JP4854235B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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プラズマが生起される内部空間と、前記内部空間に連通するガス導入口と、前記内部空間に連通する開口部とを有し、高周波電力が印加される筒状のカソード部と、
被処理物を、前記開口部を介して前記内部空間に臨ませる位置に支持可能なアノード部と、
一端部が前記ガス導入口に接続され、前記一端部よりもガスの流れの上流側に位置する他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブと、
前記ガス導入チューブの中空部を長手方向に沿って複数に分けるように前記中空部に設けられた通気性を有する導体と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
また、図2は、同プラズマ処理装置1においてプラズマ生起装置3a〜3gと回転テーブ ル5との配置関係を表す模式斜視図である。
図3は、内部を点線で表したガス導入チューブ25の拡大側面図であり、図4は図3におけるA−A線方向の拡大断面図である。第1の具体例では、ガス導入チューブ25の中空部に、複数の導体31と、複数の誘電体32とが、ガス導入チューブ25の長手方向に沿って交互に配置されている。
導体31は、例えばステンレス材料からなる円形リング状のワッシャである。複数の導体31は、略等間隔で互いに離間されて、ガス導入チューブ25の長手方向に沿って配置されている。各導体31は互いに電気的に接続されていない。各導体31は、その径方向が、ガス導入チューブ25の長手方向に略垂直となるような姿勢でガス導入チューブ25内に配置されている。なお、導体31の材質はステンレスに限らず、例えば、銅、アルミニウム、その他金属や合金を用いることができる。
図7は、第2の具体例に係るガス導入チューブ25の内部構成を表す拡大側面図であり、図8は、ガス導入チューブ25と、この内部に装入される複数の導体35とを分けて表した模式斜視図である。
図9は、第3の具体例に係るガス導入チューブ25の横断面図である。
図10は、第4の具体例に係るガス導入チューブ25の横断面図である。第4の具体例では、ガス導入チューブ25の中空部に、断面が例えば十字状の誘電体51を装入することでガス流路を狭めて、ガス流路にプラズマが発生しにくくしている。誘電体51は、例えばフッ素樹脂やセラミックス材料からなる。
3a〜3g プラズマ生起装置
5 回転テーブル
7 真空室
10 被処理物
14 内部空間
18 カソード部
25 ガス導入チューブ
26 ガス導入口
31 導体
32 誘電体
35 導体
41〜49 誘電体
51 誘電体
Claims (3)
- プラズマが生起される内部空間と、前記内部空間に連通するガス導入口と、前記内部空間に連通する開口部とを有し、高周波電力が印加される筒状のカソード部と、
被処理物を、前記開口部を介して前記内部空間に臨ませる位置に支持可能なアノード部と、
一端部が前記ガス導入口に接続され、前記一端部よりもガスの流れの上流側に位置する他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブと、
前記ガス導入チューブの中空部を長手方向に沿って複数に分けるように前記中空部に設けられた通気性を有する導体と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記ガス導入チューブの中空部を狭めて、前記中空部よりも断面積が小さいガス流路を前記一端部と前記他端部との間に形成するように前記中空部に設けられた誘電体をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス導入チューブの両端にかかる高周波電圧のピーク値をV、前記ガス導入チューブ内を流れるガスが放電を起こすのに必要な最小電圧をVsとすると、前記導体によるガス流路の分割数nは、V/n<Vsを満足する
ことを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
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JP2005240470A JP4854235B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005240470A JP4854235B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | プラズマ処理装置 |
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JP2007059103A JP2007059103A (ja) | 2007-03-08 |
JP4854235B2 true JP4854235B2 (ja) | 2012-01-18 |
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ID=37922421
Family Applications (1)
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JP2005240470A Active JP4854235B2 (ja) | 2005-08-22 | 2005-08-22 | プラズマ処理装置 |
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2005
- 2005-08-22 JP JP2005240470A patent/JP4854235B2/ja active Active
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