JP6372204B2 - 金属錯体およびそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物が種々検討されている。このような燐光発光性化合物としては、中心金属がイリジウム原子である金属錯体が数多く検討されている。発光素子の用途としては、ディスプレイおよび照明が挙げられ、青色発光を示す燐光発光性化合物、緑色発光を示す燐光発光性化合物、および、赤色発光を示す燐光発光性化合物のそれぞれについて、研究開発が盛んに行われている。赤色発光を示す燐光発光性化合物としては、例えば、特許文献１および２では、トリアジンを有する配位子を有する金属錯体（例えば、下記式で表される赤色燐光発光性化合物）が提案されている。

特開２００８−１７９６１７号公報 特開２０１１−１０５７０１号公報

しかしながら、上記の金属錯体を用いて製造される発光素子は、駆動初期の輝度寿命が必ずしも十分ではなかった。

そこで本発明は、駆動初期の輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、第一に、下記式（１）で表される金属錯体を提供する。

［式（１）中、
ｎ_１は、１、２または３を表す。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、または、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｍ_１およびｍ_２は、それぞれ独立に、０または１を表す。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１とＲ^２とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^３とＲ^４とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^４とＲ^５とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^１およびＡｒ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５およびＡｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５およびＡｒ^６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

本発明は、第二に、上記の金属錯体と、下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物を提供する。

［式（Ｙ）中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

本発明は、第三に、上記の金属錯体と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の材料とを含有する組成物を提供する。

本発明は、第四に、上記の金属錯体を用いて得られる発光素子を提供する。

本発明によれば、駆動初期の輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。そして、本発明の好ましい実施形態によれば、赤色発光の色純度に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体を含有する組成物および該金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
以下、本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、i-Prはイソプロピル基、n-Buはn-ブチル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

本明細書において、水素原子は重水素原子であってもよい。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計100モル％である。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖、分岐および環状のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐および環状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、n-ヘキシル基、シクロヘキシル基、n-ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-n-プロピルヘプチル基、n-デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-n-ヘキシルデシル基、n-ドデシル基等の非置換アルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-n-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基等の置換アルキル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖、分岐および環状のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐および環状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n-ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基
、n-ヘプチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、n-ノニルオキシ基、n-デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは７〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、アルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル）アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル）アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐および環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐および環状のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含
む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(A-21)〜式(A-54)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成する事が可能な基であり、好ましくは、式(B-1)、(B-2)、(B-3)、(B-4)、(B-5)、(B-6)、(B-7)、(B-8)、(B-9)、(B-10)、(B-11)、(B-12)、(B-13)、(B-14)、(B-15)、(B-16)または(B-17)で表される基である。

［式中、これらの基は置換基を有していてもよい。］

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（デンドリマー構造）を有する基である。なお、デンドロンを部分構造として有する化合物（デンドリマーと呼ぶ場合がある。）としては、例えば、ＷＯ０２／０６７３４３、特開２００３−２３１６９２、WO２００３／０７９７３６、WO２００６／０９７７１７等の文献に記載の構造が挙げられる。

デンドロンとしては、好ましくは、式(D-A)または(D-B)で表される基である。

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2およびｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DA1は、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DA2およびＴ^DA3は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DA1、Ｇ^DA2およびＧ^DA3は、それぞれ独立に、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DA4、Ｔ^DA5、Ｔ^DA6およびＴ^DA7は、それぞれ独立に、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、通常10以下の整数であり、5以下の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、0であることが更に好ましい。また、ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6およびｍ^DA7は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^DA1は、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊１、＊２および＊３は、各々、Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2およびＡｒ^DA3との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｇ^DA2は、好ましくは式(GDA-21)〜(GDA-25)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｇ^DA3は、好ましくは式(GDA-31)〜(GDA-35)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
＊２、＊４および＊５は、各々、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA4およびＡｒ^DA5との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
＊３、＊６および＊７は、各々、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基またはアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子またはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6およびＡｒ^DA7は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DBは、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。

Ｔ^DA2、Ｔ^DA3、Ｔ^DA4、Ｔ^DA5、Ｔ^DA6およびＴ^DA7は、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。

［式中、Ｒ^DAおよびＲ^DBは前記と同じ意味を表す。］

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)〜(D-B3)で表される基である。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^p1およびＲ^p2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

Ｒ^p1、Ｒ^p2およびＲ^p3は、好ましくはアルキル基である。

＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。本発明の金属錯体は、式（１)で表される。

式（１）で表される金属錯体は、イリジウム原子と、添え字ｎ_１でその数を規定されている配位子と、添え字（３−ｎ_１）でその数を規定されている配位子とから構成されている。

式（１）中、ｎ_１は、２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

式（１）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、イリジウム原子と結合する部位を示す。］

式（１）中、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、下記で表される配位子であってもよい。ただし、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ_１でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、イリジウム原子と結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２で表されるアリール基としては、アルキル基またはアリール基を置換基として有するアリール基であることが好ましく、アリール基を置換基として有するアリール基であることがより好ましい。

Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２で表される１価の複素環基としては、１，３，５−トリアジニル基であることが好ましく、２位および４位にアリール基を置換基として有する１，３，５−トリアジニル基であることがより好ましい。

Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２で表されるアリール基および１価の複素環基としては、デンドロンであることが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６は、本発明の金属錯体の溶媒に対する溶解性および成膜性が優れるので、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。

式（１）中、ｍ_１およびｍ_２は、本発明の金属錯体の溶液中での発光量子収率が優れるので、０≦ｍ_１＋ｍ_２≦１を満たすことが好ましく、ｍ_１が０または１であり、ｍ_２が０であることがより好ましい。

式（１）中、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、本発明の金属錯体の溶液中での発光量子収率が優れるので、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アリール基であることがより好ましい。アリール基または１価の複素環基としては、無置換のものであるか、または、アルキル基およびアルコキシ基から選ばれる基を置換基として有するものであることが好ましく、アルキル基を置換基として有するものであることがより好ましい。

式（１）中、Ａｒ^３〜Ａｒ^６は、本発明の金属錯体の溶液中での発光量子収率が優れるので、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アリール基であることがより好ましい。アリール基または１価の複素環基としては、無置換のものであるか、または、アルキル基およびアルコキシ基から選ばれる基を置換基として有するものであることが好ましく、アルキル基を置換基として有するものがより好ましい。

式（１）中、Ａｒ^７およびＡｒ^８は、本発明の金属錯体の溶液中での発光量子収率が優れるので、アリーレン基であることが好ましく、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−１０）で表される基であることがより好ましく、前記式（Ａ−１）で表される基であることが更に好ましく、無置換の１，４−フェニレン基であることが特に好ましい。

式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５およびＡｒ^６がアルキル基である場合、該アルキル基の炭素原子数は１〜１０であることが好ましい。また、式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９がアルキル基を置換基として有する基の場合、該アルキル基の炭素原子数は１〜１０であることが好ましい。

式（１）中、Ａｒ^９は、本発明の金属錯体の溶液中での発光量子収率が優れるので、アリーレン基であることが好ましく、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−１０）で表される基であることがより好ましく、前記式（Ａ−１）で表される基であることが更に好ましく、無置換の１，４−フェニレン基であることが特に好ましい。

式（１）で表される金属錯体は、本発明の金属錯体の合成が容易となるため、下記式（１ａ）で表される金属錯体であることが好ましい。

［式（１ａ）中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ^１、ｍ_１、ｍ_２およびｎ₁は、前記と同じ意味を表す。］

式（１）で表される金属錯体としては、例えば、下記式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−３０）で表される金属錯体が挙げられ、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるため、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−４）、（Ｉｒ−５）、（Ｉｒ−８）、（Ｉｒ−１１）、（Ｉｒ−１６）、（Ｉｒ−１７）、（Ｉｒ−２０）または（Ｉｒ−２４）で表される金属錯体が好ましく、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−５）、（Ｉｒ−８）または(Ｉｒ−１１)で表される金属錯体がより好ましく、式（Ｉｒ−１）で表される金属錯体が更に好ましい。

［式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−３０）中、
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、前記と同じ意味を表す。
Ｌ^３は、アルキル基、ハロゲン原子、アリール基、２位および４位にアリール基を置換基として有する１，３，５−トリアジニル基、または、デンドロンから選ばれる基である。Ｌ^３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^１は、下記式（１Ｚ１）で表される基を表す。Ｚ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

［式（１Ｚ１）中、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８、Ａｒ^９、ｍ_１およびｍ_２は、前記と同じ意味を表す。］

なお、式（１Ｚ１）で表される基は、式（１）で表される金属錯体の部分構造である。

式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−３０）中、
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、下記群Ｉの式（Ｉ−０１）〜式（Ｉ−１４）から選ばれる基であることが好ましい。
Ｌ^３は、下記群ＩＩの式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−２１）から選ばれる基であることが好ましい。
Ｚ^１は、下記群ＩＩＩの式（ＩＩＩ−０１）〜式（ＩＩＩ−１７）から選ばれる基であることが好ましい。

＜群Ｉ＞

＜群ＩＩ＞

＜群ＩＩＩ＞

式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−３０）中、Ａｒ^１およびＡｒ^２としては、式（Ｉ−０３）〜式（Ｉ−０５）から選ばれる基であることが好ましい。

式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−３０）中、Ｌ^３としては、式（ＩＩ−１６）〜式（ＩＩ−１９）から選ばれる基であることが好ましい。

式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−３０）中、Ｚ^１としては、式（ＩＩＩ−０１）または（ＩＩＩ−０９）で表される基であることが好ましい。

本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子には、本発明の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

式（１）で表される金属錯体（式（１−ａ）で表される金属錯体であってもよい。）には、複数の幾何異性体が考えられ、いずれの幾何異性体であってもよいが、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるため、ｆａｃｉａｌ体が金属錯体全体に対して８０モル％以上であることが好ましく、９０モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更に好ましく、１００モル％（すなわち、他の幾何異性体を含まないこと）が特に好ましい。

式（１）で表される金属錯体としては、下記式（Ｉｒ−１０１）〜（Ｉｒ−１１８）で表される金属錯体であることが特に好ましく、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるため、下記式（Ｉｒ−１０１）〜（Ｉｒ−１１４）で表される金属錯体であることがとりわけ好ましい。

＜金属錯体の製造方法＞
本発明の金属錯体は、如何なる方法で製造してもよいが、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる方法により製造することができる。また、必要に応じて、金属錯体の配位子部分を修飾する反応を行ってもよい。

配位子となる化合物と金属化合物との反応の方法の例としては、イリジウム原子を有する金属錯体の場合、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８４，１０６，６６４７に記載の方法が挙げられる。

金属化合物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物（ＩｒＣｌ_３・３Ｈ_２Ｏ）、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ａｃａｃ）_３）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー（［Ｉｒ（ＣＯＤ）Ｃｌ］_２）、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ＯＡｃ）_３）が挙げられる。

配位子となる化合物と金属化合物との反応は、必要に応じて、反応系中に有機溶媒、塩基、塩化銀化合物等が存在していてもよい。

有機溶媒としては、配位子となる化合物と金属化合物との反応が円滑に進行するため、極性溶媒であることが好ましい。極性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。有機溶媒は、極性溶媒と水との混合溶媒であってもよい。混合溶媒の例としては、例えば、水と２−エトキシエタノールとの混合溶媒が挙げられる。極性溶媒と水との混合比は任意の割合で用いることができるが、配位子となる化合物を高温で溶解できるので、１０／１〜１／１の範囲であることが好ましい。

配位子となる化合物と金属化合物との反応温度は、通常、反応系に存在する有機溶媒の常圧における融点から有機溶媒の常圧における沸点の間で設定すればよいが、−７８℃から常圧における有機溶媒の沸点の間で設定するのが好ましく、５０℃〜２００℃の範囲で設定するのがより好ましい。配位子となる化合物と金属化合物との反応において、密閉した反応器を用いる場合、例えば、マイクロウェーブ反応装置を使用する場合は、有機溶媒の沸点以上で反応させることができる。

配位子となる化合物と金属化合物との反応時間は、通常、３０分間〜１５０時間である。マイクロウェーブ反応装置を使用する場合、反応時間は、通常、数分〜数時間である。

配位子となる化合物の合成、および、金属錯体の配位子部分の修飾に用いる反応としては、例えば、芳香族化合物誘導体、芳香族複素環式化合物誘導体等を原料とするＳｕｚｕｋｉカップリング、Ｇｒｉｇｎａｒｄカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング等のカップリング反応が挙げられる。その一例を挙げると、２−フェニルピリジン誘導体と芳香族複素環式化合物とを有機溶媒に溶解させ、塩基および触媒を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより、配位子となる化合物を合成することができる。

カップリング反応に用いる有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、エタノール、テトラヒドロフランが挙げられ、カップリング反応の種類に応じて適宜選択することができる。

カップリング反応に用いる触媒としては、例えば、パラジウム、ニッケル等の遷移金属触媒が挙げられる。具体的には、酢酸
パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）が挙げられる。
触媒は、カップリング反応時に触媒の配位子として作用するリン化合物等と併用してもよく、具体的には、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物が挙げられる。

カップリング反応に用いる塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の無機塩基、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の有機塩基が挙げられ、カップリング反応の種類に応じて適宜選択することができる。

製造された金属錯体の同定および分析は、例えば、元素分析、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分析、質量分析（ＭＳ）および赤外吸収（ＩＲ）分析により行うことができる。

本発明の金属錯体の製造方法の一例について、具体的に説明する。

式（１）で表される金属錯体は、下記式（３）で表される金属錯体と、下記式（４）で表される化合物とをカップリング反応させる工程を含む方法により製造することができる。式（３）で表される金属錯体は、下記式（２）で表される金属錯体をハロゲン化反応により修飾することにより製造することができる。式（３）で表される金属錯体と、式（４）で表される化合物とのカップリング反応は、前記配位子となる化合物の合成、および、金属錯体の配位子部分の修飾に用いる反応として述べたのと同じ方法で行うことができる。

［式（２）、（３）および（４）中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８、Ａｒ^９、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ^１、ｍ_１、ｍ_２およびｎ₁は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^１は、−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基（Ｒ^Ｗ１は、水素原子、アルキル基、アリール基またはアミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｗ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）を表し、Ｗ^２は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。］

−Ｂ（ＯＲ^Ｗ１）_２で表される基としては、例えば、下記式（Ｗ−１）〜（Ｗ−１０）で表される基が挙げられる。

式（３）中、Ｗ^２としては、式（３）で表される金属錯体と式（４）で表される化合物とのカップリング反応が容易に進行するので、臭素原子またはヨウ素原子が好ましく、式（３）で表される金属錯体の合成が容易であるため、臭素原子であることがより好ましい。

式（４）中、Ｗ^１としては、式（４）で表される化合物の合成が容易であるため、式（Ｗ−７）で表される基であることが好ましい。

＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の金属錯体とを含有する。

本発明の組成物において、本発明の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

［ホスト材料］
本発明の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性および電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の駆動初期の輝度寿命はより優れたものとなる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

本発明の金属錯体と、ホスト材料とを含有する組成物において、本発明の金属錯体の含有量は、本発明の金属錯体とホスト材料との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０５〜８０重量部であり、好ましくは０．１〜５０重量部であり、より好ましくは０．５〜４０重量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の外部量子効率が優れるため、本発明の金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、本発明の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスにて作製する観点から、本発明の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）および１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン（ｍｃＰ）等のカルバゾール骨格を有する化合物；１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）およびＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）等のトリアリールアミン骨格を有する化合物；２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン骨格を有する化合物；トリフェニルトリアジン等のトリアリールトリアジン骨格を有する化合物；ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ２）および４，４’−ビス（トリフェニルシリル）ビフェニル（ＢＳＢ）等の有機ケイ素化合物；１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、３−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ｔ−Ｂｕ−ＴＡＺ）および２−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）等のアゾール骨格を有する化合物；並びに、それらの骨格を組み合わせた化合物が挙げられる。該骨格を組み合わせた化合物としては，例えば、４，４'，４''−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）等のカルバゾール骨格およびトリアリールアミン骨格を有する化合物が挙げられる。

ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

［高分子ホスト］
ホスト化合物として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」ともいう。）に関して説明する。

高分子ホストとしては、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ａｒ^Y1で表されるアリーレン基としては、特に好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-19)または式(A-20)で表される基であり、とりわけ好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される２価の複素環基としては、特に好ましくは式(A-21)〜式(A-24)、式(A-30)〜式(A-35)、式(A-38)〜式(A-41)、式(A-53)または式(A-54)で表される基であり、と
りわけ好ましくは式(A-24)、式(A-30)、式(A-32)、式(A-34)または式(A-53)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基の特に好ましい範囲、とりわけ好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Y1で表されるアリーレン基および２価の複素環基の特に好ましい範囲、とりわけ好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)〜(Y-13)で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるため、好ましくは式(Y-1)、(Y-2)または(Y-3)で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)〜(Y-7)で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)〜(Y-10)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y1は、好ましくは水素原子、アルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-1)で表される構成単位は、式(Y-1')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y11は、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Y11は、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、より好ましくはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Y1は、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−またはＣ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y2は、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)〜(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)−で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−Ｃ(Ｒ^Y2)₂−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)〜(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y11およびＸ^Y1は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であってもよく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であってもよい。

［式中、Ｒ^Y1およびＲ^Y3は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Y4は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y4は、好ましくはアルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)〜(Y-130)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)〜(Y-207)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)〜(Y-308)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは10〜95モル％であり、より好ましくは30〜90モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位であって、Ａｒ^Y1が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜30モル％であり、より好ましくは3〜20モル％である。

式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、ａ^X1およびａ^X2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

ａ^X1は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^X2は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の駆動初期の輝度寿命がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^X1、Ｒ^X2およびＲ^X3は、好ましくはアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基としては、特に好ましくは式(A-1)または式(A-9)で表される基であり、とりわけ好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基としては、特に好ましくは式(A-21)、式(A-22)または式(A-27)〜式(A-46)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X1およびＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表されるアリーレン基としては、特に好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)〜式(A-11)または式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される２価の複素環基の特に好ましい範囲は、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表される２価の複素環基の特に好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基の特に好ましい範囲、とりわけ好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^X1およびＡｒ^X3で表されるアリーレン基および２価の複素環基の特に好ましい範囲、とりわけ好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^X2およびＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4およびＲ^X1〜Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、好ましくは式(X-1)〜(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)〜(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)〜(X-6)で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^X4およびＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは5〜30モル％である。

式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)〜(X1-19)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-1)〜(X1-14)で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、下記表１の高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−６が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
］

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

＜高分子ホストの製造方法＞
次に、高分子ホストの製造方法について説明する。

高分子ホストは、例えば、式(M-Y1)で表される化合物、式(M-Y2)で表される化合物および式(M-X)で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を縮合重合させることにより製造することができる。本明細書において、高分子ホストの製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。

［式中、Ａｒ^Y1、Ａｒ^X1〜Ａｒ^X4、Ｒ^X1、Ｒ^X2、Ｒ^X3、ａ^X1およびａ^X2は、前記と同じ意味を表し、Ｚ^C1〜Ｚ^C6は、それぞれ独立に、置換基Ａ群および置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を示す。］

例えば、Ｚ^C1、Ｚ^C2、Ｚ^C5およびＺ^C6が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3およびＺ^C4は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。
例えば、Ｚ^C1、Ｚ^C2、Ｚ^C5およびＺ^C6が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3およびＺ^C4は、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。

＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ)₂Ｒ^C1で表される基。
（式中、Ｒ^C1は、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓを示す。）で表される基；
−ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で表される基；
−ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で表される基；、および、
−Ｓｎ(Ｒ^C3)₃（式中、Ｒ^C3は、水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C3は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。

−Ｂ(ＯＲ^C2)₂で表される基としては、下記式で表される基が例示される。

置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基および置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合する。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物と、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。

縮合重合は、通常、触媒、塩基および溶媒の存在下で行われ、必要に応じて、相間移動触媒を共存させて行ってもよい。

触媒としては、例えば、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、酢酸パラジウム等のパラジウム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、［1,3-ビス（ジフェニルホスフィノ)プロパン）ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（1,4-シクロ
オクタジエン）ニッケル（０）等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、更にトリフェニルホスフィン、トリ（o-トリル）ホスフィン、 トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、0.00001〜３モル当量である。

塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。塩基は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

相間移動触媒としては、例えば、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。相間移動触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

塩基の使用量は、原料モノマーの合計モル数に対して、通常0.001〜100モル当量である。

相関移動触媒の使用量は、原料モノマーの合計モル数に対して、通常0.001〜100モル当量である。

溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計100重量部に対して、10〜100000重量部である。

縮合重合の反応温度は、通常-100〜200℃である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

本発明の金属錯体および溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。
）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料および電子注入材料］
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式(X)で表される基を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本発明の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、１〜400重量部であり、好ましくは５〜150重量部である。

正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

［発光材料］
発光材料（本発明の金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式(X)で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、低分子化合物および高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、0.1〜400重量部である。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の金属錯体100重量部に対して、通常、0.001〜10重量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜膜＞
膜は、本発明の金属錯体を含有する。

膜には、本発明の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本発明の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、発光素子の積層化に好適に使用することができる。

膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、25〜300℃であり、外部量子効率が良好になるので、好ましくは50〜250℃であり、より好ましくは150〜200℃である。

膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

膜は、発光素子における正孔輸送層、正孔注入層または発光層として好適であり、発光層としてより好適である。

膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子であり、本発明の金属錯体が分子内または分子間で架橋されたものであってもよく、本発明の金属錯体が分子内および分子間で架橋されたものであってもよい。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を用いて得られる層とを有する。

［層構成］
本発明の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。
これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層および電子注入層の材料としては、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料および電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数および厚さは、外部量子効率および素子寿命を勘案して調整すればよい。

［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

本実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）およびポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、以下のとおりである。

［測定条件］
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレント テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ／ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン約４ｍｇを、４００μＬのテトラヒドロフランに溶解させて、マトリックス溶液を調製した。測定試料約０．１ｍｇを、２００μＬのテトラヒドロフランに溶解させて、試料溶液を調製した。マトリックス溶液５０μＬと試料溶液１０μＬとを混合し、これをＭＡＬＤＩプレートに塗布して、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの測定を行った。測定は、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ装置：ＲＥＦＬＥＸ ＩＩＩ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いて、測定モード：リフレクトロンモード、加速電圧：２７．５ｋＶ、レーザー:Ｎ_２（３３７ｎｍ）で行った。

ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ_８）または重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名 ＭＥＲＣＵＲＹ ３００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜合成例１＞ 金属錯体ＭＣ２の合成

金属錯体ＭＣ１は、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ１（３８ｇ、２２．６ｍｍｏｌ）、Ｎ−ブロモスクシンイミド（１２．１ｇ、６８ｍｍｏｌ）およびクロロホルム（１８００ｍＬ）を加え、室温で２４時間攪拌した。得られた反応混合物を、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより、固形分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮することにより溶媒を留去し固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／ヘキサン＝１／３）により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを濃縮し、再結晶（ジクロロメタンおよびヘキサンの混合溶媒）を３回行うことにより精製し、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことで、目的物である金属錯体ＭＣ２（２２．１ｇ）を赤色固体として得た。収率は５１％であった。得られた金属錯体ＭＣ２のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％を示した。

ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ−ｐｏｓｉ）：ｍ／ｚ＝１９２０［Ｍ＋Ｈ］^＋
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤ₂Ｃｌ₂）：δ（ｐｐｍ＝）９．３１（ｄ，３Ｈ），９．２６（ｄｄ，３Ｈ），８．３８（ｄ，１２Ｈ），８．２２（ｄ，３Ｈ），７．９６（ｄ，３Ｈ），７．４３（ｄ，１２Ｈ），７．００（ｄｄ，３Ｈ），６．８２（ｄ，３Ｈ），１．２３（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例１＞ 金属錯体（Ｉｒ−１０１）の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミン（９８．５ｇ、３５０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（３．２１ｇ、３．５ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（４．０６ｇ、１４ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（６７．３ｇ、７００ｍｍｏｌ）およびトルエン（６６５ｍＬ）を加え、攪拌しながら８０℃に加熱した。その後、そこへ、トルエン（５５ｍｌ）に溶解させたブロモベンゼン（５７．１ｇ、３６６ｍｍｏｌ）を滴下し、８５℃で４時間攪拌した。得られた反応混合物を、トルエン（６８０ｍｌ）で希釈した後、熱時ろ過することにより固体を除去した。得られたろ液に、活性白土（３５ｇ）および活性アルミナ（３５ｇ）を加え、９０℃で１．５時間攪拌した後、熱時ろ過することにより固体を除去した。得られたろ液を減圧濃縮することにより溶媒を除去し、固体を得た。得られた固体を、再結晶（ヘキサンおよびエタノールの混合溶媒）を２回行うことにより精製し、５０℃で一晩減圧乾燥を行うことで、目的物である化合物Ｓ１ａ（９９ｇ）を固体として得た。収率は７９％であった。得られた化合物Ｓ１ａのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．９％以上を示した。

＜ｓｔａｇｅ２＞
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ１ａ（７１．５ｇ、２００ｍｍｏｌ）、Ｎ−ヨードスクシンイミド（４９．５ｇ、２２０ｍｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（８００ｍＬ）を加え、攪拌しながら３０℃に加熱した。その後、そこへ、トリフルオロ酢酸（１１．４ｇ、１００ｍｍｏｌ）を滴下し、５０℃で４時間攪拌した。その後、氷浴を用いて冷却し、イオン交換水（８００ｍＬ）および１０％塩化ナトリウム水溶液（２００ｍＬ）を滴下したところ、固体が得られた。得られた固体をトルエン（１Ｌ）に溶解させた後、イオン交換水（８００ｍＬ）を用いて２回洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮することにより溶媒を留去し、固体を得た。得られた固体を５０℃で一晩減圧乾燥した後、再結晶（クロロホルムおよびメタノールの混合溶媒）を行うことにより精製し、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことで、目的物である化合物Ｓ１ｂ（８４ｇ）を固体として得た。収率は８７％であった。得られた化合物Ｓ１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％を示した。

＜ｓｔａｇｅ３＞
遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物Ｓ１ｂ（７．５ｇ、１５ｍｍｏｌ）およびテトラヒドロフラン（８０ｍＬ）を加えた。その後、そこへ、テトラヒドロフランに溶解させたイソプロピルマグネシウムクロリド（２ｍｏｌ／Ｌ、１５ｍＬ）を滴下し、室温で１時間撹拌した。その後、氷浴を用いて冷却し、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（６．４ｍＬ）を加え、５分間撹拌した。その後、氷浴を取り除き、室温までゆっくりと昇温しながら３時間撹拌した。
その後、氷浴を用いて再び冷却した後、酢酸エチル（９０ｍＬ）およびトルエン（３０ｍＬ）の混合溶媒を用いて抽出し、得られた有機層を１５重量％の食塩水（５０ｍＬ）で２回洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮することにより溶媒を留去し、固体を得た。得られた固体を、再結晶（クロロホルムおよびメタノールの混合溶媒）を２回行うことにより精製し、５０℃で一晩減圧乾燥を行うことで、目的物である化合物Ｓ１ｃ（５．５ｇ）を白色固体として得た。収率は７４％であった。得られた化合物Ｓ１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上を示した。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８４［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜ｓｔａｇｅ４＞
遮光した反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ２（５．０ｇ、２．６ｍｍｏｌ）、化合物Ｓ１ｃ（４．４ｇ、９．１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６０ｍｇ、０．３１ｍｍｏｌ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）およびテトラヒドロフラン（２１０ｍｌ）を加え、加熱還流下で２４時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエン（４００ｍＬ）およびイオン交換水（４００ｍＬ）を加え、抽出し、有機層を得た。得られた有機層を、イオン交換水で２回、５重量％食塩水で１回洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮することにより溶媒を留去し、固体を得た。得られた固体を、再結晶（トルエンおよびイソプロパノールの混合溶媒）を行うことにより精製し、５０℃で一晩減圧乾燥を行うことで、目的物である金属錯体（Ｉｒ−１０１）（３．９ｇ）を赤色固体として得た。収率は５５％であった。得られた金属錯体（Ｉｒ−１０１）のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤ_２Ｃｌ_２）：δ（ｐｐｍ）＝９．４１（ｄ，３Ｈ），９．２１（ｄｄ，３Ｈ），８．３９（ｄ，１２Ｈ），８．２６（ｄ，３Ｈ）、７．９６（ｓ，３Ｈ），７．４５〜７．３８（ｍ，１８Ｈ），７．２７（ｄｄ，１２Ｈ），７．２３〜７．１６（ｍ，６Ｈ），６．９６（ｄ，１８Ｈ），１．３０（ｓ，５４Ｈ），１．２２（ｓ，５４Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２７５１［Ｍ＋Ｈ］^＋

＜実施例２＞ 金属錯体（Ｉｒ−１１４）の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
金属錯体ＭＣ３および金属錯体ＭＣ４は、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜ｓｔａｇｅ２＞
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ４（３８１ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（１５７ｍｇ、０．６２ｍｍｏｌ）、［１，１'−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド ジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、２０ｍｇ、０．０２４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１１８ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）およびテトラヒドロフラン（１３ｍＬ）を加え、加熱還流下で１１時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエン（１０ｍＬ）を加えてから減圧濃縮することにより溶媒を留去し、固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン）により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを濃縮し、得られた固体をメタノールで洗浄した後、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことで、目的物である金属錯体ＭＣ５（１８７ｍｇ）を赤色固体として得た。収率は４７％であった。得られた金属錯体ＭＣ５のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．９％以上を示した。

ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ／ＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１９８４［Ｍ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝９．２５（ｓ，１Ｈ），９．０９（ｍ，３Ｈ），８．８９（ｄ，１Ｈ），８．５３（ｓ，１Ｈ），８．３６（ｍ，５Ｈ），８．２７（ｍ，７Ｈ），７．８６（ｍ，１Ｈ），７．８１（ｄ，１Ｈ），７．７６（ｓ，２Ｈ），７．６４（ｍ，７Ｈ），７．４２（ｍ，１３Ｈ），７．１４−７．３０（ｍ，４Ｈ），７．０７（ｔ，２Ｈ），１．３８（ｓ，１８Ｈ），１．３５（ｓ，３０Ｈ），１．３１（ｓ，１２Ｈ），１．２４（ｓ，１８Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ３＞
遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ５（１４０ｍｇ、０．０７０ｍｏｌ）、４−ブロモトリフェニルアミン（５１ｍｇ、０．１５４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５．６ｍｇ、０．００４ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（９ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２５８ｍｇ、０．３４３ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下で８時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエン（１０ｍＬ）を加えてから減圧濃縮することにより溶媒を留去し、固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン）により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを濃縮し、得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム）により再度精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを濃縮し、得られた固体をメタノールで洗浄した後、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことで、目的物である金属錯体（Ｉｒ−１１４）（１３０ｍｇ）を赤色固体として得た。収率は８４％であった。得られた金属錯体（Ｉｒ−１１４）のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ／ＭＳ(ｐｏｓｉｔｉｖｅ)：ｍ/ｚ＝２２１９[Ｍ] ^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝９．４９（ｓ，１Ｈ），９．３３（ｓ，１Ｈ），９．２６（ｄ，１Ｈ），９．２３（ｍ，１Ｈ），９．０３（ｄ，１Ｈ），８．７０（ｓ，１Ｈ），８．６０（ｄ，１Ｈ），８．５６（ｄ，１Ｈ），８．４３（ｄ，４Ｈ），８．３９（ｄ，４Ｈ），８．２２（ｓ，１Ｈ），８．１９（ｓ，１Ｈ），８．０８（ｍ，１Ｈ），８．０７（ｄ，１Ｈ），７．８５（ｓ，２Ｈ），７．７３（ｍ，３Ｈ），７．６９（ｄ，１Ｈ），７．６６（ｄ，４Ｈ），７．６０（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｄ，２Ｈ），７．５１（ｍ，８Ｈ），７．４７（ｄ，４Ｈ），７．３２（ｄ，１Ｈ），７．２４（ｍ，１０Ｈ），７．１５（ｍ，３Ｈ），７．０９（ｍ，１２Ｈ），６．９８（ｍ，４Ｈ），１．４２（ｓ，１８Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），１．２７（ｓ，１８Ｈ）．

＜合成例２＞ 高分子化合物ＩＰ１の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、国際公開第２０１１／０１３７２３号に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ１（１８５ｇ）、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ２（３５．９ｇ）、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ３（２０．１ｇ）、特開２００３−２２６７４４号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ４（１０４ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１７７ｍｇ）およびトルエン（４．３ｋｇ）を加え、１００℃に加熱した。

（工程２）その後、そこへ、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（８７３ｇ）を滴下し、１００℃で５時間攪拌した。

（工程３）その後、そこへ、フェニルボロン酸（３．０８ｇ）およびトルエン（１２０ｇ）を加え、１００℃で１４時間攪拌した。

（工程４）得られた反応液から水層を除いた後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液およびトルエンを加え、４０℃で３時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、水層を除去することにより有機層を得た。得られた有機層を、１０重量％塩酸で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄した。洗浄した有機層を、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿物が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＩＰ１を２０４ｇ得た。高分子化合物ＩＰ１のＭｎは６．７×１０^４であり、Ｍｗは２．３×１０^５であった。

高分子化合物ＩＰ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ１から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ３から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ４から誘導される構成単位とが、５０：１２．５：７．５：３０のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例３＞高分子化合物Ｈ１の合成
高分子化合物Ｈ１は、単量体ＣＭ２と、国際公開第２０１２／０８６６７１に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ５と、特開２００４−１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ６とを用いて、特開２０１２−２１６８１５号公報に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物Ｈ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ５から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ６から誘導される構成単位とが、４５：５０：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例４＞単量体ＣＭ７の合成

化合物ＣＭ７ａは、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。

＜Ｓｔｅｐ１＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４−ブロモ−ｎ−オクチルベンゼン（２５０ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、２．５Ｌ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（３５５ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて３時間攪拌した。その後、そこへ、テトラヒドロフラン（脱水品、４００ｍＬ）に化合物ＣＭ７ａ（１４８ｇ）を溶解させた溶液を滴下した後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却した後、水（１５０ｍＬ）を加えて攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮し、有機溶媒を除去した。得られた反応混合物に、ヘキサン（１Ｌ）および水（２００ｍＬ）を加え、分液操作によって水層を除去した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで、化合物ＣＭ７ｂ（３３０ｇ）を黄色油状物として得た。

＜Ｓｔｅｐ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ７ｂ（３３０ｇ）およびジクロロメタン（９００ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．０ｍｏｌ／Ｌ濃度の三フッ素化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２４５ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を、氷水（２Ｌ）の入った容器に加え、３０分間攪拌した後、水層を除去した。得られた有機層を、１０重量％濃度のリン酸カリウム水溶液（１Ｌ）で１回、水（１Ｌ）で２回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物をトルエン（２００ｍＬ）に溶解させた後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することでトルエン溶液１を得た。トルエン溶液１を得た後、シリカゲルを敷いたろ過器に更にトルエン（約３Ｌ）を通液することでトルエン溶液２を得た。トルエン溶液１とトルエン溶液２を合一した後、減圧濃縮することで油状物を得た。得られた油状物にメタノール（５００ｍＬ）を加え、攪拌した。得られた反応混合物をろ過することで固体を得た。得られた固体に、酢酸ブチルおよびメタノールの混合溶媒を加え、再結晶を繰り返すことにより、単量体ＣＭ７ｃ（１５１ｇ）を白色固体として得た。得られた単量体ＣＭ７ｃのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５６（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４６（ｄｄ, ２Ｈ），７．０６〜７．０１（ｍ，８Ｈ），２．５５（ｔ，４Ｈ），１．６１〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３０〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜Ｓｔｅｐ３＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ７ｃ（１００ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、１０００ｍＬ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、２．５ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１２６ｍＬ）を滴下し、−７０℃以下にて５時間攪拌した。その後、そこへ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（８１ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を−３０℃に冷却し、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩酸−ジエチルエーテル溶液（１４３ｍＬ）を滴下した。その後、室温まで昇温し、減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にトルエン（１．２Ｌ）を加え、室温にて１時間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にメタノールを加えて攪拌した後、ろ過することにより固体を得た。得られた固体に対して、イソプロピルアルコールを用いた再結晶を繰り返すことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、単量体ＣＭ７（７２ｇ）を白色固体として得た。得られた単量体ＣＭ７のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，４Ｈ）、７．００（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．５９〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３６〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜合成例５＞高分子化合物Ｈ２の合成

（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ７（４．７６８６ｇ）、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ８（０．７７３４ｇ）、単量体ＣＭ２（１．９７４４ｇ）、国際公報第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した単量体ＣＭ９（０．３３０８ｇ）、単量体ＣＭ６（０．４４３２ｇ）およびトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱しながら攪拌した。

（工程２）その後、これに、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）を加え、次いで、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を滴下した後、還流下で３時間攪拌した。

（工程３）その後、これに、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、還流下で２４時間攪拌した。

（工程４）有機層を水層と分離した後、得られた有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）およびイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、得られた有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。有機層を水層と分離した後、得られた有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液させた。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物Ｈ２（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物Ｈ２のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．４×１０^５、Ｍｗ＝４．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｈ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ７から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ８から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ９から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ６から誘導される構成単位とが、５０：１０：３０：５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜比較例ＣＥ１＞ 発光素子ＣＥ１の作製および評価

（発光素子ＣＥ１の作製）
（陽極および正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに高分子化合物ＩＰ１を０．７０重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ１（高分子化合物Ｈ１／金属錯体ＭＣ１＝９２．５重量％／７．５重量％）を１．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により９０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１５０℃、１０分間加熱させることにより発光層とした形成した。

（陰極の形成）
発光層の形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子ＣＥ１を作製した。

（発光素子ＣＥ１の評価）
発光素子ＣＥ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における発光スペクトルピーク最大波長６００ｎｍであり、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）は（０．６１５、０．３８０）であった。また、初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、発光輝度が初期輝度の９５％となるときのまでの所要時間を測定したところ、１６．２時間であった。この初期輝度の９５％となるまでに要した時間を駆動初期の輝度寿命（以下、ＬＴ９５と表す。）とし、これらの結果を下記表２に示す。

＜比較例ＣＥ２＞ 発光素子ＣＥ２の作製および評価
比較例ＣＥ１における、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ１に代えて、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ３を用いた以外は比較例ＣＥ１と同様にして、発光素子ＣＥ２を作製した。
発光素子ＣＥ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における発光スペクトル最大ピーク波長６１５ｎｍであり、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）は（０．６４２、０．３５３）であった。また、初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させた際のＬＴ９５は２８．４時間であった。これらの結果を下記表２に示す。

＜実施例Ｅ１＞ 発光素子Ｅ１の作製および評価
比較例ＣＥ１における、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ１に代えて、高分子化合物Ｈ１および金属錯体（Ｉｒ−１０１）を用いた以外は比較例ＣＥ１と同様にして、発光素子Ｅ１を作製した。
発光素子Ｅ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における発光スペクトル最大ピーク波長６２５ｎｍであり、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）は（０．６５５、０．３３３）であった。また、初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させた際のＬＴ９５は５５．０時間であった。これらの結果を下記表２に示す。

＜実施例Ｅ２＞ 発光素子Ｅ２の作製および評価
比較例ＣＥ１における、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ１に代えて、高分子化合物Ｈ１および金属錯体（Ｉｒ−１１４）を用いた以外は比較例ＣＥ１と同様にして、発光素子Ｅ２を作製した。
発光素子Ｅ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における発光スペクトル最大ピーク波長６２０ｎｍであり、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）は（０．６５４、０．３３８）であった。また、初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させた際のＬＴ９５は４７．４時間であった。これらの結果を下記表２に示す。

＜比較例ＣＥ３＞ 発光素子ＣＥ３の作製および評価
比較例ＣＥ１における、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ１に代えて、高分子化合物Ｈ２および金属錯体ＭＣ１を用いた以外は比較例ＣＥ１と同様にして、発光素子ＣＥ３を作製した。
発光素子ＣＥ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における発光スペクトル最大ピーク波長６００ｎｍであり、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）は（０．６１６、０．３８１）であった。また、初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させた際のＬＴ９５は１１．０時間であった。これらの結果を下記表２に示す。

＜比較例ＣＥ４＞ 発光素子ＣＥ４の作製および評価
比較例ＣＥ１における、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ１に代えて、高分子化合物Ｈ２および金属錯体ＭＣ３を用いた以外は比較例ＣＥ１と同様にして、発光素子ＣＥ４を作製した。
発光素子ＣＥ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における発光スペクトル最大ピーク波長６１５ｎｍであり、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）は（０．６４６、０．３５１）であった。また、初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させた際のＬＴ９５は１４．５時間であった。これらの結果を下記表２に示す。

＜実施例Ｅ３＞ 発光素子Ｅ３の作製および評価
比較例ＣＥ１における、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ１に代えて、高分子化合物Ｈ２および金属錯体（Ｉｒ−１０１）を用いた以外は比較例ＣＥ１と同様にして、発光素子Ｅ３を作製した。
発光素子Ｅ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における発光スペクトル最大ピーク波長６２０ｎｍであり、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）は（０．６５８、０．３３７）であった。また、初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させた際のＬＴ９５は２１．１時間であった。これらの結果を下記表２に示す。

＜実施例Ｅ４＞ 発光素子Ｅ４の作製および評価
比較例ＣＥ１における、高分子化合物Ｈ１および金属錯体ＭＣ１に代えて、高分子化合物Ｈ２および金属錯体（Ｉｒ−１１４）を用いた以外は比較例ＣＥ１と同様にして、発光素子Ｅ４を作製した。
発光素子Ｅ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における発光スペクトル最大ピーク波長６２０ｎｍであり、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）は（０．６５７、０．３４０）であった。また、初期輝度が３０００ｃｄ／ｍ^２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させた際のＬＴ９５は１８．７時間であった。これらの結果を下記表２に示す。

これらの結果から、本発明の金属錯体（Ｉｒ−１０１）および（Ｉｒ−１１４）を用いて得られる発光素子は、金属錯体ＭＣ１およびＭＣ３を用いて得られる発光素子と比較して、駆動初期の輝度寿命に優れることがわかる。また、本発明の金属錯体（Ｉｒ−１０１）および（Ｉｒ−１１４）を用いて得られる発光素子は、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）規格に定められる赤色（０．６７、０．３３）と近い色度を示すことから、赤色発光として色純度に優れることがわかる。

Claims (8)

1. 下記式（１）で表される金属錯体。
   

   

   ［式（１）中、
   ｎ_１は、１、２または３を表す。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、または、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   ｍ_１およびｍ_２は、それぞれ独立に、０または１を表す。
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１とＲ^２とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^３とＲ^４とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^４とＲ^５とが結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
   Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、フェニル基を表し、当該基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^１およびＡｒ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ ^３ およびＡｒ ^４ は、それぞれ独立に、フェニル基を表し、当該基は置換基を有していてもよい。Ａｒ ^３ およびＡｒ ^４ が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^５およびＡｒ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^５およびＡｒ^６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^７、Ａｒ^８およびＡｒ^９が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
2. 下記式（１ａ）で表される、請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   ［式（１ａ）中、
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６、Ａｒ^７、Ａｒ^８、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ^１、ｍ_１、ｍ_２およびｎ₁は、前記と同じ意味を表す。］
3. 前記Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６が、水素原子である、請求項１または２に記載の金属錯体。
4. 前記ｍ_１が、０または１であり、前記ｍ_２が、０である、請求項３に記載の金属錯体。
5. 前記ｎ_１が、３である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属錯体。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体と、
   下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物。
   

   

   ［式（Ｙ）中、Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
7. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体と、
   正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群より選ばれる少なくとも1種の材料とを含有する組成物。
8. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体を用いて得られる発光素子。