、反応混合物を得た。
窒素ガス雰囲気とした反応容器を別途用意し、そこへ、メタノール（２３９１ｇ）を加え、氷浴で冷却し、撹拌した。その後、そこへ、上記で得られた反応混合物をゆっくりと加えた。その後、そこへ、活性白土（３３６ｇ）を加え、３０分間撹拌した後、ろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮することにより、固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びヘキサンの混合溶媒）で分取精製し、更に、アセトニトリルを用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物９ａ（１６５ｇ、白色固体）を得た。
化合物９ａの¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
¹Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）＝７．４６（ｓ，２Ｈ），２．２９(ｓ，６Ｈ)，２．１９（ｓ，３Ｈ），１.３４（ｓ，１２Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｃ(９．０ｇ)、化合物９ａ（６．２ｇ）、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３２．９ｇ）、イオン交換水（３２．９ｇ）及びトルエン（１０８．０ｇ）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、ビス（ジ-ｔｅｒｔ-ブチル（４－ジメチルアミノビフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（０．２ｇ）を加えた後、８０℃で２時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水（９１．０ｇ）で２回洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（１．６ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、トルエン溶液を得た。
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られたトルエン溶液(４９．９ｇ)、化合物９ａ（５．２ｇ）、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３２．９ｇ）、イオン交換水（３２．９ｇ）及びトルエン（１０８．０ｇ）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、ビス（ジ-ｔｅｒｔ-ブチル（2-ブテニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（０．２ｇ）を加えた後、８０℃で２７時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応液を分液した。得られた有機層をイオン交換水で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮した後、そこへ、ヘプタンを加え、１時間撹拌した後、固体をろ取した。得られた固体を、トルエン及びヘプタンの混合溶媒を用いて晶析し、更に、５０℃で減圧乾燥させることで、化合物９ｂ（６．２ｇ、白色固体）を得た。化合物９ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
化合物９ｂのＬＣ／ＭＳ及び¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４６６［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．５１－７．４５（ｍ，２Ｈ），７．４０（ｔ，１Ｈ），７．３５－７．２８（ｍ，２Ｈ），７．２４－７．１９（ｍ，１Ｈ），７．０９－７．０６（ｍ，１Ｈ），６．９１（ｓ，２Ｈ），２．４０（ｓ，３Ｈ），２．２８（ｓ，６Ｈ），２．１６（ｓ，３Ｈ），１．７５（ｓ，３Ｈ），１．７０－１．６１（ｍ，１Ｈ），１．４５－１．３５（ｍ，１Ｈ），１．３３（ｓ，３Ｈ），１．３０－１．１６（ｍ，４Ｈ），１．１１（ｓ，３Ｈ），０．８９－０．８３（ｍ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（１．６ｇ）、化合物９ｂ（６．０ｇ）及びペンタデカン（１４．２ｇ）を加え、加熱還流下で４５時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（３１．６ｇ）を加え、シリカゲル（１８．９ｇ）を敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ９を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することで、固体を得た後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、固体を得た。得られた固体をトルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて晶析し、更に、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｂ９（３．２ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ９のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．１％であった。
金属錯体Ｂ９のＬＣ／ＭＳ及び¹Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１５８５［Ｍ＋Ｈ］^+
1Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ₂Ｃｌ₂，４００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．４２－７．１６（ｍ，９Ｈ），６．９９－６．６２（ｍ，１２Ｈ），６．３１－６．１２（ｍ，３Ｈ），２．５３－２．４１（ｍ，９Ｈ），２．３１－２．００（ｍ，３６Ｈ），１．８６－１．７７（ｍ，３Ｈ），１．４４－０．９８（ｍ，３３Ｈ），０．８５－０．６２（ｍ，９Ｈ）．

＜合成例Ｂ１０＞ 金属錯体Ｂ１０の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物２ｂ（２８．０ｇ）、クロロベンゼン（３６０ｍＬ）、２－フルオロピリジン（１１ｍＬ）及びトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２１ｍＬ）を加え、９０℃で撹拌した。その後、そこへ、３，４－ジクロロベンゼンカルボヒドラジド（２５．５ｇ）を加えた後、９０℃で９時間撹拌した。その後、得られた反応液を室温まで冷却した後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（１００ｍＬ）で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体をヘキサンで洗浄した後、アセトニトリルを用いて晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥することにより、化合物１０ａ（３７．８ｇ）を白色固体として得た。化合物１０ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１０ａの^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
^１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝０．８６（ｔ，３H），
１．０４－１．５０（m, １１H）, １．５８－１．９０（m, ４H）, ２．４０（s, ３H）, ６．９８－７．３６（ｍ，５H），７．５０（ｓ，１H）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物１０ａ（３５．０ｇ）、２，４－ジメチルフェニルボロン酸（２６．０ｇ）、トルエン（７００ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（２．３ｇ）及び２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（２．８ｇ）を加え、９０℃で加熱撹拌した。その後、そこへ、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４０９ｍＬ）を加えた後、９０℃で９時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応混合物を分液した。得られた有機層をイオン交換水（１５０ｍＬ）で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（４．０ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮し、更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、油状物を得た。
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた油状物（３０．０ｇ）、２，４－ジメチルフェニルボロン酸（２．２ｇ）、トルエン（４５０ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１．０ｇ）及び２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル（１．２ｇ）を加え、９０℃で加熱撹拌した。その後、そこへ、４０質量％テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３４ｍＬ）を加え、９０℃で５時間撹拌した。その後、反応容器を室温まで冷却した後、得られた反応混合物を分液した。得られた有機層をイオン交換水（１５０ｍＬ）で２回洗浄した。その後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液に活性炭（４．０ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮することにより、赤茶色油状物を得た。得られた赤茶色油状物を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル）で分取精製し、次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びエタノールの混合溶媒）で分取精製した。その後、得られた油状物をリサイクル分取ＧＰＣにより、分取精製した。その後、得られた油状物を５０℃で減圧乾燥させることで、化合物１０ｂ（２．２ｇ、無色透明油状物）を得た。化合物１０ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物１０ｂのＬＣ／ＭＳ及び^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５５６［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２）δ（ｐｐｍ）＝０．８６（ｔ，３Ｈ），１．１２－１．４４（ｍ，１１Ｈ），１．５８－２．０４（ｍ，１０Ｈ），２．２０（ｓ，６Ｈ），２．３７（ｓ，３Ｈ），６．４６－７．２５（ｍ，１２Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、トリスアセチルアセトナトイリジウム（０．４ｇ）、化合物１０ｂ（２．０ｇ）及びペンタデカン（６ｍＬ）を加え、加熱還流下で５４時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（３０ｍＬ）を加え、シリカゲル（２０．０ｇ）を敷いたろ過器でろ過した後、得られたシリカゲルから、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて、金属錯体Ｂ１０を含む黄色溶液を抽出した。得られた溶液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製することにより、固体を得た。得られた固体を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル及び酢酸エチルの混合溶媒）で分取精製し、更に、トルエン及びエタノールの混合溶媒で晶析した。その後、得られた固体を５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体Ｂ１０（０．６ｇ、黄色固体）を得た。金属錯体Ｂ１０のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

金属錯体Ｂ１０のＬＣ／ＭＳ及び^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は、以下のとおりであった。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８５８［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ－ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝０．８２－２．３０（ｍ，９９Ｈ），５．６９－７．２７（ｍ，３３Ｈ）．

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ－１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ－１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ－１及び金属錯体Ｂ３（化合物ＨＭ－１／金属錯体Ｂ３＝７５質量％／２５質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノールに、高分子化合物ＥＴ１を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。

（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ²における発光効率及びＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）を測定した。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ２及び比較例ＣＤ１～ＣＤ４＞ 発光素子Ｄ２及びＣＤ１～ＣＤ４の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における「化合物ＨＭ－１及び金属錯体Ｂ３（化合物ＨＭ－１／金属錯体Ｂ３＝７５質量％／２５質量％）」に代えて、表１に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２及びＣＤ１～ＣＤ４を作製した。
発光素子Ｄ２及びＣＤ１～ＣＤ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ²における発光効率及びＣＩＥ色度座標（ｘ,ｙ）を測定した。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ３＞ 発光素子Ｄ３の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ－１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ－２を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。

（発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ－１、金属錯体Ｂ１及び金属錯体Ｇ１（化合物ＨＭ－１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノールに、高分子化合物ＥＴ１を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロ－１－ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。

（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ３を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２００ｃｄ／ｍ²における発光効率及びＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）を測定した。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ４～Ｄ１１及び比較例ＣＤ５～ＣＤ６＞ 発光素子Ｄ４～Ｄ１１、ＣＤ５及びＣＤ６の作製と評価
実施例Ｄ３の（発光層の形成）における「化合物ＨＭ－１、金属錯体Ｂ１及び金属錯体Ｇ１（化合物ＨＭ－１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）」に代えて、表２に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ３と同様にして、発光素子Ｄ４～Ｄ１１、ＣＤ５及びＣＤ６を作製した。
発光素子Ｄ４～Ｄ１１、ＣＤ５及びＣＤ６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２００ｃｄ／ｍ²における発光効率及びＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）を測定した。結果を表１に示す。

＜実施例Ｄ１２及び比較例ＣＤ７＞ 発光素子Ｄ１２及びＣＤ７の作製と評価
実施例Ｄ３の（発光層の形成）における「化合物ＨＭ－１、金属錯体Ｂ１及び金属錯体Ｇ１（化合物ＨＭ－１／金属錯体Ｂ１／金属錯体Ｇ１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）」に代えて、表３に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ３と同様にして、発光素子Ｄ１２及びＣＤ７を作製した。
発光素子Ｄ１２及びＣＤ７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率及びＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）を測定した。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ１３～Ｄ１８及び比較例ＣＤ８～ＣＤ９＞ 発光素子Ｄ１３～Ｄ１８、ＣＤ８及びＣＤ９の作製と評価
実施例Ｄ１の（発光層の形成）における「化合物ＨＭ－１及び金属錯体Ｂ３（化合物ＨＭ－１／金属錯体Ｂ３＝７５質量％／２５質量％）」に代えて、表４に記載の材料を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１３～Ｄ１８、ＣＤ８及びＣＤ９を作製した。
発光素子Ｄ１３～Ｄ１８、ＣＤ８及びＣＤ９に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００００ｃｄ／ｍ²における発光効率及びＣＩＥ色度座標（ｘ,ｙ）を測定した。結果を表４に示す。

Claims (7)

1. 陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた式（１）で表される金属錯体を含有する発光層とを有する発光素子。
   

   

   ［式中、
   Ｍ¹はロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
   ｎ¹は１以上の整数を表し、ｎ²は０以上の整数を表す。但し、Ｍ¹がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ¹＋ｎ²は３であり、Ｍ¹がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ¹＋ｎ²は２である。
   環Ｒ^1Aは、ジアゾール環、トリアゾール環又はテトラゾール環を表す。但し、環Ｒ^1Aの少なくとも１つは、ジアゾール環又はトリアゾール環である。
   環Ｒ²は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A 及びＥ^13Aは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ ^12A は、炭素原子を表す。Ｅ¹、Ｅ²、Ｅ^11A 及びＥ^13Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｅ¹及びＥ²の少なくとも一方は炭素原子である。
   Ｒ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   但し、Ｅ^11A 及びＥ^13Aの少なくとも１つは窒素原子であり、該窒素原子に結合するＲ^11A 及びＲ^13Aの少なくとも１つは式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であり、且つ、Ｅ^11A、Ｅ^12A 又はＥ^13A で表される炭素原子に結合するＲ^11A、Ｒ^12A及びＲ^13Aの少なくとも１つは、炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であり、該基は置換基を有していてもよい。ｎ^R1は、１以上１５以下の整数を表す。
   Ｒ^11AとＲ^12Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^12AとＲ^13Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ²が有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｅ^11Aが窒素原子の場合、Ｒ^11Aは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ ^13Aが窒素原子の場合、Ｒ^13Aは存在しても存在しなくてもよい。
   Ａ¹－Ｇ¹－Ａ²は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ¹及びＡ²は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ¹は、単結合、又は、Ａ¹及びＡ²とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ¹－Ｇ¹－Ａ²が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   環Ａは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｒ²は、炭素原子数ｎ^R2のアルキル基を表し、該基は置換基を有していてもよい。ｎ^R2は、１以上１５以下の整数を表す。但し、ｎ^R1とｎ^R2との和は、５以上３０以下である。］
2. 前記式（１）で表される金属錯体が、式（１－Ａ１）で表される金属錯体である、請求項１に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A 、Ｅ ^12A、Ｅ^13A 及びＡ¹－Ｇ¹－Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
   環Ｒ^2Aは、ベンゼン環、フルオレン環、スピロビフルオレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。前記置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^2Aが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   環Ｒ^2Aが有していてもよい置換基とＲ^11Aとは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   但し、式（１－Ａ１）中、Ｒ^11Aの少なくとも１つは前記式（Ａｒ－１Ａ）で表される基であり、且つ、Ｅ^12A 又はＥ^13A で表される炭素原子に結合するＲ^12A及びＲ^13Aの少なくとも１つは、炭素原子数ｎ^R1のアルキル基であり、該基は置換基を有していてもよい。］
3. 前記式（１－Ａ１）で表される金属錯体が、式（１－Ａ１－１）又は式（１－Ａ１－２）で表される金属錯体である、請求項２に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｍ¹、ｎ¹、ｎ²、Ｒ^11A、Ｒ^12A、Ｒ^13A及びＡ¹－Ｇ¹－Ａ²は、前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^21A、Ｒ^22A、Ｒ^23A及びＲ^24Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^21AとＲ^22A、Ｒ^22AとＲ^23A、Ｒ^23AとＲ^24A、及び、Ｒ^11AとＲ^21Aは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
4. 前記式（Ａｒ－１Ａ）で表される基が、式（Ａｒ－２Ａ）で表される基である、請求項１～３のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｒ²は、前記と同じ意味を表す。
   環Ａ¹は、ベンゼン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環を表す。
   Ｅ^1A、Ｅ^2A及びＥ^3Aは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^1Aが窒素原子の場合、Ｒ^1Aは存在しない。Ｅ^2Aが窒素原子の場合、Ｒ^2Aは存在しない。Ｅ^3Aが窒素原子の場合、Ｒ^3Aは存在しない。
   Ｒ^1A、Ｒ^2A及びＲ^3Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^1AとＲ^2A、及び、Ｒ^2AとＲ^3Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
5. 前記式（Ａｒ－２Ａ）で表される基が、式（Ａｒ－３Ａ）で表される基である、請求項４に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、Ｒ²、Ｒ^1A、Ｒ^2A及びＲ^3Aは、前記と同じ意味を表す。］
6. 前記発光層が、式（Ｈ－１）で表される化合物を更に含有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   ［式中、
   Ａｒ^H1及びＡｒ^H2は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ｎ^H1及びｎ^H2は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^H1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^H2は、同一でも異なっていてもよい。
   ｎ^H3は、０以上１０以下の整数を表す。
   Ｌ^H1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、－［Ｃ（Ｒ^H11）₂］ｎ^H11－で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^H1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^H11は、１以上１０以下の整数を表す。Ｒ^H11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^H11は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｌ^H2は、－Ｎ（－Ｌ^H21－Ｒ^H21）－で表される基を表す。Ｌ^H2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^H21は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^H21は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
7. 前記発光層が、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に含有する、請求項１～６のいずれか一項に記載の発光素子。