JP4274452B2

JP4274452B2 - スパッタ源及び成膜装置

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Publication number: JP4274452B2
Application number: JP2001098963A
Authority: JP
Inventors: 俊二黒岩; 克尚加茂
Original assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 2001-03-30
Filing date: 2001-03-30
Publication date: 2009-06-10
Anticipated expiration: 2021-03-30
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタ源及び成膜装置に関し、被処理物の上に金属や絶縁物などからなる反射膜や透過膜などの薄膜を堆積するマグネトロンスパッタ方式のスパッタ源及び成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置や液晶ディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において被処理物例えば、ウェーハやガラス基板の上に各種の薄膜を堆積するスパッタリング型の成膜装置（以下、「スパッタ装置」と称する）が広く用いられている。
【０００３】
スパッタ装置は、真空容器内に設けられた所定の堆積物のターゲットを陰極にバイアスしておき、これに対して、アルゴン（Ａｒ）などの放電用ガスのイオンを衝突させることにより、ターゲットを構成する材料を原子状、分子状あるいはクラスタ状で叩き出して所定の基板上に薄膜として堆積させるものである。
【０００４】
このようなスパッタ装置においては、ターゲットの表面近くの空間におけるグロー放電によるプラズマの密度を高めてスパッタリング速度を上げるために、いわゆる「マグネトロン方式」が広く用いられている。マグネトロン方式とは、ターゲットの裏面側に磁石を設け、その発生磁界によって荷電粒子をターゲットの表面近傍に閉じこめることにより高いプラズマ密度を得るものである。このようにしてプラズマ密度を高めることにより、高速なスパッタリングを行い、被処理物への堆積速度を増加することが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このようなマグネトロン方式のスパッタ装置においては、ターゲット裏面の磁石を固定配置すると、発生磁場も固定されてこの部分にプラズマが集中してしまう。例えば、磁石を円形あるいは楕円形状に配置した場合、ターゲットから叩き出されるスパッタ粒子が最も多くなる位置も、円形あるいは楕円形状となる。すると、基板などの被処理物の上に堆積される薄膜の膜厚分布が不均一となり、同時にターゲットにおけるエロージョンも円形あるいは楕円形状となる。つまり、ターゲットの消耗が局所的に生ずるため、利用効率が低下するという問題が生ずる。
【０００６】
これに対して、ターゲット裏面側の磁石を走査させるという方法も考えられる。例えば、特許第２６４６２６０号公報には、半月形状に環状配置された磁石を所定の回転軸の周りに回転させるスパッタ装置が開示されている。しかし、この装置の場合、一重の環状磁石が設けられ、その内側側面のＮ極と外側側面Ｓ極との間で発生する磁場によりプラズマが閉じこめられる。従って、プラズマが閉じこめられる範囲は一重の環状磁石の上部のみに限定されてしまう。このような狭い磁場を発生する一重の半月形状の磁石を回転させるだけでは、ターゲットの表面を走査できる範囲は限定されており、長期の使用に伴うターゲットのエロージョンの均一性については改善の余地があった。
【０００７】
一方、特開平９−１４３７１３号公報においては、２重の環状磁石を用い、さらに、これら環状磁石のそれぞれとターゲットととの距離を適宜変えるスパッタリング装置のマグネトロンユニットが開示されている。しかし、この装置の場合、磁石を回転させるだけはなく、ターゲットに対して接近させあるいは引き離すための移動機構も必要とされるために構造が複雑になり、装置コストが上昇するとともに、信頼性やメンテナンス性が低下する虞がある。
【０００８】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、簡略な構成でターゲットのエロージョンを一様に生じさせ、被処理物の上に堆積される薄膜の膜厚分布も均一にできるスパッタ源及び成膜装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のスパッタ源は、ターゲットに磁場を印加しつつ前記ターゲットのスパッタリングを実施可能としたスパッタ源であって、回転軸に対して鉛直な面上において環状に設けられた内磁と、前記面上において前記内磁の外側に環状に設けられた外磁と、を備え、前記内磁と外磁との間に形成される磁場トンネルの中心線は、円弧状の部分と、前記円弧状の部分に連結した扇状の略直線部と、を有する環状の線であり、前記外磁の少なくとも一部が、前記ターゲットの外縁よりも外側にはみ出して設けられ、前記回転軸の中心点が、前記内磁の扇状の略直線部の内縁と近接する内側の領域であって、前記磁場トンネルの外側に形成される磁界の広がる範囲に含まれるように設けられたことを特徴とする。
【００１０】
また、前記内磁の円弧状の部分の半径を７３ｍｍ、前記外磁の円弧状の部分の半径を１０３ｍｍ、前記磁場トンネルの中心線の略直線部の交点と、前記円弧状の部分の中心点との距離を３０ｍｍ、とした場合に、前記磁場トンネルの中心線の対称軸と前記略直線部とのなす角度θは、４５°以上１３５°以下であるとすれば、円弧部と直線部とのバランスが好適となり、良好な膜厚均一性と均一なターゲットのエロージョンが得られる。
【００１１】
ここで、前記角度θを、７５°以上８５°以下とすると、特に良好な膜厚均一性と均一なターゲットのエロージョンが得られる。
【００１３】
前記構成によれば、ターゲットの外縁部まで磁場を印加することにより、ターゲットの全面に渡って磁場を走査して均一なエロージョンを進行させ、膜厚分布の均一性も改善することができる。
【００１４】
ここで、前記内磁と外磁との間に形成される磁場トンネルの中心線は、前記ターゲットの外縁よりも外側にはみ出さないように設けられたものとすれば、ターゲットの外側でスパッタリングが生ずることも防げる。
【００１６】
そして、上記したいずれかのスパッタ源において、前記内磁及び前記外磁の前記略直線部に対応する部分は、複数の磁石ブロックを階段状に配置してなるものとすることができる。
【００１７】
または、前記内磁及び前記外磁の前記略直線部に対応する部分は、前記円弧状の部分に対応する部分から連続的に形成された曲線に形成されてなるものとすることができる。
【００１８】
または、前記内磁及び前記外磁の前記略直線部に対応する部分は、前記対称軸に対して略垂直な複数の直線部を互いにずらして配置してなるものとすることができる。
【００１９】
一方、前記回転軸は、前記円弧状の部分の中心点を通過するものとすれば、基板の中央部から周辺部にわたって極めて均一な膜厚分布が得られる。
【００２０】
または、前記回転軸は、前記円弧状の部分の中心点を通過しないものとすれば、基板の中央部における膜厚を薄くすることができ、光ディスクの製造などに用いて好適である。
【００２１】
上述したいずれかのスパッタ源を備え、被処理物の表面に薄膜を堆積可能とした成膜装置は、優れた膜厚均一性とターゲットの利用効率とを実現できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の実施の形態にかかるスパッタ源の要部構成を例示する概念図である。すなわち、同図（ａ）は、ターゲット裏面に設けられる磁石の配置を表す平面図であり、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
【００２４】
また、図２は、本発明の実施の形態にかかる成膜装置の要部構成を例示する断面図である。
【００２５】
図１に例示したように、本発明のスパッタ源は、磁石取り付け板４の上に環状に設けられた内磁１と外磁２を有する。内磁１は、ターゲット１５に向かって例えばＮ極を有し、外磁２はターゲット１５に向かってＳ極を有する。但し、磁極の極性はこれと反対でもよい。そして、このように反対の極性を有する内磁と外磁とにより、ターゲット１５の表面近傍に磁界を印加するための磁気回路が形成される。
【００２６】
図２を参照しつつ、本発明の成膜装置の全体構成についてまず概説すると以下の如くである。
【００２７】
本発明の成膜装置は、スパッタ源Ｓが取り付けられた真空チャンバ１１を有する。真空チャンバ１１は、真空排気系２１により減圧雰囲気を維持可能され、その内部には、支持台２０の上にウェーハなどの被処理物１９が適宜配置される。また、真空チャンバ１１は、スパッタリングガスを導入するためのガス導入口１８を有する。
【００２８】
スパッタ源Ｓは、バッキング・プレートＢにとりつけられたターゲット１５を有する。ターゲット１５は、ターゲット抑え１６により固定され、その裏面側には、冷却機構１４を介して、磁石Ｍが設けられている。磁石Ｍは、ハウジング１０に取り付けられた回転機構９によって回転軸８の周りに回転可能とされ、発生する磁場をターゲット１５の表面近傍の空間に印加する。また、ターゲット１５は、バイアス電圧を印加するため、絶縁リング１３により絶縁され、また、Ｏリングなどのシール機構１２を設けることにより真空チャンバ１１の気密が維持されている。
【００２９】
図２に例示した成膜装置の動作について説明すると、まず、所定の被処理物１９を支持台２０の上に載置し、真空チャンバ１１を排気する。しかる後に、ガス導入口１８からアルゴン（Ａｒ）などの所定のスパッタリングガスを導入する。そして、回転機構９によって磁石Ｍを回転させながら、ターゲット１５に所定の負電圧をバイアスする。すると、磁石Ｍにより形成される磁気トンネルによりターゲット１５の表面近傍にプラズマが高い密度で発生し、そこで発生した荷電粒子が負電圧にバイアスされたターゲット１５に衝突してターゲット１５の材料を叩き出し、被処理物１９の上に薄膜として堆積される。
【００３０】
さて、以上説明した成膜装置において、磁石Ｍを図１に例示した如く形成すると、被処理物１９に堆積される薄膜の膜厚分布を均一にして、同時にターゲット１５のエロージョンも均一に発生させることが可能となる。
【００３１】
以下、本発明における内磁１及び外磁２の形状的な特徴点について詳細に説明する。
【００３２】
まず、本発明においては、磁石Ｍを２重の環状に設けられた内磁１と外磁２とにより形成する。このような独特の平面形状を有する磁石をその円弧部の中心点Ｏの周りに回転させ、あるいは後に詳述するように、中心点Ｏから所定距離だけ偏心させた軸の周りに回転させる。
【００３３】
本発明によれば、このように内磁１と外磁２との間で磁気回路を形成することにより、ターゲット１５の表面近傍に幅広い磁場を印加することができる。つまり、内磁１のＮ極と外磁２のＳ極との間で生ずる磁場の範囲は、内磁１と外磁２との間隔Ｄに応じて広げることができる。その結果として、ターゲット１５の幅広い範囲をスパッタでき、堆積する薄膜の膜厚分布を均一化できるとともに、ターゲットのエロージョンも均一化することが可能となる。
【００３４】
本発明者が独自に行った試作検討によれば、中心点Ｏから内磁１の外側側面までの半径をＲ１、中心点Ｏから外磁２の外側側面までの半径をＲ２、中心点Ｏからターゲット１５の外縁までの半径をＲ３とした場合に、次の条件が満たされる範囲にすると優れた均一性が得られることが判明した。
【００３５】
Ｒ１（内磁）＜Ｒ３（ターゲット）＜Ｒ２（外磁）（１）
【００３６】
つまり、外磁２の外縁がターゲット１５よりも外側にはみ出すように配置することが望ましい。この理由は、定性的には、上記（１）の条件においては、ターゲット１５の外縁の端まで磁気が走査され、ターゲットの全面に渡ってエロージョンが均一に進むからである。
【００３７】
図３は、内磁及び外磁とターゲットとの位置関係を説明するための断面図である。なお、同図において、中心点Ｏは、磁石の円弧部の中心点であると同時に円形のターゲットの中心でもある。
【００３８】
同図に表したように、内磁１と外磁２との間には、扇形の磁力線からなる磁気トンネルＴが形成される。プラズマは、磁気トンネルＴの中心Ｃ１の近傍において最も高い密度で閉じこめられる。
【００３９】
上記（１）に表したように、外磁２の外側側面がターゲット１５よりも外側にはみ出すと、ターゲット１５の外縁部まで磁気を走査することができる。
【００４０】
但し、外磁２がターゲット１５よりも外側に過度にはみ出すと、ターゲットよりも外側でスパッタリングが生ずる虞もある。従って、ターゲットの外側でのスパッタリングを防ぐためには、磁気トンネルＴの中心Ｃ１がターゲット１５からはみださないように配置することが望ましい。
【００４１】
磁気トンネルＴの中心Ｃ１の位置は、内磁１と外磁２との間隔の中心Ｃ２に近似できる。つまり、中心点Ｏから、内磁１と外磁２との間隔の中心Ｃ２までの距離をＲ４とした時に、次の条件が満たされることが望ましい。
【００４２】
Ｒ４（内磁と外磁の中心までの距離）＜Ｒ３（ターゲットの半径）（２）
【００４３】
前述した（１）の条件に加えて上記（２）の条件が満たされれば、ターゲット１５からはみ出すことなくその外縁まで全面に渡って磁気を走査し、エロージョンを均一に進ませることができる。
【００４４】
次に、本発明における内磁１及び外磁２の形状の特徴点について説明する。
【００４５】
本発明においては、図１に例示したように、２重の環状に設けられた内磁１と外磁２との間で形成される磁気トンネルＴの中心線３が、中心点Ｏの周りに設けられた円弧部３Ａと、この円弧部に連結された扇状の直線部３Ｂと、を有する。
【００４６】
つまり、内磁１及び外磁２も、中心点Ｏの周りに設けられた円弧部１Ａ及び２Ａと、この円弧部に連結された扇状の直線部１Ｂ及び２Ｂと、を有する。
【００４７】
本発明においては、このような独特の平面形状を有する磁石をその中心点Ｏの周りに回転させ、あるいは後に詳述するように、特定の用途においては、中心点Ｏから所定距離だけ偏心させた軸の周りに回転させる。
【００４８】
環状の内磁１及び外磁２をそれぞれ円弧部１Ａ及び２Ａと、扇状の直線部１Ｂ及び２Ｂとにより構成することにより、ターゲット１５の表面におけるプラズマの密度の分布を従来よりも均一化することができる。例えば、図１（ａ）に例示したような形状の磁石を中心点Ｏの周りに回転させた場合、略円形のターゲット１５の中心付近は、内磁１と外磁２とにより生ずる磁場が直接的には印加されない。
【００４９】
しかし、本発明者の独自の試作検討の結果、ターゲット１５の表面において磁界が印加される範囲（例えば、内磁１と外磁２との間の範囲）と、スパッタリングによるエロージョンが生ずる範囲とは必ずしも厳密には一致しないことが分かった。つまり、ターゲットのエロージョンは、実際に磁界が印加される範囲よりも広がって生ずる場合が多いことが判明した。これは、磁界によるプラズマの「閉じこめ効果」や、その結果として生ずる「スパッタリング密度の分布」には、ある程度の広がりが生ずるからであると推測される。つまり、ターゲット１５の表面におけるエロージョンは、内磁１と外磁２との間で生ずる磁界が走査される範囲の両側にある程度の「広がり」を加味して生ずる。
【００５０】
つまり、ターゲット１５の中心点付近の領域は、内磁１と外磁２との間で生ずる磁界は直接的には印加されないが、図１に例示した形状を有する磁石を中心点Ｏの周りに回転した場合には、扇状の直線部１Ｂ及び２Ｂの交差点付近からの影響を常に受けることとなる。その結果として、一定時間のスパッタリングの積分値は、ターゲットの中央部と周辺部とでほぼ同一にすることができる。
【００５１】
さらに、本発明者は、扇状の直線部１Ｂ及び２Ｂが対称軸Ｙとなす角度θをした時に、角度θを様々に変化させて、得られた薄膜の膜厚分布やターゲットのエロージョンの分布について調べた。
【００５２】
図４は、上記角度θと、その磁石を用いてスパッタ成膜した薄膜の膜厚分布との関係を表すグラフ図である。ここでは、被処理物として直径１２０ｍｍの円形の基板を用い、基板上に堆積された薄膜の最も厚い部分と薄い部分との割合を図４の縦軸に表した。また、ターゲット１５の半径Ｒ３は１００ｍｍ、内磁１の半径Ｒ１は７３ｍｍ、外磁２の半径Ｒ２は１０３ｍｍとした。さらに、図１に表した扇形の中心ＯＤと円弧部の中心Ｏとの距離は、３０ｍｍとした。
【００５３】
図４から、角度θが次の範囲にある時、膜厚の分布は、概ね１８パーセント以下となり、良好な均一性が得られていることが分かる。
【００５４】
４５°≦θ≦１３５° （３）
【００５５】
これは、定性的に説明すれば、この角度θの範囲において、ターゲット１５の表面におけるプラズマ密度の積分値が均一になるからであると考えられる。
【００５６】
特に、角度θを次の範囲とした場合に、膜厚の分布は２パーセント以下となり、最も優れた膜厚均一性が得られていることが分かる。
【００５７】
７５°≦θ≦８５° （４）
【００５８】
図５は、角度θが４５°、８０°、１３５°における基板上での膜厚分布を定性的に表すグラフ図である。同図に表したように、角度θが４５°の場合は、基板の中心から約３０ｍｍの位置に膜厚のピークがある。これに対して、角度θが８０°の場合には膜厚の分布は非常に平坦となる。そして、角度θが１３５°になると、膜厚のピークは基板の外周部へずれる。
【００５９】
図５に表した分布の変化を定性的に説明すると次の如くである。すなわち、角度θが小さくなると、図１に例示した形状における円弧部（１Ａ、２Ａ）の割合が小さくなる。その結果として、ターゲットの周辺部に印加される磁場の割合が減少し、膜厚のピークが中央に寄る。
【００６０】
これに対して、角度θが大きくなると、図１に例示した形状における円弧部の割合が大きくなる。その結果として、ターゲットの周辺部に印加される磁場の割合が大きくなり、膜厚のピークが外側に移動する。
【００６１】
そして、角度θが８０°の場合には、図１に例示した形状における円弧部（１Ａ、２Ａ）と直線部（１Ｂ、２Ｂ）の割合が丁度良く、ターゲットの中央部と周辺部において均一に磁場が走査されるため、平坦な膜厚分布が得られる。この時に、ターゲットのエロージョンもほぼ均一に進行するため、ターゲットの利用効率も改善することができる。
【００６２】
次に、本発明の変型例について説明する。
【００６３】
図６乃至図８は、本発明における磁石Ｍの平面形状の変型例を表す概念図である。
【００６４】
まず、図６に例示した磁石の場合、内磁１及び外磁２の直線部１Ｂ及び２Ｂが、それぞれ複数のブロックＣによって階段状に形成されている。
【００６５】
また、図７に例示した磁石の場合、内磁１及び外磁２の直線部１Ｂ及び２Ｂは、円弧部から連続的に連なる曲線状に変形されている。
【００６６】
さらに、図８に例示した磁石の場合、内磁１及び外磁２の直線部１Ｂ及び２Ｂは、対称軸Ｙに対して略垂直な２つの直線部Ｌ１及びＬ２に変形されている。
【００６７】
図６乃至図８のに例示したいずれの変型例においても、図１に例示したものと同様の作用効果を得ることが可能である。すなわち、これらの変型例においても、扇状の直線部１Ｂ及び２Ｂを近似した場合に、上記（１）乃至（３）の関係が満足されれば、図１に関して前述したものと同様の効果を得ることができる。
【００６８】
さらに、本発明においては、磁石Ｍを中心点Ｏから偏心させて回転することもできる。図９は、磁石Ｍを偏心させて回転させる成膜装置を例示する断面図である。同図については、図１乃至図８に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６９】
図９に例示した成膜装置においては、磁石Ｍの回転軸８は、中心点Ｏに対して所定距離Ｆだけ偏心している。ここで、中心点Ｏは、内磁１と外磁２の円弧部１Ａ及び２Ａ（すなわち中心線３の円弧部３Ａ）の中心である。このように中心点Ｏに対して偏心させて磁石Ｍを回転させることにより、ターゲット１５の中央部と周辺部におけるエロージョンの分布や被処理物の膜厚分布をさらに微調節し最適化することが可能となる。
【００７０】
このように磁石を中心点Ｏに対して偏心した軸の周りに回転させる方法は、例えば、光ディスクの製造などに応用して好適である。
【００７１】
図１０は、本発明を光ディスクの製造に用いるスパッタリング装置に適用した具体例を表す。同図については、図１乃至図９に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７２】
同図に例示した装置においては、被処理物としてＣＤ（Compact Disk）やＤＶＤ（Digital Verstile Disk）などに用いるディスク基板１９が使用されている。すなわち、このようなディスク基板１９に、光反射膜や光透過膜あるいは記録層などをスパッタリング成膜する。しかし、このようなディスク基板の場合、基板の中央部には穴が設けられ、その付近にはこれらの膜を成膜しない。従って、基板１９の中央部には、マスク５０が設けられている。このような用途においては、基板の中央部において成膜を抑制するために、磁石Ｍをその中心点Ｏから偏心した軸の周りに回転させることが望ましい。
【００７３】
具体的には、例えば、図１に例示した磁石Ｍにおいて、円弧部の中心点Ｏから直線部の方向へ所定の距離だけ偏心させた軸を回転軸とすると、ターゲットの中央部分に印加される磁場の割合が減少し、基板１９の中心付近の膜厚を薄くすることができる。
【００７４】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
例えば、図２あるいは図９、図１０に例示した成膜装置の構成や各要素の詳細については、当業者が適宜設計変更して実施することが可能であり、本発明の範囲を逸脱するものではない。
【００７５】
具体的には、被処理物１９とターゲット１５との配置関係についても、被処理物１９が上側に設けられてもよく、或いは、被処理物１９とターゲット１５とが鉛直軸に対して横向きに対向して設けられても良い。
【００７６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、被処理物に堆積される薄膜の膜厚分布を従来よりも均一にでき、同時に、ターゲットのエロージョンも均一にすることにより、ターゲットの利用効率を改善することが可能となり、産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかるスパッタ源の要部構成を例示する概念図であり、同図（ａ）はターゲット裏面に設けられる磁石の配置を表す平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる成膜装置の全体構成を例示する断面図である。
【図３】内磁及び外磁とターゲットとの位置関係を説明するための断面図である。
【図４】角度θと、その磁石を用いてスパッタ成膜した薄膜の膜厚分布との関係を表すグラフ図である。
【図５】角度θが４５°、８０°、１３５°における基板上での膜厚分布を定性的に表すグラフ図である。
【図６】本発明における磁石Ｍの平面形状の変型例を表す概念図である。
【図７】本発明における磁石Ｍの平面形状の変型例を表す概念図である。
【図８】本発明における磁石Ｍの平面形状の変型例を表す概念図であり、同図（ａ）はその平面図、同図（ｂ）はその対称軸での断面図である。
【図９】磁石Ｍを偏心させて回転させる成膜装置を例示する断面図である。
【図１０】光ディスク基板上への堆積を行う成膜装置を例示する断面図である。
【符号の説明】
１内磁
２外磁
３中心線
１Ａ、２Ａ、３Ａ円弧部
１Ｂ、２Ｂ、３Ｂ直線部
４取り付け板
１０ハウジング
１１チャンバ
１２シール
１３絶縁リング
１４冷却機構
１５ターゲット
１６ターゲット押さえ
１８ガス導入口
１９被処理物
２０支持台
２１真空排気系
５０マスク
Ｃ１磁気トンネルの中心
Ｃ２内磁と外磁の間隔の中心
Ｍ磁石
Ｏ円弧部の中心
ＯＤ扇形部の中心（直線部と対称軸の交点）
Ｓスパッタ源
Ｔ磁気トンネル

Claims

ターゲットに磁場を印加しつつ前記ターゲットのスパッタリングを実施可能としたスパッタ源であって、
回転軸に対して鉛直な面上において環状に設けられた内磁と、前記面上において前記内磁の外側に環状に設けられた外磁と、
を備え、
前記内磁と外磁との間に形成される磁場トンネルの中心線は、円弧状の部分と、前記円弧状の部分に連結した扇状の略直線部と、を有する環状の線であり、
前記外磁の少なくとも一部が、前記ターゲットの外縁よりも外側にはみ出して設けられ、
前記回転軸の中心点が、前記内磁の扇状の略直線部の内縁と近接する内側の領域であって、前記磁場トンネルの外側に形成される磁界の広がる範囲に含まれるように設けられたことを特徴とするスパッタ源。
前記回転軸の中心点が、前記磁場トンネルの外側に形成される磁界の広がる範囲に含まれるように、
前記円弧状の部分に連結した扇形の中心点と、前記回転軸の中心点と、の間の距離が設定されていること、を特徴とする請求項１記載のスパッタ源。
）
前記内磁の円弧状の部分の半径を７３ｍｍ、前記外磁の円弧状の部分の半径を１０３ｍｍ、前記磁場トンネルの中心線の略直線部の交点と、前記円弧状の部分の中心点との距離を３０ｍｍ、とした場合に、
前記磁場トンネルの中心線の対称軸と前記略直線部とのなす角度θは、４５°以上１３５°以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタ源。
前記角度θは、７５°以上８５°以下であることを特徴とする請求項３記載のスパッタ源。
前記内磁と外磁との間に形成される磁場トンネルの中心線は、前記ターゲットの外縁よりも外側にはみ出さないように設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のスパッタ源。
前記円弧状の部分の中心から内磁の外側側面までの半径Ｒ１と、前記円弧状の部分の中心から外磁の外側側面までの半径Ｒ２と、前記円弧状の部分の中心からターゲットの外縁までの半径Ｒ３と、が、以下の関係を満足すること、を特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のスパッタ源。
Ｒ１＜Ｒ３＜Ｒ２
前記半径Ｒ３と、前記円弧状の部分の中心から内磁と外磁との間隔の中心までの距離Ｒ４と、が、以下の関係を満足すること、を特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のスパッタ源。
Ｒ４＜Ｒ３
前記内磁及び前記外磁の前記略直線部に対応する部分は、複数の磁石ブロックを階段状に配置してなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のスパッタ源。
前記内磁及び前記外磁の前記略直線部に対応する部分は、前記円弧状の部分に対応する部分から連続的に形成された曲線に形成されてなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のスパッタ源。
前記内磁及び前記外磁の前記略直線部に対応する部分は、前記対称軸に対して略垂直な複数の直線部を互いにずらして配置してなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のスパッタ源。
前記回転軸は、前記円弧状の部分の中心点を通過することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載のスパッタ源。
）
前記回転軸は、前記円弧状の部分の中心点を通過しないことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載のスパッタ源。
請求項１〜１２のいずれか１つに記載のスパッタ源を備え、被処理物の表面に薄膜を堆積可能としたことを特徴とする成膜装置。