JPH0578834A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPH0578834A JPH0578834A JP24079791A JP24079791A JPH0578834A JP H0578834 A JPH0578834 A JP H0578834A JP 24079791 A JP24079791 A JP 24079791A JP 24079791 A JP24079791 A JP 24079791A JP H0578834 A JPH0578834 A JP H0578834A
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- JP
- Japan
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- mask
- substrate
- sputtering
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜厚均一性の良いスパッタリング膜を堆積可
能にするスパッタリング装置を提供する点。 【構成】 本発明に係わるスパッタリング装置において
は、ＣＤ用ディスクの中心部と端部に、非成膜部を設け
るためにマスクが不可欠であり、その形状は、中央円形
部、外周環状部及びこれを支える縦横の橋絡部を設置し
ていた。縦横橋絡部のためにスパッタリング工程で生ず
る影の問題が避けられなかった。この問題を解消すると
共に、ターゲットまたはバッキングプレートから冷却を
伴ったマスクカソードを、基板に接して配置し、基板と
ターゲット間方向に沿った方向にマスクを形成する方式
を採用する。この結果、スバッタリング工程による膜の
効率効率が向上し、従来より１０％〜１５％増のターゲ
ットライフが得られ、影の問題も解消する。
能にするスパッタリング装置を提供する点。 【構成】 本発明に係わるスパッタリング装置において
は、ＣＤ用ディスクの中心部と端部に、非成膜部を設け
るためにマスクが不可欠であり、その形状は、中央円形
部、外周環状部及びこれを支える縦横の橋絡部を設置し
ていた。縦横橋絡部のためにスパッタリング工程で生ず
る影の問題が避けられなかった。この問題を解消すると
共に、ターゲットまたはバッキングプレートから冷却を
伴ったマスクカソードを、基板に接して配置し、基板と
ターゲット間方向に沿った方向にマスクを形成する方式
を採用する。この結果、スバッタリング工程による膜の
効率効率が向上し、従来より１０％〜１５％増のターゲ
ットライフが得られ、影の問題も解消する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜分布及び膜質が良好
な成膜が再現性良く形成できるスパッタリング装置に関
するものである。
な成膜が再現性良く形成できるスパッタリング装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】デジタル化した音声情報や画像情報を大
量に記憶する手段としてコンパクトディスク（以下、Ｃ
Ｄと略称する）が最近広く使われている。
量に記憶する手段としてコンパクトディスク（以下、Ｃ
Ｄと略称する）が最近広く使われている。
【０００３】ＬＤやＣＤの内代表してＣＤの機能につい
て説明すると、ポリカーボネ−トなどのような透明な合
成樹脂基板（以下基板と記載する）表面には、「１」
「０」のディジタル情報に合せてピットと称する小さい
凹凸を設け更に、この表面にスパッタリング法により高
光反射率のアルミニュ−ム（Al) 薄膜を形成してから、
この凹凸の有無をレーザ光の反射光を入射光と比較する
などの方法で、記録情報を読みだすことができる。ま
た、一枚の基板に薄膜を堆積するのには、スパッタリン
グ法により比較的短時間で行われることから、多数の基
板に連続的に行う装置が用いられている。
て説明すると、ポリカーボネ−トなどのような透明な合
成樹脂基板（以下基板と記載する）表面には、「１」
「０」のディジタル情報に合せてピットと称する小さい
凹凸を設け更に、この表面にスパッタリング法により高
光反射率のアルミニュ−ム（Al) 薄膜を形成してから、
この凹凸の有無をレーザ光の反射光を入射光と比較する
などの方法で、記録情報を読みだすことができる。ま
た、一枚の基板に薄膜を堆積するのには、スパッタリン
グ法により比較的短時間で行われることから、多数の基
板に連続的に行う装置が用いられている。
【０００４】連続的な処理ができるスパッタリング装置
は、図３に明らかにするように、スパッタリングに必要
な磁界装置１、スパッタリング領域２、ターゲット３と
基板４を主要部分としており更に、連続的な処理が行な
える搬送機構に大別できる。図４は、連続スパッタリン
グ装置にとって、主要な搬送機構を取出した構成図であ
り、ベルトコンベアなどの外部搬送機構２１により次々
に搬送される基板４は、軸中心に回転すると共に上下方
向に移動可能な吸着ヘッド２２に取付けた円盤状の吸着
パッド２３に吸着してから、スパッタリング装置内部２
aに搬送する。スパッタリング装置内部２a では、吸着
ヘッド２２と同じく軸中心に回転すると共に上下方向に
移動可能な搬送テーブル１１に乗せてから、図３に示す
スパッタリング装置により所定の工程を施す。即ち、搬
送テーブル１１によってスパッタリング室下部２ｂに運
ばれた基板４は、スパッタリング領域２の一部を構成
し、マスク５下端面に密着するように図３に明らかにす
るプッシャー１３により押上げる。基板４には、中央部
分と外周部分を残して薄膜を堆積するために、マスク５
が不可欠な部品となる。
は、図３に明らかにするように、スパッタリングに必要
な磁界装置１、スパッタリング領域２、ターゲット３と
基板４を主要部分としており更に、連続的な処理が行な
える搬送機構に大別できる。図４は、連続スパッタリン
グ装置にとって、主要な搬送機構を取出した構成図であ
り、ベルトコンベアなどの外部搬送機構２１により次々
に搬送される基板４は、軸中心に回転すると共に上下方
向に移動可能な吸着ヘッド２２に取付けた円盤状の吸着
パッド２３に吸着してから、スパッタリング装置内部２
aに搬送する。スパッタリング装置内部２a では、吸着
ヘッド２２と同じく軸中心に回転すると共に上下方向に
移動可能な搬送テーブル１１に乗せてから、図３に示す
スパッタリング装置により所定の工程を施す。即ち、搬
送テーブル１１によってスパッタリング室下部２ｂに運
ばれた基板４は、スパッタリング領域２の一部を構成
し、マスク５下端面に密着するように図３に明らかにす
るプッシャー１３により押上げる。基板４には、中央部
分と外周部分を残して薄膜を堆積するために、マスク５
が不可欠な部品となる。
【０００５】また、スパッタリング領域２は、内接した
防着シールド１５ａ、１５ｂとマスク５及びターゲット
３により構成し、ターゲット３は、バッキングプレート
７（陰極として稼働する）に隣接して固定され、バッキ
ングプレート７内に冷却機構（図示せず）を併設する。
ターゲット３表面では、７５Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電力
が投入されるので、相当な熱を生ずる。この熱による表
面温度上昇を２００℃〜３００℃以下に押えるためにま
た、ターゲット３が変形したり、バッキングプレート７
とターゲット３の間に隙間が生じるのを防ぐために、内
部にリング状の空洞（図示せず）を形成し、給水管９よ
り冷却水を供給する。
防着シールド１５ａ、１５ｂとマスク５及びターゲット
３により構成し、ターゲット３は、バッキングプレート
７（陰極として稼働する）に隣接して固定され、バッキ
ングプレート７内に冷却機構（図示せず）を併設する。
ターゲット３表面では、７５Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電力
が投入されるので、相当な熱を生ずる。この熱による表
面温度上昇を２００℃〜３００℃以下に押えるためにま
た、ターゲット３が変形したり、バッキングプレート７
とターゲット３の間に隙間が生じるのを防ぐために、内
部にリング状の空洞（図示せず）を形成し、給水管９よ
り冷却水を供給する。
【０００６】ターゲット３は、ねじ１０などによりスパ
ッタ領域２の側からバッキングプレート７に固定する。
ッタ領域２の側からバッキングプレート７に固定する。
【０００７】基板４のない時のスパッタリング領域２の
排気は、マスク５の空間や防着シールド内排気口１８ａ
を通り、排気口１８ｂから例えばターボ分子ポンプ（図
示せず）で行う。マスク５は、基板４を支持すると共
に、基板４にとって不必要な温度上昇を防ぐ役割を担っ
ているために外形寸法を、高精度に製作し、その膨脹力
を利用して冷却された壁２４に密着固定して冷却する方
式が採られている。
排気は、マスク５の空間や防着シールド内排気口１８ａ
を通り、排気口１８ｂから例えばターボ分子ポンプ（図
示せず）で行う。マスク５は、基板４を支持すると共
に、基板４にとって不必要な温度上昇を防ぐ役割を担っ
ているために外形寸法を、高精度に製作し、その膨脹力
を利用して冷却された壁２４に密着固定して冷却する方
式が採られている。
【０００８】また、スパッタリング領域２の形成に不可
欠な磁界装置１をバッキングプレート７の上方にスパッ
タリング領域２の中心位置より偏心して取付ると共に、
図示しないモータの回転駆動により、スパッタされるタ
ーゲット３の利用効率の向上を図っている。
欠な磁界装置１をバッキングプレート７の上方にスパッ
タリング領域２の中心位置より偏心して取付ると共に、
図示しないモータの回転駆動により、スパッタされるタ
ーゲット３の利用効率の向上を図っている。
【０００９】基板４へのスパッタリング膜の堆積に当た
っては、スパッタリング領域の圧力を成膜に必要なアル
ゴンガスを導入部１６から供給して０．６Ｐａ程度に
し、ターゲット３に直流電界を投入することにより、ア
ルゴンガスイオンによるスパッタリング作用が起り、基
板４表面に例えばＡｌ膜が形成される。堆積後には、放
電を停止させて、基板４を再び搬送テーブル１１に乗せ
て取出す。
っては、スパッタリング領域の圧力を成膜に必要なアル
ゴンガスを導入部１６から供給して０．６Ｐａ程度に
し、ターゲット３に直流電界を投入することにより、ア
ルゴンガスイオンによるスパッタリング作用が起り、基
板４表面に例えばＡｌ膜が形成される。堆積後には、放
電を停止させて、基板４を再び搬送テーブル１１に乗せ
て取出す。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記のようにＣＤの製
造には、基板４の中央部分及び外周部分をマスクした状
態で製造しなければならない。また、アルゴンガスイオ
ンによるスパッタリング工程に伴ってターゲットが高温
になり、基板４に対する熱弊害を防止する観点からバッ
キングプレート７には、冷却機構を設置している。
造には、基板４の中央部分及び外周部分をマスクした状
態で製造しなければならない。また、アルゴンガスイオ
ンによるスパッタリング工程に伴ってターゲットが高温
になり、基板４に対する熱弊害を防止する観点からバッ
キングプレート７には、冷却機構を設置している。
【００１１】マスクを構成する中心マスクの支持は、外
周マスクと支持棒により連結することにより行なう手段
が採られており、冷却効率を上げるために支持棒はある
一定値以上の断面積が必要になる。しかし、断面積を大
きくすると冷却効果が大きくなるが、スパッタリング工
程においては、ディスクに対して支持棒の影響により影
が発生して、Ａｌなどの堆積膜厚が不均一となる。
周マスクと支持棒により連結することにより行なう手段
が採られており、冷却効率を上げるために支持棒はある
一定値以上の断面積が必要になる。しかし、断面積を大
きくすると冷却効果が大きくなるが、スパッタリング工
程においては、ディスクに対して支持棒の影響により影
が発生して、Ａｌなどの堆積膜厚が不均一となる。
【００１２】このため支持棒の太さ、高さ及び圧力など
をパラメータとしてＡｌなどの堆積条件の最適値を求め
てきたが影を全くなくすことができなかった。
をパラメータとしてＡｌなどの堆積条件の最適値を求め
てきたが影を全くなくすことができなかった。
【００１３】本発明は、このような条件の基で成された
もので、膜分布が良好で、再現性のある堆積膜を形成す
ることができるスパッタリング装置を提供することを目
的とするものである。
もので、膜分布が良好で、再現性のある堆積膜を形成す
ることができるスパッタリング装置を提供することを目
的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】蒸発材料であるターゲッ
トと，前記ターゲットに対向して配置する基板と，前記
タ−ゲットに重ねるバッキングプレートと，前記バッキ
ングプレートに設ける冷却機構と，前記バッキングプレ
ートに隣接して配置する磁界装置と，前記ターゲット及
び基板に隣接して形成するスパッタリング領域と，前記
ターゲット、基板及びスパッタリング領域を囲んで配置
するアノード領域と，前記ターゲットに接続しかつ、こ
れに対応する前記基板に接して形成するマスクカソード
を具備する点に本発明に係わるスパッタリング装置の特
徴がある。
トと，前記ターゲットに対向して配置する基板と，前記
タ−ゲットに重ねるバッキングプレートと，前記バッキ
ングプレートに設ける冷却機構と，前記バッキングプレ
ートに隣接して配置する磁界装置と，前記ターゲット及
び基板に隣接して形成するスパッタリング領域と，前記
ターゲット、基板及びスパッタリング領域を囲んで配置
するアノード領域と，前記ターゲットに接続しかつ、こ
れに対応する前記基板に接して形成するマスクカソード
を具備する点に本発明に係わるスパッタリング装置の特
徴がある。
【００１５】蒸発材料であるターゲットと，前記ターゲ
ットに対向して配置する基板と，前記ターゲットに重ね
るバッキングプレートと，前記バッキングプレートに設
ける冷却機構と，前記バッキングプレートに隣接して配
置する磁界装置と，前記ターゲット及び基板に隣接して
形成するスパッタリング領域と，前記ターゲット、基板
及びスパッタリング領域を囲んで配置するアノード領域
と，前記ターゲツトの中央部分に接続すると共に、これ
に対応する前記基板部分に接して形成するマスクカソー
ドにも本発明に係わるスパッタリング装置の特徴があ
る。
ットに対向して配置する基板と，前記ターゲットに重ね
るバッキングプレートと，前記バッキングプレートに設
ける冷却機構と，前記バッキングプレートに隣接して配
置する磁界装置と，前記ターゲット及び基板に隣接して
形成するスパッタリング領域と，前記ターゲット、基板
及びスパッタリング領域を囲んで配置するアノード領域
と，前記ターゲツトの中央部分に接続すると共に、これ
に対応する前記基板部分に接して形成するマスクカソー
ドにも本発明に係わるスパッタリング装置の特徴があ
る。
【００１６】
【作用】本発明に係わるスパッタリング装置では、ター
ゲットにマスクカソードの一端を接続すると共に、他方
の一端を基板部分に接する方式を採って、従来の中心マ
スク部と外周マスク部を接続する支持棒の影による堆積
膜のむらをなくした。マスクカソードの形状は、縦方向
即ち基板とターゲットを結ぶ方向のみに形成されるの
で、支持棒による膜のトラップ効果が無くなり、付着効
率が良くなり１０〜１５％程ターゲットライフが長くな
った。
ゲットにマスクカソードの一端を接続すると共に、他方
の一端を基板部分に接する方式を採って、従来の中心マ
スク部と外周マスク部を接続する支持棒の影による堆積
膜のむらをなくした。マスクカソードの形状は、縦方向
即ち基板とターゲットを結ぶ方向のみに形成されるの
で、支持棒による膜のトラップ効果が無くなり、付着効
率が良くなり１０〜１５％程ターゲットライフが長くな
った。
【００１７】
【実施例】本発明に係わる一実施例を図１〜図２を参照
して説明する。図１は、スバッタリング装置の構造の要
部を示す断面図であり、従来の技術と同じくスパッタリ
ングに必要な磁界装置１、ターゲット３、基板４及びス
パッタリング領域２が主要な部分である。また、連続的
な処理を可能とするために、従来の技術として図３及び
図４に明らかにした搬送機構が設置されているが、重複
を避けるために説明を省略する。
して説明する。図１は、スバッタリング装置の構造の要
部を示す断面図であり、従来の技術と同じくスパッタリ
ングに必要な磁界装置１、ターゲット３、基板４及びス
パッタリング領域２が主要な部分である。また、連続的
な処理を可能とするために、従来の技術として図３及び
図４に明らかにした搬送機構が設置されているが、重複
を避けるために説明を省略する。
【００１８】最重要なスパッタリング領域２は、ターゲ
ット３とこれに対向して配置する被処理物例えばポリカ
ーボネ−ト樹脂から成る基板４更に、ターゲット３を囲
んで設けるアノード領域である防着シールド１５及びマ
スク５ａ、５ｂで構成する。この結果、スパッタリング
領域２は、ターゲット３、防着シールド１５及びマスク
５ａ、５ｂならびに基板４に隣接する形となる。
ット３とこれに対向して配置する被処理物例えばポリカ
ーボネ−ト樹脂から成る基板４更に、ターゲット３を囲
んで設けるアノード領域である防着シールド１５及びマ
スク５ａ、５ｂで構成する。この結果、スパッタリング
領域２は、ターゲット３、防着シールド１５及びマスク
５ａ、５ｂならびに基板４に隣接する形となる。
【００１９】ターゲット３をスパッタリングするのに不
可欠な磁界装置１は、図１に明らかなように、スパッタ
リング領域２の中心より偏心して配置する。磁石６によ
り発生する磁力線の中で、ターゲット３の表面と磁場が
平行になると、その部分が最もスパッタリングされる。
このために、磁石６を永久磁石で構成し、中央の磁石６
ａと、これを取囲むように円形に周囲の磁石６ｂを配置
しかつ、スパッタリング領域２の中心位置の軸Ａを中心
として例えばモータにより偏心して回転駆動する。７５
Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電力が投入されるターゲット３に
は、バッキングプレート７を重ねた状態で取付けると共
に、その内部にリング状の空洞７ａを形成し、これを外
囲器８に形成する給水管９に連結することにより冷却水
を循環して、ターゲット３表面の温度を２００℃〜３０
０℃に抑える。この結果、ターゲット３が熱により変形
したり、バッキングプレート７とターゲット３の間に隙
間が生じるのを防止している。ハウジング１４とバッキ
ングプレート７の固定は、絶縁部材１７を間挿した状態
で機械的例えばねじを使用する。
可欠な磁界装置１は、図１に明らかなように、スパッタ
リング領域２の中心より偏心して配置する。磁石６によ
り発生する磁力線の中で、ターゲット３の表面と磁場が
平行になると、その部分が最もスパッタリングされる。
このために、磁石６を永久磁石で構成し、中央の磁石６
ａと、これを取囲むように円形に周囲の磁石６ｂを配置
しかつ、スパッタリング領域２の中心位置の軸Ａを中心
として例えばモータにより偏心して回転駆動する。７５
Ｗ／ｃｍ2 程度の放電電力が投入されるターゲット３に
は、バッキングプレート７を重ねた状態で取付けると共
に、その内部にリング状の空洞７ａを形成し、これを外
囲器８に形成する給水管９に連結することにより冷却水
を循環して、ターゲット３表面の温度を２００℃〜３０
０℃に抑える。この結果、ターゲット３が熱により変形
したり、バッキングプレート７とターゲット３の間に隙
間が生じるのを防止している。ハウジング１４とバッキ
ングプレート７の固定は、絶縁部材１７を間挿した状態
で機械的例えばねじを使用する。
【００２０】ＣＤ用のディスクでは、中央部分と外周部
分に非成膜部分を形成する必要があるために、これに相
当する基板４部分には、外周マスク５ｂ及びマスクカソ
ード５ａを設置して非スパッタリング部分を形成する。
分に非成膜部分を形成する必要があるために、これに相
当する基板４部分には、外周マスク５ｂ及びマスクカソ
ード５ａを設置して非スパッタリング部分を形成する。
【００２１】外周マスク５ｂ及びマスクカソード５ａ
は、導電性金属例えば銅または銅合金から成り、基板４
の端部を覆う外周部分と中心部を覆う中央部分とで構成
して、従来のような基板４の直径方向を横切る部分を省
略する。
は、導電性金属例えば銅または銅合金から成り、基板４
の端部を覆う外周部分と中心部を覆う中央部分とで構成
して、従来のような基板４の直径方向を横切る部分を省
略する。
【００２２】マスクカソ−ド５ａの固定は、ターゲット
３とバッキングプレート７に取付ける例えばねじ１０を
利用する。従って、マスクカソード５ａと、ターゲット
３及びバッキングプレート７間は、完全に固定するのに
対して、基板４とは単なる接触状態となる。従来の技術
欄に記載したように、搬送テーブル１１により搬送した
基板４は、シリンダー機構１２を備えるプッシャー１３
により押上げることによりマスク５ｂ及びマスクカソー
ド５ａと接触状態とする。また、スパッタリング領域２
には、ハウジング１４の内側に防着シールド１５を配置
する。スパッタリング工程に必要なアルゴンガスは導入
部１６より投入する。ターゲット３にスパッタ電力を投
入するとアルゴンガスイオンがターゲット３表面を衝撃
し、ターゲット材料（Ａｌ）をスパッタリングし、基板
４にＡｌ膜を形成する。一方アルゴンガスの排気の一例
を示すと、外周マスク５ｂに形成する排気口２０により
行っている。
３とバッキングプレート７に取付ける例えばねじ１０を
利用する。従って、マスクカソード５ａと、ターゲット
３及びバッキングプレート７間は、完全に固定するのに
対して、基板４とは単なる接触状態となる。従来の技術
欄に記載したように、搬送テーブル１１により搬送した
基板４は、シリンダー機構１２を備えるプッシャー１３
により押上げることによりマスク５ｂ及びマスクカソー
ド５ａと接触状態とする。また、スパッタリング領域２
には、ハウジング１４の内側に防着シールド１５を配置
する。スパッタリング工程に必要なアルゴンガスは導入
部１６より投入する。ターゲット３にスパッタ電力を投
入するとアルゴンガスイオンがターゲット３表面を衝撃
し、ターゲット材料（Ａｌ）をスパッタリングし、基板
４にＡｌ膜を形成する。一方アルゴンガスの排気の一例
を示すと、外周マスク５ｂに形成する排気口２０により
行っている。
【００２３】マスクカソード５ａの形状は、図１及び図
２に示すものの他に、中心部と外周部を併せ持った形、
外周部だけを持った形などが考えられ、これもまたマス
クカソードとして機能することができる。
２に示すものの他に、中心部と外周部を併せ持った形、
外周部だけを持った形などが考えられ、これもまたマス
クカソードとして機能することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係わるスパッタリング装置は、
マスクカソードをターゲットやバッキングプレートに接
続すると共に、その他の一端を基板に接する方式とす
る。スパッタリング装置のターゲットと基板方向に沿っ
てマスクカソードを配置してため、従来防ぐことができ
なかった基板上の影をなくすでき、複雑な形状でないの
で、廉価で製造ができる。
マスクカソードをターゲットやバッキングプレートに接
続すると共に、その他の一端を基板に接する方式とす
る。スパッタリング装置のターゲットと基板方向に沿っ
てマスクカソードを配置してため、従来防ぐことができ
なかった基板上の影をなくすでき、複雑な形状でないの
で、廉価で製造ができる。
【００２５】しかも、冷却したバッキングプレートと接
続しているので、マスクカソードの冷却効率を上げるこ
とができ、バッキングプレートを一体化することによ
り、直接冷却することも可能になる。
続しているので、マスクカソードの冷却効率を上げるこ
とができ、バッキングプレートを一体化することによ
り、直接冷却することも可能になる。
【００２６】更に、マスクカソードは、ターゲットと基
板をさえぎる方向に設置しないために、ターゲットから
飛でた材料の付着効率が良くなり、従来よりターゲット
ライフが１０％〜１５％向上させることができた。影が
なくなったことにより成膜するＡｌ膜の厚さを薄くする
ことも可能となった。
板をさえぎる方向に設置しないために、ターゲットから
飛でた材料の付着効率が良くなり、従来よりターゲット
ライフが１０％〜１５％向上させることができた。影が
なくなったことにより成膜するＡｌ膜の厚さを薄くする
ことも可能となった。
【００２７】本発明によるカソードマスクは、ＣＤのア
ルミ成膜に限らず、ミニディスクやレーザディスク、光
磁気ディスクの成膜にも応用できる。
ルミ成膜に限らず、ミニディスクやレーザディスク、光
磁気ディスクの成膜にも応用できる。
【図１】本発明に係わるスパッタリング装置の概略を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１に示すスパッタリング装置のマスク部を拡
大して示す斜視図である。
大して示す斜視図である。
【図３】従来のスパッタリング装置の概略を示す断面図
である。
である。
【図４】従来のスパッタリング装置の搬送装置の概略を
示す断面図である。
示す断面図である。
１：磁界装置、 ２：スパッタリング領域、 ３：ターゲット、 ４：基板、 ５ａ：マスクカソード、 ５ｂ：マスク、 ６：磁石、 ７：バッキングプレート、 ７ａ：空洞、 ８：外囲器、 ９：給水管、 １０：ねじ、 １１：搬送テーブル、 １２：シリンダ機構、 １３：プッシャ−、 １４：ハウジング、 １５：防着シールド、 １６：Ａｒガス導入部、 １７：絶縁部材、 ２０：排気口、 ２１：外部搬送装置、 ２２：吸着ヘッド、 ２２：吸着パッド。
Claims (2)
- 【請求項１】 蒸発材料から成るターゲットと，前記タ
ーゲットに対向して配置する基板と，前記ターゲットに
重ねるバッキングプレートと，前記バッキングプレート
に設ける冷却機構と，前記バッキングプレートに隣接し
て配置する磁界装置と，前記ターゲット及び基板に隣接
して形成するスパッタリング領域と，前記ターゲット、
基板及びスパッタリング領域を囲んで配置するアノード
領域と，前記ターゲットに接続しかつ、これに対応する
前記基板に接して形成するマスクカソードを具備するこ
とを特徴とするスパッタリング装置 - 【請求項２】 蒸発材料から成るターゲットと，前記タ
ーゲットに対向して配置する基板と，前記ターゲットに
重ねるバッキングプレートと，前記バッキングプレート
に設ける冷却機構と，前記バッキングプレートに隣接し
て配置する磁界装置と，前記ターゲット及び基板に隣接
して形成するスパッタリング領域と，前記ターゲット，
基板及びスパッタリング領域を囲んで配置するアノード
領域と，前記ターゲツトの中央部分に接続すると共に、
これに対応する前記基板部分に接して形成するマスクカ
ソードを具備することを特徴とするスパッタリング装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240797A JP2559546B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240797A JP2559546B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578834A true JPH0578834A (ja) | 1993-03-30 |
| JP2559546B2 JP2559546B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=17064835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240797A Expired - Fee Related JP2559546B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559546B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0578833A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04231462A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-08-20 | Leybold Ag | 陰極スパッタリング装置 |
| JPH0578833A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3240797A patent/JP2559546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04231462A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-08-20 | Leybold Ag | 陰極スパッタリング装置 |
| JPH0578833A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0578833A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-03-30 | Shibaura Eng Works Co Ltd | スパツタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2559546B2 (ja) | 1996-12-04 |
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