JP3357580B2 - 枚葉式マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
枚葉式マグネトロンスパッタ装置Info
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Description
し、特に、ディスク等の情報記録媒体の製造に適する枚
葉式マグネトロンスパッタ装置に関する。
の製造に用いる枚葉式マグネトロンスパッタ装置におい
ては、反応室を構成する真空容器内に配置されたターゲ
ットに、真空容器上方に配置された回転マグネットから
なる磁界発生装置により、磁界を印加しながらスパッタ
を行っていた。
グネトロンスパッタ装置においては、磁界発生装置によ
り発生される磁力線はターゲットに対して円弧を描くよ
うにして印加され、円弧のピーク位置においてプラズマ
密度が最も高くなるため、この位置に対応するターゲッ
トの面が、プラズマにより最も多くスパッタされる。こ
の結果、ディスク基板に形成される金属膜は前記円弧状
磁界のピーク位置において膜厚が大となり、ディスク基
板の内外周部では膜厚が小となり、ディスク基板表面全
体における膜厚分布が均一にならないという欠点があっ
た。
生装置の回転マグネットの直径を大きくすることによ
り、磁力線の描く円弧のピークを平坦化したり、回転マ
グネットの回転軸を、ターゲットの中心軸に対して偏心
させて回転させることにより、膜厚分布の改善を図って
いた。
厚分布の改善方法においては、磁界発生装置およびター
ゲットが大型化し、装置の製造コストも増加する欠点が
あった。すなわち、回転マグネットの回転軸をターゲッ
トの中心軸に対して偏心させて回転させる場合、発生す
る磁界の範囲が拡大するため、ターゲットの面積もそれ
に応じて拡大する必要があるためである。
生装置およびターゲットにより、膜厚分布の均一なスパ
ッタを行うことができる装置を提供することにある。
気密な放電空間を有するスパッタ室と、このスパッタ室
内に磁界を印加するように、前記スパッタ室の上方に配
置された磁界発生装置と、この磁界発生装置による磁界
が印加されるように、前記スパッタ室内上部に配置され
たターゲットと、このターゲットを貫通して前記スパッ
タ室内下方に延長された水冷ジャケット下端に設けられ
たセンターマスクと、前記ターゲット外周部に対向配置
されたアノードと、前記スパッタ室の底部隔壁に形成さ
れた開口部を介して連接された気密空間を形成するディ
スク搬送室と、このディスク搬送室に設けられ、スパッ
タ膜を形成するためのディスク基板を載置して前記スパ
ッタ室開口部に搬送するディスクプッシャとを備えたマ
グネトロンスパッタ装置において、前記磁界発生装置
は、前記ターゲットの上面側に設けられた磁石回転台上
に配置された回転リング磁石と、前記ターゲットの外周
側壁部あるいは内周側壁部に配置された、前記回転リン
グ磁石とは異なる径を有するリング状の磁石からなる固
定リング磁石とを備え、この固定リング磁石は、前記磁
界発生装置により発生された磁界を、前記ターゲット内
を通過して前記固定リング磁石に吸集するように構成し
たことを特徴とする枚葉式マグネトロンスパッタ装置が
提供される。
は二重のリング磁石により構成され、前記固定リング磁
石は前記二重のリング磁石のうちの大径のリング磁石よ
り大きな径を有し、前記ターゲットの外周近傍に配置さ
れていることを特徴とする前記枚葉式マグネトロンスパ
ッタ装置が提供される。
磁石は二重のリング磁石により構成され、前記固定リン
グ磁石は前記二重のリング磁石のうちの小径のリング磁
石より小さな径を有し、前記ターゲットの内周近傍に配
置されていることを特徴とする前記枚葉式マグネトロン
スパッタ装置が提供される。
磁石は単一のリング磁石により構成され、前記固定リン
グ磁石は前記単一のリング磁石の径より大きな径を有
し、前記ターゲットの外周近傍に配置された第1の固定
リング磁石と、前記単一のリング磁石の径より小さな径
を有し、前記ターゲットの内周近傍に配置された第2の
固定リング磁石とを備えたことを特徴とする前記枚葉式
マグネトロンスパッタ装置が提供される。
の回転軸は前記ターゲットの中心に対して偏心している
ことを特徴とする前記枚葉式マグネトロンスパッタ装置
が提供される。
基づいて説明する。
ネトロンスパッタ装置の断面図である。このスパッタ装
置は、ほぼ円筒状の気密容器であるスパッタ室11と、
このスパッタ室11の下側に、このスパッタ室11に連
通して設けられた同じく気密容器であるディスク搬送室
12と、スパッタ室11の上側に設けられ、内部が大気
圧に維持された磁石収納室13から構成されている。磁
石収納室13内においては、同心的に配置された長円形
の回転リング磁石14−1、14−2が磁石回転台15
の下面に固定されている。ここで、内側の磁石14−1
は図示のように、磁石断面の下側がN極、上側がS極と
なるように配置されており、外側の磁石14−2は逆
に、下側がS極、上側がN極となるように配置されてい
る。磁石回転台15は磁石収納室13の天井壁16を貫
通する回転軸17に固定されており、回転軸17は磁石
収納室13上部に載置されたマグネット回転モータ18
により回転させられる。
ットが埋め込まれたバッキングプレート20により形成
されている。この下面には成膜物質となるデスク状のタ
ーゲット21が固定され、その外周部に沿って環状の固
定リング磁石22が配置されている。固定リング磁石2
2の断面は図示のように、内側がS極、外側がN極にな
るように配置されている。ターゲット21の中心部には
貫通孔23が形成されており、この貫通孔23内に円筒
状の水冷ジャケット19が延長配置されている。円筒状
の水冷ジャケット19の下端にはセンターマスク24が
クランプボルト25により連結されている。センターマ
スク24はその下端に漏斗状の凹部が形成されている。
区切る隔壁30には、ディスク基板31の上表面をスパ
ッタ室11に露出するための開口部32が設けられてい
る。また、ディスク搬送室12内には、真空雰囲気内で
動作する真空モータ33と、これにより水平面内で回転
させられるディスクプッシャ34が設けられている。こ
のディスクプッシャ34は金属製円板でその上面中心部
にはディスク基板31のセンタ孔35を貫通する突起部
36が形成されている。センタ孔35を貫通して上方に
突出した突起部36は、センターマスク24の下端に形
成されている漏斗状の凹部24−1に挿入される。真空
モータ33とこれに結合したディスクプッシャ34はデ
ィスク搬送室12の底板37を貫通して設けられたシリ
ンダ38の軸39によりディスク搬送室12内で上下に
往復運動をする。
ク搬送アーム40の一端が回転軸41に固定されてお
り、他端にはディスク基板31が載置される環状のサセ
プタ部42が形成されている。ディスク搬送アーム40
は回転軸41の回りにほぼ90°の角度範囲で回転し、
図示の角度位置から90°の角度位置(図示せず)に置
いてディスク搬送室12の外部からディスク基板31が
環状のサセプタ部42に載置される。ディスク基板31
が環状のサセプタ部42に載置されるとディスク搬送ア
ーム40が90°回転し、ディスク基板31を図示のよ
うに、スパッタ室11の開口部32の直下に搬送する。
この状態においてシリンダ38の軸39が上昇し、ディ
スクプッシャ34はその突起部36をディスク基板31
のセンタ孔35に挿入してディスク基板31をサセプタ
部42の上方に押し上げ、突起部36がセンターマスク
24の凹部24−1に挿入された状態で上昇を停止す
る。この停止位置において、ディスク基板31はスパッ
タ室11底部隔壁30の開口部32周囲に延長された外
周マスク44により、その外周部が覆われる。この状態
で、真空モータ33は回転を開始し、スパッタが行われ
る。なお、ディスク搬送アーム40もその回転軸41の
軸方向に移動可能となっており、ディスク搬送アーム4
0が90°回転し、ディスク基板31を図示のように、
スパッタ室11の開口部32の直下に搬送した際、ディ
スクプッシャ34が上昇する前に、ディスク基板31を
上昇させスパッタ室11の開口部32に接近配置する。
からアルゴンガスが導入され、バッキングプレート20
とスパッタ室11の側壁46がその上端において接続す
るとともに、固定リング磁石22の下面を覆うように延
長されたアノードリング47間に放電用高電圧が印加さ
れるとともに、磁石収納室13内に収納された回転リン
グ磁石14−1、14−2による磁界がスパッタ室11
内に印加され、スパッタ室11内には放電によるプラズ
マが発生する。回転リング磁石14−1、14−2およ
び環状の固定リング磁石22によりターゲット21近傍
に発生される磁界は、図示のように、回転リング磁石1
4−1、14−2の内側の磁石14−1のN極から外側
の磁石14−2のS極に向かう磁界H1と、内側の磁石
14−1のN極から固定磁石22のS極に向かう磁界H
2から構成されている。磁界H2は磁界H1に比べてそ
のピークが緩やかであり、より平坦なピークを有してい
る。なお、図ではターゲット21の左半分の近傍での磁
界分布のみを示しているが、右半分もほぼ対称な形状の
磁界分布が生ずることはいうまでもない。
磁石14−1、14−2は、これらが固定されている磁
石回転台15とともに、マグネット回転モータ18によ
り回転させられる。この磁石回転台15の回転軸17は
デスク状のターゲット21の中心軸21−1から偏心し
た位置に配置されており、回転リング磁石14−1、1
4−2をこの回転軸17の回りに回転することにより、
ターゲット21面のエロージョンが広い範囲で均一に生
じる。
上に載置されたディスク基板31は真空モータ33によ
り回転させられるが、この場合の回転中心軸24−2も
ターゲット21の中心軸21−1から偏心した位置に配
置されている。これにより、ディスク基板31の表面全
体、すなわち、円周方向および半径方向に対して均一な
膜厚のスパッタが行われる。
は狭い間隙を置いて対向配置された一対の銅板50−
1、50−2から構成される電子トラップ50が設けら
れている。ターゲット21の材料がSiのような絶縁物
質の場合、スパッタにより、スパッタ室11の内壁に絶
縁物が付着し、スパッタ室11の放電空間に発生する電
子のスパッタ室11内壁への流入がが阻止され安定な放
電の維持が困難になる。電子トラップ50は一対の銅板
50−1、50−2が形成する間隙にはスパッタによる
絶縁物質が入り込みにくいことを利用して、この部分に
電子をトラップし、放電を安定に維持するためのもので
ある。また、電子トラップ50を構成する一方の銅板5
0−2はスパッタ室11底部隔壁30に接触して設けら
れる。
ディスク搬送室12に対し、図示しないヒンジ構造によ
り、回動可能に結合されており、スパッタ室11と磁石
収納室13を手動により上方に回動し、ディスク搬送室
12を開放し保守作業などを行うことができるように構
成されている。
タ装置の断面図である。同図に示す装置は図1に示した
装置と固定磁石の構造が異なる点を除き、ほぼ同じ構造
であるため、同一構成部分には同一の番号を付して詳細
な説明を省略し、異なる部分についてのみ以下に説明す
る。磁石収納室13内に同心的に配置された長円形の回
転リング磁石14´−1、14´−2は、内外両磁石と
もに図示のように、磁石断面の下側がS極、上側がN極
となるように配置されている。他方、ターゲット21の
中心部貫通孔23内には、円筒状の水冷ジャケット19
の周囲に環状の固定リング磁石26が収納されている。
この固定リング磁石26はその断面が図示のように、内
側がS極に、外側がN極となるように配置されている。
よび環状の固定磁石26によりターゲット21近傍に発
生される磁界は、図示のように、固定リング磁石26の
N極から回転リング磁石の外側の磁石14´−2のS極
に向かう磁界H3と、固定磁石26のN極から内側の磁
石14´−1のS極に向かう磁界H4から構成されてい
る。これらの磁界H3と磁界H4はいずれも、図1の回
転リング磁石14−1、14−2相互間の磁界H1に比
較してピークが緩やかであり、より平坦なピークを有し
ている。なお、図2では図1と同様に、ターゲット21
の左半分の近傍での磁界分布のみを示しているが右半分
もほぼ対称形の磁界分布となる。
スパッタ装置の要部断面図である。同図において図1に
示した装置と同一構成部分には同一の番号を付して詳細
な説明を省略する。磁石収納室13内の磁石回転台15
には円状あるいは長円状の回転リング磁石27がターゲ
ット21の中心軸に対して偏心回転するように固定配置
されている。この回転リング磁石27は、その断面が図
示のように、内側がN極に、外側がS極となるように配
置されている。
の外周に沿って配置された固定リング磁石22により、
ターゲット21近傍に発生される磁界は、図示のよう
に、回転リング磁石27のN極からS極に向かう磁界H
5と、回転リング磁石27のN極から固定磁石22のS
極に向かう磁界H6から構成されている。磁界H6は磁
界H5に比べてそのピークが緩やかであり、より平坦な
ピークを有している。なお、図3では図1と同様に、タ
ーゲット21の左半分の近傍での磁界分布のみを示して
いるが右半分もほぼ対称形の磁界分布となる。
スパッタ装置の要部断面図である。同図においても図1
に示した装置と同一構成部分には同一の番号を付して詳
細な説明を省略する。
状あるいは長円状の回転リング磁石28がターゲット2
1の中心軸に対して偏心回転するように固定配置されて
いる。この回転リング磁石28の断面は図示のように、
上端がN極に、下端がS極となるように配置されてい
る。
の固定リング磁石22´が配置され、また、ターゲット
21の中心部貫通孔23内には、円筒状の水冷ジャケッ
ト19の周囲に環状の第2の固定リング磁石26´が収
納されている。第1の固定リング磁石22´はその断面
が図示のように、内側がN極に、外側がS極となるよう
に配置されている。また、第2の固定リング磁石26´
はその断面が図示のように、内側がS極に、外側がN極
となるように配置されている。
石22´および第2の固定リング磁石26´により、タ
ーゲット21近傍に発生される磁界は、図示のように、
回転リング磁石28のS極から第1の固定リング磁石2
2´のN極に向かう磁界H7と、回転リング磁石28の
S極から第2の固定リング磁石26´のN極に向かう磁
界H8とから構成されている。磁界H7および磁界H8
は図1のH1に比べてそのピークが緩やかであり、より
平坦なピークを有している。なお、図4では図1と同様
に、ターゲット21の左半分の近傍での磁界分布のみを
示しているが右半分もほぼ対称形の磁界分布となる。
スパッタ装置の要部断面図である。同図においても、図
1に示した装置と同一構成部分には同一の番号を付して
詳細な説明を省略する。磁石収納室13内の磁石回転台
15には円状あるいは長円状の回転リング磁石29がタ
ーゲット21の中心軸に対して偏心回転するように固定
配置されている。この回転リング磁石29の断面は図示
のように、内側がS極に、外側がN極となるように配置
されている。
の固定リング磁石22´´が配置され、また、ターゲッ
ト21の中心部貫通孔23内には、円筒状の水冷ジャケ
ット19−2の周囲に環状の第2の固定リング磁石26
´´が収納されている。第1の固定リング磁石22´´
はその断面が図示のように、内側がS極に、外側がN極
となるように配置されている。また、第2の固定リング
磁石26´´はその断面が図示のように、内側がS極
に、外側がN極となるように配置されている。
石22´´および第2の固定リング磁石26´´によ
り、ターゲット21近傍に発生される磁界は、図示のよ
うに、回転リング磁石29のN極からS極に向かう磁界
H5と、回転リング磁石29のN極から第1の固定リン
グ磁石22´´のS極に向かう磁界H9と、回転リング
磁石29のS極から第2の固定リング磁石26´´のN
極に向かう磁界H10から構成されている。磁界H9お
よび磁界H10は磁界H5に比べてより緩やかで平坦な
ピークを有している。なお、図4では図1と同様に、タ
ーゲット21の左半分の近傍での磁界分布のみを示して
いるが右半分もほぼ対称形の磁界分布となる。
の回転リング磁石は、必ずしも連続した円形または長円
形のリング磁石である必要はなく、独立した複数個の磁
石を円形または長円形に配列して構成してもよい。した
がってまた、リング磁石の形状としては正多角形または
全体として細長い多角形のリング磁石でもよい。
グネトロンスパッタ装置によれば、リング状の回転磁石
と、これに対向配置されたリング状の固定磁石により、
磁界を発生するため、より小さな径の回転リング磁石あ
るいはターゲットにより、より緩やかで平坦なピークを
有する磁界を発生することができ、これによって、より
均一な成膜分布を得ることができる。
スパッタ装置の断面図である。
ンスパッタ装置の断面図である。
である。
である。
である。
Claims (5)
- 【請求項1】 内部に気密な放電空間を有するスパッタ
室と、このスパッタ室内に磁界を印加するように、前記
スパッタ室の上方に配置された磁界発生装置と、この磁
界発生装置による磁界が印加されるように、前記スパッ
タ室内上部に配置されたターゲットと、このターゲット
を貫通して前記スパッタ室内下方に延長された水冷ジャ
ケット下端に設けられたセンターマスクと、前記ターゲ
ット外周部に対向配置されたアノードと、前記スパッタ
室の底部隔壁に形成された開口部を介して連接された気
密空間を形成するディスク搬送室と、このディスク搬送
室に設けられ、スパッタ膜を形成するためのディスク基
板を載置して前記スパッタ室開口部に搬送するディスク
プッシャとを備えたマグネトロンスパッタ装置におい
て、前記磁界発生装置は、前記ターゲットの上面側に設
けられた磁石回転台上に配置された回転リング磁石と、
前記ターゲットの外周側壁部あるいは内周側壁部に配置
された、前記回転リング磁石とは異なる径を有するリン
グ状の磁石からなる固定リング磁石とを備え、この固定
リング磁石は、前記磁界発生装置により発生された磁界
を、前記ターゲット内を通過して前記固定リング磁石に
吸集するように構成したことを特徴とする枚葉式マグネ
トロンスパッタ装置。 - 【請求項2】 前記回転リング磁石は二重のリング磁石
により構成され、前記固定リング磁石は前記二重のリン
グ磁石のうちの大径のリング磁石より大きな径を有し、
前記ターゲットの外周近傍に配置されていることを特徴
とする請求項1記載の枚葉式マグネトロンスパッタ装
置。 - 【請求項3】 前記回転リング磁石は二重のリング磁石
により構成され、前記固定リング磁石は前記二重のリン
グ磁石のうちの小径のリング磁石より小さな径を有し、
前記ターゲットの内周近傍に配置されていることを特徴
とする請求項1記載の枚葉式マグネトロンスパッタ装
置。 - 【請求項4】 前記回転リング磁石は単一のリング磁石
により構成され、前記固定リング磁石は前記単一のリン
グ磁石の径より大きな径を有し、前記ターゲットの外周
近傍に配置された第1の固定リング磁石と、前記単一の
リング磁石の径より小さな径を有し、前記ターゲットの
内周近傍に配置された第2の固定リング磁石とを備えた
ことを特徴とする請求項1記載の枚葉式マグネトロンス
パッタ装置。 - 【請求項5】 前記回転磁石台の回転軸は前記ターゲッ
トの中心に対して偏心していることを特徴とする請求項
1乃至4のいずれか1項に記載された枚葉式マグネトロ
ンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20334897A JP3357580B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 枚葉式マグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20334897A JP3357580B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 枚葉式マグネトロンスパッタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1150250A JPH1150250A (ja) | 1999-02-23 |
JP3357580B2 true JP3357580B2 (ja) | 2002-12-16 |
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ID=16472551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20334897A Expired - Fee Related JP3357580B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 枚葉式マグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
JP4371569B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2009-11-25 | 信越化学工業株式会社 | マグネトロンスパッタ装置とそれを用いたフォトマスクブランクの製造方法 |
-
1997
- 1997-07-29 JP JP20334897A patent/JP3357580B2/ja not_active Expired - Fee Related
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