KR100612868B1 - 실리콘 필름 제조방법 - Google Patents

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Abstract

양질의 다결정 실리콘 TFT의 제조 방법에 관해 개시된다. 본 발명에 따른 다결정 실리콘 TFT의 제조방법은: 기판과 기판에 피착될 실리콘 타겟 물질이 장착된 챔버 내에서, 상기 실리콘 타겟 물질에 이온빔을 조사하는 메인 고주파 유도결합 플라즈마 소스와, 상기 기판에 이온빔을 조사하는 보조 고주파 유도결합 플라즈마 소스를 이용하는 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 250℃의 이하의 온도에서 상기 기판에 실리콘 필름을 형성하는 단계;를 포함한다.
다결정, 바텀, 게이트, TFT

Description

실리콘 필름 제조방법{Fabrication method of Si film}
도 1은 본 발명에 따라 제조되는 실리콘 필름은 개략적 단면을 보인다.
도 2는 본 발명이 적용하는 IBD(ion beam deposition) 장치의 개략적 구조를 보인다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제조방법에 의해 얻은 실리콘 필름의 SEM 이미지이며, 도 3c는 종래 방법에 의해 제조된 실리콘 필름의 SEM 이미지이다.
도 4는 본 발명에 따른 실리콘 필름과 종래 실리콘 필름(LPCVD) 그리고 기타 비정질 실리콘(a-Si) 필름의 광학적 특성을 보이는 그래프이다.
도 5A와 도 5B는 본 발명에 따라 IBD에 의한 실리콘 필름, 그리고 종래 방법에 따라 스퍼터링에 의해 얻어진 실리콘 필름의 불순물 함유를 보이는 RBS 결과를 보이는 그래프이다.
도 6A와 도 6B는 본 발명에 따라 IBD에 의한 실리콘 필름, 종래 방법에 따라 스퍼터링에 의해 얻어진 실리콘 필름의 불순물로서 산소 및 수소의 함유량을 보이는 SIMS 결과를 보이는 그래프이다.
본 발명은 실리콘 필름 방법{Fabrication method of Si film}에 관한 것이다.
다결정 실리콘(poly crystalline Si, poly-Si)은 비정질 실리콘(amorphous Si, a-Si)에 비해 높은 이동도(mobility)를 가지기 때문에 평판 디스플레이 소자 뿐 아니라 태양전지 등 다양한 전자 소자등에 응용된다.
일반적으로 양질의 다결정 실리콘 결정을 얻기 위해서는 양질의 비정질 실리콘이 필요하다. LPCVD법은 450℃ 이상의 고온에서 진행되기 때문에 유리와 같이 열에 강한 재료 외에 플라스틱과 같이 열에 약한 기판에 실리콘 필름을 형성하기 어렵다.
PECVD 법의 경우는 LPCVD 법에 비해 비교적 낮은 350℃ 정도의 공정 온도를 가진다. 그러나 PECVD 법으로 부터 얻어진 실리콘 필름은 10~20%의 수소를 포함한다. 따라서 이를 제거하기 위한 탈수소 공정(dehydrogenation process)이 필수적이다. 일반적으로 탈수소공정은 약 400℃에서 수행되며, 이 정도의 온도는 플라스틱과 같은 약한 기판을 열적으로 변형 또는 손상시킨다. 결론적으로 PECVD 법에 의해서도 역시 플라스틱 기판 등에 실리콘 필름을 형성하기 어렵다.
플라스틱 기판에 실리콘을 형성하기 위해서는 스퍼터링법과 같은 저온 공정의 도입이 불가피하다. 그러나 스퍼터링법은 실리콘 필름에 다량의 불순물, 예를 들어 Ar, O, H 등의 가스를 잔류시킨다. 이러한 불순물은 실리콘의 전기적 특성을 악화시키기 때문에 제거되는 것이 바람직하다.
본 발명은 낮은 농도의 불순물을 가지는 저온 공정에 의한 실리콘 필름 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 실리콘 필름 제조방법은:
기판과, 상기 기판에 피착될 실리콘 타겟 물질이 장착된 챔버 내에서,
상기 실리콘 타겟 물질에 이온빔을 조사하는 메인 고주파 유도결합 플라즈마 소스와, 상기 기판에 이온빔을 조사하는 보조 고주파 유도결합 플라즈마 소스를 이용하는 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 250℃의 이하의 온도에서 상기 기판에 실리콘 필름을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 본 발명의 제조방법에 있어서,
상기 IBD가 수행되는 챔버의 기본 기압(Base pressure)을 10-7Torr 이하로 조절하는 것이 바람직하다.
삭제
또한, 본 발명의 제조방법은 상기 고주파유도결합플라즈마 소스에 필라멘트가 없는 장치를 적용한다. 그리고, 상기 메인 고주파유도결합플라즈마 소스는 이온빔을 상기 타겟에 집중시키기 위한 포커스 렌즈형 그리드를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 상기 기판은 플라스틱 기판이다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 실리콘 필름 제조방법의 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명에 의해 제조된 실리콘 필름을 보이는 개략적 단면도이다.
도시된 바와 같이 실리콘 웨이퍼 또는 플라스틱 기판(1) 상에 SiO2 버퍼층(2)이 형성되고, 그 위에 본 발명에 따라 형성되는 비정질 실리콘(a-Si) 필름(3)이 형성되어 있다.
상기 버퍼층(2)은 상기 기판이 실리콘 웨이퍼 및 플라스틱인 경우 임의적으로 증착된 절연물질층이다.
상기 실리콘 필름(3)은 상온(room temperature)에서 진행되는 이온빔 증착기에 의해 형성된 것이다.
도 2는 본 발명에서 적용하는 IBD(ion beam deposition) 장치의 개략적 구조를 보인다.
증착 챔버(10)의 일측에 기판 장착부(11)가 마련되어 있다. 기판 장착부(11)는 임의 회전축(X)을 중심으로 회전한다. 챔버(10)에는 두개의 고주파 유도결합플라즈마 소스(Radio Frequency Inductively Coupled Plasma Source, RFICP)(21,22)가 마련되어 있다. 그 중에 보조 RFICP 소스(22)는 기판장착부(11)에 탑재된 기판(1)에 대해 소정 각도 경사지게 이온빔을 조사하도록 배치되어 있다. 메인 RFICP 소스(21)와 상기 기판 탑재부(11)의 사이에는 타겟 조립체(30)가 마련되어 있다. 타겟 조립체(30)는 다수의 타겟을 가지며 타겟을 선택적 사용을 위해 임의 축(Y)을 중심으로 회전하는 구조를 가진다.
상기 메인 RFICP 소스(21)는 상기 타겟 조립체(30)의 선택된 타겟(31)에 대해 소정 각도 경사진 방향에서 이온빔을 조사한다. 타겟(31)으로 부터 튀어나온 이 온 빔은 기판(20)에 대해 역시 소정각도(θ) 경사지게 입사한다. 바람직하게 이온빔의 입사각(θ)은 ~45도 이하인 것이 바람직하다.
상기 메인 RFICP 소스와 타겟 간의 거리(a)와 선택된 타겟(31)과 기판(1) 간의 거리(b)는 80 cm 미터 이하가 바람직하다. 상기 RFICP 소스(21,22)는 필라멘트가 없는 구조를 가진다. 공정 조건에서 빔 전류는 300mA, 전압은 600 볼트로 조절한다. 증착률은 0.7 Å/sec 이며, 공정전 기본 압력은 10-7 torr 이하, 공정압력은 0.1 mtorr 이하로 조절한다. 상기 메인 RFICP 소스(21)는 이온빔을 선택된 타겟(31)에 집중시키기 위한 포커스 렌즈형 그리드(21a)를 구비하며, 보서 RFICP 소스(22)는 평탄한 그리드(22a)를 가진다. 이러한 두 소스(21, 22)는 기판의 오염원이 될 수 있는 필라멘트를 가지지 않는다.
본 발명의 실리콘 필름 제조방법은 상기와 같은 구조의 IBD를 이용하여 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 플라스틱 기판(1)에 실리콘 필름을 형성한다.
도 3a, 3b 각각은 본 발명에 의해 상온에서 IBD에 의해 웨이퍼 및 플라스틱 기판 상에 제조된 실리콘 필름의 SEM 이미지이며, 도 3c 종래의 550℃의 공정온도를 가지는 LPCVD에 의해 제조된 실리콘 필름을 보이는 SEM 이미지 이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 본 발명에 따르면 종래의 고온공정의 LPCVD 법에 의한 실리콘 필름에 비해 못하지 않은 양질의 실리콘 필름을 얻을 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 실리콘 필름(IBD)과 LPCVD법에 따른 종래 실리콘 필름(LPCVD) 그리고 크리스탈 실리콘(x-Si)의 광학적 특성을 보이는 그래프이다. 도 4에 도시된 바와 같이 크리스탈 실리콘(x-Si) 은 파장별 반사률의 변화가 심한 반면, 본 발명 및 LPCVD 법에 의한 실리콘 필름은 일부 구간을 제외하고 직선적 반사율 변화를 보인다.
아래의 표 1은 스퍼터링 및 IBD 에 의해 얻어진 실리콘의 입자밀도 차이를 보이는 것으로 X-ray reflectometry(XRR), Rutherford Back Scattering Spectroscopy(RBS)에 의해 측정된 밀도를 비교해 보인다.
구분 XRR (g/cm3) RBS(/cm2)
SPUTTER (종래 방법) 2.262 1030 E15
IBD (본 발명) 2.250 1150 E15
한편 도 5A와 도 5B는 본 발명에 따라 IBD에 의한 실리콘 필름, 그리고 종래 방법에 따라 스퍼터링에 의해 얻어진 실리콘 필름의 불순물 함유 차이를 보이는 RBS 결과에 의한 그래프이다.
본 발명에 따라 제조된 실리콘 필름은 도 5A에 도시된 바와 같이 Ar 은 존재하지 않고 극미량의 Fe 성분을 함유함을 알 수 있다. 그러나 종래 방법에 의한 실리콘 필름은 도 5B에 도시된 바와 같이 상당향의 Ar이 포함되어 있음을 알수 있다. 측정결과 본발명에 따른 실리콘 필름은 약 0.2%의 Ar을 함유하는 반면 종래 방법에 따른 실리콘 필름은 무려 2.4%의 Ar을 함유하고 있는 것으로 나타났다. Fe의 경우는 본 발명에 따른 실리콘 필름만이 0.005% 를 함유하는 것으로 나타났다.
한편 도 6A와 도 6B는 본 발명에 따라 IBD에 의한 실리콘 필름, 그리고 종래 방법에 따라 스퍼터링에 의해 얻어진 실리콘 필름의 불순물로서 산소 및 수소의 함 유량을 보이는 SIMS 결과를 보이는 그래프이다.
도 6A를 참조하면, 본 발명에 따른 필름(IBD)이 종래 방법에 의한 필름에 비해 적은 양의 산소를 포함하고 있는데, 계산에 의하면 본 발명에 따른 필름은 약 0.0002%의 산소를 포함하고, 종래 방법에 따른 필름은 0.002%의 산소를 포함하는 것으로 나타났다.
도 6B를 참조하면, 본 발명에 따른 필름(IBD)이 종래 방법에 의한 필름에 비해 적은 양의 수소를 포함하고 있는데, 계산에 의하면 본 발명에 따른 필름은 약 0.006%의 수소를 포함하고, 종래 방법에 따른 필름은 0.8%의 산소를 포함하는 것으로 나타났다.
이와 같이 본 발명에 따르면 실리콘 필름중의 불순물의 함유도 감소시킬 수 있다.
상기와 같은 특징을 가지는 본 발명의 제조방법에 의해 제조된 실리콘 필름은 ELA(Excimer Laser) 등에 의해 열처리되어 결정화된다.
상기와 같은 본 발명은 불순물 함유가 적고 그리고 결정구조면에서 매우 양질의 실리콘 필름을 얻을 수 있다. 이러한 본 발명에 따르면 전기적으로 양호한 특성을 가지는 폴리실리콘의 제작을 가능하게 하고 이로써 양질의 스위칭 소자용 TFT 또는 태양전지를 제작할 수 있게 한다.
이러한 본원 발명의 이해를 돕기 위하여 몇몇의 모범적인 실시예가 설명되고 첨부된 도면에 도시되었으나, 이러한 실시예들은 단지 넓은 발명을 예시하고 이를 제한하지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 그리고 본 발명은 도시되고 설명된 구조와 배열에 국한되지 않는다는 점이 이해되어야 할 것이며, 이는 다양한 다른 수정이 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일어날 수 있기 때문이다.

Claims (5)

  1. 기판과, 상기 기판에 피착될 실리콘 타겟 물질이 장착된 챔버 내에서,
    상기 실리콘 타겟 물질에 이온빔을 조사하는 메인 고주파 유도결합 플라즈마 소스와, 상기 기판에 이온빔을 조사하는 보조 고주파 유도결합 플라즈마 소스를 이용하는 IBD(Ion Beam Deposition)에 의해 250℃의 이하의 온도에서 상기 기판에 실리콘 필름을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 필름 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 기본 기압(Base pressure)을 10-7Torr 이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 필름 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고주파유도결합플라즈마 소스는 필라멘트를 가지지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 필름 제조방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 메인 고주파유도결합플라즈마 소스는 이온빔을 상기 타겟에 집중시키기 위한 포커스 렌즈형 그리드를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 필름 제조방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7601430B2 (en) * 2006-01-31 2009-10-13 Los Alamos National Security, Llc Biaxially oriented film on flexible polymeric substrate
KR20080017965A (ko) * 2006-08-23 2008-02-27 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치용 표시판의 제조 방법
FR2971261B1 (fr) * 2011-02-08 2013-09-20 Centre Nat Rech Scient Dispositif et procede de pulverisation ionique
CN106030806B (zh) * 2014-03-18 2020-01-21 英特尔公司 具有柔性衬底的半导体组件
US20220316045A1 (en) * 2021-03-31 2022-10-06 Kla Corporation System and method for ion-assisted deposition of optical coatings

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4179312A (en) * 1977-12-08 1979-12-18 International Business Machines Corporation Formation of epitaxial layers doped with conductivity-determining impurities by ion deposition
JPS57160909A (en) 1981-03-27 1982-10-04 Fujitsu Ltd Formation of thin amorphous silicon hydride film
US4376688A (en) * 1981-04-03 1983-03-15 Xerox Corporation Method for producing semiconductor films
US4492736A (en) * 1983-09-29 1985-01-08 Atlantic Richfield Company Process for forming microcrystalline silicon material and product
US4637869A (en) * 1984-09-04 1987-01-20 The Standard Oil Company Dual ion beam deposition of amorphous semiconductor films
US4673475A (en) 1985-06-28 1987-06-16 The Standard Oil Company Dual ion beam deposition of dense films
JPH0252422A (ja) * 1988-08-17 1990-02-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜製造方法及び装置
JPH07116596B2 (ja) * 1989-02-15 1995-12-13 株式会社日立製作所 薄膜形成方法、及びその装置
US5192393A (en) * 1989-05-24 1993-03-09 Hitachi, Ltd. Method for growing thin film by beam deposition and apparatus for practicing the same
US5523587A (en) * 1993-06-24 1996-06-04 At&T Corp. Method for low temperature growth of epitaxial silicon and devices produced thereby
US5508368A (en) * 1994-03-03 1996-04-16 Diamonex, Incorporated Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings
CA2147198A1 (en) * 1995-04-18 1996-10-19 Chettypalayam R. Selvakumar Low temperature ion-beam assisted deposition method for realizing sige/si heterostructures
JP3281924B2 (ja) * 1997-05-14 2002-05-13 日本航空電子工業株式会社 イオンビームスパッタリング装置
JPH11186165A (ja) * 1997-12-25 1999-07-09 Sony Corp 多結晶薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法
JP4341124B2 (ja) * 1999-11-25 2009-10-07 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002118064A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体の低温化結晶成長法
JP4663139B2 (ja) * 2001-02-16 2011-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2003013221A (ja) * 2001-07-03 2003-01-15 Shimadzu Corp イオンビームスパッタ装置
JP2003138374A (ja) * 2001-11-01 2003-05-14 Hitachi High-Technologies Corp スパッタ装置及びスパッタ方法
JP2003264148A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Nec Corp 薄膜製造方法、半導体デバイス製造方法、非晶質半導体薄膜、絶縁体薄膜、及び半導体装置

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