JP6491420B2 - 金属錯体及び該金属錯体を用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、金属錯体及び該金属錯体を用いた発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「発光素子」という場合がある。）に用いる発光材料として、一重項励起状態からの発光を示す蛍光材料と三重項励起状態からの発光（燐光発光）を示す金属錯体とが存在する。三重項励起状態からの発光（燐光発光）を示す金属錯体は、一重項励起状態からの発光を示す蛍光材料よりも高い発光効率が期待できるため、研究開発が盛んに行われている。発光素子に用いる金属錯体としては、赤色、緑色、青色の三原色の発光色それぞれにおいて、有用な金属錯体が望まれており、探索が進められている。

三重項励起状態からの発光（燐光発光）を示す金属錯体としては、例えば、金属原子としてイリジウム原子を有する金属錯体であるＦＩｒｐｉｃ（特許文献１）及びトリアゾール環を含む配位子を有する金属錯体（特許文献２、３）が知られている。

国際公開第２００２／１５６４５号 国際公開第２００４／１０１７０７号 国際公開第２０１２／０７０５９６号

しかしながら、上記の特許文献に記載されている金属錯体を用いて製造される発光素子は、駆動電圧が高くなってしまう傾向があり、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体が望まれている。

そこで、本発明は、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することを目的とする。また、本発明は、かかる金属錯体を含有する組成物、及び、かかる金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、下記［１］〜［１１］を提供する。
［１］ 下記式（１）で表される金属錯体。

［前記式（１）中、
Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは２又は３である。
Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｐ１とＲ^Ｐ２とは結合して環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ２とＲ^Ｐ３とは結合して環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ３とＲ^Ｐ４とは結合して環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ４とＲ^Ｐ５とは結合して環構造を形成していてもよい。
ここで、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４のうちの少なくとも１つは下記式（２）で表される基である。

［前記式（２）中、
Ｒ^Ｓ１及びＲ^Ｓ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｓ３及びＲ^Ｓ４は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
前記式（１）中の下記式（３）で表される部分は、２座配位子を表す。式（３）で表される２座配位子が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

［式（３）中、
Ｒ^ｘ及びＲ^ｙは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。］］
［２］ 前記式（２）で表される基が、下記式（２−１）で表される基又は下記式（２−２）で表される基である、［１］に記載の金属錯体。

［式（２−１）及び式（２−２）中、
Ｒ^Ｓ１及びＲ^Ｓ２は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^１ｇ、Ｒ^２ｇ、Ｒ^３ｇ、Ｒ^１１ｇ、Ｒ^１２ｇ、Ｒ^１３ｇ、Ｒ^１４ｇ及びＲ^１５ｇは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^１ｇ、Ｒ^２ｇ、Ｒ^３ｇ、Ｒ^１１ｇ、Ｒ^１２ｇ、Ｒ^１３ｇ、Ｒ^１４ｇ及びＲ^１５ｇは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］
［３］ 前記Ｒ^Ｐ３が前記式（２）で表される基である、［１］又は［２］に記載の金属錯体。
［４］ 前記Ｒ^Ｐ２がハロゲン原子である、［３］に記載の金属錯体。
［５］ 前記Ｒ^Ｐ１及びＲ^Ｐ４が水素原子である、［４］に記載の金属錯体。
［６］ 前記Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６がアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である、［５］に記載の金属錯体。
［７］ 前記Ｍがイリジウム原子又は白金原子である、［１］〜［６］のいずれか１つに記載の金属錯体。
［８］ 前記ｎが０である、［１］〜［７］のいずれか１つに記載の金属錯体。
［９］ ［１］〜［８］のいずれか１つに記載の金属錯体と、
下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物。

［式（Ｙ）中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［１０］ ［１］〜［８］のいずれか１つに記載の金属錯体と、
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
［１１］ ［１］〜［８］のいずれか１つに記載の金属錯体を用いて得られる発光素子。

本発明によれば、駆動電圧に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。また、本発明によれば、かかる金属錯体を含有する組成物、及び、かかる金属錯体を用いて得られる発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜用語の説明＞
下記の用語及び記号の意味は、特記しない限り下記の通りであり、本明細書で共通して用いられる。

「Ｍｅ」はメチル基、「Ｅｔ」はエチル基、「Ｂｕ」はブチル基、「ｉ−Ｐｒ」はイソプロピル基、「ｔ−Ｂｕ」はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。

本明細書において、「水素原子」は重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

本明細書において、金属錯体を表す構造式中、中心金属と配位子との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３〜１×１０^８である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。

「高分子化合物」は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれの態様であってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下である化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖状、及び分岐状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。

「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。

アルキル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基を有し得るアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシル−デシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。

アリール基は、置換基を有していてもよく、置換基を有し得るアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。

「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。

アルコキシ基及びシクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。

アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちのｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちのｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。

「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換基を有する置換アミノ基が好ましい。置換アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。

置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。

これらの置換アミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖状及び分岐状のいずれであってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖状及び分岐状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐状のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭素環式化合物から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。

アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数個結合した基を含む。

式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）中、Ｒ及びＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、複数存在するＲ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。

２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちの２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、下記式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数個結合した基を含む。

式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）中、Ｒ及びＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、下記式（Ｂ−１）、（Ｂ−２）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）、（Ｂ−５）、（Ｂ−６）、（Ｂ−７）、（Ｂ−８）、（Ｂ−９）、（Ｂ−１０）、（Ｂ−１１）、（Ｂ−１２）、（Ｂ−１３）、（Ｂ−１４）、（Ｂ−１５）、（Ｂ−１６）又は（Ｂ−１７）で表される基である。

前記式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−１７）で表される基は、置換基を有していてもよい。

「デンドロン」とは、原子又は環構造を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（デンドリマー構造）を有する基である。なお、デンドロンを部分構造として有する化合物（デンドリマーという場合がある。）としては、例えば、国際公開第０２／０６７３４３号、特開２００３−２３１６９２号公報、国際公開第２００３／０７９７３６号、国際公開第２００６／０９７７１７号等の文献に記載されている化合物が挙げられる。

デンドロンは、好ましくは、下記式（Ｄ−Ａ）又は式（Ｄ−Ｂ）で表される基である。

式（Ｄ−Ａ）中、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭素環基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。

式（Ｄ−Ｂ）中、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭素環基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。

ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、５以下の整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。また、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^ＤＡは、好ましくは下記式（ＧＤＡ−１１）〜式（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（ＧＤＡ−１１）〜式（ＧＤＡ−１５）中、「＊」は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。「＊＊」は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。「＊＊＊」は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、好ましくは下記式（ＡｒＤＡ−１）〜式（ＡｒＤＡ−３）で表される基である。

式（ＡｒＤＡ−１）〜式（ＡｒＤＡ−３）中、Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基である。

Ｔ^ＤＡは、好ましくは下記式（ＴＤＡ−１）〜式（ＴＤＡ−３）で表される基である。

式（ＴＤＡ−１）〜式（ＴＤＡ−３）中、Ｒ^ＤＡ及びＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。

式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは下記式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）で表される基である。

式（Ｄ−Ａ１）〜式（Ｄ−Ａ３）中、Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。

式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは下記式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ３）で表される基である。

式（Ｄ−Ｂ１）〜式（Ｄ−Ｂ３）中、Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。ｎｐ１及びｎｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

ｎｐ１は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ３は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基である。

＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。
本発明の金属錯体は、ベンゼン環及びトリアゾール環から構成されるｍ個の配位子を有する金属錯体であり、具体的には前記式（１）で表される金属錯体である。

前記式（１）で表される金属錯体は、添え字ｍでその数を定義されている配位子と、添え字ｎでその数を定義されている前記式（３）で表される２座配位子から構成されている。なお、以下において、単に「配位子」という場合には、前記添え字ｍでその数を定義されている配位子と、添え字ｎでその数を定義されている２座配位子の両方を意味する。

前記式（１）中、ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは２又は３であり、好ましくはｎは０又は１であり、より好ましくはｎは０である。ここで、金属原子Ｍに結合できる配位子の合計数であるｍ＋ｎは、金属原子Ｍの価数を満たす。例えば、金属原子Ｍがイリジウム原子の場合、ｍは１、２又は３であり、ｎは０、１又は２であり、かつ、ｍ＋ｎは３である。好ましくは、ｍ＝３かつｎ＝０であるか、又は、ｍ＝２かつｎ＝１であり、より好ましくは、ｍ＝３かつｎ＝０である。

前記式（１）で表される金属錯体は、好ましくは、下記式（４）で表される金属錯体（即ち、ｎ＝０である金属錯体）である。

式（４）中、Ｍ、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５、Ｒ^Ｐ６及びｍは、前記と同じ意味を表す。

本発明の金属錯体において、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、Ｒ^Ｐ４、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^Ｐ１とＲ^Ｐ２とは結合して環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ２とＲ^Ｐ３とは結合して環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ３とＲ^Ｐ４とが結合して環構造を形成していてもよく、Ｒ^Ｐ４とＲ^Ｐ５とは結合して環構造を形成していてもよい。ここで、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４のうちの少なくとも１つは前記式（２）で表される基である。式（２）で表される基は、既に説明したデンドロンにも相当し得る基である。Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４がそれぞれ複数存在する場合、それらの少なくとも１つが式（２）で表される基であればよいが、複数存在するＲ^Ｐ１の全て、複数存在するＲ^Ｐ２の全て、複数存在するＲ^Ｐ３の全て、又は、複数存在するＲ^Ｐ４の全てが、式（２）で表される基であることが好ましい。

式（２）中、Ｒ^Ｓ１及びＲ^Ｓ２は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、メチル基、エチル基、イソプロピル基又はプロピル基であることが好ましく、メチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが更に好ましい。

式（２）中、Ｒ^Ｓ３及びＲ^Ｓ４は、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、アリール基であることが好ましい。アリール基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基又はハロゲン原子が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基がより好ましい。

式（２）で表される基としては、本発明の金属錯体の溶媒に対する溶解性及び成膜性が優れるので、下記式（２−１）又は（２−２）で表される基が好ましい。また、式（２）で表される基としては、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の駆動電圧が優れるので、下記式（２−２）で表される基がより好ましい。

式（２−１）及び式（２−２）中、Ｒ^Ｓ１及びＲ^Ｓ２は、前記と同じ意味を表す。Ｒ^１ｇ、Ｒ^２ｇ、Ｒ^３ｇ、Ｒ^１１ｇ、Ｒ^１２ｇ、Ｒ^１３ｇ、Ｒ^１４ｇ及びＲ^１５ｇは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^１ｇ、Ｒ^２ｇ、Ｒ^３ｇ、Ｒ^１１ｇ、Ｒ^１２ｇ、Ｒ^１３ｇ、Ｒ^１４ｇ及びＲ^１５ｇは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

式（２−１）中、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、Ｒ^２ｇ及びＲ^３ｇが水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ^１ｇが水素原子であることが好ましく、Ｒ^２ｇがアルキル基もしくはシクロアルキル基であり、Ｒ^１ｇ及びＲ^３ｇが水素原子であるか、又は、Ｒ^３ｇがアルキル基もしくはシクロアルキル基であり、Ｒ^１ｇ及びＲ^２ｇが水素原子であることがより好ましく、Ｒ^３ｇがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ^１ｇ及びＲ^２ｇが水素原子であることが更に好ましい。

式（２−２）中、本発明の金属錯体の合成が容易になるため、Ｒ^１２ｇ、Ｒ^１４ｇ及びＲ^１５ｇが水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ^１１ｇ及びＲ^１３ｇが水素原子であることが好ましく、Ｒ^１４ｇ及びＲ^１５ｇが水素原子、アルキル基もしくはシクロアルキル基であり、Ｒ^１１ｇ、Ｒ^１２ｇ及びＲ^１３ｇが水素原子であることがより好ましく、Ｒ^１４ｇがアルキル基もしくはシクロアルキル基であり、Ｒ^１１ｇ、Ｒ^１２ｇ、Ｒ^１３ｇ及びＲ^１５ｇが水素原子であるか、又は、Ｒ^１５ｇがアルキル基もしくはシクロアルキル基であり、Ｒ^１１ｇ、Ｒ^１２ｇ、Ｒ^１３ｇ及びＲ^１４ｇが水素原子であることが更により好ましく、Ｒ^１５ｇがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ^１１ｇ、Ｒ^１２ｇ、Ｒ^１３ｇ及びＲ^１４ｇが水素原子であることが特に好ましい。

本発明の金属錯体の金属原子となる金属原子Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子又は白金原子である。これらの金属原子は、金属錯体にスピン−軌道相互作用を及ぼし、一重項状態と三重項状態との間の系間交差を起こし得る。前記金属原子Ｍは、好ましくはオスミウム原子、イリジウム原子又は白金原子であり、より好ましくはイリジウム原子又は白金原子であり、さらに好ましくはイリジウム原子である。

前記式（３）で表される部分である２座配位子は、式（１）の金属原子Ｍに配位し得る２座の配位子であれば特に限定されない。かかる２座配位子は本発明の金属錯体が全体として中性となるようにアニオン性の配位子であることが好ましく、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

式中、「＊」が付された原子は、式（３）におけるＲ^ｘ及びＲ^ｙのうちのいずれかに対応しており、金属原子Ｍと結合する原子を示している。

前記式（３）で表される２座配位子は、下記式で表される配位子であってもよい。ここで、前記式（３）で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｍでその数を定義されている配位子とは異なる配位子である。

式中、「＊」が付された原子は、式（３）におけるＲ^ｘ及びＲ^ｙのうちのいずれかに対応しており、金属原子Ｍと結合する原子を表す。Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（１）中、Ｒ^Ｐ１〜Ｒ^Ｐ６は、本発明の金属錯体の溶媒に対する溶解性及び成膜性が優れるので、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子であることがより好ましい。ここで、Ｒ^Ｐ１〜Ｒ^Ｐ４のうちの少なくとも１つは、前記式（２）で表される基である。

式（１）中、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の駆動電圧がより優れるため、Ｒ^Ｐ３が、式（２）で表される基であることが好ましく、Ｒ^Ｐ３が、式（２）で表される基であり、Ｒ^Ｐ２がハロゲン原子であり、Ｒ^Ｐ１及びＲ^Ｐ４が、水素原子であることがより好ましい。
また、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましい。

本発明の金属錯体の具体例としては、下記式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２４）で表されるような構造が挙げられる。

式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２４）中、Ｒ^Ｌ３は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｌ３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｌ４は、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｌ４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｌ５は、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、アリール基、又はデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｌ５が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｚ^１は、前記式（２）で表される基である。Ｚ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２４）中、Ｒ^Ｌ３は、下記群ＩＩの式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−０５）及び式（ＩＩ−０７）〜式（ＩＩ−１７）から選ばれる基であることが好ましい。Ｒ^Ｌ４は、下記＜群ＩＩ＞の式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−０５）及び式（ＩＩ−０７）〜式（ＩＩ−１５）から選ばれる基であることが好ましい。Ｒ^Ｌ５は、下記＜群ＩＩ＞の式（ＩＩ−０１）〜式（ＩＩ−１７）から選ばれる基であることが好ましい。

＜群ＩＩ＞

Ｚ^１は、前記式（２）で表される基である下記＜群ＩＩＩ＞の式（ＩＩＩ−０１）〜式（ＩＩＩ−１２）から選ばれる基であることが好ましい。

＜群ＩＩＩ＞

式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−２４）中、Ｒ^Ｌ５としては、式（ＩＩ−１６）〜式（ＩＩ−１７）から選ばれる基であることが好ましい。

式（Ｉｒ−１）〜式（Ｉｒ−２４）中、Ｚ^１としては、式（ＩＩＩ−２）又は式（ＩＩＩ−７）で表される基が好ましい。

本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子には、かかる金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

式（１）で表される金属錯体には、複数の幾何異性体があり得るが、いずれの幾何異性体を用いてもよい。本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の輝度寿命が優れるため、ｆａｃｉａｌ体である金属錯体が金属錯体の含有量の全体に対して８０モル％以上であることが好ましく、９０モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更により好ましく、１００モル％（すなわち、ｆａｃｉａｌ体以外の幾何異性体を含まないこと）が特に好ましい。

−金属錯体の合成方法−
次に、本発明の金属錯体の合成方法を説明する。
本発明の金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを溶液中で反応させることにより合成することができる。必要に応じて、反応系中に塩基、塩化銀化合物等が存在していてもよい。また、５−フェニル−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾール誘導体を配位子に有する金属錯体と芳香族複素環式化合物とのカップリング反応により、本発明の金属錯体を合成することができる。

金属錯体の合成方法（即ち、配位子となる化合物と金属化合物とを液（溶媒）中で反応させる方法）の例としては、イリジウム原子を有する金属錯体の場合、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９８４，１０６，６６４７；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９１，３０，１６８５；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９４，３３，５４５；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００１，４０，１７０４；Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，２００３，３２，２５２等に記載の方法が挙げられ、白金原子を有する金属錯体の場合、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８４，２３，４２４９；Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１９９９，１１，３７０９；Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９９９，１８，１８０１等に記載の方法が挙げられ、パラジウム原子を有する金属錯体の場合、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８７，５２，７３等に記載の方法が挙げられる。

金属錯体の合成方法における反応温度は、特に限定されないが、通常、反応に用いられる溶媒の融点から沸点までの間の温度で反応させることができ、−７８℃〜溶媒の沸点までの温度が好ましい。金属錯体の合成方法における反応時間は特に限定されないが、通常、３０分間から３００時間程度である。ここで、反応においてマイクロウェーブ反応装置を使用する場合、溶媒の沸点以上の温度で反応させることもでき、反応時間は特に限定されないが、数分間から数時間程度である。

金属錯体の合成方法に用いられ得る溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、トリデカン、ペンタデカン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。

前記配位子となる化合物としては、例えば、５−フェニル−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾールと芳香族複素環式化合物とのＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄカップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等により合成することができる。必要に応じて溶媒に溶解し、例えば、塩基、適切な触媒等を用い、溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより合成することができる。この合成には、例えば、“オルガニック シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”、コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ）、４０７−４１１頁、ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．）、１９８８年；ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第１０６巻、２６５１頁（２００６年）；ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第１０２巻、１３５９頁（２００２年）；ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第９５巻、２４５７頁（１９９５年）；ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．）、第５７６巻、１４７頁（１９９９年）等に記載の方法を用いることができる。

前記芳香族複素環式化合物は、“ＨＯＵＢＥＮ−ＷＥＹＬ ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ４^ＴＨ ＥＤＩＴＩＯＮ”，第Ｅ９ｂ巻、１頁、ＧＥＯＲＧ ＴＨＩＥＭＥ ＶＥＲＬＡＧ ＳＴＵＴＴＧＡＲＴ；ＨＯＵＢＥＮ−ＷＥＹＬ ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ４^ＴＨ ＥＤＩＴＩＯＮ，第Ｅ９ｃ巻、６６７頁、ＧＥＯＲＧ ＴＨＩＥＭＥ ＶＥＲＬＡＧ ＳＴＵＴＴＧＡＲＴ等に記載の方法で合成することができる。

得られた化合物の同定及び分析は、ＣＨＮ元素分析、ＮＭＲ分析、ＭＳ分析及びＸ線結晶構造解析により行うことができる。

＜組成物＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、既に説明した本発明の金属錯体とは異なる発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、本発明の金属錯体とを含有する。

本発明の組成物において、本発明の金属錯体は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

［ホスト材料］
本発明の金属錯体は、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料との組成物とすることにより、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子の外部量子収率をより良好にすることができる。本発明の組成物において、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

本発明の金属錯体と、ホスト材料とを含有する組成物において、本発明の金属錯体の含有量は、本発明の金属錯体とホスト材料との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０５重量部〜８０重量部であり、好ましくは０．１重量部〜５０重量部であり、より好ましくは０．５重量部〜４０重量部である。

ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の外部量子収率がより優れるため、本発明の金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）と同等のエネルギー準位、又は、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、本発明の組成物を用いて得られる発光素子を塗布法にて作製する観点から、本発明の金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。

［低分子化合物であるホスト材料］
ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、カルバゾール構造を有する化合物、トリアリールアミン構造を有する化合物、フェナントロリン構造を有する化合物、トリアリールトリアジン構造を有する化合物、アゾール構造を有する化合物、ベンゾチオフェン構造を有する化合物、ベンゾフラン構造を有する化合物、フルオレン構造を有する化合物、スピロフルオレン構造を有する化合物が挙げられる。ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、より具体的には下記の構造式で表される化合物である。

［高分子化合物であるホスト材料］
ホスト材料に用いられる高分子化合物（以下、「高分子ホスト」ともいう。）としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

高分子ホストとして好ましい高分子化合物について説明する。
高分子ホストとしては、下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

式（Ｙ）中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基としては、より好ましくは既に説明した式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）又は式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）〜式（ＡＡ−２１）又は式（Ａ−３３）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）又は式（ＡＡ−３３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）においてＲ^ＸＸは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される基が有していてもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、下記式（Ｙ−１）〜式（Ｙ−１０）で表される構成単位が挙げられ、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）、（Ｙ−２）又は（Ｙ−３）で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは下記式（Ｙ−４）〜式（Ｙ−７）で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−８）〜式（Ｙ−１０）で表される構成単位である。

式（Ｙ−１）中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣り合うＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

Ｒ^Ｙ１は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−１）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−１’）で表される構成単位であることが好ましい。

式（Ｙ−１’）中、Ｒ^Ｙ１１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１１は、同一でも異なっていてもよい。

Ｒ^Ｙ１１は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−２）中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基又はＣ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

Ｒ^Ｙ２は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基であるか、双方がアリール基であるか、双方が１価の複素環基であるか、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基であって他方がアリール基もしくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基であって他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、２個あるＲ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは下記式（Ｙ−Ａ１）〜式（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基であるか、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基であり他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基は、好ましくは下記式（Ｙ−Ｂ１）〜式（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−Ｂ１）〜式（Ｙ−Ｂ５）中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。

式（Ｙ−２）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−２’）で表される構成単位であることが好ましい。

式（Ｙ−２’）中、Ｒ^Ｙ１１及びＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。

式（Ｙ−２’）中、Ｒ^Ｙ１及びＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。

式（Ｙ−３）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−３’）で表される構成単位であることが好ましい。

式（Ｙ−３’）中、Ｒ^Ｙ１１及びＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。

式（Ｙ−４）〜式（Ｙ−７）中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−４）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−４’）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｙ−６）で表される構成単位は、下記式（Ｙ−６’）で表される構成単位であることが好ましい。

式（Ｙ−４’）及び式（Ｙ−６’）中、Ｒ^Ｙ１１及びＲ^Ｙ３は前記と同じ意味を表す。

式（Ｙ−８）〜式（Ｙ−１０）中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、下記式（Ｙ−１０１）〜式（Ｙ−１２１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、下記式（Ｙ−２０１）〜式（Ｙ−２０６）で表される２価の複素環基からなる構成単位、下記式（Ｙ−３０１）〜式（Ｙ−３０４）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５モル％〜８０モル％であり、より好ましくは３０モル％〜６０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５モル％〜３０モル％であり、より好ましくは３モル％〜２０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

式（Ｘ）中、ａ^Ｘ１及びａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

ａ^Ｘ１は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^Ｘ２は、高分子ホストと本発明の金属錯体との組成物を用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）又は式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基としては、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）又は式（ＡＡ−７）〜式（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）〜式（Ａ−１１）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様の基が挙げられる。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−６）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）〜式（Ｘ−６）で表される構成単位である。

式（Ｘ−１）〜式（Ｘ−７）中、Ｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣り合うＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。

式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１モル％〜５０モル％であり、より好ましくは１モル％〜４０モル％であり、更に好ましくは５モル％〜３０モル％である。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、下記式（Ｘ１−１）〜式（Ｘ１−１１）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−３）〜式（Ｘ１−１０）で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、下記表１に示される構成単位を有する高分子化合物Ｐ−１〜Ｐ−６が挙げられる。

表１中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。「その他」とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

＜高分子ホストの製造方法＞
高分子ホストは、ケミカル レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応及びＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。

前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続又は分割して仕込む方法、単量体を連続又は分割して仕込む方法等が挙げられる。

遷移金属触媒としては、特に限定されないが、パラジウム触媒、ニッケル触媒が挙げられる。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独又は組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

本明細書実施例において、本発明の高分子化合物の製造方法の一例として、パラジウム触媒を用いるＳｕｚｕｋｉカップリング反応を利用した重合方法を示す。

本発明の金属錯体及び溶媒を含有する組成物（以下、「インク」ということがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時のノズルの目づまりと飛行曲がりとを防止するために、好ましくは２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩化物系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭素環式化合物系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

インクにおいて、溶媒の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１０００重量部〜１０００００重量部であり、好ましくは２０００重量部〜２００００重量部である。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

正孔輸送材料である高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１重量部〜４００重量部であり、好ましくは５重量部〜１５０重量部である。

正孔輸送材料は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

電子輸送材料である低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

電子輸送材料である高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。この高分子化合物には、金属がドープされていてもよい。

本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１重量部〜４００重量部であり、好ましくは５重量部〜１５０重量部である。

電子輸送材料は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び／又は電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

正孔注入材料及び／又は電子注入材料である低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン、カーボン、モリブデン、タングステン等の金属酸化物、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；式（Ｘ）で表される基を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

本発明の組成物において、正孔注入材料及び／又は電子注入材料の配合量は、各々、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、１重量部〜４００重量部であり、好ましくは５重量部〜１５０重量部である。

正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

［イオンのドープ］
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープされ得るイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープされ得るイオンは、１種のみでも２種以上でもよい。

［発光材料］
ここでいう発光材料とは本発明の金属錯体とは異なる発光材料である。この発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

発光材料である低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

発光材料である高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、既に説明した式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

発光材料は、低分子化合物及び高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体及び高分子化合物を含む。

三重項発光錯体としては、例えば、下記式で表される金属錯体が挙げられる。

三重項発光錯体としては、例えば、下記式ＣＯＭ−１〜ＣＯＭ−８で表される金属錯体が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、０．１重量部〜４００重量部である。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、本発明の金属錯体１００重量部に対して、通常、０．００１重量部〜１０重量部である。

酸化防止剤は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

＜膜＞
膜は、本発明の金属錯体を含有する。

膜には、本発明の金属錯体を架橋により溶媒に対して不溶化させた、不溶化膜も含まれる。不溶化膜は、本発明の金属錯体を加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。不溶化膜は、溶媒に実質的に不溶であるため、積層構造を有する発光素子の層として好適に使用することができる。

膜を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５℃〜３００℃であり、外部量子収率が良好になるので、好ましくは５０℃〜２５０℃であり、より好ましくは１５０℃〜２００℃である。

膜を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。

膜は、発光素子における正孔輸送層又は正孔注入層として好適である。

膜は、既に説明したインクを用いる塗布法（印刷法）である、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリーコート法、ノズルコート法により形成することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の金属錯体を用いて得られる発光素子であり、本発明の金属錯体が分子内又は分子間で架橋された構造であってもよく、本発明の金属錯体が分子内及び分子間で架橋された構造であってもよい。

本発明の発光素子は、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の金属錯体を用いて得られる層とを有する。

［層構成］
本発明の金属錯体を用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製してこれを用い、上述した膜の形成と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び電子注入層の材料としては、本発明の金属錯体の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料及び電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料及び発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層及び発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末状態の材料からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数及び厚さは、外部量子収率及び素子寿命を勘案して調整すればよい。

［基板／電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、積層構造を構成する層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板を用いる場合には、基板から最も遠くにある光を取り出す側の電極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛オキサイド等の導電性化合物、銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属、それらのうちの２種以上の合金、それらのうちの１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極とを重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光（発光パターン）を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層の厚さを特に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、又は、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法で発光パターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極とを共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動とすることも可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動とすることも可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

本実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、以下のとおりである。

［測定条件］
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレント テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
５ｍｇ〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ８）又は重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させ、ＮＭＲ装置（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名 ＭＥＲＣＵＲＹ ３００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１重量％〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１μＬ〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜比較例１：化合物（ＭＣ−Ｃ１）の合成＞
特開２０１３−１４７４５０号公報の比較例１に記載されている方法と同様にして、下記式で表される化合物（ＭＣ−Ｃ１）を合成した。

＜実施例１：化合物（ＭＣ−１）の合成＞
下記のスキームに従って、化合物（ＭＣ−１）を合成した。

＜工程１＞
３−ブロモ−４−フルオロベンゾイルクロリド１２．５ｇ（５２．６ｍｍｏｌ）とブチルイミド酸塩酸塩７．９８ｇ（５３．２ｍｍｏｌ）とを秤量し、クロロホルム４８０ｍｌを加えて窒素ガス雰囲気下に設置した。そこへトリエチルアミン１６．７ｍｌ（１１９ｍｍｏｌ）とクロロホルム２０ｍＬとの混合溶液を滴下し、窒素ガス雰囲気下にて２０時間室温で攪拌した。溶媒のクロロホルムを濃縮してから水３００ｍＬに懸濁させて、ジクロロメタンで抽出した。得られた溶液を減圧濃縮し、化合物（ＭＣ−１ａ）を１６．１ｇ（５０．９ｍｍｏｌ）、収率９７％で得た。

＜工程２＞
化合物（ＭＣ−１ａ）１６．１ｇ（５０．９ｍｍｏｌ）をクロロホルム３５０ｍＬに溶解させ、窒素ガス雰囲気下に置いた。そこへ、メチルヒドラジン２．６ｇ（５６．４ｍｍｏｌ）を含む水２７ｍＬを滴下し、窒素ガス雰囲気下で１８時間室温撹拌した。反応溶液に水１００ｍＬを注ぎ分液ロートにあけて洗浄した。油層を回収、濃縮しシリカゲルカラムへ通した。ジクロロメタン−ヘキサンの混合溶媒を用いて分離精製し、薄黄色液体として化合物（ＭＣ−１ｂ）を４．８６ｇ、収率３２％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．９４−７．９１（ｍ，１Ｈ），７．６３−７．５８（ｍ，１Ｈ），７．２８−７．２３（ｍ，１Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），２．７１（ｔ，２Ｈ），１．７９（ｈｅｘ，２Ｈ），１．０１（ｔ，３Ｈ）．

＜工程３＞
化合物（Ａ）６．４６ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）と、化合物（ＭＣ−１ｂ）３．７６ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）と炭酸カリウム１２．８ｇ（９２．６ｍｍｏｌ）とを秤量し、水４６ｍＬ及び１，２−ジメトキシエタン５５ｍＬを加えて窒素ガス雰囲気下に設置した。そこへ、テトラキストリフェニルホスフィノパラジウム（０）１．０７ｇ（０．９３ｍｍｏｌ）を加えて、再び窒素ガス雰囲気下に置いた。反応混合物を９５℃で１４時間加熱した。放冷後、水、酢酸エチルを注ぎ洗浄した。油層を回収した後濃縮した。粗生成物をシリカゲルカラムに通して、ジクロロメタン−酢酸エチルの混合溶媒で分離精製した。白色粉末として化合物（ＭＣ−１ｃ）を６．３８ｇ（１０．６ｍｍｏｌ）、収率８４％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．７９（ｄ，１Ｈ），７．６１−７．５７（ｍ，１Ｈ），７．３２（ｓ，２Ｈ），７．２９（ｄ，１Ｈ），７．２１（ｄ，４Ｈ），６．９３（ｄ，４Ｈ），３．９６（ｓ，３Ｈ），２．７３（ｔ，２Ｈ），２．０７（ｓ，６Ｈ），１．８７−１．７７（ｍ，２Ｈ），１．２９（ｓ，１８Ｈ），１．０２（ｔ，３Ｈ）．

＜工程４＞
３塩化イリジウム３３４ｍｇ（０．９５ｍｍｏｌ）と化合物（ＭＣ−１ｃ）１．２０ｇ（１．９９ｍｍｏｌ）とを秤量し、水１５ｍＬと２−エトキシエタノール４５ｍＬとを加えて窒素ガス雰囲気下に置き、１４時間加熱還流した。放冷後、水、ジクロロメタンを注ぎ油層を洗浄した。油層を濃縮、乾燥した後、ジクロロメタンとヘキサンとを用いて再結晶し、薄黄色固体を１．２１ｇ得た。この薄黄色固体１．２１ｇと化合物（ＭＣ−１ｃ）２．５１ｇ（４．１６ｍｍｏｌ）とを秤量し、窒素ガス雰囲気下でトリフルオロメタンスルホン酸銀０．４５ｇ（１．７５ｍｍｏｌ）を加えた。そこへ、ジエチレングリコールジメチルエステル６ｍＬを添加し、１６５℃で３０時間加熱反応させた。放冷後、ジクロロメタンを注ぎ懸濁液を吸引ろ過し、ろ液を濃縮し乾燥させた。粗生成物をシリカゲルカラムに通じてジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒で分離精製した。得られた固体をジクロロメタン−メタノールから再結晶し、次いでジクロロメタン−ヘキサンから再結晶した。薄黄色粉末として化合物（ＭＣ−１）を９９７ｍｇ（０．４９ｍｍｏｌ）、収率５３％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．６２（ｄ，３Ｈ），７．３０（ｓ，６Ｈ），７．２０（ｄｄｄ，１２Ｈ），６．９４（ｄｄｄ，１２Ｈ），６．４７（ｄ，３Ｈ），４．２６（ｓ，９Ｈ），２．２５−２．１７（ｍ，３Ｈ），２．０７（ｓ，１８Ｈ），１．９３−１．８６（ｍ，３Ｈ），１．４４−１．３３（ｍ，３Ｈ），１．２９（ｓ，５４Ｈ），１．２６−１．１８（ｍ，３Ｈ），０．７２（ｔ，９Ｈ）．

＜合成例１＞ 高分子化合物（Ｐ−Ｘ）の合成
高分子化合物（Ｐ−Ｘ）は、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法にて合成した。高分子化合物（Ｐ−Ｘ）は、下記式で表される構成単位を有している。高分子化合物（Ｐ−Ｘ）は、具体的には下記式で示される構成単位を順に５０：３０：１２．５：７．５のモル比（使用した原料の量比から求めた理論値）で有する共重合体である。

＜合成例２＞ 高分子化合物（Ｐ−Ｙ）の合成
窒素ガス雰囲気下、下記式で表される単量体（ＣＭ０１）（３．２７２５ｇ）、単量体（ＣＭ０２）（１．５９２６ｇ）、単量体（ＣＭ０３）（１．５２１８ｇ）及び溶媒となるトルエン（７１ｍＬ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（１．４７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（９．１８ｍｇ）及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３．２ｇ）を加え、還流下で約５．５時間攪拌した。

次に、２−イソプロピルフェニルボロン酸（０．２１４９ｇ）、酢酸パラジウム（１．３８ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（９．２６ｍｇ）及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３．２ｇ）を加え、更に還流下で約１７．５時間攪拌した。

Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．８７ｇ）をイオン交換水（３７ｍＬ）に溶解した溶液を加え、８５℃に加熱しながら約２時間攪拌した。
得られた有機層を３．６重量％の塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、この沈殿をろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラム及びアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、この沈殿をろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（Ｐ−Ｙ）（３．００６ｇ）を得た。高分子化合物（Ｐ−Ｙ）のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．２×１０^５、Ｍｗ＝４．３×１０^５であった。

高分子化合物（Ｐ−Ｙ）は、単量体の仕込み比率から下記の構成単位を下記のモル比率で有し、単量体（ＣＭ０１）から誘導される下記式（ＰＡ）で示される構成単位と、下記式（ＰＢ）で示される、単量体（ＣＭ０２）又は単量体（ＣＭ０３）から誘導される２つの構成単位から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物であるものと推定される。

＜比較例ＣＤ１＞ 発光素子ＣＤ１の作製
下記の通り、発光素子ＣＤ１を作製した。
＜陽極及び正孔注入層の形成＞
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

＜正孔輸送層の形成＞
キシレンに高分子化合物（Ｐ−Ｘ）を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

＜発光層の形成＞
キシレンに、高分子化合物（Ｐ−Ｙ）及び金属錯体（ＭＣ−Ｃ１）（高分子化合物（Ｐ−Ｙ）／金属錯体（ＭＣ−Ｃ１）＝６０重量％／４０重量％）を１．６重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。

＜陰極の形成＞
発光層の形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍの厚さで蒸着し、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍの厚さで蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子ＣＤ１を作製した。

＜発光素子の評価＞
作製された発光素子ＣＤ１を評価した。システム技研株式会社製 ＯＬＥＤ ２５ｃｈ−ＩＶＬ測定装置を用いて０Ｖから１２Ｖまで電圧を印加して発光素子ＣＤ１を発光させ、発光輝度を測定したところ、青色のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２及び１０００ｃｄ／ｍ^２における測定された駆動電圧［Ｖ］を表２にそれぞれ示す。

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製及び評価
比較例ＣＤ１における、金属錯体（ＭＣ−Ｃ１）に代えて、金属錯体（ＭＣ−１）を用いた以外は比較例ＣＤ１と同様にして、発光素子Ｄ１を作製した。

作製された発光素子Ｄ１を評価した。発光素子Ｄ１に電圧を印加したところ、ＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ^２及び１０００ｃｄ／ｍ^２における測定された駆動電圧［Ｖ］を表２にそれぞれ示す。

＜ピーク波長及び色度＞
同様に、システム技研株式会社製 ＯＬＥＤ ２５ｃｈ−ＩＶＬ測定装置を用いて０Ｖから１２Ｖまで電圧を印加して発光素子ＣＤ１を発光させ、ピーク波長及び色度を測定したところ、１００ｃｄ／ｍ^２での発光素子ＣＤ１のピーク波長は４８５ｎｍであり、色度は（ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ）＝（０．１８、０．２９）であり、１０００ｃｄ／ｍ^２での発光素子ＣＤ１のピーク波長は４８５ｎｍであり、色度は（ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ）＝（０．１８、０．２９）であった。

発光素子ＣＤ１と同様に、発光素子Ｄ１のピーク波長及び色度を測定したところ、１００ｃｄ／ｍ^２での発光素子Ｄ１のピーク波長は４７５ｎｍであり、色度は（ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ）＝（０．１７、０．２３）であり、１０００ｃｄ／ｍ^２での発光素子Ｄ１のピーク波長は４７０ｎｍであり、色度は（ＣＩＥｘ、ＣＩＥｙ）＝（０．１７、０．２１）であった。

本発明の金属錯体（ＭＣ−１）を用いて得られる発光素子Ｄ１は、金属錯体（ＭＣ−Ｃ１）を用いて得られる発光素子Ｄ１と比較して、駆動電圧が低いことが分かる。

Claims (9)

1. 下記式（１）で表される金属錯体。
   

   

   ［前記式（１）中、
   Ｍは、イリジウム原子を表す。
   ｍは３を表し、ｎは０を表し、ｍ＋ｎは３である。
   Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３、及びＲ^Ｐ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、下記式（２）で表される基を表し、
   Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基又はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基若しくは１価の複素環基で置換されたアミノ基を有していてもよい、アルキル基を表すか、或いは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基又はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基若しくは１価の複素環基で置換されたアミノ基を有していてもよい、アリール基を表す。複数存在する、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３ 及びＲ^Ｐ４ は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。複数存在する、Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
   ここで、同一のベンゼン環に結合する、Ｒ^Ｐ１、Ｒ^Ｐ２、Ｒ^Ｐ３及びＲ^Ｐ４のうちの少なくとも１つは下記式（２）で表される基である。
   

   

   ［前記式（２）中、
   Ｒ^Ｓ１及びＲ^Ｓ２は、それぞれ独立に、アルキル基を表す。
   Ｒ^Ｓ３及びＲ^Ｓ４は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基又はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基若しくは１価の複素環基で置換されたアミノ基を有していてもよい、アリール基を表す。］
   前記式（１）中の下記式（３）で表される部分は、２座配位子を表す。
   

   

   ［式（３）中、
   Ｒ^ｘ及びＲ^ｙは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。］］
2. 前記式（２）で表される基が、下記式（２−１）で表される基である、請求項１に記載の金属錯体。
   

   

   ［式（２−１）中、
   Ｒ^Ｓ１及びＲ^Ｓ２は、前記と同じ意味を表す。
   Ｒ^１ｇ、Ｒ^２ｇ及びＲ^３ｇは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。複数存在するＲ^１ｇ、Ｒ^２ｇ及びＲ^３ｇは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］
3. 前記Ｒ^Ｐ３が前記式（２）で表される基である、請求項１に記載の金属錯体。
4. 前記Ｒ^Ｐ２がハロゲン原子である、請求項３に記載の金属錯体。
5. 前記Ｒ^Ｐ１及びＲ^Ｐ４が水素原子である、請求項４に記載の金属錯体。
6. 前記Ｒ^Ｐ５及びＲ^Ｐ６がアルキル基である、請求項５に記載の金属錯体。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の金属錯体と、
   下記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物とを含有する組成物。
   

   

   ［式（Ｙ）中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基又はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基若しくは１価の複素環基で置換されたアミノ基を有していてもよい。］
8. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の金属錯体と、
   正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物。
9. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の金属錯体を用いて得られる発光素子。