WO2011065358A1 - 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011065358A1 WO2011065358A1 PCT/JP2010/070882 JP2010070882W WO2011065358A1 WO 2011065358 A1 WO2011065358 A1 WO 2011065358A1 JP 2010070882 W JP2010070882 W JP 2010070882W WO 2011065358 A1 WO2011065358 A1 WO 2011065358A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- layer
- metal
- light emitting
- substrate
- anode
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 124
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 50
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 113
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 217
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 180
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 180
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 119
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 107
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 69
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 49
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 29
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 24
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000005429 filling process Methods 0.000 claims 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 abstract description 214
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 627
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 351
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 182
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 107
- 230000008569 process Effects 0.000 description 72
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 64
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 56
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 56
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 description 56
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 38
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 32
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 24
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 20
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 19
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N isopropyl alcohol Natural products CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 15
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 14
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 12
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 10
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 10
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N acetone Substances CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- -1 bromine salt Chemical class 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 7
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 5
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 5
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 4
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 4
- SOBHUZYZLFQYFK-UHFFFAOYSA-K trisodium;hydroxy-[[phosphonatomethyl(phosphonomethyl)amino]methyl]phosphinate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].OP(O)(=O)CN(CP(O)([O-])=O)CP([O-])([O-])=O SOBHUZYZLFQYFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 3
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 229920003228 poly(4-vinyl pyridine) Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 3
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229940038773 trisodium citrate Drugs 0.000 description 3
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- AMVXVPUHCLLJRE-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)hexane-1,6-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCCCCCN AMVXVPUHCLLJRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 2
- KGPBDXYMCLEEJX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-trimethoxysilylethylsulfanyl)acetic acid Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCSCC(O)=O KGPBDXYMCLEEJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSOBWDFEQVDDMY-UHFFFAOYSA-N 3-[heptoxy(dimethoxy)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCCCCCCO[Si](OC)(OC)CCCN VSOBWDFEQVDDMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPZDIFSPRVHGIF-UHFFFAOYSA-N 3-aminopropylsilicon Chemical compound NCCC[Si] ZPZDIFSPRVHGIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=NC=C1 KFDVPJUYSDEJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZAZOMOZCLNDPJR-UHFFFAOYSA-N OCCC(C)O[Si](OCC)(OCC)CCCNC Chemical compound OCCC(C)O[Si](OCC)(OCC)CCCNC ZAZOMOZCLNDPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYYVDQWGDNRQDA-UHFFFAOYSA-K trichlorogold;trihydrate;hydrochloride Chemical compound O.O.O.Cl.Cl[Au](Cl)Cl XYYVDQWGDNRQDA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
Definitions
- the present invention relates to an organic light emitting device including an organic light emitting material.
- Non-Patent Document 1 the amplification of light emission luminance is about 10 times at the maximum.
- the organic light emitting device of Non-Patent Document 1 in which an Ag thin film is formed in the electron injection layer has a structure in which a transparent electrode for extracting light is formed on the organic film (hole transport layer, light emitting layer, etc.). And it is easy to damage the organic film.
- the manufacturing technology of an element (top emission type element) for forming a transparent electrode on an organic film has been studied, a more complicated process is required as compared with the manufacture of a bottom emission type element.
- Ag is easily oxidized, and the lifetime of an organic light-emitting element incorporating Ag is considered to be shortened.
- Ag in the electron injection layer may be ionized to leak into the organic layer, and the anode and the cathode may be short-circuited.
- the metal nanoparticle layer (and the binder layer 4 and the anode 3) is partially formed by lithography. It may be removed.
- the opposing member may include a member that fills or replenishes the particle dispersion with the first substrate. Even with such a structure, the position of the meniscus region on the binder layer of the first substrate can be stabilized with respect to the end of the opposing member, and the metal nanoparticle layer can be formed with a uniform density. In addition, you may arrange
- the particle concentration measurement method it is preferable to determine the particle concentration based on the degree of bending of the substrate in addition to the capacitance. Thereby, the particle concentration can be measured and adjusted with higher accuracy.
- the capacitance (physical quantity) value measured by the capacitance meter is within the predetermined range.
- the substrate moving speed may be adjusted so as to keep it within.
- the predetermined range of the capacitance includes the target metal nanoparticle distribution density in the metal nanoparticle layer, the type of metal nanoparticles, the solvent and additive of the particle dispersion, the temperature and humidity of the atmosphere, and the first substrate.
- the distance may vary depending on the distance between the first substrate and the second substrate on the moving direction side, the size and type of the second substrate, and the like.
- the metal nanoclusters 12 are formed on the anode 3 by vapor deposition.
- the organic light emitting device manufacturing method of the present embodiment mainly includes an anode forming step, a metal nanocluster layer forming step, a hole transport layer forming step, a light emitting layer forming step, an electron injection layer forming step, and a cathode. Forming step.
- the anode forming step, the hole transport layer forming step, the light emitting layer forming step, the electron injection layer forming step, and the cathode forming step can be performed in the same manner as in the first embodiment. Detailed description is omitted. Below, the formation process of a metal nanocluster layer is demonstrated in detail.
- FIG. 7 is a plan view showing a substrate on which metal nanoclusters 12 are formed on the anode 3 shown in (f) of FIG.
- the metal nanoclusters 12 are formed on the anode 3 at positions where no nanospheres existed.
- the metal nanoclusters 12 are arranged discretely to form a metal nanocluster layer.
- FIG. 11 shows the absorbance of the element substrate in which the ITO film is formed on the glass substrate shown in FIG. 10 (a) and the absorbance of the element substrate in which Au nanoparticles are arranged on the AHAPS layer shown in FIG. 10 (b). It is a graph to show. The horizontal axis of the graph shown in FIG. 11 indicates the wavelength of light, and the vertical axis indicates the absorbance. In the element substrate on which the ITO film was formed, the absorbance was substantially constant in the visible light region, and the absorbance was about 0.019, that is, the light transmittance was about 0.96.
- LiF lithium fluoride
- a silver nitrate (AgNO 3 ) aqueous solution (concentration 4.0 ⁇ 10 ⁇ 3 mol / l) is prepared, and 5 ml of a CTAB aqueous solution (concentration 0.2 mol / l) is added thereto and stirred. Further, 5 ml of an aqueous solution of gold chloride (III) acid (concentration 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 mol / l) was added to this solution and stirred, and then an aqueous solution of ascorbic acid (AA) (concentration 7.8810 ⁇ 2 mol / l). 70 ml) to make a stock solution.
- AuNO 3 silver nitrate
- CTAB aqueous solution
- AA ascorbic acid
- the light emitting layer (Alq 3 + DCM) 7 has a peak of the emission spectrum at a wavelength of about 650 nm due to the dopant (DCM), and the Au nanorod has the same wavelength. It has an absorption spectrum peak at about 650 nm.
- FIG. 17 is a graph showing the absorption spectrum of the Au nanorod dispersion of this example and the emission spectrum of the light emitting molecule (DCM) in the light emitting layer. Note that the horizontal axis of the graph shown in FIG. 17 indicates the wavelength of light, and the vertical axis indicates absorbance (arbitrary unit au) and emission intensity (arbitrary unit au).
- the light emission intensity of the organic electroluminescence device can be increased without using phosphorescence. Therefore, increasing the light emission intensity of the organic electroluminescence device and extending the lifetime of the organic electroluminescence device. And simultaneously reducing manufacturing costs.
- a binder layer forming step of forming a binder layer on which the metal particles are more likely to adhere than the anode may be further included on the anode.
- the binder layer is unnecessary, and the quality of the organic electroluminescent element can be deteriorated.
- a binder layer can be removed, for example by plasma processing etc., without disturbing distribution of a metal particle. Therefore, it is possible to remove the binder layer that is unnecessary or better for the organic electroluminescent element. Therefore, the lifetime of the organic electroluminescent element can be improved.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
<有機発光素子の構成>
図1は、本実施の形態の有機発光素子の構成を示す断面図である。有機発光素子1は、ガラス基板2と、ガラス基板2の上に形成された陽極3と、陽極3の上に形成されたバインダー層4と、バインダー層4の上に離散的に配置された金属ナノ粒子5と、バインダー層4および金属ナノ粒子5の上に形成されたホール輸送層6と、ホール輸送層6の上に形成された発光層7と、発光層7の上に形成された電子注入層8と、電子注入層8の上に形成された陰極9とを備える。有機発光素子1は、発光層7に低分子系の有機発光材料を用いた有機電界発光素子である。
本実施の形態では、移流集積法を用いて陽極3の上のバインダー層4の上に金属ナノ粒子5を配置する。
この工程では、金属ナノ粒子層を形成する金属ナノ粒子5を分散粒子として含む粒子分散液を準備する。個々の金属ナノ粒子がバインダー層4上で離散的に配置され、金属ナノ粒子層を形成するので、粒子分散液に含まれる金属ナノ粒子5のサイズおよび形状は、最終的に得られる有機発光素子1において要求される条件を満たしていることが好ましい。上記条件は、発光層7から発光される光の波長、金属ナノ粒子層の透光性、ホール輸送層6の厚さ等から決定される。例えば、直径5nm~100nmの球状の金属ナノ粒子を用いることができる。溶液中で金属ナノ粒子5を合成する本実施の形態では、CVD法(化学気相堆積法))を用いて金属ナノ粒子を気相成長させるリソグラフィ法において作製するのが困難な、例えば50nm以下の小さい金属ナノ粒子をも容易に作製することができる。
ガラス基板2の上に、ITO膜を形成し、透明電極となる陽極3を形成する。ITO膜の形成は、従来の方法により行うことができる。また、市販のITOガラス基板(ガラス基板上にITO膜が形成されている基板)を用いることもできる。また、発光層7から発光される光に対する透光性および導電性を有する他の物質によって陽極を形成してもよい。
陽極3上に金属ナノ粒子層を形成しやすくするために、陽極3上にバインダー層4を形成する。バインダー層4は、陽極3と金属ナノ粒子5を結びつける役割を果たし、特に金属ナノ粒子5を離散的に均一の密度で配置するために、陽極3上に形成されることが好ましい。
本実施の形態の金属ナノ粒子層の形成工程では、第1の基板(ガラス基板2上に陽極3が形成され、陽極3上にバインダー層4が形成された基板)と、第2の基板(対向部材)とを対向させて配置し、第1の基板と第2の基板との隙間に金属ナノ粒子の粒子分散液を充填する。そして、当該第1の基板の位置を、第2の基板に対して第1の基板の面(面に平行な方向)に沿って変化させながら、第2の基板から露出する第1の基板上に形成される粒子分散液のメニスカス領域において粒子分散液の溶媒を蒸発させることにより、第1の基板上(すなわちバインダー層4の上)に金属ナノ粒子5を離散的に配置し、金属ナノ粒子層を形成する。
図4は、本実施の形態の粒子層形成装置を模式的に示す断面図である。図5は、上記粒子層形成装置を模式的に示す斜視図である。
上記基板配置部材29は、第1の基板21と第2の基板22とを互いに対向して配置する構成であれば特には限定されない。例えば、図5に示すように、第2の基板22をクランプ等の固定具により固定し、第1の基板21を、クランプ等の固定具が備えられた載置面を有する台等の上に固定する構成であってもよい。このような構成の場合には、第1の基板21を固定した台等を基板移動装置25によって図4および図5に矢印で示す方向に移動させることにより、上記第1の基板21の第2の基板22に対する位置を、当該第1の基板21の面方向に沿って変化させることが可能となる。
上記基板移動装置25としては、第2の基板22の位置に対して第1の基板21の位置を変化させることができれば特には限定されない。本実施の形態の基板移動装置25は、ステッピングモータにより第1の基板21を移動させる構成である。なお、反対に、第1の基板21を固定して、第2の基板22をステッピングモータ等により移動させる構成であっても構わないし、両方の基板を移動させる構成であっても構わない。
上記粒子濃度測定装置26としては、メニスカス領域24における粒子濃度を測定することができれば特には限定されず、例えば、静電容量計、または光散乱や光反射を利用して粒子濃度を求める構成が挙げられる。
本実施の形態で用いる粒子濃度の測定方法は、粒子分散液と接触する第1の基板の位置を当該粒子分散液に対して変化させることにより、当該第1の基板上に発生する粒子分散液のメニスカス領域において、当該メニスカス領域の粒子濃度を測定する方法である。
本実施の形態の粒子濃度調整装置27は、基板移動装置25による第1の基板21の基板移動速度を調整することにより、上記メニスカス領域24における粒子濃度を調整する。メニスカス領域24においては、溶媒が蒸発すると第2の基板22に覆われた領域から新たに粒子分散液がメニスカス領域24に供給される。通常、メニスカス領域24では溶媒が蒸発することにより、第2の基板22に覆われた領域よりも粒子濃度が高くなっている。そのため、基板移動速度を小さくすると、メニスカス領域24における第1の基板21の一定の領域において蒸発する溶媒の量が増加し、濃縮される金属ナノ粒子の数が増加し、メニスカス領域24における粒子濃度が増加する。反対に、基板移動速度を大きくすると、メニスカス領域24における粒子濃度は減少する。それゆえ、基板移動速度を調整することにより、メニスカス領域24の粒子濃度を調整することができる。
式中、cは分布密度、kは定数、ψは分散液中の粒子濃度(体積濃度)、vは第1の基板の移動速度(μm/s)である。上記関係式からkを求めることにより、所望の分布密度の金属ナノ粒子層を得るための粒子濃度の値(または範囲)を求めることができる。
ホール輸送層の形成工程では、バインダー層4の上に金属ナノ粒子5が分散配置された基板の上に、ホール輸送層6を蒸着によって形成する。ホール輸送層6の形成は、従来のようにホール輸送層の材料(本実施の形態では銅フタロシアニン)を真空蒸着することによって行うことができる。このとき、金属ナノ粒子5から発光層7までの距離が表面プラズモン増強発光に適した距離になるようホール輸送層6の厚さを調整する。
発光層の形成工程では、ホール輸送層6の上に、発光層7を蒸着によって形成する。発光層7の形成は、従来のように発光層7の材料(本実施の形態ではAlq3)を真空蒸着することによって行うことができる。
電子注入層の形成工程では、発光層7の上に、電子注入層8を蒸着によって形成する。電子注入層8の形成は、従来のように電子注入層8の材料(本実施の形態ではフッ化リチウム)を真空蒸着することによって行うことができる。
陰極の形成工程では、電子注入層8の上に、陰極9を蒸着によって形成する。陰極9の形成は、従来のように陰極の材料(本実施の形態ではアルミニウム)を真空蒸着することによって行うことができる。
本実施の形態では、バインダー層4の上に金属ナノ粒子5を配置した後、バインダー層4および金属ナノ粒子5の上にホール輸送層6を形成したが、バインダー層4の上に金属ナノ粒子5を配置した後、バインダー層4を除去してもよい。バインダー層4は、金属ナノ粒子5が離散的に均一に分散するように設けたものであり、金属ナノ粒子5を配置した後に除去することができる。また、本実施の形態のAHAPSからなるバインダー層4は、有機発光素子1の発光効率等にはほとんど影響を及ぼさない。しかしながら、経時劣化によってAHAPSが分解された場合、分解された物質は有機発光素子1にとって不純物となり、素子の寿命に悪影響を与えることが考えられる。そのため、金属ナノ粒子層の形成工程の後に、バインダー層の除去工程を設けることが好ましい。
本実施の形態では、陽極上に金属ナノ粒子の代わりに、離散的に分布した金属ナノクラスター構造を有する有機発光素子について説明する。尚、説明の便宜上、実施の形態1にて説明した部材・構成と同じ機能を有する部材・構成については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
図6は、本実施の形態の有機発光素子の構成を示す断面図である。有機発光素子11は、ガラス基板2と、ガラス基板2の上に形成された陽極3と、陽極3の上に離散的に分布する金属ナノクラスター12と、陽極3および金属ナノクラスター12の上に形成されたホール輸送層6と、ホール輸送層6の上に形成された発光層7と、発光層7の上に形成された電子注入層8と、電子注入層8の上に形成された陰極9とを備える。有機発光素子11は、低分子系の有機発光材料を用いた有機電界発光素子である。ガラス基板2、陽極3、発光層7、電子注入層8、および陰極9の構成は、実施の形態1の有機発光素子の構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、蒸着法を用いて陽極3の上に金属ナノクラスター12を形成する。本実施の形態の有機発光素子の製造方法は、主として、陽極の形成工程、金属ナノクラスター層の形成工程、ホール輸送層の形成工程、発光層の形成工程、電子注入層の形成工程、および陰極の形成工程を含む。ここで、陽極の形成工程、ホール輸送層の形成工程、発光層の形成工程、電子注入層の形成工程、および陰極の形成工程は、実施の形態1と同様に行うことが可能であるので、詳細な説明は省略する。以下に金属ナノクラスター層の形成工程について詳細に説明する。
以下に、図7の(a)~図7の(h)を参照しながら、本実施の形態の金属ナノクラスター層の形成工程について説明する。なお、非特許文献4には、金属ナノクラスターを蒸着法によって形成する方法が開示されている。金属ナノクラスター層の形成工程は、主としてナノスフィア形成工程、金属蒸着工程、およびナノスフィア除去工程を含む。
図7の(a)は、ガラス基板上に形成されたITOからなる陽極3を示す断面図である。なお、ガラス基板は図示していない。陽極3を備えた基板を、アセトン・イソプロピルアルコール(IPA)を用いて洗浄する。
次に、ナノスフィア32が整列した陽極3上に、金属ナノクラスターを形成するための金属を蒸着させる。ここでは金属としてAuを用いる。図7の(e)は、金属ナノクラスター層の形成工程において、金属を蒸着させた基板を示す断面図である。気体状の金属は、ナノスフィア32の表面に蒸着し、金属膜33を形成する。また、気体状の金属の一部は、整列したナノスフィア32の隙間を通って陽極3上に蒸着する。
次に、金属膜33が形成された基板をアセトン・イソプロピルアルコールを用いて洗浄し、ナノスフィア32を除去する。これにより、ナノスフィア32上に形成された金属膜33を同時に除去することができる。図7の(f)は、金属ナノクラスター層の形成工程において、ナノスフィアを除去した基板を示す断面図である。陽極3上からナノスフィアが除去され、ナノスフィアの隙間から陽極3上に蒸着した金属が、金属ナノクラスター12として残っている。
なお、金属ナノクラスター層の形成工程は、上記のナノスフィアを用いた方法に限らず、マスクを用いた蒸着法によって行ってもよく、リソグラフィ法を用いて行ってもよい。
本実施の形態では、陽極上に金属ナノ粒子を有する高分子系の有機発光材料を用いた高分子系の有機発光素子について説明する。尚、説明の便宜上、実施の形態1にて説明した部材・構成と同じ機能を有する部材・構成については、同じ符号を付記し、その詳細な説明を省略する。
図8は、本実施の形態の有機発光素子の構成を示す断面図である。有機発光素子13は、ガラス基板2と、ガラス基板2の上に形成された陽極3と、陽極3の上に離散的に配置された金属ナノ粒子5と、陽極3および金属ナノ粒子5の上に形成された発光層14と、発光層14の上に形成された陰極9とを備える。有機発光素子13は、発光層14に高分子系の有機発光材料を用いた有機電界発光素子である。
本実施の形態の有機発光素子の製造方法は、主として、金属ナノ粒子を含む粒子分散液の製造工程、陽極の形成工程、バインダー層の形成工程、金属ナノ粒子層の形成工程、バインダー層の除去工程、発光層の形成工程、および陰極の形成工程を含む。以下に各工程について詳細に説明する。
この工程では、金属ナノ粒子層を形成する金属ナノ粒子5を分散粒子として含む粒子分散液を準備する。本実施の形態では、金属としてAuを用い、直径が約12nmであるAuナノ粒子を生成し、該Auナノ粒子を分散させた粒子分散液を使用する。金属ナノ粒子を含む粒子分散液の製造工程は、実施の形態1と同じであるので、詳細な説明は省略する。
ガラス基板2の上に、ITO膜を形成し、透明電極となる陽極3を形成する。陽極の形成工程は、実施の形態1と同じである。
バインダー層の形成工程では、陽極3上に金属ナノ粒子5を配置しやすくするために、陽極3上にバインダー層を形成する。本実施の形態では、バインダー層としてAHAPSの単層膜を形成する。バインダー層の形成工程は、実施の形態1と同じである。
金属ナノ粒子層の形成工程では、バインダー層の上に移流集積法を用いて金属ナノ粒子5を配置する。金属ナノ粒子層の形成工程は、実施の形態1と同じである。
バインダー層の除去工程では、バインダー層の上に金属ナノ粒子5を配置した後、バインダー層を除去する。バインダー層は、金属ナノ粒子5が離散的に均一に分散するように設けたものであり、金属ナノ粒子5を配置した後に除去することができる。
発光層の形成工程では、陽極3の上に、金属ナノ粒子5を覆うようにして発光層14を形成する。本実施の形態では、発光層14の材料(本実施の形態ではポリパラフェニレンビニレン)を含む液体を、陽極3および金属ナノ粒子5の上に塗布することにより、発光層14を形成する。具体的には、スピンコーティング法を用いて発光層14の材料を含む液体を陽極3および金属ナノ粒子5の上に滴下し、スピンコーティングすることにより、発光層14を形成する。なお、発光層は、インクジェット法等の他の既知の方法を用いて形成してもよい。
陰極の形成工程では、発光層14の上に、陰極9を蒸着によって形成する。陰極9の形成は、従来のように陰極の材料(本実施の形態ではアルミニウム)を真空蒸着することによって行うことができる。
また、バインダー層の除去工程の後、発光層の形成工程の前に、ホール輸送層の形成工程を設けてもよい。ホール輸送層の形成工程では、ホール輸送層の材料を含む液体を、陽極および金属ナノ粒子の上に塗布してスピンコーティングを行うことにより、ホール輸送層を形成する。ホール輸送層の厚さは、表面プラズモン増強発光を効率よく行わせるために、金属ナノ粒子と発光層との距離を適度に離すように(例えば約20nmに)設定すればよい。
本実施例ではまず、Auナノ粒子の合成から行う。超純水0.5mlに塩化金酸三水和物(アルドリッチ社製)5.0mgを加えて1質量/体積%の濃度の塩化金酸水溶液を調製したものに、さらに超純水を加えて合計40mlの塩化金酸水溶液を調製した。また、超純水2mlにクエン酸三ナトリウム(和光純薬工業株式会社製)20.0mgを加えて1質量/体積%の濃度のクエン酸三ナトリウム水溶液を調製したものに、1質量/体積%のタンニン酸水溶液(和光純薬工業株式会社製)25μlを加え、さらに超純水を加えて合計10mlのクエン酸三ナトリウム-タンニン酸混合水溶液を調製した。
図9は、本実施例において製作した有機発光素子を示す平面図である。素子基板として用いた石英ガラス基板の大きさは10mm×10mm、厚さは1mmであり、発光面積は2mm×2mmである。
陽極が形成された素子基板を、アセトンおよびイソプロピルアルコールを用いて各10分間、超音波洗浄を行った。さらに、素子基板を約200℃で60分間加熱し、その後、素子基板をUV-O3洗浄装置(株式会社テクノビジョン製)を用いて30分間処理することにより、基板上の有機物を除去した。この素子基板と、AHAPS(N-(6-アミノヘキシル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン)分子(Gelest社製)0.1mlおよびトルエン(和光純薬工業株式会社製)0.7mlの混合溶液を、PFA(テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとの共重合体)製のコンテナ内に封入した。なお、素子基板はコンテナの上面に設置した。このコンテナを卓上電気炉(日陶科学株式会社製)を用いて100℃で60分間、加熱した。
AHAPS層上にAuナノ粒子層を以下の手順で形成した。Auナノ粒子層の形成には、図4および図5に示すものと同様の構成の水平駆動型ナノコーターを用いた。この水平駆動型ナノコーターは、上下に対向させた2枚の基板間に粒子分散液を注入し、ステージ上に固定された下側の基板のみをステッピングモータを用いてステージと共に水平方向に移動させることにより、下側の基板の上面にナノ粒子層を形成することができる。
以下、有機膜および陰極の形成は、周知の技術を用いて行うことができるので簡単に説明する。
次に、ホール輸送層を形成した素子基板に、発光層として、トリス(8-ヒドロキシキノリノ)アルミニウム錯体(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(III):Alq3)を熱蒸着させた。Alq3の蒸着速度は0.01nm/sで、形成した発光層の厚さは約100nmである。なお、Alq3は、発光層と電子輸送層とを兼ねる。
次に、発光層を形成した素子基板に、電子注入層として、フッ化リチウム(LiF)を熱蒸着させた。LiFの蒸着速度は0.01nm/sで、形成した電子注入層の厚さは約0.5nmである。
次に、電子注入層を形成した素子基板に、陰極として、アルミニウム(Al)を熱蒸着させた。
Auナノ粒子層を含む有機発光素子の、電圧-電流密度(V-I)特性、および電流密度-発光強度(I-L)特性を測定した。図12の(a)は、Auナノ粒子層を含む有機発光素子(SPCE-EL)の電圧-電流密度(V-I)特性を示すグラフである。横軸は有機発光素子の陽極と陰極との間に印加した電圧(V)を示し、縦軸は有機発光素子を流れる電流密度(mA/cm2)を示す。印加した電圧は0Vから15Vまで変化させた。なお、図12の(a)には、比較として、Auナノ粒子層(およびバインダー層)を含まないこと以外は全く同じ条件で製作した従来の有機発光素子(N-EL)について測定した電圧-電流密度(V-I)特性をプロットしてある。図12の(a)に示すように、Auナノ粒子層を含む本実施例の有機発光素子は、Auナノ粒子層を含まない従来の有機発光素子と比べて、ほぼ同じ電圧-電流密度(V-I)特性を示した。
AHAPS層上にAuナノ粒子層を形成した素子基板のAHAPS層を、大気圧プラズマ処理装置を用いてHeプラズマにより除去した。上記大気圧プラズマ処理装置は、13.56MHzの高周波電力を供給し、大気圧雰囲気中に空間に局在する高周波プラズマを発生させるものである。電極として外径3mmの銅製パイプを内径5mmのアルミナ管で覆ったものを用いた。
用いるITOガラス基板は、実施例1のものと同じである。ITOからなる陽極を備えた素子基板を、アセトン・イソプロピルアルコール(IPA)を用いて洗浄した。
次に、素子基板を真空チャンバー内に設置し、ナノスフィアが整列した陽極上に、Auを熱蒸着させた。Auの蒸着は30秒間行い、厚さ約20~25nmのAu膜を形成した。
次に、ナノスフィア上にAu膜が形成された基板をアセトン・イソプロピルアルコールを用いて洗浄し、ナノスフィアを除去した。これにより、ナノスフィア上に形成されたAu膜を同時に除去することができる。この結果、ナノスフィアの隙間から陽極上に蒸着したAuが陽極上に残り、陽極上に離散的に形成されたAuナノクラスターを有する基板が得られた。
本実施例ではまず、Auナノロッドの合成から行う。ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド(CTAB)水溶液(濃度0.2mol/l)を5ml用意し、これに塩化金(III)酸(HAuCl4)水溶液(濃度5.0×10-4mol/l)を5ml加えて攪拌する。この溶液に、約4℃程度に冷却した水素化ホウ素ナトリウム(NaBH4)水溶液(濃度1.0×10-2mol/l)を0.6ml加えて2分間攪拌する。この溶液をシード溶液とし、約30℃で保温する。
ITOガラス基板の準備、およびバインダー層の形成は、実施例1と同じ工程である。その後、Auナノ粒子分散液に代えてAuナノロッド分散液を用い、実施例1と同様の手順の移流集積法を用いて、バインダー層の上にAuナノロッドが離散的に配置されたAuナノロッド層を形成した。
Auナノロッドを配置した素子基板を真空チャンバー内に設置し、Auナノロッドを配置した素子基板に、ホール輸送層として、銅フタロシアニン(CuPc)を熱蒸着させた。銅フタロシアニンの蒸着速度は0.02nm/sで、形成したホール輸送層の厚さは約20nmである。なお、真空チャンバー内は1.0×10-4Paに減圧している。
次に、ホール輸送層を形成した素子基板に、発光層として、トリス(8-ヒドロキシキノリノ)アルミニウム錯体(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum(III):Alq3)と、4-(ジシアノメチレン)-2-メチル-6-(4-ジメチルアミノスチリル)-4H-ピラン(4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyryl)-4H-pyran:DCM)とを同時に蒸着させた。成膜速度は、Alq3が0.08nm/s、DCMが0.01nm/s、合計で0.09nm/sとなるように成膜した。形成した発光層は、DCMのドーパントを含むAlq3の有機膜であり、その厚さは約60nmである。
次に、発光層を形成した素子基板に、電子輸送層としてAlq3を熱蒸着させた。Alq3の蒸着速度は0.04nm/sで、形成した電子輸送層の厚さは約40nmである。本実施例の有機発光素子では、Alq3の層は電子輸送層として機能する。
次に、電子輸送層を形成した素子基板に、電子注入層として、フッ化リチウム(LiF)を熱蒸着させた。LiFの蒸着速度は0.01nm/sで、形成した電子注入層の厚さは約0.5nmである。
次に、電子注入層を形成した素子基板に、陰極として、アルミニウム(Al)を熱蒸着させた。
図16は、上記の工程で得られたAuナノロッド層を含む有機発光素子の概略構成を示す断面図である。有機発光素子15は、ガラス基板2と、ガラス基板2の上に形成されたITOからなる陽極3と、陽極3の上に離散的に配置されたAuナノロッド16と、陽極3およびAuナノロッド16の上に形成された銅フタロシアニンからなるホール輸送層6と、ホール輸送層6の上に形成されたDCMのドーパントを含むAlq3からなる発光層7と、発光層7の上に形成されたAlq3からなる電子輸送層17と、電子輸送層17の上に形成されたフッ化リチウムからなる電子注入層8と、電子注入層8の上に形成されたアルミニウムからなる陰極9とを備える。
本発明に係る有機電界発光素子は、有機発光材料を含む発光層が陽極および陰極に狭持された有機電界発光素子であって、上記の課題を解決するために、上記陽極と上記発光層との間に形成されたホール輸送層と、上記陽極と上記ホール輸送層との間に、複数の金属クラスターが離散的に分布した金属クラスター層とを備え、上記金属クラスター層の、離散的に分布した上記複数の金属クラスターの隙間は、ホール輸送物質によって満たされていることを特徴としている。
2 ガラス基板(基板)
3 陽極
4 バインダー層
5 金属ナノ粒子(金属クラスター、金属粒子)
6 ホール輸送層
7、14 発光層
8 電子注入層
9 陰極
12 金属ナノクラスター(金属クラスター)
16 Auナノロッド(金属クラスター、金属粒子)
17 電子輸送層
20 粒子層形成装置
21 第1の基板
22 第2の基板(対向部材)
23 粒子分散液
24 メニスカス領域
25 基板移動装置
26 粒子濃度測定装置(物理量測定装置)
27 粒子濃度調整装置
29 基板配置部材
30 ナノスフィア混合液
31 溶媒
32 ナノスフィア
33 金属膜
Claims (14)
- 有機発光材料を含む発光層が陽極および陰極に狭持された有機電界発光素子において、
上記陽極と上記発光層との間に形成されたホール輸送層と、
上記陽極と上記ホール輸送層との間に、複数の金属クラスターが離散的に分布した金属クラスター層とを備え、
上記金属クラスター層の、離散的に分布した上記複数の金属クラスターの隙間は、ホール輸送物質によって満たされていることを特徴とする有機電界発光素子。 - 上記金属クラスターは、上記陽極上に分布していることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 上記ホール輸送層は、上記ホール輸送物質からなることを特徴とする請求項1または2に記載の有機電界発光素子。
- 上記金属クラスターのプラズモン共鳴波長の範囲は、上記発光層の発光の波長の範囲と重なっていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
- 上記陽極は、上記発光層から発光される光に対する透光性を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
- 上記金属クラスターは、金属粒子であること特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
- 上記金属クラスターは、棒状の金属粒子であることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。
- 上記金属クラスターは、上記発光層から発光される波長の光を吸収する特性を有することを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
- 上記金属クラスター層は、上記金属クラスターとして、複数種類の形状の金属クラスターを含むことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
- 上記金属クラスター層は、上記金属クラスターとして、互いに異なる金属からなる複数種類の金属クラスターを含むことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
- 上記金属クラスターは、Auを主成分として含むことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
- 有機発光材料を含む発光層が陽極および陰極に狭持された有機電界発光素子の製造方法であって、
上記陽極と、上記陽極に対向するように配置された対向部材との間に、金属粒子が分散された粒子分散液を充填する充填工程と、
上記陽極の表面に沿った方向に、上記対向部材を上記陽極に対して相対的に移動させることにより、上記陽極の表面における上記対向部材から露出した領域に形成される上記粒子分散液のメニスカス領域において、上記粒子分散液の溶媒を蒸発させることにより、上記陽極上に上記金属粒子を離散的に配置する金属粒子配置工程と、
ホール輸送物質によって、離散的に配置された上記金属粒子の隙間を満たし、かつ、上記金属粒子を覆うようにホール輸送層を形成するホール輸送層形成工程とを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。 - 上記充填工程の前に、
上記陽極上に、上記陽極よりも上記金属粒子が付着しやすいバインダー層を形成するバインダー層形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 上記金属粒子配置工程の後、かつ、上記ホール輸送層形成工程の前に、
上記バインダー層を除去するバインダー層除去工程をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/511,302 US20120313129A1 (en) | 2009-11-27 | 2010-11-24 | Organic electroluminescent element, and method for manufacturing organic electroluminescent element |
JP2011543258A JP5679460B2 (ja) | 2009-11-27 | 2010-11-24 | 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009-270714 | 2009-11-27 | ||
JP2009270714 | 2009-11-27 | ||
JP2010119300 | 2010-05-25 | ||
JP2010-119300 | 2010-05-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2011065358A1 true WO2011065358A1 (ja) | 2011-06-03 |
Family
ID=44066463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2010/070882 WO2011065358A1 (ja) | 2009-11-27 | 2010-11-24 | 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120313129A1 (ja) |
JP (1) | JP5679460B2 (ja) |
WO (1) | WO2011065358A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011175948A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Fujifilm Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2012161154A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
WO2013108618A1 (ja) * | 2012-01-19 | 2013-07-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子及びその製造方法 |
WO2014087586A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | パナソニック株式会社 | 光電変換素子 |
KR101410716B1 (ko) | 2012-05-10 | 2014-06-24 | 경북대학교 산학협력단 | 금 나노입자를 포함하는 유기발광소자 및 그 제조방법 |
WO2015021714A1 (zh) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
JP2016507893A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-10 | ベネルギー エルエルシー | 太陽エネルギーを収集して変換するための、装置、システム及び方法 |
JP2017181308A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | キッコーマン株式会社 | 金属ナノ構造体アレイ及び電場増強デバイス |
KR101922630B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2018-11-28 | 울산과학기술원 | 유기 광전자 소자 및 이의 제조방법 |
KR20220107581A (ko) * | 2021-01-25 | 2022-08-02 | 홍익대학교 산학협력단 | 금속 합금 나노 입자의 제조 방법 및 이것을 포함하는 양자점 발광 소자 |
JP7434518B2 (ja) | 2014-07-24 | 2024-02-20 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | エンハンスメント層を有するoledデバイス |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI472059B (zh) * | 2013-10-09 | 2015-02-01 | Cheng Sheng Tsung | A method of forming a surface plasma using a microstructure |
CN103698839A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种导光结构、oled显示器件及显示装置 |
KR102287435B1 (ko) | 2014-04-09 | 2021-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
FR3019941A1 (fr) * | 2014-04-09 | 2015-10-16 | Saint Gobain | Support extracteur de lumiere et dispositif oled l'incorporant |
CN104103766A (zh) | 2014-06-27 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、阵列基板及其制备方法、显示装置 |
EP3034548A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-22 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Barrier film laminate comprising submicron getter particles and electronic device comprising such a laminate |
CN105093568B (zh) * | 2015-08-10 | 2018-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示器件及装置、液态金属材料及制备模具、方法和装置 |
CN105047827A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-11-11 | 上海和辉光电有限公司 | 一种顶发射型有机电致发光器件 |
US10066126B2 (en) * | 2016-01-06 | 2018-09-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Tungsten processing slurry with catalyst |
US20180175319A1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | Universal Display Corporation | Spectral emission modification using localized surface plasmon of metallic nanoparticles |
TWI678825B (zh) * | 2016-12-15 | 2019-12-01 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
CN106848091A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-06-13 | 瑞声科技(南京)有限公司 | 白光oled器件 |
CN107230747A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-10-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示面板的制作方法及oled显示面板 |
US10505154B2 (en) | 2017-05-27 | 2019-12-10 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of organic light emitting diode display panel and organic light emitting diode display panel |
CN108507678A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-09-07 | 东南大学 | 一种等离激元多谐振机制增强的可调超光谱探测芯片 |
CN109346603A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-02-15 | 张军 | 一种有机太阳能电池及其制备方法 |
CN109801951B (zh) * | 2019-02-13 | 2022-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、电致发光显示面板及显示装置 |
EP4030496A4 (en) * | 2019-09-10 | 2023-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | METHOD FOR PRODUCING ELECTRODE AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT |
KR102248800B1 (ko) * | 2019-12-17 | 2021-05-06 | 주식회사 젠라이프 | 나노갭이 형성된 플라즈몬 계층 구조체 및 이의 제조방법 |
CN110993822B (zh) * | 2019-12-18 | 2022-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN115191012B (zh) * | 2020-02-28 | 2023-09-01 | 夏普株式会社 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
CN111816792A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-10-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及显示装置 |
CN113410410B (zh) * | 2021-06-15 | 2022-11-25 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种提高硅基oled发光效率的器件及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003290648A (ja) * | 2002-04-01 | 2003-10-14 | Ricoh Co Ltd | 微粒子構造体の作成方法 |
JP2006291303A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Kyoto Univ | 微粒子アセンブル構造体とそのアセンブル方法 |
JP2007165284A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-28 | Seiko Instruments Inc | エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置 |
WO2009141903A1 (ja) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | パイオニア株式会社 | 有機発光素子 |
JP2010258197A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW595259B (en) * | 2003-01-28 | 2004-06-21 | Ind Tech Res Inst | Organic electroluminescent device |
-
2010
- 2010-11-24 WO PCT/JP2010/070882 patent/WO2011065358A1/ja active Application Filing
- 2010-11-24 US US13/511,302 patent/US20120313129A1/en not_active Abandoned
- 2010-11-24 JP JP2011543258A patent/JP5679460B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003290648A (ja) * | 2002-04-01 | 2003-10-14 | Ricoh Co Ltd | 微粒子構造体の作成方法 |
JP2006291303A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Kyoto Univ | 微粒子アセンブル構造体とそのアセンブル方法 |
JP2007165284A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-28 | Seiko Instruments Inc | エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置 |
WO2009141903A1 (ja) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | パイオニア株式会社 | 有機発光素子 |
JP2010258197A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011175948A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Fujifilm Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2016174010A (ja) * | 2010-01-29 | 2016-09-29 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2012161154A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
KR101922630B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2018-11-28 | 울산과학기술원 | 유기 광전자 소자 및 이의 제조방법 |
WO2013108618A1 (ja) * | 2012-01-19 | 2013-07-25 | パナソニック株式会社 | 有機el素子及びその製造方法 |
JPWO2013108618A1 (ja) * | 2012-01-19 | 2015-05-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機el素子及びその製造方法 |
US9461276B2 (en) | 2012-01-19 | 2016-10-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and method of fabricating the same |
KR101410716B1 (ko) | 2012-05-10 | 2014-06-24 | 경북대학교 산학협력단 | 금 나노입자를 포함하는 유기발광소자 및 그 제조방법 |
US9853174B2 (en) | 2012-12-07 | 2017-12-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Photoelectric conversion element |
WO2014087586A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | パナソニック株式会社 | 光電変換素子 |
CN104854721A (zh) * | 2012-12-07 | 2015-08-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 光电转换元件 |
JPWO2014087586A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2017-01-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換素子 |
JP2016507893A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-10 | ベネルギー エルエルシー | 太陽エネルギーを収集して変換するための、装置、システム及び方法 |
US9847382B2 (en) | 2013-08-13 | 2017-12-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display device |
WO2015021714A1 (zh) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
JP7434518B2 (ja) | 2014-07-24 | 2024-02-20 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | エンハンスメント層を有するoledデバイス |
JP2017181308A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | キッコーマン株式会社 | 金属ナノ構造体アレイ及び電場増強デバイス |
KR20220107581A (ko) * | 2021-01-25 | 2022-08-02 | 홍익대학교 산학협력단 | 금속 합금 나노 입자의 제조 방법 및 이것을 포함하는 양자점 발광 소자 |
KR102475882B1 (ko) * | 2021-01-25 | 2022-12-07 | 홍익대학교 산학협력단 | 금속 합금 나노 입자의 제조 방법 및 이것을 포함하는 양자점 발광 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2011065358A1 (ja) | 2013-04-11 |
JP5679460B2 (ja) | 2015-03-04 |
US20120313129A1 (en) | 2012-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5679460B2 (ja) | 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法 | |
Meng et al. | Ultrahigh-resolution quantum-dot light-emitting diodes | |
Chen et al. | Nearly 100% efficiency enhancement of CH3NH3PbBr3 perovskite light-emitting diodes by utilizing plasmonic Au nanoparticles | |
US9496516B2 (en) | Organic light-emitting element, light source device and method of manufacturing organic light-emitting element | |
US10379267B2 (en) | Metal-based particle assembly | |
TWI618924B (zh) | Metal-based particle assembly, metal-based particle assembly film-layered substrate, and optical element including metal-based particle assembly | |
US9693424B2 (en) | Metal-based particle assembly | |
Liu et al. | Ultrasonic spray coating polymer and small molecular organic film for organic light-emitting devices | |
US20140008636A1 (en) | Organic electroluminescence device | |
CN108611591A (zh) | 用于在表面上沉积导电覆层的方法 | |
KR20150056584A (ko) | 금속계 입자 집합체 | |
Sung et al. | Controlled positioning of metal nanoparticles in an organic light-emitting device for enhanced quantum efficiency | |
Rhee et al. | Polarized Electroluminescence Emission in High‐Performance Quantum Rod Light‐Emitting Diodes via the Langmuir‐Blodgett Technique | |
Miah et al. | Structural and photoelectrical characterization of thin films of a novel amphiphilic oxa [9] helicene derivative | |
González-Carrero et al. | Highly photoluminescent, dense solid films from organic-capped CH 3 NH 3 PbBr 3 perovskite colloids | |
JP2004103547A (ja) | 有機発光素子、有機トランジスタおよびそれらの製造方法 | |
Tang et al. | Improved ink-jet-printed CdSe quantum dot light-emitting diodes with minimized hole transport layer erosion | |
JP5789439B2 (ja) | 有機発光素子、光源装置および有機発光素子の製造方法 | |
Park et al. | Uniform and bright light emission from a 3D organic light-emitting device fabricated on a bi-convex lens by a vortex-flow-assisted solution-coating method | |
Dong et al. | Solvent effects on the interface and film integrity of solution-processed ZnO electron transfer layers for quantum dot light-emitting diodes | |
WO2013042449A1 (ja) | 金属系粒子集合体の製造方法 | |
Zhu et al. | Micro organic light-emitting diodes fabricated through area-selective growth | |
Umbach et al. | Low‐Refractive Index Layers in Organic Light‐Emitting Diodes via Electrospray Deposition for Enhanced Outcoupling Efficiencies | |
Ma et al. | Spatial Cross-Linking Strategy for Realizing Stable and Efficient Perovskite Light-Emitting Diodes toward Microscale Displays | |
Park et al. | Resonant infrared laser deposition of polymer-nanocomposite materials for optoelectronic applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10833204 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
DPE2 | Request for preliminary examination filed before expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101) | ||
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2011543258 Country of ref document: JP |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13511302 Country of ref document: US |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 10833204 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |