CN106574040B - 包含氧取代的苯并环丁烯和亲二烯物的组合物，以及含有所述组合物的电子装置 - Google Patents
包含氧取代的苯并环丁烯和亲二烯物的组合物，以及含有所述组合物的电子装置 Download PDFInfo
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Abstract
一种包含聚合物电荷转移层的发光装置，其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构(A)的聚合单元以及一个或多个衍生自结构(B)的聚合单元，其分别如下：A)如本文所定义，具有结构(A)的单体：和B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
Description
相关申请的引用
本申请要求2014年8月21日提交的国际申请号PCT/CN14/084918的优先权，并且通过引用并入本文。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是采用含有有机芳族化合物作为电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)的膜堆叠的显示装置。已经把发现用于在有机发光二极管(OLED) 中的电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)的新材料作为目标，以改善装置性能和使用寿命。在HTL层的情况下，沉积HTL层的方法对于其最终用途应用是关键的。在小型显示器应用中沉积HTL层的方法涉及用精细金属掩模蒸发小的有机化合物以引导沉积。在大型显示器的情况下，从材料使用和高处理量的角度来看，这种方法是不实用的。考虑到这些发现，需要有满足这些挑战的新的方法来沉积HTL，并且其可以直接应用于大型显示器应用。
一种看起来有前景的方法是溶液方法，其涉及沉积小分子，随后进行交联或聚合化学作用。虽然按照这些方法在这方面已经做出了广泛的努力，然而这些方法具有它们自己的缺点。特别地，作为交联或聚合化学的结果，HTL层中的电荷的迁移率降低。这种降低的空穴迁移率导致装置寿命不足且难以维持电荷平衡的器件。这种不平衡也会导致装置效率的问题。
苯并环丁烯(BCB)化学性质及其在OLED中的用途在以下文献中描述：US20040004433、US20080315757、US20080309229、US20100133566、US20110095278、US20110065222、US20110198573、US20110042661、JP2010062120、US7893160、US20110089411、US20070181874、US20070096082、CN102329411、US20120003790、WO2012052704、WO2012175975、WO2013007966、国际申请PCT/CN14/084915(提交于14年8月21日)、US临时申请62/039935(提交于14年8月21日)。
在苯乙烯基的化学作用的情况下，苯乙烯部分的用途已经在以下文献中描述：US8283002B2；US20120049164A1；KR2012066149A(摘要)；US20090321723A1；WO2011133007A2；JP2004303488A(摘要)；US20080153019A1；WO2011062802A1；WO2009133753A1；US8343636B2；Jen等人,Chem.Mater.2008,20,413-422；Kido等人,Organic Electronics,2013,14,1614-1620；Meerholz等人,Adv.Funct.Mater.2013,23,359– 365。
然而，仍需要一种用于改进的空穴传输材料的新组合物，和其改善的处理方法。这些需要已经通过以下发明来满足。
发明内容
本发明提供了一种包含聚合物电荷转移层的发光装置，其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构A的聚合单元和一个或多个衍生自结构B的聚合单元，其分别如下：
A)具有结构A的单体：
其中，对于结构A，A是取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分；以及
其中R1至R3各自独立地选自以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；以及
其中n为1至10；并且每个R4独立地选自以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；并且其中每个R4基团独立地与A键接；以及
其中O是氧；以及
其中Q选自以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；以及
其中R1至R4中的两个或更多个可以任选地形成一个或更多个环结构；和
B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
附图说明
图1描绘了由本发明组合物形成的膜上的剥离数据。
图2描述了HTL-SP-8的DSC分布图。
图3描述了HTL-SP-3的DSC分布图。
图4描述了HTL-SP-8和HTL-SP-3的DSC分布图。
图5描述了通过在190℃下加热HTL-SP-3和HTL-SP-8制备的膜的MALDI-TOF分布图。
图6描述了通过在190℃下加热HTL-SP-3和HTL-SP-8制备的膜的展开的 MALDI-TOF分布图。
图7描绘了一些B阶段HTL聚合物的GPC分布图。
具体实施方式
已经发现减轻本领域的这些缺点的用于空穴传输材料的发明组合物。已经发现通过使用该分子上的一个附着点，我们可以使氧化过程中重排需要的能量最小化。此外，该柔性还将导致更有效的链堆叠，其可以使分子核心彼此紧密接近。该方法将经由越空交互作用改进HTL层中的空穴传输。此外，本发明中描述的化学性质也能满足与期望的方法条件相关的温度和时间考虑。参见，例如，下面的示意图1。
与使用BCB化学作用的其他现有技术相比，已发现本发明描述了化学作用将在实质较低的温度下发生。公开的文献中己记载在以上的R1-R4位置，氧基的给体的取代对于BCB的开环温度有显著效果(Dobish,J.N.；Hamilton,S.K.；Harth,E.Polymer Chemistry2012,3,857-860)；此现象尚未使用于OLED基的应用。在未取代的BCB衍生物的情况下，已经注意到开环温度发生于大概250℃(Kirchhoff,R.A.；Bruza,K.J.Progress in PolymerScience 1993,18,85-185)。在本发明中，氧给体的取代造成开环温度的显著降低至100-120℃之间的值，此具有超越先前发明显著的方法优点。一旦形成反应性的邻醌二甲烷部分，会以1-或2-组分的方式发生Diels-Alder反应而产生新的C-C键。此外，用反应性的邻醌二甲烷部分及多亲二烯物的2组分的方式尚未被报导。
已发现本发明组合物可以用作OLED的空穴传输材料，并且在没有第二种有机电荷传输化合物的情况下达到高效率。
已发现本发明组合物可以用作溶液处理的OLED中的空穴传输层。
已发现本发明组合物可以用作OLED装置中的空穴传输材抖。
已发现一种发明膜可以热和/或用辐射予以交联，而且进一步没有交联剂。
如上所讨论的，本发明提供了一种发光装置，其包含聚合电荷传输层，其中所述聚合电荷传输层由包含聚合物的组合物形成，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构A的聚合单元和一个或多个衍生自结构B的聚合单元，其分别如下：
A)具有结构A的单体：
其中，对于结构A，A是取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分；以及
其中R1至R3各自独立地选自以下：氢；氘；烃基，进一步为C1-C100烃基，进一步为C3-C100烃基，进一步为C10-C100烃基，进一步为C20-C100烃基，进一步为C30-C100烃基；取代的烃基，进一步为C1-C100取代的烃基，进一步为C3-C100取代的烃基，进一步为C10-C100取代的烃基，进一步为C20-C100取代的烃基，进一步为C30-C100取代的烃基；杂烃基，进一步为C1-C100杂烃基，进一步为C3-C100杂烃基，进一步为C10-C100杂烃基，进一步为C20-C100杂烃基，进一步为C30-C100杂烃基；取代的杂烃基，进一步C1-C100取代的杂烃基，进一步为C3-C100取代的杂烃基，进一步为C10-C100取代的杂烃基，进一步为C20-C100取代的杂烃基，进一步为C30-C100取代的杂烃基；卤素；氰基；芳基，进一步为C5-C100芳基，进一步为C6-C100芳基，进一步为C10-C100芳基，进一步为C20-C100芳基，进一步为C30-C100芳基；取代的芳基，进一步为C5-C100取代的芳基，进一步为 C6-C100取代的芳基，进一步为C10-C100取代的芳基，进一步为C20-C100取代的芳基，进一步为C30-C100取代的芳基；杂芳基，进一步为C5-C100杂芳基，进一步为C6-C100杂芳基，进一步为C10-C100杂芳基，进一步为C20-C100杂芳基，进一步为C30-C100杂芳基；取代的杂芳基，进一步为C5-C100取代的杂芳基，进一步为C6-C100取代的杂芳基，进一步为C10-C100取代的杂芳基，进一步为C20-C100取代的杂芳基，进一步为C30-C100取代的杂芳基；以及
其中n为1至10；并且每个R4独立地选自以下：氢；氘；烃基，进一步为C1-C100烃基，进一步为C3-C100烃基，进一步为C10-C100烃基，进一步为C20-C100烃基，进一步为C30-C100烃基；取代的烃基，进一步为C1-C100取代的烃基，进一步为C3-C100取代的烃基，进一步为C10-C100取代的烃基，进一步为C20-C100取代的烃基，进一步为C30-C100取代的烃基；杂烃基，进一步为C1-C100杂烃基，进一步为C3-C100杂烃基，进一步为 C10-C100杂烃基，进一步为C20-C100杂烃基，进一步为C30-C100杂烃基；取代的杂烃基，进一步C1-C100取代的杂烃基，进一步为C3-C100取代的杂烃基，进一步为C10-C100取代的杂烃基，进一步为C20-C100取代的杂烃基，进一步为C30-C100取代的杂烃基；卤素；氰基；芳基，进一步为C5-C100芳基，进一步为C6-C100芳基，进一步为C10-C100芳基，进一步为C20-C100芳基，进一步为C30-C100芳基；取代的芳基，进一步为C5-C100取代的芳基，进一步为C6-C100取代的芳基，进一步为C10-C100取代的芳基，进一步为C20-C100取代的芳基，进一步为C30-C100取代的芳基；杂芳基，进一步为C5-C100杂芳基，进一步为C6-C100杂芳基，进一步为C10-C100杂芳基，进一步为C20-C100杂芳基，进一步为C30-C100杂芳基；取代的杂芳基，进一步为C5-C100取代的杂芳基，进一步为C6-C100取代的杂芳基，进一步为C10-C100取代的杂芳基，进一步为C20-C100取代的杂芳基，进一步为C30-C100取代的杂芳基；并且其中每个R4基团独立地与A键接；以及
其中O是氧；以及
其中Q选自以下：氢；氘；烃基，进一步为C1-C100烃基，进一步为C3-C100烃基，进一步为C10-C100烃基，进一步为C20-C100烃基，进一步为C30-C100烃基；取代的烃基，进一步为C1-C100取代的烃基，进一步为C3-C100取代的烃基，进一步为C10-C100取代的烃基，进一步为C20-C100取代的烃基，进一步为C30-C100取代的烃基；杂烃基，进一步为C1-C100杂烃基，进一步为C3-C100杂烃基，进一步为C10-C100杂烃基，进一步为C20-C100杂烃基，进一步为C30-C100杂烃基；取代的杂烃基，进一步C1-C100取代的杂烃基，进一步为C3-C100取代的杂烃基，进一步为C10-C100取代的杂烃基，进一步为C20-C100取代的杂烃基，进一步为C30-C100取代的杂烃基；卤素；氰基；芳基，进一步为C5-C100芳基，进一步为C6-C100芳基，进一步为C10-C100芳基，进一步为C20-C100芳基，进一步为C30-C100芳基；取代的芳基，进一步为C5-C100取代的芳基，进一步为C6-C100取代的芳基，进一步为C10-C100取代的芳基，进一步为C20-C100取代的芳基，进一步为C30-C100取代的芳基；杂芳基，进一步为C5-C100杂芳基，进一步为C6-C100杂芳基，进一步为C10-C100杂芳基，进一步为C20-C100杂芳基，进一步为C30-C100杂芳基；取代的杂芳基，进一步为C5-C100取代的杂芳基，进一步为C6-C100取代的杂芳基，进一步为C10-C100取代的杂芳基，进一步为C20-C100取代的杂芳基，进一步为C30-C100取代的杂芳基；以及
其中R1至R4中的两个或更多个可以任选地形成一个或更多个环结构；和
B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
一种发明装置可包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。
如本文中所使用的，R1＝R1，R2＝R2，R3＝R3；如此等等。
取代基包括，但不限于OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'为C30-C100烃基基团。
在一个实施例中，组分B的单体选自结构B的结构：
其中，对于结构B，B为取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分；以及
其中R5至R7各自独立地选自以下：氢、氘、C6-C100烃、取代的C6-C100烃、卤素、氰基、未取代的C6-C100芳基、取代的C6-C100芳基、未取代的C6-C100杂芳基、取代的 C6-C100取代的芳基、OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3，其中每个R'为C1-C20烃基基团，以及
其中R5，R6和/或R7中的两个或更多个可以任选地形成一个或更多个环结构。
在一个实施例中，对于结构B，R5至R7各自独立地选自以下：氢、氘、C6-C100烃、取代的C6-C100烃、卤素、氰基、未取代的C6-C100芳基、取代的C6-C100芳基、未取代的C6-C100杂芳基、取代的C6-C100取代的芳基、OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3，其中每个R'为C1-C20烃基基团。
在一个实施例中，聚合物还包含一个或多个衍生自具有结构C的交联剂的聚合单元：
其中，对于结构C，C为芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C50烃基、C1-C50取代的烃基、C1-C50杂烃基、C1-C50取代的杂烃基；以及
其中，R8至R10各自独立地选自以下：氢、氘、C1-C50烃基、C1-C50取代的烃基、 C1-C50杂烃基、C1-C50取代的杂烃基、卤素、氰基、C5-C50芳基、C5-C50取代的芳基、 C5-C50杂芳基、C5-C50取代的芳基；以及
其中n为1至25；并且其中每个“包含L、R8、R9和R10的化学基团”独立地与 C键接；
其中L选自芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C100烃基、C1-C100取代的烃基、C1-C100杂烃基或C1-C100取代的杂烃基，或其中L不存在；并且进一步地L选自芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C100烃基、C1-C100取代的烃基、C1-C100杂烃基或C1-C100取代的杂烃基；
其中R8至R10中的两个或更多个可以任选地形成一个或更多个环结构。
在一个实施例中，交联剂选自以下C1–C8：
在一个实施例中，基于结构A，结构B和交联剂(结构C)的总摩尔数，交联剂以大于0至20摩尔％，进一步为大于0至10摩尔％的量存在。
在一个实施例中，结构A与结构B的摩尔比为0.8至1.2，进一步为0.9至1.1。
在一个实施例中，组分B的单体选自以下B1至B4：
在一个实施例中，结构A选自以下A1至A8：
在一个实施例中，结构A选自以下A9至A14：
和
其中对于结构A9至A14每一者，L独立地选自氢，烃或取代的烃。每个Ar独立地为取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分，进一步为取代的或未取代的芳香族部分。
在一个实施例中，结构A选自以下A15至A20：
本发明还提供了包含聚合物的组合物，其包含作为聚合单元的以下物质：
A)具有结构A的单体：
其中结构A如上定义；和
B)包含一个或多个亲二烯物部分的单体。
在一个实施例中，组分B的单体选自结构B的结构：
其中，对于结构B，B为取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分；以及
其中R5至R7各自独立地选自以下：氢、氘、C6-C100烃、取代的C6-C100烃、卤素、氰基、未取代的C6-C100芳基、取代的C6-C100芳基、未取代的C6-C100杂芳基、取代的 C6-C100取代的芳基、OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3，其中每个R'为C6-C100烃基基团，以及
其中R5，R6和/或R7中的两个或更多个可以任选地形成一个或更多个环结构。
在一个实施例中，聚合物还包含一个或多个衍生自具有结构C的交联剂的聚合单元：
其中，对于结构C，C为芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C50烃基、C1-C50取代的烃基、C1-C50杂烃基、C1-C50取代的杂烃基；以及
其中，R8至R10各自独立地选自以下：氢、氘、C1-C50烃基、C1-C50取代的烃基、 C1-C50杂烃基、C1-C50取代的杂烃基、卤素、氰基、C5-C50芳基、C5-C50取代的芳基、 C5-C50杂芳基、C5-C50取代的芳基；以及
其中n为1至25；并且其中每个“包含L、R8、R9和R10的化学基团”独立地与 C键接；
其中L选自芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C100烃基、C1-C100取代的烃基、C1-C100杂烃基或C1-C100取代的杂烃基，或其中L不存在；并且进一步地L选自芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C100烃基、C1-C100取代的烃基、C1-C100杂烃基或C1-C100取代的杂烃基；
其中R8至R10中的两个或更多个可以任选地形成一个或更多个环结构。
在一个实施例中，交联剂选自以下C1-C8：
在一个实施例中，基于结构A，结构B和交联剂的总摩尔数，交联剂以大于0至20 摩尔％，进一步为大于0至10摩尔％的量存在。
在一个实施例中，结构A与组分B的摩尔比为0.8至1.2，进一步为0.9至1.1。
在一个实施例中，组分B的单体选自以下B1至B4：
在一个实施例中，结构A选自以下A1至A8：
在一个实施例中，结构A选自A9至A14：
和
其中对于结构A9至A14每一者，L独立地选自氢，烃或取代的烃。每个Ar独立地为取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分，进一步为取代的或未取代的芳香族部分。
在一个实施例中，结构A选自以下A15至A20：
在一个实施例中，结构A具有200g/mol至5,000g/mol，进一步为300g/mol至4,000g/mol的分子量。
在一个实施例中，结构B具有400g/mol至2,000g/mol，进一步为500g/mol至1,000g/mol的分子量。
在一个实施例中，包含一个或多个衍生自结构A的聚合单元和一个或多个衍生自结构B的聚合单元的聚合物包含至少一个如下的结构单元：
其中n≥1，进一步n＝1至1000，或n＝2至800，或n＝3至600，或n＝4至400。
本发明还提供了从如本文所述的发明组合物形成的空穴传输溶液处理层，包括如本文所述的一个或多个实施例的组合物。
在一个实施例中，以气氛中组分的总重量计，空穴传输溶液处理层在具有低于50ppm的O2的惰性气氛中制备。
在一个实施例中，空穴传输溶液处理层由涂覆在基板上的溶液形成，并且其中所述涂层在大于或等于75摄氏度的温度下烘烤(热处理)。在另一个实施例中，将涂层在75 至300摄氏度的温度下烘烤。在另一个实施例中，使涂层与热源接触以促进导致聚合物分子的分子量增加的化学反应。
在一个实施例中，空穴传输溶液处理层不溶于苯甲醚。
在一个实施例中，空穴传输溶液处理层在23℃下与苯甲醚接触60秒后显示小于1nm的去除。
在一个实施例中，空穴传输溶液处理层用另一种溶剂型有机材料涂在其表面，以形成两层，这些层之间具有混合界面，并且其中混合界面的厚度小于1nm。
空穴传输溶液处理层可以包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。
本发明还提供了由如本文所述的发明组合物形成的空穴注入溶液处理层，包括如本文所述的一个或多个实施例的组合物。
空穴注入溶液处理层可以包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。
本发明还提供了由如本文所述的发明组合物形成的发射溶液处理层，包括如本文所述的一个或多个实施例的组合物。
发射溶液处理层可以包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。
本发明还提供了由如本文所述的发明组合物形成的电子传输溶液处理层，包括如本文所述的一个或多个实施例的组合物。
电子传输溶液处理层可以包含如本文所述的两个或多个实施例的组合。
本发明还提供了包含如本文所述的发明空穴传输溶液处理层或如本文所述的一个或多个实施例的发明空穴传输溶液处理层的电子装置。
本发明还提供了包含如本文所述的发明空穴注入溶液处理层或如本文所述的一个或多个实施例的发明空穴注入溶液处理层的电子装置。
本发明还提供了包含如本文所述的发明发射溶液处理层或如本文所述的一个或多个实施例的发明发射溶液处理层的电子装置。
本发明还提供了包含如本文所述的发明电子传输溶液处理层或如本文所述的一个或多个实施例的发明电子传输溶液处理层的电子装置。
本发明还提供了包含至少一层由发明组合物形成的层A的膜。
本发明还提供了包含至少一种由发明组合物形成的组分的制品。
在一个实施例中，制品是电致发光装置。
本发明还提供了包含至少一种由发明膜形成的组分的制品。
在一个实施例中，制品是电致发光装置。
发明制品可以包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。
发明组合物可以包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。
定义
如本文所用的术语“亲二烯物”是指具有2个π电子并且可参与Diels-Alder环加成反应的分子。其实例包括但不限于烯烃、炔烃、腈、烯醇醚和烯胺。
如本文所用的术语“亲二烯物部分”是指具有2个π电子并且可参与Diels-Alder环加成反应的化学基团。实例包括但不限于烯烃，炔烃、腈、烯醇醚和烯胺。
如本文所用的，如本文所用的术语“发光装置”是指当跨两个电极施加电流时发射光的装置。
如本文所用的，如本文所用的术语“聚合物电荷转移层”是指可以输送携带电荷的部分(空穴或电子)的聚合材料。
如本文所用的，如本文所用的术语“交联单体”是指可通过产生共价键连接聚合物的相邻链的有机或无机分子。
如本文所用的，如本文所用的术语“空穴传输溶液处理层”是指可通过基于溶液的方法如旋涂、喷墨印刷和丝网印刷处理的空穴传输层。
如本文所用的，如本文所用的术语“空穴注入溶液处理层”是指可以通过基于溶液的方法如旋涂、喷墨印刷和丝网印刷处理的空穴注入层。
如本文所用的，如本文所用的术语“发射溶液处理层”是指可以通过基于溶液的方法如旋涂、喷墨印刷和丝网印刷处理的发射层。
如本文所用的，如本文所用的术语“电子传输溶液处理层”是指可以通过基于溶液的方法如旋涂、喷墨印刷和丝网印刷处理的电子传输层。
如本文所用的，如本文所用的术语“溶剂型有机材料”是指溶解或悬浮在溶剂中的有机化合物，由此可使溶剂变得易挥发且蒸发的。
如本文所用的，如本文所用的术语“电子装置”是指取决于电子学原理的装置，并且其操作使用电子流操作。
如本文所用的，如本文所用的术语“电荷传输膜”是指在一个或多个分子之间电荷在分子内或分子间传输的膜。
如本文所用的术语“烃基”是指仅含有氢和碳原子的化学基团。本文所用的烃基包括一价、二价或更高价的基团。烃基的化合价可以通过包含烃基的分子的化学结构来确定。
如本文所用的术语“取代的烃基”是指其中至少一个氢原子被杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代的烃基。杂原子包括但不限于O、N、P和S。取代基包括但不限于OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'是C30-C100烃基基团。
如本文所用的术语“杂烃基”是指含有氢和碳原子的化学基团，并且其中至少一个碳原子或CH基团或CH2基团被杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代。杂原子包括但不限于O、N、P和S。如本文所用的杂烃基包括一价、二价或更高价的基团。杂烃基的化合价可以通过包含杂烃基的分子的化学结构来确定。
如本文所用的术语“取代的杂烃基”是指其中至少一个氢原子被杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代的杂烃基。杂原子包括但不限于O、N、P和S。取代基包括但不限于OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'是C30-C100烃基基团。
如本文所述的术语“芳香族部分”是指由芳香族烃删除至少一个氢原子而从其衍生得的有机部分。芳香族部分可以是单环和/或稠环系统，其每个环合适地含有4至7个，优选5或6个原子。还包括其中两个或多个芳香族部分通过单键结合的结构。具体实例包括但不限于苯基、萘基、联苯基、蒽基、茚基、芴基、苯并芴基、菲基、联伸三苯基(triphenylenyl)、芘基、苝基、蒯基(chrysenyl)、稠四苯基(naphtacenyl)、荧蒽基(fluoranthenyl)等，但不限于此。萘基可以是1-萘基或2-萘基，蒽基可以是1-蒽基、2- 蒽基或9-蒽基，芴基可以是1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基中的任何一种。芳香族部分的化合价可以通过包含芳香族部分的分子的化学结构来确定。
如本文所用的术语“取代的芳香族部分”是指其中至少一个氢原子被杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代的芳香族部分。杂原子包括但不限于O、N、P和S。取代基包括但不限于OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'是C30-C100烃基基团。
如本文所述的术语“杂芳香族部分”是指其中至少一个碳原子或CH基团或CH2基团被杂原子(例如B，N，O，S，P(＝O)，Si和P)或含有至少一个杂原子的化学基团取代的芳香族部分。杂芳香族部分可以是5或6元单环杂芳基或与一个或多个苯环稠合的多环杂芳基，并且可以是部分饱和的。也包括具有一个或多个通过单键键合的杂芳香族部分的结构。具体实例包括但不限于单环杂芳基基团，如呋喃基，噻吩基，吡咯基，咪唑基，吡唑基，噻唑基，噻二唑基，异噻唑基，异恶唑基，恶唑基，恶二唑基，三嗪基，四嗪基，三唑基，四唑基，呋咕基，吡啶基，吡嗪基，嘧啶基，哒嗪基；多环杂芳基基团，如苯并呋喃基，芴醇[4,3-b]苯并呋喃基，苯并噻吩基，芴醇[4,3-b]苯并噻吩基，异苯并呋喃基，苯并咪唑基，苯并噻唑基，苯并异噻唑基，苯并异恶唑基，苯并恶唑基，异吲哚基，吲哚基，吲唑基，苯并噻二唑基，喹啉基，异喹啉基，噌啉基(cinnolinyl)，喹唑啉基，喹喏啉基，咔唑基，菲啶基和苯并二呃基(benzodioxolyl)。杂芳香族部分的化合价可以通过包含杂芳香族部分的分子的化学结构来确定。
如本文所用的术语“取代的杂芳香族部分”是指其中至少一个氢原子被杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代的杂芳香族部分。杂原子包括但不限于O、N、P和S。取代基包括但不限于OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'是C30-C100烃基基团。
如本文所述的术语“芳基”是指由芳香族烃删除一个氢原子而从其衍生得的有机基团。芳基可以是单环和/或稠环系统，其每个环合适地含有4至7个，优选5或6个原子。还包括其中两个或更多个芳基通过单键结合的结构。具体实例包括但不限于苯基、萘基、联苯基、蒽基、茚基、芴基、苯并芴基、菲基、联伸三苯基(triphenylenyl)、芘基、苝基、蒯基(chrysenyl)、稠四苯基(naphtacenyl)、荧蒽基(fluoranthenyl)等，但不限于此。萘基可以是1-萘基或2-萘基，蒽基可以是1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，芴基可以是 1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基中的任何一种。
如本文所用的术语“取代的芳基”是指其中至少一个氢原子被杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代的芳基。杂原子包括但不限于O、N、P和S。取代基包括但不限于OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'是C1-C20烃基基团。
如本文所述的术语“杂芳基”是指其中至少一个碳原子或CH基团或CH2基团被杂原子(例如B，N，O，S，P(＝O)，Si和P)或含有至少一个杂原子的化学基团取代的芳基基团。杂芳基可以是5或6元单环杂芳基或与一个或多个苯环稠合的多环杂芳基，并且可以是部分饱和的。还包括具有一个或多个通过单键键合的杂芳基基团的结构。杂芳基可以包括其中杂原子被氧化或季铵化以形成N-氧化物，季铵盐等的二价芳基。具体实例包括但不限于单环杂芳基基团，如呋喃基，噻吩基，吡咯基，咪唑基，吡唑基，噻唑基，噻二唑基，异噻唑基，异恶唑基，恶唑基，恶二唑基，三嗪基，四嗪基，三唑基，四唑基，呋咕基，吡啶基，吡嗪基，嘧啶基，哒嗪基；多环杂芳基基团，如苯并呋喃基，芴醇[4,3-b]苯并呋喃基，苯并噻吩基，芴醇[4,3-b]苯并噻吩基，异苯并呋喃基，苯并咪唑基，苯并噻唑基，苯并异噻唑基，苯并异恶唑基，苯并恶唑基，异吲哚基，吲哚基，吲唑基，苯并噻二唑基，喹啉基，异喹啉基，噌啉基(cinnolinyl)，喹唑啉基，喹喏啉基，咔唑基，菲啶基和苯并二呃基(benzodioxolyl)；和相应的N-氧化物(例如，吡啶基N-氧化物，喹啉基N-氧化物)及其季盐。
如本文所用的术语“取代的杂芳基”是指其中至少一个氢原子被杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代的杂芳基。杂原子包括但不限于O、N、P和S。取代基包括但不限于OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'是C1-C20烃基基团。
如本文所用的术语“聚合物”是指通过聚合相同或不同类型的单体制备的聚合物。因此，通用术语聚合物包括术语均聚物(用于指仅由一种类型的单体制备的聚合物，且理解为痕量的杂质可以引入聚合物结构中和/或聚合物结构内)和如下文定义的术语互聚物。
如本文所用的术语“互聚物”是指通过至少两种不同类型的单体的聚合制备的聚合物。因此，通用术语互聚物包括共聚物(用于指由两种不同类型的单体制备的聚合物) 和由多于两种不同类型的单体制备的聚合物。
实验
试剂和测试方法
所有溶剂和试剂均获自商业供应商(例如，Sigma-Aldrich，TCI和Alfa Aesar)，并以最高可用纯度使用，和/或当需要时，在使用前重结晶。干燥溶剂从实验室内纯化/分配系统(己烷，甲苯和四氢呋喃)获得，或购自Sigma-Aldrich。涉及“水敏性化合物”的所有实验在“烘箱干燥的”玻璃器皿中，在氮气气氛下或在手套箱中进行。通过在预涂铝板(VWR 60 F254)上分析的薄层色谱(TLC)监测反应，并通过UV光和/或高锰酸钾染色进行目测。快速色谱法在具有GRACERESOLV盒的ISCO COMBIFLASH系统上进行。
除非另有说明，在Varian VNMRS-500或VNMRS-400光谱仪上在30℃下获得1H-NMR光谱(500MHz或400MHz)。化学位移参照CDCl3中的TMS(δ＝0.00)。
在Varian VNMRS-500或VNMRS-400光谱仪上获得13C-NMR光谱(125MHz或100 MHz)，并参照CDCl3中的TMS(δ＝0.00)。
常规LC/MS研究进行如下。将5微升等分试样的样品，如“3mg/ml THF中溶液”，注射到AGILENT 1200SL二元梯度液相色谱上，其通过双喷雾电喷雾(ESI)接口偶联到AGILENT6520 QTof四极时间飞行MS系统，以PI模式工作。使用以下分析条件：柱：150x4.6mm ID，3.5μm ZORBAX SB-C8；柱温：40℃；流动相：75/25A/B至15/85 A/B于40分钟；溶剂A＝0.1v％甲酸配于水中；溶剂B＝THF；流量1.0mL/min；UV检测：二极管阵列210至600nm(提取波长250，280nm)；ESI条件：气体温度365℃；气体流量–8ml/min；毛细管-3.5kV；雾化器–40PSI；分段器–145V。
使用2000仪器以10℃/min的扫描速率进行DSC，在氮气气氛中进行所有循环。将样品(约7-10mg)从室温扫描至300℃，冷却至-60℃，并再加热至300℃。在第二次加热扫描上测量玻璃化转变温度(Tg)。使用TA通用分析软件进行数据分析。使用“拐点中点”方法计算Tg。
MALDI-TOF测量：使用配备有355-nm Nd：YAG激光器的Bruker UltrafleXtremeMALDI-TOF/TOF MS(Bruker Daltronics Inc.，Billerica，MA)分析所有样品。以正离子反射模式获得光谱，在半最大高度(fwhm)处具有大于20,000全宽的质量分辨率。在所检测的整个质量范围内观察到同位素分辨率；并且激光强度被设置为大于阈值大约 10％。对每个光谱优化仪器电压以获得最佳的信噪比。使用来自Peptide Mass Standard Kit (BrukerDaltronics)的蛋白质标准品(Peptide Mix II)和使用缓激肽(片段1-7)(m＝757.40 Da)，血管紧张素II(m＝1046.54Da)，血管紧张素I(m＝1296.68Da)，物质P(m＝1347.74 Da)，ACTH(片段1-17)(m＝2093.09Da)，ACTH(片段18-39)(m＝2465.20Da)，和生长抑素28(m＝3147.47Da)的七点校准方法进行外部质量校准，以产生单同位素质量精度优于Δm＝±0.05Da。在每次测量之前校准仪器以确保恒定的实验条件。
使用蒸发-研磨法制备聚合物样品，其中将2mg聚合物样品在玛瑙研钵和研杵中用60μL蒸馏的四氢呋喃(THF，Fisher)研磨成细粉末。基质：NaTFA：聚合物的摩尔比为25:1:1。然后将混合物第二次研磨以确保均匀性。然后将混合物的样品通过刮刀压入MALDI样品板上的样品孔中。使用由Sierra Analytics(Modesto，CA)提供的Polymerix 2.0软件处理MS和MS/MS数据。
1,3-双(双环[4.2.0]辛-1(6),2,4-三烯-7-基氧基)-5-碘苯的合成
向装有3-碘间苯二酚(1当量)和K2CO3(4当量)的烧瓶中加入DMF。将溶液在室温下搅拌，并滴加7-溴双环[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(2.5当量)作为DMF溶液。将混合物加热至70℃保持两天。冷却至室温后，将混合物倒入水(100mL)中，用乙醚萃取数次。收集有机部分，用盐水洗涤，并用MgSO4干燥。将有机部分过滤，除去溶剂，得到黄色油状物。用甲醇重结晶后，回收浅黄色固体；这通过NMR光谱法鉴定并与形成的产物相符。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-溴苯)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺的合成
向装有N–([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(1.0当量)，1,4-二溴苯(2.0当量)，Pd2dba3(0.02当量)，三邻甲苯基膦(0.06当量)和叔丁醇钠(2.0当量)的烧瓶中加入甲苯。将混合物加热回流18小时。将反应冷却至25℃，用水和盐水洗涤。将有机相用MgSO4干燥，并浓缩。所得残余物通过硅胶柱纯化，得到所需的为白色固体的产物。
3-溴-9H-咔唑的合成
该化合物使用Midya等人的Chem.Commun.2010,46,2091中所描述的先前公开的程序来合成，通过引用并入本文。
3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9H-咔唑的合成
该化合物使用美国专利公开US2005/0137204 A1中所描述的先前公开的程序来合成，通过引用并入本文。
N-(4-(9H-咔唑-3-基)苯基)-N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺的合成
在N2下，向装有配于甲苯(0.2M)中N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-溴苯)-9,9-二甲基-9H- 芴-2-胺(1.2当量)和四(三苯基膦)钯(0.03当量)的烧瓶中加入配于乙醇(0.17M)中 3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9H-咔唑(1.0当量)和含水碳酸钾溶液(4.0 当量，2.0M)。将混合物加热至90℃保持12小时。将反应冷却至25℃，并在真空下浓缩。所得残余物稀释到二氯甲烷中，并用水洗涤。有机相在Na2SO4上干燥并浓缩。所得残余物通过硅胶色谱法纯化，得到所需的为白色固体的产物。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-(9-(3,5-双(双环[4.2.0]辛-1(6),2,4-三烯-7-基氧基)苯)-9H- 咔唑-3-基)苯基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺的合成：
向装有N-(4-(9H-咔唑-3-基)苯基)-N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(1当量)，1,3-双(双环[4.2.0]辛-1(6),2,4-三烯-7-基氧基)-5-碘苯(1.1当量)，碘化铜(0.25当量)和K3PO4(3当量)的烧瓶中加入二噁烷。将混合物搅拌5分钟，并将N,N'-二甲基环己烷-1,2-二胺(0.5当量)滴加到搅拌的混合物中。将混合物加热至70℃保持两天。冷却至室温后，通过旋转蒸发除去溶剂并用CH2Cl2和水萃取。将含水体积进一步用 CH2Cl2萃取两次。合并有机部分，用盐水洗涤，并用MgSO4干燥。将有机部分过滤，并除去溶剂，得到粗产物。所得残余物通过硅胶色谱法纯化，得到为白色固体的所需产物HTL-SP-8。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-2-胺的合成
将N-([1,1'-二苯基]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(40.0g，110mmol)，溴苯(23.4g， 150mmol)，Pd(OAc)2(616mg，2.75mmol)，X-Phos(1.57g，3.3mmol)，tBuOK(24.6 g，220mmol)加入装有回流冷凝器的250mL三颈圆底烧瓶中。在N2气氛下加入250mL 无水甲苯后，将悬浮液加热至90℃，并在N2流下搅拌过夜。冷却至室温后，加入水，分离有机层。在真空下蒸发溶剂，并将残余物不经进一步纯化用于下一步骤(产率：95％)。 MS(ESI):437.02[M+H]+。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-溴苯)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺的合成
在30分钟内向150mL DMF中的N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-2- 胺(1)(35.0g，80mmol)的溶液中滴加100mL DMF中的N-溴代琥珀酰亚胺(NBS)(16.02g，90mmol)。该加入后，将混合物在室温下搅拌12小时，然后倒入水中沉淀出固体。将固体过滤，从二氯甲烷和乙醇中重结晶，得到白色固体(产率：92％)。MS (ESI):516.12[M+H]+。
7-([1,1'-联苯]-4-基(4-溴苯)氨)-9,9-二甲基-9H-芴-2-甲醛的合成
在30分钟内向0℃下100mL CH2Cl2中的7-([1,1'联苯]-4-基(4-溴苯)氨)-9,9-二甲基 -9H-芴-2-甲醛(25.8g，50mmol)的溶液中加入用100mL CH2Cl2稀释的TiCl4(54.6mL，500mmol)。将混合物在0℃下再搅拌30分钟。然后，在30分钟内滴加在200mL的CH2Cl2中的CH3OCHCl2(27.0mL，300mmol)。将深绿色溶液在0℃下再搅拌1小时。完成后，缓慢加入含有碎冰的水以淬灭反应。分离有机层，依次用饱和碳酸氢钠溶液，盐水洗涤，用无水硫酸钠干燥。过滤后，真空下除去溶剂，残余物通过柱色谱法纯化，得到粗产物 (产率：55％)。MS(ESI):544.12[M+H]+。
4-(9H-咔唑-9-基)苯甲醛的合成
将在60mL DMF中的9H-咔唑(9.53g，57mmol)，4-溴苯甲醛(21.1g，114mmol)，碘化铜(I)(1.80g，9.4mmol)，K2CO3(11.8g，86mmol)的混合物在氮气气氛下加热至140℃保持12小时。冷却至室温后，过滤无机固体，将残余物倒入冰水中沉淀。收集如此形成的固体，用水，乙醇洗涤数次，然后从CH2Cl2和乙醇中结晶，得到浅黄色固体(产率：95％)。MS(ESI):272.10[M+H]+。
4-(3-溴-9H-咔唑-9-基)苯甲醛的合成
在30分钟内向在100mL DMF中的4-(9H-咔唑-9-基)苯甲醛(26.6g，98mmol)的溶液中滴加在100mL DMF中的NBS(17.4g，98mmol)。加入后，将混合物在室温下搅拌12小时。将溶液倒入冰水中以沉淀产物。过滤后，收集固体，用水，乙醇洗涤数次，然后真空下干燥，无需进一步纯化用于下一步骤(产率：96％)。MS (ESI):350.01[M+H]+。
4-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛的合成
将3-溴-9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑(10.51g，30mmol)，4,4,4',4',5,5,5',5'-八甲基-2,2'- 二(1,3,2-二氧杂环戊硼烷)(9.14g，36mmol，253)，Pd(dppf)2Cl2(571mg，0.75mmol)， CH3COOK(4.41g，45mmol)和60mL的无水二噁烷的混合物在85℃下在氮气气氛下加热12小时。冷却至室温后，在真空下除去溶剂，然后加入水。混合物用CH2Cl2萃取收集有机层，用无水硫酸钠干燥。过滤后，蒸发滤液以除去溶剂，残余物通过硅胶柱色谱法纯化，得到白色固体(产率：84％)。MS(ESI):398.16[M+H]+。
7-([1,1'-联苯]-4-基(4-(9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)氨基)-9,9-二甲基-9H- 芴-2-甲醛的合成
将4-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛(0.7g， 1.76mmol)，7-([1,1'-联苯]-4-基(4-溴苯)氨)-9,9-二甲基-9H-芴-2-甲醛(0.8g，1.47mmol)， Pd(PPh3)4(76mg，0.064mmol)，2M K2CO3(0.8g，6mmol，3mL H2O)，3mL乙醇和3mL甲苯的混合物在氮气气氛下在90℃加热12小时。冷却至室温后，在真空下除去溶剂，并将残余物用CH2Cl2溶解。有机层用水洗涤，然后用无水硫酸钠干燥。过滤后，蒸发滤液除去溶剂，残余物通过硅胶柱色谱法纯化，得到白色固体(收率：85％)。MS (ESI):735.29[M+H]+。
N-([1,1'-苯基]-4-基)-9,9-二甲基-6-乙烯基-N-(4-(9-(4-乙烯基苄基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺的合成
在氮气气氛下向0℃下10mL THF中的Ph3PBrMe(1.428g，4mmol)的溶液中加入tBuOK(672mg，6mmol)。搅拌30分钟后，向上述混合物中加入10mL THF中的二醛化合物7-([1,1'-联苯]-4-基(4-(9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)氨基)-9,9-二甲基 -9H-芴-3-甲醛(734mg，1mmol)的溶液。然后，将溶液在室温下搅拌12小时。在用水淬灭后，在真空下除去溶剂，并将残余物用CH2Cl2溶解。用水洗涤有机层，然后用无水硫酸钠干燥。过滤后，蒸发滤液以除去溶剂，残余物通过硅胶柱色谱法纯化，得到白色固体HTL-SP-3(产率：85％)。MS(ESI):731.34[M+H]+。
(7-([1,1'-联苯]-4-基(4-(9-(4-(羟甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)氨基)-9,9-二甲基 -9H-芴-3-基)甲醇的合成
在氮气气氛下，向40℃下10mL THF和10mL乙醇中的7-([1,1'-联苯]-4-基 (4-(9-(4-(羟甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)氨基)-9,9-二甲基-9H-芴-3-基)的溶液中加入NaBH4(302mg，8mmol)。将溶液在室温下搅拌2小时。然后，加入盐酸水溶液，直至pH为5，将混合物保持搅拌30分钟。真空下除去溶剂，残余物用二氯甲烷萃取。然后将产物真空干燥，无需进一步纯化用于下一步骤。MS(ESI):739.32[M+H]+。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-6-(((4-乙烯基苄基)氧基)甲基)-N-(4-(9-(4-(((4-乙烯基苄基)氧基)甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺的合成
向50mL无水DMF中(7-([1,1'-联苯]-4-基(4-(9-(4-(羟甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基) 氨基)-9,9-二甲基-9H-芴-3-基)甲醇(3.69g，5mmol)的溶液中加入NaH(432mg，18 mmol)，然后将混合物在室温下搅拌1小时。然后，通过注射器将4-乙烯基苄基氯(2.11mL，2.29g，15mmol)加入到上述溶液中。将混合物加热至60℃保持24小时。用水淬灭后，将混合物倒入水中以除去DMF。过滤残余物，所得固体用二氯甲烷溶解，然后用水洗涤。真空下除去溶剂，残余物用二氯甲烷萃取。然后通过硅胶柱色谱法得到产物，得到浅黄色固体HTL-SP-4(产率：75％)。MS(ESI):971.45[M+H]+。
7-([1,1'-联苯]-4-基(4-溴苯)氨)-9,9-二甲基-9H-芴-2-甲醛的合成
在30分钟内，向0℃下100mL CH2Cl2中的7-([1,1'-联苯]-4-基(4-溴苯)氨)-9,9-二甲基-9H-芴-2-甲醛(25.8g，50mmol)的溶液中加入用100mL CH2Cl2稀释的TiCl4(54.6mL，500mmol)。将混合物在0℃下再搅拌30分钟。然后，在30分钟内滴加在200mL 的CH2Cl2中的CH3OCHCl2(27.0mL，300mmol)。将深绿色溶液在0℃下再搅拌1小时。完成后，缓慢加入含有碎冰的水，以淬灭反应。分离有机层，依次用饱和碳酸氢钠溶液、盐水洗涤，用无水硫酸钠干燥。过滤后，真空下除去溶剂，残余物通过柱色谱法纯化，得到粗产物(收率：55％)。MS(ESI):544.12[M+H]+。
4-(9H-咔唑-9-基)苯甲醛的合成
将在60mL无水DMF中的9H-咔唑(9.53g，57mmol)、4-溴苯甲醛(21.1g，114 mmol)、碘化铜(I)(1.80g，9.4mmol)、K2CO3(11.8g，86mmol)的混合物在氮气气氛下加热至140℃保持12小时。冷却至室温后，过滤无机固体，并将残余物倒入冰水中沉淀。收集如此形成的固体，并用水、乙醇洗涤数次，然后从CH2Cl2和乙醇中结晶，得到浅黄色固体(产率：95％)。MS(ESI):272.10[M+H]+。
4-(3-溴-9H-咔唑-9-基)苯甲醛的合成
在30分钟内向4-(9H-咔唑-9-基)苯甲醛(26.6g，98mmol)于100mL DMF中的溶液中滴加含NBS(17.4g，98mmol)的100mL DMF。加入后，将混合物在室温下搅拌 12小时。将溶液倒入冰水中以沉淀产物。过滤后，收集固体，用水、乙醇洗涤数次，然后真空下干燥，无需进一步纯化用于下一步骤(产率：96％)。MS(ESI):350.01[M+H]+。
4-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛的合成
将3-溴-9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑(10.51g，30mmol)、4,4,4',4',5,5,5',5'-八甲基-2,2'- 联(1,3,2-二氧杂环戊硼烷)(9.14g，36mmol，253)、Pd(dppf)2Cl2(571mg，0.75mmol)、 CH3COOK(4.41g，45mmol)和60mL的无水二噁烷的混合物在85℃下在氮气气氛下加热12小时。冷却至室温后，在真空下除去溶剂，然后加入水。混合物用CH2Cl2萃取。收集有机层，用无水硫酸钠干燥。过滤后，蒸发滤液以除去溶剂，并且残余物通过硅胶柱色谱法纯化，得到白色固体(产率：84％)。MS(ESI):398.16[M+H]+。
7-([1,1'-联苯]-4-基(4-(9-(4-甲酰苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)氨基)-9,9-二甲基-9H-芴 -2-甲醛的合成
将4-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)-9H-咔唑-9-基)苯甲醛(0.7g， 1.76mmol)、7-([1,1'-联苯]-4-基(4-溴苯)氨)-9,9-二甲基-9H-芴-2-甲醛(0.8g，1.47mmol)、 Pd(PPh3)4(76mg，0.064mmol)、2M K2CO3(0.8g，6mmol，3mL H2O)、3mL乙醇和 3mL甲苯的混合物在氮气气氛下在90℃加热12小时。冷却至室温后，在真空下除去溶剂，并将残余物用CH2Cl2溶解。有机层用水洗涤，然后用无水硫酸钠干燥。过滤后，蒸发滤液除去溶剂，并且残余物通过硅胶柱色谱法纯化，得到白色固体(收率：85％)。 MS(ESI):735.29[M+H]+。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-6-乙烯基-N-(4-(9-(4-乙烯基苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺的合成
在氮气气氛下向0℃下10mL THF中的Ph3PBrMe(1.428g，4mmol)的溶液中加入tBuOK(672mg，6mmol)。搅拌30分钟后，向上述混合物中加入10mL THF中的二醛化合物7-([1,1'-联苯]-4-基(4-(9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)氨基)-9,9-二甲基-9H-芴-3-甲醛(734mg，1mmol)的溶液。然后，将溶液在室温下搅拌12小时。在用水淬灭后，在真空下除去溶剂，并将残余物用CH2Cl2溶解。用水洗涤有机层，然后用无水硫酸钠干燥。过滤后，蒸发滤液以除去溶剂，残余物通过硅胶柱色谱法纯化，得到白色固体HTL-SP-3(产率：85％)。MS(ESI):731.34[M+H]+。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)-9H-芴-2-胺的合成
将N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-溴苯)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(15.48g，30mmol)，4,4,4',4',5,5,5',5'-八甲基-2,2'-二(1,3,2-二氧杂环戊硼烷)(9.14g，36mmol)，Pd(dppf)2Cl2 (571mg，0.75mmol)，CH3COOK(4.41g，45mmol)和60mL的无水二噁烷的混合物在85℃下在氮气气氛下加热12小时。冷却至室温后，在真空下除去溶剂，然后加入水。混合物用CH2Cl2萃取。收集有机层，用无水硫酸钠干燥。过滤后，蒸发滤液以除去溶剂，残余物通过硅胶柱色谱法纯化，得到白色固体(产率：84％)。MS(ESI):564.30[M+H]+。 1H-NMR(CDCl3,400MHz,TMS,ppm):δ7.65(d,2H),7.59(d,2H),7.50(d,2H),7.40(m, 8H),7.17(m,3H),7.05(m,3H),1.42(s,6H),1.38(s,12H)。
9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-甲醛的合成
在30分钟内向150mL二甲基甲酰胺(DMF)中的9-(4-溴苯)-9H-咔唑(32.2g，100mmol)的溶液中滴加100mL DMF中的N-溴代琥珀酰亚胺(NBS)(17.8g，100mmol)。加入后，将混合物在室温下搅拌12小时，然后倒入水中沉淀出固体。将固体过滤，从二氯甲烷和乙醇中重结晶，得到白色固体(产率：92％)并用于下一步骤。MS (ESI):402.09[M+H]+。
向THF(500mL)中3-溴-9-(4-溴苯)-9H-咔唑(8.02g，20mmol)的溶液中以保持内部温度低于-78℃的速率加入n-BuLi(24mL的2.5M己烷中溶液，60mmol)。将混合物在-78℃下搅拌1小时，滴加10mL 10mL DMF和10mL THF。加入后，将反应混合物在-45℃下搅拌30分钟，再在0℃下搅拌30分钟。加入饱和NH4Cl水溶液(400mL)，并蒸发有机溶剂。用CH2Cl2(2×100mL)萃取残余物，并将合并的有机层用无水MgSO4 干燥。除去溶剂后，粗产物通过柱色谱法纯化，得到粗产物(产率：65％)。MS (ESI):300.09[M+H]+。1H-NMR(CDCl3,400MHz,TMS,ppm):δ10.15(s,1H),10.13(s, 1H),8.67(s,1H),8.23(d,1H),8.17(d,2H),7.99(d,1H),7.80(d,2H),7.54(m,3H),7.40 (m,1H)。
6-溴-9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-甲醛的合成
向CH2Cl2(20mL)和DMF(20mL)中9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-甲醛(0.898 g，3mmol，1.00当量)的溶液中加入NBS(0.587mg，3.3mmol)。搅拌4小时后，过滤形成的沉淀，用DMF和CH2Cl2洗涤数次，得到粗产物(产率：84％)。MS (ESI):378.01[M+H]+。
6-(4-([1,1'-联苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基)苯基)-9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-甲醛的合成
在氮气氛围下，将比例1:1:2的2.0M Na2CO3：乙醇：甲苯的混合物的20mL混合溶剂，添加至6-溴-9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-甲醛(0.756g，2mmol)，N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)苯基)-9H-芴-2-胺(1.24 g，2.2mmol)，Pd(OAc)2(12.8mg，0.06mmol)和X-Phos(28.6mg，0.06mmol)的混合物中。反应混合物在90℃下，氮气氛围下搅拌过夜。在蒸发甲苯和乙醇后，加入水，并将混合物用CH2Cl2(2×30mL)萃取，并将合并的有机层用MgSO4干燥。减压下除去溶剂，残余物通过硅胶柱色谱法纯化，得到黄色固体(产率：64％)。MS (ESI):735.29[M+H]+。1H-NMR(CDCl3,400MHz,TMS,ppm):δ10.12(s,1H),10.09(s, 1H),8.36(s,1H),8.20(d,1H),7.64(m,12H),7.53(m,2H),7.42(m,6H),7.32(m,7H),7.15 (d,1H),4.88(s,2H),4.85(s,2H),1.45(s,6H)。
(4-(3-(4-([1,1'-联苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基)苯基)-6-(羟甲基)-9H-咔唑-9- 基)苯基)甲醇的合成
在氮气氛围，将NaBH4(302mg，8mmol)添加至40℃下的10mL THF和10mL 乙醇的6-(4-([1,1'-联苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基)苯基)-9-(4-甲酰基苯基)-9H-咔唑-3-甲醛(734mg，1mmol)的溶液中。将溶液在室温下搅拌2小时。然后，加入盐酸水溶液，直至pH为5，混合物继续搅拌30分钟。在真空下除去溶剂，残余物用二氯甲烷萃取。然后将产物在真空下干燥，并用于下一步骤，无需进一步纯化(产率：95％)。 MS(ESI):739.32[M+H]+。1H-NMR(CDCl3,400MHz,TMS,ppm):δ8.36(s,1H),8.20(d, 1H),7.64(m,12H),7.53(m,2H),7.42(m,6H),7.32(m,7H),7.15(d,1H),4.88(s,2H),4.85 (s,2H),3.74(m,2H),1.45(s,6H)。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(6-(((4-乙烯基苄基)氧基)甲基)-9-((4-乙烯基苄基)氧基)甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺(HTL-SP-004B)的合成
向(4-(3-(4-([1,1'-联苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基)苯基)-6-(羟甲基)-9H-咔唑 -9-基)苯基)甲醇(3.69g，5mmol，738)的50mL无水DMF溶液中加入NaH(432mg，18mmol)，将混合物在室温下搅拌1小时。接着，通过注射器将1-(氯甲基)-4-乙烯基苯(2.75g，15mmol)加入到上述溶液中。将混合物加热至60℃过夜。用水淬灭后，将混合物倒入水中以除去DMF。过滤残余物，将得到的固体用二氯甲烷溶解，然后用水洗涤。在真空下除去溶剂，残余物用二氯甲烷萃取。然后通过硅胶柱色谱法获得产物(产率：55％)。MS(ESI):943.42[M+H]+。1H-NMR(CDCl3,400MHz,TMS,ppm):δ8.35(s,1H), 8.17(d,1H),7.62(m,12H),7.42(m,14H),7.29(m,10H),6.72(dd,2H),5.77(d,2H),5.24 (d,2H),4.74(s,2H),4.67(s,4H),4.60(s,2H),1.45(s,6H)。
N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-(6-((双环[4.2.0]辛-1(6)),2,4-三烯-7-基氧基)甲基)-9-(4-((二环[4.2.0]辛-1(6),2,4-三烯-7-基氧基)甲基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9,9-二甲基-9H-芴-2- 胺(HTL-SP-009B)的合成
向(4-(3-(4-([1,1'-联苯]-4-基(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基)苯基)-6-(羟甲基)-9H-咔唑-9-基)苯基)甲醇(3.69g，5mmol，738)的50mL无水DMF溶液中加入NaH(432mg，18mmol)，将混合物在室温下搅拌1小时。接着，通过注射器将7-溴双环[4.2.0]辛-1,3,5-三烯(Br-BCB)(2.75g，15mmol)加入到上述溶液中。将混合物加热至60℃，并搅拌过夜。用水淬灭后，将混合物倒入水中以除去DMF。将残余物过滤，将所得固体用二氯甲烷溶解，然后用水洗涤。在真空下除去溶剂，残余物用二氯甲烷萃取。然后通过硅胶柱色谱法得到产物(产率：65％)。MS(ESI):943.42[M+H]+。1H-NMR(CDCl3,400MHz, TMS,ppm):δ8.35(s,1H),8.22(d,1H),7.65(m,12H),7.47(d,2H),7.43(m,6H),7.29(m, 10H),7.15(m,6H),5.27(d,2H),4.89(s,2H),4.82(s,2H),3.55(d,2H),3.22(d,2H),1.45 (s,6H)。
HTL单体的B阶段以形成低聚物
将HTL-SP-009B(657.1mg，0.697mmol)，HTL-SP-004B(479.7mg，0.494mmol) 和三(4'-乙烯基-[1,1'-联苯]-4-基)胺(TFX-2)(72.7mg，0.132mmol)的混合物溶解在1.2 mL的电子苯甲醚(electronic anisole)中，制成10wt％的溶液。上述溶液的B阶段在氮气氛围下，在105℃下进行5小时。冷却至室温后，将B阶段的HTL溶液用4wt％的电子溶剂稀释。然后将等体积的电子甲醇加入到经稀释的B阶段的HTL溶液中，用于将 HTL聚合物从溶液中沉淀出来。然后通过过滤来收集B阶段的HTL聚合物，并在真空烘箱中在40℃下干燥过夜。将所得的B阶段HTL聚合物重新溶解在电子苯甲醚中，以制备4wt％的溶液，并且将上述沉淀过程重复一次以完全除去残留的HTL单体。最后，收集黄色结晶状固体形式的0.71g(收率：59％)B阶段的HTL聚合物产物。用凝胶渗透色谱法来分析B阶段材料的分子量分布，并示于表A中。也可参见图7的关于GPC 分布图。
凝胶渗透色谱法(GPC)研究进行如下。将B阶段的HTL聚合物(2mg)溶于THF (1ml)中。将溶液通过“0.20μm”聚四氟乙烯(PTFE)针筒过滤器进行过滤，将50μl 滤液注入GPC系统。使用以下分析条件：泵：WATERS e2695分离模块，标称流速为 1.0mL/min；洗脱液：FISHER SCIENTIFIC HPLC级THF(未稳定的)；注射器：WATERS e2695分离模块；柱：两个来自Polymer Laboratories Inc.的5μm混合-C柱，保持在40 ℃；检测器：SHODEX RI-201示差折射率(DRI)检测器；校准：来自Polymer Laboratories Inc.的17个聚苯乙烯标准材料，拟合在3,742kg/mol至0.58kg/mol的范围内的三阶多项式曲线。分子量使用VISCOTEK TriSEC软件版本3.0，或类似软件来测定。
表A. B阶段HTL聚合物的分子量(g/mol)
膜制备
1.HTL-SP-8+HTL-SP-3溶液制备
在室温下将HTL-SP-8(0.0369g；MW＝915.149Da)和HTL-SP-3(0.0277g； MW＝730.955Da)溶于苯甲醚(3.1444g)中，来制备“2wt％-SP-8+HTL-SP-3”溶液(HTL-SP-8:HTL-SP-3＝约1:1摩尔比)。一旦HTL-S-8和HTL-SP-3完全溶解在苯甲醚中，使该溶液过滤通过“0.02μm PTFE膜”，然后将溶液沉积到Si晶圆上(参见以下)。硅晶圆可从VirginiaSemiconductor，Inc.(一英寸，单面抛光(SSP)无掺杂Si晶圆，厚度0.5mm)获得。
2.在Si晶圆上经由旋涂和热交联HTL-SP-8+HTL-SP-3薄膜
将Si晶圆“UV-臭氧预处理”1分钟。接着，将4～6滴经过滤的“HTL-SP-8和HTL-SP-3溶液”沉积在Si晶圆上，并且涂布的晶圆用两个步骤进行旋涂以成“HTL-SP-8+HTL-SP-3 溶液”的薄膜：1)500rpm，历时5秒；和2)1500rpm，历时30秒。将旋涂的晶圆在氮气氛围(N2箱)下，在100℃下预烘烤1分钟以除去大部分残余的苯甲醚。
接着，在氮气氛围下(N2净化盒)，通过分别在190，220，235或250℃下加热三个或两个膜涂布的晶圆5，10，20，30，40，50或60分钟来形成一组(温度/时间)数据。参见下表1。
3.HTL-SP-8+HTL-SP-3薄膜剥离测试
测量每个数据组的每个涂布膜的“初始的”“HTL-SP-8+HTL-SP-3”的厚度，记录平均值±标准偏差(参见表1)。苯甲醚用于剥离“HTL-SP-8+HTL-SP-3膜”-在该分析中使用90秒的搅拌时间。每个“HTL-SP-8+HTL-SP-3膜”涂布的晶圆立即在3500rpm下旋转干燥30秒，并且立即测量每个数据组的每个膜的“剥离”膜厚度，并记录平均±标准偏差(参见表1)。
将每个数据组的每个HTL-SP-8+HTL-SP-3膜在100℃下，在氮气氛围(N2净化箱)下后烘烤一分钟，用来烘烤多余的苯甲醚。测量“最终的”膜厚度，记录平均值±标准偏差(参见表1)。剥离数据如表1所示。并参见图1。
表1：“HTL-SP-8和HTL-SP-3”膜的剥离测试摘要
注意：“–剥离”＝“经剥离的”-“起始的”；“-PSB”＝“最终的”-“经剥离的”；“-总计”＝“-剥离”+“-PSB”
HTL-SP-3：N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-6-乙烯基-N-(4-(9-(4-乙烯基苯基)-9H咔唑-3-基) 苯基)-9H-芴-2-胺。
HTL-SP-8：N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-(9-(3,5-双(双环[4.2.0]辛-1(6),2,4-三烯-7-基氧基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺。
HTL-SP-8+HTL-SP-3混合物制备和DSC研究
在室温下将HTL-SP-8(5.5mg；MW＝915.149Da)和4.4mg HTL-SP-3(4.4mg； MW＝730.955Da)溶解在500mg THF中，形成“2wt％-SP-8+HTL-SP-3“溶液(HTL-SP-8： HTL-Sp-3＝约1:1摩尔比)。在HTL-S-8和HTL-SP-3完全溶解在THF中后，将溶液“空气吹扫”以除去大部分THF，然后在室温下真空干燥2小时，以形成干燥膜用于DSC 分析。DSC结果示于表2中。并参见图2-4。
表2
HTL-SP-3：N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-6-乙烯基-N-(4-(9-(4-乙烯基苯基)-9H咔唑-3-基) 苯基)-9H-芴-2-胺。
HTL-SP-8：N-([1,1'-联苯]-4-基)-N-(4-(9-(3,5-双(双环[4.2.0]辛-1(6),2,4-三烯-7-基氧基)苯基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺。
图2描绘了HTL-SP-8的DSC分布图。第一次放热事件开始发生在约117℃，并结束于约200℃，而第二次放热事件开始发生在约200℃并结束于约250℃。这些放热事件发生在，由Diels-Alder环加成反应形成新的C-C键时。
图3描绘了HTL-SP-3的DSC分布图。第一次放热事件开始发生在约167℃，并且结束于>250℃。这些放热事件发生在，当热苯乙烯聚合形成新的C-C键时。
图4描绘了HTL-SP-8和HTL-SP-3的DSC分布图。第一次放热事件开始发生在约 166℃，并结束于>250℃。这些放热事件发生在，当Diels-Alder[4+2]环加成反应形成新的C-C键时。
图5描绘了通过在190℃下加热HTL-SP-3和HTL-SP-8所产生的膜的MALDI-TOF 的分布图。产物峰值表示从[4+2]Diels-Alder环加成反应获得的产物质量。图6描绘了图 5的展开的MALDI-TOF分布图。
设备结果
OLED装置的电流-电压-亮度(JVL)特性，即驱动电压(V)，发光效率(Cd/A)，在1000nit和50mA/cm2亮度下的国际照明委员会(CIE)数据，以及在15000nit下10 小时的使用寿命，是用一个KEITHLY TM 238高电流源测量单元和来自Konica Minolta Company的CS-100A颜色和亮度计来进行的。这些性质列于表3中。通过校准的CCD 光谱仪收集OLED装置的电致发光(EL)光谱，并且用516nm固定所有的四个OLED 装置实例。
装置A是用蒸发比较的HTL来制造的，而装置B是通过溶液处理，用本文所述的发明HTL-B阶段低聚物HTL-SP-009B/HTL-SP-004B来沉积。溶液处理的装置B展示了与蒸发装置A可相比的性能。
发光装置制造
依次用溶剂乙醇、丙酮和异丙醇清洗铟锡氧化物(ITO)玻璃基板(2*2cm)，然后用UV臭氧清洁器处理15分钟。在手套箱中将市场上可得的磺酸化聚噻吩空穴注入层 (HIL)从水溶液中旋涂到ITO基板上，并在150℃下退火20分钟。然后，为了比较蒸发HTL，N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，将基板转移到热蒸发器中用于沉积HTL，发光材料层(EML)，电子传输层(ETL)和阴极。
对于发明的用于溶液处理的HTL，从苯甲醚溶液沉积HTL材料(可溶性共聚物)，并在150℃下退火10分钟，以除去有机溶剂。之后，在205℃下，在手套箱中的热板上将聚合HTL进行交联10分钟。然后依次沉积随后的磷光绿(Ph-Green)EML，ETL和阴极。最后，在测试之前将这些装置密封。
为了评价B阶段聚合物作为空穴传输层材料的电场发光(EL)性能，制造具有以下结构的OLED装置：
装置A：ITO/AQ-1200/比较HTL(蒸发的，)/EML/ETL/Al；
装置B：ITO/AQ-1200/B阶段HTL共聚物/EML/ETL/Al；
HIL(AQ-1200)，EML，ETL和阴极Al的厚度分别为470，400，350和
表3
如表3所示，称为B阶段HTL以及在装置B中所述，显示出装置开启电压和装置效率的改进。这代表了超越蒸发HTL比较实例的改进之处。
已经发现，发明组合物(使用于空穴传输层分子上的至少一个附着点)，使氧化期间重排所需的能量，以及更有效地将链堆叠分子核心至更接近彼此需要的能量，减到最少。本发明的方法通过越空交互作用来增强HTL层中的空穴传输，这与本领域中现有技术相反。这些性质导致装置效率的增高，有良好的装置使用寿命和较低的装置驱动电压。此外，本发明中所描述的化学性质也可以满足温度和时间的考量，并且因此提供电子装置的膜结构改进的加工条件。
Claims (15)
1.一种包含聚合物电荷转移层的发光装置，其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构A的聚合单元和一个或多个衍生自结构B的聚合单元，其分别如下：
A)具有所述结构A的单体：
其中，对于结构A，A是取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分；以及
其中R1至R3各自独立地选自于以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；以及
其中n为1至10；并且各个R4独立地选自于以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；并且其中各个R4基团独立地与A键结；以及
其中O是氧；以及
其中Q选自于以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；以及
其中R1至R4中的两个或更多个任选地形成一个或更多个环结构；以及
B)包含一个或更多个亲二烯物部分的结构B的单体，其选自以下：
2.如权利要求1所述的装置，其中所述聚合物进一步包含一个或更多个衍生自具有结构C的交联剂的聚合单元：
其中，对于结构C，C为芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C50烃基、C1-C50取代的烃基、C1-C50杂烃基，或为C1-C50取代的杂烃基；以及
其中R8至R10各自独立地选自于以下：氢、氘、C1-C50烃基、C1-C50取代的烃基、C1-C50杂烃基、C1-C50取代的杂烃基、卤素、氰基、C5-C50芳基、C5-C50取代的芳基、C5-C50杂芳基、C5-C50取代的杂芳基；以及
其中n为1至25；并且其中各个“包含L、R8、R9和R10的化学基团”独立地与C键结；
其中L选自于芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C100烃基、C1-C100取代的烃基、C1-C100杂烃基或C1-C100取代的杂烃基，或其中L不存在；以及
其中R8至R10中的两个或更多个任选地形成一个或更多个环结构。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述交联剂选自于以下C1-C8：
4.如前述权利要求1-3中任一项所述的装置，其中组分B选自于以下B1至B4：
5.如前述权利要求1-3中任一项所述的装置，其中结构A选自于以下A1至A8：
6.如前述权利要求1-3中任一项所述的装置，其中结构A选自于以下A9至A14：
以及
其中对于结构A9至A14每一者，L独立地选自于氢、烃或取代的烃；每个Ar独立地为取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分。
7.如前述权利要求1-3中任一项所述的装置，其中结构A选自于以下A15至A20：
8.一种包含聚合物的组合物，所述聚合物包含一个或更多个衍生自结构A的聚合单元，和一个或更多个衍生自结构B的聚合单元，其分别如下：
A)具有所述结构A的单体：
其中，对于结构A，A为取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分；以及
其中R1至R3各自独立地选自于以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；以及
其中n为1至10；以及每个R4独立地选自于以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；以及其中每个R4基团独立地与A键结；以及
其中O为氧；以及
其中Q选自于以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；以及
其中R1至R4中的两个或更多个任选地形成一个或更多个环结构；以及
B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体；
其中组分B选自于以下B1至B4：
9.如权利要求8所述的组合物，其中所述聚合物进一步包含一个或更多个衍生自具有结构C的交联剂的聚合单元：
其中，对于结构C，C为芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C50烃基、C1-C50取代的烃基、C1-C50杂烃基，或为C1-C50取代的杂烃基；以及
其中R8至R10各自独立地选自于以下：氢、氘、C1-C50烃基、C1-C50取代的烃基、C1-C50杂烃基、C1-C50取代的杂烃基、卤素、氰基、C5-C50芳基、C5-C50取代的芳基、C5-C50杂芳基、C5-C50取代的杂芳基；以及
其中n为1至25；以及其中每个“包含L、R8、R9和R10的化学基团”独立地与C键结；
其中L选自于芳香族部分、杂芳香族部分、C1-C100烃基、C1-C100取代的烃基、C1-C100杂烃基或C1-C100取代的杂烃基，或其中L不存在；
其中R8至R10中的两个或更多个任选地形成一个或更多个环结构。
10.如权利要求8至9中任一项所述的组合物，其中结构A选自于以下A1)-A8)：
11.一种空穴传输溶液处理层，其由权利要求8至10中任一项所述的组合物形成。
12.一种电子装置，其包含如权利要求11所述的空穴传输溶液处理层。
13.一种包含聚合物电荷转移层的发光装置，其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构A的聚合单元和一个或多个衍生自结构B的聚合单元，其分别如下：
A)具有结构A1至A8的单体
其中O是氧；以及
Q选自以下：氢、氘、烃基、取代的烃基、杂烃基、取代的杂烃基、卤素、氰基、芳基、取代的芳基、杂芳基、取代的杂芳基；
B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
14.一种包含聚合物电荷转移层的发光装置，其中所述聚合物电荷转移层由包含聚合物的组合物形成，所述聚合物包含一个或多个衍生自结构A的聚合单元和一个或多个衍生自结构B的聚合单元，其分别如下：
A)具有结构A9至A20的单体
其中O为氧；L独立地选自于氢、烃或取代的烃；每个Ar独立地为取代的或未取代的芳香族部分或取代的或未取代的杂芳香族部分；
B)包含一个或更多个亲二烯物部分的单体。
15.根据权利要求14所述的发光装置，其中结构B选自以下B1至B6：
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