JP2729502B2 - 高速原子線源装置 - Google Patents
高速原子線源装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、スパッタ蒸着、エッチング等の材料加工に
用いる高速原子線源装置に関するものである。
用いる高速原子線源装置に関するものである。
（従来の技術） 高速原子線源装置として、第７図及び第８図に示すよ
うに、中空円筒形の第１の冷陰極11aと、この第１の冷
陰極11aの一端部に固着された中心にガス導入孔12aの穿
設された第２の冷陰極11bと、前記第１の冷陰極11aの他
端部に固着された中心にビーム放出孔12bの穿設された
第３の冷陰極11cと、前記第１の冷陰極11aの外周面中央
に穿設された環状陽極導入孔13を覆うて貼設されたセラ
ミックス等の絶縁部材14と、前記第1,第2,第３の冷陰極
11a,11b,11cで形成される円筒筐体内部のガス放電室15
中に前記絶縁部材14に吊設された一端に環状陽極16の固
着された高圧導入端子17とを備えた構成のものが提案さ
れている。このような高速原子線源装置にガス導入孔12
aからAr等の不活性ガスを導入し、環状陽極16と第１〜
第３の冷陰極11a,11b,11cとの間に高電圧H.Vを圧着端子
18から印加すると、ガス放電室15内でグロー放電が発生
し、プラズマが形成され、前記ガス導入孔12aから導入
された不活性ガスは、イオン化されて、更に該環状陽極
16と第１〜第３の冷陰極11a,11b,11c間に印加された静
電界により、第2,第３の冷陰極11b,11cに向けて加速さ
れ、そのうち第３の冷陰極11cに側に向けて加速された
放電プラズマのイオンｈは、第３の冷陰極11cのビーム
放出孔12b付近で電子と結合することによって、高速中
性原子となり、第３の冷陰極11cのビーム放出孔12bから
放出されて、高速原子線が得られる。
うに、中空円筒形の第１の冷陰極11aと、この第１の冷
陰極11aの一端部に固着された中心にガス導入孔12aの穿
設された第２の冷陰極11bと、前記第１の冷陰極11aの他
端部に固着された中心にビーム放出孔12bの穿設された
第３の冷陰極11cと、前記第１の冷陰極11aの外周面中央
に穿設された環状陽極導入孔13を覆うて貼設されたセラ
ミックス等の絶縁部材14と、前記第1,第2,第３の冷陰極
11a,11b,11cで形成される円筒筐体内部のガス放電室15
中に前記絶縁部材14に吊設された一端に環状陽極16の固
着された高圧導入端子17とを備えた構成のものが提案さ
れている。このような高速原子線源装置にガス導入孔12
aからAr等の不活性ガスを導入し、環状陽極16と第１〜
第３の冷陰極11a,11b,11cとの間に高電圧H.Vを圧着端子
18から印加すると、ガス放電室15内でグロー放電が発生
し、プラズマが形成され、前記ガス導入孔12aから導入
された不活性ガスは、イオン化されて、更に該環状陽極
16と第１〜第３の冷陰極11a,11b,11c間に印加された静
電界により、第2,第３の冷陰極11b,11cに向けて加速さ
れ、そのうち第３の冷陰極11cに側に向けて加速された
放電プラズマのイオンｈは、第３の冷陰極11cのビーム
放出孔12b付近で電子と結合することによって、高速中
性原子となり、第３の冷陰極11cのビーム放出孔12bから
放出されて、高速原子線が得られる。
（発明が解決しようとする課題） 本発明が解決しようとする課題を第８図を用いて説明
すると、前記従来の高速原子線源装置では、グロー放電
中にグラファイト製の環状陽極16や第１〜第３の冷陰極
11a,11b,11cのグラファイトが、導入ガスの放電プラズ
マのイオンｈによりスパッタされ、絶縁部材14のガス放
電室15側に露出している面の全面に付着する。このため
付着したグラファイトｉが導電体となって高電圧が印加
されている高圧導入端子17と第１の冷陰極11aとの絶縁
を破壊し、安定したグロー放電を維持することが可能と
なる。又、前記従来の高速原子線源装置では、高電圧が
印加されている高圧導入端子17がガス放電室15において
露出しているため、高圧導入端子17と第１の冷陰極11a
との間で異常放電を起こしたり、放電プラズマの電子ｅ
や放電プラズマのイオンｈによって漸次高温となり、溶
断する等の問題があった。
すると、前記従来の高速原子線源装置では、グロー放電
中にグラファイト製の環状陽極16や第１〜第３の冷陰極
11a,11b,11cのグラファイトが、導入ガスの放電プラズ
マのイオンｈによりスパッタされ、絶縁部材14のガス放
電室15側に露出している面の全面に付着する。このため
付着したグラファイトｉが導電体となって高電圧が印加
されている高圧導入端子17と第１の冷陰極11aとの絶縁
を破壊し、安定したグロー放電を維持することが可能と
なる。又、前記従来の高速原子線源装置では、高電圧が
印加されている高圧導入端子17がガス放電室15において
露出しているため、高圧導入端子17と第１の冷陰極11a
との間で異常放電を起こしたり、放電プラズマの電子ｅ
や放電プラズマのイオンｈによって漸次高温となり、溶
断する等の問題があった。
（課題を解決するための手段） 本発明は、前記課題を解決するためになされたもの
で、実施例に対応する第１図〜第６図で説明すると、本
発明は、中空円筒形の第１の冷陰極1aと、この第１の冷
陰極1aの一端部に固着された中心にガス導入孔2aの穿設
された第２の冷陰極1bと、前記第１の冷陰極1aの他端部
に固着された中心にビーム放出孔2bの穿設された第３の
冷陰極1cと、前記第１の冷陰極1aの外周面中央に穿設さ
れた環状陽極導入孔３を覆うて貼設された絶縁部材４
と、前記第1,第2,第３の冷陰極1a,1b,1cで形成される円
筒筐体内部のガス放電室５中に前記絶縁部材４に吊設さ
れた一端に環状陽極６の固着された高圧導入端子７とを
備えたものにおいて、前記絶縁部材４は断面逆工字状又
は断面逆土字状に形成されると共にその中心孔4aを通し
て前記高圧導入端子７を吊設するようにしたものであ
る。
で、実施例に対応する第１図〜第６図で説明すると、本
発明は、中空円筒形の第１の冷陰極1aと、この第１の冷
陰極1aの一端部に固着された中心にガス導入孔2aの穿設
された第２の冷陰極1bと、前記第１の冷陰極1aの他端部
に固着された中心にビーム放出孔2bの穿設された第３の
冷陰極1cと、前記第１の冷陰極1aの外周面中央に穿設さ
れた環状陽極導入孔３を覆うて貼設された絶縁部材４
と、前記第1,第2,第３の冷陰極1a,1b,1cで形成される円
筒筐体内部のガス放電室５中に前記絶縁部材４に吊設さ
れた一端に環状陽極６の固着された高圧導入端子７とを
備えたものにおいて、前記絶縁部材４は断面逆工字状又
は断面逆土字状に形成されると共にその中心孔4aを通し
て前記高圧導入端子７を吊設するようにしたものであ
る。
（作用） 本発明によれば、絶縁部材４が基部4bと鍔部4cとによ
って溝部4eを形成し、鍔部4cと第１の冷陰極1aとの間に
は微小隙間ｓが設けられているので、ガス放電室５内の
放電プラズマのイオンｈによってスパッタされたグラフ
ァイトｉは鍔部4cの影になっている溝部4eには付着しな
いので、高圧導入端子７と第１の冷陰極1aとの絶縁が保
たれ、安定したグロー放電が維持できる。
って溝部4eを形成し、鍔部4cと第１の冷陰極1aとの間に
は微小隙間ｓが設けられているので、ガス放電室５内の
放電プラズマのイオンｈによってスパッタされたグラフ
ァイトｉは鍔部4cの影になっている溝部4eには付着しな
いので、高圧導入端子７と第１の冷陰極1aとの絶縁が保
たれ、安定したグロー放電が維持できる。
更に、高圧導入端子７をカバーしているので、高圧導
入端子７にグラファイトｉが付着しないので、耐久性が
向上する。
入端子７にグラファイトｉが付着しないので、耐久性が
向上する。
（実施例） 以下、本発明を図により説明する。第１図〜第３図は
本発明による第１の実施例を示し、1aは中空円筒形の第
１の冷陰極、1bは第１の冷陰極1aの一端部に固着され、
中心にガス導入孔2aの穿設された第２の冷陰極、1cは第
１の冷陰極1aの他端部に固着された中心にビーム放出孔
2bの穿設された第３の冷陰極、４は第１の冷陰極1aの外
周面中央に穿設された環状陽極導入孔３を覆うて、外周
面に貼設された例えばセラミック製の絶縁部材、５は第
1,第2,第３の冷陰極1a,1b,1cで形成される円筒筐体内部
のガス放電室、６は環状陽極、７はガス放電室５中に絶
縁部材４に吊設された高圧導入端子、８は圧着端子であ
る。尚、第1,第2,第３の冷陰極1a,1b,1c及び環状陽極６
は例えばグラファイトで形成されている。更に絶縁部材
４は、第２図に示すように断面逆工字状に形成され、そ
の中心孔4aを通して高圧導入端子７を吊設している。絶
縁部材４の基部4bは第１の冷陰極1aの外周面1aaに貼設
され、鍔部4cは環状陽極導入孔内において、第１の冷陰
極1aとの間に微小隙間ｓを保ち、面4dと第１の冷陰極1a
の内周面1abとは、ほぼ同一線上に位置するようになっ
ている。
本発明による第１の実施例を示し、1aは中空円筒形の第
１の冷陰極、1bは第１の冷陰極1aの一端部に固着され、
中心にガス導入孔2aの穿設された第２の冷陰極、1cは第
１の冷陰極1aの他端部に固着された中心にビーム放出孔
2bの穿設された第３の冷陰極、４は第１の冷陰極1aの外
周面中央に穿設された環状陽極導入孔３を覆うて、外周
面に貼設された例えばセラミック製の絶縁部材、５は第
1,第2,第３の冷陰極1a,1b,1cで形成される円筒筐体内部
のガス放電室、６は環状陽極、７はガス放電室５中に絶
縁部材４に吊設された高圧導入端子、８は圧着端子であ
る。尚、第1,第2,第３の冷陰極1a,1b,1c及び環状陽極６
は例えばグラファイトで形成されている。更に絶縁部材
４は、第２図に示すように断面逆工字状に形成され、そ
の中心孔4aを通して高圧導入端子７を吊設している。絶
縁部材４の基部4bは第１の冷陰極1aの外周面1aaに貼設
され、鍔部4cは環状陽極導入孔内において、第１の冷陰
極1aとの間に微小隙間ｓを保ち、面4dと第１の冷陰極1a
の内周面1abとは、ほぼ同一線上に位置するようになっ
ている。
以上のように構成された高速原子線源装置のガス導入
孔2aからAr通の不活性ガスを導入し、環状陽極６と第１
〜第３の冷陰極1a,1b,1cとの間に高電圧を圧着端子８か
ら印加すると第７図で示した従来例と同様にガス放電室
５内でグロー放電が発生し、プラズマが形成され、前記
ガス導入孔2aから導入された不活性ガスはイオン化され
て、更に環状陽極６と第１〜第３の冷陰極1a,1b,1c間に
印加された静電界により、第2,第３の冷陰極1b,1cに向
けて加速され、そのうち第３の冷陰極1c側に向けて加速
された放電プラズマのイオンｈは第３の冷陰極1cのビー
ム放出孔2b付近で電子と結合することによって高速中性
原子となり、第３の冷陰極1cのビーム放出孔2bから放出
されて高速原子線となる。この場合ガス放電室５内の放
電プラズマのイオンｈによってスパッタされた第１〜第
３の冷陰極1a,1b,1c及び環状陽極６の構成材であるグラ
ファイトｉはガス放電室５側に露出している面の全面に
付着する。しかし、本発明においては、第５図で示した
従来例とは異なり第３図に示すように絶縁部材４に鍔部
4cが設けられ、基部4bと鍔部4cとによって溝部4eが形成
され、鍔部4cと第１の冷陰極1aとの間には微小隙間ｓが
設けられているので、スパッタされたグラファイトｉは
微小隙間ｓを通して環状陽極導入孔３内の絶縁部材４と
第１の冷陰極1aにも図示のように付着するが、スパッタ
されたグラファイトｉは直線的に移動するので、鍔部4c
の影になっている溝部4eには付着しない。よって高圧導
入端子７と第１の冷陰極1aとの絶縁が保たれ、安定した
グロー放電が維持できる。
孔2aからAr通の不活性ガスを導入し、環状陽極６と第１
〜第３の冷陰極1a,1b,1cとの間に高電圧を圧着端子８か
ら印加すると第７図で示した従来例と同様にガス放電室
５内でグロー放電が発生し、プラズマが形成され、前記
ガス導入孔2aから導入された不活性ガスはイオン化され
て、更に環状陽極６と第１〜第３の冷陰極1a,1b,1c間に
印加された静電界により、第2,第３の冷陰極1b,1cに向
けて加速され、そのうち第３の冷陰極1c側に向けて加速
された放電プラズマのイオンｈは第３の冷陰極1cのビー
ム放出孔2b付近で電子と結合することによって高速中性
原子となり、第３の冷陰極1cのビーム放出孔2bから放出
されて高速原子線となる。この場合ガス放電室５内の放
電プラズマのイオンｈによってスパッタされた第１〜第
３の冷陰極1a,1b,1c及び環状陽極６の構成材であるグラ
ファイトｉはガス放電室５側に露出している面の全面に
付着する。しかし、本発明においては、第５図で示した
従来例とは異なり第３図に示すように絶縁部材４に鍔部
4cが設けられ、基部4bと鍔部4cとによって溝部4eが形成
され、鍔部4cと第１の冷陰極1aとの間には微小隙間ｓが
設けられているので、スパッタされたグラファイトｉは
微小隙間ｓを通して環状陽極導入孔３内の絶縁部材４と
第１の冷陰極1aにも図示のように付着するが、スパッタ
されたグラファイトｉは直線的に移動するので、鍔部4c
の影になっている溝部4eには付着しない。よって高圧導
入端子７と第１の冷陰極1aとの絶縁が保たれ、安定した
グロー放電が維持できる。
第４図〜第６図は本発明による第２の実施例を示し、
第４図は本発明における第２の実施例を示す断面図、第
５図は本発明の第２の実施例の絶縁部材の拡大断面図、
第６図は第２の実施例におけるグラファイトｉの付着状
態を示す説明図で、第１の実施例と同一部分には同一符
号を付してその説明を省略する。本発明の第２の実施例
において第１の実施例と違う点は、絶縁部材４にカバー
部4fが形成され、絶縁部材４が断面逆土字状に形成され
たことである。この様な構成としたので、第１の実施例
と同様の効果に加えて、高圧導入端子７を放電プラズマ
の電子ｅや放電プラズマのイオンｈによるダメージから
カバーできる。
第４図は本発明における第２の実施例を示す断面図、第
５図は本発明の第２の実施例の絶縁部材の拡大断面図、
第６図は第２の実施例におけるグラファイトｉの付着状
態を示す説明図で、第１の実施例と同一部分には同一符
号を付してその説明を省略する。本発明の第２の実施例
において第１の実施例と違う点は、絶縁部材４にカバー
部4fが形成され、絶縁部材４が断面逆土字状に形成され
たことである。この様な構成としたので、第１の実施例
と同様の効果に加えて、高圧導入端子７を放電プラズマ
の電子ｅや放電プラズマのイオンｈによるダメージから
カバーできる。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明によれば、絶縁部
材を断面逆工字状又は断面逆土字状に形成し、その鍔部
と第１の冷陰極との間には微小隙間が設けられているの
で、ガス放電室内のガスイオンによってスパッタされた
グラファイトは、鍔部の影になっている溝部には付着し
ないので、高圧導入端子部と第１の冷陰極との絶縁が保
たれ、安定したグロー放電が維持できる。
材を断面逆工字状又は断面逆土字状に形成し、その鍔部
と第１の冷陰極との間には微小隙間が設けられているの
で、ガス放電室内のガスイオンによってスパッタされた
グラファイトは、鍔部の影になっている溝部には付着し
ないので、高圧導入端子部と第１の冷陰極との絶縁が保
たれ、安定したグロー放電が維持できる。
更に高圧端子７をカバーしているので耐久性を向上さ
せることが出来る。
せることが出来る。
第１図は本発明における第１の実施例を示す断面図、第
２図は本発明の第１の実施例の絶縁部材の拡大断面図、
第３図は第１の実施例におけるグラファイトの付着状態
を示す説明図、第４図は本発明における第２の実施例を
示す断面図、第５図は本発明の第２の実施例の絶縁部材
の拡大断面図、第６図は第２の実施例におけるグラファ
イトの付着状態を示す説明図、第７図は従来例を示す断
面図、第８図は従来例のグラファイトの付着状態を示す
説明図である。 1a……第１の冷陰極 1b……第２の冷陰極 1c……第３の冷陰極 2a……ガス導入孔 2b……ビーム放出孔 ３……環状陽極導入孔 ４……絶縁部材 ５……ガス放電室 ６……環状陽極 ７……高圧導入端子 ８……圧着端子 ｅ……放電プラズマの電子 ｈ……放電プラズマのイオン ｉ……グラファイト
２図は本発明の第１の実施例の絶縁部材の拡大断面図、
第３図は第１の実施例におけるグラファイトの付着状態
を示す説明図、第４図は本発明における第２の実施例を
示す断面図、第５図は本発明の第２の実施例の絶縁部材
の拡大断面図、第６図は第２の実施例におけるグラファ
イトの付着状態を示す説明図、第７図は従来例を示す断
面図、第８図は従来例のグラファイトの付着状態を示す
説明図である。 1a……第１の冷陰極 1b……第２の冷陰極 1c……第３の冷陰極 2a……ガス導入孔 2b……ビーム放出孔 ３……環状陽極導入孔 ４……絶縁部材 ５……ガス放電室 ６……環状陽極 ７……高圧導入端子 ８……圧着端子 ｅ……放電プラズマの電子 ｈ……放電プラズマのイオン ｉ……グラファイト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀川 宏 埼玉県入間市新久下新田110―１ コパ ル電子株式会社入間事業所内 (72)発明者 下川 房男 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 長井 一敏 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 審査官 三宅 正之 (56)参考文献 特開 昭61−163537（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】中空円筒形の第１の冷陰極1aと、この第１
の冷陰極1aの一端部に固着された中心にガス導入孔2aの
穿設された第２の冷陰極1bと、前記第１の冷陰極1aの他
端部に固着された中心にビーム放出孔2bの穿設された第
３の冷陰極1cと、前記第１の冷陰極1aの外周面中央に穿
設された環状陽極導入孔３を覆うて貼設された絶縁部材
４と、前記第1,第2,第３の冷陰極1a,1b,1cで形成される
円筒筐体内部のガス放電室５中に前記絶縁部材４に吊設
された一端に環状陽極６の固着された高圧導入端子７
と、を備えたものにおいて、 前記絶縁部材４は断面逆工字状に形成されると共にその
中心孔4aを通して前記高圧導入端子７を吊設するように
したことを特徴とする高速原子線源装置。 - 【請求項２】上記絶縁部材４が断面逆土字状に形成され
ると共にその中心孔4aを通して前記高圧導入端子７を吊
設するようにしたことを特徴とする請求項１記載の高速
原子線源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7402289A JP2729502B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 高速原子線源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7402289A JP2729502B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 高速原子線源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254157A JPH02254157A (ja) | 1990-10-12 |
| JP2729502B2 true JP2729502B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=13535079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7402289A Expired - Lifetime JP2729502B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 高速原子線源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2729502B2 (ja) |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7402289A patent/JP2729502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02254157A (ja) | 1990-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
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