JP3281924B2 - イオンビームスパッタリング装置 - Google Patents
イオンビームスパッタリング装置Info
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- JP3281924B2 JP3281924B2 JP12422397A JP12422397A JP3281924B2 JP 3281924 B2 JP3281924 B2 JP 3281924B2 JP 12422397 A JP12422397 A JP 12422397A JP 12422397 A JP12422397 A JP 12422397A JP 3281924 B2 JP3281924 B2 JP 3281924B2
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- Japan
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、イオンビームス
パッタリング装置に関し、特に、絶縁薄膜の形成の少な
いイオン引き出しグリッドを具備するイオンビームスパ
ッタリング装置に関する。
パッタリング装置に関し、特に、絶縁薄膜の形成の少な
いイオン引き出しグリッドを具備するイオンビームスパ
ッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンビームスパッタリング装置を図２
を参照して説明する。図２はイオンビームスパッタリン
グ装置の垂直断面を側方から視たところを示す図であ
る。図２において１１はイオンビームスパッタリング装
置の真空チャンバを示す。この真空チャンバ１１内に
は、イオンガン１２、真空ポンプ１６、基板ホルダ１３
が収容取り付けられている。イオンガン１２は、そのイ
オン放射端部に高電圧を印加されたイオン引き出しグリ
ッド１２０が設置されている。基板ホルダ１３には基板
１８が取り付けられている。１４はターゲットホルダで
あり、真空チャンバ１１の側面から挿入された回転軸１
９により支持固定されている。１７は成膜されるべき物
質より成るターゲットである。
を参照して説明する。図２はイオンビームスパッタリン
グ装置の垂直断面を側方から視たところを示す図であ
る。図２において１１はイオンビームスパッタリング装
置の真空チャンバを示す。この真空チャンバ１１内に
は、イオンガン１２、真空ポンプ１６、基板ホルダ１３
が収容取り付けられている。イオンガン１２は、そのイ
オン放射端部に高電圧を印加されたイオン引き出しグリ
ッド１２０が設置されている。基板ホルダ１３には基板
１８が取り付けられている。１４はターゲットホルダで
あり、真空チャンバ１１の側面から挿入された回転軸１
９により支持固定されている。１７は成膜されるべき物
質より成るターゲットである。
【０００３】真空チャンバ１１は真空ポンプ１６により
排気される。ターゲットホルダ１４にターゲット１７を
取り付け、次いで、イオンガン１２からイオンビームを
発生させる。イオンガン１２から発生せしめられたイオ
ンビームは、高電圧を印加されたイオン引き出しグリッ
ド１２０により高速に加速されて電子ビームとして引き
出し放射される。この電子ビームはターゲット１７に衝
突し、ターゲットを構成する物質をスパッタリングす
る。スパッタリングされたターゲット構成物質の粒子は
基板１８の表面に付着し、ここにターゲット構成物質の
薄膜が形成されることになる。回転軸１９を回転駆動し
てターゲット１７を１８０゜回転させることにより、イ
オンガン１２に対向するターゲット１７を他方のターゲ
ットに交換することができる。この様にして基板１８の
表面に多層膜を形成することを容易にしている。
排気される。ターゲットホルダ１４にターゲット１７を
取り付け、次いで、イオンガン１２からイオンビームを
発生させる。イオンガン１２から発生せしめられたイオ
ンビームは、高電圧を印加されたイオン引き出しグリッ
ド１２０により高速に加速されて電子ビームとして引き
出し放射される。この電子ビームはターゲット１７に衝
突し、ターゲットを構成する物質をスパッタリングす
る。スパッタリングされたターゲット構成物質の粒子は
基板１８の表面に付着し、ここにターゲット構成物質の
薄膜が形成されることになる。回転軸１９を回転駆動し
てターゲット１７を１８０゜回転させることにより、イ
オンガン１２に対向するターゲット１７を他方のターゲ
ットに交換することができる。この様にして基板１８の
表面に多層膜を形成することを容易にしている。
【０００４】ここで、図３を参照してイオンガン１２の
イオン放射端部に設置されるイオン引き出しグリッド１
２０について説明する。イオン引き出しグリッド１２０
は負の高電圧が印加される第１グリッド１２１と正の高
電圧が印加される第２グリッド１２２より成り、第１グ
リッド１２１の前面には絶縁材料より構成されるフェイ
スプレート１２３が取り付けられている。図３（ａ）は
イオンガン１２およびイオン引き出しグリッド１２０を
横から視たところを示す図である。図３（ｂ）は第１グ
リッド１２１或は第２グリッド１２２を正面から視たと
ころを示す図であり、第１グリッド１２１のグリッド領
域１２１ｇ或は第２グリッド１２２のグリッド領域１２
２ｇは楕円形である。図３（ｃ）はフェイスプレート１
２３を正面から視たところを示す図であり、開孔領域１
２３ｈは円形である。そして、図３（ｄ）はイオン引き
出しグリッド１２０とフェイスプレート１２３とをイオ
ンガン１２に設置したところを正面から視た図である。
第１グリッド１２１のグリッド領域１２１ｇおよび第２
グリッド１２２のグリッド領域１２２ｇは何れも楕円形
であるのに対して、フェイスプレート１２３の開孔領域
１２３ｈはこの楕円を内包する円形とされている。
イオン放射端部に設置されるイオン引き出しグリッド１
２０について説明する。イオン引き出しグリッド１２０
は負の高電圧が印加される第１グリッド１２１と正の高
電圧が印加される第２グリッド１２２より成り、第１グ
リッド１２１の前面には絶縁材料より構成されるフェイ
スプレート１２３が取り付けられている。図３（ａ）は
イオンガン１２およびイオン引き出しグリッド１２０を
横から視たところを示す図である。図３（ｂ）は第１グ
リッド１２１或は第２グリッド１２２を正面から視たと
ころを示す図であり、第１グリッド１２１のグリッド領
域１２１ｇ或は第２グリッド１２２のグリッド領域１２
２ｇは楕円形である。図３（ｃ）はフェイスプレート１
２３を正面から視たところを示す図であり、開孔領域１
２３ｈは円形である。そして、図３（ｄ）はイオン引き
出しグリッド１２０とフェイスプレート１２３とをイオ
ンガン１２に設置したところを正面から視た図である。
第１グリッド１２１のグリッド領域１２１ｇおよび第２
グリッド１２２のグリッド領域１２２ｇは何れも楕円形
であるのに対して、フェイスプレート１２３の開孔領域
１２３ｈはこの楕円を内包する円形とされている。
【０００５】次に、イオン引き出しグリッドの組み立て
構造を説明する。図３におけるイオン引き出しグリッド
１２０は、その第１グリッド１２１と第２グリッド１２
２とを絶縁材料より成るスペーサを介して一体的に結合
する。第１グリッド１２１は第１コネクタの接触ピンと
係合接触し、これを介して負の高電圧電源Ｅ1 に接続し
ている。第２グリッド１２２は第２コネクタの接触ピン
と係合接触し、これを介して正の高電圧電源Ｅ2 に接続
している。そして、開孔領域１２３ｈが円形である絶縁
材料より成るフェイスプレート１２３を第１グリッド１
２１に対して、これとの間に金属材料より成る導電性リ
ングを介在させて取り付けている。
構造を説明する。図３におけるイオン引き出しグリッド
１２０は、その第１グリッド１２１と第２グリッド１２
２とを絶縁材料より成るスペーサを介して一体的に結合
する。第１グリッド１２１は第１コネクタの接触ピンと
係合接触し、これを介して負の高電圧電源Ｅ1 に接続し
ている。第２グリッド１２２は第２コネクタの接触ピン
と係合接触し、これを介して正の高電圧電源Ｅ2 に接続
している。そして、開孔領域１２３ｈが円形である絶縁
材料より成るフェイスプレート１２３を第１グリッド１
２１に対して、これとの間に金属材料より成る導電性リ
ングを介在させて取り付けている。
【０００６】イオンビームスパッタリング装置は、イオ
ンガン１２のイオン引き出しグリッド１２０の第１グリ
ッド１２１に対しての負の高電圧を印加すると共に、第
２グリッド１２２に対して正の高電圧を印加し、イオン
ガン１２から発生せしめられたイオンビームを高速に引
き出し加速している。イオンガン１２から発生放射され
たイオンビームは成膜されるべき物質より成るターゲッ
ト１７に衝突し、ターゲット１７を構成する物質をスパ
ッタアウトさせる。ターゲット１７を構成する物質を絶
縁物質とする場合、スパッタアウトされた絶縁物質の極
く一部はイオンガン１２のイオン放射端部に設置される
イオン引き出しグリッド１２０の周縁部近傍にも付着す
る。ここで、イオン引き出しグリッド１２０と高電圧電
源とを接続する電気的接触部は、上述した通り、第１グ
リッド１２１は第１コネクタの接触ピンと係合接触しこ
れを介して負の高電圧電源Ｅ1 に接続すると共に、第２
グリッド１２２は第２コネクタの接触ピンと係合接触し
これを介して正の高電圧電源Ｅ2 に接続し、開孔領域
１２３ｈが円形である絶縁材料より成るフェイスプレー
ト１２３を第１グリッド１２１に対して導電性リングを
介在させて取り付けている。この開孔領域１２３ｈが円
形であるフェイスプレート１２３をイオン引き出しグリ
ッド１２０に取り付けることにより、その周縁部近傍に
配置される電気的接触部である第１グリッド１２１と第
１コネクタの接触ピンの係合接触するところ、および第
２グリッド１２２と第２コネクタの接触ピンの係合接触
するところに絶縁物質が被着して絶縁不良を生起せしめ
ない構成としている。
ンガン１２のイオン引き出しグリッド１２０の第１グリ
ッド１２１に対しての負の高電圧を印加すると共に、第
２グリッド１２２に対して正の高電圧を印加し、イオン
ガン１２から発生せしめられたイオンビームを高速に引
き出し加速している。イオンガン１２から発生放射され
たイオンビームは成膜されるべき物質より成るターゲッ
ト１７に衝突し、ターゲット１７を構成する物質をスパ
ッタアウトさせる。ターゲット１７を構成する物質を絶
縁物質とする場合、スパッタアウトされた絶縁物質の極
く一部はイオンガン１２のイオン放射端部に設置される
イオン引き出しグリッド１２０の周縁部近傍にも付着す
る。ここで、イオン引き出しグリッド１２０と高電圧電
源とを接続する電気的接触部は、上述した通り、第１グ
リッド１２１は第１コネクタの接触ピンと係合接触しこ
れを介して負の高電圧電源Ｅ1 に接続すると共に、第２
グリッド１２２は第２コネクタの接触ピンと係合接触し
これを介して正の高電圧電源Ｅ2 に接続し、開孔領域
１２３ｈが円形である絶縁材料より成るフェイスプレー
ト１２３を第１グリッド１２１に対して導電性リングを
介在させて取り付けている。この開孔領域１２３ｈが円
形であるフェイスプレート１２３をイオン引き出しグリ
ッド１２０に取り付けることにより、その周縁部近傍に
配置される電気的接触部である第１グリッド１２１と第
１コネクタの接触ピンの係合接触するところ、および第
２グリッド１２２と第２コネクタの接触ピンの係合接触
するところに絶縁物質が被着して絶縁不良を生起せしめ
ない構成としている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のイオンビームス
パッタリング装置において、フェイスプレート１２３を
開孔領域１２３ｈを円形とする幅の狭い絶縁物質リング
に構成し、幅の狭い絶縁物質リングより成るフェイスプ
レート１２３をイオン引き出しグリッド１２０の第１グ
リッド１２１に重ねて取り付けることにより、イオン引
き出しグリッド１２０の周縁部近傍に配置される電気的
接触部に絶縁物質が被着して絶縁不良を生起せしめなく
することはできる。しかし、第１グリッド１２１のグリ
ッド領域１２１ｇは楕円形であるのに対して、フェイス
プレート１２３の開孔領域１２３ｈはこの楕円を内包す
る円形とされているので、第１グリッド１２１にはその
グリッド領域１２１ｇの周囲にフェイスプレート１２３
に被覆されていない広い露出領域が存在しており、第１
グリッド１２１の露出領域に先のスパッタアウトされた
絶縁物質が付着して絶縁物質の薄膜が形成されることを
阻止することはできない。
パッタリング装置において、フェイスプレート１２３を
開孔領域１２３ｈを円形とする幅の狭い絶縁物質リング
に構成し、幅の狭い絶縁物質リングより成るフェイスプ
レート１２３をイオン引き出しグリッド１２０の第１グ
リッド１２１に重ねて取り付けることにより、イオン引
き出しグリッド１２０の周縁部近傍に配置される電気的
接触部に絶縁物質が被着して絶縁不良を生起せしめなく
することはできる。しかし、第１グリッド１２１のグリ
ッド領域１２１ｇは楕円形であるのに対して、フェイス
プレート１２３の開孔領域１２３ｈはこの楕円を内包す
る円形とされているので、第１グリッド１２１にはその
グリッド領域１２１ｇの周囲にフェイスプレート１２３
に被覆されていない広い露出領域が存在しており、第１
グリッド１２１の露出領域に先のスパッタアウトされた
絶縁物質が付着して絶縁物質の薄膜が形成されることを
阻止することはできない。
【０００８】ここで、第１グリッド１２１の表面は高真
空に曝されているので、高電圧電源により負の高電圧が
印加されていても、このグリッドは本来この高電圧電源
の負の高電位に保持されている筈である。ところで、第
１グリッド１２１のフェイスプレート１２３に被覆され
ていない広い露出領域に絶縁薄膜が付着すると、付着し
た絶縁薄膜の露出表面は帯電するに到り、等価的に第１
グリッド表面の電位が高電圧電源の電圧と相違すること
となる。これに起因して、第１グリッド１２１と第２グ
リッド１２２との間の電圧は不安定になり、イオンを安
定に取り出すことができなくなる。即ち、イオン引き出
しグリッド１２０によるイオンを引き出す電圧が絶縁薄
膜の付着により不安定となり、結果として絶縁膜が付着
するとイオンが安定に取り出せなくなるに到る。
空に曝されているので、高電圧電源により負の高電圧が
印加されていても、このグリッドは本来この高電圧電源
の負の高電位に保持されている筈である。ところで、第
１グリッド１２１のフェイスプレート１２３に被覆され
ていない広い露出領域に絶縁薄膜が付着すると、付着し
た絶縁薄膜の露出表面は帯電するに到り、等価的に第１
グリッド表面の電位が高電圧電源の電圧と相違すること
となる。これに起因して、第１グリッド１２１と第２グ
リッド１２２との間の電圧は不安定になり、イオンを安
定に取り出すことができなくなる。即ち、イオン引き出
しグリッド１２０によるイオンを引き出す電圧が絶縁薄
膜の付着により不安定となり、結果として絶縁膜が付着
するとイオンが安定に取り出せなくなるに到る。
【０００９】この発明は、イオン引き出しグリッドの第
１グリッドに付着する絶縁薄膜をできる限り少なくして
上述の問題を解消したイオンビームスパッタリング装置
を提供するものである。
１グリッドに付着する絶縁薄膜をできる限り少なくして
上述の問題を解消したイオンビームスパッタリング装置
を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】イオンガン１２のイオン
放射端部に配置されるイオン引き出しグリッド１２０に
付設される絶縁材料より成るフェイスプレート１２３の
開孔領域１２３ｈの形状寸法をイオン引き出しグリッド
１２０のグリッド領域１２１ｇ、１２２ｇの形状寸法に
ほぼ等しく設定したイオンビームスパッタリング装置を
構成した。
放射端部に配置されるイオン引き出しグリッド１２０に
付設される絶縁材料より成るフェイスプレート１２３の
開孔領域１２３ｈの形状寸法をイオン引き出しグリッド
１２０のグリッド領域１２１ｇ、１２２ｇの形状寸法に
ほぼ等しく設定したイオンビームスパッタリング装置を
構成した。
【００１１】そして、先のイオンビームスパッタリング
装置において、フェイスプレート１２３の開孔領域１２
３ｈの形状寸法を楕円形としたイオンビームスパッタリ
ング装置を構成した。
装置において、フェイスプレート１２３の開孔領域１２
３ｈの形状寸法を楕円形としたイオンビームスパッタリ
ング装置を構成した。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１を参
照して説明する。図１において、図２における参照符号
と共通する参照符号は互に共通する部材を示すものとす
る。図１の実施例において、従来例と同様に、イオン引
き出しグリッド１２０は負の高電圧が印加される第１グ
リッド１２１と正の高電圧が印加される第２グリッド１
２２より成り、第１グリッド１２１の前面には絶縁材料
より構成されるフェイスプレート１２３が取り付けられ
ている。図１（ｂ）は第１グリッド１２１或は第２グリ
ッド１２２を正面から視たところを示す図であり、第１
グリッド１２１のグリッド領域１２１ｇ或は第２グリッ
ド１２２のグリッド領域１２２ｇは共に楕円形である。
図１（ｃ）はこの発明の実施例のフェイスプレート１２
３を正面から視たところを示す図であり、開孔領域１２
３ｈは楕円形である。そして、図１（ｄ）はイオン引き
出しグリッド１２０とフェイスプレート１２３とをイオ
ンガン１２に設置したところを正面から視た図である。
第１グリッド１２１のグリッド領域１２１ｇおよび第２
グリッド１２２のグリッド領域１２２ｇは何れも楕円形
であり、そして、フェイスプレート１２３の開孔領域１
２３ｈも楕円形とされている。フェイスプレート１２３
の開孔領域１２３ｈの楕円形の形状寸法を第１グリッド
１２１のグリッド領域１２１ｇおよび第２グリッド１２
２のグリッド領域１２２ｇの楕円形の形状寸法にほぼ等
しく設定し、第１グリッド１２１のグリッド領域１２１
ｇの周囲にフェイスプレート１２３に被覆されていない
露出領域が存在しないものとして、第１グリッド１２１
に絶縁物質が被着する余地を殆どなくする。
照して説明する。図１において、図２における参照符号
と共通する参照符号は互に共通する部材を示すものとす
る。図１の実施例において、従来例と同様に、イオン引
き出しグリッド１２０は負の高電圧が印加される第１グ
リッド１２１と正の高電圧が印加される第２グリッド１
２２より成り、第１グリッド１２１の前面には絶縁材料
より構成されるフェイスプレート１２３が取り付けられ
ている。図１（ｂ）は第１グリッド１２１或は第２グリ
ッド１２２を正面から視たところを示す図であり、第１
グリッド１２１のグリッド領域１２１ｇ或は第２グリッ
ド１２２のグリッド領域１２２ｇは共に楕円形である。
図１（ｃ）はこの発明の実施例のフェイスプレート１２
３を正面から視たところを示す図であり、開孔領域１２
３ｈは楕円形である。そして、図１（ｄ）はイオン引き
出しグリッド１２０とフェイスプレート１２３とをイオ
ンガン１２に設置したところを正面から視た図である。
第１グリッド１２１のグリッド領域１２１ｇおよび第２
グリッド１２２のグリッド領域１２２ｇは何れも楕円形
であり、そして、フェイスプレート１２３の開孔領域１
２３ｈも楕円形とされている。フェイスプレート１２３
の開孔領域１２３ｈの楕円形の形状寸法を第１グリッド
１２１のグリッド領域１２１ｇおよび第２グリッド１２
２のグリッド領域１２２ｇの楕円形の形状寸法にほぼ等
しく設定し、第１グリッド１２１のグリッド領域１２１
ｇの周囲にフェイスプレート１２３に被覆されていない
露出領域が存在しないものとして、第１グリッド１２１
に絶縁物質が被着する余地を殆どなくする。
【００１３】
【発明の効果】以上の通りであって、この発明は、イオ
ンガン１２のイオン放射端部に設置されるイオン引き出
しグリッド１２０に付設される絶縁材料より成るフェイ
スプレート１２３の開孔領域１２３ｈの形状寸法を、イ
オン引き出しグリッド１２０のグリッド領域１２１ｇ、
１２２ｇの形状寸法にほぼ等しく設定することにより、
成膜時にイオン引き出しグリッドの特に第１グリッド１
２１に付着する絶縁薄膜の面積を極力少なくし、このグ
リッド面の帯電する面積を小さくすることができる。こ
れにより、第１グリッド１２１の面の帯電は少なくなる
ので第１グリッド１２１の電位は安定化し、従って、イ
オン引き出しグリッド１２０の第１グリッド１２１と第
２グリッド１２２との間の電圧は安定になり、イオンを
安定に取り出すことができるに到る。
ンガン１２のイオン放射端部に設置されるイオン引き出
しグリッド１２０に付設される絶縁材料より成るフェイ
スプレート１２３の開孔領域１２３ｈの形状寸法を、イ
オン引き出しグリッド１２０のグリッド領域１２１ｇ、
１２２ｇの形状寸法にほぼ等しく設定することにより、
成膜時にイオン引き出しグリッドの特に第１グリッド１
２１に付着する絶縁薄膜の面積を極力少なくし、このグ
リッド面の帯電する面積を小さくすることができる。こ
れにより、第１グリッド１２１の面の帯電は少なくなる
ので第１グリッド１２１の電位は安定化し、従って、イ
オン引き出しグリッド１２０の第１グリッド１２１と第
２グリッド１２２との間の電圧は安定になり、イオンを
安定に取り出すことができるに到る。
【図１】実施例を説明する図。
【図２】イオンビームスパッタリング装置を説明する
図。
図。
【図３】従来例を説明する図。
１１ 真空チャンバ １２ イオンガン １３ 基板ホルダ １４ ターゲットホルダ １６ 真空ポンプ １７ ターゲット １８ 基板 １９ 回転軸 １２０ イオン引き出しグリッド １２１ 第１グリッド １２１ｇ 第１グリッドのグリッド領域 １２２ 第２グリッド １２２ｇ 第２グリッドのグリッド領域 １２３ フェイスプレート １２３ｈ 開孔領域 Ｅ1 負の高電圧電源 Ｅ2 正の高電圧電源
Claims (2)
- 【請求項１】 イオンガンのイオン放射端部に設置され
るイオン引き出しグリッドに付設される絶縁材料より成
るフェイスプレートの開孔領域の形状寸法をイオン引き
出しグリッドのグリッド領域の形状寸法にほぼ等しく設
定したことを特徴とするイオンビームスパッタリング装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載されるイオンビームスパ
ッタリング装置において、 フェイスプレートの開孔領域の形状寸法およびイオン引
き出しグリッドのグリッド領域の形状寸法を楕円形とし
たことを特徴とするイオンビームスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12422397A JP3281924B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | イオンビームスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12422397A JP3281924B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | イオンビームスパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317138A JPH10317138A (ja) | 1998-12-02 |
| JP3281924B2 true JP3281924B2 (ja) | 2002-05-13 |
Family
ID=14880045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12422397A Expired - Fee Related JP3281924B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | イオンビームスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3281924B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6663747B2 (en) * | 2000-09-13 | 2003-12-16 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for enhancing the uniform etching capability of an ion beam grid |
| KR100612868B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2006-08-14 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 필름 제조방법 |
| KR100822313B1 (ko) | 2006-07-07 | 2008-04-15 | 주식회사 자이맥스 | 고효율 대향 타겟식 스퍼터링 장치 |
| JP7488555B2 (ja) * | 2019-07-18 | 2024-05-22 | 株式会社Iipt | イオンガン及びイオンビームスパッタリング装置 |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP12422397A patent/JP3281924B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10317138A (ja) | 1998-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020115 |
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