CN114149429A - 用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于有机光电装置的化合物,用于有机光电装置的组合物,有机光电装置和显示装置。具体地,本发明公开了由化学式1所表示的用于有机光电装置的化合物,包括该化合物的用于有机光电装置的组合物,有机光电装置和显示装置。化学式1的详细说明如说明书中所述。
Description
相关申请的引证
本发明申请主张2020年9月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0114710的优先权益,该专利申请的全部内容作为参考并入本文。
技术领域
公开了用于有机光电装置的化合物,用于有机光电装置的组合物,有机光电装置和显示装置。
背景技术
有机光电装置(有机光电二极管)是能够将电能与光能彼此转化的装置。
根据工作原理,有机光电装置基本上可以分成两类。一类是通过将由光能所形成的激发子分离成电子和空穴并将电子和空穴分别转移至不同电极来产生电能的光电装置,而另一类是通过向电极提供电压或电流来从电能产生光能的发光装置。
有机光电装置的实例包括有机光电装置、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓。
其中,近年来由于对平板显示装置需求的提高,有机发光二极管(OLED)吸引了很多注意。有机发光二极管是将电能转化成光的装置,并且有机发光二极管的性能受电极之间的有机材料剧烈影响。
发明内容
一个实施方式提供了用于具有高效率和长寿命的有机光电装置的化合物。
另一个实施方式提供了包括该化合物的用于有机光电装置的组合物。
另一个实施方式提供了包括该化合物的有机光电装置。
另一个实施方式提供了包括该有机光电装置的显示装置。
根据一个实施方式,提供了由化学式1所表示的用于有机光电装置的化合物。
在化学式1中,
X1和X2为N或CRa,
X1和X2中的至少一个为N,
Ar1至Ar3分别独立地为取代的或未取代的C6至C30芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
L1至L3分别独立地为单键、取代的或未取代的C6至C30亚芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,且
Ra和R1至R8分别独立地为氢、氘、氰基、卤素、取代的或未取代的C1至C30烷基或者取代的或未取代的C6至C30芳基。
根据另一个实施方式,用于有机光电装置的组合物包含用于有机光电装置的第一化合物和用于有机光电装置的第二化合物。
用于有机光电装置的第一化合物可以是上述用于有机光电装置的化合物,并且用于有机光电装置的第二化合物可以由化学式2;或者化学式3和化学式4的结合表示。
在化学式2中,
Y1和Y2分别独立地为取代的或未取代的C6至C20芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
L4和L5分别独立地为单键或者取代的或未取代的C6至C20亚芳基,
Rb和R9至R18分别独立地为氢、氘、氰基、卤素、取代的或未取代的氨基、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,和
m为0至2的整数;
在化学式3和4中,
Y3和Y4分别独立地为取代的或未取代的C6至C20芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
化学式3的a1*至a4*中相邻的两个是分别连接在化学式4的*的连接碳,
化学式3的a1*至a4*中未连接在化学式4的*的剩余的两个分别独立地为C-La-Rc,
La、L6和L7分别独立地为单键或者取代的或未取代的C6至C20亚芳基,和
Rc和R19至R26分别独立地为氢、氘、氰基、卤素、取代的或未取代的氨基、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基。
根据另一个实施方式,有机光电装置包括彼此相对的阳极和阴极,和位于阳极和阴极之间的至少一个有机层,其中有机层包含该用于有机光电装置的化合物或者该用于有机光电装置的组合物。
根据另一个实施方式,提供了包括有机光电装置的显示装置。
可以实现具有高效率和长寿命的有机光电装置。
附图说明
图1至4是分别显示根据实施方式的有机发光二极管的剖面视图。
<符号说明>
100,200,300,400:有机发光二极管
105:有机层
110:阴极
120:阳极
130:发光层
140:空穴传输区
150:电子传输区
具体实施方式
在下文中,详细描述了本发明的实施方式。然而,这些实施方式是示例性的,本发明不限于此并且通过权利要求的范围限定了本发明。
在本说明书中,当未另外提供定义时,“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、取代的或未取代的C1至C30胺基、硝基、取代的或未取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、C1至C10三氟烷基、氰基或它们的组合的替换。
在本发明的一个实例中,“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基或氰基替换。在本发明的具体实例中,“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C20烷基、C6至C30芳基或氰基的替换。在本发明的具体实例中,“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、C1至C5烷基、C6至C18芳基或氰基的替换。在本发明的具体实例中,“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基的替换。
在本说明书中,当未另外提供定义时,“杂”是指在一个官能团中包含选自N、O、S、P和Si中的1至3个杂原子和剩余的碳的基团。
在本说明书中,“芳基”是指包括至少一个烃芳香部分的基团,并且烃芳香部分的所有元素具有形成共轭的p-轨道,例如,苯基、萘基等,可以通过σ键连接两个或更多个烃芳香部分并且烃芳香部分可以是(例如)联苯基、三联苯基、联四苯基等,并且两个或更多个烃芳香部分直接或间接稠合以提供非芳族稠环,例如,芴基。
芳基可以包括单环、多环或稠环多环(即,共有相邻的碳原子对的环)官能团。
在本说明书中,“杂环基”是杂芳基的一般概念,并且可以在环状化合物,如芳基、环烷基、其稠环或它们的组合中包括选自N、O、S、P和Si的至少一个杂原子来替代碳(C)。当杂环基是稠环时,杂环基的整个环或每个环可以包括一个或多个杂原子。
例如,“杂芳基”可以表示包括选自N、O、S、P和Si的至少一个杂原子的芳基。通过σ键直接连接两个或更多个杂芳基,或者当杂芳基包括两个或更多个环时,两个或更多个环可以是稠合的。当杂芳基是稠环时,每个环可以包括1至3个杂原子。
更具体地,取代的或未取代的C6至C30芳基可以是取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的蒽基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的并四苯基(稠四苯基,naphthacenyl)、取代的或未取代的芘基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的p-三联苯基、取代的或未取代的m-三联苯基、取代的或未取代的o-三联苯基、取代的或未取代的屈基(chrysenyl)、取代的或未取代的三亚苯(苯并菲,triphenylene)基、取代的或未取代的苝基(perylenyl)、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的茚基、取代的或未取代的呋喃基或其组合,但不限于此。
更具体地,取代的或未取代的C2至C30杂环基可以是取代的或未取代的苯硫基、取代的或未取代的吡咯基、取代的或未取代的吡唑基、取代的或未取代的咪唑基、取代的或未取代的三唑基、取代的或未取代的恶唑基、取代的或未取代的噻唑基、取代的或未取代的氧杂二唑基、取代的或未取代的噻二唑基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的三嗪基、取代的或未取代的苯并呋喃基、取代的或未取代的苯并噻吩基、取代的或未取代的苯并咪唑基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取代的异喹啉基、取代的或未取代的喹唑啉基、取代的或未取代的喹喔啉基、取代的或未取代的萘啶基、取代的或未取代的苯丙恶嗪基、取代的或未取代的苯并噻嗪基、取代的或未取代的吖啶基、取代的或未取代的吩嗪基、取代的或未取代的吩噻嗪基、取代的或未取代的啡噁嗪基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基或其组合,但不限于此。
在本说明书中,空穴特性是指当施加电场时,提供电子以形成空穴的能力,并且根据最高占有分子轨道(HOMO)水平,由于导电特性,可以容易地将在阳极中所形成的空穴注入发光层并在发光层中传输。
另外,电子特性是指当施加电场时,接受电子的能力,并且根据最低未占分子轨道(LUMO)水平,由于导电特性,可以容易地将在阴极中所形成的电子注入发光层,并在发光层中传输。
在下文中,描述了根据一个实施方式的用于有机光电装置的化合物。
根据实施方式的用于有机光电装置的化合物如化学式1所示。
在化学式1中,
X1和X2为N或CRa,
X1和X2中的至少一个为N,
Ar1至Ar3分别独立地为取代的或未取代的C6至C30芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
L1至L3分别独立地为单键、取代的或未取代的C6至C30亚芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
Ra和R1至R8分别独立地为氢、氘、氰基、卤素、取代的或未取代的C1至C30烷基或者取代的或未取代的C6至C30芳基。
由化学式1所表示的化合物包括吲哚並[2,3-a]咔唑骨架和在吲哚並[2,3-a]咔唑骨架中的第1和/或第10位的氮(N),并且具有其中吲哚並[2,3-a]咔唑在其N方向上直接被三嗪取代的结构。
在吲哚並[2,3-a]咔唑的N方向上,在吲哚並[2,3-a]咔唑骨架中的第1和/或第10位包括氮(N),并因此包括了在其N方向上取代吲哚並[2,3-a]咔唑的三嗪和吲哚並[2,3-a]咔唑部分之间的空间位阻。
当除氮(N)以外的CH包括在吲哚並[2,3-a]咔唑主链中的第1或第10位时,在其N方向取代吲哚並[2,3-a]咔唑的CH和三嗪的氢由于空间位阻而在偏移平面的程度上受阻,但是通过用氮(N)替换第1或第10位以除去作为干扰元素的C-H的氢,则吲哚並[2,3-a]咔唑的N-方向取代基和吲哚並[2,3-a]咔唑部分之间的平面偏移角可以较大,这降低了由于吲哚並[2,3-a]咔唑部分与三嗪的π-键所造成的相互作用,从而导致了更高的LUMO能量水平。
因此,有可能实现它所应用的有机发光二极管的高效率和长寿命特征。
基于氮(N)在氮茚并氮芴骨架中的取代位置,化学式1可以由化学式1A至化学式1C中的任一项表示。
在化学式1A至化学式1C中,
X1、X2、Ar1至Ar3、L1至L3和R1至R8的定义与上述相同。
在一个实施方式中,Ar1至Ar3可以分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的蒽基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的三亚苯基(triphenylene group)、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的二苯并呋喃基、取代的或未取代的二苯并噻吩基、或者取代的或未取代的二苯并硅杂环基(二苯并噻咯基,dibenzosilolyl group)。
在具体的实施方式中,Ar1至Ar3可以分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的二苯并呋喃基、取代的或未取代的二苯并噻吩基或者取代的或未取代的二苯并硅杂环基。
例如,Ar1至Ar3可以分别独立地选自组I中的基团。
[组I]
在组I中,*是连接点。
在更具体的实施方式中,Ar1可以是取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基或者取代的或未取代的三联苯基,和
Ar2和Ar3可以分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
当Ar2至Ar3被取代时,取代基可以是C6至C12芳基。更具体地,取代基可以是苯基。
例如,Ar1和Ar2中的至少一个可以是取代的或未取代的C12至C30芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基。
在具体实例中,Ar1和Ar2中的至少一个可以是取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的蒽基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的三亚苯基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的二苯并呋喃基、取代的或未取代的二苯并噻吩基或者取代的或未取代的二苯并硅杂环基(dibenzosilolyl)。
在一个实施方式中,L1至L3可以分别独立地为单键、取代的或未取代的亚苯基、取代的或未取代的亚联苯基、取代的或未取代的二苯并亚呋喃基或者取代的或未取代的二苯并亚苯硫基。
在具体的实施方式中,L1至L3可以分别独立地为单键或者取代的或未取代的亚苯基。
在一个实施方式中,R1至R8可以分别独立地为氢或者取代的或未取代的苯基。
在具体的实施方式中,R1至R8中的每一个可以是氢。
在另一个具体的实施方式中,R1至R3中的至少一个可以是苯基,并且R4至R8可以分别是氢。
由化学式1所表示的用于有机光电装置的化合物的更具体的实例包括(但不限于)组1的化合物。
[组1]
根据另一个实施方式的用于有机光电装置的组合物包含用于有机光电装置的第一化合物和用于有机光电装置的第二化合物。用于有机光电装置的第一化合物可以是上述用于有机光电装置的化合物,并且用于有机光电装置的第二化合物可以由化学式2;或者化学式3和化学式4的结合表示。
在化学式2中,
Y1和Y2分别独立地为取代的或未取代的C6至C20芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
L4和L5分别独立地为单键或者取代的或未取代的C6至C20亚芳基,
Rb和R9至R18分别独立地为氢、氘、氰基、卤素、取代的或未取代的氨基、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,和
m为0至2的整数;
其中,在化学式3和4中,
Y3和Y4分别独立地为取代的或未取代的C6至C20芳基或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
化学式3的a1*至a4*中相邻的两个是分别连接在化学式4的*的连接碳,
化学式3的a1*至a4*中未连接在化学式4的*的剩余的两个分别独立地为C-La-Rc。
如本文所使用的,术语“连接碳”是指在此连接稠环的共有的碳。
La、L6和L7分别独立地为单键或取代的或未取代的C6至C20亚芳基,和
Rc和R19至R26分别独立地为氢、氘、氰基、卤素、取代的或未取代的氨基、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基。
可以在发光层中与用于有机光电装置的第一化合物一起使用用于有机光电装置的第二化合物以改善电荷迁移率并改善稳定性,借此改善发光效率和寿命特征。
例如,化学式2的Y1和Y2可以分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的蒽基、取代的或未取代的三亚苯基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的二苯并噻吩基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的芴基,
化学式2的L4和L5可以分别独立地为单键、取代的或未取代的亚苯基或者取代的或未取代的亚联苯基,
化学式2的R9至R18可以分别独立地为氢、氘或者取代的或未取代的C6至C12芳基,和
m可以为0或1。
例如,化学式2中的“取代的”表示至少一个氢被氘、C1至C4烷基、C6至C18芳基或者C2至C30杂芳基替换。
在本发明的具体实施方式中,化学式2可以由化学式2-1至化学式2-15之一表示。
在化学式2-1至化学式2-15中,R9至R18可以分别独立地为氢或者取代的或未取代的C6至C12芳基,并且*-L4-Y1和*-L5-Y2可以分别独立地为组II的取代基之一。
[组II]
在组II中,*是连接点。
在一个实施方式中,化学式2可以由化学式2-8表示。
另外,化学式2-8的*-L4-Y1和*-L5-Y2可以分别独立地选自组II,例如,C-1、C-2、C-3和C-4中的任一个。
例如,由化学式3和化学式4的结合所表示的用于有机光电装置的第二化合物可以由化学式3A、化学式3B、化学式3C、化学式3D和化学式3E中的任一个表示。
在化学式3A至化学式3E中,Y3、Y4、L6、L7和R19至R26与上述相同,
La1至La4的定义与如上所述的L6和L7相同,和
Rc1至Rc4具有与如上所述的R19至R26相同的定义。
例如,化学式3和4的Y3和Y4可以分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基,和
Rc1至Rc4和R19至R26可以分别独立地为氢、氘、氰基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
在本发明的具体实施方式中,化学式3和4的Y3和Y4可以分别独立地选自组II的取代基。
在一个实施方式中,Rc1至Rc4和R19至R26可以分别独立地为氢、氘、氰基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
例如,Rc1至Rc4和R19至R26可以分别独立地为氢、氘、氰基或者取代的或未取代的苯基,
在具体的实施方式中,Rc1至Rc4可以分别是氢,并且R19至R26可以分别独立地为氢或苯基。
在本发明的具体实施方式中,用于有机光电装置的第二化合物可以由化学式2-8所表示并且在化学式2-8中,Y1和Y2可以分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基,L4和L5可以分别独立地为单键或者取代的或未取代的C6至C20亚芳基,并且R9至R18可以分别独立地为氢、氘、氰基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的咔唑基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
在本发明的另一个具体实施方式中,用于有机光电装置的第二化合物可以由化学式3C或化学式3D表示,并且在化学式3C和化学式3D中,La1至La4可以是单键,L6和L7可以分别独立地为单键或者取代的或未取代的C6至C12亚芳基,R19至R26、Rc1至Rc4可以分别独立地为氢,并且Y3和Y4可以分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的三联苯基。
例如,用于有机光电装置的第二化合物可以是选自组2的化合物中的一个,但不限于此。
[组2]
可以以约1:99至99:1的重量比包含用于有机光电装置的第一化合物和用于有机光电装置的第二化合物。在该范围内,可以使用用于有机光电装置的第一化合物的电子传输能力和用于有机光电装置的第二化合物的空穴传输能力来调整所期望的重量比以实现双极特性,并因此改善效率和寿命。在该范围内,可以(例如)以约10:90至约90:10,约20:80至80:20,例如,约20:80至约70:30,约20:80至约60:40或者约30:70至约60:40的重量比包含它们。例如,可以以40:60,50:50或者60:40的重量比包含它们。
除上述用于有机光电装置的第一化合物和用于有机光电装置的第二化合物之外,还可以包括一种或多种化合物。
上述用于有机光电装置的化合物或者用于有机光电装置的组合物可以是还包括掺杂剂的组合物。
掺杂剂可以是(例如)磷光掺杂剂,例如,红色、绿色或蓝色磷光掺杂剂,例如,红色或绿色磷光掺杂剂。
掺杂剂是与用于有机光电装置的化合物或组合物以痕量混合以导致发光的材料,并且通常可以是如通过多次激发为三重态或更多重态而发光的金属络合物的材料。掺杂剂可以是(例如)无机、有机或有机-无机化合物,并且可以使用其一种或多种类型。
掺杂剂的实例可以是磷光掺杂剂,并且磷光掺杂剂的实例可以是有机金属化合物,包括Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合。磷光掺杂剂可以是(例如)由化学式Z所表示的化合物,但不限于此。
[化学式Z]
L8MX3
在化学式Z中,M是金属,并且L8和X3是相同或不同的,并且是与M形成络合物的配体。
M可以是(例如)Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合,并且L8和X3可以是(例如)双齿配体。
在下文中,描述了包含上述用于有机光电装置的化合物或者用于有机光电装置的组合物的有机光电装置。
有机光电装置可以是将电能转化为光能(反之亦然)的任何装置,对其无具体限制,并且它可以是(例如)有机光电装置、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓。
在本文中,参考附图,作为有机光电装置的一个实例描述了有机发光二极管。
图1至4是显示根据实施方式的有机发光二极管的横截面视图。
参考图1,根据实施方式的有机发光二极管100包括彼此面对的阳极120和阴极110,和布置在阳极120和阴极110之间的有机层105。
阳极120可以由具有大功函数以帮助空穴注入的导体制成,并且可以是(例如)金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阳极120可以是(例如)金属,如镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等,或其合金;金属氧化物,如氧化锌、氧化铟、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等;金属和氧化物的组合,如ZnO和Al或者SnO2和Sb;导电聚合物,如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩)(PEDT)、聚吡咯和聚苯胺,但不限于此。
阴极110可以由具有小功函数以帮助电子注入的导体制成,并且可以是(例如)金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阴极110可以是(例如)金属,如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等,或其合金;多层结构材料,如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca和BaF2/Ca,但不限于此。
有机层105可以包括上述用于有机光电装置的化合物或者用于有机光电装置的组合物。
有机层105可以包括发光层130,并且发光层130可以包括上述用于有机光电装置的化合物或者用于有机光电装置的组合物。
还包括掺杂剂的用于有机光电装置的组合物可以是(例如)红光发射组合物。
发光层130可以作为磷光主体分别包括(例如)上述用于有机光电装置的化合物或者用于有机光电装置的组合物。
除发光层之外,有机层还可以包括电荷传输区。
辅助层可以是(例如)空穴辅助层140。
参考图2,除发光层130之外,有机发光二极管200还包括空穴传输区140。空穴传输区域140可以进一步增加阳极120与发光层130之间的空穴注入和/或空穴迁移率并且阻挡电子。具体地,空穴传输区140可以包括位于阳极120和发光层130之间的空穴传输层和位于发光层130和空穴传输层之间的空穴传输辅助层,并且可以将组A中的化合物中的至少一种包含在空穴传输层和空穴传输辅助层中的至少一种中。
[组A]
在空穴传输区中,除了以上所描述的化合物之外,还可以使用在US5061569A、JP1993-009471A、WO1995-009147A1、JP1995-126615A、JP1998-095973A等中所公开的已知的化合物和具有类似结构的化合物。
另外,电荷传输区可以是(例如)电子传输区150。
参考图3,除发光层130之外,有机发光二极管300还包括电子传输区150。电子传输区150还可以提高阴极110和发光层130之间的电子注入和/或电子迁移率并且阻断空穴。
具体地,电子传输区150可以包括阴极110和发光层130之间的电子传输层和位于发光层130和电子传输层之间的电子传输辅助层,并且可以将组B中的化合物中的至少一种包含在电子传输层和电子传输辅助层中的至少一种中。
[组B]
本发明的实施方式可以提供作为有机层105包括发光层130的有机发光二极管,如图1所示。
本发明的另一个实施方式可以提供除作为有机层105的发光层130之外,包括空穴传输区140的有机发光二极管,如图2所示。
本发明的另一个实施方式可以提供除作为有机层105的发光层130之外,包括电子传输区150的有机发光二极管,如图3所示。
本发明的另一个实施方式可以提供除作为有机层105的发光层130之外,包括空穴传输区140和电子传输区150的有机发光二极管,如图4所示。
在本发明的另一个实施方式中,除了图1至4中的每一幅中作为有机层105的发光层130外,有机发光二极管还可以包括电子注入层(未显示)、空穴注入层(未显示)等。
可以通过在基底上形成阳极或阴极,然后通过干法成膜,如真空沉积、溅射、等离子体镀覆和离子镀覆形成有机层并在其上形成阴极或阳极来生产有机发光二极管100、200、300和400。
可以将有机发光二极管应用于有机发光二极管显示装置。
在下文中,参考实施例,更详细地描述了实施方式。然而,这些实施例是示例性的,并且权利要求的范围不限于此。
在下文中,只要未具体注解,在实施例和合成实施例中使用的起始材料和反应物购自Sigma-Aldrich Co.Ltd.、TCI Inc.、Tokyo chemical industry或者P&H tech,或者是通过已知的方法合成的。
(用于有机光电装置的化合物的制备)
合成实施例1:中间体I-1的合成
将购自BLD PharmaTech Ltd.(https://www.bldpharm.com/)的1,3-二溴-2-硝基苯(100g,356mmol)在氮气环境中溶于0.4L四氢呋喃(THF),并且向其中加入购自TokyoChemical Industry(http://www.tcichemicals.com/)的苯基硼酸(39.1g,320mmol)和四(三苯基膦)钯(7.40g,6.40mmol),然后搅拌。
随后,向其中加入碳酸钾(111g,800mmol)在水中的饱和溶液,然后在80℃回流加热12小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-1(71.2g,80%)。
HRMS(70eV,EI+):C12H8BrNO2的m/z理论值:276.9738,实验值:276。
元素分析:C,52%;H,3%
合成实施例2:中间体I-2的合成
将中间体I-1(70g,252mmol)在氮气环境中溶于0.3L甲苯,并向其中加入1M双(三甲基甲硅烷基)氨基锂(购自Sigma Aldrich Co.,Ltd.(http://www.sigmaaldrich.com/))在THF(378mL,378mmol)中的溶液、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(4.62g,5.04mmol)和三丁基膦(5.10g,25.2mmol),并在60℃回流加热12小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-2(51.3g,95%)。
HRMS(70eV,EI+):C12H10N2O2的m/z理论值:214.0742,实验值:214。
元素分析:C,67%;H,5%
合成实施例3:中间体I-3的合成
将中间体I-2(50g,233mmol)在氮气环境中溶于0.2L二甲苯,并向其中加入购自Tokyo Chemical Industry的2,3-二氯吡啶(34.5g,233mmol)、乙酸钯(II)(1.31g,5.83mmol)、三苯基膦(4.58g,17.5mmol)和叔丁醇钠(33.6g,350mmol),然后在100℃回流加热8小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-3(59.2g,78%)。
HRMS(70eV,EI+):C17H12ClN3O2的m/z理论值:325.0618,实验值:325。
元素分析:C,63%;H,4%
合成实施例4:中间体I-4的合成
将中间体I-3(55g,169mmol)在氮气环境中溶于0.2L二甲基甲酰胺(DMF),并向其中加入氢化钠(6.08g,253mmol),然后在0℃搅拌。1小时后,向其中加入购自TokyoChemical Industry的2-(联苯-4-基)-4-氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(87.0g,253mmol),然后搅拌1小时。当反应完成时,将水在0℃加入至反应溶液,然后用二氯甲烷(DCM)萃取,用无水硫酸镁处理以从中除去水份,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-4(107g,90%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H25ClN6O2的m/z理论值:632.1728,实验值:632。
元素分析:C,72%;H,4%
合成实施例5:中间体I-5的合成
将中间体I-4(100g,158mmol)在氮气环境中溶于0.1L二氯苯(DCB),并向其中加入三苯基膦(82.9g,316mmol),然后在200℃回流加热10小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-5(71.2g,75%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H25ClN6的m/z理论值:600.1829,实验值:600。
元素分析:C,76%;H,4%
合成实施例6:中间体I-6的合成
将中间体I-5(70g,116mmol)在氮气环境中溶于0.7L二甲苯,向其中顺序加入购自Tokyo Chemical Industry的碘代苯(28.4g,139mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(1.06g,1.16mmol)、三叔丁基膦(2.35g,11.6mmol)和叔丁醇钠(13.4g,139mmol),然后在140℃回流加热15小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-6(65.2g,83%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H29ClN6的m/z理论值:676.2142,实验值:676。
元素分析:C,78%;H,4%
合成实施例7:化合物1的合成
将中间体I-6(10g,14.8mmol)在氮气环境中溶于0.1L二甲基甲酰胺(DMF),并向其中顺序加入乙酸钯(II)(0.083g,0.37mmol)、三苯基膦(0.29g,1.11mmol)和1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯(4.51g,29.6mmol),然后在130℃回流加热8小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得化合物1(8.25g,87%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H28N6的m/z理论值:640.2375,实验值:640。
元素分析:C,82%;H,4%
合成实施例8:中间体I-7的合成
除了使用了中间体I-3(30g,92.1mmol)和购自Tokyo Chemical Industry的2-(联苯-3-基)-4-氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(38.0g,111mmol)外,根据与合成实施例4相同的方法获得了中间体I-7(49.0g,84%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H25ClN6O2的m/z理论值:632.1728,实验值:632。
元素分析:C,72%;H,4%
合成实施例9:中间体I-8的合成
除了使用中间体I-7(45g,71.1mmol)外,根据与合成实施例5相同的方法获得了中间体I-8(29.9g,70%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H25ClN6的m/z理论值:600.1829,实验值:600。
元素分析:C,76%;H,4%
合成实施例10:中间体I-9的合成
除了使用中间体I-8(25g,41.6mmol)外,根据与合成实施例6相同的方法获得了中间体I-9(22.8g,81%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H29ClN6的m/z理论值:676.2142,实验值:676。
元素分析:C,78%;H,4%
合成实施例11:化合物2的合成
除了使用中间体I-9(10g,14.8mmol)外,根据与合成实施例7相同的方法获得了化合物2(8.34g,88%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H28N6的m/z理论值:640.2375,实验值:640。
元素分析:C,82%;H,4%
合成实施例12:中间体I-10的合成
除了使用中间体I-3(30g,92.1mmol)和购自P&H Tech Co.,Ltd.(http://www.phtech.co.kr/)的2-氯-4-(二苯呋喃-3-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪(39.5g,111mmol)外,根据与合成实施例4相同的方法获得了中间体I-10(47.7g,80%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H23ClN6O3的m/z理论值:646.1520,实验值:646。
元素分析:C,71%;H,4%
合成实施例13:中间体I-11的合成
除了使用中间体I-10(45g,69.5mmol)外,根据与合成实施例5相同的方法获得了中间体I-11(28.2g,66%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H23ClN6O的m/z理论值:614.1622,实验值:614。
元素分析:C,74%;H,4%
合成实施例14:中间体I-12的合成
除了使用中间体I-11(25g,40.6mmol)外,根据与合成实施例6相同的方法获得了中间体I-12(22.2g,79%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H27ClN6O的m/z理论值:690.1935,实验值:690。
元素分析:C,76%;H,4%
合成实施例15:化合物15的合成
除了使用中间体I-12(10g,14.5mmol)外,根据与合成实施例7相同的方法获得了化合物15(8.07g,85%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H26N6O的m/z理论值:654.2168,实验值:654。
元素分析:C,81%;H,4%
合成实施例16:中间体I-13的合成
将购自Henan Tianfu Chemical Co.,Ltd.(www.tianfuchem.net)的2-溴-1-氯-3-氟苯(1000g,4,775mmol)在氮气环境中溶于10L甲苯,并向其中加入购自JL ChemCo.Ltd.(Bide Pharmatech,https://jlchem.co.kr/)的2,6-二甲氧基苯基硼酸(1043g,5,730mmol)和四(三苯基膦)钯(110g,95.5mmol),然后搅拌。随后,向其中加入碳酸钾(1,650g,11,938mmol)在水中的饱和溶液,然后在100℃回流加热3天。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-13(535g,42%)。
HRMS(70eV,EI+):C14H12ClFO2的m/z理论值:266.0510,实验值:266。
元素分析:C,63%;H,5%
合成实施例17:中间体I-14的合成
将中间体I-13(500g,1,875mmol)和盐酸吡啶(1,483g,18,748mmol)置于氮气环境下,然后在180℃回流加热12小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用乙酸乙酯(EA)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水份,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-14(361g,81%)。
HRMS(70eV,EI+):C12H8ClFO2的m/z理论值:238.0197,实验值:238。
元素分析:C,60%;H,3%
合成实施例18:中间体I-15的合成
将中间体I-14(350g,1,467mmol)在氮气环境下溶于3.5L N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP),并向其中加入碳酸钾(406g,2,934mmol),然后回流加热3小时。当反应完成时,在通过蒸馏除去溶剂后,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水份,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-15(103g,32%)。
HRMS(70eV,EI+):C12H7ClO2的m/z理论值:218.0135,实验值:218。
元素分析:C,66%;H,3%
合成实施例19:中间体I-16的合成
将中间体I-15(100g,457mmol)在氮气环境中溶于1.0L二氯甲烷(DCM),并向其中加入吡啶(43.4g,549mmol),然后冷却至0℃。随后,向其中缓慢加入三氟甲烷磺酸酐(155g,549mmol),然后搅拌。3小时后,将反应溶液冷却至0℃,在30分钟内向其中缓慢加入水,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水份,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-16(157/g,98%)。
HRMS(70eV,EI+):C13H6ClF3O4S的m/z理论值:349.9627,实验值:349。
元素分析:C,45%;H,2%
合成实施例20:中间体I-17的合成
除了将溶剂从THF变为甲苯并且使用中间体I-16(150g,428mmol)和购自TokyoChemical Industry的苯基硼酸(62.6g,513mmol)外,根据与合成实施例1相同的方法获得了中间体I-17(113g,95%)。
HRMS(70eV,EI+):C18H11ClO的m/z理论值:278.0498,实验值:278。
元素分析:C,78%;H,4%
合成实施例21:中间体I-18的合成
将中间体I-17(113g,405mmol)在氮气环境中溶于0.1L二甲苯,并向其中加入双联硼酸频那醇酯(124g,486mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(3.71g,4.05mmol)、三环己基膦(4.54g,16.2mmol)和乙酸钾(119g,1215mmol),然后回流加热8小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水份,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-18(55.5g,37%)。
HRMS(70eV,EI+):C24H23BO3的m/z理论值:370.1740,实验值:370。
元素分析:C,78%;H,6%
合成实施例22:中间体I-19的合成
除了使用中间体I-18(50g,135mmol)和购自Tokyo Chemical Industry的2,4-二氯-6-苯基-1,3,5-三嗪(30.5g,135mmol)并将溶剂从THF变为甲苯外,根据与合成实施例1相同的方法获得了中间体I-19(10.5g,18%)。
HRMS(70eV,EI+):C27H16ClN3O的m/z理论值:433.0982,实验值:433。
元素分析:C,75%;H,4%
合成实施例23:中间体I-20的合成
除了使用中间体I-3(10g,30.7mmol)和中间体I-19(16.0g,36.8mmol)外,根据与合成实施例4相同的方法获得了中间体I-20(18.0g,81%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H27ClN6O3的m/z理论值:722.1833,实验值:722。
元素分析:C,73%;H,4%
合成实施例24:中间体I-21的合成
除了使用中间体I-20(15g,20.7mmol)外,根据与合成实施例5相同的方法获得了中间体I-21(8.6g,60%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H27ClN6O的m/z理论值:690.1935,实验值:690。
元素分析:C,76%;H,4%
合成实施例25:中间体I-22的合成
除了使用中间体I-21(8g,11.6mmol)外,根据与合成实施例6相同的方法获得了中间体I-22(7.37g,83%)。
HRMS(70eV,EI+):C50H31ClN6O的m/z理论值:766.2248,实验值:766。
元素分析:C,78%;H,4%
合成实施例26:化合物17的合成
除了使用中间体I-22(5g,6.52mmol)外,根据与合成实施例7相同的方法获得了化合物17(3.85g,81%)。
HRMS(70eV,EI+):C50H30N6O的m/z理论值:730.2481,实验值:730。
元素分析:C,82%;H,4%
合成实施例27:中间体I-23的合成
除了使用中间体I-3(30g,92.1mmol)和购自P&H Tech Co.,Ltd.(http://www.phtech.co.kr/)的2-氯-4-(二苯并噻吩-3-基)-6-苯基-1,3,5-三嗪(41.5g,111mmol)外,根据与合成实施例4相同的方法获得了中间体I-23(51.9g,85%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H23ClN6O2S的m/z理论值:662.1292,实验值:662。
元素分析:C,69%;H,4%
合成实施例28:中间体I-24的合成
除了使用中间体I-23(50g,75.4mmol)外,根据与合成实施例5相同的方法获得了中间体I-24(38.1g,80%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H23ClN6S的m/z理论值:630.1393,实验值:630。
元素分析:C,72%;H,4%
合成实施例29:中间体I-25的合成
除了使用中间体I-24(35g,55.5mmol)外,根据与合成实施例6相同的方法获得了中间体I-25(32.9g,84%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H27ClN6S的m/z理论值:706.1706,实验值:706。
元素分析:C,75%;H,4%
合成实施例30:化合物23的合成
除了使用中间体I-25(10g,14.1mmol)外,根据与合成实施例7相同的方法获得了化合物23(7.57g,80%)。
HRMS(70eV,EI+):C44H26N6S的m/z理论值:670.7824,实验值:670。
元素分析:C,79%;H,4%
合成实施例31:中间体I-26的合成
除了使用中间体I-5(30g,49.9mmol)和购自Tokyo Chemical Industry的3-溴联苯(12.8g,54.9mmol)外,根据与合成实施例6相同的方法获得了中间体I-26(29.3g,78%)。
HRMS(70eV,EI+):C50H33ClN6的m/z理论值:752.2455,实验值:752。
元素分析:C,80%;H,4%
合成实施例32:化合物37的合成
除了使用中间体I-26(10g,13.3mmol)外,根据与合成实施例7相同的方法获得了化合物37(7.14g,75%)。
HRMS(70eV,EI+):C50H32N6的m/z理论值:716.8293,实验值:716。
元素分析:C,84%;H,5%
合成实施例33:中间体I-27的合成
将购自BLD PharmaTech Ltd.的1,3-二溴-2-硝基苯(100g,356mmol)在氮气环境中溶于1.0L二甲基甲酰胺(DMF),并向其中加入购自Tokyo Chemical Industry的3-吡啶基硼酸(36.5g,297mmol)、[1,1'-双(二苯基膦)二茂铁]二氯钯(II)(4.85g,5.94mmol)、氯化铜(I)(35.2g,356mmol)和碳酸铯(194g,594mmol),然后在100℃回流加热1小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得中间体I-27(66.3g,80%)。
HRMS(70eV,EI+):C11H7BrN2O2的m/z理论值:277.9691,实验值:277。
元素分析:C,47%;H,3%
合成实施例34:中间体I-28的合成
除了使用中间体I-27(65g,233mmol)外,根据与合成实施例2相同的方法获得了中间体I-28(46.1g,92%)。
HRMS(70eV,EI+):C11H9N3O2的m/z理论值:215.0695,实验值:215。
元素分析:C,61%;H,4%
合成实施例35:中间体I-29的合成
除了使用中间体I-28(45g,209mmol)外,根据与合成实施例3相同的方法获得了中间体I-29(54.7g,80%)。
HRMS(70eV,EI+):C16H11ClN4O2的m/z理论值:326.0571,实验值:326。
元素分析:C,59%;H,3%
合成实施例36:中间体I-30的合成
除了使用中间体I-29(50g,153mmol)外,根据与合成实施例4相同的方法获得了中间体I-30(59.2g,61%)。
HRMS(70eV,EI+):C37H24ClN7O2的m/z理论值:633.1680,实验值:633。
元素分析:C,70%;H,4%
合成实施例37:中间体I-31的合成
除了使用中间体I-30(55g,86.7mmol)外,根据与合成实施例5相同的方法获得了中间体I-31(27.7g,53%)。
HRMS(70eV,EI+):C37H24ClN7的m/z理论值:601.1782,实验值:601。
元素分析:C,74%;H,4%
合成实施例38:中间体I-32的合成
除了使用中间体I-31(25g,41.5mmol)外,根据与合成实施例31相同的方法获得了中间体I-32(15.0g,48%)。
HRMS(70eV,EI+):C49H32ClN7的m/z理论值:753.2408,实验值:753。
元素分析:C,78%;H,4%
合成实施例39:化合物117的合成
除了使用中间体I-32(10g,13.3mmol)外,根据与合成实施例7相同的方法获得了化合物117(4.76g,50%)。
HRMS(70eV,EI+):C49H31N7的m/z理论值:717.2641,实验值:717。
元素分析:C,82%;H,4%
合成实施例40:中间体I-33的合成
除了使用中间体I-28(50g,232mmol)和购自Tokyo Chemical Industry的2-溴-1-氯苯(53.4g,279mmol)并将加热温度从140℃变为80℃外,根据与合成实施例31相同的方法获得了中间体I-33(56.7g,75%)。
HRMS(70eV,EI+):C17H12ClN3O2的m/z理论值:325.0618,实验值:325。
元素分析:C,63%;H,4%
合成实施例41:中间体I-34的合成
除了使用中间体I-34(57.3g,59%)外,根据与合成实施例4相同的方法获得了中间体I-34(57.3g,59%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H25ClN6O2的m/z理论值:632.1728,实验值:632。
元素分析:C,67%;H,4%
合成实施例42:中间体I-35的合成
除了使用中间体I-34(50g,79.0mmol)外,根据与合成实施例5相同的方法获得了中间体I-35(20.4g,43%)。
HRMS(70eV,EI+):C38H25ClN6的m/z理论值:600.1829,实验值:600。
元素分析:C,76%;H,4%
合成实施例43:中间体I-36的合成
除了使用中间体I-35(20g,33.3mmol)外,根据与合成实施例31相同的方法获得了中间体I-36(10g,40%)。
HRMS(70eV,EI+):C50H33ClN6的m/z理论值:752.2455,实验值:752。
元素分析:C,80%;H,4%
合成实施例44:化合物77的合成
将中间体I-36(8g,10.6mmol)在氮气环境中溶于0.1L二甲苯,并向其中顺序加入乙酸钯(II)(0.24g,1.06mmol)、三环己基膦四氟硼酸盐(0.78g,2.12mmol)和碳酸铯(6.91g,21.2mmol),然后在130℃回流加热24小时。当反应完成时,将水加入至反应溶液,并用二氯甲烷(DCM)萃取混合物,用无水硫酸镁处理以除去水,过滤并减压浓缩。通过快速柱色谱分离和纯化所得残余物以获得化合物77(2.66g,35%)。
HRMS(70eV,EI+):C50H32N6的m/z理论值:716.2688,实验值:716。
元素分析:C,84%;H,5%
合成实施例45:化合物主体1的合成
参考专利KR2010-0105099的合成方法合成了化合物主体1。
HRMS(70eV,EI+):C50H32N6的m/z理论值:716.2688,实验值:716。
元素分析:C,84%;H,5%
合成实施例46:化合物主体2的合成
参考专利CN110294760的合成方法合成了化合物主体2。
HRMS(70eV,EI+):C50H32N6的m/z理论值:716.2688,实验值:716。
元素分析:C,84%;H,4%
合成实施例47:化合物主体3的合成
参考专利WO2019-179497的合成方法合成了化合物主体3。
HRMS(70eV,EI+):C37H23N7的m/z理论值:565.2015,实验值:565。
元素分析:C,79%;H,4%
合成实施例48:化合物主体4的合成
参考专利JP6319097的合成方法合成了化合物主体4。
HRMS(70eV,EI+):C39H25N5的m/z理论值:563.2110,实验值:563。
元素分析:C,83%;H,4%
合成实施例49:化合物主体5的合成
参考专利CN110372715的合成方法合成了化合物主体5。
HRMS(70eV,EI+):C41H25N5的m/z理论值:587.2110,实验值:587。
元素分析:C,84%;H,4%
合成实施例50:中间体I-37的合成
除了使用购自Tokyo Chemical Industry的苯胺(50g,537mmol)外,根据与合成实施例3相同的方法获得了中间体I-37(100g,91%)。
HRMS(70eV,EI+):C11H9ClN2的m/z理论值:204.0454,实验值:204。
元素分析:C,65%;H,4%
合成实施例51:中间体I-38的合成
除了使用中间体I-37(90g,440mmol)外,根据与合成实施例4相同的方法获得了中间体I-38(191g,85%)。
HRMS(70eV,EI+):C32H22ClN5的m/z理论值:511.1564,实验值:511。
元素分析:C,75%;H,4%
合成实施例52:化合物主体6的合成
除了使用中间体I-38(10g,19.5mmol)外,根据与合成实施例7相同的方法获得了主体6(191g,85%)。
HRMS(70eV,EI+):C32H21N5的m/z理论值:475.1797,实验值:475。
元素分析:C,81%;H,4%
合成实施例53:化合物A-136的合成
参考专利EP3034581的合成方法合成了化合物A-136。
HRMS(70eV,EI+):C42H28N2的m/z理论值:560.2252,实验值:560。
元素分析:C,90%;H,5%
合成实施例54:化合物A-99的合成
参考专利KR10-2019-0000597的合成方法合成了化合物A-99。
HRMS(70eV,EI+):C48H32N2的m/z理论值:636.2565,实验值:636。
元素分析:C,91%;H,5%
合成实施例55:化合物A-31的合成
参考专利EP2947071的合成方法合成了化合物A-31。
HRMS(70eV,EI+):C48H32N2的m/z理论值:636.2565,实验值:636。
元素分析:C,91%;H,5%
合成实施例56:化合物B-4的合成
参考专利KR2031300的合成方法合成了化合物B-4。
HRMS(70eV,EI+):C42H28N2的m/z理论值:560.2252,实验值:560。
元素分析:C,90%;H,5%
合成实施例57:化合物B-57的合成
参考专利WO2018-095391的合成方法合成了化合物B-57。
HRMS(70eV,EI+):C48H32N2的m/z理论值:636.2565,实验值:636。
元素分析:C,91%;H,5%
(使用Gaussian工具的能量水平和键角的计算结果)
通过使用Gaussian 09程序,通过超级计算机GAIA(IBM power 6),在B3LYP/6-31G**方法中计算了每种材料的能量水平和键角,并且结果如表1和图1中所示。
(表1)
参考计算结果,与在第1和第10位以外的位置氮(N)取代的结构相比,在氮茚并氮芴的第1和第10位中的至少一个被氮(N)取代的结构显示出相对低的LUMO能量水平。
当在第1位被氮(N)取代时,由于碳通常所具有的C-H的氢(H)未包括其中,因此三嗪-咔唑可以布置以具有较大的角。这种键角的增大削弱了氮茚并氮芴和三嗪之间的π-π键,而LUMO区和HOMO区之间的电子云边界是明显局部化的。由于LUMO区和HOMO区是明显局部化的,因此LUMO能量水平和HOMO能量水平两者变得更强。
相反,当在氮茚并氮芴中被三嗪取代的位置下方用N取代时,HOMO能量水平变得相对较弱。具有三嗪-氮茚并氮芴键的部分受其具有联苯-氮茚并氮芴键的相邻部分的空间位阻,从而产生了其中它的角度可能不能大幅度旋转的结构。这种结构显著导致了深LUMO,从而在OLED装置中导致了低效率。下图1中显示了更详细的描述。
(在第1位被氮(N)取代的结构)
(在第7位被氮(N)取代的结构)
[图1]三嗪-咔唑和苯基-咔唑的键角
(有机发光二极管的生产)
实施例1
用蒸馏水和超声波清洗ITO(铟锡氧化物)涂覆的玻璃基板。在用蒸馏水清洗后,用溶剂,如异丙醇、丙酮、甲醇等超声清洗玻璃基板并干燥,然后移至等离子体清洗器,通过使用氧等离子体清洗10分钟,并移至真空沉积器(vacuum depositor)。将该所得的ITO透明电极用作阳极,将掺杂了1%NDP-9(得自Novaled GmbH)的化合物A真空沉积在ITO基底上以形成-厚的空穴传输层,并将化合物B沉积在空穴传输层上以形成-厚的空穴传输辅助层。在空穴传输辅助层上,通过使用合成实施例7的化合物1和合成实施例53的化合物A-136作为主体并作为掺杂剂掺杂10wt%的PhGD形成了-厚的发光层。在本文中,以3:7的重量比使用化合物1和化合物A-136。随后,将化合物C沉积在发光层上以形成-厚的电子传输辅助层,并且将化合物D和LiQ以1:1的重量比同时真空沉积以形成-厚的电子传输层。将LiQ和Al顺序真空沉积在电子传输层上以形成阴极,借此生产有机发光二极管。
化合物A:N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺
化合物B:N,N-双(9,9-二甲基-9H-芴-4-基)-9,9-螺二(芴)-2-胺
化合物C:2-(3-(3-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)苯基)苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪
化合物D:8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹诺酮
实施例2
除了使用化合物2代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
实施例3
除了使用化合物15代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
实施例4
除了使用化合物17代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
实施例5
除了使用化合物23代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
实施例6
除了使用化合物37代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
实施例7
除了使用化合物77代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
实施例8
除了使用化合物117代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
实施例9
除了使用化合物A-99代替化合物A-136外,根据与实施例6相同的方法生产有机发光二极管。
实施例10
除了使用化合物A-31代替化合物A-136外,根据与实施例6相同的方法生产有机发光二极管。
实施例11
除了使用化合物B-4代替化合物A-136外,根据与实施例6相同的方法生产有机发光二极管。
实施例12
除了使用化合物B-57代替化合物A-136外,根据与实施例6相同的方法生产有机发光二极管。
实施例13
除了将化合物37和化合物A-136的重量比从3:7变为4:6外,根据与实施例6相同的方法生产有机发光二极管。
实施例14
除了将化合物37和化合物A-136的重量比从3:7变为2:8外,根据与实施例6相同的方法生产有机发光二极管。
对比例1
除了使用化合物主体1代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
对比例2
除了使用化合物主体2代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
对比例3
除了使用化合物主体3代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
对比例4
除了使用化合物主体4代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
对比例5
除了使用化合物主体5代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
对比例6
除了使用化合物主体6代替化合物1外,根据与实施例1相同的方法生产有机发光二极管。
评价
评价了根据实施例1至14和对比例1至6的有机发光二极管的驱动电压、发光效率和寿命特性。
具体测量方法如下,并且结果如表2所示。
(1)根据电压变化测量电流密度变化
在使用伏安计(Keithley 2400)将电压从0V提高至10V的同时,对于流入单元装置的电流值测量所得有机发光二极管,并将所测量的电流值除以面积以提供结果。
(2)根据电压变化测量亮度变化
在将有机发光二极管的电压从0V提高至10V的同时,使用光度计(Minolta Cs-1000A)测量亮度。
(3)发光效率的测量
使用来自项目(1)和(2)的亮度、电流密度以及电压计算相同电流密度(10mA/cm2)下的发光效率(cd/A)。
基于对比例1的电流效率的相对值如表1所示。
(4)寿命的测量
当将电流效率(cd/A)降低至97%,同时将亮度(cd/m2)维持在24000cd/m2时,通过测量时间获得了结果。
基于对比例1的寿命的相对值如表1所示。
(5)驱动电压的测量
使用伏安计(Keithley 2400),在15mA/cm2测量每个二极管的驱动电压。
基于对比例1的驱动电压的相对值如表1所示。
(表2)
参考表2,与根据对比例1至6的有机发光二极管相比,根据实施例1至14的有机发光二极管的驱动电压、发光效率和寿命特征显著改善。
尽管已结合目前认为是实用的示例性实施方式描述了本发明,但是应理解本发明不局限于所公开的实施方式,而是相反,本发明旨在覆盖包含在所附权利要求的精神和范围内的多种改变和同等安排。
Claims (13)
3.根据权利要求1所述的化合物,其中Ar1至Ar3分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的蒽基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的三亚苯基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的二苯并呋喃基、取代的或未取代的二苯并噻吩基、或者取代的或未取代的二苯并硅杂环基。
5.根据权利要求1所述的化合物,其中
Ar1是取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、或者取代的或未取代的三联苯基,且
Ar2和Ar3分别独立地为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的联苯基、取代的或未取代的二苯并呋喃基、或者取代的或未取代的二苯并噻吩基。
6.根据权利要求1所述的化合物,其中Ar1和Ar2中的至少一个是取代的或未取代的C12至C30芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基。
8.一种用于有机光电装置的组合物,其包含
用于有机光电装置的第一化合物和用于有机光电装置的第二化合物,
其中所述用于有机光电装置的第一化合物是根据权利要求1所述的用于有机光电装置的化合物,以及
所述用于有机光电装置的第二化合物由化学式2;或者化学式3和化学式4的结合表示:
[化学式2]
其中,在化学式2中,
Y1和Y2分别独立地为取代的或未取代的C6至C20芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
L4和L5分别独立地为单键或者取代的或未取代的C6至C20亚芳基,
Rb和R9至R18分别独立地为氢、氘、氰基、卤素、取代的或未取代的氨基、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,且m为0至2的整数;
其中,在化学式3和4中,
Y3和Y4分别独立地为取代的或未取代的C6至C20芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基,
化学式3的a1*至a4*中相邻的两个是分别连接在化学式4的*的连接碳,
化学式3的a1*至a4*中未连接在化学式4的*的剩余的两个分别独立地为C-La-Rc,
La、L6和L7分别独立地为单键或者取代的或未取代的C6至C20亚芳基,且
Rc和R19至R26分别独立地为氢、氘、氰基、卤素、取代的或未取代的氨基、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、或者取代的或未取代的C2至C30杂环基。
11.一种有机光电装置,其包括
彼此相对的阳极和阴极,以及
位于所述阳极和所述阴极之间的至少一个有机层,
其中所述有机层包含根据权利要求1至权利要求7中任一项所述的用于有机光电装置的化合物;或者
根据权利要求8至权利要求10中任一项所述的用于有机光电装置的组合物。
12.根据权利要求11所述的有机光电装置,其中
所述有机层包含发光层,且
所述发光层包含所述用于有机光电装置的化合物或者所述用于有机光电装置的组合物。
13.一种显示装置,包括根据权利要求11所述的有机光电装置。
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CN112939976A (zh) * | 2020-12-03 | 2021-06-11 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | 一种有机化合物以及使用其的电子元件和电子装置 |
CN112939976B (zh) * | 2020-12-03 | 2023-04-07 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | 一种有机化合物以及使用其的电子元件和电子装置 |
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KR20220032864A (ko) | 2022-03-15 |
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