JPH0578833A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPH0578833A JPH0578833A JP3240796A JP24079691A JPH0578833A JP H0578833 A JPH0578833 A JP H0578833A JP 3240796 A JP3240796 A JP 3240796A JP 24079691 A JP24079691 A JP 24079691A JP H0578833 A JPH0578833 A JP H0578833A
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- target
- sputtering
- mask
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＬＤやＣＤ用ディスクの中心部と端部には、
非成膜部を設けるためスパッタリング装置では、マスク
が不可欠であり、その形状は、中央円形部、外周環状部
及びこれを支える縦横の橋絡部を設置していた。縦横橋
絡部のためにスパッタリング工程で生ずる影の問題を解
消するスパッタリング装置を提供する点。 【構成】 このために本発明に係わるスパッタリング装
置では、基板に接して配置するマスクの中、マスクカソ
ードを、基板とターゲット間方向に沿った方向に形成す
る方式を採用する。この結果、スバッタリング工程によ
る成膜効率が向上し、従来より１０％〜１５％増のター
ゲットライフを得ることができ、影の問題も解消する。
非成膜部を設けるためスパッタリング装置では、マスク
が不可欠であり、その形状は、中央円形部、外周環状部
及びこれを支える縦横の橋絡部を設置していた。縦横橋
絡部のためにスパッタリング工程で生ずる影の問題を解
消するスパッタリング装置を提供する点。 【構成】 このために本発明に係わるスパッタリング装
置では、基板に接して配置するマスクの中、マスクカソ
ードを、基板とターゲット間方向に沿った方向に形成す
る方式を採用する。この結果、スバッタリング工程によ
る成膜効率が向上し、従来より１０％〜１５％増のター
ゲットライフを得ることができ、影の問題も解消する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜分布及び膜質が良好
な成膜が再現性良く形成できるスパッタリング装置に関
するものである。
な成膜が再現性良く形成できるスパッタリング装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】デジタル化した音声情報や画像情報を大
量に記憶する手段としてコンパクトディスク（以下、Ｃ
Ｄと略称する）やレーザディスク（以下、ＬＤと記載す
る）が最近広く使われている。
量に記憶する手段としてコンパクトディスク（以下、Ｃ
Ｄと略称する）やレーザディスク（以下、ＬＤと記載す
る）が最近広く使われている。
【０００３】ＬＤやＣＤの内代表してＣＤの機能につい
て説明すると、ポリカーボネイトなどのような透明な合
成樹脂基板（以下基板と記載する）表面には、「１」
「０」のディジタル情報に合せてピットと称する小さい
凹凸を設け更に、この表面にスパッタリング法により高
光反射率のアルミニュ−ム（Al) 薄膜を形成してから、
この凹凸の有無をレーザ光の反射光を入射光と比較する
などの方法で、記録情報を読みだすことができる。ま
た、一枚の基板に薄膜を堆積するのには、スパッタリン
グ法により比較的短時間で行われることから、多数の基
板に連続的に行う装置が用いられている。
て説明すると、ポリカーボネイトなどのような透明な合
成樹脂基板（以下基板と記載する）表面には、「１」
「０」のディジタル情報に合せてピットと称する小さい
凹凸を設け更に、この表面にスパッタリング法により高
光反射率のアルミニュ−ム（Al) 薄膜を形成してから、
この凹凸の有無をレーザ光の反射光を入射光と比較する
などの方法で、記録情報を読みだすことができる。ま
た、一枚の基板に薄膜を堆積するのには、スパッタリン
グ法により比較的短時間で行われることから、多数の基
板に連続的に行う装置が用いられている。
【０００４】連続的な処理ができるスパッタリング装置
は、図５に明らかにするように、スパッタリングに必要
な磁界装置１、スパッタリング領域２、ターゲット３と
基板４を主要部分としており更に、連続的な処理が行な
える搬送機構に大別できる。図６は、連続スパッタリン
グ装置にとって、主要な搬送機構を取出した構成図であ
り、ベルトコンベアなどの外部搬送機構２０により次々
に搬送される基板４は、軸中心に回転すると共に上下方
向に移動可能な吸着ヘッド２１に取付けた円盤状の吸着
パッド２２に吸着してから、スパッタリング室２a に搬
送する。
は、図５に明らかにするように、スパッタリングに必要
な磁界装置１、スパッタリング領域２、ターゲット３と
基板４を主要部分としており更に、連続的な処理が行な
える搬送機構に大別できる。図６は、連続スパッタリン
グ装置にとって、主要な搬送機構を取出した構成図であ
り、ベルトコンベアなどの外部搬送機構２０により次々
に搬送される基板４は、軸中心に回転すると共に上下方
向に移動可能な吸着ヘッド２１に取付けた円盤状の吸着
パッド２２に吸着してから、スパッタリング室２a に搬
送する。
【０００５】スパッタリング室２a では、吸着ヘッド２
１と同じく軸中心に回転すると共に上下方向に移動可能
な搬送テーブル１１に乗せてから、図５に示すスパッタ
リング装置により所定の工程を施す。即ち、搬送テーブ
ル１１によってスパッタリング領域２に運ばれた基板４
は、スパッタリング領域２の一部を構成し、マスク５下
端面に密着するように図５に明らかにするプッシャー１
３により押上げる。基板４には、中央部分と外周部分を
残して薄膜を堆積するために、マスク５が不可欠な部品
となる。
１と同じく軸中心に回転すると共に上下方向に移動可能
な搬送テーブル１１に乗せてから、図５に示すスパッタ
リング装置により所定の工程を施す。即ち、搬送テーブ
ル１１によってスパッタリング領域２に運ばれた基板４
は、スパッタリング領域２の一部を構成し、マスク５下
端面に密着するように図５に明らかにするプッシャー１
３により押上げる。基板４には、中央部分と外周部分を
残して薄膜を堆積するために、マスク５が不可欠な部品
となる。
【０００６】また、スパッタリング領域２は、内接した
防着シールド１５ａ、１５ｂとマスク５及びターゲット
３により構成し、ターゲット３は、バッキングプレート
７（陰極として稼働する）に隣接して固定され、バッキ
ングプレート７内に冷却機構（図示せず）を併設する。
ターゲット３表面では、７５Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電界
が形成されるので、相当な熱を生ずる。この熱による表
面温度上昇を２００℃〜３００℃以下に押えるためにま
た、ターゲット３が変形したり、バッキングプレート７
間に隙間が生じるのを防ぐために、内部にリング状の空
洞（図示せず）を形成し、給水管９より冷却水を供給す
る。
防着シールド１５ａ、１５ｂとマスク５及びターゲット
３により構成し、ターゲット３は、バッキングプレート
７（陰極として稼働する）に隣接して固定され、バッキ
ングプレート７内に冷却機構（図示せず）を併設する。
ターゲット３表面では、７５Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電界
が形成されるので、相当な熱を生ずる。この熱による表
面温度上昇を２００℃〜３００℃以下に押えるためにま
た、ターゲット３が変形したり、バッキングプレート７
間に隙間が生じるのを防ぐために、内部にリング状の空
洞（図示せず）を形成し、給水管９より冷却水を供給す
る。
【０００７】ターゲット３とバッキングプレート７の固
定は、ねじ１０などによるが、ターゲット３は、スパッ
タ領域２の側からバッキングプレート７に固定する。
定は、ねじ１０などによるが、ターゲット３は、スパッ
タ領域２の側からバッキングプレート７に固定する。
【０００８】基板４のない時のスパッタリング領域２の
排気は、マスク５の空間や防着シールド内排気口１８ａ
を通り、排気口１８ｂから例えばターボ分子ポンプ（図
示せず）で行う。
排気は、マスク５の空間や防着シールド内排気口１８ａ
を通り、排気口１８ｂから例えばターボ分子ポンプ（図
示せず）で行う。
【０００９】マスク５は、基板４を支持すると共に、Ｃ
Ｄにとって不必要な温度上昇を防ぐ役割を担っているた
めに外形寸法を、高精度に製作し、その膨脹力を利用し
て冷却された壁２３に密着固定して冷却する方式が採ら
れている。
Ｄにとって不必要な温度上昇を防ぐ役割を担っているた
めに外形寸法を、高精度に製作し、その膨脹力を利用し
て冷却された壁２３に密着固定して冷却する方式が採ら
れている。
【００１０】また、スパッタリング領域２の形成に不可
欠な磁界装置１をバッキングプレート７の上方にスパッ
タリング領域２の中心位置より偏心して取付ると共に、
図示しないモータの回転駆動により、形成磁界の均一化
と、スパッタされるターゲット３の利用効率の向上とを
図っている。
欠な磁界装置１をバッキングプレート７の上方にスパッ
タリング領域２の中心位置より偏心して取付ると共に、
図示しないモータの回転駆動により、形成磁界の均一化
と、スパッタされるターゲット３の利用効率の向上とを
図っている。
【００１１】基板４へのスパッタリング膜の堆積に当た
っては、成膜に必要なアルゴンガスを導入部１６から供
給して０．６Ｐａ程度に設定することにより、放電磁界
のもとでアルゴンガスイオンによるスパッタリング作用
により、基板４表面に例えばＡｌ膜が形成される。堆積
後には、放電を停止して、基板４を再び搬送テーブル１
１に乗せて取出す。
っては、成膜に必要なアルゴンガスを導入部１６から供
給して０．６Ｐａ程度に設定することにより、放電磁界
のもとでアルゴンガスイオンによるスパッタリング作用
により、基板４表面に例えばＡｌ膜が形成される。堆積
後には、放電を停止して、基板４を再び搬送テーブル１
１に乗せて取出す。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】前記のようにＣＤの製
造には、基板４の中央部分及び外周部分をマスクした状
態で製造しなければならない。また、放電磁界のもとに
おけるアルゴンガスイオンによるスパッタリング工程に
伴う高温による弊害を防止する観点からバッキングプレ
ート７には、冷却機構を設置している。
造には、基板４の中央部分及び外周部分をマスクした状
態で製造しなければならない。また、放電磁界のもとに
おけるアルゴンガスイオンによるスパッタリング工程に
伴う高温による弊害を防止する観点からバッキングプレ
ート７には、冷却機構を設置している。
【００１３】マスクを構成する中心マスクの支持は、外
周マスクと支持棒により連結することにより行なう手段
が採られており、支持棒は、ある一定値以上の断面積が
必要になる。断面積を大きくすると冷却効果が大きくな
るが、スパッタリング工程においては、ディスクに対し
て支持棒の影響により影が発生して、Ａｌなどの堆積膜
が不均一となる。
周マスクと支持棒により連結することにより行なう手段
が採られており、支持棒は、ある一定値以上の断面積が
必要になる。断面積を大きくすると冷却効果が大きくな
るが、スパッタリング工程においては、ディスクに対し
て支持棒の影響により影が発生して、Ａｌなどの堆積膜
が不均一となる。
【００１４】このため支持棒の太さ、高さ及び圧力など
をパラメータとしてＡｌなどの堆積条件の最適値を求め
てきたが良質のものができなかった。
をパラメータとしてＡｌなどの堆積条件の最適値を求め
てきたが良質のものができなかった。
【００１５】本発明は、このような条件の基で成された
もので、膜分布が良好で、再現性のある良質の堆積膜を
スパッタリング工程で形成することができるスパッタリ
ング装置を提供することを目的とするものである。
もので、膜分布が良好で、再現性のある良質の堆積膜を
スパッタリング工程で形成することができるスパッタリ
ング装置を提供することを目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】蒸発材料であるターゲッ
トと，前記ターゲットに対向して配置する基板と，前記
タ−ゲットに重ねるバッキングプレートと，前記バッキ
ングプレートに設ける冷却機構と，前記バッキングプレ
ートに隣接して配置する磁界装置と，前記ターゲット及
び基板に隣接して形成するスパッタリング領域と，前記
ターゲット、基板及びスパッタリング領域を囲んで配置
するアノード領域と，前記ターゲットに接続しかつ、こ
れに対応する前記基板に接して形成するマスクカソード
を具備する点に本発明に係わるスパッタリング装置の特
徴がある。
トと，前記ターゲットに対向して配置する基板と，前記
タ−ゲットに重ねるバッキングプレートと，前記バッキ
ングプレートに設ける冷却機構と，前記バッキングプレ
ートに隣接して配置する磁界装置と，前記ターゲット及
び基板に隣接して形成するスパッタリング領域と，前記
ターゲット、基板及びスパッタリング領域を囲んで配置
するアノード領域と，前記ターゲットに接続しかつ、こ
れに対応する前記基板に接して形成するマスクカソード
を具備する点に本発明に係わるスパッタリング装置の特
徴がある。
【００１７】蒸発材料であるターゲットと，前記ターゲ
ットに対向して配置する基板と，前記ターゲットに重ね
るバッキングプレートと，前記バッキングプレートに設
ける冷却機構と，前記バッキングプレートに隣接して配
置する磁界装置と，前記ターゲット及び基板に隣接して
形成するスパッタリング領域と，前記ターゲット及び基
板を囲んで配置するアノード領域と，前記ターゲツトの
中央部分に接続すると共に、これに対応する前記基板部
分に接して形成するマスクカソードにも本発明に係わる
スパッタリング装置の特徴がある。
ットに対向して配置する基板と，前記ターゲットに重ね
るバッキングプレートと，前記バッキングプレートに設
ける冷却機構と，前記バッキングプレートに隣接して配
置する磁界装置と，前記ターゲット及び基板に隣接して
形成するスパッタリング領域と，前記ターゲット及び基
板を囲んで配置するアノード領域と，前記ターゲツトの
中央部分に接続すると共に、これに対応する前記基板部
分に接して形成するマスクカソードにも本発明に係わる
スパッタリング装置の特徴がある。
【００１８】
【作用】本発明に係わるスパッタリング装置では、ター
ゲットにマスクの一端を接続すると共に、これに対応す
る基板部分に接する方式を採って、堆積膜にマスク支持
棒のかげによるむらをなくした。しかも、マスクの形状
は、縦方向即ち基板とターゲットを結ぶ方向のみに形成
されるので、支持棒によるカゲが無くなったことによ
り、成膜効率が良くなり、タ−ゲットライフも１０〜１
５％程増加することが分っている。
ゲットにマスクの一端を接続すると共に、これに対応す
る基板部分に接する方式を採って、堆積膜にマスク支持
棒のかげによるむらをなくした。しかも、マスクの形状
は、縦方向即ち基板とターゲットを結ぶ方向のみに形成
されるので、支持棒によるカゲが無くなったことによ
り、成膜効率が良くなり、タ−ゲットライフも１０〜１
５％程増加することが分っている。
【００１９】
【実施例】本発明に係わる一実施例を図１〜図４を参照
して説明する。図１は、スバッタリング装置の構造の要
部を示す断面図であり、従来の技術と同じくスパッタリ
ングに必要な磁界装置１、ターゲット３、基板４及びス
パッタリング領域２が主要な部分である。また、連続的
な処理を可能とするために、従来の技術として図５及び
図６に明らかにした搬送機構が設置されているが、重複
を避けるために説明を省略する。
して説明する。図１は、スバッタリング装置の構造の要
部を示す断面図であり、従来の技術と同じくスパッタリ
ングに必要な磁界装置１、ターゲット３、基板４及びス
パッタリング領域２が主要な部分である。また、連続的
な処理を可能とするために、従来の技術として図５及び
図６に明らかにした搬送機構が設置されているが、重複
を避けるために説明を省略する。
【００２０】最重要なスパッタリング領域２は、ターゲ
ット３とこれに対向して配置する被処理物即ち透明な例
えばポリカーボネイト樹脂から成る基板４更に、ターゲ
ット３を囲んで設けるシールド及びマスク５で構成す
る。この結果、スパッタリング領域２は、ターゲット３
ならびに基板４に隣接する形となる。
ット３とこれに対向して配置する被処理物即ち透明な例
えばポリカーボネイト樹脂から成る基板４更に、ターゲ
ット３を囲んで設けるシールド及びマスク５で構成す
る。この結果、スパッタリング領域２は、ターゲット３
ならびに基板４に隣接する形となる。
【００２１】ターゲット３をスパッタリングするのに不
可欠な磁界装置１は、図１に明らかなように、スパッタ
リング領域２の中心より偏心して配置する。磁石６によ
り発生する磁力線の中で、ターゲット３の表面と磁場が
平行になると、その部分が最もスパッタリングされる。
このために、磁石６を永久磁石で構成し、中央の磁石６
ａと、これを取囲むように円形に周囲の磁石６ｂを配置
しかつ、スパッタリング領域２の中心位置の軸Ａを中心
として例えばモータにより偏心して回転駆動する。
可欠な磁界装置１は、図１に明らかなように、スパッタ
リング領域２の中心より偏心して配置する。磁石６によ
り発生する磁力線の中で、ターゲット３の表面と磁場が
平行になると、その部分が最もスパッタリングされる。
このために、磁石６を永久磁石で構成し、中央の磁石６
ａと、これを取囲むように円形に周囲の磁石６ｂを配置
しかつ、スパッタリング領域２の中心位置の軸Ａを中心
として例えばモータにより偏心して回転駆動する。
【００２２】７５Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電界が表面に形
成されるターゲット３には、バッキングプレート７を重
ねた状態で取付けると共に、その内部にリング状の空洞
７ａを形成し、これを外囲器８に形成する給水管９に連
結することにより冷却水を循環して、ターゲット３表面
の温度を２００℃〜３００℃に抑える。この結果、ター
ゲット３が熱により変形したり、バッキングプレート７
間に隙間が生じるのを防止するし、バッキングプレート
７は、カソードとして機能する。
成されるターゲット３には、バッキングプレート７を重
ねた状態で取付けると共に、その内部にリング状の空洞
７ａを形成し、これを外囲器８に形成する給水管９に連
結することにより冷却水を循環して、ターゲット３表面
の温度を２００℃〜３００℃に抑える。この結果、ター
ゲット３が熱により変形したり、バッキングプレート７
間に隙間が生じるのを防止するし、バッキングプレート
７は、カソードとして機能する。
【００２３】ＣＤ用のディスクでは、中央部分と外周部
分に非成膜部分を形成する必要があるために、これに相
当する基板４部分には、マスク５ｂ及びマスクカソード
５ａを設置して非スパッタリング部分を形成する。
分に非成膜部分を形成する必要があるために、これに相
当する基板４部分には、マスク５ｂ及びマスクカソード
５ａを設置して非スパッタリング部分を形成する。
【００２４】マスク５ｂ及びマスクカソード５ａは、導
電性金属例えば銅または銅合金から成り、基板４の端部
を覆う外周部分と中心部を覆う中央部分とで構成して、
従来のような基板４の直径方向を横切る部分を省略す
る。即ち、図１に明らかにしたスパッタリング装置で
は、マスクカソ−ド５ａはターゲット３に接続している
ので前記のようにカソードとして機能するのに対して、
外周のマスク５ｂは、アノ−ドとして作用する。
電性金属例えば銅または銅合金から成り、基板４の端部
を覆う外周部分と中心部を覆う中央部分とで構成して、
従来のような基板４の直径方向を横切る部分を省略す
る。即ち、図１に明らかにしたスパッタリング装置で
は、マスクカソ−ド５ａはターゲット３に接続している
ので前記のようにカソードとして機能するのに対して、
外周のマスク５ｂは、アノ−ドとして作用する。
【００２５】マスクカソ−ド５ａの固定は、ターゲット
３とバッキングプレート７に取付ける例えばねじ１０を
利用する。従って、マスクカソード５ａと、ターゲット
３及びバッキングプレート７間は、完全に固定するのに
対して、基板４とは単なる接触状態となる。従来の技術
欄に記載したように、搬送テーブル１１により搬送した
基板４は、シリンダー機構１２を備えるプッシャー１３
により押上げることによりマスク５ｂ及びマスクカソー
ド５ａを接触状態とする。また、スパッタリング領域２
には、ハウジング１４の内側に防着シールド１５を配置
する。スパッタリング工程に必要なアルゴンガスの導入
部１６を、ハウジング１４の一部に設置して、アルゴン
原子によるターゲット３へのスパッタリングを発生し
て、基板４に所定の金属を成膜する。
３とバッキングプレート７に取付ける例えばねじ１０を
利用する。従って、マスクカソード５ａと、ターゲット
３及びバッキングプレート７間は、完全に固定するのに
対して、基板４とは単なる接触状態となる。従来の技術
欄に記載したように、搬送テーブル１１により搬送した
基板４は、シリンダー機構１２を備えるプッシャー１３
により押上げることによりマスク５ｂ及びマスクカソー
ド５ａを接触状態とする。また、スパッタリング領域２
には、ハウジング１４の内側に防着シールド１５を配置
する。スパッタリング工程に必要なアルゴンガスの導入
部１６を、ハウジング１４の一部に設置して、アルゴン
原子によるターゲット３へのスパッタリングを発生し
て、基板４に所定の金属を成膜する。
【００２６】ハウジング１４と、ターゲット３やバッキ
ングプレート７の固定は、絶縁部材１７を間挿した状態
で機械的例えばねじを利用する。
ングプレート７の固定は、絶縁部材１７を間挿した状態
で機械的例えばねじを利用する。
【００２７】このようなスパッタリング領域２の排気
は、マスク５ｂに形成する排気口１９による。即ち、図
２〜図４に明らかにするように、スパッタリング領域２
内外に連通する複数の排気口１９を切削工程で設けてあ
り、この工程により排気経路が長くなって、排気口１９
内に吸入するスパッタリング成分は、屈折路１９ａや１
９ｂに吸着する。しかし、吸着は、スバッタリング領域
２に近い部分から始まるので、スパッタリング成分が搬
送室側に広がることが防止できる。また、迷路構造の屈
折路は、一回以上の屈折でも差支えない。
は、マスク５ｂに形成する排気口１９による。即ち、図
２〜図４に明らかにするように、スパッタリング領域２
内外に連通する複数の排気口１９を切削工程で設けてあ
り、この工程により排気経路が長くなって、排気口１９
内に吸入するスパッタリング成分は、屈折路１９ａや１
９ｂに吸着する。しかし、吸着は、スバッタリング領域
２に近い部分から始まるので、スパッタリング成分が搬
送室側に広がることが防止できる。また、迷路構造の屈
折路は、一回以上の屈折でも差支えない。
【００２８】マスクカソード５ａの形状は、図１及び図
２に示すものの他に、中心部と外周部を併せ持った形、
外周部だけを持った形などが考えられ、これもまたマス
クカソードとして機能することができる。
２に示すものの他に、中心部と外周部を併せ持った形、
外周部だけを持った形などが考えられ、これもまたマス
クカソードとして機能することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上要するに、本発明に係わるスパッタ
リング装置は、マスクカソードをターゲットやバッキン
グプレートに接続すると共に、被処理基板に接する方式
により固定する。その接続に当たっては、スパッタリン
グ装置のターゲットと基板方向に沿ってマスクカソード
を配置しているので、スパッタリング工程時における影
がなくすことができるし、複雑な形状でないので、廉価
で製造ができる。
リング装置は、マスクカソードをターゲットやバッキン
グプレートに接続すると共に、被処理基板に接する方式
により固定する。その接続に当たっては、スパッタリン
グ装置のターゲットと基板方向に沿ってマスクカソード
を配置しているので、スパッタリング工程時における影
がなくすことができるし、複雑な形状でないので、廉価
で製造ができる。
【００３０】しかも、冷却したバッキングプレートと接
続しているので、マスクカソードの冷却効率を上げるこ
とができし、直接冷却することも可能になる。
続しているので、マスクカソードの冷却効率を上げるこ
とができし、直接冷却することも可能になる。
【００３１】更に、マスクカソードは、ターゲットの接
続方向に沿った方向だけに設置するので、成膜効率が良
くなり、従来より１０％〜１５％増のターゲットライフ
を得ることができ、ひいては成膜したＡｌ膜の厚さを薄
くすることも可能になる。
続方向に沿った方向だけに設置するので、成膜効率が良
くなり、従来より１０％〜１５％増のターゲットライフ
を得ることができ、ひいては成膜したＡｌ膜の厚さを薄
くすることも可能になる。
【図１】本発明に係わるスパッタリング装置の概略を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１のスパッタリング装置のマスク部を拡大し
て示す斜視図である。
て示す斜視図である。
【図３】図２に明らかにした排気孔を拡大した斜視図で
ある。
ある。
【図４】図２に示した排気孔を構成する屈折路の断面図
である。
である。
【図５】従来のスパッタリング装置の概略を示す断面図
である。
である。
【図６】従来のスパッタリング装置の搬送装置の概略を
示す断面図である。
示す断面図である。
１：磁界装置、 ２：スパッタリング領域、 ３：ターゲット、 ４：基板、 ５ａ：マスクカソード、 ５ｂ：マスク、 ６：磁石、 ７：バッキングプレート、 ７ａ：空洞、 ８：外囲器、 ９：給水管、 １０：ねじ、 １１：搬送テーブル、 １２：シリンダー機構、 １３：プッシャー、 １４：ハウジング、 １５：防着シールド、 １６：Ａｒガス導入部、 １７：絶縁部材、 １８：排気口、 １９ａ、１９ｂ：屈折路、 ２０：外部搬送装置、 ２１：吸着ヘッド、 ２２：吸着パッド。
Claims (2)
- 【請求項１】 蒸発材料から成るターゲットと，前記タ
ーゲットに対向して配置する基板と，前記ターゲットに
重ねるバッキングプレートと，前記バッキングプレート
に設ける冷却機構と，前記バッキングプレートに隣接し
て配置する磁界装置と，前記ターゲット及び基板に隣接
して形成するスパッタリング領域と，前記ターゲット、
基板及びスパッタリング領域を囲んで配置するアノード
領域と，前記ターゲットに接続しかつ、これに対応する
前記基板に接して形成するマスクカソードを具備するこ
とを特徴とするスパッタリング装置 - 【請求項２】 蒸発材料から成るターゲットと，前記タ
ーゲットに対向して配置する基板と，前記ターゲットに
重ねるバッキングプレートと，前記バッキングプレート
に設ける冷却機構と，前記バッキングプレートに隣接し
て配置する磁界装置と，前記ターゲット及び基板に隣接
して形成するスパッタリング領域と，前記ターゲット及
びスパッタリング領域を囲んで配置するアノード領域
と，前記ターゲツトの中央部分に接続すると共に、これ
に対応する前記基板部分に接して形成するマスクカソー
ドを具備することを特徴とするスパッタリング装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240796A JPH0578833A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240796A JPH0578833A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578833A true JPH0578833A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=17064821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240796A Pending JPH0578833A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0578833A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0578834A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
| US6159350A (en) * | 1994-01-19 | 2000-12-12 | Sony Disc Technology Inc. | Magnetron sputtering apparatus and mask |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0578834A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3240796A patent/JPH0578833A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0578834A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0578834A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
| US6159350A (en) * | 1994-01-19 | 2000-12-12 | Sony Disc Technology Inc. | Magnetron sputtering apparatus and mask |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050126 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050607 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |