JPH05320900A - 基板保持体及び基板保持方法 - Google Patents
基板保持体及び基板保持方法Info
- Publication number
- JPH05320900A JPH05320900A JP15453592A JP15453592A JPH05320900A JP H05320900 A JPH05320900 A JP H05320900A JP 15453592 A JP15453592 A JP 15453592A JP 15453592 A JP15453592 A JP 15453592A JP H05320900 A JPH05320900 A JP H05320900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- insulating member
- resin
- substrate holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリングやイオンプレーティングまた
はＣＶＤ等プラズマを利用した真空薄膜形成プロセスに
より、樹脂基板上に、基板支持部やマスキングの近傍部
分と、そこから離れた部分まで均一な薄膜を形成する方
法の提供にある。 【構成】 基板上に薄膜を形成する場合において、基板
支持やマスキング等の基板に直接当接する部分が樹脂、
ガラスまたはセラミックなどの絶縁性部材からなること
を特徴とする基板保持部材により均一な薄膜を形成させ
る。また、前記絶縁部材と、基板が同一部材であるこ
と、前記絶縁性部材が、フッ素系あるいはイミド樹脂で
あること、前記絶縁性部材が、紫外線硬化型樹脂により
形成されること、及び基板の基板保持部材と当接する部
分が、上記絶縁性性部材からなることを特徴とする。
はＣＶＤ等プラズマを利用した真空薄膜形成プロセスに
より、樹脂基板上に、基板支持部やマスキングの近傍部
分と、そこから離れた部分まで均一な薄膜を形成する方
法の提供にある。 【構成】 基板上に薄膜を形成する場合において、基板
支持やマスキング等の基板に直接当接する部分が樹脂、
ガラスまたはセラミックなどの絶縁性部材からなること
を特徴とする基板保持部材により均一な薄膜を形成させ
る。また、前記絶縁部材と、基板が同一部材であるこ
と、前記絶縁性部材が、フッ素系あるいはイミド樹脂で
あること、前記絶縁性部材が、紫外線硬化型樹脂により
形成されること、及び基板の基板保持部材と当接する部
分が、上記絶縁性性部材からなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマプロセスを利用
して機能性薄膜を形成する真空薄膜形成に関し、特に基
板の保持部材及び保持方法に関する。
して機能性薄膜を形成する真空薄膜形成に関し、特に基
板の保持部材及び保持方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ利用真空薄膜形成プロセ
スにおいては、真空槽内でのガス放出や不純物の発生等
による真空度保持の取扱容易性、加工の容易性、低製造
コスト化、材料入手の容易性等の点から、基板保持部材
やマスキング部材にステンレスやアルミニウム等の金属
材料が用いられてきた。特に、磁気ディスクや光デイス
ク等のように、樹脂製基板上の成膜領域が限定される場
合には基板外周部を支持するだけではなく、内周部も金
属製マスクで覆い、その状態でスパッタリング等の真空
成膜方式により基板上の必要部分のみ薄膜を形成して
た。また、光ディスクでは光磁気、相変化等の記録再生
方式こそ違っても、記録層構成の一部分に誘電体薄膜を
用いることが一般的で、その成膜方式の多くはＲＦスパ
ッタリングより行なわれている。さらに最近では、直流
電界や高周波電界のほか、マイクロ波を利用した成膜方
式が盛んに研究されている。
スにおいては、真空槽内でのガス放出や不純物の発生等
による真空度保持の取扱容易性、加工の容易性、低製造
コスト化、材料入手の容易性等の点から、基板保持部材
やマスキング部材にステンレスやアルミニウム等の金属
材料が用いられてきた。特に、磁気ディスクや光デイス
ク等のように、樹脂製基板上の成膜領域が限定される場
合には基板外周部を支持するだけではなく、内周部も金
属製マスクで覆い、その状態でスパッタリング等の真空
成膜方式により基板上の必要部分のみ薄膜を形成して
た。また、光ディスクでは光磁気、相変化等の記録再生
方式こそ違っても、記録層構成の一部分に誘電体薄膜を
用いることが一般的で、その成膜方式の多くはＲＦスパ
ッタリングより行なわれている。さらに最近では、直流
電界や高周波電界のほか、マイクロ波を利用した成膜方
式が盛んに研究されている。
【０００３】しかし、これらの方式はすベて電界を利用
した方式であるため、電極、プラズマ空間、基板、真空
槽等の間では常に電位差を生じている。例えば、ＤＣイ
オンプレーティングでは、蒸発源と基板間また真空槽と
の間に数十から数千ボルトの電位差を生じ、ＲＦイオン
プレーティングでは数百から数千ワットの高周波が投入
され、プラズマ空間と電極等との間に数百から数千ボル
トの電位差を与える。また、スパッタリングでは、強電
界の作用によりターゲットにイオンが突入し、これによ
りターゲット分子が叩き出されて薄膜が形成される。
した方式であるため、電極、プラズマ空間、基板、真空
槽等の間では常に電位差を生じている。例えば、ＤＣイ
オンプレーティングでは、蒸発源と基板間また真空槽と
の間に数十から数千ボルトの電位差を生じ、ＲＦイオン
プレーティングでは数百から数千ワットの高周波が投入
され、プラズマ空間と電極等との間に数百から数千ボル
トの電位差を与える。また、スパッタリングでは、強電
界の作用によりターゲットにイオンが突入し、これによ
りターゲット分子が叩き出されて薄膜が形成される。
【０００４】ところで、これらの方式では導電部と絶縁
部、つまりは電極部と例えばプラスチィックス基板面の
間の電界によりイオンの運動（速度・向き）が支配され
る。ここで問題となるのは、基板面内において基板保持
に用いている金属部分に近い基板面と、そこから遠い部
分では電界の集中の仕方が違い、膜質、及び／または膜
厚分布に違いが発生することである。さらには、グロー
放電を状態を超えアーク放電等を発生する場合には、基
板近傍電極部への電荷集中時に基板面を損傷してしまう
ことがあった。
部、つまりは電極部と例えばプラスチィックス基板面の
間の電界によりイオンの運動（速度・向き）が支配され
る。ここで問題となるのは、基板面内において基板保持
に用いている金属部分に近い基板面と、そこから遠い部
分では電界の集中の仕方が違い、膜質、及び／または膜
厚分布に違いが発生することである。さらには、グロー
放電を状態を超えアーク放電等を発生する場合には、基
板近傍電極部への電荷集中時に基板面を損傷してしまう
ことがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記理由に
鑑みなされたもので、スパッタリングやイオンプレーテ
ィングまたはＣＶＤ等プラズマを利用した真空薄膜形成
プロセスにより、樹脂基板上に、基板支持部やマスクの
近傍部分から、そこから離れた部分まで均一な薄膜を形
成する方法の提供にある。
鑑みなされたもので、スパッタリングやイオンプレーテ
ィングまたはＣＶＤ等プラズマを利用した真空薄膜形成
プロセスにより、樹脂基板上に、基板支持部やマスクの
近傍部分から、そこから離れた部分まで均一な薄膜を形
成する方法の提供にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタリン
グ、イオンプレーティングまたはＣＶＤ等プラズマを利
用した真空薄膜形成プロセスにより基板上に薄膜を形成
する場合において、基板保持やマスキング等の基板に直
接当接する部分が樹脂、ガラスまたはセラミックス等の
絶縁性部材からなる基板保持部材により均一な薄膜を形
成させることを特徴とする。
グ、イオンプレーティングまたはＣＶＤ等プラズマを利
用した真空薄膜形成プロセスにより基板上に薄膜を形成
する場合において、基板保持やマスキング等の基板に直
接当接する部分が樹脂、ガラスまたはセラミックス等の
絶縁性部材からなる基板保持部材により均一な薄膜を形
成させることを特徴とする。
【０００７】また、本発明は、前記絶縁性部材が基板と
同一材料であることを特徴とする。また、本発明は前記
絶縁性部材が、フッ素系あるいはイミド系樹脂であるこ
とを特徴とする。また、本発明は前記絶縁性部材が、紫
外線硬化型樹脂により形成されることを特徴とする。ま
た、本発明は、基板の基板保持部材と当接する部分が、
樹脂、ガラスまたはセラミックス等の絶縁性部材からな
ること特徴とする。
同一材料であることを特徴とする。また、本発明は前記
絶縁性部材が、フッ素系あるいはイミド系樹脂であるこ
とを特徴とする。また、本発明は前記絶縁性部材が、紫
外線硬化型樹脂により形成されることを特徴とする。ま
た、本発明は、基板の基板保持部材と当接する部分が、
樹脂、ガラスまたはセラミックス等の絶縁性部材からな
ること特徴とする。
【０００８】本発明はプラズマを利用した真空薄膜形成
プロセスにおける、基板保持部分を特殊な構成にした基
板保持部材及び保持方法である。図１には、従来の基板
保持方法（断面図）を示す。このように、従来の方法で
は基板保持部材３に基板保持のための切り込み、あるい
は突起部を設け基板１が落下しないように保持する。
プロセスにおける、基板保持部分を特殊な構成にした基
板保持部材及び保持方法である。図１には、従来の基板
保持方法（断面図）を示す。このように、従来の方法で
は基板保持部材３に基板保持のための切り込み、あるい
は突起部を設け基板１が落下しないように保持する。
【０００９】また、図２には光ディスク、あるいはハー
ドディスク等の円盤状の基板に対し、それぞれ必要な部
分のみ薄膜を形成するための基板保持部材（断面図）を
示す。一般には基板保持機能を併せ持つ内マスク６、外
マスク５からなり、それぞれのマスクは図中示すような
磁石７、あるいはねじ留め等により基板と共に固定され
る。この状態のまま成膜を行なうことにより、マスク部
分には薄膜が形成されず、基板上の必要な部分（記録部
等）のみ成膜される。図２では被薄膜形成面が下向きに
示したが、成膜方法により横向き、あるいは上向きにさ
れることは言うまでもない。
ドディスク等の円盤状の基板に対し、それぞれ必要な部
分のみ薄膜を形成するための基板保持部材（断面図）を
示す。一般には基板保持機能を併せ持つ内マスク６、外
マスク５からなり、それぞれのマスクは図中示すような
磁石７、あるいはねじ留め等により基板と共に固定され
る。この状態のまま成膜を行なうことにより、マスク部
分には薄膜が形成されず、基板上の必要な部分（記録部
等）のみ成膜される。図２では被薄膜形成面が下向きに
示したが、成膜方法により横向き、あるいは上向きにさ
れることは言うまでもない。
【００１０】しかし、これらの方法では被薄膜形成面端
部と基板支持体が直接、あるいはごく近距離で接するた
め、プラズマプロセスにおいては基板支持体に集中する
電界により、被薄膜形成面端部と中心部では膜質に変化
が生じる。さらには、基板と基板支持体の熱吸収係数等
の違いや高周波を用いた場合にはその誘導加熱により、
基板と基板ホルダの間には温度差を生じ、その影響で被
薄膜形成面端部と中心部では温度差ができ、膜質に変化
が生じる。
部と基板支持体が直接、あるいはごく近距離で接するた
め、プラズマプロセスにおいては基板支持体に集中する
電界により、被薄膜形成面端部と中心部では膜質に変化
が生じる。さらには、基板と基板支持体の熱吸収係数等
の違いや高周波を用いた場合にはその誘導加熱により、
基板と基板ホルダの間には温度差を生じ、その影響で被
薄膜形成面端部と中心部では温度差ができ、膜質に変化
が生じる。
【００１１】そこで、本発明では図３、図４に示すよう
に基板と基板支持体の接する部分に樹脂、ガラスまたは
セラミックスなどの絶縁性部材８からなる部分を設け、
電界や熱の影響を被薄膜形成面端部でも少なくすること
により全面において均一な薄膜を形成することが可能と
なる。また、図５に示すようなチャキング９を必要とす
るマスク等では、メタルを内部に挿入したリ、影響が少
ないようにねじ穴を設ける。
に基板と基板支持体の接する部分に樹脂、ガラスまたは
セラミックスなどの絶縁性部材８からなる部分を設け、
電界や熱の影響を被薄膜形成面端部でも少なくすること
により全面において均一な薄膜を形成することが可能と
なる。また、図５に示すようなチャキング９を必要とす
るマスク等では、メタルを内部に挿入したリ、影響が少
ないようにねじ穴を設ける。
【００１２】さらには、熱の影響を少なくするために基
板と同質の材料を支持部に用いたり、加工が容易で耐熱
性に優れ、洗浄等を行なう場合にも耐薬品性に優れたフ
ッ素系ポリイミド系の樹脂を用いるとよい。これらフッ
素系あるいはポリミド系の樹脂は真空でも自身からのガ
ス放出が少ないことも利点である。ガス放出の多いアク
リル、ポリカーボネート、ポリエチレン等では、比較的
ガス含有量が少なく硬度も高いＵＶ硬化樹脂によりコー
ティングすることも有用である。
板と同質の材料を支持部に用いたり、加工が容易で耐熱
性に優れ、洗浄等を行なう場合にも耐薬品性に優れたフ
ッ素系ポリイミド系の樹脂を用いるとよい。これらフッ
素系あるいはポリミド系の樹脂は真空でも自身からのガ
ス放出が少ないことも利点である。ガス放出の多いアク
リル、ポリカーボネート、ポリエチレン等では、比較的
ガス含有量が少なく硬度も高いＵＶ硬化樹脂によりコー
ティングすることも有用である。
【００１３】上記では、基板支持体の一部に樹脂、ガラ
スまたはセラミックスなどの絶縁性部材を用いたが、基
板支持体自体を絶縁製部材にしてもよい。また、プラス
チィックレンズ成形等では、成形時にレンズ部だけでは
なく樹脂導入部も同時に硬化し、金型から取り出した後
にレンズ部を切り出しているが、その切捨て部を成膜時
に基板支持体に当接するように保持し、成膜後に切り離
すことも有用である。
スまたはセラミックスなどの絶縁性部材を用いたが、基
板支持体自体を絶縁製部材にしてもよい。また、プラス
チィックレンズ成形等では、成形時にレンズ部だけでは
なく樹脂導入部も同時に硬化し、金型から取り出した後
にレンズ部を切り出しているが、その切捨て部を成膜時
に基板支持体に当接するように保持し、成膜後に切り離
すことも有用である。
【００１４】
【発明の効果】本発明により、基板端部にまで均一な薄
膜形成が可能となる。
膜形成が可能となる。
図１ 図１は従来の基板保持体の断面図を示す。 図２ 図２は光ディスク、あるいはハードディスク等の円盤状
の基板に対し、それぞれ必要な部分のみ薄膜を形成する
ための基板保持体を示す。 図３ 図３は本発明の基板と基板支持体の当接する部分に樹
脂、ガラス、セラミックス等の絶縁部材を設けた図であ
る。 図４ 図４は本発明の基板と基板支持体の当接する部分に樹
脂、ガラス、セラミックス等の絶縁部材を設けた他の例
を示す図である。 図５ 図５はチャキングを必要とするようなマスクを装填した
状態を示す図である。
の基板に対し、それぞれ必要な部分のみ薄膜を形成する
ための基板保持体を示す。 図３ 図３は本発明の基板と基板支持体の当接する部分に樹
脂、ガラス、セラミックス等の絶縁部材を設けた図であ
る。 図４ 図４は本発明の基板と基板支持体の当接する部分に樹
脂、ガラス、セラミックス等の絶縁部材を設けた他の例
を示す図である。 図５ 図５はチャキングを必要とするようなマスクを装填した
状態を示す図である。
１ 基板 ２ 成膜面 ３ 基板支持体 ４ 基板 ５ 外マスク ６ 内マスク ７ 磁石 ８ 本発明による絶縁部材 ９ チャキング用メタル
Claims (5)
- 【請求項１】 スパッタリング、イオンプレーティング
またはＣＶＤ等プラズマを利用した真空薄膜形成プロセ
スにより基板上に薄膜を形成する場合において、基板保
持やマスキング等の基板に直接当接する部分が樹脂、ガ
ラスまたはセラミックス等の絶縁性部材からなることを
特徴とする基板保持部材。 - 【請求項２】 前記絶縁性部材が、基板と同一部材であ
ることを特微とする請求項１に記載の基板保持体。 - 【請求項３】 前記絶縁性部材が、フッ素系あるいはイ
ミド系の樹脂であることを特微する請求項１に記載の基
板保持部材。 - 【請求項４】 前記絶縁性部材が、紫外線硬化型樹脂に
より形成されることを特微とする請求項１に記載の基板
保持部材。 - 【請求項５】 基板の基板保持部材と当接する部分が、
樹脂、ガラスまたはセラミックス等の絶縁性部材からな
ること特徴とする基板保持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15453592A JPH05320900A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 基板保持体及び基板保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15453592A JPH05320900A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 基板保持体及び基板保持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05320900A true JPH05320900A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=15586384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15453592A Pending JPH05320900A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 基板保持体及び基板保持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05320900A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2750788A1 (fr) * | 1996-07-02 | 1998-01-09 | Sony Corp | Installation de pulverisation en courant continu pour la formation d'un disque optique |
| KR100962494B1 (ko) * | 2002-11-02 | 2010-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP15453592A patent/JPH05320900A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2750788A1 (fr) * | 1996-07-02 | 1998-01-09 | Sony Corp | Installation de pulverisation en courant continu pour la formation d'un disque optique |
| US6022462A (en) * | 1996-07-02 | 2000-02-08 | Sony Corporation | DC sputtering system |
| KR100962494B1 (ko) * | 2002-11-02 | 2010-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 |
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