JP6331617B2

JP6331617B2 - 金属錯体およびそれを用いた発光素子

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Publication number: JP6331617B2
Application number: JP2014080796A
Authority: JP
Inventors: 一栄大内; 後藤　修; 修後藤; 浩平浅田; 玲岡村; 佑典石井
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2013-04-15
Filing date: 2014-04-10
Publication date: 2018-05-30
Anticipated expiration: 2034-04-10
Also published as: JP2014224101A

Description

本発明は、金属錯体、該金属錯体から誘導される基を構成単位として含む高分子化合物、該金属錯体または該高分子化合物を含有する組成物および有機薄膜、並びに、該金属錯体または該高分子化合物を含有する発光素子に関する。本発明はまた、該金属錯体の製造方法、および、該金属錯体の製造に有用な化合物に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物が種々検討されている。このような燐光発光性化合物としては、中心金属が第５周期または第６周期に属する遷移金属である金属錯体が数多く検討されている。例えば、特許文献１では、デンドロンを置換基として導入した配位子を有する金属錯体（例えば、下記式で表される金属錯体）が提案されており、有機溶媒に対する溶解性や塗布成膜性が優れるだけでなく、電荷輸送性および発光効率に優れる発光素子の製造に有用であることが知られている。ここで、デンドロンは分岐構造（ｂｒａｎｃｈｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）であり、デンドロンを有する高度に枝分かれした巨大分子はデンドリマーと呼ばれることがある。

国際公開２００２／０６６５５２号

しかしながら、上記の金属錯体を用いて製造される発光素子は、得られる発光効率が十分ではなかった。

そこで本発明は、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体および該金属錯体から誘導される基を構成単位として含む高分子化合物を提供することを目的とする。本発明はまた、該金属錯体または該高分子化合物を含有する組成物および有機薄膜、並びに、該金属錯体または該高分子化合物を含有する発光素子を提供することを目的とする。本発明はさらに、該金属錯体の製造方法、および、該金属錯体の製造に有用な化合物を提供することを目的とする。

本発明は、第一に、下記式（１）で表される金属錯体を提供する。

［式（１）中、
Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表す。
ｎ１は、１、２または３を表す。ｎ２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合は、ｎ１＋ｎ２＝３であり、Ｍが白金原子の場合は、ｎ１＋ｎ２＝２である。
Ａ^１−Ｇ−Ａ^２は、１価のアニオン性２座配位子を表し、Ｇは、Ａ^１およびＡ^２と共に２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｍ１およびｍ２は、それぞれ独立に、３または４を表す。
Ｅ^１、Ｅ²、Ｅ^３およびＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。複数存在するＥ^１およびＥ²は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^Ａ１は存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^Ａ２は存在しても存在しなくてもよい。
Ｒ^Ａ１およびＲ^Ａ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン原子または下記式（２）で表される基を表す。複数存在するＲ^Ａ１およびＲ^Ａ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^Ａ１同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。隣接するＲ^Ａ２同士が結合して、それぞれが結合するＥ²とともに環を形成していてもよい。Ｅ^３に隣接するＥ^１と結合するＲ^Ａ１と、Ｅ^４に隣接するＥ^２と結合するＲ^Ａ２とが結合して、それぞれが結合するＥ^１およびＥ^２とともに環を形成していてもよい。ただし、複数存在するＲ^Ａ１およびＲ^Ａ２の少なくとも１つは、下記式（２）で表される基である。
環Ａは、窒素原子、Ｅ^３およびｍ１個のＥ^１とで構成される、５員環または６員環の芳香族複素環を表す。
環Ｂは、炭素原子、Ｅ^４およびｍ２個のＥ^２とで構成される、５員環または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。
Ｌ^Ａは、単結合、−Ｎ（Ｒ^Ｂ）−、−Ｃ（Ｒ^Ｂ）_２−または酸素原子を表す。Ｒ^Ｂは、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。Ｒ^Ｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式（２）中、
Ｌ^Ｂは、単結合または下記群Ｉから選ばれる連結基を表す。
Ｄ^１は、下記式（３）で表される基を表す。］
＜群Ｉ＞
−Ｏ−、−［Ｃ（Ｒ^Ｃ）_２］_ｊ−、下記式（Ｉ−ａ）で表される基、および、下記式（Ｉ−ｂ）で表される基。
Ｒ^ｃは、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ^ｃが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｊは１〜１０の整数を表す。

［式（Ｉ−ａ）および（Ｉ−ｂ）中、
Ｚ^１〜Ｚ^８は、それぞれ独立に、窒素原子または−Ｃ（Ｒ^ｃ）＝を表す。Ｒ^ｃは前記と同じ意味を表す。］

［式（３）中、
Ｚ^９〜Ｚ^１３は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｚ^９〜Ｚ^１３が窒素原子の場合、Ｚ^９〜Ｚ^１３とそれぞれ結合するＲ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ５は存在しない。ただし、Ｚ^９〜Ｚ^１３の少なくとも１つは炭素原子である。
Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、下記式（４）で表される基、下記式（５）で表される基、または、下記式（６）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ５の少なくとも一つは、下記式（４）で表される基、下記式（５）で表される基、または、下記式（６）で表される基である。］

［式（５）中、
Ｒ^Ｅ１〜Ｒ^Ｅ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基または前記式（４）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｅ１〜Ｒ^Ｅ５の少なくとも一つは、前記式（４）で表される基である。］

［式（６）中、
Ｒ^Ｆ１〜Ｒ^Ｆ３は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。
Ｒ^Ｆ４〜Ｒ^Ｆ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基または前記式（４）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｆ４〜Ｒ^Ｆ１３の少なくとも一つは、前記式（４）で表される基である。］

本発明は、第二に、前記金属錯体から誘導される基を構成単位として含む高分子化合物を提供する。

本発明は、第三に、前記金属錯体を含有する組成物を提供する。

本発明は、第四に、前記金属錯体を含有する有機薄膜を提供する。

本発明は、第五に、前記金属錯体を含有する発光素子を提供する。

本発明は、第六に、前記金属錯体の製造に有用な下記式（９）で表される化合物を提供する。

［式（９）中、
Ｗ^１は、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または−ＯＲ^Ｊで表される基を表し、Ｘ^１とＸ^２が結合して、それぞれが結合するホウ素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^Ｊは、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。
Ｚ^９〜Ｚ^１３は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｚ^９〜Ｚ^１３が窒素原子の場合、Ｚ^９〜Ｚ^１３とそれぞれ結合するＲ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５は存在しない。ただし、Ｚ^９〜Ｚ^１３の少なくとも１つは炭素原子である。
Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、下記式（５）で表される基、または、下記式（６）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５の少なくとも一つは、下記式（５）で表される基または下記式（６）で表される基である。］

［式（６）中、
Ｒ^Ｆ１〜Ｒ^Ｆ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基または前記式（４）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｆ１〜Ｒ^Ｆ１３の少なくとも一つは、前記式（４）で表される基である。］

本発明は、第七に、前記式（９）で表される化合物と、下記式（１０）で表される金属錯体を反応させる工程を含む、下記式（１−ｆ）で表される金属錯体の製造方法を提供する。

［式（１０）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1およびｎ２は、前記と同じ意味を表す。
ｍ３は、３または４を表す。
Ｒ^Ａ４は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。複数存在するＲ^Ａ４は、同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^Ａ４同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。
Ｗ^２は、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または−ＯＲ^Ｊで表される基を表し、Ｘ^１とＸ^２が結合して、それぞれが結合するホウ素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^Ｊは、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。］

［式（１−ｆ）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。
Ｄ^２は、下記式（８）で表される基を表す。］

［式（８）中、
Ｚ^９〜Ｚ^１３は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、前記式（５）で表される基または前記式（６）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５の少なくとも一つは、前記式（５）で表される基または前記式（６）で表される基である。］

本発明によれば、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体および該金属錯体から誘導される基を構成単位として含む高分子化合物を提供することができる。また、本発明によれば、該金属錯体または該高分子化合物を含有する組成物および有機薄膜、並びに、該金属錯体または該高分子化合物を含有する発光素子を提供することができる。本発明はさらに、該金属錯体の製造方法、および、該金属錯体の製造に有用な化合物を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜用語、記号の説明＞
以下、本発明をより明確なものとするために、本明細書中における用語、記号に関して説明する。

「発光効率」とは、発光素子の輝度を単位面積当たりの入力電流で除した値であり、単位としては、［ｃｄ／Ａ］が通常用いられる。

「輝度寿命」とは、輝度が初期値に対して一定の割合に達するまでの駆動時間であり、通常、一定電流密度で駆動したときの値をいう。「輝度寿命」は発光素子の安定性の指標の一つとなる。

本明細書中の構造式において、破線または矢印で示される結合は、配位結合を示す。

「残基」とは、「化合物からｋ個の水素原子を取り除いた残りの原子団で表されるｋ価の基」を意味するものであり、ｋで表される数、および、取り除かれる水素原子の位置に関しては、必要に応じて、本明細書中でより詳細に説明されるものである。

「高分子化合物」とは、単量体を用いた重合反応により得られる分子量分布を有する重合体であり、特に、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３〜１×１０^８であるものを意味する。「低分子化合物」とは、高分子化合物のような分子量分布を有さない化合物であり、分子量が通常５０００以下のものを意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味し、この構成単位は、「繰り返し単位」（高分子化合物中に２個以上存在する単位）として高分子化合物中に存在するものであると好ましい。即ち、繰り返し単位は高分子化合物を製造する際の重合反応において、結合を形成することが可能な脱離基（重合活性基）を除いた部分構造により形成される構成単位または構成連鎖である。なお、「構成連鎖」とは、高分子化合物中において、２つ以上の構成単位が単結合によって結合して形成された構造を意味する。

「ｎ価の芳香族複素環基」（ｎは、１以上の整数を表す。）とは、芳香族性を示す複素環式化合物から、環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子のうちｎ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味し、縮合環を有するものも含む。「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する原子として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子等のヘテロ原子を含む化合物をいう。

「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等のヘテロ原子を含む複素環式化合物であり、複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等のヘテロ原子を含む複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（デンドリマー構造）を有する基である。上述したように、デンドロンを有する高度に枝分かれした巨大分子はデンドリマーと呼ばれることがあり、例えば、ＷＯ０２／０６６５７５、ＷＯ０２／０６６５５２、ＷＯ０２／０６７３４３等において開示されており、種々の機能を付与することを目的として設計および合成がなされている。

本発明の金属錯体における配位子はデンドロンを有することが好ましい。当該デンドロンとしては、環を分岐点とするデンドロンが好ましく、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を分岐点とするデンドロンがより好ましく、芳香族炭化水素環を分岐点とするデンドロンがさらに好ましく、下記式（Ｄ−１）または（Ｄ−２）で表されるデンドロンが特に好ましい。

［式中、
Ｒ^ｄは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｄが複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ｎｄは、０〜５の整数である。複数個存在するｎｄは、同一であっても異なっていてもよい。］

Ｒ^ｄで表されるアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基およびハロゲン原子の定義や例は、後述の＜置換基の説明＞におけるアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基およびハロゲン原子の定義および例と同じである。Ｒ^ｄとしては、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基が好ましく、アルキル基またはアリール基がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。

また、本明細書において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表し、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を表し、ｔＢｕ、ｔ−Ｂｕおよびｔ−ブチル基はｔｅｒｔ−ブチル基を表し、ＯＴｆは、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基（−ＯＳＯ_２ＣＦ_３で表される基）を表す。

＜置換基の説明＞
本明細書に示した各種の置換基について具体的に説明する。本明細書では、特別な説明がない限り、各置換基は以下で説明されるものとする。また、本明細書では、金属錯体、並びに、高分子化合物に含まれる構成単位および繰り返し単位の有する水素原子は任意に重水素原子に置き換えられていてもよく、同様に、他の原子も、天然に存在する各種同位体に置き換わったものであってもよい。

（アルキル基）
アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれであってもよいが、直鎖アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、１〜２０（分岐アルキル基および環状アルキル基の場合、３〜２０）が好ましく、より好ましくは１〜１５（分岐アルキル基および環状アルキル基の場合、３〜１５）、さらに好ましくは１〜１２（分岐アルキル基および環状アルキル基の場合、３〜１２）。アルキル基が有していてもよい置換基としては、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられる。

（アリール基）
アリール基は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団であり、縮合環を有するものを含む。アリール基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、６〜６０が好ましく、６〜４８がより好ましく、６〜２０が更に好ましく、６〜１４が特に好ましい。アリール基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、ハロゲン原子およびシアノ基が挙げられる。
アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

（１価の芳香族複素環基）
１価の芳香族複素環基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、２〜６０が好ましく、３〜２０がより好ましい。１価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、ハロゲン原子およびシアノ基が挙げられる。
１価の芳香族複素環基の具体例としては、２−オキサジアゾリル基、２−チアジアゾリル基、２−チアゾリル基、２−オキサゾリル基、２−チエニル基、２−ピロリル基、２−フリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピラジル基、２−ピリミジニル基、２−トリアジニル基、３−ピリダジニル基、３−カルバゾリル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基等が挙げられる。

（アルコキシ基）
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれであってもよいが、直鎖アルコキシ基が好ましい。アルコキシ基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、１〜２０（分岐アルコキシ基および環状アルコキシ基の場合、３〜２０）が好ましい。アルコキシ基が有していてもよい置換基としては、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基、２−エトキシエチルオキシ基等が挙げられる。

（アリールオキシ基）
アリールオキシ基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、６〜６０が好ましい。アリールオキシ基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、ハロゲン原子およびシアノ基が挙げられる。
アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基（「Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。

（アラルキル基）
アラルキル基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、７〜６０が好ましい。
アラルキル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、ハロゲン原子およびシアノ基が挙げられる。
アラルキル基の具体例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基等が挙げられる。

（アリールアルコキシ基）
アリールアルコキシ基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、７〜６０が好ましい。アリールアルコキシ基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、ハロゲン原子およびシアノ基が挙げられる。
アリールアルコキシ基の具体例としては、フェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１〜Ｃ_１２アルコキシ基等が挙げられる。

（アルケニル基）
アルケニル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれであってもよく、前記アルケニル基の炭素数は、通常２〜２０である。前記アルケニル基としては、炭素数が２以上の場合の前記アルキル基において、隣り合う任意の２個の炭素原子間の直接結合を２重結合に置き換えて表される基が挙げられる。

（アルキニル基）
アルキニル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれであってもよく、前記アルキニル基の炭素数は、通常２〜２０である。前記アルキニル基としては、炭素数が２以上の場合の前記アルキル基において、隣り合う任意の２個の炭素原子間の直接結合を３重結合に置き換えて表される基が挙げられる。

（置換アミノ基）
置換アミノ基の炭素数は、置換基の炭素数を含めて、２〜６０が好ましい。置換アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基および１価の芳香族複素環基が挙げられる。置換アミノ基は、アミノ基が有する置換基同士が、直接結合して、それぞれが結合する窒素原子とともに環構造を形成した基、および、炭素原子、酸素原子、硫黄原子等を介して結合して、それぞれが結合する窒素原子とともに環構造を形成した基であってもよい。置換アミノ基としては、ジアルキル置換アミノ基、ジアリール置換アミノ基が好ましい。
置換アミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ−４−トリルアミノ基、ジ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、Ｎ−カルバゾリル基、Ｎ−フェノキサジニル基、Ｎ−アクリジニル基、Ｎ−フェノチアジニル基等が挙げられる。

（置換カルボニル基）
置換カルボニル基の炭素数は、置換基の炭素数を含めて、２〜６０が好ましい。
置換カルボニル基としては、−ＣＯＲ^２３（Ｒ^２３は所定の置換基を表す。）で表される基であって、Ｒ^２３がアルキル基、アリール基、アラルキル基または１価の芳香族複素環基である基が挙げられる。
置換カルボニル基の具体例としては、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。

（置換オキシカルボニル基）
置換オキシカルボニル基の炭素数は、置換基の炭素数を含めて、２〜６０が好ましい。
置換オキシカルボニル基としては、−ＣＯＯＲ^２４（Ｒ^２４は所定の置換基を表す。）で表される基であって、Ｒ^２４がアルキル基、アリール基、アラルキル基または１価の芳香族複素環基である基が挙げられる。
置換オキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等が挙げられる。

(ハロゲン原子)
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、臭素原子、ヨウ素子が好ましい。

（アリーレン基）
アリーレン基は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味し、縮合環を有するものを含む。アリーレン基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、６〜６０が好ましく、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０であり、特に好ましくは６〜１８である。アリーレン基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アリーレン基の具体例としては、１，４−フェニレン基（下記式００１）、１，３−フェニレン基（下記式００２）、１，２−フェニレン基（下記式００３）等のフェニレン基；ナフタレン−１，４−ジイル基（下記式００４）、ナフタレン−１，５−ジイル基（下記式００５）、ナフタレン−２，６−ジイル基（下記式００６）等のナフタレンジイル基；９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基（下記式００７）等のジヒドロフェナントレンジイル基；フルオレン−３，６−ジイル基（下記式００８）、フルオレン−２，７−ジイル基（下記式００９）等のフルオレンジイル基等が挙げられる。

式００１〜式００９中、Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。Ｒａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表す。
複数存在するＲは、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよい。複数存在するＲａは、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環構造を形成してもよい。

式００１〜００９中、Ｒとしては、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基または置換アミノ基が好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基がより好ましい。

式００１〜００９中、Ｒａとしては、アリール基またはアルキル基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基若しくはアリール基で置換されていてもよいアリール基、または、アルキル基がより好ましく、少なくとも１つのＲａは、アルキル基、アルコキシ基若しくはアリール基で置換されていてもよいアリール基であることが更に好ましい。

式００１〜００９中、ＲおよびＲａがそれぞれ形成する環構造としては、アルキル基で置換されていてもよいシクロペンチル環、アルキル基で置換されていてもよいシクロヘキシル環、アルキル基で置換されていてもよいシクロヘプチル環が好ましい。なお、当該環構造は、更にベンゼン環等が縮合した縮合環構造であってもよい。

（２価の芳香族複素環基）
２価の芳香族複素環基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、２〜６０が好ましく、３〜２０がより好ましい。２価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
２価の芳香族複素環基の具体例としては、ピリジン−２，５−ジイル基（下記式１０１）、ピリジン−２，６−ジイル基（下記式１０２）等のピリジンジイル基；ピリミジン−４，６−ジイル基（下記式１０３）等のピリミジンジイル基；トリアジン−２，４−ジイル基（下記式１０４）等のトリアジンジイル基；ピラジン−２，５−ジイル基（下記式１０５）等のピラジンジイル基；ピリダジン−３，６−ジイル基（下記式１０６）等のピリダジンジイル基；キノリン−２，６−ジイル基（下記式１０７）等のキノリンジイル基；イソキノリン−１，４−ジイル基（下記式１０８）等のイソキノリンジイル基；キノキサリン−５，８−ジイル基（下記式１０９）等のキノキサリンジイル基；カルバゾール−３，６−ジイル基（下記式１１０）、カルバゾール−２，７−ジイル基（下記式１１１）等のカルバゾールジイル基；ジベンゾフラン−２，８−ジイル基（下記式１１２）、ジベンゾフラン−３，７−ジイル基（下記式１１３）等のジベンゾフランジイル基；ジベンゾチオフェン−２，８−ジイル基（下記式１１４）、ジベンゾチオフェン−３，７−ジイル基（下記式１１５）等のジベンゾチオフェンジイル基；ジベンゾシロール−４，７−ジイル基（下記式１１６）、ジベンゾシロール−３，８−ジイル基（下記式１１７）等のジベンゾシロールジイル基；フェノキサジン−３，７−ジイル基（下記式１１８）、フェノキサジン−２，８−ジイル基（下記式１１９）等のフェノキサジンジイル基；フェノチアジン−３，７−ジイル基（下記式１２０）、フェノチアジン−２，８−ジイル基（下記式１２１）等のフェノチアジンジイル基；ジヒドロアクリジン−２，７−ジイル基（下記式１２２）等のジヒドロアクリジンジイル基；下記式１２３で表される２価の基；ピロ−ル−２，５−ジイル基（下記式１２４）等のピロールジイル基；フラン−２，５−ジイル基（下記式１２５）等のフランジイル基；チオフェン−２，５−ジイル基（下記式１２６）等のチオフェンジイル基；ジアゾール−２，５−ジイル基（下記式１２７）等のジアゾールジイル基；トリアゾール−２，５−ジイル基（下記式１２８）等のトリアゾールジイル基；オキサゾール−２，５−ジイル基（下記式１２９）等のオキサゾールジイル基；オキサジアゾール−２，５−ジイル基（下記式１３０）；チアゾール−２，５−ジイル基（式１３１）等のチアゾールジイル基；チアジアゾール−２，５−ジイル基（下記式１３２）等が挙げられる。

式１０１〜１３２中、ＲおよびＲａは、前記と同じ意味を表す。

（２価の芳香族アミン残基）
２価の芳香族アミン残基は、下記一般式（４）で表される。

（４）

式（４）中、
Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃおよびＡｒ^５ｄは、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆおよびＡｒ^５ｇは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃ、Ａｒ^５ｄ、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆおよびＡｒ^５ｇが有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられ、アルキル基、アリール基、アラルキル基が好ましい。
Ａｒ^５ｄ、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆおよびＡｒ^５ｇで表される基は、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接結合するか、または、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ(＝Ｏ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｏ−、−Ｎ(Ｒ^Ａ)−、−Ｃ(＝Ｏ)−Ｎ(Ｒ^Ａ)−若しくはＣ(Ｒ^Ａ)₂−で表される基を介して結合して、環構造を形成していてもよく、当該環構造としては、５〜７員環であることが好ましい。Ｒ^Ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ａが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよい。
ｍａおよびｍｂは、それぞれ独立に、０または１である。

また、式（４）中、Ａｒ^５ａ、Ａｒ^５ｂ、Ａｒ^５ｃおよびＡｒ^５ｄで表される基としては、アリーレン基が好ましく、中でも１，４−フェニレン基（式００１）、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基（式００７）、フルオレン−２，７−ジイル基（式００９）がより好ましく、１，４−フェニレン基（式００１）が特に好ましい。

式（４）中、Ａｒ^５ｅ、Ａｒ^５ｆおよびＡｒ^５ｇで表される基としては、本発明の金属錯体と高分子ホストを用いて得られる発光素子の輝度寿命等の安定性を高める観点から、アリール基が好ましく、アルキル基で置換されたフェニル基がより好ましい。また、式（４）中のＲ^Ａとしては、アルキル基、アリール基が好ましい。

式（４）で表される構成単位としては、式Ａｍ０１〜Ａｍ０６で表される構成単位が好ましい。なお、式中のＲは、上記と同義である。

＜金属錯体＞
次に、本発明の金属錯体について説明する。本発明の金属錯体は、前記式（１)で表される。

式（１）で表される金属錯体は、前記式（２）で表される基を有する。

式（２）中、Ｌ^Ｂは、単結合または下記群Ｉから選ばれる連結基を表す。

＜群Ｉ＞
−Ｏ−、−［Ｃ（Ｒ^Ｃ）_２］_ｊ−、下記式（Ｉ−ａ）で表される基、および、下記式（Ｉ−ｂ）で表される基。
Ｒ^ｃは、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ^ｃが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｊは１〜１０の整数を表す。

群Ｉ中、ｊは１〜８の整数であることが好ましく、１〜６の整数であることがより好ましい。

群Ｉ中、式（Ｉ−ａ）で表される基としては、以下の基が例示され、本発明の金属錯体における配位子の原料を入手し易いという観点から、式（Ｉ−ａ１）、（Ｉ−ａ２）、（Ｉ−ａ３）または（Ｉ−ａ４）で表される基が好ましく、式（Ｉ−ａ１）または（Ｉ−ａ２）で表される基がより好ましく、式（Ｉ−ａ１）で表される基が更に好ましい。

[式（Ｉ−ａ１）〜（Ｉ−ａ７）中、Ｒ^ｃは前記と同じ意味を表す。]

群Ｉ中、式（Ｉ−ｂ）で表される基としては、以下の基が例示され、本発明の金属錯体における配位子の原料を入手し易いという観点から、式（Ｉ−ｂ１）、（Ｉ−ｂ２）、（Ｉ−ｂ３）、（Ｉ−ｂ４）、（Ｉ−ｂ６）、（Ｉ−ｂ７）または（Ｉ−ｂ９）で表される基が好ましく、式（Ｉ−ｂ１）、（Ｉ−ｂ２）、（Ｉ−ｂ４）、（Ｉ−ｂ７）または（Ｉ−ｂ９）で表される基がより好ましく、式（Ｉ−ｂ１）または式（Ｉ−ｂ９）で表される構造が更に好ましい。

[式（Ｉ−ｂ１）〜（Ｉ−ｂ１０）中、Ｒ^ｃは前記と同じ意味を表す。]

式（２）中、Ｌ^Ｂは、本発明の金属錯体における配位子を合成しやすいという観点から、単結合、−［Ｃ（Ｒ^Ｃ）_２］_ｊ−、式（Ｉ−ａ）で表される基または式（Ｉ−ｂ）で表される基であることが好ましく、単結合、−［Ｃ（Ｒ^Ｃ）_２］_ｊまたは式（Ｉ−ａ）で表される基であることがより好ましく、単結合であることが更に好ましい。

式（２）中、Ｄ^１は、下記式（３）で表される基を表す。

本発明の金属錯体の有機溶媒に対する溶解性が優れるので、式（３）中のＲ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ５の少なくとも一つは、式（５）で表される基、または、式（６）で表される基であることが好ましい。

本発明の金属錯体を用いて製造される発光素子の発光効率がより優れるので、式（３）で表される基は、下記式（８）で表される基であることが好ましい。

式（３）で表される基としては、以下の基が例示され、式（３）で表される基の原料の合成が容易であるという観点から、式（３−１）、（３−４）、（３−６）または（３−１１）で表される基が好ましく、式（３−１）または（３−１１）で表される基がより好ましく、式（３−１）で表される基構造が更に好ましい。

[式（３−１）〜（３−１４）中、Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ５は、前記と同じ意味を表す。]

式（３）で表される基は、本発明の金属錯体における配位子の原料を入手しやすいという観点から、下記式（７−１）、（７−２）または（７−３）で表される基であることが好ましい。

［式（７−１）〜式（７−３）中、
Ｒ^Ｇ１〜Ｒ^Ｇ４０は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。]

式（３）で表される基は、本発明の金属錯体の有機溶媒に対する溶解性および成膜性がより優れるので、式(７−２)または（７−３）で表される基であることが好ましい。

式（７−２）または式（７−３）で表される基において、本発明の金属錯体における配位子を合成しやすいという観点から、Ｒ^Ｇ５、Ｒ^Ｇ６、Ｒ^Ｇ７、Ｒ^Ｇ８、Ｒ^Ｇ１１、Ｒ^Ｇ１２、Ｒ^Ｇ１５、Ｒ^Ｇ１６、Ｒ^Ｇ１７、Ｒ^Ｇ１８、Ｒ^Ｇ１９、Ｒ^Ｇ２０、Ｒ^Ｇ２１、Ｒ^Ｇ２２、Ｒ^Ｇ２５、Ｒ^Ｇ２６、Ｒ^Ｇ２９、Ｒ^Ｇ３０、Ｒ^Ｇ３１、Ｒ^Ｇ３２、Ｒ^Ｇ３３、Ｒ^Ｇ３６、Ｒ^Ｇ３７およびＲ^Ｇ４０が水素原子またはアルキル基であり、Ｒ^Ｇ９、Ｒ^Ｇ１０、Ｒ^Ｇ１３、Ｒ^Ｇ１４、Ｒ^Ｇ２３、Ｒ^Ｇ２４、Ｒ^Ｇ２７、Ｒ^Ｇ２８、Ｒ^Ｇ３４、Ｒ^Ｇ３５、Ｒ^Ｇ３８およびＲ^Ｇ３９が水素原子であることが好ましく、Ｒ^Ｇ５、Ｒ^Ｇ６、Ｒ^Ｇ７、Ｒ^Ｇ１６、Ｒ^Ｇ１７、Ｒ^Ｇ１８、Ｒ^Ｇ１９、Ｒ^Ｇ２０、Ｒ^Ｇ２１、Ｒ^Ｇ３０、Ｒ^Ｇ３１およびＲ^Ｇ３２が水素原子またはアルキル基であり、Ｒ^Ｇ８〜Ｒ^Ｇ１５、Ｒ^Ｇ２２〜Ｒ^Ｇ２９およびＲ^Ｇ３３〜Ｒ^Ｇ４０が水素原子であることがより好ましく、Ｒ^Ｇ６およびＲ^Ｇ１７が水素原子またはアルキル基であり、Ｒ^Ｇ５、Ｒ^Ｇ７〜Ｒ^Ｇ１６、Ｒ^Ｇ１８〜Ｒ^Ｇ３９が水素原子であることが更に好ましい。

前記式（１）で表される金属錯体は、Ｍで表される金属原子、添え字ｎ１でその数を規定されている配位子および添え字ｎ２でその数を規定されている配位子から構成されている。

式（１）中、Ｍは、イリジウム原子または白金原子を表し、イリジウム原子であることが好ましい。

式（１）中、ｎ１は、１、２または３を表す。ｎ２は、０、１または２を表す。Ｍがイリジウム原子の場合は、ｎ１＋ｎ２＝３であり、Ｍが白金原子の場合は、ｎ１＋ｎ２＝２である。
Ｍがイリジウム原子の場合、ｎ１＝１かつｎ２＝２、ｎ１＝２かつｎ２＝１、または、ｎ１＝３かつｎ２＝０であり、ｎ１＝３かつｎ２＝０、または、ｎ１＝２かつｎ２＝１であることが好ましく、ｎ１＝３かつｎ２＝０であることがより好ましい。
Ｍが白金原子の場合ｎ１＝１かつｎ２＝１、または、ｎ１＝２かつｎ２＝０であり、ｎ１＝２かつｎ２＝０であることが好ましい。

式（１）中、Ａ^１−Ｇ−Ａ^２は、添え字ｎ２でその数を規定されている二座配位子であり、１価のアニオン性二座配位子を表す。Ｇは、Ａ^１およびＡ^２と共に二座配位子を構成する原子団を表す。

式（１）中、Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。

式（１）中、Ａ^１−Ｇ−Ａ^２で表される二座配位子としては、以下の配位子が挙げられる。

［式中、＊は、金属原子Ｍと結合する部位を示す。］

式（１）中、Ａ^１−Ｇ−Ａ^２で表される二座配位子としては、以下の配位子も挙げられる。ただし、Ａ^１−Ｇ−Ａ^２で表される二座配位子とｎ１でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、金属原子Ｍと結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはハロゲン原子を表す。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはハロゲン原子を表す。］

式（１）中、ｍ１およびｍ２は、それぞれ独立に、３または４を表す。

式（１）中、Ｅ^１、Ｅ²、Ｅ^３およびＥ^４は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。複数存在するＥ^１およびＥ²は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^Ａ１は存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^２が窒素原子の場合、Ｒ^Ａ２は存在しても存在しなくてもよい。

式（１）中、Ｒ^Ａ１およびＲ^Ａ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン原子または式（２）で表される基を表す。複数存在するＲ^Ａ１およびＲ^Ａ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^Ａ１同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。隣接するＲ^Ａ２同士が結合して、それぞれが結合するＥ²とともに環を形成していてもよい。Ｅ^３に隣接するＥ^１と結合するＲ^Ａ１と、Ｅ^４に隣接するＥ^２と結合するＲ^Ａ２とが結合して、それぞれが結合するＥ^１およびＥ²とともに環を形成していてもよい。ただし、複数存在するＲ^Ａ１およびＲ^Ａ２の少なくとも１つは、式（２）で表される基である。

Ｒ^Ａ１およびＲ^Ａ２は、本発明の金属錯体の有機溶媒に対する溶解性および成膜性がより優れるので、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基、ハロゲン原子または式（２）で表される基が好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基または式（２）で表される基がより好ましい。ただし、複数存在するＲ^Ａ１およびＲ^Ａ２の少なくとも１つは、式（２）で表される基である。

式（１）中、環Ａは、窒素原子、Ｅ^３およびｍ１個のＥ^１とで構成される、５員環または６員環の芳香族複素環を表す。なお、隣接するＲ^Ａ１同士が結合することで形成される環が、該５員環または６員環に縮環したものであってもよい。

式（１）中、環Ｂは、炭素原子、Ｅ^４およびｍ２個のＥ^２とで構成される、５員環または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。なお、隣接するＲ^Ａ２同士が結合することで形成される環が、該５員環または６員環に縮環したものであってもよい。

環Ａの構造としては、以下の構造が例示され、本発明の金属錯体を用いて製造される発光素子の発光効率がより優れるため、式（Ａ−１）、（Ａ−３）または（Ａ−４）で表される構造が好ましい。

［式中、
＊は、金属原子Ｍと結合する部位を示す。Ｒ^Ａ１は、前記と同じ意味を表す。］

環Ｂとしては、本発明の金属錯体の合成（特に、金属錯体の精製）の観点から、芳香族炭化水素環であることが好ましい。環Ｂの構造としては、以下の構造が例示され、本発明の金属錯体の合成（特に、金属錯体の精製）し易いので、式（Ｂ−１）、（Ｂ−３）、（Ｂ−６）、（Ｂ−９）、（Ｂ−１２）または（Ｂ−１５）で表される構造が好ましく、式（Ｂ−１）で表される構造がより好ましい。

［式中、
＊は金属原子Ｍと結合する部位を示す。
Ｒ^Ａ２は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ａ３は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基または式（２）で表される基を表す。
Ｒ^Ａ４は、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。］

式（１）中、Ｌ^Ａは、単結合、−Ｎ（Ｒ^Ｂ）−、−Ｃ（Ｒ^Ｂ）_２−または酸素原子を表す。Ｒ^Ｂは、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。Ｒ^Ｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。本発明の金属錯体を用いて製造される発光素子の発光効率がより優れるため、Ｌ^Ａは単結合が好ましい。

式（１）で表される金属錯体は、本発明の金属錯体の安定性（特に、熱に対する安定性）および合成の観点から、下記式（１−ａ）で表される金属錯体であることが好ましい。

［式（１−ａ）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1およびｎ２は、前記と同じ意味を表す。
ｍ３は、３または４を表す。
Ｒ^Ａ４は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。複数存在するＲ^Ａ４は、同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^Ａ４同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^Ａ５〜Ｒ^Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン原子または前記式（２）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ａ５〜Ｒ^Ａ８の少なくとも１つは前記式（２）で表される基である。］

式（１−ａ）中のＲ^Ａ４は、本発明の金属錯体の有機溶媒に対する溶解性および成膜性が優れるので、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基またはハロゲン原子であることが好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることがより好ましい。

式（１−ａ）中の環Ａは、本発明の金属錯体における配位子の原料を入手しやすいという観点から、置換基を有していてもよいピリジン環、置換基を有していてもよいピリミジン環、置換基を有していてもよいピラジン環、置換基を有していてもよいピラゾール環、置換基を有していてもよいイミダゾール環、または、置換基を有していてもよいトリアゾール環であることが好ましく、置換基を有していてもよいピリジン環、置換基を有していてもよいイミダゾール環、または、置換基を有していてもよいトリアゾール環であることがより好ましい。

式（１−ａ）で表される金属錯体は、本発明の金属錯体の安定性（特に、溶液中での安定性）の観点から、下記式（１−ｂ）で表される金属錯体であることが好ましい。

［式（１−ｂ）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３、Ｒ^Ａ４およびＤ^１は、前記と同じ意味を表す。］

式（１−ｂ）で表される金属錯体は、本発明の金属錯体の合成の観点から、下記式（１−ｃ）で表される金属錯体、下記式（１−ｄ）で表される金属錯体または下記式（１−ｅ）で表される金属錯体であることが好ましい。

［式（１−ｃ）中、
Ｍ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２およびＤ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ａ９〜Ｒ^Ａ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^Ａ９とＲ^Ａ１０が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^Ａ１０とＲ^Ａ１１が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^Ａ１１とＲ^Ａ１２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

［式（１−ｄ）中、
Ｍ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２およびＤ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ａ１３は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。
Ｒ^Ａ１４は、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。］

［式（１−ｅ）中、
Ｍ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２およびＤ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ａ１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。
Ｒ^Ａ１６は、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。］

Ｒ^Ａ１３およびＲ^Ａ１５は、本発明の金属錯体を用いて製造される発光素子の輝度寿命がより優れるため、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが好ましい。

Ｒ^Ａ１４およびＲ^Ａ１６は、本発明の金属錯体における配位子を合成しやすいという観点から、アルキル基またはアリール基であることが好ましい。

式（１）で表される金属錯体は、本発明の金属錯体の合成の観点から、下記式（１−ｇ）で表される金属錯体であることが好ましい。すなわち、式（１）中のＭはイリジウム原子であり、ｎ１が３であり、ｎ２が０であることが好ましい。

式（１−ｇ）中、Ｅ^１、Ｅ^２、Ｅ^３、Ｅ^４、Ｌ^Ａ、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、環Ａ、環Ｂ、ｍ1およびｍ２は、前記と同じ意味を表す。

式（１）で表される金属錯体としては、以下の金属錯体が挙げられ、本発明の金属錯体を用いて製造される発光効率がより優れるため、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−４）、（Ｉｒ−１０）、（Ｉｒ−１１）、(Ｉｒ−１２)、(Ｉｒ−１３）、（Ｉｒ−１５）、（Ｉｒ−１６）、（Ｉｒ−１８）、（Ｉｒ−１９）、(Ｉｒ−２１）、（Ｉｒ−２４）、（Ｉｒ−２６）、（Ｉｒ−２７）、（Ｉｒ−３３）、（Ｉｒ−３７）または（Ｉｒ−３９）で表される金属錯体が好ましく、式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−４）、（Ｉｒ−１５）、（Ｉｒ−１６）、（Ｉｒ−１８）、（Ｉｒ−１９）、（Ｉｒ−２６）、（Ｉｒ−２７）または（Ｉｒ−３７）で表される金属錯体がより好ましい。

［式中、Ｒ^Ｌ５は下記群ＩＩから選ばれる基であり、Ｒ^Ｈは下記群ＩＩＩから選ばれる基である。］

＜群ＩＩ＞

＜群ＩＩＩ＞

本発明の金属錯体を用いて製造される発光素子には、本発明の金属錯体を１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。

式（１）で表される金属錯体には複数の幾何異性体が考えられるが、いずれの幾何異性体であってもよいが、たとえば、式（１−ｇ）で表される金属錯体を用いて製造される発光素子の輝度寿命がより優れるため、ｆａｃｉａｌ体が金属錯体全体に対して８０モル％以上であることが好ましく、９０モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることがさらにより好ましく、１００モル％であること（すなわち、他の幾何異性体を含まないこと）が特に好ましい。

＜金属錯体の製造方法＞
本発明の金属錯体は、如何なる方法で製造してもよいが、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを溶液中で反応させる方法により製造することができる。必要に応じて、反応系中に塩基、銀化合物等が存在していてもよい。

前記方法の例としては、イリジウム原子を有する金属錯体の場合、「Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８４，１０６，６６４７」、「Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９１，３０，１６８５」、「Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９４，３３，５４５」、「Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２００１，４０，１７０４」、「Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，２００３，３２，２５２」等に記載の方法が挙げられ、白金原子を有する金属錯体の場合、「Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９８４，２３，４２４９」、「Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１９９９，１１，３７０９」、「Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９９９，１８，１８０１」等に記載の方法が挙げられる。

前記方法の反応における反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の常圧における融点から溶媒の常圧における沸点の間で設定すればよいが、−９０℃から常圧における溶媒の沸点の間で設定するのが好ましい。前記方法において密閉した反応器を用いる場合、例えば、マイクロウェーブ反応装置を使用する場合においては、溶媒の沸点以上で反応させることができる。

前記反応における反応時間は、通常、３０分間〜１５０時間である。前記反応においてマイクロウェーブ反応装置を使用する場合、反応時間は、通常、数分〜数時間である。

前記配位子となる化合物は、例えば、ベンゼン誘導体と芳香族複素環式化合物とのＳｕｚｕｋｉカップリング、Ｇｒｉｇｎａｒｄカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング等のカップリング反応により合成することができる。その一例を挙げると、ベンゼン誘導体と芳香族複素環式化合物とを有機溶媒に溶解させ、アルカリ、適切な触媒を用いて、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより、前記配位子となる化合物を合成することができる。この合成は、「オルガニックシンセシーズ（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）、コレクティブ第６巻（ＣｏｌｌｅｃｔｉｖｅＶｏｌｕｍｅＶＩ）、４０７−４１１頁、ジョンワイリーアンドサンズ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ, Ｉｎｃ.）、１９８８年」、「ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ. Ｒｅｖ.）、第１０６巻、２６５１頁（２００６年）」、「ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ. Ｒｅｖ.）、第１０２巻、１３５９頁（２００２年）」、「ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ. Ｒｅｖ.）、第９５巻、２４５７頁（１９９５年）」、「ジャーナルオブオルガノメタリックケミストリー（Ｊ.Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ.Ｃｈｅｍ）、第５７６巻、１４７頁（１９９９年）」等を参考にして実施することができる。

前記芳香族複素環式化合物は、「ＴＨＥＣＨＥＭＩＳＴＲＹＯＦＨＥＴＥＲＯＣＹＣＬＩＣＣＯＭＰＯＵＮＤＳ、Ｖｏｌｕｍｅ１４、Ｐａｒｔ５、３６頁（ＪＯＨＮＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ）」、「ＴＨＥＣＨＥＭＩＳＴＲＹＯＦＨＥＴＥＲＯＣＹＣＬＩＣＣＯＭＰＯＵＮＤＳ、Ｖｏｌｕｍｅ３７、３頁（ＪＯＨＮＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ）」等の文献に記載の方法で合成することができる。また、市販の芳香族複素環式化合物を用いてもよい。

前記カップリング反応に用いる触媒としては、パラジウム触媒が好ましい。
前記パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）が挙げられ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）が好ましい。
前記パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。

本発明の金属錯体の製造方法の一例について、具体的に説明する。

本発明の好ましい形態である式（１−ｆ）で表される金属錯体は、下記式（９）で表される化合物と、下記式（１０）で表される金属錯体をカップリング反応させる工程を含む方法により製造することができる。式（９）で表される化合物と、式（１０）で表される金属錯体とのカップリング反応は、前記配位子となる化合物の製造方法で述べたのと同じ方法で行うことができる。

式（９）中、Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５の少なくとも二つが、式（５）で表される基または式（６）で表される基であることが好ましい。

［式（１０）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^２は、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または−ＯＲ^Ｊで表される基を表し、Ｘ^１とＸ^２が結合して、それぞれが結合するホウ素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^Ｊは、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。］

式（９）中、Ｗ^１で表される−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基としては、以下で表される基等が挙げられる。

［式中、矢印は、窒素原子からホウ素原子への配位結合を表す。］

式（９）中、Ｗ^１で表されるアルキルスルホニルオキシ基としては、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。Ｗ¹で表されるアリールスルホニルオキシ基としては、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等が挙げられる。

Ｗ^１は、式（９）で表される化合物と式（１０）で表される金属錯体とのカップリング反応が容易に進行するので、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基が好ましい。

Ｗ^１は、式（９）で表される化合物を合成し易いので、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であることが好ましく、下記群ＩＶで表される基であることがより好ましく、式（ＩＶ−５）で表される基であることがさらに好ましい。

＜群ＩＶ＞

式（９）で表される化合物は、当該化合物の合成の観点から、下記式（１１−１）または（１１−２）で表される化合物であることが好ましい。

［式（１１−１）および（１１−２）中、Ｒ^Ｇ５〜Ｒ^Ｇ４０は、前記と同じ意味を表す。
］

式（９）で表される化合物の具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられ、（ＷＡ−２）および（ＷＡ−５）が好ましい。

［式（ＷＡ−２）〜（ＷＡ−７）中、Ｗ^Ａは、前記群ＩＶで表される基を表す。］

式（９）で表される化合物の好ましい形態の一つである式（１１−１）で表される化合物は、例えば、下記のスキーム（Ｓｃｈｅｍｅ）で合成することができる。

［式中、Ｒ^Ｇ１〜Ｒ^Ｇ７は、前記と同じ意味を表す。］

上記スキームで、化合物１１−１−ｂは、化合物１１−１−ａとトリフルオロメタンスルホン酸無水物を、有機溶媒中において、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン存在下で反応させることにより合成することができる。

上記スキームで、化合物１１−１−ｃは、化合物１１−１−ｂとビス（ピナコラート）ジボロンを、有機溶媒中において、公知のパラジウム触媒を添加し反応させることにより合成することができる。パラジウム触媒は、必要に応じて、酢酸カリウム等の塩基や、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン等のリン化合物を併用してもよい。反応としては、「Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ、２００１、５７、９８１３−９８１６」、「ＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔｅｒｓ、１９９７，３８、３４４７−３４５０」、「ＴｈｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ、２０００、６５、９２６８―９２７１」等に記載の反応が好ましい。

上記スキームで、化合物１１−１−ｅは、化合物１１−１−ｃと化合物１１−１−ｄを、公知のパラジウム触媒、塩基、および、有機溶媒若しくは有機溶媒と水との混合溶媒の存在下で、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応させることにより合成することができる。カップリング反応に用いるパラジウム触媒は、前記配位子となる化合物の製造方法で述べたのと同じ触媒を用いることができる。

上記スキームで、化合物１１−１−ｆは、化合物１１−１−ｅとビス（ピナコラート）ジボロンを、有機溶媒中において、公知のイリジウム触媒を添加し反応させることにより合成することができる。イリジウム触媒は、必要に応じて、２，２’−ビピリジン誘導体と併用してもよい。反応としては、「ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、２００２、１２４、３９０−３９１」、「ＡｎｇｅｗａｎｄｔｅＣｈｅｍｉｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＥｄｉｔｉｏｎ、２００２、４１、３０５６−３０５８」、「ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ、２００５、１２７、１４２６３−１４２７８」等に記載の反応が好ましい。

次に、式（１０）で表される金属錯体について説明する。式（１０）中、Ｗ^２で表される−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基は、Ｗ^１で表される−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基と同じ意味を表す。

式（１０）で表される金属錯体は、例えば、下記式（１２）で表される金属錯体から製造することができる。

［式（１２）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。］

式（１２）で表される金属錯体を有機溶媒に溶解させ、Ｎ−ブロモスクシンイミドを加えて反応させることで、式（１０）においてＷ^２が臭素原子である下記式（１０ａ）で表される金属錯体を合成することができる。この反応において、有機溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系炭化水素系溶媒等を用いることができる。

［式（１０ａ）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。］

前記式（１０ａ）で表される金属錯体において、n１が３であり、Ｍがイリジウム原子である場合（すなわち、下記式（１０ｂ）で表される金属錯体である場合）、以下の方法で合成することができる。

［式（１０ｂ）中、
Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。］

まず、下記式（１３）で表される化合物と塩化イリジウム三水和物とを反応させることにより、下記式（１４）で表される金属錯体を合成する。

［式（１３）中、
Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。］

［式（１４）中、
Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。］

具体的には、通常、有機溶媒中で行う。有機溶媒としては、反応を円滑に進めるために極性溶媒が好ましい。このような溶媒としては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。溶媒は、上記極性溶媒と水の混合溶媒でもよい。混合溶媒の例としては、水／２−エトキシエタノール混合溶媒が挙げられる。極性溶媒／水の混合比は任意の割合で用いることができるが、式（１３）で表される化合物を高温で溶解できるので、１０／１〜１／１の範囲であることが好ましい。反応時間は、通常、３０分〜５０時間であり、３０分〜２４時間の範囲が好ましい。反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、−７８℃〜溶媒の沸点が好ましく、５０℃〜２００℃の範囲がより好ましい。

次に、式（１４）で表される金属錯体と式（１３）で表される化合物を、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で反応させることにより、式（１０ｂ）で表される金属錯体を合成することができる。式（１３）で表される化合物の量は、式（１４）で示される金属錯体に対して、通常２〜３０倍モル量、好ましくは２〜１０倍モル量である。銀化合物の量は、式（１４）で表される金属錯体に対して、通常２〜２０倍モル量、好ましくは２〜５倍モル量である。反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、−７８℃〜溶媒の沸点が好ましく、金属錯体の純度の観点から、５０℃〜１６０℃の範囲がより好ましく、７０℃〜１３０℃が更に好ましい。反応時間は、通常、３０分〜７２時間であり、１時間〜４８時間の範囲が好ましい。

式（１０ａ）で表される金属錯体とビス(ピナコラート)ジボロンとを、パラジウム触媒下で反応させることにより、ボロン酸エステル残基を重合反応性基として有する下記式（１０ｃ）で表される化合物へと変換することができる。式（１０ａ）で表される金属錯体は、式（１０ｂ）で表される金属錯体であってもよい。

［式（１０ｃ）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。］

Ｗ^２で表される基は、式（１０）で表される金属錯体を容易に合成できるので、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子、ヨウ素原子または式（ＩＶ−５）で表される基であることがより好ましく、臭素原子であることがさらに好ましい。

上記で製造された金属錯体の同定および分析は、元素分析、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分析、質量分析（ＭＳ）および赤外吸収（ＩＲ）分析等により行うことができる。

＜金属含有高分子化合物＞
本実施形態の金属含有高分子化合物とは、前記式（１）で表される金属錯体から誘導される基（残基）を構成単位として含む高分子化合物である。

本発明の金属含有高分子化合物が構成単位として含む前記式（１）で表される金属錯体から誘導される基とは、前記式（１）で表される金属錯体から水素原子を１個取り除いた残りの残基を置換基として有するアリーレン基または２価の芳香族複素環基、前記式（１）で表される金属錯体から水素原子を２個取り除いた残りの残基、前記式（１）で表される金属錯体から水素原子を３個取り除いた残りの残基である。
この構成単位が、前記式（１）で表される金属錯体から水素原子を３個取り除いた残りの残基である場合、本実施形態の金属含有高分子化合物は、この構成単位の位置で分岐している。また前記式（１）で表される金属錯体から水素原子を１個取り除いた残りの残基は、金属含有高分子化合物の末端基となる場合がある。

本実施形態の金属含有高分子化合物は、非共役系高分子化合物であっても共役系高分子化合物であってもよいが、導電性が優れるので、共役系高分子化合物が好ましく、主鎖に芳香環を含む共役系高分子化合物がより好ましい。本発明の金属含有高分子化合物が共役系高分子化合物であるとは、該金属含有高分子化合物の主鎖における芳香環の結合について、直接芳香環が結合している割合、ビニレン基を介して結合している割合、エチニレン基を介して結合している割合、および、ビニレン基とエチニレン基の組み合わせで示される基を介して結合している割合の合計が、５０％〜１００％である金属含有高分子化合物を意味し、当該割合の合計は、６０％〜１００％であることが好ましく、７０％〜１００％であることがより好ましい。

本実施形態の金属含有高分子化合物は、更に、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、アリーレン基および２価の芳香族複素環基から選ばれる２種以上の基が互いに直接結合した２価の基、並びに、２価の芳香族アミン残基からなる群から選ばれる１種以上の基を構成単位として含むことが好ましく、それらを繰り返し単位として有することがより好ましい。

換言すると、本実施形態の金属含有高分子化合物は、２価の芳香族アミン残基、アリーレン基および２価の複素環基からなる群から選ばれる少なくとも１種類を構成単位として含む金属含有高分子化合物であることが好ましい。

また、本実施形態の金属含有高分子化合物は、２価の芳香族アミン残基、アリーレン基および２価の複素環基からなる群から選ばれる少なくとも２種類を構成単位として含む金属含有高分子化合物であることが好ましい。

本実施形態の金属含有高分子化合物において、全構造単位の合計モル数に対する、前記式（１）で表される金属錯体から誘導される構造単位の合計モル数の割合は、通常０．０００１〜０．４であり、０．００１〜０．３が好ましく、０．００１〜０．２５がより好ましい。

本実施形態の金属含有高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、本実施形態の金属含有高分子化合物を用いて製造される発光素子の発光効率および輝度寿命がより優れるので、１×１０^３〜１×１０^８であることが好ましく、１×１０^３〜１×１０⁷であることがより好ましく、１×１０^４〜１×１０^６であることが更に好ましい。

本実施形態の金属含有高分子化合物は、後述する［高分子ホストの製造方法］と同様の方法で合成することができる。具体的には、後述する［高分子ホストの製造方法］で用いるモノマーの一部を、下記式（１５）で表される化合物に変えることにより、合成することができる。

［式（１５）中、
ＭＲは、前記式（１）で表される金属錯体から誘導される基を表す。
ｎ３は、１、２または３を表す。
Ｗ^３は、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。］

式（１５）中、Ｗ^３で表される−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基は、Ｗ^１で表される−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基およびアリールスルホニルオキシ基と同じ意味を表す。

Ｗ^３で表される基は、本実施形態の金属含有高分子化合物を容易に合成できるので、臭素原子、ヨウ素原子または式（ＩＶ−５）で表される基であることが好ましく、臭素原子であることがより好ましい。

＜ホスト材料＞
本発明の金属錯体は、正孔注入・輸送性、および／または、電子注入・輸送性を有する、ホスト材料との組成物とすることにより、本発明の金属錯体を用いて製造される発光素子の発光効率がより優れたものとなる。

該ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、更に優れた発光効率が得られるため、式（１）で表される金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

該ホスト材料のガラス転移温度（Ｔｇ）は、本発明の金属錯体を用いて製造される発光素子の保存温度範囲が広がり、かつ、安定性（特に、輝度寿命）が優れるため、６０℃以上であることが好ましく、８０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることが更により好ましい。また、本発明の金属錯体は、通常高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するため、本発明の組成物のガラス転移温度は、ホスト材料単独のガラス転移温度よりも高い値となる。

該ホスト材料としては、発光素子の製造において溶液塗布プロセスを用いることを可能とする観点から、本発明の金属錯体を溶解することが可能な有機溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

該ホスト材料としては、発光素子の製造において、本発明の金属錯体との組成物からなる有機薄膜を形成することになるため、本発明の金属錯体との相溶性が高い、すなわち、相分離を生じにくいものであることが好ましい。

上記観点から、該ホスト材料としては、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−ビフェニル（ＣＢＰ）、（１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）−ベンゼン（ｍＣＰ）等のカルバゾール誘導体；芳香族炭化水素環および／または芳香族複素環から構成されるデンドロンを有するデンドリマー化合物；アリーレン基、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族アミン残基等が３〜１０個程度互いに結合してなる低分子化合物；アリーレン基、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族アミン残基等を構成単位として有し、分子量分布が多分散である金属非含有高分子化合物等が挙げられ、これらの中でも、金属非含有高分子化合物が好ましい。

＜高分子ホスト＞
以下、本発明の金属錯体と共に用いるホスト化合物として好ましい金属非含有高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う）に関して説明する。

高分子ホストとしては、正孔注入・輸送性、および／または、電子注入・輸送性を良好に発揮できるものであることが好ましく、アリーレン基、２価の芳香族複素環基および２価の芳香族アミン化合物基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を構成単位として含む高分子化合物が好ましい。

以下、高分子ホストとして好ましい高分子化合物をより詳細に説明するために、高分子ホストに含まれることが好ましい構成単位、および、該高分子ホストの製造に有用なモノマーに関して説明する。なお、高分子ホストに含まれる構成単位は、繰り返し単位として含まれることが好ましい。

高分子ホストは、本発明の金属錯体と共に用いて製造される発光素子の安定性（特に、輝度寿命）が優れるため、前記のアリーレン基、２価の芳香族複素環基および２価の芳香族アミン化合物基から選ばれる１種以上の基を構成単位として有するものが好ましい。

本発明の金属錯体と共に用いる高分子ホストは、下記式（Ｈ１）で表される構成単位を含むことが、高分子ホストの有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）のエネルギー準位を高め、本発明の金属錯体と共に用いて製造される発光素子の発光効率が優れるため好ましい。

［式（Ｈ１）中、
Ｕａは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、アリーレン基および２価の芳香族複素環基から選ばれる２つ以上１０以下の基が互いに直接結合してなる２価の基、または、２価の芳香族アミン残基を表す。但し、Ｕａは、他の構成単位と結合を形成するそれぞれの炭素原子の隣の炭素原子の少なくとも一つが、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有する。］

式（Ｈ１）中におけるＵａがアリーレン基または２価の芳香族複素環基である場合の式（Ｈ１）で表される構成単位としては、下記式Ｈ１０１〜Ｈ１２７で表される構成単位が例示され、モノマーの合成が容易であるという観点から、式Ｈ１０１、Ｈ１０２、Ｈ１０３、Ｈ１１２、Ｈ１１６、Ｈ１１８、Ｈ１１９、Ｈ１２０またはＨ１２１で表される構成単位が好ましい。

［式Ｈ１０１〜Ｈ１２７中、
ＲａおよびＲは、前記と同様の意味を表す。
Ｒ^ｈ１は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表す。ただし、少なくとも一つのＲ^ｈ１は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表す。
Ｒ^ｈ２は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表す。ただし、少なくとも一つのＲ^ｈ２は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表す。
Ｒ^ｈは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、アルキル基またはアリール基が好ましく、アルキル基がより好ましい。］

式（Ｈ１）で表されるより具体的な構成単位としては、下記式で表される構成単位が例示される。

高分子ホストが式（Ｈ１）で表される構成単位を含むためには、該高分子ホストの合成に、式（Ｈ１’）で表されるモノマーを用いることが好ましい。これにより、高分子ホストに式（Ｈ１）で表される構成単位が含まれることとなる。

［式（Ｈ１’）中、
Ｕａは、前記と同じ意味を表す。
Ｘ^ａは、下記の置換基（ａ）群から選ばれる基、または、下記の置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。２つのＸ^ａは、互いに同一であっても異なってもよい。］

（置換基（ａ）群）
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^ｘ（Ｒ^ｘはアルキル基、またはアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を示す。）で表される基。

（置換基（ｂ）群）
−Ｂ（ＯＲ^ｙ）_２（Ｒ^ｙは水素原子またはアルキル基を示し、２個存在するＲ^ｙは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される基、−Ｂ⁻Ｆ_３Ｑ^１（Ｑ^１はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムの１価の陽イオンを示す。）で表される基、−Ｓｎ（Ｒ^ｚ）_３（Ｒ^ｚは水素原子またはアルキル基を示し、３個存在するＲ^Ｚは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。）で表される基、−ＭｇＹ^１（Ｙ^１は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で表される基、−ＺｎＹ^２（Ｙ^２は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。）で表される基。

式（Ｈ１）中におけるＵａがアリーレン基および２価の芳香族複素環基から選ばれる２つ以上１０以下の基が互いに直接結合してなる２価の基である場合の式（Ｈ１）で表される構成単位としては、高分子ホストの有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）のエネルギー準位を高める観点から、下記式（Ｈ１ｂ）で表される構成単位が好ましい。

［式（Ｈ１ｂ）中、
Ａｒ^ｈ１ｂは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、または、アリーレン基および２価の芳香族複素環基から選ばれる２つ以上５以下の基が互いに直接結合してなる２価の基を表す。
Ｒ^ｈ１およびＲ^ｈ２は、前記と同様の意味を表す。
Ｚ^ａは、−ＣＲ＝または−Ｎ＝を表す。Ｒは前記と同様の意味を表す。］

式（Ｈ１ｂ）中、Ａｒ^ｈ１ｂとしては、高分子ホストの有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）のエネルギー準位を高めると共に、高分子ホストの導電性を高めることから、本発明の金属錯体と共に用いて製造される発光素子の発光効率がより優れるため、２価の芳香族複素環基が好ましい。

式（Ｈ１ｂ）で表される構成単位としては、下記式Ｈ２０１〜Ｈ２１８で表される構成単位が例示され、モノマーの合成が容易であるという観点から、式Ｈ２０１、Ｈ２０２、Ｈ２０３、Ｈ２０４、Ｈ２１０、Ｈ２１１、Ｈ２１３、Ｈ２１４またはＨ２１５で表される構成単位が好ましい。

［式Ｈ２０１〜Ｈ２１８中、Ｒａ、Ｒ、Ｒ^ｈ１およびＲ^ｈ２は、前記と同様の意味を表す。］

式（Ｈ１ｂ）で表されるより具体的な構成単位としては、下記式で表される構成単位が例示される。

高分子ホストが式（Ｈ１ｂ）で表される構成単位を含むためには、該高分子ホストの合成に、式（Ｈ１ｂ’）で表されるモノマーを用いることが好ましい。これにより、高分子ホストに式（Ｈ１ｂ）で表される構成単位が含まれることとなる。

［式（Ｈ１ｂ’）中、Ａｒ^ｈ１ｂ、Ｒ^ｈ１、Ｒ^ｈ２、Ｚ^ａおよびＸ^ａは、前記と同じ意味を表す。複数存在するＲ^ｈ１、Ｒ^ｈ２、Ｚ^ａおよびＸ^ａは、互いに同一であっても異なってもよい。］

本発明の金属錯体と共に用いる高分子ホストは、下記式（Ｈ２）で表される構成単位を含むことが、高分子ホストの導電性を高め、かつ、本発明の金属錯体と共に用いて製造される発光素子の安定性（特に、輝度寿命）を高める観点から好ましい。

［式（Ｈ２）中、
Ｕｂは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、アリーレン基および２価の芳香族複素環基から選ばれる２つ以上１０以下の基が互いに直接結合してなる２価の基、または、２価の芳香族アミン残基を表す。但し、Ｕｂは、他の構成単位と結合を形成するそれぞれの炭素原子の隣の炭素原子の全てが置換基を有さない。］

式（Ｈ２）中におけるＵｂがアリーレン基または２価の芳香族複素環基である場合の式（Ｈ２）としては、下記式Ｈ３０１〜Ｈ３２６で表される構成単位またはモノマーが例示され、モノマーの合成が容易であるという観点から、式Ｈ３０１、Ｈ３０２、Ｈ３０３、Ｈ３０７、Ｈ３１０、Ｈ３１１、Ｈ３１４、Ｈ３１６、Ｈ３１７、Ｈ３１９またはＨ３２０で表される構成単位が好ましい。

［式Ｈ３０１〜Ｈ３２６中、ＲａおよびＲは、前記と同様の意味を表す。］

式（Ｈ２）で表されるより具体的な構成単位としては、下記式で表される構成単位が例示される。

高分子ホストが式（Ｈ２）で表される構成単位を含むためには、該高分子ホストの合成に、式（Ｈ２’）で表されるモノマーを用いることが好ましい。これにより、高分子ホストに式（Ｈ２）で表される構成単位が含まれることとなる。

［式（Ｈ２’）中、
Ｕｂは前記と同じ意味を表す。
Ｘ^ｂは、上記の置換基（ａ）群から選ばれる基、または、上記の置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。２つのＸ^ｂは、互いに同一であっても異なってもよい。］

式（Ｈ２）中におけるＵｂがアリーレン基および２価の芳香族複素環基から選ばれる２つ以上１０以下の基が互いに直接結合してなる２価の基である場合の式（Ｈ２）で表される構成単位としては、高分子ホストの導電性を高め、本発明の金属錯体と共に用いて製造される発光素子の発光効率がより優れるため、下記式（Ｈ２ｂ）で表される構成単位が好ましい。

［式（Ｈ２ｂ）中、
Ａｒ^ｈ２ｂは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、アリーレン基および２価の芳香族複素環基から選ばれる２つ以上５以下の基が互いに直接結合してなる２価の基を表す。
Ｚ^ｂは、−ＣＲ＝または−Ｎ＝を表す。Ｒは前記と同様の意味を表す。］

式（Ｈ２ｂ）で表される構成単位としては、下記式Ｈ４０１〜Ｈ４１５、式５０１〜５２０および式６０１〜６０６で表される構成単位が例示され、モノマーの合成が容易であるという観点から、式Ｈ４０１、Ｈ４１０、Ｈ４１１、Ｈ５０１、Ｈ５１０、Ｈ５１３、Ｈ５１４、Ｈ５１５、Ｈ５２０またはＨ６０４で表される構成単位が好ましい。

［式Ｈ４０１〜Ｈ４１５、式５０１〜５２０および式６０１〜６０６中、Ｒａ、ＲおよびＲ^ｈは、前記と同様の意味を表す。］

式（Ｈ２）中におけるＵｂが２価の芳香族アミン残基である場合の式（Ｈ２）で表される構成単位としては、下記式Ｈ７０１〜Ｈ７０６で表される構成単位が例示され、高分子ホストの導電性を高め、本発明の金属錯体と共に用いて製造される発光素子の駆動電圧を低減する観点から、式Ｈ７０１、Ｈ７０２、Ｈ７０３またはＨ７０４で表される構成単位が好ましい。

［式Ｈ７０１〜Ｈ７０６中、ＲａおよびＲは、前記と同様の意味を表す。］

式（Ｈ２ｂ）で表されるより具体的な構成単位としては、下記式で表される構成単位が例示される。

高分子ホストが式（Ｈ２ｂ）で表される構成単位を含むためには、該高分子ホストの合成に、式（Ｈ２ｂ’）で表されるモノマーを用いることが好ましい。これにより、高分子ホストに式（Ｈ２ｂ）で表される構成単位が含まれることとなる。

［式（Ｈ２ｂ’）中、Ａｒ^ｈ２ｂ、Ｚ^ｂおよびＸ^ｂは、前記と同じ意味を表す。複数存在するＺ^ｂおよびＸ^ｂは、互いに同一であっても異なってもよい。］

本発明の金属錯体と共に用いる高分子ホストは、下記式（Ｈ３）で表される構成単位を含むことが、高分子ホストの導電性を高め、かつ、本発明の金属錯体と共に用いて製造される発光素子の安定性（特に、輝度寿命）を高める観点から好ましい。

［式（Ｈ３）中、
Ｕｃは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、アリーレン基および２価の芳香族複素環基から選ばれる２つ以上１０以下の基が互いに直接結合してなる２価の基、または、２価の芳香族アミン残基を表す。但し、Ｕｃは、他の構成単位と結合を形成する一方の炭素原子の隣の炭素原子の少なくとも一つが、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有する原子である基であり、かつ、他の構成単位と結合を形成する他方の炭素原子の隣の炭素原子の全てが置換基を有さない。］

式（Ｈ３）中におけるＵａがアリーレン基または２価の芳香族複素環基である場合の式（Ｈ３）としては、下記式８０１〜８２４および式９０１〜９１５で表される構成単位またはモノマーが例示され、モノマーの合成が容易であるという観点から、下記式Ｈ８０２が好ましい。

［式Ｈ８０１〜８２４および式９０１〜９１５中、
Ｒａ、ＲおよびＲ^ｈは、前記と同様の意味を表す。
Ｒ^ｈ３およびＲ^ｈ４は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表す。ただし、Ｒ^ｈ３の少なくとも１つがアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基である場合、Ｒ^ｈ４は全て水素原子である。Ｒ^ｈ３が全て水素原子である場合、Ｒ^ｈ４の少なくとも１つがアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基である。］

高分子ホストが式（Ｈ３）で表される構成単位を含むためには、該高分子ホストの合成に、式（Ｈ３’）で表されるモノマーを用いることが好ましい。これにより、高分子ホストに式（Ｈ３）で表される構成単位が含まれることとなる。

［式（Ｈ３’）中、
Ｕｃは前記と同じ意味を表す。
Ｘ^ｃは、前記の置換基（ａ）群から選ばれる基、または、前記の置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。２つのＸ^ｃは、互いに同一であっても異なってもよい］

高分子ホストは、該高分子ホストの有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）のエネルギー準位を高め、本発明の金属錯体と共に用いて製造される発光素子の発光効率をより高める観点から、高分子ホストにおける構成単位同士の結合部位全てに対する、構成単位同士の結合部位を形成する炭素原子の隣の炭素原子の少なくとも一つが置換基を有している結合部位の占める割合が、２０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましい。本割合は、本発明の金属錯体の有するＴ１エネルギー準位に応じて更にその比率を調整することが可能である。また、当該置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基が好ましく、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基がより好ましい。

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種のモノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

［高分子ホストの製造方法］
高分子ホストは、高分子ホストを構成する構成単位を形成するためのモノマーを、高分子ホストが得られるように適宜反応させることによって製造することができる。ここで、モノマーとしては、各構成単位における２つの結合手が、重合反応により結合を形成することが可能な脱離基（重合活性基）に置き換わった構造を有するものを用いることができる。重合は、例えば、公知のクロスカップリング等の重合方法を適用してモノマーを共重合させることにより行うことができる。高分子ホストの製造に用いるモノマーは、高分子ホストにおける構成単位同士の結合部位全てに対する、構成単位同士の結合部位を形成する炭素原子の隣の炭素原子の少なくとも一つが置換基を有している結合部位の占める割合が、上述した好ましい範囲、より好ましい範囲となるように選択することが好ましい。

より好適には、高分子ホストは、式（Ｈ１’）、（Ｈ２’）および（Ｈ３’）からなる群より選ばれるモノマーを含むモノマー混合物を重合させて製造することができる。重合は、モノマー混合物を必要に応じて溶媒に溶解させ、アルカリ、触媒または配位子を適宜用いて、公知のクロスカップリング反応等の重合（縮合重合）反応を生じさせることによって行うことができる。

このような高分子ホストの製造方法において、モノマー混合物は、そこに含まれるモノマーの全モル数を１００モル％としたとき、式（Ｈ１’）、（Ｈ２’）および（Ｈ３’）からなる群より選ばれるモノマーの合計モル数が、６０〜１００モル％となるように混合することが好ましく、７０〜１００モル％となるように混合することがより好ましい。

ここで、上記置換基（ａ）群中の−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^ｘで表される基、上記置換基（ｂ）群中の−Ｂ（ＯＲ^ｙ）_２で表される基およびＳｎ（Ｒ^ｚ）_３で表される基におけるＲ^ｘ、Ｒ^ｙおよびＲ^ｚの一例であるアルキル基としては、炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１５であるものがより好ましく、１〜１０であるものが更に好ましい。また、Ｒ^ｘの一例であるアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子若しくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基としては、フェニル基、４−トリル基、４−メトキシフェニル基、４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基が好ましい。Ｒ^ｘ、Ｒ^ｙおよびＲ^ｚがこれらの基であると、モノマーを重合させる際の反応性が良好となり、高分子ホストの合成が容易となる傾向にある。

置換基（ａ）群中の−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^ｘで表される基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、４−メチルフェニルスルホニルオキシ基、４−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ基等が挙げられる。

置換基（ｂ）群中の−Ｂ（ＯＲ^ｙ）_２で表される基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

また、置換基（ｂ）群中の−Ｂ⁻Ｆ_３Ｑ^１で表される基としては、−ＢＦ_３ ⁻Ｋ^＋で表される基が挙げられる。さらに、置換基（ｂ）群中の−Ｓｎ（Ｒ^ｚ）_３で表される基としては、トリメチルスタナニル基、トリエチルスタナニル基、トリブチルスタナニル基等が挙げられる。

式（Ｈ１’）、（Ｈ２’）および（Ｈ３’）で表される化合物は、これらをモノマーとして用い、重合させて高分子ホストを形成する場合、純度の高い高分子ホストを得るために、重合前の各化合物も高純度化しておくことが好ましい。高純度の高分子ホストを用いて発光素子を形成することで、発光効率や輝度安定性を高めることが可能となる。

式（Ｈ１’）、（Ｈ２’）および（Ｈ３’）で表される化合物の高純度化は、例えば、蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製することにより行うことができる。各化合物は、高純度であるほど望ましい。例えば、ＵＶ検出器（検出波長２５４ｎｍ）を用いた高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）による分析において、各化合物のピークが示す面積百分率値が９８．５％以上であることが好ましく、９９．０％以上であることがより好ましく、９９．５％以上であることが更に好ましい。

式（Ｈ１’）、（Ｈ２’）および（Ｈ３’）で表される化合物を用いた重合反応として、例えば、アリールカップリング反応による方法としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法（ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７−２４８３頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，第５１巻、２０９１頁（１９７８年））、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法（プログレスインポリマーサイエンス（ＰｒｏｇｒｅｓｓｉｎＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎｃｅ），第１７巻，１１５３〜１２０５頁，１９９２年）、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法（ヨーロピアンポリマージャーナル（ＥｕｒｏｐｅａｎＰｏｌｙｍｅｒＪｏｕｒｎａｌ），第４１巻，２９２３−２９３３頁（２００５年））等が挙げられる。

これらのなかでも、重合方法としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が、モノマーの合成のし易さや、重合反応時の操作の簡便性の観点から好ましい。また、高分子ホストの構造制御のしやすさを考慮すると、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応により重合する方法がより好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する反応が特に好ましい。

式（Ｈ１’）、（Ｈ２’）および（Ｈ３’）で表される化合物が有している重合活性基であるＸ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃで表される基は、重合反応の種類に応じて適切な基を選択すればよい。例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する場合、これらの基としては、臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子、−Ｂ(ＯＲ^ｙ)_２で表される基が好ましく、臭素原子またはＢ(ＯＲ^ｙ)_２で表される基がより好ましい。重合活性基としてこれらの基を有する場合、式（Ｈ１）、（Ｈ２）および（Ｈ３）で表される化合物を合成することが簡便となるほか、重合の際の取り扱い性も良好となる。

重合の方法としては、上述した置換基（ａ）群や置換基（ｂ）群を重合活性基として有する式（Ｈ１’）、（Ｈ２’）および（Ｈ３’）で表される化合物等を、必要に応じて、適切な触媒や適切な塩基とともに反応させる方法が挙げられる。Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応により重合する方法を選択する場合、所望の分子量を有する高分子ホストを得るためには、高分子ホスト全体における、置換基（ａ）群に含まれる基のモル数に対する、置換基（ｂ）群に含まれる基のモル数の比率（置換基（ａ）群に含まれる基の合計モル数を分母とし、置換基（ｂ）群に含まれる基の合計モル数を分子とした際の比率、以後、比率（ｂ／ａ）と記載することがある。）を調整すればよい。該比率（ｂ／ａ）としては、高分子ホストの分子量を高める観点からは、０．９０〜１．１０とすることが好ましく、０．９５〜１．０５とすることがより好ましく、０．９８〜１．０２とすることが更に好ましい。一方、モノマーを分割添加、逐次添加することにより、構成連鎖の存在割合を制御したい場合は、上記比率（ｂ／ａ）が１未満の適切な値に設定した状態で重合反応を行うことによりにより、重合反応時に高分子ホストの両末端が置換基（ａ）となることにより、分子量を制御することが可能であり、そこから、更に（ｂ／ａ）が１に近づくようにモノマーを添加していくことで、更に精密に分子量を制御することが可能となる。また、初期に加えたモノマーと異なる構成単位となるモノマーを後から加えることにより、ブロックコポリマーを合成することも可能である。

高分子ホストとしては、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定することにより得られるポリスチレン換算の重量平均分子量(Ｍｗ)が、５×１０^３〜５×１０^６の範囲内であることが好ましい。

触媒としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合の場合、例えば、パラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、［トリス（ジベンジリデンアセトン）］ジパラジウム、パラジウムアセテート、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のパラジウム錯体等の遷移金属錯体や、これらの遷移金属錯体に、必要に応じて、トリフェニルホスフィン、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、トリス（ｏ−メトキシフェニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子が配位した触媒が挙げられる。

これらの触媒は、予め合成したものを用いてもよいし、反応系中で調製したものをそのまま用いてもよい。また、これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。更に、重合開始時に加えるだけでなく、重合反応中に追加してもよい。

触媒を用いる場合、その使用量は、触媒としての有効量であればよい。例えば、用いる単量体のモル数の合計に対する触媒の量は、遷移金属換算で、０．００００１〜３モル当量であると好ましく、０．００００５〜０．５モル当量であるとより好ましく、０．０００１〜０．２モル当量であると更に好ましい。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合では、触媒として塩基を用いることが好ましい。塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。また、これらの塩基は、水溶液として用いてもよい。

塩基を用いる場合、その量は、用いるモノマーのモル数の合計に対して設定することが好ましく、０．５〜２０モル当量であると好ましく、１〜１０モル当量であるとより好ましい。

重合反応は、溶媒の非存在下で行っても、溶媒の存在下で行ってもよいが、有機溶媒の存在下で行うことがより好ましい。有機溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。副反応を抑制する観点から、溶媒には、脱酸素処理を行うことが望ましい。有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

有機溶媒の使用量は、溶液中のモノマーの合計の濃度が、０．１〜９０重量％となる量であると好ましく、１〜５０重量％となる量であるとより好ましく、２〜３０重量％となる量であると更に好ましい。

重合反応における反応温度は、好ましくは０〜２００℃であり、より好ましくは２０〜１５０℃であり、更に好ましくは２０〜１２０℃である。また、反応時間は、０．５時間以上であると好ましく、２〜５００時間であるとより好ましい。

重合反応は、置換基（ｂ）群に含まれる基として、−ＭｇＹ¹で表される基を適用する場合は、脱水条件下で行うことが好ましい。一方、重合反応がＳｕｚｕｋｉカップリング反応である場合、使用する塩基を水溶液として用いてもよく、また、溶媒として、有機溶媒に水を加えて用いてもよい。

また、上記高分子ホストは、発光素子の輝度寿命等の安定性を向上させる観点から、重合反応における重合活性基を末端処理等の操作により除去、若しくは、無置換フェニル基等の安定な基で置換した構造とすることが好ましい。重合反応においては、得られる高分子ホストの末端に重合活性基（Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ等）が残存するのを避けるために、末端封止剤として、下記式（１９）で表される化合物を更に用いてもよい。かかる化合物を加えて反応を行うことにより、高分子ホストの末端がアリール基または１価の芳香族複素環基で置換された高分子ホストを得ることができる。式（１９）で表される末端封止剤は、高分子ホストを製造する際の重合において、一種のみ用いても、二種以上用いてもよい。

（１９）
［式（１９）中、
Ａｒ^１９ａは、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。
Ｘ^１９ａは、上述した置換基（ａ）群または置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。］

式（１９）中、Ａｒ^１９ａで表されるアリール基、１価の芳香族複素環基としては、アリール基が好ましく、非置換またはアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基若しくは置換アミノ基で置換されたアリール基がより好ましく、非置換またはアルキル基若しくはアリール基で置換されたアリール基が更に好ましく、非置換またはアルキル基若しくはアリール基で置換されたフェニル基が特に好ましい。

重合反応の後処理は、公知の方法で行うことができる。例えば、メタノール等の低級アルコールに重合反応で得られた反応液を加えて析出させた沈殿を濾過、乾燥させる方法により行うことができる。

このようにして得られた高分子ホストが重合反応に用いた触媒、塩基、それらの残渣等の不純物を含む場合には、公知の精製法に従い精製処理を行うことが可能である。特に、高分子ホストを発光素子に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、縮合重合後、沈殿分別、抽出分別、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、吸着、洗浄等の精製処理により除去、精製したものであることが好ましい。

下記表１に、本発明で使用する高分子ホストを得るのに好適な、モノマーの仕込み比を、例示する。

＜組成物＞
本発明の組成物は、本発明の金属錯体または本発明の金属含有高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および本発明の金属錯体とは異なる発光材料からなる群より選ばれる少なくとも1種の材料を含有する。
本発明の組成物は、発光材料、正孔輸送材料または電子輸送材料として好適に用いることができる。正孔輸送材料または電子輸送材料としては、前述の＜高分子ホスト＞の項で説明した高分子化合物を用いることが好ましい。なお、本発明の組成物において、本発明の金属錯体、本発明の金属含有高分子化合物、正孔輸送材料、電子輸送材料および本発明の金属錯体とは異なる発光材料は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

本発明の組成物が、正孔輸送材料、電子輸送材料および本発明の金属錯体とは異なる発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む場合、該組成物の全体を１００重量部に対して、本発明の金属錯体は、通常、０．１〜６０重量部であり、好ましくは０．１〜５０重量部であり、より好ましくは０．５〜４０重量部である。

正孔輸送材料としては、前述の＜高分子ホスト＞の項で説明した高分子化合物のほかに、発光素子の正孔輸送材料として公知のものを適用できる。例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリアリールアミンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）およびその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）およびその誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は、アリーレン基や２価の芳香族複素環基を共重合成分として有していてもよい。

電子輸送材料としては、前述の＜高分子ホスト＞の項で説明した高分子化合物のほかに、発光素子の電子輸送材料として公知のものを適用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、トリアリールトリアジンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は、アリーレン基や２価の芳香族複素環基を共重合成分として有していてもよい。

本発明の金属錯体とは異なる発光材料としては、発光素子の発光材料として公知のものを適用できるが、優れた発光効率を得る観点から、後述する燐光発光性化合物が好ましい。燐光発光性化合物以外の発光材料としては、蛍光発光性化合物を用いることができる。
蛍光発光性化合物には、低分子蛍光材料、高分子蛍光材料がある。低分子蛍光材料は、通常４００〜７００ｎｍの波長範囲に蛍光発光のスペクトルピークを有する。低分子蛍光材料の分子量は、３０００未満であると好ましく、１００〜２０００であるとより好ましく、１００〜１０００であると更に好ましい。

低分子蛍光材料としては、発光素子の発光材料として公知のものが適用できる。例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、キナクリドン誘導体、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、オリゴチオフェン誘導体等の色素系材料；アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等の、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等を有するか、または、中心金属にＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等の金属錯体系材料が挙げられる。

高分子蛍光材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体等の、上記の低分子蛍光材料として例示した色素体や金属錯体系発光材料を高分子化した材料が挙げられる。

［本発明の金属錯体とは異なる燐光発光性化合物］
本発明の金属錯体とは異なる燐光発光性化合物としては、三重項発光錯体等の公知の化合物を適用でき、例えば、Ｎａｔｕｒｅ，（１９９８）, ３９５, １５１、Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ. （１９９９）, ７５（１）, ４、Ｐｒｏｃ. ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ. Ｓｏｃ. Ｏｐｔ. Ｅｎｇ. （２００１）, ４１０５（Ｏｒｇａｎｉc Ｌｉｇｈｔ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓＩＶ）, １１９、Ｊ. Ａｍ. Ｃｈｅｍ. Ｓｏｃ., （２００１）, １２３, ４３０４、Ａｐｐｌ. Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ., （１９９７）, ７１（１８）, ２５９６、Ｓｙｎ. Ｍｅｔ., （１９９８）, ９４（１）, １０３、Ｓｙｎ. Ｍｅｔ., （１９９９）,９９（２）, １３６１、Ａｄｖ. Ｍａｔｅｒ., （１９９９）, １１（１０）, ８５２、Ｉｎｏｒｇ. Ｃｈｅｍ., （２００３）, ４２, ８６０９、Ｉｎｏｒｇ. Ｃｈｅｍ., （２００４）, ４３, ６５１３、ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＳＩＤ１１/１、１６１（２００３）、ＷＯ２００２/０６６５５２、ＷＯ２００４/０２０５０４、ＷＯ２００４/０２０４４８等に記載されている金属錯体が挙げられる。

三重項発光錯体としては、イリジウムを中心金属とするＩｒ（ｐｐｙ）_３、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＦＩｒｐｉｃ、ＣＯＭ−１、ＣＯＭ−２、ＣＯＭ−３、ＣＯＭ−４、ＣＯＭ−５、ＣＯＭ−６、ＣＯＭ−７、ＣＯＭ−８、アメリカンダイソース社から市販されているＡＤＳ０６６ＧＥ等のイリジウム錯体、白金を中心金属とするＰｔＯＥＰ等の白金錯体、ユーロピウムを中心金属とするＥｕ（ＴＴＡ）_３ｐｈｅｎ等のユーロピウム錯体が好ましい。なお、これらの三重項発光錯体は、以下の化学式に示されるものである。

本発明の組成物に、発光スペクトルピークが４８０ｎｍ未満の燐光発光性化合物とともに、発光スペクトルピークが４８０ｎｍ以上の燐光発光性化合物が含まれることで、組成物の発光スペクトルを調整することが可能である。中でも、発光スペクトルピークが４８０ｎｍ以上の燐光発光性化合物が、緑色領域に発光スペクトルピークを有する燐光発光性化合物、および、赤色領域に発光スペクトルピークを有する燐光発光性化合物の組み合わせとすることで、白色発光素子の作製に利用されることが可能となる。
発光スペクトルピークが４８０ｎｍ未満の燐光発光性化合物が本発明の金属錯体であり、発光スペクトルピークが４８０ｎｍ以上の燐光発光性化合物が本発明の金属錯体とは異なる燐光発光性化合物であってもよいし、
発光スペクトルピークが４８０ｎｍ未満の燐光発光性化合物が本発明の金属錯体とは異なる燐光発光性化合物であり、発光スペクトルピークが４８０ｎｍ以上の燐光発光性化合物が本発明の金属錯体であってもよいし、
発光スペクトルピークが４８０ｎｍ未満の燐光発光性化合物および発光スペクトルピークが４８０ｎｍ以上の燐光発光性化合物の双方が本発明の金属錯体であってもよい。

緑色領域に発光スペクトルピークを有する燐光発光性化合物は、発光スペクトルピークが４８０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の燐光発光性化合物であることが好ましく、また、赤色領域に発光スペクトルピークを有する燐光発光性化合物は、発光スペクトルピークが５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ未満の燐光発光性化合物であることが好ましい。

燐光発光性化合物の発光スペクトルのピーク波長は、燐光発光性化合物を、キシレン、トルエン、クロロホルム、テトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解させ、希薄溶液（溶液中の燐光発光性化合物の濃度は、例えば、１×１０^−６〜１×１０^−７ｍｏｌ／Ｌの範囲）を調製し、この希薄溶液のＰＬ発光スペクトルを測定することで評価することができる。

燐光発光性化合物である金属錯体としては、金属錯体の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）において、全原子軌道係数の２乗の和に対する中心金属の最外殻ｄ軌道の軌道係数の２乗の和が占める割合が１／３以上であるものを適用することが、高い発光量子効率を得る観点（すなわち、本実施形態の組成物を用いた発光素子において優れた発光効率を得る観点）で好ましい。このような金属錯体としては、例えば、中心金属が第５周期または第６周期に属する遷移金属であるオルトメタル化錯体等が挙げられる。

燐光発光性化合物である金属錯体の中心金属としては、原子番号５０以上の原子で、錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こし得る金属が挙げられ、好ましくは、ルテニウム（ＩＩ）、ロジウム（ＩＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）、オスミウム（ＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）または白金（ＩＩ）であり、より好ましくは、白金（ＩＩ）またはイリジウム（ＩＩＩ）であり、更に好ましくは、イリジウム（ＩＩＩ）である。

燐光発光性化合物としては、下記一般式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物が好ましい。

（ＭＭ）

式（ＭＭ）中、
Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金からなる群から選ばれる金属原子を表す。
Ｌは、Ｍで表される金属原子との間に、配位結合および共有結合からなる群から選ばれる少なくとも２つの結合を形成して多座配位することが可能な、中性または１〜３価のアニオン性の配位子を表す。Ｌが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｚは、カウンターアニオンを表す。Ｚが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。
ｋａは１以上の整数を表し、ｋｂは０以上の整数を表す。但し、ｋａ＋ｋｂは金属原子Ｍが有する価数を満たすように存在する。
なお、式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物は全体として中性の原子価である。

式（ＭＭ）におけるＭとしては、白金（ＩＩ）またはイリジウム（ＩＩＩ）が好ましく、イリジウム（ＩＩＩ）がより好ましい。

式（ＭＭ）におけるＬとしては、
８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体のような金属原子と窒素原子および酸素原子で配位結合若しくは共有結合で結合する配位子、２−フェニルピリジンおよびその誘導体のような窒素原子および炭素原子で配位結合若しくは共有結合で結合する配位子、アセチルアセトンおよびその誘導体のように酸素原子で配位結合若しくは共有結合で結合する配位子、２，２’−ビピリジルおよびその誘導体のように、窒素原子で配位結合する配位子、または、リン原子および炭素原子で配位結合若しくは共有結合する配位子等が挙げられ、
窒素原子および炭素原子で配位結合若しくは共有結合で結合する配位子、または、窒素原子で配位結合する配位子が好ましく、
窒素原子および炭素原子で配位結合若しくは共有結合で結合するモノアニオン性のオルトメタル化配位子、または、該モノアニオン性のオルトメタル化配位子が互いに結合してなる２価若しくは３価のオルトメタル化配位子がより好ましく、
窒素原子および炭素原子で配位結合若しくは共有結合で結合するモノアニオン性のオルトメタル化配位子が更に好ましい。

式（ＭＭ）におけるＬは、上記の通り、一種単独で用いても二種以上を併用して用いても良いが、一種単独で用いる場合、式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物はホモレプティック錯体（ｈｏｍｏｌｅｐｔｉｃｃｏｍｐｌｅｘ）となり、二種以上を併用して用いる場合、式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物はヘテロレプティック錯体（ｈｅｔｅｒｏｌｅｐｔｉｃｃｏｍｐｌｅｘ）となる。

式（ＭＭ）におけるＬとして好ましい、窒素原子および炭素原子で配位結合若しくは共有結合で結合するモノアニオン性のオルトメタル化配位子を、以下に例示する。

［式中、Ｒａは前記と同じ意味を表す。］

上記に例示したモノアニオン性のオルトメタル化配位子における任意の水素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子またはシアノ基で置換されていてもよい。当該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに、環構造を形成していてもよい。

式（ＭＭ）におけるＺとしては、ブレンステッド酸の共役塩基が挙げられる。ブレンステッド酸の共役塩基の具体例としては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン等が挙げられる。

式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物としては、
Ｍが、イリジウム（ＩＩＩ）であり、Ｌが、Ｍと窒素原子および炭素原子で配位結合若しくは共有結合で結合するモノアニオン性のオルトメタル化配位子であり、ｋａが３であり、ｋｂが０である燐光発光性化合物が好ましい。

＜液状組成物＞
本発明の金属錯体は、溶媒（好ましくは有機溶媒）に溶解または分散させて、本発明の液状組成物（溶液または分散液）としてもよい。このような液状組成物は、インク、ワニスとも呼ばれる。発光素子を構成する有機層を形成するために、本発明の液状組成物を用いる場合、液状組成物は溶液であることが好ましい。

液状組成物は、本発明の金属錯体に加えて、正孔輸送材料、電子輸送材料および本発明の金属錯体とは異なる発光材料からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有していてもよい。また、液状組成物には、本発明の効果を妨げない限りにおいて、その他の物質が添加されていてもよい。その他の物質としては、酸化防止剤、粘度調整剤、界面活性剤等が挙げられる。

ここで、溶媒としては、本発明の金属錯体が溶解または分散する限り特に限定されないが、以下のような有機溶媒が挙げられる。

芳香族炭化水素系溶媒：トルエン、キシレン（各異性体またはそれらの混合物）、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、２−フェニルブタン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ネオペンチルベンゼン、イソアミルベンゼン、ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、３−プロピルトルエン、、１−メチル−４−プロピルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，４−ジプロピルベンゼン、１，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、インダン、テトラリン（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン）等。

脂肪族炭化水素系溶媒：ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、デカリン等。

芳香族系エーテル系溶媒：アニソール、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、ブチロキシベンゼン、ペンチルオキシベンゼン、シクロペンチルオキシベンゼン、ヘキシルオキシベンゼン、シクロヘキシルオキシベンゼン、ヘプチルオキシベンゼン、オクチルオキシベンゼン、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、４−エチルアニソール、４−プロピルアニソール、４−ブチルアニソール、４−ペンチルアニソール、４−ヘキシルアニソール、ジフェニルエーテル、４−メチルフェノキシベンゼン、４−エチルフェノキシベンゼン、４−プロピルフェノキシベンゼン、４−ブチルフェノキシベンゼン、４−ペンチルフェノキシベンゼン、４−ヘキシルフェノキシベンゼン、、３−フェノキシトルエン、１，３−ジメトキシベンゼン、２，６−ジメチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール等。

脂肪族エーテル系溶媒：テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等。

ケトン系溶媒：アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等。

エステル系溶媒：酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、エチルセルソルブアセテート等。

塩素化溶媒：塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等。

アルコール系溶媒：メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、フェノール等。

多価アルコールおよびその誘導体：エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等。

非プロトン性極性溶媒：ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等。

これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を混合溶媒として使用してもよい。
混合溶媒を用いる場合、上記の溶媒群から二種または三種以上を組み合わせることが好ましいが、上記例示の同じ系の溶媒群から複数を組み合わせても、異なる系の溶媒群から１種以上ずつを組み合わせてもよい。その組成比は、各溶媒の物性や、金属錯体等の溶解性を考慮して決めることができる。

同じ系の溶媒群から複数種を選んで組み合わせる場合の好ましい例としては、芳香族炭化水素系溶媒から複数種、芳香族エーテル系溶媒から複数種等が挙げられる。異なる系の溶媒群から１種以上ずつを選んで組み合わせる場合の好ましい例としては、以下の組み合わせが挙げられる。芳香族炭化水素系溶媒と脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と芳香族エーテル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と脂肪族エーテル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と非プロトン性極性溶媒、芳香族エーテル系溶媒と非プロトン性極性溶媒等。
また、単独溶媒または混合溶媒に水を添加することもできる。

これらの有機溶媒のうち、ベンゼン環を含む構造を有し、融点が０℃以下であり、且つ、沸点が１００℃以上である有機溶媒を一種以上含む単独溶媒または混合溶媒が、粘度、成膜性等の観点から好ましく、なかでも芳香族炭化水素系溶媒および芳香族エーテル系溶媒からなる群から選ばれる一種以上含む単独溶媒または混合溶媒が好ましい。

有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を混合溶媒として使用してもよいが、成膜性を制御する観点から混合溶媒を用いることが好ましい。また、有機溶媒は、必要に応じ、洗浄、蒸留、吸着剤への接触等の方法により精製を行ってから使用してもよい。

上記液状組成物によれば、本発明の金属錯体を含有する有機薄膜を容易に製造することができる。具体的には、上記液状組成物を基板上に塗布して、加熱、送風、減圧等により有機溶媒を留去することにより、本発明の高分子化合物を含有する有機薄膜が得られる。
有機溶媒の留去は、使用される有機溶媒に応じて条件を変更することができ、例えば、５０〜１５０℃程度の雰囲気温度（加熱）または１０^−３Ｐａ程度の減圧雰囲気等が条件として挙げられる。

塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

上記液状組成物の好適な粘度は印刷法によっても異なるが、２５℃において、好ましくは０．５〜１０００ｍＰａ・ｓであり、より好ましくは０．５〜５００ｍＰａ・ｓである。また、インクジェット印刷法のように液状組成物が吐出装置を経由する場合、吐出時の目詰まりや飛行曲がりを防止するために、２５℃における粘度は、好ましくは０．５〜５０ｍＰａ・ｓであり、より好ましくは０．５〜２０ｍＰａ・ｓである。液状組成物中の本発明の高分子化合物の濃度は、特に限定されないが、０．０１〜１０重量％であることが好ましく、０．１〜５重量％であることがより好ましい。

［有機薄膜］
本発明の有機薄膜は、本発明の金属錯体を含有するものであり、例えば、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の有機薄膜が挙げられる。これらの有機薄膜は、その用途に応じて、上述した本発明の組成物を構成する各成分を適宜組み合わせて含んでいてもよい。

有機薄膜は、本発明の金属錯体をそのまま、または、上述したような本発明の組成物や本発明の液状組成物の状態で用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等を行うことにより作製することができる。

例えば、上述した溶液を用いて有機薄膜を形成する場合は、溶液に含まれる本発明の高分子化合物のガラス転移温度にもよるが、１００℃以上の温度（例えば、１３０℃〜１６０℃）でベークすることが好ましい。

有機薄膜は、発光性薄膜である場合、発光素子の輝度や発光電圧を良好に得る観点から、発光量子収率が３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることが更に好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。

有機薄膜は、導電性薄膜である場合、表面抵抗率が１ｋΩ／ｓｑ．以下であることが好ましく、１００Ω／ｓｑ．以下であることがより好ましく、１０Ω／ｓｑ.以下であることが更に好ましい。導電性薄膜の場合、ルイス酸やイオン性化合物等をドープすることによって、電気伝導度を高めることができる。なお、「Ω／ｓｑ．」は表面抵抗率を表す単位である。

さらに、有機薄膜は、有機半導体薄膜である場合、当該薄膜が有している電子移動度および正孔移動度のうちの大きい方の値が、１０^−５ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが好ましく、１０^−３ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることがより好ましく、１０^−１ｃｍ^２／Ｖ／秒以上であることが更に好ましい。例えば、ＳｉＯ_２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に、この有機半導体薄膜を形成し、さらにＡｕ等によりソース電極およびドレイン電極を形成することによって、有機トランジスタを作製することができる。

［発光素子］
本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた本発明の金属錯体を含有する有機層と、を備える。発光素子は、有機層を一層のみ有するものであってもよく、二層以上有するものであってもよい。有機層を二層以上備える場合には、少なくとも一層が本発明の金属錯体を含有していればよい。

上記本発明の金属錯体を含有する有機層は、発光素子において、発光層、正孔輸送層または電子ブロック層として機能することができる。そのため、本発明の発光素子は、これらの層のうちの少なくとも１つが、上記本発明の金属錯体を含有する有機層により構成されることが好ましい。なかでも、本発明の発光素子は、発光層が上記本発明の金属錯体を含有する有機層より構成される発光素子であることが好ましい。発光素子は、陽極、陰極および発光層として機能する有機層（以下、単に「発光層」という。）以外にも、それらの層の間等に、その他の層を有していてもよい。なお、各層は、一層からなるものであっても、二層以上からなるものであってもよい。また、各層を構成している材料や化合物は、一種単独であっても二種以上が併用されていてもよい。

陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられ、これらの層は陽極と発光層の間に一層のみ設けても二層以上設けてもよい。

正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、正孔注入層または陽極により近い層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。一方、これらの層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合、それらの層は、電子ブロック層とも呼ばれる。対象となる層が、電子の輸送を堰き止める機能を有するかどうかは、電子電流のみを流す素子を作製し、電流値の減少が生じることを測定することによって確認することができる。

陰極と発光層との間に設けられた層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられ、これらの層は陰極と発光層の間に一層のみ設けても二層以上設けてもよい。

電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、電子注入層または陰極により近い層からの電子注入を改善する機能を有する層である。一方、これらの層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層を正孔ブロック層とも呼ばれる。対象となる層が、正孔の輸送を堰き止める機能を有するかどうかは、正孔（ホール）電流のみを流す素子を作製し、電流値の減少が生じることを測定することによって確認することができる。

上述した各層を備える構成を有する発光素子の構造としては、例えば、以下のａ）〜ｄ）の構造が挙げられる。下記の構造中「／」は各層が隣接して積層されていることを示す（以下同様）。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極

なお、電極（陰極、陽極）に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷（正孔、電子）の注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を低下させる効果を有するものは、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と呼ばれる場合もある。

電極（陰極、陽極）との密着性の向上や、電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して、電荷注入層や絶縁層を更に設けてもよい。また、電荷輸送層や発光層の界面には、層間の界面における密着性の向上や構成材料の混合の防止等のために、薄いバッファー層を更に設けてもよい。積層する層の順番や数、および各層の厚さは、発光効率や輝度寿命を勘案して調整することができる。

例えば、電荷注入層を更に設けた発光素子の構造としては、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

上述したａ）〜ｐ）のような構造を有する発光素子における各層の構成は、例えば、次の通りである。

（陽極）
陽極は、通常、透明または半透明であり、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜から構成され、それらの中でも透過率が高い材料から構成されることが好ましい。陽極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、および、それらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性無機化合物を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ等や、金、白金、銀、銅等が用いられる。なかでも、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイドまたは酸化スズが好ましい。陽極の作製には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等の方法を用いることができる。また、陽極として、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができる。例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであると好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであるとより好ましく、４０ｎｍ〜５００ｎｍであると更に好ましい。

（正孔注入層）
正孔注入層に用いられる材料としては、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等の導電性高分子等が挙げられる。

正孔注入層が、導電性高分子や上述した本実施形態の高分子化合物である場合、その電気伝導度を向上させるために、正孔注入層には、必要に応じて、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等のアニオンをドープしてもよい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層に用いられる材料としては、正孔輸送材料として例示したものが挙げられる。なお、正孔輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合には、低分子化合物を高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

なかでも、正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアリールアミンおよびその誘導体が好ましい。

正孔輸送層の成膜方法としては、正孔輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーとの混合溶液を用いた成膜が挙げられ、高分子化合物である場合には、この高分子化合物を含む溶液を用いた成膜が挙げられる。

溶液を用いた成膜に用いる溶媒は、正孔輸送層に用いられる材料を溶解させるものであればよい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が挙げられる。

溶液を用いた成膜には、溶液を用いたスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

低分子化合物と組み合わせる高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適である。このような高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。

正孔輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して選択することができる。ただし、ピンホールが容易に発生しないような厚さを有することが必要である一方、厚過ぎると、発光素子の駆動電圧が高くなることがある。そこで、正孔輸送層の厚さは、１ｎｍ〜１μｍであると好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであるとより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであると更に好ましい。

（発光層）
発光層は、蛍光または燐光を発する有機化合物（低分子化合物、高分子化合物のいずれであってもよい。）と、必要に応じてこれを補助するドーパントとから形成される。本実施形態の発光素子における発光層は、上述した本実施形態の金属錯体と高分子ホストとを含むものであることが好ましい。なお、発光材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

発光層には、発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために、ドーパントを添加してもよい。ドーパントとしては、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。

発光層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して選択することができ、例えば、２〜２００ｎｍであると好ましい。

発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を基材の上または基材の上方に塗布する方法、真空蒸着法、転写法等を用いることができる。溶液を用いた成膜を行う場合、溶媒としては、正孔輸送層の溶液による成膜において例示したものと同様の溶媒を適用できる。発光材料を含む溶液を基材の上または基材の上方に塗布する方法としては、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、スリットコート法等の印刷法を用いることができる。発光材料が、昇華性を有する低分子化合物の場合には、真空蒸着法により成膜を行うこともできる。また、レーザーによる転写や熱転写により、所望の位置に発光層を形成する方法も用いることができる。

（電子輸送層）
電子輸送層に用いられる材料としては、上述した電子輸送材料等が挙げられる。
これらのなかでも、電子輸送層に用いる電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体が好ましい。

電子輸送層の成膜方法としては、電子輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合、粉末を用いた真空蒸着法、溶液または溶融状態での成膜による方法が挙げられる。一方、電子輸送層に用いられる材料が高分子化合物である場合には、溶液または溶融状態での成膜による方法が挙げられる。溶液または溶融状態での成膜には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液を用いた成膜は、上述したような溶液を用いた正孔輸送層の成膜方法と同様にして行うことができる。

電子輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して調整することができる。ただし、ピンホールが容易に発生しないような厚さを有することが必要である一方、厚過ぎると、発光素子の駆動電圧が高くなることがある。そこで、電子輸送層の膜厚は、１ｎｍ〜１μｍであると好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであるとより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであると更に好ましい。

（電子注入層）
電子注入層の構成は、発光層の種類に応じて適宜選択することができる。例えば、Ｃａ層の単層構造からなる電子注入層、Ｃａを除いた周期表１族と２族の金属であり、かつ仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの金属、並びに、該金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物から選ばれる１種または２種以上で形成された層とＣａ層との積層構造からなる電子注入層等が挙げられる。仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの、周期表１族の金属、並びに、その酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物としては、リチウム、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの、Ｃａを除いた周期表２族の金属、並びに、その酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物としては、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。

電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等によって形成することができる。
また、電子注入層の厚さは、１ｎｍ〜１μｍが好ましい。

（陰極）
陰極の材料としては、仕事関数が小さく発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。
例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、若しくは、これら金属のうち２種以上の合金、または、これら金属のうち１種以上の金属と金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金、或いは、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。

陰極を２層以上の積層構造とする場合には、金属、金属酸化物、金属フッ化物またはこれらの合金と、アルミニウム、銀、クロム等の金属と、の積層構造が好ましい。

陰極は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等によって形成することができる。陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して選択することができる。例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであると好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであるとより好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍであると更に好ましい。

（保護層）
陰極の作製後には、その上部に、発光素子を保護するための保護層を更に形成してもよい。特に、発光素子を長期安定的に用いるためには、この発光素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

保護層の構成材料としては、高分子量の化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。保護カバーを用いた発光素子の保護方法としては、保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が挙げられる。この際、スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子の損傷を防ぐことが容易となる。さらに、この空間に窒素やアルゴンのような不活性ガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができる。また、酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置すれば、製造工程で吸着した水分または硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子に損傷を与えるのを抑制することが容易となる。発光素子においては、これらのうち、いずれか１つ以上の方策を採ることが好ましい。

以上説明した好適な実施形態の発光素子は、面状光源、表示装置（セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置）、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。

例えば、発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得る方法としては、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成して実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極の一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。

さらに、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動させてもよい。

上述した面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、面状の照明用光源等として好適に用いることができる。また、上記の表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。さらに、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をより詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、該ＳＥＣの測定条件は、以下のとおりである。

［測定条件］
測定する高分子化合物は、約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはテトラヒドロフランに溶解させて、ＬＣ−ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、特に断りのない限り、アセトニトリルとテトラヒドロフランとを比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ２ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ８）または重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させて、ＮＭＲ装置（バリアン(Varian，Ｉｎｃ．)製、商品名ＭＥＲＣＵＲＹ３００）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）による、２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、ＫａｓｅｉｓｏｒｂＬＣＯＤＳ２０００（東京化成工業製）、若しくは同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜実施例１＞化合物Ｓ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノール（２５０．００ｇ、１．２１ｍｏｌ、Ａｌｄｒｉｃｈ製品）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（１７７．６４ｇ、１．４５ｍｏｌ）およびジクロロメタン（３１００ｍＬ）を加え、これを５℃に氷冷した。その後、これに、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３７６．０６ｇ、１．３３ｍｏｌ）を４５分かけて滴下した。滴下終了後、氷冷下で３０分間攪拌し、次いで、室温に戻して更に１．５時間攪拌した。得られた反応混合物にヘキサン（３１００ｍＬ）を加え、この反応混合物を、４１０ｇのシリカゲルを用いてろ過し、更に、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒（２．５Ｌ）でシリカゲルを洗浄した。得られたろ液と洗浄液を濃縮し、無色オイルの化合物Ｓ１−ａ（４１０．９４ｇ、１．２１ｍｏｌ、ＨＰＬＣ面積百分率値９９．７％）を得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ１−ａ（４１０．９４ｇ、１．２１ｍｏｌ）、ビス（ピナコレート）ジボロン（３３８．４７ｇ、１．３３ｍｏｌ）、酢酸カリウム（２３７．８３ｇ、２．４２ｍｏｌ）、１，４−ジオキサン（２６００ｍＬ）、酢酸パラジウム（４．０８ｇ、０．０１８ｍｏｌ）およびトリシクロヘキシルホスフィン（１０．１９ｇ、０．０３６ｍｏｌ）を加え、２時間還流した。室温に冷却後、得られた反応混合物をろ過してろ液を集め、さらにろ過物を１，４−ジオキサン（２．５Ｌ）で洗浄し、得られたろ液と洗浄液を濃縮した。得られた残渣を、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒に溶解させ、７７０ｇのシリカゲルを用いてろ過し、更に、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒（２．５Ｌ）でシリカゲルを洗浄した。得られたろ液と洗浄液を濃縮し、得られた残渣にメタノール（１５００ｍＬ）を加えて３０分間超音波洗浄を行った。その後、これをろ過することにより、化合物Ｓ１−ｂ（２７４．２７ｇ）を得た。ろ液と洗浄液を濃縮し、メタノールを加え、超音波洗浄を行い、ろ過するという操作を繰り返すことことにより、化合物Ｓ１−ｂ（１４．２９ｇ）を得た。得られた化合物Ｓ１−ｂの合計の収量は２８８．５６ｇであった。

＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、１，３−ジブロモベンゼン（１０２．４８ｇ、０．４３４ｍｏｌ）、化合物Ｓ１−ｂ（２８８．５６ｇ、０．９１２ｍｏｌ）、トルエン（２１００ｍＬ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９６２．３８ｇ、１．３１ｍｏｌ）およびビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（３．０４ｇ、０．００４ｍｏｌ）を加え、７時間還流した。室温に冷却後、水層と有機層を分離し、有機層を集めた。この水層にトルエン（１Ｌ）を加えて、有機層をさらに抽出した。得られた有機層を合わせて、これを蒸留水／飽和食塩水（１．５Ｌ／１．５Ｌ）の混合水溶液で洗浄した。得られた有機層を４００ｇのシリカゲルでろ過し、更にトルエン（２Ｌ）でシリカゲルを洗浄した。得られた溶液を濃縮し、得られた残渣をヘキサンに溶解させた。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。展開溶媒であるヘキサンで不純物を溶出させた後に、ヘキサン／ジクロロメタン（１０／１（体積基準））の混合溶媒で展開した。得られた各フラクションを減圧濃縮により溶媒を除去し、無色結晶の化合物Ｓ１−ｃ（１５４．０８ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率値９９．１％）、および、粗製の化合物Ｓ１−ｃ（３８．６４ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率値８３％）を得た。この粗製の化合物Ｓ１−ｃを再び同様の展開条件にてカラム精製し、溶媒を減圧留去し、化合物Ｓ１−ｃ（２８．４ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率値９９．６％）を得た。得られた化合物Ｓ１−ｃの合計の収量は１８２．４８ｇ（０．４０ｍｏｌ）であった。

＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ１−ｃ（１８２．４８ｇ、０．４０１ｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（１１２．０９ｇ、０．４４１ｍｏｌ）、４，４’−ジ-ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ジピリジル（３．２３ｇ、０．０１２ｍｏｌ）、シクロヘキサン（２０００ｍＬ）およびビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μ−メトキシジイリジウム（Ｉ）（３．９９ｇ、０．００６ｍｏｌ）を加え、２時間還流した。室温に空冷後、得られた反応混合物を攪拌しながらシリカゲル（２２０ｇ）を２０分かけて加えた。得られた懸濁液を４４０ｇのシリカゲルでろ過し、さらにジクロロメタン（２Ｌ）でシリカゲルを洗浄し、溶液を濃縮した。得られた残渣に、メタノール（１１００ｍＬ）およびジクロロメタン（１１０ｍＬ）を加え、１時間還流した。室温に冷却後、これをろ過した。得られたろ過物をメタノール（５００ｍＬ）で洗浄し、得られた固体を乾燥させて、化合物Ｓ１（２２０．８５ｇ、０．３８０ｍｏｌ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．００（ｓ，２Ｈ），７．９２（ｓ，１Ｈ），７．６０（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ) ，１．７８（ｓ，４Ｈ），１．４１（ｓ，１２Ｈ) ，１．３７（ｓ，１２Ｈ) ，０．７５（ｓ，１８Ｈ)．

＜実施例２＞化合物Ｓ２の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ１（９１．４９ｇ、１５８ｍｍｏｌ）、ｍ−ジブロモベンゼン（１７．７０ｇ，７５ｍｍｏｌ）およびトルエン（４７８ｍＬ）を加え、２０分間窒素ガスバブリングした。その後、これに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１６６ｍＬ、２２５ｍｍｏｌ）およびビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２６ｇ、０．３７ｍｍｏｌ）を加え、６．５時間還流させた。室温に冷却後、得られた反応溶液から有機層を分離し、この有機層を水（３００ｍＬ）、飽和食塩水（３００ｍＬ）の順で洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を、ヘキサン／クロロホルム（（２０／１（体積基準））の混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、減圧濃縮により溶媒を除去した。得られた残渣に、メタノール（８４５ｍＬ）およびクロロホルム（５６ｍＬ）を加え、３０分間還流した。得られた溶液を冷却して得られた沈殿をろ過し、乾燥させることにより、化合物Ｓ２−ａ（７４．４０ｇ）を得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ２−ａ（７４．４０ｇ、７６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（２１．１３ｇ，８３ｍｍｏｌ）、４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ジピリジル（６０９ｍｇ、２ｍｍｏｌ）、シクロヘキサン（７３４ｍＬ）およびビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μ−メトキシジイリジウム（Ｉ）（７５２ｍｇ、１ｍｍｏｌ）を加え、８時間還流した。室温に空冷後、得られた反応溶液にシリカゲル（８３．９３ｇ）を加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ジクロロメタン／アセトニトリル（１００／１（体積基準））の混合溶媒）で精製した。その語、溶媒を減圧留去し、得られた残渣をトルエン（４２０ｍＬ）に溶解させ、これを５０℃に加熱した。その後、これに、アセトニトリル（８３９ｍＬ）を滴下し、析出した固体をろ過した。得られた固体を、ヘキサン／アセトニトリル（1／１（体積基準））の混合溶媒中で３０分間還流した後、室温に冷却して沈殿を濾取し、乾燥させることにより、化合物Ｓ２（６８．５３ｇ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１４（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），８．０９（ｍ，１Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，４Ｈ），７．８２（ｍ，２Ｈ) ，７．６４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，８Ｈ），７．４８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，８Ｈ），１．７９（ｓ，８Ｈ），１．４２（ｓ，２４Ｈ) ，１．３９（ｓ，１２Ｈ) ，０．７７（ｓ，３６Ｈ)．

＜合成例１＞化合物ＩＬ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内を不活性ガス雰囲気下とした後、３−ブロモベンゾイルクロライド（１１７ｇ，０．５３３ｍｏｌ）、エチルブチルイミデート塩酸塩（８１ｇ、０．５３４ｍｏｌ）およびクロロホルム（３７３２ｍｌ）を加え、室温にて攪拌混合し、トリエチルアミン（１１３ｇ，１．１２ｍｏｌ）を室温にて２時間かけて滴下し、更に室温にて２時間攪拌することにより反応溶液を得た。得られた反応溶液を減圧濃縮した後、水（７００ｍｌ）およびクロロホルム（１０００ｍｌ）を用いて反応生成物を有機層へ抽出し、得られた有機層を、水（７００ｍｌ）、飽和食塩水（７００ｍｌ）で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、無機塩をろ過により除去し、得られたろ液を濃縮することにより、中間体ＩＬ１−ａを含む混合物（１９７．５７ｇ）を黄色の油状物として得た。ＨＰＬＣによる純度は９８．２４％であった。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を不活性ガス雰囲気下とした後、中間体ＩＬ１−ａを含む混合物（１９７．５７ｇ）およびクロロホルム（２６６６ｍｌ）を加え、室温で撹拌混合し、メチルヒドラジン（２１．６１ｇ、０．４６９ｍｏｌ）を水（２１．６１ｇ）に加えて調製した溶液を、反応溶液の温度を室温付近に保ちながらゆっくりと滴下した後、室温で２時間撹拌することにより反応溶液を得た。得られた反応溶液を、水（１０００ｍｌ）で２回洗浄後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。無機塩をろ過により除去し、更に減圧濃縮により溶媒を除去することにより、化合物Ｌを含む混合物（１７１ｇ）を得た。得られた混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ジクロロメタン／酢酸エチルの混合溶媒）により精製する作業を２回行うことにより、化合物ＩＬ１を９２．９ｇ（０．３２８ｍｏｌ、ＨＰＬＣ面積百分率値９８．９１％、ブロモベンゾイルクロライドからの収率６２．２％）、黄色の油状物として得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝１．０１（ｔ，９Ｈｚ，３Ｈ），１．６５−１．８５（ｍ，２Ｈ），２．７１（ｔ，６Ｈｚ，２Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），７．３０−７．４５（ｍ，１Ｈ），７．５５−７．６５（ｍ，２Ｈ），７．８４（ｓ，１Ｈ）．

＜合成例２＞金属錯体ＩＭ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、イリジウムクロライド３水和物（２０ｇ、０．０５７ｍｏｌ）および化合物ＩＬ１（３９．７３ｇ、０．１４２ｍｏｌ）を加え、更に、予めアルゴンガスでバブリングしたエトキシエタノール（７９４ｍｌ）および予めアルゴンガスでバブリングした水（２６５ｍｌ）加え、更に、撹拌しながらアルゴンガスで２０分間バブリングすることにより、溶存酸素を除去した。その後、これを１２５℃の油浴を用いて加熱しながら、２２時間還流下で撹拌することにより、反応溶液を得た。得られた反応溶液を室温まで冷却した後、水（７９４ｇ）を加え、強撹拌し、析出した沈殿をろ過により固体として取出し、得られた固体を、水（３００ｍｌ）、ヘキサン（３００ｍｌ）の順で洗浄し、５０℃にて減圧乾燥することにより、目的とする粗製の化合物ＩＭ１−ａ（４０．６１ｇ）を黄色の粉末として得た。ＨＰＬＣによる純度は９８．２４％であった。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、粗製の化合物ＩＭ１−ａ（４０．６１ｇ）、上記と同様の手法で合成した化合物ＩＬ１（９５．３４ｇ、０．３４ｍｏｌ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（５６７ｍｌ）およびトリフルオロ酢酸銀（２９．１５ｇ、０．１１３ｍｏｌ）を加え、更に、攪拌しながら窒素ガスで２０分間バブリングすることにより、溶存酸素を除去した。その後、これを１７０℃の油浴を用いて加熱しながら、２２時間攪拌することにより反応溶液を得た。得られた反応溶液を冷却後、固体をろ過により除去し、得られたろ液に水（５６７ｇ）を加えて撹拌し、析出した沈殿をろ過により固体として取出した。得られた固体を、水（２００ｍｌ）で１回、更に、メタノール（２００ｍｌ）で２回洗浄し、減圧乾燥することにより、黄色固体（６４．５９ｇ、純度９６．２３％）を得た。得られた黄色固体をジクロロメタンに溶解させ、シリカゲルカラム（シリカゲル量２９２ｇ）に通液し、得られた溶液を濃縮し、目的物を含む混合物（５８．７２ｇ、純度９６．２５％）を黄色の固体として得た。得られた混合物を、再結晶（ジクロロメタン／メタノールの混合溶媒）により精製し、更に再結晶（ジクロロメタン／酢酸エチルの混合溶媒）により精製することにより、金属錯体ＩＭ１（４８．６６ｇ）を得た。得られた粗製の金属錯体ＩＭ１に、酢酸エチル（４８７ｍｌ）を加え、加熱還流下で攪拌した後に、メタノール（４８７ｍｌ）を滴下し、室温まで冷却することにより生じた結晶をろ過により取出し、これをメタノールで洗浄し、減圧乾燥することより、目的とする金属錯体ＩＭ１（４８．０３ｇ、純度９９．３６％）を得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ：ｐｏｓ）：計算値［Ｃ３６Ｈ３９Ｂｒ３ＩｒＮ９］＝１０２７．０５，測定値［Ｃ３６Ｈ３９Ｂｒ３ＩｒＮ９＋Ｈ＋］＝１０２８．１

＜実施例３＞金属錯体Ｍ１の合成

反応容器内を窒素ガス気流下とした後、金属錯体ＩＭ１（４．５０ｇ、４．３７ｍｍｏｌ）および化合物Ｓ１（８．３７ｇ、１４．４ｍｍｏｌ）を加え、室温でテトラヒドロフラン（３５０ｍＬ）に溶解させた。その後、これに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２２．５２ｇ、３０．６ｍｍｏｌ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１０ｇ、０．０８７ｍｍｏｌ）を加え、遮光しながら２１時間還流した。室温に冷却後、得られた反応混合物を蒸留水に注ぎ、トルエン（１８０ｍＬ）で抽出した。得られた有機層を蒸留水（３５０ｍＬ）、飽和食塩水（３５０ｍＬ）の順で洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を濃縮した。得られた残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝６／１（体積基準）の混合溶媒）で精製し、減圧濃縮により溶媒を除去した。得られた残渣に、アセトニトリル（８０ｍＬ）を加え、５０℃で３０分間加熱した。室温に冷却後、得られた固体をろ過し、減圧下で乾燥させることにより、上記式で表される金属錯体Ｍ１（７．１８g、３．３４ｍｍｏｌ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９０（ｓ，３Ｈ) ，７．８０−７．７７（ｍ，９Ｈ），７．６５（ｄ，１２Ｈ) ，７．４９（ｄ，１２Ｈ) ，７．２３（ｄ，３Ｈ)，６．８３（ｄ，３Ｈ) ，４．３０（ｓ，９Ｈ），２．３１−２．２０（ｍ，３Ｈ)，２．００−１．９０（ｍ，３Ｈ)，１．８０（ｓ，１２Ｈ），１．５２−１．１６（ｍ，４２Ｈ)，０．７８−０．７１（ｍ，６３Ｈ)．

＜実施例４＞金属錯体Ｍ２の合成

反応容器内を窒素ガス気流下とした後、金属錯体ＩＭ１（２．５０ｇ、２．４３ｍｍｏｌ）および化合物Ｓ２（８．８９ｇ、８．０１ｍｍｏｌ）を加え、これを室温でテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）に溶解させた。その後、これに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．５１ｇ、１７．０ｍｍｏｌ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５６．１ｍｇ、０．０４９ｍｍｏｌ）を加え、遮光しながら２３時間還流した。室温に冷却後、得られた反応混合物を蒸留水（２００ｍＬ）に注ぎ、トルエン（１５０ｍＬ）で抽出した。得られた有機層を、蒸留水（２００ｍＬ）、飽和食塩水（３５０ｍＬ）の順で洗浄した。得られた有機層を、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、ろ液を濃縮した。得られた残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１（体積基準）の混合溶媒）で精製し、減圧濃縮により溶媒を除去した。得られた残渣に、トルエン（１１５ｍＬ）およびアセトニトリル（６５５ｍＬ）を加え、遮光しながら５０℃で１時間加熱した。その後、これをろ過し、減圧下で乾燥させることにより、上記式で表される金属錯体Ｍ２（７．０７g、１．８９ｍｍｏｌ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．００（ｍ，９Ｈ），７．９５−７．９３（ｍ，１５Ｈ），７．８７（ｓ，６Ｈ），７．６７（ｄ，２４Ｈ），７．４７（ｄ，２４H），７．３１（ｄ，３Ｈ），６．９７（ｄ，３Ｈ），４．２９（ｓ，９Ｈ），２．３１−２．２１（ｍ，３Ｈ），２．０２−１．９２（ｍ，３Ｈ），１．７７（ｓ，２４Ｈ），１．５１−１．１９（ｍ，７８Ｈ），０．７８−０．７１（ｍ，１１７Ｈ）．

＜合成例３＞金属錯体ＣＭ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内に、化合物ＩＬ１（１．３ｇ、４．６ｍｍｏｌ）、３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニルボロン酸ピナコールエステル（２２００ｍｇ、４．７ｍｍｏｌ）および炭酸ナトリウム（１２５０ｍｇ、１１．６ｍｍｏｌ）を加え、そこにエタノール（５ｍＬ）、水（１０ｍＬ）およびトルエン（１０ｍＬ）を加えた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とした。そこへ、テトラキストリフェニルホスフィノパラジウム（０）（２６０ｍｇ、０．２３ｍｍｏｌ）を加えて、反応容器内の気体を再び窒素ガス雰囲気下とした。得られた反応混合物を８０℃で１５時間加熱した。室温に冷却後、これに水およびトルエンを注ぎ洗浄した。得られた油層を回収し、濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通して、ジクロロメタン／酢酸エチルの混合溶媒で分離精製することで、白色粉末として化合物ＣＬ２を２．１８ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、収率８８％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ_３）_２ＣＯ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１９（ｔ，１Ｈ）、７．９８（ｄｔ，１Ｈ）、７．９３（ｄ，２Ｈ）、７．９１（ｔ，１Ｈ）、７．８０（ｔ，１Ｈ）、７．７７（ｄｔ，４Ｈ）、７．６６（ｔ，１Ｈ）、７．５４（ｄｔ，４Ｈ）、４．０１（ｓ，３Ｈ）、２．６３（ｔ，２Ｈ）、１．７６（ｔｄ，２Ｈ）、１．３６（ｓ，１８Ｈ）、０．９８（ｔ，３Ｈ）．

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内に、塩化イリジウム（２２６ｍｇ、０．６４ｍｍｏｌ）および化合物ＣＬ２（７６０ｍｇ、１．４ｍｍｏｌ）を加え、そこに、水（２ｍＬ）および２−ブトキシエタノール（６ｍＬ）を加えた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気下とし、１７時間加熱還流した。室温に冷却後、これに水およびジクロロメタンを注ぎ洗浄した。得られた油層を濃縮、乾燥し、黄褐色の固体を８４０ｍｇ得た。
別の反応容器内に、黄褐色の固体（８４０ｍｇ）および化合物ＣＬ−２（１３００ｍｇ、２．４ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンガス雰囲気下とした後、トリフルオロスルホン酸銀（１６５ｍｇ、０．６４ｍｍｏｌ）を加えた。その後、そこへ、ジエチレングリコールジメチルエステル（１．２５ｍＬ）を加え、アルゴンガス雰囲気下において１５時間加熱還流した。室温まで冷却後、これにジクロロメタンを注ぎ、懸濁液を吸引ろ過した。得られたろ液を分液ロートにあけて洗浄し、得られた油層を回収し、濃縮した。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムに通じてジクロロメタン／酢酸エチルの混合溶媒で分離精製した。得られた黄色固体を、ジクロロメタン／メタノールの混合溶媒を用いて再結晶し、次いで、ジクロロメタン／ヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶することにより、黄色粉末として金属錯体ＣＭ１を８５０ｍｇ（０．４８ｍｍｏｌ）、収率７３％で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，３Ｈ）、７．７５（ｄ，６Ｈ）、７．７２（ｄ，３Ｈ）、７．６２（ｄ，１２Ｈ）、７．４８（ｄ，１２Ｈ）、７．２０（ｄｄ，３Ｈ）、６．８７（ｄ，３Ｈ）、４．２７（ｓ，９Ｈ）、２．２６（ｄｄｄ，３Ｈ）、１．９６（ｄｄｄ，３Ｈ）、１．３７（ｓ，５４Ｈ）、１．０５（ｍ，６Ｈ）、０．７３（ｔ，９Ｈ）．

＜実施例５＞金属錯体Ｍ３の合成

下記に示す金属錯体ＩＭ２を、特開２００４−５３１４８５号公報に記載の方法に従って合成した。

反応容器内を窒素ガス気流下とした後、金属錯体ＩＭ２（８．００g、９．０ｍｍｏｌ）、化合物Ｓ２（３９．８３ｇ、３５．９ｍｍｏｌ）およびテトラヒドロフラン（６４０ｍＬ）を加え、２０分間窒素バブリングした。その後、これに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１３．２２ｇ、８９．７ｍｍｏｌ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．２４４g、１．１ｍｍｏｌ）を加え、４１時間還流した。室温に冷却後、得られた反応溶液に水（１５００ｍＬ）およびトルエン（１５００ｍＬ）を加えて有機層を分離し、得られた有機層を水（１５００ｍＬ）で３回洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。得られた残渣を、トルエン／ヘキサン（（２０／１（体積基準））の混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、減圧下で溶媒を除去した。得られた残渣をトルエン（３５０ｍＬ）に溶解させ、これを５０℃に加熱した。得られた溶液に、アセトニトリル（７００ｍＬ）を滴下し、固体を析出させた。得られた固体をろ過し、メタノール（１００ｍＬ）で洗浄した。得られた固体に、ヘキサン（３５０ｍＬ）およびアセトニトリル（３５０ｍＬ）を加え、これを３０分間還流した。室温まで冷却後、得られた固体をろ過し、アセトニトリル（１００ｍＬ）で洗浄した。得られた固体を減圧下で乾燥させることにより、上記式で表される金属錯体Ｍ３（３１．２９g、１４．５４ｍｍｏｌ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１６−８．１３（ｍ，６Ｈ），８．０４（ｍ，６Ｈ），７．９９（ｍ，３Ｈ），７．９５（ｓ，１２Ｈ），７．８６（ｍ，６Ｈ），７．７６−７．６５（ｍ，３０Ｈ），７．４７（ｄ，２４Ｈ），７．３７（ｄ，３Ｈ），７．１５（ｄ，３Ｈ），７．０５−７．００（ｍ，３Ｈ），１．７７（ｓ，２４Ｈ），１．３７（ｓ，７２Ｈ），０．７２（ｓ，１０８Ｈ）．

＜実施例６＞金属錯体Ｍ４の合成

＜ｓｔａｇｅ1＞
５−ブロモ−２−フェニルピリジンは、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、５−ブロモ−２−フェニルピリジン（３６．１７ｇ、１５５ｍｍｏｌ）、化合物Ｓ１（９４．２０ｇ、１６２ｍｍｏｌ）、トルエン（１５４５ｍＬ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３４１．２８ｇ、４６３．５ｍｍｏｌ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８．９２７ｇ、７．７２５ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で４時間攪拌した。室温に冷却後、得られた反応溶液に水（１５４５ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層を、水（１５４５ｍＬ）で２回、食塩水（１５４５ｍＬ）で１回洗浄した。得られた有機層を、１８８ｇのシリカゲルを用いてろ過し、得られたろ液を減圧下で濃縮した。
得られた残渣に、トルエン（２３５ｇ）およびメタノール（１１７４ｇ）を加え、６０℃で３０分間加熱した。その後、これを氷浴で５℃に冷却し、固体を析出させた。得られた固体をろ過し、冷メタノールで洗浄した。得られた固体を減圧乾燥させることにより、上記式で表される化合物Ｌ４（８２．０ｇ、１３５ｍｍｏｌ）を得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、塩化イリジウム三水和物（１１．５１ｇ、３２．３ｍｍｏｌ）およびイオン交換水（１１４ｍＬ）を加え、５０℃に加温して溶解させた。別の窒素ガス雰囲気下とした反応容器に、化合物Ｌ４（４３．８０ｇ、７２．１ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（７９２ｍＬ）およびイオン交換水（５７ｍＬ）を加え、１００℃で１時間加熱攪拌した。その後、この溶液に、先に準備した塩化イリジウム水溶液（全量）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、１２０℃で１５時間攪拌した。室温に冷却後、得られた反応混合物にメタノール（２０７ｇ）を加え、ろ過した。得られた固体を、メタノール（２０７ｇ）で４回、ヘキサン（１１５ｇ）で１回洗浄した。得られた固体を減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ４−ａ（４２．８８ｇ）を得た。

＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、金属錯体Ｍ４−ａ（７．６１ｇ、２．６４ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ４（１６．０５ｇ、２６．４０ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１．６３ｇ、６．３４ｍｍｏｌ）およびジエチレングリコールジメチルエーテル（７９ｍＬ）を加え、１６０℃で１６時間撹拌した。室温に冷却後、得られた反応混合物にメタノール（３０４ｍＬ）を加え、生じた沈澱をろ過した。得られた沈澱を、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝４／６．５（体積基準）の混合溶媒）で精製し、減圧下で溶媒を除去した。得られた残渣（８．０５ｇ）をジクロロメタン（８０ｍＬ）に溶解させ、この溶液にメタノール（８０ｍＬ）を加えた。生じた沈澱をろ別して集め、これを減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ４（６．２５ｇ、３．１ｍｍｏｌ）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０９（ｍ，３Ｈ），８．０１（ｓ，６Ｈ），７．８４（ｍ，３Ｈ），７．７２（ｄ，３Ｈ），７．５７（ｍ，６Ｈ），７．４２（ｄ，１２Ｈ），７．１９（ｄ，１２Ｈ），７．０３（ｄ，３Ｈ），６．９６−６．８６（ｍ，６Ｈ)，１．６５（ｓ，１２Ｈ），１．２４（ｓ，３６Ｈ），０．６３（ｓ，５４Ｈ）．

＜合成例４＞化合物Ｒ１の合成

化合物ＩＲ１は、特開２０１１−１４９０１３公報に記載の方法に従って合成した。
３００ｍＬの三口フラスコに、化合物ＣＣ４（７．４ｇ，１０ｍｍｏｌ）、２−ヨード−５−ブロモ−ｍ−キシレン（９．３ｇ，３０ｍｍｏｌ）およびテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（０．２３ｇ，０．０４ｍｍｏｌ）を加え、反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、それぞれ予め１０分間アルゴンガスをバブリングすることにより溶存酸素を除去したトルエン（６０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（３０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（４０ｍＬ）およびイオン交換水（２０ｍＬ）を加え、室温で攪拌した。その後、これに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３０ｇ，８ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で１２時間攪拌した。得られた反応溶液に、イオン交換水およびトルエンを加え、攪拌し、静置した後に、分液により得られた有機層を無水硫酸ナトリウムにより乾燥させ、無機塩をろ別した。得られたろ液から溶媒を減圧留去した後に、アセトニトリルを加え、７０℃で３０分間攪拌し、室温まで冷却し、析出した固体をろ過により取り出した。得られた固体を、中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝１５／１（体積基準）の混合溶媒）により精製し、更に、再結晶（クロロホルム／アセトニトリル＝４／７（体積基準））により精製し、減圧乾燥することにより、目的物である化合物Ｒ１（４．７２ｇ）を白色固体として得た。収率５５％。得られた化合物のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．９９％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．２３（ｍ，４Ｈ），７．１７（ｓ，２Ｈ），７．１２−７．０７（ｍ，６Ｈ），６．９９−６．９５（ｍ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．９５（ｓ，１２Ｈ），１．５９−１．４５（ｍ，４Ｈ），１．３２−１．１８（ｍ，１２Ｈ），０．８５（ｔ，６Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ−ＭＳ（ｐｏｓｉ））：８５０［Ｍ］^＋

＜合成例５＞化合物R２の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、４−ドデシル安息香酸（１４．５２ｇ）、ジクロロメタン（９０ｍｌ）、塩化チオニル（６．００ｇ）およびＤＭＦ（３滴）を加え、加熱還流下で１時間攪拌した。その後、これにモレキュラーシーブス３Å（和光純薬工業株式会社製、３０ｇ）を加え、氷浴により０℃に冷却した。その後、これに五塩化アンチモン（１４．７ｇ）を１０分間かけて滴下し、０℃で１時間攪拌した。その後、これに、ジクロロメタン（６０ｍｌ）に溶解させた４−ブロモ−３−メチルベンゾニトリル（１９．６ｇ、１００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、室温にて３０分間攪拌した後に、加熱還流下で２時間攪拌した。その後、−１５℃に冷却した状態で、２５％アンモニア水溶液（２２ｇ）を滴下した。滴下終了後、室温にて１時間攪拌した後に、室温にて静置した。その後、これにクロロホルム（５００ｍｌ）を加え、４５℃に加熱しながら１時間攪拌した後、熱時ろ過により、固形分を除去し、得られたろ液をイオン交換水（２００ｍｌ）で４回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、固体をろ別した後に、減圧濃縮することにより、橙色油状物を得た。これを、再結晶（クロロホルム／エタノールの混合溶媒）、中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝９６／４の混合溶媒）、再結晶（クロロホルム／ヘキサンの混合溶媒）、再結晶（酢酸エチル）、再結晶（クロロホルム／ヘキサンの混合溶媒、２回実施）を順次行うことにより精製し、得られた固体を減圧乾燥することにより、目的物である化合物Ｒ２（８．４２ｇ）を白色固体として得た。得られた化合物のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．６％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ（ｐｐｍ）＝８．６３（ｄ，４Ｈ），８．４３（ｄ，２Ｈ），７．７３（ｄ，２Ｈ），７．４０（ｄ，２Ｈ），２．７６（ｔ，２Ｈ），２．５５（ｓ，６Ｈ），１．７１（ｍ，２Ｈ），１．３１（ｍ，１８Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）．
^１３Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）：δ１７３．７，１７２．９，１５０．３，１４０．２，１３７．６，１３５．５，１３４．６，１３２．９，１３１．７，１３１．０，１３０．７，１２９．８，３８．０，３４．０，３３．３，３１．８，３１．７４，３１．７２，３１．７１，３１．６，３１．４３，３１．４１，２４．７，２４．３，１５．６．

＜合成例６＞高分子化合物Ｐ１の合成

下記に示す化合物Ｒ３は、ＷＯ２００９−１３１２５５に記載の方法に従って合成した。

反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物Ｒ３（２．４２９０ｇ）、化合物Ｒ１（２．４９４０ｇ）、化合物Ｒ２（１．２９３６ｇ）およびトルエン（９４ｍｌ）を加え、約８０℃に加熱した。その後、これに、ビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウムジクロリド（８．５６ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１７．２ｇ）を加え、還流下で約９時間攪拌した。
その後、これに、フェニルボロン酸（０．１２０１ｇ）、ビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウムジクロリド（４．３０ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１７．２ｇ）を加え、更に還流下で約１４時間攪拌した。
その後、これに、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．３７ｇ）をイオン交換水（２６ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら約２時間攪拌した。
得られた有機層を、３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で６回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（３．７６９ｇ、高分子化合物Ｐ１）を得た。高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝８．２×１０^４、Ｍｗ＝２．４×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ１は、単量体の仕込み比率から以下の構成単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。

＜実施例７＞化合物Ｓ３の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、２，６−ジブロモトルエン（９０ｇ）、化合物Ｓ１−ｂ（２３９ｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７９５ｇ）、酢酸パラジウム（０．３４ｇ）、トリ−（オルトメトキシフェニル）ホスフィン（１．０７ｇ）およびトルエン（１．７Ｌ）を加え、９５℃で５．５時間攪拌した。得られた反応混合物を分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン／ジクロロメタン)により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを減圧濃縮し、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、化合物Ｓ３−ａ（１６７ｇ）を白色固体として得た。収率は９８％であった。化合物Ｓ３−ａのＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％を示した。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｓ３−ａの必要量を得た。

＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物Ｓ３−ａ（１７５ｇ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（１０４ｇ）、（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）（ダイマー）（３．７２ｇ）、４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ビピリジル（３．０１ｇ）およびシクロヘキサン（２．０Ｌ）を加え、加熱還流下で４時間攪拌した。得られた反応混合物にシリカゲルを加え、３０分間攪拌した。その後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、ヘキサンを加え、室温で攪拌した後、析出している固体をろ取し、アセトニトリルで洗浄し、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、目的物である化合物Ｓ３（１３７ｇ）を白色固体として得た。収率は６１％であった。化合物Ｓ３のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．３％を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．５８（ｓ，２Ｈ），７．４３（ｄ，４Ｈ），７．２６（ｄ，４Ｈ），２．１１（ｓ，３Ｈ），１．８０（ｓ，４Ｈ），１．４１（ｓ，１２Ｈ），１．３２（ｓ，１２Ｈ），０．７６（ｓ，１８Ｈ）．

＜実施例８＞金属錯体Ｍ５の合成

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＩＭ１（３．５０ｇ）、化合物Ｓ３（６．４７ｇ）、テトラヒドロフラン（２７５ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１１８ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１７．５ｇ）を加え、加熱還流下で１０時間攪拌した。得られた反応混合物にトルエンおよびイオン交換水を加え、分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、セライトを敷いたろ過器に通液することで固形分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル）、再結晶（トルエン／アセトニトリル）により順次精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、目的物である金属錯体Ｍ５（５．７４ｇ）を黄色固体として得た。収率は７７％であった。得られた金属錯体Ｍ５のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上を示した。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ^＋＝２１９３［Ｍ＋Ｈ］^＋
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７２（ｓ，３Ｈ），７．４４−７．３９（ｍ，１８Ｈ），７．３０（ｄ，１２Ｈ），７．１７（ｄ，３Ｈ），７．０９（ｄ，３Ｈ），４．２０（ｓ，９Ｈ），２．０９（ｓ，９Ｈ），１．７７（ｓ，１２Ｈ），１．４７−１．３１（ｍ，４２Ｈ），０．７９−０．６３（ｍｍ，６９Ｈ）．

＜実施例９＞金属錯体Ｍ６の合成

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＩＭ２（３．１８ｇ）、化合物Ｓ１（８．１４ｇ）、テトラヒドロフラン（２５０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．５０５ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２４．２ｇ）を加え、加熱還流下で２５時間攪拌した。得られた反応混合物を減圧濃縮した後、トルエンおよびイオン交換水を加えて分液し、有機層を得た。得られた有機層をイオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液から減圧濃縮により溶媒を留去した後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン／トルエン)により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを減圧濃縮し、トルエンおよびメタノールを加えて室温で１．５時間攪拌した後、析出した固体をろ取し、メタノールで洗浄し、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、目的物である金属錯体Ｍ６（５．１４ｇ）を黄色固体として得た。収率は７３％であった。得られた金属錯体Ｍ６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．８％を示した。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２０１３［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１３（ｄ，３Ｈ），８．０８（ｓ，３Ｈ），７．８４（ｓ，６Ｈ），７．７８−７．６５（ｍ，２１Ｈ），７．４９（ｄ，１２Ｈ），７．２８（ｄ，３Ｈ），７．０７−７．００（ｍ，６Ｈ），１．８１（ｓ，１２Ｈ），１．４１（ｓ，３６Ｈ），０．７７（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例１０＞金属錯体Ｍ７の合成

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＩＭ２（４．４６ｇ）、化合物Ｓ３（１３．５ｇ）、テトラヒドロフラン（４０５ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１２ｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２５．８ｇ）を加え、加熱還流下で３６時間攪拌した。得られた反応混合物にトルエンおよびイオン交換水を加えて分液し、水層および有機層を得た。得られた水層をトルエンで２回抽出し、先に得られた有機層に加え、イオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液を減圧濃縮することにより得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカゲルおよびセライトを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除き、再結晶（トルエン／メタノール）を行うことにより精製した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン／クロロホルム)により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを減圧濃縮し、再結晶（トルエン／メタノール）を行うことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、目的物である金属錯体Ｍ７（５．３５ｇ）を黄色固体として得た。収率は５２％であった。得られた金属錯体Ｍ７のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％を示した。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ^＋＝２０５５［Ｍ＋Ｈ］^＋
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．０４（ｄ，３Ｈ），７．９６（ｓ，３Ｈ），７．６６（ｔ，３Ｈ），７．６０（ｄ，３Ｈ），７．４９−７．４３（ｍ，１８Ｈ），７．３３（ｄ，１２Ｈ），７．１４（ｄ，３Ｈ），６．９７−６．９１（ｍ，６Ｈ），２．０９（ｓ，９Ｈ），１．７９（ｓ，１２Ｈ），１．４２（ｓ，３６Ｈ），０．７５（ｓ，５４Ｈ）．

＜実施例１１＞金属錯体Ｍ８の合成

金属錯体ＩＭ３は、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に従って合成した。

遮光した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＩＭ３（１．３４ｇ）、化合物Ｓ２（２．３４ｇ）、テトラヒドロフラン（６０ｍＬ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９８ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．２ｇ）を加え、加熱還流下で１８時間攪拌した。得られた反応混合物にトルエンおよびイオン交換水を加えて分液し、水層および有機層を得た。得られた水層をトルエンで抽出し、先に得られた有機層に加え、イオン交換水および５重量％食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することにより固体分を取り除いた。得られたろ液から減圧濃縮により溶媒を留去した後、得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン／トルエン)により精製し、目的物を含むフラクションを得た。得られたフラクションを減圧濃縮し、トルエンおよびイソプロパノールの混合溶媒を用いて再結晶した後、５０℃にて一晩減圧乾燥を行うことにより、目的物である金属錯体Ｍ８（２．４３ｇ）を赤色固体として得た。収率は７３％であった。得られた金属錯体Ｍ８のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．８％を示した。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３６９４．２［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．３９（ｓ，１Ｈ），９．２７−９．２１（ｍ，２Ｈ），９．１７（ｄ，１Ｈ），９．０４（ｄ，１Ｈ），８．６８（ｓ，１Ｈ），８．４７（ｄ，１Ｈ），８．３９−８．２９（ｍ，１１Ｈ），８．２９（ｓ，６Ｈ），８．０５−７．８０（ｍ，１６Ｈ），７．７３−７．４２（ｍ，５６Ｈ），７．３３（ｓ，２Ｈ），１．７７（ｓ，１６Ｈ），１．３９−１．２１（ｍ，１０２Ｈ），０．７４（ｓ，７２Ｈ）．

＜実施例１２＞金属錯体Ｍ９の合成

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、金属錯体Ｍ４（８．０５ｇ）およびクロロホルム（３００ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴槽に設置し冷却した。その後、そこへ、Ｎ−ブロモスクシンイミド（１．４０ｇ）を加え、冷却した状態で３．５時間攪拌した。その後、そこへ、１０重量％の亜硫酸ナトリウム水溶液（５ｇ）を加え、反応容器を氷浴槽から取り外した後、室温で１５分攪拌した。その後、そこへ、イオン交換水を加えて有機層を洗浄した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン／ヘキサン）で精製し、酢酸エチルおよびアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、金属錯体Ｍ９（６．３ｇ)を橙色固体として得た。収率は７２％であった。金属錯体Ｍ９のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５%以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２１７１［Ｍ＋Ｈ］^＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１５−８．０３（ｍ，９Ｈ），７．９１−７．８９（ｍ，５Ｈ），７．８１−７．７８（ｍ，１Ｈ），７．６１（ｓ，６Ｈ），７．４８（ｄ，１２Ｈ）,７．２７（ｄ，１２Ｈ），７．０７−６．９５（ｍ，７Ｈ），１．７３（ｓ，１２Ｈ），１．３１（ｓ，３６Ｈ），０．７０（５４Ｈ）．

＜合成例７＞高分子化合物Ｐ２の合成

化合物Ｒ４は、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｒ５は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物Ｐ２は、化合物３、化合物４および化合物５を用いて、特開２０１２−０３６３８８号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ２のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝９．２×１０^４、Ｍｗ＝２．３×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ２は、単量体の仕込み比率から以下の構成単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。

＜合成例８＞高分子化合物Ｐ３の合成

化合物Ｒ６は、国際公報第２０１０／０１３７２３号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｒ７は、特開２００３−２２６７４４号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｒ８は、市販品のものを用いた。
化合物Ｒ９は、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物Ｐ３は、化合物６、化合物７、化合物８および化合物９を用いて、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ３のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝６．４×１０^４、Ｍｗ＝２．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ３は、単量体の仕込み比率から以下の構成単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。

＜合成例９＞高分子化合物Ｐ４の合成

化合物Ｒ１０は、特開２０１１−１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｒ１１は、国際公報第２００５−０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物Ｐ４は、化合物８、化合物９、化合物１０および化合物１１を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物Ｐ４のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝７．９×１０^４、Ｍｗ＝３．４×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ４は、単量体の仕込み比率から以下の構成単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。

＜合成例１０＞高分子化合物Ｐ５の合成

化合物Ｒ１２は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。

反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、化合物Ｒ３（１．１４５３ｇ）、化合物Ｒ１２（０．１９７７ｇ）、化合物Ｒ４（１．４８３８ｇ）、化合物Ｒ５（０．３６６５ｇ）およびトルエン（３１ｍＬ）を加えて、８５℃に加熱した。その後、これに、酢酸パラジウム（１．１ｍｇ）およびトリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（６．１ｍｇ）を加え、１００℃に加熱した。その後、これに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．７ｍＬ）を６０分間かけて滴下し、１００℃で６時間攪拌した。
その後、これに、フェニルボロン酸（３５．４ｍｇ）をトルエン（２ｍＬ）に溶解させた溶液、酢酸パラジウム（１．０ｍｇ）およびトリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（６．１ｍｇ）を加え、１００℃で１６時間攪拌した。
有機層を水層と分離した後、得られた有機層にＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム水溶液を加え、８５℃で２時間攪拌した。
有機層を水層と分離した後、得られた有機層を、イオン交換水（２回）、３重量％酢酸水溶液（２回）、イオン交換水（２回）の順番で洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルおよびアルミナを充填したカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ５（１．６９ｇ）得た。高分子化合物Ｐ５のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝８．１×１０^４、Ｍｗ＝２．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ５は、単量体の仕込み比率から以下の構成単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。

＜実施例１３＞高分子化合物Ｐ６の合成

（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｒ３（１．４８８ｍｍｏｌ）、化合物Ｒ４（０．８８５ｍｍｏｌ）、化合物Ｒ５（０．３００ｍｍｏｌ）、金属錯体Ｍ９（０．３１５ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．５ｍｇ）およびトルエン（３２ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。
（工程２）反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（５ｍＬ）を滴下し、６時間還流させた。
（工程３）その後、そこに、フェニルボロン酸（１８．３ｍｇ）およびジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．５ｍｇ）を加え、１４．５間還流させた。
（工程４）その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、得られた反応液を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ６を１．２５ｇ得た。高分子化合物Ｐ６のポリスチレン換算の数平均分子量は３．８×１０⁴であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．１×１０⁵であった。

高分子化合物Ｐ６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｒ３から誘導される構成単位と、化合物Ｒ４から誘導される構成単位と、化合物Ｒ５から誘導される構成単位と、金属錯体Ｍ９から誘導される構成単位とが、５０：２９．５：１０：１０．５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例１１＞化合物Ｒ１３の合成

化合物ＩＲ２は、化合物Ｒ４の合成方法に準じて合成した。

反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＩＲ２（１００ｇ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、１０００ｍＬ）を加え、ドライアイス／アセトン浴を用いて−７０℃以下に冷却した。その後、そこへ、−７０℃以下を保つようにしながら、２．５ｍｏｌ／Ｌ濃度のｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１２６ｍＬ）を４５分間かけて滴下し、５時間攪拌した。その後、そこへ、−７０℃以下を保つようにしながら、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（８１ｍＬ）を３０分間かけて滴下した。その後、ドライアイス／アセトン浴を外し、室温にて一晩攪拌した。得られた反応混合物を−３０℃に冷却し、２Ｍ塩酸−ジエチルエーテル溶液を滴下することでｐＨ６〜７に調整した後、減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にトルエンを加え、室温にて１時間攪拌した後、シリカゲルを敷いたろ過器に通液することによりろ液を得た。得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体にメタノールを加えて攪拌した後、ろ過することにより固体を得た。得られた固体をイソプロピルアルコールを用いた再結晶を４回繰り返すことにより精製した後、５０℃にて一晩減圧乾燥することにより、化合物Ｒ１３（７２ｇ）を白色固体として得た。得られた化合物Ｒ１３のＨＰＬＣ面積百分率値（検出波長ＵＶ２８０ｎｍ）は９９．０％以上を示した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，２Ｈ），７．８１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｄ，２Ｈ），７．１１（ｄ，４Ｈ）、７．００（ｄ，４Ｈ），２．５２（ｔ，４Ｈ），１．５９〜１．５４（ｍ，４Ｈ），１．３６〜１．２６（ｍ，２０Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），０．８７（ｔ，６Ｈ）．

＜合成例１２＞高分子化合物Ｐ７の合成

化合物Ｒ１４は、国際公報第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｒ１５は、特開２００４−１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した。

反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｒ１３（４．７６８６ｇ）、化合物Ｒ４（０．７７３４ｇ）、化合物Ｒ８（１．９７４４ｇ）、化合物Ｒ１４（０．３３０８ｇ）、化合物Ｒ１５（０．４４３２ｇ）およびトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱しながら攪拌した。その後、これに、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）を加え、次いで、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を滴下した後、還流下で３時間攪拌した。
その後、これに、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、還流下で２４時間攪拌した。
有機層を水層と分離した後、得られた有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）およびイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、得られた有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。
有機層を水層と分離した後、得られた有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液させた。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ７（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ７のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．４×１０^５、Ｍｗ＝４．１×１０^５であった。

高分子化合物Ｐ７は、単量体の仕込み比率から以下の構成単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。

＜合成例１３＞金属錯体ＣＭ２の合成
金属錯体ＣＭ２は、国際公報第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例１４＞金属錯体ＣＭ３の合成
金属錯体ＣＭ３は、特開２０１１−１０５７０１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜実施例Ｄ１＞発光素子Ｄ１の作製と評価
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコートにより約３５ｎｍで成膜し、ホットプレート上で１７０℃、１５分間乾燥させ、正孔注入層とした。
次に、ポリビニルカルバゾール（以下、「ＰＶＫ」と言う。）（アルドリッチ社製）をクロロベンゼンに０．６重量％の濃度で溶解させた。得られたクロロベンゼン溶液を用いて、スピンコート法により前記正孔注入層の上にＰＶＫを厚み２０ｎｍとなるように回転速度２５００ｒｐｍの回転速度で成膜した後、酸素濃度および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素ガス雰囲気下で、１８０℃、６０分間乾燥させ、正孔輸送層とした。
次に、高分子化合物Ｐ１および金属錯体Ｍ１をそれぞれキシレンに１．６重量％で溶解させ、重量比で高分子化合物Ｐ１：金属錯体Ｍ１＝８０：２０となるように混合させ、組成物Ｄ１を作製した。この組成物Ｄ１を前記正孔輸送層の上に約７５ｎｍの厚みとなるようにスピンコート法により回転速度１９００ｒｐｍで成膜した後、酸素濃度および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素ガス雰囲気下で、１３０℃、１０分間乾燥させ発光層とした。
次に、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、前記発光層の上にフッ化ナトリウムを約３ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウムの層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。発光素子Ｄ１について、システム技研株式会社製ＯＬＥＤ２５ｃｈ−ＩＶＬ測定装置を用いて０Ｖから１２Ｖまで電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、青色のＥＬ発光が得られ、輝度１００ｃｄ／ｍ^２において、駆動電圧８．０Ｖ、発光効率３５．０ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．１５１，０．３０６）であった。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ２＞発光素子Ｄ２の作製と評価
実施例Ｄ１において、高分子化合物Ｐ１および金属錯体Ｍ２をそれぞれキシレンに１．６重量％で溶解させ、重量比で高分子化合物Ｐ１：金属錯体Ｍ２＝８０：２０となるように混合させ、組成物Ｄ２を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１９００ｒｐｍから２０００ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。得られた発光素子Ｄ２に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、青色のＥＬ発光が得られ、輝度１００ｃｄ／ｍ^２において、駆動電圧６．９Ｖ、発光効率３７．７ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．１５０，０．３１３）であった。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ３＞発光素子Ｄ３の作製と評価
実施例Ｄ１において、高分子化合物Ｐ１および金属錯体Ｍ５をそれぞれキシレンに１．６重量％で溶解させ、重量比で高分子化合物Ｐ１：金属錯体Ｍ５＝８０：２０となるように混合させて組成物Ｄ３を作製したこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。得られた発光素子Ｄ３に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、青色のＥＬ発光が得られ、輝度１００ｃｄ／ｍ^２において、駆動電圧８．６Ｖ、発光効率３１．１ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．１５６，０．３３６）であった。結果を表２に示す。

＜比較例ＣＤ１＞発光素子ＣＤ１の作製と評価
実施例Ｄ１において、高分子化合物Ｐ１および金属錯体ＣＭ１をそれぞれキシレンに１．６重量％で溶解させ、重量比で高分子化合物Ｐ１：金属錯体ＣＭ１＝８０：２０となるように混合させ、組成物ＣＤ１を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１９００ｒｐｍから１９２０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。得られた発光素子ＣＤ１に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、青色のＥＬ発光が得られ、輝度１００ｃｄ／ｍ^２において、駆動電圧７．４Ｖ、発光効率２７．４ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．１５２，０．３０９）であった。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ４＞発光素子Ｄ４の作製と評価
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコートにより約６５ｎｍで成膜し、ホットプレート上で１７０℃、１５分間乾燥させ、正孔注入層とした。
次に、高分子化合物Ｐ３をキシレンに０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、スピンコート法により前記正孔注入層の上に高分子化合物Ｐ３を厚み２０ｎｍとなるように回転速度２０００ｒｐｍの回転速度で成膜した後、酸素濃度および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素ガス雰囲気下で、１８０℃、６０分間乾燥させ、正孔輸送層とした。
次に、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ６をそれぞれキシレンに２．２重量％で溶解させ、重量比で高分子化合物Ｐ２：金属錯体Ｍ６＝６０：４０となるように混合させ、組成物Ｄ４を作製した。この組成物Ｄ４を前記正孔輸送層の上に約８０ｎｍの厚みとなるようにスピンコート法により回転速度２６５０ｒｐｍで成膜した後、酸素濃度および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素ガス雰囲気下で、１５０℃、１０分間乾燥させ発光層とした。
次に、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、前記発光層の上にフッ化ナトリウムを約３ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウムの層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ４を作製した。発光素子Ｄ４について、システム技研株式会社製ＯＬＥＤ２５ｃｈ−ＩＶＬ測定装置を用いて０Ｖから１２Ｖまで電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、緑色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率４３．４ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．３１４，０．６３４）であった。結果を表３に示す。

＜比較例ＣＤ２＞発光素子ＣＤ２の作製と評価
実施例Ｄ４において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ６を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ６＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＣＭ２を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＣＭ２＝６０重量％／４０重量％）を用いて組成物ＣＤ２を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を２６５０ｒｐｍから２７００ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ４と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。得られた発光素子ＣＤ２に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、緑色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率３８．７ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．３１２，０．６３５）であった。結果を表３に示す。

＜実施例Ｄ５＞発光素子Ｄ５の作製と評価
実施例Ｄ４において、高分子化合物Ｐ３に代えて、高分子化合物Ｐ４を用いて組成物Ｄ５を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を２６５０ｒｐｍから１２８０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ４を同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。得られた発光素子Ｄ５に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、緑色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率６２．０ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．３１５，０．６３４）であった。結果を表４に示す。

＜実施例Ｄ６＞発光素子Ｄ６の作製と評価
実施例Ｄ４において、高分子化合物Ｐ３に代えて、高分子化合物Ｐ４を用い、かつ、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ６を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ６＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ７を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ７＝６０重量％／４０重量％）を用いて組成物Ｄ６を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を２６５０ｒｐｍから１２７０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ４と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。得られた発光素子Ｄ６に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、緑色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率６２．０ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．３２６，０．６３１）であった。結果を表４に示す。

＜比較例ＣＤ３＞発光素子ＣＤ３の作製と評価
実施例Ｄ４において、高分子化合物Ｐ３に代えて、高分子化合物Ｐ４を用い、かつ、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ６を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ６＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２および金属錯体ＣＭ２を溶解させたキシレン溶液（１．８重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体ＣＭ２＝６０重量％／４０重量％）を用いて組成物ＣＤ３を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を２６５０ｒｐｍから１２６０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ４と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製した。得られた発光素子ＣＤ３に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、緑色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率５３．２ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．３１４，０．６３４）であった。結果を表４に示す。

＜実施例Ｄ７＞発光素子Ｄ７の作製と評価
実施例Ｄ５において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ６を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ６＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ５および金属錯体Ｍ３を溶解させたキシレン溶液（２．０重量％、高分子化合物Ｐ５／金属錯体Ｍ３＝５０重量％／５０重量％）を用いて組成物Ｄ７を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１２８０ｒｐｍから１７００ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして、発光素子Ｄ７を作製した。得られた発光素子Ｄ７に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、緑色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率６４．５ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．２８５，０．６４４）であった。結果を表５に示す。

＜比較例ＣＤ４＞発光素子ＣＤ４の作製と評価
実施例Ｄ５において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ６を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ６＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ５および金属錯体ＣＭ２を溶解させたキシレン溶液（２．０重量％、高分子化合物Ｐ５／金属錯体ＣＭ２＝５０重量％／５０重量％）を用いて組成物ＣＤ４を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１２８０ｒｐｍから１５４０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製した。得られた発光素子ＣＤ４に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、緑色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率３４．４ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．３０６，０．６４０）であった。結果を表５に示す。

＜実施例Ｄ８＞発光素子Ｄ８の作製と評価
実施例Ｄ５において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ６を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ６＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ４を溶解させたキシレン溶液（１．８重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ４＝６０重量％／４０重量％）を用いて組成物Ｄ８を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１２８０ｒｐｍから１４２０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして、発光素子Ｄ８を作製した。得られた発光素子Ｄ８に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、黄色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率４１．９ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．４３７，０．５５４）であった。結果を表６に示す。

＜実施例Ｄ９＞発光素子Ｄ９の作製と評価
実施例Ｄ５において、高分子化合物Ｐ２および金属錯体Ｍ６を溶解させたキシレン溶液（２．２重量％、高分子化合物Ｐ２／金属錯体Ｍ６＝６０重量％／４０重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ６を溶解させたキシレン溶液（２．４重量％）を用いて組成物Ｄ９を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１２８０ｒｐｍから１６００ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ５と同様にして、発光素子Ｄ９を作製した。得られた発光素子Ｄ９に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、黄色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率４８．９ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．４５１，０．５４２）であった。結果を表６に示す。

＜実施例Ｄ１０＞発光素子Ｄ１０の作製と評価
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコートにより約６５ｎｍで成膜し、ホットプレート上で１７０℃、１５分間乾燥させ、正孔注入層とした。
次に、高分子化合物Ｐ４をキシレンに０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、スピンコート法により前記正孔注入層の上に高分子化合物Ｐ４を厚み２０ｎｍとなるように回転速度２２７０ｒｐｍの回転速度で成膜した後、酸素濃度および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素ガス雰囲気下で、１８０℃、６０分間乾燥させ、正孔輸送層とした。
次に、高分子化合物Ｐ７および金属錯体Ｍ８をそれぞれキシレンに１．８重量％で溶解させ、重量比で高分子化合物Ｐ７：金属錯体Ｍ８＝９２．５：７．５となるように混合させ、組成物Ｄ１０を作製した。この組成物Ｄ１０を前記正孔輸送層の上に約９０ｎｍの厚みとなるようにスピンコート法により回転速度２０５０ｒｐｍで成膜した後、酸素濃度および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素ガス雰囲気下で、１５０℃、１０分間乾燥させ発光層とした。
次に、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、前記発光層の上にフッ化ナトリウムを約３ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウムの層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１０を作製した。得られた発光素子Ｄ１０に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、赤色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率２０．５ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．６４１，０．３５６）であった。結果を表７に示す。

＜比較例ＣＤ５＞発光素子ＣＤ５の作製と評価
実施例Ｄ１０において、高分子化合物Ｐ７および金属錯体Ｍ８を溶解させたキシレン溶液（１．８重量％、高分子化合物Ｐ７／金属錯体Ｍ８＝９２．５重量％／７．５重量％）に代えて、高分子化合物Ｐ７および金属錯体ＣＭ３を溶解させたキシレン溶液（１．８重量％）を用いて組成物ＣＤ５を作製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を２０５０ｒｐｍから１８９０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１０と同様にして、発光素子ＣＤ５を作製した。得られた発光素子ＣＤ５に電圧を印加して素子を発光させ、発光輝度、効率、色度を測定したところ、赤色のＥＬ発光が得られ、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２において、発光効率１８．５ｃｄ／Ａ、ＣＩＥ色度座標（０．６４８，０．３５０）であった。結果を表７に示す。

Claims

下記式（１）で表される金属錯体。

［式（１）中、
Ｍは、イリジウム原子を表す。
ｎ１は、１、２または３を表す。ｎ２は、０、１または２を表し、ｎ１＋ｎ２＝３である。
Ａ^１−Ｇ−Ａ^２は、１価のアニオン性２座配位子を表し、Ｇは、Ａ^１およびＡ^２と共に２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｍ１およびｍ２は、それぞれ独立に、３または４を表す。
Ｅ^１およびＥ^３は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ ² およびＥ ^４は、炭素原子を表す。複数存在するＥ^１は、同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１が窒素原子の場合、Ｒ^Ａ１は存在しても存在しなくてもよい。
Ｒ ^Ａ１およびＲ^Ａ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン原子または下記式（２）で表される基を表す。複数存在するＲ^Ａ１およびＲ^Ａ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^Ａ１同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。隣接するＲ^Ａ２同士が結合して、それぞれが結合するＥ²とともに環を形成していてもよい。Ｅ^３に隣接するＥ^１と結合するＲ^Ａ１と、Ｅ^４に隣接するＥ^２と結合するＲ^Ａ２とが結合して、それぞれが結合するＥ^１およびＥ^２とともに環を形成していてもよい。ただし、複数存在するＲ^Ａ１およびＲ^Ａ２の少なくとも１つは、下記式（２）で表される基である。
環Ａは、窒素原子、Ｅ^３およびｍ１個のＥ^１とで構成される、５員環または６員環の芳香族複素環を表す。
環Ｂは、炭素原子、Ｅ^４およびｍ２個のＥ^２とで構成される、６員環の芳香族炭化水素環を表す。
Ｌ^Ａは、単結合、−Ｎ（Ｒ^Ｂ）−、−Ｃ（Ｒ^Ｂ）_２−または酸素原子を表す。Ｒ^Ｂは、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。Ｒ^Ｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式（２）中、
Ｌ^Ｂは、単結合または下記群Ｉから選ばれる連結基を表す。
Ｄ^１は、下記式（３）で表される基を表す。］
＜群Ｉ＞
−Ｏ−、−［Ｃ（Ｒ^Ｃ）_２］_ｊ−、下記式（Ｉ−ａ）で表される基、および、下記式（Ｉ−ｂ）で表される基。
Ｒ^ｃは、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ^ｃが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｊは１〜１０の整数を表す。

［式（Ｉ−ａ）および（Ｉ−ｂ）中、
Ｚ^１〜Ｚ^８は、それぞれ独立に、窒素原子または−Ｃ（Ｒ^ｃ）＝を表す。Ｒ^ｃは前記と同じ意味を表す。］

［式（３）中、
Ｚ^９〜Ｚ^１３は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｚ^９〜Ｚ^１３が窒素原子の場合、Ｚ^９〜Ｚ^１３とそれぞれ結合するＲ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ５は存在しない。ただし、Ｚ^９〜Ｚ^１３の少なくとも１つは炭素原子である。
Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、下記式（４）で表される基、下記式（５）で表される基、または、下記式（６）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｄ１〜Ｒ^Ｄ５の少なくとも一つは、下記式（４）で表される基、下記式（５）で表される基、または、下記式（６）で表される基である。］

［式（５）中、
Ｒ^Ｅ１〜Ｒ^Ｅ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基または前記式（４）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｅ１〜Ｒ^Ｅ５の少なくとも一つは、前記式（４）で表される基である。］

［式（６）中、
Ｒ^Ｆ１〜Ｒ^Ｆ３は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。
Ｒ^Ｆ４〜Ｒ^Ｆ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基または前記式（４）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｆ４〜Ｒ^Ｆ１３の少なくとも一つは、前記式（４）で表される基である。］
前記式（３）で表される基が、下記式（７−１）で表される基、下記式(７−２)で表される基または下記式（７−３）で表される基である、請求項１に記載の金属錯体。

［式（７−１）〜式（７−３）中、
Ｒ^Ｇ１〜Ｒ^Ｇ４０は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。]
前記式（１）で表される金属錯体が、下記式（１−ａ）で表される金属錯体である、請求項１または２に記載の金属錯体。

［式（１−ａ）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1およびｎ２は、前記と同じ意味を表す。
ｍ３は、３または４を表す。
Ｒ^Ａ４は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。複数存在するＲ^Ａ４は、同一でも異なっていてもよい。隣接するＲ^Ａ４同士が結合して、それぞれが結合するＥ^１とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^Ａ５〜Ｒ^Ａ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン原子または前記式（２）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ａ５〜Ｒ^Ａ８の少なくとも１つは前記式（２）で表される基である。］
前記環Ａが、置換基を有していてもよいピリジン環、置換基を有していてもよいイミダゾール環、または、置換基を有していてもよいトリアゾール環である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属錯体。
前記式（１−ａ）で表される金属錯体が、下記式（１−ｂ）で表される金属錯体である、請求項３または４に記載の金属錯体。

［式（１−ｂ）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３、Ｒ^Ａ４およびＤ^１は、前記と同じ意味を表す。］
前記式（１−ｂ）で表される金属錯体が、下記式（１−ｃ）で表される金属錯体、下記式（１−ｄ）で表される金属錯体または下記式（１−ｅ）で表される金属錯体である、請求項５に記載の金属錯体。

［式（１−ｃ）中、
Ｍ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２およびＤ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ａ９〜Ｒ^Ａ１２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^Ａ９とＲ^Ａ１０が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^Ａ１０とＲ^Ａ１１が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ^Ａ１１とＲ^Ａ１２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］

［式（１−ｄ）中、
Ｍ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２およびＤ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ａ１３は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。
Ｒ^Ａ１４は、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。］

［式（１−ｅ）中、
Ｍ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２およびＤ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ａ１５は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基またはハロゲン原子を表す。
Ｒ^Ａ１６は、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。］
前記式（１−ｂ）で表される金属錯体が、下記式（１−ｆ）で表される金属錯体である、請求項５に記載の金属錯体。

［式（１−ｆ）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。
Ｄ^２は、下記式（８）で表される基を表す。］

［式（８）中、
Ｚ^９〜Ｚ^１３は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、前記式（５）で表される基または前記式（６）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５の少なくとも一つは、前記式（５）で表される基または前記式（６）で表される基である。］
ｎ１が３であり、ｎ２が０である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体から誘導される基を構成単位として含む高分子化合物。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体または請求項９に記載の高分子化合物と、
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群より選ばれる少なくとも1種の材料を含有する組成物。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体または請求項９に記載の高分子化合物と、溶媒を含有する液状組成物。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体または請求項９に記載の高分子化合物を含有する有機薄膜。
陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた有機層を備える発光素子であって、
該有機層が請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体または請求項９に記載の高分子化合物を含有する発光素子。
下記式（９）で表される化合物。
（但し、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）−４−メチルベンゼンボロン酸ピナコールエステルを除く。）

［式（９）中、
Ｗ^１は、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または−ＯＲ^Ｊで表される基を表し、Ｘ^１とＸ^２が結合して、それぞれが結合するホウ素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^Ｊは、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。
Ｚ^９〜Ｚ^１３は、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｚ^９〜Ｚ^１３が窒素原子の場合、Ｚ^９〜Ｚ^１３とそれぞれ結合するＲ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５は存在しない。ただし、Ｚ^９〜Ｚ^１３の少なくとも１つは炭素原子である。
Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、下記式（５）で表される基、または、下記式（６）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｋ１〜Ｒ^Ｋ５の少なくとも２つは、下記式（５）で表される基または下記式（６）で表される基である。］

［式（５）中、
Ｒ^Ｅ１〜Ｒ^Ｅ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基または前記式（４）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｅ１〜Ｒ^Ｅ５の少なくとも一つは、前記式（４）で表される基である。］

［式（６）中、
Ｒ^Ｆ１〜Ｒ^Ｆ１３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基または前記式（４）で表される基を表す。ただし、Ｒ^Ｆ１〜Ｒ^Ｆ１３の少なくとも一つは、前記式（４）で表される基である。］
請求項１４に記載の前記式（９）で表される化合物と、下記式（１０）で表される金属錯体を反応させる工程を含む、請求項７に記載の前記式（１−ｆ）で表される金属錯体の製造方法。

［式（１０）中、
Ｍ、Ｅ^１、Ｅ^３、環Ａ、Ａ^１、Ａ^２、Ｇ、ｎ1、ｎ２、ｍ３およびＲ^Ａ４は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^２は、−Ｂ（Ｘ^１）（Ｘ^２）で表される基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基または−ＯＲ^Ｊで表される基を表し、Ｘ^１とＸ^２が結合して、それぞれが結合するホウ素原子とともに環を形成していてもよい。Ｒ^Ｊは、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。］