JPH1021586A - Ｄｃスパッタリング装置 - Google Patents
Ｄｃスパッタリング装置Info
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- JPH1021586A JPH1021586A JP8172386A JP17238696A JPH1021586A JP H1021586 A JPH1021586 A JP H1021586A JP 8172386 A JP8172386 A JP 8172386A JP 17238696 A JP17238696 A JP 17238696A JP H1021586 A JPH1021586 A JP H1021586A
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- pallet
- substrate
- mask
- sputtering apparatus
- peripheral mask
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
- G11B2220/2537—Optical discs
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光記録媒体を製造するＤＣスパッタリング装
置の負電荷の流れによる基板溶融とパレット回転軸の電
食を防止する。 【解決手段】 Ｓｉ等のターゲット材料よりなるターゲ
ット板８、およびこのターゲット板８が載置固定される
バッキングプレート９から構成される負電極と、この負
電極に対向して正電極として機能するパレット６とによ
り一対の電極が構成されている。この正電極側には光デ
ィスクの基板１１が内周マスク１２と外周マスク１３と
によりディスクベース１４を介して取り付けられてい
る。前記内周マスク１２と外周マスク１３とがテフロン
またはセラミック等の電気的に絶縁体である材料で形成
され、或いは被覆されていることを特徴とし、これによ
り内周マスク１２と外周マスク１３とに負電荷が集中的
に流れることが防止され、基板１１の溶融を防ぐことに
なる。
置の負電荷の流れによる基板溶融とパレット回転軸の電
食を防止する。 【解決手段】 Ｓｉ等のターゲット材料よりなるターゲ
ット板８、およびこのターゲット板８が載置固定される
バッキングプレート９から構成される負電極と、この負
電極に対向して正電極として機能するパレット６とによ
り一対の電極が構成されている。この正電極側には光デ
ィスクの基板１１が内周マスク１２と外周マスク１３と
によりディスクベース１４を介して取り付けられてい
る。前記内周マスク１２と外周マスク１３とがテフロン
またはセラミック等の電気的に絶縁体である材料で形成
され、或いは被覆されていることを特徴とし、これによ
り内周マスク１２と外周マスク１３とに負電荷が集中的
に流れることが防止され、基板１１の溶融を防ぐことに
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＤＣスパッタリング
装置に関し、更に詳しくは光記録媒体の製造時におい
て、負電荷の流れによる媒体の溶融とパレット回転軸の
電食を防止したＤＣスパッタリング装置に関する。
装置に関し、更に詳しくは光記録媒体の製造時におい
て、負電荷の流れによる媒体の溶融とパレット回転軸の
電食を防止したＤＣスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例について図５ないし図８を参照し
て説明する。図５は従来のスパッタリング装置の概略を
示す図であり、図６は従来のスパッタリング装置の本発
明に関する部位について説明するための概略図である。
図７は従来のスパッタリング装置の基板溶融について説
明するための図であり、また、図８は公転型パレットの
回転軸の損傷について説明するための図であって、同図
（ａ）は公転型パレットの断面図であり、同図（ｂ）は
その回転軸を拡大した断面図である。
て説明する。図５は従来のスパッタリング装置の概略を
示す図であり、図６は従来のスパッタリング装置の本発
明に関する部位について説明するための概略図である。
図７は従来のスパッタリング装置の基板溶融について説
明するための図であり、また、図８は公転型パレットの
回転軸の損傷について説明するための図であって、同図
（ａ）は公転型パレットの断面図であり、同図（ｂ）は
その回転軸を拡大した断面図である。
【０００３】従来から、光記録媒体（以下、これを「光
ディスク」と記す）の製造にはスパッタリング法が一般
的に用いられている。ターゲット材料を負極に浮かせ、
それに向かい合う基板取り付けパレットおよび真空チャ
ンバー筐体を電気的にアースに落とすのが大勢である。
このとき、プラズマ中の正イオンはカソードターゲット
へ、また、電子はパレット、光ディスクの基板をパレッ
トに固定するマスク、およびチャンバー筐体を通してア
ースに流れる。パレットはその上に基板を据え付ける基
板取り付けステーション（以下、「ディスクベース」と
記す）を有していて、そこに内外周で構成するマスクに
より基板を固定するのが一般的である。
ディスク」と記す）の製造にはスパッタリング法が一般
的に用いられている。ターゲット材料を負極に浮かせ、
それに向かい合う基板取り付けパレットおよび真空チャ
ンバー筐体を電気的にアースに落とすのが大勢である。
このとき、プラズマ中の正イオンはカソードターゲット
へ、また、電子はパレット、光ディスクの基板をパレッ
トに固定するマスク、およびチャンバー筐体を通してア
ースに流れる。パレットはその上に基板を据え付ける基
板取り付けステーション（以下、「ディスクベース」と
記す）を有していて、そこに内外周で構成するマスクに
より基板を固定するのが一般的である。
【０００４】記録用光ディスクには記録膜材料に希土類
−遷移金属を用いた光磁気ディスク、ＧｅＳｂＴｅ等を
用いた相変化ディスク等があり、一般には記録層を誘電
体層で挟み込んだ多層構造となっている。また、再生用
光ディスクにおいては、記録密度を向上させるため超解
像構造と称した基板と再生反射層との間にマスク層、誘
電体層を付加した多層構造のものが提唱されている。誘
電体材料としてはＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ等、また、Ｓ
ｉ、Ａｉ、Ｔａ、Ｔｉおよびそれら合金の酸化物、窒化
物等が一般的である。
−遷移金属を用いた光磁気ディスク、ＧｅＳｂＴｅ等を
用いた相変化ディスク等があり、一般には記録層を誘電
体層で挟み込んだ多層構造となっている。また、再生用
光ディスクにおいては、記録密度を向上させるため超解
像構造と称した基板と再生反射層との間にマスク層、誘
電体層を付加した多層構造のものが提唱されている。誘
電体材料としてはＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ等、また、Ｓ
ｉ、Ａｉ、Ｔａ、Ｔｉおよびそれら合金の酸化物、窒化
物等が一般的である。
【０００５】このように、誘電体層を形成して光ディス
クを製造する場合、ＲＦ反応性スパッタリング法等では
成膜に時間がかかるため、近年、ＤＣスパッタリングに
より誘電体膜を形成する方法が多く用いられるようにな
ってきている。基板固定用マスクおよびパレットは基板
を取り付けた後に成膜用真空チャンバーに投入され、誘
電体層、記録層等が順次成膜された後、真空チャンバー
外で基板を取り外し、その後また、新たな基板を取り付
けて真空チャンバーに投入し、光ディスクを順次製造し
ていくものである。
クを製造する場合、ＲＦ反応性スパッタリング法等では
成膜に時間がかかるため、近年、ＤＣスパッタリングに
より誘電体膜を形成する方法が多く用いられるようにな
ってきている。基板固定用マスクおよびパレットは基板
を取り付けた後に成膜用真空チャンバーに投入され、誘
電体層、記録層等が順次成膜された後、真空チャンバー
外で基板を取り外し、その後また、新たな基板を取り付
けて真空チャンバーに投入し、光ディスクを順次製造し
ていくものである。
【０００６】つぎに、光ディスクの製造に用いられるＤ
Ｃスパッタリング装置の具体的構成と動作の概要につい
て図５を参照して説明する。
Ｃスパッタリング装置の具体的構成と動作の概要につい
て図５を参照して説明する。
【０００７】ＤＣスパッタリング装置５０は成膜室であ
る真空チャンバー１と、この真空チャンバー１内の真空
状態を制御する真空制御部２と、プラズマ放電用ＤＣ高
圧電源３と、このプラズマ放電用ＤＣ高圧電源３と電源
ライン４にて接続されているスパッタリングカソード部
５と、このスパッタリングカソード部５と所定の距離を
持って対向配置されているパレット６と、スパッタガス
であるＡｒ等を真空チャンバー１内に供給するためのス
パッタガス供給部７とから構成されている。
る真空チャンバー１と、この真空チャンバー１内の真空
状態を制御する真空制御部２と、プラズマ放電用ＤＣ高
圧電源３と、このプラズマ放電用ＤＣ高圧電源３と電源
ライン４にて接続されているスパッタリングカソード部
５と、このスパッタリングカソード部５と所定の距離を
持って対向配置されているパレット６と、スパッタガス
であるＡｒ等を真空チャンバー１内に供給するためのス
パッタガス供給部７とから構成されている。
【０００８】前記スパッタリングカソード部５は、負電
極として機能するＳｉ等のターゲット材料よりなるター
ゲット板８と、このターゲット板８が載置固定されるバ
ッキングプレート９と、このバッキングプレート９の背
後に配された磁石系１０より構成されている。更に前記
ターゲット板８と、正電極として機能するパレット６と
により一対の電極が構成され、パレット６上にはスパッ
タリングカソード部５と対向して被成膜体である光磁気
ディスク等、光ディスクの基板１１が内周マスク１２と
外周マスク１３とによりディスクベース１４を間にはさ
んで取り付けられている。
極として機能するＳｉ等のターゲット材料よりなるター
ゲット板８と、このターゲット板８が載置固定されるバ
ッキングプレート９と、このバッキングプレート９の背
後に配された磁石系１０より構成されている。更に前記
ターゲット板８と、正電極として機能するパレット６と
により一対の電極が構成され、パレット６上にはスパッ
タリングカソード部５と対向して被成膜体である光磁気
ディスク等、光ディスクの基板１１が内周マスク１２と
外周マスク１３とによりディスクベース１４を間にはさ
んで取り付けられている。
【０００９】上述したＤＣスパッタリング装置５０を使
用するに際して、まず、真空チャンバー１内を真空制御
部２により十分に良い真空状態、例えば１×１０-4Ｐａ
以下となるように排気する。その後、スパッタガス供給
部７より真空チャンバー１内にスパッタガス、例えばＡ
ｒとＮ2 の混合ガスを所定の圧力となるまで導入する。
この状態にてプラズマ放電用ＤＣ高圧電源３よりバッキ
ングプレート９、即ち、ターゲット板８に所定の負電位
を印加する。これにより一対の電極を形成するパレット
６とバッキングプレート９との間に電界が生じ、グロー
放電が起こってイオン化したＡｒガスがターゲット板８
をスパッタリングする。その結果、ターゲット板８から
ターゲット材料が原子等の状態となって叩き出され、こ
のターゲット材料がターゲット板８と対向して配置され
たパレット６に取り付けられた基板１１の表面に堆積し
てＳｉＮよりなる薄膜が形成される。
用するに際して、まず、真空チャンバー１内を真空制御
部２により十分に良い真空状態、例えば１×１０-4Ｐａ
以下となるように排気する。その後、スパッタガス供給
部７より真空チャンバー１内にスパッタガス、例えばＡ
ｒとＮ2 の混合ガスを所定の圧力となるまで導入する。
この状態にてプラズマ放電用ＤＣ高圧電源３よりバッキ
ングプレート９、即ち、ターゲット板８に所定の負電位
を印加する。これにより一対の電極を形成するパレット
６とバッキングプレート９との間に電界が生じ、グロー
放電が起こってイオン化したＡｒガスがターゲット板８
をスパッタリングする。その結果、ターゲット板８から
ターゲット材料が原子等の状態となって叩き出され、こ
のターゲット材料がターゲット板８と対向して配置され
たパレット６に取り付けられた基板１１の表面に堆積し
てＳｉＮよりなる薄膜が形成される。
【００１０】スパッタ時の真空チャンバー１内における
電流の流れる経路を図６に示す。即ち、上述したように
パレット６とターゲット板８との間に電界が発生する
と、不活性ガスイオンであるＡｒガスイオンがターゲッ
ト板８に衝突し、ターゲット板８からターゲット原子を
叩き出す。このターゲット原子は基板１１の表面に堆積
すると共に、同時に生成した電子等の負電荷は、アノー
ドであるパレット６、内周マスク１２、外周マスク１３
および真空チャンバー１壁からグランドに流れていく。
電流の流れる経路を図６に示す。即ち、上述したように
パレット６とターゲット板８との間に電界が発生する
と、不活性ガスイオンであるＡｒガスイオンがターゲッ
ト板８に衝突し、ターゲット板８からターゲット原子を
叩き出す。このターゲット原子は基板１１の表面に堆積
すると共に、同時に生成した電子等の負電荷は、アノー
ドであるパレット６、内周マスク１２、外周マスク１３
および真空チャンバー１壁からグランドに流れていく。
【００１１】しかしながら、図７に示すようにパレット
６の使用回数の増加にしたがってＳｉＮ膜等の絶縁層１
９が堆積すると、スパッタリング中に発生する電子等の
負電荷の流れが遮断されることになる。このような場
合、ステンレススチール等で構成されている内周マスク
１２および外周マスク１３に対して負電荷が集中し、内
周マスク１２および外周マスク１３とディスクベース１
４の接触部分を通ってグランドに流れていく。
６の使用回数の増加にしたがってＳｉＮ膜等の絶縁層１
９が堆積すると、スパッタリング中に発生する電子等の
負電荷の流れが遮断されることになる。このような場
合、ステンレススチール等で構成されている内周マスク
１２および外周マスク１３に対して負電荷が集中し、内
周マスク１２および外周マスク１３とディスクベース１
４の接触部分を通ってグランドに流れていく。
【００１２】その結果、通常のスパッタリングでは５０
℃程度の温度上昇であるにもかかわらず、この場合は内
周マスク１２および外周マスク１３の温度が、基板１１
のガラス転移温度である１４０℃をも越えてしまい、基
板１１と内周マスク１２および外周マスク１３との接触
部分において基板１１が溶融して、基板溶融部２０を形
成し、複屈折異常等の欠陥を光ディスクに生じさせるこ
ととなっていた。
℃程度の温度上昇であるにもかかわらず、この場合は内
周マスク１２および外周マスク１３の温度が、基板１１
のガラス転移温度である１４０℃をも越えてしまい、基
板１１と内周マスク１２および外周マスク１３との接触
部分において基板１１が溶融して、基板溶融部２０を形
成し、複屈折異常等の欠陥を光ディスクに生じさせるこ
ととなっていた。
【００１３】また、上述した問題の他に、つぎに説明す
るような問題点も認められている。即ち、図６に示すよ
うに光ディスク製造のためにパレット６、内周マスク１
２および外周マスク１３の使用回数が多くなると、その
表面に誘電体膜、金属膜等が堆積し、電気的に絶縁され
る。しかしながら、内周マスク１２および外周マスク１
３は基板１１の取り付け、取り外し時に基板着脱機と接
触してマスク表面の膜が剥がれ、表面の一部に非絶縁部
が形成されることになる。この状態で誘電体層のＤＣス
パッタリングを行うと、パレット６の表面は絶縁されて
いるため帯電して電子入射が抑えられるが、マスク表面
に非絶縁部があるとここで集中的に電子衝撃が起こるよ
うになる。
るような問題点も認められている。即ち、図６に示すよ
うに光ディスク製造のためにパレット６、内周マスク１
２および外周マスク１３の使用回数が多くなると、その
表面に誘電体膜、金属膜等が堆積し、電気的に絶縁され
る。しかしながら、内周マスク１２および外周マスク１
３は基板１１の取り付け、取り外し時に基板着脱機と接
触してマスク表面の膜が剥がれ、表面の一部に非絶縁部
が形成されることになる。この状態で誘電体層のＤＣス
パッタリングを行うと、パレット６の表面は絶縁されて
いるため帯電して電子入射が抑えられるが、マスク表面
に非絶縁部があるとここで集中的に電子衝撃が起こるよ
うになる。
【００１４】この結果、内周マスク１２および外周マス
ク１３は過度に温度が上昇することになり、基板１１の
材料の融点を越えて温度上昇があった場合、基板１１が
溶融し、また複屈折成分の変化により光ディスクの特性
劣化を起こす虞れがあった。
ク１３は過度に温度が上昇することになり、基板１１の
材料の融点を越えて温度上昇があった場合、基板１１が
溶融し、また複屈折成分の変化により光ディスクの特性
劣化を起こす虞れがあった。
【００１５】また、公転型パレットを使用している場合
は次のような問題があった。まず、図８（ａ）は公転型
パレットの断面図であって、パレット６はパレットホル
ダー２１に固定され、パレットホルダー２１はベアリン
グ２２とベアリングハウジング２３を介してキャリア１
５に回転自在に保持されている。この場合、回転力はマ
グネットカップリング２４を介して導入される。
は次のような問題があった。まず、図８（ａ）は公転型
パレットの断面図であって、パレット６はパレットホル
ダー２１に固定され、パレットホルダー２１はベアリン
グ２２とベアリングハウジング２３を介してキャリア１
５に回転自在に保持されている。この場合、回転力はマ
グネットカップリング２４を介して導入される。
【００１６】このように公転型パレットは回転部にベア
リング２２を使用しており、パレット６に入射した電子
は、パレットホルダー２１を通りベアリング外輪、ボー
ル、ベアリング内輪を介してベアリングハウジング２３
に流れ、キャリア１５からアースに流れる。しかしこの
時、ベアリング２２にはグリースが介在し、また接触抵
抗もあってボールの回転によって生じる電気的な断続の
ため、キャリア１５を絶縁していない場合は図８（ｂ）
に示す点にアーク放電等が発生して電食が生じることに
なる。従ってこれによりパレット６に回転不良を引き起
こしていた。これはチャンバー本体に回転機構がある場
合も同様である。
リング２２を使用しており、パレット６に入射した電子
は、パレットホルダー２１を通りベアリング外輪、ボー
ル、ベアリング内輪を介してベアリングハウジング２３
に流れ、キャリア１５からアースに流れる。しかしこの
時、ベアリング２２にはグリースが介在し、また接触抵
抗もあってボールの回転によって生じる電気的な断続の
ため、キャリア１５を絶縁していない場合は図８（ｂ）
に示す点にアーク放電等が発生して電食が生じることに
なる。従ってこれによりパレット６に回転不良を引き起
こしていた。これはチャンバー本体に回転機構がある場
合も同様である。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、アノードであるパレット等にＳｉＮ膜等の絶縁層が
積層した場合でも、基板を固定している内周マスクおよ
び外周マスクに対して、電子等の負電荷が流れることを
防止して、基板の溶融等の問題を除去し、安定した品質
の光ディスクを製造するスパッタリング装置と光ディス
ク媒体を提供する。
は、アノードであるパレット等にＳｉＮ膜等の絶縁層が
積層した場合でも、基板を固定している内周マスクおよ
び外周マスクに対して、電子等の負電荷が流れることを
防止して、基板の溶融等の問題を除去し、安定した品質
の光ディスクを製造するスパッタリング装置と光ディス
ク媒体を提供する。
【００１８】また、使用頻度の高いパレットおよびマス
クを用いて光ディスクの製造を行った場合においても、
マスクへの集中的な電子衝撃を抑えることによりＤＣス
パッタリングによる誘電体の高速成膜を可能にし、パレ
ットの頻繁な交換を不要にして安定した品質の光ディス
クを製造するスパッタリング装置と光ディスク媒体を提
供する。
クを用いて光ディスクの製造を行った場合においても、
マスクへの集中的な電子衝撃を抑えることによりＤＣス
パッタリングによる誘電体の高速成膜を可能にし、パレ
ットの頻繁な交換を不要にして安定した品質の光ディス
クを製造するスパッタリング装置と光ディスク媒体を提
供する。
【００１９】更に、公転型パレットを用いる場合、その
回転軸を構成するベアリングを通して電流が流れること
による電食の発生を避け、長期に渡り安定した回転機能
を保つ公転型の光ディスクを製造するスパッタリング装
置を提供しようとするものである。
回転軸を構成するベアリングを通して電流が流れること
による電食の発生を避け、長期に渡り安定した回転機能
を保つ公転型の光ディスクを製造するスパッタリング装
置を提供しようとするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
なされたものであり、少なくとも一種類以上の誘電体膜
を有した光記録媒体を形成するＤＣスパッタリング装置
において、前記光記録媒体の基板をＤＣスパッタリング
装置のパレットに固定する固定用マスクを電気的絶縁部
材で形成し、または電気的絶縁部材で被覆する。また、
前記電気的絶縁部材はセラミック、または高分子材料を
用いる。
なされたものであり、少なくとも一種類以上の誘電体膜
を有した光記録媒体を形成するＤＣスパッタリング装置
において、前記光記録媒体の基板をＤＣスパッタリング
装置のパレットに固定する固定用マスクを電気的絶縁部
材で形成し、または電気的絶縁部材で被覆する。また、
前記電気的絶縁部材はセラミック、または高分子材料を
用いる。
【００２１】少なくとも一種類以上の誘電体膜を有した
光記録媒体を形成するＤＣスパッタリング装置におい
て、前記光記録媒体の基板が固定されているパレット、
または前記パレットを固定するキャリア、または前記パ
レット上に基板を取り付けるディスクベースのうち、少
なくとも一種類が電気的に絶縁された構成のＤＣスパッ
タリング装置を形成して上記課題を解決する。
光記録媒体を形成するＤＣスパッタリング装置におい
て、前記光記録媒体の基板が固定されているパレット、
または前記パレットを固定するキャリア、または前記パ
レット上に基板を取り付けるディスクベースのうち、少
なくとも一種類が電気的に絶縁された構成のＤＣスパッ
タリング装置を形成して上記課題を解決する。
【００２２】本発明に係わるＤＣスパッタリング装置に
おいては、パレットに基板を固定するための内周マスク
および外周マスクがセラミック或いはテフロン等の絶縁
材料によって構成されるため、アノードであるパレット
等の表面にＳｉＮ膜等の絶縁層が堆積した場合でも、ス
パッタリング中に発生する電子等の負電荷が内周マスク
および外周マスクに流れることを防止し、基板の溶融を
防ぐ。
おいては、パレットに基板を固定するための内周マスク
および外周マスクがセラミック或いはテフロン等の絶縁
材料によって構成されるため、アノードであるパレット
等の表面にＳｉＮ膜等の絶縁層が堆積した場合でも、ス
パッタリング中に発生する電子等の負電荷が内周マスク
および外周マスクに流れることを防止し、基板の溶融を
防ぐ。
【００２３】また、公転型パレットを用いるＤＣスパッ
タリング装置の場合、パレットとキャリアを電気的に絶
縁して、パレットとアース間に回転軸のベアリングを介
して負電荷が流れることを阻止し、スパッタリング時に
内周マスクおよび外周マスクに電子衝撃が起こることを
防止する。従って、内周マスクおよび外周マスクの温度
上昇による光ディスクの溶融を防止し、更に、ベアリン
グに負電荷が流れないので、これによる電食は発生せ
ず、パレットの回転を一定に保つことができる。
タリング装置の場合、パレットとキャリアを電気的に絶
縁して、パレットとアース間に回転軸のベアリングを介
して負電荷が流れることを阻止し、スパッタリング時に
内周マスクおよび外周マスクに電子衝撃が起こることを
防止する。従って、内周マスクおよび外周マスクの温度
上昇による光ディスクの溶融を防止し、更に、ベアリン
グに負電荷が流れないので、これによる電食は発生せ
ず、パレットの回転を一定に保つことができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態例について図１
ないし図４を参照して説明する。図１は本発明の第一の
実施形態例の断面図であり、図２は第二の実施形態例の
断面図であり、図３は第三の実施形態例の断面図であ
り、また、図４は第四の実施形態例の断面図である。
ないし図４を参照して説明する。図１は本発明の第一の
実施形態例の断面図であり、図２は第二の実施形態例の
断面図であり、図３は第三の実施形態例の断面図であ
り、また、図４は第四の実施形態例の断面図である。
【００２５】第一の実施形態例 図１は第一の実施形態例の要部を示し、その他の構成は
図５を参照して説明したことと同一であり、これに関す
る説明は省略する。Ｓｉ等のターゲット材料よりなるタ
ーゲット板８、およびこのターゲット板８が載置固定さ
れるバッキングプレート９から構成される負電極と、こ
の負電極に対向して正電極として機能するパレット６と
により一対の電極が構成されている。この正電極側には
光ディスクの基板１１が内周マスク１２と外周マスク１
３とによりディスクベース１４を介して取り付けられて
いる。
図５を参照して説明したことと同一であり、これに関す
る説明は省略する。Ｓｉ等のターゲット材料よりなるタ
ーゲット板８、およびこのターゲット板８が載置固定さ
れるバッキングプレート９から構成される負電極と、こ
の負電極に対向して正電極として機能するパレット６と
により一対の電極が構成されている。この正電極側には
光ディスクの基板１１が内周マスク１２と外周マスク１
３とによりディスクベース１４を介して取り付けられて
いる。
【００２６】本実施形態例においては、前記内周マスク
１２と外周マスク１３とがテフロンまたはセラミック等
の電気的に絶縁体である材料で形成され、或いは被覆さ
れていることを特徴としている。これにより内周マスク
１２と外周マスク１３とに負電荷が集中的に流れること
が防止され、基板１１の溶融を防ぐことになる。
１２と外周マスク１３とがテフロンまたはセラミック等
の電気的に絶縁体である材料で形成され、或いは被覆さ
れていることを特徴としている。これにより内周マスク
１２と外周マスク１３とに負電荷が集中的に流れること
が防止され、基板１１の溶融を防ぐことになる。
【００２７】つぎに、本発明のマスクを用いた装置を実
施例とし、従来のマスクを用いた装置を比較例として、
基板溶融の測定を行った。この測定はパレットキャリア
を５台使用し、１キャリアに２４枚の基板を取り付けて
行った。共にパレット６表面にＳｉＮ誘電体膜が堆積し
たパレット６表面とアース間が電気的に絶縁されている
状態で行った。基板１１の材料はポリカーボネートであ
って、ＳｉＮ誘電体膜をＤＣ反応性スパッタリングで成
膜した４層構造の光磁気ディスクを試料として用いた。
パレット６表面には４層構造膜が３００周期程度堆積し
ており、基板１１の溶融は極めて発生しやすいテスト状
態にした。
施例とし、従来のマスクを用いた装置を比較例として、
基板溶融の測定を行った。この測定はパレットキャリア
を５台使用し、１キャリアに２４枚の基板を取り付けて
行った。共にパレット６表面にＳｉＮ誘電体膜が堆積し
たパレット６表面とアース間が電気的に絶縁されている
状態で行った。基板１１の材料はポリカーボネートであ
って、ＳｉＮ誘電体膜をＤＣ反応性スパッタリングで成
膜した４層構造の光磁気ディスクを試料として用いた。
パレット６表面には４層構造膜が３００周期程度堆積し
ており、基板１１の溶融は極めて発生しやすいテスト状
態にした。
【００２８】この測定結果を表１に示す。この結果から
も明らかなように、従来のマスクを使用した場合は、１
キャリア２４枚中に２〜４枚の基板溶融が認められた
が、本発明によるマスクを用いた場合は、基板溶融は認
められなかった。
も明らかなように、従来のマスクを使用した場合は、１
キャリア２４枚中に２〜４枚の基板溶融が認められた
が、本発明によるマスクを用いた場合は、基板溶融は認
められなかった。
【００２９】
【表１】
【００３０】第二の実施形態例 図２は第二の実施形態例の要部を示し、その他の構成は
図５を参照して説明したことと同一であり、これに関す
る説明は省略する。Ｓｉ等のターゲット材料よりなるタ
ーゲット板８、およびこのターゲット板８が載置固定さ
れるバッキングプレート９から構成される負電極と、こ
の負電極に対向して正電極として機能するパレット６と
により一対の電極が構成されている。この正電極側には
光ディスクの基板１１が内周マスク１２と外周マスク１
３とによりディスクベース１４を介して取り付けられて
いる。
図５を参照して説明したことと同一であり、これに関す
る説明は省略する。Ｓｉ等のターゲット材料よりなるタ
ーゲット板８、およびこのターゲット板８が載置固定さ
れるバッキングプレート９から構成される負電極と、こ
の負電極に対向して正電極として機能するパレット６と
により一対の電極が構成されている。この正電極側には
光ディスクの基板１１が内周マスク１２と外周マスク１
３とによりディスクベース１４を介して取り付けられて
いる。
【００３１】本実施形態例においてはパレット６とキャ
リア１５との間に、例えば硝子等の電気的絶縁体からな
るスペーサ１６を設け、パレット６とアース間を絶縁し
たことを特徴としている。これにより結果的に内周マス
ク１２と外周マスク１３とに負電荷が集中的に流れるこ
とが防止され、基板１１の溶融を防ぐことになる。
リア１５との間に、例えば硝子等の電気的絶縁体からな
るスペーサ１６を設け、パレット６とアース間を絶縁し
たことを特徴としている。これにより結果的に内周マス
ク１２と外周マスク１３とに負電荷が集中的に流れるこ
とが防止され、基板１１の溶融を防ぐことになる。
【００３２】第三の実施形態例 図３は公転型パレットを用いた第三の実施形態例の要部
を示し、その他の構成は図５を参照して説明したことと
同一であり、これに関する説明は省略する。また、図３
にはパレット６に装着する基板等は図示していないが、
これらも図５に示すものと同様の構成となっている。
を示し、その他の構成は図５を参照して説明したことと
同一であり、これに関する説明は省略する。また、図３
にはパレット６に装着する基板等は図示していないが、
これらも図５に示すものと同様の構成となっている。
【００３３】本実施形態例の公転型パレットの構造は、
パレット６を保持するパレットホルダー２１は、ベアリ
ング２２を介して固定側のベアリングハウジング２３に
回転自在に保持されている。このベアリングハウジング
２３とキャリア１５との間に絶縁体２５を設け、両者間
の電気的導電性を遮断していることを特徴とする。。ま
た、マグネットカップリング２４により外部から回転力
が供給されパレット６の回転が行われる。
パレット６を保持するパレットホルダー２１は、ベアリ
ング２２を介して固定側のベアリングハウジング２３に
回転自在に保持されている。このベアリングハウジング
２３とキャリア１５との間に絶縁体２５を設け、両者間
の電気的導電性を遮断していることを特徴とする。。ま
た、マグネットカップリング２４により外部から回転力
が供給されパレット６の回転が行われる。
【００３４】これによりパレット６等に帯電した負電荷
がキャリア１５を通してアースに流れることがなく、従
って、内周マスクと外周マスクとに負電荷が集中的に流
れることが防止され、基板の溶融を防ぐと共に、ベアリ
ング２２の電食の発生を無くし、パレット６の回転不良
が改善されて、均質な光ディスクが作成される。尚、絶
縁体２５はテフロン、セラミックス、ガラス、ゴム、エ
ポキシ等の各種樹脂が用いられる。
がキャリア１５を通してアースに流れることがなく、従
って、内周マスクと外周マスクとに負電荷が集中的に流
れることが防止され、基板の溶融を防ぐと共に、ベアリ
ング２２の電食の発生を無くし、パレット６の回転不良
が改善されて、均質な光ディスクが作成される。尚、絶
縁体２５はテフロン、セラミックス、ガラス、ゴム、エ
ポキシ等の各種樹脂が用いられる。
【００３５】第四の実施形態例 図４は公転型パレットを用いた第四の実施形態例の要部
を示し、その他の構成は図５を参照して説明したことと
同一であり、これに関する説明は省略する。また、図３
にはパレット６に装着する基板等は図示していないが、
これらも図５に示すものと同様の構成となっている。
を示し、その他の構成は図５を参照して説明したことと
同一であり、これに関する説明は省略する。また、図３
にはパレット６に装着する基板等は図示していないが、
これらも図５に示すものと同様の構成となっている。
【００３６】本実施形態例の公転型パレットの構造は、
パレット６とパレットホルダー２１は絶縁体２６を介し
て固着されていて、チャンバーのボディアースとパレッ
ト６の電気的導電性を遮断していることを特徴とする。
パレットホルダー２１は回転導入部２７を介して外部か
ら回転力が供給されパレット６の回転が行われる。
パレット６とパレットホルダー２１は絶縁体２６を介し
て固着されていて、チャンバーのボディアースとパレッ
ト６の電気的導電性を遮断していることを特徴とする。
パレットホルダー２１は回転導入部２７を介して外部か
ら回転力が供給されパレット６の回転が行われる。
【００３７】これによりパレット６等に帯電した負電荷
がキャリア１５を通してアースに流れることがなく、従
って、内周マスクと外周マスクとに負電荷が集中的に流
れることが防止され、基板の溶融を防ぎ均質な光ディス
クが作成される。尚、絶縁体２６はテフロン、セラミッ
クス、ガラス、ゴム、エポキシ等の各種樹脂が用いられ
る。
がキャリア１５を通してアースに流れることがなく、従
って、内周マスクと外周マスクとに負電荷が集中的に流
れることが防止され、基板の溶融を防ぎ均質な光ディス
クが作成される。尚、絶縁体２６はテフロン、セラミッ
クス、ガラス、ゴム、エポキシ等の各種樹脂が用いられ
る。
【００３８】つぎに、上述した装置を実施例とし、従来
の装置を比較例として、基板溶融の測定を行った。この
測定はパレットキャリアを５台使用し、１キャリアに３
６枚の基板を取り付けて行った。基板１１の材料はポリ
カーボネートであり、ＳｉＮ誘電体膜をＤＣ反応性スパ
ッタリングで成膜した４層構造の光磁気ディスクであ
る。パレット６表面には絶縁層１０００Å、導体層２０
０Å、絶縁層３００Å、導体層５００Å、の４層構造膜
が３００周期堆積された状態とし、内周マスク１２およ
び外周マスク１３は膜の堆積していないものを用いた。
実施例においてはパレット６表面とアース間の電気抵抗
は１０ＭΩ程度であった。この状況下では最もマスクに
電子衝撃が起こりやすく、基板の溶融が発生しやすい状
態である。
の装置を比較例として、基板溶融の測定を行った。この
測定はパレットキャリアを５台使用し、１キャリアに３
６枚の基板を取り付けて行った。基板１１の材料はポリ
カーボネートであり、ＳｉＮ誘電体膜をＤＣ反応性スパ
ッタリングで成膜した４層構造の光磁気ディスクであ
る。パレット６表面には絶縁層１０００Å、導体層２０
０Å、絶縁層３００Å、導体層５００Å、の４層構造膜
が３００周期堆積された状態とし、内周マスク１２およ
び外周マスク１３は膜の堆積していないものを用いた。
実施例においてはパレット６表面とアース間の電気抵抗
は１０ＭΩ程度であった。この状況下では最もマスクに
電子衝撃が起こりやすく、基板の溶融が発生しやすい状
態である。
【００３９】この測定結果を表２に示す。この結果から
も明らかなように、従来のマスクを使用した場合は、１
キャリア３６枚中に１〜３枚の基板溶融が認められた
が、本発明によるマスクを用いた場合は、基板溶融は認
められなかった。
も明らかなように、従来のマスクを使用した場合は、１
キャリア３６枚中に１〜３枚の基板溶融が認められた
が、本発明によるマスクを用いた場合は、基板溶融は認
められなかった。
【００４０】
【表２】
【００４１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によればスパッタ時に内周マスクおよび外周マスクの
周辺より発生する基板溶融等の課題を解決し、安定した
品質の光ディスクが供給可能なＤＣスパッタリング装置
および光ディスク媒体の提供が可能となる。
明によればスパッタ時に内周マスクおよび外周マスクの
周辺より発生する基板溶融等の課題を解決し、安定した
品質の光ディスクが供給可能なＤＣスパッタリング装置
および光ディスク媒体の提供が可能となる。
【００４２】また、公転型パレットを用いる場合、その
回転軸を構成するベアリングを通して電流がグランドに
流れることを防止し、従って、ベアリングの電食の発生
をなくして、長期に渡り安定した回転機能を保つ公転型
の光ディスクを製造するＤＣスパッタリング装置を提供
することができる。
回転軸を構成するベアリングを通して電流がグランドに
流れることを防止し、従って、ベアリングの電食の発生
をなくして、長期に渡り安定した回転機能を保つ公転型
の光ディスクを製造するＤＣスパッタリング装置を提供
することができる。
【図１】 本発明の第一の実施形態例の断面図である。
【図２】 本発明の第二の実施形態例の断面図である。
【図３】 本発明の第三の実施形態例の断面図である。
【図４】 本発明の第四の実施形態例の断面図である。
【図５】 従来のスパッタリング装置の概略を示す図で
ある。
ある。
【図６】 従来のスパッタリング装置の、本発明に関す
る部位について説明するための概略図である。
る部位について説明するための概略図である。
【図７】 従来のスパッタリング装置の、基板溶融につ
いて説明するための図である。
いて説明するための図である。
【図８】 公転型パレットの回転軸の損傷について説明
するための図であって、（ａ）は公転型パレットの断面
図であり、（ｂ）はその回転軸を拡大した断面図であ
る。
するための図であって、（ａ）は公転型パレットの断面
図であり、（ｂ）はその回転軸を拡大した断面図であ
る。
１…真空チャンバー、２…真空制御部、３…プラズマ放
電用ＤＣ高圧電源、４…電源ライン、５…スパッタリン
グカソード部、６…パレット、７…スパッタガス供給
部、８…ターゲット板、９…バッキングプレート、１０
…磁石系、１１…基板、１２…内周マスク、１３…外周
マスク、１４…ディスクベース、１５…キャリア、１６
…スペーサ、１９…絶縁層、２０…基板溶融部、２１…
パレットホルダー、２２…ベアリング、２３…ベアリン
グハウジング、２４…マグネットカップリング、２５，
２６…絶縁体、２７…回転導入部
電用ＤＣ高圧電源、４…電源ライン、５…スパッタリン
グカソード部、６…パレット、７…スパッタガス供給
部、８…ターゲット板、９…バッキングプレート、１０
…磁石系、１１…基板、１２…内周マスク、１３…外周
マスク、１４…ディスクベース、１５…キャリア、１６
…スペーサ、１９…絶縁層、２０…基板溶融部、２１…
パレットホルダー、２２…ベアリング、２３…ベアリン
グハウジング、２４…マグネットカップリング、２５，
２６…絶縁体、２７…回転導入部
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも一種類以上の誘電体膜を有し
た光記録媒体を形成するＤＣスパッタリング装置におい
て、 前記光記録媒体の基板をＤＣスパッタリング装置のパレ
ットに固定する固定用マスクを電気的絶縁部材で形成す
ることを特徴とするＤＣスパッタリング装置。 - 【請求項２】 少なくとも一種類以上の誘電体膜を有し
た光記録媒体を形成するＤＣスパッタリング装置におい
て、 前記光記録媒体の基板をＤＣスパッタリング装置のパレ
ットに固定する固定用マスクを電気的絶縁部材で被覆す
ることを特徴とするＤＣスパッタリング装置。 - 【請求項３】 前記電気的絶縁部材はセラミックである
ことを特徴とする、請求項１に記載のＤＣスパッタリン
グ装置。 - 【請求項４】 前記電気的絶縁部材はセラミックである
ことを特徴とする、請求項２に記載のＤＣスパッタリン
グ装置。 - 【請求項５】 前記電気的絶縁部材は高分子材料である
ことを特徴とする、請求項１に記載のＤＣスパッタリン
グ装置。 - 【請求項６】 前記電気的絶縁部材は高分子材料である
ことを特徴とする、請求項２に記載のＤＣスパッタリン
グ装置。 - 【請求項７】 少なくとも一種類以上の誘電体膜を有し
た光記録媒体を形成するＤＣスパッタリング装置におい
て、 前記光記録媒体の基板が固定されているパレット、また
は前記パレットを固定するキャリア、または前記パレッ
ト上に基板を取り付けるディスクベースのうち、少なく
とも一種類が電気的に絶縁された構成であることを特徴
とするＤＣスパッタリング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8172386A JPH1021586A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | Ｄｃスパッタリング装置 |
| US08/883,361 US6022462A (en) | 1996-07-02 | 1997-06-26 | DC sputtering system |
| KR1019970030458A KR980011183A (ko) | 1996-07-02 | 1997-07-01 | 스퍼터링 시스템 |
| FR9708265A FR2750788B1 (fr) | 1996-07-02 | 1997-07-01 | Installation de pulverisation en courant continu pour la formation d'un disque optique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8172386A JPH1021586A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | Ｄｃスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1021586A true JPH1021586A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15940968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8172386A Abandoned JPH1021586A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | Ｄｃスパッタリング装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6022462A (ja) |
| JP (1) | JPH1021586A (ja) |
| KR (1) | KR980011183A (ja) |
| FR (1) | FR2750788B1 (ja) |
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| WO2008108349A1 (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-12 | Shibaura Mechatronics Corporation | プラズマ処理装置 |
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| JP2017125258A (ja) * | 2007-03-22 | 2017-07-20 | サンパワー コーポレイション | 通過堆積システム |
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| JP3841106B1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-01 | ダイキン工業株式会社 | 生体侵襲反応低減方法、物質改質装置及び空気調和機 |
| DE102009048341A1 (de) * | 2009-06-06 | 2011-01-27 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Substratträger für Sputterbeschichtungsanlage |
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| JP6863199B2 (ja) | 2017-09-25 | 2021-04-21 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
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- 1996-07-02 JP JP8172386A patent/JPH1021586A/ja not_active Abandoned
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