JP2000192234A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を回転させるとともに冷却するようにし
たプラズマ処理装置において、小型化及び簡素化を実現
する。 【解決手段】 真空容器１内でプラズマを発生させ、真
空容器１内に配置した基板５の表面処理を行うプラズマ
処理装置において、真空容器１壁から真空容器１内に向
けて基板載置台１０を突設し、この基板載置台１０に設
けた凹部１０ａ内に基板５を取付ける回転ホルダー８を
配置するとともにこの回転ホルダー８の外周をシール材
１０ｂでシールした状態で回転自在に支持し、回転ホル
ダー８の内部には羽根９を設け、羽根９に対して回転力
を加えるように流体の供給口１１と排出口１２を基板載
置台１０に形成し、供給口１１から流体を供給すること
によって基板５を回転させながら冷却するようにした。
たプラズマ処理装置において、小型化及び簡素化を実現
する。 【解決手段】 真空容器１内でプラズマを発生させ、真
空容器１内に配置した基板５の表面処理を行うプラズマ
処理装置において、真空容器１壁から真空容器１内に向
けて基板載置台１０を突設し、この基板載置台１０に設
けた凹部１０ａ内に基板５を取付ける回転ホルダー８を
配置するとともにこの回転ホルダー８の外周をシール材
１０ｂでシールした状態で回転自在に支持し、回転ホル
ダー８の内部には羽根９を設け、羽根９に対して回転力
を加えるように流体の供給口１１と排出口１２を基板載
置台１０に形成し、供給口１１から流体を供給すること
によって基板５を回転させながら冷却するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空容器内でター
ゲット材料の薄膜を基板上に形成するスパッタリング装
置などのプラズマ処理装置に関するものである。
ゲット材料の薄膜を基板上に形成するスパッタリング装
置などのプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、スパッタリング装置ではターゲ
ットと基板を対向させて配置し、その間にプラズマ発生
用のガスを導入するとともに、ターゲットを配置したカ
ソード部に高周波または直流電圧を印加することによっ
てプラズマを発生させ、磁場によって加速されたイオン
をターゲットに衝突させ、ターゲットから材料を飛ばし
て基板上に堆積させるように構成されている。
ットと基板を対向させて配置し、その間にプラズマ発生
用のガスを導入するとともに、ターゲットを配置したカ
ソード部に高周波または直流電圧を印加することによっ
てプラズマを発生させ、磁場によって加速されたイオン
をターゲットに衝突させ、ターゲットから材料を飛ばし
て基板上に堆積させるように構成されている。
【０００３】図３は、従来のこの種のスパッタリング装
置の概略構成を示している。図３において、２１は真空
容器、２２はカソード部で、電源２３が接続されてい
る。２４はカソード部２２の上に配置された、蒸着物質
であるターゲット、２５はターゲットに対向して配置さ
れた基板、２６はガス導入部、２７は排気口である。基
板２５はホルダー２８に取付けられ、ホルダー２８はモ
ータ２９により回転される。また、ホルダー２８には冷
却水導入ユニット３０から冷却水が導入され、基板２５
が冷却される。
置の概略構成を示している。図３において、２１は真空
容器、２２はカソード部で、電源２３が接続されてい
る。２４はカソード部２２の上に配置された、蒸着物質
であるターゲット、２５はターゲットに対向して配置さ
れた基板、２６はガス導入部、２７は排気口である。基
板２５はホルダー２８に取付けられ、ホルダー２８はモ
ータ２９により回転される。また、ホルダー２８には冷
却水導入ユニット３０から冷却水が導入され、基板２５
が冷却される。
【０００４】このような構成において、ガス導入部２６
よりアルゴンガス等のプラズマ発生用ガスを真空容器２
１内に導入し、所定のスパッタ圧力になるように排気口
２７から排気を行う。
よりアルゴンガス等のプラズマ発生用ガスを真空容器２
１内に導入し、所定のスパッタ圧力になるように排気口
２７から排気を行う。
【０００５】この状態で、カソード部２２に電源２３か
ら高周波または直流電圧を印加すると、基板２５とター
ゲット２４の間にプラズマが発生し、プラズマ内のアル
ゴンイオンは磁場によって加速されてターゲット２４に
衝突し、ターゲット物質が叩かれて真空中に飛び出す。
モータ２９により回転し、冷却水導入ユニット３０から
冷却水が導入されて冷却されたホルダー２８上に取付け
られた基板２５にこの物質が付着し、薄膜が形成され
る。
ら高周波または直流電圧を印加すると、基板２５とター
ゲット２４の間にプラズマが発生し、プラズマ内のアル
ゴンイオンは磁場によって加速されてターゲット２４に
衝突し、ターゲット物質が叩かれて真空中に飛び出す。
モータ２９により回転し、冷却水導入ユニット３０から
冷却水が導入されて冷却されたホルダー２８上に取付け
られた基板２５にこの物質が付着し、薄膜が形成され
る。
【０００６】なお、基板２５の冷却と回転は、ターゲッ
ト２４と基板２５の距離を近づけてスパッタを行う際、
プラズマに基板２５が晒されて温度が上がるため冷却が
必要となり、また基板２５面内の膜厚分布を向上させる
ために基板２５を回転させている。
ト２４と基板２５の距離を近づけてスパッタを行う際、
プラズマに基板２５が晒されて温度が上がるため冷却が
必要となり、また基板２５面内の膜厚分布を向上させる
ために基板２５を回転させている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のスパッタリング装置では、基板２５を冷却しながら
回転させるために、ホルダー２８へモータ２９及び冷却
水導入ユニット３０を取付けなければならず、そのため
複数の機構ユニット及びスペースを必要とし、小型化や
簡素化の実現に限界があるという問題があった。
来のスパッタリング装置では、基板２５を冷却しながら
回転させるために、ホルダー２８へモータ２９及び冷却
水導入ユニット３０を取付けなければならず、そのため
複数の機構ユニット及びスペースを必要とし、小型化や
簡素化の実現に限界があるという問題があった。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、小型
化及び簡素化を実現できるプラズマ処理装置を提供する
ことを目的としている。
化及び簡素化を実現できるプラズマ処理装置を提供する
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理装
置は、真空容器内でプラズマを発生させ、真空容器内に
配置した基板の表面処理を行うプラズマ処理装置におい
て、回転可能な回転ホルダー上に基板を配置し、流体を
回転動力源として回転ホルダーを回転させる回転手段を
設けたものであり、回転手段に対して流体を供給する手
段を設けるだけで基板を回転することができ、小型化及
び簡素化を実現できる。
置は、真空容器内でプラズマを発生させ、真空容器内に
配置した基板の表面処理を行うプラズマ処理装置におい
て、回転可能な回転ホルダー上に基板を配置し、流体を
回転動力源として回転ホルダーを回転させる回転手段を
設けたものであり、回転手段に対して流体を供給する手
段を設けるだけで基板を回転することができ、小型化及
び簡素化を実現できる。
【００１０】また、回転駆動源である流体にて回転ホル
ダー上の基板を冷却するように構成すると、回転駆動源
の流体を利用して基板自身を冷却することができる。
ダー上の基板を冷却するように構成すると、回転駆動源
の流体を利用して基板自身を冷却することができる。
【００１１】また、回転手段を、回転ホルダーの内部に
設けられた羽根と、羽根に対して回転力を加えるように
流体を供給・排出する手段にて構成すると、流体が回転
ホルダーに接触して回転と冷却を行うので、簡単な構成
で基板の回転と基板の冷却が可能である。
設けられた羽根と、羽根に対して回転力を加えるように
流体を供給・排出する手段にて構成すると、流体が回転
ホルダーに接触して回転と冷却を行うので、簡単な構成
で基板の回転と基板の冷却が可能である。
【００１２】また、真空容器壁から真空容器内に向けて
基板載置台を突設し、この基板載置台に設けた凹部内に
回転ホルダーを配置するとともにその外周をシールした
状態で回転自在に支持し、回転ホルダーの内部には羽根
を設け、羽根に対して回転力を加えるように流体の供給
口と排出口を基板載置台に形成すると、内部構成が極め
て簡素となるとともに真空容器の外面に流体の供給口と
排出口が開口するだけとなり、全体として小型化及び簡
素化を実現できる。
基板載置台を突設し、この基板載置台に設けた凹部内に
回転ホルダーを配置するとともにその外周をシールした
状態で回転自在に支持し、回転ホルダーの内部には羽根
を設け、羽根に対して回転力を加えるように流体の供給
口と排出口を基板載置台に形成すると、内部構成が極め
て簡素となるとともに真空容器の外面に流体の供給口と
排出口が開口するだけとなり、全体として小型化及び簡
素化を実現できる。
【００１３】また、流体の圧力及び流量を調整する手段
を設けると、簡単な構成で任意の回転数で基板を回転さ
せることができ、膜厚分布やその他の条件を容易に設定
することができる。
を設けると、簡単な構成で任意の回転数で基板を回転さ
せることができ、膜厚分布やその他の条件を容易に設定
することができる。
【００１４】上記流体としては、冷却水又はＨｅガスが
好適である。
好適である。
【００１５】また、以上の手段を、真空容器内のカソー
ド部にスパッタ用ターゲットを配置し、これと対向する
ように基板を配置したスパッタリング装置に適用する
と、基板の回転と冷却による効果が大きいために特に有
効である。
ド部にスパッタ用ターゲットを配置し、これと対向する
ように基板を配置したスパッタリング装置に適用する
と、基板の回転と冷却による効果が大きいために特に有
効である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明のスパッタリング装
置の一実施形態について、図１、図２を参照して説明す
る。
置の一実施形態について、図１、図２を参照して説明す
る。
【００１７】図１において、１は真空容器、２はカソー
ド部、３はカソード部２に接続されている電源、４はカ
ソード部２の上に配置された蒸着物質であるターゲット
である。５はターゲット４に対向して配置された基板、
６はガス導入部、７は真空容器１にガス導入部６と対角
の位置にある排気口である。
ド部、３はカソード部２に接続されている電源、４はカ
ソード部２の上に配置された蒸着物質であるターゲット
である。５はターゲット４に対向して配置された基板、
６はガス導入部、７は真空容器１にガス導入部６と対角
の位置にある排気口である。
【００１８】８は基板５を取付ける回転ホルダー、１０
は回転ホルダー８を回転可能に支持している基板載置台
である。基板載置台１０には、ターゲット４と対向する
面に回転ホルダー８が配置される凹部１０ａが形成さ
れ、かつ回転ホルダー８の外周をシールするシール材１
０ｂが凹部１０ａの周面に配設されており、回転ホルダ
ー８の内部と凹部１０ａとの間に流体空間１０ｃが形成
されている。また、回転ホルダー８の軸芯部から凹部１
０ａを貫通して基板載置台１０に貫入するように回転支
持軸８ａが突設され、軸受８ｂを介して基板載置台１０
にて回転自在に支持されている。
は回転ホルダー８を回転可能に支持している基板載置台
である。基板載置台１０には、ターゲット４と対向する
面に回転ホルダー８が配置される凹部１０ａが形成さ
れ、かつ回転ホルダー８の外周をシールするシール材１
０ｂが凹部１０ａの周面に配設されており、回転ホルダ
ー８の内部と凹部１０ａとの間に流体空間１０ｃが形成
されている。また、回転ホルダー８の軸芯部から凹部１
０ａを貫通して基板載置台１０に貫入するように回転支
持軸８ａが突設され、軸受８ｂを介して基板載置台１０
にて回転自在に支持されている。
【００１９】回転ホルダー８の内部には、図２に示すよ
うに、回転支持軸８ａの周囲に放射状に羽根９が設けら
れている。また、基板載置台１０には、一端が真空容器
１の外面に、他端が流体空間１０ｃに開口する供給口１
１と排出口１２とが設けられ、供給口１１から流体空間
１０ｃ内に冷却水またはＨｅガスを供給することによ
り、回転ホルダー８の内部の回転羽根９に回転力を付与
した後、排出口１２から排出されるように構成されてい
る。
うに、回転支持軸８ａの周囲に放射状に羽根９が設けら
れている。また、基板載置台１０には、一端が真空容器
１の外面に、他端が流体空間１０ｃに開口する供給口１
１と排出口１２とが設けられ、供給口１１から流体空間
１０ｃ内に冷却水またはＨｅガスを供給することによ
り、回転ホルダー８の内部の回転羽根９に回転力を付与
した後、排出口１２から排出されるように構成されてい
る。
【００２０】なお、ターゲット４は、ターゲット押え１
３により水冷プレート１４を介してカソード部２に取付
けられており、冷却水１５により冷却される。真空容器
１はアースされており、カソード部２とは絶縁材１６に
より絶縁されている。１７はアースシールド、１８はマ
グネットである。
３により水冷プレート１４を介してカソード部２に取付
けられており、冷却水１５により冷却される。真空容器
１はアースされており、カソード部２とは絶縁材１６に
より絶縁されている。１７はアースシールド、１８はマ
グネットである。
【００２１】また、供給口１１には、冷却水またはＨｅ
ガスの供給圧力及び供給流量を調整する手段（図示せ
ず）が設けられている。
ガスの供給圧力及び供給流量を調整する手段（図示せ
ず）が設けられている。
【００２２】次に、以上の構成による動作について説明
する。まず、真空容器１内を所定の真空度に排気した
後、真空容器１内にガス導入部６よりアルゴンガス等の
プラズマ発生ガスを導入し、一方排気口７より所定のス
パッタ圧力になるように排気を行う。
する。まず、真空容器１内を所定の真空度に排気した
後、真空容器１内にガス導入部６よりアルゴンガス等の
プラズマ発生ガスを導入し、一方排気口７より所定のス
パッタ圧力になるように排気を行う。
【００２３】この状態でカソード部２に電源３から高周
波または直流電圧を印加すると、基板５とターゲット４
との間にプラズマが発生し、プラズマ内のアルゴンイオ
ンはマグネット１８にて形成された磁場によって加速さ
れてターゲット４に衝突し、ターゲット物質が叩かれて
真空中に飛び出し、基板５上に付着して薄膜が形成され
る。
波または直流電圧を印加すると、基板５とターゲット４
との間にプラズマが発生し、プラズマ内のアルゴンイオ
ンはマグネット１８にて形成された磁場によって加速さ
れてターゲット４に衝突し、ターゲット物質が叩かれて
真空中に飛び出し、基板５上に付着して薄膜が形成され
る。
【００２４】その間に、基板載置台１０の供給口１１よ
り冷却水またはＨｅガスが流体空間１０ｃ内に導入さ
れ、冷却水またはＨｅガスは羽根９に力を加えて回転ホ
ルダー８を回転させた後排出口１２から排出される。ま
た、基板５は回転ホルダー８の内部を流れる流体にて効
果的に冷却される。かくして、回転ホルダー８上に取付
けられた基板５は冷却と回転を受けながらターゲット物
質が付着され、薄膜が形成される。
り冷却水またはＨｅガスが流体空間１０ｃ内に導入さ
れ、冷却水またはＨｅガスは羽根９に力を加えて回転ホ
ルダー８を回転させた後排出口１２から排出される。ま
た、基板５は回転ホルダー８の内部を流れる流体にて効
果的に冷却される。かくして、回転ホルダー８上に取付
けられた基板５は冷却と回転を受けながらターゲット物
質が付着され、薄膜が形成される。
【００２５】以上のように構成された本実施形態によれ
ば、従来例で必要であった回転モータや冷却剤導入ユニ
ットなどを省略することができ、小型化及び簡素化を実
現することができる。
ば、従来例で必要であった回転モータや冷却剤導入ユニ
ットなどを省略することができ、小型化及び簡素化を実
現することができる。
【００２６】また、冷却水またはＨｅガスの供給圧力及
び供給流量を調整することにより、基板５の回転数を任
意に調整することができ、膜厚分布やその他の条件を容
易に設定することができる。
び供給流量を調整することにより、基板５の回転数を任
意に調整することができ、膜厚分布やその他の条件を容
易に設定することができる。
【００２７】なお、上記実施形態では、スパッタリング
装置について説明したが、本発明は基板を冷却及び回転
させる各種のプラズマ処理装置に対して有効に適用する
ことができる。
装置について説明したが、本発明は基板を冷却及び回転
させる各種のプラズマ処理装置に対して有効に適用する
ことができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置によれば、以
上のように回転可能な回転ホルダー上に基板を配置し、
流体を回転動力源として回転ホルダーを回転させる回転
手段を設けたので、回転手段に対して流体を供給する手
段を設けるだけで基板を回転することができ、小型化及
び簡素化を実現できる。
上のように回転可能な回転ホルダー上に基板を配置し、
流体を回転動力源として回転ホルダーを回転させる回転
手段を設けたので、回転手段に対して流体を供給する手
段を設けるだけで基板を回転することができ、小型化及
び簡素化を実現できる。
【００２９】また、回転駆動源である流体にて回転ホル
ダー上の基板を冷却するように構成すると、回転駆動源
の流体を利用して基板自身を冷却することができる。
ダー上の基板を冷却するように構成すると、回転駆動源
の流体を利用して基板自身を冷却することができる。
【００３０】また、回転手段を、回転ホルダーの内部に
設けられた羽根と、羽根に対して回転力を加えるように
流体を供給・排出する手段にて構成すると、流体が回転
ホルダーに接触して回転と冷却を行うので、簡単な構成
で基板の回転と基板の冷却が可能となる。
設けられた羽根と、羽根に対して回転力を加えるように
流体を供給・排出する手段にて構成すると、流体が回転
ホルダーに接触して回転と冷却を行うので、簡単な構成
で基板の回転と基板の冷却が可能となる。
【００３１】また、真空容器壁から真空容器内に向けて
基板載置台を突設し、この基板載置台に設けた凹部内に
回転ホルダーを配置するとともにその外周をシールした
状態で回転自在に支持し、回転ホルダーの内部には羽根
を設け、羽根に対して回転力を加えるように流体の供給
口と排出口を基板載置台に形成すると、内部構成が極め
て簡素となるとともに真空容器の外面に流体の供給口と
排出口が開口するだけとなり、全体として小型化及び簡
素化を実現できる。
基板載置台を突設し、この基板載置台に設けた凹部内に
回転ホルダーを配置するとともにその外周をシールした
状態で回転自在に支持し、回転ホルダーの内部には羽根
を設け、羽根に対して回転力を加えるように流体の供給
口と排出口を基板載置台に形成すると、内部構成が極め
て簡素となるとともに真空容器の外面に流体の供給口と
排出口が開口するだけとなり、全体として小型化及び簡
素化を実現できる。
【００３２】また、流体の圧力及び流量を調整する手段
を設けると、簡単な構成で任意の回転数で基板を回転さ
せ、膜厚分布やその他の条件を容易に設定できる。
を設けると、簡単な構成で任意の回転数で基板を回転さ
せ、膜厚分布やその他の条件を容易に設定できる。
【００３３】また、以上の手段を、真空容器内のカソー
ド部にスパッタ用ターゲットを配置し、これと対向する
ように基板を配置したスパッタリング装置に適用する
と、基板の回転と冷却による効果が大きいために特に有
効である。
ド部にスパッタ用ターゲットを配置し、これと対向する
ように基板を配置したスパッタリング装置に適用する
と、基板の回転と冷却による効果が大きいために特に有
効である。
【図１】本発明の一実施形態におけるスパッタリング装
置の概略構成を示す縦断正面図である。
置の概略構成を示す縦断正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】従来例のスパッタリング装置の概略構成を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
１ 真空容器 ２ カソード部 ４ ターゲット ５ 基板 ８ 回転ホルダー ９ 羽根 １０ 基板載置台 １０ａ 凹部 １０ｂ シール材 １０ｃ 流体空間 １１ 供給口 １２ 排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横山 政秀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山本 昌裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 CA05 DA02 DA04 DC20 DC39 EA03 EA04 JA02
Claims (8)
- 【請求項１】 真空容器内でプラズマを発生させ、真空
容器内に配置した基板の表面処理を行うプラズマ処理装
置において、回転可能な回転ホルダー上に基板を配置
し、流体を回転動力源として回転ホルダーを回転させる
回転手段を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 回転駆動源である流体にて回転ホルダー
上の基板を冷却するように構成したことを特徴とする請
求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 回転手段は、回転ホルダーの内部に設け
られた羽根と、羽根に対して回転力を加えるように流体
を供給・排出する手段にて構成されていることを特徴と
する請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 真空容器壁から真空容器内に向けて基板
載置台を突設し、この基板載置台に設けた凹部内に回転
ホルダーを配置するとともにその外周をシールした状態
で回転自在に支持し、回転ホルダーの内部には羽根を設
け、羽根に対して回転力を加えるように流体の供給口と
排出口を基板載置台に形成したことを特徴とする請求項
１〜３の何れかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 流体の圧力及び流量を調整する手段を設
けたことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項６】 流体は、冷却水であることを特徴とする
請求項１〜５の何れかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 流体は、Ｈｅガスであることを特徴とす
る請求項１〜５の何れかに記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 真空容器内のカソード部にスパッタ用タ
ーゲットを配置し、これと対向するように基板を配置し
たスパッタリング装置において、請求項１〜７の何れか
に記載の手段を適用したことを特徴とするスパッタリン
グ装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP10371932A JP2000192234A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | プラズマ処理装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP10371932A JP2000192234A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | プラズマ処理装置 |
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ID=18499558
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|---|---|---|---|
| JP10371932A Pending JP2000192234A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | プラズマ処理装置 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN102913386A (zh) * | 2012-11-06 | 2013-02-06 | 中国科学院工程热物理研究所 | 抑制风力机叶片吸力面流动分离的等离子体流动控制方法 |
| CN111850501A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-10-30 | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 | 一种基片架结构及真空蒸镀装置 |
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