JP2559546B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JP2559546B2 JP2559546B2 JP3240797A JP24079791A JP2559546B2 JP 2559546 B2 JP2559546 B2 JP 2559546B2 JP 3240797 A JP3240797 A JP 3240797A JP 24079791 A JP24079791 A JP 24079791A JP 2559546 B2 JP2559546 B2 JP 2559546B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜分布及び膜質が良好
な成膜が再現性良く形成できるスパッタリング装置に関
するものである。
な成膜が再現性良く形成できるスパッタリング装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】デジタル化した音声情報や画像情報を大
量に記憶する手段としてコンパクトディスク（以下、Ｃ
Ｄと略称する）が最近広く使われている。
量に記憶する手段としてコンパクトディスク（以下、Ｃ
Ｄと略称する）が最近広く使われている。
【０００３】ＬＤやＣＤの内代表してＣＤの機能につい
て説明すると、ポリカーボネートなどのような透明な合
成樹脂基板（以下基板と記載する）表面には、「１」
「０」のディジタル情報に合せてピットと称する小さい
凹凸を設け更に、この表面にスパッタリング法により高
光反射率のアルミニューム（Ａｌ）薄膜を形成してか
ら、この凹凸の有無をレーザ光の反射光波を入射光と比
較するなどの方法で、記録情報を読みだすことができ
る。また、一枚の基板に薄膜を堆積するのには、スパッ
タリング法により比較的短時間で行われることから、多
数の基板に連続的に行う装置が用いられている。
て説明すると、ポリカーボネートなどのような透明な合
成樹脂基板（以下基板と記載する）表面には、「１」
「０」のディジタル情報に合せてピットと称する小さい
凹凸を設け更に、この表面にスパッタリング法により高
光反射率のアルミニューム（Ａｌ）薄膜を形成してか
ら、この凹凸の有無をレーザ光の反射光波を入射光と比
較するなどの方法で、記録情報を読みだすことができ
る。また、一枚の基板に薄膜を堆積するのには、スパッ
タリング法により比較的短時間で行われることから、多
数の基板に連続的に行う装置が用いられている。
【０００４】連続的な処理ができるスパッタリング装置
は、図３に明らかにするように、スパッタリングに必要
な磁界装置１、スパッタリング領域２、ターゲット３と
基板４を主要部分としており更に、連続的な処理が行な
える搬送機構に大別できる。図４は、連続スパッタリン
グ装置にとって、主要な搬送機構を取出した構成図であ
り、ベルトコンベアなどの外部搬送機構２１により次々
に搬送される基板４は、軸中心に回転すると共に上下方
向に移動可能な吸着ヘッド２２に取付けた円盤状の吸着
パッド２３に吸着してから、スパッタリング装置内部２
ａに搬送する。スパッタリング装置内部２ａでは、吸着
ヘッド２２と同じく軸中心に回転すると共に上下方向に
移動可能な搬送テーブル１１に乗せてから、図３に示す
スパッタリング装置により所定の工程を施す。即ち、搬
送テーブル１１によってスパッタリング室下部２ｂに運
ばれた基板４は、スパッタリング領域２の一部を構成
し、マスク５下端面に密着するように図３に明らかにす
るプッシャー１３により押上げる。基板４には、中央部
分と外周部分を残して薄膜を堆積するために、マスク５
が不可欠な部品となる。
は、図３に明らかにするように、スパッタリングに必要
な磁界装置１、スパッタリング領域２、ターゲット３と
基板４を主要部分としており更に、連続的な処理が行な
える搬送機構に大別できる。図４は、連続スパッタリン
グ装置にとって、主要な搬送機構を取出した構成図であ
り、ベルトコンベアなどの外部搬送機構２１により次々
に搬送される基板４は、軸中心に回転すると共に上下方
向に移動可能な吸着ヘッド２２に取付けた円盤状の吸着
パッド２３に吸着してから、スパッタリング装置内部２
ａに搬送する。スパッタリング装置内部２ａでは、吸着
ヘッド２２と同じく軸中心に回転すると共に上下方向に
移動可能な搬送テーブル１１に乗せてから、図３に示す
スパッタリング装置により所定の工程を施す。即ち、搬
送テーブル１１によってスパッタリング室下部２ｂに運
ばれた基板４は、スパッタリング領域２の一部を構成
し、マスク５下端面に密着するように図３に明らかにす
るプッシャー１３により押上げる。基板４には、中央部
分と外周部分を残して薄膜を堆積するために、マスク５
が不可欠な部品となる。
【０００５】また、スパッタリング領域２は、内接した
防着シールド１５ａ、１５ｂとマスク５及びターゲット
３により構成し、ターゲット３は、バッキングプレート
７（陰極として動作する）に隣接して固定され、バッキ
ングプレート７内に冷却機構（図示せず）を併設する。
ターゲット３の表面では、７５Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電
力が投入されるので、相当な熱を生ずる。この熱による
表面温度上昇を２００℃〜３００℃以下に押えるために
また、ターゲット３が変形したり、バッキングプレート
７とターゲット３の間に隙間が生じるのを防ぐために、
内部にリング状の空洞（図示せず）を形成し、給水管９
より冷却水を供給する。
防着シールド１５ａ、１５ｂとマスク５及びターゲット
３により構成し、ターゲット３は、バッキングプレート
７（陰極として動作する）に隣接して固定され、バッキ
ングプレート７内に冷却機構（図示せず）を併設する。
ターゲット３の表面では、７５Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電
力が投入されるので、相当な熱を生ずる。この熱による
表面温度上昇を２００℃〜３００℃以下に押えるために
また、ターゲット３が変形したり、バッキングプレート
７とターゲット３の間に隙間が生じるのを防ぐために、
内部にリング状の空洞（図示せず）を形成し、給水管９
より冷却水を供給する。
【０００６】ターゲット３は、ねじ１０などによりスパ
ッタ領域２の側からバッキングプレート７に固定する。
ッタ領域２の側からバッキングプレート７に固定する。
【０００７】基板４のない時のスパッタリング領域２の
排気は、マスク５の空間や防着シールド内排気口１８ａ
を通り、排気口１８ｂから例えばターボ分子ポンプ（図
示せず）で行う。マスク５は、基板４を支持すると共
に、基板４にとって不必要な温度上昇を防ぐ役割を担っ
ているために外形寸法を、高精度に製作し、その膨脹力
を利用して冷却された壁２４に密着固定して冷却する方
式が採られている。
排気は、マスク５の空間や防着シールド内排気口１８ａ
を通り、排気口１８ｂから例えばターボ分子ポンプ（図
示せず）で行う。マスク５は、基板４を支持すると共
に、基板４にとって不必要な温度上昇を防ぐ役割を担っ
ているために外形寸法を、高精度に製作し、その膨脹力
を利用して冷却された壁２４に密着固定して冷却する方
式が採られている。
【０００８】また、スパッタリング領域２の形成に不可
欠な磁界装置１をバッキングプレート７の上方にスパッ
タリング領域２の中心位置より偏心して取付ると共に、
図示しないモータの回転駆動により、スパッタされるタ
ーゲット３の利用効率の向上を図っている。
欠な磁界装置１をバッキングプレート７の上方にスパッ
タリング領域２の中心位置より偏心して取付ると共に、
図示しないモータの回転駆動により、スパッタされるタ
ーゲット３の利用効率の向上を図っている。
【０００９】基板４へのスパッタリング膜の成膜に当た
っては、スパッタリング領域の圧力を成膜に必要なアル
ゴンガスを導入部１６から供給して０．６Ｐａ程度に
し、ターゲット３に直流電界を投入することにより、ア
ルゴンガスイオンによるスパッタリング作用が起り、基
板４表面に例えばＡｌ膜が形成される。成膜後には、放
電を停止させて、基板４を再び搬送テーブル１１に乗せ
て取出す。
っては、スパッタリング領域の圧力を成膜に必要なアル
ゴンガスを導入部１６から供給して０．６Ｐａ程度に
し、ターゲット３に直流電界を投入することにより、ア
ルゴンガスイオンによるスパッタリング作用が起り、基
板４表面に例えばＡｌ膜が形成される。成膜後には、放
電を停止させて、基板４を再び搬送テーブル１１に乗せ
て取出す。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記のようにＣＤの製
造には、基板４の中央部分及び外周部分をマスクした状
態で製造しなければならない。また、アルゴンガスイオ
ンによるスパッタリング工程に伴ってターゲットが高温
になり、基板４に対する熱弊害を防止する観点からバッ
キングプレート７には、冷却機構を設置している。
造には、基板４の中央部分及び外周部分をマスクした状
態で製造しなければならない。また、アルゴンガスイオ
ンによるスパッタリング工程に伴ってターゲットが高温
になり、基板４に対する熱弊害を防止する観点からバッ
キングプレート７には、冷却機構を設置している。
【００１１】マスクを構成する中心マスクの支持は、外
周マスクと支持棒により連結することにより行なう手段
が採られており、冷却効率を上げるために支持棒はある
一定値以上の断面積が必要になる。しかし、断面積を大
きくすると冷却効果が大きくなるが、スパッタリング工
程においては、ディスクに対して支持棒の影響により影
が発生して、Ａｌなどの堆積膜厚が不均一となる。
周マスクと支持棒により連結することにより行なう手段
が採られており、冷却効率を上げるために支持棒はある
一定値以上の断面積が必要になる。しかし、断面積を大
きくすると冷却効果が大きくなるが、スパッタリング工
程においては、ディスクに対して支持棒の影響により影
が発生して、Ａｌなどの堆積膜厚が不均一となる。
【００１２】このため支持棒の太さ、高さ及び圧力など
をパラメータとしてＡｌなどの堆積条件の最適値を求め
てきたが影を全くなくすことができなかった。
をパラメータとしてＡｌなどの堆積条件の最適値を求め
てきたが影を全くなくすことができなかった。
【００１３】本発明は、このような条件の基で成された
もので、膜厚分布が良好で、再現性の高い堆積膜を形成
することができるスパッタリング装置を提供することを
目的とするものである。
もので、膜厚分布が良好で、再現性の高い堆積膜を形成
することができるスパッタリング装置を提供することを
目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明に係るスパッタリ
ング装置は、外囲器内に、蒸発材料でなりバッキングプ
レートに重ねられて冷却手段を有するターゲット、前記
ターゲットに対向し配 置される基板、前記バッキングプ
レートに隣接し配置された磁界装置、前記ターゲットと
基板との対向面の間に形成されたスパッタリング領域、
前記ターゲットおよびスパッタリング領域を囲み配置さ
れたアノード、前記アノードに電気的に接続され基板の
スパッタリング領域側主面の端部に接する部位に凸部を
有するアノードマスク、および前記ターゲットに接続し
対向する基板の主面中央部に接する部位に凸部を有する
カソードマスクを具備したことを特徴とする。
ング装置は、外囲器内に、蒸発材料でなりバッキングプ
レートに重ねられて冷却手段を有するターゲット、前記
ターゲットに対向し配 置される基板、前記バッキングプ
レートに隣接し配置された磁界装置、前記ターゲットと
基板との対向面の間に形成されたスパッタリング領域、
前記ターゲットおよびスパッタリング領域を囲み配置さ
れたアノード、前記アノードに電気的に接続され基板の
スパッタリング領域側主面の端部に接する部位に凸部を
有するアノードマスク、および前記ターゲットに接続し
対向する基板の主面中央部に接する部位に凸部を有する
カソードマスクを具備したことを特徴とする。
【００１５】本発明に係わるスパッタリング装置では、
ターゲットにカソードマスクの一端を接続すると共に、
他方の一端を基板部分に接する方式を採って、従来の中
心マスク部と外周マスク部を接続する支持棒の影による
堆積膜のむらをなくした。カソードマスクの形状は、縦
方向即ち基板とターゲットを結ぶ方向のみに形成される
ので、支持棒による膜のトラップ効果が無くなり、付着
効率が良くなり１０〜１５％程ターゲットライフが長く
なった。叙上の如く、中心マスクをダーゲットに接続
し、外周マスクをアノードと接続して、中心マスクと外
周マスクが異電位になる構造にすると、例えばＡｌを基
板上に成膜した時、この膜を通してカソードマスクとア
ノード膜質が短絡する現象が発生する。そこで凸部の形
成により短絡現象を防止して膜質の向上を図るものであ
る。
ターゲットにカソードマスクの一端を接続すると共に、
他方の一端を基板部分に接する方式を採って、従来の中
心マスク部と外周マスク部を接続する支持棒の影による
堆積膜のむらをなくした。カソードマスクの形状は、縦
方向即ち基板とターゲットを結ぶ方向のみに形成される
ので、支持棒による膜のトラップ効果が無くなり、付着
効率が良くなり１０〜１５％程ターゲットライフが長く
なった。叙上の如く、中心マスクをダーゲットに接続
し、外周マスクをアノードと接続して、中心マスクと外
周マスクが異電位になる構造にすると、例えばＡｌを基
板上に成膜した時、この膜を通してカソードマスクとア
ノード膜質が短絡する現象が発生する。そこで凸部の形
成により短絡現象を防止して膜質の向上を図るものであ
る。
【００１６】
【実施例】本発明に係わる一実施例を図１〜図２を参照
して説明する。図１は、スパッタリング装置の構造の要
部を示す断面図であり、従来の技術と同じくスパッタリ
ングに必要な磁界装置１、ターゲット３、基板４及びス
パッタリング領域２が主要な部分である。また、連続的
な処理を可能とするために、従来の技術として図３及び
図４に明らかにした搬送機構が設置されているが、重複
を避けるために説明を省略する。
して説明する。図１は、スパッタリング装置の構造の要
部を示す断面図であり、従来の技術と同じくスパッタリ
ングに必要な磁界装置１、ターゲット３、基板４及びス
パッタリング領域２が主要な部分である。また、連続的
な処理を可能とするために、従来の技術として図３及び
図４に明らかにした搬送機構が設置されているが、重複
を避けるために説明を省略する。
【００１７】最重要なスパッタリング領域２は、ターゲ
ット３とこれに対向して配置する被処理物例えばポリカ
ーボネート樹脂から成る基板４更に、ターゲット３を囲
んで設けるアノード領域である防着シールド１５及びカ
ソードマスク５ａ、アノードマスク５ｂで構成する。こ
の結果、スパッタリング領域２は、ターゲット３、防着
シールド１５及びカソードマスク５ａ、アノードマスク
５ｂならびに基板４に隣接する形となる。
ット３とこれに対向して配置する被処理物例えばポリカ
ーボネート樹脂から成る基板４更に、ターゲット３を囲
んで設けるアノード領域である防着シールド１５及びカ
ソードマスク５ａ、アノードマスク５ｂで構成する。こ
の結果、スパッタリング領域２は、ターゲット３、防着
シールド１５及びカソードマスク５ａ、アノードマスク
５ｂならびに基板４に隣接する形となる。
【００１８】ターゲット３をスパッタリングするのに不
可欠な磁界装置１は、図１に明らかなように、スパッタ
リング領域２の中心より偏心して配置する。磁石６によ
り発生する磁力線の中で、ターゲット３の表面と磁場が
平行になると、その部分が最もスパッタリングされる。
このために、磁石６を永久磁石で構成し、中央の磁石６
ａと、これを取囲むように円形に周囲の磁石６ｂを配置
しかつ、スパッタリング領域２の中心位置の軸Ａを中心
として例えばモータにより偏心して回転駆動する。７５
Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電力が投入されるターゲット３に
は、バッキングプレート７を重ねた状態で取付けると共
に、その内部にリング状の空洞７ａを形成し、これを外
囲器８に形成する給水管９に連結することにより冷却水
を循環して、ターゲット３表面の温度を２００℃〜３０
０℃に抑える。この結果、ターゲット３が熱により変形
したり、バッキングプレート７とターゲット３の間に隙
間が生じるのを防止している。ハウジング１４とバッキ
ングプレート７の固定は、絶縁部材１７を間挿した状態
で機械的例えばねじを使用する。
可欠な磁界装置１は、図１に明らかなように、スパッタ
リング領域２の中心より偏心して配置する。磁石６によ
り発生する磁力線の中で、ターゲット３の表面と磁場が
平行になると、その部分が最もスパッタリングされる。
このために、磁石６を永久磁石で構成し、中央の磁石６
ａと、これを取囲むように円形に周囲の磁石６ｂを配置
しかつ、スパッタリング領域２の中心位置の軸Ａを中心
として例えばモータにより偏心して回転駆動する。７５
Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電力が投入されるターゲット３に
は、バッキングプレート７を重ねた状態で取付けると共
に、その内部にリング状の空洞７ａを形成し、これを外
囲器８に形成する給水管９に連結することにより冷却水
を循環して、ターゲット３表面の温度を２００℃〜３０
０℃に抑える。この結果、ターゲット３が熱により変形
したり、バッキングプレート７とターゲット３の間に隙
間が生じるのを防止している。ハウジング１４とバッキ
ングプレート７の固定は、絶縁部材１７を間挿した状態
で機械的例えばねじを使用する。
【００１９】ＣＤ用のディスクでは、中央部分と外周部
分とで成膜部分を限定する必要があるために、これに相
当する基板４部分には、カソードマスク５ａ及びアノー
ドマスク５ｂを設置して非スパッタリング部分を形成す
る。
分とで成膜部分を限定する必要があるために、これに相
当する基板４部分には、カソードマスク５ａ及びアノー
ドマスク５ｂを設置して非スパッタリング部分を形成す
る。
【００２０】カソードマスク５ａ及びアノードマスク５
ｂは、導電性金属例えば銅または銅合金から成り、中央
部分のカソードマスク５ａと基板４の端部を覆う外周の
アノードマスク５ｂで構成して、従来のような基板４の
直径方向を横切る部分を省略する。
ｂは、導電性金属例えば銅または銅合金から成り、中央
部分のカソードマスク５ａと基板４の端部を覆う外周の
アノードマスク５ｂで構成して、従来のような基板４の
直径方向を横切る部分を省略する。
【００２１】カソードマスク５ａの固定は、ターゲット
３とバッキングプレート７に取付ける例えばねじ１０を
利用する。従って、カソードマスク５ａと、ターゲット
３及びバッキングプレート７間は、完全に固定するのに
対して、基板４とは単なる接触状態となる。従来の技術
欄に記載したように、搬送テーブル１１により搬送され
た基板４は、シリンダー機構１２を備えるプッシャー１
３により押上げることにより、アノードマスク５ｂ及び
カソードマスク５ａと接触状態とする。スパッタリング
領域２には、ハウジング１４の内側に防着シールド１５
が配置される。スパッタリング工程に必要なアルゴンガ
スは導入部１６より投入される。ターゲット３にスパッ
タ電力を投入するとアルゴンイオンがターゲット３の表
面を衝撃し、ターゲット材料（Ａｌ）をスパッタリング
し、基板４にＡｌ膜が形成される。一方アルゴンガスの
排気は外周のアノードマスク５ｂに形成される排気口２
０により行なわれる。さらに、カソードマスク５ａ及び
アノードマスク５ｂの寸法の詳細は図２に示されるよう
に、ターゲット３に接続する中央のカソードマスク５ａ
及び外周のアノードマスク５ｂの基板４との対向面（図
の下面）の端部に凸部１９が形成されている。凸部１９
の寸法の一例を示すと、その高さが０．１ｍｍ〜０．３
ｍｍであり、外周のアノードマスク５ｂに設けられてい
る凸部１９内側間の距離を１１９ｍｍ、外側間のそれを
１２１ｍｍとする。また、中央部分５ａの外径が４１ｍ
ｍ、ここに形成する凸部１９の内径が３８ｍｍ、外径を
４０ｍｍとする。 ハウジング１４と、ターゲット３やバ
ッキングプレート７の固定は、絶縁部材１７を間挿した
状態で機械的例えばねじを利用する。
３とバッキングプレート７に取付ける例えばねじ１０を
利用する。従って、カソードマスク５ａと、ターゲット
３及びバッキングプレート７間は、完全に固定するのに
対して、基板４とは単なる接触状態となる。従来の技術
欄に記載したように、搬送テーブル１１により搬送され
た基板４は、シリンダー機構１２を備えるプッシャー１
３により押上げることにより、アノードマスク５ｂ及び
カソードマスク５ａと接触状態とする。スパッタリング
領域２には、ハウジング１４の内側に防着シールド１５
が配置される。スパッタリング工程に必要なアルゴンガ
スは導入部１６より投入される。ターゲット３にスパッ
タ電力を投入するとアルゴンイオンがターゲット３の表
面を衝撃し、ターゲット材料（Ａｌ）をスパッタリング
し、基板４にＡｌ膜が形成される。一方アルゴンガスの
排気は外周のアノードマスク５ｂに形成される排気口２
０により行なわれる。さらに、カソードマスク５ａ及び
アノードマスク５ｂの寸法の詳細は図２に示されるよう
に、ターゲット３に接続する中央のカソードマスク５ａ
及び外周のアノードマスク５ｂの基板４との対向面（図
の下面）の端部に凸部１９が形成されている。凸部１９
の寸法の一例を示すと、その高さが０．１ｍｍ〜０．３
ｍｍであり、外周のアノードマスク５ｂに設けられてい
る凸部１９内側間の距離を１１９ｍｍ、外側間のそれを
１２１ｍｍとする。また、中央部分５ａの外径が４１ｍ
ｍ、ここに形成する凸部１９の内径が３８ｍｍ、外径を
４０ｍｍとする。 ハウジング１４と、ターゲット３やバ
ッキングプレート７の固定は、絶縁部材１７を間挿した
状態で機械的例えばねじを利用する。
【００２２】カソードマスク５ａの形状は、図１及び図
２に示すものの他に、中心部と外周部を併せ持った形、
外周部だけを持った形などが考えられ、これもまたカソ
ードマスクとして機能することができる。
２に示すものの他に、中心部と外周部を併せ持った形、
外周部だけを持った形などが考えられ、これもまたカソ
ードマスクとして機能することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明に係わるスパッタリング装置は、
カソードマスクをターゲットを介してバッキングプレー
トに接続すると共に、その他の一端を基板に接する方式
とする。スパッタリング装置のターゲットと基板間に沿
ってカソードマスク、アノード マスクを配置して従来防
ぐことができなかった基板上の影をなくすことができ、
また複雑な形状でないので、廉価に製造を行なうことが
できる。また、図２に示すようにカソードマスク５ａ及
びアノードマスク５ｂに凸部１９を形成することによ
り、スパッタリング膜３０が絶縁基板に堆積してもカソ
ードマスクと膜及びアノードマスクとの間に生じ易い短
絡現象を防止できる。しかも、基板に堆積するスパッタ
リング膜の電気抵抗値が目標となる膜厚においては、比
較的高い０．２Ω／□であることが幸いしている。
カソードマスクをターゲットを介してバッキングプレー
トに接続すると共に、その他の一端を基板に接する方式
とする。スパッタリング装置のターゲットと基板間に沿
ってカソードマスク、アノード マスクを配置して従来防
ぐことができなかった基板上の影をなくすことができ、
また複雑な形状でないので、廉価に製造を行なうことが
できる。また、図２に示すようにカソードマスク５ａ及
びアノードマスク５ｂに凸部１９を形成することによ
り、スパッタリング膜３０が絶縁基板に堆積してもカソ
ードマスクと膜及びアノードマスクとの間に生じ易い短
絡現象を防止できる。しかも、基板に堆積するスパッタ
リング膜の電気抵抗値が目標となる膜厚においては、比
較的高い０．２Ω／□であることが幸いしている。
【００２４】しかも、冷却したバッキングプレートと接
続しているので、カソードマスク、アノードマスクの冷
却効率を上げることができ、バッキングプレートを一体
化することにより直接冷却することも可能になる。
続しているので、カソードマスク、アノードマスクの冷
却効率を上げることができ、バッキングプレートを一体
化することにより直接冷却することも可能になる。
【００２５】更に、カソードマスク、アノードマスク
は、ターゲットと基板の間をさえぎる方向には設置しな
いために、ターゲットから飛でた材料の付着効率が良く
なり、従来よりターゲットライフが１０％〜１５％向上
させることができた。影がなくなったことにより成膜す
るＡｌ膜の厚さを薄くすることも可能となった。
は、ターゲットと基板の間をさえぎる方向には設置しな
いために、ターゲットから飛でた材料の付着効率が良く
なり、従来よりターゲットライフが１０％〜１５％向上
させることができた。影がなくなったことにより成膜す
るＡｌ膜の厚さを薄くすることも可能となった。
【００２６】本発明によるマスクは、ＣＤのアルミ成膜
に限らず、ミニディスクやレーザディスク、光磁気ディ
スクの成膜にも応用できる。
に限らず、ミニディスクやレーザディスク、光磁気ディ
スクの成膜にも応用できる。
【図１】本発明に係るスパッタリング装置の概略を示す
断面図、
断面図、
【図２】（ａ）は図１に示すスパッタリング装置のマス
ク部を示す断面図、（ｂ）はマスク部とスパッタリング
膜の堆積状態を示す断面図、
ク部を示す断面図、（ｂ）はマスク部とスパッタリング
膜の堆積状態を示す断面図、
【図３】従来例のスパッタリング装置の概略を示す断面
図、
図、
【図４】従来例のスパッタリング装置における搬送装置
の概略を示す断面図。
の概略を示す断面図。
１…磁界装置 ２…スパッタリング領域 ３…ターゲット ４…基板 ５ａ…カソードマスク ５ｂ…アノードマスク ６…磁石 ７…バッキングプレート ７ａ…空洞 ８…外囲器 ９…給水管 １０…ネジ １１…搬送テーブル １２…シリンダ機構 １３…プッシャ １４…ハウジング １５…防着シールド １６…Ａｒガス導入部 １７…絶縁部材 １９…凸部 ２０…排気口 ２１…外部搬送機構 ２２…吸着ヘッド ２３…吸着パッド ２４…壁 ３０…スパッタリング膜 Ａ…軸
Claims (1)
- 【請求項１】 外囲器内に、蒸発材料でなりバッキング
プレートに重ねられて冷却手段を有するターゲット、前
記ターゲットに対向し配置される基板、前記バッキング
プレートに隣接し配置された磁界装置、前記ターゲット
と基板との対向面の間に形成されたスパッタリング領
域、前記ターゲットおよびスパッタリング領域を囲み配
置されたアノード、前記アノードに電気的に接続され基
板のスパッタリング領域側主面の端部に接する部位に凸
部を有するアノードマスク、および前記ターゲットに接
続し対向する基板の主面中央部に接する部位に凸部を有
するカソードマスクを具備したことを特徴とするスパッ
タリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240797A JP2559546B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240797A JP2559546B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578834A JPH0578834A (ja) | 1993-03-30 |
| JP2559546B2 true JP2559546B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=17064835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240797A Expired - Fee Related JP2559546B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559546B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0578833A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4020659C2 (de) * | 1990-06-29 | 1997-09-11 | Leybold Ag | Katodenzerstäubungsvorrichtung |
| JPH0578833A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3240797A patent/JP2559546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0578834A (ja) | 1993-03-30 |
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