KR20190141210A - 발광 소자 - Google Patents

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KR20190141210A
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atom
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compound
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KR1020197034217A
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신이치 이나카즈
모토아키 우스이
마사노부 다나카
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스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

휘도 수명이 우수한 발광 소자를 제공한다. 양극과, 음극과, 양극 및 음극 사이에 마련되고, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 함유하는 제1 층과, 제1 층 및 음극 사이에 마련되고, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물에서 선택되는 적어도 1종(제2 층의 단체 또는 화합물)을 함유하는 제2 층과, 제2 층 및 음극 사이에 음극에 접해서 마련되고, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물에서 선택되는 적어도 1종(제3 층의 단체 또는 화합물)을 함유하는 제3 층을 갖고, 제2 층의 단체 또는 화합물 중 적어도 1종과, 제3 층의 단체 또는 화합물 중 적어도 1종이 서로 다른, 발광 소자.
Figure pct00167

[환 R1C 내지 환 R4C는 방향족 탄화수소환 등을, RC는 탄소 원자 등을 나타낸다.]

Description

발광 소자
본 발명은 발광 소자에 관한 것이다.
유기 일렉트로루미네센스 소자 등의 발광 소자는, 디스플레이 및 조명의 용도에 적합하게 사용하는 것이 가능하다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 화합물 (H0-1)을 함유하는 발광층과, 구성 단위 (E0)을 포함하는 고분자 화합물을 함유하는 전자 수송층과, 불화나트륨을 함유하는 전자 주입층을 갖는 발광 소자가 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 화합물 (H0-2)를 함유하는 발광층과, 불화리튬을 함유하는 전자 주입층을 갖는 발광 소자가 기재되어 있다.
Figure pct00001
국제공개 제2015/159932호 중국특허출원공개 제102911145호 명세서
그러나, 이 발광 소자는, 휘도 수명이 반드시 충분한 것은 아니었다. 그래서, 본 발명은 휘도 수명이 우수한 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이하의 [1] 내지 [13]을 제공한다.
[1] 양극과, 음극과,
양극 및 음극 사이에 마련되어 있고, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 함유하는 제1 층과,
제1 층 및 음극 사이에 마련되어 있고, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 제2 층과,
제2 층 및 음극 사이에 음극에 접해서 마련되어 있고, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 제3 층을 갖는 발광 소자로서,
제2 층에 함유되는 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과, 제3 층에 함유되는 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 서로 다른, 발광 소자.
Figure pct00002
[식 중,
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C는 각각 독립적으로, 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 해당 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
RC는 탄소 원자, 규소 원자, 게르마늄 원자, 주석 원자 또는 납 원자를 나타낸다.]
[2] 상기 환 R1C, 상기 환 R2C, 상기 환 R3C 및 상기 환 R4C 중 적어도 하나가, 치환기로서 식 (D-1)로 표시되는 기를 갖는 [1]에 기재된 발광 소자.
Figure pct00003
[식 중,
환 RD는 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 해당 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
XD1 및 XD2는 각각 독립적으로, 단결합, 산소 원자, 황 원자, -N(RXD1)-로 표현되는 기, 또는 -C(RXD2)2-로 표현되는 기를 나타낸다. RXD1 및 RXD2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RXD2는, 동일해도 되고 상이해도 되며, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
E1D, E2D 및 E3D는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다.
R1D, R2D 및 R3D는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
E1D가 질소 원자인 경우, R1D는 존재하지 않는다. E2D가 질소 원자인 경우, R2D는 존재하지 않는다. E3D가 질소 원자인 경우, R3D는 존재하지 않는다.
R1D와 R2D는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. R2D와 R3D는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. R1D와 RXD1은, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. R1D와 RXD2는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 RD가 갖고 있어도 되는 치환기와 RXD1은, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 RD가 갖고 있어도 되는 치환기와 RXD2는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
[3] 상기 식 (D-1)로 표시되는 기가, 식 (D-2)로 표시되는 기인, [2]에 기재된 발광 소자.
Figure pct00004
[식 중,
XD1, XD2, E1D, E2D, E3D, R1D, R2D 및 R3D는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
E4D, E5D, E6D 및 E7D는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다.
R4D, R5D, R6D 및 R7D는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
E4D가 질소 원자인 경우, R4D는 존재하지 않는다. E5D가 질소 원자인 경우, R5D는 존재하지 않는다. E6D가 질소 원자인 경우, R6D는 존재하지 않는다. E7D가 질소 원자인 경우, R7D는 존재하지 않는다.
R4D와 R5D, R5D와 R6D, R6D와 R7D, R4D와 RXD1, R4D와 RXD2, R7D와 RXD1 및 R7D와 RXD2는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
[4] 상기 식 (C-1)로 표시되는 화합물이, 식 (C-2)로 표시되는 화합물인, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
Figure pct00005
[식 중,
RC는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
E11C, E12C, E13C, E14C, E21C, E22C, E23C, E24C, E31C, E32C, E33C, E34C, E41C, E42C, E43C 및 E44C는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다.
환 R1C', 환 R2C', 환 R3C' 및 환 R4C'는 각각 독립적으로, 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
E11C가 질소 원자인 경우, R11C는 존재하지 않는다. E12C가 질소 원자인 경우, R12C는 존재하지 않는다. E13C가 질소 원자인 경우, R13C는 존재하지 않는다. E14C가 질소 원자인 경우, R14C는 존재하지 않는다. E21C가 질소 원자인 경우, R21C는 존재하지 않는다. E22C가 질소 원자인 경우, R22C는 존재하지 않는다. E23C가 질소 원자인 경우, R23C는 존재하지 않는다. E24C가 질소 원자인 경우, R24C는 존재하지 않는다. E31C가 질소 원자인 경우, R31C는 존재하지 않는다. E32C가 질소 원자인 경우, R32C는 존재하지 않는다. E33C가 질소 원자인 경우, R33C는 존재하지 않는다. E34C가 질소 원자인 경우, R34C는 존재하지 않는다. E41C가 질소 원자인 경우, R41C는 존재하지 않는다. E42C가 질소 원자인 경우, R42C는 존재하지 않는다. E43C가 질소 원자인 경우, R43C는 존재하지 않는다. E44C가 질소 원자인 경우, R44C는 존재하지 않는다.
R11C와 R12C, R12C와 R13C, R13C와 R14C, R14C와 R34C, R34C와 R33C, R33C와 R32C, R32C와 R31C, R31C와 R41C, R41C와 R42C, R42C와 R43C, R43C와 R44C, R44C와 R24C, R24C와 R23C, R23C와 R22C, R22C와 R21C 및 R21C와 R11C는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
[5] 상기 식 (C-2)로 표시되는 화합물이, 식 (C-3)으로 표시되는 화합물인, [4]에 기재된 발광 소자.
Figure pct00006
[식 중, RC, R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
[6] 상기 R11C, 상기 R12C, 상기 R14C, 상기 R21C, 상기 R22C, 상기 R24C, 상기 R31C, 상기 R32C, 상기 R34C, 상기 R41C, 상기 R42C 및 상기 R44C 중 적어도 하나가, 상기 식 (D-1)로 표시되는 기인, [4] 또는 [5]에 기재된 발광 소자.
[7] 상기 제1 층이, 또한 인광 발광성 화합물을 포함하는, [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[8] 상기 인광 발광성 화합물이, 식 (1)로 표시되는 인광 발광성 화합물인, [7]에 기재된 발광 소자.
Figure pct00007
[식 중,
M은 루테늄 원자, 로듐 원자, 팔라듐 원자, 이리듐 원자 또는 백금 원자를 나타낸다.
n1은 1 이상의 정수를 나타내고, n2는 0 이상의 정수를 나타낸다. 단, M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n1+n2는 3이고, M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n1+n2는 2이다.
E1 및 E2는 각각 독립적으로, 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. 단, E1 및 E2의 적어도 한쪽은 탄소 원자이다. E1 및 E2가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
환 L1은 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 복소환을 나타낸다. 해당 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 L1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
환 L2는 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 해당 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 L2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
환 L1이 갖고 있어도 되는 치환기와, 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타낸다. A1 및 A2는 각각 독립적으로, 탄소 원자, 산소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 이들 원자는 환을 구성하는 원자여도 된다. G1은 단결합, 또는 A1 및 A2와 함께 2좌 배위자를 구성하는 원자단을 나타낸다. A1-G1-A2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
[9] 상기 식 (1)로 표시되는 인광 발광성 화합물이, 식 (1-A)로 표시되는 인광 발광성 화합물 또는 식 (1-B)로 표시되는 인광 발광성 화합물인, [8]에 기재된 발광 소자.
Figure pct00008
[식 중,
M, n1, n2, E1 및 A1-G1-A2는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
E11A, E12A, E13A, E21A, E22A, E23A 및 E24A는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다. E11A, E12A, E13A, E21A, E22A, E23A 및 E24A가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. E11A가 질소 원자인 경우, R11A는 존재해도 존재하지 않아도 된다. E12A가 질소 원자인 경우, R12A는 존재해도 존재하지 않아도 된다. E13A가 질소 원자인 경우, R13A는 존재해도 존재하지 않아도 된다. E21A가 질소 원자인 경우, R21A는 존재하지 않는다. E22A가 질소 원자인 경우, R22A는 존재하지 않는다. E23A가 질소 원자인 경우, R23A는 존재하지 않는다. E24A가 질소 원자인 경우, R24A는 존재하지 않는다.
R11A, R12A, R13A, R21A, R22A, R23A 및 R24A는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 알케닐기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R11A, R12A, R13A, R21A, R22A, R23A 및 R24A가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. R11A와 R12A, R12A와 R13A, R11A와 R21A, R21A와 R22A, R22A와 R23A 및 R23A와 R24A는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
환 L1A는 트리아졸환 또는 디아졸환을 나타낸다.
환 L2A는 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다.]
Figure pct00009
[식 중,
M, n1, n2 및 A1-G1-A2는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
E11B, E12B, E13B, E14B, E21B, E22B, E23B 및 E24B는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다. E11B, E12B, E13B, E14B, E21B, E22B, E23B 및 E24B가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. E11B가 질소 원자인 경우, R11B는 존재하지 않는다. E12B가 질소 원자인 경우, R12B는 존재하지 않는다. E13B가 질소 원자인 경우, R13B는 존재하지 않는다. E14B가 질소 원자인 경우, R14B는 존재하지 않는다. E21B가 질소 원자인 경우, R21B는 존재하지 않는다. E22B가 질소 원자인 경우, R22B는 존재하지 않는다. E23B가 질소 원자인 경우, R23B는 존재하지 않는다. E24B가 질소 원자인 경우, R24B는 존재하지 않는다.
R11B, R12B, R13B, R14B, R21B, R22B, R23B 및 R24B는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 알케닐기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R11B, R12B, R13B, R14B, R21B, R22B, R23B 및 R24B가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. R11B와 R12B, R12B와 R13B, R13B와 R14B, R11B와 R21B, R21B와 R22B, R22B와 R23B 및 R23B와 R24B는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
환 L1B는 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다.
환 L2B는 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다.]
[10] 상기 제2 층이, 상기 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물 및 상기 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 층인, [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[11] 상기 제3 층이, 상기 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물 및 상기 제2족 원소만을 포함하는 단체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 층인, [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[12] 상기 제2 층과 상기 제3 층이 인접해 있는, [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
[13] 상기 제1 층과 상기 제2 층이 인접해 있는, [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 발광 소자.
본 발명에 따르면, 휘도 수명이 우수한 발광 소자를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해서 상세히 설명한다.
<공통되는 용어의 설명>
본 명세서에서 공통되게 사용되는 용어는, 특기하지 않는 한, 이하의 의미이다.
Me은 메틸기, Et는 에틸기, Bu는 부틸기, i-Pr은 이소프로필기, t-Bu는 tert-부틸기를 나타낸다.
수소 원자는 중수소 원자여도 되고, 경수소 원자여도 된다.
금속 착체 및 인광 발광성 화합물을 나타내는 식 중, 금속과의 결합을 나타내는 실선은, 이온 결합, 공유 결합 또는 배위 결합을 의미한다.
「고분자 화합물」이란, 분자량 분포를 갖고, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이 1×103 내지 1×108인 중합체를 의미한다.
「저분자 화합물」이란, 분자량 분포를 갖지 않고, 분자량이 1×104 이하인 화합물을 의미한다.
「구성 단위」란, 고분자 화합물 중에 1개 이상 존재하는 단위를 의미한다.
「알킬기」는, 직쇄 및 분지의 어느 것이든 무방하다. 직쇄의 알킬기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 1 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다. 분지의 알킬기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 3 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다.
알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 2-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소아밀기, 2-에틸부틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 3-프로필헵틸기, 데실기, 3,7-디메틸옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-헥실데실기, 도데실기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기(예를 들어, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로부틸기, 퍼플루오로헥실기, 퍼플루오로옥틸기, 3-페닐프로필기, 3-(4-메틸페닐)프로필기, 3-(3,5-디-헥실페닐)프로필기, 6-에틸옥시헥실기)를 들 수 있다.
「시클로알킬기」의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 3 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다.
시클로알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 시클로헥실기, 시클로헥실메틸기, 시클로헥실에틸기를 들 수 있다.
「아릴기」는, 방향족 탄화수소로 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 나머지의 원자단을 의미한다. 아릴기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 20이고, 보다 바람직하게는 6 내지 10이다.
아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트라세닐기, 2-안트라세닐기, 9-안트라세닐기, 1-피레닐기, 2-피레닐기, 4-피레닐기, 2-플루오레닐기, 3-플루오레닐기, 4-플루오레닐기, 2-페닐페닐기, 3-페닐페닐기, 4-페닐페닐기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「알콕시기」는, 직쇄 및 분지의 어느 것이든 무방하다. 직쇄의 알콕시기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 1 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다. 분지의 알콕시기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 3 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다.
알콕시기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 이소프로필옥시기, 부틸옥시기, 이소부틸옥시기, tert-부틸옥시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 3,7-디메틸옥틸옥시기, 라우릴옥시기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「시클로알콕시기」의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 3 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다.
시클로알콕시기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 시클로헥실옥시기를 들 수 있다.
「아릴옥시기」의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 48이다.
아릴옥시기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 페녹시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 1-안트라세닐옥시기, 9-안트라세닐옥시기, 1-피레닐옥시기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「p가의 복소환기」(p는 1 이상의 정수를 나타낸다.)란, 복소환식 화합물로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 p개의 수소 원자를 제외한 나머지의 원자단을 의미한다. p가의 복소환기 중에서도, 방향족 복소환식 화합물로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 p개의 수소 원자를 제외한 나머지의 원자단인 「p가의 방향족 복소환기」가 바람직하다.
「방향족 복소환식 화합물」은, 옥사디아졸, 티아디아졸, 티아졸, 옥사졸, 티오펜, 피롤, 포스폴, 푸란, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 트리아진, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 카르바졸, 디벤조포스폴 등의 복소환 자체가 방향족성을 나타내는 화합물 및 페녹사진, 페노티아진, 디벤조보롤, 디벤조실롤, 벤조피란 등의 복소환 자체는 방향족성을 나타내지 않아도, 복소환에 방향환이 축환되어 있는 화합물을 의미한다.
1가의 복소환기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
1가의 복소환기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 티에닐기, 피롤릴기, 푸릴기, 피리딜기, 피페리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「할로겐 원자」란, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타낸다.
「아미노기」는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환 아미노기가 바람직하다. 아미노기가 갖는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 바람직하다.
치환 아미노기로서는, 예를 들어 디알킬아미노기, 디시클로알킬아미노기 및 디아릴아미노기를 들 수 있다.
아미노기로서는, 예를 들어 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디페닐아미노기, 비스(4-메틸페닐)아미노기, 비스(4-tert-부틸페닐)아미노기, 비스(3,5-디-tert-부틸페닐)아미노기를 들 수 있다.
「알케닐기」는, 직쇄 및 분지의 어느 것이든 무방하다. 직쇄의 알케닐기 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 2 내지 30이고, 바람직하게는 3 내지 20이다. 분지의 알케닐기 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 3 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
「시클로알케닐기」의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 3 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
알케닐기 및 시클로알케닐기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 3-펜테닐기, 4-펜테닐기, 1-헥세닐기, 5-헥세닐기, 7-옥테닐기 및 이들 기가 치환기를 갖는 기를 들 수 있다.
「알키닐기」는, 직쇄 및 분지의 어느 것이든 무방하다. 알키닐기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않고, 통상 2 내지 20이고, 바람직하게는 3 내지 20이다. 분지의 알키닐기 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않고, 통상 4 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
「시클로알키닐기」의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않고, 통상 4 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
알키닐기 및 시클로알키닐기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 에티닐기, 1-프로피닐기, 2-프로피닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 3-펜티닐기, 4-펜티닐기, 1-헥시닐기, 5-헥시닐기 및 이들 기가 치환기를 갖는 기를 들 수 있다.
「아릴렌기」는, 방향족 탄화수소로 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 2개를 제외한 나머지의 원자단을 의미한다. 아릴렌기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 30이고, 보다 바람직하게는 6 내지 18이다.
아릴렌기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 페닐렌기, 나프탈렌디일기, 안트라센디일기, 페난트렌디일기, 디히드로페난트렌디일기, 나프타센디일기, 플루오렌디일기, 피렌디일기, 페릴렌디일기, 크리센 디일기 및 이들 기가 치환기를 갖는 기를 들 수 있고 바람직하게는 식 (A-1) 내지 식 (A-20)으로 표시되는 기이다. 아릴렌기는, 이들 기가 복수 결합한 기를 포함한다.
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
[식 중, R 및 Ra는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타낸다. 복수 존재하는 R 및 Ra는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, Ra끼리는 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
2가의 복소환기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 3 내지 20이고, 보다 바람직하게는 4 내지 15이다.
2가의 복소환기는, 치환기를 갖고 있어도 되며, 예를 들어 피리딘, 디아자벤젠, 트리아진, 아자나프탈렌, 디아자나프탈렌, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 디벤조실롤, 페녹사진, 페노티아진, 아크리딘, 디히드로아크리딘, 푸란, 티오펜, 아졸, 디아졸, 트리아졸로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 2개의 수소 원자를 제외한 2가의 기를 들 수 있고 바람직하게는 식 (AA-1) 내지 식 (AA-34)로 표시되는 기이다. 2가의 복소환기는, 이들 기가 복수 결합한 기를 포함한다.
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
Figure pct00018
Figure pct00019
Figure pct00020
[식 중, R 및 Ra는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
「가교기」란, 가열, 자외선 조사, 근자외선 조사, 가시광 조사, 적외선 조사, 라디칼 반응 등에 제공함으로써, 새로운 결합을 생성하는 것이 가능한 기이고, 바람직하게는 가교기 A군의 식 (XL-1) 내지 식 (XL-17)로 표시되는 가교기이다.
(가교기 A군)
Figure pct00021
[식 중, RXL은 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, nXL은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. RXL이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 되며, nXL이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. *1은 결합 위치를 나타낸다. 이들 가교기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
「치환기」란, 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기를 나타낸다. 치환기는 가교기여도 된다.
<발광 소자>
[제1 층]
본 발명의 발광 소자가 갖는 제1 층은, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 함유하는 층이다.
[식 (C-1)로 표시되는 화합물]
식 (C-1)로 표시되는 화합물의 분자량은, 바람직하게는 2×102 내지 5×104 이고, 보다 바람직하게는 2×102 내지 5×103이고, 더욱 바람직하게는 3×102 내지 3×103이고, 특히 바람직하게는 4×102 내지 1×103이다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C로 표현되는 방향족 탄화수소환의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 30이고, 보다 바람직하게는 6 내지 18이다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C로 표현되는 방향족 탄화수소환으로서는, 예를 들어 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 인덴환, 플루오렌환, 스피로 비플루오렌환, 페난트렌환, 디히드로페난트렌환, 피렌환, 크리센환 및 트리페닐렌환을 들 수 있고, 바람직하게는 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 플루오렌환, 스피로 비플루오렌환, 페난트렌환 또는 디히드로페난트렌환이고, 보다 바람직하게는 벤젠환, 나프탈렌환, 플루오렌환 또는 스피로 비플루오렌환이고, 더욱 바람직하게는 벤젠환이며, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C로 표현되는 방향족 복소환의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 15이다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C로 표현되는 방향족 복소환으로서는, 예를 들어 피롤환, 디아졸환, 트리아졸환, 푸란환, 티오펜환, 옥사디아졸환, 티아디아졸환, 피리딘환, 디아자벤젠환, 트리아진환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 트리아자나프탈렌환, 아자안트라센환, 디아자안트라센환, 트리아자안트라센환, 아자페난트렌환, 디아자페난트렌환, 트리아자페난트렌환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 디벤조실롤환, 디벤조포스폴환, 카르바졸환, 아자카르바졸환, 디아자카르바졸환, 페녹사진환, 페노티아진환, 디히드로아크리딘환 및 디히드로페나진환을 들 수 있고, 바람직하게는 피리딘환, 디아자벤젠환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 아자안트라센환, 디아자페난트렌환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환, 페녹사진환, 페노티아진환, 디히드로아크리딘환 또는 디히드로페나진환이고, 보다 바람직하게는 피리딘환, 디아자벤젠환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환 또는 카르바졸환이고, 더욱 바람직하게는 피리딘환 또는 디아자벤젠환이며, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C 중 적어도 하나가 방향족 탄화수소환인 것이 바람직하고, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C 중 적어도 2개가 방향족 탄화수소환인 것이 보다 바람직하고, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C의 모두가 방향족 탄화수소환인 것이 더욱 바람직하고, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C의 모두가 벤젠환인 것이 특히 바람직하고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자이고, 보다 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기이고, 더욱 바람직하게는 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 특히 바람직하게는 1가의 복소환기이며, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 40이고, 보다 바람직하게는 6 내지 25이다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기로서는, 예를 들어 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환, 인덴환, 플루오렌환, 스피로 비플루오렌환, 페난트렌환, 디히드로페난트렌환, 피렌환, 크리센환, 트리페닐렌환 또는 이들 환이 축합한 환으로, 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기를 들 수 있고, 바람직하게는 벤젠환, 나프탈렌환, 플루오렌환, 스피로 비플루오렌환, 페난트렌환, 디히드로페난트렌환 또는 트리페닐렌환으로, 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 보다 바람직하게는 벤젠환, 플루오렌환 또는 스피로 비플루오렌환으로, 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 더욱 바람직하게는 플루오렌환 또는 스피로 비플루오렌환으로, 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이며, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 1가의 복소환기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 3 내지 15이다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 1가의 복소환기로서는, 예를 들어 피롤환, 디아졸환, 트리아졸환, 푸란환, 티오펜환, 옥사디아졸환, 티아디아졸환, 피리딘환, 디아자벤젠환, 트리아진환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 트리아자나프탈렌환, 아자안트라센환, 디아자안트라센환, 트리아자안트라센환, 아자페난트렌환, 디아자페난트렌환, 트리아자페난트렌환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 디벤조실롤환, 디벤조포스폴환, 카르바졸환, 아자카르바졸환, 디아자카르바졸환, 페녹사진환, 페노티아진환, 디히드로아크리딘환, 디히드로페나진환 또는 이들 환에 방향환이 축합한 환으로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기를 들 수 있고, 바람직하게는 피리딘환, 디아자벤젠환, 트리아진환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환, 아자카르바졸환, 디아자카르바졸환, 페녹사진환, 페노티아진환, 디히드로아크리딘환 또는 디히드로페나진환으로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 보다 바람직하게는 피리딘환, 디아자벤젠환, 트리아진환, 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환, 아자카르바졸환, 디아자카르바졸환, 페녹사진환, 페노티아진환, 디히드로아크리딘환 또는 디히드로페나진환으로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 더욱 바람직하게는 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환, 페녹사진환, 페노티아진환, 디히드로아크리딘환 또는 디히드로페나진환으로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 특히 바람직하게는 디벤조푸란환, 디벤조티오펜환, 카르바졸환 또는 디히드로아크리딘환으로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 특히 바람직하게는 디벤조푸란환 또는 디벤조티오펜환으로, 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이며, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 치환 아미노기에 있어서, 아미노기가 갖는 치환기로서는, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 바람직하고, 아릴기가 보다 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다. 아미노기가 갖는 치환기인 아릴기의 예 및 바람직한 범위는, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다. 아미노기가 갖는 치환기인 1가의 복소환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 1가의 복소환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자가 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 보다 바람직하고, 알킬기 또는 아릴기가 더욱 바람직하고, 알킬기가 특히 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 되지만, 이들 기는 치환기를 갖지 않는 것이 바람직하다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
RC는 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 탄소 원자, 규소 원자 또는 게르마늄 원자이고, 보다 바람직하게는 탄소 원자 또는 규소 원자이고, 더욱 바람직하게는 탄소 원자이다.
본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C 중 적어도 하나는, 치환기로서 아릴기 또는 1가의 복소환기를 갖는 것이 바람직하고, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C 중 적어도 하나는, 치환기로서 식 (D-1)로 표시되는 기를 갖는 것이 보다 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C 중 적어도 하나가, 치환기로서 아릴기 또는 1가의 복소환기를 갖는 경우, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖는 아릴기 및 1가의 복소환기의 합계의 개수는, 바람직하게는 1 내지 5개이고, 보다 바람직하게는 1 내지 3개이고, 더욱 바람직하게는 1 또는 2개이고, 특히 바람직하게는 1개이다.
환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C 중 적어도 하나가, 치환기로서 식 (D-1)로 표시되는 기를 갖는 경우, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖는 식 (D-1)로 표시되는 기의 합계의 개수는, 바람직하게는 1 내지 5개이고, 보다 바람직하게는 1 내지 3개이고, 더욱 바람직하게는 1 또는 2개이고, 특히 바람직하게는 1개이다.
·식 (D-1)로 표시되는 기
환 RD로 표현되는 방향족 탄화수소환 및 방향족 복소환의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C로 표현되는 방향족 탄화수소환 및 방향족 복소환의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
환 RD가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
환 RD는 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 방향족 탄화수소환인 것이 바람직하고, 벤젠환인 것이 보다 바람직하다.
XD1 및 XD2는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 단결합, 산소 원자, 황 원자, 또는 -C(RXD2)2-로 표현되는 기이고, 보다 바람직하게는 단결합, 산소 원자 또는 황 원자이고, 더욱 바람직하게는 단결합, 또는 황 원자이며, 특히 바람직하게는 XD1 및 XD2의 한쪽이 단결합이며, 다른 쪽이 황 원자이다.
XD1 및 XD2 중 적어도 한쪽은, 단결합인 것이 바람직하고, XD2가 단결합인 것이 보다 바람직하다.
RXD1은, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 더욱 바람직하게는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RXD2는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RXD1 및 RXD2로 표현되는 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
XD1 및 XD2로 표현되는 -C(RXD2)2-로 표현되는 기 중 2개의 RXD2의 조합은, 바람직하게는 양쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기, 양쪽이 아릴기, 양쪽이 1가의 복소환기, 또는 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기 혹은 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 양쪽이 아릴기, 또는 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기이고, 더욱 바람직하게는 양쪽이 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 2개 존재하는 RXD2는 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하는 것이 바람직하다. RXD2가 환을 형성하는 경우, -C(RXD2)2-로 표현되는 기로서는 바람직하게는 식 (Y-A1)-식 (Y-A5)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (Y-A4)로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Figure pct00022
RXD1 및 RXD2가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
E1D, E2D 및 E3D는, 탄소 원자인 것이 바람직하다.
R1D, R2D 및 R3D는, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자인 것이 더욱 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
R1D, R2D 및 R3D로 표현되는 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R1D, R2D 및 R3D가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, RXD1 및 RXD2가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R1D와 R2D, R2D와 R3D, R1D와 RXD1, R1D와 RXD2, RXD1과 환 RD가 갖고 있어도 되는 치환기 및 RXD2와 환 RD가 갖고 있어도 되는 치환기는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 되지만, 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
식 (D-1)로 표시되는 기는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로 바람직하게는 식 (D-2)로 표시되는 기이다.
E4D, E5D, E6D 및 E7D는 탄소 원자인 것이 바람직하다.
R4D, R5D, R6D 및 R7D의 예 및 바람직한 범위는, R1D, R2D 및 R3D의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R4D, R5D, R6D 및 R7D가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, R1D, R2D 및 R3D가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R4D와 R5D, R5D와 R6D, R6D와 R7D는 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 되지만, 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
[식 (C-2)로 표시되는 화합물]
식 (C-1)로 표시되는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 식 (C-2)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
E11C, E12C, E13C, E14C, E21C, E22C, E23C, E24C, E31C, E32C, E33C, E34C, E41C, E42C, E43C 및 E44C는, 탄소 원자인 것이 바람직하다.
환 R1C', 환 R2C', 환 R3C' 및 환 R4C'는, 바람직하게는 벤젠환이다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C는, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자 또는 식 (D-1)로 표시되는 기인 것이 더욱 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C 중 적어도 1개는, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 식 (D-1)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C로 표현되는 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C 중 적어도 1개가 아릴기 또는 1가의 복소환기인 경우, R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C가 아릴기 또는 1가의 복소환기인 합계의 개수는, 바람직하게는 1 내지 5개이고, 보다 바람직하게는 1 내지 3개이고, 더욱 바람직하게는 1 또는 2개이고, 특히 바람직하게는 1개이다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C 중 적어도 하나가 식 (D-1)로 표시되는 기인 경우, R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C가 식 (D-1)로 표시되는 기인 합계의 개수는, 바람직하게는 1 내지 5개이고, 보다 바람직하게는 1 내지 3개이고, 더욱 바람직하게는 1 또는 2개이고, 특히 바람직하게는 1개이다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C 중 적어도 1개가 아릴기 또는 1가의 복소환 기인 경우, R11C, R12C, R14C, R21C, R22C, R24C, R31C, R32C, R34C, R41C, R42C 및 R44C 중 적어도 1개가 아릴기 또는 1가의 복소환 기인 것이 바람직하고, R11C, R12C, R21C, R22C, R31C, R32C, R41C 및 R42C 중 적어도 1개가 아릴기 또는 1가의 복소환 기인 것이 보다 바람직하고, R11C, R12C, R21C 및 R22C 중 적어도 1개가 아릴기 또는 1가의 복소환 기인 것이 더욱 바람직하고, R11C 및 R12C 중 적어도 1개가 아릴기 또는 1가의 복소환 기인 것이 특히 바람직하고, 이들의 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C 중 적어도 1개가 식 (D-1)로 표시되는 기인 경우, R11C, R12C, R14C, R21C, R22C, R24C, R31C, R32C, R34C, R41C, R42C 및 R44C 중 적어도 1개가 식 (D-1)로 표시되는 기인 것이 바람직하고, R11C, R12C, R21C, R22C, R31C, R32C, R41C 및 R42C 중 적어도 1개가 식 (D-1)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하고, R11C, R12C, R21C 및 R22C 중 적어도 1개가 식 (D-1)로 표시되는 기인 것이 더욱 바람직하고, R11C 및 R12C 중 적어도 1개가 식 (D-1)로 표시되는 기인 것이 특히 바람직하고, R12C가 식 (D-1)로 표시되는 기인 것이 특히 바람직하다.
R11C와 R12C, R12C와 R13C, R13C와 R14C, R14C와 R34C, R34C와 R33C, R33C와 R32C, R32C와 R31C, R31C와 R41C, R41C와 R42C, R42C와 R43C, R43C와 R44C, R44C와 R24C, R24C와 R23C, R23C와 R22C, R22C와 R21C 및 R21C와 R11C는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 되지만, 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
[식 (C-3)으로 표시되는 화합물]
식 (C-2)로 표시되는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 식 (C-3)으로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
식 (C-1)로 표시되는 화합물로서는, 예를 들어 식 (C-101) 내지 식 (C-137)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00023
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
Figure pct00030
[식 중, X는 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. X가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
X는 황 원자인 것이 바람직하다.
식 (C-1)로 표시되는 화합물은, 예를 들어 Aldrich, Luminescence Technology Corp.로부터 입수 가능하다. 식 (C-1)로 표시되는 화합물은, 그 밖에는, 예를 들어 국제공개 2014/023388호, 국제공개 2013/045408호, 국제공개 2013/045410호, 국제공개 2013/045411호, 국제공개 2012/048820호, 국제공개 2012/048819호, 국제공개 2011/006574호, 「Organic Electronics vol.14, 902-908(2013)」에 기재되어 있는 방법에 따라서 합성할 수 있다.
·기타
본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제1 층은, 식 (C-1)로 표시되는 화합물과, 인광 발광성 화합물을 함유하는 층인 것이 바람직하다.
제1 층에는, 식 (C-1)로 표시되는 화합물이 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다. 또한, 제1 층이, 식 (C-1)로 표시되는 화합물과 인광 발광성 화합물을 함유하는 층인 경우, 인광 발광성 화합물이 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다.
제1 층이, 식 (C-1)로 표시되는 화합물과 인광 발광성 화합물을 함유하는 층인 경우, 인광 발광성 화합물의 함유량은, 인광 발광성 화합물과 식 (C-1)로 표시되는 화합물의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상, 0.01 내지 95질량부이고, 바람직하게는 0.1 내지 70질량부이고, 보다 바람직하게는 1 내지 50질량부이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 40질량부이다.
제1 층이, 식 (C-1)로 표시되는 화합물과 인광 발광성 화합물을 함유하는 층인 경우, 식 (C-1)로 표시되는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 정공 주입성, 정공 수송성, 전자 주입성 및 전자 수송성에서 선택되는 적어도 하나의 기능을 갖는 호스트 재료인 것이 바람직하다.
제1 층이, 식 (C-1)로 표시되는 화합물과 인광 발광성 화합물을 함유하는 층인 경우, 식 (C-1)로 표시되는 화합물이 갖는 최저 여기 삼중항 상태(T1)는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제1 층에 함유되는 인광 발광성 화합물이 갖는 T1과 동등한 에너지 준위, 또는 더 높은 에너지 준위인 것이 바람직하고, 보다 높은 에너지 준위인 것이 보다 바람직하다.
인광 발광성 화합물로서는, 본 발명의 발광 소자를 도포법으로 제작할 수 있으므로, 제1 층에 함유되는 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 용해하는 것이 가능한 용매에 대하여 용해성을 나타내는 것인 것이 바람직하다.
「인광 발광성 화합물」은, 통상, 실온(25℃)에서 인광 발광성을 나타내는 화합물을 의미하지만, 바람직하게는 실온에서 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 나타내는 금속 착체이다. 이 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 나타내는 금속 착체는, 중심 금속 원자 및 배위자를 갖는다.
중심 금속 원자로서는, 예를 들어 원자 번호 40 이상의 원자이고, 착체에 스핀-궤도 상호 작용이 있고, 일중항 상태와 삼중항 상태 사이의 항간 교차를 일으킬 수 있는 금속 원자를 들 수 있다. 금속 원자로서는, 예를 들어 루테늄 원자, 로듐 원자, 팔라듐 원자, 이리듐 원자 및 백금 원자를 들 수 있고, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 이리듐 원자 또는 백금 원자이다.
배위자로서는, 예를 들어 중심 금속 원자 사이에, 배위 결합 및 공유 결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 결합을 형성하는, 중성 혹은 음이온성의 단좌 배위자, 또는 중성 혹은 음이온성의 다좌 배위자를 들 수 있다. 중심 금속 원자와 배위자 사이의 결합으로서는, 예를 들어 금속-질소 결합, 금속-탄소 결합, 금속-산소 결합, 금속-인 결합, 금속-황 결합 및 금속-할로겐 결합을 들 수 있다. 다좌 배위자란, 통상, 2좌 이상 6좌 이하의 배위자를 의미한다.
·식 (1)로 표시되는 인광 발광성 화합물
인광 발광성 화합물은, 상기 식 (1)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 바람직하다.
M은 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 이리듐 원자 또는 백금 원자인 것이 바람직하고, 이리듐 원자인 것이 보다 바람직하다.
M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n1은 2 또는 3인 것이 바람직하고, 3인 것이 보다 바람직하다.
M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n1은 2인 것이 바람직하다.
E1 및 E2는, 탄소 원자인 것이 바람직하다.
환 L1은 5원의 방향족 복소환 또는 6원의 방향족 복소환인 것이 바람직하고, 2개 이상 4개 이하의 질소 원자를 구성 원자로서 갖는 5원의 방향족 복소환 또는 1개 이상 4개 이하의 질소 원자를 구성 원자로서 갖는 6원의 방향족 복소환인 것이 보다 바람직하고, 2개 이상 3개 이하의 질소 원자를 구성 원자로서 갖는 5원의 방향족 복소환 또는 1개 이상 2개 이하의 질소 원자를 구성 원자로서 갖는 6원의 방향족 복소환인 것이 더욱 바람직하고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 단, 환 L1이 6원의 방향족 복소환인 경우, E1은 탄소 원자인 것이 바람직하다.
환 L1로서는, 예를 들어 디아졸환, 트리아졸환, 피리딘환, 디아자벤젠환, 트리아진환, 아자나프탈렌환 및 디아자나프탈렌환을 들 수 있고, 디아졸환, 트리아졸환, 피리딘환, 디아자벤젠환, 퀴놀린환 또는 이소퀴놀린환이 바람직하고, 디아졸환, 트리아졸환, 피리딘환, 퀴놀린환 또는 이소퀴놀린환이 보다 바람직하고, 디아졸환, 트리아졸환 또는 피리딘환이 더욱 바람직하고, 디아졸환 또는 피리딘환이 특히 바람직하고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L2는 5원 혹은 6원의 방향족 탄화수소환, 또는 5원 혹은 6원의 방향족 복소환인 것이 바람직하고, 6원의 방향족 탄화수소환 또는 6원의 방향족 복소환인 것이 보다 바람직하고, 6원의 방향족 탄화수소환인 것이 더욱 바람직하고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 환 R2가 6원의 방향족 복소환인 경우, E2는 탄소 원자인 것이 바람직하다.
환 L2로서는, 예를 들어 벤젠환, 나프탈렌환, 플루오렌환, 페난트렌환, 인덴환, 피리딘환, 디아자벤젠환 및 트리아진환을 들 수 있고, 벤젠환, 나프탈렌환, 플루오렌환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환이 바람직하고, 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환이 보다 바람직하고, 벤젠환이 더욱 바람직하고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자가 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 불소 원자가 보다 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기가 더욱 바람직하고, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 특히 바람직하고, 아릴기가 특히 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 디히드로페난트레닐기, 플루오레닐기 또는 피레닐기가 바람직하고, 페닐기, 나프틸기 또는 플루오레닐기가 보다 바람직하고, 페닐기가 더욱 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기인 1가의 복소환기로서는, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 아자카르바졸릴기, 디아자카르바졸릴기, 페녹사지닐기 또는 페노티아지닐기가 바람직하고, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 카르바졸릴기, 아자카르바졸릴기 또는 디아자카르바졸릴기가 보다 바람직하고, 피리딜기, 피리미디닐기 또는 트리아지닐기가 더욱 바람직하고, 트리아지닐기가 특히 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기인 치환 아미노기에 있어서, 아미노기가 갖는 치환기로서는, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 바람직하고, 아릴기가 보다 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다. 아미노기가 갖는 치환기에 있어서의 아릴기의 예 및 바람직한 범위는, 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 아릴기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다. 아미노기가 갖는 치환기에 있어서의 1가의 복소환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 1가의 복소환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기 또는 치환 아미노기가 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기가 보다 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기가 더욱 바람직하고, 알킬기 또는 시클로알킬기가 특히 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 되지만, 이들 기는 추가로 치환기를 갖지 않는 것이 바람직하다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로 바람직하게는 식 (D-A), 식 (D-B) 또는 식 (D-C)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (D-A) 또는 식 (D-C)로 표시되는 기이다.
Figure pct00031
[식 중,
mDA1, mDA2 및 mDA3은 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타낸다.
GDA는 질소 원자, 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArDA1, ArDA2 및 ArDA3은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. ArDA1, ArDA2 및 ArDA3이 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
TDA는 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 있는 TDA는, 동일해도 되고 상이해도 된다.]
Figure pct00032
[식 중,
mDA1, mDA2, mDA3, mDA4, mDA5, mDA6 및 mDA7은 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타낸다.
GDA는 질소 원자, 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 있는 GDA는 동일해도 되고 상이해도 된다.
ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6 및 ArDA7은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6 및 ArDA7이 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
TDA는 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 있는 TDA는 동일해도 되고 상이해도 된다.]
Figure pct00033
[식 중,
mDA1은 0 이상의 정수를 나타낸다.
ArDA1은 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. ArDA1이 복수 있는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
TDA는 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
mDA1, mDA2, mDA3, mDA4, mDA5, mDA6 및 mDA7은, 통상 10 이하의 정수이고, 바람직하게는 5 이하의 정수이고, 보다 바람직하게는 2 이하의 정수이고, 더욱 바람직하게는 0 또는 1이다. mDA2, mDA3, mDA4, mDA5, mDA6 및 mDA7은, 동일한 정수인 것이 바람직하고, mDA1, mDA2, mDA3, mDA4, mDA5, mDA6 및 mDA7은, 동일한 정수인 것이 보다 바람직하다.
GDA는, 바람직하게는 방향족 탄화수소기 또는 복소환기이고, 보다 바람직하게는 벤젠환, 피리딘환, 피리미딘환, 트리아진환 또는 카르바졸환으로 환을 구성하는 탄소 원자 또는 질소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 3개를 제외하고 이루어지는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
GDA가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 시클로알콕시기이고, 더욱 바람직하게는 알킬기 또는 시클로알킬기이며, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 되지만, 이들 기는 추가로 치환기를 갖지 않는 것이 바람직하다.
GDA는 바람직하게는 식 (GDA-11) 내지 식 (GDA-15)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (GDA-11) 내지 식 (GDA-14)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (GDA-11) 또는 식 (GDA-14)로 표시되는 기이고, 특히 바람직하게는 식 (GDA-11)로 표시되는 기이다.
Figure pct00034
[식 중,
*은 식 (D-A)에 있어서의 ArDA1, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA1, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA2, 또는 식 (D-B)에 있어서의 ArDA3과의 결합을 나타낸다.
**은 식 (D-A)에 있어서의 ArDA2, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA2, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA4, 또는 식 (D-B)에 있어서의 ArDA6과의 결합을 나타낸다.
***은 식 (D-A)에 있어서의 ArDA3, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA3, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA5, 또는 식 (D-B)에 있어서의 ArDA7과의 결합을 나타낸다.
RDA는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다. RDA가 복수 있는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
RDA는 바람직하게는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 시클로알콕시기이고, 보다 바람직하게는 수소 원자, 알킬기 또는 시클로알킬기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6 및 ArDA7은, 바람직하게는 페닐렌기, 플루오렌디일기 또는 카르바졸디일기이고, 보다 바람직하게는 식 (ArDA-1) 내지 식 (ArDA-5)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (ArDA-1) 내지 식 (ArDA-3)으로 표시되는 기이고, 특히 바람직하게는 식 (ArDA-1) 또는 식 (ArDA-2)로 표시되는 기이고, 특히 바람직하게는 식 (ArDA-1)로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Figure pct00035
[식 중,
RDA는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
RDB는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. RDB가 복수 있는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
RDB는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 더욱 바람직하게는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6, ArDA7 및 RDB가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, GDA가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
TDA는, 바람직하게는 식 (TDA-1) 내지 식 (TDA-3)으로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (TDA-1)로 표시되는 기이다.
Figure pct00036
[식 중, RDA 및 RDB는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
식 (D-A)로 표시되는 기는 바람직하게는 식 (D-A1) 내지 식 (D-A5)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (D-A1) 또는 식 (D-A3) 내지 식 (D-A5)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (D-A1) 또는 식 (D-A3)으로 표시되는 기이고, 특히 바람직하게는 식 (D-A1)로 표시되는 기이다.
Figure pct00037
[식 중,
Rp1, Rp2, Rp3 및 Rp4는 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. Rp1, Rp2 및 Rp4가 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
np1은 0 내지 5의 정수를 나타내고, np2는 0 내지 3의 정수를 나타내고, np3은 0 또는 1을 나타내고, np4는 0 내지 4의 정수를 나타낸다. 복수 있는 np1은, 동일해도 되고 상이해도 된다.]
식 (D-B)로 표시되는 기는 바람직하게는 식 (D-B1) 내지 식 (D-B6)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (D-B1) 내지 식 (D-B3) 또는 식 (D-B5)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (D-B1)로 표시되는 기이다.
Figure pct00038
Figure pct00039
[식 중,
Rp1, Rp2, Rp3 및 Rp4는 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. Rp1, Rp2 및 Rp4가 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
np1은 0 내지 5의 정수를 나타내고, np2는 0 내지 3의 정수를 나타내고, np3은 0 또는 1을 나타내고, np4는 0 내지 4의 정수를 나타낸다. 복수 있는 np1은 동일해도 되고 상이해도 된다. 복수 있는 np2는 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
식 (D-C)로 표시되는 기는, 바람직하게는 식 (D-C1) 내지 식 (D-C4)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (D-C1) 또는 식 (D-C2)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (D-C2)로 표시되는 기이다.
Figure pct00040
[식 중,
Rp4, Rp5 및 Rp6은 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. Rp4, Rp5 및 Rp6이 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
np4는 0 내지 4의 정수를 나타내고, np5는 0 내지 5의 정수를 나타내고, np6은 0 내지 5의 정수를 나타낸다.]
np1은 바람직하게는 0 내지 2의 정수이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다. np2는 바람직하게는 0 또는 1이고, 보다 바람직하게는 0이다. np3은 바람직하게는 0이다. np4는 바람직하게는 0 내지 2의 정수이고, 보다 바람직하게는 0이다. np5는 바람직하게는 0 내지 3의 정수이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다. np6은 바람직하게는 0 내지 2의 정수이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
Rp1, Rp2, Rp3, Rp4, Rp5 및 Rp6으로 표현되는 알킬기 또는 시클로알킬기로서는, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기, 시클로헥실기 또는 tert-옥틸기이다.
Rp1, Rp2, Rp3, Rp4, Rp5 및 Rp6으로 표현되는 알콕시기 또는 시클로알콕시기로서는, 바람직하게는 메톡시기, 2-에틸헥실옥시기 또는 시클로헥실옥시기이다.
Rp1, Rp2, Rp3, Rp4, Rp5 및 Rp6은, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 시클로알킬기이고, 보다 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기이고, 더욱 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, tert-부틸기, 헥실기, 2-에틸헥실기 또는 tert-옥틸기이다.
환 L1이 갖고 있어도 되는 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
환 L1이 갖고 있어도 되는 치환기와, 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
[음이온성의 2좌 배위자]
A1-G1-A2로 표현되는 음이온성의 2좌 배위자로서는, 예를 들어 하기 식으로 표시되는 배위자를 들 수 있다. 단, A1-G1-A2로 표현되는 음이온성의 2좌 배위자는, 첨자 n1로 그 수를 정의하고 있는 배위자와는 상이하다.
Figure pct00041
Figure pct00042
[식 중,
*은 M과 결합하는 부위를 나타낸다.
RL1은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RL1은 동일해도 되고 상이해도 된다.
RL2는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
RL1은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 불소 원자인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RL2는 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (1)로 표시되는 인광 발광성 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 식 (1-A)로 표시되는 인광 발광성 화합물 또는 식 (1-B)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 바람직하다.
·식 (1-A)로 표시되는 인광 발광성 화합물
환 L1A가 디아졸환인 경우, E11A가 질소 원자인 이미다졸환, 또는 E12A가 질소 원자인 이미다졸환이 바람직하고, E11A가 질소 원자인 이미다졸환이 보다 바람직하다.
환 L1A가 트리아졸환인 경우, E11A 및 E12A가 질소 원자인 트리아졸환, 또는 E11A 및 E13A가 질소 원자인 트리아졸환이 바람직하고, E11A 및 E13A가 질소 원자인 트리아졸환이 보다 바람직하다.
환 L1A는 디아졸환인 것이 바람직하다.
R11A, R12A, R13A, R21A, R22A, R23A 및 R24A로 표현되는 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R11A, R12A, R13A, R21A, R22A, R23A 및 R24A가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
E11A가 질소 원자이고, 또한 R11A가 존재하는 경우, R11A는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 보다 바람직하고, 아릴기인 것이 더욱 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
E11A가 탄소 원자인 경우, R11A는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 알킬기 또는 시클로알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 수소 원자인 것이 특히 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
E12A가 질소 원자이고, 또한 R12A가 존재하는 경우, R12A는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 보다 바람직하고, 아릴기인 것이 더욱 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
E12A가 탄소 원자인 경우, R12A는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 알킬기 또는 시클로알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 수소 원자인 것이 특히 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
E13A가 질소 원자이고, 또한 R13A가 존재하는 경우, R13A는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 보다 바람직하고, 아릴기인 것이 더욱 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
E13A가 탄소 원자인 경우, R13A는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 알킬기 또는 시클로알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 수소 원자인 것이 특히 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1A가 디아졸환인 경우, 환 L1A는, 바람직하게는 E11A가 질소 원자이고, 또한 R11A가 존재하는 이미다졸환, 또는 E12A가 질소 원자이고, 또한 R12A가 존재하는 이미다졸환이고, 보다 바람직하게는 E11A가 질소 원자이고, 또한 R11A가 존재하는 이미다졸환이다.
환 L1A가 트리아졸환인 경우, 환 L1A는, 바람직하게는 E11A 및 E12A가 질소 원자이고, 또한 R11A가 존재하고 R12A가 존재하지 않는 트리아졸환, 또는 E11A 및 E13A가 질소 원자이고, 또한 R11A가 존재하고 R13A가 존재하지 않는 트리아졸환이고, 보다 바람직하게는 E11A 및 E13A가 질소 원자이고, 또한 R11A가 존재하고 R13A가 존재하지 않는 트리아졸환이다.
환 L1A가 트리아졸환인 경우, R11A, R12A 및 R13A 중 2개는, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L2A가 피리딘환인 경우, 환 L2A는, E21A가 질소 원자인 피리딘환, E22A가 질소 원자인 피리딘환, 또는 E23A가 질소 원자인 피리딘환인 것이 바람직하고, E22A가 질소 원자인 피리딘환인 것이 보다 바람직하다.
환 L2A가 디아자벤젠환인 경우, 환 L2A는, E22A 및 E24A가 질소 원자인 피리미딘환, 또는 E22A 및 E24A가 질소 원자인 피리미딘환인 것이 바람직하고, E22A 및 E24A가 질소 원자인 피리미딘환인 것이 보다 바람직하다.
환 L2A는 벤젠환인 것이 바람직하다.
R21A, R22A, R23A 및 R24A는, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 불소 원자인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 알킬기 또는 식 (D-A), 식 (D-B) 혹은 식 (D-C)로 표시되는 기인 것이 더욱 바람직하고, 수소 원자 또는 식 (D-A)로 표시되는 기인 것이 특히 바람직하고, 수소 원자인 것이 특히 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L2A가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기를 갖는 경우, R22A 또는 R23A가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, R22A가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하다.
R11A와 R12A, R12A와 R13A, R11A와 R21A, R21A와 R22A, R22A와 R23A 및 R23A와 R24A는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
식 (1-A)로 표시되는 인광 발광성 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 더욱 우수하므로, 식 (1-A1) 내지 식 (1-A5)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 바람직하고, 식 (1-A1), 식 (1-A3) 또는 식 (1-A4)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 보다 바람직하고, 식 (1-A3) 또는 식 (1-A4)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 더욱 바람직하고, 식 (1-A4)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 특히 바람직하다.
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
[식 중, M, n1, n2, R11A, R12A, R13A, R21A, R22A, R23A, R24A 및 A1-G1-A2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
·식 (1-B)로 표시되는 인광 발광성 화합물
환 L1B가 디아자벤젠환인 경우, 환 L1B는, E11B가 질소 원자인 피리미딘환, 또는 E13B가 질소 원자인 피리미딘환인 것이 바람직하고, E11B가 질소 원자인 피리미딘환인 것이 보다 바람직하다.
환 L1B는 피리딘환인 것이 바람직하다.
환 L2B가 피리딘환인 경우, 환 L2B는, E21B가 질소 원자인 피리딘환, E22B가 질소 원자인 피리딘환, 또는 E23B가 질소 원자인 피리딘환인 것이 바람직하고, E22B가 질소 원자인 나와 어떤 피리딘환인 것이 보다 바람직하다.
환 L2B가 디아자벤젠환인 경우, 환 L2B는, E22B 및 E24B가 질소 원자인 피리미딘환, 또는 E21B 및 E23B가 질소 원자인 피리미딘환인 것이 바람직하고, E22B 및 E24B가 질소 원자인 피리미딘환인 것이 보다 바람직하다.
환 L2B는 벤젠환인 것이 바람직하다.
R11B, R12B, R13B, R14B, R21B, R22B, R23B 및 R24B로 표현되는 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R11B, R12B, R13B, R14B, R21B, R22B, R23B 및 R24B가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R11B, R12B, R13B, R14B, R21B, R22B, R23B 및 R24B는, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 알케닐기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 불소 원자인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 알케닐기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 또는 식 (D-A), 식 (D-B) 혹은 식 (D-C)로 표시되는 기인 것이 더욱 바람직하고, 수소 원자, 또는 식 (D-A)로 표시되는 기인 것이 특히 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1B가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기를 갖는 경우, R11B, R12B 또는 R13B가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, R12B 또는 R13B가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하고, R13B가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 더욱 바람직하다.
환 L2B가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기를 갖는 경우, R22B 또는 R23B가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, R22B가 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하다.
식 (1-B)로 표시되는 인광 발광성 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 더욱 우수하므로, 식 (1-B1) 내지 식 (1-B5)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 바람직하고, 식 (1-B1) 내지 식 (1-B3)으로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 보다 바람직하고, 식 (1-B1)로 표시되는 인광 발광성 화합물 또는 식 (1-B2)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 더욱 바람직하고, 식 (1-B1)로 표시되는 인광 발광성 화합물인 것이 특히 바람직하다.
Figure pct00046
[식 중,
M, n1, n2, A1-G1-A2, R11B, R12B, R13B, R14B, R21B, R22B, R23B 및 R24B는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
n11 및 n12는, 각각 독립적으로 1 이상의 정수를 나타낸다. 단, M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n11+n12는 3이고, M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n11+n12는 2이다.
R15B, R16B, R17B 및 R18B는, 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 알케닐기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R15B, R16B, R17B 및 R18B가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. R13B와 R15B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R18B와 R21B는, 각각 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
R15B, R16B, R17B 및 R18B로 표현되는 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R15B, R16B, R17B 및 R18B가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 추가로 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R15B, R16B, R17B 및 R18B는, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 불소 원자, 아릴기, 알케닐기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 알킬기 또는 시클로알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 수소 원자인 것이 특히 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
인광 발광성 화합물로서는, 예를 들어 하기 식으로 표시되는 인광 발광성 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00047
Figure pct00048
Figure pct00049
Figure pct00050
Figure pct00051
Figure pct00052
Figure pct00053
Figure pct00054
Figure pct00055
Figure pct00056
Figure pct00057
·제1 조성물
제1 층은 식 (C-1)로 표시되는 화합물과, 상기 인광 발광성 화합물, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 발광 재료 및 산화 방지제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하는 조성물(이하, 「제1 조성물」이라고도 한다.)을 함유하는 층이어도 된다. 단, 제1 조성물에 함유되는 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료 및 전자 주입 재료는, 식 (C-1)로 표시되는 화합물과는 상이하고, 제1 조성물에 함유되는 발광 재료는, 식 (C-1)로 표시되는 화합물과는 상이하고, 인광 발광성 화합물과는 상이하다.
·정공 수송 재료
정공 수송 재료는, 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류되고, 바람직하게는 고분자 화합물이다. 정공 수송 재료는 가교기를 갖고 있어도 된다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리비닐카르바졸 및 그의 유도체; 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민 구조를 갖는 폴리아릴렌 및 그의 유도체를 들 수 있다. 고분자 화합물은, 전자 수용성 부위가 결합된 화합물이어도 된다. 전자 수용성 부위로서는, 예를 들어 풀러렌, 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄, 테트라시아노에틸렌, 트리니트로플루오레논 등을 들 수 있고, 바람직하게는 풀러렌이다.
제1 조성물에 있어서, 정공 수송 재료의 배합량은, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 100질량부로 한 경우, 통상, 1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
정공 수송 재료는, 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
·전자 수송 재료
전자 수송 재료는, 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 전자 수송 재료는, 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 8-히드록시퀴놀린을 배위자로 하는 금속 착체, 옥사디아졸, 안트라퀴노디메탄, 벤조퀴논, 나프토퀴논, 안트라퀴논, 테트라시아노안트라퀴노디메탄, 플루오레논, 디페닐디시아노에틸렌 및 디페노퀴논, 그리고 이들의 유도체를 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리페닐렌, 폴리플루오렌 및 이들의 유도체를 들 수 있다. 고분자 화합물은, 금속으로 도프되어 있어도 된다.
제1 조성물에 있어서, 전자 수송 재료의 배합량은, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 100질량부로 한 경우, 통상, 1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
전자 수송 재료는, 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
·정공 주입 재료 및 전자 주입 재료
정공 주입 재료 및 전자 주입 재료는, 각각 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 정공 주입 재료 및 전자 주입 재료는, 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 구리 프탈로시아닌 등의 금속 프탈로시아닌; 카본; 몰리브덴, 텅스텐 등의 금속 산화물; 불화리튬, 불화나트륨, 불화세슘, 불화칼륨 등의 금속 불화물을 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리티에닐렌비닐렌, 폴리퀴놀린 및 폴리퀴녹살린, 그리고 이들의 유도체; 방향족 아민 구조를 주쇄 또는 측쇄에 포함하는 중합체 등의 도전성 고분자를 들 수 있다.
제1 조성물에 있어서, 정공 주입 재료 및 전자 주입 재료의 배합량은, 각각 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 100질량부로 한 경우, 통상, 1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
전자 주입 재료 및 정공 주입 재료는, 각각 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
·이온 도프
정공 주입 재료 또는 전자 주입 재료가 도전성 고분자를 포함하는 경우, 도전성 고분자의 전기 전도도는, 바람직하게는 1×10-5S/㎝ 내지 1×103S/㎝이다. 도전성 고분자의 전기 전도도를 이러한 범위로 하기 때문에, 도전성 고분자에 적량의 이온을 도프할 수 있다.
도프하는 이온의 종류는, 정공 주입 재료이면 음이온, 전자 주입 재료이면 양이온이다. 음이온으로서는, 예를 들어 폴리스티렌술폰산 이온, 알킬 벤젠술폰산 이온, 캄포 술폰산 이온을 들 수 있다. 양이온으로서는, 예를 들어 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온, 테트라부틸암모늄 이온을 들 수 있다.
도프하는 이온은, 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
·발광 재료
발광 재료는, 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 발광 재료는, 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 나프탈렌 및 그의 유도체, 안트라센 및 그의 유도체 및 페릴렌 및 그의 유도체를 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 페닐렌기, 나프탈렌디일기, 안트라센디일기, 플루오렌디일기, 페난트렌디일기, 디히드로페난트렌디일기, 후술하는식 (X)로 표시되는 기, 카르바졸디일기, 페녹사진 디일기, 페노티아진 디일기, 피렌디일기 등을 포함하는 고분자 화합물을 들 수 있다.
제1 조성물에 있어서, 발광 재료의 배합량은, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 100질량부로 한 경우, 통상, 1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
발광 재료는, 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
·산화 방지제
산화 방지제는, 식 (C-1)로 표시되는 화합물과 같은 용매에 가용이고, 발광 및 전하 수송을 저해하지 않는 화합물이면 되고, 예를 들어 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제를 들 수 있다.
제1 조성물에 있어서, 산화 방지제의 배합량은, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 100질량부로 한 경우, 통상, 0.001 내지 10질량부이다.
산화 방지제는, 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
·제1 잉크
식 (C-1)로 표시되는 화합물은, 예를 들어 용매에 용해시켜서 사용할 수 있다. 식 (C-1)로 표시되는 화합물과, 용매를 함유하는 조성물(이하, 「제1 잉크」라고도 한다.)은, 스핀 코트법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 롤 코트법, 와이어 바 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 모세관-코트법, 노즐 코트법 등의 도포법에 적합하게 사용할 수 있다.
제1 잉크의 점도는, 도포법의 종류에 따라 조정하면 되지만, 잉크젯 인쇄법 등의 용액이 토출 장치를 경유하는 인쇄법에 적용하는 경우에는, 토출 시의 눈막힘과 비행 구부러짐이 일어나기 어려우므로, 바람직하게는 25℃에 있어서 1 내지 20m㎩·s이다.
제1 잉크에 함유되는 용매는, 바람직하게는 잉크 중의 고형분을 용해 또는 균일하게 분산할 수 있는 용매이다. 용매로서는, 예를 들어 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산, 아니솔, 4-메틸아니솔 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, n-헥실벤젠, 시클로헥실벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸, n-도데칸, 비시클로헥실 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 아세토페논 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 벤조산메틸, 아세트산 페닐 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올계 용매; 이소프로필알코올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매; N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매를 들 수 있다. 용매는, 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
제1 잉크에 있어서, 용매의 배합량은, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 100질량부로 한 경우, 통상, 1000 내지 100000질량부이고, 바람직하게는 2000 내지 20000질량부이다.
[제2 층 및 제3 층에 함유되는 단체 또는 화합물]
본 발명의 발광 소자가 갖는 제2 층 및 제3 층은, 각각 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족(주기율표 제2족을 의미하고, 본 명세서에 있어서, 마찬가지이다.) 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 층이다.
제2 층 및 제3 층의 각각에 있어서, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물은, 각각 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제2 층에 함유되는 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(이하, 「제2 층의 단체 또는 화합물」이라고도 한다)이라고, 제3 층에 함유되는 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종(이하, 「제3 층의 단체 또는 화합물」이라고도 한다)과는, 서로 다르다(이하, 「서로 다른 관계」라고 한다).
「서로 다른 관계」란, 제2 층이 「제2 층의 단체 또는 화합물」을 1종만 함유하고, 제3 층이 「제3 층의 단체 또는 화합물」을 1종만 함유하는 경우, 제2 층의 단체 또는 화합물과, 제3 층의 단체 또는 화합물이, 서로 다른 것을 의미한다.
또한, 「서로 다른 관계」란, 제2 층이 「제2 층의 단체 또는 화합물」을 2종 이상 함유하는 경우, 제3 층이 「제3 층의 단체 또는 화합물」을 적어도 1종을 함유하는 것을 의미한다.
또한, 「서로 다른 관계」란, 제3 층이 「제3 층의 단체 또는 화합물」을 2종 이상 함유하는 경우, 제2 층이 「제2 층의 단체 또는 화합물」을 적어도 1종을 함유하는 것을 의미한다.
「서로 다른 관계」는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제2 층에 함유되는 「제2 층의 단체 또는 화합물」의 전성분과, 제3 층에 함유되는 「제3 층의 단체 또는 화합물」의 전성분이, 완전히 동일하지 않은 것이 바람직하고, 제2 층에 함유되는 「제2 층의 단체 또는 화합물」 중 1종이, 제3 층에 함유되지 않는 것이 보다 바람직하고, 제2 층에 함유되는 「제2 층의 단체 또는 화합물」의 전성분이, 제3 층에 함유되지 않는 것이 더욱 바람직하다.
알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체 및 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물에 있어서, 알칼리 금속 원소로서는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 리튬, 나트륨, 칼륨 또는 세슘이고, 보다 바람직하게는 리튬, 나트륨 또는 세슘이다.
제2족 원소만을 포함하는 단체 및 제2족 원소를 포함하는 화합물에 있어서, 제2족 원소로서는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 베릴륨, 마그네슘, 칼슘 또는 바륨이고, 보다 바람직하게는 칼슘 또는 바륨이다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물은, 알칼리 금속 원소를 포함하는 고분자 화합물이어도 되고, 알칼리 금속 원소를 포함하는 저분자 화합물이어도 되지만, 본 발명의 발광 소자를 도포법으로 제작할 수 있으므로, 바람직하게는 알칼리 금속 원소를 포함하는 고분자 화합물이다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물은, 알칼리 금속 원소를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다.
제2족 원소를 포함하는 화합물은, 제2족 원소를 포함하는 고분자 화합물이어도 되고, 제2족 원소를 포함하는 저분자 화합물이어도 되지만, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 제2족 원소를 포함하는 저분자 화합물이다.
제2족 원소를 포함하는 화합물은, 제2족 원소를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물은, 각각 단염, 복염 및 착염 중 어느 것이어도 된다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 저분자 화합물로서는, 예를 들어 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 알칼리 금속 원소를 포함하는 무기 화합물을 들 수 있다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 무기 화합물로서는, 예를 들어 알칼리 금속 할로겐화물, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 시안화물, 인산의 알칼리 금속염, 탄산의 알칼리 금속염, 황산의 알칼리 금속염 및 질산의 알칼리 금속염을 들 수 있고, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 알칼리 금속 할로겐화물, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 금속 수산화물 또는 탄산의 알칼리 금속염이 바람직하고, 알칼리 금속 할로겐화물, 알칼리 금속 산화물 또는 탄산의 알칼리 금속염이 보다 바람직하고, 알칼리 금속 할로겐화물이 더욱 바람직하고, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
알칼리 금속 할로겐화물은, 바람직하게는 알칼리 금속 불화물 또는 알칼리 금속염화물이고, 보다 바람직하게는 알칼리 금속 불화물이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다. 또한, 알칼리 금속 할로겐화물은, 바람직하게는 할로겐화리튬, 할로겐화나트륨, 할로겐화칼륨 또는 할로겐화세슘이고, 보다 바람직하게는 할로겐화리튬 또는 할로겐화나트륨이다. 즉, 알칼리 금속 할로겐화물은, 바람직하게는 불화리튬, 불화나트륨, 불화칼륨 또는 불화세슘이고, 보다 바람직하게는 불화리튬 또는 불화나트륨이다.
알칼리 금속 산화물은, 바람직하게는 산화리튬, 산화나트륨, 산화칼륨 또는 산화세슘이고, 보다 바람직하게는 산화리튬 또는 산화세슘이고, 더욱 바람직하게는 산화리튬이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
알칼리 금속 수산화물은, 바람직하게는 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 또는 수산화세슘이고, 보다 바람직하게는 수산화리튬 또는 수산화세슘이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
알칼리 금속 시안화물은, 바람직하게는 시안화리튬, 시안화나트륨, 시안화칼륨 또는 시안화세슘이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
인산의 알칼리 금속염으로서는, 예를 들어 인산삼알칼리 금속염, 인산수소이알칼리 금속염 및 인산이수소알칼리 금속염을 들 수 있고, 바람직하게는 인산삼알칼리 금속염이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다. 인산삼알칼리 금속염으로서는, 예를 들어 인산삼리튬, 인산삼나트륨, 인산삼칼륨 및 인산삼세슘을 들 수 있고, 바람직하게는 인산삼리튬 또는 인산삼세슘이다. 인산수소이알칼리 금속염으로서는, 예를 들어 인산수소이리튬, 인산수소이나트륨, 인산수소이칼륨 및 인산수소이세슘을 들 수 있다. 인산이수소알칼리 금속염으로서는, 예를 들어 인산이수소리튬, 인산이수소나트륨, 인산이수소칼륨 및 인산이수소세슘을 들 수 있다.
탄산의 알칼리 금속염으로서는, 예를 들어 알칼리 금속 탄산염 및 알칼리 금속 탄산수소염을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 금속 탄산염이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다. 알칼리 금속 탄산염으로서는, 바람직하게는 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨 또는 탄산세슘이고, 보다 바람직하게는 탄산세슘이다. 알칼리 금속 탄산수소염으로서는, 바람직하게는 탄산수소리튬, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨 또는 탄산수소세슘이다.
황산의 알칼리 금속염으로서는, 알칼리 금속 황산염 및 알칼리 금속 황산수소염을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 금속 황산염이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다. 알칼리 금속 황산염으로서는, 예를 들어 황산리튬, 황산나트륨, 황산칼륨 및 황산세슘을 들 수 있고, 바람직하게는 황산나트륨 또는 황산칼륨이다. 알칼리 금속 황산수소염으로서는, 예를 들어 황산 수소 리튬, 황산 수소 나트륨, 황산수소칼륨 또는 황산 수소 세슘을 들 수 있다.
질산의 알칼리 금속염으로서는, 예를 들어 질산리튬, 질산나트륨, 질산칼륨 및 질산세슘을 들 수 있고, 바람직하게는 질산나트륨 또는 질산칼륨이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
제2족 원소를 포함하는 저분자 화합물로서는, 예를 들어 제2족 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 무기 화합물을 들 수 있다.
제2족 원소를 포함하는 무기 화합물로서는, 예를 들어 제2족 원소의 할로겐화물, 제2족 원소의 산화물, 제2족 원소의 수산화물, 제2족 원소의 시안화물, 인산의 제2족 원소염, 탄산의 제2족 원소염, 황산의 제2족 원소염 및 질산의 제2족 원소염을 들 수 있고, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제2족 원소의 할로겐화물, 제2족 원소의 산화물, 제2족 원소 수산화물, 또는 탄산의 제2족 원소염이 바람직하고, 제2족 원소의 할로겐화물, 제2족 원소의 산화물, 또는 탄산의 제2족 원소염이 보다 바람직하고, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
제2족 원소의 할로겐화물은, 바람직하게는 제2족 원소의 불화물 또는 제2족 원소의 염화물이고, 보다 바람직하게는 제2족 원소의 불화물이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다. 또한, 알칼리 금속 할로겐화물은, 바람직하게는 할로겐 베릴륨, 할로겐화마그네슘, 할로겐화칼슘 또는 할로겐화바륨이고, 보다 바람직하게는 할로겐화칼슘 또는 할로겐화바륨이다. 즉, 제2족 원소의 할로겐화물은, 바람직하게는 불화베릴륨, 불화마그네슘, 불화칼슘 또는 불화바륨이고, 보다 바람직하게는 불화칼슘 또는 불화바륨이다.
제2족 원소의 산화물은, 바람직하게는 산화베릴륨, 산화마그네슘, 산화칼슘 또는 산화바륨이고, 보다 바람직하게는 산화칼슘 또는 산화바륨이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
제2족 원소의 수산화물은, 바람직하게는 수산화베릴륨, 수산화마그네슘, 수산화칼슘 또는 수산화바륨이고, 보다 바람직하게는 수산화칼슘 또는 수산화바륨이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
제2족 원소 시안화물로서는, 예를 들어 시안화 마그네슘, 시안화 칼슘 또는 시안화 바륨을 들 수 있고, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
인산의 제2족 원소염으로서는, 예를 들어 제2족 원소의 인산염, 제2족 원소의 인산수소염 및 제2족 원소의 인산이수소염을 들 수 있고, 바람직하게 제2족 원소의 인산염이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다. 제2족 원소의 인산염은, 바람직하게는 인산칼슘 또는 인산 바륨이다. 제2족 원소의 인산수소염으로서는, 예를 들어 인산수소칼슘 및 인산수소바륨을 들 수 있다. 제2족 원소의 인산이수소염으로서는, 예를 들어 인산이수소칼슘 및 인산수소바륨을 들 수 있다.
탄산의 제2족 원소염으로서는, 예를 들어 제2족 원소의 탄산염 및 제2족 원소의 탄산수소염을 들 수 있고, 바람직하게는 제2족 원소의 탄산염이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다. 제2족 원소의 탄산염으로서는, 예를 들어 탄산베릴륨, 탄산마그네슘, 탄산칼슘 또는 탄산바륨을 들 수 있고, 바람직하게는 탄산칼슘 또는 탄산바륨이다. 제2족 원소의 탄산수소염으로서는, 예를 들어 탄산수소 베릴륨, 탄산수소 마그네슘, 탄산수소칼슘 또는 탄산수소 바륨을 들 수 있고, 바람직하게는 탄산수소칼슘 또는 탄산수소 바륨이다.
황산의 제2족 원소염으로서는, 제2족 원소의 황산염 및 제2족 원소의 황산수소염을 들 수 있고, 바람직하게는 제2족 원소의 황산염이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다. 제2족 원소의 황산염으로서는, 예를 들어 황산베릴륨, 황산마그네슘, 황산칼슘 또는 황산바륨을 들 수 있고, 바람직하게는 황산칼슘 또는 황산바륨이다. 제2족 원소의 황산수소염으로서는, 예를 들어 황산베릴륨, 황산마그네슘, 황산칼슘 또는 황산바륨을 들 수 있다.
질산의 제2족 원소염으로서는, 예를 들어 질산베릴륨, 질산마그네슘, 질산칼슘 또는 질산바륨을 들 수 있고, 바람직하게는 질산칼슘 또는 질산바륨이며, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체는, 적어도 하나의 유기 배위자를 갖고, 이 유기 배위자와 알칼리 금속 원자 사이에, 이온 결합, 배위 결합 및 공유 결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 결합을 형성하고 있는 금속 착체이다.
제2족 원소를 포함하는 금속 착체는, 적어도 하나의 유기 배위자를 갖고, 이 유기 배위자와 주기율표 제2족의 금속 원자 사이에, 이온 결합, 배위 결합 및 공유 결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 결합을 형성하고 있는 금속 착체이다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체는, 각각 할로겐화물 이온, 수산화물 이온, 시안화물 이온, 인산 이온, 탄산 이온, 탄산수소 이온, 황산 이온 및 질산 이온 등의 무기 배위자를 더 갖고 있어도 된다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체가 유기 배위자를 복수 갖는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체가 무기 배위자를 복수 갖는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체는, 각각 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체가 갖는 유기 배위자로서는, 알칼리 금속 원자 또는 주기율표 제2족의 금속 원자 사이에, 이온 결합, 배위 결합 및 공유 결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 결합을 형성하는, 중성 혹은 음이온성의 단좌 배위자, 또는 중성 혹은 음이온성의 다좌 배위자를 들 수 있다. 알칼리 금속 원자 또는 주기율표 제2족의 금속 원자와 배위자 사이의 결합으로서는, 예를 들어 금속-질소 결합, 금속-산소 결합, 금속-인 결합 및 금속-황 결합을 들 수 있고, 바람직하게는 금속-질소 결합, 금속-산소 결합 또는 금속-황 결합이고, 보다 바람직하게는 금속-질소 결합 또는 금속-산소 결합이다. 다좌 배위자는, 통상, 2좌 이상 6좌 이하의 배위자이고, 바람직하게는 2좌 이상 4좌 이하의 배위자이고, 보다 바람직하게는 2좌 배위자이다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체가 갖는 유기 배위자는, 바람직하게는 단좌 이상 4좌 이하의 배위자이고, 보다 바람직하게는 단좌 배위자 또는 2좌 배위자이고, 더욱 바람직하게는 2좌 배위자이다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체는, 유기 배위자만을 포함하는 금속 착체인 것이 바람직하다. 즉, 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체는, 무기 배위자를 갖지 않는 것이 바람직하다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체가 갖는 유기 배위자로서는, 예를 들어 피리딘, 비피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 페난트롤린 및 아졸 등의 질소 함유 복소환식 화합물; 아세트산, 벤조산, 피콜린 산, 히드록시퀴놀린, 아세틸아세톤, 페놀, 티오페놀, 메탄올 등의 유기 브뢴스테드 산의 공액 염기; 및, 크라운에테르, 크립탠드, 아자크라운에테르 및 프탈로시아닌 등의 복소환식 대환상 화합물을 들 수 있다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 식 (S-1)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다. 즉, 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체는, 식 (S-1)로 표시되는 화합물이고, 또한 MES1이 알칼리 금속 원자인 것이 바람직하다. 또한, 제2족 원소를 포함하는 금속 착체는, 식 (S-1)로 표시되는 화합물이고, 또한 MES1이 주기율표 제2족의 금속 원자인 것이 바람직하다.
또한, 식 (S-1)로 표시되는 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
Figure pct00058
[식 중,
MES1은, 알칼리 금속 원자 또는 주기율표 제2족의 금속 원자를 나타낸다.
MES1이 알칼리 금속 원자인 경우, nES1은 1이고, MES2가 주기율표 제2족의 금속 원자인 경우, nES1은 2이다.
AES1은 -XES1-, -(XES2=)C-XES1-, -(XES2=)2S-XES1-, -(XES2=)S-XES1- 또는 -(XES2=)P-XES1-로 표현되는 기를 나타낸다. AES1이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. XES1은 산소 원자, 황 원자 또는 -N(RES2)-로 표현되는 기를 나타낸다. XES2는 산소 원자, 황 원자 또는 =N(RES3)으로 표시되는 기를 나타낸다. XES2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. RES2 및 RES3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
GES1은 단결합 또는 2가의 기를 나타낸다. GES1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
RES1은 RES1'-(XES3=)C-로 표현되는 기, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. XES3은 산소 원자, 황 원자 또는 =N(RES3)으로 표시되는 기를 나타낸다. XES3이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. RES1'는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. RES3은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
MES1과 RES1 사이에 화학 결합이 존재하는 경우, 점선은 실선을 의미한다. MES1과 RES1 사이에 화학 결합이 존재하지 않는 경우, 점선은 존재하지 않는다. 점선이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
MES1로 표현되는 알칼리 금속 원자로서는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 리튬 원자, 나트륨 원자, 칼륨 원자 또는 세슘 원자이고, 보다 바람직하게는 리튬 원자, 나트륨 원자 또는 세슘 원자이고, 더욱 바람직하게는 리튬 원자 또는 나트륨 원자이며, 특히 바람직하게는 리튬 원자이다.
MES1로 표현되는 주기율표 제2족의 금속 원자로서는, 식 (S-1)로 표시되는 화합물의 합성이 용이하므로, 바람직하게는 베릴륨 원자, 마그네슘 원자, 칼슘 원자 또는 바륨 원자이고, 보다 바람직하게는 베릴륨 원자, 칼슘 원자 또는 바륨 원자이고, 더욱 바람직하게는 베릴륨 원자이다.
MES1에 있어서의 주기율표 제2족의 금속 원자는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 베릴륨 원자, 마그네슘 원자, 칼슘 원자 또는 바륨 원자이고, 보다 바람직하게는 베릴륨 원자, 칼슘 원자 또는 바륨 원자이고, 더욱 바람직하게는 베릴륨 원자이다.
MES1은 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 알칼리 금속 원자인 것이 바람직하다.
MES1은 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하고, 또한 식 (S-1)로 표시되는 화합물의 합성이 용이하므로, 바람직하게는 리튬 원자, 나트륨 원자, 세슘 원자, 베릴륨 원자, 칼슘 원자 또는 바륨 원자이고, 보다 바람직하게는 리튬 원자, 나트륨 원자, 세슘 원자 또는 베릴륨 원자이다.
AES1은, 바람직하게는 -XES1-, -(XES2=)C-XES1-, -(XES2=)2S-XES1- 또는 -(XES2=)P-XES1-로 표현되는 기이고, 보다 바람직하게는 -XES1- 또는 -(XES2=)C-XES1-로 표현되는 기이고, 더욱 바람직하게는 -XES1-로 표현되는 기이다.
XES1은, 바람직하게는 산소 원자 또는 황 원자이고, 보다 바람직하게는 산소 원자이다. XES2는, 바람직하게는 산소 원자 또는 황 원자이고, 보다 바람직하게는 산소 원자이다.
RES2 및 RES3은, 바람직하게는 알킬기 또는 아릴기이고, 보다 바람직하게는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RES2 및 RES3이 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 식 (S-1)로 표시되는 화합물의 합성이 용이하므로, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자이고, 보다 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 불소 원자이고, 더욱 바람직하게는 알킬기 또는 시클로알킬기이며, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
RES2 및 RES3이 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 후술하는 RES1로 표현되는 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
GES1로 표현되는 2가의 기로서는, 예를 들어 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 알켄디일기, 시클로알켄디일기, 알킨디일기, 시클로알킨디일기, 아릴렌기, 2가의 복소환기 및 이들 기가 2 내지 10개(바람직하게는 2 내지 5개) 직접 결합한 기를 들 수 있고, 바람직하게는 알킬렌기, 알켄디일기, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 알켄디일기 또는 아릴렌기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
GES1로 표현되는 알킬렌기는, 전술한 알킬기의 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 메틸렌기이다.
GES1로 표현되는 시클로알킬렌기는, 전술한 시클로알킬기의 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이다.
GES1로 표현되는 알켄디일기는, 전술한 알케닐기의 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 비닐리덴기 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 비닐렌기이다.
GES1로 표현되는 시클로알켄디일기는, 전술한 시클로알케닐기의 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이다.
GES1로 표현되는 알킨디일기는, 전술한 알키닐기의 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이다.
GES1로 표현되는 시클로알킨디일기는, 전술한 시클로알키닐기의 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이다.
GES1은, 바람직하게는 단결합, 알켄디일기 또는 아릴렌기이고, 보다 바람직하게는 단결합, 비닐렌기 또는 페닐렌기이고, 더욱 바람직하게는 단결합 또는 페닐렌기이고, 특히 바람직하게는 단결합이다.
GES1이 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, RES2 및 RES3이 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
RES1은, 바람직하게는 RES1'-(XES3=)C-로 표현되는 기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 RES1'-(XES3=)C-로 표현되는 기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 더욱 바람직하게는 1가의 복소환기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RES1로 표현되는 아릴기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 전술한 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기인 아릴기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
RES1에 있어서의 1가의 복소환기의 예는, 전술한 환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C가 갖고 있어도 되는 치환기인 1가의 복소환기의 예와 같다. RES1로 표현되는 1가의 복소환기는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 벤조디아졸환, 벤조트리아졸환, 벤조옥사디아졸환, 벤조티아디아졸환, 피리딘환, 디아자벤젠환, 트리아진환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 트리아자나프탈렌환, 아자안트라센환, 디아자안트라센환, 트리아자안트라센환, 아자페난트렌환, 디아자페난트렌환 또는 트리아자페난트렌환으로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 보다 바람직하게는 피리딘환, 디아자벤젠환, 트리아진환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 트리아자나프탈렌환, 아자페난트렌환, 디아자페난트렌환 또는 트리아자페난트렌환으로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이고, 더욱 바람직하게는 피리딘환, 아자나프탈렌환 또는 아자페난트렌환으로, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XES3은, 바람직하게는 산소 원자 또는 =N(RES3)으로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는=N(RES3)으로 표시되는 기이다.
RES1'는, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RES1 및 RES1'이 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, RES2 및 RES3이 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 및 제2족 원소를 포함하는 금속 착체로서는, 예를 들어 하기 식으로 표시되는 화합물을 들 수 있고, 이들 화합물은 수화물이어도 되고, 무수화물이어도 된다.
Figure pct00059
Figure pct00060
Figure pct00061
[식 중,
MS1은 알칼리 금속 원자를 나타낸다. MS2는 주기율표 제2족의 금속 원자를 나타낸다.
XS1은 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다. XS1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
MS1은, 바람직하게는 리튬 원자, 나트륨 원자, 칼륨 원자 또는 세슘 원자이고, 보다 바람직하게는 리튬 원자이다.
MS2는, 베릴륨 원자, 마그네슘 원자, 칼슘 원자 또는 바륨 원자이고, 바람직하게는 베릴륨 원자이다.
XS1은, 바람직하게는 산소 원자이다.
알칼리 금속 원소를 포함하는 고분자 화합물 및 제2족 원소를 포함하는 고분자 화합물로서는, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물이 바람직하다. 즉, 알칼리 금속 원소를 포함하는 고분자 화합물은, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물이고, 또한 식 (ET-1) 중 ME1이 알칼리 금속 양이온인 것이 바람직하다. 또한, 제2족 원소를 포함하는 고분자 화합물은, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물이고, 또한 식 (ET-1) 중 ME1이 주기율표 제2족의 금속 양이온인 것이 바람직하다.
Figure pct00062
[식 중,
nE1은 1 이상의 정수를 나타낸다.
ArE1은 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 RE1 이외의 치환기를 갖고 있어도 된다.
RE1은 식 (ES-1)로 표시되는 기를 나타낸다. RE1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
-RE3-{(QE1)nE3-YE1(ME1)aE1(ZE1)bE1}mE1 (ES-1)
[식 중,
nE3은 0 이상의 정수를 나타내고, aE1은 1 이상의 정수를 나타내고, bE1은 0 이상의 정수를 나타내고, mE1은 1 이상의 정수를 나타낸다. nE3, aE1 및 bE1이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. 단, RE3이 단결합인 경우, mE1은 1이다. 또한, aE1 및 bE1은, 식 (ES-1)로 표시되는 기의 전하가 0이 되도록 선택된다.
RE3은 단결합, 탄화수소기, 복소환기 또는 O-RE3'를 나타내고(RE3'는 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다.), 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
QE1은 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. QE1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
YE1은 CO2 -, SO3 -, SO2 - 또는 PO3 2-를 나타낸다. YE1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
ME1은 알칼리 금속 양이온 또는 주기율표 제2족의 금속 양이온을 나타낸다. ME1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
ZE1은 F-, Cl-, Br-, I-, OH-, B(RE4)4 -, RE4SO3 -, RE4COO-, NO3 -, SO4 2-, HSO4 -, PO4 3-, HPO4 2-, H2PO4 -, BF4 - 또는 PF6 -를 나타낸다. RE4는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. ZE1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
nE1은 통상 1 내지 10의 정수이고, 바람직하게는 1 내지 4의 정수이고, 보다 바람직하게는 1 또는 2이다.
ArE1로 표현되는 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들어 전술한 아릴렌기로부터 nE1개의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있고, 페닐렌기, 나프탈렌디일기, 플루오렌디일기 또는 페난트렌디일기로, 환을 구성하는 원자에 직접 결합하는 수소 원자 nE1개를 제외한 기가 바람직하고, 플루오렌디일기로, 환을 구성하는 원자에 직접 결합하는 수소 원자 nE1개를 제외한 기가 보다 바람직하고, 이들 기는 RE1이외의 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArE1로 표현되는 복소환기로서는, 예를 들어 전술에 2가의 복소환기로부터 nE1개의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있고, 카르바졸디일기로, 환을 구성하는 원자에 직접 결합하는 수소 원자 nE1개를 제외한 기가 바람직하고, RE1 이외의 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArE1은, 바람직하게는 RE1 이외의 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이다.
ArE1이 갖고 있어도 되는 RE1 이외의 치환기로서는, 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 시클로알키닐기, 카르복실기 및 식 (ES-3)으로 표시되는 기를 들 수 있고, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 또는 식 (ES-3)으로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 보다, 바람직하게는 알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
-O-(Cn'H2n'O)nx-Cm'H2m'+1 (ES-3)
[식 중, n', m' 및 nx는 각각 독립적으로, 1 이상의 정수를 나타낸다.]
nE3은, 통상 0 내지 10의 정수이고, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물의 합성이 용이해지므로, 바람직하게는 0 내지 8의 정수이고, 보다 바람직하게는 0 내지 2의 정수이다.
aE1은, 통상 1 내지 10의 정수이고, 바람직하게는 1 내지 5의 정수이고, 보다 바람직하게는 1 또는 2이다.
bE1은, 통상 0 내지 10의 정수이고, 바람직하게는 0 내지 4의 정수이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1이다.
mE1은, 통상 1 내지 5의 정수이고, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물의 합성이 용이해지므로, 바람직하게는 1 또는 2이고, 보다 바람직하게는 1이다.
RE3이 -O-RE3'인 경우, 식 (ES-1)로 표시되는 기는, 하기 식으로 표현되는 기이다.
-O-RE3'-{(QE1)nE3-YE1(ME1)aE1(ZE1)bE1}mE1
RE3 및 RE3'에 있어서, 탄화수소기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 바람직하게는 1 내지 20이고, 보다 바람직하게는 1 내지 10이고, 더욱 바람직하게는 1 내지 6이다.
RE3 및 RE3'에 있어서, 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 탄화수소기이여도, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기여도 된다.
RE3으로 표현되는 탄화수소기는, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물의 전자 수송성이 우수하므로, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
RE3'로 표현되는 탄화수소기는, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물의 합성이 용이해지므로, 치환기를 갖고 있어도 되는 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
RE3 및 RE3'에 있어서의 탄화수소기에 있어서, 지방족 탄화수소기는, 예를 들어 전술한 알킬기의 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 mE1개를 제외한 기를 들 수 있고, 이 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RE3 및 RE3'에 있어서의 탄화수소기에 있어서, 방향족 탄화수소기는, 예를 들어 전술한 아릴기 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 mE1개를 제외한 기를 들 수 있고, 바람직하게는 페닐기의 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 mE1개를 제외한 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RE3 및 RE3'에 있어서, 복소환기의 탄소 원자수는, 치환기의 탄소 원자수를 포함시키지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 3 내지 20이고, 보다 바람직하게는 3 내지 15이다.
RE3 및 RE3'에 있어서, 복소환기는, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물의 합성이 용이해지므로, 방향족 복소환기인 것이 바람직하다.
RE3 및 RE3'에 있어서, 복소환기는, 예를 들어 전술에 1가의 복소환기의 원자에 직접 결합하는 수소 원자 mE1개를 제외한 기를 들 수 있다.
RE3은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 탄화수소기 또는 복소환기이고, 보다 바람직하게는 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기이고, 더욱 바람직하게는 방향족 탄화수소기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RE3'는, 바람직하게는 탄화수소기이고, 보다 바람직하게는 지방족 탄화수소기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RE3 및 RE3'가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 및 식 (ES-3)으로 표시되는 기가 바람직하고, 식 (ES-3)으로 표시되는 기가 보다 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
QE1로서는, 알킬렌기, 아릴렌기 또는 산소 원자가 바람직하고, 알킬렌기 또는 산소 원자가 보다 바람직하다.
QE1에 있어서의 알킬렌기 및 시클로알킬렌기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 전술한 GES1에 있어서의 알킬렌기 및 시클로알킬렌기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
YE1로서는, CO2 -, SO2 - 또는 PO3 2-가 바람직하고, CO2 -가 보다 바람직하다.
ME1로 표현되는 알칼리 금속 양이온으로서는, 예를 들어 Li+, Na+, K+, Rb+ 및 Cs+를 들 수 있고, Li+, Na+, K+ 또는 Cs+가 바람직하고, Li+, Na+ 또는 Cs+가 보다 바람직하고, Cs+가 더욱 바람직하다.
ME1로 표현되는 주기율표 제2족의 금속 양이온으로서는, 예를 들어 Be2+, Mg2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+를 들 수 있고, 바람직하게는 Be2+, Mg2+, Ca2+ 또는 Ba2+이고, 보다 바람직하게는 Ca2+ 또는 Ba2+이다.
ME1은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 알칼리 금속 양이온이다.
ZE1로서는, F-, Cl-, Br-, I-, OH-, B(RE4)4 -, RE4SO3 -, RE4COO- 또는 NO3 -가 바람직하고, F-, Cl-, Br-, I-, OH-, RE4SO3 - 또는 RE4COO-가 바람직하다. RE4로서는, 알킬기가 바람직하다.
식 (ES-1)로 표시되는 기로서는, 예를 들어 하기 식으로 표현되는 기를 들 수 있다.
Figure pct00063
Figure pct00064
[식 중, M+는, Li+, Na+, K+, 또는 Cs+를 나타낸다. M+가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위로서는, 예를 들어 하기 식으로 표시되는 구성 단위를 들 수 있다.
Figure pct00065
Figure pct00066
Figure pct00067
Figure pct00068
Figure pct00069
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
Figure pct00074
Figure pct00075
식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 추가로 식 (Y)로 표시되는 구성 단위 및 식 (X)로 표시되는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하고, 식 (Y)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 것이 보다 바람직하다.
Figure pct00076
[식 중, ArY1은 아릴렌기, 2가의 복소환기, 또는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
ArY1로 표현되는 아릴렌기는, 보다 바람직하게는 식 (A-1), 식 (A-2), 식 (A-6)-(A-10), 식 (A-19) 또는 식 (A-20)으로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (A-1), 식 (A-2), 식 (A-7), 식 (A-9) 또는 식 (A-19)로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArY1로 표현되는 2가의 복소환기는, 보다 바람직하게는 식 (AA-1)-(AA-4), 식 (AA-10)-(AA-15), 식 (AA-18)-(AA-21), 식 (AA-33) 또는 식 (AA-34)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (AA-4), 식 (AA-10), 식 (AA-12), 식 (AA-14) 또는 식 (AA-33)으로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArY1로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기에 있어서의, 아릴렌기 및 2가의 복소환기가 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위는, 각각 전술한 ArY1로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기가 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위와 마찬가지이다.
「적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기」라고서는, 예를 들어 하기 식으로 표현되는 기를 들 수 있고, 이들은 치환기를 갖고 있어도 된다.
Figure pct00077
[식 중, RXX는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
RXX는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArY1로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (Y)로 표시되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (Y-1)-(Y-10)으로 표시되는 구성 단위를 들 수 있고, 발광 소자의 휘도 수명의 관점에서는 바람직하게는 식 (Y-1)-(Y-3)으로 표시되는 구성 단위이며, 전자 수송성의 관점에서는 바람직하게는 식 (Y-4)-(Y-7)로 표시되는 구성 단위이며, 정공 수송성의 관점에서는 바람직하게는 식 (Y-8)-(Y-10)으로 표시되는 구성 단위이다.
Figure pct00078
[식 중, RY1은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RY1은 동일해도 되고 상이해도 되며, 인접하는 RY1끼리는 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
RY1은, 바람직하게는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (Y-1)로 표시되는 구성 단위는 바람직하게는 식 (Y-1')로 표시되는 구성 단위이다.
Figure pct00079
[식 중, RY11은 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RY11은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
RY11은 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 보다 바람직하게는 알킬기 또는 시클로알킬기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Figure pct00080
[식 중,
RY1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
XY1은 -C(RY2)2-, -C(RY2)=C(RY2)- 또는 C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기를 나타낸다. RY2는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RY2는, 동일해도 되고 상이해도 되며, RY2끼리는 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
RY2는 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XY1에 있어서, -C(RY2)2-로 표현되는 기 중 2개의 RY2의 조합은, 바람직하게는 양쪽이 알킬기, 양쪽이 아릴기, 양쪽이 1가의 복소환기, 또는 한쪽이 알킬기에서 다른 쪽이 아릴기 혹은 1가의 복소환기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 2개 존재하는 RY2는 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 되고, RY2가 환을 형성하는 경우, -C(RY2)2-로 표현되는 기로서는 바람직하게는 식 (Y-A1)-(Y-A5)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (Y-A4)로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Figure pct00081
XY1에 있어서, -C(RY2)=C(RY2)-로 표현되는 기 중 2개의 RY2의 조합은, 바람직하게는 양쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기, 또는 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XY1에 있어서, -C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기 중 4개의 RY2는, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기 또는 시클로알킬기이다. 복수 있는 RY2는 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 되고, RY2가 환을 형성하는 경우, -C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기는 바람직하게는 식 (Y-B1)-(Y-B5)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (Y-B3)으로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Figure pct00082
[식 중, RY2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
식 (Y-2)로 표시되는 구성 단위는, 식 (Y-2')로 표시되는 구성 단위인 것이 바람직하다.
Figure pct00083
[식 중, RY1 및 XY1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
Figure pct00084
[식 중, RY1 및 XY1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
식 (Y-3)으로 표시되는 구성 단위는, 식 (Y-3')로 표시되는 구성 단위인 것이 바람직하다.
Figure pct00085
[식 중, RY11 및 XY1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
Figure pct00086
Figure pct00087
[식 중, RY1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다. RY3은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
RY3은, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (Y-4)로 표시되는 구성 단위는, 식 (Y-4')로 표시되는 구성 단위인 것이 바람직하고, 식 (Y-6)로 표시되는 구성 단위는, 식 (Y-6')로 표시되는 구성 단위인 것이 바람직하다.
Figure pct00088
[식 중, RY1 및 RY3은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
Figure pct00089
[식 중, RY1은 상기를 같은 의미를 나타낸다. RY4는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
RY4는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (Y)로 표시되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (Y-101)-식 (Y-121)로 표시되는 아릴렌기로 이루어지는 구성 단위, 식 (Y-201)-식 (Y-206)로 표시되는 2가의 복소환기로 이루어지는 구성 단위, 식 (Y-300)-식 (Y-304)로 표시되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가가 기로 이루어지는 구성 단위를 들 수 있다.
Figure pct00090
Figure pct00091
Figure pct00092
Figure pct00093
Figure pct00094
Figure pct00095
Figure pct00096
Figure pct00097
Figure pct00098
식 (Y)로 표시되는 구성 단위이며, ArY1이 아릴렌기인 구성 단위는, 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여, 바람직하게는 0.5 내지 80몰%이고, 보다 바람직하게는 30 내지 60몰%이다.
식 (Y)로 표시되는 구성 단위이며, ArY1이 2가의 복소환기, 또는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기인 구성 단위는, 발광 소자의 전하 수송성이 우수하므로, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여, 바람직하게는 0.5 내지 30몰%이고, 보다 바람직하게는 3 내지 20몰%이다.
식 (Y)로 표시되는 구성 단위는, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물 중에, 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
Figure pct00099
[식 중,
aX1 및 aX2는 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타낸다. ArX1 및 ArX3은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX2 및 ArX4는 각각 독립적으로, 아릴렌기, 2가의 복소환기, 또는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. ArX2 및 ArX4가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
RX1, RX2 및 RX3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. RX2 및 RX3이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
aX1은, 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 2 이하이고, 보다 바람직하게는 1이다.
aX2는, 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 2 이하이고, 보다 바람직하게는 0이다.
RX1, RX2 및 RX3은, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3으로 표현되는 아릴렌기는, 보다 바람직하게는 식 (A-1) 또는 식 (A-9)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (A-1)로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3으로 표현되는 2가의 복소환기는, 보다 바람직하게는 식 (AA-1), 식 (AA-2) 또는 식 (AA-7)-(AA-26)로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3은, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴렌기이다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 아릴렌기로서는, 보다 바람직하게는 식 (A-1), 식 (A-6), 식 (A-7), 식 (A-9)-(A-11) 또는 식 (A-19)로 표시되는 기이며, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 2가의 복소환기가 보다 바람직한 범위는, ArX1 및 ArX3으로 표현되는 2가의 복소환기가 보다 바람직한 범위와 동일하다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기에 있어서의, 아릴렌기 및 2가의 복소환기가 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위는, 각각 ArX1 및 ArX3으로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기가 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위와 마찬가지이다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기로서는, 식 (Y)의 ArY1로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기와 마찬가지 것을 들 수 있다.
ArX2 및 ArX4는, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴렌기이다.
ArX1 내지 ArX4 및 RX1 내지 RX3으로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기로서는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이며, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (X)로 표시되는 구성 단위는 바람직하게는 식 (X-1)-(X-7)로 표시되는 구성 단위이고, 보다 바람직하게는 식 (X-1)-(X-6)로 표시되는 구성 단위이고, 더욱 바람직하게는 식 (X-3)-(X-6)로 표시되는 구성 단위이다.
Figure pct00100
Figure pct00101
Figure pct00102
Figure pct00103
[식 중, RX4 및 RX5는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 할로겐 원자, 1가의 복소환기 또는 시아노기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RX4는, 동일해도 되고 상이해도 된다. 복수 존재하는 RX5는, 동일해도 되고 상이해도 되며, 인접하는 RX5끼리는 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
식 (X)로 표시되는 구성 단위는, 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 50몰%이고, 보다 바람직하게는 1 내지 40몰%이고, 더욱 바람직하게는 5 내지 30몰%이다.
식 (X)로 표시되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (X1-1)-식 (X1-11)로 표시되는 구성 단위를 들 수 있고 바람직하게는 식 (X1-3)-식 (X1-10)으로 표시되는 구성 단위이다.
Figure pct00104
Figure pct00105
Figure pct00106
Figure pct00107
Figure pct00108
식 (X)로 표시되는 구성 단위는, 식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물 중에, 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물로서는, 예를 들어 고분자 화합물 P-1 내지 P-14를 들 수 있다. 여기서, 「기타」의 구성 단위란, 식 (ET-1), 식 (X) 및 식 (Y)로 표시되는 구성 단위이외의 구성 단위를 의미한다.
Figure pct00109
[표 중, p', q', r', s', t' 및 u'는, 각 구성 단위의 몰 비율을 나타낸다. p'+q'+r'+s'+t'+u'=100이고, 또한 100≥p'+q'+r'+s'+t'≥70이다.]
식 (ET-1)로 표시되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물은, 예를 들어 일본특허공개 제2009-239279호 공보, 일본특허공개 제2012-033845호 공보, 일본특허공개 제2012-216821호 공보, 일본특허공개 제2012-216822호 공보, 일본특허공개 제2012-216815호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성할 수 있다.
[제2 층]
본 발명의 발광 소자가 갖는 제2 층은, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 바람직하게는 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 층이고, 보다 바람직하게는 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물을 함유하는 층이다.
제2 층에 있어서, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 무기 화합물 또는 알칼리 금속 원소를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다. 제2 층에 있어서, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물은, 본 발명의 발광 소자를 도포법으로 제작할 수 있으므로, 알칼리 금속 원소를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다.
제2 층에 있어서, 제2족 원소를 포함하는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제2족 원소를 포함하는 금속 착체, 제2족 원소를 포함하는 무기 화합물 또는 제2족 원소를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다. 제2 층에 있어서, 제2족 원소를 포함하는 화합물은, 본 발명의 발광 소자를 도포법으로 제작할 수 있으므로, 제2족 원소를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제2 층은, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과, 식 (H-1)로 표시되는 화합물을 포함하는 층(이하, 「제2' 층」이라고 한다.)인 것이 바람직하다.
제2' 층은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 더욱 우수하므로, 바람직하게는 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과, 식 (H-1)로 표시되는 화합물을 포함하는 층이고, 보다 바람직하게는 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물과, 식 (H-1)로 표시되는 화합물을 포함하는 층이다.
제2' 층에 있어서, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 무기 화합물 또는 알칼리 금속 원소를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하고, 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체인 것이 보다 바람직하다. 제2' 층에 있어서, 제2족 원소를 포함하는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제2족 원소를 포함하는 금속 착체, 제2족 원소를 포함하는 무기 화합물 또는 제2족 원소를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하고, 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체인 것이 보다 바람직하다.
제2' 층은, 식 (H-1)로 표시되는 화합물을 1종 단독으로 함유하고 있어도 되고, 2종 이상을 함유하고 있어도 된다.
제2' 층에 있어서, 식 (H-1)로 표시되는 화합물의 함유량은, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물, 및 식 (H-1)로 표시되는 화합물의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상, 1 내지 99질량부이고, 바람직하게는 10 내지 95질량부이고, 보다 바람직하게는 50 내지 90질량부이다.
Figure pct00110
[식 중,
ArH1 및 ArH2는 각각 독립적으로, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
nH1 및 nH2는 각각 독립적으로, 0 또는 1을 나타낸다. nH1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. 복수 존재하는 nH2는 동일해도 되고 상이해도 된다.
nH3은 0 이상의 정수를 나타낸다.
LH1은 아릴렌기, 2가의 복소환기, 또는 -[C(RH11)2]nH11-로 표현되는 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. LH1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. nH11은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다. RH11은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RH11은 동일해도 되고 상이해도 되며, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
LH2는 -N(-LH21-RH21)-로 표현되는 기를 나타낸다. LH2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다. LH21은 단결합, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. RH21은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
ArH1 및 ArH2는 페닐기, 플루오레닐기, 스피로 비플루오레닐기, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 티에닐기, 벤조티에닐기, 디벤조티에닐기, 푸릴기, 벤조푸릴 기, 디벤조푸릴기, 피롤릴기, 인돌릴기, 아자인돌릴기, 카르바졸릴기, 아자카르바졸릴기, 디아자카르바졸릴기, 페녹사지닐기 또는 페노티아지닐기인 것이 바람직하고, 페닐기, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조티에닐기, 디벤조푸릴기, 카르바졸릴기, 아자카르바졸릴기 또는 디아자카르바졸릴기인 것이 보다 바람직하고, 아자카르바졸릴기 또는 디아자카르바졸릴기인 것이 더욱 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArH1 및 ArH2가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 시클로알콕시기가 보다 바람직하고, 알킬기 또는 시클로알킬기가 더욱 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
nH1은 바람직하게는 1이다. nH2는 바람직하게는 0이다.
nH3은 통상, 0 이상 10 이하의 정수이고, 바람직하게는 0 이상 5 이하의 정수이고, 더욱 바람직하게는 1 이상 3 이하의 정수이고, 특히 바람직하게는 1이다.
nH11은 바람직하게는 1 이상 5 이하의 정수이고, 보다 바람직하게 1 이상 3 이하의 정수이고, 더욱 바람직하게 1이다.
RH11은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기 또는 시클로알킬기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
LH1은 아릴렌기 또는 2가의 복소환기인 것이 바람직하고, 2가의 복소환기가 보다 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
LH1에 있어서의 아릴렌기는, 바람직하게는 식 (A-1) 내지 식 (A-3) 또는 식 (A-8) 내지 식 (A-10)으로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (A-1), 식 (A-2), 식 (A-8) 또는 식 (A-9)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (A-1) 또는 식 (A-2)로 표시되는 기이다.
LH1에 있어서의 2가의 복소환기는 바람직하게는 식 (AA-1) 내지 식 (AA-6), 식 (AA-10) 내지 식 (AA-21) 또는 식 (AA-24) 내지 식 (AA-34)로 표시되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (AA-1) 내지 식 (AA-4), 식 (AA-10) 내지 식 (AA-15) 또는 식 (AA-29) 내지 식 (AA-34)로 표시되는 기이고, 더욱 바람직하게 식 (AA-2), 식 (AA-4) 또는 식 (AA-10) 내지 식 (AA-15)로 표시되는 기이고, 특히 바람직하게는 식 (AA-12) 또는 식 (AA-14)로 표시되는 기이다.
LH1이 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 바람직하고, 알킬기, 알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 보다 바람직하고, 알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 더욱 바람직하고, 알킬기가 특히 바람직하고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
LH21은 단결합 또는 아릴렌기인 것이 바람직하고, 단결합인 것이 보다 바람직하고, 이 아릴렌기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
LH21로 표현되는 아릴렌기 또는 2가의 복소환기의 정의 및 예는, LH1로 표현되는 아릴렌기 또는 2가의 복소환기의 정의 및 예와 마찬가지이다.
RH21은 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
RH21로 표현되는 아릴기 및 1가의 복소환기의 정의 및 예는, ArH1 및 ArH2로 표현되는 아릴기 및 1가의 복소환기의 정의 및 예와 마찬가지이다.
RH21이 갖고 있어도 되는 치환기의 정의 및 예는, ArH1 및 ArH2가 갖고 있어도 되는 치환기의 정의 및 예와 마찬가지이다.
식 (H-1)로 표시되는 화합물은, 식 (H-2)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00111
[식 중, ArH1, ArH2, nH3 및 LH1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
식 (H-1)로 표시되는 화합물로서는, 식 (H-101) 내지 식 (H-121)로 표시되는 화합물이 예시된다.
Figure pct00112
Figure pct00113
Figure pct00114
Figure pct00115
Figure pct00116
·제2 조성물
제2 층은,
알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과,
식 (H-1)로 표시되는 화합물, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 발광 재료 및 산화 방지제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하는 조성물(이하, 「제2 조성물」이라고도 한다.)을 함유하는 층이어도 된다.
제2 조성물에 있어서, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료는, 각각 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 제2족 원소를 포함하는 화합물 및식 (H-1)로 표시되는 화합물과는 상이하다.
제2 조성물에 함유되는 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 예 및 바람직한 범위는, 제1 조성물에 함유되는 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
제2 조성물에 있어서, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 배합량은, 각각 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상, 1 내지 10000질량부이고, 바람직하게는 10 내지 1000질량부이고, 보다 바람직하게는 100 내지 500질량부이다.
제2 조성물에 함유되는 산화 방지제의 예 및 바람직한 범위는, 제1 조성물에 함유되는 산화 방지제의 예 및 바람직한 범위와 동일하다. 제2 조성물에 있어서, 산화 방지제의 배합량은, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상, 0.001 내지 10질량부이다.
[제2 잉크]
알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료는, 예를 들어 용매에 용해시켜서 사용할 수 있다. 이 재료와, 용매를 함유하는 조성물(이하, 「제2 잉크」라고도 한다.)은, 제1 잉크의 항에서 설명한 도포법에 적합하게 사용할 수 있다. 제2 잉크의 점도의 바람직한 범위는, 제1 잉크의 점도의 바람직한 범위와 동일하다.
제2 잉크에 함유되는 용매는, 바람직하게는 잉크 중의 고형분을 용해 또는 균일하게 분산할 수 있는 용매이다. 용매로서는, 하층(예를 들어, 제1 층)위에 용해성의 차를 이용해서 제2 층을 적층할 수 있으므로, 물, 알코올, 에테르, 에스테르, 니트릴 화합물, 니트로 화합물, 불소화 알코올, 티올, 술피드, 술폭시드, 티오케톤, 아미드, 카르복실산이 바람직하다. 해당 용매의 예로서는, 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 1-부탄올, tert-부틸알코올, 아세토니트릴, 1,2-에탄디올, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, 아세트산, 니트로메탄, 탄산프로필렌, 피리딘, 이황화탄소 및 이들 용매의 혼합 용매를 들 수 있다. 혼합 용매를 사용하는 경우, 물, 알코올, 에테르, 에스테르, 니트릴 화합물, 니트로 화합물, 불소화 알코올, 티올, 술피드, 술폭시드, 티오케톤, 아미드, 카르복실산 등 중 1종 이상의 용매와, 염소계 용매, 방향족 탄화수소계 용매, 지방족 탄화수소계 용매 및 케톤계 용매 중 1종 이상의 용매와의 혼합 용매여도 된다.
제2 잉크에 있어서, 용매의 배합량은, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상, 1000 내지 100000질량부이고, 바람직하게는 2000 내지 20000질량부이다.
[제3 층]
본 발명의 발광 소자가 갖는 제3 층은, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소만을 포함하는 단체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 층인 것이 바람직하다.
제3 층에 있어서, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 무기 화합물 또는 알칼리 금속 원소를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하고, 알칼리 금속 원소를 포함하는 금속 착체 또는 알칼리 금속 원소를 포함하는 무기 화합물인 것이 보다 바람직하고, 알칼리 금속 원소를 포함하는 무기 화합물인 것이 더욱 바람직하다.
제3 층에 있어서, 제2족 원소를 포함하는 화합물은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제2족 원소를 포함하는 금속 착체, 제2족 원소를 포함하는 무기 화합물 또는 제2족 원소를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하고, 제2족 원소를 포함하는 금속 착체 또는 제2족 원소를 포함하는 무기 화합물인 것이 보다 바람직하고, 제2족 원소를 포함하는 무기 화합물인 것이 더욱 바람직하다.
제3 층은,
알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과,
식 (H-1)로 표시되는 화합물, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 발광 재료 및 산화 방지제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하는 조성물(이하, 「제3 조성물」이라고도 한다.)을 함유하는 층이어도 된다.
제3 조성물에 있어서, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료는, 각각 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 제2족 원소를 포함하는 화합물 및식 (H-1)로 표시되는 화합물과는 상이하다.
제3 조성물에 함유되는 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 예 및 바람직한 범위는, 제1 조성물에 함유되는 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
제3 조성물에 있어서, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 배합량은, 각각 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상, 1 내지 10000질량부이고, 바람직하게는 10 내지 1000질량부이고, 보다 바람직하게는 100 내지 500질량부이다.
제3 조성물에 함유되는 산화 방지제의 예 및 바람직한 범위는, 제1 조성물에 함유되는 산화 방지제의 예 및 바람직한 범위와 동일하다. 제3 조성물에 있어서, 산화 방지제의 배합량은, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상, 0.001 내지 10질량부이다.
제3 층은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 더욱 우수하므로, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상만을 포함하는 층인 것이 바람직하고, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소만을 포함하는 단체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상만을 포함하는 층인 것이 보다 바람직하다.
또한, 제3 층은, 본 발명의 발광 소자를 용이하게 제조할 수 있으므로, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상 5종 이하만을 포함하는 층인 것이 바람직하고, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상 3종 이하만을 포함하는 층인 것이 바람직하고, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종만을 포함하는 층인 것이 더욱 바람직하다.
[제3 잉크]
알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료는, 예를 들어 용매에 용해시켜서 사용할 수 있다. 이 재료와, 용매를 함유하는 조성물(이하, 「제3 잉크」라고도 한다.)은, 제1 잉크의 항에서 설명한 도포법에 적합하게 사용할 수 있다. 제3 잉크의 점도의 바람직한 범위는, 제1 잉크의 점도의 바람직한 범위와 동일하다. 제3 잉크에 함유되는 용매의 예 및 바람직한 범위는, 제1 잉크 또는 제2 잉크에 함유되는 용매의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
제3 잉크에 있어서, 용매의 배합량은, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상, 1000 내지 100000질량부이고, 바람직하게는 2000 내지 20000질량부이다.
[층 구성]
본 발명의 발광 소자는, 양극과, 음극과, 양극 및 음극 사이에 마련된 제1 층과, 제1 층 및 음극 사이에 마련된 제2 층과, 제2 층 및 음극 사이에 상기 음극에 접해서 마련된 제3 층을 갖는다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제2 층 및 제3 층은, 각각 1층이다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제1 층은 2층 이상 마련되어 있어도 되지만, 본 발명의 발광 소자 제조가 용이해지므로, 1층인 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자는, 양극, 음극, 제1 층, 제2 층 및 제3 층이외의 층을 갖고 있어도 된다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제1 층은, 통상, 발광층(이하, 「제1 발광층」이라고 한다.)이다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제2 층은, 바람직하게는 발광층(제1 발광층과는 별개인 발광층이며, 이하, 「제2 발광층」이라고 한다.), 전자 수송층 또는 전자 주입층이고, 보다 바람직하게는 전자 수송층 또는 전자 주입층이고, 더욱 바람직하게는 전자 수송층이다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제3 층은, 바람직하게는 전자 수송층 또는 전자 주입층이고, 보다 바람직하게는 전자 주입층이다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 바람직하게는 제1 층은 발광층이며, 제2 층은 전자 수송층이며, 또한 제3 층은 전자 주입층이다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제1 층과 제2 층은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 인접해 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제2 층과 제3 층은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 인접해 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제1 층과 제2 층과 제3 층은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 더욱 우수하므로, 인접해 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제2 층은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 음극 및 제1 층 사이에 마련된 전자 수송층 또는 전자 주입층인 것이 바람직하고, 음극 및 제1 층 사이에 마련된 전자 수송층인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제3 층은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 음극 및 제2 층 사이에 음극에 인접해서 마련된 전자 주입층인 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자는, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 양극과 제1 층 사이에, 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하고, 정공 주입층 및 정공 수송층의 양쪽을 더 갖는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 양극과 제1 층 사이에 정공 주입층을 갖는 경우, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 양극과 정공 주입층과는 인접해 있는 것이 바람직하다. 본 발명의 발광 소자가 양극과 제1 층 사이에 정공 수송층을 갖는 경우, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제1 층과 정공 수송층과는 인접해 있는 것이 바람직하다. 본 발명의 발광 소자가 양극과 제1 층 사이에 정공 주입층 및 정공 수송층을 갖는 경우, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 정공 주입층은, 양극과 정공 수송층 사이에 마련된 층인 것이 바람직하고, 양극과 정공 수송층 사이에, 양극 또는 정공 수송층에 인접해서 마련된 층인 것이 보다 바람직하고, 양극과 정공 수송층 사이에, 양극 및 정공 수송층에 인접해서 마련된 층인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 발광 소자는, 발광색을 조정할 수 있으므로, 제2 발광층을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 제2 발광층을 갖는 경우, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제1 발광층과 제2 발광층과는 인접해 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 제2 발광층을 갖는 경우, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 제2 발광층은, 양극 및 제1 층 사이에 마련된 층인 것이 바람직하고, 양극 및 제1 층 사이에, 제1 층에 인접해서 마련된 층인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 제2 발광층을 갖고, 또한 제2 발광층이 음극 및 제1 층 사이에 마련된 층인 경우, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 양극과 제1 층 사이에, 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하고, 정공 주입층 및 정공 수송층의 양쪽을 더 갖는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 제2 발광층을 갖고, 또한 제2 발광층이 양극 및 제1 층 사이에 마련된 층인 경우, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 양극과 제2 발광층 사이에, 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하고, 정공 주입층을 더 갖는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 제2 발광층을 갖고, 제2 발광층이 양극 및 제1 층 사이에 마련된 층이며, 또한 양극과 제2 발광층 사이에 정공 주입층을 갖는 경우, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 정공 주입층은, 양극 또는 제2 발광층과 인접해서 마련된 층인 것이 바람직하고, 양극과 인접해서 마련된 층인 것이 바람직하다. 본 발명의 발광 소자가 제2 발광층을 갖고, 제2 발광층이 양극 및 제1 층 사이에 마련된 층이며, 또한 양극과 제2 발광층 사이에 정공 수송층을 갖는 경우, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 정공 수송층은, 양극 또는 제2 발광층과 인접해서 마련된 층인 것이 바람직하고, 제2 발광층과 인접해서 마련된 층인 것이 바람직하다. 본 발명의 발광 소자가 제2 발광층을 갖고, 제2 발광층이 양극 및 제1 층 사이에 마련된 층이며, 또한 양극과 제2 발광층 사이에 정공 주입층 및 정공 수송층을 갖는 경우, 휘도 수명이 보다 우수하므로, 정공 주입층은, 양극과 정공 수송층 사이에 마련된 층인 것이 바람직하고, 양극과 정공 수송층 사이에, 양극 또는 정공 수송층에 인접해서 마련된 층인 것이 보다 바람직하고, 양극과 정공 수송층 사이에, 양극 및 정공 수송층에 인접해서 마련된 층인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 발광 소자의 층 구성으로서는, 예를 들어 (D1) 내지 (D9)로 표시되는 층 구성을 들 수 있고, 바람직하게는 (D3) 내지 (D6)로 표시되는 층 구성이다. 본 발명의 발광 소자는, 통상, 기판을 갖지만, 기판 상에 양극으로부터 적층되어 있어도 되고, 기판 상에 음극으로부터 적층되어 있어도 된다.
(D1) 양극/제1 발광층(제1 층)/제2 발광층(제2 층)/전자 수송층(제3 층)/음극
(D2) 양극/제1 발광층(제1 층)/전자 수송층(제2 층)/전자 주입층(제3 층)/음극
(D3) 양극/정공 주입층/제2 발광층/제1 발광층(제1 층)/전자 수송층(제2 층)/전자 주입층(제3 층)/음극
(D4) 양극/정공 수송층/제2 발광층/제1 발광층(제1 층)/전자 수송층(제2 층)/전자 주입층(제3 층)/음극
(D5) 양극/정공 주입층/정공 수송층/제1 발광층(제1 층)/전자 수송층(제2 층)/전자 주입층(제3 층)/음극
(D6) 양극/정공 주입층/정공 수송층/제2 발광층/제1 발광층(제1 층)/전자 수송층(제2 층)/전자 주입층(제3 층)/음극
(D7) 양극/정공 주입층/정공 수송층/제1 발광층(제1 층)/제2 발광층/전자 수송층(제2 층)/전자 주입층(제3 층)/음극
(D8) 양극/정공 주입층/정공 수송층/제1 발광층(제1 층)/전자 수송층(제2 층)/전자 수송층/전자 주입층(제3 층)/음극
(D9) 양극/정공 주입층/정공 수송층/제1 발광층(제1 층)/전자 수송층(제2 층)/전자 주입층/전자 주입층(제3 층)/음극
(D1) 내지 (D9) 중, 「/」는, 그 전후의 층이 인접해서 적층되어 있는 것을 의미한다. 구체적으로는, 「제1 발광층(제1 층)/전자 수송층(제2 층)/전자 주입층(제3 층)」이란, 제1 발광층(제1 층)과 전자 수송층(제2 층)과 전자 주입층(제3 층)이 인접해서 적층되어 있는 것을 의미한다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극은, 각각 필요에 따라, 2층 이상 마련되어 있어도 되지만, 본 발명의 발광 소자 제조가 용이해지므로, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극은, 각각 1층인 것이 바람직하다.
양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극의 두께는, 통상, 1㎚ 내지 1㎛이고, 바람직하게는 2㎚ 내지 500㎚이고, 더욱 바람직하게는 5㎚ 내지 150㎚이다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 적층하는 층의 순서, 수 및 두께는, 발광 소자의 휘도 수명, 구동 전압 및 소자 수명을 감안해서 조정하면 된다.
[제2 발광층]
제2 발광층은, 통상, 제2 층 또는 발광 재료를 함유하는 층이고, 바람직하게는 발광 재료를 함유하는 층이다. 제2 발광층이 발광 재료를 함유하는 층인 경우, 제2 발광층에 함유되는 발광 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유되어 있어도 되는 발광 재료 및 인광 발광성 화합물을 들 수 있다. 제2 발광층에 함유되는 발광 재료는, 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 발광 소자가 제2 발광층을 갖고, 또한 제2 층이 전자 수송층 및 전자 주입층이 아닌 경우, 제2 발광층은 제2 층인 것이 바람직하다.
[정공 수송층]
정공 수송층은, 통상, 정공 수송 재료를 함유하는 층이다. 정공 수송층이 정공 수송 재료를 함유하는 층인 경우, 정공 수송 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유되어 있어도 되는 정공 수송 재료를 들 수 있다. 정공 수송층에 함유되는 정공 수송 재료는, 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
[전자 수송층]
전자 수송층은, 통상, 제2 층, 제3 층 또는 전자 수송 재료를 함유하는 층이고, 바람직하게는 제2 층 또는 제3 층이고, 보다 바람직하게는 제2 층이다. 전자 수송층이 전자 수송 재료를 함유하는 층인 경우, 전자 수송층에 함유되는 전자 수송 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유되어 있어도 되는 전자 수송 재료를 들 수 있다. 전자 수송층에 함유되는 전자 수송 재료는, 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 발광 소자가 전자 수송층을 갖고, 또한 제2 층이 제2 발광층 및 전자 주입층이 아닌 경우, 전자 수송층은 제2 층인 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 전자 수송층을 갖고, 또한 제3 층이 전자 주입 층인 경우, 전자 수송층은 제2 층인 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 전자 수송층을 갖고, 또한 제3 층이 전자 주입층이 아닌 경우, 전자 수송층은 제3 층인 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 전자 수송층을 갖고, 또한 제2 층이 제2 발광층인 경우, 전자 수송층은 제3 층인 것이 바람직하다.
[정공 주입층 및 전자 주입층]
정공 주입층은, 통상, 정공 주입 재료를 함유하는 층이다. 정공 주입층에 함유되는 정공 주입 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유되어 있어도 되는 정공 주입 재료를 들 수 있다. 정공 주입층에 함유되는 정공 주입 재료는, 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
전자 주입층은, 통상, 제2 층, 제3 층 또는 전자 주입 재료를 함유하는 층이고, 바람직하게는 제2 층 또는 제3 층이고, 보다 바람직하게는 제3 층이다. 전자 주입층에 함유되는 전자 주입 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유되어 있어도 되는 전자 주입 재료를 들 수 있다. 전자 주입층에 함유되는 전자 주입 재료는, 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 발광 소자가 전자 주입층을 갖고, 또한 제2 층이 제2 발광층 및 전자 수송층이 아닌 경우, 전자 주입층은 제2 층인 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 전자 주입층을 갖고, 또한 제3 층이 전자 수송층이 아닌 경우, 전자 주입층은 제3 층인 것이 바람직하다.
본 발명의 발광 소자가 전자 주입층을 갖고, 또한 제2 층이 제2 발광층 또는 전자 수송층인 경우, 전자 주입층은 제3 층인 것이 바람직하다.
[기판/전극]
발광 소자에 있어서의 기판은, 전극을 형성할 수 있으며, 또한 유기층을 형성할 때 화학적으로 변화하지 않는 기판이면 되고, 예를 들어 유리, 플라스틱, 실리콘 등이 재료를 포함하는 기판이다. 불투명한 기판을 사용하는 경우에는, 기판으로부터 가장 멀리 있는 전극이 투명 또는 반투명한 것이 바람직하다.
양극의 재료로서는, 예를 들어 도전성의 금속 산화물, 반투명의 금속을 들 수 있고, 바람직하게는 산화인듐, 산화아연, 산화주석; 인듐·주석·옥사이드(ITO), 인듐·아연·옥사이드 등의 도전성 화합물; 은과 팔라듐과 구리의 복합체(APC); NESA, 금, 백금, 은, 구리이다.
음극의 재료로서는, 예를 들어 알루미늄, 아연, 인듐 등의 금속; 그들 중 2종 이상의 합금; 그들 중 1종 이상과, 은, 구리, 망간, 티타늄, 코발트, 니켈, 텅스텐, 주석 중 1종 이상과의 합금; 및, 그래파이트 및 그래파이트 층간 화합물을 들 수 있다. 합금으로서는, 예를 들어 인듐-은 합금을 들 수 있다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 양극 및 음극의 적어도 한쪽은, 통상, 투명 또는 반투명하지만, 양극이 투명 또는 반투명한 것이 바람직하다.
양극 및 음극의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도금법 및 라미네이트법을 들 수 있다.
[제조 방법]
본 발명의 발광 소자에 있어서, 제1 층, 제2 층, 제3 층 및 그 외의 층의 형성 방법으로서는, 저분자 화합물을 사용하는 경우, 예를 들어 분말로부터의 진공 증착법, 용액 또는 용융 상태로부터의 성막에 의한 방법을 들 수 있고, 고분자 화합물을 사용하는 경우, 예를 들어 용액 또는 용융 상태로부터의 성막에 의한 방법을 들 수 있다. 제1 층, 제2 층, 제3 층 및 그 외의 층은, 상술한 각종 잉크, 각종 재료를 포함하는 잉크를 사용하여, 전술한 제1 잉크의 항에서 설명한 도포법에 의해 형성해도 되고, 진공 증착법 등의 건식법에 의해 형성해도 된다.
제1 층을 도포법에 의해 형성하는 경우, 제1 잉크를 사용하는 것이 바람직하다. 제1 층은, 본 발명의 발광 소자 제조가 용이해지므로, 도포법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
제2 층을 도포법에 의해 형성하는 경우, 제2 잉크를 사용하는 것이 바람직하다. 제2 층은, 본 발명의 발광 소자 제조가 용이해지므로, 도포법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
제3 층을 도포법에 의해 형성하는 경우, 제3 잉크를 사용하는 것이 바람직하다.
제3 층은, 본 발명의 발광 소자의 휘도 수명이 보다 우수하므로, 건식법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
본 실시 형태의 발광 소자는, 예를 들어 기판 상에 각 층을 순차 적층함으로써 제조할 수 있다. 구체적으로는, 기판 상에 양극을 마련하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층 등의 층을 마련하고, 그 위에 발광층을 마련하고, 그 위에 전자 수송층, 전자 주입층 등의 층을 마련하고, 더욱 그 위에 음극을 적층함으로써, 발광 소자를 제조할 수 있다. 다른 제조 방법으로서는, 기판 상에 음극을 마련하고, 그 위에 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층 등의 층을 마련하고, 더욱 그 위에 양극을 적층함으로써, 발광 소자를 제조할 수 있다. 또 다른 제조 방법으로서는, 양극 또는 양극 위에 각 층을 적층한 양극측 기재와 음극 또는 음극 위에 각 층을 적층시킨 음극측 기재를, 대향시켜서 접합함으로써 제조할 수 있다.
[용도]
발광 소자를 사용해서 면상의 발광을 얻기 위해서는, 면상의 양극과 음극이 중첩되도록 배치하면 된다. 패턴상의 발광을 얻기 위해서는, 면상의 발광 소자 표면에 패턴상의 창을 마련한 마스크를 설치하는 방법, 비발광부로 하고자 하는 층을 극단적으로 두껍게 형성하여 실질적으로 비발광으로 하는 방법, 양극 혹은 음극, 또는 양쪽의 전극을 패턴상으로 형성하는 방법이 있다. 이들의 어느 한 방법으로 패턴을 형성하고, 몇 가지의 전극을 독립적으로 ON/OFF할 수 있도록 배치함으로써, 숫자, 문자 등을 표시할 수 있는 세그먼트 타입의 표시 장치가 얻어진다. 도트 매트릭스 표시 장치로 하기 위해서는, 양극과 음극을 모두 스트라이프상으로 형성해서 직교하도록 배치하면 된다. 복수의 종류의 발광색 다른 고분자 화합물을 구분 도포하는 방법, 컬러 필터 또는 형광 변환 필터를 사용하는 방법에 의해, 부분 컬러 표시, 멀티 컬러 표시가 가능하게 된다. 도트 매트릭스 표시 장치는, 패시브 구동도 가능하고, TFT 등과 조합해서 액티브 구동도 가능하다. 이들의 표시 장치는, 컴퓨터, 텔레비전, 휴대 단말기 등의 디스플레이에 사용할 수 있다. 면상의 발광 소자는, 액정 표시 장치의 백라이트용 면상 광원, 또는 면상의 조명용 광원으로서 적합하게 사용할 수 있다. 유연한 기판을 사용하면, 곡면상의 광원 및 표시 장치로서도 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 있어서, 고분자 화합물의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량(Mn) 및 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 이동상에 테트라히드로푸란을 사용하여, 하기의 크기 배제 크로마토 그래피(SEC)에 의해 구했다.
측정하는 고분자 화합물을 약 0.05질량%의 농도로 테트라히드로푸란에 용해시켜서, SEC에 10μL 주입했다. 이동상은, 1.0mL/분의 유량으로 흘렸다. 칼럼으로서, PLgel MIXED-B(폴리머 래버러토리즈제)를 사용했다. 검출기에는 UV-VIS 검출기(도소제, 상품명: UV-8320GPC)를 사용했다.
NMR은 하기의 방법으로 측정했다.
5 내지 10㎎의 측정 시료를 약 0.5mL의 중클로로포름(CDCl3), 중테트라히드로푸란, 중디메틸술폭시드, 중아세톤, 중N,N-디메틸포름아미드, 중톨루엔, 중메탄올, 중에탄올, 중2-프로판올 또는 중염화메틸렌에 용해시켜서, NMR 장치(JEOL RESONANCE제, 상품명: JNM-ECZ400S/L1)를 사용하여 측정했다.
화합물의 순도의 지표로서, 고속 액체 크로마토그래피(HPLC) 면적 백분율의 값을 사용했다. 이 값은, 특별한 기재가 없는 한, HPLC(시마즈 세이사쿠쇼제, 상품명: LC-20A)에서의 UV=254㎚에 있어서의 값으로 한다. 이때, 측정하는 화합물은, 0.01 내지 0.2질량%의 농도가 되도록 테트라히드로푸란 또는 클로로포름에 용해시켜서, 농도에 따라서 HPLC에 1 내지 10μL 주입했다. HPLC의 이동상에는, 아세토니트릴/테트라히드로푸란의 비율을 100/0 내지 0/100(용적비)까지 변화시키면서 사용하여, 1.0mL/분의 유량으로 흘렸다. 칼럼은, SUMIPAX ODS Z-CLUE(스미까 분석 센터제, 내경: 4.6㎜, 길이: 250㎜, 입경 3㎛) 또는 동등한 성능을 갖는 ODS 칼럼을 사용했다. 검출기에는, 포토다이오드 어레이 검출기(시마즈 세이사쿠쇼제, 상품명: SPD-M20A)를 사용했다.
본 실시예에 있어서, 화합물의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은, 분광 광도계(니혼분코 가부시키가이샤제, FP-6500)에 의해 실온에서 측정했다. 화합물을 크실렌에, 약 0.8×10-4질량%의 농도로 용해시킨 크실렌 용액을 시료로 해서 사용했다. 여기광으로서는, 파장 325㎚의 UV 광을 사용했다.
<합성예 M1> 화합물 M1 내지 M9 및 금속 착체 RM1의 합성
화합물 M1, M2 및 M3은, 국제공개 제2013/146806호에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
화합물 M4는, 일본특허공개 제2012-33845호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
화합물 M5는, 일본특허공개 제2010-189630호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
화합물 M6은 일본특허공개 제2011-174062호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
화합물 M7은 국제공개 제2002/045184호에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
화합물 M8은 국제공개 제2005/049546호에 기재된 방법에 따라서 합성했다
화합물 M9는 일본특허공개 제2008-106241호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
금속 착체 RM1은 국제공개 제2009/157424호에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
Figure pct00117
Figure pct00118
Figure pct00119
<합성예 HTL1> 고분자 화합물 HTL-1의 합성
반응 용기 내를 불활성 가스 분위기로 한 후, 화합물 M1(2.52g), 화합물 M2(0.470g), 화합물 M3(4.90g), 금속 착체 RM1(0.530g), 디클로로비스(트리스-o-메톡시페닐포스핀)팔라듐(4.2㎎) 및 톨루엔(158mL)을 첨가하고, 100℃로 가열했다. 그 후, 거기에, 20질량% 수산화 테트라에틸암모늄 수용액(16mL)을 적하하고, 8시간 환류시켰다. 그 후, 거기에, 페닐보론산(116㎎) 및 디클로로비스(트리스-o-메톡시페닐포스핀)팔라듐(4.2㎎)을 첨가하고, 15시간 환류시켰다. 그 후, 거기에, 디에틸디티아카르밤산나트륨 수용액을 첨가하고, 85℃에서 2시간 교반했다. 얻어진 반응 역을 냉각한 후, 3.6질량% 염산, 2.5질량% 암모니아수, 물로 각각 세정했다. 얻어진 용액을 메탄올에 적하한바, 침전이 발생했다. 얻어진 침전물을 톨루엔에 용해시켜서, 알루미나 칼럼, 실리카겔 칼럼의 순서로 통과시킴으로써 정제했다. 얻어진 용액을 메탄올에 적하하고, 교반한 후, 얻어진 침전물을 여과 취출하고, 건조시킴으로써, 고분자 화합물 HTL-1을 6.02g 얻었다. 고분자 화합물 HTL-1의 Mn은 3.8×104이고, Mw는 4.5×105였다.
고분자 화합물 HTL-1은, 투입 원료의 양으로부터 구한 이론값에서는, 화합물 M1로부터 유도되는 구성 단위와, 화합물 M2로부터 유도되는 구성 단위와, 화합물 M3으로부터 유도되는 구성 단위와, 금속 착체 RM1로부터 유도되는 구성 단위가, 40:10:47:3의 몰비로 구성되어 이루어지는 공중합체이다.
고분자 화합물 HTL-1의 발광 스펙트럼은 404㎚ 및 600㎚에 극대 파장을 갖고, 고분자 화합물 HTL-1의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 404㎚였다.
<합성예 HTL2> 고분자 화합물 HTL-2의 합성
고분자 화합물 HTL-2는, 화합물 M6, 화합물 M7, 화합물 M8 및 화합물 M9를 사용하여, 일본특허공개 제2011-174062호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다. 고분자 화합물 HTL-2의 Mn은 7.8×104 이고, Mw는 2.6×105였다.
고분자 화합물 HTL-2는, 투입 원료의 양으로부터 구한 이론값에서는, 화합물 M6으로부터 유도되는 구성 단위와, 화합물 M7로부터 유도되는 구성 단위와, 화합물 M8로부터 유도되는 구성 단위와, 화합물 M9로부터 유도되는 구성 단위가, 50:12.5:30:7.5의 몰비로 구성되는 공중합체이다.
<합성예 HTL3> 고분자 화합물 HTL-3의 합성
반응 용기 내를 불활성 가스 분위기로 한 후, 화합물 M1(0.800g), 화합물 M2(0.149g), 화합물 M3(1.66g), 디클로로비스(트리스-o-메톡시페닐포스핀)팔라듐(1.4㎎) 및 톨루엔(45mL)을 첨가하고, 100℃로 가열했다. 그 후, 거기에, 20질량% 수산화 테트라에틸암모늄 수용액(16mL)을 적하하고, 7시간 환류시켰다. 그 후, 거기에, 2-에틸페닐보론산(90㎎) 및 디클로로비스(트리스-o-메톡시페닐포스핀)팔라듐(1.3㎎)을 첨가하고, 17.5시간 환류시켰다. 그 후, 거기에, 디에틸디티아카르밤산나트륨 수용액을 첨가하고, 85℃에서 2시간 교반했다. 얻어진 반응액을 냉각한 후, 3.6질량% 염산, 2.5질량% 암모니아수, 물로 각각 세정했다. 얻어진 용액을 메탄올에 적하한바, 침전이 발생했다. 얻어진 침전물을 톨루엔에 용해시켜서, 알루미나 칼럼, 실리카겔 칼럼의 순서로 통과시킴으로써 정제했다. 얻어진 용액을 메탄올에 적하하고, 교반한 후, 얻어진 침전물을 여과 취출하고, 건조시킴으로써, 고분자 화합물 HTL-1을 1.64g 얻었다. 고분자 화합물 HTL-3의 Mn은 3.5×104이고, Mw는 2.2×105였다.
고분자 화합물 HTL-3은, 투입 원료의 양으로부터 구한 이론값에서는, 화합물 M1로부터 유도되는 구성 단위와, 화합물 M2로부터 유도되는 구성 단위와, 화합물 M3으로부터 유도되는 구성 단위가, 40:10:50의 몰비로 구성되어 이루어지는 공중합체이다.
<합성예 B1, B3, B4, G1 내지 G4 및 R1 내지 R4> 인광 발광성 화합물 B1, B3, B4, G1 내지 G4 및 R1 내지 R4의 합성
인광 발광성 화합물 B1은 국제공개 제2006/121811호 및 일본특허공개 제2013-048190호 공보에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
인광 발광성 화합물 B3은 국제공개 제2016/185183호 공보에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
인광 발광성 화합물 B4는 국제공개 제2006/121811호에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
인광 발광성 화합물 G1은 국제공개 제2009/131255호에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
인광 발광성 화합물 G2는 일본특허공개 제2013-237789호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
인광 발광성 화합물 G3 및 G4는 일본특허공개 제2014-224101호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
인광 발광성 화합물 R1은 일본특허공개 제2006-188673호 공보에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
인광 발광성 화합물 R2는 일본특허공개 제2008-179617호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
인광 발광성 화합물 R3은 국제공개 제2002/044189호에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
인광 발광성 화합물 R4는 일본특허공개 제2011-105701호 공보에 기재된 방법에 따라서 합성했다.
Figure pct00120
Figure pct00121
Figure pct00122
Figure pct00123
Figure pct00124
인광 발광성 화합물 B1의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 471㎚였다.
인광 발광성 화합물 B3의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 476㎚였다.
인광 발광성 화합물 B4의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 469㎚였다.
인광 발광성 화합물 G1의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 514㎚였다.
인광 발광성 화합물 G2의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 508㎚였다.
인광 발광성 화합물 G3의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 545㎚였다.
인광 발광성 화합물 G4의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 514㎚였다.
인광 발광성 화합물 R1의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 619㎚였다.
인광 발광성 화합물 R2의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 594㎚였다.
인광 발광성 화합물 R3의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 617㎚였다.
인광 발광성 화합물 R4의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 611㎚였다.
<합성예 B2> 인광 발광성 화합물 B2의 합성
Figure pct00125
(화합물 L2-3의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L2-1(21.4g), 트리에틸아민(13.0mL) 및 테트라히드로푸란(300mL)을 첨가하고, 0℃로 냉각했다. 그 후, 거기에, 화합물 L2-2(12.8mL)을 적하하고, 실온에서 16시간 교반했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수(100mL)을 첨가한바, 침전물이 발생했다. 얻어진 침전물을 포함하는 반응액을 여과함으로써, 잔사 L2-3-1 및 여과액 L2-3-2를 얻었다.
얻어진 잔사 L2-3-1을 톨루엔에서 세정한 후, 감압 건조시킴으로써, 고체 L2-3'(24.5g)를 얻었다.
얻어진 여과액 L2-3-2로부터 수층을 제거하고, 얻어진 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축한 후, 톨루엔 및 헵탄의 혼합 용매로 정석을 행하였다. 얻어진 고체를 감압 건조함으로써, 고체 L2-3"(3.9g)를 얻었다.
얻어진 고체 L2-3'와 고체 L2-3"를 합일한 후, 톨루엔 및 헵탄의 혼합 용매를 사용해서 정석했다. 얻어진 고체를 감압 건조시킴으로써, 화합물 L2-3(27.8g, 백색 고체)을 얻었다. 화합물 L2-3의 HPLC 면적 백분율값은 98.9%였다.
화합물 L2-3의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(600㎒, THF-d8): δ(ppm)=7.57(d, 2H), 7.43(t, 2H), 7.35(s, 2H), 7.34(t, 1H), 6.82(brs, 1H), 3.08(septet, 2H), 1.73(q, 2H), 1.34(s, 6H), 1.25(d, 12H), 1.00(t, 3H).
(화합물 L2-5의 합성)
화합물 L2-5는, 화합물 L2-3(19.1g), 화합물 L2-4(9.0g), 클로로벤젠(150mL), 2-플루오로피리딘(5.15mL) 및 트리플루오로메탄술폰산 무수물(10.0mL)을 사용하여, Organic Letters, 17권, 1184-1187페이지, 2015년에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
화합물 L2-5의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(600㎒, CDCl3): δ(ppm)=7.68(d, 2H), 7.52(t, 2H), 7.50(s, 2H), 7.43(t, 1H), 7.26(s, 1H), 7.05-6.98(m, 3H), 2.53(septet, 2H), 2.15(s, 3H), 1.88(q, 2H), 1.28(d, 6H), 1.23(s, 6H), 0.89(t, 3H), 0.77(d, 6H).
(인광 발광성 화합물 B2의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 트리스(아세틸아세토나토)이리듐(III)(0.72g), 화합물 L2-5(2.8g) 및 펜타데칸(2mL)을 첨가하고, 300℃에서 24시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(염화메틸렌 및 아세트산에틸의 혼합 용매)에 의해 정제하고, 이어서, 아세토니트릴 및 톨루엔의 혼합 용매, 톨루엔 및 메탄올의 혼합 용매, 및 염화메틸렌 및 아세토니트릴의 혼합 용매를 사용해서 순차 정석을 행하였다. 얻어진 고체를 염화메틸렌에서 세정 후, 감압 건조시킴으로써, 인광 발광성 화합물 B2(0.82g)를 얻었다. 인광 발광성 화합물 B2의 HPLC 면적 백분율값은 98.8%였다.
인광 발광성 화합물 B2의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(600㎒, THF-d8): δ(ppm)=7.74(d, 6H), 7.64(dd, 6H), 7.48(t, 6H), 7.38(t, 3H), 6.68(d, 3H), 6.30(d, 3H), 5.62(s, 3H), 2.94(septet, 3H), 2.37(septet, 3H), 1.75(s, 9H), 1.71-1.64(m, 6H), 1.34(d, 9H), 1.22-1.17(m, 27H), 0.98(d, 9H), 0.90(d, 9H), 0.81(d, 9H).
인광 발광성 화합물 B2의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 474㎚였다.
<합성예 B5> 인광 발광성 화합물 B5의 합성
Figure pct00126
(화합물 L5-2의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L5-1(50g) 및 N-메틸-2-피롤리돈(200mL)을 첨가하고, 0℃에서 교반했다. 그 후, 거기에, N-메틸-2-피롤리돈(40mL)에 용해시킨 화합물 L5-1'(40g)를 적하하고, 실온에서 18시간 교반했다. 얻어진 반응액을 이온 교환수(1.2L)에 주입한바, 침전물이 발생했다. 얻어진 침전물을 여과 취출한 후, 1M 염산 수용액, 이온 교환수 및 헵탄으로 순차 세정했다. 얻어진 고체를 감압 건조시킴으로써, 화합물 L5-2(43g, 백색 고체)를 얻었다.
화합물 L5-2의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(600㎒, CDCl3)δ(ppm)=9.64(br, 1H), 8.90(br, 1H), 7.86(d, 2H), 7.56(t, 1H), 7.45(t, 2H), 7.02-7.08(m, 3H), 2.41(s, 6H).
(화합물 L5-3의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L5-2(43g) 및 톨루엔(740mL)을 첨가하고, 실온에서 교반했다. 그 후, 거기에, 오염화 인(67g)을 첨가한 후, 110℃에서 21시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 빙수(500mL)에 주입하고, 2시간 교반한 후, 수층을 제거했다. 얻어진 유기층을 이온 교환수 및 10질량% 탄산수소나트륨 수용액으로 각각 세정했다. 얻어진 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 화합물 L5-3(40g)을 얻었다.
(화합물 L5-5의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L5-3(40g), 화합물 L5-4(32g) 및 크실렌(800mL)을 첨가하고, 실온에서 교반했다. 그 후, 거기에, p-톨루엔술폰산(3g)을 첨가하고, 120℃에서 116시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 이온 교환수(800mL)을 첨가하고, 실온에서 1시간 교반했다. 얻어진 반응액으로부터 수층을 제거한 후, 얻어진 유기층을 5질량% 탄산수소나트륨 수용액으로 세정했다. 얻어진 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헵탄 및 아세트산에틸의 혼합 용매) 및 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(아세토니트릴 및 테트라히드로푸란)에 의해 순차 정제함으로써, 화합물 L4-5(1.3g, 백색 고체)를 얻었다. 화합물 L5-5의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다. 상기 조작을 반복해서 행함으로써, 필요량의 화합물 L4-5를 얻었다.
화합물 L5-5의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(600㎒, THF-d8)δ(ppm)=7.42(d, 2H), 7.30(t, 1H), 7.24(t, 2H), 7.15(t, 1H), 6.98(d, 2H), 6.85(s, 2H), 2.51(t, 2H), 2.07(s, 6H), 1.81(s, 6H), 1.56(m, 2H), 1.26-1.32(m, 6H), 0.88(t, 3H).
(인광 발광성 화합물 B5의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 트리스(아세틸아세토나토)이리듐(III)(0.6g), 화합물 L5-5(2.0g) 및 트리데칸(2mL)을 첨가하고, 250℃에서 120시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헵탄 및 아세트산에틸의 혼합 용매)에 의해 정제한 후, 염화메틸렌 및 아세토니트릴의 혼합 용매를 사용해서 정석을 행하였다. 얻어진 고체를 감압 건조시킴으로써, 인광 발광성 화합물 B5(0.6g, 황색 고체)을 얻었다. 인광 발광성 화합물 B5의 HPLC 면적 백분율값은 99.2%였다.
인광 발광성 화합물 B5의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(600㎒, THF-d8)δ(ppm)=7.04-7.08(m, 6H), 6.93(s, 3H), 6.92(s, 3H), 6.88(d, 3H), 6.84(d, 3H), 6.61(t, 3H), 6.43(t, 3H), 6.29(d, 3H), 2.57(t, 6H), 2.12(s, 9H), 1.95(s, 9H), 1.82(s, 9H), 1.70(s, 9H), 1.62(m, 6H), 1.28-1.36(m, 18H), 0.89(t, 9H).
인광 발광성 화합물 B5의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 468㎚였다.
<합성예 B6> 인광 발광성 화합물 B6의 합성
Figure pct00127
(반응 혼합물 L6-1'의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6-1(50g) 및 염화티오닐(100mL)을 첨가하고, 환류 하에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 염화티오닐을 감압 증류 제거함으로써, 반응 혼합물 L6-1'를 얻었다.
(화합물 L6-2의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L5-1(47g) 및 테트라히드로푸란(1L)을 첨가하고, 0℃로 냉각했다. 그 후, 거기에, 트리에틸아민(54mL)을 첨가하고, 0℃에서 45분간 교반했다. 그 후, 거기에, (반응 혼합물 L6-1'의 합성)에서 얻어진 반응 혼합물 L6-1'(전량)를 첨가하고, 실온에서 16시간 교반했다. 얻어진 반응액을 여과한 후, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을, 아세트산에틸 및 헥산의 혼합 용매로 세정한 후, 감압 건조시킴으로써, 화합물 L6-2(50g)를 얻었다. 화합물 L6-2의 HPLC 면적 백분율값은 95.2%였다. 상기 조작을 반복해서 행함으로써, 필요량의 화합물 L6-2를 얻었다.
화합물 L6-2의 분석 결과는 이하와 같았다.
LC-MS(APCI, positive): m/z=263[M+H]+
1H-NMR(300㎒, CDCl3): δ(ppm)=0.84(t, 9H), 1.64(q, 6H), 7.39-7.54(m, 3H), 7.81-7.84(m, 2H), 8.72-8.74(m, 1H), 9.66-9.68(m, 1H).
(화합물 L6-3의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6-2(58g) 및 톨루엔(600mL)을 첨가하고, 실온에서 교반했다. 그 후, 거기에, 오염화 인(92g)을 첨가한 후, 110℃에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 화합물 L6-4(78.2g) 및 p-톨루엔술폰산(3g)을 첨가하고, 130℃에서 4일간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각하고, 감압 농축한 후, 아세트산에틸(2L)을 첨가하고, 10질량% 탄산수소나트륨 수용액으로 세정했다. 얻어진 유기층을 황산마그네슘으로 건조시킨 후, 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(메탄올 및 클로로포름의 혼합 용매)에 의해 정제한 후, 아세토니트릴을 사용해서 정석을 행한 후, 감압 건조시킴으로써, 화합물 L6-3(6g)을 얻었다. 화합물 L6-3의 HPLC 면적 백분율값은 99.1%였다.
화합물 L6-3의 분석 결과는 이하와 같았다.
LC-MS(APCI, positive): m/z=404[M+H]+
1H-NMR(400㎒, CDCl3): δ(ppm)=0.83(t, 9H), 1.34(s, 9H), 1.64(q, 6H), 1.96(s, 6H), 7.12(s, 2H), 7.20-7.23(m, 2H), 7.28-7.34(m, 3H).
(인광 발광성 화합물 B6의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 트리스(아세틸아세토나토)이리듐(III)(1.4g), 화합물 L6-3(4.6g) 및 펜타데칸(2mL)을 첨가하고, 300℃에서 18시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각하고, 톨루엔에 용해시킨 후, 감압 농축시킴으로써, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헵탄 및 아세트산에틸의 혼합 용매)에 의해 정제한 후, 아세토니트릴 및 톨루엔의 혼합 용매를 사용해서 정석을 행하였다. 얻어진 고체를 감압 건조시킴으로써, 인광 발광성 화합물 B5(2.8g)를 얻었다. 인광 발광성 화합물 B6의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다.
인광 발광성 화합물 B6의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(600㎒, THF-d8): δ(ppm)=7.30(s, 6H), 6.90(d, 3H), 6.44-6.48(m, 3H), 6.22-6.26(m, 3H), 5.77(d, 3H), 2.10(s, 9H), 1.89(s, 9H), 1.56(s, 18H), 1.38(s, 27H), 0.73(t, 27H).
인광 발광성 화합물 B6의 발광 스펙트럼의 최대 피크 파장은 464㎚였다.
<화합물 HM-1, 화합물 EM-1, 화합물 EM-3, 화합물 EM-4 및 화합물 EM-5의 입수>
화합물 HM-1, 화합물 EM-1, 화합물 EM-3, 화합물 EM-4 및 화합물 EM-5는, Luminescence Technology사에서 구입했다.
Figure pct00128
Figure pct00129
<합성예 HM-2> 화합물 HM-2의 합성
Figure pct00130
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 HM-2a(15.6g), 화합물 HM-2b(10.3g), 톨루엔(390mL), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(2.2g) 및 20질량% 수산화 테트라부틸암모늄 수용액(194g)을 첨가하고, 90℃에서 4시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 셀라이트를 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 이온 교환수로 세정한 후, 얻어진 유기층을 무수황산나트륨으로 건조시켜서, 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔 및 2-프로판올의 혼합 용매를 사용해서 정석한 후, 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 HM-2(15.2g)를 얻었다. 화합물 HM-2의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다.
화합물 HM-2의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(CD2Cl2, 400㎒): δ(ppm)=6.70-6.83(4H, m), 7.15(3H, t), 7.39(3H, t), 7.48(3H, t), 7.59(2H, t), 7.83-7.93(4H, m), 8.18-8.23(3H, m).
<합성예 HM-3> 화합물 HM-3의 합성
Figure pct00131
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 HM-3a(13.5g), 화합물 HM-2b(8.9g), 톨루엔(404mL), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(2.0g) 및 20질량% 수산화 테트라부틸암모늄 수용액(166g)을 첨가하고, 90℃에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 셀라이트를 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 이온 교환수로 세정한 후, 얻어진 유기층을 무수황산나트륨으로 건조시켜서, 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 및 클로로포름의 혼합 용매)에 의해 정제하고, 또한 톨루엔 및 메탄올의 혼합 용매를 사용해서 정석한 후, 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 HM-3(10.5g)을 얻었다. 화합물 HM-3의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다.
화합물 HM-3의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(CD2Cl2, 400㎒): δ(ppm)=6.51(1H, d), 6.60(1H, d), 6.80(4H, m), 6.92(1H, t), 7.21(3H, m), 7.34(1H, d), 7.39-7.50(4H, m), 7.65(1H, d), 7.71(1H, t), 7.81(1H, d), 7.88(2H, d), 8.28-8.35(2H, m).
<합성예 HM-4> 화합물 HM-4의 합성
Figure pct00132
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 HM-4a(1.6g), 화합물 HM-4b(1.3g), 크실렌(63mL), 아세트산팔라듐(II)(22㎎), 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보레이트(63㎎) 및 나트륨tert-부톡시드(1.9g)를 첨가하고, 가열 환류 하에서 54시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 실리카겔 및 셀라이트를 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 이온 교환수로 세정한 후, 얻어진 유기층을 무수황산나트륨으로 건조시켜서, 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 및 클로로포름의 혼합 용매)에 의해 정제하고, 추가로 클로로포름 및 2-프로판올의 혼합 용매를 사용해서 정석한 후, 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 HM-4(1.0g)를 얻었다. 화합물 HM-4의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다.
화합물 HM-4의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(CD2Cl2, 400㎒): δ(ppm)=7.08(4H, t), 7.34(6H, m), 7.47-7.57(12H, m), 8.02(2H, d), 8.12(2H, s), 8.22(4H, d).
<합성예 HM-5, 화합물 HM-6, 화합물 HM-8 및 화합물 HM-9> 화합물 HM-5, 화합물 HM-6, 화합물 HM-8 및 화합물 HM-9의 합성
화합물 HM-5는 국제공개 제2014/023388호에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
화합물 HM-6 및 화합물 HM-8은 국제공개 제2012/048820호에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
화합물 HM-9는 국제공개 제2013/045411호에 기재된 방법에 준해서 합성했다.
Figure pct00133
<합성예 HM-7> 화합물 HM-7의 합성
Figure pct00134
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 HM-2a(1.64g), 화합물 HM-7b(1.00g), 톨루엔(40mL), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.24g) 및 20질량% 수산화 테트라부틸암모늄 수용액(20g)을 첨가하고, 90℃에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔을 첨가하고, 이온 교환수로 세정했다. 얻어진 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조시킨 후, 실리카겔 및 셀라이트를 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔 및 2-프로판올의 혼합 용매를 사용해서 정석한 후, 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 HM-7(1.7g)을 얻었다. 화합물 HM-7의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다.
화합물 HM-7의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(CDCl3, 400㎒): δ(ppm)=8.36(d, 1H), 8.03-7.99(m, 1H), 7.98-7.93(m, 2H), 7.89-7.86(m, 2H), 7.70-7.60(m, 3H), 7.51-7.35(m, 6H), 7.17-7.12(m, 3H), 6.89(d, 1H), 6.86-6.82(m, 2H), 6.78(d, 1H).
<합성예 HM-10> 화합물 HM-10의 합성
Figure pct00135
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 HM-10a(2.0g), 화합물 HM-10b(1.2g), 톨루엔(50mL), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.29g) 및 20질량% 수산화 테트라부틸암모늄 수용액(20g)을 첨가하고, 90℃에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔 및 이온 교환수를 첨가하고, 셀라이트를 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액으로부터 수층을 제거한 후, 얻어진 유기층을 이온 교환수로 세정했다. 얻어진 유기층을 무수황산나트륨으로 건조시켜서, 여과했다. 얻어진 여과액에 활성탄을 첨가하고, 교반한 후, 셀라이트 및 실리카겔을 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔 및 2-프로판올의 혼합 용매를 사용해서 정석한 후, 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 HM-10(1.9g)을 얻었다. 화합물 HM-10의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다.
화합물 HM-10의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(CD2Cl2, 400㎒): δ(ppm)=6.65(1H, d), 6.74(2H, d), 7.01(1H, s), 7.12(3H, m), 7.28-7.53(8H, m), 7.73(1H, d), 7.87-7.99(6H, m).
<합성예 HM-11> 화합물 HM-11의 합성
Figure pct00136
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 HM-10a(5.0g), 화합물 HM-11b(3.3g), 톨루엔(125mL), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.73g) 및 20질량% 수산화 테트라부틸암모늄 수용액(49g)을 첨가하고, 90℃에서 3시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔 및 이온 교환수를 첨가하고, 셀라이트를 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액으로부터 수층을 제거한 후, 얻어진 유기층을 이온 교환수로 세정했다. 얻어진 유기층을 무수황산나트륨으로 건조시켜서, 여과했다. 얻어진 여과액에 활성탄을 첨가하고, 교반한 후, 셀라이트 및 실리카겔을 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔 및 2-프로판올의 혼합 용매를 사용해서 정석한 후, 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 HM-11(5.0g)을 얻었다. 화합물 HM-11의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다.
화합물 HM-11의 분석 결과는 이하와 같았다.
1H-NMR(CDCl3, 400㎒): δ(ppm)=6.66(1H, d), 6.74(2H, d), 7.13(4H, m), 7.37-7.52(6H, m), 7.76-7.99(7H, m), 8.12(1H, d), 8.19(1H, s).
<화합물 EM-2> 화합물 EM-2의 합성
Figure pct00137
반응 용기 내를 불활성 가스 분위기로 한 후, 화합물 EM-2a(8.7g), 화합물 EM-2b(8.1g), 디메틸술폭시드(218mL), 산화구리(I)(Cu2O)(1.3g), 인산삼칼륨(K3PO4)(16.7g) 및 디피발로일메탄(3.2g)을 첨가하고, 150℃에서 10시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔 및 이온 교환수를 첨가하고, 셀라이트를 깐 글라스 필터로 여과했다. 얻어진 여과액을 이온 교환수로 세정한 후, 얻어진 유기층을 농축함으로써, 조생성물을 얻었다. 얻어진 조생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 및 아세트산에틸의 혼합 용매)에 의해 정제하고, 이어서, 아세토니트릴 및 톨루엔의 혼합 용매를 사용해서 정석을 행하였다. 얻어진 고체를 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 EM-2(8.0g)을 얻었다. 화합물 EM-2의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상이었다.
화합물 EM-2의 분석 결과는 이하와 같았다.
LC-MS(ESI, positive): m/z=573[M+H]+
1H-NMR(400㎒, THF-d8): δ(ppm)=1.01(t, 3H), 1.58-1.68(m, 2H), 1.95-2.05(m, 2H), 3.14-3.19(m, 2H), 7.32-7.39(m, 4H), 7.49-7.57(m, 4H), 7.72(s, 1H), 7.79-7.88(m, 3H), 8.34-8.42(m, 3H), 8.55-8.68(m, 4H).
<합성예 ETL1> 고분자 화합물 ETL-1의 합성
반응 용기 내를 불활성 가스 분위기로 한 후, 화합물 M4(9.23g), 화합물 M5(4.58g), 디클로로비스(트리스-o-메톡시페닐포스핀)팔라듐(8.6㎎), 메틸트리옥틸암모늄 클로라이드(시그마 알드리치사 제조, 상품명 Aliquat336(등록상표))(0.098g) 및 톨루엔(175mL)을 첨가하고, 105℃로 가열했다. 그 후, 거기에, 12질량% 탄산나트륨 수용액(40.3mL)을 적하하고, 29시간 환류시켰다. 그 후, 거기에, 페닐보론산(0.47g) 및 디클로로비스(트리스-o-메톡시페닐포스핀)팔라듐(8.7㎎)을 첨가하고, 14시간 환류시켰다. 그 후, 거기에, 디에틸디티아카르밤산나트륨 수용액을 첨가하고, 80℃에서 2시간 교반했다. 얻어진 반응액을 냉각 후, 메탄올에 적하한바, 침전이 발생했다. 얻어진 침전물을 여과 취출하고, 메탄올, 물로 각각 세정 후, 건조시켰다. 얻어진 고체를 클로로포름에 용해시켜서, 미리 클로로포름을 통액한 알루미나 칼럼 및 실리카겔 칼럼에 차례로 통과시킴으로써 정제했다. 얻어진 정제 액을 메탄올에 적하하고, 교반한바, 침전이 발생했다. 얻어진 침전물을 여과 취출하고, 건조시킴으로써, 고분자 화합물 ETL-1a(7.15g)을 얻었다. 고분자 화합물 ETL-1a의 Mn은 3.2×104, Mw는 6.0×104였다.
고분자 화합물 ETL-1a는, 투입 원료의 양으로부터 구한 이론값에서는, 화합물 M4로부터 유도되는 구성 단위와, 화합물 M5로부터 유도되는 구성 단위가, 50:50의 몰비로 구성되어 이루어지는 공중합체이다.
반응 용기 내를 아르곤 가스 분위기 하로 한 후, 고분자 화합물 ETL-1a(3.1g), 테트라히드로푸란(130mL), 메탄올(66mL), 수산화세슘 1수화물(2.1g) 및 물(12.5mL)을 첨가하고, 60℃에서 3시간 교반했다. 그 후, 거기에, 메탄올(220mL)을 첨가하고, 2시간 교반했다. 얻어진 반응 혼합물을 농축한 후, 이소프로필알코올에 적하하고, 교반한바, 침전이 발생했다. 얻어진 침전물을 여과 취출하고, 건조시킴으로써, 고분자 화합물 ETL-1(3.5g)을 얻었다. 고분자 화합물 ETL-1의 1H-NMR 해석에 의해, 고분자 화합물 ETL-1 중 에틸에스테르 부위의 시그널이 소실하고, 반응이 완결된 것을 확인했다.
고분자 화합물 ETL-1은, 고분자 화합물 ETL-1a의 투입 원료의 양으로부터 구한 이론값에서는, 하기 식으로 표시되는 구성 단위와, 화합물 M5로부터 유도되는 구성 단위가, 50:50의 몰비로 구성되어 이루어지는 공중합체이다.
Figure pct00138
<실시예 D1> 발광 소자 D1의 제작과 평가
(양극 및 정공 주입층의 형성)
유리 기판에 스퍼터법에 의해 45㎚의 두께로 ITO막을 붙임으로써 양극을 형성했다. 해당 양극 상에 정공 주입 재료인 ND-3202(닛산 가가쿠 고교제)를 스핀 코트법에 의해 35㎚의 두께로 성막했다. 대기 분위기 하에서, 핫 플레이트 상에서 50℃, 3분간 가열하고, 230℃, 15분간 더 가열함으로써 정공 주입층을 형성했다.
(제2 발광층의 형성)
크실렌에 고분자 화합물 HTL-1을 0.7질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 사용하여, 정공 주입층 상에 스핀 코트법에 의해 20㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 핫 플레이트 상에서 180℃, 60분간 가열시킴으로써 제2 발광층을 형성했다. 이 가열에 의해, 고분자 화합물 HTL-1은, 가교체가 되었다.
(제1 층의 형성)
톨루엔에, 화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 G1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1=74질량%/25질량%/1질량%)을 2.0질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 톨루엔 용액을 사용하여, 제2 발광층 상에 스핀 코트법에 의해 75㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제1 층(제1 발광층)을 형성했다.
(제2 층의 형성)
2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올에, 고분자 화합물 ETL-1을 0.25질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올 용액을 사용하여, 제1 층 상에 스핀 코트법에 의해 10㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제2 층(전자 수송층)을 형성했다.
(제3 층의 형성)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층(전자 주입층)으로서, 제2 층 상에 불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.
(음극의 형성)
제3 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 음극으로서, 알루미늄을 약 80㎚ 증착했다. 증착 후, 유리 기판을 사용해서 밀봉함으로써, 발광 소자 D1을 제작했다.
(발광 소자의 평가)
발광 소자 D1에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.44, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D2> 발광 소자 D2의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D2를 제작했다.
발광 소자 D2에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.43, 0.45)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D3> 발광 소자 D3의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제3 층의 형성)의 「불화나트륨」 대신에, 「바륨(Ba)」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D3을 제작했다.
발광 소자 D3에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.44, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D4> 발광 소자 D4의 제작과 평가
실시예 D2에 있어서, (제3 층의 형성)의 「불화나트륨」 대신에, 「바륨(Ba)」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D2와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D4를 제작했다.
발광 소자 D4에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.42, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D5> 발광 소자 D5의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제3 층의 형성)의 「불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.」 대신에, 「칼슘(Ca)을 5㎚ 증착했다」로 하는 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D5를 제작했다.
발광 소자 D5에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.44, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D6> 발광 소자 D6의 제작과 평가
실시예 D2에 있어서, (제3 층의 형성)의 「불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.」 대신에, 「칼슘을 5㎚ 증착했다」로 하는 것 이외에는, 실시예 D2와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D6을 제작했다.
발광 소자 D6에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.42, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD1> 발광 소자 CD1의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD1을 제작했다.
발광 소자 CD1에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.43, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD2> 발광 소자 CD2의 제작과 평가
비교예 CD1에 있어서, (제3 층의 형성)의 「불화나트륨」 대신에, 「바륨(Ba)」을 사용한 것 이외에는, 비교예 CD1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD2를 제작했다.
발광 소자 CD2에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.44, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD3> 발광 소자 CD3의 제작과 평가
비교예 CD1에 있어서, (제3 층의 형성)의 「불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.」 대신에, 「칼슘(Ca)을 5㎚ 증착했다」로 하는 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD3을 제작했다.
발광 소자 CD3에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.43, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD4> 발광 소자 CD4의 제작과 평가
실시예 D2에 있어서, (제2 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D2와 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD4를 제작했다.
발광 소자 CD4에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.37, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD5> 발광 소자 CD5의 제작과 평가
실시예 D4에 있어서, (제2 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D4와 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD5를 제작했다.
발광 소자 CD5에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.37, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD6> 발광 소자 CD6의 제작과 평가
실시예 D6에 있어서, (제2 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D6과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD6을 제작했다.
발광 소자 CD6에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.36, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D1 내지 D6 및 비교예 CD1 내지 CD6의 결과를 표 2에 나타낸다. 발광 소자 CD1의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D1 내지 D6 및 발광 소자 CD2 내지 CD6의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00139
<실시예 D7> 발광 소자 D7의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제3 층의 형성)의 「불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.」 대신에, 「불화리튬(LiF)을 1.8㎚ 증착했다.」로 하는 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D7을 제작했다.
발광 소자 D7에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.43, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D8> 발광 소자 D8의 제작과 평가
실시예 D2에 있어서, (제3 층의 형성)의 「불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.」 대신에, 「불화리튬(LiF)을 1.8㎚ 증착했다.」로 하는 것 이외에는, 실시예 D2와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D8을 제작했다.
발광 소자 D8에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.41, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D9> 발광 소자 D9의 제작과 평가
실시예 D7에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-4」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D7과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D9를 제작했다.
발광 소자 D9에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.33, 0.50)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D10> 발광 소자 D10의 제작과 평가
실시예 D1의 (제2 층의 형성)을 하기 (제2 층의 형성-D10)으로 변경하고, 또한 실시예 D1의 (제3 층의 형성)을 하기(제3 층의 형성-D10)으로 변경한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D10을 제작했다.
(제2 층의 형성-D10)
제1 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제2 층(전자 수송층)로서, 제1 층 상에 불화나트륨을 4㎚ 증착했다.
(제3 층의 형성-D10)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층(전자 주입층)으로서, 제2 층 상에 바륨을 1㎚ 증착했다.
발광 소자 D10에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.38, 0.49)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D11> 발광 소자 D11의 제작과 평가
실시예 D10에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D10과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D11을 제작했다.
발광 소자 D11에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.37, 0.48)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D12> 발광 소자 D12의 제작과 평가
실시예 D10에 있어서, (제2 층의 형성-D10)의 「불화나트륨을 4㎚ 증착했다.」 대신에, 「불화리튬을 1.8㎚ 증착했다.」고 하고, 추가로 (제3 층의 형성-D10)의 「바륨을 1㎚ 증착했다.」 대신에, 「칼슘을 5㎚ 증착했다.」로 하는 것 이외에는, 실시예 D10과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D12를 제작했다.
발광 소자 D12에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.39, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D13> 발광 소자 D13의 제작과 평가
실시예 D12에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D12와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D13을 제작했다.
발광 소자 D13에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.38, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D14> 발광 소자 D14의 제작과 평가
실시예 D12에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-4」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D12와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D14를 제작했다.
발광 소자 D14에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.33, 0.48)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD7> 발광 소자 CD7의 제작과 평가
실시예 D8에 있어서, (제2 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D7과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD7을 제작했다.
발광 소자 CD7에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.37, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D7 내지 D14 및 비교예 CD7의 결과를 표 3에 나타낸다. 발광 소자 CD7의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1로 했을 때의 발광 소자 D7 내지 D14의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00140
<실시예 D15> 발광 소자 D15의 제작과 평가
실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D1을 제작했다(본 실시예에서는, 「발광 소자 D15」이라고 칭한다.).
발광 소자 D15에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.44, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D16> 발광 소자 D16의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「인광 발광성 화합물 B1」 대신에, 「인광 발광성 화합물 B4」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D16을 제작했다.
발광 소자 D16에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.47, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D17> 발광 소자 D17의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-7」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D17을 제작했다.
발광 소자 D17에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.46, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D18> 발광 소자 D18의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-5」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D18을 제작했다.
발광 소자 D18에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.42, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D19> 발광 소자 D19의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D19를 제작했다.
발광 소자 D19에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.43, 0.45)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D20> 발광 소자 D20의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-8」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D20을 제작했다.
발광 소자 D20에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.46, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D21> 발광 소자 D21의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-6」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D21을 제작했다.
발광 소자 D21에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.44, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD8> 발광 소자 CD8의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD8을 제작했다.
발광 소자 CD8에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.43, 0.47)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D15 내지 D21 및 비교예 CD8의 결과를 표 4에 나타낸다. 발광 소자 CD8의 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D15 내지 D21의 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00141
<실시예 D22> 발광 소자 D22의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)을 하기 (제1 층의 형성-D22)로 한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D22를 제작했다.
(제1 층의 형성-D22)
크실렌에, 화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B3 및 인광 발광성 화합물 G1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B3/인광 발광성 화합물 G1=74질량%/25질량%/1질량%)을 2.0질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 사용하여, 제2 발광층 상에 스핀 코트법에 의해 75㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제1 층(제1 발광층)을 형성했다.
발광 소자 D22에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.41, 0.46)이었다. 초기 휘도 6000cd/㎡로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD9> 발광 소자 CD9의 제작과 평가
실시예 D22에 있어서, (제1 층의 형성-D22)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D22와 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD9를 제작했다.
발광 소자 CD9에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.41, 0.44)였다. 초기 휘도 6000cd/㎡로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D22 및 비교예 CD9의 결과를 표 5에 나타낸다. 발광 소자 CD9의 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D22의 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00142
<실시예 D23> 발광 소자 D23의 제작과 평가
실시예 D1에 있어서, (제1 층의 형성)의 「인광 발광성 화합물 B1」 대신에, 「인광 발광성 화합물 B2」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D23을 제작했다.
발광 소자 D23에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.46, 0.45)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D24> 발광 소자 D24의 제작과 평가
실시예 D23에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D23과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D24를 제작했다.
발광 소자 D24에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.45, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D25> 발광 소자 D25의 제작과 평가
실시예 D23에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-6」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D23과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D25를 제작했다.
발광 소자 D25에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.45, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D26> 발광 소자 D26의 제작과 평가
실시예 D23에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-7」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D23과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D26을 제작했다.
발광 소자 D26에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.47, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D27> 발광 소자 D27의 제작과 평가
실시예 D23에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-8」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D23과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D27을 제작했다.
발광 소자 D27에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.46, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD10> 발광 소자 CD10의 제작과 평가
실시예 D23에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D23과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD10을 제작했다.
발광 소자 CD10에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.48, 0.45)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D23 내지 D27 및 비교예 CD10의 결과를 표 6에 나타낸다. 발광 소자 CD10의 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.00로 했을 때의 발광 소자 D23 내지 D27의 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00143
<실시예 D28> 발광 소자 D28의 제작과 평가
(양극 및 정공 주입층의 형성)
유리 기판에 스퍼터법에 의해 45㎚의 두께로 ITO막을 붙임으로써 양극을 형성했다. 해당 양극 상에 정공 주입 재료인 ND-3202(닛산 가가쿠 고교제)를 스핀 코트법에 의해 35㎚의 두께로 성막했다. 대기 분위기 하에서, 핫 플레이트 상에서 50℃, 3분간 가열하고, 또한 230℃, 15분간 가열함으로써 정공 주입층을 형성했다.
(제2 발광층의 형성)
크실렌에 고분자 화합물 HTL-1을 0.7질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 사용하여, 정공 주입층 상에 스핀 코트법에 의해 20㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 핫 플레이트 상에서 180℃, 60분간 가열시킴으로써 제2 발광층을 형성했다. 이 가열에 의해, 고분자 화합물 HTL-1은, 가교체가 되었다.
(제1 층의 형성)
톨루엔에, 화합물 HM-2 및 인광 발광성 화합물 B1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1=75질량%/25질량%)을 2.0질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 톨루엔 용액을 사용하여, 제2 발광층 상에 스핀 코트법에 의해 75㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제1 층(제1 발광층)을 형성했다.
(제2 층의 형성)
제1 유기층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서 3.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제2 층(전자 수송층)로서, 제1 층의 상에 화합물 EM-1 및 화합물 EM-2(화합물 EM-1/화합물 EM-2=25질량%/75질량%)을 10㎚ 공증착했다.
(제3 층의 형성)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층(전자 주입층)으로서, 제2 층 상에 바륨을 4㎚ 증착했다.
(음극의 형성)
제3 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 음극으로서, 알루미늄을 약 80㎚ 증착했다. 증착 후, 유리 기판을 사용해서 밀봉함으로써, 발광 소자 D28을 제작했다.
(발광 소자의 평가)
발광 소자 D28에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.32, 0.42)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD11> 발광 소자 CD11의 제작과 평가
실시예 D28에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D28과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD11을 제작했다.
발광 소자 CD11에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.34, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD12> 발광 소자 CD12의 제작과 평가
실시예 D28의 (제3 층의 형성)의 (제3 층의 형성)을 하기 (제3 층의 형성-CD12)로 변경한 것 이외에는, 실시예 D28과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD12를 제작했다.
(제3 층의 형성-CD12)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 3.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층(전자 주입층)으로서, 제2 층 상에 화합물 EM-1을 4㎚ 증착했다.
(발광 소자의 평가)
발광 소자 CD12에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.42)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD13> 발광 소자 CD13의 제작과 평가
실시예 D28에 있어서, (제2 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D28과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD13을 제작했다.
발광 소자 CD13에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.34, 0.42)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D28 및 비교예 CD11 내지 CD13의 결과를 표 7에 나타낸다. 발광 소자 CD12의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D28, CD11 및 CD13의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00144
<실시예 D29> 발광 소자 D29의 제작과 평가
실시예 D10의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 G1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1=74질량%/25질량%/1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1=75질량%/25질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D10과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D29를 제작했다.
발광 소자 D29에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.39, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 50%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD14> 발광 소자 CD14의 제작과 평가
실시예 D29에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D29와 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD14를 제작했다.
발광 소자 CD14에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.40, 0.42)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 50%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D29 및 비교예 CD14의 결과를 표 8에 나타낸다. 발광 소자 CD14의 휘도가 초기 휘도의 50%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D29의 휘도가 초기 휘도의 50%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00145
<실시예 D30> 발광 소자 D30의 제작과 평가
실시예 D3의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 G1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1=74질량%/25질량%/1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1=75질량%/25질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D3과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D30을 제작했다.
발광 소자 D30에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.47, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D31> 발광 소자 D31의 제작과 평가
실시예 D30의 (제2 층의 형성)을 하기 (제2 층의 형성-D31)로 한 것 이외에는, 실시예 D30과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D31을 제작했다.
(제2 층의 형성-D31)
제1 유기층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서 3.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제2 층(전자 수송층)로서, 제1 층의 상에 화합물 EM-1을 4㎚ 증착했다.
발광 소자 D31에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.33, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D32> 발광 소자 D32의 제작과 평가
실시예 D31에 있어서, (제2 층의 형성-D31)의 「화합물 EM-1」 대신에, 「화합물 EM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D31과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D32를 제작했다.
발광 소자 D32에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.33, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D33> 발광 소자 D33의 제작과 평가
실시예 D31에 있어서, (제2 층의 형성-D31)의 「화합물 EM-1」 대신에, 「화합물 EM-4」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D31과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D33을 제작했다.
발광 소자 D33에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.35, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D34> 발광 소자 D34의 제작과 평가
실시예 D31에 있어서, (제2 층의 형성-D31)의 「화합물 EM-1」 대신에, 「화합물 EM-5」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D31과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D34를 제작했다.
발광 소자 D34에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.34, 0.40)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD15> 발광 소자 CD15의 제작과 평가
실시예 D31에 있어서, (제3 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D31과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD15를 제작했다.
발광 소자 CD15에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.33, 0.40)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD16> 발광 소자 CD16의 제작과 평가
실시예 D33에 있어서, (제3 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D33과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD16을 제작했다.
발광 소자 CD16에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.32, 0.40)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D30 내지 D34 및 비교예 CD15 내지 CD16의 결과를 표 9에 나타낸다. 발광 소자 CD16의 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D30 내지 D34 및 발광 소자 CD15의 휘도가 초기 휘도의 60%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00146
<실시예 D35> 발광 소자 D35의 제작과 평가
실시예 D33의 (제3 층의 형성)을 하기 (제3 층의 형성-D35)로 한 것 이외에는, 실시예 D33과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D35를 제작했다.
(제3 층의 형성-D35)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층으로서, 제2 층의 상에 불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.
발광 소자 D35에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.38, 0.40)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 65%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D36> 발광 소자 D36의 제작과 평가
실시예 D35의 (제2 층의 형성)을 하기 (제2 층의 형성-D36)으로 한 것 이외에는, 실시예 D35와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D35를 제작했다.
(제2 층의 형성-D36)
2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올에, 화합물 EM-5를 0.1질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올 용액을 사용하여, 제1 층 상에 스핀 코트법에 의해 4㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제2 층을 형성했다.
발광 소자 D36에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.40)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 65%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD17> 발광 소자 CD17의 제작과 평가
실시예 D36의 (제3 층의 형성)을 하기 (제3 층의 형성-CD17)로 한 것 이외에는, 실시예 D36과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD17을 제작했다.
(제3 층의 형성-CD17)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서 3.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층으로서, 제2 층의 상에 화합물 EM-5를 4㎚ 증착했다.
발광 소자 CD17에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 65%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D35 내지 D36 및 비교예 CD17의 결과를 표 10에 나타낸다. 발광 소자 CD17의 휘도가 초기 휘도의 65%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D35 내지 D36의 휘도가 초기 휘도의 65%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00147
<실시예 D37> 발광 소자 D37의 제작과 평가
실시예 D30의 (제3 층의 형성)을 하기 (제3 층의 형성-D37)로 한 것 이외에는, 실시예 D30과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D37을 제작했다.
(제3 층의 형성-D37)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서 3.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층으로서, 제2 층의 상에 화합물 EM-1을 4㎚ 증착했다.
발광 소자 D37에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.37, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D38> 발광 소자 D38의 제작과 평가
실시예 D37에 있어서, (제3 층의 형성-D37)의 「화합물 EM-1」 대신에, 「화합물 EM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D37과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D38을 제작했다.
발광 소자 D38에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.40, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D39> 발광 소자 D39의 제작과 평가
실시예 D37에 있어서, (제3 층의 형성-D37)의 「화합물 EM-1」 대신에, 「화합물 EM-5」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D37과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D39를 제작했다.
발광 소자 D39에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.34, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD18> 발광 소자 CD18의 제작과 평가
실시예 D30의 (제3 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D30과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD18을 제작했다.
발광 소자 CD18에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.34, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D37 내지 D39 및 비교예 CD18의 결과를 표 11에 나타낸다. 발광 소자 CD18의 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D37 내지 D39의 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00148
<실시예 D40> 발광 소자 D40의 제작과 평가
실시예 D1의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 G1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1=74질량%/25질량%/1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1=75질량%/25질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D40을 제작했다.
발광 소자 D40에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.47, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D41> 발광 소자 D41의 제작과 평가
실시예 D40에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D40과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D41을 제작했다.
발광 소자 D41에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.45, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD19> 발광 소자 CD19의 제작과 평가
실시예 D40의 (제2 층의 형성)을 행하지 않은 것 이외에는, 실시예 D40과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD19를 제작했다.
발광 소자 CD19에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.37, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD20> 발광 소자 CD20의 제작과 평가
실시예 D40에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D40과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD20을 제작했다.
발광 소자 CD20에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.45, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D40 내지 D41 및 비교예 CD19 내지 CD20의 결과를 표 12에 나타낸다. 발광 소자 CD20의 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D40 내지 D41 및 발광 소자 CD19의 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00149
<실시예 D42> 발광 소자 D42의 제작과 평가
(양극 및 정공 주입층의 형성)
유리 기판에 스퍼터법에 의해 45㎚의 두께로 ITO막을 붙임으로써 양극을 형성했다. 해당 양극 상에 정공 주입 재료인 ND-3202(닛산 가가쿠 고교제)를 스핀 코트법에 의해 35㎚의 두께로 성막했다. 대기 분위기 하에서, 핫 플레이트 상에서 50℃, 3분간 가열하고, 또한 230℃, 15분간 가열함으로써 정공 주입층을 형성했다.
(정공 수송층의 형성)
크실렌에 고분자 화합물 HTL-3을 0.7질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 사용하여, 정공 주입층 상에 스핀 코트법에 의해 20㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 핫 플레이트 상에서 180℃, 60분간 가열시킴으로써 정공 수송층을 형성했다. 이 가열에 의해, 고분자 화합물 HTL-3은, 가교체가 되었다.
(제1 층의 형성)
톨루엔에, 화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)을 2.0질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 톨루엔 용액을 사용하여, 정공 수송층 상에 스핀 코트법에 의해 75㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제1 층(발광층)을 형성했다.
(제2 층의 형성)
2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올에, 고분자 화합물 ETL-1을 0.25질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올 용액을 사용하여, 제1 층 상에 스핀 코트법에 의해 10㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제2 층(전자 수송층)을 형성했다.
(제3 층의 형성)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층(전자 주입층)으로서, 제2 층 상에 불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.
(음극의 형성)
제3 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 음극으로서, 알루미늄을 약 80㎚ 증착했다. 증착 후, 유리 기판을 사용해서 밀봉함으로써, 발광 소자 D42를 제작했다.
(발광 소자의 평가)
발광 소자 D42에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.35, 0.43)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 90%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD21> 발광 소자 CD21의 제작과 평가
실시예 D42에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD21을 제작했다.
발광 소자 CD21에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.42)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 90%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D42 및 비교예 CD21의 결과를 표 13에 나타낸다. 발광 소자 CD21의 휘도가 초기 휘도의 90%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D42의 휘도가 초기 휘도의 90%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00150
<실시예 D43> 발광 소자 D43의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-3, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R1(화합물 HM-3/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R1=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D43을 제작했다.
발광 소자 D43에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.35, 0.42)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D44> 발광 소자 D44의 제작과 평가
실시예 D43의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「인광 발광성 화합물 R1」 대신에, 「인광 발광성 화합물 R3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D43과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D44를 제작했다.
발광 소자 D44에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D45> 발광 소자 D45의 제작과 평가
실시예 D43의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-3」 대신에, 「화합물 HM-4」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D43과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D45를 제작했다.
발광 소자 D45에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.33, 0.43)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D43 내지 D45의 결과를 표 14에 나타낸다. 발광 소자 D45의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D43 내지 D44의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00151
<실시예 D46> 발광 소자 D46의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G1 및 인광 발광성 화합물 R1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1/인광 발광성 화합물 R1=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D46을 제작했다.
발광 소자 D46에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.32, 0.52)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D47> 발광 소자 D47의 제작과 평가
실시예 D46의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-7」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D46과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D47을 제작했다.
발광 소자 D47에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.32, 0.52)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D48> 발광 소자 D48의 제작과 평가
실시예 D46의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-8」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D46과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D48을 제작했다.
발광 소자 D48에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.32, 0.52)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D49> 발광 소자 D49의 제작과 평가
실시예 D46의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-6」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D46과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D49를 제작했다.
발광 소자 D49에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.51)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D50> 발광 소자 D50의 제작과 평가
실시예 D46의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「인광 발광성 화합물 G1」 대신에, 「인광 발광성 화합물 G3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D46과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D50을 제작했다.
발광 소자 D50에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.38, 0.51)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D51> 발광 소자 D51의 제작과 평가
실시예 D46의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「인광 발광성 화합물 G1」 대신에, 「인광 발광성 화합물 G4」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D46과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D51을 제작했다.
발광 소자 D51에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.48)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D52> 발광 소자 D52의 제작과 평가
실시예 D46의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「인광 발광성 화합물 B1」 대신에, 「인광 발광성 화합물 B4」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D46과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D52를 제작했다.
발광 소자 D52에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.32, 0.52)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D53> 발광 소자 D53의 제작과 평가
실시예 D46의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-9」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D46과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D53을 제작했다.
발광 소자 D53에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.50)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D54> 발광 소자 D54의 제작과 평가
실시예 D46의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-4」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D46과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D54를 제작했다.
발광 소자 D53에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.36, 0.50)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D55> 발광 소자 D55의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-4, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G2 및 인광 발광성 화합물 R3(화합물 HM-4/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G2/인광 발광성 화합물 R3=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D55를 제작했다.
발광 소자 D55에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.53)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D46 내지 D55의 결과를 표 15에 나타낸다. 발광 소자 D55의 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D46 내지 D54의 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00152
<실시예 D56> 발광 소자 D56의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G2 및 인광 발광성 화합물 R3(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G2/인광 발광성 화합물 R3=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D56을 제작했다.
발광 소자 D56에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.34, 0.51)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D57> 발광 소자 D57의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1/인광 발광성 화합물 R2=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D57을 제작했다.
발광 소자 D57에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.38, 0.49)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D58> 발광 소자 D58의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G1 및 인광 발광성 화합물 R4(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1/인광 발광성 화합물 R4=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D58을 제작했다.
발광 소자 D58에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.36, 0.50)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D59> 발광 소자 D59의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-3, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G1 및 인광 발광성 화합물 R1(화합물 HM-3/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1/인광 발광성 화합물 R1=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D59를 제작했다.
발광 소자 D59에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.39, 0.49)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D60> 발광 소자 D60의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-5, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G1 및 인광 발광성 화합물 R1(화합물 HM-5/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1/인광 발광성 화합물 R1=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D59를 제작했다.
발광 소자 D60에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.51)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD22> 발광 소자 CD22의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-1, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G2 및 인광 발광성 화합물 R3(화합물 HM-1/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G2/인광 발광성 화합물 R3=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD22를 제작했다.
발광 소자 CD22에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.30, 0.51)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD23> 발광 소자 CD23의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-1, 인광 발광성 화합물 B1, 인광 발광성 화합물 G1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-1/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 G1/인광 발광성 화합물 R2=73.9질량%/25 질량%/1질량%/0.1질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD23을 제작했다.
발광 소자 CD23에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.38, 0.49)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D56 내지 D60 및 비교예 CD22 내지 CD23의 결과를 표 16에 나타낸다. 발광 소자 CD22의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D56 내지 D60 및 CD23의 휘도가 초기 휘도의 80%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00153
<실시예 D61> 발광 소자 D61의 제작과 평가
실시예 D42의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2, 인광 발광성 화합물 B1 및 인광 발광성 화합물 R2(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1/인광 발광성 화합물 R2=74.9질량%/25질량%/0.1질량%)」 대신에, 「화합물 HM-3 및 인광 발광성 화합물 B5(화합물 HM-3/인광 발광성 화합물 B5=75질량%/25질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D42와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D61을 제작했다.
발광 소자 D61에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.19, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD24> 발광 소자 CD24의 제작과 평가
실시예 D61의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-3」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D61과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD24를 제작했다.
발광 소자 CD24에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.19, 0.41)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D61 및 비교예 CD24의 결과를 표 17에 나타낸다. 발광 소자 CD24의 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D61의 휘도가 초기 휘도의 70%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00154
<실시예 D62> 발광 소자 D62의 제작과 평가
실시예 D61의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-3 및 인광 발광성 화합물 B5(화합물 HM-3/인광 발광성 화합물 B5=75질량%/25질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2 및 인광 발광성 화합물 B1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 B1=75질량%/25질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D61과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D62를 제작했다.
발광 소자 D62에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.20, 0.43)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD25> 발광 소자 CD25의 제작과 평가
실시예 D61의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D61과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD25를 제작했다.
발광 소자 CD25에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.20, 0.46)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D62 및 비교예 CD25의 결과를 표 18에 나타낸다. 발광 소자 CD25의 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D62의 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00155
<실시예 D63> 발광 소자 D63의 제작과 평가
실시예 D61의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「인광 발광성 화합물 B5」 대신에, 「인광 발광성 화합물 B6」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D61과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D63을 제작했다.
발광 소자 D63에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.19, 0.39)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<비교예 CD26> 발광 소자 CD26의 제작과 평가
실시예 D63의 (제1 층의 형성)에 있어서의, 「화합물 HM-3」 대신에, 「화합물 HM-1」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D63과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD26을 제작했다.
발광 소자 CD26에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.19, 0.40)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D63 및 비교예 CD26의 결과를 표 19에 나타낸다. 발광 소자 CD26의 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D63의 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00156
<실시예 D64> 발광 소자 D64의 제작과 평가
(양극 및 정공 주입층의 형성)
유리 기판에 스퍼터법에 의해 45㎚의 두께로 ITO막을 붙임으로써 양극을 형성했다. 해당 양극 상에 정공 주입 재료인 ND-3202(닛산 가가쿠 고교제)를 스핀 코트법에 의해 35㎚의 두께로 성막했다. 대기 분위기 하에서, 핫 플레이트 상에서 50℃, 3분간 가열하고, 또한 230℃, 15분간 가열함으로써 정공 주입층을 형성했다.
(정공 수송층의 형성)
크실렌에 고분자 화합물 HTL-2를 0.7질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 사용하여, 정공 주입층 상에 스핀 코트법에 의해 20㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 핫 플레이트 상에서 180℃, 60분간 가열시킴으로써 정공 수송층을 형성했다. 이 가열에 의해, 고분자 화합물 HTL-2는, 가교체가 되었다.
(제1 층의 형성)
톨루엔에, 화합물 HM-2 및 인광 발광성 화합물 G1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 G1=70질량%/30질량%)을 2.0질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 톨루엔 용액을 사용하여, 정공 수송층 상에 스핀 코트법에 의해 75㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제1 층(제1 발광층)을 형성했다.
(제2 층의 형성)
2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올에, 고분자 화합물 ETL-1을 0.25질량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-펜탄올 용액을 사용하여, 제1 층 상에 스핀 코트법에 의해 10㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제2 층(전자 수송층)을 형성했다.
(제3 층의 형성)
제2 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 제3 층(전자 주입층)으로서, 제2 층 상에 불화나트륨(NaF)을 4㎚ 증착했다.
(음극의 형성)
제3 층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서, 1.0×10-4㎩ 이하로까지 감압한 후, 음극으로서, 알루미늄을 약 80㎚ 증착했다. 증착 후, 유리 기판을 사용해서 밀봉함으로써, 발광 소자 D64를 제작했다.
(발광 소자의 평가)
발광 소자 D64에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.63)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D65> 발광 소자 D15의 제작과 평가
실시예 D64에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D64와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D65를 제작했다.
발광 소자 D65에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.30, 0.63)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D66> 발광 소자 D66의 제작과 평가
실시예 D64에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-5」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D64와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D66을 제작했다.
발광 소자 D66에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.30, 0.64)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D67> 발광 소자 D67의 제작과 평가
실시예 D64에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-8」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D64와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D67을 제작했다.
발광 소자 D67에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.63)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D68> 발광 소자 D68의 제작과 평가
실시예 D64에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-7」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D64와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D68을 제작했다.
발광 소자 D68에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.63)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D69> 발광 소자 D69의 제작과 평가
실시예 D64에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-6」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D64와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D69를 제작했다.
발광 소자 D69에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.30, 0.64)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D70> 발광 소자 D70의 제작과 평가
실시예 D64에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-10」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D64와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D70을 제작했다.
발광 소자 D70에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.31, 0.63)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D64 내지 D70의 결과를 표 20에 나타낸다. 발광 소자 D70의 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D64 내지 D69의 휘도가 초기 휘도의 95%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00157
<실시예 D71> 발광 소자 D71의 제작과 평가
실시예 D64에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2 및 인광 발광성 화합물 G1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 G1=70질량%/30질량%)」 대신에, 「화합물 HM-2 및 인광 발광성 화합물 R1(화합물 HM-2/인광 발광성 화합물 R1=90질량%/10질량%)」를 사용한 것 이외에는, 실시예 D64와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D71을 제작했다.
발광 소자 D71에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.67, 0.32)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D72> 발광 소자 D72의 제작과 평가
실시예 D71에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-3」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D71과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D72를 제작했다.
발광 소자 D72에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.67, 0.33)이었다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D73> 발광 소자 D73의 제작과 평가
실시예 D71에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-11」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D71과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D73을 제작했다.
발광 소자 D73에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.67, 0.32)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D74> 발광 소자 D74의 제작과 평가
실시예 D71에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-7」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D71과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D74를 제작했다.
발광 소자 D74에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.67, 0.32)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D75> 발광 소자 D75의 제작과 평가
실시예 D71에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-6」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D71과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D75를 제작했다.
발광 소자 D75에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.67, 0.32)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
<실시예 D76> 발광 소자 D76의 제작과 평가
실시예 D71에 있어서, (제1 층의 형성)의 「화합물 HM-2」 대신에, 「화합물 HM-10」을 사용한 것 이외에는, 실시예 D71과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D76을 제작했다.
발광 소자 D76에 전압을 인가함으로써 EL 발광이 관측되었다. 100cd/㎡에 있어서의 CIE 색도 좌표(x, y)는 (0.67, 0.32)였다. 전류값 1㎃로 정전류 구동시켜서, 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간을 측정했다.
실시예 D71 내지 D76의 결과를 표 21에 나타낸다. 발광 소자 D76의 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)을 1.0으로 했을 때의 발광 소자 D71 내지 D75의 휘도가 초기 휘도의 75%가 될 때까지의 시간(휘도 수명)의 상대값을 나타낸다.
Figure pct00158
본 발명에 따르면, 휘도 수명이 우수한 발광 소자를 제공할 수 있다.

Claims (13)

  1. 양극과,
    음극과,
    양극 및 음극 사이에 마련되어 있고, 식 (C-1)로 표시되는 화합물을 함유하는 제1 층과,
    제1 층 및 음극 사이에 마련되어 있고, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 제2 층과,
    제2 층 및 음극 사이에 음극에 접해서 마련되어 있고, 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 제3 층을 갖는 발광 소자로서,
    제2 층에 함유되는 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종과, 제3 층에 함유되는 알칼리 금속 원소만을 포함하는 단체, 제2족 원소만을 포함하는 단체, 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물, 및 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 서로 다른, 발광 소자.
    Figure pct00159

    [식 중,
    환 R1C, 환 R2C, 환 R3C 및 환 R4C는 각각 독립적으로, 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 해당 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
    RC는 탄소 원자, 규소 원자, 게르마늄 원자, 주석 원자 또는 납 원자를 나타낸다.]
  2. 제1항에 있어서, 상기 환 R1C, 상기 환 R2C, 상기 환 R3C 및 상기 환 R4C 중 적어도 하나가, 치환기로서 식 (D-1)로 표시되는 기를 갖는, 발광 소자.
    Figure pct00160

    [식 중,
    환 RD는 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 해당 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
    XD1 및 XD2는 각각 독립적으로, 단결합, 산소 원자, 황 원자, -N(RXD1)-로 표현되는 기, 또는 -C(RXD2)2-로 표현되는 기를 나타낸다. RXD1 및 RXD2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RXD2는, 동일해도 되고 상이해도 되며, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
    E1D, E2D 및 E3D는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다.
    R1D, R2D 및 R3D는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
    E1D가 질소 원자인 경우, R1D는 존재하지 않는다. E2D가 질소 원자인 경우, R2D는 존재하지 않는다. E3D가 질소 원자인 경우, R3D는 존재하지 않는다.
    R1D와 R2D는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. R2D와 R3D는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. R1D와 RXD1은, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. R1D와 RXD2는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 RD가 갖고 있어도 되는 치환기와 RXD1은, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 RD가 갖고 있어도 되는 치환기와 RXD2는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
  3. 제2항에 있어서, 상기 식 (D-1)로 표시되는 기가, 식 (D-2)로 표시되는 기인, 발광 소자.
    Figure pct00161

    [식 중,
    XD1, XD2, E1D, E2D, E3D, R1D, R2D 및 R3D는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
    E4D, E5D, E6D 및 E7D는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다.
    R4D, R5D, R6D 및 R7D는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
    E4D가 질소 원자인 경우, R4D는 존재하지 않는다. E5D가 질소 원자인 경우, R5D는 존재하지 않는다. E6D가 질소 원자인 경우, R6D는 존재하지 않는다. E7D가 질소 원자인 경우, R7D는 존재하지 않는다.
    R4D와 R5D, R5D와 R6D, R6D와 R7D, R4D와 RXD1, R4D와 RXD2, R7D와 RXD1 및 R7D와 RXD2는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 식 (C-1)로 표시되는 화합물이, 식 (C-2)로 표시되는 화합물인, 발광 소자.
    Figure pct00162

    [식 중,
    RC는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
    E11C, E12C, E13C, E14C, E21C, E22C, E23C, E24C, E31C, E32C, E33C, E34C, E41C, E42C, E43C 및 E44C는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다.
    환 R1C', 환 R2C', 환 R3C' 및 환 R4C'는 각각 독립적으로, 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다.
    R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
    E11C가 질소 원자인 경우, R11C는 존재하지 않는다. E12C가 질소 원자인 경우, R12C는 존재하지 않는다. E13C가 질소 원자인 경우, R13C는 존재하지 않는다. E14C가 질소 원자인 경우, R14C는 존재하지 않는다. E21C가 질소 원자인 경우, R21C는 존재하지 않는다. E22C가 질소 원자인 경우, R22C는 존재하지 않는다. E23C가 질소 원자인 경우, R23C는 존재하지 않는다. E24C가 질소 원자인 경우, R24C는 존재하지 않는다. E31C가 질소 원자인 경우, R31C는 존재하지 않는다. E32C가 질소 원자인 경우, R32C는 존재하지 않는다. E33C가 질소 원자인 경우, R33C는 존재하지 않는다. E34C가 질소 원자인 경우, R34C는 존재하지 않는다. E41C가 질소 원자인 경우, R41C는 존재하지 않는다. E42C가 질소 원자인 경우, R42C는 존재하지 않는다. E43C가 질소 원자인 경우, R43C는 존재하지 않는다. E44C가 질소 원자인 경우, R44C는 존재하지 않는다.
    R11C와 R12C, R12C와 R13C, R13C와 R14C, R14C와 R34C, R34C와 R33C, R33C와 R32C, R32C와 R31C, R31C와 R41C, R41C와 R42C, R42C와 R43C, R43C와 R44C, R44C와 R24C, R24C와 R23C, R23C와 R22C, R22C와 R21C 및 R21C와 R11C는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
  5. 제4항에 있어서, 상기 식 (C-2)로 표시되는 화합물이, 식 (C-3)으로 표시되는 화합물인, 발광 소자.
    Figure pct00163

    [식 중, RC, R11C, R12C, R13C, R14C, R21C, R22C, R23C, R24C, R31C, R32C, R33C, R34C, R41C, R42C, R43C 및 R44C는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 R11C, 상기 R12C, 상기 R14C, 상기 R21C, 상기 R22C, 상기 R24C, 상기 R31C, 상기 R32C, 상기 R34C, 상기 R41C, 상기 R42C 및 상기 R44C 중 적어도 하나가, 상기 식 (D-1)로 표시되는 기인, 발광 소자.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층이, 또한 인광 발광성 화합물을 포함하는, 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 인광 발광성 화합물이, 식 (1)로 표시되는 인광 발광성 화합물인, 발광 소자.
    Figure pct00164

    [식 중,
    M은 루테늄 원자, 로듐 원자, 팔라듐 원자, 이리듐 원자 또는 백금 원자를 나타낸다.
    n1은 1 이상의 정수를 나타내고, n2는 0 이상의 정수를 나타낸다. 단, M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n1+n2는 3이고, M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n1+n2는 2이다.
    E1 및 E2는 각각 독립적으로, 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. 단, E1 및 E2의 적어도 한쪽은 탄소 원자이다. E1 및 E2가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다.
    환 L1은, 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 복소환을 나타낸다. 해당 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 L1이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
    환 L2는, 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 해당 치환기가 복수 존재하는 경우, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 L2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.
    환 L1이 갖고 있어도 되는 치환기와, 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
    A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타낸다. A1 및 A2는 각각 독립적으로, 탄소 원자, 산소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 이들 원자는 환을 구성하는 원자여도 된다. G1은 단결합, 또는 A1 및 A2와 함께 2좌 배위자를 구성하는 원자단을 나타낸다. A1-G1-A2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 된다.]
  9. 제8항에 있어서, 상기 식 (1)로 표시되는 인광 발광성 화합물이, 식 (1-A)로 표시되는 인광 발광성 화합물 또는 식 (1-B)로 표시되는 인광 발광성 화합물인, 발광 소자.
    Figure pct00165

    [식 중,
    M, n1, n2, E1 및 A1-G1-A2는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
    E11A, E12A, E13A, E21A, E22A, E23A 및 E24A는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다. E11A, E12A, E13A, E21A, E22A, E23A 및 E24A가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. E11A가 질소 원자인 경우, R11A는 존재해도 존재하지 않아도 된다. E12A가 질소 원자인 경우, R12A는 존재해도 존재하지 않아도 된다. E13A가 질소 원자인 경우, R13A는 존재해도 존재하지 않아도 된다. E21A가 질소 원자인 경우, R21A는 존재하지 않는다. E22A가 질소 원자인 경우, R22A는 존재하지 않는다. E23A가 질소 원자인 경우, R23A는 존재하지 않는다. E24A가 질소 원자인 경우, R24A는 존재하지 않는다.
    R11A, R12A, R13A, R21A, R22A, R23A 및 R24A는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 알케닐기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R11A, R12A, R13A, R21A, R22A, R23A 및 R24A가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. R11A와 R12A, R12A와 R13A, R11A와 R21A, R21A와 R22A, R22A와 R23A 및 R23A와 R24A는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
    환 L1A는 트리아졸환 또는 디아졸환을 나타낸다.
    환 L2A는 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다.]
    Figure pct00166

    [식 중,
    M, n1, n2 및 A1-G1-A2는, 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
    E11B, E12B, E13B, E14B, E21B, E22B, E23B 및 E24B는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다. E11B, E12B, E13B, E14B, E21B, E22B, E23B 및 E24B가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. E11B가 질소 원자인 경우, R11B는 존재하지 않는다. E12B가 질소 원자인 경우, R12B는 존재하지 않는다. E13B가 질소 원자인 경우, R13B는 존재하지 않는다. E14B가 질소 원자인 경우, R14B는 존재하지 않는다. E21B가 질소 원자인 경우, R21B는 존재하지 않는다. E22B가 질소 원자인 경우, R22B는 존재하지 않는다. E23B가 질소 원자인 경우, R23B는 존재하지 않는다. E24B가 질소 원자인 경우, R24B는 존재하지 않는다.
    R11B, R12B, R13B, R14B, R21B, R22B, R23B 및 R24B는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 알케닐기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R11B, R12B, R13B, R14B, R21B, R22B, R23B 및 R24B가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 된다. R11B와 R12B, R12B와 R13B, R13B와 R14B, R11B와 R21B, R21B와 R22B, R22B와 R23B 및 R23B와 R24B는, 서로 결합하고, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
    환 L1B는 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다.
    환 L2B는 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다.]
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 층이, 상기 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물 및 상기 제2족 원소를 포함하는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 층인, 발광 소자.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 층이, 상기 알칼리 금속 원소를 포함하는 화합물 및 상기 제2족 원소만을 포함하는 단체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 층인, 발광 소자.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 층과 상기 제3 층이 인접해 있는, 발광 소자.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층과 상기 제2 층이 인접해 있는, 발광 소자.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6519719B2 (ja) * 2017-04-27 2019-05-29 住友化学株式会社 発光素子
WO2020235562A1 (ja) * 2019-05-20 2020-11-26 三菱ケミカル株式会社 有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子とその製造方法、及び表示装置
CN115812350A (zh) * 2020-07-24 2023-03-17 株式会社半导体能源研究所 发光器件、发光装置、电子设备及照明装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0028867D0 (en) 2000-11-28 2001-01-10 Avecia Ltd Field effect translators,methods for the manufacture thereof and materials therefor
KR100798562B1 (ko) 2000-11-30 2008-01-31 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
KR20120003975A (ko) 2003-11-14 2012-01-11 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 할로겐화 비스디아릴아미노폴리시클릭 방향족 화합물 및 그의 중합체
TWI385193B (zh) 2004-12-07 2013-02-11 Sumitomo Chemical Co 高分子材料及使用該高分子材料之元件
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
JP5446079B2 (ja) 2006-09-25 2014-03-19 住友化学株式会社 高分子化合物及びそれを用いた高分子発光素子
JP5262104B2 (ja) 2006-12-27 2013-08-14 住友化学株式会社 金属錯体、高分子化合物及びこれらを含む素子
EP2249411A4 (en) 2008-03-07 2014-03-26 Sumitomo Chemical Co LAYER STRUCTURE
CN102015820A (zh) 2008-04-25 2011-04-13 住友化学株式会社 具有含氮杂环化合物的残基的高分子化合物
JP5609022B2 (ja) 2008-06-23 2014-10-22 住友化学株式会社 金属錯体の残基を含む高分子化合物及びそれを用いた素子
JP5720097B2 (ja) 2009-01-20 2015-05-20 住友化学株式会社 メタフェニレン系高分子化合物及びそれを用いた発光素子
DE102009032922B4 (de) 2009-07-14 2024-04-25 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen, Verfahren zu deren Herstellung, deren Verwendung sowie elektronische Vorrichtung
JP5752381B2 (ja) 2009-09-30 2015-07-22 住友化学株式会社 積層構造体、重合体、電界発光素子及び光電変換素子
JP5742160B2 (ja) 2009-10-19 2015-07-01 住友化学株式会社 金属錯体、高分子化合物及びそれを用いた素子
US9331284B2 (en) 2010-01-28 2016-05-03 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer compound and light-emitting device using same
WO2011111438A1 (ja) * 2010-03-09 2011-09-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス部材及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2011143127A2 (en) * 2010-05-13 2011-11-17 Sri International Cavity electroluminescent devices with integrated microlenses
US9203037B2 (en) * 2010-06-18 2015-12-01 Basf Se Organic electronic devices comprising a layer of a dibenzofurane compound and a 8-hydroxypquinolinolato earth alkaline metal, or alkali metal complex
JP2014500240A (ja) 2010-10-11 2014-01-09 ソルヴェイ（ソシエテ アノニム） 発光デバイス用のスピロビフルオレン化合物
US9076971B2 (en) 2010-10-11 2015-07-07 Solvay (Societe Anonyme) Spirobifluorene compounds
TWI545143B (zh) 2011-03-28 2016-08-11 住友化學股份有限公司 電子裝置、高分子化合物
JP2012216815A (ja) 2011-03-28 2012-11-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 電子デバイス、高分子化合物
TW201247733A (en) 2011-03-28 2012-12-01 Sumitomo Chemical Co Electronic device and polymer compound
JP2012209464A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2013048190A (ja) 2011-08-29 2013-03-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
EP2760846B1 (en) 2011-09-28 2017-04-26 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Spirobifluorene compounds for light emitting devices
WO2013045408A1 (en) 2011-09-28 2013-04-04 Solvay Sa Spirobifluorene compounds for light emitting devices
US9929347B2 (en) 2012-03-27 2018-03-27 Sumitomo Chemical Company, Limtied Polymer compound and light emitting element using same
JP5970952B2 (ja) 2012-05-16 2016-08-17 住友化学株式会社 高分子化合物およびそれを用いた発光素子
EP2883422B1 (de) 2012-08-10 2018-03-07 Merck Patent GmbH Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
CN102911145A (zh) 2012-09-20 2013-02-06 苏州大学 一种二苯并杂环连螺双芴化合物及其制备方法以及一种有机电致磷光器件
JP6331617B2 (ja) 2013-04-15 2018-05-30 住友化学株式会社 金属錯体およびそれを用いた発光素子
KR102239408B1 (ko) * 2013-07-02 2021-04-12 메르크 파텐트 게엠베하 폴리시클릭 화합물
WO2015159932A1 (ja) * 2014-04-18 2015-10-22 住友化学株式会社 発光素子およびそれに用いる高分子化合物
JP5867580B2 (ja) * 2014-06-04 2016-02-24 住友化学株式会社 発光素子
GB2538500A (en) 2015-05-15 2016-11-23 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting compound
CN106221691B (zh) * 2016-04-25 2020-02-21 中节能万润股份有限公司 一种含有氮杂苯基类化合物的有机电致发光器件及其应用
CN107068887B (zh) * 2016-04-25 2018-10-02 中节能万润股份有限公司 一种有机电致发光器件及其应用
KR20180032294A (ko) * 2016-09-22 2018-03-30 엘지디스플레이 주식회사 인광 화합물과 이를 이용한 발광다이오드 및 유기발광다이오드 표시장치

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